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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101854
(43)【公開日】2024-07-30
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240723BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 647Z
H01L21/304 643A
H01L21/304 651B
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023006017
(22)【出願日】2023-01-18
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】火口 友美
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA17
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157BB23
5F157BB42
5F157BB66
5F157BB79
5F157BD25
5F157BD33
5F157BE12
5F157CB02
5F157CB04
5F157CB13
5F157CF04
5F157CF10
5F157CF14
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF48
5F157CF60
5F157CF74
5F157CF99
5F157DB02
5F157DB03
5F157DB57
5F157DC86
(57)【要約】
【課題】洗浄液がパーティクルになることを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板処理ユニット１０と、電気分解部３１０と、オゾン水タンク３２０と、水素水タンク３３０とを備える。基板処理ユニット１０は、基板Ｗに洗浄液を供給するノズル４４、５４を有する。電気分解部３１０は、純水を電気分解して洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する。オゾン水タンク３２０は、オゾン水を収容する。水素水タンク３３０は、水素水を収容する。ノズル４４、５４は、オゾン水タンク３２０からのオゾン水、および、水素水タンク３３０からの水素水を基板Ｗに供給する。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理装置１００は、基板処理ユニット１０と、電気分解部３１０と、オゾン水タンク３２０と、水素水タンク３３０とを備える。基板処理ユニット１０は、基板Ｗに洗浄液を供給するノズル４４、５４を有する。電気分解部３１０は、純水を電気分解して洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する。オゾン水タンク３２０は、オゾン水を収容する。水素水タンク３３０は、水素水を収容する。ノズル４４、５４は、オゾン水タンク３２０からのオゾン水、および、水素水タンク３３０からの水素水を基板Ｗに供給する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に洗浄液を供給するノズルを有する基板処理ユニットと、
純水を電気分解して前記洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する電気分解部と、
前記オゾン水を収容するオゾン水タンクと、
前記水素水を収容する水素水タンクと
を備え、
前記ノズルは、前記オゾン水タンクからの前記オゾン水、および、前記水素水タンクからの前記水素水を前記基板に供給する、基板処理装置。
純水を電気分解して前記洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する電気分解部と、
前記オゾン水を収容するオゾン水タンクと、
前記水素水を収容する水素水タンクと
を備え、
前記ノズルは、前記オゾン水タンクからの前記オゾン水、および、前記水素水タンクからの前記水素水を前記基板に供給する、基板処理装置。
【請求項2】
前記ノズルは、
前記基板の上面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも一方を供給する第１ノズルと、
前記基板の下面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも他方を供給する第２ノズルと
を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
前記基板の上面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも一方を供給する第１ノズルと、
前記基板の下面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも他方を供給する第２ノズルと
を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記洗浄液を同時に前記基板に供給する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記オゾン水タンクの前記オゾン水を前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給するオゾン水配管と、
前記水素水タンクの前記水素水を前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する水素水配管と、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する前記洗浄液を切り替える切替弁と
を備え、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方は、前記オゾン水および前記水素水を前記基板に供給する、請求項２に記載の基板処理装置。
前記水素水タンクの前記水素水を前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する水素水配管と、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する前記洗浄液を切り替える切替弁と
を備え、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方は、前記オゾン水および前記水素水を前記基板に供給する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの一方は、前記第２ノズルであり、
前記第１ノズルが前記基板の前記上面に前記オゾン水および前記水素水の一方を供給しながら、前記第２ノズルが前記基板の前記下面に前記オゾン水および前記水素水の他方を供給した後、
前記切替弁が前記第２ノズルに供給する前記洗浄液を切り替えることによって、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板に前記オゾン水および前記水素水の一方を同時に供給する、請求項４に記載の基板処理装置。
前記第１ノズルが前記基板の前記上面に前記オゾン水および前記水素水の一方を供給しながら、前記第２ノズルが前記基板の前記下面に前記オゾン水および前記水素水の他方を供給した後、
前記切替弁が前記第２ノズルに供給する前記洗浄液を切り替えることによって、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板に前記オゾン水および前記水素水の一方を同時に供給する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１ノズルが前記基板の前記上面に前記水素水を供給しながら、前記第２ノズルが前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給した後、
前記切替弁が前記第２ノズルに供給する前記洗浄液を前記オゾン水から前記水素水に切り替えることによって、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板に前記水素水を同時に供給する、請求項５に記載の基板処理装置。
前記切替弁が前記第２ノズルに供給する前記洗浄液を前記オゾン水から前記水素水に切り替えることによって、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板に前記水素水を同時に供給する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１ノズルは、前記基板の前記上面に前記水素水を供給し、
前記第２ノズルは、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給する、請求項２に記載の基板処理装置。
前記第２ノズルは、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記水素水中に泡を発生させる泡発生装置を備える、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
純水を電気分解して洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する生成工程と、
前記オゾン水および前記水素水により基板を洗浄する洗浄工程と
を含み、
前記生成工程において、生成した前記オゾン水をオゾン水タンクに収容するとともに、生成した前記水素水を水素水タンクに収容し、
前記洗浄工程において、前記オゾン水タンク内の前記オゾン水を前記基板に供給するとともに、前記水素水タンク内の前記水素水を前記基板に供給する、基板処理方法。
前記オゾン水および前記水素水により基板を洗浄する洗浄工程と
を含み、
前記生成工程において、生成した前記オゾン水をオゾン水タンクに収容するとともに、生成した前記水素水を水素水タンクに収容し、
前記洗浄工程において、前記オゾン水タンク内の前記オゾン水を前記基板に供給するとともに、前記水素水タンク内の前記水素水を前記基板に供給する、基板処理方法。
【請求項10】
前記洗浄工程において、
前記基板の上面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも一方を供給し、
前記基板の下面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも他方を供給する、請求項９に記載の基板処理方法。
前記基板の上面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも一方を供給し、
前記基板の下面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも他方を供給する、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項11】
前記洗浄工程において、前記基板の前記上面および前記下面に前記洗浄液を同時に供給する、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項12】
前記洗浄工程において、前記基板の前記上面および前記下面の少なくとも一方に供給する前記洗浄液を切り替える、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項13】
前記洗浄工程において、
前記基板の前記上面に前記オゾン水および前記水素水の一方を供給しながら、前記基板の前記下面に前記オゾン水および前記水素水の他方を供給した後、
前記基板の前記下面に供給する前記洗浄液を切り替えることによって、前記基板の前記上面および前記下面に前記オゾン水および前記水素水の一方を同時に供給する、請求項１２に記載の基板処理方法。
前記基板の前記上面に前記オゾン水および前記水素水の一方を供給しながら、前記基板の前記下面に前記オゾン水および前記水素水の他方を供給した後、
前記基板の前記下面に供給する前記洗浄液を切り替えることによって、前記基板の前記上面および前記下面に前記オゾン水および前記水素水の一方を同時に供給する、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記洗浄工程において、
前記基板の前記上面に前記水素水を供給しながら、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給した後、
前記基板の前記下面に供給する前記洗浄液を前記オゾン水から前記水素水に切り替えることによって、前記基板の前記上面および前記下面に前記水素水を同時に供給する、請求項１３に記載の基板処理方法。
前記基板の前記上面に前記水素水を供給しながら、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給した後、
前記基板の前記下面に供給する前記洗浄液を前記オゾン水から前記水素水に切り替えることによって、前記基板の前記上面および前記下面に前記水素水を同時に供給する、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記洗浄工程において、前記基板の前記上面に前記水素水を供給し、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給する、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記水素水を前記基板に供給する前に、前記水素水中に泡を発生させる、請求項９から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の製造に好適に用いられる。基板処理装置は、薬液等の処理液を用いて基板を処理する。このような基板処理装置として、薬液等の処理液を用いて基板を処理した後、純水を用いてリンス（洗浄）を行う基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１７１４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、基板の表面に金属膜が形成されている場合、特許文献１のように純水を用いてリンスを行うと、金属膜が腐食することがある。このため、表面に金属膜が形成されている基板に対しては、薬液等の処理液を用いて基板を処理した後、アンモニア水を用いてリンスを行うことがある。
【0005】
しかしながら、リンス液としてアンモニア水を用いると、その後の乾燥工程において基板を高速で回転させた際に、カップの内面（アンモニア水を受ける面）にアンモニア水が残留したり、基板から排出されたアンモニア水がカップで跳ね返って基板に付着したりする。このため、アンモニア水がパーティクルになってしまうという問題点があった。
【0006】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、洗浄液がパーティクルになることを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板処理ユニットと、電気分解部と、オゾン水タンクと、水素水タンクとを備える。前記基板処理ユニットは、基板に洗浄液を供給するノズルを有する。前記電気分解部は、純水を電気分解して前記洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する。前記オゾン水タンクは、前記オゾン水を収容する。前記水素水タンクは、前記水素水を収容する。前記ノズルは、前記オゾン水タンクからの前記オゾン水、および、前記水素水タンクからの前記水素水を前記基板に供給する。
【0008】
ある実施形態では、前記ノズルは、第１ノズルと、第２ノズルとを含む。前記第１ノズルは、前記基板の上面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも一方を供給する。前記第２ノズルは、前記基板の下面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも他方を供給する。
【0009】
ある実施形態では、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記洗浄液を同時に前記基板に供給する。
【0010】
ある実施形態では、前記基板処理装置は、オゾン水配管と、水素水配管と、切替弁とを備える。前記オゾン水配管は、前記オゾン水タンクの前記オゾン水を前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する。前記水素水配管は、前記水素水タンクの前記水素水を前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する。前記切替弁は、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方に供給する前記洗浄液を切り替える。前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方は、前記オゾン水および前記水素水を前記基板に供給する。
【0011】
ある実施形態では、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの一方は、前記第２ノズルである。前記第１ノズルが前記基板の前記上面に前記オゾン水および前記水素水の一方を供給しながら、前記第２ノズルが前記基板の前記下面に前記オゾン水および前記水素水の他方を供給した後、前記切替弁が前記第２ノズルに供給する前記洗浄液を切り替えることによって、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板に前記オゾン水および前記水素水の一方を同時に供給する。
【0012】
ある実施形態では、前記第１ノズルが前記基板の前記上面に前記水素水を供給しながら、前記第２ノズルが前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給した後、前記切替弁が前記第２ノズルに供給する前記洗浄液を前記オゾン水から前記水素水に切り替えることによって、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板に前記水素水を同時に供給する。
【0013】
ある実施形態では、前記第１ノズルは、前記基板の前記上面に前記水素水を供給する。前記第２ノズルは、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給する。
【0014】
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記水素水中に泡を発生させる泡発生装置を備える。
【0015】
本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、純水を電気分解して洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する生成工程と、前記オゾン水および前記水素水により基板を洗浄する洗浄工程とを含む。前記生成工程において、生成した前記オゾン水をオゾン水タンクに収容するとともに、生成した前記水素水を水素水タンクに収容する。前記洗浄工程において、前記オゾン水タンク内の前記オゾン水を前記基板に供給するとともに、前記水素水タンク内の前記水素水を前記基板に供給する。
【0016】
ある実施形態では、前記洗浄工程において、前記基板の上面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも一方を供給し、前記基板の下面に、前記オゾン水および前記水素水の少なくとも他方を供給する。
【0017】
ある実施形態では、前記洗浄工程において、前記基板の前記上面および前記下面に前記洗浄液を同時に供給する。
【0018】
ある実施形態では、前記洗浄工程において、前記基板の前記上面および前記下面の少なくとも一方に供給する前記洗浄液を切り替える。
【0019】
ある実施形態では、前記洗浄工程において、前記基板の前記上面に前記オゾン水および前記水素水の一方を供給しながら、前記基板の前記下面に前記オゾン水および前記水素水の他方を供給した後、前記基板の前記下面に供給する前記洗浄液を切り替えることによって、前記基板に前記オゾン水および前記水素水の一方を同時に供給する。
【0020】
ある実施形態では、前記洗浄工程において、前記基板の前記上面に前記水素水を供給しながら、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給した後、前記基板の前記下面に供給する前記洗浄液を前記オゾン水から前記水素水に切り替えることによって、前記基板の前記上面および前記下面に前記水素水を同時に供給する。
【0021】
ある実施形態では、前記洗浄工程において、前記基板の前記上面に前記水素水を供給し、前記基板の前記下面に前記オゾン水を供給する。
【0022】
ある実施形態では、前記水素水を前記基板に供給する前に、前記水素水中に泡を発生させる。
【発明の効果】
【0023】
本発明によれば、洗浄液がパーティクルになることを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】第１実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】第１実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。
【図3】基板処理装置の配管構成を説明するための模式図である。
【図4】第１実施形態の基板処理装置のブロック図である。
【図5】第１実施形態の基板処理装置の基板処理方法を示すフローチャートである。
【図6】第２実施形態の基板処理装置の基板処理方法を示すフローチャートである。
【図7】第３実施形態の基板処理装置の基板処理方法を示すフローチャートである。
【図8】第４実施形態の基板処理装置の基板処理方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。本実施形態では、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
【0026】
【0027】
図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去、および、洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
【0028】
基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。
【0029】
基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０と、処理液キャビネット１１０と、処理液ボックス１２０と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。
【0030】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理ユニット１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液、リンス液（洗浄液）、除去液および／または撥水剤を含む。処理液キャビネット１１０は、処理液を収容する。なお、処理液キャビネット１１０は、ガスを収容してもよい。
【0031】
具体的には、複数の基板処理ユニット１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理ユニット１０（図１では３つの基板処理ユニット１０）を含む。処理液ボックス１２０は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット１１０内の液体は、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。また、処理液キャビネット１１０内のガスは、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。
【0032】
典型的には、処理液キャビネット１１０は、処理液を調製するための調製槽（タンク）を有する。処理液キャビネット１１０は、１種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット１１０は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび／またはフィルタを有する。
【0033】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１により、基板処理ユニット１０は基板Ｗを処理する。
【0034】
制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。
【0035】
記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。
【0036】
記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
【0037】
【0038】
図２に示すように、基板処理ユニット１０は、チャンバー１２と、基板保持部２０と、処理液供給部３０と、第１洗浄液供給部４０と、第２洗浄液供給部５０とを備える。チャンバー１２は、基板Ｗを収容する。基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。
【0039】
チャンバー１２は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１２は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１２内に収容され、チャンバー１２内で処理される。チャンバー１２には、基板保持部２０および後述する処理液供給部３０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。
【0040】
基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの下面（裏面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。基板保持部２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。
【0041】
例えば、基板保持部２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部２０は、基板Ｗを下面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの下面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
【0042】
例えば、基板保持部２０は、スピンベース２１と、チャック部材２２と、シャフト２３と、電動モーター２４と、ハウジング２５とを含む。チャック部材２２は、スピンベース２１に設けられる。チャック部材２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース２１には、複数のチャック部材２２が設けられる。
【0043】
シャフト２３は、中空軸である。シャフト２３は、回転軸Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト２３の上端には、スピンベース２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース２１の上方に載置される。
【0044】
スピンベース２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト２３は、スピンベース２１の中央部から下方に延びる。電動モーター２４は、シャフト２３に回転力を与える。電動モーター２４は、シャフト２３を回転方向に回転させることにより、回転軸Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させる。ハウジング２５は、シャフト２３および電動モーター２４を取り囲んでいる。
【0045】
処理液供給部３０は、基板Ｗに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液供給部３０の少なくとも一部は、チャンバー１２内に収容される。
【0046】
処理液は、いわゆる薬液を含んでもよい。薬液は、例えば、フッ酸を含む。例えば、フッ酸は、４０℃以上７０℃以下に加熱されてもよく、５０℃以上６０℃以下に加熱されてもよい。ただし、フッ酸は、加熱されなくてもよい。また、薬液は、水または燐酸を含んでもよい。
【0047】
さらに、薬液は、過酸化水素水を含んでもよい。また、薬液は、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）または王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を含んでもよい。第１実施形態では、処理液供給部３０は、ＳＣ１を基板Ｗに供給する。
【0048】
処理液供給部３０は、配管３２と、ノズル３４と、バルブ３６とを含む。ノズル３４は基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル３４は、例えば、基板Ｗの中央部に処理液を吐出してもよいし、基板Ｗの中央部と周縁部との間の領域に処理液を吐出してもよい。ノズル３４は、吐出口を有し、吐出口から処理液を吐出する。ノズル３４は、配管３２に接続される。配管３２には、供給源から処理液が供給される。バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。ノズル３４は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。ノズル３４は、制御部１０２によって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略していることに留意されたい。
【0049】
バルブ３６は、配管３２の開度を調節して、配管３２に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ３６は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0050】
第１洗浄液供給部４０は、基板Ｗの上面Ｗａに洗浄液を供給する。第１洗浄液供給部４０の少なくとも一部は、チャンバー１２内に収容される。洗浄液は、例えば、オゾン水および水素水を含む。
【0051】
第１洗浄液供給部４０は、配管４２と、ノズル４４と、バルブ４６とを含む。ノズル４４は基板Ｗの上面Ｗａに洗浄液を吐出する。ノズル４４は、例えば、基板Ｗの中央部に洗浄液を吐出してもよいし、基板Ｗの中央部と周縁部との間の領域に洗浄液を吐出してもよい。ノズル４４は、吐出口を有し、吐出口から洗浄液を吐出する。ノズル４４は、配管４２に接続される。配管４２には、供給源から洗浄液が供給される。バルブ４６は、配管４２内の流路を開閉する。ノズル４４は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。ノズル４４は、制御部１０２によって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。なお、ノズル４４は、本発明の「第１ノズル」の一例である。また、バルブ４６は、本発明の「切替弁」の一例である。
【0052】
ノズル４４は、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の少なくとも一方を供給する。第１実施形態では、ノズル４４は、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水を供給することが可能である。
【0053】
バルブ４６は、配管４２の開度を調節して、配管４２に供給される洗浄液の流量を調整する。具体的には、バルブ４６は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0054】
第２洗浄液供給部５０は、基板Ｗの下面Ｗｂに洗浄液を供給する。第２洗浄液供給部５０の少なくとも一部は、チャンバー１２内に収容される。
【0055】
第２洗浄液供給部５０は、配管５２と、ノズル５４と、バルブ５６とを含む。ノズル５４は基板Ｗの下面Ｗｂに洗浄液を吐出する。ノズル５４は、例えば、基板Ｗの中央部に洗浄液を吐出する。ノズル５４は、吐出口を有し、吐出口から洗浄液を吐出する。ノズル５４は、例えば、真上方向に向かって洗浄液を吐出する。ノズル５４は、配管５２に接続される。配管５２には、供給源から洗浄液が供給される。バルブ５６は、配管５２内の流路を開閉する。なお、ノズル５４は、洗浄液に加え、不活性ガス等の気体を吐出してもよい。この場合、ノズル５４の外周面に気体吐出口が設けられ、ノズル５４は、径方向外側に向かって気体を吐出してもよい。なお、ノズル５４は、本発明の「第２ノズル」の一例である。また、バルブ５６は、本発明の「切替弁」の一例である。
【0056】
ノズル５４は、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の少なくとも他方を供給する。第１実施形態では、ノズル５４は、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水を供給することが可能である。
【0057】
バルブ５６は、配管５２の開度を調節して、配管５２に供給される洗浄液の流量を調整する。具体的には、バルブ５６は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0058】
第１洗浄液供給部４０および第２洗浄液供給部５０の詳細構造については、後述する。
【0059】
基板処理装置１００は、カップ８０をさらに備える。カップ８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ８０は昇降する。例えば、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ８０は、処理液供給部３０、第１洗浄液供給部４０および第２洗浄液供給部５０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。具体的には、基板処理装置１００は、カップ８０を昇降させる昇降機構（図示せず）を備える。昇降機構は、例えば、カップ８０を昇降させるアクチュエータ（図示しない）および／またはモーターを含む。
【0060】
第１実施形態では、カップ８０は、第１カップ８１と、第１カップ８１に対して径方向外側に配置される第２カップ８２とを含む。第１カップ８１と第２カップ８２とは、図示しない移動機構によって個別に上下方向に移動可能である。
【0061】
上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部２０、処理液供給部３０、第１洗浄液供給部４０、第２洗浄液供給部５０および／またはカップ８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター２４およびバルブ３６を制御する。
【0062】
本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。また、基板処理装置１００は、絶縁層（例えば、レジスト層）の除去に好適に用いられる。
【0063】
なお、図２に示した基板処理ユニット１０において、処理液供給部３０は、１種類の処理液を基板Ｗに供給可能であるが、処理液供給部３０は、複数種類の処理液を基板Ｗに供給可能であってもよい。例えば、処理液供給部３０は、配管３２、ノズル３４およびバルブ３６をそれぞれ複数含んでもよい。
【0064】
次に、図３を参照して、基板処理装置１００の配管構成を説明する。図３は、基板処理装置１００の配管構成を説明するための模式図である。なお、図３では、図面簡略化のため、処理液供給部３０を省略している。図１および図２から理解されるように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０を有しており、基板Ｗは複数種の処理液で処理され得ることが好ましい。ただし、ここでは、説明が過度に複雑になることを避ける目的で、１つの基板処理ユニット１０に対して１種類の処理液が供給される態様を説明する。
【0065】
図３に示すように、基板処理装置１００は、電気分解部３１０と、オゾン水タンク３２０と、水素水タンク３３０とを備える。電気分解部３１０は、純水を電気分解してオゾン水および水素水を生成する。オゾン水および水素水は、基板Ｗを洗浄する洗浄液である。オゾン水は、例えば、金属からなるパーティクル、および、有機物からなるパーティクルを除去する。水素水は、例えば、基板Ｗの金属膜に対する還元作用を有する。言い換えると、水素水は、例えば、基板Ｗの表面に対して腐食防止効果を有する。また、水素水は、例えば、微粒子を除去する。水素水は、例えば、金属不純物および有機物よりも小さい微粒子を除去することができる。
【0066】
電気分解部３１０は、陽極と、陰極と、イオン交換膜等の隔膜とを有する。陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、陽極側でオゾン水が生成され、陰極側で水素水が生成される。電気分解部３１０としては、公知の電気分解装置を用いることができる。
【0067】
オゾン水タンク３２０は、電気分解部３１０で生成されたオゾン水を収容する。水素水タンク３３０は、電気分解部３１０で生成された水素水を収容する。第１実施形態では、オゾン水タンク３２０内のオゾン水は、オゾンガスが溶けた純水のみからなり、例えば塩酸等を含んでいない。また、第１実施形態では、水素水タンク３３０内の水素水は、水素ガスが溶けた純水のみからなり、例えばアンモニア等を含有していない。
【0068】
基板処理装置１００は、配管３１１およびバルブ３１２を備える。配管３１１は、電気分解部３１０に接続される。配管３１１には、供給源から純水が供給される。配管３１１は、電気分解部３１０に純水を供給する。
【0069】
バルブ３１２は、配管３１１に配置される。バルブ３１２は、配管３１１内の流路を開閉する。バルブ３１２は、配管３１１の開度を調節して、配管３１１に供給される純水の流量を調整する。具体的には、バルブ３１２は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0070】
基板処理装置１００は、流量計３２８、配管３２９、流量計３３８および配管３３９を備える。配管３２９は、電気分解部３１０とオゾン水タンク３２０とを接続する。配管３２９は、電気分解部３１０で生成されたオゾン水をオゾン水タンク３２０に供給する。流量計３２８は、配管３２９に配置される。流量計３２８は、配管３２９を通過するオゾン水の流量を計測する。配管３３９は、電気分解部３１０と水素水タンク３３０とを接続する。配管３３９は、電気分解部３１０で生成された水素水を水素水タンク３３０に供給する。流量計３３８は、配管３３９に配置される。流量計３３８は、配管３３９を通過する水素水の流量を計測する。
【0071】
基板処理装置１００は、配管３２１およびバルブ３２２を備える。配管３２１は、オゾン水タンク３２０に接続される。配管３２１には、供給源から純水が供給される。配管３２１は、オゾン水タンク３２０に純水を供給する。
【0072】
バルブ３２２は、配管３２１に配置される。バルブ３２２は、配管３２１内の流路を開閉する。バルブ３２２は、配管３２１の開度を調節して、配管３２１に供給される純水の流量を調整する。なお、バルブ３２２は、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0073】
基板処理装置１００は、配管３３１およびバルブ３３２を備える。配管３３１は、水素水タンク３３０に接続される。配管３３１には、供給源から純水が供給される。配管３３１は、水素水タンク３３０に純水を供給する。
【0074】
バルブ３３２は、配管３３１に配置される。バルブ３３２は、配管３３１内の流路を開閉する。バルブ３３２は、配管３３１の開度を調節して、配管３３１に供給される純水の流量を調整する。なお、バルブ３３２は、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0075】
基板処理装置１００は、第１濃度計３２５を備える。第１濃度計３２５は、オゾン水タンク３２０に配置される。第１濃度計３２５は、オゾン水タンク３２０内のオゾン水の濃度を測定する。第１濃度計３２５は、特に限定されるものではないが、例えば、オゾン水のｐＨを測定するｐＨ測定器を含んでもよいし、オゾン水の酸素濃度を測定する酸素測定器を含んでもよいし、ＯＲＰ（酸化還元電位）計を含んでもよい。
【0076】
オゾン水タンク３２０内のオゾン水の濃度は、所定の濃度に調整される。オゾン水タンク３２０内のオゾン水の濃度は、電気分解部３１０から配管３２９に供給されるオゾン水の濃度よりも低い。なお、基板処理装置１００は、第１濃度計３２５の計測結果に基づいて、オゾン水タンク３２０に純水を供給する。
【0077】
基板処理装置１００は、第２濃度計３３５および泡発生装置３３６を備える。第２濃度計３３５は、水素水タンク３３０に配置される。第２濃度計３３５は、水素水タンク３３０内の水素水の濃度を測定する。第２濃度計３３５は、特に限定されるものではないが、例えば、水素水のｐＨを測定するｐＨ測定器を含んでもよいし、水素水の水素濃度を測定する水素測定器を含んでもよいし、ＯＲＰ（酸化還元電位）計を含んでもよい。
【0078】
水素水タンク３３０内の水素水の濃度は、所定の濃度に調整される。水素水タンク３３０内の水素水の濃度は、電気分解部３１０から配管３３９に供給される水素水の濃度よりも低い。なお、基板処理装置１００は、第２濃度計３３５の計測結果に基づいて、水素水タンク３３０に純水を供給する。
【0079】
例えば、基板Ｗに形成された金属膜がコバルトを含んでいる場合、水素水タンク３３０内の水素水は、ｐＨが７よりも大きくなるように調整され、１０以上になるように調整されてもよい。また、基板Ｗに形成された金属膜がコバルトを含んでいる場合、水素水タンク３３０内の水素水は、酸化還元電位が－０．５Ｖ以下になるように調整され、－０．７５Ｖ以下になるように調整されてもよい。また、例えば、基板Ｗに形成された金属膜が銅を含んでいる場合、水素水タンク３３０内の水素水は、ｐＨが７よりも大きくなるように調整される。また、基板Ｗに形成された金属膜が銅を含んでいる場合、水素水タンク３３０内の水素水は、酸化還元電位が－０．４Ｖ以下になるように調整される。以上のように構成すれば、基板Ｗに形成された金属膜が腐食することを、水素水によって効果的に抑制できる。
【0080】
泡発生装置３３６は、水素水タンク３３０の水素水中に泡を発生させる。泡発生装置３３６は、特に限定されるものではないが、例えば、超音波発生装置を含む。超音波発生装置は、例えば、超音波振動子を有する。泡発生装置３３６が駆動すると、水素水中にマイクロメートルオーダーの気泡が発生する。
【0081】
基板処理装置１００は、オゾン水配管９１０ａおよび９１０ｂと、水素水配管９２０ａおよび９２０ｂと、後述するバルブ４６および５６とを備える。オゾン水配管９１０ａおよびオゾン水配管９１０ｂは、オゾン水タンク３２０のオゾン水をノズル４４およびノズル５４の少なくとも一方に供給する。水素水配管９２０ａおよび水素水配管９２０ｂは、水素水タンク３３０の水素水をノズル４４およびノズル５４の少なくとも一方に供給する。バルブ４６およびバルブ５６は、ノズル４４およびノズル５４の少なくとも一方に供給する洗浄液を切り替える。
【0082】
第１実施形態では、オゾン水配管９１０ａは、オゾン水タンク３２０のオゾン水をノズル４４に供給する。オゾン水配管９１０ｂは、オゾン水タンク３２０のオゾン水をノズル５４に供給する。水素水配管９２０ａは、水素水タンク３３０の水素水をノズル４４に供給する。水素水配管９２０ｂは、水素水タンク３３０の水素水をノズル５４に供給する。バルブ４６は、ノズル４４に供給する洗浄液を切り替える。バルブ５６は、ノズル５４に供給する洗浄液を切り替える。オゾン水配管９１０ａ、９１０ｂ、水素水配管９２０ａおよび９２０ｂの構成については、後述する。
【0083】
基板処理装置１００は、配管３４１、ヒータ３４２、ポンプ３４３、フィルタ３４４、流量計３４５およびバルブ３４６を備える。配管３４１は、オゾン水タンク３２０に接続される。配管３４１は、オゾン水タンク３２０から基板処理ユニット１０にオゾン水を供給するための流路を構成する。第１実施形態では、配管３４１は、オゾン水タンク３２０と処理液ボックス１２０とを接続する。また、第１実施形態では、配管３４１は、オゾン水タンク３２０と第１洗浄液供給部４０とを接続する。また、配管３４１は、オゾン水タンク３２０と第２洗浄液供給部５０とを接続する。配管３４１には、ヒータ３４２、ポンプ３４３、フィルタ３４４、流量計３４５およびバルブ３４６が取り付けられる。
【0084】
ヒータ３４２は、配管３４１を通過する液を加熱する。第１実施形態では、ヒータ３４２は、配管３４１を通過するオゾン水を所定温度に加熱する。
【0085】
ポンプ３４３は、オゾン水タンク３２０のオゾン水を基板処理ユニット１０に向けて送る。
【0086】
フィルタ３４４は、配管３４１に取り付けられる。フィルタ３４４は、配管３４１に対して着脱可能である。フィルタ３４４が配管３４１に取り付けられた場合、オゾン水は、フィルタ３４４を通過する。一方で、フィルタ３４４は、配管３４１から取り外しできる。このため、フィルタ３４４が劣化すると、フィルタ３４４は交換される。
【0087】
フィルタ３４４は、配管３４１内を通過する洗浄液をろ過する。フィルタ３４４は、例えば、多孔質形状を有する。フィルタ３４４は、洗浄液の液体成分を通過させる。一方、フィルタ３４４は、洗浄液に含有されるパーティクルを捕捉する。なお、パーティクルは、例えば、固体である。パーティクルは、特に限定されるものではないが、例えば、樹脂または金属からなる。
【0088】
流量計３４５は、配管３４１内を通過するオゾン水の流量を計測する。
【0089】
バルブ３４６は、配管３４１内の流路を開閉する。バルブ３４６は、配管３４１の開度を調節して、配管３４１を通過するオゾン水の流量を調整する。なお、バルブ３４６は、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0090】
基板処理装置１００は、配管３５１、ヒータ３５２、ポンプ３５３、フィルタ３５４、流量計３５５およびバルブ３５６を備える。配管３５１は、水素水タンク３３０に接続される。配管３５１は、水素水タンク３３０から基板処理ユニット１０に水素水を供給するための流路を構成する。第１実施形態では、配管３５１は、水素水タンク３３０と処理液ボックス１２０とを接続する。また、第１実施形態では、配管３５１は、水素水タンク３３０と第１洗浄液供給部４０とを接続する。また、配管３５１は、水素水タンク３３０と第２洗浄液供給部５０とを接続する。配管３５１には、ヒータ３５２、ポンプ３５３、フィルタ３５４、流量計３５５およびバルブ３５６が取り付けられる。
【0091】
ヒータ３５２は、配管３５１を通過する液を加熱する。第１実施形態では、ヒータ３５２は、配管３５１を通過する水素水を所定温度に加熱する。
【0092】
ポンプ３５３は、水素水タンク３３０の水素水を基板処理ユニット１０に向けて送る。
【0093】
フィルタ３５４は、配管３５１に取り付けられる。フィルタ３５４は、配管３５１に対して着脱可能である。フィルタ３５４が配管３５１に取り付けられた場合、水素水は、フィルタ３５４を通過する。一方で、フィルタ３５４は、配管３５１から取り外しできる。このため、フィルタ３５４が劣化すると、フィルタ３５４は交換される。なお、フィルタ３５４は、例えば、フィルタ３４４と同様に構成されている。
【0094】
流量計３５５は、配管３５１内を通過する水素水の流量を計測する。
【0095】
バルブ３５６は、配管３５１内の流路を開閉する。バルブ３５６は、配管３５１の開度を調節して、配管３５１を通過する水素水の流量を調整する。なお、バルブ３５６は、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0096】
基板処理装置１００は、廃タンク３６０、配管３６１ａ、配管３６１ｂ、バルブ３６２ａおよびバルブ３６２ｂを備える。廃タンク３６０は、オゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０から排出された液を収容する。
【0097】
配管３６１ａは、オゾン水タンク３２０と廃タンク３６０とを接続する。配管３６１ａは、オゾン水タンク３２０内の液を廃タンク３６０に排出する。
【0098】
バルブ３６２ａは、配管３６１ａに配置される。バルブ３６２ａは、配管３６１ａ内の流路を開閉する。バルブ３６２ａは、配管３６１ａの開度を調節して、配管３６１ａを通過する液の流量を調整する。なお、バルブ３６２ａは、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0099】
配管３６１ｂは、水素水タンク３３０と廃タンク３６０とを接続する。配管３６１ｂは、水素水タンク３３０内の液を廃タンク３６０に排出する。
【0100】
バルブ３６２ｂは、配管３６１ｂに配置される。バルブ３６２ｂは、配管３６１ｂ内の流路を開閉する。バルブ３６２ｂは、配管３６１ｂの開度を調節して、配管３６１ｂを通過する液の流量を調整する。なお、バルブ３６２ｂは、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0101】
また、第１実施形態では、基板処理装置１００は、戻り配管６１、戻り配管６２、バルブ６３およびバルブ６４をさらに備える。
【0102】
戻り配管６１は、配管３４１とオゾン水タンク３２０とを接続する。戻り配管６１は、配管３４１からのオゾン水をオゾン水タンク３２０に戻す。
【0103】
バルブ６３は、戻り配管６１に配置される。バルブ６３は、戻り配管６１内の流路を開閉する。バルブ６３は、戻り配管６１の開度を調節して、戻り配管６１を通過するオゾン水の流量を調整する。なお、バルブ６３は、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0104】
戻り配管６２は、配管３５１と水素水タンク３３０とを接続する。戻り配管６２は、配管３５１からの水素水を水素水タンク３３０に戻す。
【0105】
バルブ６４は、戻り配管６２に配置される。バルブ６４は、戻り配管６２内の流路を開閉する。バルブ６４は、戻り配管６２の開度を調節して、戻り配管６２を通過する水素水の流量を調整する。なお、バルブ６４は、例えば、バルブ３１２と同様の構造を有する。
【0106】
次に、第１洗浄液供給部４０および第２洗浄液供給部５０について、さらに説明する。
【0107】
第１洗浄液供給部４０の配管４２は、第１配管４２ａと、第２配管４２ｂと、共通配管４２ｃとを有する。第１配管４２ａは、配管３４１とバルブ４６とを接続する。第１配管４２ａは、配管３４１からバルブ４６にオゾン水を供給する。第２配管４２ｂは、配管３５１とバルブ４６とを接続する。第２配管４２ｂは、配管３５１からバルブ４６に水素水を供給する。
【0108】
共通配管４２ｃは、バルブ４６からノズル４４にオゾン水および水素水を供給する。第１実施形態では、共通配管４２ｃは、オゾン水および水素水を別々にノズル４４に供給する。つまり、共通配管４２ｃは、オゾン水および水素水を同時にノズル４４に供給しない。共通配管４２ｃは、オゾン水および水素水の一方のみをノズル４４に供給したり、オゾン水および水素水の他方のみをノズル４４に供給したりする。
【0109】
バルブ４６は、共通配管４２ｃにオゾン水および水素水を供給する。第１実施形態では、バルブ４６は、オゾン水および水素水を別々に共通配管４２ｃに供給する。つまり、バルブ４６は、オゾン水および水素水を同時に共通配管４２ｃに供給しない。バルブ４６は、オゾン水および水素水の一方のみを共通配管４２ｃに供給したり、オゾン水および水素水の他方のみを共通配管４２ｃに供給したりする。
【0110】
具体的には、バルブ４６は、例えば、多連弁を含む。多連弁は、例えば、複数の配管にそれぞれ接続される複数の弁を有する。バルブ４６は、第１配管４２ａおよび第２配管４２ｂのうちの少なくとも１つの流路を開状態にすることができる。第１実施形態では、バルブ４６は、第１配管４２ａおよび第２配管４２ｂのうち１つの流路を開状態にすることができる。つまり、第１実施形態では、バルブ４６は、第１配管４２ａおよび第２配管４２ｂを、開状態および閉状態にしたり、閉状態および開状態にしたり、閉状態および閉状態にしたりすることができる。
【0111】
第２洗浄液供給部５０の配管５２は、第１配管５２ａと、第２配管５２ｂと、共通配管５２ｃとを有する。第１配管５２ａは、配管３４１とバルブ５６とを接続する。第１配管５２ａは、配管３４１からバルブ５６にオゾン水を供給する。第２配管５２ｂは、配管３５１とバルブ５６とを接続する。第２配管５２ｂは、配管３５１からバルブ５６に水素水を供給する。
【0112】
共通配管５２ｃは、バルブ５６からノズル５４にオゾン水および水素水を供給する。第１実施形態では、共通配管５２ｃは、オゾン水および水素水を別々にノズル５４に供給する。つまり、共通配管５２ｃは、オゾン水および水素水を同時にノズル５４に供給しない。共通配管５２ｃは、オゾン水および水素水の一方のみをノズル５４に供給したり、オゾン水および水素水の他方のみをノズル５４に供給したりする。
【0113】
バルブ５６は、共通配管５２ｃにオゾン水および水素水を供給する。第１実施形態では、バルブ５６は、オゾン水および水素水を別々に共通配管５２ｃに供給する。つまり、バルブ５６は、オゾン水および水素水を同時に共通配管５２ｃに供給しない。バルブ５６は、オゾン水および水素水の一方のみを共通配管５２ｃに供給したり、オゾン水および水素水の他方のみを共通配管５２ｃに供給したりする。
【0114】
具体的には、バルブ５６は、例えば、多連弁を含む。多連弁は、例えば、複数の配管にそれぞれ接続される複数の弁を有する。バルブ５６は、第１配管５２ａおよび第２配管５２ｂのうちの少なくとも１つの流路を開状態にすることができる。第１実施形態では、バルブ５６は、第１配管５２ａおよび第２配管５２ｂのうち１つの流路を開状態にすることができる。つまり、第１実施形態では、バルブ５６は、第１配管５２ａおよび第２配管５２ｂを、開状態および閉状態にしたり、閉状態および開状態にしたり、閉状態および閉状態にしたりすることができる。
【0115】
第１実施形態では、ノズル４４およびノズル５４は、洗浄液を同時に基板Ｗに供給する。具体的には、制御部１０２は、バルブ４６およびバルブ５６を同時に開状態にすることによって、ノズル４４およびノズル５４に洗浄液を供給する。なお、本実施形態において、液を同時に基板Ｗに供給するとは、液を基板Ｗに供給している時間が重なっていることを意味する。つまり、液を同時に基板Ｗに供給するとは、基板Ｗへの液の供給を同時に開始することを意味するものではない。また、液を同時に基板Ｗに供給するとは、基板Ｗへの液の供給を同時に停止することを意味するものではない。
【0116】
また、ノズル４４およびノズル５４の少なくとも一方は、オゾン水および水素水を基板Ｗに供給する。具体的には、制御部１０２は、バルブ４６およびバルブ５６の少なくとも一方を制御して、オゾン水および水素水の両方を基板Ｗに供給する。
【0117】
また、第１実施形態では、ノズル４４が基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の一方を供給しながら、ノズル５４が基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の他方を供給する。具体的には、第１実施形態では、ノズル４４が基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給しながら、ノズル５４が基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。
【0118】
第１実施形態では、配管３４１、第１配管４２ａおよび共通配管４２ｃによって、オゾン水タンク３２０のオゾン水をノズル４４に供給するオゾン水配管９１０ａが構成されている。また、配管３４１、第１配管５２ａおよび共通配管５２ｃによって、オゾン水タンク３２０のオゾン水をノズル５４に供給するオゾン水配管９１０ｂが構成されている。
【0119】
また、配管３５１、第２配管４２ｂおよび共通配管４２ｃによって、水素水タンク３３０の水素水をノズル４４に供給する水素水配管９２０ａが構成されている。また、配管３５１、第２配管５２ｂおよび共通配管５２ｃによって、水素水タンク３３０の水素水をノズル５４に供給する水素水配管９２０ｂが構成されている。
【0120】
第１実施形態では、上記のように、ノズル４４およびノズル５４は、オゾン水タンク３２０からのオゾン水、および、水素水タンク３３０からの水素水を基板Ｗに供給する。ここで、オゾン水および水素水は水ベースの液であるため、洗浄液としてアンモニア水等を用いる場合とは異なり、その後の乾燥工程において洗浄液がパーティクルになることを抑制できる。よって、基板Ｗがパーティクルによって汚染されることを抑制できる。
【0121】
また、オゾン水および水素水を洗浄液として用いることによって、洗浄液としてアンモニア水等の薬液を用いる場合に比べて、薬液の使用量を削減できる。第１実施形態では、基板Ｗを洗浄する際の薬液の使用量をゼロにできる。
【0122】
また、上記のように、基板処理装置１００は、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の少なくとも一方を供給するノズル４４と、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の少なくとも他方を供給するノズル５４とを備える。従って、例えば、水素水によって基板Ｗの上面Ｗａまたは下面Ｗｂの腐食を抑制することができるとともに、オゾン水によって基板Ｗの下面Ｗｂのパーティクルを除去することができる。
【0123】
また、上記のように、ノズル４４およびノズル５４は、洗浄液を同時に基板Ｗに供給する。従って、オゾン水および水素水の一方が基板Ｗの下面Ｗｂに回り込んだり、オゾン水および水素水の他方が基板Ｗの上面Ｗａに回り込んだりすることを抑制できる。
【0124】
また、上記のように、ノズル４４およびノズル５４の少なくとも一方は、オゾン水および水素水を基板Ｗに供給する。従って、基板Ｗの上面Ｗａおよび下面Ｗｂの少なくとも一方を、オゾン水および水素水の両方によって洗浄できる。また、バルブ４６（またはバルブ５６）によって洗浄液を切り替えるので、例えば、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水を供給するためのノズルと、水素水を供給するためのノズルとを別々に設ける必要がない。従って、部品点数が増加することを抑制できるとともに、装置構成が複雑になることを抑制できる。
【0125】
また、上記のように、ノズル４４は、基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給し、ノズル５４は、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。従って、基板Ｗの上面Ｗａの腐食を抑制することができるとともに、基板Ｗの下面Ｗｂのパーティクルを除去できる。このような構成は、上面Ｗａに金属膜が形成されている基板Ｗを洗浄する場合に、特に効果的である。
【0126】
また、上記のように、基板処理装置１００に、水素水中に泡を発生させる泡発生装置３３６を設ける。従って、水素水による化学的作用と、泡による物理的作用とによって洗浄できるので、洗浄力を向上させることができる。
【0127】
【0128】
図４に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０、処理液供給部３０、第１洗浄液供給部４０、第２洗浄液供給部５０、ヒータ３４２、３５２、ポンプ３４３、３５３および各種バルブを制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０、処理液供給部３０、第１洗浄液供給部４０、第２洗浄液供給部５０、ヒータ３４２、３５２、ポンプ３４３、３５３および各種バルブに制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０、処理液供給部３０、第１洗浄液供給部４０、第２洗浄液供給部５０、ヒータ３４２、３５２、ポンプ３４３、３５３および各種バルブを制御する。
【0129】
さらに具体的には、制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。
【0130】
制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数の基板処理ユニット１０のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗを基板処理ユニット１０から受け取って、基板Ｗを搬出する。
【0131】
制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板保持部２０の回転数を変更することができる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０の電動モーター２４の回転数を変更することによって、基板Ｗの回転数を変更できる。
【0132】
制御部１０２は、バルブ３６、４６、５６、６３、６４、３１２、３２２、３３２、３４６、３５６、３６２ａおよび３６２ｂを制御して、バルブ３６、４６、５６、６３、６４、３１２、３２２、３３２、３４６、３５６、３６２ａおよび３６２ｂの状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、バルブ３６を開状態または閉状態にすることによって、配管３２内の液を通過させたり、通過させなかったりすることができる。同様に、制御部１０２は、バルブ４６、５６、６３、６４、３１２、３２２、３３２、３４６、３５６、３６２ａおよび３６２ｂを開状態または閉状態にすることによって、配管４２、５２、戻り配管６１、６２、配管３１１、３２１、３３１、３４１、３５１、３６１ａおよび３６１ｂ内の液を通過させたり、通過させなかったりすることができる。
【0133】
制御部１０２は、ヒータ３４２、３５２を制御して、配管３４１、３５１を通過する液を加熱する。
【0134】
制御部１０２は、ポンプ３４３、３５３を制御して、オゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０内の液を下流側に送り出す。具体的には、制御部１０２は、ポンプ３４３を駆動することによって、オゾン水タンク３２０内のオゾン水をノズル４４およびノズル５４に向けて送り出す。また、制御部１０２は、ポンプ３５３を駆動することによって、水素水タンク３３０内の水素水をノズル４４およびノズル５４に向けて送り出す。
【0135】
第１実施形態では、上述したように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、電気分解部３１０および泡発生装置３３６を制御する。具体的には、制御装置１０１は、電気分解部３１０および泡発生装置３３６に制御信号を送信することによって、電気分解部３１０および泡発生装置３３６を制御する。
【0136】
さらに具体的には、制御部１０２は、電気分解部３１０を制御して、純水を電気分解してオゾン水および水素水を生成する。生成されたオゾン水および水素水は、オゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０にそれぞれ供給される。
【0137】
制御部１０２は、泡発生装置３３６を制御して、水素水タンク３３０内に泡を発生させる。
【0138】
また、制御部１０２には、流量計３２８、３３８、３４５、３５５、第１濃度計３２５、第２濃度計３３５の計測結果が送られる。
【0139】
次に、図５を参照して、第１実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図５は、第１実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理装置１００の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ７を含む。ステップＳ１～ステップＳ７は、制御部１０２によって実行される。なお、ステップＳ１は、本発明の「生成工程」の一例である。ステップＳ６は、本発明の「洗浄工程」の一例である。
【0140】
図５に示すように、ステップＳ１において、制御部１０２は、純水を電気分解して洗浄液であるオゾン水および水素水を生成する。具体的には、制御部１０２は、バルブ３１２を閉状態から開状態に切り替えることによって、電気分解部３１０に純水を供給する。制御部１０２の制御により、電気分解部３１０は、純水を電気分解してオゾン水および水素水を生成する。生成されたオゾン水は、配管３２９を通過してオゾン水タンク３２０に収容される。同様に、生成された水素水は、配管３３９を通過して水素水タンク３３０に収容される。
【0141】
次に、ステップＳ２において、制御部１０２は、オゾン水タンク３２０に純水を供給する。具体的には、制御部１０２は、オゾン水タンク３２０内のオゾン水の濃度に基づいて、バルブ３２２を制御してオゾン水タンク３２０に純水を供給する。このとき、オゾン水タンク３２０内のオゾン水は、電気分解部３１０から配管３２９に供給されるオゾン水の濃度よりも低い濃度に調整される。
【0142】
次に、ステップＳ３において、制御部１０２は、水素水タンク３３０に純水を供給する。具体的には、制御部１０２は、水素水タンク３３０内の水素水の濃度に基づいて、バルブ３３２を制御して水素水タンク３３０に純水を供給する。このとき、水素水タンク３３０内の水素水は、電気分解部３１０から配管３３９に供給される水素水の濃度よりも低い濃度に調整される。
【0143】
次に、ステップＳ４において、制御部１０２は、水素水タンク３３０の水素水中に泡を発生させる。具体的には、制御部１０２の制御により、泡発生装置３３６は、水素水タンク３３０の水素水中に泡を発生させる。
【0144】
次に、ステップＳ５において、制御部１０２は、基板Ｗを処理する。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０により、基板Ｗを回転させる。これにより、基板Ｗの回転が開始する。基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、例えば、３００ｒｐｍ以上、８００ｒｐｍ以下である。
【0145】
そして、制御部１０２は、基板保持部２０により回転する基板Ｗに対して、ノズル３４から基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。このとき、制御部１０２は、ノズル５４から基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。つまり、処理液とオゾン水とを同時に基板Ｗに供給する。なお、第１実施形態では、制御部１０２は、ノズル３４から基板Ｗの上面ＷａにＳＣ１を供給する。
【0146】
また、制御部１０２は、基板Ｗに対する処理液の供給を開始してから所定時間が経過すると、処理液およびオゾン水の供給を停止する。なお、第１実施形態では、次のステップＳ６においても基板Ｗに下面Ｗｂに対してオゾン水を供給するため、オゾン水の供給を停止しなくてもよい。
【0147】
次に、ステップＳ６において、制御部１０２は、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の少なくとも一方を供給するとともに、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の少なくとも他方を供給する。第１実施形態では、制御部１０２は、基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給するとともに、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０により回転する基板Ｗに対して、ノズル４４から基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給する。このとき、制御部１０２は、ノズル５４から基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。つまり、水素水とオゾン水とを同時に基板Ｗに供給する。なお、ステップＳ６における基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、例えば、３００ｒｐｍ以上、１２００ｒｐｍ以下である。
【0148】
また、制御部１０２は、基板Ｗに対する水素水の供給を開始してから所定時間が経過すると、水素水およびオゾン水の供給を停止する。
【0149】
次に、ステップＳ７において、制御部１０２は、基板Ｗを乾燥させる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０により、基板Ｗの回転速度をステップＳ６での回転速度よりも高くする。これにより、水素水およびオゾン水が基板Ｗから排出される。排出された水素水およびオゾン水は、例えば第１カップ８１によって受け止められる。なお、ステップＳ７における基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、例えば、１５００ｒｐｍ以上、２５００ｒｐｍ以下である。
【0150】
また、制御部１０２は、基板Ｗの回転速度を高くしてから所定時間が経過すると、基板Ｗの回転を停止する。
【0151】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。なお、第１実施形態では、第１純水供給工程（ステップＳ２）の後に第２純水供給工程（ステップＳ３）を行う例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、第２純水供給工程の後に第１純水供給工程を行ってもよいし、第１純水供給工程と第２純水供給工程とを並行して行ってもよい。
【0152】
（第２実施形態）
図６を参照して、本発明の第２実施形態による基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図６は、第２実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、洗浄工程（ステップＳ６）において、基板Ｗの下面Ｗｂに供給する洗浄液を切り替える例について説明する。第２実施形態では、ステップＳ６は、ステップＳ６１およびステップＳ６２を含む。なお、第２実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。
図６を参照して、本発明の第２実施形態による基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図６は、第２実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、洗浄工程（ステップＳ６）において、基板Ｗの下面Ｗｂに供給する洗浄液を切り替える例について説明する。第２実施形態では、ステップＳ６は、ステップＳ６１およびステップＳ６２を含む。なお、第２実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。
【0153】
図６に示すように、ステップＳ１～ステップＳ５は、第１実施形態と同様である。
【0154】
次に、ステップＳ６において、ステップＳ６１（第１洗浄工程）およびステップＳ６２（第２洗浄工程）を実行する。
【0155】
ステップＳ６１において、ノズル４４が基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の一方を供給しながら、ノズル５４が基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の他方を供給する。第２実施形態では、ノズル４４が基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給しながら、ノズル５４が基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。具体的には、制御部１０２は、バルブ４６およびバルブ５６を制御することによって、ノズル４４から基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給しながら、ノズル５４から基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。
【0156】
また、制御部１０２は、基板Ｗに対する水素水の供給を開始してから所定時間が経過すると、ステップＳ６２に進む。
【0157】
次に、ステップＳ６２において、バルブ５６がノズル５４に供給する洗浄液を切り替えることによって、ノズル４４およびノズル５４は、基板Ｗにオゾン水および水素水の一方を同時に供給する。第２実施形態では、バルブ５６がノズル５４に供給する洗浄液をオゾン水から水素水に切り替えることによって、ノズル４４およびノズル５４は、基板Ｗに水素水を同時に供給する。具体的には、制御部１０２は、バルブ５６を制御して、ノズル５４に供給する洗浄液をオゾン水から水素水に切り替える。
【0158】
また、制御部１０２は、基板Ｗに供給する洗浄液を切り替えてから所定時間が経過すると、ノズル４４およびノズル５４から基板Ｗへの水素水の供給を停止する。
【0159】
次に、第１実施形態と同様にして、ステップＳ７が実行される。
【0160】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
【0161】
第２実施形態のその他の基板処理方法は、第１実施形態と同様である。
【0162】
第２実施形態では、上記のように、ノズル４４が基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の一方を供給しながら、ノズル５４が基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の他方を供給する。その後、バルブ４６およびバルブ５６の一方がノズル４４およびノズル５４の一方に供給する洗浄液を切り替えることによって、ノズル４４およびノズル５５は、基板Ｗにオゾン水および水素水の一方を同時に供給する。従って、基板Ｗの上面Ｗａおよび下面Ｗｂを同じ洗浄液で洗浄できる。よって、上面Ｗａから下面Ｗｂに、または、下面Ｗｂから上面Ｗａに洗浄液が回り込んだ場合であっても、基板Ｗに悪影響が及ぶことを抑制できる。
【0163】
具体的には、第２実施形態では、ノズル４４が基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給しながら、ノズル５４が基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。その後、バルブ５６がノズル５４に供給する洗浄液をオゾン水から水素水に切り替えることによって、ノズル４４およびノズル５５は、基板Ｗに水素水を同時に供給する。従って、基板Ｗの上面Ｗａおよび下面Ｗｂの腐食を抑制しながら、洗浄液の回り込みに起因する基板Ｗへの悪影響を抑制できる。
【0164】
第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【0165】
（第３実施形態）
図７を参照して、本発明の第３実施形態による基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図７は、第３実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態とは異なり、乾燥工程（ステップＳ７）において、洗浄液を受けるカップ８０を切り替える例について説明する。第３実施形態では、ステップＳ７は、ステップＳ７１およびステップＳ７２を含む。なお、第３実施形態では、図５に示した第１実施形態の基板処理方法の一部を変更して説明するが、図６に示した第２実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよい。第３実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。
図７を参照して、本発明の第３実施形態による基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図７は、第３実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態とは異なり、乾燥工程（ステップＳ７）において、洗浄液を受けるカップ８０を切り替える例について説明する。第３実施形態では、ステップＳ７は、ステップＳ７１およびステップＳ７２を含む。なお、第３実施形態では、図５に示した第１実施形態の基板処理方法の一部を変更して説明するが、図６に示した第２実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよい。第３実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。
【0166】
図７に示すように、ステップＳ１～ステップＳ６は、第１実施形態と同様である。なお、ステップＳ５およびステップＳ６において、基板Ｗから排出される薬液および洗浄液は、第１カップ８１よって受け止められる。
【0167】
次に、ステップＳ７において、ステップＳ７１（カップ切替工程）およびステップＳ７２（振り切り工程）を実行する。
【0168】
ステップＳ７１において、制御部１０２は、基板Ｗから排出される洗浄液を受けるカップ８０を切り替える。具体的には、制御部１０２は、基板Ｗの回転速度を、ステップＳ６における基板Ｗの回転速度よりも低くする。ステップＳ７１における基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、例えば、１０ｒｐｍ以上、１００ｒｐｍ以下である。
【0169】
そして、制御部１０２は、第１カップ８１を鉛直下方に下降させる。このとき、基板Ｗの回転速度が低くなっているため、基板Ｗから排出された洗浄液が第１カップ８１で跳ね返って基板Ｗに付着したり、周囲に飛散したりすることを抑制できる。具体的には、第１カップ８１を鉛直下方に下降させると、第１カップ８１の内縁が基板Ｗの側方を通過する際に内縁と基板Ｗとの間の距離が狭くなるため、基板Ｗから排出された洗浄液は内縁に勢い良く衝突する。このため、第１カップ８１を鉛直下方に下降させる際には、基板Ｗから排出された洗浄液が第１カップ８１で跳ね返って基板Ｗに付着したり、周囲に飛散したりしやすくなる。しかしながら、第３実施形態では、上記のように、基板Ｗの回転速度が低くなっているため、基板Ｗから排出された洗浄液が第１カップ８１で跳ね返って基板Ｗに付着したり、周囲に飛散したりすることを抑制できる。
【0170】
次に、ステップＳ７２において、制御部１０２は、基板Ｗの回転速度を、ステップＳ７１における基板Ｗの回転速度よりも高くする。これにより、基板Ｗから排出された洗浄液は、第２カップ８２によって受け止められる。ステップＳ７２における基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、ステップＳ６における基板Ｗの回転速度よりも高いことが好ましい。第３実施形態では、ステップＳ７２における基板Ｗの回転速度は、例えば、１５００ｒｐｍ以上、２５００ｒｐｍ以下である。
【0171】
また、制御部１０２は、基板Ｗの回転速度を高くしてから所定時間が経過すると、基板Ｗの回転を停止する。
【0172】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
【0173】
第３実施形態のその他の基板処理方法は、第１実施形態と同様である。
【0174】
第３実施形態では、上記のように、基板Ｗから排出される洗浄液を受けるカップ８０を切り替える。従って、ステップＳ５およびステップＳ６で使用していない乾いた状態の第２カップ８２を使用することができる。よって、第１カップ８１を用いる場合に比べて、基板Ｗ周囲が乾燥状態になるため、効率良く基板Ｗを乾燥できる。また、洗浄液を、処理液（例えば、ＳＣ１）とは別に回収することも可能である。
【0175】
第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態および第２実施形態と同様である。
【0176】
（第４実施形態）
図８を参照して、本発明の第４実施形態による基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図８は、第４実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。第４実施形態では、第１実施形態～第３実施形態とは異なり、前洗浄工程（ステップＳ１１）を設ける例について説明する。第４実施形態では、基板処理装置１００の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ５、ステップＳ１１、ステップＳ６およびステップＳ７を含む。ステップＳ１～ステップＳ５、ステップＳ１１、ステップＳ６およびステップＳ７は、制御部１０２によって実行される。なお、第４実施形態では、図５に示した第１実施形態の基板処理方法の一部を変更して説明するが、図６に示した第２実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよいし、図７に示した第３実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよい。第４実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。
図８を参照して、本発明の第４実施形態による基板処理装置１００の基板処理方法について説明する。図８は、第４実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を示すフローチャートである。第４実施形態では、第１実施形態～第３実施形態とは異なり、前洗浄工程（ステップＳ１１）を設ける例について説明する。第４実施形態では、基板処理装置１００の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ５、ステップＳ１１、ステップＳ６およびステップＳ７を含む。ステップＳ１～ステップＳ５、ステップＳ１１、ステップＳ６およびステップＳ７は、制御部１０２によって実行される。なお、第４実施形態では、図５に示した第１実施形態の基板処理方法の一部を変更して説明するが、図６に示した第２実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよいし、図７に示した第３実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよい。第４実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。
【0177】
図８に示すように、ステップＳ１～ステップＳ５は、第１実施形態と同様である。
【0178】
次に、ステップＳ１１において、制御部１０２は、基板Ｗを洗浄する。具体的には、制御部１０２は、基板Ｗの上面Ｗａにアンモニア水を供給する。アンモニア水は、例えば、ノズル３４およびノズル４４とは別に設けられたノズル（図示せず）から供給されてもよいし、ノズル３４から供給されてもよい。また、制御部１０２は、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する。このとき、制御部１０２は、アンモニア水とオゾン水とを同時に基板Ｗに供給する。なお、ステップＳ１１における基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、例えば、３００ｒｐｍ以上、１２００ｒｐｍ以下である。
【0179】
また、制御部１０２は、基板Ｗに対するアンモニア水の供給を開始してから所定時間が経過すると、アンモニア水およびオゾン水の供給を停止する。なお、第４実施形態では、次のステップＳ６においても基板Ｗに下面Ｗｂに対してオゾン水を供給するため、オゾン水の供給を停止しなくてもよい。
【0180】
次に、第１実施形態と同様にして、ステップＳ６およびステップＳ７が実行される。
【0181】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
【0182】
第４実施形態のその他の基板処理方法および効果は、第１実施形態～第３実施形態と同様である。
【0183】
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0184】
例えば第１実施形態では、基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給し、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水を供給し、基板Ｗの下面Ｗｂに水素水を供給してもよい。
【0185】
また、例えば第２実施形態では、基板Ｗの上面Ｗａに水素水を供給しながら、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給した後、基板Ｗの上面Ｗａおよび下面Ｗｂの両方に水素水を供給する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、基板Ｗの上面Ｗａにオゾン水および水素水の一方を供給しながら、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水および水素水の他方を供給した後、基板Ｗの上面Ｗａおよび下面Ｗｂの両方にオゾン水を供給してもよい。
【0186】
また、第１実施形態～第４実施形態では、ノズル４４およびノズル５４がオゾン水および水素水を基板Ｗに供給できるように構成されている例について示したが、本発明はこれに限らない。ノズル４４がオゾン水および水素水の一方のみを基板Ｗに供給できるように構成されていてもよい。また、ノズル５４がオゾン水および水素水の他方のみを基板Ｗに供給できるように構成されていてもよい。
【0187】
また、第１実施形態～第４実施形態では、基板Ｗの上面Ｗａに洗浄液を供給するノズル４４と、基板Ｗの下面Ｗｂに洗浄液を供給するノズル５４とを設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、基板Ｗの上面Ｗａに洗浄液を供給するノズル４４のみを設けてもよい。この場合、ノズル４４がオゾン水および水素水の両方を基板Ｗに供給できるように構成されていてもよい。
【0188】
また、第１実施形態～第４実施形態では、処理液ボックス１２０からオゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０に洗浄液を戻す戻り配管６１および６２を設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、処理液ボックス１２０からオゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０に洗浄液を戻さなくてもよい。
【0189】
また、第１実施形態～第４実施形態では、洗浄に用いた洗浄液を基板処理ユニット１０からオゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０に戻す戻り配管を設けていない例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、洗浄に用いた洗浄液を基板処理ユニット１０からオゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０に戻す戻り配管を設けてもよい。
【0190】
また、第１実施形態～第４実施形態では、例えばステップＳ５およびＳ６において、基板Ｗの下面Ｗｂにオゾン水を供給する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、ステップＳ５およびＳ６において、基板Ｗの下面Ｗｂに純水を供給してもよい。
【0191】
また、第１実施形態～第４実施形態では、処理液ボックス１２０内で洗浄液が循環しない例について示したが、本発明はこれに限らず、処理液ボックス１２０内で洗浄液が循環するように構成してもよい。例えば、配管３４１から分岐してオゾン水タンク３２０にオゾン水を戻す配管を設けてもよい。また、配管３５１から分岐して水素水タンク３３０に水素水を戻す配管を設けてもよい。
【0192】
また、第１実施形態～第４実施形態では、泡発生装置３３６を設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、泡発生装置３３６を設けなくてもよい。
【0193】
また、第１実施形態～第４実施形態では、泡発生装置３３６が、水素水タンク３３０内の水素水中に泡を発生させる例について示したが、本発明はこれに限らない。泡発生装置３３６は、例えば、配管内の水素水中に泡を発生させてもよい。
【0194】
また、第１実施形態では、オゾン水タンク３２０および水素水タンク３３０の下流側にタンクを設けない例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、オゾン水タンク３２０の下流側に、オゾン水を収容するタンクをさらに設けてもよい。また、水素水タンク３３０の下流側に、水素水を収容するタンクをさらに設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0195】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。
【符号の説明】
【0196】
１０ ：基板処理ユニット
４４ ：ノズル（第１ノズル）
４６ ：バルブ（切替弁）
５４ ：ノズル（第２ノズル）
５６ ：バルブ（切替弁）
１００ ：基板処理装置
３１０ ：電気分解部
３２０ ：オゾン水タンク
３３０ ：水素水タンク
３３６ ：泡発生装置
９１０ａ、９１０ｂ ：オゾン水配管
９２０ａ、９２０ｂ ：水素水配管
Ｓ１ ：ステップ（生成工程）
Ｓ６ ：ステップ（洗浄工程）
Ｗ ：基板
Ｗａ ：上面
Ｗｂ ：下面
４４ ：ノズル（第１ノズル）
４６ ：バルブ（切替弁）
５４ ：ノズル（第２ノズル）
５６ ：バルブ（切替弁）
１００ ：基板処理装置
３１０ ：電気分解部
３２０ ：オゾン水タンク
３３０ ：水素水タンク
３３６ ：泡発生装置
９１０ａ、９１０ｂ ：オゾン水配管
９２０ａ、９２０ｂ ：水素水配管
Ｓ１ ：ステップ（生成工程）
Ｓ６ ：ステップ（洗浄工程）
Ｗ ：基板
Ｗａ ：上面
Ｗｂ ：下面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】