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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024102771
(43)【公開日】2024-07-31
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240724BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 644C
H01L21/304 643A
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023006892
(22)【出願日】2023-01-19
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】岡田 吉文
(72)【発明者】
【氏名】沖田 展彬
(72)【発明者】
【氏名】中村 一樹
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA12
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC26
5F157BA02
5F157BA14
5F157BA31
5F157BA41
5F157BB22
5F157BB45
5F157CB16
5F157CE23
5F157CE25
5F157CE27
5F157CF30
5F157CF40
5F157CF42
5F157CF44
5F157DB46
(57)【要約】
【課題】基板処理のスループットを向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】上側保持装置により基板Ｗの外周端部が保持され、当該基板Ｗの下面中央領域が下面ブラシ５１を用いて洗浄される。基板Ｗの下面中央領域の洗浄後、基板Ｗが上側保持装置から下降し、下側保持装置の吸着保持部２１に渡される。吸着保持部２１により保持される基板Ｗが処理液を用いて洗浄される。平面視で基板Ｗを取り囲むカップ６１が、処理液を受け止め可能な上カップ位置と、上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられている。カップ６１は、待機時に下カップ位置にある。基板Ｗが上側保持装置の高さ位置から下側保持装置の高さ位置に移動する基板下降動作の期間と下カップ位置から上カップ位置に上昇するカップ上昇動作の期間とが少なくとも一部重複するように、各動作が開始される。
【選択図】図１５
【解決手段】上側保持装置により基板Ｗの外周端部が保持され、当該基板Ｗの下面中央領域が下面ブラシ５１を用いて洗浄される。基板Ｗの下面中央領域の洗浄後、基板Ｗが上側保持装置から下降し、下側保持装置の吸着保持部２１に渡される。吸着保持部２１により保持される基板Ｗが処理液を用いて洗浄される。平面視で基板Ｗを取り囲むカップ６１が、処理液を受け止め可能な上カップ位置と、上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられている。カップ６１は、待機時に下カップ位置にある。基板Ｗが上側保持装置の高さ位置から下側保持装置の高さ位置に移動する基板下降動作の期間と下カップ位置から上カップ位置に上昇するカップ上昇動作の期間とが少なくとも一部重複するように、各動作が開始される。
【選択図】図１５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記第２の処理は、処理液を用いた処理を含み、
前記処理部は、平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに、前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置と、前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられた処理カップと、
前記処理カップを昇降させるカップ駆動部とを含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に向かって上昇させるカップ上昇動作を、前記基板下降動作の期間および前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記第２の処理は、処理液を用いた処理を含み、
前記処理部は、平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに、前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置と、前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられた処理カップと、
前記処理カップを昇降させるカップ駆動部とを含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に向かって上昇させるカップ上昇動作を、前記基板下降動作の期間および前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
【請求項2】
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記下面ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記下面ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
【請求項3】
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記ノズル移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記ノズル移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
【請求項4】
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる、基板処理装置。
【請求項5】
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部と、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部と、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記処理液を用いた処理として前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理、および前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部に加えて、前記下面ブラシ移動部、前記ノズル移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板下降動作、前記カップ上昇動作、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように行わせる、請求項１記載の基板処理装置。
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部と、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部と、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記処理液を用いた処理として前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理、および前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部に加えて、前記下面ブラシ移動部、前記ノズル移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板下降動作、前記カップ上昇動作、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように行わせる、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項6】
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板に処理液を用いた第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに昇降可能に設けられた処理カップを前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置に配置することにより、前記第２の処理で用いられる処理液を受け止めるステップと、
前記処理カップを、前記上カップ位置と前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に上昇させるカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記処理カップを昇降させるステップとが開始される、基板処理方法。
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板に処理液を用いた第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに昇降可能に設けられた処理カップを前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置に配置することにより、前記第２の処理で用いられる処理液を受け止めるステップと、
前記処理カップを、前記上カップ位置と前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に上昇させるカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記処理カップを昇降させるステップとが開始される、基板処理方法。
【請求項7】
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記下面ブラシを移動させるステップが開始される、基板処理方法。
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記下面ブラシを移動させるステップが開始される、基板処理方法。
【請求項8】
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記流体ノズルを移動させるステップが開始される、基板処理方法。
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記流体ノズルを移動させるステップが開始される、基板処理方法。
【請求項9】
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触させて基板の前記外周端部を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記端部ブラシを移動させるステップとが開始される、基板処理方法。
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触させて基板の前記外周端部を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記端部ブラシを移動させるステップとが開始される、基板処理方法。
【請求項10】
処理液を用いた前記第２の処理は、
前記第１の高さ位置よりも下方の前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に端部ブラシを接触させて基板の前記外周端部を洗浄することとを含み、
前記基板処理方法は、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとをさらに含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように、前記基板下降動作を行うステップ、前記処理液を受け止めるステップ、前記下面ブラシを移動させるステップ、前記流体ノズルを移動させるステップ、および前記端部ブラシを移動させるステップが開始される、請求項６記載の基板処理方法。
前記第１の高さ位置よりも下方の前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に端部ブラシを接触させて基板の前記外周端部を洗浄することとを含み、
前記基板処理方法は、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとをさらに含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように、前記基板下降動作を行うステップ、前記処理液を受け止めるステップ、前記下面ブラシを移動させるステップ、前記流体ノズルを移動させるステップ、および前記端部ブラシを移動させるステップが開始される、請求項６記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板を洗浄する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するために、基板洗浄装置が用いられる。
【0003】
例えば、特許文献１に記載された基板洗浄装置は、ウエハの裏面周縁部を保持する２つの吸着パッド、ウエハの裏面中央部を保持するスピンチャック、およびウエハの裏面を洗浄するブラシを備える。２つの吸着パッドがウエハを保持するとともに横方向に移動する。この状態で、ウエハの裏面中央部がブラシで洗浄される。その後、スピンチャックが吸着パッドからウエハを受け取り、スピンチャックがウエハの裏面中央部を保持しつつ回転する。この状態で、ウエハの裏面周縁部がブラシで洗浄される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第５９０４１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記の基板洗浄装置においては、多数の基板が順次搬入および搬出されることにより、各基板に洗浄処理が行われる。そのため、一の基板の処理に要する期間を短くすることができれば、多数の基板について処理効率を大きく向上させることができる。したがって、基板洗浄装置においては、基板処理のスループットのさらなる向上が求められる。
【0006】
本発明の目的は、基板処理のスループットを向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一局面に従う基板処理装置は、第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、制御部とを備え、前記第２の処理は、処理液を用いた処理を含み、前記処理部は、平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに、前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置と、前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられた処理カップと、前記処理カップを昇降させるカップ駆動部とを含み、前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に向かって上昇させるカップ上昇動作を、前記基板下降動作の期間および前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0008】
本発明の他の局面に従う基板処理装置は、第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、制御部とを備え、前記処理部は、基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部とを含み、前記第２の処理は、前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理を含み、前記制御部は、前記基板移動部および前記下面ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0009】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理装置は、第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、制御部とを備え、前記処理部は、基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部とを含み、前記第２の処理は、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理を含み、前記制御部は、前記基板移動部および前記ノズル移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0010】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理装置は、第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、制御部とを備え、前記処理部は、基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、前記第２の処理は、前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、前記制御部は、前記基板移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0011】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板に処理液を用いた第２の処理を行うステップと、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに昇降可能に設けられた処理カップを前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置に配置することにより、前記第２の処理で用いられる処理液を受け止めるステップと、前記処理カップを、前記上カップ位置と前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降させるステップとを含み、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に上昇させるカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記処理カップを昇降させるステップとが開始される。
【0012】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記下面ブラシを移動させるステップが開始される。
【0013】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップとを含み、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記流体ノズルを移動させるステップが開始される。
【0014】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触させて基板の前記外周端部を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記端部ブラシを移動させるステップとが開始される。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、基板処理のスループットを向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。本実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法は、基板洗浄装置および基板洗浄方法である。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態では、基板の上面が回路形成面（表面）であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面（裏面）である。さらに、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、本実施の形態で用いられる基板は、ノッチを除いて円形状の外周端部を有する。
【0018】
１．基板洗浄装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す外観斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向（上下方向）に相当する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す外観斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向（上下方向）に相当する。
【0019】
図１に示すように、基板洗浄装置１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および開閉装置９０を備える。これらの構成要素は、ユニット筐体２内に設けられる。図２では、ユニット筐体２が点線で示される。
【0020】
ユニット筐体２は、矩形の底面部２ａと、底面部２ａの４辺から上方に延びる４つの側壁部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとを有する。側壁部２ｂ，２ｃが互いに対向し、側壁部２ｄ，２ｅが互いに対向する。側壁部２ｂの中央部には、矩形の開口が形成されている。この開口は、基板Ｗの搬入搬出口２ｘであり、ユニット筐体２に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に用いられる。図２では、搬入搬出口２ｘが太い点線で示される。以下の説明においては、Ｙ方向のうちユニット筐体２の内部から搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２の外方に向く方向（側壁部２ｃから側壁部２ｂを向く方向）を前方と呼び、その逆の方向（側壁部２ｂから側壁部２ｃを向く方向）を後方と呼ぶ。
【0021】
側壁部２ｂにおける搬入搬出口２ｘの形成部分およびその近傍の領域には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されたシャッタ９１と、シャッタ９１を駆動するシャッタ駆動部９２とを含む。図２では、シャッタ９１が太い二点鎖線で示される。シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に搬入搬出口２ｘを開放するようにシャッタ９１を駆動する。これにより、シャッタ９１は開状態となる。また、シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１における基板Ｗの洗浄時に搬入搬出口２ｘを閉塞するようにシャッタ９１を駆動する。これにより、シャッタ９１は閉状態となる。
【0022】
底面部２ａの中央部には、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１、可動台座３２および台座駆動部３３を含む。リニアガイド３１は、２本のレールを含み、平面視で側壁部２ｂの近傍から側壁部２ｃの近傍までＹ方向に延びるように設けられている。可動台座３２は、リニアガイド３１の２本のレール上でＹ方向に移動可能に設けられている。台座駆動部３３は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド３１上で可動台座３２をＹ方向に移動させる。
【0023】
可動台座３２上には、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、吸着保持部２１および吸着保持駆動部２２を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有し、上下方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
【0024】
吸着保持駆動部２２は、モータを含む。吸着保持駆動部２２のモータは、回転軸が上方に向かって突出するように可動台座３２上に設けられている。吸着保持部２１は、吸着保持駆動部２２の回転軸の上端部に取り付けられる。また、吸着保持駆動部２２の回転軸には、吸着保持部２１において基板Ｗを吸着保持するための吸引経路が形成されている。その吸引経路は、図示しない吸気装置に接続されている。吸着保持駆動部２２は、吸着保持部２１を上記の回転軸の周りで回転させる。
【0025】
可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍にさらに受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、複数（本例では３本）の支持ピン４１、ピン連結部材４２およびピン昇降駆動部４３を含む。ピン連結部材４２は、平面視で吸着保持部２１を取り囲むように形成され、複数の支持ピン４１を連結する。複数の支持ピン４１は、ピン連結部材４２により互いに連結された状態で、ピン連結部材４２から一定長さ上方に延びる。ピン昇降駆動部４３は、可動台座３２上でピン連結部材４２を昇降させる。これにより、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１に対して相対的に昇降する。
【0026】
下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの基板ノズル５２、２つのブラシノズル５２ａ，５２ｂ、気体噴出部５３、昇降支持部５４、下面ブラシ回転駆動部５５ａおよび下面ブラシ昇降駆動部５５ｂを含む。図２に示すように、可動台座３２上に、昇降支持部５４が昇降可能に設けられている。昇降支持部５４は、吸着保持部２１から遠ざかる方向（本例では後方）において斜め下方に傾斜する上面５４ｕを有する。
【0027】
図１に示すように、下面ブラシ５１は、平面視において円形の外形を有し、本実施の形態においては比較的大型に形成される。具体的には、下面ブラシ５１の直径は、吸着保持部２１の吸着面の直径よりも大きく、例えば吸着保持部２１の吸着面の直径の１．３倍である。また、下面ブラシ５１の直径は、基板Ｗの直径の１／３よりも大きくかつ１／２よりも小さい。なお、基板Ｗの直径は、例えば３００ｍｍである。
【0028】
下面ブラシ５１は、スポンジブラシであり、フッ素系樹脂等の比較的濡れ性が低い材料により形成されることが好ましい。この場合、下面ブラシ５１に汚染物が付着することが低減される。これにより、下面ブラシ５１が汚染しにくくなる。本例では、下面ブラシ５１は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）により形成されるが、実施の形態はこれに限定されない。下面ブラシ５１は、ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）等の比較的軟質な樹脂材料により形成されてもよい。
【0029】
下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面に接触可能な洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。
【0030】
２つの基板ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体吐出口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕ上に取り付けられている。基板ノズル５２には、下面洗浄液供給部５６（図５）が接続されている。下面洗浄液供給部５６は、基板ノズル５２に基板洗浄用の洗浄液を供給する。基板ノズル５２は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に、下面洗浄液供給部５６から供給される洗浄液を基板Ｗの下面に吐出する。本実施の形態では、基板ノズル５２に供給される洗浄液として純水が用いられる。
【0031】
２つのブラシノズル５２ａ，５２ｂは、下面ブラシ５１を洗浄するために用いられる。２つのブラシノズル５２ａ，５２ｂの各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置するように、昇降支持部５４の上面５４ｕ上に取り付けられている。ブラシノズル５２ａ，５２ｂには、ブラシ洗浄液供給部５７（図５）が接続されている。ブラシ洗浄液供給部５７は、ブラシノズル５２ａ，５２ｂにブラシ洗浄用の洗浄液を供給する。それにより、ブラシ洗浄液供給部５７から供給された洗浄液が、ブラシノズル５２ａ，５２ｂから下面ブラシ５１に向けて吐出される。２つの基板ノズル５２に供給される洗浄液と２つのブラシノズル５２ａ，５２ｂに供給される洗浄液とは同じである。したがって、本実施の形態では、ブラシノズル５２ａ，５２ｂに供給される洗浄液として純水が用いられる。
【0032】
一方のブラシノズル５２ａは、下面ブラシ５１の側方の位置で、当該ブラシノズル５２ａの先端部（液体吐出口）が下面ブラシ５１の上方の位置に向くように設けられている。そのため、ブラシノズル５２ａから吐出される洗浄液は、下面ブラシ５１の側方の位置から放物線を描くように下面ブラシ５１の洗浄面の中央部に導かれる。他方のブラシノズル５２ｂは、下面ブラシ５１の側方の位置で、当該ブラシノズル５２ｂの先端部（液体吐出口）が下面ブラシ５１の側部（外周端部）に向くように設けられている。そのため、ブラシノズル５２ｂから吐出される洗浄液は、下面ブラシ５１の側方の位置から下面ブラシ５１の側部（外周端部）に導かれる。
【0033】
後述するように、下面ブラシ５１は、基板洗浄装置１の電源がオンしている間、基本的に回転している。したがって、ブラシノズル５２ａ，５２ｂから下面ブラシ５１に洗浄液が吐出される際には、下面ブラシ５１の全体が洗浄液により円滑に洗い流される。また、下面ブラシ５１の洗浄面が均一に濡らされる。これにより、下面ブラシ５１が部分的に硬化することが防止される。
【0034】
気体噴出部５３は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部５３は、下面洗浄装置５０の他の構成要素に対して独立して昇降可能に可動台座３２上に設けられている。気体噴出部５３を昇降動作させるための駆動部の説明は省略する。気体噴出部５３の気体噴射口は、平面視で下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に位置しかつ上方を向いている。気体噴出部５３には、噴出気体供給部５８（図５）が接続されている。
【0035】
噴出気体供給部５８は、気体噴出部５３に気体を供給する。本実施の形態では、気体噴出部５３に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。気体噴出部５３は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時および後述する基板Ｗの下面の乾燥時に、噴出気体供給部５８から供給される気体を基板Ｗの下面に噴射する。この場合、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に、Ｘ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。
【0036】
図１の下面ブラシ回転駆動部５５ａは、モータを含み、基本的には、基板洗浄装置１の電源がオンしている間、下面ブラシ５１を回転させる。下面ブラシ昇降駆動部５５ｂは、ステッピングモータまたはエアシリンダを含み、可動台座３２上で昇降支持部５４を昇降させる。
【0037】
底面部２ａの中央部には、さらにカップ装置６０が設けられている。カップ装置６０は、カップ６１およびカップ駆動部６２を含む。カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図２においては、カップ６１が点線で示される。カップ駆動部６２は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じてカップ６１を下カップ位置と上カップ位置との間で移動させる。下カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方にある高さ位置である。また、上カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方にある高さ位置である。カップ６１が上カップ位置にある状態で、カップ６１と吸着保持部２１とは側面視で互いに重なる。そのため、上カップ位置は、カップ６１が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗの高さ位置に対応する高さ位置であるといえる。
【0038】
カップ６１よりも上方の高さ位置には、平面視で台座装置３０を挟んで対向するように一対の上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが設けられている。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａ、上チャック１２Ａ、下チャック駆動部１３Ａおよび上チャック駆動部１４Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂ、上チャック１２Ｂ、下チャック駆動部１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ｂを含む。
【0039】
図３は、図１および図２の下チャック１１Ａ，１１Ｂの外観斜視図である。図３では、下チャック１１Ａ，１１Ｂが太い実線で示される。また、上チャック１２Ａ，１２Ｂが点線で示される。図３の外観斜視図では、下チャック１１Ａ，１１Ｂの形状が理解しやすいように、各部の拡縮率が図２の外観斜視図から変更されている。
【0040】
図３に示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、２本の支持片２００を有する。各支持片２００には、傾斜支持面２０１および移動制限面２０２が設けられている。
【0041】
下チャック１１Ａにおいて、各支持片２００の傾斜支持面２０１は、基板Ｗの外周端部を下方から支持可能でかつ下チャック１１Ｂに向かって斜め下方に延びるように形成されている。移動制限面２０２は、傾斜支持面２０１の上端部から一定距離上方に延び、下チャック１１Ａの上端部に段差を形成する。一方、下チャック１１Ｂにおいて、各支持片２００の傾斜支持面２０１は、基板Ｗの外周端部を下方から支持可能でかつ下チャック１１Ａに向かって斜め下方に延びるように形成されている。移動制限面２０２は、傾斜支持面２０１の上端部から一定距離上方に延び、下チャック１１Ｂの上端部に段差を形成する。
【0042】
図１の下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂは、アクチュエータとしてエアシリンダまたはモータを含む。下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づくように、または下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂを移動させる。ここで、Ｘ方向における下チャック１１Ａ，１１Ｂの目標位置が予め定められている場合、下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂは、目標位置の情報に基づいてＸ方向における下チャック１１Ａ，１１Ｂの位置をそれぞれ個別に調整することができる。例えば、下チャック１１Ａ，１１Ｂの間の距離を基板Ｗの外径よりも小さくすることができる。この場合、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の傾斜支持面２０１上に基板Ｗを載置することができる。
【0043】
図４は、図１および図２の上チャック１２Ａ，１２Ｂの外観斜視図である。図４では、上チャック１２Ａ，１２Ｂが太い実線で示される。また、下チャック１１Ａ，１１Ｂが点線で示される。図４の外観斜視図では、上チャック１２Ａ，１２Ｂの形状が理解しやすいように、各部の拡縮率が図２の外観斜視図から変更されている。
【0044】
図４に示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、２本の保持片３００を有する。各保持片３００は、当接面３０１および突出部３０２を有する。
【0045】
上チャック１２Ａにおいて、各保持片３００の当接面３０１は、当該保持片３００の先端下部で、上チャック１２Ｂを向くように形成され、Ｘ方向に直交する。突出部３０２は、当接面３０１の上端から上チャック１２Ｂに向かって所定距離突出するように形成されている。一方、上チャック１２Ｂにおいて、各保持片３００の当接面３０１は、当該保持片３００の先端下部で、上チャック１２Ａを向くように形成され、Ｘ方向に直交する。突出部３０２は、当接面３０１の上端から上チャック１２Ａに向かって所定距離突出するように形成されている。
【0046】
図１の上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂは、アクチュエータとしてエアシリンダまたはモータを含む。上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂは、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づくように、または上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかるように、上チャック１２Ａ，１２Ｂを移動させる。ここで、Ｘ方向における上チャック１２Ａ，１２Ｂの目標位置が予め定められている場合、上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂは、目標位置の情報に基づいてＸ方向における上チャック１２Ａ，１２Ｂの位置をそれぞれ個別に調整することができる。
【0047】
上記の上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいては、例えば下チャック１１Ａ，１１Ｂ上に載置された基板Ｗの外周端部に向けて上チャック１２Ａ，１２Ｂが移動する。基板Ｗの外周端部の複数の部分に上チャック１２Ａの２つの当接面３０１および上チャック１２Ｂの２つの当接面３０１が接触することにより、基板Ｗの外周端部が保持され、基板Ｗが強固に固定される。
【0048】
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂの間の距離および上チャック１２Ａ，１２Ｂ間の距離が予め定められた組み合わせで調整されることにより、退避状態、載置可能状態および保持状態の３つの状態に移行する。
【0049】
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの退避状態は、下チャック１１Ａ，１１Ｂの間の距離が基板Ｗの外径よりも大きくかつ上チャック１２Ａ，１２Ｂの間の距離が基板Ｗの外径よりも大きい状態である。この場合、水平姿勢の基板Ｗを下チャック１１Ａ，１１Ｂの間および上チャック１２Ａ，１２Ｂの間を通して上下方向（Ｚ方向）に移動させることができる。
【0050】
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの載置可能状態は、下チャック１１Ａ，１１Ｂの間の距離が基板Ｗの外径よりも小さくかつ上チャック１２Ａ，１２Ｂの間の距離が基板Ｗの外径よりも大きい状態である。この場合、基板Ｗと上チャック１２Ａ，１２Ｂとの干渉を防止しつつ、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の傾斜支持面２０１上に基板Ｗを水平姿勢で載置することができる。また、下チャック１１Ａ，１１Ｂ上に載置された基板Ｗを取り上げることができる。
【0051】
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの保持状態は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが載置可能状態にありかつ下チャック１１Ａ，１１Ｂ上に基板Ｗが載置されている場合にのみ移行可能な状態である。具体的には、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの保持状態は、下チャック１１Ａ，１１Ｂの間の距離が基板Ｗの外径よりも小さくかつ上チャック１２Ａ，１２Ｂが下チャック１１Ａ，１１Ｂ上の基板Ｗの外周端部に接触し、基板Ｗを固定している状態である。
【0052】
ここで、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいて、載置可能状態から保持状態への移行時には、上チャック１２Ａ，１２Ｂが基板Ｗを挟んで互いに近づくようにＸ方向に移動する。このとき、上チャック１２Ａ，１２Ｂの移動は、具体的には、次のように行われる。
【0053】
まず、一方の上チャックが他方の上チャックに向かって移動し、予め定められた目標位置で停止する。その後、他方の上チャックが一方の上チャックに向かって移動し、基板Ｗの外周端部の一部に接触する。さらに、他方の上チャックは、当該基板Ｗの外周端部の他の部分が一方の上チャックに接触するまで、一方の上チャックに向かって移動する。このようにして載置可能状態から保持状態への移行が行われる場合には、基板Ｗが下チャック１１Ａ，１１Ｂ上で上記の目標位置を基準として位置決めされる。したがって、基板Ｗの寸法が既知である場合には、その寸法に基づいて目標位置を定めることにより、基板Ｗの中心を後述する平面基準位置ｒｐ（図６）に容易に位置決めすることができる。
【0054】
また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいて、保持状態から載置可能状態への移行時には、上チャック１２Ａ，１２Ｂが基板Ｗを挟んで互いに遠ざかるようにＸ方向に移動する。このとき、上チャック１２Ａ，１２Ｂの移動は、具体的には、次のように行われる。
【0055】
まず、一方の上チャックが予め定められた目標位置にある状態で、他方の上チャックが一方の上チャックから遠ざかるように移動する。他方の上チャックが基板Ｗから離間した後、一方の上チャックが他方の上チャックから遠ざかるように移動する。このようにして保持状態から載置可能状態への移行が行われる場合には、基板Ｗが下チャック１１Ａ，１１Ｂ上で上記の目標位置を基準として位置決めされる。したがって、基板Ｗの寸法が既知である場合には、その寸法に基づいて目標位置を定めることにより、基板Ｗの中心を後述する平面基準位置ｒｐ（図６）に容易に位置決めすることができる。
【0056】
図１に示すように、Ｙ方向において互いに対向する２つの側壁部２ｃ，２ｂには、投光部１９ａおよび受光部１９ｂがそれぞれ設けられている。投光部１９ａは投光素子を含む。受光部１９ｂは受光素子を含む。投光部１９ａおよび受光部１９ｂは、透過型の一の光電センサ１９（図５）を構成する。
【0057】
投光部１９ａおよび受光部１９ｂは、投光部１９ａが受光部１９ｂよりも下方に位置するように配置される。また、投光部１９ａおよび受光部１９ｂは、投光部１９ａと受光部１９ｂとを結ぶ直線が、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが保持された場合に、その基板Ｗを横切るように配置される。
【0058】
基板洗浄装置１においては、載置可能状態にある上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ上に基板Ｗが載置される際に、投光部１９ａから受光部１９ｂに向けて光が出射される（図２の一点鎖線の矢印参照）。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ上に基板Ｗが正常に載置されている場合、投光部１９ａから出射された光は基板Ｗにより遮断される。それにより、受光部１９ｂは、投光部１９ａから出射された光を受光しない。一方、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ上に基板Ｗが正常に載置されていない場合、投光部１９ａから出射された光は基板Ｗにより遮断されることなく受光部１９ｂに入射する。したがって、受光部１９ｂの受光素子から出力される受光信号に基づいて、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ上に基板Ｗが正常に載置されているか否かを判定することができる。以下の説明では、この判定を基板載置状態判定と呼ぶ。
【0059】
基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが載置可能状態から保持状態に移行する際にも、投光部１９ａから受光部１９ｂに向けて光が出射される。これにより、上記と同様の理由で、受光部１９ｂの受光素子から出力される受光信号に基づいて、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが正常に保持されているか否かを判定することができる。以下の説明では、この判定を基板保持状態判定と呼ぶ。
【0060】
図１に示すように、カップ６１の一側方においては、平面視で上側保持装置１０Ｂの近傍に位置するように、上面洗浄装置７０が設けられている。上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２、スプレーノズル７３および上面洗浄駆動部７４を含む。
【0061】
回転支持軸７１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に上面洗浄駆動部７４により支持される。アーム７２は、図２に示すように、上側保持装置１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。
【0062】
スプレーノズル７３には、上面洗浄流体供給部７５（図５）が接続される。上面洗浄流体供給部７５は、スプレーノズル７３に洗浄液および気体を供給する。本実施の形態では、スプレーノズル７３に供給される洗浄液として純水が用いられ、スプレーノズル７３に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面の洗浄時に、上面洗浄流体供給部７５から供給される洗浄液と気体とを混合して混合流体を生成し、生成された混合流体を下方に噴射する。
【0063】
上面洗浄駆動部７４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸７１を昇降させるとともに、回転支持軸７１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの上面上で、スプレーノズル７３を円弧状に移動させることにより、基板Ｗの上面全体を洗浄することができる。
【0064】
図１に示すように、カップ６１の他側方においては、平面視で上側保持装置１０Ａの近傍に位置するように、端部洗浄装置８０が設けられている。端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２、ベベルブラシ８３およびベベルブラシ駆動部８４を含む。
【0065】
回転支持軸８１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にベベルブラシ駆動部８４により支持される。アーム８２は、図２に示すように、上側保持装置１０Ａよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。
【0066】
ベベルブラシ８３は、上半部が逆円錐台形状を有するとともに下半部が円錐台形状を有する。このベベルブラシ８３によれば、外周面の上下方向における中央部分で基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。
【0067】
ベベルブラシ駆動部８４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸８１を昇降させるとともに、回転支持軸８１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの外周端部にベベルブラシ８３の外周面の中央部分を接触させることにより、基板Ｗの外周端部全体を洗浄することができる。
【0068】
ここで、ベベルブラシ駆動部８４は、さらにアーム８２に内蔵されるモータを含む。そのモータは、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３を上下方向の軸の周りで回転させる。したがって、基板Ｗの外周端部の洗浄時に、ベベルブラシ８３が回転することにより、基板Ｗの外周端部におけるベベルブラシ８３の洗浄力が向上する。
【0069】
２．基板洗浄装置１の制御系
図５は、図１の基板洗浄装置１の制御系統の構成を示すブロック図である。基板洗浄装置１は、制御装置１７０を備える。制御装置１７０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板洗浄プログラムを記憶する。
図５は、図１の基板洗浄装置１の制御系統の構成を示すブロック図である。基板洗浄装置１は、制御装置１７０を備える。制御装置１７０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板洗浄プログラムを記憶する。
【0070】
図５に示すように、制御装置１７０は、複数の基板洗浄装置１の各々の動作を制御するための機能部として、チャック制御部９Ａ、吸着制御部９Ｂ、台座制御部９Ｃ、受渡制御部９Ｄ、下面洗浄制御部９Ｅ、カップ制御部９Ｆ、上面洗浄制御部９Ｇ、ベベル洗浄制御部９Ｈおよび搬入搬出制御部９Ｉを含む。ＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをＲＡＭ上で実行することにより制御装置１７０の機能部が実現される。制御装置１７０の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
【0071】
チャック制御部９Ａは、基板洗浄装置１に搬入される基板Ｗを受け取り、吸着保持部２１の上方の位置で保持するために、下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂを制御する。また、チャック制御部９Ａは、上記の基板載置状態判定および基板保持状態判定が行われるように、光電センサ１９を制御する。吸着制御部９Ｂは、吸着保持部２１により基板Ｗを吸着保持するとともに吸着保持された基板Ｗを回転させるために、吸着保持駆動部２２を制御する。
【0072】
台座制御部９Ｃは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗに対して可動台座３２を移動させるために、台座駆動部３３を制御する。受渡制御部９Ｄは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの高さ位置と、吸着保持部２１により保持される基板Ｗの高さ位置との間で基板Ｗを移動させるために、ピン昇降駆動部４３を制御する。
【0073】
下面洗浄制御部９Ｅは、基板Ｗの下面を洗浄するために、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂ、下面洗浄液供給部５６および噴出気体供給部５８を制御する。また、下面洗浄制御部９Ｅは、下面ブラシ５１を洗浄するために、ブラシ洗浄液供給部５７を制御する。カップ制御部９Ｆは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの洗浄時に基板Ｗから飛散する洗浄液をカップ６１で受け止めるために、カップ駆動部６２を制御する。
【0074】
上面洗浄制御部９Ｇは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの上面を洗浄するために、上面洗浄駆動部７４および上面洗浄流体供給部７５を制御する。ベベル洗浄制御部９Ｈは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの外周端部を洗浄するために、ベベルブラシ駆動部８４を制御する。搬入搬出制御部９Ｉは、基板洗浄装置１における基板Ｗの搬入時および搬出時にユニット筐体２の搬入搬出口２ｘを開閉するために、シャッタ駆動部９２を制御する。
【0075】
３．基板洗浄装置１の動作
図６～図２０は、図１の基板洗浄装置１の動作の一例を説明するための模式図である。図６～図２０の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示される。また、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図１のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図１のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図６～図２１では、カップ６１が二点鎖線で示されるとともに、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。
図６～図２０は、図１の基板洗浄装置１の動作の一例を説明するための模式図である。図６～図２０の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示される。また、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図１のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図１のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図６～図２１では、カップ６１が二点鎖線で示されるとともに、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。
【0076】
さらに、図６～図２０の上段の平面図には、シャッタ９１の状態またはその状態の変化が文字列で示されるとともに、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの状態またはその状態の変化が文字列で示される。また、図６～図２１の中段の側面図には、下側保持装置２０の状態またはその状態の変化が文字列で示される。なお、下側保持装置２０の状態とは、吸着保持部２１が回転しているか否かを示す状態である。
【0077】
まず、図６に示すように、初期状態（待機状態）としてユニット筐体２内に基板Ｗが存在しない状態を想定する。基板洗浄装置１に基板Ｗが搬入される前の初期状態では、開閉装置９０のシャッタ９１は閉状態にある。そのため、搬入搬出口２ｘはシャッタ９１により閉塞されている。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、退避状態にある。そのため、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、互いの距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、上チャック１２Ａ，１２Ｂも、互いの距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。下側保持装置２０は、吸着保持部２１の回転が停止された停止状態にある。
【0078】
また、初期状態では、台座装置３０の可動台座３２は、平面視で吸着保持部２１の中心がカップ６１の中心に位置するように配置されている。このとき、下面洗浄装置５０は、可動台座３２上で吸着保持部２１からＹ方向に一定距離離間した位置にある。さらに、下面洗浄装置５０の下面ブラシ５１の洗浄面（上端部）は、吸着保持部２１よりも下方に位置する。初期状態における下面ブラシ５１の上下方向（Ｚ方向）の位置を下面ブラシ待機位置と呼ぶ。基板Ｗが吸着保持部２１により保持される場合に、下面ブラシ待機位置は当該基板Ｗの下方にある。特に、本実施の形態においては、下面ブラシ待機位置は、昇降支持部５４により下面ブラシ５１が昇降可能な上下方向の範囲のうち最も低い位置に相当する。
【0079】
また、初期状態では、受渡装置４０は、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１よりも下方に位置する状態にある。さらに、カップ装置６０のカップ６１は下カップ位置にある。以下の説明では、平面視におけるカップ６１の中心位置を平面基準位置ｒｐと呼ぶ。また、平面視で吸着保持部２１の中心が平面基準位置ｒｐにあるときの底面部２ａ上の可動台座３２の位置を基準水平位置と呼ぶ。
【0080】
さらに、初期状態では、上面洗浄装置７０のスプレーノズル７３は、Ｘ方向においてカップ６１から一側方に所定距離離間しかつ上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよびカップ６１よりも上方の待機位置で保持されている。以下、この初期状態のスプレーノズル７３の待機位置をスプレーノズル待機位置と呼ぶ。
【0081】
また、端部洗浄装置８０のベベルブラシ８３は、Ｘ方向においてカップ６１から他側方に所定距離離間しかつ上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよびカップ６１よりも上方の待機位置で保持されている。以下、この初期状態のベベルブラシ８３の待機位置をベベルブラシ待機位置と呼ぶ。
【0082】
図７に示すように、基板洗浄装置１に基板Ｗが搬入される際には、基板Ｗがユニット筐体２内に進入する直前のタイミングで、シャッタ９１が閉状態から開状態に移行する。また、図７に太い実線の矢印ａ１で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づくことにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが退避状態から載置可能状態に移行する。
【0083】
上記のように、シャッタ９１が閉状態から開状態に移行する動作をシャッタ開動作と呼ぶ。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが退避状態から載置可能状態に移行する動作を載置準備動作と呼ぶ。この場合、図５のチャック制御部９Ａおよび搬入搬出制御部９Ｉは、シャッタ開動作の期間および載置準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、各動作を開始させる。
【0084】
次に、図８に太い実線の矢印ａ２で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）Ｍａが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２の内部に進入し、ユニット筐体２内の略中央の位置に基板Ｗを移動させる。このとき、ハンドＭａにより保持される基板Ｗは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間に位置する。
【0085】
次に、ハンドＭａが下降する。このとき、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、載置可能状態にある。そのため、ハンドＭａが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも下方に移動することにより、ハンドＭａに保持された基板Ｗが、一対の下チャック１１Ａ，１１Ｂ上に載置される。これにより、基板Ｗの下面周縁部の複数の部分が、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片２００（図３）によりそれぞれ支持される。その後、空のハンドＭａが搬入搬出口２ｘから退出する。
【0086】
次に、ハンドＭａの退出後、図９に示すように、シャッタ９１が開状態から閉状態に移行する。また、光電センサ１９（図５）による基板載置状態判定が行われる。具体的には、投光部１９ａから受光部１９ｂに向けて光が出射されるとともに、受光部１９ｂの受光信号に基づいて、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ上に基板Ｗが正常に載置されているか否かが判定される。ここで、基板Ｗが正常に載置されていないと判定された場合には、基板Ｗの処理が停止される。
【0087】
また、ハンドＭａの退出後には、図９に太い実線の矢印ａ３で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づくことにより、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片３００が基板Ｗの外周端部に当接する。これにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが載置可能状態から保持状態に移行し、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される。この移行時には、上記のように上チャック１２Ａ，１２Ｂのうち一方の上チャックを目標位置まで移動させた後、他方の上チャックを一方の上チャックに向けて移動させることにより、基板ＷがＸ方向において正確に位置決めされる。
【0088】
このとき、さらに、光電センサ１９（図５）による基板保持状態判定が行われる。具体的には、投光部１９ａから受光部１９ｂに向けて光が出射されるとともに、受光部１９ｂの受光信号に基づいて、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが正常に保持されているか否かが判定される。ここで、基板Ｗが正常に保持されていないと判定された場合には、基板Ｗの処理が停止される。
【0089】
本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、当該基板Ｗの下面中央領域が下面ブラシ５１により洗浄される。そこで、ハンドＭａの退出後には、基板Ｗの下面中央領域の洗浄の準備のために、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面のうち最初に接触すべき予め定められた領域（初期接触領域）に対向する位置まで移動する。本例では、初期接触領域は、基板Ｗの下面中央領域であるものとする。
【0090】
この場合、具体的には、平面視で下面ブラシ５１が基板Ｗの初期接触領域に重なるように可動台座３２がＹ方向に移動する。また、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に近接する高さ位置まで近づくように昇降支持部５４が上昇する。より具体的には、図９の例では、太い実線の矢印ａ４で示すように、平面視で下面ブラシ５１の中心が平面基準位置ｒｐに重なるまで、可動台座３２が基準水平位置から前方に移動する。また、図９に太い実線の矢印ａ５で示すように、下面ブラシ５１が下面ブラシ待機位置から基板Ｗの近傍の位置（基板Ｗから約５ｍｍ程度離間した位置）まで近づくように昇降支持部５４が上昇する。なお、昇降支持部５４は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する位置まで上昇してもよい。
【0091】
上記のように、シャッタ９１が開状態から閉状態に移行する動作をシャッタ閉動作と呼ぶ。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが載置可能状態から保持状態に移行する動作を保持移行動作と呼ぶ。さらに、下面ブラシ５１が、平面視で基板Ｗの初期接触領域に重なるように移動する動作、および上下方向において下面ブラシ待機位置から上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面に向かって移動する動作を第１のブラシ準備動作と呼ぶ。この場合、図５のチャック制御部９Ａ、台座制御部９Ｃ、下面洗浄制御部９Ｅおよび搬入搬出制御部９Ｉは、シャッタ閉動作の期間、保持移行動作の期間および第１のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、各動作を開始させる。
【0092】
ここで、ハンドＭａの退出後には、さらに図９に太い実線の矢印ａ６で示すように、吸着保持部２１が回転を開始する。すなわち、下側保持装置２０が、停止状態から回転状態に移行する。この下側保持装置２０の移行は、例えば基板Ｗがユニット筐体２の内部に進入してから基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持されるまでの間に行われる。
【0093】
次に、下面ブラシ５１が基板Ｗの初期接触領域（本例では下面中央領域）に押し当てられる。また、図１０に太い実線の矢印ａ７で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの下面中央領域に付着する汚染物質が下面ブラシ５１により物理的に剥離される。
【0094】
図１０の下段には、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する部分の拡大側面図が吹き出し内に示される。その吹き出し内に示されるように、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する状態で、基板ノズル５２および気体噴出部５３は、基板Ｗの下面に近接する位置に保持される。このとき、基板ノズル５２は、白抜きの矢印ａ５１で示すように、下面ブラシ５１の近傍の位置で基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出する。これにより、基板ノズル５２から基板Ｗの下面に供給された洗浄液が下面ブラシ５１と基板Ｗとの接触部に導かれることにより、下面ブラシ５１により基板Ｗの裏面から除去された汚染物質が洗浄液により洗い流される。
【0095】
ここで、昇降支持部５４の上面５４ｕは、吸着保持部２１から遠ざかる方向において斜め下方に傾斜している。この場合、基板Ｗの下面から汚染物質を含む洗浄液が昇降支持部５４上に落下する場合に、上面５４ｕによって受け止められた洗浄液が吸着保持部２１から遠ざかる方向に導かれる。
【0096】
また、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時には、気体噴出部５３が、図１０の吹き出し内に白抜きの矢印ａ５２で示すように、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間の位置で基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。本実施の形態においては、気体噴出部５３は、気体噴射口がＸ方向に延びるように可動台座３２上に取り付けられている。この場合、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に気体が噴射される際には、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間でＸ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に向かって飛散することが防止される。したがって、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に付着することが防止され、吸着保持部２１の吸着面が清浄に保たれる。
【0097】
なお、図１０の例においては、気体噴出部５３は、白抜きの矢印ａ５２で示すように、気体噴出部５３から下面ブラシ５１に向かって斜め上方に気体を噴射するが、本発明はこれに限定されない。気体噴出部５３は、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に向かってＺ方向に沿うように気体を噴射してもよい。
【0098】
上記のように、基板Ｗの下面中央領域が洗浄されている間、下側保持装置２０は継続して回転状態にある。それにより、基板Ｗの洗浄に用いられた洗浄液の液滴等が仮に吸着保持部２１上に落下する場合でも、当該液滴等は回転する吸着保持部２１から振り切られる。それにより、洗浄液の液滴等が吸着保持部２１上に残留することが防止される。
【0099】
次に、図１０の状態で、基板Ｗの下面中央領域の洗浄が完了すると、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、基板ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出が停止される。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射は継続される。
【0100】
その後、図１１に太い実線の矢印ａ８で示すように、平面視で基準水平位置よりも後方に所定距離ずれた位置まで可動台座３２が移動する。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が継続されることにより、基板Ｗの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。なお、気体噴出部５３による基板Ｗの下面中央領域の乾燥時には、下面ブラシ５１の回転が一時的に停止されていてもよい。
【0101】
次に、図１２に太い実線の矢印ａ９で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が吸着保持部２１の吸着面（上端部）よりも下方に位置するように、昇降支持部５４が下降する。これにより、下面ブラシ５１が下面ブラシ待機位置（高さ位置）まで移動する。なお、下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面中央領域の洗浄後、気体噴出部５３による乾燥前に、基板Ｗの下面に接触する位置から下面ブラシ待機位置まで移動してもよい。
【0102】
また、図１２に太い実線の矢印ａ１０で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが基板Ｗの外周端部から離間するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかる。これにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが保持状態から載置可能状態に移行し、基板Ｗが取り上げ可能に下チャック１１Ａ，１１Ｂ上に支持される。この移行時には、上記のように上チャック１２Ａ，１２Ｂのうち一方の上チャックが目標位置にある状態で、他方の上チャックを一方の上チャックから遠ざかるように移動させる。これにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂ上の基板ＷがＸ方向において正確に位置決めされる。
【0103】
その後、図１３の中段および下段に示すように、下側保持装置２０が回転状態から停止状態に移行する。つまり、下側保持装置２０の吸着保持部２１の回転が停止する。この回転の停止には、例えば２ｓｅｃ程度の時間を要する。また、図１３に太い実線の矢印ａ１１で示すように、可動台座３２が基準水平位置に向かって前方に移動する。さらに、図１３に太い実線の矢印ａ１２で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が下チャック１１Ａ，１１Ｂよりもわずかに上方に位置するように、ピン連結部材４２が上昇する。それにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが、複数の支持ピン４１により受け取られる。
【0104】
ここで、図５の受渡制御部９Ｄは、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりも下方の位置から下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片２００（図３）よりもわずかに下方の高さ位置まで移動する間、複数の支持ピン４１を高速で上昇させる。一方、受渡制御部９Ｄは、複数の支持ピン４１の上端部が複数の支持片２００よりもわずかに下方の高さ位置から複数の支持片２００よりもわずかに上方の高さ位置まで移動する間、複数の支持ピン４１を低速で上昇させる。これにより、複数の支持ピン４１が基板Ｗに接触する際の基板Ｗの破損が防止されるとともに、初期状態にある複数の支持ピン４１が基板Ｗを受け取るまでの時間が短縮される。
【0105】
上記のように、下側保持装置２０が回転状態から停止状態に移行する動作を回転停止動作と呼ぶ。また、可動台座３２が基準水平位置に向かって水平方向（本例では前方）に移動する動作を水平移動動作と呼ぶ。さらに、複数の支持ピン４１が上昇する動作を上下移動動作と呼ぶ。可動台座３２の水平移動動作および複数の支持ピン４１の上下移動動作は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂから下側保持装置２０に基板Ｗを渡すために行われる動作である。この場合、図５のチャック制御部９Ａ、台座制御部９Ｃおよび受渡制御部９Ｄは、回転停止動作の期間の少なくとも一部、水平移動動作の期間の少なくとも一部および上下移動動作の期間の少なくとも一部が互いに重複するように、各動作を開始させる。
【0106】
次に、図１４に太い実線の矢印ａ１３で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかる。これにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが載置可能状態から退避状態に移行する。このとき、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で複数の支持ピン４１により支持される基板Ｗに重ならない位置にある。それにより、複数の支持ピン４１により水平姿勢で支持された基板Ｗを上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの間を通して上下方向（Ｚ方向）に移動させることが可能になる。さらに、本実施の形態では、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが退避状態にあるときに、下チャック１１Ａ，１１Ｂおよび上チャック１２Ａ，１２Ｂは、平面視でカップ６１に重ならない位置にある。
【0107】
次に、図１５に太い実線の矢印ａ１４で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりも下方に位置するように、ピン連結部材４２が下降する。それにより、複数の支持ピン４１上に支持された基板Ｗが、吸着保持部２１により受け取られる。この状態で、吸着保持部２１は、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持する。
【0108】
なお、図５の受渡制御部９Ｄは、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりも上方の位置から吸着保持部２１よりもわずかに上方の高さ位置まで移動する間、基板Ｗが浮遊しない程度に複数の支持ピン４１を高速で下降させる。一方、受渡制御部９Ｄは、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりもわずかに上方の高さ位置から吸着保持部２１よりも下方の高さ位置まで移動する間、複数の支持ピン４１を低速で下降させる。これにより、吸着保持部２１が基板Ｗに接触する際の基板Ｗの破損が防止されるとともに、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ上の基板Ｗが下側保持装置２０に渡されるまでの時間が短縮される。
【0109】
ここで、上記のように、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗが下降して下側保持装置２０上に渡されるまでの受渡装置４０の動作を基板下降動作と呼ぶ。本実施の形態では、受渡装置４０の基板下降動作の期間のうち少なくとも一部の期間に重複するように、以下に説明するカップ上昇動作、第２のブラシ準備動作、第１のノズル準備動作および第３のブラシ準備動作が行われる。
【0110】
カップ上昇動作は、図１５に太い実線の矢印ａ１５で示すように、カップ６１を下カップ位置から上カップ位置に上昇させる動作である。上記のように、下チャック１１Ａ，１１Ｂおよび上チャック１２Ａ，１２Ｂは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが退避状態にあるときに平面視でカップ６１に重ならない。したがって、上記のカップ上昇動作は、少なくとも上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが退避状態にあるタイミングで開始されることが好ましい。この場合、カップ６１の上昇時に、カップ６１と上側保持装置１０Ａ，１０Ｂとの干渉が防止される。
【0111】
第２のブラシ準備動作は、図１５に太い実線の矢印ａ１６で示すように、下面ブラシ５１を下面ブラシ待機位置から下側保持装置２０により保持された基板Ｗの下面に向かって上昇させる動作である。この第２のブラシ準備動作時には、後述する図１７に太い実線の矢印ａ２３で示すように、下面ブラシ５１の回転（上下方向に延びる軸を基準とする自転）は継続されている。
【0112】
ここで、図５の下面洗浄制御部９Ｅは、第２のブラシ準備動作中、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面よりもわずかに下方の高さ位置に到達した時点で、一時的に下面ブラシ５１の上昇を停止させるかまたは上昇速度を低下させる。それにより、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する際の基板Ｗの破損が防止される。
【0113】
第１のノズル準備動作は、スプレーノズル７３をスプレーノズル待機位置から基板Ｗの上方のスプレーノズル処理位置に向かって移動させる動作である。第１のノズル準備動作の開始時点で、スプレーノズル７３は、基板Ｗ、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよびカップ６１よりも上方の高さ位置にある。第１のノズル準備動作が開始されると、上面洗浄装置７０の回転支持軸７１が回転する。それにより、図１５に太い実線の矢印ａ１７で示すように、スプレーノズル７３がスプレーノズル待機位置から基板Ｗの上方の位置まで移動する。続いて、回転支持軸７１が所定距離下降する。それにより、図１６に太い実線の矢印ａ１８で示すように、スプレーノズル７３の先端部が基板Ｗの上面から数ｃｍ程度上方の高さ位置まで下降し、スプレーノズル７３がスプレーノズル処理位置に到達する。
【0114】
第３のブラシ準備動作は、ベベルブラシ８３をベベルブラシ待機位置から基板Ｗの外周端部に接触するベベルブラシ処理位置に向かって移動させる動作である。第３のブラシ準備動作の開始時点で、ベベルブラシ８３は、基板Ｗ、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよびカップ６１よりも上方の高さ位置にある。第３のブラシ準備動作が開始されると、端部洗浄装置８０の回転支持軸８１が回転する。それにより、図１５に太い実線の矢印ａ１９で示すように、ベベルブラシ８３がベベルブラシ待機位置から基板Ｗの外周端部の一部の上方の位置まで移動する。また、回転支持軸８１が所定距離下降する。それにより、図１６に太い実線の矢印ａ２０で示すように、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部の一部に接触する位置までベベルブラシ８３が下降し、ベベルブラシ処理位置に到達する。
【0115】
ここで、図５のベベル洗浄制御部９Ｈは、第３のブラシ準備動作中、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部からわずかに離間した位置に到達した時点で、一時的にベベルブラシ８３の下降を停止させるかまたは下降速度を低下させる。それにより、ベベルブラシ８３が基板Ｗに接触する際の基板Ｗの破損が防止される。
【0116】
次に、図１７に太い実線の矢印ａ２１で示すように、吸着保持部２１が上下方向の軸（吸着保持駆動部２２の回転軸の軸心）の周りで回転する。それにより、吸着保持部２１に吸着保持された基板Ｗが水平姿勢で回転する。なお、吸着保持部２１の回転開始のタイミングは、受渡装置４０により受渡装置４０に渡された基板Ｗが吸着保持部２１により吸着保持された後であればよい。
【0117】
その後、スプレーノズル７３から基板Ｗの上面に洗浄液と気体との混合流体が噴射される。また、回転支持軸７１が回転する。それにより、図１７に太い実線の矢印ａ２２で示すように、スプレーノズル７３が回転する基板Ｗの上方の位置で円弧状に移動する。基板Ｗの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。
【0118】
また、このとき、ベベルブラシ８３の外周面の中央部分が基板Ｗの外周端部に接触した状態で、ベベルブラシ８３が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物質がベベルブラシ８３により物理的に剥離される。基板Ｗの外周端部から剥離された汚染物質は、スプレーノズル７３から基板Ｗに噴射される混合流体の洗浄液により洗い流される。
【0119】
さらに、図１７に太い実線の矢印ａ２３で示すように、下面ブラシ５１は継続して上下方向の軸の周りで回転（自転）する。さらに、基板ノズル５２は基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出し、気体噴出部５３は基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。これにより、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの下面外側領域を全体に渡って下面ブラシ５１により洗浄することができる。下面ブラシ５１の回転方向は、吸着保持部２１の回転方向とは逆であってもよい。この場合、基板Ｗの下面外側領域を効率よく洗浄することができる。
【0120】
なお、昇降支持部５４は、可動台座３２上で下側保持装置２０に対してＹ方向に相対移動可能に構成されてもよい。この場合、図１７に太い実線の矢印ａ２４で示すように、昇降支持部５４を可動台座３２上でＹ方向に移動させる。それにより、可動台座３２が所定の位置に固定された状態で下面ブラシ５１による洗浄可能な範囲が拡大される。
【0121】
基板Ｗの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄が完了すると、スプレーノズル７３から基板Ｗへの混合流体の噴射が停止される。また、図１８に太い実線の矢印ａ２５で示すように、スプレーノズル７３がスプレーノズル待機位置（初期状態の位置）まで移動する。また、図１８に太い実線の矢印ａ２６で示すように、ベベルブラシ８３がベベルブラシ待機位置（初期状態の位置）まで移動する。さらに、昇降支持部５４が下降する。これにより、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する位置から下面ブラシ待機位置に移動する。また、基板ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出、および気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が停止される。この状態で、吸着保持部２１が高速で回転することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗの全体が乾燥する（スピン乾燥）。なお、このスピン乾燥時には、下面ブラシ５１の回転が一時的に停止されていてもよい。
【0122】
次に、図１９に太い実線の矢印ａ２７で示すように、カップ６１が上カップ位置から下カップ位置まで下降する。その後、基板洗浄装置１のユニット筐体２内から基板Ｗが搬出される。ユニット筐体２内から基板Ｗが搬出される際には、図示しない基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）Ｍａがユニット筐体２内に進入する直前のタイミングで、シャッタ９１が閉状態から開状態に移行する（シャッタ開動作）。
【0123】
続いて、図２０に太い実線の矢印ａ２８で示すように、基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）Ｍａが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２に進入する。続いて、ハンドＭａは、吸着保持部２１上の基板Ｗを受け取り、搬入搬出口２ｘから退出する。ハンドＭａの退出後、シャッタ９１が開状態から閉状態に移行する（シャッタ閉動作）。
【0124】
なお、上記の基板Ｗの搬出に連続して、未処理の新たな基板Ｗがユニット筐体２内に搬入されてもよい（基板Ｗの入れ替え）。この場合、図５のチャック制御部９Ａおよび搬入搬出制御部９Ｉは、処理後の基板Ｗを搬出するためのシャッタ開動作の期間と上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが未処理の基板Ｗを受け取るための載置準備動作の期間との少なくとも一部が重複するように、各動作を開始させる。
【0125】
上記のように、下面ブラシ５１は、基板洗浄装置１の電源がオンしている間、基本的に継続して回転している。図５の下面洗浄制御部９Ｅは、ブラシ洗浄液供給部５７を制御することにより、予め定められたブラシ洗浄期間中、ブラシ洗浄液供給部５７から図１のブラシノズル５２ａ，５２ｂにブラシ洗浄用の洗浄液を供給する。この場合、ブラシ洗浄期間は、ユニット筐体２内に基板Ｗが存在しない期間を含んでもよい。また、ブラシ洗浄期間は、上下方向において下面ブラシ５１が下面ブラシ待機位置にある期間を含んでもよい。
【0126】
４．効果
（ａ）上記の基板洗浄装置１においては、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持され、当該基板Ｗの下面中央領域が洗浄される。次に、受渡装置４０の基板下降動作により、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂから下側保持装置２０に渡される。このとき、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗは、受渡装置４０の基板下降動作により上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの高さ位置から下側保持装置２０の吸着保持部２１の高さ位置まで下降する。その後、基板Ｗは吸着保持部２１により吸着保持され、回転する。この状態で、基板Ｗの下面外側領域が下面洗浄装置５０により洗浄される。基板Ｗの上面が上面洗浄装置７０により洗浄され、基板Ｗの外周端部が端部洗浄装置８０により洗浄される。基板Ｗから飛散する洗浄液がカップ６１により受け止められ、回収または廃棄される。
（ａ）上記の基板洗浄装置１においては、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持され、当該基板Ｗの下面中央領域が洗浄される。次に、受渡装置４０の基板下降動作により、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂから下側保持装置２０に渡される。このとき、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗは、受渡装置４０の基板下降動作により上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの高さ位置から下側保持装置２０の吸着保持部２１の高さ位置まで下降する。その後、基板Ｗは吸着保持部２１により吸着保持され、回転する。この状態で、基板Ｗの下面外側領域が下面洗浄装置５０により洗浄される。基板Ｗの上面が上面洗浄装置７０により洗浄され、基板Ｗの外周端部が端部洗浄装置８０により洗浄される。基板Ｗから飛散する洗浄液がカップ６１により受け止められ、回収または廃棄される。
【0127】
（ｂ）カップ６１は、下側保持装置２０により保持される基板Ｗの洗浄が行われない期間中、下カップ位置で待機状態となる。これにより、カップ６１と基板洗浄装置１の他の構成要素との間の干渉が防止される。そこで、下側保持装置２０により保持される基板Ｗの洗浄が開始される直前に、カップ６１を下カップ位置から上カップ位置に上昇させるカップ上昇動作が行われる。
【0128】
図５の受渡制御部９Ｄおよびカップ制御部９Ｆは、基板下降動作の期間およびカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が互いに重複するように、各動作を開始させる。これにより、基板下降動作の期間およびカップ上昇動作の期間が重複しないように各動作が行われる場合に比べて、一の基板Ｗの処理に要する期間がそれらの期間の重複期間分短縮される。それにより、基板処理のスループットが向上する。
【0129】
なお、基板下降動作およびカップ上昇動作は、同時に開始されるか、または同時に終了するように行われることが好ましい。この場合、それらの２つの動作期間のうち少なくとも一方の動作期間分の重複期間を確保することができる。
【0130】
（ｃ）また、図５の受渡制御部９Ｄおよび下面洗浄制御部９Ｅは、基板下降動作の期間および第２のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が互いに重複するように、各動作を開始させる。これにより、基板下降動作の期間および第２のブラシ準備動作の期間が重複しないように各動作が行われる場合に比べて、一の基板Ｗの処理に要する期間がそれらの期間の重複期間分短縮される。それにより、基板処理のスループットが向上する。
【0131】
なお、基板下降動作および第２のブラシ準備動作は、同時に開始されるか、または同時に終了するように行われることが好ましい。この場合、それらの２つの動作期間のうち少なくとも一方の動作期間分の重複期間を確保することができる。
【0132】
（ｄ）また、図５の受渡制御部９Ｄおよび上面洗浄制御部９Ｇは、基板下降動作の期間および第１のノズル準備動作の期間の少なくとも一部が互いに重複するように、各動作を開始させる。これにより、基板下降動作の期間および第１のノズル準備動作の期間が重複しないように各動作が行われる場合に比べて、一の基板Ｗの処理に要する期間がそれらの期間の重複期間分短縮される。それにより、基板処理のスループットが向上する。
【0133】
なお、基板下降動作および第１のノズル準備動作は、同時に開始されるか、または同時に終了するように行われることが好ましい。この場合、それらの２つの動作期間のうち少なくとも一方の動作期間分の重複期間を確保することができる。
【0134】
（ｅ）さらに、図５の受渡制御部９Ｄおよびベベル洗浄制御部９Ｈは、基板下降動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が互いに重複するように、各動作を開始させる。これにより、基板下降動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間が重複しないように各動作が行われる場合に比べて、一の基板Ｗの処理に要する期間がそれらの期間の重複期間分短縮される。それにより、基板処理のスループットが向上する。
【0135】
なお、基板下降動作および第３のブラシ準備動作は、同時に開始されるか、または同時に終了するように行われることが好ましい。この場合、それらの２つの動作期間のうち少なくとも一方の動作期間分の重複期間を確保することができる。
【0136】
（ｅ）本実施の形態では、さらに、基板下降動作の期間の少なくとも一部と、カップ上昇動作の期間の少なくとも一部と、第２のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部と、第１のノズル準備動作の期間の少なくとも一部と、第３のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部とが互いに重複する。このように、多数の動作が並行して行われる場合には、基板処理のスループットがより向上する。
【0137】
なお、基板下降動作、カップ上昇動作、第２のブラシ準備動作、第１のノズル準備動作および第３のブラシ準備動作は、同時に開始されるか、または同時に終了するように行われることが好ましい。この場合、基板処理のスループットをさらに向上させることが可能になる。
【0138】
５．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態では、基板下降動作の期間の少なくとも一部と、カップ上昇動作の期間の少なくとも一部と、第２のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部と、第１のノズル準備動作の期間の少なくとも一部と、第３のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部とが互いに重複する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
（ａ）上記実施の形態では、基板下降動作の期間の少なくとも一部と、カップ上昇動作の期間の少なくとも一部と、第２のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部と、第１のノズル準備動作の期間の少なくとも一部と、第３のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部とが互いに重複する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
【0139】
基板下降動作の期間およびカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複する場合、第２のブラシ準備動作の期間、第１のノズル準備動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間は、基板下降動作の期間に重複しなくてもよい。この場合においても、基板下降動作の期間およびカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複することにより、上記のように、基板処理のスループットが向上する。
【0140】
基板下降動作の期間および第２のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複する場合、カップ上昇動作の期間、第１のノズル準備動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間は、基板下降動作の期間に重複しなくてもよい。この場合においても、基板下降動作の期間および第２のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複することにより、上記のように、基板処理のスループットが向上する。
【0141】
基板下降動作の期間および第１のノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複する場合、カップ上昇動作の期間、第２のブラシ準備動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間は、基板下降動作の期間に重複しなくてもよい。この場合においても、基板下降動作の期間および第１のノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複することにより、上記のように、基板処理のスループットが向上する。
【0142】
基板下降動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複する場合、カップ上昇動作の期間、第２のブラシ準備動作の期間および第１のノズル準備動作の期間は、基板下降動作の期間に重複しなくてもよい。この場合においても、基板下降動作の期間および第３のブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複することにより、上記のように、基板処理のスループットが向上する。
【0143】
（ｂ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１は、下側保持装置２０により吸着保持された基板Ｗの下面外側領域にリンス液を供給するバックリンスノズルを有してもよい。さらに、基板洗浄装置１は、下側保持装置２０により吸着保持された基板Ｗの上面にリンス液を供給するリンスノズルを有してもよい。
【0144】
図２１は、他の実施の形態に係る基板洗浄装置１の模式的平面図である。図２２は、図２１の基板洗浄装置１の制御系統の構成を示すブロック図である。図２１の模式的平面図は、図１の模式的平面図に対応する。図２２のブロック図は、図５のブロック図に対応する。図２１の基板洗浄装置１について、上記実施の形態に係る基板洗浄装置１と異なる点を説明する。
【0145】
図２１に示すように、本例の基板洗浄装置１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および開閉装置９０に加えて、上面リンス装置２１０をさらに備える。
【0146】
上面リンス装置２１０は、Ｘ方向におけるカップ６１の側方の位置で端部洗浄装置８０に隣り合うように設けられている。上面リンス装置２１０は、回転支持軸２１１、アーム２１２、リンスノズル２１３およびリンス駆動部２１４を含む。
【0147】
回転支持軸２１１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にリンス駆動部２１４により支持される。アーム２１２は、上側保持装置１０Ａよりも上方の位置で、回転支持軸２１１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム２１２の先端部には、リンスノズル２１３が取り付けられている。
【0148】
リンスノズル２１３には、リンス液供給部２１５（図２２）が接続される。リンス液供給部２１５は、リンスノズル２１３にリンス液を供給する。本例では、リンスノズル２１３に供給される洗浄液として純水が用いられる。リンスノズル２１３は、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄中または洗浄後でかつ基板Ｗの乾燥前に、リンス液供給部２１５から供給される洗浄液を基板Ｗの上面に吐出する。
【0149】
リンス駆動部２１４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸２１１を昇降させるとともに、回転支持軸２１１を回転させる。上記の構成によれば、図２１に太い点線の矢印で示すように、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの上面上で、リンスノズル２１３を円弧状に移動させることにより、基板Ｗの上面全体にリンス液を供給することができる。
【0150】
また、上記のように、基板洗浄装置１がさらにバックリンスノズルを有する場合には、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの下面にもリンス液を供給することができる。このように、図２１の基板洗浄装置１によれば、洗浄後または洗浄中の基板Ｗの上面および下面に対してリンス処理が可能である。
【0151】
図２２に示すように、本例の制御装置１７０は、機能部として、図５に記載された各種制御部に加えて、リンス制御部９Ｊを含む。リンス制御部９Ｊの機能は、他の制御部と同様に、ＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをＲＡＭ上で実行することにより実現される。リンス制御部９Ｊの一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。リンス制御部９Ｊは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの上面にリンス処理を施すために、リンス駆動部２１４およびリンス液供給部２１５を制御する。
【0152】
図２１の基板洗浄装置１においても、上記実施の形態に係る基板洗浄装置１と基本的に同様に、一の基板Ｗについて図６～図２０に示される一連の処理が行われる。ここで、上記の一連の処理中に、図２２のリンス制御部９Ｊは、以下に示すように、リンス駆動部２１４およびリンス液供給部２１５を制御してもよい。
【0153】
図２３は、図２２のリンス制御部９Ｊによるリンス駆動部２１４およびリンス液供給部２１５の一制御例を説明するための側面図である。図２３の側面図は、図２１の基板洗浄装置１をＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図であり、図２１のＣ－Ｃ線側面図に対応する。さらに、図２３の側面図により示される基板洗浄装置１の動作状態のタイミングは、上記実施の形態に係る基板洗浄装置１の図１５の動作状態のタイミングに対応する。
【0154】
図２３に示すように、本例では、受渡装置４０の基板下降動作の期間のうち少なくとも一部の期間に重複するように、第２のノズル準備動作が行われる。第２のノズル準備動作は、リンスノズル２１３をカップ６１の側方のリンスノズル待機位置から基板Ｗの上方のリンスノズル処理位置に向かって移動させる動作である。
【0155】
第２のノズル準備動作の開始時点で、リンスノズル２１３は、基板Ｗ、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよびカップ６１よりも上方の高さ位置で保持されている。第２のノズル準備動作が開始されると、上面リンス装置２１０の回転支持軸２１１が回転する。それにより、図２３に太い実線の矢印ａ２９で示すように、リンスノズル２１３がリンスノズル待機位置から基板Ｗの上方の位置まで移動する。続いて、回転支持軸２１１が所定距離下降する。それにより、リンスノズル２１３の先端部が基板Ｗの上面から数ｃｍ程度上方の高さ位置まで下降し、リンスノズル２１３がリンスノズル処理位置に到達する。その後、リンスノズル処理位置にあるリンスノズル２１３から基板Ｗの上面にリンス液が供給される。
【0156】
本例では、図２２の受渡制御部９Ｄおよびリンス制御部９Ｊは、基板下降動作の期間および第２のノズル準備動作の期間の少なくとも一部が互いに重複するように、各動作を開始させる。これにより、基板下降動作の期間および第２のノズル準備動作の期間が重複しないように各動作が行われる場合に比べて、一の基板Ｗの処理に要する期間がそれらの期間の重複期間分短縮される。それにより、基板処理のスループットが向上する。なお、図２１の基板洗浄装置１には、下面洗浄装置５０が設けられなくてもよいし、上面洗浄装置７０が設けられなくてもよいし、端部洗浄装置８０が設けられなくてもよい。
【0157】
なお、本例においても、受渡装置４０の基板下降動作の期間のうち少なくとも一部の期間に重複するように、カップ上昇動作（図２３の矢印ａ１５）、第２のブラシ準備動作、第１のノズル準備動作（図２３の矢印ａ１７）および第３のブラシ準備動作（図２３の矢印ａ１９）が行われる。しかしながら、これらの動作（カップ上昇動作、第２のブラシ準備動作、第１のノズル準備動作および第３のブラシ準備動作）は、受渡装置４０の基板下降動作の期間に重複しないように行われてもよい。
【0158】
（ｃ）上記実施の形態では、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗに対して、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面のうち最初に接触すべき予め定められた領域（初期接触領域）が基板Ｗの下面中央領域に設定されているが、本発明はこれに限定されない。初期接触領域は、下面中央領域からＹ方向に所定距離ずれた位置に設定されていてもよい。この場合、基板Ｗの下面中央領域の洗浄時には、下面ブラシ５１が初期接触領域に接触した後、下面ブラシ５１が下面上で初期接触領域から下面中央領域に移動するように可動台座３２が動作する。
【0159】
（ｄ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、基板Ｗの外周端部を保持するように構成されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの各々は、上記の下チャック１１Ａ，１１Ｂおよび上チャック１２Ａ，１２Ｂに代えて、複数の吸着パッドを備え、基板Ｗの下面の一部を吸着保持可能に構成されてもよい。この場合、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、基板Ｗの周縁部として、基板Ｗの下面外側領域を吸着保持する。それにより、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより吸着保持された状態で、基板Ｗの下面中央領域を洗浄することができる。
【0160】
（ｅ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂから下側保持装置２０に基板Ｗを渡すために、受渡装置４０による複数の支持ピン４１の上下移動動作が行われるが、本発明はこれに限定されない。
【0161】
基板洗浄装置１には、下側保持装置２０を上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに対して相対的に昇降させる昇降駆動部が設けられてもよい。あるいは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂを下側保持装置２０に対して相対的に昇降させる昇降駆動部が設けられてもよい。これらの場合、下側保持装置２０および上側保持装置１０Ａ，１０Ｂのうち少なくとも一方が他方に対して相対的に昇降動作することにより、複数の支持ピン４１を用いることなく２つの保持装置間で基板Ｗの受渡を行うことが可能になる。この場合、受渡装置４０が不要となり、下側保持装置２０の昇降駆動部または上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの昇降駆動部が、基板下降動作を行う構成要素として機能する。
【0162】
（ｆ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂから下側保持装置２０に基板Ｗを渡すために、台座装置３０による可動台座３２の水平移動動作が行われるが、本発明はこれに限定されない。
【0163】
基板洗浄装置１には、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂを下側保持装置２０に対してＹ方向に相対的に移動させる移動駆動部が設けられてもよい。この場合、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが下側保持装置２０に対してＹ方向に相対的に移動することにより、下側保持装置２０を水平方向に移動させることなく２つの保持装置間で基板Ｗの受渡を行うことが可能になる。
【0164】
（ｇ）上記実施の形態に示すように、基板洗浄用の洗浄液とブラシ洗浄用の洗浄液とが同じである場合、２つの基板ノズル５２は設けられなくてもよい。この場合、基板Ｗの下面中央領域の洗浄時および基板Ｗの下面外側領域の洗浄時に、ブラシノズル５２ａ，５２ｂから下面ブラシ５１に吐出される洗浄液を基板洗浄用の洗浄液として用いることができる。
【0165】
（ｈ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面中央領域の洗浄中に２つの基板ノズル５２から基板Ｗに洗浄液が供給されるが、本発明はこれに限定されない。
【0166】
基板洗浄装置１においては、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄前に、予め下面ブラシ５１を洗浄することにより下面ブラシ５１に洗浄液を浸み込ませてもよい。この場合、洗浄液が浸み込んだ下面ブラシ５１を基板Ｗの下面に接触させることにより、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する状態で、新たな洗浄液の供給を要することなく基板Ｗの下面を洗浄することができる。
【0167】
（ｉ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１は、下面洗浄装置５０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０のうち少なくとも１つの装置を有すればよく、少なくとも１つの装置以外の装置が設けられなくてもよい。さらに、上記実施の形態に係る基板洗浄装置１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗに対して、洗浄処理以外の処理を行う構成要素を有してもよい。
【0168】
６．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0169】
上記実施の形態においては、基板洗浄装置１が基板処理装置の例であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの高さ位置が第１の高さ位置の例であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例であり、下側保持装置２０により保持される基板Ｗの高さ位置が第２の高さ位置の例であり、下側保持装置２０が第２の基板保持部の例である。
【0170】
また、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面中央領域の洗浄処理が第１の処理の例であり、基板Ｗの上面の洗浄処理、基板Ｗの外周端部の洗浄処理、基板Ｗの下面外側領域の洗浄処理および基板Ｗのリンス処理が第２の処理の例であり、下面洗浄装置５０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および上面リンス装置２１０が処理部の例である。
【0171】
また、受渡装置４０が基板移動部の例であり、制御装置１７０が制御部の例であり、カップ６１が処理カップの例であり、カップ駆動部６２がカップ駆動部の例であり、下面ブラシ５１が下面ブラシの例であり、昇降支持部５４および下面ブラシ昇降駆動部５５ｂが下面ブラシ移動部の例である。
【0172】
また、洗浄液およびリンス液が処理液の例であり、スプレーノズル７３およびリンスノズル２１３が流体ノズルの例であり、回転支持軸７１、アーム７２、上面洗浄駆動部７４、回転支持軸２１１、アーム２１２およびリンス駆動部２１４がノズル移動部の例であり、ベベルブラシ８３が端部ブラシの例であり、回転支持軸８１、アーム８２およびベベルブラシ駆動部８４が端部ブラシ移動部の例である。
【0173】
７．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記第２の処理は、処理液を用いた処理を含み、
前記処理部は、平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに、前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置と、前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられた処理カップと、
前記処理カップを昇降させるカップ駆動部とを含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に向かって上昇させるカップ上昇動作を、前記基板下降動作の期間および前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記第２の処理は、処理液を用いた処理を含み、
前記処理部は、平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに、前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置と、前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降可能に設けられた処理カップと、
前記処理カップを昇降させるカップ駆動部とを含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に向かって上昇させるカップ上昇動作を、前記基板下降動作の期間および前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0174】
その基板処理装置においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0175】
第２の処理では、処理液が用いられる。そこで、処理カップが上カップ位置に配置される。第２の処理に用いられる処理液は、上カップ位置にある処理カップにより受け止められる。処理カップは、処理液を受け止めない場合、他の部材との干渉を防止するために、下カップ位置に退避する。そのため、第２の処理を開始する際には、処理カップを下カップ位置から上カップ位置に上昇させる必要がある。上記の基板処理装置によれば、基板下降動作の期間、およびカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0176】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後にカップ上昇動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。また、カップ上昇動作後に基板下降動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0177】
（第２項）第２項に係る基板処理装置は、
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記下面ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記下面ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0178】
その基板処理装置においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0179】
第２の処理は、下面ブラシによる基板の下面の洗浄処理を含む。下面ブラシは、基板の下面の洗浄が行われない間、下面ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、下面ブラシを下面ブラシ待機位置から下面ブラシ処理位置に移動させる必要がある。上記の基板処理装置によれば、基板下降動作の期間および下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0180】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後に下面ブラシ準備動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0181】
（第３項）第３項に係る基板処理装置は、
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記ノズル移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記ノズル移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0182】
その基板処理装置においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0183】
第２の処理は、流体ノズルによる基板の上面の洗浄処理を含む。流体ノズルは、基板の上面の洗浄が行われない間、ノズル待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、流体ノズルをノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる必要がある。上記の基板処理装置によれば、基板下降動作の期間およびノズル準備動作の期間との少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0184】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後ノズル準備動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0185】
（第４項）第４項に係る基板処理装置は、
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
第１の高さ位置で基板を保持可能に構成された第１の基板保持部と、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板を保持可能に構成された第２の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うことが可能かつ前記第２の基板保持部により保持された基板に第２の処理を行うことが可能に構成された処理部と、
前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行う基板移動部と、
制御部とを備え、
前記処理部は、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板移動部による前記基板下降動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように行わせる。
【0186】
その基板処理装置においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0187】
第２の処理は、端部ブラシによる基板の外周端部の洗浄処理を含む。端部ブラシは、基板の外周端部の洗浄が行われない間、端部ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、端部ブラシを端部ブラシ待機位置から端部ブラシ処理位置に移動させる必要がある。上記の基板処理装置によれば、基板下降動作の期間、および端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0188】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後端部ブラシ準備動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0189】
（第５項）第１項に係る基板処理装置において、
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部と、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部と、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記処理液を用いた処理として前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理、および前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部に加えて、前記下面ブラシ移動部、前記ノズル移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板下降動作、前記カップ上昇動作、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように行わせてもよい。
前記処理部は、
基板の下面に接触することにより前記下面を洗浄する下面ブラシと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された下面ブラシ移動部と、
基板の上面に処理液を含む流体を吐出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間したノズル待機位置との間で移動させることが可能に構成されたノズル移動部と、
基板の外周端部に接触することにより前記外周端部を洗浄する端部ブラシと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させることが可能に構成された端部ブラシ移動部とを含み、
前記第２の処理は、前記処理液を用いた処理として前記下面ブラシによる基板の前記下面の洗浄処理、前記流体ノズルによる基板の前記上面の洗浄処理、および前記端部ブラシによる基板の前記外周端部の洗浄処理を含み、
前記制御部は、前記基板移動部および前記カップ駆動部に加えて、前記下面ブラシ移動部、前記ノズル移動部および前記端部ブラシ移動部を制御することにより、前記基板下降動作、前記カップ上昇動作、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作を、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記ノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように行わせてもよい。
【0190】
この場合、第２の処理は、下面ブラシによる基板の下面の洗浄処理、流体ノズルによる基板の上面の洗浄処理、および端部ブラシによる基板の外周端部の洗浄処理を含む。
【0191】
下面ブラシは、基板の下面の洗浄が行われない間、下面ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、下面ブラシを下面ブラシ待機位置から下面ブラシ処理位置に移動させる必要がある。
【0192】
流体ノズルは、基板の上面の洗浄が行われない間、ノズル待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、流体ノズルをノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる必要がある。
【0193】
端部ブラシは、基板の外周端部の洗浄が行われない間、端部ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、端部ブラシを端部ブラシ待機位置から端部ブラシ処理位置に移動させる必要がある。
【0194】
上記の基板処理装置によれば、基板下降動作の期間の少なくとも一部、カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、ノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複する。これらの３以上の期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0195】
これにより、基板下降動作、カップ上昇動作、下面ブラシ準備動作、ノズル準備動作、および端部ブラシ準備動作が、それらの期間のうち３以上の期間が互いに重複しないように行われる場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0196】
（第６項）第６項に係る基板処理方法は、
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板に処理液を用いた第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに昇降可能に設けられた処理カップを前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置に配置することにより、前記第２の処理で用いられる処理液を受け止めるステップと、
前記処理カップを、前記上カップ位置と前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に上昇させるカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記処理カップを昇降させるステップとが開始される。
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板に処理液を用いた第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように形成されるとともに昇降可能に設けられた処理カップを前記第２の高さ位置に対応する上カップ位置に配置することにより、前記第２の処理で用いられる処理液を受け止めるステップと、
前記処理カップを、前記上カップ位置と前記上カップ位置よりも下方の下カップ位置との間で昇降させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記処理カップを前記下カップ位置から前記上カップ位置に上昇させるカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記処理カップを昇降させるステップとが開始される。
【0197】
その基板処理方法においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0198】
第２の処理では、処理液が用いられる。そこで、処理カップが上カップ位置に配置される。第２の処理に用いられる処理液は、上カップ位置にある処理カップにより受け止められる。処理カップは、処理液を受け止めない場合、他の部材との干渉を防止するために、下カップ位置に退避する。そのため、第２の処理を開始する際には、処理カップを下カップ位置から上カップ位置に上昇させる必要がある。上記の基板処理方法によれば、基板下降動作の期間、およびカップ上昇動作の期間の少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0199】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後にカップ上昇動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。また、カップ上昇動作後に基板下降動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0200】
（第７項）第７項に係る基板処理方法は、
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記下面ブラシを移動させるステップが開始される。
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記下面ブラシを移動させるステップが開始される。
【0201】
その基板処理方法においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0202】
第２の処理は、下面ブラシによる基板の下面の洗浄処理を含む。下面ブラシは、基板の下面の洗浄が行われない間、下面ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、下面ブラシを下面ブラシ待機位置から下面ブラシ処理位置に移動させる必要がある。上記の基板処理方法によれば、基板下降動作の期間と、下面ブラシ準備動作の期間との少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0203】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後に下面ブラシ準備動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0204】
（第８項）第８項に係る基板処理方法は、
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記流体ノズルを移動させるステップが開始される。
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップおよび前記流体ノズルを移動させるステップが開始される。
【0205】
その基板処理方法においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0206】
第２の処理は、流体ノズルによる基板の上面の洗浄処理を含む。流体ノズルは、基板の上面の洗浄が行われない間、ノズル待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、流体ノズルをノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる必要がある。上記の基板処理方法によれば、基板下降動作の期間およびノズル準備動作の期間の少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0207】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後にノズル準備動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0208】
（第９項）第９項に係る基板処理方法は、
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触させて基板の前記外周端部を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記端部ブラシを移動させるステップとが開始される。
第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持された基板に第１の処理を行うステップと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に接触させて基板の前記外周端部を洗浄することを含む第２の処理を行うステップと、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に基板を渡すために、基板を前記第１の高さ位置から前記第２の高さ位置に下降させる基板下降動作を行うステップと、
端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとを含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部が重複するように、前記基板下降動作を行うステップと前記端部ブラシを移動させるステップとが開始される。
【0209】
その基板処理方法においては、基板が第１の高さ位置で第１の基板保持部により保持され、第１の処理が行われる。次に、基板が第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡される。このとき、基板下降動作により基板が第１の高さ位置から第２の高さ位置に下降する。基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持され、第２の処理が行われる。
【0210】
第２の処理は、端部ブラシによる基板の外周端部の洗浄処理を含む。端部ブラシは、基板の外周端部の洗浄が行われない間、端部ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、端部ブラシを端部ブラシ待機位置から端部ブラシ処理位置に移動させる必要がある。上記の基板処理方法によれば、基板下降動作の期間、および端部ブラシ準備動作の期間との少なくとも一部が重複する。これらの期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0211】
これにより、基板下降動作により基板が第２の高さ位置に下降した後端部ブラシ準備動作が開始される場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0212】
（第１０項）第６項に係る基板処理方法において、
処理液を用いた前記第２の処理は、
前記第１の高さ位置よりも下方の前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に端部ブラシを接触させて基板の前記外周端部を洗浄することとを含み、
前記基板処理方法は、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとをさらに含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように、前記基板下降動作を行うステップ、前記処理液を受け止めるステップ、前記下面ブラシを移動させるステップ、前記流体ノズルを移動させるステップ、および前記端部ブラシを移動させるステップが開始されてもよい。
処理液を用いた前記第２の処理は、
前記第１の高さ位置よりも下方の前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持された基板の下面に下面ブラシを接触させて基板の前記下面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の上面に流体ノズルから処理液を含む流体を吐出して基板の前記上面を洗浄することと、
前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持された基板の外周端部に端部ブラシを接触させて基板の前記外周端部を洗浄することとを含み、
前記基板処理方法は、
前記下面ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記下面に接触する下面ブラシ処理位置と前記下面ブラシ処理位置から離間した下面ブラシ待機位置との間で移動させるステップと、
前記流体ノズルを、前記第２の基板保持部により保持された基板の上方のノズル処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間したノズル待機位置との間で移動させるステップと、
前記端部ブラシを、前記第２の基板保持部により保持された基板の前記外周端部に接触する端部ブラシ処理位置と前記第２の基板保持部により保持された基板から側方に離間した端部ブラシ待機位置との間で移動させるステップとをさらに含み、
前記第１の処理後前記第２の処理前に、前記基板下降動作の期間の少なくとも一部、前記カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、前記下面ブラシを前記下面ブラシ待機位置から前記下面ブラシ処理位置に移動させる下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、前記流体ノズルを前記ノズル待機位置から前記ノズル処理位置に移動させるノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および前記端部ブラシを前記端部ブラシ待機位置から前記端部ブラシ処理位置に移動させる端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複するように、前記基板下降動作を行うステップ、前記処理液を受け止めるステップ、前記下面ブラシを移動させるステップ、前記流体ノズルを移動させるステップ、および前記端部ブラシを移動させるステップが開始されてもよい。
【0213】
この場合、第２の処理は、下面ブラシによる基板の下面の洗浄処理、流体ノズルによる基板の上面の洗浄処理、および端部ブラシによる基板の外周端部の洗浄処理を含む。
【0214】
下面ブラシは、基板の下面の洗浄が行われない間、下面ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、下面ブラシを下面ブラシ待機位置から下面ブラシ処理位置に移動させる必要がある。
【0215】
流体ノズルは、基板の上面の洗浄が行われない間、ノズル待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、流体ノズルをノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる必要がある。
【0216】
端部ブラシは、基板の外周端部の洗浄が行われない間、端部ブラシ待機位置に保持される。そのため、第２の処理を開始する際には、端部ブラシを端部ブラシ待機位置から端部ブラシ処理位置に移動させる必要がある。
【0217】
上記の基板処理方法によれば、基板下降動作の期間の少なくとも一部、カップ上昇動作の期間の少なくとも一部、下面ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部、ノズル準備動作の期間の少なくとも一部、および端部ブラシ準備動作の期間の少なくとも一部のうち３以上の期間が互いに重複する。これらの３以上の期間が重複する期間を重複期間と呼ぶ。
【0218】
これにより、基板下降動作、カップ上昇動作、下面ブラシ準備動作、ノズル準備動作、および端部ブラシ準備動作が、それらの期間のうち３以上の期間が互いに重複しないように行われる場合に比べて、一の基板の処理に要する期間が重複期間分短縮される。したがって、基板処理のスループットが向上する。
【0219】
上記の実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板処理のスループットが向上し、基板の処理効率が向上するので、基板処理の省エネルギー化が実現される。また、当該基板の処理に薬液が用いられる場合には、歩留まりの向上に伴って無駄な薬液の利用を低減することができるので、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。
【符号の説明】
【0220】
１…基板洗浄装置，２…ユニット筐体，２ａ…底面部，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ…側壁部，２ｘ…搬入搬出口，９Ａ…チャック制御部，９Ｂ…吸着制御部，９Ｃ…台座制御部，９Ｄ…受渡制御部，９Ｅ…下面洗浄制御部，９Ｆ…カップ制御部，９Ｇ…上面洗浄制御部，９Ｈ…ベベル洗浄制御部，９Ｉ…搬入搬出制御部，９Ｊ…リンス制御部，１０Ａ，１０Ｂ…上側保持装置，１１Ａ，１１Ｂ…下チャック，１２Ａ，１２Ｂ…上チャック，１３Ａ，１３Ｂ…下チャック駆動部，１４Ａ，１４Ｂ…上チャック駆動部，１９…光電センサ，１９ａ…投光部，１９ｂ…受光部，２０…下側保持装置，２１…吸着保持部，２２…吸着保持駆動部，３０…台座装置，３１…リニアガイド，３２…可動台座，３３…台座駆動部，４０…受渡装置，４１…支持ピン，４２…ピン連結部材，４３…ピン昇降駆動部，５０…下面洗浄装置，５１…下面ブラシ，５２…基板ノズル，５２ａ，５２ｂ…ブラシノズル，５３…気体噴出部，５４…昇降支持部，５４ｕ…上面，５５ａ…下面ブラシ回転駆動部，５５ｂ…下面ブラシ昇降駆動部，５６…下面洗浄液供給部，５７…ブラシ洗浄液供給部，５８…噴出気体供給部，６０…カップ装置，６１…カップ，６２…カップ駆動部，７０…上面洗浄装置，７１，８１，２１１…回転支持軸，７２，８２，２１２…アーム，７３…スプレーノズル，７４…上面洗浄駆動部，７５…上面洗浄流体供給部，８０…端部洗浄装置，８３…ベベルブラシ，８４…ベベルブラシ駆動部，９０…開閉装置，９１…シャッタ，９２…シャッタ駆動部，１７０…制御装置，２００…支持片，２０１…傾斜支持面，２０２…移動制限面，２１０…上面リンス装置，２１３…リンスノズル，２１４…リンス駆動部，２１５…リンス液供給部，３００…保持片，３０１…当接面，３０２…突出部，Ｍａ…ハンド，Ｗ…基板，ｒｐ…平面基準位置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】