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特開2024-101997積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101997
(43)【公開日】2024-07-30
(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
(51)【国際特許分類】
G01R 31/00 20060101AFI20240723BHJP
【ＦＩ】
G01R31/00
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023212256
(22)【出願日】2023-12-15
(31)【優先権主張番号】112102330
(32)【優先日】2023-01-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(71)【出願人】
【識別番号】514019132
【氏名又は名称】萬潤科技股▲ふん▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100123582
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 真二
(74)【代理人】
【識別番号】100092624
【弁理士】
【氏名又は名称】鶴田 準一
(74)【代理人】
【識別番号】100114018
【弁理士】
【氏名又は名称】南山 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100153729
【弁理士】
【氏名又は名称】森本 有一
(74)【代理人】
【識別番号】100196601
【弁理士】
【氏名又は名称】酒井 祐市
(72)【発明者】
【氏名】ルー ユィ チョン
(72)【発明者】
【氏名】チー チェン チャオ
(72)【発明者】
【氏名】リン ファン シュイ
(72)【発明者】
【氏名】ルー チー イー
【テーマコード（参考）】
2G036
【Ｆターム（参考）】
2G036AA25
2G036BB02
2G036CA09
(57)【要約】
【課題】コストが比較的に低い電子回路で検査できる積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法であって、作業台のある機台を提供することと、載せ盤Ｂを提供して載せ盤Ｂの上にテスト用板Ｃが設けられ、載せ盤Ｂの周囲に検査ユニットＥが設けられ、検査ユニットＥの検査部Ｅ１は上端子及びプローブを有することと、積層セラミックコンデンサをテスト用板Ｃに上端子とプローブとの間にあるように置いて、積層セラミックコンデンサが、上端子及びプローブと共に積層セラミックコンデンサに対して充電を行なう回路を形成することと、回路により積層セラミックコンデンサに対して充電し、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することと、を含む。
【選択図】図２
【解決手段】積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法であって、作業台のある機台を提供することと、載せ盤Ｂを提供して載せ盤Ｂの上にテスト用板Ｃが設けられ、載せ盤Ｂの周囲に検査ユニットＥが設けられ、検査ユニットＥの検査部Ｅ１は上端子及びプローブを有することと、積層セラミックコンデンサをテスト用板Ｃに上端子とプローブとの間にあるように置いて、積層セラミックコンデンサが、上端子及びプローブと共に積層セラミックコンデンサに対して充電を行なう回路を形成することと、回路により積層セラミックコンデンサに対して充電し、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することと、を含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法であって、
作業台を有している機台を提供することと、
前記機台の前記作業台に設けられている載せ盤を提供し、前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、前記検査ユニットは、検査部を有しており、前記検査部は、上端子及びプローブを有していることと、
前記積層セラミックコンデンサを検査対象物として前記テスト用板の前記シート溝に置いて、前記積層セラミックコンデンサが、前記上端子と前記プローブとの間にあって前記上端子及び前記プローブと共に前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行うことができる回路を形成することと、
前記回路により前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行い、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することと、を含んでおり、
前記異常な信号があることが検出された場合、前記異常な信号は、前記積層セラミックコンデンサにおいてマイクロクラックがあることを表す欠陥信号として認定される、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
作業台を有している機台を提供することと、
前記機台の前記作業台に設けられている載せ盤を提供し、前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、前記検査ユニットは、検査部を有しており、前記検査部は、上端子及びプローブを有していることと、
前記積層セラミックコンデンサを検査対象物として前記テスト用板の前記シート溝に置いて、前記積層セラミックコンデンサが、前記上端子と前記プローブとの間にあって前記上端子及び前記プローブと共に前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行うことができる回路を形成することと、
前記回路により前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行い、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することと、を含んでおり、
前記異常な信号があることが検出された場合、前記異常な信号は、前記積層セラミックコンデンサにおいてマイクロクラックがあることを表す欠陥信号として認定される、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
【請求項2】
前記充電の電圧は、５０ボルト～１０００ボルトの範囲内にある順方向電圧又は逆方向電圧である、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
【請求項3】
前記電圧の時間座標図において、電圧が上がっている充電状態を表す上昇セクションが傾斜直線となっており、所定の電圧値となるまで充電した後の電圧が維持されている状態を表す水平セクションが水平線となっており、電圧が下がっている放電状態を表す降下セクションが傾斜直線となっている、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
【請求項4】
前記積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗を検査している間に、マイクロクラックの検知回路により前記異常な信号を追跡する、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
【請求項5】
前記積層セラミックコンデンサに対して充電、充電、テスト、放電の方式で多段式の検査を行なう、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法。
【請求項6】
請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法を行なうことができるように構成されている、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
【請求項7】
積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置であって、
機台と、載せ盤と、を備えており、
前記機台は、作業台を備えており、
前記載せ盤は、前記機台の前記作業台に設けられており、
前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、
前記検査ユニットは、検査部を備えており、
前記検査部は、上端子と、プローブと、複数の検知回路を有している測定回路と、前記測定回路と電気的に接続されていて充電電流を制限するための制限部と、を備えており、前記制限部は前記測定回路に対して直流電流を提供するための電源供給器と電気的に接続され、
前記測定回路における前記複数の検知回路は、各前記検知回路にある前記積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗を検査することができ、
前記制限部には、マイクロクラックの検知回路が設けられており、
前記積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の検査を行なっている際に、前記マイクロクラックの検知回路は、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを追跡することができるように構成されている、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
機台と、載せ盤と、を備えており、
前記機台は、作業台を備えており、
前記載せ盤は、前記機台の前記作業台に設けられており、
前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、
前記検査ユニットは、検査部を備えており、
前記検査部は、上端子と、プローブと、複数の検知回路を有している測定回路と、前記測定回路と電気的に接続されていて充電電流を制限するための制限部と、を備えており、前記制限部は前記測定回路に対して直流電流を提供するための電源供給器と電気的に接続され、
前記測定回路における前記複数の検知回路は、各前記検知回路にある前記積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗を検査することができ、
前記制限部には、マイクロクラックの検知回路が設けられており、
前記積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の検査を行なっている際に、前記マイクロクラックの検知回路は、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを追跡することができるように構成されている、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
【請求項8】
前記積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置は、前記異常な信号を収集して計数するとともに表示することができる計器を更に備えている、
ことを特徴とする請求項７に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
ことを特徴とする請求項７に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
【請求項9】
前記計器は、前記電圧の時間座標図及び前記異常な信号を表示することができる、
ことを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
ことを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、欠陥検査方法及び欠陥検査装置に関し、具体的には、積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及びそれに用いる欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、電子部品の生産プロセスにおいて、電子部品の製造が完了した後、その電子部品の物理的特性を確保するために、電子部品に対して検査を実行しなければならない。なお、コンデンサのような電子部品の試験工程においては、その試験結果に従って電子部品を分類するための電子部品ハンドラーを用いる必要がある。
【0003】
従来の電子部品ハンドラーとして、例えば特許文献１に記載されたものが挙げられる。
【0004】
特許文献１に記載された従来の電子部品ハンドラーによれば、１つまたは複数の部品台における同心のリングがリング中心を回転軸として回転することができる。その部品台は、均一な角度間隔で離間されていて、リングが増加するように回転され得る。リングは、所定の角度で傾斜している。電子部品は、リングが回転している際にそのリング上に導入される。部品台に隣接している固定案内板は、脱着された電子部品をリングの回転経路の弧セクションを通過する空き部品台をランダムに引っ繰り返すことができるように限定する。リングの回転経路には、電子部品を試験器と連接するための電子接触器がある。試験した電子部品は、排出マニホールドの下方を通る。その排出マニホールドは、リングが回転されるたびに一組の部品台と位置が合わせられる複数の排出穴を有している。排出穴には排出管が結合され、電子部品は、選択的に作動される空気圧弁による空気の送風で部品台から排出されることができる。空気の送風及び重力によって、排出された電子部品は、排出管を経由して落下し、管経路指示板により分類箱内に案内されることができる。電子部品の流れは、固定案内板に電子部品がないことを示す検出器からの信号に応じて各固定案内板に選択的に案内することができる。センサは、排出管により排出されなかった電子部品を感知することができるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】台湾特許第４１１７３５号明細書“Electrical Parameters of Precision, Coaxial, Air-Dielectric Transmission Line,”
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来の電子部品ハンドラーは、コンデンサのような電子部品に対して試験や分類を行なうことができるが、電子部品の中にマイクロクラックのような欠陥があっても、それを検出することができない。このため、従来の電子部品ハンドラーの構成に対して改善する余地がある。
【0007】
よって、本発明は上記問題点に鑑みて、上記した欠点を解決することができる積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するための手段として、本発明は、積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法であって、
作業台を有している機台を提供することと、
前記機台の前記作業台に設けられている載せ盤を提供し、前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、前記検査ユニットは、検査部を有しており、前記検査部は、上端子及びプローブを有していることと、
前記積層セラミックコンデンサを検査対象物として前記テスト用板の前記シート溝に置いて、前記積層セラミックコンデンサが、前記上端子と前記プローブとの間にあって前記上端子及び前記プローブと共に前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行うことができる回路を形成することと、
前記回路により前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行い、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することと、を含んでおり、
前記異常な信号があることが検出された場合、前記異常な信号は、前記積層セラミックコンデンサにおいてマイクロクラックがあることを表す欠陥信号として認定される、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法を提供する。
作業台を有している機台を提供することと、
前記機台の前記作業台に設けられている載せ盤を提供し、前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、前記検査ユニットは、検査部を有しており、前記検査部は、上端子及びプローブを有していることと、
前記積層セラミックコンデンサを検査対象物として前記テスト用板の前記シート溝に置いて、前記積層セラミックコンデンサが、前記上端子と前記プローブとの間にあって前記上端子及び前記プローブと共に前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行うことができる回路を形成することと、
前記回路により前記積層セラミックコンデンサに対して充電を行い、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することと、を含んでおり、
前記異常な信号があることが検出された場合、前記異常な信号は、前記積層セラミックコンデンサにおいてマイクロクラックがあることを表す欠陥信号として認定される、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法を提供する。
【0009】
また、上記した積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法を行なうことができるように構成されている、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置を提供する。
【0010】
更に、積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置であって、
機台と、載せ盤と、を備えており、
前記機台は、作業台を備えており、
前記載せ盤は、前記機台の前記作業台に設けられており、
前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、
前記検査ユニットは、検査部を備えており、
前記検査部は、上端子と、プローブと、複数の検知回路を有している測定回路と、前記測定回路と電気的に接続されていて充電電流を制限するための制限部とを備えており、前記制限部は前記測定回路に対して直流電流を提供するための電源供給器と電気的に接続され、
前記測定回路における前記複数の検知回路は、各前記検知回路にある前記積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗を検査することができ、
前記制限部には、マイクロクラックの検知回路が設けられており、
前記積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の検査を行なっている際に、前記マイクロクラックの検知回路は、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを追跡することができるように構成されている、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置を提供する。
機台と、載せ盤と、を備えており、
前記機台は、作業台を備えており、
前記載せ盤は、前記機台の前記作業台に設けられており、
前記載せ盤の上にテスト用板が設けられており、前記テスト用板に複数のシート溝が形成されており、前記載せ盤の周囲に投入ユニットと、検査ユニットと、排出ユニットと、が設けられており、
前記検査ユニットは、検査部を備えており、
前記検査部は、上端子と、プローブと、複数の検知回路を有している測定回路と、前記測定回路と電気的に接続されていて充電電流を制限するための制限部とを備えており、前記制限部は前記測定回路に対して直流電流を提供するための電源供給器と電気的に接続され、
前記測定回路における前記複数の検知回路は、各前記検知回路にある前記積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗を検査することができ、
前記制限部には、マイクロクラックの検知回路が設けられており、
前記積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の検査を行なっている際に、前記マイクロクラックの検知回路は、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを追跡することができるように構成されている、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置を提供する。
【発明の効果】
【0011】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置によれば、積層セラミックコンデンサに対して充電する回路が、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号があるか否かを検査することによって、外観像またはＸ線照射で迅速に検査することができない積層セラミックコンデンサの内部欠陥を、コストが比較的に低い電子回路で検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置の構成が示される斜視図である。
【図2】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における機台の作業台上にある各機構の配置関係が示される斜視図である。
【図3】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤及びテスト用板の構成が示される分解斜視図である。
【図4】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤と投入ユニットと検査ユニットと排出ユニットとの配置関係が示される分解斜視図である。
【図5】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるテスト用板の上面が示される一部斜視図である。
【図6】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるテスト用板の下面が示される一部斜視図である。
【図7】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットの第１検査部とテスト用板との配置関係が示される斜視図である。
【図8】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットの第１検査部の各構成が示される側面図である。
【図9】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットの第１検査部の保持フレームが持ち上げられた位置にあることを示す側面図である。
【図10】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における第１上端子アセンブリと複数の第１プローブとの配置関係が示される側面図である。
【図12】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤の第１検査セクションと第１電極との配置関係が示される一部斜視図である。
【図13】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における第２検査部とテスト用板との配置関係が示される斜視図である。
【図14】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における第２上端子アセンブリと複数の第２プローブとの配置関係が示される側面図である。
【図16】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤の第２検査セクションと第２電極との配置関係が示される一部斜視図である。
【図17】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤の第２検査セクションの下面が示される一部斜視図である。
【図18】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるマイクロクラックの感知回路と検知回路との配置関係が示される模式図である。
【図19】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して順方向電圧が正常であることが示される電圧の時間座標図である。
【図20】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して充電、充電、テスト、放電の方式で検査する状態を示す電圧の時間座標図である。
【図21】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して順方向電圧が異常であることが示される電圧の時間座標図である。
【図22】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して逆方向電圧が正常であることが示される電圧の時間座標図である。
【図23】該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して逆方向電圧が異常であることが示される電圧の時間座標図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置について図面を参照して説明する。
【0014】
図１及び図２を参照して本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置を説明する。ここで、図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置の構成が示される斜視図であり、図２は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における機台Ａの作業台Ａ１上にある各機構の配置関係が示される斜視図である。
【0015】
図１及び図２に示されるように、本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置においては、機台Ａにおける水平方向に対して約６０度に傾斜している作業台Ａ１の上に金属材料から作成された円盤状の載せ盤Ｂが設けられている。
【0016】
図２に示されるように、載せ盤Ｂの上には、時計回りの方向に間欠的に回転することができるテスト用板Ｃが設けられている。載せ盤Ｂの周囲には、検査対象物（即ち、積層セラミックコンデンサ）を投入するための投入ユニットＤと、検査対象物に対して特性検査を行なうための検査ユニットＥと、検査された検査対象物を排出するための排出ユニットＦと、が設けられている。
【0017】
図１に示されるように、機台Ａにおける水平方向に沿って広がっているテーブルＡ２には、検査対象物を供するための供給ユニットＧと、排出ユニットＦにより排出された検査対象物を案内するための案内フレームＨと、が設けられている。また、機台Ａの前側には、複数の収集箱Ｋ１のある収集ユニットＫが設けられている。したがって、排出ユニットＦにより排出された検査対象物は、案内フレームＨにより収集ユニットＫの方へ案内されて、収集ユニットＫにおける複数の収集箱Ｋ１内に収集され得る。
【0018】
なお、本実施形態では、本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置は、積層セラミックコンデンサを検査対象物とするが、他の実施形態において他の電子部品を検査対象物としてもよい。
【0019】
図２に示されるように、検査ユニットＥは、第１検査部Ｅ１、及び第１検査部Ｅ１の上流側と下流側にそれぞれ配置されている２つの第２検査部Ｅ２、Ｅ３を備えている。第１検査部Ｅ１は、積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、略称：ＩＲ）を検査するためのものである一方、２つの第２検査部Ｅ２、Ｅ３は、いずれも積層セラミックコンデンサに対して電気容量や損傷や品質係数などを検査するためのものである。ここで、第１検査部Ｅ１の下流側、即ち、時計回りの方向に間欠的に回転する方向にある第２検査部Ｅ３は、ニーズに応じて省略されることができる。
【0020】
図３及び図４を参照して該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤Ｂとテスト用板Ｃとのより詳細な結構、及び載せ盤Ｂと投入ユニットＤと検査ユニットＥと排出ユニットＦとの配置関係について説明する。ここで、図３は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤Ｂ及びテスト用板Ｃの構成が示される分解斜視図であり、図４は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤Ｂと投入ユニットＤと検査ユニットＥと排出ユニットＦとの配置関係が示される分解斜視図である。
【0021】
図３及び図４に示されるように、載せ盤Ｂは、投入ユニットＤに対応している投入セクションＢ１と、検査ユニットＥに対応している検査セクションＢ２と、排出ユニットＦに対応している排出セクションＢ３と、に区分されている。また、載せ盤Ｂは、図３に示されるように、独立で異なるサイズの扇子状にそれぞれ形成されている投入セクションＢ１と検査セクションＢ２と排出セクションＢ３により組み合わせて環状に形成されたものである。
【0022】
図３に示されるように、検査セクションＢ２は、第１検査セクションＢ２１と、２つの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３と、に区分されている。また、検査セクションＢ２において、第１検査セクションＢ２１は第１検査部Ｅ１と対応するように設けられ、２つの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３は独立したものであり、且つ第２検査部Ｅ２、Ｅ３とそれぞれ対応するよう第１検査セクションＢ２１の前後位置とそれぞれ位置合わせて第１検査セクションＢ２１と共に扇子状となるように形成されている。
【0023】
投入セクションＢ１には、図３に示されるように、径方向に沿って間隔をあけて同心弧状となるようにそれぞれ配列されている複数列の投入吸着溝Ｂ１１（本実施形態では、８列であり）が凹設されている。且つ、各投入吸着溝Ｂ１１には、その投入吸着溝Ｂ１１の底部に沿って間隔をあけるようにそれぞれ配列されている複数の吸着孔Ｂ１２が形成されている。そられの吸着孔Ｂ１２は、負圧源と連通してその負圧源により真空状態となることができ、それでそれらの投入吸着溝Ｂ１１は、内側に負圧が供給されて真空状態となることもできる。
【0024】
また、該投入セクションＢ１は、図３に示されるように、互いに平行している短弧辺Ｂ１３と長弧辺Ｂ１４、及び延長線が交差する前側辺Ｂ１５と後側辺Ｂ１６、を有している。
【0025】
図３に示されるように、第１検査セクションＢ２１には、径方向に沿って間隔をあけて同心弧状となるようにそれぞれ配列されている複数列の第１吸着溝Ｂ２１１（本実施形態では、８列であり）が凹設されている。且つ、各第１吸着溝Ｂ２１１には、その第１吸着溝Ｂ２１１の底部に沿って間隔をあけるようにそれぞれ配列されている複数の吸着孔Ｂ２１２が形成されている。いずれか２つの隣り合っている第１吸着溝Ｂ２１１の間には、リブＢ２１３となっている。
【0026】
図３に示されるように、各リブＢ２１３には、絶縁材料から作成された複数の軸環Ｂ２１４（本実施形態では、１６個であり）が設けられている。更に言うと、それらの軸環Ｂ２１４は、互いに径方向に沿って配列されているとともに、扇子状の円弧方向に沿って間隔をあけるように配列されている。
【0027】
各軸環Ｂ２１４には、図３に示されるように、軸孔Ｂ２１５が形成されている。そられの軸孔Ｂ２１５は、負圧源と連通してその負圧源により真空状態となることができ、それでそれらの第１吸着溝Ｂ２１１は、内側に負圧が供給されて真空状態となることもできる。
【0028】
また、該第１検査セクションＢ２１は、図３に示されるように、互いに平行している短弧辺Ｂ２１６と長弧辺Ｂ２１７、及び延長線が交差する前側辺Ｂ２１８と後側辺Ｂ２１９、を有している。
【0029】
図３に示されるように、第２検査セクションＢ２２には、径方向に沿って間隔をあけて同心弧状となるようにそれぞれ配列されている複数列の第２吸着溝Ｂ２２１（本実施形態では、８列であり）が凹設されている。且つ、各第２吸着溝Ｂ２２１には、その第２吸着溝Ｂ２２１の底部に沿って間隔をあけるようにそれぞれ配列されている複数の吸着孔Ｂ２２２が形成されている。いずれか２つの隣り合っている第２吸着溝Ｂ２２１の間は、リブＢ２２３となっている。
【0030】
図３に示されるように、各リブＢ２２３には、絶縁材料から作成された軸環Ｂ２２４が設けられている。また、それらの軸環Ｂ２２４は、径方向軸線Ｌに沿って配列されている。
【0031】
各軸環Ｂ２２４には、図３に示されるように、軸孔Ｂ２２５が形成されている。吸着孔Ｂ２２２は、負圧源と連通してその負圧源により真空状態となることができ、それでそれらの第２吸着溝Ｂ２２１は、内側に負圧が供給されて真空状態となることもできる。
【0032】
また、該第２検査セクションＢ２２は、図３に示されるように、互いに平行している短弧辺Ｂ２２６と長弧辺Ｂ２２７、及び延長線が交差する前側辺Ｂ２２８と後側辺Ｂ２２９、を有している。
【0033】
第２検査セクションＢ２３は、第２検査セクションＢ２２と同じように構成されているため、第２検査セクションＢ２３に関する詳細な説明がなくても、当業者であれば利用することができると考えられる。なお、ニーズに応じて第２検査部Ｅ３が省略された場合、図３に示されるように、第２検査セクションＢ２３には、第２検査セクションＢ２２における軸環Ｂ２２４及び軸孔Ｂ２２５のような構成が省略され得る。
【0034】
排出セクションＢ３には、図３に示されるように、径方向に沿って間隔をあけて同心弧状となるようにそれぞれ配列されている複数列の排出吸着溝Ｂ３１（本実施形態では、８列であり）が凹設されている。且つ、各排出吸着溝Ｂ３１には、その排出吸着溝Ｂ３１の底部に沿って間隔をあけるようにそれぞれ配列されている複数の吸着孔Ｂ３２が形成されている。それらの吸着孔Ｂ３２は、負圧源と連通してその負圧源により真空状態となることができ、それでそれらの排出吸着溝Ｂ３１は、内側に負圧が供給されて真空状態となることもできる。
【0035】
また、該排出セクションＢ３は、図３に示されるように、互いに平行している短弧辺Ｂ３３と長弧辺Ｂ３４、及び延長線が交差角する前側辺Ｂ３５と後側辺Ｂ３６、を有している。
【0036】
図３に示されるように、載せ盤Ｂにおいては、第１検査セクションＢ２１及び２つの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３が互いに位置合わせされており、且つ第１検査セクションＢ２１における第１吸着溝Ｂ２１１が、第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３における第２吸着溝Ｂ２２１と連通している一方、投入セクションＢ１における投入吸着溝Ｂ１１及び排出セクションＢ３における排出吸着溝Ｂ３１とは連通していない。
【0037】
また、投入セクションＢ１には、図３に示されるように、後側において空きセクションＢ１７が形成されている。その空きセクションＢ１７には、第２検査セクションＢ２２における複数の第２吸着溝Ｂ２２１とそれぞれ連通している複数の第３吸着溝Ｂ１７１が凹設されている。且つ、各第３吸着溝Ｂ１７１には、その第３吸着溝Ｂ１７１の底部において吸着孔Ｂ１７２が形成されている。
【0038】
図５及び図６を図３と共に参照して該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるテスト用板Ｃと載せ盤Ｂのより詳細な結構について説明する。ここで、図５は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるテスト用板Ｃの上面が示される一部斜視図であり、また、図６は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるテスト用板Ｃの下面が示される一部斜視図である。
【0039】
図３と図５と図６に示されるように、テスト用板Ｃには、それぞれ矩形となっている複数のシート溝Ｃ１が凹設されている。それらのシート溝Ｃ１は、径方向に沿って複数列（本実施形態では、８列であり）に配列されているとともに、同心環状となるように複数行に配列されている。また、各列のシート溝Ｃ１は、隣り合う列のシート溝Ｃ１と所定の間隔をあけるように構成されている。
【0040】
各シート溝Ｃ１は、上下両端に電極がそれぞれ設けられている検査対象物（即ち、積層セラミックコンデンサ）を収容することができる。検査対象物は、上下両端に電極が設けられている状態で、投入ユニットＤ（図４参照）からテスト用板Ｃの投入ユニットＤに対応する箇所にあるシート溝Ｃ１内に落下され得る。
【0041】
図７～図１２を参照して該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットＥの第１検査部Ｅ１のより詳細な結構、及び載せ盤Ｂの第１検査セクションＢ２１と第１電極Ｅ１３５との配置関係について説明する。ここで、図７は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットＥの第１検査部Ｅ１とテスト用板Ｃとの配置関係が示される斜視図であり、図８は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットＥの第１検査部Ｅ１の各構成が示される側面図であり、図９は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットＥの第１検査部Ｅ１の保持フレームＥ１１３が持ち上げられた位置にあることを示す側面図である。
【0042】
また、図１０は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における第１上端子アセンブリＥ１２３と複数の第１プローブＥ１３３との配置関係が示される側面図であり、図１１は図１０の部分拡大側面図であり、図１２は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤Ｂの第１検査セクションＢ２１と第１電極Ｅ１３５との配置関係が示される一部斜視図である。
【0043】
【0044】
複数の第１上端子カートリッジＥ１２は、図７に示されるように、それぞれ箱形状に形成され、互いに間隔をあけて弧状をなすように第１シートフレームＥ１１に配置構成されている。
【0045】
複数の第１下端子カートリッジＥ１３は、それぞれ箱形状に形成され、図８及び図９に示されるように、複数の第１上端子カートリッジＥ１２の下方にあって複数の第１上端子カートリッジＥ１２と間隔をあけるよう、それらの第１上端子カートリッジＥ１２にそれぞれ対応するように配置されている。即ち、複数の第１下端子カートリッジＥ１３は、複数の第１上端子カートリッジＥ１２と同じく弧状に配列されている。
【0046】
第１シートフレームＥ１１は、図８に示されるように、固定シートＥ１１１と、支持フレームＥ１１２と、保持フレームＥ１１３と、を備えている。支持フレームＥ１１２は、固定シートＥ１１１に対して上下方向に沿って移動されることができるものである。保持フレームＥ１１３は、検査位置（図８を参照）と、持ち上げられた位置（図９を参照）と、の間に移動されることができるものである。
【0047】
固定シートＥ１１１は、図７及び図８に示されるように、作業台Ａ１（図１を参照）と平行するように配置されている固定部Ｅ１１１１と、作業台Ａ１と垂直するように配置されているスライドシートＥ１１１２と、を備えている。
【0048】
図７及び図８に示されるように、固定部Ｅ１１１１の一側には、ねじボルトにそれぞれ構成されている２つの調整手段Ｅ１１１３が設けられている。２つの調整手段Ｅ１１１３は、図７から見ると、左右方向に沿って間隔をあけるように配置されていて、作業台Ａ１にある微調整固定部Ａ１１（図１を参照）とねじ連結されているとともに、固定部Ｅ１１１１の左右傾斜を微調整することができる。
【0049】
支持フレームＥ１１２には、図８に示されるように、スライドシートＥ１１１２と平行するように配置されているスライドレールシートＥ１１２１が設けられている。
【0050】
スライドシートＥ１１１２には、図８に示されるように、スライドシートＥ１１１２に沿ってスライド移動することができるようにスライドレールシートＥ１１２１に配置構成されているスライド移動部Ｅ１１２２が設けられている。即ち、スライドレールシートＥ１１２１は、スライド移動部Ｅ１１２２を介してスライドシートＥ１１１２に対して図８から見ると上下方向に沿ってスライド移動することができる。
【0051】
スライドシートＥ１１１２には、図８に示されるように、スライドレールシートＥ１１２１の上方にあって固定部Ｅ１１１１の反対側の方へ延伸しているとともに、作業台Ａ１と平行するように配置されている支持部Ｅ１１２３が設けられている。
【0052】
スライド移動部Ｅ１１２２の下側部は、図８に示されるように、バネとして形成されている弾性部Ｅ１１２４の一端により当接されている。よって、弾性部Ｅ１１２４は、スライド移動部Ｅ１１２２に対して上方への付勢力を与えて、支持部Ｅ１１２３を所定の高さに保持することができる。
【0053】
支持フレームＥ１１２のスライドレールシートＥ１１２１に対する固定部Ｅ１１１１の同一側には、図８に示されるように、回転ノブとして形成されている調整部Ｅ１１２５が設けられている。
【0054】
調整部Ｅ１１２５は、図８に示されるように、表面にねじ山が形成されているねじロッド部Ｅ１１２６により固定シートＥ１１１にねじ連結されている。よって、調整部Ｅ１１２５を回転することにより、支持フレームＥ１１２を上下方向に沿って移動させることができる。
【0055】
保持フレームＥ１１３の一端は、図８及び図９に示されるように、枢接部Ｅ１１２７により支持フレームＥ１１２に枢接されるように支持されている。よって、保持フレームＥ１１３は、枢接部Ｅ１１２７を介して上記した検査位置と持ち上げられた位置との間に移動されることができる。
【0056】
支持部Ｅ１１２３は、図７及び図１０に示されるように、弧状セクションＥ１１３１と、弧状セクションＥ１１３１の図７から見た左右両側にある２つの当接セクションＥ１１３２と、２つの当接セクションＥ１１３２にそれぞれ配置されている２つのねじ固定具Ｅ１１３３と、を有している。よって、２つのねじ固定具Ｅ１１３３は、保持フレームＥ１１３が検査位置にある状態で、その保持フレームＥ１１３を支持部Ｅ１１２３に固定するためのものである。
【0057】
各第１上端子カートリッジＥ１２は、図１０及び図１１に示されるように、テスト用板Ｃの上方にあって第１シートフレームＥ１１の保持フレームＥ１１３に設けられており、且つ保持フレームＥ１１３の上側にあるカートリッジカバーＥ１２１と、保持フレームＥ１１３の下側にある上カートリッジシートＥ１２２と、を備えている。上カートリッジシートＥ１２２の上端部は、図１０に示されるように、保持フレームＥ１１３の嵌入孔Ｅ１１３４内に嵌入されている。
【0058】
保持フレームＥ１１３の上表面には、図１０に示されるように、パッドＥ１１３６により覆われている。そのパッドＥ１１３６には、嵌入孔Ｅ１１３４に対応するようにそれぞれ配置されている複数の止め孔Ｅ１１３５が形成されている。各止め孔Ｅ１１３５の孔径は、嵌入孔Ｅ１１３４の孔径よりも小さく形成されている。このような構成によって、上カートリッジシートＥ１２２の上端部は、止められて位置決めされることができる。
カートリッジカバーＥ１２１は、図７及び図１０に示されるように、そのカートリッジカバーＥ１２１の一側にあってパッドＥ１１３６上に固定されている固定カバーシートＥ１２１１と、そのカートリッジカバーＥ１２１の他の一側にあって着脱することができるように固定カバーシートＥ１２１１に設けられている着脱カバーシートＥ１２１２と、を有している。
カートリッジカバーＥ１２１は、図７及び図１０に示されるように、そのカートリッジカバーＥ１２１の一側にあってパッドＥ１１３６上に固定されている固定カバーシートＥ１２１１と、そのカートリッジカバーＥ１２１の他の一側にあって着脱することができるように固定カバーシートＥ１２１１に設けられている着脱カバーシートＥ１２１２と、を有している。
【0059】
上カートリッジシートＥ１２２は、図１０及び図１１に示されるように、上側にある連接シートＥ１２２１と、下側にある端子シートＥ１２２２と、を備えている。上カートリッジシートＥ１２２の連接シートＥ１２２１は、保持フレームＥ１１３の嵌入孔Ｅ１１３４内に嵌入されている。
【0060】
図１０及び図１１に示されるように、上カートリッジシートＥ１２２には、間隔をあけているとともに直線に沿ってそれぞれ配列されている複数の第１上端子アセンブリＥ１２３（本実施形態では、８つであり）が設けられている。
【0061】
各第１上端子アセンブリＥ１２３は、図１０及び図１１に示されるように、下側から上側へ第１上端子Ｅ１２３１と、上端子シートＥ１２３２と、弾性手段Ｅ１２３３と、導電シートＥ１２３４と、コネクタアダプタ部Ｅ１２３５と、連接部Ｅ１２３６と、ケーブル線Ｅ１２３７と、を順に備えている。
【0062】
各第１上端子アセンブリＥ１２３の第１上端子Ｅ１２３１は、図１１に示されるように、テスト用板Ｃの上方にあってローラー構造となるように配置構成されている。
【0063】
各第１上端子アセンブリＥ１２３の上端子シートＥ１２３２は、図１１に示されるように、上カートリッジシートＥ１２２の連接シートＥ１２２１に凹設されている対応する収容孔Ｅ１２２３内に配置されている。また、各第１上端子アセンブリＥ１２３において、第１上端子Ｅ１２３１が上端子シートＥ１２３２に取り付けられている。
【0064】
各第１上端子アセンブリＥ１２３の弾性手段Ｅ１２３３は、図１１に示されるように、対応する収容孔Ｅ１２２３内において上端子シートＥ１２３２の上方にあって第１上端子Ｅ１２３１に対して上下方向における付勢力を与えるバネとなるように配置構成されている。
【0065】
各第１上端子アセンブリＥ１２３の導電シートＥ１２３４は、図１１に示されるように、細片状に形成されており、且つ一端（即ち、下端）が第１上端子Ｅ１２３１と電気的に接続されている。
【0066】
各第１上端子アセンブリＥ１２３のコネクタアダプタ部Ｅ１２３５は、図１１に示されるように、導電シートＥ１２３４の上方にあって導電シートＥ１２３４の他端（即ち、上端）を固定するように配置構成されている。
【0067】
各第１上端子アセンブリＥ１２３の連接部Ｅ１２３６は、図１０に示されるように、連接シートＥ１２２１に配置されており、且つ一端がコネクタアダプタ部Ｅ１２３５に固定されている導電シートＥ１２３４（図１１を参照）の他端と電気的に接続されている一方、他端がカートリッジカバーＥ１２１の内部へ延伸している。
【0068】
各第１上端子アセンブリＥ１２３のケーブル線Ｅ１２３７は、図１０に示されるように、カートリッジカバーＥ１２１に形成されている対応するケーブル孔Ｅ１２１３を貫通しているとともに、一端が連接部Ｅ１２３６の他端と溶接されて電気的に接続されている一方、他端が対応する第１上端子カートリッジＥ１２（即ち、カートリッジカバーＥ１２１）の外側へ延伸している。
【0069】
各第１下端子カートリッジＥ１３は、図１０に示されるように、載せ盤Ｂの下方に配置されており、且つ第１下端子カートリッジＥ１３の上側部にあるプローブシートＥ１３１と、プローブシートＥ１３１の下側にある下カートリッジシートＥ１３２と、を備えている。
【0070】
各第１下端子カートリッジＥ１３のプローブシートＥ１３１には、図１０に示されるように、複数の第１プローブＥ１３３（本実施形態では、８つであり）が設けられている。複数の第１プローブＥ１３３は、直線に沿ってそれぞれ配列されているとともに、バネ（例えばプローブシートＥ１３１内に設けられる。図示せず）の弾性を受けることによって上下方向に沿って移動されることができる。
【0071】
各第１プローブＥ１３３の下端部は、図１０に示されるように、下カートリッジシートＥ１３２において、下カートリッジシートＥ１３２に形成されている対応するケーブル穴Ｅ１３２１を貫通して下カートリッジシートＥ１３２の下方の外側へ延伸しているケーブル線Ｅ１３４と溶接されて電気的に接続されている。
【0072】
各第１プローブＥ１３３の上端部は、対応する第１電極Ｅ１３５の下端部に当接している。ここで、各第１電極Ｅ１３５は、図１２に示されるように、ロッド状に形成されており、且つ溶接されることによって載せ盤Ｂの第１検査セクションＢ２１に形成されている対応する軸孔Ｂ２１５に固定されている。また、各第１電極Ｅ１３５の上端部は、図６に示されるようなテスト用板Ｃのシート溝Ｃ１の下側に当接されている。
【0073】
図１３～図１７を参照して該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における検査ユニットＥの第２検査部Ｅ２、Ｅ３のより詳細な結構、及び載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３と第２電極Ｅ２３５との配置関係について説明する。ここで、図１３は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における第２検査部Ｅ２、Ｅ３とテスト用板Ｃとの配置関係が示される斜視図であり、図１４は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における第２上端子アセンブリＥ２２４と複数の第２プローブＥ２３４との配置関係が示される側面図であり、図１５は図１４の部分拡大側面図である。
【0074】
また、図１６は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３と第２電極Ｅ２３５との配置関係が示される一部斜視図であり、図１７は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置における載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３の底面が示される一部斜視図である。
【0075】
図１３に示されるように、第２検査部Ｅ２及び第２検査部Ｅ３は、同一構造であるため、以下、第２検査部Ｅ２についてのみ説明する。
【0076】
【0077】
【0078】
第２下端子カートリッジＥ２３は、図１４に示されるように、箱形状となるよう、第２上端子カートリッジＥ２２の下方にあってその第２上端子カートリッジＥ２２と間隔をあけるように配置構成されている。
【0079】
第２シートフレームＥ２１は、図１４に示されるように、機台Ａの作業台Ａ１に設けられている固定シートＥ２１１を備えている。即ち、第２シートフレームＥ２１は、固定シートＥ２１１を介して作業台Ａ１に固定されている。
【0080】
固定シートＥ２１１には、図１３及び図１４に示されるように、Ｘ軸に沿って挿したり抜いたりすることができるインサートピンＥ２１１１と、第２シートフレームＥ２１のある箇所の他の一側にあって固定シートＥ２１１と枢接するように配置されて、固定シートＥ２１１に対して開状態と閉状態との間に切り替えられることができるとともに位置決め孔Ｅ２１２１が形成されている保持シートＥ２１２と、が設けられている。
【0081】
ここで、保持シートＥ２１２が開状態にあると、インサートピンＥ２１１１を保持シートＥ２１２の位置決め孔Ｅ２１２１に挿入することによって、保持シートＥ２１２が位置決めされ得る。
【0082】
保持シートＥ２１２の上表面には、図１３及び図１４に示されるように、Ｚ軸に沿って延伸しているとともに保持シートＥ２１２の開状態または閉状態を操作するように配置構成されているハンドルＥ２１２２が設けられている。
【0083】
また、保持シートＥ２１２は、図１４に示されるように、保持シートＥ２１２の上表面にあるねじ固定具Ｅ２１２３により、固定シートＥ２１１に位置決めされることができる。
【0084】
保持シートＥ２１２の上方には、図１４に示されるように、連接台Ｅ２１２４が設けられている。保持シートＥ２１２と連接台Ｅ２１２４との間には、連接台Ｅ２１２４のＸ軸に沿った位置を微調整することができる第１微調整部Ｅ２１２５と、連接台Ｅ２１２４のＹ軸に沿った位置を微調整することができる第２微調整部Ｅ２１２６と、が設けられている。
【0085】
連接台Ｅ２１２４の一側には、図１４に示されるように、第２上端子カートリッジＥ２２を固定するための固定フレームＥ２１２７が設けられている。連接台Ｅ２１２４の一側と固定フレームＥ２１２７との間には、固定フレームＥ２１２７のＹ軸に沿った位置を微調整することができる第３微調整部Ｅ２１２８が設けられている。
【0086】
第３微調整部Ｅ２１２８は、図１４に示されるように、第２上端子カートリッジＥ２２のテスト用板Ｃに対しての距離（即ち、高さ）を微調整することを操作することができる目盛りのある回転ノブＥ２１２９を有している。
【0087】
第２上端子カートリッジＥ２２には、図１４に示されるように、固定フレームＥ２１２７に固定されている固定板Ｅ２２１が設けられている。固定板Ｅ２２１には、図１４に示されるように、その固定板Ｅ２２１の上側部にあってプリント回路板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）にある複数の回路からなるＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）回路Ｅ２２２と、その固定板Ｅ２２１の下側部にある端子シートＥ２２３と、が設けられている。
【0088】
端子シートＥ２２３には、図１４に示されるように、間隔をあけているとともに直線に沿ってそれぞれ配列されている複数の第２上端子アセンブリＥ２２４（本実施形態では、８つであり）が設けられている。
【0089】
各第２上端子アセンブリＥ２２４は、図１５に示されるように、下側から上側へ第２上端子Ｅ２２４１と、上端子シートＥ２２４２と、止め部Ｅ２２４３と、弾性手段Ｅ２２４４と、導電シートＥ２２４５と、コネクタアダプタ部Ｅ２２４６と、ケーブル線Ｅ２２４７と、を順に備えている。
【0090】
各第２上端子アセンブリＥ２２４の第２上端子Ｅ２２４１は、図１５に示されるように、テスト用板Ｃの上方にあってローラー構造となるように配置構成されている。
【0091】
各第２上端子アセンブリＥ２２４の上端子シートＥ２２４２は、図１５に示されるように、端子シートＥ２２３に凹設されている対応する収容孔Ｅ２２３１内に配置されている。また、各第２上端子アセンブリＥ２２４において、第２上端子Ｅ２２４１は上端子シートＥ２２４２に取り付けられている。
【0092】
各第２上端子アセンブリＥ２２４の止め部Ｅ２２４３は、図１５に示されるように、対応する収容孔Ｅ２２３１内において収容孔Ｅ２２３１の上端と間隔をあけるように上端子シートＥ２２４２に固定されて、対応する第２上端子Ｅ２２４１の死点位置を制限するためのものである。
【0093】
各第２上端子アセンブリＥ２２４の弾性手段Ｅ２２４４は、図１５に示されるように、対応する収容孔Ｅ２２３１内において上端子シートＥ２２４２の上方にあって第２上端子Ｅ２２４１に対して上下方向における付勢力を与えるバネとなるように配置構成されている。
【0094】
各第２上端子アセンブリＥ２２４の導電シートＥ２２４５は、図１５に示されるように、細片状に形成されており、且つ一端（即ち、下端）が第２上端子Ｅ２２４１と電気的に接続されている。
【0095】
各第２上端子アセンブリＥ２２４のコネクタアダプタ部Ｅ２２４６は、図１５に示されるように、導電シートＥ２２４５の上方にあって導電シートＥ２２４５の他端（即ち、上端）を固定するように配置構成されている。
【0096】
各第２上端子アセンブリＥ２２４のケーブル線Ｅ２２４７は、図１４及び図１５に示されるように、一端がコネクタアダプタ部Ｅ２２４６と溶接されている一方、他端がＭＯＳＦＥＴ回路Ｅ２２２と電気的に接続されている。
【0097】
第２下端子カートリッジＥ２３は、図１４に示されるように、載せ盤Ｂの下方に配置されており、且つ固定板Ｅ２３１を備えている。固定板Ｅ２３１には、図１４に示されるように、その固定板Ｅ２３１の上側部にあってプリント回路板にある複数の回路からなるＭＯＳＦＥＴ回路Ｅ２３２と、固定板Ｅ２３１の上側部にあるプローブシートＥ２３３と、が設けられている。
【0098】
各第２下端子カートリッジＥ２３のプローブシートＥ２３３には、図１５に示されるように、複数の第２プローブＥ２３４（本実施形態では、８つであり）が設けられている。複数の第２プローブＥ２３４は、直線に沿ってそれぞれ配列されているとともに、バネ（例えばプローブシートＥ２３３内に設けられる。図示せず）の弾性を受けることによって上下方向に沿って移動されることができる。
【0099】
各第２プローブＥ２３４の上端部は、図１５に示されるように、対応する第２電極Ｅ２３５の下端部に当接している。ここで、各第２電極Ｅ２３５は、図１５及び図１６に示されるように、ロッド状に形成されており、且つ上側から下側へ電極セクションＥ２３５１と、外表面にねじ山が形成されているねじセクションＥ２３５２と、断面が六角形に形成されている調整セクションＥ２３５３と、順に区分されている。
【0100】
ここで、レンチのような工具を用いて調整セクションＥ２３５３と係合することによって、第２電極Ｅ２３５の上下移動を微調整することができる。なお、本実施形態では、調整セクションＥ２３５３は、図１６に示されるように、六角形のブロックに形成されているが、他の実施形態において例えば、六角形の穴に形成されてもよい。
【0101】
載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２における各軸孔Ｂ２２５の下側部には、図１７に示されるように、電極シートＥ２３６が設けられている。各電極シートＥ２３６には、図１７に示されるように、載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２における対応する軸孔Ｂ２２５に対応するとともに内表面にねじ山が形成されている微調整孔Ｅ２３６１が形成されている。
【0102】
図１６及び図１７に示されるように、各第２電極Ｅ２３５は、ねじセクションＥ２３５２が対応する電極シートＥ２３６の微調整孔Ｅ２３６１とねじ連結することによって、電極シートＥ２３６と連接されることができる。それにより、各第２電極Ｅ２３５の電極セクションＥ２３５１は、載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２における対応する軸孔Ｂ２２５を通して、上端部が図６に示されるようなテスト用板Ｃのシート溝Ｃ１の下側に当接される。
【0103】
図２～図４と図１０と図１１と図１４を再び参照すると、積層セラミックコンデンサを検査対象物とする場合、検査対象物がテスト用板Ｃのシート溝Ｃ１内にあって時計回りの方向に間欠的に回転されて搬送されると、第２検査部Ｅ２における第２上端子Ｅ２２４１及び第２電極Ｅ２３５の間を通ることでその検査対象物に対して電気容量や損傷や品質係数などの検査を実行してから、第１検査部Ｅ１における第１上端子Ｅ１２３１及び第１電極Ｅ１３５の間を通ることでその検査対象物に対して絶縁抵抗の検査を実行することができる。また、ニーズに応じて更に第２検査部Ｅ３を通ることでその検査対象物に対して再び電気容量や損傷や品質係数などの検査を実行することもできる。
【0104】
本実施形態では、第１検査部Ｅ１には、互いに対応するように配置されている複数の第１上端子カートリッジＥ１２及び複数の第１下端子カートリッジＥ１３があるので、検査対象物、即ち、積層セラミックコンデンサに対して絶縁抵抗の検査を行なう場合、４つのグループで充電、充電、テスト、放電の方式で多段式の検査を行なうことができる。
【0105】
留意されたいのは、第１検査部Ｅ１は、検査対象物の絶縁抵抗を検査するように用いられるので、各第１電極Ｅ１３５は、損失が比較的に小さく、載せ盤Ｂにおける対応する軸孔Ｂ２１５と溶接されて位置決めされるように設計されている。第２検査部Ｅ２、Ｅ３は、検査対象物の電気容量や損傷や品質係数などを検査するように用いられるので、第２電極Ｅ２３５の損失が比較的に大きく、各第２電極Ｅ２３５の上下位置を微調整することができ、よって載せ盤Ｂの第２検査セクションＢ２２、Ｂ２３における対応する軸孔Ｂ２２５に対して移動することができるように設計されており、これにより第２の電極Ｅ２３５の比較的に大きな損失に対応できるようになる。
【0106】
以下、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法について図面を参照して説明する。
【0107】
図１８～図２３を参照して該実施形態に係る本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法を説明する。ここで、図１８は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置におけるマイクロクラックの感知回路Ｍ３１と検知回路Ｍ１との配置関係が示される模式図であり、図１９は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して順方向電圧が正常であることが示される電圧の時間座標図であり、図２０は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して充電、充電、テスト、放電の方式で検査する状態を示す電圧の時間座標図であり、図２１は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して順方向電圧が異常であることが示される電圧の時間座標図である。
【0108】
また、図２２は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して逆方向電圧が正常であることが示される電圧の時間座標図であり、図２３は該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置により積層セラミックコンデンサに対して検査して逆方向電圧が異常であることが示される電圧の時間座標図である。
【0109】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法は、該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置（図１～図１７を参照）により行われることができる。より詳しく言うと、該実施形態に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法は、検査対象物の絶縁抵抗を検査するための第１検査部Ｅ１（図４及び図８～図１１を参照）により、積層セラミックコンデンサを検査対象物としてテスト用板Ｃのシート溝Ｃ１（図５を参照）内に置いて、その積層セラミックコンデンサが第１検査部Ｅ１の第１上端子Ｅ１２３１及び第１プローブＥ１３３（図１０及び図１１を参照）と共に回路を形成することによって積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の検査を行なうための方法である。
【0110】
図１８に示されるように、積層セラミックコンデンサがテスト用板Ｃにより第１検査部Ｅ１の箇所に搬送されると、測定回路Ｍ１における複数の検査回路Ｍ１１は、それらの検査回路Ｍ１１における検査対象物とされた積層セラミックコンデンサＭ１２に対してコンデンサの絶縁抵抗を検査するだけではなく、積層セラミックコンデンサＭ１２の欠陥も検査する。
【0111】
図１８に示されるように、電源供給器Ｍ２は、検査回路Ｍ１１の上流側にあってその検査回路Ｍ１１に直流電流を提供するためのものである。また、検査回路Ｍ１１と電源供給器Ｍ２との間には、測定回路Ｍ１及び電源供給器Ｍ１２と電気的に接続されていて電源供給器Ｍ２からの充電電流を制限するためのマルチチャンネルの制限部Ｍ３が設けられている。制限部Ｍ３には、マイクロクラックの感知回路Ｍ３１が設けられている。
【0112】
このような構成によって、電源供給器Ｍ２により提供された電流は、制限部Ｍ３を通して測定回路Ｍ１における複数の検査回路Ｍ１１に入って、各検査回路Ｍ１１にある積層セラミックコンデンサＭ１２に対してコンデンサの絶縁抵抗を検査することができる。
【0113】
図１９に示されるように、積層セラミックコンデンサＭ１２に対してコンデンサの絶縁抵抗を検査するために、測定回路Ｍ１に対して充電を行う場合、５０ボルト～１０００ボルトの範囲内にある順方向電圧で充電を行うことができる。この場合、電圧の時間座標図においては、電圧が上がっている充電状態を表す上昇セクションＮ１が傾斜直線となっており、所定の電圧値となるまで充電した後の電圧が維持されている状態を表す水平セクションＮ２が水平線となっており、電圧が下がっている放電状態を表す降下セクションＮ３が傾斜直線となっている。
【0114】
なお、本実施形態では、図２０に示されるように、積層セラミックコンデンサＭ１２の絶縁抵抗を検査する場合、積層セラミックコンデンサに対して充電、充電、テスト、放電の方式で多段式の検査を行なう。
【0115】
ここで、図２０に示されるように、一回目の充電には、上昇セクションＮ１と、水平セクションＮ２と、がある。二回目の充電には、一回目の充電における上昇セクションＮ１よりも短い上昇セクションＮ１と、水平セクションＮ２と、がある。テストには、二回目の充電における上昇セクションＮ１よりも短い上昇セクションＮ１と、水平セクションＮ２と、がある。そして、放電には、水平セクションＮ２と、降下セクションＮ３と、がある。
【0116】
図１９及び図２１に示されるように、積層セラミックコンデンサＭ１２の絶縁抵抗の検査を行なうために、測定回路Ｍ１に対して充電を行う場合、マイクロクラックの感知回路Ｍ３１は、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線（即ち、上昇セクションＮ１）に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号Ｎ１１があるか否かを追跡する。ここで、その異常な信号Ｎ１１があると、積層セラミックコンデンサＭ１２においてマイクロクラックにかかる欠陥信号を感知したと認定し、即ち、積層セラミックコンデンサＭ１２の中にマイクロクラックのような欠陥が存在していると判定される。
【0117】
なお、積層セラミックコンデンサに対して充電、充電、テスト、放電の方式で多段式の検査を行なう過程で異常な信号Ｎ１１が発生する場合、図２１に示されるように、その異常な信号Ｎ１１は、一回目の充電における上昇セクションＮ１の傾斜直線において発生する場合が最も多い。しかし、ここでそれに限定されず、放電における降下セクションＮ３の傾斜直線においても、異常な信号Ｎ１１が発生する可能性もある。
【0118】
更に言うと、積層セラミックコンデンサの欠陥検査装置は、計器（図示せず）を更に備えている。計器は、異常な信号Ｎ１１を収集して計数するとともに表示することができるものである。それだけではなく、該計器は、電圧の時間座標図を更に表示することができる。
【0119】
他の実施形態において、図２２及び図２３に示されるように、積層セラミックコンデンサＭ１２に対してコンデンサの絶縁抵抗を検査するために、測定回路Ｍ１に対して充電を行う場合には、その積層セラミックコンデンサＭ１２を逆に置くなどして５０ボルト～１０００ボルトの範囲内にある逆方向電圧で充電を行うこともできる。逆方向電圧による絶縁抵抗の検査は、順方向電圧による絶縁抵抗の検査と同じく実行されるので、ここで、それに関する詳細な説明がなくても、当業者であれば利用することができると考えられる。
【0120】
なお、図２３に示されるように、逆方向電圧で充電を行う場合、積層セラミックコンデンサＭ１２にマイクロクラックのような欠陥があって異常な信号Ｐ１が発生する場合、その異常な信号Ｐ１は逆方向電圧における電圧が下がっている充電状態を表す傾斜直線Ｐ２において発生することがある。
【0121】
総括すると、本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置によれば、積層セラミックコンデンサに対して充電する回路が、電圧上昇又は電圧降下の過程において、電圧の時間座標図における充電状態を示す傾斜直線に瞬間的に異なる傾きのある異常な信号Ｎ１１、Ｐ１があるか否かを検査することによって、外観像またはＸ線照射で迅速に検査することができない積層セラミックコンデンサの内部欠陥を、コストが比較的に低い電子回路で検出することができる。
【0122】
上記においては、本発明の全体的な理解を促すべく、多くの具体的な詳細が示された。しかしながら、当業者であれば、一またはそれ以上の他の実施形態が具体的な詳細を示さなくとも実施され得ることが明らかである。
【0123】
以上、本発明の好ましい実施形態及び変化例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、最も広い解釈の精神および範囲内に含まれる様々な構成として、全ての修飾および均等な構成を包含するものとする。
【産業上の利用可能性】
【0124】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの欠陥検査方法及び欠陥検査装置によれば、積層セラミックコンデンサの内部欠陥を迅速且つ効果的に検査することができることに加え、従来よりも低いコストで積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の検査を行なうこともできる。そのため、産業上の利用可能性がある。
【符号の説明】
【0125】
Ａ 機台
Ａ１ 作業台
Ａ１１ 微調整固定部
Ａ２ テーブル
Ｂ 載せ盤
Ｂ１ 投入セクション
Ｂ１１ 投入吸着溝
Ｂ１２ 吸着孔
Ｂ１３ 短弧辺
Ｂ１４ 長弧辺
Ｂ１５ 前側辺
Ｂ１６ 後側辺
Ｂ１７ 空きセクション
Ｂ１７１ 第３吸着溝
Ｂ１７２ 吸着孔
Ｂ２ 検査セクション
Ｂ２１ 第１検査セクション
Ｂ２１１ 第１吸着溝
Ｂ２１２ 吸着孔
Ｂ２１３ リブ
Ｂ２１４ 軸環
Ｂ２１５ 軸孔
Ｂ２１６ 短弧辺
Ｂ２１７ 長弧辺
Ｂ２１８ 前側辺
Ｂ２１９ 後側辺
Ｂ２２ 第２検査セクション
Ｂ２２１ 第２吸着溝
Ｂ２２２ 吸着孔
Ｂ２２３ リブ
Ｂ２２４ 軸環
Ｂ２２５ 軸孔
Ｂ２２６ 短弧辺
Ｂ２２７ 長弧辺
Ｂ２２８ 前側辺
Ｂ２２９ 後側辺
Ｂ２３ 第２検査セクション
Ｂ３ 排出セクション
Ｂ３１ 排出吸着溝
Ｂ３２ 吸着孔
Ｂ３３ 短弧辺
Ｂ３４ 長弧辺
Ｂ３５ 前側辺
Ｂ３６ 後側辺
Ｃ テスト用板
Ｃ１ シート溝
Ｄ 投入ユニット
Ｅ 検査ユニット
Ｅ１ 第１検査部
Ｅ１１ 第１シートフレーム
Ｅ１１１ 固定シート
Ｅ１１１１ 固定部
Ｅ１１１２ スライドシート
Ｅ１１１３ 調整手段
Ｅ１１２ 支持フレーム
Ｅ１１２１ スライドレールシート
Ｅ１１２２ スライド移動部
Ｅ１１２３ 支持部
Ｅ１１２４ 弾性部
Ｅ１１２５ 調整部
Ｅ１１２６ ロッド部
Ｅ１１２７ 枢接部
Ｅ１１３ 保持フレーム
Ｅ１１３１ 弧状セクション
Ｅ１１３２ 当接セクション
Ｅ１１３３ ねじ固定具
Ｅ１１３４ 嵌入孔
Ｅ１１３５ 止め孔
Ｅ１１３６ パッド
Ｅ１２ 第１上端子カートリッジ
Ｅ１２１ カートリッジカバー
Ｅ１２１１ 固定カバーシート
Ｅ１２１２ 着脱カバーシート
Ｅ１２２ 上カートリッジシート
Ｅ１２２１ 連接シート
Ｅ１２２２ 端子シート
Ｅ１２２３ 収容孔
Ｅ１２３ 第１上端子アセンブリ
Ｅ１２３１ 第１上端子
Ｅ１２３２ 上端子シート
Ｅ１２３３ 弾性手段
Ｅ１２３４ 導電シート
Ｅ１２３５ コネクタアダプタ部
Ｅ１２３６ 連接部
Ｅ１２３７ ケーブル線
Ｅ１３ 第１下端子カートリッジ
Ｅ１３１ プローブシート
Ｅ１３２ 下カートリッジシート
Ｅ１３３ 第１プローブ
Ｅ１３４ ケーブル線
Ｅ１３５ 第１電極
Ｅ２ 第２検査部
Ｅ２１ 第２シートフレーム
Ｅ２１１ 固定シート
Ｅ２１１１ インサートピン
Ｅ２１２ 保持シート
Ｅ２１２１ 位置決め孔
Ｅ２１２２ ハンドル
Ｅ２１２３ ねじ固定具
Ｅ２１２４ 連接台
Ｅ２１２５ 第１微調整部
Ｅ２１２６ 第２微調整部
Ｅ２１２７ 固定フレーム
Ｅ２１２８ 第３微調整部
Ｅ２１２９ 回転ノブ
Ｅ２２ 第２上端子カートリッジ
Ｅ２２１ 固定板
Ｅ２２２ ＭＯＳＦＥＴ回路
Ｅ２２３ 端子シート
Ｅ２２３１ 収容孔
Ｅ２２４ 第２上端子アセンブリ
Ｅ２２４１ 第２上端子
Ｅ２２４２ 上端子シート
Ｅ２２４３ 止め部
Ｅ２２４４ 弾性手段
Ｅ２２４５ 導電シート
Ｅ２２４６ コネクタアダプタ部
Ｅ２２４７ ケーブル線
Ｅ２３ 第２下端子カートリッジ
Ｅ２３１ 固定板
Ｅ２３２ ＭＯＳＦＥＴ回路
Ｅ２３３ プローブシート
Ｅ２３４ 第２プローブ
Ｅ２３５ 第２電極
Ｅ２３５１ 電極セクション
Ｅ２３５２ ねじセクション
Ｅ２３５３ 調整セクション
Ｅ２３６ 電極シート
Ｅ２３６１ 微調整孔
Ｅ３ 第２検査部
Ｆ 排出ユニット
Ｇ 供給ユニット
Ｈ 案内フレーム
Ｋ 収集ユニット
Ｌ 径方向軸線
Ｍ１ 測定回路
Ｍ１１ 検知回路
Ｍ１２ 積層セラミックコンデンサ
Ｍ２ 電源供給器
Ｍ３ 制限部
Ｍ３１ マイクロクラックの感知回路
Ｎ１ 上昇セクション
Ｎ１１ 異常な信号
Ｎ２ 水平セクション
Ｎ３ 降下セクション
Ｐ１ 異常な信号
Ｐ２ 傾斜直線
Ａ１ 作業台
Ａ１１ 微調整固定部
Ａ２ テーブル
Ｂ 載せ盤
Ｂ１ 投入セクション
Ｂ１１ 投入吸着溝
Ｂ１２ 吸着孔
Ｂ１３ 短弧辺
Ｂ１４ 長弧辺
Ｂ１５ 前側辺
Ｂ１６ 後側辺
Ｂ１７ 空きセクション
Ｂ１７１ 第３吸着溝
Ｂ１７２ 吸着孔
Ｂ２ 検査セクション
Ｂ２１ 第１検査セクション
Ｂ２１１ 第１吸着溝
Ｂ２１２ 吸着孔
Ｂ２１３ リブ
Ｂ２１４ 軸環
Ｂ２１５ 軸孔
Ｂ２１６ 短弧辺
Ｂ２１７ 長弧辺
Ｂ２１８ 前側辺
Ｂ２１９ 後側辺
Ｂ２２ 第２検査セクション
Ｂ２２１ 第２吸着溝
Ｂ２２２ 吸着孔
Ｂ２２３ リブ
Ｂ２２４ 軸環
Ｂ２２５ 軸孔
Ｂ２２６ 短弧辺
Ｂ２２７ 長弧辺
Ｂ２２８ 前側辺
Ｂ２２９ 後側辺
Ｂ２３ 第２検査セクション
Ｂ３ 排出セクション
Ｂ３１ 排出吸着溝
Ｂ３２ 吸着孔
Ｂ３３ 短弧辺
Ｂ３４ 長弧辺
Ｂ３５ 前側辺
Ｂ３６ 後側辺
Ｃ テスト用板
Ｃ１ シート溝
Ｄ 投入ユニット
Ｅ 検査ユニット
Ｅ１ 第１検査部
Ｅ１１ 第１シートフレーム
Ｅ１１１ 固定シート
Ｅ１１１１ 固定部
Ｅ１１１２ スライドシート
Ｅ１１１３ 調整手段
Ｅ１１２ 支持フレーム
Ｅ１１２１ スライドレールシート
Ｅ１１２２ スライド移動部
Ｅ１１２３ 支持部
Ｅ１１２４ 弾性部
Ｅ１１２５ 調整部
Ｅ１１２６ ロッド部
Ｅ１１２７ 枢接部
Ｅ１１３ 保持フレーム
Ｅ１１３１ 弧状セクション
Ｅ１１３２ 当接セクション
Ｅ１１３３ ねじ固定具
Ｅ１１３４ 嵌入孔
Ｅ１１３５ 止め孔
Ｅ１１３６ パッド
Ｅ１２ 第１上端子カートリッジ
Ｅ１２１ カートリッジカバー
Ｅ１２１１ 固定カバーシート
Ｅ１２１２ 着脱カバーシート
Ｅ１２２ 上カートリッジシート
Ｅ１２２１ 連接シート
Ｅ１２２２ 端子シート
Ｅ１２２３ 収容孔
Ｅ１２３ 第１上端子アセンブリ
Ｅ１２３１ 第１上端子
Ｅ１２３２ 上端子シート
Ｅ１２３３ 弾性手段
Ｅ１２３４ 導電シート
Ｅ１２３５ コネクタアダプタ部
Ｅ１２３６ 連接部
Ｅ１２３７ ケーブル線
Ｅ１３ 第１下端子カートリッジ
Ｅ１３１ プローブシート
Ｅ１３２ 下カートリッジシート
Ｅ１３３ 第１プローブ
Ｅ１３４ ケーブル線
Ｅ１３５ 第１電極
Ｅ２ 第２検査部
Ｅ２１ 第２シートフレーム
Ｅ２１１ 固定シート
Ｅ２１１１ インサートピン
Ｅ２１２ 保持シート
Ｅ２１２１ 位置決め孔
Ｅ２１２２ ハンドル
Ｅ２１２３ ねじ固定具
Ｅ２１２４ 連接台
Ｅ２１２５ 第１微調整部
Ｅ２１２６ 第２微調整部
Ｅ２１２７ 固定フレーム
Ｅ２１２８ 第３微調整部
Ｅ２１２９ 回転ノブ
Ｅ２２ 第２上端子カートリッジ
Ｅ２２１ 固定板
Ｅ２２２ ＭＯＳＦＥＴ回路
Ｅ２２３ 端子シート
Ｅ２２３１ 収容孔
Ｅ２２４ 第２上端子アセンブリ
Ｅ２２４１ 第２上端子
Ｅ２２４２ 上端子シート
Ｅ２２４３ 止め部
Ｅ２２４４ 弾性手段
Ｅ２２４５ 導電シート
Ｅ２２４６ コネクタアダプタ部
Ｅ２２４７ ケーブル線
Ｅ２３ 第２下端子カートリッジ
Ｅ２３１ 固定板
Ｅ２３２ ＭＯＳＦＥＴ回路
Ｅ２３３ プローブシート
Ｅ２３４ 第２プローブ
Ｅ２３５ 第２電極
Ｅ２３５１ 電極セクション
Ｅ２３５２ ねじセクション
Ｅ２３５３ 調整セクション
Ｅ２３６ 電極シート
Ｅ２３６１ 微調整孔
Ｅ３ 第２検査部
Ｆ 排出ユニット
Ｇ 供給ユニット
Ｈ 案内フレーム
Ｋ 収集ユニット
Ｌ 径方向軸線
Ｍ１ 測定回路
Ｍ１１ 検知回路
Ｍ１２ 積層セラミックコンデンサ
Ｍ２ 電源供給器
Ｍ３ 制限部
Ｍ３１ マイクロクラックの感知回路
Ｎ１ 上昇セクション
Ｎ１１ 異常な信号
Ｎ２ 水平セクション
Ｎ３ 降下セクション
Ｐ１ 異常な信号
Ｐ２ 傾斜直線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】