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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024102084
(43)【公開日】2024-07-30
(54)【発明の名称】熱電素子
(51)【国際特許分類】
H10N 10/17 20230101AFI20240723BHJP
H10N 10/852 20230101ALI20240723BHJP
H02N 11/00 20060101ALI20240723BHJP
【ＦＩ】
H10N10/17 A
H10N10/852
H02N11/00 A
【審査請求】有
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024063749
(22)【出願日】2024-04-11
(62)【分割の表示】P 2021513289の分割
【原出願日】2019-09-10
(31)【優先権主張番号】10-2018-0108436
(32)【優先日】2018-09-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114188
【弁理士】
【氏名又は名称】小野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119253
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 賢教
(74)【代理人】
【識別番号】100129713
【弁理士】
【氏名又は名称】重森 一輝
(74)【代理人】
【識別番号】100137213
【弁理士】
【氏名又は名称】安藤 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100183519
【弁理士】
【氏名又は名称】櫻田 芳恵
(74)【代理人】
【識別番号】100196483
【弁理士】
【氏名又は名称】川嵜 洋祐
(74)【代理人】
【識別番号】100160749
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 陽一
(74)【代理人】
【識別番号】100160255
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 祐輔
(74)【代理人】
【識別番号】100146318
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 吉和
(72)【発明者】
【氏名】パク，ジンギョン
(57)【要約】 （修正有）
【課題】多様なサイズ及び多様な形状の熱電素子を具現する電極構造を提供する。
【解決手段】熱電素子１００は、第１金属基板１７０、第１金属基板上に配置される第１樹脂層１１０、第１樹脂層上に配置された複数の第１電極１２０、複数の第１電極上に配置された複数のＰ型熱電レッグ１３０、複数の第１電極上に配置された複数のＮ型熱電レッグ１４０、複数のＰ型熱電レッグ及び複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極１５０、複数の第２電極上に配置される第２樹脂層１６０及び第２樹脂層上に配置される第２金属基板１８０を含み、複数の第１電極のうち少なくとも一つは、第１樹脂層と接触する第１面、第１面に対向し一対のＰ型熱電レッグ及びＮ型熱電レッグが配置される第２面並びに第２面の縁に沿って配置される第１突出部を含み、隣り合う第１電極の間に配置される第１樹脂層の厚さが第１面の下部に配置される第１樹脂層の厚さより小さい。
【選択図】図１
【解決手段】熱電素子１００は、第１金属基板１７０、第１金属基板上に配置される第１樹脂層１１０、第１樹脂層上に配置された複数の第１電極１２０、複数の第１電極上に配置された複数のＰ型熱電レッグ１３０、複数の第１電極上に配置された複数のＮ型熱電レッグ１４０、複数のＰ型熱電レッグ及び複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極１５０、複数の第２電極上に配置される第２樹脂層１６０及び第２樹脂層上に配置される第２金属基板１８０を含み、複数の第１電極のうち少なくとも一つは、第１樹脂層と接触する第１面、第１面に対向し一対のＰ型熱電レッグ及びＮ型熱電レッグが配置される第２面並びに第２面の縁に沿って配置される第１突出部を含み、隣り合う第１電極の間に配置される第１樹脂層の厚さが第１面の下部に配置される第１樹脂層の厚さより小さい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１金属基板、
前記第１金属基板上に配置される第１樹脂層、
前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、
前記複数の第１電極上に配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ
、
前記複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極
、
前記複数の第２電極上に配置される第２樹脂層、そして
前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、
前記複数の第１電極のうち少なくとも一つは、前記第１樹脂層と接触する第１面、前記
第１面に対向し一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される第２面、そして
前記第２面の縁に沿って配置される第１突出部を含む、熱電素子。
前記第１金属基板上に配置される第１樹脂層、
前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、
前記複数の第１電極上に配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ
、
前記複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極
、
前記複数の第２電極上に配置される第２樹脂層、そして
前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、
前記複数の第１電極のうち少なくとも一つは、前記第１樹脂層と接触する第１面、前記
第１面に対向し一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される第２面、そして
前記第２面の縁に沿って配置される第１突出部を含む、熱電素子。
【請求項2】
隣り合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の厚さは前記隣り合う第１電極に近
づくほど大きくなる、請求項１に記載の熱電素子。
づくほど大きくなる、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項3】
前記隣り合う第１電極の間の少なくとも一部の領域には前記第１金属基板が露出する、
請求項１に記載の熱電素子。
請求項１に記載の熱電素子。
【請求項4】
前記第１突出部の幅は前記第１電極の上面の長幅の５～２０％である、請求項１に記載
の熱電素子。
の熱電素子。
【請求項5】
前記第１突出部は炭化物を含み、
前記炭化物の炭素含量は３０ｗｔ％以上である、請求項１に記載の熱電素子。
前記炭化物の炭素含量は３０ｗｔ％以上である、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項6】
前記第１突出部は前記第２面の縁に沿って連続的に配置される、請求項１に記載の熱電
素子。
素子。
【請求項7】
前記第２面上に配置された第２突出部をさらに含み、
前記第２突出部は前記一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグの間に配置された、
請求項１に記載の熱電素子。
前記第２突出部は前記一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグの間に配置された、
請求項１に記載の熱電素子。
【請求項8】
前記複数の第１電極のうち最外側に配置される一部の側面には前記第１樹脂層が配置さ
れる、請求項１に記載の熱電素子。
れる、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項9】
隣り合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の厚さは前記複数の第１電極の下面
に配置される第１樹脂層の厚さより低く配置される、請求項１に記載の熱電素子。
に配置される第１樹脂層の厚さより低く配置される、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項10】
第１金属基板、
前記第１金属基板上に配置される第１樹脂層、
前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、
前記複数の第１電極上に配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ
、
前記複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極
、
前記複数の第２電極上に配置される第２樹脂層、そして
前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、
隣り合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の高さは前記複数の第１電極の下面
の高さより低く配置される、熱電素子。
前記第１金属基板上に配置される第１樹脂層、
前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、
前記複数の第１電極上に配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ
、
前記複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極
、
前記複数の第２電極上に配置される第２樹脂層、そして
前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、
隣り合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の高さは前記複数の第１電極の下面
の高さより低く配置される、熱電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は熱電素子に関し、より詳細には熱電素子の電極に関する。
【背景技術】
【0002】
熱電現象は材料内部の電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）の移動によって発
生する現象であって、熱と電気の間の直接的なエネルギー変換を意味する。
生する現象であって、熱と電気の間の直接的なエネルギー変換を意味する。
【0003】
熱電素子は熱電現象を利用する素子を総称し、Ｐ型熱電材料とＮ型熱電材料を金属電極
の間に接合させてＰＮ接合対を形成する構造を有する。
の間に接合させてＰＮ接合対を形成する構造を有する。
【0004】
熱電素子は電気抵抗の温度変化を利用する素子、温度差によって起電力が発生する現象
であるゼーベック効果を利用する素子、電流による吸熱または発熱が発生する現象である
ペルティエ効果を利用する素子などに区分され得る。熱電素子は家電製品、電子部品、通
信用部品などに多様に適用されている。例えば、熱電素子は冷却用装置、温熱用装置、発
電用装置などに適用され得る。これに伴い、熱電素子の熱電性能に対する要求はますます
高まっている。
であるゼーベック効果を利用する素子、電流による吸熱または発熱が発生する現象である
ペルティエ効果を利用する素子などに区分され得る。熱電素子は家電製品、電子部品、通
信用部品などに多様に適用されている。例えば、熱電素子は冷却用装置、温熱用装置、発
電用装置などに適用され得る。これに伴い、熱電素子の熱電性能に対する要求はますます
高まっている。
【0005】
熱電素子は基板、電極および熱電レッグを含み、上部基板と下部基板の間に複数の熱電
レッグがアレイの形態で配置され、複数の熱電レッグと上部基板の間に複数の上部電極が
配置され、複数の熱電レッグとおよび下部基板の間に複数の下部電極が配置される。
レッグがアレイの形態で配置され、複数の熱電レッグと上部基板の間に複数の上部電極が
配置され、複数の熱電レッグとおよび下部基板の間に複数の下部電極が配置される。
【0006】
一般的に、複数の電極は治具上に整列された後、基板上に接合され得る。この時、複数
の電極を治具上に整列した後、基板上に接合するまで所定の時間および工程が要求され得
、シリコンテープの転写および除去工程も要求され、熱電素子のサイズまたはデザイン別
にジグが製作されなければならないため、これは工程費用を増加させる要因となり得る。
また、複数の電極を基板上に接合する時、複数の電極上に加えられる圧力が不均一であり
得、これに伴い、複数の電極と基板の間を接合する物質の一部が複数の電極まで届き得る
。複数の電極の一部にでも異物が存在すると、熱電素子の電気伝導度に影響を及ぼし得る
。また、複数の電極と基板の間の接合強度が不均一であるため、高温部側の基板と電極間
の熱膨張係数の差によって一部の電極が基板から剥離する可能性がある。
の電極を治具上に整列した後、基板上に接合するまで所定の時間および工程が要求され得
、シリコンテープの転写および除去工程も要求され、熱電素子のサイズまたはデザイン別
にジグが製作されなければならないため、これは工程費用を増加させる要因となり得る。
また、複数の電極を基板上に接合する時、複数の電極上に加えられる圧力が不均一であり
得、これに伴い、複数の電極と基板の間を接合する物質の一部が複数の電極まで届き得る
。複数の電極の一部にでも異物が存在すると、熱電素子の電気伝導度に影響を及ぼし得る
。また、複数の電極と基板の間の接合強度が不均一であるため、高温部側の基板と電極間
の熱膨張係数の差によって一部の電極が基板から剥離する可能性がある。
【0007】
一方、複数の電極それぞれの上には一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置
され得、このために各電極上にソルダー層を印刷した後、ソルダー層上にＰ型熱電レッグ
とＮ型熱電レッグを接合することができる。この時、Ｐ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッ
グがソルダー層上で滑ってチルティングされるか互いに接合する場合、ソルダー層が電極
の外に溢れ出る場合などが時々発生し得、これに伴い、ショート不良が発生し得る。
され得、このために各電極上にソルダー層を印刷した後、ソルダー層上にＰ型熱電レッグ
とＮ型熱電レッグを接合することができる。この時、Ｐ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッ
グがソルダー層上で滑ってチルティングされるか互いに接合する場合、ソルダー層が電極
の外に溢れ出る場合などが時々発生し得、これに伴い、ショート不良が発生し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明が達成しようとする技術的課題は熱電素子の電極構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一実施例に係る熱電素子は、第１金属基板、前記第１金属基板上に配置される
第１樹脂層、前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、前記複数の第１電極上に配
置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ、前記複数のＰ型熱電レッグ
および複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極、前記複数の第２電極上に配
置される第２樹脂層、そして前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、前記複
数の第１電極のうち少なくとも一つは、前記第１樹脂層と接触する第１面、前記第１面に
対向し一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される第２面、そして前記第２
面の縁に沿って配置される第１突出部を含み、隣り合う第１電極の間に配置される前記第
１樹脂層の厚さは前記第１面の下部に配置される前記第１樹脂層の厚さより小さい。
第１樹脂層、前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、前記複数の第１電極上に配
置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ、前記複数のＰ型熱電レッグ
および複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極、前記複数の第２電極上に配
置される第２樹脂層、そして前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、前記複
数の第１電極のうち少なくとも一つは、前記第１樹脂層と接触する第１面、前記第１面に
対向し一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される第２面、そして前記第２
面の縁に沿って配置される第１突出部を含み、隣り合う第１電極の間に配置される前記第
１樹脂層の厚さは前記第１面の下部に配置される前記第１樹脂層の厚さより小さい。
【0010】
隣り合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の厚さは前記隣り合う第１電極に近
づくほど大きくなり得る。
づくほど大きくなり得る。
【0011】
前記隣り合う第１電極の間の少なくとも一部の領域には前記第１金属基板が露出し得る
。
。
【0012】
前記第２面の縁から前記一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される領域
に近づくほど前記第１突出部の高さは低くなり得る。
に近づくほど前記第１突出部の高さは低くなり得る。
【0013】
前記第２面の縁から前記一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される領域
に近づくほど前記第１突出部は高くなってから低くなり得る。
に近づくほど前記第１突出部は高くなってから低くなり得る。
【0014】
前記第１突出部の幅は前記第１電極の上面の長幅の５～２０％であり得る。
【0015】
前記第１突出部は炭化物を含み、前記炭化物の炭素含量は３０ｗｔ％以上であり得る。
【0016】
前記第１突出部は前記第２面の縁に沿って連続的に配置され得る。
【0017】
前記第２面上に配置された第２突出部をさらに含み、前記第２突出部は前記一対のＰ型
熱電レッグおよびＮ型熱電レッグの間に配置され得る。
熱電レッグおよびＮ型熱電レッグの間に配置され得る。
【0018】
前記第２突出部の最高地点の高さは前記第１突出部の最高地点の高さより低くてもよい
。
。
【0019】
前記第２突出部は前記一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグの側面と所定距離で
離隔し得る。
離隔し得る。
【0020】
前記第２突出部は前記第１突出部と連結され得る。
【0021】
前記第２突出部は前記第１突出部と分離され得る。
【0022】
前記第１突出部は前記第２面をなす物質と同一の物質からなり得る。
【0023】
前記第１突出部は炭素を含むことができる。
【0024】
前記複数の第１電極のうち最外側に配置される一部の側面には前記第１樹脂層が配置さ
れ得る。
れ得る。
【0025】
前記複数の第１電極のうち一部は、前記複数の第１電極のうち外郭に配置される第１電
極であり、前記複数の第１電極のうち一部の側面は、前記複数の第１電極のうち外郭に配
置される第１電極の側面のうち外側を向くように配置された側面であり得る。
極であり、前記複数の第１電極のうち一部の側面は、前記複数の第１電極のうち外郭に配
置される第１電極の側面のうち外側を向くように配置された側面であり得る。
【0026】
本発明の他の実施例に係る熱電素子は、第１金属基板、前記第１金属基板上に配置され
る第１樹脂層、前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、前記複数の第１電極上に
配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ、前記複数のＰ型熱電レッ
グおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極、前記複数の第２電極上に
配置される第２樹脂層、そして前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、隣り
合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の高さは前記複数の第１電極の下面の高さ
より低く配置される。
る第１樹脂層、前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、前記複数の第１電極上に
配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ、前記複数のＰ型熱電レッ
グおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極、前記複数の第２電極上に
配置される第２樹脂層、そして前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、隣り
合う第１電極の間に配置される前記第１樹脂層の高さは前記複数の第１電極の下面の高さ
より低く配置される。
【0027】
本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子は、第１金属基板、前記第１金属基板上に配
置される第１樹脂層、前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、前記複数の第１電
極上に配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ、前記複数のＰ型熱
電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極、前記複数の第２電
極上に配置される第２樹脂層、そして前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み
、前記複数の第１電極のうち少なくとも一つは、前記第１樹脂層と接触する第１面、前記
第１面に対向し一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される第２面、そして
前記第２面に配置される第１突出部を含み、前記第１突出部は炭化物を含む。
置される第１樹脂層、前記第１樹脂層上に配置された複数の第１電極、前記複数の第１電
極上に配置された複数のＰ型熱電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ、前記複数のＰ型熱
電レッグおよび複数のＮ型熱電レッグ上に配置された複数の第２電極、前記複数の第２電
極上に配置される第２樹脂層、そして前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み
、前記複数の第１電極のうち少なくとも一つは、前記第１樹脂層と接触する第１面、前記
第１面に対向し一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグが配置される第２面、そして
前記第２面に配置される第１突出部を含み、前記第１突出部は炭化物を含む。
【発明の効果】
【0028】
本発明の実施例によると、製作工程が簡単で、熱伝導度が優秀であり、信頼性が高い熱
電素子を得ることができる。特に、本発明の実施例によると、電極配置のためのジグが不
要であるため、多様なサイズおよび多様な形状の熱電素子を具現することが可能である。
電素子を得ることができる。特に、本発明の実施例によると、電極配置のためのジグが不
要であるため、多様なサイズおよび多様な形状の熱電素子を具現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の一実施例に係る熱電素子の断面図である。
【図2】本発明の一実施例に係る熱電素子内の一対のＰ型熱電レッグおよびＮ型熱電レッグを説明するための図面である。
【図3】本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板と樹脂層間の接合構造を示す。
【図4】本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板と樹脂層間の接合構造を示す。
【図5】本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板と樹脂層間の接合構造を示す。
【図6】本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板と樹脂層間の接合構造を示す。
【図7】本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板と樹脂層間の接合構造を示す。
【図8】本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の断面図である。
【図9】本発明の他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の断面図である。
【図10】本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の断面図である。
【図11】本発明の一実施例に係る電極の上面図および断面図である。
【図12】本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層、電極および熱電レッグの断面図である。
【図15】本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子の断面図である。
【図16】本発明の実施例によりレーザー加工によって電極を形成した後に撮影した写真である。
【図17】本発明の実施例によりレーザー加工によって電極を形成した後に撮影した写真である。
【図18】本発明の実施例により機械加工によって電極を形成した後に撮影した写真である。
【図19】本発明の実施例に係る熱電素子が適用された浄水器のブロック図である。
【図20】本発明の実施例に係る熱電素子が適用された冷蔵庫のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【0031】
ただし、本発明の技術思想は説明される一部の実施例に限定されるものではなく、互い
に異なる多様な形態で具現され得、本発明の技術思想範囲内であれば、実施例間にその構
成要素のうち一つ以上を選択的に結合、置換して使うことができる。
に異なる多様な形態で具現され得、本発明の技術思想範囲内であれば、実施例間にその構
成要素のうち一つ以上を選択的に結合、置換して使うことができる。
【0032】
また、本発明の実施例で使われる用語（技術および科学的用語を含む）は、明白に特に
定義されて記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に一般的
に理解され得る意味で解釈され得、辞書に定義された用語のように一般的に使われる用語
は関連技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるであろう。
定義されて記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に一般的
に理解され得る意味で解釈され得、辞書に定義された用語のように一般的に使われる用語
は関連技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるであろう。
【0033】
また、本発明の実施例で使われた用語は、実施例を説明するためのものであり本発明を
制限しようとするものではない。
制限しようとするものではない。
【0034】
本明細書で、単数型は文面で特に言及しない限り複数型も含むことができ、「Ａおよび
（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一つ以上）」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃ
で組み合わせ得るすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。
（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一つ以上）」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃ
で組み合わせ得るすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。
【0035】
また、本発明の実施例の構成要素を説明するにおいて、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、
（ｂ）等の用語を使うことができる。
（ｂ）等の用語を使うことができる。
【0036】
このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用
語によって該当構成要素の本質や順番または順序などに限定されない。
語によって該当構成要素の本質や順番または順序などに限定されない。
【0037】
そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記
載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結、結合または接続される
場合だけでなく、その構成要素とその他の構成要素の間にあるさらに他の構成要素によっ
て「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。
載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結、結合または接続される
場合だけでなく、その構成要素とその他の構成要素の間にあるさらに他の構成要素によっ
て「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。
【0038】
また、各構成要素の「上（うえ）または下（した）」に形成または配置されるものと記
載される場合、上（うえ）または下（した）は、二つの構成要素が互いに直接接触する場
合だけでなく一つ以上のさらに他の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置され
る場合も含む。また、「上（うえ）または下（した）」と表現される場合、一つの構成要
素を基準として上側方向だけでなく下側方向の意味も含むことができる。
載される場合、上（うえ）または下（した）は、二つの構成要素が互いに直接接触する場
合だけでなく一つ以上のさらに他の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置され
る場合も含む。また、「上（うえ）または下（した）」と表現される場合、一つの構成要
素を基準として上側方向だけでなく下側方向の意味も含むことができる。
【0039】
【0040】
【0041】
複数の第１電極１２０は第１樹脂層１１０と複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数の
Ｎ型熱電レッグ１４０の下面の間に配置され、複数の第２電極１５０は第２樹脂層１６０
と複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数のＮ型熱電レッグ１４０の上面の間に配置され
る。これに伴い、複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数のＮ型熱電レッグ１４０は複数
の第１電極１２０および複数の第２電極１５０によって電気的に連結される。第１電極１
２０と第２電極１５０の間に配置され、電気的に連結される一対のＰ型熱電レッグ１３０
およびＮ型熱電レッグ１４０は単位セルを形成することができる。
Ｎ型熱電レッグ１４０の下面の間に配置され、複数の第２電極１５０は第２樹脂層１６０
と複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数のＮ型熱電レッグ１４０の上面の間に配置され
る。これに伴い、複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数のＮ型熱電レッグ１４０は複数
の第１電極１２０および複数の第２電極１５０によって電気的に連結される。第１電極１
２０と第２電極１５０の間に配置され、電気的に連結される一対のＰ型熱電レッグ１３０
およびＮ型熱電レッグ１４０は単位セルを形成することができる。
【0042】
各第１電極１２０上には一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が配
置され得、各第２電極１５０上には各第１電極１２０上に配置された一対のＰ型熱電レッ
グ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０のうち一つが重なるように、一対のＮ型熱電レッグ
１４０およびＰ型熱電レッグ１３０が配置され得る。
置され得、各第２電極１５０上には各第１電極１２０上に配置された一対のＰ型熱電レッ
グ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０のうち一つが重なるように、一対のＮ型熱電レッグ
１４０およびＰ型熱電レッグ１３０が配置され得る。
【0043】
ここで、Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０は、ビズマス（Ｂｉ）およ
びテルル（Ｔｅ）を主原料として含むビスマステルライド（Ｂｉ－Ｔｅ）系熱電レッグで
あり得る。Ｐ型熱電レッグ１３０は全体重量１００ｗｔ％に対してアンチモン（Ｓｂ）、
ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ホウ
素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、ビズマス（Ｂｉ）およびインジウム（Ｉ
ｎ）のうち少なくとも一つを含むビスマステルライド（Ｂｉ－Ｔｅ）系主原料物質９９～
９９．９９９ｗｔ％とＢｉまたはＴｅを含む混合物０．００１～１ｗｔ％を含む熱電レッ
グであり得る。例えば、主原料物質がＢｉ－Ｓｅ－Ｔｅであり、ＢｉまたはＴｅを全体重
量の０．００１～１ｗｔ％でさらに含むことができる。Ｎ型熱電レッグ１４０は全体重量
１００ｗｔ％に対してセレン（Ｓｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（
Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、
ビズマス（Ｂｉ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも一つを含むビスマステルラ
イド（Ｂｉ－Ｔｅ）系主原料物質９９～９９．９９９ｗｔ％とＢｉまたはＴｅを含む混合
物０．００１～１ｗｔ％を含む熱電レッグであり得る。例えば、主原料物質がＢｉ－Ｓｂ
－Ｔｅであり、ＢｉまたはＴｅを全体重量の０．００１～１ｗｔ％でさらに含むことがで
きる。
びテルル（Ｔｅ）を主原料として含むビスマステルライド（Ｂｉ－Ｔｅ）系熱電レッグで
あり得る。Ｐ型熱電レッグ１３０は全体重量１００ｗｔ％に対してアンチモン（Ｓｂ）、
ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ホウ
素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、ビズマス（Ｂｉ）およびインジウム（Ｉ
ｎ）のうち少なくとも一つを含むビスマステルライド（Ｂｉ－Ｔｅ）系主原料物質９９～
９９．９９９ｗｔ％とＢｉまたはＴｅを含む混合物０．００１～１ｗｔ％を含む熱電レッ
グであり得る。例えば、主原料物質がＢｉ－Ｓｅ－Ｔｅであり、ＢｉまたはＴｅを全体重
量の０．００１～１ｗｔ％でさらに含むことができる。Ｎ型熱電レッグ１４０は全体重量
１００ｗｔ％に対してセレン（Ｓｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（
Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、
ビズマス（Ｂｉ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも一つを含むビスマステルラ
イド（Ｂｉ－Ｔｅ）系主原料物質９９～９９．９９９ｗｔ％とＢｉまたはＴｅを含む混合
物０．００１～１ｗｔ％を含む熱電レッグであり得る。例えば、主原料物質がＢｉ－Ｓｂ
－Ｔｅであり、ＢｉまたはＴｅを全体重量の０．００１～１ｗｔ％でさらに含むことがで
きる。
【0044】
Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０はバルク型または積層型で形成され
得る。一般的にバルク型Ｐ型熱電レッグ１３０またはバルク型Ｎ型熱電レッグ１４０は、
熱電素材を熱処理してインゴット（ｉｎｇｏｔ）を製造し、インゴットを粉砕し篩分けし
て熱電レッグ用粉末を獲得した後、これを焼結し、焼結体をカッティングする過程を通じ
て得ることができる。積層型Ｐ型熱電レッグ１３０または積層型Ｎ型熱電レッグ１４０は
、シート状の基材上に熱電素材を含むペーストを塗布して単位部材を形成した後、単位部
材を積層しカッティングする過程を通じて得ることができる。
得る。一般的にバルク型Ｐ型熱電レッグ１３０またはバルク型Ｎ型熱電レッグ１４０は、
熱電素材を熱処理してインゴット（ｉｎｇｏｔ）を製造し、インゴットを粉砕し篩分けし
て熱電レッグ用粉末を獲得した後、これを焼結し、焼結体をカッティングする過程を通じ
て得ることができる。積層型Ｐ型熱電レッグ１３０または積層型Ｎ型熱電レッグ１４０は
、シート状の基材上に熱電素材を含むペーストを塗布して単位部材を形成した後、単位部
材を積層しカッティングする過程を通じて得ることができる。
【0045】
この時、一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０は同一形状および体
積を有してもよく、互いに異なる形状および体積を有してもよい。例えば、Ｐ型熱電レッ
グ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の電気伝導特性が異なるため、Ｎ型熱電レッグ１４０の
高さまたは断面積をＰ型熱電レッグ１３０の高さまたは断面積と異なるように形成しても
よい。
積を有してもよく、互いに異なる形状および体積を有してもよい。例えば、Ｐ型熱電レッ
グ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の電気伝導特性が異なるため、Ｎ型熱電レッグ１４０の
高さまたは断面積をＰ型熱電レッグ１３０の高さまたは断面積と異なるように形成しても
よい。
【0046】
本発明の一実施例に係る熱電素子の性能は熱電性能指数で表すことができる。熱電性能
指数（ＺＴ）は数学式１のように表すことができる。
指数（ＺＴ）は数学式１のように表すことができる。
【数1】
【0047】
ここで、αはゼーベック係数［Ｖ／Ｋ］であり、σは電気伝導度［Ｓ／ｍ］であり、α
２σはパワー因子（Ｐｏｗｅｒ Ｆａｃｔｏｒ、［Ｗ／ｍＫ２］）である。そして、Ｔは
温度であり、ｋは熱伝導度［Ｗ／ｍＫ］である。ｋはａ・ｃｐ・ρで表すことができ、ａ
は熱拡散度［ｃｍ２／Ｓ］であり、ｃｐは比熱［Ｊ／ｇＫ］であり、ρは密度［ｇ／ｃｍ
３］である。
２σはパワー因子（Ｐｏｗｅｒ Ｆａｃｔｏｒ、［Ｗ／ｍＫ２］）である。そして、Ｔは
温度であり、ｋは熱伝導度［Ｗ／ｍＫ］である。ｋはａ・ｃｐ・ρで表すことができ、ａ
は熱拡散度［ｃｍ２／Ｓ］であり、ｃｐは比熱［Ｊ／ｇＫ］であり、ρは密度［ｇ／ｃｍ
３］である。
【0048】
熱電素子の熱電性能指数を得るために、Ｚメーターを利用してＺ値（Ｖ／Ｋ）を測定し
、測定したＺ値を利用して熱電性能指数（ＺＴ）を計算することができる。
、測定したＺ値を利用して熱電性能指数（ＺＴ）を計算することができる。
【0049】
本発明の他の実施例によると、Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０は図
２（ｂ）で図示する構造を有してもよい。図２（ｂ）を参照すると、熱電レッグ１３０、
１４０は熱電素材層１３２、１４２、熱電素材層１３２、１４２の一面上に積層される第
１メッキ層１３４－１、１４４－１、熱電素材層１３２、１４２の一面と対向して配置さ
れる他の面に積層される第２メッキ層１３４－２、１４４－２、熱電素材層１３２、１４
２と第１メッキ層１３４－１、１４４－１の間および熱電素材層１３２、１４２と第２メ
ッキ層１３４－２、１４４－２の間にそれぞれ配置される第１接合層１３６－１、１４６
－１および第２接合層１３６－２、１４６－２、そして第１メッキ層１３４－１、１４４
－１および第２メッキ層１３４－２、１４４－２上にそれぞれ積層される第１金属層１３
８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２を含む。
２（ｂ）で図示する構造を有してもよい。図２（ｂ）を参照すると、熱電レッグ１３０、
１４０は熱電素材層１３２、１４２、熱電素材層１３２、１４２の一面上に積層される第
１メッキ層１３４－１、１４４－１、熱電素材層１３２、１４２の一面と対向して配置さ
れる他の面に積層される第２メッキ層１３４－２、１４４－２、熱電素材層１３２、１４
２と第１メッキ層１３４－１、１４４－１の間および熱電素材層１３２、１４２と第２メ
ッキ層１３４－２、１４４－２の間にそれぞれ配置される第１接合層１３６－１、１４６
－１および第２接合層１３６－２、１４６－２、そして第１メッキ層１３４－１、１４４
－１および第２メッキ層１３４－２、１４４－２上にそれぞれ積層される第１金属層１３
８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２を含む。
【0050】
この時、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１は互いに直接
接触し、熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２は互いに直接接
触することができる。そして、第１接合層１３６－１、１４６－１と第１メッキ層１３４
－１、１４４－１は互いに直接接触し、第２接合層１３６－２、１４６－２と第２メッキ
層１３４－２、１４４－２は互いに直接接触することができる。そして、第１メッキ層１
３４－１、１４４－１と第１金属層１３８－１、１４８－１は互いに直接接触し、第２メ
ッキ層１３４－２、１４４－２と第２金属層１３８－２、１４８－２は互いに直接接触す
ることができる。
接触し、熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２は互いに直接接
触することができる。そして、第１接合層１３６－１、１４６－１と第１メッキ層１３４
－１、１４４－１は互いに直接接触し、第２接合層１３６－２、１４６－２と第２メッキ
層１３４－２、１４４－２は互いに直接接触することができる。そして、第１メッキ層１
３４－１、１４４－１と第１金属層１３８－１、１４８－１は互いに直接接触し、第２メ
ッキ層１３４－２、１４４－２と第２金属層１３８－２、１４８－２は互いに直接接触す
ることができる。
【0051】
ここで、熱電素材層１３２、１４２は半導体材料であるビズマス（Ｂｉ）およびテルル
（Ｔｅ）を含むことができる。熱電素材層１３２、１４２は図１および図２（ａ）で図示
したＰ型熱電レッグ１３０またはＮ型熱電レッグ１４０と同一素材または形状を有するこ
とができる。
（Ｔｅ）を含むことができる。熱電素材層１３２、１４２は図１および図２（ａ）で図示
したＰ型熱電レッグ１３０またはＮ型熱電レッグ１４０と同一素材または形状を有するこ
とができる。
【0052】
そして、第１金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２
は銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択され得、
０．１～０．５ｍｍ、好ましくは０．２～０．３ｍｍの厚さを有することができる。第１
金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２の熱膨張係数は
熱電素材層１３２、１４２の熱膨張係数と類似するかより大きいので、焼結時に第１金属
層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２と熱電素材層１３２
、１４２間の境界面で圧縮応力が加えられるため、亀裂または剥離を防止することができ
る。また、第１金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２
と電極１２０、１５０間の結合力が高いため、熱電レッグ１３０、１４０は電極１２０、
１５０と安定的に結合することができる。
は銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金から選択され得、
０．１～０．５ｍｍ、好ましくは０．２～０．３ｍｍの厚さを有することができる。第１
金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２の熱膨張係数は
熱電素材層１３２、１４２の熱膨張係数と類似するかより大きいので、焼結時に第１金属
層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２と熱電素材層１３２
、１４２間の境界面で圧縮応力が加えられるため、亀裂または剥離を防止することができ
る。また、第１金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２
と電極１２０、１５０間の結合力が高いため、熱電レッグ１３０、１４０は電極１２０、
１５０と安定的に結合することができる。
【0053】
次に、第１メッキ層１３４－１、１４４－１および第２メッキ層１３４－２、１４４－
２はそれぞれＮｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、ＣｒおよびＭｏのうち少なくとも一つを含
むことができ、１～２０μｍ、好ましくは１～１０μｍの厚さを有することができる。第
１メッキ層１３４－１、１４４－１および第２メッキ層１３４－２、１４４－２は熱電素
材層１３２、１４２内の半導体材料であるＢｉまたはＴｅと第１金属層１３８－１、１４
８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２間の反応を防ぐため、熱電素子の性能の
低下を防止できるだけでなく、第１金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３
８－２、１４８－２の酸化を防止することができる。
２はそれぞれＮｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、ＣｒおよびＭｏのうち少なくとも一つを含
むことができ、１～２０μｍ、好ましくは１～１０μｍの厚さを有することができる。第
１メッキ層１３４－１、１４４－１および第２メッキ層１３４－２、１４４－２は熱電素
材層１３２、１４２内の半導体材料であるＢｉまたはＴｅと第１金属層１３８－１、１４
８－１および第２金属層１３８－２、１４８－２間の反応を防ぐため、熱電素子の性能の
低下を防止できるだけでなく、第１金属層１３８－１、１４８－１および第２金属層１３
８－２、１４８－２の酸化を防止することができる。
【0054】
この時、熱電素材層１３２、１４２と第１メッキ層１３４－１、１４４－１の間および
熱電素材層１３２、１４２と第２メッキ層１３４－２、１４４－２の間には、第１接合層
１３６－１、１４６－１および第２接合層１３６－２、１４６－２が配置され得る。この
時、第１接合層１３６－１、１４６－１および第２接合層１３６－２、１４６－２はＴｅ
を含むことができる。例えば、第１接合層１３６－１、１４６－１および第２接合層１３
６－２、１４６－２は、Ｎｉ－Ｔｅ、Ｓｎ－Ｔｅ、Ｔｉ－Ｔｅ、Ｆｅ－Ｔｅ、Ｓｂ－Ｔｅ
、Ｃｒ－ＴｅおよびＭｏ－Ｔｅのうち少なくとも一つを含むことができる。本発明の実施
例によると、第１接合層１３６－１、１４６－１および第２接合層１３６－２、１４６－
２それぞれの厚さは０．５～１００μｍ、好ましくは１～５０μｍであり得る。本発明の
実施例によると、熱電素材層１３２、１４２と第１メッキ層１３４－１、１４４－１およ
び第２メッキ層１３４－２、１４４－２の間にＴｅを含む第１接合層１３６－１、１４６
－１および第２接合層１３６－２、１４６－２をあらかじめ配置して、熱電素材層１３２
、１４２内のＴｅが第１メッキ層１３４－１、１４４－１および第２メッキ層１３４－２
、１４４－２に拡散することを防止することができる。これに伴い、Ｂｉリッチ領域の発
生を防止することができる。
熱電素材層１３２、１４２と第２メッキ層１３４－２、１４４－２の間には、第１接合層
１３６－１、１４６－１および第２接合層１３６－２、１４６－２が配置され得る。この
時、第１接合層１３６－１、１４６－１および第２接合層１３６－２、１４６－２はＴｅ
を含むことができる。例えば、第１接合層１３６－１、１４６－１および第２接合層１３
６－２、１４６－２は、Ｎｉ－Ｔｅ、Ｓｎ－Ｔｅ、Ｔｉ－Ｔｅ、Ｆｅ－Ｔｅ、Ｓｂ－Ｔｅ
、Ｃｒ－ＴｅおよびＭｏ－Ｔｅのうち少なくとも一つを含むことができる。本発明の実施
例によると、第１接合層１３６－１、１４６－１および第２接合層１３６－２、１４６－
２それぞれの厚さは０．５～１００μｍ、好ましくは１～５０μｍであり得る。本発明の
実施例によると、熱電素材層１３２、１４２と第１メッキ層１３４－１、１４４－１およ
び第２メッキ層１３４－２、１４４－２の間にＴｅを含む第１接合層１３６－１、１４６
－１および第２接合層１３６－２、１４６－２をあらかじめ配置して、熱電素材層１３２
、１４２内のＴｅが第１メッキ層１３４－１、１４４－１および第２メッキ層１３４－２
、１４４－２に拡散することを防止することができる。これに伴い、Ｂｉリッチ領域の発
生を防止することができる。
【0055】
これによると、熱電素材層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２と第
１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面までＴｅ含量はＢｉ含量より高く、熱電素材
層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４
６－２間の境界面までＴｅ含量はＢｉ含量より高い。熱電素材層１３２、１４２の中心部
から熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面までのＴ
ｅ含量または熱電素材層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２と第２接
合層１３６－２、１４６－２間の境界面までのＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２の
中心部のＴｅ含量対比０．８～１倍であり得る。例えば、熱電素材層１３２、１４２と第
１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面から熱電素材層１３２、１４２の中心部の方
向に１００μｍ厚さ内のＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２の中心部のＴｅ含量対比
０．８倍～１倍であり得る。ここで、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１
、１４６－１間の境界面から熱電素材層１３２、１４２の中心部の方向に１００μｍ厚さ
内でもＴｅ含量は一定に維持され得、例えば熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３
６－１、１４６－１間の境界面から熱電素材層１３２、１４２の中心部の方向に１００μ
ｍ厚さ内でＴｅ重量比の変化率は０．９～１であり得る。
１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面までＴｅ含量はＢｉ含量より高く、熱電素材
層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４
６－２間の境界面までＴｅ含量はＢｉ含量より高い。熱電素材層１３２、１４２の中心部
から熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面までのＴ
ｅ含量または熱電素材層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２と第２接
合層１３６－２、１４６－２間の境界面までのＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２の
中心部のＴｅ含量対比０．８～１倍であり得る。例えば、熱電素材層１３２、１４２と第
１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面から熱電素材層１３２、１４２の中心部の方
向に１００μｍ厚さ内のＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２の中心部のＴｅ含量対比
０．８倍～１倍であり得る。ここで、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１
、１４６－１間の境界面から熱電素材層１３２、１４２の中心部の方向に１００μｍ厚さ
内でもＴｅ含量は一定に維持され得、例えば熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３
６－１、１４６－１間の境界面から熱電素材層１３２、１４２の中心部の方向に１００μ
ｍ厚さ内でＴｅ重量比の変化率は０．９～１であり得る。
【0056】
また、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内
のＴｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内のＴｅの含量と同一または類似し得る。例
えば、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内Ｔ
ｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内Ｔｅの含量の０．８～１倍、好ましくは０．８
５～１倍、さらに好ましくは０．９～１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍であり得る
。ここで、含量は重量比であり得る。例えば、熱電素材層１３２、１４２内Ｔｅの含量が
５０ｗｔ％で含まれる場合、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６
－２、１４６－２内Ｔｅの含量は４０～５０ｗｔ％、好ましくは４２．５～５０ｗｔ％、
さらに好ましくは４５～５０ｗｔ％、さらに好ましくは４７．５～５０ｗｔ％であり得る
。また、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内
Ｔｅの含量はＮｉ対比大きくてもよい。第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接
合層１３６－２、１４６－２内でＴｅの含量は一定に分布する反面、Ｎｉ含量は第１接合
層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内で熱電素材層１３
２、１４２方向に隣接するほど減少し得る。
のＴｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内のＴｅの含量と同一または類似し得る。例
えば、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内Ｔ
ｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内Ｔｅの含量の０．８～１倍、好ましくは０．８
５～１倍、さらに好ましくは０．９～１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍であり得る
。ここで、含量は重量比であり得る。例えば、熱電素材層１３２、１４２内Ｔｅの含量が
５０ｗｔ％で含まれる場合、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６
－２、１４６－２内Ｔｅの含量は４０～５０ｗｔ％、好ましくは４２．５～５０ｗｔ％、
さらに好ましくは４５～５０ｗｔ％、さらに好ましくは４７．５～５０ｗｔ％であり得る
。また、第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内
Ｔｅの含量はＮｉ対比大きくてもよい。第１接合層１３６－１、１４６－１または第２接
合層１３６－２、１４６－２内でＴｅの含量は一定に分布する反面、Ｎｉ含量は第１接合
層１３６－１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内で熱電素材層１３
２、１４２方向に隣接するほど減少し得る。
【0057】
そして、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面ま
たは熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界面から第１
メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または
第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界面ま
でのＴｅ含量は一定に分布され得る。例えば、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１
３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－
２、１４６－２間の境界面から第１メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６
－１、１４６－１間の境界面または第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１
３６－２、１４６－２間の境界面までのＴｅ重量比の変化率は０．８～１であり得る。こ
こで、Ｔｅ重量比の変化率が１に近いほど熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６
－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、
１４６－２間の境界面から第１メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６－１
、１４６－１間の境界面または第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１３６
－２、１４６－２間の境界面までのＴｅ含量が一定に分布することを意味し得る。
たは熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界面から第１
メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または
第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界面ま
でのＴｅ含量は一定に分布され得る。例えば、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１
３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－
２、１４６－２間の境界面から第１メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６
－１、１４６－１間の境界面または第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１
３６－２、１４６－２間の境界面までのＴｅ重量比の変化率は０．８～１であり得る。こ
こで、Ｔｅ重量比の変化率が１に近いほど熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６
－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、
１４６－２間の境界面から第１メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６－１
、１４６－１間の境界面または第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１３６
－２、１４６－２間の境界面までのＴｅ含量が一定に分布することを意味し得る。
【0058】
そして、第１接合層１３６－１、１４６－１内第１メッキ層１３４－１、１４４－１と
接する面、すなわち第１メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６－１、１４
６－１間の境界面または第２接合層１３６－２、１４６－２内第２メッキ層１３４－２、
１４４－２と接する面、すなわち第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１３
６－２、１４６－２間の境界面でのＴｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内第１接合
層１３６－１、１４６－１と接する面、すなわち熱電素材層１３２、１４２と第１接合層
１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２内第２接合層１３６
－２、１４６－２と接する面、すなわち熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－
２、１４６－２間の境界面でのＴｅの含量の０．８～１倍、好ましくは０．８５～１倍、
さらに好ましくは０．９～１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍であり得る。ここで、
含量は重量比であり得る。
接する面、すなわち第１メッキ層１３６－１、１４６－１と第１接合層１３６－１、１４
６－１間の境界面または第２接合層１３６－２、１４６－２内第２メッキ層１３４－２、
１４４－２と接する面、すなわち第２メッキ層１３４－２、１４４－２と第２接合層１３
６－２、１４６－２間の境界面でのＴｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内第１接合
層１３６－１、１４６－１と接する面、すなわち熱電素材層１３２、１４２と第１接合層
１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２内第２接合層１３６
－２、１４６－２と接する面、すなわち熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－
２、１４６－２間の境界面でのＴｅの含量の０．８～１倍、好ましくは０．８５～１倍、
さらに好ましくは０．９～１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍であり得る。ここで、
含量は重量比であり得る。
【0059】
そして、熱電素材層１３２、１４２の中心部のＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２
と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２
接合層１３６－２、１４６－２間の境界面のＴｅ含量と同一または類似して示されること
が分かる。すなわち、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間
の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界
面のＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２の中心部のＴｅ含量の０．８～１倍、好まし
くは０．８５～１倍、さらに好ましくは０．９～１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍
であり得る。ここで、含量は重量比であり得る。ここで、熱電素材層１３２、１４２の中
心部は熱電素材層１３２、１４２の中心を含む周辺領域を意味し得る。そして、境界面は
境界面自体を意味するか、または境界面と境界面から所定距離内に隣接する境界面周辺領
域を含むものを意味し得る。
と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２
接合層１３６－２、１４６－２間の境界面のＴｅ含量と同一または類似して示されること
が分かる。すなわち、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間
の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界
面のＴｅ含量は、熱電素材層１３２、１４２の中心部のＴｅ含量の０．８～１倍、好まし
くは０．８５～１倍、さらに好ましくは０．９～１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍
であり得る。ここで、含量は重量比であり得る。ここで、熱電素材層１３２、１４２の中
心部は熱電素材層１３２、１４２の中心を含む周辺領域を意味し得る。そして、境界面は
境界面自体を意味するか、または境界面と境界面から所定距離内に隣接する境界面周辺領
域を含むものを意味し得る。
【0060】
そして、第１メッキ層１３６－１、１４６－１または第２メッキ層１３４－２、１４４
－２内Ｔｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内Ｔｅの含量および第１接合層１３６－
１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内Ｔｅの含量より低く示され得
る。
－２内Ｔｅの含量は、熱電素材層１３２、１４２内Ｔｅの含量および第１接合層１３６－
１、１４６－１または第２接合層１３６－２、１４６－２内Ｔｅの含量より低く示され得
る。
【0061】
また、熱電素材層１３２、１４２の中心部のＢｉ含量は、熱電素材層１３２、１４２と
第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接
合層１３６－２、１４６－２間の境界面のＢｉ含量と同一または類似して示されることが
分かる。これに伴い、熱電素材層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２
と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２
接合層１３６－２、１４６－２間の境界面に至るまでＴｅの含量がＢｉの含量より高く示
されるため、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面
周辺または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界面周
辺でＢｉ含量がＴｅ含量を逆転する区間が存在しない。例えば、熱電素材層１３２、１４
２の中心部のＢｉ含量は熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１
間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境
界面のＢｉ含量の０．８～１倍、好ましくは０．８５～１倍、さらに好ましくは０．９～
１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍であり得る。ここで、含量は重量比であり得る。
第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接
合層１３６－２、１４６－２間の境界面のＢｉ含量と同一または類似して示されることが
分かる。これに伴い、熱電素材層１３２、１４２の中心部から熱電素材層１３２、１４２
と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２
接合層１３６－２、１４６－２間の境界面に至るまでＴｅの含量がＢｉの含量より高く示
されるため、熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１間の境界面
周辺または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境界面周
辺でＢｉ含量がＴｅ含量を逆転する区間が存在しない。例えば、熱電素材層１３２、１４
２の中心部のＢｉ含量は熱電素材層１３２、１４２と第１接合層１３６－１、１４６－１
間の境界面または熱電素材層１３２、１４２と第２接合層１３６－２、１４６－２間の境
界面のＢｉ含量の０．８～１倍、好ましくは０．８５～１倍、さらに好ましくは０．９～
１倍、さらに好ましくは０．９５～１倍であり得る。ここで、含量は重量比であり得る。
【0062】
ここで、第１樹脂層１１０とＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の間に
配置される複数の第１電極１２０、そして第２樹脂層１６０とＰ型熱電レッグ１３０およ
びＮ型熱電レッグ１４０の間に配置される複数の第２電極１５０は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａ
ｇ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
配置される複数の第１電極１２０、そして第２樹脂層１６０とＰ型熱電レッグ１３０およ
びＮ型熱電レッグ１４０の間に配置される複数の第２電極１５０は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａ
ｇ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【0063】
そして、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１６０の大きさは異なるように形成されてもよ
い。例えば、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１６０のうち一つの体積、厚さまたは面積は
、他の一つの体積、厚さまたは面積より大きく形成され得る。これに伴い、熱電素子の吸
熱性能または放熱性能を高めることができる。
い。例えば、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１６０のうち一つの体積、厚さまたは面積は
、他の一つの体積、厚さまたは面積より大きく形成され得る。これに伴い、熱電素子の吸
熱性能または放熱性能を高めることができる。
【0064】
この時、Ｐ型熱電レッグ１３０またはＮ型熱電レッグ１４０は円筒状、多角柱状、楕円
柱状などを有することができる。
柱状などを有することができる。
【0065】
またはＰ型熱電レッグ１３０またはＮ型熱電レッグ１４０は積層型の構造を有してもよ
い。例えば、Ｐ型熱電レッグまたはＮ型熱電レッグは、シート状の基材に半導体物質が塗
布された複数の構造物を積層した後、これを切断する方法で形成され得る。これに伴い、
材料の損失を防止し、電気伝導特性を向上させることができる。
い。例えば、Ｐ型熱電レッグまたはＮ型熱電レッグは、シート状の基材に半導体物質が塗
布された複数の構造物を積層した後、これを切断する方法で形成され得る。これに伴い、
材料の損失を防止し、電気伝導特性を向上させることができる。
【0066】
またはＰ型熱電レッグ１３０またはＮ型熱電レッグ１４０はゾーンメルティング（ｚｏ
ｎｅ ｍｅｌｔｉｎｇ）方式または粉末焼結方式により製作され得る。ゾーンメルティン
グ方式によると、熱電素材を利用してインゴット（ｉｎｇｏｔ）を製造した後、インゴッ
トにゆっくり熱を加えて単一方向に粒子が再配列されるようにリファイニングし、ゆっく
り冷却させる方法で熱電レッグを得る。粉末焼結方式によると、熱電素材を利用してイン
ゴットを製造した後、インゴットを粉砕し篩分けして熱電レッグ用粉末を獲得し、これを
焼結する過程を通じて熱電レッグを得る。
ｎｅ ｍｅｌｔｉｎｇ）方式または粉末焼結方式により製作され得る。ゾーンメルティン
グ方式によると、熱電素材を利用してインゴット（ｉｎｇｏｔ）を製造した後、インゴッ
トにゆっくり熱を加えて単一方向に粒子が再配列されるようにリファイニングし、ゆっく
り冷却させる方法で熱電レッグを得る。粉末焼結方式によると、熱電素材を利用してイン
ゴットを製造した後、インゴットを粉砕し篩分けして熱電レッグ用粉末を獲得し、これを
焼結する過程を通じて熱電レッグを得る。
【0067】
本発明の実施例によると、第１金属基板１７０上に第１樹脂層１１０が配置され、第２
樹脂層１６０上に第２金属基板１８０が配置され得る。
樹脂層１６０上に第２金属基板１８０が配置され得る。
【0068】
第１金属基板１７０および第２金属基板１８０はアルミニウム、アルミニウム合金、銅
、銅合金などからなり得る。第１金属基板１７０および第２金属基板１８０は第１樹脂層
１１０、複数の第１電極１２０、複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数のＮ型熱電レッ
グ１４０、複数の第２電極１５０、第２樹脂層１６０等を支持することができ、本発明の
実施例に係る熱電素子１００が適用されるアプリケーションに直接付着される領域であり
得る。これに伴い、第１金属基板１７０および第２金属基板１８０はそれぞれ第１金属支
持体および第２金属支持体と混用され得る。
、銅合金などからなり得る。第１金属基板１７０および第２金属基板１８０は第１樹脂層
１１０、複数の第１電極１２０、複数のＰ型熱電レッグ１３０および複数のＮ型熱電レッ
グ１４０、複数の第２電極１５０、第２樹脂層１６０等を支持することができ、本発明の
実施例に係る熱電素子１００が適用されるアプリケーションに直接付着される領域であり
得る。これに伴い、第１金属基板１７０および第２金属基板１８０はそれぞれ第１金属支
持体および第２金属支持体と混用され得る。
【0069】
第１金属基板１７０の面積は第１樹脂層１１０の面積より大きくてもよく、第２金属基
板１８０の面積は第２樹脂層１６０の面積より大きくてもよい。すなわち、第１樹脂層１
１０は第１金属基板１７０の縁から所定距離だけ離隔した領域内に配置され得、第２樹脂
層１６０は第２金属基板１８０の縁から所定距離だけ離隔した領域内に配置され得る。
板１８０の面積は第２樹脂層１６０の面積より大きくてもよい。すなわち、第１樹脂層１
１０は第１金属基板１７０の縁から所定距離だけ離隔した領域内に配置され得、第２樹脂
層１６０は第２金属基板１８０の縁から所定距離だけ離隔した領域内に配置され得る。
【0070】
第１樹脂層１１０および第２樹脂層１６０はエポキシ樹脂および無機充填材を含むエポ
キシ樹脂組成物からなり得る。ここで、無機充填材はエポキシ樹脂組成物の６８～８８ｖ
ｏｌ％で含まれ得る。無機充填材が６８ｖｏｌ％未満で含まれると、熱伝導効果が低くな
り得、無機充填材が８８ｖｏｌ％を超過して含まれると樹脂層と金属基板間の接着力が低
くなり得、樹脂層が容易に壊れ得る。
キシ樹脂組成物からなり得る。ここで、無機充填材はエポキシ樹脂組成物の６８～８８ｖ
ｏｌ％で含まれ得る。無機充填材が６８ｖｏｌ％未満で含まれると、熱伝導効果が低くな
り得、無機充填材が８８ｖｏｌ％を超過して含まれると樹脂層と金属基板間の接着力が低
くなり得、樹脂層が容易に壊れ得る。
【0071】
第１樹脂層１１０および第２樹脂層１６０の厚さは０．０２～０．６ｍｍ、好ましくは
０．１～０．６ｍｍ、さらに好ましくは０．２～０．６ｍｍであり得、熱伝導度は１Ｗ／
ｍＫ以上、好ましくは１０Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは２０Ｗ／ｍＫ以上であり得る
。
０．１～０．６ｍｍ、さらに好ましくは０．２～０．６ｍｍであり得、熱伝導度は１Ｗ／
ｍＫ以上、好ましくは１０Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは２０Ｗ／ｍＫ以上であり得る
。
【0072】
エポキシ樹脂はエポキシ化合物および硬化剤を含むことができる。この時、エポキシ化
合物１０体積比に対して硬化剤１～１０体積比で含まれ得る。ここで、エポキシ化合物は
結晶性エポキシ化合物、非結晶性エポキシ化合物およびシリコンエポキシ化合物のうち少
なくとも一つを含むことができる。結晶性エポキシ化合物はメソゲン（ｍｅｓｏｇｅｎ）
構造を含むことができる。メソゲン（ｍｅｓｏｇｅｎ）は液晶（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓ
ｔａｌ）の基本単位であり、剛性（ｒｉｇｉｄ）構造を含む。そして、非結晶性エポキシ
化合物は分子のうちエポキシ基を２個以上有する通常の非結晶性エポキシ化合物であり得
、例えばビスフェノールＡまたはビスフェノールＦから誘導されるグリシジルエーテル化
物であり得る。ここで、硬化剤はアミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤、ポリメルカプタン系硬化剤、ポリアミノアミド系硬化剤、イソシアネート系硬化剤お
よびブロックイソシアネート系硬化剤のうち少なくとも一つを含むことができ、２種以上
の硬化剤を混合して使ってもよい。
合物１０体積比に対して硬化剤１～１０体積比で含まれ得る。ここで、エポキシ化合物は
結晶性エポキシ化合物、非結晶性エポキシ化合物およびシリコンエポキシ化合物のうち少
なくとも一つを含むことができる。結晶性エポキシ化合物はメソゲン（ｍｅｓｏｇｅｎ）
構造を含むことができる。メソゲン（ｍｅｓｏｇｅｎ）は液晶（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓ
ｔａｌ）の基本単位であり、剛性（ｒｉｇｉｄ）構造を含む。そして、非結晶性エポキシ
化合物は分子のうちエポキシ基を２個以上有する通常の非結晶性エポキシ化合物であり得
、例えばビスフェノールＡまたはビスフェノールＦから誘導されるグリシジルエーテル化
物であり得る。ここで、硬化剤はアミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤、ポリメルカプタン系硬化剤、ポリアミノアミド系硬化剤、イソシアネート系硬化剤お
よびブロックイソシアネート系硬化剤のうち少なくとも一つを含むことができ、２種以上
の硬化剤を混合して使ってもよい。
【0073】
無機充填材は酸化物および窒化物を含むことができ、窒化物は無機充填材の５５～９５
ｗｔ％で含まれ得、より好ましくは６０～８０ｗｔ％であり得る。窒化物がこのような数
値範囲で含まれる場合、熱伝導度および接合強度を高めることができる。ここで、酸化物
は酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛のうち少なくとも一つを含むことができ、窒
化物は、窒化ホウ素および窒化アルミニウムのうち少なくとも一つを含むことができる。
ここで、窒化物が窒化ホウ素を含む場合、窒化ホウ素は板状の窒化ホウ素がかたまった窒
化ホウ素凝集体の形態で適用され得、窒化ホウ素凝集体の表面は下記の単位体１を有する
高分子でコーティングされるか、窒化ホウ素凝集体内の空隙の少なくとも一部は下記の単
位体１を有する高分子によって充填され得る。
ｗｔ％で含まれ得、より好ましくは６０～８０ｗｔ％であり得る。窒化物がこのような数
値範囲で含まれる場合、熱伝導度および接合強度を高めることができる。ここで、酸化物
は酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛のうち少なくとも一つを含むことができ、窒
化物は、窒化ホウ素および窒化アルミニウムのうち少なくとも一つを含むことができる。
ここで、窒化物が窒化ホウ素を含む場合、窒化ホウ素は板状の窒化ホウ素がかたまった窒
化ホウ素凝集体の形態で適用され得、窒化ホウ素凝集体の表面は下記の単位体１を有する
高分子でコーティングされるか、窒化ホウ素凝集体内の空隙の少なくとも一部は下記の単
位体１を有する高分子によって充填され得る。
【0074】
単位体１は次の通りである。
【単位体１】
【0075】
【0076】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうち一つはＨであり、残りはＣ１～Ｃ３アルキ
ル、Ｃ２～Ｃ３アルケンおよびＣ２～Ｃ３アルキンで構成されたグループから選択され、
Ｒ５は線状、分枝状または環状の炭素数１～１２である２価の有機リンカーであり得る。
ル、Ｃ２～Ｃ３アルケンおよびＣ２～Ｃ３アルキンで構成されたグループから選択され、
Ｒ５は線状、分枝状または環状の炭素数１～１２である２価の有機リンカーであり得る。
【0077】
一実施例として、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちＨを除いた残りのうち一つはＣ２
～Ｃ３アルケンから選択され、残りのうち他の一つおよびさらに他の一つはＣ１～Ｃ３ア
ルキルから選択され得る。例えば、本発明の実施例に係る高分子は下記の単位体２を含む
ことができる。
～Ｃ３アルケンから選択され、残りのうち他の一つおよびさらに他の一つはＣ１～Ｃ３ア
ルキルから選択され得る。例えば、本発明の実施例に係る高分子は下記の単位体２を含む
ことができる。
【単位体２】
【0078】
【0079】
または前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちＨを除いた残りは、Ｃ１～Ｃ３アルキル
、Ｃ２～Ｃ３アルケンおよびＣ２～Ｃ３アルキンで構成されたグループから互いに異なる
ように選択されてもよい。
、Ｃ２～Ｃ３アルケンおよびＣ２～Ｃ３アルキンで構成されたグループから互いに異なる
ように選択されてもよい。
【0080】
このように、単位体１または単位体２による高分子が板状の窒化ホウ素がかたまった窒
化ホウ素凝集体上にコーティングされ、窒化ホウ素凝集体内の空隙の少なくとも一部を充
填すると、窒化ホウ素凝集体内の空気層が最小化されて窒化ホウ素凝集体の熱伝導性能を
高めることができ、板状の窒化ホウ素間の結合力を高めて窒化ホウ素凝集体が壊れること
を防止することができる。そして、板状の窒化ホウ素がかたまった窒化ホウ素凝集体上に
コーティング層を形成すると、作用基を形成しやすくなり、窒化ホウ素凝集体のコーティ
ング層上に作用基が形成されると、樹脂との親和度が高くなり得る。
化ホウ素凝集体上にコーティングされ、窒化ホウ素凝集体内の空隙の少なくとも一部を充
填すると、窒化ホウ素凝集体内の空気層が最小化されて窒化ホウ素凝集体の熱伝導性能を
高めることができ、板状の窒化ホウ素間の結合力を高めて窒化ホウ素凝集体が壊れること
を防止することができる。そして、板状の窒化ホウ素がかたまった窒化ホウ素凝集体上に
コーティング層を形成すると、作用基を形成しやすくなり、窒化ホウ素凝集体のコーティ
ング層上に作用基が形成されると、樹脂との親和度が高くなり得る。
【0081】
この時、窒化ホウ素凝集体の粒子の大きさＤ５０は２５０～３５０μｍであり、酸化ア
ルミニウムの粒子の大きさＤ５０は１０～３０μｍであり得る。窒化ホウ素凝集体の粒子
の大きさＤ５０と酸化アルミニウムの粒子の大きさＤ５０がこのような数値範囲を満足す
る場合、窒化ホウ素凝集体と酸化アルミニウムがエポキシ樹脂組成物内に均一に分散され
得、これに伴い、樹脂層全体として均一な熱伝導効果および接着性能を有することができ
る。
ルミニウムの粒子の大きさＤ５０は１０～３０μｍであり得る。窒化ホウ素凝集体の粒子
の大きさＤ５０と酸化アルミニウムの粒子の大きさＤ５０がこのような数値範囲を満足す
る場合、窒化ホウ素凝集体と酸化アルミニウムがエポキシ樹脂組成物内に均一に分散され
得、これに伴い、樹脂層全体として均一な熱伝導効果および接着性能を有することができ
る。
【0082】
または第１樹脂層１１０および第２樹脂層１６０のうち少なくとも一つはシリコン樹脂
および無機充填材を含むシリコン樹脂組成物であり得、シリコン樹脂は、例えばＰＤＭＳ
（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｔｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含むことができる。
および無機充填材を含むシリコン樹脂組成物であり得、シリコン樹脂は、例えばＰＤＭＳ
（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｔｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含むことができる。
【0083】
図示されてはいないが、第１樹脂層１１０および第２樹脂層１６０のうち少なくとも一
つは複数の層からなり得る。この時、複数の層それぞれは同一または互いに異なる樹脂組
成物または無機充填材を含んで形成され得、それぞれの層の厚さは互いに異なり得る。こ
れに伴い、第１樹脂層１１０および第２樹脂層１６０のうち少なくとも一つの絶縁性、接
合力および熱伝導性能のうち少なくとも一つの特性をさらに向上させることができる。
つは複数の層からなり得る。この時、複数の層それぞれは同一または互いに異なる樹脂組
成物または無機充填材を含んで形成され得、それぞれの層の厚さは互いに異なり得る。こ
れに伴い、第１樹脂層１１０および第２樹脂層１６０のうち少なくとも一つの絶縁性、接
合力および熱伝導性能のうち少なくとも一つの特性をさらに向上させることができる。
【0084】
図３～図７は、本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板と樹脂層間の接合構造を示
す。説明の便宜のために第１金属基板１７０と第１樹脂層１１０を例にして説明するが、
同一の構造が第２金属基板１８０と第２樹脂層１６０間にも適用され得る。
す。説明の便宜のために第１金属基板１７０と第１樹脂層１１０を例にして説明するが、
同一の構造が第２金属基板１８０と第２樹脂層１６０間にも適用され得る。
【0085】
図３～図５を参照すると、第１金属基板１７０の両面のうち第１樹脂層１１０が配置さ
れる面、すなわち第１金属基板１７０の両面のうち第１樹脂層１１０と向かい合う面は第
１領域１７２および第２領域１７４を含み、第２領域１７４は第１領域１７２の内部に配
置され得る。すなわち、第１領域１７２は第１金属基板１７０の縁から中心領域に向かっ
て所定距離内に配置され得、第１領域１７２は第２領域１７４を囲むことができる。
れる面、すなわち第１金属基板１７０の両面のうち第１樹脂層１１０と向かい合う面は第
１領域１７２および第２領域１７４を含み、第２領域１７４は第１領域１７２の内部に配
置され得る。すなわち、第１領域１７２は第１金属基板１７０の縁から中心領域に向かっ
て所定距離内に配置され得、第１領域１７２は第２領域１７４を囲むことができる。
【0086】
この時、第２領域１７４の表面粗さは第１領域１７２の表面粗さより大きく、第１樹脂
層１１０は第２領域１７４上に配置され得る。ここで、第１樹脂層１１０は第１領域１７
２と第２領域１７４の間の境界から所定距離だけ離隔するように配置され得る。すなわち
、第１樹脂層１１０は第２領域１７４上に配置されるものの、第１樹脂層１１０の縁は第
２領域１７４の内部に位置することができる。これに伴い、第２領域１７４の表面粗さに
よって形成された溝４００の少なくとも一部には第１樹脂層１１０の一部、すなわち第１
樹脂層１１０に含まれるエポキシ樹脂６００および無機充填材の一部６０４が浸み込まれ
得、第１樹脂層１１０と第１金属基板１７０間の接着力が高くなり得る。
層１１０は第２領域１７４上に配置され得る。ここで、第１樹脂層１１０は第１領域１７
２と第２領域１７４の間の境界から所定距離だけ離隔するように配置され得る。すなわち
、第１樹脂層１１０は第２領域１７４上に配置されるものの、第１樹脂層１１０の縁は第
２領域１７４の内部に位置することができる。これに伴い、第２領域１７４の表面粗さに
よって形成された溝４００の少なくとも一部には第１樹脂層１１０の一部、すなわち第１
樹脂層１１０に含まれるエポキシ樹脂６００および無機充填材の一部６０４が浸み込まれ
得、第１樹脂層１１０と第１金属基板１７０間の接着力が高くなり得る。
【0087】
ただし、第２領域１７４の表面粗さは第１樹脂層１１０に含まれる無機充填材のうち一
部の粒子の大きさＤ５０よりは大きく、他の一部の粒子の大きさＤ５０よりは小さく形成
され得る。ここで、粒子の大きさＤ５０は粒度分布曲線で重量百分率の５０％に該当する
粒径、すなわち通過質量百分率が５０％となる粒径を意味し、平均粒径と混用され得る。
第１樹脂層１１０が無機充填材として酸化アルミニウムと窒化ホウ素を含む場合を例に挙
げると、酸化アルミニウムは第１樹脂層１１０と第１金属基板１７０間の接着性能に影響
を及ぼさないが、窒化ホウ素は表面がなめらかであるため第１樹脂層１１０と第１金属基
板１７０間の接着性能に悪い影響を及ぼし得る。これに伴い、第２領域１７４の表面粗さ
を第１樹脂層１１０に含まれる酸化アルミニウムの粒子の大きさＤ５０よりは大きいが、
窒化ホウ素の粒子の大きさＤ５０よりは小さく形成すると、第２領域１７４の表面粗さに
よって形成された溝内には酸化アルミニウムのみが配置され、窒化ホウ素は配置され得な
いため、第１樹脂層１１０と第１金属基板１７０は高い接合強度を維持することができる
。
部の粒子の大きさＤ５０よりは大きく、他の一部の粒子の大きさＤ５０よりは小さく形成
され得る。ここで、粒子の大きさＤ５０は粒度分布曲線で重量百分率の５０％に該当する
粒径、すなわち通過質量百分率が５０％となる粒径を意味し、平均粒径と混用され得る。
第１樹脂層１１０が無機充填材として酸化アルミニウムと窒化ホウ素を含む場合を例に挙
げると、酸化アルミニウムは第１樹脂層１１０と第１金属基板１７０間の接着性能に影響
を及ぼさないが、窒化ホウ素は表面がなめらかであるため第１樹脂層１１０と第１金属基
板１７０間の接着性能に悪い影響を及ぼし得る。これに伴い、第２領域１７４の表面粗さ
を第１樹脂層１１０に含まれる酸化アルミニウムの粒子の大きさＤ５０よりは大きいが、
窒化ホウ素の粒子の大きさＤ５０よりは小さく形成すると、第２領域１７４の表面粗さに
よって形成された溝内には酸化アルミニウムのみが配置され、窒化ホウ素は配置され得な
いため、第１樹脂層１１０と第１金属基板１７０は高い接合強度を維持することができる
。
【0088】
これに伴い、第２領域１７４の表面粗さは第１樹脂層１１０内に含まれた無機充填材の
うち大きさが相対的に小さい無機充填材６０４、例えば酸化アルミニウムの粒子の大きさ
Ｄ５０の１．０５～１．５倍であり、第１樹脂層１１０内に含まれた無機充填材のうち大
きさが相対的に大きい無機充填材６０２、例えば窒化ホウ素の粒子の大きさＤ５０の０．
０４～０．１５倍であり得る。
うち大きさが相対的に小さい無機充填材６０４、例えば酸化アルミニウムの粒子の大きさ
Ｄ５０の１．０５～１．５倍であり、第１樹脂層１１０内に含まれた無機充填材のうち大
きさが相対的に大きい無機充填材６０２、例えば窒化ホウ素の粒子の大きさＤ５０の０．
０４～０．１５倍であり得る。
【0089】
前述した通り、窒化ホウ素凝集体の粒子の大きさＤ５０が２５０～３５０μｍであり、
酸化アルミニウムの粒子の大きさＤ５０が１０～３０μｍである場合、第２領域１７４の
表面粗さは１～５０μｍであり得る。これに伴い、第２領域１７４の表面粗さによって形
成された溝内には酸化アルミニウムのみが配置され、窒化ホウ素凝集体は配置され得ない
。
酸化アルミニウムの粒子の大きさＤ５０が１０～３０μｍである場合、第２領域１７４の
表面粗さは１～５０μｍであり得る。これに伴い、第２領域１７４の表面粗さによって形
成された溝内には酸化アルミニウムのみが配置され、窒化ホウ素凝集体は配置され得ない
。
【0090】
これによると、第２領域１７４の表面粗さによって形成された溝内のエポキシ樹脂およ
び無機充填材の含量は、第１金属基板１７０と複数の第１電極１２０の間の中心領域でエ
ポキシ樹脂および無機充填材の含量と異なり得る。
び無機充填材の含量は、第１金属基板１７０と複数の第１電極１２０の間の中心領域でエ
ポキシ樹脂および無機充填材の含量と異なり得る。
【0091】
このような表面粗さは表面粗さ測定機を利用して測定され得る。表面粗さ測定機は探針
を利用して断面曲線を測定し、断面曲線の山頂線、谷底線、平均線および基準長さを利用
して表面粗さを算出することができる。本明細書で、表面粗さは中心線平均算出法による
算術平均粗さ（Ｒａ）を意味し得る。算術平均粗さ（Ｒａ）は下記の数学式２を通じて得
ることができる。
を利用して断面曲線を測定し、断面曲線の山頂線、谷底線、平均線および基準長さを利用
して表面粗さを算出することができる。本明細書で、表面粗さは中心線平均算出法による
算術平均粗さ（Ｒａ）を意味し得る。算術平均粗さ（Ｒａ）は下記の数学式２を通じて得
ることができる。
【数2】
【0092】
すなわち、表面粗さ測定機の探針を得た断面曲線を基準長さＬだけ引き出して、平均線
の方向をｘ軸とし、高さ方向をｙ軸として関数（ｆ（ｘ））で表現した時、数学式２によ
って求められる値をμｍで表すことができる。
の方向をｘ軸とし、高さ方向をｙ軸として関数（ｆ（ｘ））で表現した時、数学式２によ
って求められる値をμｍで表すことができる。
【0093】
図６～図７を参照すると、第１金属基板１７０の両面のうち第１樹脂層１１０が配置さ
れる面、すなわち第１金属基板１７０の両面のうち第１樹脂層１１０と向かい合う面は第
１領域１７２および第１領域１７２によって囲まれ、第１領域１７２より表面粗さが大き
く形成された第２領域１７４を含むものの、第３領域１７６をさらに含むことができる。
れる面、すなわち第１金属基板１７０の両面のうち第１樹脂層１１０と向かい合う面は第
１領域１７２および第１領域１７２によって囲まれ、第１領域１７２より表面粗さが大き
く形成された第２領域１７４を含むものの、第３領域１７６をさらに含むことができる。
【0094】
ここで、第３領域１７６は第２領域１７４の内部に配置され得る。すなわち、第３領域
１７６は第２領域１７４によって囲まれるように配置され得る。そして、第２領域１７４
の表面粗さは第３領域１７６の表面粗さより大きく形成され得る。
１７６は第２領域１７４によって囲まれるように配置され得る。そして、第２領域１７４
の表面粗さは第３領域１７６の表面粗さより大きく形成され得る。
【0095】
この時、第１樹脂層１１０は第１領域１７２と第２領域１７４間の境界から所定距離離
隔するように配置されるものの、第１樹脂層１１０は第２領域１７４の一部および第３領
域１７６をカバーするように配置され得る。
隔するように配置されるものの、第１樹脂層１１０は第２領域１７４の一部および第３領
域１７６をカバーするように配置され得る。
【0096】
第１金属基板１７０と第１樹脂層１１０間の接合強度を高めるために、第１金属基板１
７０と第１樹脂層１１０の間には接着層８００がさらに配置され得る。
７０と第１樹脂層１１０の間には接着層８００がさらに配置され得る。
【0097】
接着層８００は第１樹脂層１１０をなすエポキシ樹脂組成物と同一のエポキシ樹脂組成
物であり得る。例えば、第１樹脂層１１０をなすエポキシ樹脂組成物と同一のエポキシ樹
脂組成物を未硬化状態で第１金属基板１７０と第１樹脂層１１０の間に塗布した後、硬化
した状態の第１樹脂層１１０を積層し、高温で加圧する方式で第１金属基板１７０と第１
樹脂層１１０を接合することができる。
物であり得る。例えば、第１樹脂層１１０をなすエポキシ樹脂組成物と同一のエポキシ樹
脂組成物を未硬化状態で第１金属基板１７０と第１樹脂層１１０の間に塗布した後、硬化
した状態の第１樹脂層１１０を積層し、高温で加圧する方式で第１金属基板１７０と第１
樹脂層１１０を接合することができる。
【0098】
この時、接着層８００の一部、例えば接着層８００をなすエポキシ樹脂組成物のエポキ
シ樹脂の一部および無機充填材の一部は第２領域１７４の表面粗さによる溝の少なくとも
一部に配置され得る。
シ樹脂の一部および無機充填材の一部は第２領域１７４の表面粗さによる溝の少なくとも
一部に配置され得る。
【0099】
図８は本発明の一実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の断面図であり
、図９は本発明の他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の断面図であ
り、図１０は本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の
断面図であり、図１１は本発明の一実施例に係る電極の上面図および断面図である。説明
の便宜のために、第１金属基板１７０、第１樹脂層１１０および複数の第１電極１２０側
を例に挙げて説明するが、これに制限されるものではなく、同一の構造が第２金属基板１
８０、第２樹脂層１６０および複数の第２電極１５０側にも適用され得る。また、複数の
第１電極１２０のうち一つの第１電極１２０を例に挙げて説明するが、同一の構造が複数
の第１電極１２０の全部または一部に適用され得る。
、図９は本発明の他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の断面図であ
り、図１０は本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層および電極の
断面図であり、図１１は本発明の一実施例に係る電極の上面図および断面図である。説明
の便宜のために、第１金属基板１７０、第１樹脂層１１０および複数の第１電極１２０側
を例に挙げて説明するが、これに制限されるものではなく、同一の構造が第２金属基板１
８０、第２樹脂層１６０および複数の第２電極１５０側にも適用され得る。また、複数の
第１電極１２０のうち一つの第１電極１２０を例に挙げて説明するが、同一の構造が複数
の第１電極１２０の全部または一部に適用され得る。
【0100】
図８～図１１を参照すると、第１電極１２０は第１樹脂層１１０と接触する第１面１２
１、第１面１２１に対向し一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が配
置される第２面１２２、そして第２面１２２の縁に沿って配置される第１突出部１２３を
含む。第１電極１２０の表面にはメッキ層、例えばＮｉ／Ｓｎメッキ層が形成され得る。
第１突出部１２３は第２面１２２上で上に突出し得る。この時、図１１（ａ）で図示され
た通り、第１突出部１２３は第２面１２２の縁に沿って連続的に配置され得る。例えば、
第１電極１２０の第２面１２２が長方形の形状である場合、第１突出部１２３は長方形の
形状の縁に沿って途切れずに連続的に配置され得る。このように、第１突出部１２３が第
２面１２２の縁に沿って配置される場合、ソルダリングを利用して第２面１２２上に一対
のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を接合する時にソルダー層が第１電
極１２０外側に流れ出て電極をショートさせる問題を防止することができる。ソルダー層
が第１突出部１２３を乗り越えて第１電極１２０の外側に流れ出る問題を防止するために
、第１突出部１２３と一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０は所定間
隔で離隔するように配置されてもよい。これに伴い、第１突出部１２３と一対のＰ型熱電
レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の間にソルダー層が収容されることが可能であ
る。また、Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が第２面１２２上でチルテ
ィングされるか、第２面１２２から離脱する問題も防止することができる。
１、第１面１２１に対向し一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が配
置される第２面１２２、そして第２面１２２の縁に沿って配置される第１突出部１２３を
含む。第１電極１２０の表面にはメッキ層、例えばＮｉ／Ｓｎメッキ層が形成され得る。
第１突出部１２３は第２面１２２上で上に突出し得る。この時、図１１（ａ）で図示され
た通り、第１突出部１２３は第２面１２２の縁に沿って連続的に配置され得る。例えば、
第１電極１２０の第２面１２２が長方形の形状である場合、第１突出部１２３は長方形の
形状の縁に沿って途切れずに連続的に配置され得る。このように、第１突出部１２３が第
２面１２２の縁に沿って配置される場合、ソルダリングを利用して第２面１２２上に一対
のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を接合する時にソルダー層が第１電
極１２０外側に流れ出て電極をショートさせる問題を防止することができる。ソルダー層
が第１突出部１２３を乗り越えて第１電極１２０の外側に流れ出る問題を防止するために
、第１突出部１２３と一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０は所定間
隔で離隔するように配置されてもよい。これに伴い、第１突出部１２３と一対のＰ型熱電
レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の間にソルダー層が収容されることが可能であ
る。また、Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が第２面１２２上でチルテ
ィングされるか、第２面１２２から離脱する問題も防止することができる。
【0101】
この時、図８で図示された通り、第１突出部１２３は第１電極１２０をなす物質、すな
わち第２面１２２をなす物質と同一の物質からなり得る。または図９に図示された通り、
第１突出部１２３は第２面１２２をなす物質が炭化した物質、すなわち炭化物を含むこと
ができ、これに伴い、炭素を含んでもよい。この時、第１電極１２０の側面も炭素を含む
ことができる。ここで、炭化物の炭素含量は３０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以上
であり得る。
わち第２面１２２をなす物質と同一の物質からなり得る。または図９に図示された通り、
第１突出部１２３は第２面１２２をなす物質が炭化した物質、すなわち炭化物を含むこと
ができ、これに伴い、炭素を含んでもよい。この時、第１電極１２０の側面も炭素を含む
ことができる。ここで、炭化物の炭素含量は３０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以上
であり得る。
【0102】
この時、第１突出部１２３の表面は曲面を有することができ、第１突出部１２３を含む
第１電極１２０の断面の形状は縁の高さが高く、一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型
熱電レッグ１４０が配置される領域の高さが低いカップの形状であり得る。例えば、図１
１（ｂ）に図示された通り、第２面１２２の縁から一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ
型熱電レッグ１４０が配置される領域に近づくほど第１突出部１２３の高さは低くなり得
る。または図１１（ｃ）に図示された通り、第２面１２２の縁から一対のＰ型熱電レッグ
１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が配置される領域に近づくほど第１突出部１２３の高
さは高くなってから低くなり得る。すなわち、第１突出部１２３の断面は曲線の山の形状
を有し得る。
第１電極１２０の断面の形状は縁の高さが高く、一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型
熱電レッグ１４０が配置される領域の高さが低いカップの形状であり得る。例えば、図１
１（ｂ）に図示された通り、第２面１２２の縁から一対のＰ型熱電レッグ１３０およびＮ
型熱電レッグ１４０が配置される領域に近づくほど第１突出部１２３の高さは低くなり得
る。または図１１（ｃ）に図示された通り、第２面１２２の縁から一対のＰ型熱電レッグ
１３０およびＮ型熱電レッグ１４０が配置される領域に近づくほど第１突出部１２３の高
さは高くなってから低くなり得る。すなわち、第１突出部１２３の断面は曲線の山の形状
を有し得る。
【0103】
ここで、第１突出部１２３の断面がゆるやかな曲線の形状を有するものとして図示され
ているが、これに制限されるものではなく、第１突出部１２３の断面は尖がっている形状
を有したり、ランダムな形状を有してもよい。
ているが、これに制限されるものではなく、第１突出部１２３の断面は尖がっている形状
を有したり、ランダムな形状を有してもよい。
【0104】
ここで、第１突出部１２３の幅Ｗ１は第１電極１２０の幅Ｗ２の５～２０％であり得る
。ここで、第１電極１２０の幅Ｗ２は第１突出部１２３を含む電極全体の幅であり得、第
１電極１２０が長方形の形状である場合、第１電極１２０の上面の長幅を意味し得る。こ
こで、長幅は長方形の形状で長い辺の幅を意味し得る。ここで、第１突出部１２３の幅Ｗ
１が第１電極１２０の幅Ｗ２の５％未満である場合、第１突出部１２３がＰ型熱電レッグ
１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の離脱防止機能を十分に遂行できない可能性があり、
第１突出部１２３が容易に破損しながら熱電素子１００に異物として作用し得る。そして
、第１突出部１２３の幅Ｗ１が第１電極１２０の幅Ｗ２の２０％を超過する場合、第１電
極１２０上にＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を実装するための領域が
減少し得、これに伴い、同一高さの熱電素子を基準として素子の抵抗値が増加することに
なって熱電素子の特性が低下し得る。
。ここで、第１電極１２０の幅Ｗ２は第１突出部１２３を含む電極全体の幅であり得、第
１電極１２０が長方形の形状である場合、第１電極１２０の上面の長幅を意味し得る。こ
こで、長幅は長方形の形状で長い辺の幅を意味し得る。ここで、第１突出部１２３の幅Ｗ
１が第１電極１２０の幅Ｗ２の５％未満である場合、第１突出部１２３がＰ型熱電レッグ
１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の離脱防止機能を十分に遂行できない可能性があり、
第１突出部１２３が容易に破損しながら熱電素子１００に異物として作用し得る。そして
、第１突出部１２３の幅Ｗ１が第１電極１２０の幅Ｗ２の２０％を超過する場合、第１電
極１２０上にＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を実装するための領域が
減少し得、これに伴い、同一高さの熱電素子を基準として素子の抵抗値が増加することに
なって熱電素子の特性が低下し得る。
【0105】
一方、本発明の実施例によると、隣り合う第１電極１２０の間に配置される第１樹脂層
１１０の厚さｄ１は第１面１２１の下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さｄ２より小
さくてもよい。すなわち、第１電極１２０の側下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さ
は第１面１２１の下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さより小さくてもよい。
１１０の厚さｄ１は第１面１２１の下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さｄ２より小
さくてもよい。すなわち、第１電極１２０の側下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さ
は第１面１２１の下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さより小さくてもよい。
【0106】
例えば、隣り合う第１電極１２０の間に配置される第１樹脂層１１０の厚さは隣り合う
第１電極１２０に近づくほど大きくなり得る。すなわち、隣り合う第１電極１２０の間に
配置される第１樹脂層１１０の厚さは各第１電極１２０の第１面１２１の縁から遠くなり
、隣り合う第１電極１２０の間の中間地点に近づくほど小さくなり得る。すなわち、隣り
合う第１電極１２０の間に配置される第１樹脂層１１０にはＶ字またはＵ字状の溝が形成
され得る。
第１電極１２０に近づくほど大きくなり得る。すなわち、隣り合う第１電極１２０の間に
配置される第１樹脂層１１０の厚さは各第１電極１２０の第１面１２１の縁から遠くなり
、隣り合う第１電極１２０の間の中間地点に近づくほど小さくなり得る。すなわち、隣り
合う第１電極１２０の間に配置される第１樹脂層１１０にはＶ字またはＵ字状の溝が形成
され得る。
【0107】
例えば、図１０に図示された通り、隣り合う第１電極１２０の間の少なくとも一部の領
域には第１金属基板１７０が露出してもよい。
域には第１金属基板１７０が露出してもよい。
【0108】
これによると、第１電極１２０と第１金属基板１７０間の絶縁は維持されるものの、第
１電極１２０と第１金属基板１７０間の熱伝導性能が向上し得、第１電極１２０の上部に
第１樹脂層１１０が流入する問題がないため、第１電極１２０の電気電導度も向上し得る
。
１電極１２０と第１金属基板１７０間の熱伝導性能が向上し得、第１電極１２０の上部に
第１樹脂層１１０が流入する問題がないため、第１電極１２０の電気電導度も向上し得る
。
【0109】
この時、第１突出部１２３の高さＨ１は第１電極１２０の高さおよび第１樹脂層１１０
に形成された溝の高さの和Ｈ２、すなわち第１電極１２０の最上面から実際に加工される
深さの２～３５％であり得る。第１突出部１２３の高さＨ１が第１電極１２０の高さおよ
び第１樹脂層１１０に形成された溝の高さの和Ｈ２の２％未満である場合、第１突出部１
２３がＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の離脱防止機能を十分に遂行で
きない可能性があり、第１突出部１２３が容易に破損しながら熱電素子１００に異物とし
て作用し得る。そして、第１突出部１２３の高さＨ１が第１電極１２０の高さおよび第１
樹脂層１１０に形成された溝の高さの和Ｈ２の３５％を超過する場合、第１電極１２０上
にＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を実装するためにソルダー層を印刷
する時、印刷マスクと第１電極１２０の表面間の高さが過度に高くなるため、ソルダー層
を印刷する工程が円滑に進行されない可能性がある。
に形成された溝の高さの和Ｈ２、すなわち第１電極１２０の最上面から実際に加工される
深さの２～３５％であり得る。第１突出部１２３の高さＨ１が第１電極１２０の高さおよ
び第１樹脂層１１０に形成された溝の高さの和Ｈ２の２％未満である場合、第１突出部１
２３がＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０の離脱防止機能を十分に遂行で
きない可能性があり、第１突出部１２３が容易に破損しながら熱電素子１００に異物とし
て作用し得る。そして、第１突出部１２３の高さＨ１が第１電極１２０の高さおよび第１
樹脂層１１０に形成された溝の高さの和Ｈ２の３５％を超過する場合、第１電極１２０上
にＰ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を実装するためにソルダー層を印刷
する時、印刷マスクと第１電極１２０の表面間の高さが過度に高くなるため、ソルダー層
を印刷する工程が円滑に進行されない可能性がある。
【0110】
本発明の実施例によると、第１金属基板１７０上に未硬化または半硬化状態で塗布され
た第１樹脂層１１０上に通板の形態の金属層を接合した後、金属層を機械で切断したり、
レーザー加工して複数の第１電極１２０を形成することができる。金属層を機械で切断す
る場合、図８に図示されたように、第２面１２２をなす物質と同一の物質からなる突出部
１２３が第２面１２２の縁に形成され得る。金属層を機械で切断する場合、金属層の表面
に形成されたメッキ層、例えばＮｉ／Ｓｎメッキ層は機械切断時に剥がれ得、これに伴い
、金属層をなす金属、例えば銅が外部に露出し得る。前述した通り、第１電極１２０上に
Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を実装するためにソルダー層を印刷す
る場合、銅とソルダー層間の濡れ性が悪いため銅の表面にソルダー層が接着され難く、こ
れに伴いソルダー層が第１電極１２０の外に溢れる問題を防止することができる。
た第１樹脂層１１０上に通板の形態の金属層を接合した後、金属層を機械で切断したり、
レーザー加工して複数の第１電極１２０を形成することができる。金属層を機械で切断す
る場合、図８に図示されたように、第２面１２２をなす物質と同一の物質からなる突出部
１２３が第２面１２２の縁に形成され得る。金属層を機械で切断する場合、金属層の表面
に形成されたメッキ層、例えばＮｉ／Ｓｎメッキ層は機械切断時に剥がれ得、これに伴い
、金属層をなす金属、例えば銅が外部に露出し得る。前述した通り、第１電極１２０上に
Ｐ型熱電レッグ１３０およびＮ型熱電レッグ１４０を実装するためにソルダー層を印刷す
る場合、銅とソルダー層間の濡れ性が悪いため銅の表面にソルダー層が接着され難く、こ
れに伴いソルダー層が第１電極１２０の外に溢れる問題を防止することができる。
【0111】
金属層をレーザー加工によって切断する場合、金属層の切断面はレーザーのバーニング
（ｂｕｒｎｉｎｇ）によって炭化し、これに伴い、図９に図示されたように、第１突出部
１２３が炭素を含むことができ、レーザー加工によって形成された第１電極１２０の側面
も炭素を含むことができる。炭素は電気的絶縁特性を示す物質であるため、これによると
、電極間の絶縁効果も期待することができる。
（ｂｕｒｎｉｎｇ）によって炭化し、これに伴い、図９に図示されたように、第１突出部
１２３が炭素を含むことができ、レーザー加工によって形成された第１電極１２０の側面
も炭素を含むことができる。炭素は電気的絶縁特性を示す物質であるため、これによると
、電極間の絶縁効果も期待することができる。
【0112】
一方、第１樹脂層１１０の硬度は金属層の硬度より低くてもよい。これに伴い、複数の
第１電極１２０を形成するために金属層を機械で切断したり、レーザー加工する場合、第
１樹脂層１１０の少なくとも一部も共に削除され得る。この時、レーザー出力などにより
第１樹脂層１１０が削除される高さが変わり得る。
第１電極１２０を形成するために金属層を機械で切断したり、レーザー加工する場合、第
１樹脂層１１０の少なくとも一部も共に削除され得る。この時、レーザー出力などにより
第１樹脂層１１０が削除される高さが変わり得る。
【0113】
このように、通板の形態の金属層を第１樹脂層１１０に配置した後、機械で切断したり
レーザー加工して複数の第１電極１２０を形成する場合、治具上に複数の第１電極１２０
を整列した後に第１樹脂層１１０に配置する場合に比べて工程および費用を節減すること
ができ、多様な電極形状、多様な電極配置構造および多様な電極個数を容易に具現するこ
とができる。
レーザー加工して複数の第１電極１２０を形成する場合、治具上に複数の第１電極１２０
を整列した後に第１樹脂層１１０に配置する場合に比べて工程および費用を節減すること
ができ、多様な電極形状、多様な電極配置構造および多様な電極個数を容易に具現するこ
とができる。
【0114】
図１２は本発明のさらに他の実施例に係る熱電素子の金属基板、樹脂層、電極および熱
電レッグの断面図であり、図１３～図１４は図１２に係る熱電素子の電極の上面図および
断面図である。図８～１１と同一内容については重複した説明を省略する。
電レッグの断面図であり、図１３～図１４は図１２に係る熱電素子の電極の上面図および
断面図である。図８～１１と同一内容については重複した説明を省略する。
【0115】
図１２～図１４を参照すると、第１電極１２０上に一対のＰ型熱電レッグ１３０とＮ型
熱電レッグ１４０が実装され、このために第１電極１２０および一対のＰ型熱電レッグ１
３０とＮ型熱電レッグ１４０を接合するためのソルダー層Ｓがさらに配置され得る。
熱電レッグ１４０が実装され、このために第１電極１２０および一対のＰ型熱電レッグ１
３０とＮ型熱電レッグ１４０を接合するためのソルダー層Ｓがさらに配置され得る。
【0116】
第１電極１２０は第２面１２２上に配置された第２突出部１２４をさらに含む。
【0117】
第２突出部１２４は一対のＰ型熱電レッグとＮ型熱電レッグが配置される第２電極１２
０の第２面１２２上でＰ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の間に配置され得、
第２突出部１２４はＰ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の間でＰ型熱電レッグ
１３０とＮ型熱電レッグ１４０の側面と所定距離で離隔し得る。このように、第２突出部
１２４が配置されると、Ｐ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０のチルティングま
たは接合を防止することができる。
０の第２面１２２上でＰ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の間に配置され得、
第２突出部１２４はＰ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の間でＰ型熱電レッグ
１３０とＮ型熱電レッグ１４０の側面と所定距離で離隔し得る。このように、第２突出部
１２４が配置されると、Ｐ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０のチルティングま
たは接合を防止することができる。
【0118】
この時、第２突出部１２４は図１３～図１４に図示された通り、複数個の第２突出部１
２４を含むことができ、図１３に図示された通り、第１突出部１２３と連結されたり、図
１４に図示された通り、第１突出部１２３から離隔し得る。
２４を含むことができ、図１３に図示された通り、第１突出部１２３と連結されたり、図
１４に図示された通り、第１突出部１２３から離隔し得る。
【0119】
ここで、図１３～図１４に図示された通り、第２突出部１２４には溝Ｇが形成され得る
。第１突出部１２３のように第２突出部１２４も機械切断またはレーザー加工によって形
成される場合、加工時にレーザーが加えられる領域を中心に山の形状の凹部および突出部
が形成され得る。この時、Ｐ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の間に配置され
る第１電極１２０は完全に切断され得ないため、第２突出部１２４を形成するために加え
られるレーザーの出力は第１突出部１２３を形成するために加えられるレーザーの出力よ
り弱くてもよい。これに伴い、第２突出部１２４の最高地点の高さは第１突出部１２３の
最高地点の高さより低くてもよい。
。第１突出部１２３のように第２突出部１２４も機械切断またはレーザー加工によって形
成される場合、加工時にレーザーが加えられる領域を中心に山の形状の凹部および突出部
が形成され得る。この時、Ｐ型熱電レッグ１３０とＮ型熱電レッグ１４０の間に配置され
る第１電極１２０は完全に切断され得ないため、第２突出部１２４を形成するために加え
られるレーザーの出力は第１突出部１２３を形成するために加えられるレーザーの出力よ
り弱くてもよい。これに伴い、第２突出部１２４の最高地点の高さは第１突出部１２３の
最高地点の高さより低くてもよい。
【0120】
【0121】
【0122】
図１５を参照すると、複数の第１電極１２０のうち最外側に配置される一部の側面には
第１樹脂層１１０が配置され得る。すなわち、図８～１４で第１電極１２０の第１面１２
１の側下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さは第１電極１２０の第１面１２１の下部
に配置される第１樹脂層１１０の厚さより小さく、さらには隣り合う第１電極１２０の間
の第１樹脂層１１０の一部が削除されるものとして説明したが、複数の第１電極１２０の
うち一部の側面に配置された第１樹脂層１１０の厚さｄ３は第１面１２１の下部に配置さ
れた第１樹脂層１１０の厚さｄ２より厚くてもよい。このように、側面に第１樹脂層１１
０が配置される第１電極１２０は、複数の第１電極１２０のうち外郭に配置される第１電
極１２０であり得、第１樹脂層１１０が配置される側面は複数の第１電極１２０のうち外
郭に配置される第１電極１２０の側面のうち熱電素子１００の外側に向かうように配置さ
れた側面であり得る。
第１樹脂層１１０が配置され得る。すなわち、図８～１４で第１電極１２０の第１面１２
１の側下部に配置される第１樹脂層１１０の厚さは第１電極１２０の第１面１２１の下部
に配置される第１樹脂層１１０の厚さより小さく、さらには隣り合う第１電極１２０の間
の第１樹脂層１１０の一部が削除されるものとして説明したが、複数の第１電極１２０の
うち一部の側面に配置された第１樹脂層１１０の厚さｄ３は第１面１２１の下部に配置さ
れた第１樹脂層１１０の厚さｄ２より厚くてもよい。このように、側面に第１樹脂層１１
０が配置される第１電極１２０は、複数の第１電極１２０のうち外郭に配置される第１電
極１２０であり得、第１樹脂層１１０が配置される側面は複数の第１電極１２０のうち外
郭に配置される第１電極１２０の側面のうち熱電素子１００の外側に向かうように配置さ
れた側面であり得る。
【0123】
これは、通板の形態の金属層を未硬化または半硬化状態の第１樹脂層１１０上に配置し
た後に加圧して第１樹脂層１１０内に金属層の側面の一部を埋め立てた後、電極の形状に
機械切断またはレーザー加工することによって得ることができる。
た後に加圧して第１樹脂層１１０内に金属層の側面の一部を埋め立てた後、電極の形状に
機械切断またはレーザー加工することによって得ることができる。
【0124】
このように、複数の第１電極１２０のうち一部の側面には第１樹脂層１１０が配置され
る場合、第１電極１２０と第１樹脂層１１０間の接触面積および接合強度を高めることが
でき、これに伴い、複数の第１電極１２０のうち縁に配置される第１電極１２０が熱膨張
によって第１樹脂層１１０から離脱しやすい問題を最小化することができる。
る場合、第１電極１２０と第１樹脂層１１０間の接触面積および接合強度を高めることが
でき、これに伴い、複数の第１電極１２０のうち縁に配置される第１電極１２０が熱膨張
によって第１樹脂層１１０から離脱しやすい問題を最小化することができる。
【0125】
【0126】
【0127】
特に、隣り合う両電極の間の底面であるＡ領域、レーザー加工によって切断された電極
の側面であるＢ領域、電極の上面の縁に沿って形成された突出部であるＣ領域および電極
の上面の中心領域であるＤ領域でそれぞれ元素の含量を測定した結果は表１～４の通りで
ある。
の側面であるＢ領域、電極の上面の縁に沿って形成された突出部であるＣ領域および電極
の上面の中心領域であるＤ領域でそれぞれ元素の含量を測定した結果は表１～４の通りで
ある。
【0128】
【表1】
【0129】
【表2】
【0130】
【表3】
【0131】
【表4】
【0132】
表１を参照すると、隣り合う両電極の間の底面であるＡ領域に基板の成分であるＡｌが
検出されることから、隣り合う両電極の間で金属基板の一部が露出し得ることが分かり、
表１～４を参照すると、電極の切断面および突出部で金属の一部が炭化することが分かる
。特に、表３を参照すると、突出部の炭化物は３０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以
上の炭素を含むことが分かる。
検出されることから、隣り合う両電極の間で金属基板の一部が露出し得ることが分かり、
表１～４を参照すると、電極の切断面および突出部で金属の一部が炭化することが分かる
。特に、表３を参照すると、突出部の炭化物は３０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以
上の炭素を含むことが分かる。
【0133】
図１８を参照すると、機械加工によって切断された電極の上面の縁に突出部が形成され
、電極表面のメッキ層が剥がれて銅が露出することが分かる。
、電極表面のメッキ層が剥がれて銅が露出することが分かる。
【0134】
図１９は、本発明の実施例に係る熱電素子が適用された浄水器のブロック図である。
【0135】
本発明の実施例に係る熱電素子が適用された浄水器１は原水供給管１２ａ、浄水タンク
流入管１２ｂ、浄水タンク１２、フィルタアセンブリ１３、冷却ファン１４、蓄熱槽１５
、冷水供給管１５ａ、および熱電装置１０００を含む。
流入管１２ｂ、浄水タンク１２、フィルタアセンブリ１３、冷却ファン１４、蓄熱槽１５
、冷水供給管１５ａ、および熱電装置１０００を含む。
【0136】
原水供給管１２ａは水源から浄水対象である水をフィルタアセンブリ１３に流入させる
供給管であり、浄水タンク流入管１２ｂはフィルタアセンブリ１３で浄水された水を浄水
タンク１２に流入させる流入管であり、冷水供給管１５ａは浄水タンク１２で熱電装置１
０００によって所定温度に冷却された冷水が最終的に使用者に供給される供給管である。
供給管であり、浄水タンク流入管１２ｂはフィルタアセンブリ１３で浄水された水を浄水
タンク１２に流入させる流入管であり、冷水供給管１５ａは浄水タンク１２で熱電装置１
０００によって所定温度に冷却された冷水が最終的に使用者に供給される供給管である。
【0137】
浄水タンク１２はフィルタアセンブリ１３を経由しながら浄水され、浄水タンク流入管
１２ｂを通じて流入した水を貯蔵および外部に供給するように浄水された水をしばらく収
容する。
１２ｂを通じて流入した水を貯蔵および外部に供給するように浄水された水をしばらく収
容する。
【0138】
フィルタアセンブリ１３は沈殿フィルタ１３ａと、プレカーボンフィルタ１３ｂと、メ
ンブレンフィルタ１３ｃと、ポストカーボンフィルタ１３ｄで構成される。
ンブレンフィルタ１３ｃと、ポストカーボンフィルタ１３ｄで構成される。
【0139】
すなわち、原水供給管１２ａに流入する水はフィルタアセンブリ１３を経由しながら浄
水され得る。
水され得る。
【0140】
蓄熱槽１５が浄水タンク１２と、熱電装置１０００の間に配置されて、熱電装置１００
０で形成された冷気が貯蔵される。蓄熱槽１５に貯蔵された冷気は浄水タンク１２に印加
されて浄水タンク１２０に収容された水を冷却させる。
０で形成された冷気が貯蔵される。蓄熱槽１５に貯蔵された冷気は浄水タンク１２に印加
されて浄水タンク１２０に収容された水を冷却させる。
【0141】
冷気の伝達が円滑に行われ得るように、蓄熱槽１５は浄水タンク１２と面接触され得る
。
。
【0142】
熱電装置１０００は前述した通り、吸熱面と発熱面を具備し、Ｐ型半導体およびＮ型半
導体上の電子移動によって、一側は冷却し、他側は加熱する。
導体上の電子移動によって、一側は冷却し、他側は加熱する。
【0143】
ここで、一側は浄水タンク１２側であり、他側は浄水タンク１２の反対側であり得る。
【0144】
また、前述した通り、熱電装置１０００は防水および防塵性能が優秀であり、熱流動性
能が改善されて浄水器内で浄水タンク１２を効率的に冷却することができる。
能が改善されて浄水器内で浄水タンク１２を効率的に冷却することができる。
【0145】
以下では、図２０を参照して本発明の実施例に係る熱電素子が冷蔵庫に適用された例を
説明する。
説明する。
【0146】
図２０は、本発明の実施例に係る熱電素子が適用された冷蔵庫のブロック図である。
【0147】
冷蔵庫は深温蒸発室内に深温蒸発室カバー２３、蒸発室区画壁２４、メイン蒸発器２５
、冷却ファン２６および熱電装置１０００を含む。
、冷却ファン２６および熱電装置１０００を含む。
【0148】
冷蔵庫内は深温蒸発室カバー２３によって深温貯蔵室と深温蒸発室に区画される。
【0149】
詳細には、前記深温蒸発室カバー２３の前方に該当する内部空間が深温貯蔵室と定義さ
れ、深温蒸発室カバー２３の後方に該当する内部空間が深温蒸発室と定義され得る。
れ、深温蒸発室カバー２３の後方に該当する内部空間が深温蒸発室と定義され得る。
【0150】
深温蒸発室カバー２３の前面には吐出グリル２３ａと吸込グリル２３ｂがそれぞれ形成
され得る。
され得る。
【0151】
蒸発室区画壁２４はインナーキャビネットの後壁から前方に離隔する地点に設置されて
、深温室貯蔵システムが置かれる空間とメイン蒸発器２５が置かれる空間を区画する。
、深温室貯蔵システムが置かれる空間とメイン蒸発器２５が置かれる空間を区画する。
【0152】
メイン蒸発器２５によって冷却される冷気は、冷凍室に供給された後再びメイン蒸発器
側に戻る。
側に戻る。
【0153】
熱電装置１０００は深温蒸発室に収容され、吸熱面が深温貯蔵室の引き出しアセンブリ
側を向き、発熱面が蒸発器側に向かう構造をなす。したがって、熱電装置１０００で発生
する吸熱現象を利用して引き出しアセンブリに貯蔵された飲食物を摂氏零下５０度以下の
超低温状態に迅速に冷却させるのに使われ得る。
側を向き、発熱面が蒸発器側に向かう構造をなす。したがって、熱電装置１０００で発生
する吸熱現象を利用して引き出しアセンブリに貯蔵された飲食物を摂氏零下５０度以下の
超低温状態に迅速に冷却させるのに使われ得る。
【0154】
また、前述した通り、熱電装置１０００は防水および防塵性能が優秀であり、熱流動性
能が改善して、冷蔵庫内で引き出しアセンブリを効率的に冷却することができる。
能が改善して、冷蔵庫内で引き出しアセンブリを効率的に冷却することができる。
【0155】
本発明の実施例に係る熱電素子は発電用装置、冷却用装置、温熱用装置などに作用され
得る。具体的には、本発明の実施例に係る熱電素子は、主に光通信モジュール、センサ、
医療機器、測定機器、航空宇宙産業、冷蔵庫、チラー（ｃｈｉｌｌｅｒ）、自動車通風シ
ート、カップホルダー、洗濯機、乾燥機、ワインセラー、浄水器、センサ用電源供給装置
、サーモパイル（ｔｈｅｒｍｏｐｉｌｅ）などに適用され得る。
得る。具体的には、本発明の実施例に係る熱電素子は、主に光通信モジュール、センサ、
医療機器、測定機器、航空宇宙産業、冷蔵庫、チラー（ｃｈｉｌｌｅｒ）、自動車通風シ
ート、カップホルダー、洗濯機、乾燥機、ワインセラー、浄水器、センサ用電源供給装置
、サーモパイル（ｔｈｅｒｍｏｐｉｌｅ）などに適用され得る。
【0156】
ここで、本発明の実施例に係る熱電素子が医療機器に適用される例として、ＰＣＲ（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒａｓｅ Ｃｈａｉｎ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）機器がある。ＰＣＲ機器はＤＮＡ
を増幅させてＤＮＡの塩基序列を決定するための装備であり、精密な温度制御が要求され
、熱循環（ｔｈｅｒｍａｌ ｃｙｃｌｅ）が必要な機器である。このために、ペルティエ
基盤の熱電素子が適用され得る。
ｏｌｙｍｅｒａｓｅ Ｃｈａｉｎ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）機器がある。ＰＣＲ機器はＤＮＡ
を増幅させてＤＮＡの塩基序列を決定するための装備であり、精密な温度制御が要求され
、熱循環（ｔｈｅｒｍａｌ ｃｙｃｌｅ）が必要な機器である。このために、ペルティエ
基盤の熱電素子が適用され得る。
【0157】
本発明の実施例に係る熱電素子が医療機器に適用される他の例として、光検出器がある
。ここで、光検出器は赤外線／紫外線検出器、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ）センサ、Ｘ－ｒａｙ検出器、ＴＴＲＳ（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｓｏｕｒｃｅ）などがある。光検出器の冷却（ｃ
ｏｏｌｉｎｇ）のためにペルティエ基盤の熱電素子が適用され得る。これに伴い、光検出
器の内部の温度上昇による波長の変化、出力の低下および解像力の低下などを防止するこ
とができる。
。ここで、光検出器は赤外線／紫外線検出器、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ）センサ、Ｘ－ｒａｙ検出器、ＴＴＲＳ（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｓｏｕｒｃｅ）などがある。光検出器の冷却（ｃ
ｏｏｌｉｎｇ）のためにペルティエ基盤の熱電素子が適用され得る。これに伴い、光検出
器の内部の温度上昇による波長の変化、出力の低下および解像力の低下などを防止するこ
とができる。
【0158】
本発明の実施例に係る熱電素子が医療機器に適用されるさらに他の例として、免疫分析
（ｉｍｍｕｎｏａｓｓａｙ）分野、インビトロ診断（Ｉｎ ｖｉｔｒｏ Ｄｉａｇｎｏｓ
ｔｉｃｓ）分野、温度制御および冷却システム（ｇｅｎｅｒａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ａｎｄ ｃｏｏｌｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）、物理治療分野、液状
チラーシステム、血液／プラズマ温度制御分野などがある。これに伴い、精密な温度制御
が可能である。
（ｉｍｍｕｎｏａｓｓａｙ）分野、インビトロ診断（Ｉｎ ｖｉｔｒｏ Ｄｉａｇｎｏｓ
ｔｉｃｓ）分野、温度制御および冷却システム（ｇｅｎｅｒａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ａｎｄ ｃｏｏｌｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）、物理治療分野、液状
チラーシステム、血液／プラズマ温度制御分野などがある。これに伴い、精密な温度制御
が可能である。
【0159】
本発明の実施例に係る熱電素子が医療機器に適用されるさらに他の例として、人工心臓
がある。これに伴い、人工心臓に電源を供給することができる。
がある。これに伴い、人工心臓に電源を供給することができる。
【0160】
本発明の実施例に係る熱電素子が航空宇宙産業に適用される例として、星追跡システム
、熱イメージングカメラ、赤外線／紫外線検出器、ＣＣＤセンサ、ハッブル宇宙望遠鏡、
ＴＴＲＳなどがある。これに伴い、イメージセンサの温度を維持することができる。
、熱イメージングカメラ、赤外線／紫外線検出器、ＣＣＤセンサ、ハッブル宇宙望遠鏡、
ＴＴＲＳなどがある。これに伴い、イメージセンサの温度を維持することができる。
【0161】
本発明の実施例に係る熱電素子が航空宇宙産業に適用される他の例として、冷却装置、
ヒーター、発電装置などがある。
ヒーター、発電装置などがある。
【0162】
この他にも本発明の実施例に係る熱電素子は、その他の産業分野に発電、冷却および温
熱のために適用され得る。
熱のために適用され得る。
【0163】
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業
者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から逸脱しない範囲内で
本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。
者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から逸脱しない範囲内で
本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【手続補正書】
【提出日】2024-04-11
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１金属基板、
前記第１金属基板上に配置される第１樹脂層、
前記第１樹脂層上に少なくとも一部が埋め立てられた第１電極、
前記第１電極上に配置された半導体構造物、
前記半導体構造物上に配置された第２電極、
前記第２電極上に配置される第２樹脂層、そして
前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、
前記第１樹脂層の上面は前記第１電極が配置された第１面および前記第１面周辺に配置されて前記第１金属基板に向かって凹んでいる第１凹面を含み、
前記第２樹脂層の底面は前記第２電極が配置された第２面および前記第２面周辺に配置されて前記第２金属基板に向かって凹んでいる第２凹面を含み、
前記第１電極の側面に配置された前記第１樹脂層の厚さは前記第１面の下部に配置された前記第１樹脂層の厚さより厚い、熱電素子。
前記第１金属基板上に配置される第１樹脂層、
前記第１樹脂層上に少なくとも一部が埋め立てられた第１電極、
前記第１電極上に配置された半導体構造物、
前記半導体構造物上に配置された第２電極、
前記第２電極上に配置される第２樹脂層、そして
前記第２樹脂層上に配置される第２金属基板を含み、
前記第１樹脂層の上面は前記第１電極が配置された第１面および前記第１面周辺に配置されて前記第１金属基板に向かって凹んでいる第１凹面を含み、
前記第２樹脂層の底面は前記第２電極が配置された第２面および前記第２面周辺に配置されて前記第２金属基板に向かって凹んでいる第２凹面を含み、
前記第１電極の側面に配置された前記第１樹脂層の厚さは前記第１面の下部に配置された前記第１樹脂層の厚さより厚い、熱電素子。
【請求項2】
前記第１凹面は前記第１電極の上面より前記第１金属基板に近く配置され、前記第２凹面は前記第２電極の下面より前記第２金属基板に近く配置された、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項3】
前記第１凹面の一部の領域と前記第２凹面の一部の領域は垂直に重なった、請求項１または請求項２に記載の熱電素子。
【請求項4】
前記第１樹脂層の前記第１面は前記第１電極の底面に対応する平坦面を含み、
前記第２樹脂層の前記第２面は前記第２電極の上面に対応する平坦面を含む、請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の熱電素子。
前記第２樹脂層の前記第２面は前記第２電極の上面に対応する平坦面を含む、請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項5】
前記第１樹脂層の前記第１面の一部の領域と前記第２樹脂層の前記第２面の一部の領域は垂直に重なった、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項6】
前記第１樹脂層は上面が前記第１面である第１領域、および上面が前記第１凹面である第２領域を含み、
前記第１領域の厚さと前記第２領域の最小厚さは互いに異なる、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の熱電素子。
前記第１領域の厚さと前記第２領域の最小厚さは互いに異なる、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項7】
前記第２領域の厚さは前記第１電極に近づくほど大きくなる、請求項６に記載の熱電素子。
【請求項8】
前記第１樹脂層は前記第１領域の外側に配置された第３領域をさらに含む、請求項６に記載の熱電素子。
【請求項9】
前記第３領域の厚さは前記第１領域の厚さより厚い、請求項８に記載の熱電素子。
【請求項10】
前記第２樹脂層は底面が前記第２面である第４領域、および底面が前記第２凹面である第５領域を含み、
前記第４領域の厚さと前記第５領域の最小厚さは互いに異なる、請求項１～請求項９のいずれか一項に記載の熱電素子。
前記第４領域の厚さと前記第５領域の最小厚さは互いに異なる、請求項１～請求項９のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項11】
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層のうち少なくとも一つの厚さは０．０２ｍｍ以上である、請求項１～請求項１０のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項12】
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層のうち少なくとも一つの厚さは０．６ｍｍ以下である、請求項１～請求項１１のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項13】
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層のうち少なくとも一つは樹脂および無機充填材を含む、請求項１～請求項１２のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項14】
前記第１電極の上面は前記半導体構造物が配置された平坦面および前記平坦面周辺に配置された第１突出面を含む、請求項１～請求項１３のいずれか一項に記載の熱電素子。
【請求項15】
前記第１突出面は炭化物を含む、請求項１４に記載の熱電素子。
【請求項16】
前記第１突出面は前記第１電極の前記平坦面周辺に連続的に配置された、請求項１５に記載の熱電素子。