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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101855
(43)【公開日】2024-07-30
(54)【発明の名称】基板処理方法及び基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20240723BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 G
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023006018
(22)【出願日】2023-01-18
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 光敏
(72)【発明者】
【氏名】伊豆田 崇
【テーマコード（参考）】
5F043
【Ｆターム（参考）】
5F043AA10
5F043BB03
5F043DD30
5F043EE01
5F043EE06
5F043EE22
5F043EE23
5F043EE24
5F043EE25
5F043EE32
5F043EE40
5F043FF01
5F043GG10
(57)【要約】
【課題】処理液の溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽の処理液に供給する不活性ガスが、基板の面内における処理の均一性又は複数の基板間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は基板処理装置１００において実行される。基板処理装置１００では、処理槽１０５と外槽１１０との間で処理液ＬＱが循環される。基板処理方法は、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する工程Ｓ２と、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する工程Ｓ５と、外槽１１０に貯留された処理液ＬＱにガスを供給する工程Ｓ７とを含む。工程Ｓ７では、第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいてガスの流量を調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。
【選択図】図１０
【解決手段】基板処理方法は基板処理装置１００において実行される。基板処理装置１００では、処理槽１０５と外槽１１０との間で処理液ＬＱが循環される。基板処理方法は、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する工程Ｓ２と、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する工程Ｓ５と、外槽１１０に貯留された処理液ＬＱにガスを供給する工程Ｓ７とを含む。工程Ｓ７では、第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいてガスの流量を調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板が浸漬される処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の外側に配置されて処理液を貯留する外槽とを備え、前記処理槽と前記外槽との間で前記処理液が循環される基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
第１不活性ガスの流量を一定に保持しつつ、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記第１不活性ガスを供給する工程と、
前記処理液の溶存酸素濃度を測定する工程と、
前記外槽に貯留された前記処理液にガスを供給する工程と
を含み、
前記ガスを供給する前記工程では、前記第１不活性ガスの流量が一定に保持された状態において、前記処理液の溶存酸素濃度に基づいて前記ガスの流量を調節することで、前記処理槽に貯留された前記処理液の溶存酸素濃度を調節する、基板処理方法。
第１不活性ガスの流量を一定に保持しつつ、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記第１不活性ガスを供給する工程と、
前記処理液の溶存酸素濃度を測定する工程と、
前記外槽に貯留された前記処理液にガスを供給する工程と
を含み、
前記ガスを供給する前記工程では、前記第１不活性ガスの流量が一定に保持された状態において、前記処理液の溶存酸素濃度に基づいて前記ガスの流量を調節することで、前記処理槽に貯留された前記処理液の溶存酸素濃度を調節する、基板処理方法。
【請求項2】
前記ガスとして、第２不活性ガスと空気とが使用され、
前記ガスを供給する前記工程では、前記第２不活性ガスの流量と前記空気の流量との比率を調節することで、前記処理液の溶存酸素濃度を調節する、請求項１に記載の基板処理方法。
前記ガスを供給する前記工程では、前記第２不活性ガスの流量と前記空気の流量との比率を調節することで、前記処理液の溶存酸素濃度を調節する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記ガスは、第２不活性ガスであり、
前記ガスを供給する前記工程では、前記第２不活性ガスの流量を増加させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を減少させ、前記第２不活性ガスの流量を減少させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を増加させる、請求項１に記載の基板処理方法。
前記ガスを供給する前記工程では、前記第２不活性ガスの流量を増加させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を減少させ、前記第２不活性ガスの流量を減少させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を増加させる、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記ガスは、空気であり、
前記ガスを供給する前記工程では、前記空気の流量を減少させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を減少させ、前記空気の流量を増加させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を増加させる、請求項１に記載の基板処理方法。
前記ガスを供給する前記工程では、前記空気の流量を減少させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を減少させ、前記空気の流量を増加させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を増加させる、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記外槽は、互いに連通する複数の貯留部を有し、
前記ガスを供給する前記工程では、前記複数の貯留部のうち最も容量の大きな貯留部に貯留された前記処理液に前記ガスを供給する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記ガスを供給する前記工程では、前記複数の貯留部のうち最も容量の大きな貯留部に貯留された前記処理液に前記ガスを供給する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項6】
前記最も容量の大きな貯留部の底部に、前記処理液を前記処理槽に導入するための配管が接続され、
前記ガスを供給する前記工程では、前記最も容量の大きな貯留部の底部の側から、前記処理液の液面に向けて前記ガスを供給する、請求項５に記載の基板処理方法。
前記ガスを供給する前記工程では、前記最も容量の大きな貯留部の底部の側から、前記処理液の液面に向けて前記ガスを供給する、請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項7】
基板が浸漬される処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の外側に配置され、前記処理液のうち前記処理槽から溢れた処理液が流入する外槽と、
前記外槽に貯留された前記処理液を前記処理槽に導入する処理液導入部と、
不活性ガスの流量を一定に保持しつつ、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記不活性ガスを供給する第１ガス供給部と、
前記外槽に貯留された前記処理液にガスを供給する第２ガス供給部と、
前記第２ガス供給部に供給する前記ガスの流量を調節するガス調節部と、
前記処理液の溶存酸素濃度を測定する測定部と、
前記不活性ガスの流量が一定に保持された状態において、前記処理液の溶存酸素濃度に基づいて前記ガス調節部を制御することで、前記ガスの流量を調節して、前記処理槽に貯留された前記処理液の溶存酸素濃度を調節するガス制御部と
を備える、基板処理装置。
前記処理槽の外側に配置され、前記処理液のうち前記処理槽から溢れた処理液が流入する外槽と、
前記外槽に貯留された前記処理液を前記処理槽に導入する処理液導入部と、
不活性ガスの流量を一定に保持しつつ、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記不活性ガスを供給する第１ガス供給部と、
前記外槽に貯留された前記処理液にガスを供給する第２ガス供給部と、
前記第２ガス供給部に供給する前記ガスの流量を調節するガス調節部と、
前記処理液の溶存酸素濃度を測定する測定部と、
前記不活性ガスの流量が一定に保持された状態において、前記処理液の溶存酸素濃度に基づいて前記ガス調節部を制御することで、前記ガスの流量を調節して、前記処理槽に貯留された前記処理液の溶存酸素濃度を調節するガス制御部と
を備える、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載されている基板処理装置は、処理槽と、外槽と、第１のガス供給部と、第２のガス供給部と、を備える。処理槽は、基板を処理液に浸漬する。外槽は、処理槽の周囲を囲み、処理槽からオーバーフローする処理液を受ける。第１のガス供給部は、処理槽内に貯留される処理液に不活性ガスを供給する。第２のガス供給部は、外槽の内側に配置される開口部から外槽内に貯留される処理液に不活性ガスを供給する。このように、エッチング液の中に不活性ガスを供給して処理液に溶け込ませることにより、外槽内に貯留される処理液の酸素濃度を低減させることができる。これにより、循環路を介して外槽に接続される処理槽内に貯留される処理液の酸素濃度も低減させることができることから、ウェハに形成されたホールの深さ方向におけるエッチング量の均一性を向上させることができる。
【0003】
また、基板処理装置は、酸素濃度測定部を備える。酸素濃度測定部は、処理槽から抜き取った処理液の酸素濃度を酸素濃度センサで測定する。これにより、酸素濃度測定部は、処理槽内に貯留される処理液の酸素濃度を測定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－７７３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、制御部は、酸素濃度センサで測定される処理液の酸素濃度に基づいて、第１のガス供給部から処理槽内の処理液への不活性ガスの供給量を制御する。このように、フィードバック制御を行う場合は、処理槽の処理液に供給される不活性ガスの供給量は、一定ではなく、調節される。
【0006】
本願の発明者は、鋭意研究の結果、処理槽の処理液に供給される不活性ガスの供給量が酸素濃度に応じて調節されることによって、処理液の酸素濃度（溶存酸素濃度）が目標濃度範囲内に収まったとしても、不活性ガスの供給量の調節が、基板の面内における処理の均一性及び／又は複数の基板間での処理の均一性に影響を及ぼす可能性があることの知見を得た。
【0007】
本発明の目的は、処理液の溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽の処理液に供給する不活性ガスが、基板の面内における処理の均一性及び／又は複数の基板間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一局面によれば、基板処理方法は、基板処理装置において実行される。基板処理装置は、基板が浸漬される処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の外側に配置されて処理液を貯留する外槽とを備える。基板処理装置では、前記処理槽と前記外槽との間で前記処理液が循環される。基板処理方法は、第１不活性ガスの流量を一定に保持しつつ、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記第１不活性ガスを供給する工程と、前記処理液の溶存酸素濃度を測定する工程と、前記外槽に貯留された前記処理液にガスを供給する工程とを含む。前記ガスを供給する前記工程では、前記第１不活性ガスの流量が一定に保持された状態において、前記処理液の溶存酸素濃度に基づいて前記ガスの流量を調節することで、前記処理槽に貯留された前記処理液の溶存酸素濃度を調節する。
【0009】
本発明の一態様においては、前記ガスとして、第２不活性ガスと空気とが使用されることが好ましい。前記ガスを供給する前記工程では、前記第２不活性ガスの流量と前記空気の流量との比率を調節することで、前記処理液の溶存酸素濃度を調節することが好ましい。
【0010】
本発明の一態様においては、前記ガスは、第２不活性ガスであることが好ましい。前記ガスを供給する前記工程では、前記第２不活性ガスの流量を増加させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を減少させ、前記第２不活性ガスの流量を減少させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を増加させることが好ましい。
【0011】
本発明の一態様においては、前記ガスは、空気であることが好ましい。前記ガスを供給する前記工程では、前記空気の流量を減少させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を減少させ、前記空気の流量を増加させることで、前記処理液の溶存酸素濃度を増加させることが好ましい。
【0012】
本発明の一態様においては、前記外槽は、互いに連通する複数の貯留部を有することが好ましい。前記外槽において前記ガスを供給する前記工程では、前記複数の貯留部のうち最も容量の大きな貯留部に貯留された前記処理液に前記ガスを供給することが好ましい。
【0013】
本発明の一態様においては、前記最も容量の大きな貯留部の底部に、前記処理液を前記処理槽に導入するための配管が接続されることが好ましい。前記外槽において前記ガスを供給する前記工程では、前記最も容量の大きな貯留部の底部の側から、前記処理液の液面に向けて前記ガスを供給することが好ましい。
【0014】
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、外槽と、処理液導入部と、第１ガス供給部と、第２ガス供給部と、ガス調節部と、測定部と、ガス制御部とを備える。処理槽は、基板が浸漬される処理液を貯留する。外槽は、前記処理槽の外側に配置され、前記処理液のうち前記処理槽から溢れた処理液が流入する。処理液導入部は、前記外槽に貯留された前記処理液を前記処理槽に導入する。第１ガス供給部は、不活性ガスの流量を一定に保持しつつ、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記不活性ガスを供給する。第２ガス供給部は、前記外槽に貯留された前記処理液にガスを供給する。ガス調節部は、前記第２ガス供給部に供給する前記ガスの流量を調節する。測定部は、前記処理液の溶存酸素濃度を測定する。ガス制御部は、前記不活性ガスの流量が一定に保持された状態において、前記処理液の溶存酸素濃度に基づいて前記ガス調節部を制御することで、前記ガスの流量を調節して、前記処理槽に貯留された前記処理液の溶存酸素濃度を調節する。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、処理液の溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽の処理液に供給する不活性ガスが、基板の面内における処理の均一性及び／又は複数の基板間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【図2】本実施形態に係る処理液の溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。
【図3】本実施形態に係る第１不活性ガスの供給時間と処理液の溶存酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図4】（ａ）は、本実施形態に係る基板が処理液に浸漬される前の状態を示す斜視図である。（ｂ）は、本実施形態に係る基板が処理液に浸漬された状態を示す斜視図である。
【図5】本実施形態に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。
【図8】本実施形態に係る第１ガス供給部を示す模式的平面図である。
【図9】本実施形態に係る導入部を示す模式的裏面図である。
【図10】本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図11】本実施形態の第１変形例に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。
【図12】本実施形態の第２変形例に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。
【図13】本実施形態の第３変形例に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。「裏面視」は、鉛直下方から対象を見ることを示す。
【0018】
図１～図１０を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。図１に示す基板処理装置１００は、バッチ式であり処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。基板処理装置１００は、１枚の基板Ｗを処理することもできる。
【0019】
基板処理装置１００は、処理槽１０５と、外槽１１０と、第１蓋体１１１と、第２蓋体１１２と、基板保持部１２０と、処理液導入部１２５と、排液部１７０と、第１ガス調節部１８０と、第１ガス供給部２００と、第３ガス供給部２１０と、測定部２４５と、制御装置２２０とを備える。
【0020】
処理槽１０５は、複数の基板Ｗが浸漬される処理液ＬＱを貯留する。処理槽１０５は、複数の基板Ｗを収容可能である。処理槽１０５は、処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。
【0021】
処理液ＬＱは、例えば、エッチング液である。例えば、処理液ＬＱによって、基板Ｗに形成されたポリシリコン膜をエッチングする。本実施形態では、一例として、処理液ＬＱは、アルカリ性である。アルカリ性の処理液ＬＱは、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む水溶液、トリメチル－２－ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）を含む水溶液、水酸化アンモニウム（アンモニア水）、又は、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）である。なお、処理液ＬＱは、酸性であってもよい。酸性の処理液ＬＱは、例えば、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、塩酸、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、又は、混酸である。
【0022】
第１蓋体１１１は、処理槽１０５の上部開口１０６ａを覆う。上部開口１０６ａは、鉛直方向Ｄにおいて上向きに開口している。第１蓋体１１１は、一対の開き戸５１を含む。一方の開き戸５１が矢印ａ１方向に開き、他方の開き戸５１が矢印ａ２方向に開くことで、上部開口１０６ａが開放される。なお、図１では、一対の開き戸５１が閉じた状態が示されている。
【0023】
外槽１１０は、処理槽１０５の外側に配置される。外槽１１０は、処理槽１０５を囲む。外槽１１０には、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱのうち処理槽１０５から溢れた処理液ＬＱが流入する。外槽１１０の上端の高さは、処理槽１０５の上端の高さよりも高い。
【0024】
第２蓋体１１２は、外槽１１０の上部開口１１０ａを覆う。上部開口１１０ａは、鉛直方向Ｄにおいて上向きに開口している。第２蓋体１１２と処理槽１０５の上端との間には、隙間１１０ｂが存在する。処理槽１０５から溢れた処理液ＬＱは、隙間１１０ｂを通って外槽１１０に流入する。第１蓋体１１１は、第２蓋体１１２を覆う。なお、基板処理装置１００は第２蓋体１１２を備えていなくてもよい。この場合は、第１蓋体１１１は、外槽１１０の上部開口１１０ａを覆う。
【0025】
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は１枚の基板Ｗを保持することもできる。基板保持部１２０は、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。
【0026】
具体的には、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直方向Ｄに沿って上昇又は下降する。基板保持部１２０は、本体板１２２と、複数の保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向Ｄに延びる板である。複数の保持棒１２４は第１方向Ｄ１０（図４）に延びる。複数の基板Ｗは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
【0027】
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでいてもよい。昇降ユニット１２６は、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理槽１０５内に位置する処理位置（図４（ｂ）に示す位置）と、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理槽１０５の上方に位置する退避位置（図４（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。従って、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。これにより、複数の基板Ｗに対して処理が施される。
【0028】
第１ガス供給部２００は、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する。本実施形態では、第１ガス供給部２００は、少なくとも基板Ｗの処理期間において、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する。第１不活性ガスＧＡ１は、例えば、窒素又はアルゴンである。具体的には、第１ガス供給部２００は、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１の気泡ＢＢ１を供給する。本実施形態では、第１ガス供給部２００は、少なくとも基板Ｗの処理期間において、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１の気泡ＢＢ１を供給する。処理液ＬＱには多数の気泡ＢＢ１が供給される。
【0029】
詳細には、第１ガス供給部２００は、処理槽１０５の内部に配置される。第１ガス供給部２００は少なくとも１つの第１ガス供給管２１を含む。本実施形態では、第１ガス供給部２００は、複数の第１ガス供給管２１を含む。複数の第１ガス供給管２１は処理槽１０５の内部に配置される。複数の第１ガス供給管２１は処理槽１０５の底部側に配置される。複数の第１ガス供給管２１は処理液ＬＱに浸かっている。複数の第１ガス供給管２１の各々は複数の第１吐出孔Ｈ１を有する。複数の第１ガス供給管２１の各々において、各第１吐出孔Ｈ１は、第１ガス供給管２１の上部に設けられる。この場合、例えば、第１吐出孔Ｈ１は、鉛直方向Ｄ上側を向いている。
【0030】
複数の第１ガス供給管２１の各々は、複数の第１吐出孔Ｈ１の各々から第１不活性ガスＧＡ１を吐出することで、各第１吐出孔Ｈ１から処理液ＬＱに気泡ＢＢ１を供給する。具体的には、複数の第１ガス供給管２１の各々は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬された状態において、基板Ｗの下方から処理液ＬＱに対して、複数の第１吐出孔Ｈ１の各々から気泡ＢＢ１を供給する。
【0031】
第１ガス供給管２１は、例えば、バブラー管である。第１ガス供給管２１の材質は、例えば、石英、又は、樹脂である。樹脂は、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などの耐腐食性のある樹脂である。第１ガス供給管２１の管径は、特に限定はされないが、例えば、約６．０ｍｍである。第１吐出孔Ｈ１の直径は、特に限定はされないが、例えば、約０．２ｍｍである。第１吐出孔Ｈ１の直径は、例えば、導入部１３０による処理液ＬＱの層流（後述）と気泡ＢＢ１との関係を考慮して定めてもよい。
【0032】
第１ガス調節部１８０は、第１ガス供給部２００に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節することが可能である。具体的には、第１ガス調節部１８０は、第１ガス供給部２００に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節することで、第１ガス供給部２００が処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢ１の量を調節することが可能である。更に具体的には、第１ガス調節部１８０は、各第１ガス供給管２１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節することで、各第１ガス供給管２１が複数の第１吐出孔Ｈ１から処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢ１の量を調節することが可能である。なお、第１不活性ガスＧＡ１の流量は、単位時間当たりの流量を示す。
【0033】
本実施形態では、第１ガス調節部１８０は、少なくとも基板Ｗの処理期間において、第１ガス供給部２００に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持する。つまり、第１ガス調節部１８０は、少なくとも基板Ｗの処理期間において、複数の第１ガス供給管２１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の合計流量を一定に保持する。合計流量が一定に保持されることは、合計流量が目標合計流量に維持されることを示す。ここで、１本の第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量を「個別流量」と定義する。この場合、例えば、複数の第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の個別流量は略等しい。なお、各第１ガス供給管２１において第１不活性ガスＧＡ１の個別流量が一定である限りにおいて、複数の第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の個別流量が異なっていてもよい。
【0034】
具体的には、第１ガス調節部１８０は、第１不活性ガス供給源Ｋ１から供給される第１不活性ガスＧＡ１を、複数の第１ガス供給管２１に供給する。第１不活性ガス供給源Ｋ１は第１不活性ガスＧＡ１を貯留する。詳細には、基板処理装置１００は複数の配管１８１を更に備える。複数の配管１８１は、それぞれ、複数の第１ガス供給管２１に接続される。そして、第１ガス調節部１８０は、不活性ガス供給源ＴＫＣから供給される第１不活性ガスＧＡ１を、複数の配管１８１から、それぞれ、複数の第１ガス供給管２１に供給する。
【0035】
更に具体的には、第１ガス調節部１８０は、複数のガス流量調節機構１８２を含む。複数のガス流量調節機構１８２は、それぞれ、複数の配管１８１に接続される。つまり、配管１８１の一端が第１ガス供給管２１に接続され、配管１８１の他端がガス流量調節機構１８２に接続される。複数のガス流量調節機構１８２は、それぞれ、複数の第１ガス供給管２１に対応して設けられる。ガス流量調節機構１８２は、第１不活性ガス供給源Ｋ１から供給される第１不活性ガスＧＡ１を、対応する配管１８１を介して、対応する第１ガス供給管２１に供給する。また、ガス流量調節機構１８２は、対応する第１ガス供給管２１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の個別流量を調節することが可能である。
【0036】
本実施形態では、ガス流量調節機構１８２は、少なくとも基板Ｗの処理期間において、対応する第１ガス供給管２１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の個別流量を一定に保持する。個別流量が一定に保持されることは、個別流量が目標個別流量に維持されることを示す。
【0037】
第３ガス供給部２１０は、外槽１１０の内部に第３不活性ガスＧＡ３を供給する。第３ガス供給部２１０は、外槽１１０の内部に配置される。第３不活性ガスＧＡ３は、例えば、窒素又はアルゴンである。本実施形態では、第３不活性ガスＧＡ３は第１不活性ガスＧＡ１と同じである。具体的には、第３ガス供給部２１０は第３ガス供給管２５を含む。第３ガス供給管２５は外槽１１０の内部に配置される。第３ガス供給管２５は複数の第２吐出孔Ｈ２を有する。第３ガス供給管２５は、複数の第２吐出孔Ｈ２の各々から外槽１１０の内部に第３不活性ガスＧＡ３を吐出する。第３ガス供給管２５の材質は、例えば、石英、又は、樹脂である。樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ、ＰＦＡ、およびＰＴＦＥなどの耐腐食性のある樹脂である。第３ガス供給管２５の管径は、特に限定はされないが、例えば、約６．０ｍｍである。第２吐出孔Ｈ２の直径は、特に限定はされないが、例えば、約０．２ｍｍである。
【0038】
処理液導入部１２５は、外槽１１０に貯留された処理液ＬＱを処理槽１０５に導入する。その結果、処理槽１０５と外槽１１０との間で処理液ＬＱが循環される。
【0039】
処理液導入部１２５は、導入部１３０と、循環部１４０とを含む。
【0040】
導入部１３０は、処理槽１０５に処理液ＬＱを導入する。導入部１３０は、処理槽１０５の内部において第１ガス供給部２００（具体的には第１ガス供給管２１）の下方に配置される。
【0041】
具体的には、導入部１３０はプレート３１を含む。プレート３１は略平板形状を有する。プレート３１は、処理槽１０５の内部を分割して、処理室１１３と導入室１１５とを形成する。つまり、処理槽１０５は、処理室１１３と、導入室１１５とを有する。処理室１１３は、処理槽１０５の内部において、プレート３１よりも上方の室である。処理室１１３に、第１ガス供給部２００が配置される。また、処理室１１３に基板Ｗが配置される。導入室１１５は、処理槽１０５の内部において、プレート３１よりも下方の室である。
【0042】
プレート３１は、第１ガス供給部２００の下方に配置される。プレート３１は、処理槽１０５の底面を覆う。プレート３１は、鉛直方向Ｄに対して略垂直である。プレート３１は複数の処理液孔Ｐを有する。処理液孔Ｐはプレート３１を貫通する。処理液孔Ｐはプレート３１の全面に配置される。処理液孔Ｐは鉛直方向Ｄ上側を向いている。
【0043】
複数の第１ガス供給管２１は、処理槽１０５の内部において、プレート３１の上方、かつ、基板Ｗの下方に配置される。
【0044】
導入部１３０は、処理液ＬＱが処理槽１０５に貯留された状態において、複数の処理液孔Ｐから上方に向けて、処理槽１０５に処理液ＬＱを導入する。従って、導入部１３０は、循環部１４０から供給される処理液ＬＱの層流を発生できる。つまり、導入部１３０は、処理液ＬＱの層流を発生させることで、処理槽１０５に処理液ＬＱを導入する。処理液ＬＱの層流は、複数の処理液孔Ｐから略鉛直方向Ｄに沿って上方に流れる。
【0045】
具体的には、導入部１３０は、少なくとも１つの吐出部１３１と、少なくとも１つの分散板１３２とを含む。吐出部１３１は、例えば、ノズル又は管である。分散板１３２は、例えば、略平板状である。分散板１３２は、鉛直方向Ｄに対して略垂直である。吐出部１３１及び分散板１３２は導入室１１５に配置される。
【0046】
吐出部１３１は、分散板１３２の下方に位置する。吐出部１３１は、分散板１３２と鉛直方向Ｄに対向する。吐出部１３１は、循環部１４０から供給された処理液ＬＱを分散板１３２に向けて吐出する。従って、処理液ＬＱは分散板１３２に突き当たる。その結果、処理液ＬＱの圧力が分散板１３２によって分散される。つまり、分散板１３２は、吐出部１３１が吐出した処理液ＬＱの圧力を分散する。そして、分散板１３２によって圧力の分散された処理液ＬＱは、導入室１１５において略水平方向に拡がる。更に、処理液ＬＱは、プレート３１の各処理液孔Ｐから鉛直方向Ｄに沿って上方に向かって層流として処理室１１３に供給される。このように、導入部１３０は、鉛直方向Ｄに沿った処理液ＬＱの層流を発生させる点で、処理液ＬＱの整流機能を有する。
【0047】
循環部１４０は、処理槽１０５から溢れて外槽１１０に流入した処理液ＬＱを導入部１３０に供給することで、処理槽１０５内の処理液ＬＱを循環させる。
【0048】
具体的には、循環部１４０は、循環配管１４１、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５、及び、バルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に循環配管１４１の上流から下流に向かって配置される。
【0049】
循環配管１４１は、外槽１１０と処理槽１０５とを接続する。そして、循環配管１４１は、処理槽１０５から溢れて外槽１１０に流入した処理液ＬＱを再び処理槽１０５に導く。このように、循環配管１４１には処理液ＬＱが流れる。具体的には、循環配管１４１の上流端が外槽１１０に接続されている。なお、循環配管１４１の上流端と外槽１１０との接続位置の詳細は、図６を参照して後述する。一方、循環配管１４１の下流端に、導入部１３０（具体的には吐出部１３１）が接続される。従って、循環配管１４１は、外槽１１０から導入部１３０（具体的には吐出部１３１）に処理液ＬＱを導く。循環配管１４１は、本発明の「処理液を処理槽に導入するための配管」の一例に相当する。
【0050】
ポンプ１４２は、循環配管１４１を介して外槽１１０から処理槽１０５に向けて処理液ＬＱを送出する。具体的には、ポンプ１４２は、循環配管１４１から吐出部１３１に向けて、外槽１１０内の処理液ＬＱを送出する。従って、吐出部１３１は、循環配管１４１から供給された処理液ＬＱを吐出する。フィルター１４４は、循環配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。
【0051】
ヒーター１４３は、循環配管１４１を流れる処理液ＬＱを加熱する。つまり、ヒーター１４３は、処理液ＬＱの温度を調節する。調整バルブ１４５は、調整バルブ１４５の開度が制御されることで、吐出部１３１に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。バルブ１４６は循環配管１４１を開閉する。
【0052】
排液部１７０は、処理槽１０５の処理液ＬＱを排出する。排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１０５の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、処理槽１０５内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。
【0053】
測定部２４５は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。具体的には、測定部２４５は、処理槽１０５の外に配置され、循環配管１４１中の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。更に具体的には、測定部２４５は、循環配管１４１において外槽１１０よりも処理槽１０５の近くの位置で、循環配管１４１中の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。つまり、測定部２４５は、バルブ１４６、調整バルブ１４５、フィルター１４４、ヒーター１４３、及び、ポンプ１４２よりも上流の位置であって、処理槽１０５の底部外面に隣接した位置において、循環配管１４１中の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。測定部２４５は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を示す情報を制御装置２２０に出力する。
【0054】
なお、測定部２４５による測定対象は、循環される処理液ＬＱである限りは特に限定されず、例えば、測定部２４５は、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定してもよい。また、測定部２４５は、例えば、溶存酸素計である。溶存酸素計は、例えば、滴定法、隔膜電極法、又は、蛍光法によって、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。
【0055】
制御装置２２０は、基板処理装置１００の各構成を制御する。具体的には、制御装置２２０は、基板保持部１２０、処理液導入部１２５、排液部１７０、第１ガス調節部１８０、及び、第３ガス供給部２１０を制御する。
【0056】
具体的には、制御装置２２０は、制御部２２１と、記憶部２２３とを含む。制御部２２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。記憶部２２３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。例えば、記憶部２２３は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー及びハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを備える。記憶部２２３は、光ディスク等のリムーバブルメディアを備えていてもよい。記憶部２２３は、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体である。制御装置２２０は、入力装置及び表示装置を備えていてもよい。制御部２２１のプロセッサーは、記憶部２２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置１００の各構成を制御する。
【0057】
制御部２２１は、第１制御部Ａ１と、第２制御部Ａ２と、第３制御部Ａ３とを含む。具体的には、制御部２２１のプロセッサーは、記憶部２２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、第１制御部Ａ１、第２制御部Ａ２、及び、第３制御部Ａ３として機能する。第２制御部Ａ２は、本発明の「ガス制御部」の一例に相当する。第１制御部Ａ１～第３制御部Ａ３については後述する。
【0058】
以上、図１を参照して説明したように、本実施形態によれば、第１ガス供給部２００は、処理槽１０５の処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１（気泡ＢＢ１）を供給することで、処理液ＬＱに溶解した酸素が第１不活性ガスＧＡ１に置換される。従って、第１不活性ガスＧＡ１を供給しない場合と比較して、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を低下させることができる。その結果、処理液ＬＱに浸漬された基板Ｗを、処理液ＬＱによって効果的に処理できる。つまり、第１不活性ガスＧＡ１（気泡ＢＢ１）を供給することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を低下させるため、第１不活性ガスＧＡ１を供給しない場合と比較して、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量を多くできる。本実施形態では、一例として、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理は、基板Ｗのエッチングである。この場合、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量は、基板Ｗのエッチング量である。従って、第１不活性ガスＧＡ１（気泡ＢＢ１）の供給によって、処理液ＬＱによる基板Ｗのエッチング量を多くできる。
【0059】
また、本実施形態によれば、処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１（気泡ＢＢ１）を供給することで、基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。その結果、基板Ｗの表面に、凹部を含む表面パターンが形成されている場合に、拡散現象によって凹部内の処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。よって、表面パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置まで処理液ＬＱによって効果的に処理（エッチング）できる。なお、凹部は、例えば、リセス、ホール、又は、トレンチである。
【0060】
更に、本実施形態によれば、処理液導入部１２５は、処理液ＬＱの層流により処理液ＬＱを処理槽１０５に導入する。従って、第１ガス供給部２００が処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢ１の流れが乱されることを抑制できる。
【0061】
更に、本実施形態では、外槽１１０の内部に第３不活性ガスＧＡ３を供給しているため、外槽１１０の上部開口１１０ａを介して外槽１１０内の処理液ＬＱに酸素が溶解することを抑制できる。
【0062】
図１の例では、第３ガス供給部２１０は、外槽１１０内の処理液ＬＱの上方に配置され、各第２吐出孔Ｈ２から下方に向けて第３不活性ガスＧＡ３を吐出する。その結果、第３不活性ガスＧＡ３が、外槽１１０内の処理液ＬＱの液面に吐出されるとともに、外槽１１０内に充満する。具体的には、第３ガス供給管２５が、外槽１１０内の処理液ＬＱの上方に配置され、各第２吐出孔Ｈ２から下方に向けて第３不活性ガスＧＡ３を吐出する。この場合、例えば、第２吐出孔Ｈ２は、鉛直方向Ｄ下側を向いている。つまり、第２吐出孔Ｈ２は、第３ガス供給管２５の底部に配置される。
【0063】
次に、図２を参照して、溶存酸素濃度と処理量との関係を説明する。図２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。横軸は、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度（ｐｐｍ）を示し、縦軸は、基板Ｗのエッチング量（ｎｍ）を示す。
【0064】
図２は、処理液ＬＱとしてＴＭＡＨを使用した場合の実施例を示している。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。第１不活性ガスＧＡ１は窒素であった。第３不活性ガスＧＡ３及び混合ガスＧＡ（後述）は使用しなかった。本実施例は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度とエッチング量との関係を検証することを目的としていたため、実験系を簡素化したためである。
【0065】
基板Ｗには、ポリシリコン膜（ポリシリコン層）が形成されていた。図２は、ＴＭＡＨに基板Ｗを浸漬した場合のポリシリコン膜のエッチング量を示している。エッチング量は、ＴＭＡＨへの浸漬前のポリシリコン膜の厚みから浸漬後のポリシリコン膜の厚みを差し引いた値である。エッチング量を「基板Ｗのエッチング量」と記載する場合がある。
【0066】
図２に示すように、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が低い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。エッチング量（処理量）は、溶存酸素濃度に略正比例した。比例定数は「負」であった。
【0067】
次に、図３を参照して、第１不活性ガスＧＡ１の流量と溶存酸素濃度との関係を説明する。図３は、第１不活性ガスＧＡ１の流量ごとに、第１不活性ガスＧＡ１（気泡ＢＢ１）の供給時間と処理液ＬＱの溶存酸素濃度との関係を示すグラフである。横軸は、第１不活性ガスＧＡ１の供給時間（ｈｏｕｒ）を示し、縦軸は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度（ｐｐｍ）を示す。
【0068】
図３は、処理液ＬＱとしてＴＭＡＨを使用した場合の実施例を示している。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。第１不活性ガスＧＡ１は窒素であった。第３不活性ガスＧＡ３及び混合ガスＧＡ（後述）は使用しなかった。本実施例は、不活性ガスの流量と溶存酸素濃度との関係を検証することを目的としていたため、実験系を簡素化したためである。
【0069】
プロットｇ１は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が１０リットル／分の場合の溶存酸素濃度を示す。プロットｇ２は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が２０リットル／分の場合の溶存酸素濃度を示す。プロットｇ３は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が３０リットル／分の場合の溶存酸素濃度を示す。この場合、第１不活性ガスＧＡ１の流量は、１本の第１ガス供給管２１に供給される流量を示す。
【0070】
プロットｇ１～ｇ３から理解できるように、約１時間で、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が略一定になった。また、溶存酸素濃度が略一定になった状態において、第１不活性ガスＧＡ１の流量が多い程、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が低下した。換言すれば、溶存酸素濃度が略一定になった状態において、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢ１が多い程、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が低下した。なぜなら、第１不活性ガスＧＡ１の流量が多い程、処理液ＬＱに供給される気泡ＢＢ１が多くなるからである。
【0071】
以上、図２及び図３の実施例から理解できるように、第１不活性ガスＧＡ１の流量が多いほど溶存酸素濃度が低下するため、第１不活性ガスＧＡ１の流量が多いほど基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。つまり、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢ１が多いほど溶存酸素濃度が低下するため、気泡ＢＢ１が多いほど基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。
【0072】
次に、図４を参照して、基板保持部１２０、処理槽１０５、及び、外槽１１０を説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１０５に投入する前及び後の基板処理装置１００の模式的斜視図である。なお、図４では、図面が過度に複雑になることを避けるために、図１に示した第１蓋体１１１、第２蓋体１１２、処理槽１０５内の処理液ＬＱ、及び、外槽１１０内の処理液ＬＱを省略して示している。また、図４（ａ）及び図４（ｂ）では、１ロット（例えば２５枚）の基板Ｗが処理槽１０５で処理される例が示される。
【0073】
図４（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、第１方向Ｄ１０に沿って複数の基板Ｗを保持する。具体的には、基板保持部１２０は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて複数の基板Ｗ（１ロットの基板Ｗ）を保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１０に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１０は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１０は、水平方向に略平行であり、鉛直方向Ｄに略垂直である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２０に略平行である。第２方向Ｄ２０は、第１方向Ｄ１０及び鉛直方向Ｄに略直交し、水平方向に略平行である。
【0074】
図４（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１０５の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直方向Ｄに沿って下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１０５に投入される。図４（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１０５にまで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１０５内の処理液ＬＱに浸漬する。
【0075】
処理槽１０５は、一対の側壁１０５ａ、１０５ｂと、第１壁１０５ｃと、第２壁１０５ｄとを含む。
【0076】
一対の側壁１０５ａ、１０５ｂは第１方向Ｄ１０に沿って延びる。一対の側壁１０５ａ、１０５ｂは、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。一対の側壁１０５ａ、１０５ｂの各々は、略平板形状を有し、鉛直方向Ｄに略平行である。
【0077】
第１壁１０５ｃ及び第２壁１０５ｄは第２方向Ｄ２０に沿って延びる。第１壁１０５ｃ及び第２壁１０５ｄは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて配置される。第１壁１０５ｃ及び第２壁１０５ｄの各々は、略平板形状を有し、鉛直方向Ｄに略平行である。第１壁１０５ｃ及び第２壁１０５ｄは、一対の側壁１０５ａ、１０５ｂに対して略直角である。
【0078】
外槽１１０は処理槽１０５を囲んでいる。具体的には、外槽１１０は、少なくとも処理槽１０５の上部周面を囲んでいる。更に具体的には、外槽１１０は、第１貯留部１１７ａと、第２貯留部１１７ｂと、第３貯留部１１７ｃと、第４貯留部１１７ｄとを有する。第１貯留部１１７ａ～第４貯留部１１７ｄは、処理槽１０５から溢れた処理液ＬＱを貯留する。第１貯留部１１７ａ～第４貯留部１１７ｄは、互いに連通する。「連通」は、直接的に連通する場合だけでなく、間接的に連通する場合を含む。例えば、第１貯留部１１７ａと第３貯留部１１７ｃとは直接的に連通する。例えば、第１貯留部１１７ａと第２貯留部１１７ｂとは、第３貯留部１１７ｃ及び第４貯留部１１７ｄを介して間接的に連通する。
【0079】
第１貯留部１１７ａは、第１壁１０５ｃに沿って延びる。第１貯留部１１７ａは第２方向Ｄ２０に沿って延びる。第１貯留部１１７ａは、第１壁１０５ｃの外側に配置され、第１壁１０５ｃに対して第１方向Ｄ１０に対向する。第１貯留部１１７ａは、第１壁１０５ｃの上部から下部まで延びる。第１貯留部１１７ａは、第１貯留部１１７ａ～第４貯留部１１７ｄのうち最も容量の大きい貯留部である。第１貯留部１１７ａは、本発明の「最も容量の大きい貯留部」の一例に相当する。
【0080】
第２貯留部１１７ｂは、第２壁１０５ｄに沿って延びる。第２貯留部１１７ｂは、第２壁１０５ｄの上部外側に配置され、第２壁１０５ｄに対して第１方向Ｄ１０に対向する。第２貯留部１１７ｂは第２方向Ｄ２０に沿って延びる。
【0081】
第３貯留部１１７ｃは、側壁１０５ａに沿って延びる。第３貯留部１１７ｃは第１方向Ｄ１０に沿って延びる。第３貯留部１１７ｃは、側壁１０５ａの上部外側に配置され、側壁１０５ａに対して第２方向Ｄ２０に対向する。第３貯留部１１７ｃは、第１貯留部１１７ａと第２貯留部１１７ｂとの間に位置し、第１貯留部１１７ａと第２貯留部１１７ｂとを繋ぐ。
【0082】
第４貯留部１１７ｄは、側壁１０５ｂに沿って延びる。第４貯留部１１７ｄは第１方向Ｄ１０に沿って延びる。第４貯留部１１７ｄは、側壁１０５ｂの上部外側に配置され、側壁１０５ｂに対して第２方向Ｄ２０に対向する。第４貯留部１１７ｄは、第１貯留部１１７ａと第２貯留部１１７ｂとの間に位置し、第１貯留部１１７ａと第２貯留部１１７ｂとを繋ぐ。
【0083】
次に、図５～図７を参照して、基板処理装置１００を説明する。図５は、基板処理装置１００を示す模式的平面図である。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。なお、図５～図７では、第１蓋体１１１及び第２蓋体１１２（図１）を取り外した状態が示される。また、図５～図７では、基板保持部１２０（図１）が省略され、処理槽１０５には基板Ｗが投入されていない。これらのことは、後述する図１１～図１３についても同様である。
【0084】
図５に示すように、基板処理装置１００は、第２ガス供給部２３０と、第２ガス調節部２４０と、配管７４、８６、９６とを更に備える。第２ガス調節部２４０は、本発明の「ガス調節部」の一例に相当する。
【0085】
配管８６と配管９６とは、合流点７９で合流し、合流点７９で配管７４に接続される。配管８６は、第２不活性ガス供給源Ｋ２に接続される。第２不活性ガス供給源Ｋ２は第２不活性ガスＧＡ２を貯留する。第２不活性ガスＧＡ２は、例えば、窒素又はアルゴンである。本実施形態では、第２不活性ガスＧＡ２は第１不活性ガスＧＡ１と同じである。第２不活性ガス供給源Ｋ２から配管８６に第２不活性ガスＧＡ２が供給される。また、配管９６は、空気供給源Ｋ４に接続される。空気供給源Ｋ４から配管９６に空気ＡＲが供給される。
【0086】
合流点７９において、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが混合され、混合ガスＧＡが配管７４に供給される。つまり、混合ガスＧＡは、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが混合されたガスである。混合ガスＧＡは、本発明の「ガス」の一例に相当する。混合ガスＧＡは、配管７４から第２ガス供給部２３０に供給される。
【0087】
図５～図７に示すように、第２ガス供給部２３０は、外槽１１０に貯留された処理液ＬＱに混合ガスＧＡを供給する。具体的には、第２ガス供給部２３０は、外槽１１０に貯留された処理液ＬＱに混合ガスＧＡの気泡ＢＢ２を供給する。
【0088】
第２ガス調節部２４０は、第２ガス供給部２３０に供給する混合ガスＧＡの流量を調節する。つまり、第２ガス調節部２４０は、第２ガス供給部２３０に供給する混合ガスＧＡの流量を調節することで、第２ガス供給部２３０が処理液ＬＱに供給する混合ガスＧＡの流量を調節する。混合ガスＧＡの流量は、単位時間当たりの流量を示す。
【0089】
本実施形態では、混合ガスＧＡの流量を調節することは、第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することを示す。例えば、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡの流量を増加させつつ、比率ＲＡを調節する。又は、例えば、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡの流量を減少させつつ、比率ＲＡを調節する。又は、例えば、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡの流量を一定に保持しつつ、比率ＲＡを調節する。なお、第２不活性ガスＧＡ２の流量は、単位時間当たりの流量を示す。空気ＡＲの流量は、単位時間当たりの流量を示す。
【0090】
第２制御部Ａ２は第２ガス調節部２４０を制御する。具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５（図１）から処理液ＬＱの溶存酸素濃度を示す情報を取得する。そして、第２制御部Ａ２は、第１不活性ガスＧＡ１（図１）の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０を制御することで、第２ガス供給部２３０に供給される混合ガスＧＡ（つまり、第２ガス供給部２３０から処理液ＬＱに供給される混合ガスＧＡ）の流量を調節して、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。
【0091】
すなわち、外槽１１０の処理液ＬＱに混合ガスＧＡを供給しつつも、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１（図１）の流量が一定に保持されるため、第１不活性ガスＧＡ１が基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。加えて、外槽１１０の処理液ＬＱに供給する混合ガスＧＡの流量を調節することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めることができ、ひいては、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートを目標範囲内に収めることができる。
【0092】
この点を詳細に説明する前に、処理液ＬＱの溶存酸素濃度について説明する。例えば、工場の用力系統から、処理液ＬＱに含まれる純水（ＤＩＷ：ＤＥ－ＩＯＮＩＺＥＤ ＷＡＴＥＲ）を導入する場合、工場環境（例えば、工場の場所、工場内における基板処理装置１００の位置、及び、純水を供給する配管の長さ）によって、純水の溶存酸素濃度が異なる場合がある。従って、工場環境によって、純水を含む処理液ＬＱの溶存酸素濃度も異なる場合がある。特に、処理液ＬＱにおける純水の含有量が多い場合には、純水の溶存酸素濃度が、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に与える影響は大きい。
【0093】
そして、処理液ＬＱの溶存酸素濃度によって、エッチング量及びエッチングレートが異なることは、図２に示した通りである。従って、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートを目標範囲内に収めることが要求されている場合に、工場環境によっては、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートが目標範囲内に収まらない場合が発生し得る。目標範囲内に収まらない場合は、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートが目標範囲に満たない場合、又は、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートが目標範囲を超える場合である。
【0094】
そこで、例えば、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に調節して、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートを目標範囲内に収めることが可能である。目標濃度範囲は、基板Ｗのエッチング量又はエッチングレートを目標範囲内に収めるために要求される溶存酸素濃度の範囲を示す。目標濃度範囲は、例えば、実験的及び／又は経験的に定められる。
【0095】
しかしながら、本願の発明者は、第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まったとしても、第１不活性ガスＧＡ１の流量の調節が、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼす可能性があることの知見を得た。つまり、本願の発明者は、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量が異なると、基板Ｗの面内における処理の均一性が異なったり、複数の基板Ｗ間での処理の均一性が異なったりする場合があり得るとの知見を得た。
【0096】
この点は、基板処理装置１００が複数の処理槽１０５を備える場合において、複数の処理槽１０５間においても同様であり、また、複数の基板処理装置１００が異なる地域に設置されている場合において、複数の処理槽１０５間においても同様である。例えば、基板処理装置１００の処理槽１０５における第１不活性ガスＧＡ１の流量が、同一の基板処理装置１００の別の処理槽１０５における第１不活性ガスＧＡ１の流量と異なる場合は、複数の処理槽１０５間において、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性が異なる場合がある。例えば、基板処理装置１００の処理槽１０５における第１不活性ガスＧＡ１の流量が、別の基板処理装置１００の処理槽１０５における第１不活性ガスＧＡ１の流量と異なる場合は、異なる地域に設置される複数の基板処理装置１００間において、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性が異なる場合がある。
【0097】
そこで、本実施形態では、基板処理装置１００は、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する。そして、基板処理装置１００は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス供給部２３０に供給する混合ガスＧＡ（つまり、第２ガス供給部２３０から処理液ＬＱに供給する混合ガスＧＡ）の流量を調節することで、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。その結果、本実施形態によれば、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１が、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【0098】
また、本実施形態では、基板処理装置１００が複数の処理槽１０５を備える場合に、複数の処理槽１０５間において、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性を確保しつつ、エッチング量又はエッチングレートを目標範囲内に収めることができる。更に、異なる地域に複数の基板処理装置１００が設置される場合に、異なる基板処理装置１００間において、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性を確保しつつ、エッチング量又はエッチングレートを目標範囲内に収めることができる。
【0099】
なお、処理液ＬＱは、処理液導入部１２５（図１）によって、外槽１１０と処理槽１０５との間を循環する。従って、外槽１１０において溶存酸素濃度が調節された処理液ＬＱは、処理槽１０５に導入される。その結果、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度は、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節することによって調節される。
【0100】
【0101】
第２ガス供給部２３０は、外槽１１０の内部に配置される。第２ガス供給部２３０は少なくとも１つの第２ガス供給管７０を含む。本実施形態では、第２ガス供給部２３０は、１本の第２ガス供給管７０を含む。第２ガス供給管７０は外槽１１０の底部側に配置される。第２ガス供給管７０は処理液ＬＱに浸かっている。第２ガス供給管７０は、第２方向Ｄ２０に沿って延びている。
【0102】
第２ガス供給管７０は複数の第２吐出孔Ｈ２を有する。複数の第２吐出孔Ｈ２は、第２ガス供給管７０の上部に設けられる。この場合、例えば、第２吐出孔Ｈ２は、鉛直方向Ｄ上側を向いている。複数の第２吐出孔Ｈ２は、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて略一直線上に配置される。
【0103】
第２ガス供給管７０は、複数の第２吐出孔Ｈ２の各々から混合ガスＧＡを吐出することで、各第２吐出孔Ｈ２から処理液ＬＱに混合ガスＧＡの気泡ＢＢ２を供給する。
【0104】
第２ガス供給管７０は、例えば、バブラー管である。第２ガス供給管７０の材質は、例えば、石英、又は、樹脂である。樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ、ＰＦＡ、およびＰＴＦＥなどの耐腐食性のある樹脂である。第２ガス供給管７０の管径は、特に限定はされないが、例えば、約６．０ｍｍである。第２吐出孔Ｈ２の直径は、特に限定はされないが、例えば、約０．２ｍｍである。好ましくは、第２吐出孔Ｈ２の直径は、第１吐出孔Ｈ１（図１）の直径よりも小さい。好ましい理由は、第２吐出孔Ｈ２の直径が小さい程、気泡ＢＢ２が小さくなるからである。この場合、例えば、第２吐出孔Ｈ２の直径は、約０．１ｍｍ以上約０．１５ｍｍ以下である。
【0105】
第２ガス供給管７０は、第１貯留部１１７ａ～第４貯留部１１７ｄのうち最も容量の大きい第１貯留部１１７ａに配置される。具体的には、第２ガス供給管７０は、第１貯留部１１７ａの底部側に配置される。そして、第２ガス供給管７０は、第１貯留部１１７ａに貯留された処理液ＬＱに混合ガスＧＡを供給する。具体的には、第２ガス供給管７０は、各第２吐出孔Ｈ２から、第１貯留部１１７ａに貯留された処理液ＬＱに混合ガスＧＡの気泡ＢＢ２を供給する。従って、最も容量の大きな第１貯留部１１７ａに貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度が、混合ガスＧＡ（気泡ＢＢ２）によって集中して調節される。そして、溶存酸素濃度が調節された処理液ＬＱが処理槽１０５に導入される。その結果、本実施形態によれば、より短時間で、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に調節できる。
【0106】
また、循環配管１４１が第１貯留部１１７ａの底部に接続される。具体的には、循環配管１４１の上流端が、第１貯留部１１７ａの底部に設けられた処理液供給口１４７に接続される。従って、外槽１１０の処理液ＬＱは、処理液供給口１４７を通って循環配管１４１に供給される。一方、第２ガス供給管７０は、第１貯留部１１７ａの底部の側から、各第２吐出孔Ｈ２を通して処理液ＬＱの液面に向けて混合ガスＧＡ（気泡ＢＢ２）を供給する。つまり、第２ガス供給管７０は、第１貯留部１１７ａの底部の側から、各第２吐出孔Ｈ２を通して鉛直方向Ｄ上側に向けて混合ガスＧＡ（気泡ＢＢ２）を供給する。従って、本実施形態によれば、気泡ＢＢ２が処理液供給口１４７に入り込むことを抑制できる。その結果、第１貯留部１１７ａの処理液ＬＱに接触する気泡ＢＢ２の数が減少することが抑制されて、気泡ＢＢ２によって第１貯留部１１７ａの処理液ＬＱの溶存酸素濃度を効果的に調節できる。
【0107】
更に、図６に示すように、第２ガス供給管７０は、第１貯留部１１７ａの底部側において、第１方向Ｄ１０の略中央部に配置される。従って、本実施形態によれば、気泡ＢＢ２が、第１壁１０５ｃ及び第１貯留部１１７ａの壁面１１７ｅに接触することを抑制できる。その結果、気泡ＢＢ２がより多く処理液ＬＱに接触するため、気泡ＢＢ２によって処理液ＬＱの溶存酸素濃度を効果的に調節できる。
【0108】
また、外槽１１０は、排液口２５０を有する。排液口２５０は、外槽１１０の上部に配置される。具体的には、排液口２５０は、第１貯留部１１７ａの上部に配置される。また、基板処理装置１００は配管２５１を更に備える。配管２５１は、排液口２５０に接続される。排液口２５０に達した処理液ＬＱは、排液口２５０及び配管２５１から外槽１１０の外部に排出される。従って、処理液ＬＱが外槽１１０から溢れることを抑制できる。特に、本実施形態では、多数の気泡ＢＢ２が第１貯留部１１７ａの処理液ＬＱに供給されるため、気泡ＢＢ２を供給しない場合と比べて、処理液ＬＱが外槽１１０から溢れ易い可能性がある。従って、本実施形態では、排液口２５０及び配管２５１による排液は、外槽１１０からの処理液ＬＱの溢れ抑制のために特に有効である。
【0109】
また、図７に示すように、第２ガス供給部２３０は、管７１を更に含む。管７１は鉛直方向Ｄに沿って延びる。管７１の一端（下端）は、第２ガス供給管７０の第２方向Ｄ２０の一端に接続される。第２ガス供給管７０の第２方向Ｄ２０の他端は閉塞される。管７１の他端（上端）は、配管７４に接続される。従って、配管７４から供給される混合ガスＧＡは、管７１を通って第２ガス供給管７０に供給される。
【0110】
特に、本実施形態では、図５に示す第２ガス調節部２４０は、第２ガス供給部２３０に供給する混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、第２ガス供給部２３０が処理液ＬＱに供給する混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節する。つまり、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。つまり、比率ＲＡを調節することで外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が調節され、処理液ＬＱの循環によって処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が調整される。従って、本実施形態によれば、比率ＲＡを調節するという簡易な操作によって、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を容易に調節できる。
【0111】
具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内でない場合は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０を制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内になるように、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節する。つまり、第２制御部Ａ２は、フィードバック制御によって比率ＲＡを調節することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。なお、第２制御部Ａ２及び第２ガス調節部２４０は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内である場合は、比率ＲＡを維持する。
【0112】
更に具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を大きくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０を制御する。その結果、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合（現状の第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合）よりも大きくする。よって、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が減少して、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まる。なお、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合とは、溶存酸素濃度が目標濃度範囲の上限値を超えていることを示す。
【0113】
ここで、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を大きくすることで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が減少することは、図３に示すグラフから推測できる。
【0114】
なお、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合に、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を小さくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０を制御してもよい。この場合は、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における空気ＡＲの流量の割合（現状の空気ＡＲの流量の割合）よりも小さくする。この場合、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合が大きくなる。
【0115】
ここで、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を小さくすることは、混合ガスＧＡにおける酸素の割合を小さくすることに相当する。なぜなら、空気ＡＲには、約２０％の酸素が含まれるからである。このため、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を小さくすることで、混合ガスＧＡにおける酸素の流量の割合が小さくなって、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が減少する。
【0116】
一方、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を小さくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０を制御する。その結果、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合（現状の第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合）よりも小さくする。よって、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が増加して、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まる。なお、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合とは、溶存酸素濃度が目標濃度範囲の下限値未満であることを示す。
【0117】
ここで、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を小さくすることで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が増加することは、図３に示すグラフから推測できる。
【0118】
なお、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合に、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を大きくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０を制御してもよい。この場合は、第２ガス調節部２４０は、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における空気ＡＲの流量の割合（現状の空気ＡＲの流量の割合）よりも大きくする。
【0119】
ここで、空気ＡＲは約２０％の酸素を含むため、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を大きくすることで、混合ガスＧＡにおける酸素の流量の割合が大きくなる。その結果、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が増加する。
【0120】
引き続き図５を参照して第２ガス調節部２４０の詳細を説明する。第２ガス調節部２４０は、逆止弁７２と、フィルター７３と、不活性ガス調節機構８０と、空気調節機構９０とを含む。フィルター７３及び逆止弁７２は、この順番に配管７４の上流から下流に向かって配置される。フィルター７３は、配管７４を流れる混合ガスＧＡから異物を除去する。逆止弁７２は、混合ガスＧＡの逆流を防止する。
【0121】
不活性ガス調節機構８０は配管８６に配置される。不活性ガス調節機構８０は、第２不活性ガス供給源Ｋ２から配管８６に供給される第２不活性ガスＧＡ２の流量及び圧力を調節する。
【0122】
具体的には、不活性ガス調節機構８０は、バルブ８１と、調節バルブ８２と、流量計８３と、圧力計８４と、レギュレーター８５とを含む。レギュレーター８５、圧力計８４、流量計８３、調節バルブ８２、及び、バルブ８１は、この順番に配管８６の上流から下流に向かって、配管８６に配置される。
【0123】
レギュレーター８５は、配管８６内の第２不活性ガスＧＡ２の圧力を調節する。レギュレーター８５は、例えば、電空レギュレーターである。圧力計８４は、配管８６内の第２不活性ガスＧＡ２の圧力を測定する。流量計８３は、配管８６を流れる第２不活性ガスＧＡ２の流量を測定する。調節バルブ８２は、調節バルブ８２の開度が調節されることで、配管８６に流れる第２不活性ガスＧＡ２の流量を調節して、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を調節する。なお、例えば、調節バルブ８２及び流量計８３に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。バルブ８１は、配管８６を開閉する。つまり、バルブ８１は、配管８６から配管７４及び第２ガス供給管７０への第２不活性ガスＧＡ２の供給と供給停止とを切り替える。
【0124】
また、空気調節機構９０は、バルブ９１と、調節バルブ９２と、流量計９３と、圧力計９４と、レギュレーター９５とを含む。レギュレーター９５、圧力計９４、流量計９３、調節バルブ９２、及び、バルブ９１は、この順番に配管９６の上流から下流に向かって、配管９６に配置される。
【0125】
レギュレーター９５は、配管９６内の空気ＡＲの圧力を調節する。レギュレーター９５は、例えば、電空レギュレーターである。圧力計９４は、配管９６内の空気ＡＲの圧力を測定する。流量計９３は、配管９６を流れる空気ＡＲの流量を測定する。調節バルブ９２は、調節バルブ９２の開度が調節されることで、配管９６に流れる空気ＡＲの流量を調節して、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を調節する。なお、例えば、調節バルブ９２及び流量計９３に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。バルブ９１は、配管９６を開閉する。つまり、バルブ９１は、配管９６から配管７４及び第２ガス供給管７０への空気ＡＲの供給と供給停止とを切り替える。
【0126】
第２制御部Ａ２は、流量計８３が計測する第２不活性ガスＧＡ２の流量を監視しながら、不活性ガス調節機構８０を制御することで、配管８６を流れる第２不活性ガスＧＡ２の流量を調節する。一方、第２制御部Ａ２は、流量計９３が計測する空気ＡＲの流量を監視しながら、空気調節機構９０を制御することで、配管９６を流れる空気ＡＲの流量を調節する。
【0127】
例えば、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加するように、不活性ガス調節機構８０（具体的には調節バルブ８２）を制御するとともに、空気ＡＲの流量を維持する。つまり、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加するように不活性ガス調節機構８０（具体的には調節バルブ８２）を制御することで、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を大きくして処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。
【0128】
なお、例えば、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合に、空気ＡＲの流量を減少するように、空気調節機構９０（具体的には調節バルブ９２）を制御するとともに、第２不活性ガスＧＡ２の流量を維持してもよい。つまり、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、空気ＡＲの流量を減少するように空気調節機構９０（具体的には調節バルブ９２）を制御することで、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を小さくして処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めてもよい。
【0129】
一方、例えば、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を減少するように、不活性ガス調節機構８０（具体的には調節バルブ８２）を制御するとともに、空気ＡＲの流量を維持する。つまり、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を減少するように不活性ガス調節機構８０（具体的には調節バルブ８２）を制御することで、混合ガスＧＡにおける第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を小さくして処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。
【0130】
なお、例えば、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合に、空気ＡＲの流量を増加するように、空気調節機構９０（具体的には調節バルブ９２）を制御するとともに、第２不活性ガスＧＡ２の流量を維持してもよい。つまり、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、空気ＡＲの流量を増加するように空気調節機構９０（具体的には調節バルブ９２）を制御することで、混合ガスＧＡにおける空気ＡＲの流量の割合を大きくして処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めてもよい。
【0131】
次に、図５及び図６を参照して、第３ガス供給部２１０（図１）を説明する。図５に示すように、第３ガス供給部２１０は、第３ガス供給管２５と、バルブ２６とを含む。第３ガス供給管２５は、外槽１１０の内部に配置される。第３ガス供給管２５は、処理槽１０５を囲む。具体的には、第３ガス供給管２５は、第１配管部２５ａと、第２配管部２５ｂと、第３配管部２５ｃと、第４配管部２５ｄと、第５配管部２５ｅと、第６配管部２５ｆとを含む。
【0132】
第１配管部２５ａは、第１貯留部１１７ａの内部において、上側領域に配置される。第１配管部２５ａは第１方向Ｄ１０に沿って延びる。第１配管部２５ａは、外槽１１０の内部から外部に延びる。
【0133】
第２配管部２５ｂは、第１貯留部１１７ａの内部において、上側領域に配置される。第２配管部２５ｂは、第１配管部２５ａの下流端から屈曲し、第１壁１０５ｃに沿って延びる。第２配管部２５ｂは、第２方向Ｄ２０に沿って延びる。
【0134】
第３配管部２５ｃは、第３貯留部１１７ｃの内部において、上側領域に配置される。第３配管部２５ｃは、第２配管部２５ｂの下流端から屈曲し、側壁１０５ａに沿って延びる。第３配管部２５ｃは、第１方向Ｄ１０に沿って延びる。
【0135】
第４配管部２５ｄは、第２貯留部１１７ｂの内部において、上側領域に配置される。第４配管部２５ｄは、第３配管部２５ｃの下流端から屈曲し、第２壁１０５ｄに沿って延びる。第４配管部２５ｄは、第２方向Ｄ２０に沿って延びる。
【0136】
第５配管部２５ｅは、第４貯留部１１７ｄの内部において、上側領域に配置される。第５配管部２５ｅは、第４配管部２５ｄの下流端から屈曲し、側壁１０５ｂに沿って延びる。第５配管部２５ｅは、第１方向Ｄ１０に沿って延びる。
【0137】
第６配管部２５ｆは、第１貯留部１１７ａの内部において、上側領域に配置される。第６配管部２５ｆは、第５配管部２５ｅの下流端から屈曲し、第１壁１０５ｃに沿って延びる。第６配管部２５ｆは、第２方向Ｄ２０に沿って延びる。第６配管部２５ｆの下流端は閉塞されている。
【0138】
第１配管部２５ａ～第６配管部２５ｆの各々に、複数の第３吐出孔Ｈ３（図１）が設けられる。従って、第１貯留部１１７ａ～第４貯留部１１７ｄのいずれにおいても、処理液ＬＱに酸素が溶解することを抑制できる。
【0139】
基板処理装置１００は配管１８５を更に備える。配管１８５は、第３ガス供給管２５（具体的には第１配管部２５ａ）と第３不活性ガス供給源Ｋ３とをバルブ２６を介して接続する。第３不活性ガス供給源Ｋ３は、第３不活性ガスＧＡ３を貯留する。
【0140】
バルブ２６は、処理槽１０５及び外槽１１０の外側において、配管１８５に配置される。バルブ２６は、配管１８５の流路を開放することで、第３ガス供給管２５に対して、第３不活性ガス供給源Ｋ３から第３不活性ガスＧＡ３を供給する。一方、バルブ２６は、配管１８５の流路を閉塞することで、第３不活性ガス供給源Ｋ３から第３ガス供給管２５への第３不活性ガスＧＡ３の供給を停止する。
【0141】
図６に示すように、第３ガス供給管２５において、複数の第３吐出孔Ｈ３は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。そして、複数の第３吐出孔Ｈ３は、鉛直方向Ｄ下側に向けて開口し、処理液ＬＱの液面に対して鉛直方向Ｄに対向している。第３ガス供給管２５は、複数の第３吐出孔Ｈ３から、外槽１１０内の処理液ＬＱの液面に向けて第３不活性ガスＧＡ３を吐出する。
【0142】
図５及び図６に示すように、第３制御部Ａ３は、第３ガス供給管２５に第３不活性ガスＧＡ３を供給するように、バルブ２６を制御する。その結果、バルブ２６が配管１８５の流路を開放することで、第３ガス供給管２５に第３不活性ガスＧＡ３が供給される。よって、第３ガス供給管２５は、各第３吐出孔Ｈ３から外槽１１０の内部に第３不活性ガスＧＡ３を吐出する。
【0143】
次に、図８を参照して、第１ガス供給部２００を説明する。図８は、第１ガス供給部２００を示す模式的平面図である。図８に示すように、複数の第１ガス供給管２１は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。図８の例では、複数の第１ガス供給管２１は、仮想中心線ＣＬに対して対称に配置される。仮想中心線ＣＬは、各基板Ｗの中心を通り、第１方向Ｄ１０に沿って延びる。
【0144】
具体的には、複数の第１ガス供給管２１は、処理槽１０５において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。第１ガス供給管２１は、第１方向Ｄ１０に沿って延びている。複数の第１ガス供給管２１の各々において、複数の第１吐出孔Ｈ１は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。
【0145】
複数のガス流量調節機構１８２の各々は、バルブ４１と、フィルター４２と、流量計４３と、調節バルブ４４とを含む。バルブ４１、フィルター４２、流量計４３、及び、調節バルブ４４は、この順番に配管１８１の下流から上流に向かって、配管１８１に配置される。
【0146】
調節バルブ４４は、調節バルブ４４の開度が調節されることで、配管１８１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節して、第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節することが可能である。流量計４３は、配管１８１を流れる第１不活性ガスＧＡ１の流量を測定する。調節バルブ４４は、流量計４３の測定結果に基づいて第１不活性ガスＧＡ１の流量を調節する。なお、例えば、調節バルブ４４及び流量計４３に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。
【0147】
本実施形態では、調節バルブ４４は、調節バルブ４４が一定の開度に設定されることで、配管１８１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に設定して、第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量（個別流量）を一定に保持する。つまり、調節バルブ４４は、第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量（個別流量）を目標個別流量に設定する。なお、複数の第１ガス供給管２１において、目標個別流量は、同じでもよいし、異なっていてもよい。
【0148】
具体的には、第１制御部Ａ１は、第１ガス供給管２１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量（個別流量）が一定に保持されるように、ガス流量調節機構１８２（具体的には調節バルブ４４）を制御する。つまり、第１制御部Ａ１は、第１ガス供給管２１に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量（個別流量）が目標個別流量に設定されるように、ガス流量調節機構１８２（具体的には調節バルブ４４）を制御する。
【0149】
複数の第１ガス供給管２１の各々に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量（個別流量）が一定に保持されるため、複数の第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の合計流量もまた一定に保持される。つまり、複数の第１ガス供給管２１に供給される第１不活性ガスＧＡ１の合計流量が目標合計流量に設定される。
【0150】
フィルター４２は、配管１８１を流れる第１不活性ガスＧＡ１から異物を除去する。バルブ４１は、配管１８１を開閉する。つまり、バルブ４１は、配管１８１からの第１ガス供給管２１に対する第１不活性ガスＧＡ１の供給と供給停止とを切り替える。バルブ４１の開閉は第１制御部Ａ１によって制御される。
【0151】
次に、図９を参照して、導入部１３０を説明する。図９は、導入部１３０を示す模式的裏面図である。図９に示すように、導入部１３０は、複数の吐出部１３１と、複数の分散板１３２とを含む。図９の例では、導入部１３０は、２個の吐出部１３１と、２個の分散板１３２とを含む。複数の吐出部１３１は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて配置される。複数の分散板１３２は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて配置される。複数の分散板１３２は、それぞれ、複数の吐出部１３１に対応する。複数の分散板１３２は、プレート３１の下方に配置される。図９の例では、分散板１３２は、略円板形状を有する。複数の吐出部１３１は、それぞれ、複数の分散板１３２の下方に配置される。
【0152】
吐出部１３１及び分散板１３２は、裏面視において、第２方向Ｄ２０におけるプレート３１の中央領域３１ａに対応して配置される。中央領域３１ａは第１方向Ｄ１０に沿って延びる。
【0153】
循環配管１４１（図１）は、配管１３３を含む。配管１３３は、プレート３１の第１方向Ｄ１０の一方端側から他方端側に向かって延びる。配管１３３は第１方向Ｄ１０に沿って延びる。配管１３３は、プレート３１の裏面に対向する。つまり、配管１３３は、プレート３１の下方に配置される。具体的には、配管１３３は、分散板１３２よりも下方に配置される。
【0154】
吐出部１３１は、配管１３３の上面に接続される。吐出部１３１と配管１３３とは連通している。そして、吐出部１３１は、分散板１３２に向かって、配管１３３から鉛直上方に突出する。配管１３３には、循環部１４０（図１）から処理液ＬＱが供給される。その結果、吐出部１３１は、処理液ＬＱを分散板１３２に向かって吐出する。よって、処理液ＬＱの圧力が分散され、処理液ＬＱが水平方向に拡がる。そして、処理液ＬＱは、複数の処理液孔Ｐから上昇して層流を形成する。
【0155】
次に、図１、図５、図６、及び、図１０を参照して、本実施形態に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、処理槽１０５と外槽１１０との間で処理液ＬＱが循環される基板処理装置１００において実行される。図１０は、本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１０を含む。なお、一例として、工程Ｓ１の開始前では、全てのバルブ４１（図８）、及び、バルブ８１、９１、２６（図５）が閉じられている。
【0156】
図１及び図１０に示すように、まず、工程Ｓ１において、基板処理装置１００は、外槽１１０と処理槽１０５との間で処理液ＬＱを循環させる。具体的には、制御部２２１は、外槽１１０から処理槽１０５に処理液ＬＱを導入するように、処理液導入部１２５を制御する。その結果、処理液導入部１２５は、外槽１１０から処理槽１０５に処理液ＬＱを導入することで、外槽１１０と処理槽１０５との間で処理液ＬＱを循環させる。
【0157】
次に、工程Ｓ２において、基板処理装置１００は、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する。具体的には、第１制御部Ａ１は、第１ガス供給部２００に供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持されるように、第１ガス調節部１８０を制御する。その結果、第１ガス供給部２００は、第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに第１不活性ガスＧＡ１を供給する。なお、工程Ｓ２では、全てのバルブ４１（図８）は開かれる。
【0158】
次に、工程Ｓ３において、基板処理装置１００は、外槽１１０の内部に第３不活性ガスＧＡ３を供給する。具体的には、第３制御部Ａ３は、第３不活性ガスＧＡ３を供給するように、第３ガス供給部２１０を制御する。その結果、第３ガス供給部２１０は、外槽１１０の内部に第３不活性ガスＧＡ３を供給する。なお、工程Ｓ３では、バルブ２６は開かれる。
【0159】
次に、工程Ｓ４において、基板処理装置１００は、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。具体的には、制御部２２１は、処理槽１０５の処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬するように、基板保持部１２０を制御する。その結果、基板保持部１２０は、下降することで、処理槽１０５の処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。
【0160】
次に、工程Ｓ５において、基板処理装置１００は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。具体的には、測定部２４５は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を測定する。そして、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を示す情報を取得する。
【0161】
次に、工程Ｓ６において、基板処理装置１００（具体的には、第２制御部Ａ２）は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内か否かを判定する。
【0162】
工程Ｓ６で処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内であると判定された場合（Ｙｅｓ）、処理は工程Ｓ８に進む。
【0163】
一方、工程Ｓ６で処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内でないと判定された場合（Ｎｏ）、処理は工程Ｓ７に進む。
【0164】
次に、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、外槽１１０に貯留された処理液ＬＱにガス（図６の例では混合ガスＧＡ）を供給する。具体的には、第２ガス供給部２３０は、第１貯留部１１７ａ～第４貯留部１１７ｄのうち最も容量の大きな第１貯留部１１７ａに貯留された処理液ＬＱにガス（図６の例では混合ガスＧＡ）を供給する。更に具体的には、第２ガス供給部２３０は、最も容量の大きな第１貯留部１１７ａの底部の側から、処理液ＬＱの液面に向けてガス（図６の例では混合ガスＧＡ）を供給する。本実施形態では、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスは、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが混合された混合ガスＧＡである。つまり、ガスとして、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが使用される。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、混合ガスＧＡを第２ガス供給部２３０に供給するように、第２ガス調節部２４０を制御する。その結果、第２ガス供給部２３０は、外槽１１０の処理液ＬＱに混合ガスＧＡを供給する。なお、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２の制御によって、バルブ８１及び／又はバルブ９１が開かれる。
【0165】
特に、本実施形態では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて外槽１１０の処理液ＬＱへのガス（図６の例では混合ガスＧＡ）の流量を調節することで、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。本実施形態では、ガスは、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが混合された混合ガスＧＡである。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０を制御することで、外槽１１０の処理液ＬＱに供給する混合ガスＧＡの流量を調節して、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。具体的には、第２制御部Ａ２は、第２ガス調節部２４０によって第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。そして、処理は工程Ｓ８に進む。
【0166】
工程Ｓ７の後、又は、工程Ｓ６で処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内であると判定された後、工程Ｓ８において、基板処理装置１００（具体的には、制御部２２１）は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されてから所定時間が経過したか否かを判定する。
【0167】
工程Ｓ８で所定時間が経過していないと判定された場合（Ｎｏ）、処理は工程Ｓ５に進む。
【0168】
一方、工程Ｓ８で所定時間が経過したと判定された場合（Ｙｅｓ）、処理は工程Ｓ９に進む。
【0169】
次に、工程Ｓ９において、基板処理装置１００は、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱから基板Ｗを引き上げる。具体的には、制御部２２１は、処理槽１０５の処理液ＬＱから基板Ｗを引き上げるように、基板保持部１２０を制御する。その結果、基板保持部１２０は、上昇することで、処理槽１０５の処理液ＬＱから基板Ｗを引き上げる。
【0170】
次に、工程Ｓ１０において、基板処理装置１００（具体的には、制御部２２１）は、全ロットに対して処理液ＬＱによる処理が完了したか否かを判定する。
【0171】
工程Ｓ１０で全ロットに対して処理が完了していないと判定された場合（Ｎｏ）、処理は工程Ｓ４に進む。
【0172】
一方、工程Ｓ１０で全ロットに対して処理が完了したと判定された場合（Ｙｅｓ）、基板処理方法は終了する。この場合、例えば、基板処理装置１００は、第１不活性ガスＧＡ１、ガス（図６の例では、混合ガスＧＡ）、及び、第３不活性ガスＧＡ３の供給を停止する。
【0173】
以上、図１０を参照して説明したように、本実施形態に係る基板処理方法よれば、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガス（図６の例では、混合ガスＧＡ）の流量を処理液ＬＱの溶存酸素濃度の測定結果に基づいて調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。従って、本実施形態によれば、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１が、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【0174】
（第１変形例）
図１０及び図１１を参照して、本実施形態の第１変形例を説明する。第１変形例では、第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲをそれぞれ個別に外槽１１０の処理液ＬＱに供給する点で、上記実施形態と主に異なる。以下、第１変形例が上記実施形態と異なる点を主に説明する。
図１０及び図１１を参照して、本実施形態の第１変形例を説明する。第１変形例では、第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲをそれぞれ個別に外槽１１０の処理液ＬＱに供給する点で、上記実施形態と主に異なる。以下、第１変形例が上記実施形態と異なる点を主に説明する。
【0175】
図１１は、本実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１００を示す模式的平面図である。図１１に示すように、基板処理装置１００は、第２ガス供給部２３０Ａ及び第２ガス調節部２４０Ａを備える。第１変形例では、第２ガス供給部２３０Ａが外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスとして、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが使用される。
【0176】
第２ガス供給部２３０Ａは、第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲをそれぞれ個別に外槽１１０の処理液ＬＱに供給する。第２ガス供給部２３０Ａは、第１貯留部１１７ａにおいて、第１方向Ｄ１０の略中央部に配置される。
【0177】
第２ガス供給部２３０Ａは、少なくとも１つの第２ガス供給管７０ａと、少なくとも１つの第２ガス供給管７０ｂとを含む。第１変形例では、第２ガス供給部２３０Ａは、１本の第２ガス供給管７０ａと、１本の第２ガス供給管７０ｂとを含む。第２ガス供給管７０ａ、７０ｂは外槽１１０の底部側に配置される。第２ガス供給管７０ａ、７０ｂは処理液ＬＱに浸かっている。第２ガス供給管７０ａ、７０ｂは、第２方向Ｄ２０に沿って延びている。第２ガス供給管７０ａと第２ガス供給管７０ｂとは、第１方向Ｄ１０に並んでいる。例えば、第２ガス供給管７０ａと第２ガス供給管７０ｂとは、第１方向Ｄ１０に隣接している。
【0178】
第２ガス供給管７０ａは複数の第２吐出孔Ｈ２ａを有する。例えば、第２吐出孔Ｈ２ａは、鉛直方向Ｄ上側を向いている。複数の第２吐出孔Ｈ２ａは、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて略一直線上に配置される。
【0179】
第２ガス供給管７０ａは、複数の第２吐出孔Ｈ２ａの各々から第２不活性ガスＧＡ２を吐出することで、各第２吐出孔Ｈ２ａから外槽１１０の処理液ＬＱに第２不活性ガスＧＡ２の気泡ＢＢ２ａ（不図示）を供給する。
【0180】
第２ガス供給管７０ｂは複数の第２吐出孔Ｈ２ｂを有する。例えば、第２吐出孔Ｈ２ｂは、鉛直方向Ｄ上側を向いている。複数の第２吐出孔Ｈ２ｂは、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて略一直線上に配置される。
【0181】
第２ガス供給管７０ｂは、複数の第２吐出孔Ｈ２ｂの各々から空気ＡＲを吐出することで、各第２吐出孔Ｈ２ｂから外槽１１０の処理液ＬＱに空気ＡＲの気泡ＢＢ２ｂ（不図示）を供給する。
【0182】
その他、第２ガス供給管７０ａ、７０ｂの構成及び材質は、第２ガス供給管７０（図５）の構成及び材質と同様である。
【0183】
第２ガス供給部２３０Ａは、管７１ａ、７１ｂを更に含む。管７１ａは鉛直方向Ｄに沿って延びる。管７１ａの一端（下端）は、第２ガス供給管７０ａの第２方向Ｄ２０の一端に接続される。管７１ａの他端（上端）は、配管８６に接続される。従って、配管８６から供給される第２不活性ガスＧＡ２は、管７１ａを通って第２ガス供給管７０ａに供給される。一方、管７１ｂは鉛直方向Ｄに沿って延びる。管７１ｂの一端（下端）は、第２ガス供給管７０ｂの第２方向Ｄ２０の一端に接続される。管７１ｂの他端（上端）は、配管９６に接続される。従って、配管９６から供給される空気ＡＲは、管７１ｂを通って第２ガス供給管７０ｂに供給される。
【0184】
第２ガス調節部２４０Ａは、逆止弁７２ａ、７２ｂと、フィルター７３ａ、７３ｂと、不活性ガス調節機構８０と、空気調節機構９０とを含む。フィルター７３ａは、配管８６を流れる第２不活性ガスＧＡ２から異物を除去する。逆止弁７２ａは、第２不活性ガスＧＡ２の逆流を防止する。フィルター７３ｂは、配管９６を流れる空気ＡＲから異物を除去する。逆止弁７２ｂは、空気ＡＲの逆流を防止する。
【0185】
特に、第１変形例では、第２ガス調節部２４０Ａは、第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、第２ガス供給部２３０が処理液ＬＱに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節する。つまり、第２ガス調節部２４０Ａは、第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、第２ガス供給管７０ａが処理液ＬＱに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量と第２ガス供給管７０ｂが処理液ＬＱに供給する空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節する。このように、第２ガス調節部２４０Ａは、第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。従って、第１変形例によれば、比率ＲＡを調節するという簡易な操作によって、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を容易に調節できる。
【0186】
具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内でない場合は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０Ａを制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内になるように、第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節する。
【0187】
更に具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合、第２ガス供給管７０ａに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を大きくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ａを制御する。ここで、「第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合」は、第２不活性ガスＧＡ２の流量と空気ＡＲの流量との合計流量のうちの第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を示す。なお、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合、第２ガス供給管７０ｂに供給する空気ＡＲの流量の割合を小さくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ａを制御してもよい。ここで、「空気ＡＲの流量の割合」は、第２不活性ガスＧＡ２の流量及び空気ＡＲの流量の合計流量のうちの空気ＡＲの流量の割合を示す。
【0188】
その他、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合の第２制御部Ａ２及び第２ガス調節部２４０Ａの動作は、図５～図７を参照して説明した、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合の第２制御部Ａ２及び第２ガス調節部２４０の動作と同様である。
【0189】
一方、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、第２ガス供給管７０ａに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量の割合を小さくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ａを制御する。なお、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合、第２ガス供給管７０ｂに供給する空気ＡＲの流量の割合を大きくして溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ａを制御してもよい。
【0190】
その他、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合の第２制御部Ａ２及び第２ガス調節部２４０Ａの動作は、図５～図７を参照して説明した、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合の第２制御部Ａ２及び第２ガス調節部２４０の動作と同様である。
【0191】
次に、図１０及び図１１を参照して、第１変形例に係る基板処理方法を説明する。第１変形例に係る基板処理方法は、図１０を参照して説明した基板処理方法と同様である。従って、図１０を参照しながら、相違点を主に説明する。
【0192】
図１０及び図１１に示すように、第１変形例に係る基板処理方法では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、外槽１１０（具体的には第１貯留部１１７ａ）に貯留された処理液ＬＱにガス（図１１の例では第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲ）を供給する。具体的には、第２ガス供給部２３０Ａは、第１貯留部１１７ａの底部の側から、処理液ＬＱの液面に向けてガス（図１１の例では第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲ）を供給する。第１変形例では、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスとして、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが使用される。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲをそれぞれ個別に第２ガス供給部２３０Ａに供給するように、第２ガス調節部２４０Ａを制御する。その結果、第２ガス供給部２３０Ａは、外槽１１０の処理液ＬＱに対して、第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲをそれぞれ個別に供給する。つまり、第２ガス供給管７０ａが第２不活性ガスＧＡ２を外槽１１０の処理液ＬＱに供給し、第２ガス供給管７０ｂが空気ＡＲを外槽１１０の処理液ＬＱに供給する。
【0193】
特に、第１変形例では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて外槽１１０の処理液ＬＱへのガス（図１１の例では第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲ）の流量を調節することで、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。第１変形例では、ガスとして、第２不活性ガスＧＡ２と空気ＡＲとが使用される。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、第２ガス調節部２４０Ａによって、第２ガス供給管７０ａに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量と、第２ガス供給管７０ｂに供給する空気ＡＲの流量との比率ＲＡを調節することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。
【0194】
以上、図１０を参照して説明したように、第１変形例に係る基板処理方法よれば、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガス（図１１の例では第２不活性ガスＧＡ２及び空気ＡＲ）の流量を処理液ＬＱの溶存酸素濃度の測定結果に基づいて調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。従って、第１変形例によれば、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１が、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【0195】
（第２変形例）
図１０及び図１２を参照して、本実施形態の第２変形例を説明する。第２変形例では、空気ＡＲを供給するための第２ガス供給管７０ｂを備えず、第２不活性ガスＧＡ２を供給するための第２ガス供給管７０ａを備える点で、第１変形例と主に異なる。以下、第２変形例が第１変形例と異なる点を主に説明する。
図１０及び図１２を参照して、本実施形態の第２変形例を説明する。第２変形例では、空気ＡＲを供給するための第２ガス供給管７０ｂを備えず、第２不活性ガスＧＡ２を供給するための第２ガス供給管７０ａを備える点で、第１変形例と主に異なる。以下、第２変形例が第１変形例と異なる点を主に説明する。
【0196】
図１２は、本実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１００を示す模式的平面図である。図１２に示すように、第２変形例に係る基板処理装置１００は、第１変形例に係る基板処理装置１００（図１１）から、第２ガス供給管７０ｂ、管７１ｂ、配管９６、逆止弁７２ｂ、フィルター７３ｂ、及び、空気調節機構９０を取り除いた構成を有する。
【0197】
すなわち、第２変形例に係る基板処理装置１００は、第２ガス供給部２３０Ｂ及び第２ガス調節部２４０Ｂを備える。第２変形例では、第２ガス供給部２３０Ｂが外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスは、第２不活性ガスＧＡ２である。
【0198】
第２ガス供給部２３０Ｂは、第２不活性ガスＧＡ２を外槽１１０の処理液ＬＱに供給する。第２ガス供給部２３０Ｂは、第１貯留部１１７ａにおいて、第１方向Ｄ１０の略中央部に配置される。
【0199】
第２ガス供給部２３０Ｂは、少なくとも１つの第２ガス供給管７０ａを含む。第２変形例では、第２ガス供給部２３０Ａは、１本の第２ガス供給管７０ａを含む。
【0200】
特に、第２変形例では、第２ガス調節部２４０Ｂは、第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加させることで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を減少させ、第２不活性ガスＧＡ２の流量を減少させることで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を増加させる。従って、第２変形例によれば、第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加又は減少させることで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を容易に調節できる。
【0201】
具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内でない場合は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０Ｂを制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内になるように、第２不活性ガスＧＡ２の流量を調節する。
【0202】
更に具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加して溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ｂを制御する。その結果、第２ガス調節部２４０Ｂは、第２不活性ガスＧＡ２の流量を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における第２不活性ガスＧＡ２の流量（現状の第２不活性ガスＧＡ２の流量）よりも増加する。よって、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が減少して、溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まる。
【0203】
例えば、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加するように不活性ガス調節機構８０（具体的には調節バルブ８２）を制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。
【0204】
一方、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を減少させて溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ｂを制御する。その結果、第２ガス調節部２４０Ｂは、第２不活性ガスＧＡ２の流量を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における第２不活性ガスＧＡ２の流量（現状の第２不活性ガスＧＡ２の流量）よりも減少させる。よって、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が増加して、溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まる。
【0205】
例えば、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、第２不活性ガスＧＡ２の流量を減少するように不活性ガス調節機構８０（具体的には調節バルブ８２）を制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。
【0206】
次に、図１０及び図１２を参照して、第２変形例に係る基板処理方法を説明する。第２変形例に係る基板処理方法は、図１０を参照して説明した基板処理方法と同様である。従って、図１０を参照しながら、相違点を主に説明する。
【0207】
図１０及び図１２に示すように、第２変形例に係る基板処理方法では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、外槽１１０（具体的には第１貯留部１１７ａ）に貯留された処理液ＬＱにガス（図１２の例では第２不活性ガスＧＡ２）を供給する。具体的には、第２ガス供給部２３０Ｂは、第１貯留部１１７ａの底部の側から、処理液ＬＱの液面に向けてガス（図１２の例では第２不活性ガスＧＡ２）を供給する。第２変形例では、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスは、第２不活性ガスＧＡ２である。従って、工程Ｓ７４では、第２制御部Ａ２は、第２不活性ガスＧＡ２を第２ガス供給部２３０Ｂに供給するように、第２ガス調節部２４０Ｂを制御する。その結果、第２ガス供給部２３０Ｂは、外槽１１０の処理液ＬＱに対して、第２不活性ガスＧＡ２を供給する。つまり、第２ガス供給管７０ａが、外槽１１０の処理液ＬＱに対して、第２不活性ガスＧＡ２を供給する。
【0208】
特に、第２変形例では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて外槽１１０の処理液ＬＱへのガス（図１２の例では第２不活性ガスＧＡ２）の流量を調節することで、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。第２変形例では、ガスは第２不活性ガスＧＡ２である。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０Ｂを制御することで、外槽１１０の処理液ＬＱに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量を調節して、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。具体的には、第２制御部Ａ２は、第２ガス供給管７０ａに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量を増加させることで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を減少させ、第２ガス供給管７０ａに供給する第２不活性ガスＧＡ２の流量を減少させることで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を増加させる。
【0209】
以上、図１０を参照して説明したように、第２変形例に係る基板処理方法よれば、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガス（図１２の例では第２不活性ガスＧＡ２）の流量を処理液ＬＱの溶存酸素濃度の測定結果に基づいて調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。従って、第２変形例によれば、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１が、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【0210】
【0211】
（第３変形例）
図１０及び図１３を参照して、本実施形態の第３変形例を説明する。第３変形例では、第２不活性ガスＧＡ２を供給するための第２ガス供給管７０ａを備えず、空気ＡＲを供給するための第２ガス供給管７０ｂを備える点で、第１変形例と主に異なる。以下、第３変形例が第１変形例と異なる点を主に説明する。
図１０及び図１３を参照して、本実施形態の第３変形例を説明する。第３変形例では、第２不活性ガスＧＡ２を供給するための第２ガス供給管７０ａを備えず、空気ＡＲを供給するための第２ガス供給管７０ｂを備える点で、第１変形例と主に異なる。以下、第３変形例が第１変形例と異なる点を主に説明する。
【0212】
図１３は、本実施形態の第３変形例に係る基板処理装置１００を示す模式的平面図である。図１３に示すように、第３変形例に係る基板処理装置１００は、第１変形例に係る基板処理装置１００（図１１）から、第２ガス供給管７０ａ、管７１ａ、配管８６、逆止弁７２ａ、フィルター７３ａ、及び、不活性ガス調節機構８０を取り除いた構成を有する。
【0213】
すなわち、第３変形例に係る基板処理装置１００は、第２ガス供給部２３０Ｃ及び第２ガス調節部２４０Ｃを備える。第３変形例では、第２ガス供給部２３０Ｃが外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスは、空気ＡＲである。
【0214】
第２ガス供給部２３０Ｃは、空気ＡＲを外槽１１０の処理液ＬＱに供給する。第２ガス供給部２３０Ｃは、第１貯留部１１７ａにおいて、第１方向Ｄ１０の略中央部に配置される。
【0215】
第２ガス供給部２３０Ｃは、少なくとも１つの第２ガス供給管７０ｂを含む。第３変形例では、第２ガス供給部２３０Ｃは、１本の第２ガス供給管７０ｂを含む。
【0216】
特に、第３変形例では、第２ガス調節部２４０Ｃは、空気ＡＲの流量を減少させることで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を減少させ、空気ＡＲの流量を増加させることで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を増加させる。従って、第３変形例によれば、空気ＡＲの流量を増加又は減少させることで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を容易に調節できる。
【0217】
具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内でない場合は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０Ｃを制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲内になるように、空気ＡＲの流量を調節する。
【0218】
更に具体的には、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、空気ＡＲの流量を減少して溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ｃを制御する。その結果、第２ガス調節部２４０Ｃは、空気ＡＲの流量を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における空気ＡＲの流量（現状の空気ＡＲの流量）よりも減少させる。よって、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が減少して、溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まる。
【0219】
例えば、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲を超えている場合は、空気ＡＲの流量を減少するように空気調節機構９０（具体的には調節バルブ９２）を制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。
【0220】
一方、第２制御部Ａ２は、測定部２４５から取得した処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、空気ＡＲの流量を増加させて溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まるように、第２ガス調節部２４０Ｃを制御する。その結果、第２ガス調節部２４０Ｃは、空気ＡＲの流量を、測定部２４５による溶存酸素濃度の測定時における空気ＡＲの流量（現状の空気ＡＲの流量）よりも増加させる。よって、外槽１１０の処理液ＬＱの溶存酸素濃度が増加して、溶存酸素濃度が目標濃度範囲内に収まる。
【0221】
例えば、第２制御部Ａ２は、処理液ＬＱの溶存酸素濃度が目標濃度範囲に満たない場合は、空気ＡＲの流量を増加するように空気調節機構９０（具体的には調節バルブ９２）を制御することで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収める。
【0222】
次に、図１０及び図１３を参照して、第３変形例に係る基板処理方法を説明する。第３変形例に係る基板処理方法は、図１０を参照して説明した基板処理方法と同様である。従って、図１０を参照しながら、相違点を主に説明する。
【0223】
図１０及び図１３に示すように、第３変形例に係る基板処理方法では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、外槽１１０（具体的には第１貯留部１１７ａ）に貯留された処理液ＬＱにガス（図１３の例では空気ＡＲ）を供給する。具体的には、第２ガス供給部２３０Ｃは、第１貯留部１１７ａの底部の側から、処理液ＬＱの液面に向けてガス（図１３の例では空気ＡＲ）を供給する。第３変形例では、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガスは、空気ＡＲである。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、空気ＡＲを第２ガス供給部２３０Ｃに供給するように、第２ガス調節部２４０Ｃを制御する。その結果、第２ガス供給部２３０Ｃは、外槽１１０の処理液ＬＱに対して、空気ＡＲを供給する。つまり、第２ガス供給管７０ｂが、外槽１１０の処理液ＬＱに対して、空気ＡＲを供給する。
【0224】
特に、第３変形例では、工程Ｓ７において、基板処理装置１００は、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給される第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて外槽１１０の処理液ＬＱへのガス（図１３の例では空気ＡＲ）の流量を調節することで、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。第３変形例では、ガスは空気ＡＲである。従って、工程Ｓ７では、第２制御部Ａ２は、第１不活性ガスＧＡ１の流量が一定に保持された状態において、処理液ＬＱの溶存酸素濃度に基づいて第２ガス調節部２４０Ｃを制御することで、外槽１１０の処理液ＬＱに供給する空気ＡＲの流量を調節して、処理槽１０５に貯留された処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。具体的には、第２制御部Ａ２は、第２ガス供給管７０ｂに供給する空気ＡＲの流量を減少させることで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を減少させ、第２ガス供給管７０ｂに供給する空気ＡＲの流量を増加させることで、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を増加させる。
【0225】
以上、図１０を参照して説明したように、第３変形例に係る基板処理方法よれば、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１の流量を一定に保持しつつ、外槽１１０の処理液ＬＱに供給するガス（図１３の例では空気ＡＲ）の流量を処理液ＬＱの溶存酸素濃度の測定結果に基づいて調節することで、処理槽１０５の処理液ＬＱの溶存酸素濃度を調節する。従って、第３変形例によれば、処理液ＬＱの溶存酸素濃度を目標濃度範囲内に収めつつ、処理槽１０５の処理液ＬＱに供給する第１不活性ガスＧＡ１が、基板Ｗの面内における処理の均一性及び／又は複数の基板Ｗ間での処理の均一性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【0226】
【0227】
以上、図面を参照して本発明の実施形態（変形例を含む）について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0228】
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0229】
（１）図５において、複数の第２ガス供給管７０が配管７４に接続されていてもよい。図１１において、複数の第２ガス供給管７０ａが配管８６に接続されていてもよい。また、複数の第２ガス供給管７０ｂが配管９６に接続されていてもよい。更に、図１２において、複数の第２ガス供給管７０ａが配管８６に接続されていてもよい。更に、図１３において、複数の第２ガス供給管７０ｂが配管９６に接続されていてもよい。
【0230】
（２）図６において、第３ガス供給管２５は、外槽１１０の処理液ＬＱ中に配置されてもよい。つまり、第３ガス供給管２５は処理液ＬＱに浸かっていてもよい。この場合は、第３ガス供給管２５の第３吐出孔Ｈ３は、例えば、鉛直方向Ｄ上側を向く。
【0231】
（３）図１０において、工程Ｓ１～工程Ｓ８の順番は、特に限定されず、任意の順番を取り得る。
【産業上の利用可能性】
【0232】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【0233】
１００ 基板処理装置
１０５ 処理槽
１１０ 外槽
１１７ａ 第１貯留部（貯留部）
１２５ 処理液導入部
１４１ 循環配管（配管）
２００ 第１ガス供給部
２３０、２３０Ａ～２３０Ｃ 第２ガス供給部
２４０、２４０Ａ～２４０Ｃ 第２ガス調節部（ガス調節部）
Ａ１ 第１制御部
Ａ２ 第２制御部（ガス制御部）
Ａ３ 第３制御部
Ｗ 基板
１０５ 処理槽
１１０ 外槽
１１７ａ 第１貯留部（貯留部）
１２５ 処理液導入部
１４１ 循環配管（配管）
２００ 第１ガス供給部
２３０、２３０Ａ～２３０Ｃ 第２ガス供給部
２４０、２４０Ａ～２４０Ｃ 第２ガス調節部（ガス調節部）
Ａ１ 第１制御部
Ａ２ 第２制御部（ガス制御部）
Ａ３ 第３制御部
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】