(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024102144
(43)【公開日】2024-07-30
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20240723BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
【審査請求】有
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024071073
(22)【出願日】2024-04-25
(62)【分割の表示】P 2021566348の分割
【原出願日】2020-05-11
(31)【優先権主張番号】62/847,868
(32)【優先日】2019-05-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】62/869,979
(32)【優先日】2019-07-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】16/849,842
(32)【優先日】2020-04-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】506029004
【氏名又は名称】ソウル バイオシス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＯＵＬ ＶＩＯＳＹＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】６５－１６，Ｓａｎｄａｎ－ｒｏ １６３ Ｂｅｏｎ－ｇｉｌ，Ｄａｎｗｏｎ－ｇｕ，Ａｎｓａｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】ジャン，ジョン ミン
(72)【発明者】
【氏名】キム，チャン ヨン
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光パッケージ製造時の転写プロセスの間、発光積層構造を保護する。
【解決手段】発光パッケージ１１０は、第１ＬＥＤサブユニットと、前記第１ＬＥＤサブユニット上に配置された第２ＬＥＤサブユニットと、前記第２ＬＥＤサブユニット上に配置された第３ＬＥＤサブユニットと、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つに電気的に接続された複数の接続電極であって、前記複数の接続電極は、側面を有し、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つの側面を覆うように配置されている、複数の接続電極と、前記接続電極の少なくとも側面を囲む第１パッシベーション層と、第１面と第２面が対向しており、前記第１面が前記ＬＥＤサブユニットに対向している絶縁層１１ｐと、前記絶縁層の第２面に配置され、前記接続電極の少なくとも１つに接続された第１電極１１ｐｃと、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】発光パッケージ１１０は、第１ＬＥＤサブユニットと、前記第１ＬＥＤサブユニット上に配置された第２ＬＥＤサブユニットと、前記第２ＬＥＤサブユニット上に配置された第３ＬＥＤサブユニットと、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つに電気的に接続された複数の接続電極であって、前記複数の接続電極は、側面を有し、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つの側面を覆うように配置されている、複数の接続電極と、前記接続電極の少なくとも側面を囲む第１パッシベーション層と、第１面と第２面が対向しており、前記第１面が前記ＬＥＤサブユニットに対向している絶縁層１１ｐと、前記絶縁層の第２面に配置され、前記接続電極の少なくとも１つに接続された第１電極１１ｐｃと、を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１ＬＥＤサブユニットと、
前記第１ＬＥＤサブユニット上に配置された第２ＬＥＤサブユニットと、
前記第２ＬＥＤサブユニット上に配置された第３ＬＥＤサブユニットと、
前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つに電気的に接続された複数の接続電極であって、前記複数の接続電極は、側面を有し、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つの側面を覆うように配置されている、複数の接続電極と、
前記接続電極の少なくとも側面を囲む第１パッシベーション層と、
第１面と第２面が対向しており、前記第１面が前記ＬＥＤサブユニットに対向している絶縁層と、
前記絶縁層の第２面に配置され、前記接続電極の少なくとも１つに接続された第１電極と、
を含む、発光パッケージ。
前記第１ＬＥＤサブユニット上に配置された第２ＬＥＤサブユニットと、
前記第２ＬＥＤサブユニット上に配置された第３ＬＥＤサブユニットと、
前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つに電気的に接続された複数の接続電極であって、前記複数の接続電極は、側面を有し、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つの側面を覆うように配置されている、複数の接続電極と、
前記接続電極の少なくとも側面を囲む第１パッシベーション層と、
第１面と第２面が対向しており、前記第１面が前記ＬＥＤサブユニットに対向している絶縁層と、
前記絶縁層の第２面に配置され、前記接続電極の少なくとも１つに接続された第１電極と、
を含む、発光パッケージ。
【請求項2】
前記複数の接続電極は、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットの少なくとも１つと重なっている、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項3】
前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板をさらに含み、
前記基板は、前記第１パッシベーション層から露出している、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記基板は、前記第１パッシベーション層から露出している、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項4】
前記第１パッシベーション層は、前記複数の接続電極の間に配置されている、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項5】
前記第１電極は、前記複数の接続電極の１つに対応する複数のコンタクト電極を含み、
前記複数のコンタクト電極は、第１ピッチで互いに離間し、
前記複数の接続電極は、第２ピッチで互いに離間し、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きい、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記複数のコンタクト電極は、第１ピッチで互いに離間し、
前記複数の接続電極は、第２ピッチで互いに離間し、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きい、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項6】
第１ＬＥＤサブユニットは、第１方向に沿って垂直方向に延び、
前記第１電極は、前記第１方向に沿って前記第１ＬＥＤサブユニットから離れて延在する、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記第１電極は、前記第１方向に沿って前記第１ＬＥＤサブユニットから離れて延在する、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項7】
前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、
前記補助電極の少なくとも側面を囲み、前記第１パッシベーション層から間隔を空けて配置された第２パッシベーション層と、
をさらに含む、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記補助電極の少なくとも側面を囲み、前記第１パッシベーション層から間隔を空けて配置された第２パッシベーション層と、
をさらに含む、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項8】
上面及び側面を有し、前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板と、
前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、
前記補助電極の少なくとも側面を囲む第２パッシベーション層と、
をさらに含み、
前記第１パッシベーション層が、前記基板の上面及び側面を覆う、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、
前記補助電極の少なくとも側面を囲む第２パッシベーション層と、
をさらに含み、
前記第１パッシベーション層が、前記基板の上面及び側面を覆う、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項9】
前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板をさらに含み、
前記第１ＬＥＤサブユニットは、第１発光積層体を含み、
前記第２ＬＥＤサブユニットは、第２発光積層体を含み、
前記第３ＬＥＤサブユニットは、第３発光積層体を含み、
前記第１、第２及び第３発光積層体は、前記基板と重なる領域が順次小さくなり、
前記発光積層体の少なくとも１つは、表面積が約１０，０００平方μｍ以下のマイクロＬＥＤを含む、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記第１ＬＥＤサブユニットは、第１発光積層体を含み、
前記第２ＬＥＤサブユニットは、第２発光積層体を含み、
前記第３ＬＥＤサブユニットは、第３発光積層体を含み、
前記第１、第２及び第３発光積層体は、前記基板と重なる領域が順次小さくなり、
前記発光積層体の少なくとも１つは、表面積が約１０，０００平方μｍ以下のマイクロＬＥＤを含む、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項10】
前記第１パッシベーション層は、黒色のエポキシモールディングコンパウンド及びポリイミドフィルムの少なくとも一方を含み、
前記第１パッシベーション層は、前記第３ＬＥＤサブユニットの上面を覆う、請求項１に記載の発光パッケージ。
前記第１パッシベーション層は、前記第３ＬＥＤサブユニットの上面を覆う、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項11】
前記第３ＬＥＤサブユニットと前記複数の接続電極との間に配置された第２パッシベーション層をさらに含む、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項12】
前記複数の接続電極の少なくとも１つは、前記第２パッシベーション層の側面の一部及び上面の一部を覆う、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項13】
前記第１パッシベーション層は、前記複数の接続電極の間に配置される、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項14】
前記第１パッシベーション層は、前記複数の接続電極の間で前記第２パッシベーション層に接触する、請求項１２に記載の発光パッケージ。
【請求項15】
前記第１パッシベーション層と前記第２パッシベーション層とは、同一材料を含む、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項16】
前記第１電極は、前記複数の接続電極の１つに対応する複数のコンタクト電極を含み、
前記複数のコンタクト電極は、第１ピッチで互いに離間し、
前記複数の接続電極は、第２ピッチで互いに離間し、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きい、請求項１１に記載の発光パッケージ。
前記複数のコンタクト電極は、第１ピッチで互いに離間し、
前記複数の接続電極は、第２ピッチで互いに離間し、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きい、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項17】
前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板をさらに含み、
前記第２パッシベーション層の側面と前記基板の上面との間に定義される角度が約８０°未満である、請求項１１に記載の発光パッケージ。
前記第２パッシベーション層の側面と前記基板の上面との間に定義される角度が約８０°未満である、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項18】
前記第１パッシベーション層は、前記基板の上面を露出する、請求項１７に記載の発光パッケージ。
【請求項19】
前記絶縁層の前記第２面上に形成された側面を有する補助電極と、
前記補助電極の少なくとも側面を囲み、前記第１パッシベーション層及び前記第２パッシベーション層から離隔して配置された第３パッシベーション層と、
をさらに含む、請求項１１に記載の発光パッケージ。
前記補助電極の少なくとも側面を囲み、前記第１パッシベーション層及び前記第２パッシベーション層から離隔して配置された第３パッシベーション層と、
をさらに含む、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項20】
上面及び側面を有し、前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板と、
前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、
前記補助電極を実質的に囲む第３パッシベーション層と、
をさらに含み、
前記第１パッシベーション層が、前記基板の上面及び側面の少なくとも一部を覆う、請求項１１に記載の発光パッケージ。
前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、
前記補助電極を実質的に囲む第３パッシベーション層と、
をさらに含み、
前記第１パッシベーション層が、前記基板の上面及び側面の少なくとも一部を覆う、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の例示的な実施形態は、ディスプレイ用の発光チップ及びその製造方法に関し、より具体的には、積層構造を有するマイクロ発光チップ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
無機質な光源である発光ダイオード（ＬＥＤ）は，ディスプレイ，車載用ランプ，一般照明など，さまざまな技術分野で利用されている。発光ダイオードは、長寿命、低消費電力、高応答性などの特長を持ち、既存の光源に代わって急速に普及している。
【0003】
発光ダイオードは、主にディスプレイ装置のバックライト用光源として使用されてきた。しかし、最近では、発光ダイオードを用いて直接画像を表示できるマイクロＬＥＤディスプレイが開発されている。
【0004】
一般的に、表示装置は、青、緑、赤の光の混合色を用いて様々な色を実現する。表示装置は、青、緑、赤の各色に対応するサブピクセルを有する画素を含み、ある画素の色は、そのサブピクセルの色に基づいて決定され、画素の組み合わせによって画像を表示することができる。
【0005】
ＬＥＤは、その構成材料によって様々な色を発光することができるため、表示装置は通常、青、緑、赤の光を発する個々のＬＥＤチップを２次元平面上に配置することができる。しかし、サブピクセルごとに１つのＬＥＤチップを設けると、表示装置を形成するために実装が必要なＬＥＤチップの数が、例えば数十万個以上、数百万個以上と非常に多くなり、実装作業に多大な時間と手間がかかる場合がある。さらに、サブピクセルは表示装置の２次元平面上に配置されるため、青、緑、赤の光に対するサブピクセルを含めて１つの画素に比較的大きな面積が必要となり、各サブピクセルの発光面積を小さくすると、サブピクセルの輝度が劣化してしまうという問題がある。
【0006】
また、マイクロＬＥＤは一般的に表面積が約１０，０００平方μｍ以下と非常に小さいため、この小ささに起因する様々な技術的問題が生じている。例えば、基板上にマイクロＬＥＤのアレイを形成し、基板を切断することにより、マイクロＬＥＤを個々のマイクロＬＥＤチップに個片化することがある。その後、プリント基板などの別の基板にマイクロＬＥＤチップを実装し、その際に様々な転写技術を用いることがある。しかし、これらの転送ステップにおいて、各マイクロＬＥＤチップは、その小さなサイズと脆弱な構造のために、一般的に取り扱いが困難である。さらに、表示装置などのターゲット基板上に形成される電極は、複数のサブピクセルが２次元平面上に配置された従来の画素の電極のピッチに相当するピッチで互いに離間しているのが一般的である。
【0007】
この「背景」で開示されている上記の情報は、あくまでも本発明の概念の背景を理解するためのものであり、したがって、先行技術に該当しない情報が含まれている可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の原理及びいくつかの例示的な実施例に従って構成された発光チップは、様々な転写プロセスの間、発光積層構造を保護することができる。
【0009】
本発明の原理及びいくつかの例示的な実施例に従って構成された発光チップ、例えばマイクロＬＥＤ、及びそれを用いたディスプレイは、構造が単純化されており、製造時の実装プロセスの時間を短縮することができる。
【0010】
本発明の原理といくつかの例示的な実施例に従って構成された発光パッケージ、例えばマイクロＬＥＤは、取り扱いや移動を容易にするために内部構造を強化して、従来のディスプレイデバイスに搭載することができる。
【0011】
本発明の原理及びいくつかの例示的な実施例に従って構成された発光パッケージ、例えばマイクロＬＥＤは、ＬＥＤ積層体の１つの成長基板など、発光積層構造の基板を除去しないことによって生成された強化構造を有する。
【0012】
本発明の概念の追加の特徴は、以下の説明に記載され、部分的には説明から明らかになり又は本発明の概念の実践によって知ることができる。
【課題を解決するための手段】
【0013】
例示的な実施形態による発光パッケージは、第１ＬＥＤサブユニットと、前記第１ＬＥＤサブユニット上に配置された第２ＬＥＤサブユニットと、前記第２ＬＥＤサブユニット上に配置された第３ＬＥＤサブユニットと、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つに電気的に接続された複数の接続電極であって、前記複数の接続電極は、側面を有し、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットのうちの少なくとも１つの側面を覆うように配置されている、複数の接続電極と、前記接続電極の少なくとも側面を囲む第１パッシベーション層と、第１面と第２面が対向しており、前記第１面が前記ＬＥＤサブユニットに対向している絶縁層と、前記絶縁層の第２面に配置され、前記接続電極の少なくとも１つに接続された第１電極と、を含む。
【0014】
前記複数の接続電極は、前記第１、第２及び第３ＬＥＤサブユニットの少なくとも１つと重なっていてもよい。
【0015】
前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板をさらに含んでいてもよく、前記基板は、前記第１パッシベーション層から露出していてもよい。
【0016】
前記第１パッシベーション層は、前記複数の接続電極の間に配置されていてもよい。
【0017】
前記第１電極は、前記複数の接続電極の１つに対応する複数のコンタクト電極を含んでいてもよく、前記複数のコンタクト電極は、第１ピッチで互いに離間していてもよく、前記複数の接続電極は、第２ピッチで互いに離間し、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きくてもよい。
【0018】
第１ＬＥＤサブユニットは、第１方向に沿って垂直方向に延びていてもよく、前記第１電極は、前記第１方向に沿って前記第１ＬＥＤサブユニットから離れて延在していてもよい。
【0019】
発光パッケージは、前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、前記補助電極の少なくとも側面を囲み、前記第１パッシベーション層から間隔を空けて配置された第２パッシベーション層と、をさらに含んでいてもよい。
【0020】
発光パッケージは、上面及び側面を有し、前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板と、前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、前記補助電極の少なくとも側面を囲む第２パッシベーション層と、をさらに含んでいてもよく、前記第１パッシベーショ
ン層が、前記基板の上面及び側面を覆っていてもよい。
ン層が、前記基板の上面及び側面を覆っていてもよい。
【0021】
発光パッケージは、前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板をさらに含んでいてもよい。前記第１ＬＥＤサブユニットは、第１発光積層体を含んでいてもよく、前記第２ＬＥＤサブユニットは、第２発光積層体を含んでいてもよく、前記第３ＬＥＤサブユニットは、第発光積層体を含んでいてもよい。前記第１、第２及び第３発光積層体は、前記基板と重なる領域が順次小さくなっていてもよく、前記発光積層体の少なくとも１つは、表面積が約１０，０００平方μｍ以下のマイクロＬＥＤを含んでいてもよい。
【0022】
前記第１パッシベーション層は、黒色のエポキシモールディングコンパウンド及びポリイミドフィルムの少なくとも一方を含んでいてもよく、前記第１パッシベーション層は、前記第３ＬＥＤサブユニットの上面を覆っていてもよい。
【0023】
発光パッケージは、前記第３ＬＥＤサブユニットと前記複数の接続電極との間に配置された第２パッシベーション層をさらに含んでいてもよい。
【0024】
前記複数の接続電極の少なくとも１つは、前記第２パッシベーション層の側面の一部及び上面の一部を覆っていてもよい。
【0025】
前記第１パッシベーション層は、前記複数の接続電極の間に配置されていてもよい。
【0026】
前記第１パッシベーション層は、前記複数の接続電極の間で前記第２パッシベーション層に接触していてもよい。
【0027】
前記第１パッシベーション層と前記第２パッシベーション層とは、同一材料を含んでいてもよい。
【0028】
前記第１電極は、前記複数の接続電極の１つに対応する複数のコンタクト電極を含んでいてもよく、前記複数のコンタクト電極は、第１ピッチで互いに離間していてもよく、前記複数の接続電極は、第２ピッチで互いに離間し、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きくなっていてもよい。
【0029】
発光パッケージは、前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板をさらに含んでいてもよい。この場合、前記第２パッシベーション層の側面と前記基板の上面との間に定義される角度が約８０°未満であってもよい。
【0030】
前記第１パッシベーション層は、前記基板の上面を露出してもよい。
【0031】
発光パッケージは、前記絶縁層の前記第２面上に形成された側面を有する補助電極と、前記補助電極の少なくとも側面を囲み、前記第１パッシベーション層及び前記第２パッシベーション層から離隔して配置された第３パッシベーション層と、
をさらに含んでもよい。
をさらに含んでもよい。
【0032】
発光パッケージは、上面及び側面を有し、前記第１ＬＥＤサブユニットが配置された基板と、前記絶縁層の前記第２面に配置された補助電極と、前記補助電極を実質的に囲む第３パッシベーション層と、をさらに含んでいてもよく前記第１パッシベーション層が、前記基板の上面及び側面の少なくとも一部を覆っていてもよい。
【0033】
前述の一般的な説明と以下の詳細な説明の両方は例示的かつ説明的であり、請求項に記載された本発明のさらなる説明を提供することを意図していることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【0034】
本発明のさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれてその一部を構成する添付図面は、本発明の例示的な実施形態を示しており、説明と合わせて本発明の概念を説明する役割を果たしている。
【0035】
【図1】本発明の例示的な実施形態に従って構成された発光パッケージの模式的な断面図である。
【図2】例示的な実施形態に従って構成された発光積層構造の模式的な断面図である。
【図3A】例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図4A】例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図5A】例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図6A】例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図7A】例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図8A】例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図9A】例示的な実施形態に従って構成された発光チップの概略的な平面図である。
【図15】基本的的な構造を示す、例示的な実施形態による発光モジュールの模式的な底面図である。
【図16】別の例示的な実施形態による発光パッケージの模式的な断面図である。
【図17】さらに別の例示的な実施形態による発光パッケージの模式的な断面図である。
【図18】本発明の別の例示的な実施形態に従って構成された発光パッケージの模式的な断面図である。
【図19A】別の例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図20A】別の例示的な実施形態による発光チップの製造工程を示す平面図である。
【図23】さらに別の例示的な実施形態による発光パッケージの模式的な断面図である。
【図24】さらに別の例示的な実施形態による発光パッケージの模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下の記載では、説明のために、本発明の様々な例示的な実施形態又は実装の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載されている。本明細書で使用される「実施形態」（ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）及び「実装」（ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎｓ）は、本明細書で開示される発明的概念の１つ以上を採用する装置又は方法の非限定的な例である交換可能な言葉である。しかしながら、様々な例示的な実施形態は、これらの特定の詳細なしに又は１つ以上の同等の配置で実施することができることは明らかである。他の例では、様々な例示的な実施形態を不必要に不明瞭にすることを避けるために、よく知られた構造や装置をブロック図の形で示している。さらに、様々な例示的な実施形態は異なっていてもよいが、排他的である必要はない。例えば、例示的な実施形態の特定の形状、構成及び特性は、本発明の概念から逸脱することなく、別の例示的な実施形態で使用又は実装することができる。
【0037】
特に明記しない限り、図示された例示的な実施形態は、本発明の概念を実際に実施することができるいくつかの方法の様々な詳細の例示的な特徴を提供するものとして理解されるべきである。したがって、特に指定しない限り、様々な実施形態の特徴、構成要素、モジュール、層、フィルム、パネル、領域及び／又は側面など（以下、個別に又はまとめて「要素」と呼ぶ）は、本発明の概念から逸脱することなく、別の方法で組み合わせ、分離し、交換し及び／又は再配置することができる。
【0038】
添付図面のクロスハッチング及び／又はシェーディングの使用は、一般に、隣接する要素間の境界を明確にするためのものである。そのため、クロスハッチングや陰影の有無にかかわらず、特定の材料、材料特性、寸法、比率、図示された要素間の共通性及び／又は要素のその他の特性、属性、性質などについて、指定されない限り、好みや要求を伝えたり示したりするものではない。さらに、添付の図面では、要素のサイズ及び相対的なサイズは、明確化及び／又は説明目的のために誇張されている場合がある。例示的な実施形態が異なって実施される可能性がある場合、特定の処理順序が記載された順序とは異なって実行される可能性がある。例えば、連続して記述された２つのプロセスは、実質的に同時に実行されてもよいし、記述された順序とは逆の順序で実行されてもよい。また、同様の参照数字は同様の要素を示す。
【0039】
要素や層が他の要素や層の「上」にある、「接続されている」、「結合されている」とした場合、他の要素や層の上に直接あるか、接続されているか、結合されているか、あるいは介在する要素や層が存在している可能性がある。しかし、ある要素や層が、他の要素
や層の「直上」にある、「直接接続されている」、「直接結合されている」とした場合、介在する要素や層は存在しない。このため、「接続されている」という用語は、介在する要素の有無にかかわらず、物理的、電気的及び／又は流体的な接続を指すことがある。さらに、Ｄ１軸、Ｄ２軸、Ｄ３軸は、ｘ、ｙ、ｚ－軸のような直交座標系の３軸に限定されず、より広い意味で解釈されてもよい。例えば、Ｄ１軸、Ｄ２軸、Ｄ３軸は、互いに直交していてもよいし、互いに直交しない異なる方向を表していてもよい。本開示の目的のために、「Ｘ、Ｙ及びＺのうちの少なくとも１つ」及び「Ｘ、Ｙ及びＺからなる群から選択される少なくとも１つ」は、Ｘのみ、Ｙのみ、Ｚのみ又はＸ、Ｙ及びＺのうちの２つ以上の任意の組み合わせ、例えば、ＸＹＺ、ＸＹＹ、ＹＺ及びＺＺなどと解釈されてもよい。本明細書では、「及び／又は」という用語は、関連する記載された項目の１つ又は複数の任意及びすべての組み合わせを含む。
や層の「直上」にある、「直接接続されている」、「直接結合されている」とした場合、介在する要素や層は存在しない。このため、「接続されている」という用語は、介在する要素の有無にかかわらず、物理的、電気的及び／又は流体的な接続を指すことがある。さらに、Ｄ１軸、Ｄ２軸、Ｄ３軸は、ｘ、ｙ、ｚ－軸のような直交座標系の３軸に限定されず、より広い意味で解釈されてもよい。例えば、Ｄ１軸、Ｄ２軸、Ｄ３軸は、互いに直交していてもよいし、互いに直交しない異なる方向を表していてもよい。本開示の目的のために、「Ｘ、Ｙ及びＺのうちの少なくとも１つ」及び「Ｘ、Ｙ及びＺからなる群から選択される少なくとも１つ」は、Ｘのみ、Ｙのみ、Ｚのみ又はＸ、Ｙ及びＺのうちの２つ以上の任意の組み合わせ、例えば、ＸＹＺ、ＸＹＹ、ＹＺ及びＺＺなどと解釈されてもよい。本明細書では、「及び／又は」という用語は、関連する記載された項目の１つ又は複数の任意及びすべての組み合わせを含む。
【0040】
本明細書では、様々なタイプの要素を説明するために「第１」、「第２」などの用語を使用することがあるが、これらの要素はこれらの用語によって限定されるべきではない。これらの用語は、ある要素を別の要素から区別するために使用される。したがって、以下で説明する第１要素は、本開示の教示から逸脱することなく、第２要素と呼ぶことができる。
【0041】
本明細書では、説明の目的で、図面に示されたある要素と他の要素との関係を説明するために、下に（ｂｅｎｅａｔｈ）、下方に（ｂｅｌｏｗ）、真下に（ｕｎｄｅｒ）、より低い（ｌｏｗｅｒ）、上方に（ａｂｏｖｅ）、上の方の（ｕｐｐｅｒ）、真上に（ｏｖｅｒ）、より高い（ｈｉｇｈｅｒ）、側方の（ｓｉｄｅ）（例えば、側壁（ｓｉｄｅｗａｌｌ）のように）などの空間的に相対的な用語を使用することができる。空間的に相対的な用語は、図面に描かれている向きに加えて、使用、操作及び製造における装置の異なる向きを包含することを意図している。例えば、図面の装置を裏返した場合、他の要素又は特徴の「下方」（ｂｅｌｏｗ）又は「下」（ｂｅｎｅａｔｈ）として記述された要素は、他の要素又は特徴の「上方」（ａｂｏｖｅ）に向けられることになる。したがって、「下方」（ｂｅｌｏｗ）という例示的な用語は、上と下の両方の向きを包含することができる。さらに、本装置は、他の向き（例えば、９０度回転させたり、他の向きにしたり）であってもよく、そのような場合、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は、それに応じて解釈される。
【0042】
本明細書で使用されている用語は、特定の実施形態を説明するためのものであり、限定することを意図したものではない。本明細書で使用される単数形、「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、文脈が明確に他を示さない限り、複数形も含むことを意図している。さらに、本明細書で使用される用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」及び／又は「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、記載された特徴、整数、ステップ、操作、要素（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）、構成要素（ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）及び／又はそれらのグループの存在を特定するが、１つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、操作、要素、構成要素及び／又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではない。また、本明細書では、「実質的に」、「約」及びその他の類似した用語は、程度を表す用語ではなく、近似性を表す用語として使用されており、当業者であれば認識できるであろう、測定値、計算値及び提供された値の固有の偏差を考慮するために利用されていることにも留意されたい。
【0043】
本明細書では、様々な例示的な実施形態を、理想化された例示的な実施形態及び／又は中間構造の概略図である断面図及び／又は分解図を参照して説明している。そのため、例えば、製造技術及び／又は公差の結果として、図の形状からの変動が予想される。したがって、ここで開示されている例示的な実施形態は、必ずしも特定の図示された領域の形状に限定して解釈されるべきではなく、例えば、製造に起因する形状の偏差を含むものであ
る。このように、図面に図示された領域は、本質的に概略的であり、これらの領域の形状は、デバイスの領域の実際の形状を反映していない可能性があり、そのような場合、必ずしも限定を意図するものではない。
る。このように、図面に図示された領域は、本質的に概略的であり、これらの領域の形状は、デバイスの領域の実際の形状を反映していない可能性があり、そのような場合、必ずしも限定を意図するものではない。
【0044】
特に定義されていない限り、本明細書で使用されているすべての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本開示が一部をなす技術分野の通常の技術者によって一般的に理解されているのと同じ意味を持つ。一般的に使用されている辞書で定義されているような用語は、本明細書で明示的にそのように定義されていない限り、関連する技術の文脈での意味と一致する意味を持つと解釈されるべきであり、理想化された又は過度に形式的な意味で解釈されるべきではない。
【0045】
以下、本開示の例示的な実施形態について、添付の図面を参照して詳細に説明する。本明細書で使用されるように、例示的な実施形態による発光積層構造、発光チップ、発光パッケージ又は発光モジュールは、当技術分野で知られているように、約１０，０００平方μｍ未満の表面積を有するマイクロＬＥＤを含んでもよい。他の例示的な実施形態では、マイクロＬＥＤは、特定のアプリケーションに応じて、約４，０００平方μｍ未満の表面積又は約２，５００平方μｍ未満の表面積を有してもよい。
【0046】
図１は、本発明の例示的な実施形態に従って構成された発光パッケージの模式的な断面図である。
【0047】
図１を参照すると、図示の例示的な実施形態による発光パッケージ１１０は、発光チップ１００と、発光チップ１００の少なくとも側面を囲むモールディング層（ｍｏｌｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）９１（又は第１モールディング層）と、絶縁層１１ｐと、リード電極１１ｐｃとを含む。発光チップのアレイが基板１１上に形成されていてもよく、図１の発光パッケージ１１０に含まれる発光チップ１００は、アレイから個片化されたものを例示しており、これをさらに加工して発光パッケージ１１０を形成する。
【0048】
例示的な実施形態による発光チップ１００は、基板１１の長手方向と交差する方向、例えば垂直方向に沿って互いに配置された少なくとも２つ以上の発光サブユニット又は発光積層体を含んでいてもよい。このように、発光チップ１００は、各発光積層体の動作状態に応じて様々な色の光を表示することができるが、従来の発光装置では、単色の光を発する複数の発光セルの組み合わせによって様々な色を表示することができる。より詳細には、従来の発光装置は、フルカラー表示を実現するために、２次元平面に沿って互いに間隔をあけて配置された、それぞれ異なる色の光、例えば、赤、緑、青を発する発光セルを含むのが一般的である。そのため、従来の発光セルでは、比較的大きな面積を占めることがある。しかし、例示的な実施形態に従って構成された発光チップ１００は、複数の発光積層体を積層することによって、様々な色を有する光を放出することができ、それによって、高レベルの集積化を実現し、従来の発光装置よりもかなり小さい面積を通じてフルカラースペクトルを実装することができる。
【0049】
また、発光積層構造を含む発光チップ１００を他の基板に実装して、例えば表示装置を製造する場合には、その積層構造により、従来の発光装置に比べて、実装するチップ数を大幅に削減することができる。このように、発光積層構造を採用した表示装置の製造は、特に１つの表示装置に数十万又は数百万の画素が形成される場合には、実質的に簡略化され得る。発光チップ１００は、図２に示すような発光積層構造と、発光積層構造に接続された複数の接続電極とを含んでいてもよいが、以下に詳細に説明する。
【0050】
モールディング層９１は、発光チップ１００の少なくとも側面を取り囲み、発光チップ１００を外部からの衝撃から保護してもよい。図示された例示的な実施形態によれば、モ
ールディング層９１は、発光チップ１００の基板１１を露出させて、光効率を高めてもよい。絶縁層１１ｐは、有機絶縁材料や、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材
料を含んでいてもよい。リード電極１１ｐｃは、絶縁層１１ｐに形成された開口部を介して、後に詳述する発光チップ１００と電気的に接続されていてもよい。また、リード電極１１ｐｃは、所定のピッチＰ（図１５参照）で互いに離間していてもよい。例えば、リード電極１１ｐｃの間のピッチＰは、回路基板や表示装置などのターゲット基板の電極のピッチに対応していてもよい。このようにして、例示的な実施形態による発光パッケージ１１０は、表示装置のターゲット基板の構成を変更することなく、従来の表示装置に実装することができる。発光サブユニットまたは発光積層体は、長手方向に沿って長手方向に延びていてもよく、リード電極１１ｐｃは、長手方向に沿って発光サブユニットまたは発光積層体から離れて延びていてもよい。
ールディング層９１は、発光チップ１００の基板１１を露出させて、光効率を高めてもよい。絶縁層１１ｐは、有機絶縁材料や、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材
料を含んでいてもよい。リード電極１１ｐｃは、絶縁層１１ｐに形成された開口部を介して、後に詳述する発光チップ１００と電気的に接続されていてもよい。また、リード電極１１ｐｃは、所定のピッチＰ（図１５参照）で互いに離間していてもよい。例えば、リード電極１１ｐｃの間のピッチＰは、回路基板や表示装置などのターゲット基板の電極のピッチに対応していてもよい。このようにして、例示的な実施形態による発光パッケージ１１０は、表示装置のターゲット基板の構成を変更することなく、従来の表示装置に実装することができる。発光サブユニットまたは発光積層体は、長手方向に沿って長手方向に延びていてもよく、リード電極１１ｐｃは、長手方向に沿って発光サブユニットまたは発光積層体から離れて延びていてもよい。
【0051】
図２は、例示的な実施形態に従って構成された発光積層構造の模式的な断面図である。
【0052】
図２を参照すると、図示の例示的な実施形態による発光積層構造は、基板１１上に配置された第１ＬＥＤサブユニット、第２ＬＥＤサブユニット及び第３ＬＥＤサブユニットを含む。第１ＬＥＤサブユニットは、第１発光積層体２０を含んでいてもよく、第２ＬＥＤサブユニットは、第２発光積層体３０を含んでいてもよく、第３ＬＥＤサブユニットは、第３発光積層体４０を含んでいてもよい。図面では、３つの発光積層体２０、３０及び４０を含む発光積層構造が示されているが、本発明の概念は、発光積層構造に形成される特定の数の発光積層体に限定されない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、発光積層構造は、その中に２つ以上の発光積層を含んでもよい。以下では、例示的な実施形態による３つの発光積層体２０、３０及び４０を含むものを参照して、発光積層構造を説明する。
【0053】
基板１１は、光を透過させるための光透過性の絶縁材料を含んでいてもよい。しかし、いくつかの例示的な実施形態では、基板１１は、特定の波長を有する光のみを透過する半透明に形成されてもよく又は、特定の波長を有する光の一部のみを透過する部分透明に形成されてもよい。また、基板１１は、その上に第３発光積層体４０をエピタキシャル成長させることが可能な成長基板であってもよく、例えば、サファイア基板などであってもよい。しかし、本発明の概念はこれに限定されるものではなく、いくつかの例示的な実施形態において、基板１１は、他の様々な透明な絶縁材料を含んでもよい。例えば、基板１１は、ガラス、石英、シリコン、有機ポリマー又は有機無機複合材料、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）などを含んでいてもよい。別の例として、いくつかの例示的な実施形態における基板１１は、その上に形成された発光積層体のそれぞれに発光信号及び共通電圧を提供するために、その中に電気配線を含むプリント回路基板又は複合基板であってもよい。
【0054】
第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれは、基板１１に向けて光を発するように構成されている。そのため、例えば第１発光積層体２０から発せられた光は、第２及び第３発光積層体３０及び４０を通過してもよい。例示的な実施形態によれば、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれから放出された光は、互いに異なる波長帯域を有してもよく、基板１１からより遠くに配置されている発光積層体は、より長い波長帯域を有する光を放出してもよい。例えば、第１、第２、第３発光積層体２０、３０及び４０は、それぞれ、赤色光、緑色光、青色光を発光してもよい。しかし、本発明の概念はこれに限定されるものではない。別の例として、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０は、それぞれ赤色光、青色光及び緑色光を発光してもよい。さらに別の例として、別の例示的な実施形態では、１つ以上の発光積層体は、実質的に同じ波長帯域を有する光を放出してもよい。さらに別の例として、発光積層構造が、当該技
術分野で知られているように約１０，０００平方μｍ未満又は他の例示的な実施形態では約４，０００平方μｍ又は約２，５００平方μｍ未満の表面積を有するマイクロＬＥＤを含む場合、マイクロＬＥＤの小さなフォームファクタ（ｆｏｒｍ ｆａｃｔｏｒ）により、動作に悪影響を及ぼすことなく、基板１１から遠くに配置された発光積層体が、基板１１に近くに配置されたものから放出された光よりも短い波長帯域を有する光を放出してもよい。この場合、マイクロＬＥＤは低い動作電圧で動作させることができるため、発光積層体間に別のカラーフィルタを設ける必要がない場合もある。以下、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０は、例示的な実施形態に従って、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光を放出するものとして例示的に説明する。
術分野で知られているように約１０，０００平方μｍ未満又は他の例示的な実施形態では約４，０００平方μｍ又は約２，５００平方μｍ未満の表面積を有するマイクロＬＥＤを含む場合、マイクロＬＥＤの小さなフォームファクタ（ｆｏｒｍ ｆａｃｔｏｒ）により、動作に悪影響を及ぼすことなく、基板１１から遠くに配置された発光積層体が、基板１１に近くに配置されたものから放出された光よりも短い波長帯域を有する光を放出してもよい。この場合、マイクロＬＥＤは低い動作電圧で動作させることができるため、発光積層体間に別のカラーフィルタを設ける必要がない場合もある。以下、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０は、例示的な実施形態に従って、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光を放出するものとして例示的に説明する。
【0055】
第１発光積層体２０は、第１型半導体層２１、活性層２３及び第２型半導体層２５を含む。例示的な実施形態によれば、第１発光積層体２０は、これに限定されることなく、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、ガリウムヒ素リン化物（ＧａＡｓＰ）、アルミニウムガリウムインジウムリン化物（ＡｌＧａＩｎＰ）及びガリウムリン化物（ＧａＰ）などの赤色光を放出する半導体材料を含んでもよい。また、第１発光積層体２０の第２型半導体層２５の下に、第１下部コンタクト電極２５ｐが配置されていてもよい。
【0056】
第２発光積層体３０は、第１型半導体層３１、活性層３３及び第２型半導体層３５を含む。例示的な実施形態によれば、第２発光積層体３０は、これに限定されることなく、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）など、緑色に発光する半導体材料を含んでいてもよい。第２発光積層体３０の第２型半導体層３５の下には、第２下部コンタクト電極３５ｐが配置されている。
【0057】
第３発光積層体４０は、第１種半導体層４１と、活性層４３と、第２種半導体層４５とを含む。例示的な実施形態によれば、第３発光積層体４０は、これに限定されることなく、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）など、青色に発光する半導体材料を含んでいてもよい。第３発光積層体４０の第２型半導体層４５上には、第３下部コンタクト電極４５ｐが配置されている。
【0058】
例示的な実施形態によれば、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０の第１型半導体層２１、３１及び４１のそれぞれと、第２型半導体層２５、３５及び４５のそれぞれは、単層構造又は多層構造を有していてもよく、いくつかの例示的な実施形態では、超格子層を含んでいてもよい。さらに、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０の活性層２３、３３及び４３は、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を有していてもよい。
【0059】
第１、第２及び第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ及び４５ｐのそれぞれは、光を透過させるための透明導電材料を含んでいてもよい。例えば、下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ、４５ｐは、これに限らず、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ2）
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含んでいてもよい。
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含んでいてもよい。
【0060】
第１発光積層体２０と第２発光積層体３０との間には、第１接着層６１が配置されており、第２発光積層体３０と第３発光積層体４０との間には、第２接着層６３が配置されている。第１接着層６１及び第２接着層６３は、光を透過する非導電性材料を含んでいてもよい。例えば、第１接着層６１及び第２接着層６３は、それぞれＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を含んでいてもよく、これに限定されることなく、エポキシ、ポリイミド、ＳＵ８、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ－ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎ
ｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などを含んでいてもよい。
Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を含んでいてもよく、これに限定されることなく、エポキシ、ポリイミド、ＳＵ８、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ－ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎ
ｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などを含んでいてもよい。
【0061】
例示的な実施形態によれば、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれが独立して駆動されてもよい。より詳細には、各発光積層体の第１及び第２型半導体層の一方には共通の電圧Ｓｃが印加され、各発光積層体の第１及び第２型半導体層の他方にはそれぞれの発光信号ＳR、ＳG及びＳBが印加されてもよい。例えば、図示の例示的な
実施形態によれば、各発光積層体の第１型半導体層２１、３１、４１がｎ型であり、各発光積層体の第２型半導体層２５、３５、４５がｐ型であってもよい。この場合、第３発光積層体４０は、第１発光積層体２０及び第２発光積層体３０と比較して、製造工程を簡略化するために、ｐ型半導体層４５が活性層４３の上に配置されるように、積層順序が逆になっていてもよい。以下、図示された例示的な実施形態にしたがって、第１型及び第２型半導体層を、交換可能にそれぞれｐ型及びｎ型半導体層と呼ぶことがある。
実施形態によれば、各発光積層体の第１型半導体層２１、３１、４１がｎ型であり、各発光積層体の第２型半導体層２５、３５、４５がｐ型であってもよい。この場合、第３発光積層体４０は、第１発光積層体２０及び第２発光積層体３０と比較して、製造工程を簡略化するために、ｐ型半導体層４５が活性層４３の上に配置されるように、積層順序が逆になっていてもよい。以下、図示された例示的な実施形態にしたがって、第１型及び第２型半導体層を、交換可能にそれぞれｐ型及びｎ型半導体層と呼ぶことがある。
【0062】
図示した例示的な実施形態による発光積層構造は、共通のｐ型構造を有するが、本発明の概念はこれに限定されない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、各発光積層体の第１型半導体層２１、３１及び４１がｐ型であり、各発光積層体の第２型半導体層２５、３５及び４５がｎ型であって、共通のｎ型発光積層構造を形成してもよい。さらに、いくつかの例示的な実施形態において、各発光積層体の積層順序は、図面に示されたものに限定されることなく、様々に変更されてもよい。以下、図示した例示的な実施形態に係る発光積層構造について、共通のｐ型発光積層構造を参照して説明する。
【0063】
例示的な実施形態によれば、発光積層構造は、そこから放出される光の純度及び効率を向上させるための様々な追加の構成要素をさらに含んでもよい。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、より短い波長を有する光が、より長い波長を発する発光積層体に向かって移動するのを防ぐ又は少なくとも抑制するために、隣接する発光積層体の間に波長通過フィルタを形成してもよい。さらに、いくつかの例示的な実施形態では、発光積層体間で光の明るさのバランスをとるために、少なくとも１つの発光積層体の発光面に凹凸部が形成されてもよい。例えば、一般的に緑色の光は赤色の光や青色の光よりも視認性が高いため、いくつかの例示的な実施形態では、赤色の光や青色の光を発する発光積層体に凹凸部を形成してその光効率を向上させ、発光積層体から発せられる光の間の視認性のバランスを取ってもよい。
【0064】
以下、例示的な実施形態に基づいて、発光チップの形成方法を、図面を参照しながら説明する。
【0065】
図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ及び図８Ａは、例示的な実施形態による、図１の発光パッケージに含まれる発光チップの製造工程を示す平面図である。図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ及び図８Ｂは、例示的な実施形態による、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ及び図８Ａに示されたその対応する平面図の線Ａ－Ａ’に沿って取られた断面図である。
【0066】
図２に戻って、第３発光積層体４０の第１型半導体層４１、第３活性層４３及び第２型半導体層４５は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって、基板１１上に順次成長させてもよい。第３下部コンタクト電極４５ｐは、例えば、物理的気相成長法や化学的気相成長法によって第３ｐ型半導体層４５上に形成されてもよく、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含んでいてもよい。例示的な実施形態により第３発光積層体４０が青色光を発光する場合、基板１１は、Ａｌ2Ｏ3（例えば、サファイア基板）を含み、第３下部コンタクト電極４５ｐは、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸
化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み得るが、これに限定されるものではない。また、第１発光積層体２０及び第２発光積層体３０も同様に、仮基板上に第１型半導体層、活性層及び第２型半導体層をそれぞれ順次成長させて形成し、第２型半導体層上に透明導電性酸化物を含む下部コンタクト電極を、例えば化学気相成長法などによりそれぞれ形成してもよい。
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって、基板１１上に順次成長させてもよい。第３下部コンタクト電極４５ｐは、例えば、物理的気相成長法や化学的気相成長法によって第３ｐ型半導体層４５上に形成されてもよく、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含んでいてもよい。例示的な実施形態により第３発光積層体４０が青色光を発光する場合、基板１１は、Ａｌ2Ｏ3（例えば、サファイア基板）を含み、第３下部コンタクト電極４５ｐは、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸
化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み得るが、これに限定されるものではない。また、第１発光積層体２０及び第２発光積層体３０も同様に、仮基板上に第１型半導体層、活性層及び第２型半導体層をそれぞれ順次成長させて形成し、第２型半導体層上に透明導電性酸化物を含む下部コンタクト電極を、例えば化学気相成長法などによりそれぞれ形成してもよい。
【0067】
例示的な実施形態によれば、第１及び第２発光積層体２０及び３０は、その間に第１接着層６１を介在させて互いに隣接してもよく、第１及び第２発光積層体２０及び３０の仮基板の少なくとも一方は、例えば、レーザーリフトオフ工程、化学的工程、機械的工程などによって除去されてもよい。この場合、いくつかの例示的な実施形態では、光取り出し効率を向上させるために、露出した発光積層体に凹凸部を形成してもよい。その後、第１及び第２発光積層体２０及び３０を、その間に第２接着層６３を介在させて第３発光積層体４０と隣接させ、第１及び第２発光積層体２０及び３０の仮基板の残りの一方を、例えば、レーザーリフトオフ工程、化学的工程、機械的工程などによって除去してもよい。この場合、いくつかの例示的な実施形態では、光の取り出し効率を向上させるために、露出した残りの発光積層体に凹凸部を形成してもよい。
【0068】
別の例示的な実施形態では、第２接着層６３は、第３発光積層体４０上に形成されてもよい。そして、第２発光積層体３０を、第２接着層６３を間に介在させて第３発光積層体４０に隣接させ、第２発光積層体３０の仮基板を、レーザーリフトオフ工程、化学工程、機械工程などで除去してもよい。その後、第２発光積層体３０上に第１接着層６１を形成してもよい。これにより第１発光積層体２０は、第１接着層６１を間に挟んで第２発光積層体３０に隣接していてもよい。第１発光積層体２０が第３発光積層体４０に結合された第２発光積層体３０に結合されると、第１発光積層体２０の仮基板は、レーザーリフトオフ工程、化学的工程、機械的工程などによって除去されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、光抽出効率を向上させるために、別の発光積層体に結合される前又は後に、１つの発光積層体の１つ又は複数の表面に凹凸部を形成してもよい。
【0069】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０の各々の様々な部分は、第１型半導体層２１、第１下部コンタクト電極２５ｐ、第１型半導体層３１、第２下部コンタクト電極３５ｐ、第３下部コンタクト電極４５ｐ及び第１型半導体層４１の一部を露出させるために、エッチング処理などを介してパターニングされてもよい。図示の例示的な実施形態によれば、第１発光積層体２０は、発光積層体２０、３０及び４０の中で最も小さい面積を有する。しかし、本発明の概念は、発光積層体２０、３０及び４０の相対的な大きさに限定されない。
【0070】
図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、第１発光積層体２０の第１型半導体層２１の上面の一部が、ウェットエッチングなどによってパターニングされ、そこに第１上部コンタクト電極２１ｎ(以下、第１ｎ型コンタクト電極ともいう）が形成されてもよい。このようにし
て、第１型半導体層２１と第１上部コンタクト電極２１ｎとの間のオーミックコンタクトのレベルを高めてもよい。第１上部コンタクト電極２１ｎは、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよく、これに限定されることなく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｗ、Ｃｕ又はこれらの合金、例えばＡｕ－Ｔｅ合金やＡｕ－Ｇｅ合金などを含んでいてもよい。例示的な実施形態では、第１上部コンタクト電極２１ｎは、約１００ｎｍの厚さを有し、基板１１に向かう下方向の発光効率を高めるために、高い反射率を有する金属を含んでいてもよい。
て、第１型半導体層２１と第１上部コンタクト電極２１ｎとの間のオーミックコンタクトのレベルを高めてもよい。第１上部コンタクト電極２１ｎは、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよく、これに限定されることなく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｗ、Ｃｕ又はこれらの合金、例えばＡｕ－Ｔｅ合金やＡｕ－Ｇｅ合金などを含んでいてもよい。例示的な実施形態では、第１上部コンタクト電極２１ｎは、約１００ｎｍの厚さを有し、基板１１に向かう下方向の発光効率を高めるために、高い反射率を有する金属を含んでいてもよい。
【0071】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、第１発光積層体２０、第２発光積層体３０及び第３発光積層体４０の側面の少なくとも一部に、第１絶縁層８１が配置されていてもよい。第１絶縁層８１は、ポリイミド、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3などの様々な有機又は無機の
絶縁材料を含んでいてもよい。例えば、第１絶縁層８１は、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を含んでいてもよい。別の例として、第１絶縁層８１は、黒色の有機ポリマーを含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、発光積層体２０、３０及び４０から発せられた光を基板１１に向けて反射するために、電気的にフローティングの金属反射層が第１絶縁層８１上にさらに配置されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第１絶縁層８１は、互いに異なる屈折率を有する２以上の絶縁層で形成された単層構造又は多層構造を有していてもよい。
絶縁材料を含んでいてもよい。例えば、第１絶縁層８１は、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を含んでいてもよい。別の例として、第１絶縁層８１は、黒色の有機ポリマーを含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、発光積層体２０、３０及び４０から発せられた光を基板１１に向けて反射するために、電気的にフローティングの金属反射層が第１絶縁層８１上にさらに配置されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第１絶縁層８１は、互いに異なる屈折率を有する２以上の絶縁層で形成された単層構造又は多層構造を有していてもよい。
【0072】
例示的な実施形態によれば、第１絶縁層８１の一部を除去して、第１、第２、第３及び第４コンタクトホール２０ＣＨ、３０ＣＨ、４０ＣＨ及び５０ＣＨを形成してもよい。第１コンタクトホール２０ＣＨは、第１ｎ型コンタクト電極２１ｎの一部を露出させるために、第１ｎ型コンタクト電極２１ｎ上に画定される。第２コンタクトホール３０ＣＨは、第２発光積層体３０の第１型半導体層３１の一部を露出させてもよい。第３コンタクトホール４０ＣＨは、第３発光積層体４０の第１型半導体層４１の一部を露出させてもよい。第４コンタクトホール５０ＣＨは、第１、第２及び第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ及び４５ｐの一部を露出させてもよい。第４コンタクトホール５０ＣＨは、第１下部コンタクト電極２５ｐの一部を露出させる第２サブコンタクトホール５０ＣＨｂと、第２及び第３下部コンタクト電極３５ｐ及び４５ｐを露出させる第１サブコンタクトホール５０ＣＨａとを含んでもよい。しかし、いくつかの例示的な実施形態では、単一の第１サブコンタクトホールＣＨａが、第１、第２及び第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ及び４５ｐのそれぞれを露出させてもよい。
【0073】
図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、第１、第２、第３及び第４パッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄは、第１、第２、第３及び第４コンタクトホール２０ＣＨ、３０ＣＨ、４０ＣＨ及び５０ＣＨが形成された第１絶縁層８１上に形成されている。なお、第１、第２、第３及び第４パッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄは、例えば、基板１１の実質的な全面に導電層を形成し、フォトリソグラフィプロセスなどを用いて導電層をパターニングすることで形成することができる。
【0074】
第１パッド２０ｐｄは、第１コンタクトホール２０ＣＨが形成された領域に重なるように形成されており、第１パッド２０ｐｄが第１コンタクトホール２０ＣＨを介して第１発光積層体２０の第１上部コンタクト電極２１ｎに接続され得るようになっている。第２パッド３０ｐｄは、第２コンタクトホール３０ＣＨが形成された領域と重なるように形成されており、第２パッド３０ｐｄが第２コンタクトホール３０ＣＨを介して第２発光積層体３０の第１型半導体層３１に接続され得るようになっている。第３パッド４０ｐｄは、第３コンタクトホール４０ＣＨが形成された領域と重なるように形成されており、第３パッド４０ｐｄが第３コンタクトホール４０ＣＨを介して第３発光積層体４０の第１型半導体層４１と接続され得るようになっている。また、第４パッド５０ｐｄは、第４コンタクトホール５０ＣＨが形成された領域、より詳細には、第１サブコンタクトホール５０ＣＨａ及び第２サブコンタクトホール５０ＣＨｂが形成された領域と重なるように形成されており、第４パッド５０ｐｄが第１サブコンタクトホール５０ＣＨａ及び第２サブコンタクトホール５０ＣＨｂを介して第１、第２、第３発光積層体２０、３０及び４０の第１、第２、第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ、４５ｐに接続されてもよいようになっている。
【0075】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、第１絶縁層８１上に第２絶縁層８３が形成されていてもよい。第２絶縁層８３は、ポリイミド、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3などの様々な有
機又は無機の絶縁材料を含んでもよい。例えば、第２絶縁層８３は、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を含んでいてもよい。別の例として、第２絶縁層８３は、黒色の有機ポリマーを含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形
態では、発光積層体２０、３０及び４０から発せられた光を基板１１に向けて反射するために、電気的にフローティングの金属反射層が第２絶縁層８３上にさらに配置されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第２絶縁層８３は、互いに異なる屈折率を有する２つ以上の絶縁層で形成された単層構造又は多層構造を有していてもよい。次に、第２絶縁層８３をパターニングして、その中に第１、第２、第３及び第４貫通孔２０ｃｔ、３０ｃｔ及び４０ｃｔ及び５０ｃｔを形成する。
機又は無機の絶縁材料を含んでもよい。例えば、第２絶縁層８３は、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を含んでいてもよい。別の例として、第２絶縁層８３は、黒色の有機ポリマーを含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形
態では、発光積層体２０、３０及び４０から発せられた光を基板１１に向けて反射するために、電気的にフローティングの金属反射層が第２絶縁層８３上にさらに配置されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第２絶縁層８３は、互いに異なる屈折率を有する２つ以上の絶縁層で形成された単層構造又は多層構造を有していてもよい。次に、第２絶縁層８３をパターニングして、その中に第１、第２、第３及び第４貫通孔２０ｃｔ、３０ｃｔ及び４０ｃｔ及び５０ｃｔを形成する。
【0076】
第１パッド２０ｐｄに形成された第１貫通孔２０ｃｔは、第１パッド２０ｐｄの一部を露出させる。第２パッド３０ｐｄに形成された第２貫通孔３０ｃｔは、第２パッド３０ｐｄの一部を露出させる。第３パッド４０ｐｄに形成された第３貫通孔４０ｃｔは、第３パッド４０ｐｄの一部を露出させる。第４パッド５０ｐｄに形成された第４貫通孔５０ｃｔは、第４パッド５０ｐｄの一部を露出させる。図示された例示的な実施形態では、第１、第２、第３及び第４貫通孔２０ｃｔ、３０ｃｔ、４０ｃｔ及び５０ｃｔは、第１、第２、第３及び第４パッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄが形成される領域にそれぞれ定義されてもよい。
【0077】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、第１、第２、第３及び第４バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐは、第１、第２、第３及び第４スルーホール２０ｃｔ、３０ｃｔ、４０ｃｔ及び５０ｃｔが形成された第２絶縁層８３上に形成されている。第１バンプ電極２０ｂｐは、第１貫通孔２０ｃｔが形成されている領域と重なるように形成されており、第１バンプ電極２０ｂｐが第１貫通孔２０ｃｔを介して第１パッド２０ｐｄと接続されるようになっている。第２バンプ電極３０ｂｐは、第２貫通孔３０ｃｔが形成された領域と重なるように形成されており、第２バンプ電極３０ｂｐが第２貫通孔３０ｃｔを介して第２パッド３０ｐｄに接続されるようになっていてもよい。第３バンプ電極４０ｂｐは、第３貫通孔４０ｃｔが形成されている領域と重なるように形成されており、第３バンプ電極４０ｂｐが第３貫通孔４０ｃｔを介して第３パッド４０ｐｄと接続されるようになっていてもよい。
【0078】
第４バンプ電極５０ｂｐは、第４貫通孔５０ｃｔが形成されている領域と重なるように形成されており、第４バンプ電極５０ｂｐが第４貫通孔５０ｃｔを介して第４パッド５０ｐｄと接続されるようになっている。より詳細には、第４パッド５０ｐｄは、第１、第２、第３発光積層体２０、３０及び４０の第１、第２、第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ及び４５ｐに規定された第１サブコンタクトホール５０ＣＨａ及び第２サブコンタクトホール５０ＣＨｂを介して、第１、第２、第３発光積層体２０、３０及び４０の第２型半導体層２５、３５及び４５に接続されている。特に、第４パッド５０ｐｄは、第２サブコンタクトホール５０ＣＨｂを介して第１下部コンタクト電極２５ｐに接続され、第１サブコンタクトホール５０ＣＨａを介して第２及び第３下部コンタクト電極３５ｐ及び４５ｐに接続されている。このように、第４パッド５０ｐｄが１つの第１サブコンタクトホール５０ＣＨａを介して第２及び第３下部コンタクト電極３５ｐ及び４５ｐに接続され得るので、発光チップ１００の製造工程が簡略化され、発光チップ１００のコンタクトホールが占める面積が縮小され得る。また、第４バンプ電極５０ｂｐの少なくとも一部は、第４パッド５０ｐｄと重なっていてもよい。第４バンプ電極５０ｂｐは、第４バンプ電極５０ｂｐと第４パッド５０ｐｄとの重なり部分において、その間に第２絶縁層８３が介在した状態で、第４貫通孔５０ｃｔを介して第４パッド５０ｐｄに接続されている。
【0079】
第１、第２、第３及び第４バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐは、例えば、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗｉ、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＴｉＣｕなどのうちの少なくとも１つを含む導電層を、基板１１上に成膜し、パターニングすることによって形成してもよい。以下、第１パッド２０ｐｄ及び第１バンプ電極２０ｂｐを総称して第１コンタクト部２０Ｃと称し、第２パッド３０ｐｄ及び第２バンプ電極３０
ｂｐを総称して第２コンタクト部３０Ｃと称し、第３パッド４０ｐｄ及び第３バンプ電極４０ｂｐを総称して第３コンタクト部４０Ｃと称し、第４パッド５０ｐｄ及び第４バンプ電極５０ｂｐを総称して第４コンタクト部５０Ｃと称してもよい。
ｂｐを総称して第２コンタクト部３０Ｃと称し、第３パッド４０ｐｄ及び第３バンプ電極４０ｂｐを総称して第３コンタクト部４０Ｃと称し、第４パッド５０ｐｄ及び第４バンプ電極５０ｂｐを総称して第４コンタクト部５０Ｃと称してもよい。
【0080】
例示的な実施形態によれば、第１、第２、第３及び第４コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃは、様々な位置に形成されてもよい。例えば、発光チップ１００が図面に示すように実質的に四角形の形状を有する場合、第１、第２、第３及び第４コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃは、実質的に四角形の形状の各角を囲むように配置されてもよい。しかし、本発明の概念はこれに限定されず、いくつかの例示的な実施形態において、発光チップ１００は様々な形状を有するように形成されてもよく、第１、第２、第３及び第４コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃは、発光装置の形状に応じて他の場所に形成されてもよい。
【0081】
第１、第２、第３及び第４パッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄは、互いに間隔を空けて絶縁されている。さらに、第１、第２、第３及び第４バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐは、互いに間隔を空けて絶縁されている。例示的な実施形態によれば、第１、第２、第３及び第４バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐのそれぞれは、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０の側面の少なくとも一部を覆っていてもよく、これにより、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０から発生する熱のその場での放散が容易になる。
【0082】
なお、本発明の概念は、コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃの特定の構造に限定されるものではない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ又は５０ｂｐが、コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃの少なくとも１つから省略されてもよい。この場合、コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃのパッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄは、それぞれの接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅに接続されていてもよい。
【0083】
【0084】
図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、発光積層構造上には、互いに間隔を空けて第１、第２、第３、第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅが形成されていてもよい。第１、第２、第３、第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、それぞれ第１、第２、第３、第４バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐと電気的に接続されて、発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれに外部信号を伝達してもよい。より詳細には、図示の例示的な実施形態によれば、第１接続電極２０ｃｅは、第１パッド２０ｐｄを介して第１上部コンタクト電極２１ｎに接続された第１バンプ電極２０ｂｐに接続されて、第１発光積層体２０の第１型半導体層２１に電気的に接続されていてもよい。また、第２接続電極３０ｃｅは、第２パッド３０ｐｄを介して第２バンプ電極３０ｂｐに接続され、第２発光積層体３０の第１型半導体層３１に電気的に接続されていてもよい。また、第３接続電極４０ｃｅは、第３パッド４０ｐｄに接続された第３バンプ電極４０ｂｐに接続されて、第３発光積層体４０の第１型半導体層４１に電気的に接続されていてもよい。また、第４接続電極５０ｃｅは、第４パッド５０ｐｄに接続された第４バンプ電極５０ｂｐに接続されて、第１、第２、第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ、４５ｐを介して、発光積層体２０、３０及び４０の第２型半導体層２５、３５、４５にそれぞれ電気的に接続されていてもよい。
【0085】
図示された例示的な実施形態によれば、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５
０ｃｅのそれぞれは、基板１１から垂直方向に突出する実質的に細長い形状を有していてもよい。接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、これに限定されることなく、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでいてもよい。例えば、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれは、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの細長い形状からそこに加わる応力を軽減するために、２つ以上の金属又は複数の異なる金属層を含んでいてもよい。別の例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅがＣｕを含む場合、Ｃｕの酸化を抑制するために、追加の金属をその上に堆積又はめっきしてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅがＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎを含む場合、Ｃｕは、発光積層構造にＳｎが浸入するのを防止してもよい。いくつかの例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、以下でより詳細に説明する、めっきプロセス中に金属層を形成するためのシード層を含んでもよい。
０ｃｅのそれぞれは、基板１１から垂直方向に突出する実質的に細長い形状を有していてもよい。接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、これに限定されることなく、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでいてもよい。例えば、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれは、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの細長い形状からそこに加わる応力を軽減するために、２つ以上の金属又は複数の異なる金属層を含んでいてもよい。別の例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅがＣｕを含む場合、Ｃｕの酸化を抑制するために、追加の金属をその上に堆積又はめっきしてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅがＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎを含む場合、Ｃｕは、発光積層構造にＳｎが浸入するのを防止してもよい。いくつかの例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、以下でより詳細に説明する、めっきプロセス中に金属層を形成するためのシード層を含んでもよい。
【0086】
図面に示すように、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれは、発光積層構造と後述する外部の配線又は電極との間の電気的接続を容易にするために、実質的に平坦な上面を有していてもよい。例示的な実施形態によれば、発光チップが、当技術分野で知られているように約１０，０００平方μm未満又は他の例示的な実施形態で
は約４，０００平方μm又は約２，５００平方μm未満の表面積を有するマイクロＬＥＤを含む場合、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、図面に示すように、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０のうちの少なくとも１つの部分と重なっていてもよい。より詳細には、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、発光積層構造の側面に形成された少なくとも１つの段差に重なっていてもよい。このようにすると、接続電極の下面の面積がその上面よりも大きいので、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅと発光積層構造との間に、より大きな接触面積を形成することができる。したがって、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、発光積層構造体上により安定して形成され得る。例えば、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの外側を向く一方の側面Ｌの長さ（又は高さ）Ｌと、発光チップ１００の中央を向く他方の側面の長さＬ’とは、異なっていてもよい。より詳細には、接続電極の外側を向く一方の側面の長さＬは、発光チップ１００の中央を向く他方の側面の長さＬ’よりも大きくてもよい。例えば、接続電極の対向する２つの側面の長さＬおよびＬ’の差は、発光積層体２０、３０及び４０のうちの１つの厚さ（又は高さ）よりも大きくてもよい。このようにすると、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅと発光積層構造との接触面積が大きくなり、発光チップの構造が強化されてもよい。また、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、発光積層構造の側面に形成された少なくとも１つの段差に重なっていてもよいので、発光積層構造から発生する熱をより効率的に外部に逃がすことができる。
は約４，０００平方μm又は約２，５００平方μm未満の表面積を有するマイクロＬＥＤを含む場合、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、図面に示すように、第１、第２及び第３発光積層体２０、３０及び４０のうちの少なくとも１つの部分と重なっていてもよい。より詳細には、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、発光積層構造の側面に形成された少なくとも１つの段差に重なっていてもよい。このようにすると、接続電極の下面の面積がその上面よりも大きいので、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅと発光積層構造との間に、より大きな接触面積を形成することができる。したがって、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、発光積層構造体上により安定して形成され得る。例えば、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの外側を向く一方の側面Ｌの長さ（又は高さ）Ｌと、発光チップ１００の中央を向く他方の側面の長さＬ’とは、異なっていてもよい。より詳細には、接続電極の外側を向く一方の側面の長さＬは、発光チップ１００の中央を向く他方の側面の長さＬ’よりも大きくてもよい。例えば、接続電極の対向する２つの側面の長さＬおよびＬ’の差は、発光積層体２０、３０及び４０のうちの１つの厚さ（又は高さ）よりも大きくてもよい。このようにすると、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅと発光積層構造との接触面積が大きくなり、発光チップの構造が強化されてもよい。また、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、発光積層構造の側面に形成された少なくとも１つの段差に重なっていてもよいので、発光積層構造から発生する熱をより効率的に外部に逃がすことができる。
【0087】
例示的な実施形態によれば、接続電極の外側を向く一側面の長さＬと、発光チップ１００の中央を向くその他側面の長さＬ’との差は、約３μｍであってもよい。この場合、発光積層構造は、薄く形成されてもよく、特に、第１発光積層体２０は、約１μｍの厚さを有してもよく、第２発光積層体３０は、約０．７μｍの厚さを有してもよく、第３発光積層体４０は、約０．７μｍの厚さを有してもよく、第１及び第２接着層６１及び６３は、それぞれ約０．２μｍ乃至約０．３μｍの厚さを有してもよいが、これに限定されるものではない。別の例示的な実施形態によると、接続電極の外側を向く一方の側面の長さＬと、発光チップ１００の中央を向くその他方の側面の長さＬ’との差は、約１０μｍ乃至約１６μｍであってもよい。この場合、発光積層構造は、相対的に厚く形成され、より安定した構造を有することができ、特に、第１発光積層体２０は、約４μｍ乃至約５μｍの厚さを有してもよく、第２発光積層体３０は、約３μｍの厚さを有してもよく、第３発光積層体４０は、約３μｍの厚さを有してもよく、第１接着層６１及び第２接着層６３は、そ
れぞれ約３μｍの厚さを有してもよいが、これに限定されるものではない。さらに別の例示的な実施形態によれば、接続電極の外側を向く一方の側面の長さＬと、発光チップ１００の中央を向くその他方の側面の長さＬ’との差は、最も長い側面の長さの約２５％であってもよい。しかし、本発明の概念は、接続電極の対向する側面間の長さの差が特定のものに限定されるものではなく、接続電極の対向する側面間の長さの差は様々であってもよい。
れぞれ約３μｍの厚さを有してもよいが、これに限定されるものではない。さらに別の例示的な実施形態によれば、接続電極の外側を向く一方の側面の長さＬと、発光チップ１００の中央を向くその他方の側面の長さＬ’との差は、最も長い側面の長さの約２５％であってもよい。しかし、本発明の概念は、接続電極の対向する側面間の長さの差が特定のものに限定されるものではなく、接続電極の対向する側面間の長さの差は様々であってもよい。
【0088】
いくつかの例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのうちの少なくとも１つは、発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれの側面と重なっていてもよく、これにより、発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれの間の温度のバランスを取り、内部で発生した熱を効率的に外部に放散することができる。また、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅが金属などの反射材を含む場合、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅは、少なくとも１つ以上の発光積層体２０、３０及び４０から発せられた光を反射して、光の有効性を向上させることができる。
【0089】
第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの形成方法は特に限定されない。例えば、例示的な実施形態によれば、発光積層構造上に伝導面としてシード層を成膜し、接続電極が形成されるべき所望の位置にシード層が配置されるように、フォトリソグラフィなどを用いてシード層をパターニングしてもよい。次いで、シード層を、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はそれらの合金などの金属でめっきし、シード層を除去してもよい。いくつかの例示的な実施形態では、めっきされた金属の酸化を防止又は少なくとも抑制するために、無電解ニッケル浸漬金（ＥＮＩＧ）などにより、めっきされた金属（例えば、接続電極）上に追加の金属を堆積又はめっきしてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、シード層は各接続電極に残っていてもよい。
【0090】
例示的な実施形態によれば、コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃからバンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐが省略された場合、パッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄがそれぞれの接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅに接続されてもよい。例えば、コンタクト部２０Ｃ、３０Ｃ、４０Ｃ及び５０Ｃのパッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄを部分的に露出させるスルーホール２０ｃｔ、３０ｃｔ、４０ｃｔ及び５０ｃｔを形成した後、発光積層構造体上に伝導面としてシード層を成膜し、接続電極が形成されるべき所望の位置にシード層が配置されるように、フォトリソグラフィなどを用いてシード層をパターニングしてもよい。この場合、シード層は、各パッド２０ｐｄ、３０ｐｄ、４０ｐｄ及び５０ｐｄの少なくとも一部と重なっていてもよい。例示的な実施形態によれば、シード層は、それに限定されることなく、約１０００Åの厚さに堆積されてもよく、次いで、シード層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はそれらの合金などの金属でめっきされてもよく、シード層は除去されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、めっきされた金属の酸化を防止又は少なくとも抑制するために、無電解ニッケル浸漬金（ＥＮＩＧ）などにより、めっきされた金属（例えば、接続電極）上に追加の金属を堆積又はめっきしてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、シード層は各接続電極に残っていてもよい。
【0091】
【0092】
図１０を参照すると、基板１１上に形成された発光チップ１００のアレイは、互いに分離されて、所望のピッチでキャリア基板９５に転写されてもよい。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、発光チップ１００は、ディスプレイデバイスなどのターゲットデバイスの電極のピッチに適合するピッチで転写されてもよい。
【0093】
例示的な実施形態によれば、個片化された発光チップ１００は、その間に介在する接着層１５によってキャリア基板９５に転写されてもよい。キャリア基板９５は、接着層１５を介在させて発光チップ１００を安定的に実装するものであれば、特に限定されない。接着層１５は、テープであってもよいが、本発明の概念は、接着層１５が発光チップ１００をキャリア基板９５に安定的に取り付けつつ、その後の工程で発光チップ１００を剥離することができるものであれば、これに限定されるものではない。発光チップ１００がキャリア基板９５に実装されると、図１１に示すように、発光チップ１００の少なくとも側面を覆うようにモールディング層９１が形成されてもよい。例示的な実施形態によれば、モールディング層９１は、発光チップ１００から放出された光の一部を透過させてもよく、また、外部の光の一部を反射、回折及び／又は吸収して、外部の光が発光チップ１００によってユーザに見える可能性のある方向に向かって反射されるのを防止してもよい。モールディング層９１は、発光チップ１００の少なくとも側面を覆って、発光チップ１００を外部の湿気や応力から保護するとともに、発光パッケージの構造的な構成を強化して、その後の転写及び／又は実装工程を容易にしてもよい。
【0094】
モールディング層９１は、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの間に配置された第１発光積層体２０の一部（例えば、発光積層構造の上部構造）を覆うように、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの間に形成されてもよい。このように、モールディング層９１は、後続の工程で加わる可能性のある外部からの衝撃から発光構造体を保護するとともに、発光チップ１００に十分な接触面積を与えて、後続の搬送工程での取り扱いを容易にすることができる。さらに、モールディング層９１は、発光チップ１００の側面への光の漏れを防止し、隣接する発光チップ１００から放出される光の干渉を防止又は少なくとも抑制することができる。
【0095】
例示的な実施形態によれば、モールディング層９１の上面は、研磨処理などにより、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅの上面と実質的に面一になっていてもよい。例示的な実施形態によるモールディング層９１は、エポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）を含んでもよいが、これに限定されるものではなく、黒色や透明などの様々な色を有するように形成されてもよい。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、モールディング層９１は、感光性を有するポリイミドドライフィルム（ＰＩＤ）を含んでもよい。
【0096】
モールディング層９１は、積層法、めっき法及び／又は印刷法など、当技術分野で知られている様々な方法によって形成されてもよい。例えば、モールディング層９１は、発光パッケージ１１０の実質的に平面的な上面を提供することによって光の均一性を向上させるために、発光チップ１００上に有機ポリマーシートを配置し、真空中で高温及び圧力を印加する真空ラミネートプロセスによって形成されてもよい。
【0097】
図１２を参照すると、絶縁層１１ｐは、モールディング層９１及び発光チップ１００の実質的に全体に形成されていてもよい。絶縁層１１ｐは、有機絶縁材料や、ＳｉＯ2やＳ
ｉＯｘなどの無機絶縁材料を含んでいてもよい。
ｉＯｘなどの無機絶縁材料を含んでいてもよい。
【0098】
図１３を参照すると、絶縁層１１ｐには、開口部が形成されていてもよい。開口部は、発光チップ１００の第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれの少なくとも一部と重なっていてもよい。次に、絶縁層１１ｐ上に導電層を形成し、パターニングしてリード電極１１ｐｃを形成してもよい。リード電極１１ｐｃは、これに限定されることなく、フォトリソグラフィ工程によって形成してもよい。絶縁層１１ｐの開口部は、第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれの少なくとも一部と重なっており、リード電極１１ｐｃを
形成する導電層は、開口部を実質的に埋めているので、リード電極１１ｐｃは、第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれと電気的に接続されていてもよい。また、リード電極１１ｐｃは、互いに絶縁されるように間隔をあけて配置され、発光チップ１００から所望の範囲で外側に延びてファンアウト構造となっていてもよい。このようにすれば、発光チップ１００のサイズが非常に小さい場合であっても、発光チップ１００とリード電極１１ｐｃとを含む発光パッケージ１１０は、回路基板などに容易に実装することができる。いくつかの例示的な実施形態において、リード電極１１ｐｃは、これに限定されることなく、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態において、リード電極１１ｐｃは、高温で部分的に溶融されることにより、発光チップ１００の接続電極との電気的接続を容易にするために、ＥＮＩＧにより表面処理されてもよい。
形成する導電層は、開口部を実質的に埋めているので、リード電極１１ｐｃは、第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅのそれぞれと電気的に接続されていてもよい。また、リード電極１１ｐｃは、互いに絶縁されるように間隔をあけて配置され、発光チップ１００から所望の範囲で外側に延びてファンアウト構造となっていてもよい。このようにすれば、発光チップ１００のサイズが非常に小さい場合であっても、発光チップ１００とリード電極１１ｐｃとを含む発光パッケージ１１０は、回路基板などに容易に実装することができる。いくつかの例示的な実施形態において、リード電極１１ｐｃは、これに限定されることなく、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態において、リード電極１１ｐｃは、高温で部分的に溶融されることにより、発光チップ１００の接続電極との電気的接続を容易にするために、ＥＮＩＧにより表面処理されてもよい。
【0099】
図１４を参照すると、絶縁層１１ｐが配置された発光チップ１００から、接着層１５及びキャリア基板９５を除去してもよい。そして、リード電極１１ｐｃを含む発光チップ１００を所望の形状に切断して、発光パッケージ１１０として形成してもよい。例えば、図１５に示す発光パッケージ１１０（又は発光モジュール）は、絶縁層１１ｐ上に配置された４個の発光チップ１００（２ｘ２）を含む。しかし、本発明の概念は、発光パッケージ１１０に形成される発光チップ１００の数が特定の数であることに限定されない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、発光パッケージ１１０は、絶縁層１１ｐ上に形成された１つ以上の発光チップ１００を含んでもよい。加えて、本発明の概念は、発光パッケージ１１０における１つ以上の発光チップ１００の特定の配置に限定されない。例えば、発光パッケージ１１０内の１つ以上の発光チップ１００は、ｎ×ｍ配列であってもよく、ｎ及びｍは自然数である。
【0100】
例示的な実施形態によれば、発光パッケージ１１０のリード電極１１ｐｃは、回路基板などのターゲットデバイスの電極のピッチに対応する所定のピッチＰで互いに離間していてもよい。例えば、リード電極１１ｐｃ間のピッチＰは、発光チップ１００の隣接する接続電極間のピッチＰ’よりも大きくてもよい。このようにすれば、回路基板のその電極のレイアウトが従来の発光装置用に設計されたものであっても、発光パッケージ１１０をターゲット基板や回路基板に容易に実装することができる。
【0101】
例示的な実施形態によれば、発光パッケージ１１０のリード電極１１ｐｃは、例えば、異方性導電膜（ＡＣＦ）接合によって回路基板等の電極に接合されてもよい。ＡＣＦ接合は、他の接合方法に比べて低温で処理することができるため、リード電極１１ｐｃがＡＣＦ接合によって回路基板等の電極に電気的に接合されると、発光チップ１００が接合時に高温に曝されることから保護される場合がある。ただし、本発明の概念は、特定の接合方法に限定されるものではない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、発光パッケージ１１０は、Ｃｕ及びＳｎの少なくとも一方を含む異方性導電ペースト（ＡＣＰ）、はんだ、ボールグリッドエリア（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｅａ：ＢＧＡ）又はマイクロバンプを用いて、回路基板の電極などに接合されてもよい。この場合、リード電極１１ｐｃは、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅよりも広い接触面積が得られるため、発光パッケージ１１０のサイズが非常に小さくても、発光パッケージ１１０と回路基板等との接合処理が容易になる場合がある。
【0102】
【0103】
図１６を参照すると、例示的な実施形態による発光パッケージ１２０は、発光パッケージ１２０が拡張電極１１ｃ及び第２モールディング層９２をさらに含むことを除いて、図
１の発光パッケージ１１０と実質的に同じである。例示的な実施形態によれば、発光チップ１００の接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅにそれぞれ電気的に接続される、絶縁層１１ｐ上に配置されたリード電極１１ｐｃ上に、複数の拡張電極１１ｃがそれぞれ形成されてもよい。
１の発光パッケージ１１０と実質的に同じである。例示的な実施形態によれば、発光チップ１００の接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅにそれぞれ電気的に接続される、絶縁層１１ｐ上に配置されたリード電極１１ｐｃ上に、複数の拡張電極１１ｃがそれぞれ形成されてもよい。
【0104】
拡張電極１１ｃは、互いに離れていてもよく、一般的には実質的に細長い形状を有しているが、本発明の概念は、拡張電極１１ｃの１つの特定の形状に限定されるものではない。例示的な実施形態による拡張電極１１ｃは、これに限定されることなく、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでもよい。例えば、拡張電極１１ｃは、その細長い形状からそこに加わる応力を軽減するために、２つ以上の金属又は複数の異なる金属層を含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、拡張電極１１ｃがＣｕを含む場合、Ｃｕの酸化を抑制するために、追加の金属をその上に堆積又はめっきしてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、拡張電極１１ｃがＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎを含む場合、Ｃｕは、発光積層構造にＳｎが浸入するのを防止してもよい。なお、拡張電極１１ｃは、これに限定されることなく、金属めっき処理によって形成されてもよい。
【0105】
図示された例示的な実施形態によれば、拡張電極１１ｃのそれぞれは、発光チップ１００から離れて面するリード電極１１ｐｃの遠位端の近くに形成されてもよい。このように、拡張電極１１ｃは、発光パッケージ１２０の各角部付近に形成されているので、発光パッケージ１２０を構造的に支持することができる。いくつかの例示的な実施形態では、構造的な信頼性をさらに向上させるために、拡張電極１１ｃは、接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅと重ならないようにしてもよい。
【0106】
第２モールディング層９２は、絶縁層１１ｐ上に形成され、少なくとも拡張電極１１ｃの側面を囲んでいてもよい。第２モールディング層９２は、有機ポリマー又は無機ポリマーを含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第１モールディング層９１及び第２モールディング層９２の少なくとも一方は、シリカ又はアルミナなどのピラーをさらに含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第２モールディング層９２は、積層法、めっき法及び／又は印刷法など、当技術分野で知られている様々な方法によって形成されてもよい。例えば、第２モールディング層９２は、発光パッケージ１２０の実質的に平面的な上面を提供することによって光の均一性を向上させるために、発光チップ１００上に有機ポリマーシートを配置し、真空中で高温及び圧力を印加する真空ラミネートプロセスによって形成されてもよい。このようにして、発光パッケージ１２０は、強化されたパッケージ構造を提供することができる。いくつかの例示的な実施形態では、第１及び第２モールディング層９１及び９２は、実質的に同じ材料又は互いに異なる材料を含んでもよい。
【0107】
図１７を参照すると、例示的な実施形態による発光パッケージ１３０は、第１モールディング層９１が発光チップ１００の基板１１の上に形成されて、外部の光が基板１１によってユーザが視認し得る方向に向かって反射されることを防止することを除いて、図１６の発光パッケージ１２０と実質的に同じである。この場合、いくつかの例示的な実施形態では、発光チップ１００から発せられた光の５０％を少なくとも透過させるために、絶縁層１１ｐとは反対を向く基板１１の上面を覆う第１モールディング層９１の一部は、約１００μｍ未満の厚さを有していてもよい。
【0108】
図１８は、本発明の別の例示的な実施形態に従って構成された発光パッケージの模式的な断面図である。
【0109】
図１８を参照すると、例示的な実施形態による発光パッケージ２１０は、発光チップ２
００と、絶縁層１１ｐ’と、リード電極１１ｐｃ’と、発光チップ２００の少なくとも側面を囲む第１モールディング層９１’とを含む。発光パッケージ２１０は、接続電極の形状と、発光チップ２００が接続電極の間に形成されたパッシベーション層９０を含むこと以外は、図１の発光パッケージ１１０と実質的に同じであるが、以下ではより詳細に説明する。なお、絶縁層１１ｐ’及びリード電極１１ｐｃ’は、上述した絶縁層１１ｐ及びリード電極１１ｐｃと実質的に同じであるので、冗長性を避けるために、その繰り返しの説明は省略する。
００と、絶縁層１１ｐ’と、リード電極１１ｐｃ’と、発光チップ２００の少なくとも側面を囲む第１モールディング層９１’とを含む。発光パッケージ２１０は、接続電極の形状と、発光チップ２００が接続電極の間に形成されたパッシベーション層９０を含むこと以外は、図１の発光パッケージ１１０と実質的に同じであるが、以下ではより詳細に説明する。なお、絶縁層１１ｐ’及びリード電極１１ｐｃ’は、上述した絶縁層１１ｐ及びリード電極１１ｐｃと実質的に同じであるので、冗長性を避けるために、その繰り返しの説明は省略する。
【0110】
例示的な実施形態によれば、発光パッケージ１１０のリード電極１１ｐｃ’は、回路基板などのターゲットデバイスの電極のピッチに対応した所定のピッチで互いに離間していてもよい。このようにすれば、回路基板のその電極のレイアウトが従来の発光装置用に設計されたものであっても、発光パッケージ２１０は、表示装置などの最終装置のターゲット基板や回路基板に容易に実装することができる。
【0111】
図１９Ａ及び図２０Ａは、別の例示的な実施形態による発光チップの製造プロセスを示す平面図である。図１９Ｂ及び図２０Ｂは、別の例示的な実施形態による、図１９Ａ及び図２０Ａに示すその対応する平面図の線Ａ－Ａ’に沿って取った断面図である。
【0112】
図１９Ａ及び図１９Ｂを参照すると、例示的な実施形態による発光チップ２００は、発光積層構造と、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’（図２０Ａ及び図２０Ｂ参照）と、発光積層構造上に形成されたパッシベーション層９０とを含む。発光積層構造は、図８Ａ及び図８Ｂに示す構成と実質的に類似している。しかしながら、図示の例示的な実施形態によれば、パッシベーション層９０は、図８Ａ及び図８Ｂに示す発光積層構造の上面の少なくとも一部を覆うように形成されてもよい。より詳細には、図２０Ｂに示すように、パッシベーション層９０は、積層構造の上部に配置された第１発光積層体２０の上面の少なくとも一部を覆い、製造時の外部応力から発光積層構造を保護してもよい。
【0113】
図示された例示的な実施形態によれば、パッシベーション層９０は、基板１１に対して傾斜した角度を形成してもよい。例えば、パッシベーション層９０と基板１１との間に形成される傾斜角度Ｇ及びＧ’（図２０Ｂ参照）は、約８０°未満であってもよい。傾斜角Ｇ及びＧ’が約８０°よりも大きい場合、パッシベーション層９０は、発光積層構造の側面に形成された段差を十分に覆うことができない可能性がある。いくつかの例示的な実施形態では、パッシベーション層９０と基板１１との間の傾斜角Ｇ及びＧ’は、約６０°よりも大きく、約７０°よりも小さくてもよい。このようにして、パッシベーション層９０上に形成されるべき接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’（図２０Ａ及び図２０Ｂ参照）も、発光積層構造上に安定して形成されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、パッシベーション層９０の上面と側面との間に形成されるエッジは、その上に形成される接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’が実質的に均一な厚さを有するように、滑らかな角度を形成してもよい。しかしながら、本発明の概念はこれに限定されるものではなく、いくつかの例示的な実施形態では、パッシベーション層９０の上面と側面との間に実質的に鋭利なエッジが形成されてもよい。
【0114】
図２０Ａ及び図２０Ｂを参照すると、図示された例示的な実施形態によれば、互いに間隔を空けた第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’がパッシベーション層９０上に形成されている。上述したように、第１、第２、第３、第４接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’は、発光チップ１００の第１、第２、第３、第４接続電極２０ｃｅ、３０ｃｅ、４０ｃｅ及び５０ｃｅと同様に、それぞれ第１、第２、第３及び第４バンプ電極２０ｂｐ、３０ｂｐ、４０ｂｐ及び５０ｂｐと電気的に接続され、発光積層体２０、３０及び４０のそれぞれに外部信号
を伝送することができる。より詳細には、第１接続電極２０ｃｅ’は、第１パッド２０ｐｄを介して第１上部コンタクト電極２１ｎに接続された第１バンプ電極２０ｂｐに接続されて、第１発光積層体２０の第１型半導体層２１に電気的に接続されていてもよい。また、第２接続電極３０ｃｅ’は、第２パッド３０ｐｄを介して第２バンプ電極３０ｂｐに接続され、第２発光積層体３０の第１型半導体層３１に電気的に接続されていてもよい。また、第３接続電極４０ｃｅ’は、第３パッド４０ｐｄに接続された第３バンプ電極４０ｂｐに接続されて、第３発光積層体４０の第１型半導体層４１に電気的に接続されていてもよい。また、第４接続電極５０ｃｅ’は、第４パッド５０ｐｄに接続された第４バンプ電極５０ｂｐに接続されて、第１、第２及び第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ及び４５ｐを介して、発光積層体２０、３０及び４０の第２型半導体層２５、３５及び４５にそれぞれ電気的に接続されていてもよい。
を伝送することができる。より詳細には、第１接続電極２０ｃｅ’は、第１パッド２０ｐｄを介して第１上部コンタクト電極２１ｎに接続された第１バンプ電極２０ｂｐに接続されて、第１発光積層体２０の第１型半導体層２１に電気的に接続されていてもよい。また、第２接続電極３０ｃｅ’は、第２パッド３０ｐｄを介して第２バンプ電極３０ｂｐに接続され、第２発光積層体３０の第１型半導体層３１に電気的に接続されていてもよい。また、第３接続電極４０ｃｅ’は、第３パッド４０ｐｄに接続された第３バンプ電極４０ｂｐに接続されて、第３発光積層体４０の第１型半導体層４１に電気的に接続されていてもよい。また、第４接続電極５０ｃｅ’は、第４パッド５０ｐｄに接続された第４バンプ電極５０ｂｐに接続されて、第１、第２及び第３下部コンタクト電極２５ｐ、３５ｐ及び４５ｐを介して、発光積層体２０、３０及び４０の第２型半導体層２５、３５及び４５にそれぞれ電気的に接続されていてもよい。
【0115】
第１、第２、第３及び第４接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の形成方法は、特に限定されない。例えば、例示的な実施形態によれば、パッシベーション層９０上に導電層を成膜し、各導電層がそれぞれパッシベーション層９０によって露出した第１バンプ電極２０ｂｐ、第２バンプ電極３０ｂｐ、第３バンプ電極４０ｂｐ及び第４バンプ電極５０ｂｐの一部と重なるように、フォトリソグラフィなどを用いて導電層をパターニングしてもよい。例示的な実施形態による導電層（例えば、接続電極）は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでいてもよい。この場合、別のめっき工程を省略してもよい。いくつかの例示的な実施形態では、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の酸化を防止又は少なくとも抑制するために、無電解ニッケル浸漬金（ＥＮＩＧ）などによって、導電層上に追加の金属を蒸着してもよい。
【0116】
図示された例示的な実施形態によれば、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’のそれぞれは、発光積層構造及びパッシベーション層９０を実質的に覆うように、基板１１から離れるように突出する湾曲した形状を有してもよい。図面に示すように、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’のそれぞれは、発光積層構造と外部の配線又は電極との間の電気的接続を容易にするとともに、後続の接合及び転送ステップの間にＰＣＢなどの他の要素に対する発光チップ２００の接着性を高めるために、実質的に平坦な上面を有していてもよい。図示された例示的な実施形態による接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’は、発光積層構造を保護するために、各発光積層体２０、３０及び４０の少なくとも一部を取り囲んでもよく、これにより、発光チップ２００は、パッシベーション層９０とともに、その後の様々な工程に耐えうるより安定した構造を有する。例えば、発光積層構造を実質的に取り囲む接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’は、発光積層構造に直接かかる応力の少なくとも一部を吸収して、製造時に発光チップを保護することができる。
【0117】
図示された例示的な実施形態によれば、第３接続電極４０ｃｅは、第１接続電極２０ｃｅに対して非対称であるように示されている。より詳細には、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’のそれぞれは、パッシベーション層９０と重ならない部分を有していてもよく、例えば図２０Ｂは、第３接続電極４０ｃｅ’のパッシベーション層９０と重ならない部分が、基板１１の対向する２つの端部付近で第１接続電極２０ｃｅ’のそれよりも面積が大きいことを示している。しかしながら、本発明の概念はこれに限定されるものではなく、いくつかの例示的な実施形態において、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’のそれぞれは、互いに対称であってもよい。例えば、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’のそれぞれのうちパッシベーション層９０と重ならない部分は、互いに同じ面積を有していてもよい。
【0118】
図面では、パッシベーション層９０は、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’
及び５０ｃｅ’のうち、パッシベーション層９０の上面に配置される部分の間には形成されていないが、本発明の概念はこれに限定されない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、パッシベーション層９０の上面が接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の上面と実質的に同一平面になるように、パッシベーション層９０は接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の間に形成されてもよい。このようにすれば、後の工程において、発光チップ２００とプリント基板等との密着性をさらに強化することができる。なお、パッシベーション層９０のうち、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の間に配置される部分は、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’を形成する前に形成してもよいし、形成した後に形成してもよい。なお、図示した例示的な実施形態による発光チップ２００の構成要素は、上述した発光チップ１００の構成要素と実質的に同じであるため、実質的に同じ要素についての繰り返しの説明は、冗長性を避けるために省略する。
及び５０ｃｅ’のうち、パッシベーション層９０の上面に配置される部分の間には形成されていないが、本発明の概念はこれに限定されない。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、パッシベーション層９０の上面が接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の上面と実質的に同一平面になるように、パッシベーション層９０は接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の間に形成されてもよい。このようにすれば、後の工程において、発光チップ２００とプリント基板等との密着性をさらに強化することができる。なお、パッシベーション層９０のうち、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の間に配置される部分は、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’を形成する前に形成してもよいし、形成した後に形成してもよい。なお、図示した例示的な実施形態による発光チップ２００の構成要素は、上述した発光チップ１００の構成要素と実質的に同じであるため、実質的に同じ要素についての繰り返しの説明は、冗長性を避けるために省略する。
【0119】
【0120】
図２１を参照すると、基板１１上に形成された発光チップ２００のアレイは、互いに分離されて、所望のピッチでキャリア基板９５’に転写されてもよい。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、発光チップ２００は、表示装置の回路基板などのターゲット装置の電極のピッチに適合するピッチで転写されてもよい。
【0121】
例示的な実施形態によれば、個片化された発光チップ２００は、その間に介在する接着層１５’によってキャリア基板９５’に実装されてもよい。キャリア基板９５’及び接着層１５’は、特に限定されず、それぞれ図１０を参照して上述したキャリア基板９５及び接着層１５と実質的に同じであってもよい。
【0122】
図２２を参照すると、キャリア基板９５’に発光チップ２００が実装されると、発光チップ２００を実質的に覆うようにモールディング層９１’（又は第１モールディング層）が形成されてもよい。例示的な実施形態によれば、モールディング層９１’は、発光チップ２００から放出された光の一部を透過させてもよく、また、外部の光の一部を反射、回折及び／又は吸収して、外部の光が発光チップ２００によってユーザに視認され得る方向に向かって反射されるのを防止してもよい。モールディング層９１’は、発光チップ２００を実質的に覆って、発光チップ２００を外部の湿気や応力から保護するとともに、発光パッケージの構造的な構成を強化して、その後の転写及び／又は実装工程を容易にしてもよい。
【0123】
図示された例示的な実施形態によれば、モールディング層９１’は、発光チップ２００の接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’の間に形成され、パッシベーション層９０の少なくとも一部を覆ってもよい。例示的な実施形態によるモールディング層９１’は、エポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）を含んでもよいが、これに限定されるものではなく、黒色又は透明などの様々な色を有するように形成されてもよい。例えば、いくつかの例示的な実施形態では、モールディング層９１’は、感光性を有するポリイミドドライフィルム（ＰＩＤ）を含んでもよい。モールディング層９１’は、積層法、めっき法及び／又は印刷法など、当技術分野で知られている様々な方法で形成されてもよい。例えば、モールディング層９１’は、発光パッケージの実質的に平面的な上面を提供することによって光の均一性を向上させるために、発光チップ２００上に有機ポリマーシートを配置し、真空中で高温高圧を印加する真空ラミネートプロセスによって形成されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、モールディング層９１’及びパッシベーション層９０は、実質的に同じ材料又は互いに異なる材料を含んでもよい。
【0124】
図１８に戻って、絶縁層１１ｐ’は、モールディング層９１’で実質的に覆われた発光チップ２００上に配置されてもよく、基板１１上に形成された発光チップ２００のアレイは、当技術分野における様々な既知の方法によって個片化されてもよく、それによって、図１８の発光パッケージ２１０が提供される。
【0125】
【0126】
図２３を参照すると、図示された例示的な実施形態による発光パッケージ２２０は、発光パッケージ２２０が拡張電極１１ｃ’と第２モールディング層９２’とをさらに含むことを除いて、図１８の発光パッケージ２１０と実質的に同じである。例示的な実施形態によれば、複数の拡張電極１１ｃ’は、絶縁層１１ｐ’上に配置されたリード電極１１ｐｃ’上にそれぞれ形成され、発光チップ２００の接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’にそれぞれ電気的に接続されてもよい。
【0127】
拡張電極１１ｃ’は、互いに離れていてもよく、一般的には実質的に細長い形状を有しているが、本発明の概念は、拡張電極１１ｃ’の１つの特定の形状に限定されない。例示的な実施形態による拡張電極１１ｃ’は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ又はこれらの合金などの金属を含んでもよいが、これに限定されるものではない。例えば、拡張電極１１ｃ’は、その細長い形状からそこに加わる応力を軽減するために、２つ以上の金属又は複数の異なる金属層を含んでいてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、拡張電極１１ｃ’がＣｕを含む場合、Ｃｕの酸化を抑制するために、追加の金属をその上に堆積又はめっきしてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、拡張電極１１ｃ’がＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎを含む場合、Ｃｕは、Ｓｎが発光積層構造に浸入するのを防止してもよい。なお、拡張電極１１ｃ’は、これに限定されることなく、金属めっき処理によって形成されてもよい。
【0128】
図示された例示的な実施形態によれば、拡張電極１１ｃ’のそれぞれは、発光チップ２００から離れて面するリード電極１１ｐｃ’の遠位端の近くに形成されてもよい。このように、拡張電極１１ｃ’が発光パッケージ２２０の各角部付近に形成されることで、拡張電極１１ｃ’は発光パッケージ２２０を構造的に支持することができる。いくつかの例示的な実施形態では、構造的な安定性を高めるために、拡張電極１１ｃ’は、接続電極２０ｃｅ’、３０ｃｅ’、４０ｃｅ’及び５０ｃｅ’と重ならなくてもよい。
【0129】
第２モールディング層９２’は、絶縁層１１ｐ’上に配置され、拡張電極１１ｃ’を実質的に取り囲んでいてもよい。第２モールディング層９２’は、有機ポリマー又は無機ポリマーを含んでもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第１及び第２モールディング層９１’及び９２’の少なくとも１つは、シリカ又はアルミナなどのピラーをさらに含んでもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第２モールディング層９２’は、積層法、めっき法及び／又は印刷法など、当技術分野で知られている様々な方法によって形成されてもよい。例えば、第２モールディング層９２’は、発光チップ２００上に有機ポリマーシートを配置し、真空中で高温高圧を印加して、発光パッケージ２２０の実質的に平面的な上面を提供して光の均一性を向上させる、真空ラミネートプロセスによって形成されてもよい。このようにして、発光パッケージ２２０は、強化されたパッケージ構造を提供することができる。
【0130】
図２４を参照すると、さらに別の例示的な実施形態による発光パッケージ２３０は、第１モールディング層９１’が発光チップ２００の基板１１の上に形成されて、外部の光が基板１１によってユーザが視認し得る方向に向かって反射されることを防止することを除
いて、図２３の発光パッケージ２２０と実質的に同じである。この場合、いくつかの例示的な実施形態では、発光チップ２００から発せられる光の５０％を少なくとも透過させるために、絶縁層１１ｐ’とは反対を向く基板１１の上面１１ｐａ’を覆う第１モールディング層９１’の一部は、約１００μｍ未満の厚さを有していてもよい。
いて、図２３の発光パッケージ２２０と実質的に同じである。この場合、いくつかの例示的な実施形態では、発光チップ２００から発せられる光の５０％を少なくとも透過させるために、絶縁層１１ｐ’とは反対を向く基板１１の上面１１ｐａ’を覆う第１モールディング層９１’の一部は、約１００μｍ未満の厚さを有していてもよい。
【0131】
本明細書では、特定の例示的な実施形態及び実装を説明してきたが、他の実施形態及び修正がこの説明から明らかであろう。したがって、本発明の概念は、そのような実施形態に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲のより広い範囲と、当業者には明らかな、様々な自明な変更や均等物にも適用されるものである。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19A】
【図19B】
【図20A】
【図20B】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【手続補正書】
【提出日】2024-05-27
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に配置され、第１半導体スタックを含む第１発光素子と、
前記基板上に配置され、第２半導体スタックを含む第２発光素子と、
前記基板上に配置され、第３半導体スタックを含む第３発光素子と、
前記基板上に配置され、前記第１発光素子、前記第２発光素子、又は前記第３発光素子の少なくとも１つに電気的に接続された接続電極と、
前記第１発光素子、前記第２発光素子、又は前記第３発光素子の少なくとも１つの側面を覆い、前記各接続電極の厚さよりも厚い領域を含むパッシベーション層と、
互いに対向する第１表面及び第２表面を有し、前記第１表面が前記第１半導体スタック、前記第２半導体スタック、又は前記第３半導体スタックの少なくとも１つに対向する絶縁層と、
を含み、
前記接続電極の少なくとも１つは、外側に延在する第１領域と、前記第１半導体スタック、前記第２半導体スタック、又は前記第３半導体スタックの少なくとも１つの中央側に延在する第２領域を含み、
前記接続電極の少なくとも１つの下側の長さは、前記接続電極の少なくとも１つの上側と異なる長さを有する領域を含む、発光装置。
前記基板上に配置され、第１半導体スタックを含む第１発光素子と、
前記基板上に配置され、第２半導体スタックを含む第２発光素子と、
前記基板上に配置され、第３半導体スタックを含む第３発光素子と、
前記基板上に配置され、前記第１発光素子、前記第２発光素子、又は前記第３発光素子の少なくとも１つに電気的に接続された接続電極と、
前記第１発光素子、前記第２発光素子、又は前記第３発光素子の少なくとも１つの側面を覆い、前記各接続電極の厚さよりも厚い領域を含むパッシベーション層と、
互いに対向する第１表面及び第２表面を有し、前記第１表面が前記第１半導体スタック、前記第２半導体スタック、又は前記第３半導体スタックの少なくとも１つに対向する絶縁層と、
を含み、
前記接続電極の少なくとも１つは、外側に延在する第１領域と、前記第１半導体スタック、前記第２半導体スタック、又は前記第３半導体スタックの少なくとも１つの中央側に延在する第２領域を含み、
前記接続電極の少なくとも１つの下側の長さは、前記接続電極の少なくとも１つの上側と異なる長さを有する領域を含む、発光装置。
【請求項2】
前記接続電極の少なくとも１つは、前記第１半導体スタック、前記第２半導体スタック、又は前記第３半導体スタックの少なくとも１つの側面と重なる領域を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第１領域は、前記第２領域とは異なる高さを有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第１領域の高さは、前記第２領域の高さよりも大きい、請求項３に記載の発光装置。
【請求項5】
前記接続電極は、２つ以上の金属を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項6】
前記接続電極の下側の長さは、前記接続電極の上側の長さよりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
【外国語明細書】