特開 2024-102996 半導体素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024102996

(43)【公開日】2024-08-01

(54)【発明の名称】半導体素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20240725BHJP

   H01L 31/10 20060101ALI20240725BHJP

   B24B 27/06 20060101ALI20240725BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 M

H01L31/10 A

B24B27/06 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023007107

(22)【出願日】2023-01-20

(71)【出願人】

【識別番号】000108410

【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 健人

【テーマコード（参考）】

3C158

5F063

5F149

5F849

【Ｆターム（参考）】

3C158AA03

3C158AB04

3C158CB01

3C158CB03

3C158DA17

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5F063FF38

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5F149BA01

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5F849BA28

5F849CB04

5F849CB07

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5F849CB17

5F849CB20

5F849DA02

5F849GA06

5F849GA11

5F849JA12

5F849XB37

5F849XB51

(57)【要約】

【課題】半導体素子の性能低下を抑え、歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子の製造方法は、第一面に凹部を有し、前記第一面とは異なる第二面に切断ラインを有する半導体ウェハに対し、紫外線硬化型粘着層を有するテープと前記凹部との間に液体を挟むように、前記第一面に前記テープを貼り付ける工程と、前記切断ラインに沿って、前記半導体ウェハを半導体素子に切断する工程と、前記凹部と前記テープの間に前記液体を挟んだ状態で前記紫外線硬化型粘着層に紫外線を照射して硬化させる工程と、を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第一面に凹部を有し、前記第一面とは異なる第二面に切断ラインを有する半導体ウェハに対し、紫外線硬化型粘着層を有するテープと前記凹部との間に液体を挟むように、前記第一面に前記テープを貼り付ける工程と、
前記切断ラインに沿って、前記半導体ウェハを半導体素子に切断する工程と、
前記凹部と前記テープの間に前記液体を挟んだ状態で前記紫外線硬化型粘着層に紫外線を照射して硬化させる工程と、
を含む半導体素子の製造方法。

【請求項2】

前記凹部が、集光部を有する請求項１に記載の半導体素子の製造方法。

【請求項3】

前記集光部が、凸状レンズ又はＶ字状の溝である請求項２に記載の半導体素子の製造方法。

【請求項4】

前記紫外線硬化型粘着層の硬化後、前記テープを前記第一面から剥離する工程を含む請求項１に記載の半導体素子の製造方法。

【請求項5】

前記液体を、前記半導体ウェハに滴下する請求項１に記載の半導体素子の製造方法。

【請求項6】

前記液体が、水又はアルコールである請求項１に記載の半導体素子の製造方法。

【請求項7】

前記半導体素子が、光半導体素子である請求項１に記載の半導体素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、半導体素子は、半導体ウェハ上に複数配列して形成される。複数の半導体素子が形成された半導体ウェハをテープに貼り、ブレード等で半導体ウェハ及びテープを切断して複数の半導体素子に個別に分離することで、半導体素子が製造される。

【0003】

また、半導体素子として、表面及び裏面の少なくとも一方の面に機能層を有する光半導体素子が知られている。光半導体素子では、例えば、光通信用途等で光ファイバ等の光導波路と受発光素子との光結合効率を向上させるため、光半導体素子の裏面に光学機能層としてレンズ等が形成されている。このような光半導体素子では、レンズ等の頂部よりも高く形成された凹部にレンズ等を設けて、レンズ等の損傷を防いでいる。

【0004】

レンズ等の光学機能層を有する光半導体素子の製造方法として、例えば、半導体チップの凹部の縁面をＵＶ硬化型テープの粘着層に貼り付けてワークをマウントし、ワークを複数の半導体チップに分割した後、ＵＶ硬化型テープをワークを中心に拡張及び縮退して、縮退されたＵＶ硬化型テープの粘着層を硬化し、分割した半導体チップをピックアップする方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１４－２７０７９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１の方法では、少なくとも一方の面に設けた凹部にレンズ等の構造を有する半導体ウェハのダイシングを行う場合、半導体素子にＵＶ硬化型テープの粘着層が残る糊残りが生じる場合がある、という問題があった。

【0007】

例えば、裏面の凹部にレンズを有する光半導体素子を製造する際に、半導体ウェハの裏面にテープを貼り付けてダイシングを行い、光半導体素子のレンズに糊残りが生じると、その糊残りによって光の透過率が低下し、光半導体素子の受発光効率が低下する。一方、半導体ウェハの表面にテープを貼り付けて、光半導体素子の電極に糊残りが生じると、ワイヤーボンディングやフリップチップ等の実装部品が外れて、電気的な接続不良が生じる。

【0008】

本発明の一態様は、半導体素子の性能低下を抑え、歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一態様は、
第一面に凹部を有し、前記第一面とは異なる第二面に切断ラインを有する半導体ウェハに対し、紫外線硬化型粘着層を有するテープと前記凹部との間に液体を挟むように、前記第一面に前記テープを貼り付ける工程と、
前記切断ラインに沿って、前記半導体ウェハを半導体素子に切断する工程と、
前記凹部と前記テープの間に前記液体を挟んだ状態で前記紫外線硬化型粘着層に紫外線を照射して硬化させる工程と、
を含む半導体素子の製造方法である。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係る半導体素子の製造方法の一態様は、半導体素子の性能低下を抑え、歩留まりを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】半導体素子の全体構成の一例を示す断面図である。

【図2】半導体ウェハの一例を示す断面図である。

【図3】半導体ウェハをステージに設置した状態を示す斜視図である。

【図4】半導体ウェハの凹部に液体を滴下する状態を示す断面図である。

【図5】半導体ウェハにダイシングテープを貼り付ける状態を示す斜視図である。

【図6】半導体ウェハにダイシングテープを貼り付ける状態を示す断面図である。

【図7】半導体ウェハを半導体素子に切断する状態を示す斜視図である。

【図8】半導体ウェハを半導体素子に切断する状態を示す断面図である。

【図9】ダイシングテープを引き伸ばしている状態を示す図である。

【図10】ダイシングテープに紫外線を紫耀している状態を示す図である。

【図11】ダイシングテープから半導体ウェハを剥離する状態を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。なお、説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の符号を付して、重複する説明は省略する。また、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。本明細書において数値範囲を示す「～」は、別段の断わりがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

【0013】

本発明の実施形態に係る半導体素子の製造方法について説明するに当たり、本実施形態に係る半導体素子の製造方法を用いて製造される半導体素子について説明する。

【0014】

＜半導体素子＞
半導体素子が、光半導体素子である場合について説明する。図１は、半導体素子の全体構成の一例を示す断面図である。図１に示すように、半導体素子１は、半導体基板１１、ｐｉｎフォトダイオード層１２、絶縁膜１３、ｐ型電極１４及びｎ型電極１５を有する。

【0015】

半導体基板１１としては、例えば、インジウムリン（ＩｎＰ）等で形成された、半絶縁性の化合物半導体基板を用いることができる。

【0016】

半導体基板１１は、その第一面である裏面１ａに、凹部１１１を有し、裏面１ａとは異なる第二面である表面１ｂに、ｐｉｎフォトダイオード層１２及び絶縁膜１３を有する。

【0017】

凹部１１１は、その底部に、集光部１１２を有してよい。集光部１１２は、凸状に形成された凸状レンズであり、半導体素子１の外部から出射された光を集光する。なお、集光部１１２は、凹状に形成された凹状レンズでもよいし、Ｖ字状の溝でもよい。

【0018】

凹部１１１の縁１１１ａは、集光部１１２の頂部１１２ａよりも高い位置にあればよく、例えば、集光部１１２の頂部１１２ａより５μｍ～１０μｍ程度高い位置であってもよい。

【0019】

ｐｉｎフォトダイオード層１２は、半導体基板１１の表面１ｂに設けられ、例えば、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）をエピタキシャル成長させたＩｎＧａＡｓ薄膜で形成されてよい。ＩｎＧａＡｓ薄膜は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）又は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）等で形成できる。

【0020】

ｐｉｎフォトダイオード層１２は、その一部をエッチングすることで、メサを形成してよい。例えば、エピタキシャル成長させたＩｎＧａＡｓ薄膜の上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の絶縁膜のマスクを化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成し、フォトリソグラフィーでパターニングする。マスク及び塩素系ガス等を用いたドライエッチングを行い、ＩｎＧａＡｓ薄膜に複数のメサを形成してよい。

【0021】

絶縁膜１３は、半導体基板１１及びｐｉｎフォトダイオード層１２の上に形成されている。絶縁膜１３は、例えば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）スパッタリング法等により形成できる。絶縁膜３０は、例えば、Ｓｉを含む無機絶縁膜であり、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ又は酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等で形成してよい。

【0022】

絶縁膜１３の厚さは、特に限定されず、適宜任意の厚さとしてよい。

【0023】

絶縁膜１３は、半導体基板１１の表面１ｂの一部及びｐｉｎフォトダイオード層１２の表面に設けられ、ｐｉｎフォトダイオード層１２の側面及び上面を連続的に覆うように設けられてよい。

【0024】

ｐ型電極１４は、ｐｉｎフォトダイオード層１２の上に形成されている。ｐ型電極１４は、Ｔｉ、Ｐｔ及びＡｕ等の金属の少なくとも１つ以上を用いて形成してよい。

【0025】

ｎ型電極１５は、ｐｉｎフォトダイオード層１２及び絶縁膜１３の上に形成されている。ｎ型電極１５も、ｐ型電極１４と同様、Ｔｉ、Ｐｔ及びＡｕ等の金属の少なくとも１つ以上を用いて形成してよい。

【0026】

＜半導体素子の製造方法＞
本発明の実施形態に係る半導体素子の製造方法について説明する。本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、貼り付け工程、切断工程及び硬化工程を含み、剥離工程等の他の工程を含んでもよい。

【0027】

（準備工程）
本実施形態に係る半導体素子の製造方法では、まず、図１に示す半導体素子１を構成する各部材を複数形成した半導体ウェハ１００を準備する（準備工程）。

【0028】

図２に示すように、半導体ウェハ１００は、その第一面である裏面１００ａに凹部１１１を有し、裏面１００ａとは異なる第二面である表面１００ｂに、ｐｉｎフォトダイオード層１２及び絶縁膜１３を有する。また、半導体ウェハ１００は、表面１００ｂに半導体素子１を構成する各部材を区分するダイシングストリート１０１を有する。

【0029】

半導体ウェハ１００は、上述の半導体基板１１を形成する材料を用いて形成される。ｐｉｎフォトダイオード層１２は、その一部をエッチングすることで、メサを形成してよい。半導体ウェハ１００の裏面１００ａに形成される凹部１１１と、表面１００ｂに形成されるｐｉｎフォトダイオード層１２及び絶縁膜１３は、上述の半導体基板１１と同様であるため、詳細は省略する。

【0030】

次に、図３に示すように、不図示のマウンター(貼付装置)のステージ１１０の上にダイシングフレーム１２０を設置し、この設置したダイシングフレーム１２０内に半導体ウェハ１００を、半導体ウェハ１００の裏面１００ａが上向きとなるように設置する（設置工程）。

【0031】

次に、図４に示すように、準備した半導体ウェハ１００の裏面１００ａを上向きにして、半導体ウェハ１００の凹部１１１に液体１３０を塗布する（塗布工程）。

【0032】

液体１３０は、凹部１１１の全体の容量よりも多量に塗布すればよい。

【0033】

液体１３０の凹部１１１上への塗布方法は、特に限定されず、一般的な塗布方法を用いることができる。液体１３０の凹部１１１上への塗布方法としては、例えば、液体１３０を凹部１１１上に滴下する方法、ロールコート、スクリーンコート、グラビアコート、スピンコート、リバースコート、バーコート、ブレードコート、エアーナイフコート、ディスペンシング等による方法、液体１３０を凹部１１１上に垂らしてドクターブレードで伸ばす方法等を用いてよい。これらの塗布方法により、液体１３０は、凹部１１１上に均一に塗布される。

【0034】

液体１３０は、凹部１１１を覆うように塗布すればよく、凹部１１１のみに塗布してもよいし、凹部１１１とその周辺の領域に塗布してもよい。

【0035】

液体１３０は、凹部１１１を覆うことができればよく、１回だけ塗布してもよいし、複数回塗布してもよい。

【0036】

液体１３０は、半導体ウェハ１００や後述するダイシングテープ１４０を溶かさず、乾燥後に残留しないものであればよく、液体１３０としては、純水等の水又はアルコール等の使用可能な有機溶媒も適宜用いてよい。

【0037】

次に、図５に示すように、凹部１１１とその周辺に液体１３０が載っている半導体ウェハ１００の裏面１００ａに、ダイシングテープ１４０と凹部１１１との間に液体１０２を挟むように、ダイシングテープ１４０を貼り付ける（貼り付け工程）。

【0038】

図６に示すように、ダイシングテープ１４０は、その一方の表面に、紫外線（ＵＶ）硬化型粘着層１４１を有し、ＵＶ硬化型粘着層１４１が凹部１１１と向き合うように、ダイシングテープ１４０を半導体ウェハ１００の裏面１００ａに載せる。これにより、ダイシングテープ１４０はＵＶ硬化型粘着層１４１を介して半導体ウェハ１００の裏面１００ａに貼り合わされる。

【0039】

ＵＶ硬化型粘着層１４１は、ＵＶが照射されることで硬化する性質を有する粘着層である。なお、本実施形態では、粘着層として、ＵＶ硬化型粘着層１４１を用いるが、熱硬化型粘着層や感圧型粘着層を用いてもよい。

【0040】

ダイシングテープ１４０は、ロール１５０を用いて、半導体ウェハ１００の裏面１００ａに押圧しながら貼り合わせることが好ましい。これにより、凹部１１１の中に液体１３０が充填され、凹部１１１の縁１１１ａにダイシングテープ１４０が貼り付けられて、凹部１１１の中に充填された液体１３０はダイシングテープ１４０によって封止され、余分な液体１３０はロール１５０によって押し出される。このため、ダイシングテープ１４０と裏面１００ａとの間には空気が残ることを低減しながら、ダイシングテープ１４０を裏面１００ａに貼り合わせることができる。

【0041】

次に、図７に示すように、半導体ウェハ１００の表面１００ｂに設けたダイシングストリート１０１に沿って、ダイシングブレード１６０で半導体ウェハ１００を切断（ダイシング）し、複数の半導体素子１を個別に分離する（切断工程）。

【0042】

図８に示すように、ダイシングストリート１０１は、ダイシングによって液体１３０が流出しないように、半導体ウェハ１００を切断する時に液体１３０とダイシングブレード１６０が接しない位置、即ち凹部１１１の縁１１１ａである裏面１００ａに相対する位置に配置されている。

【0043】

ダイシングブレード１６０は、半導体ウェハ１００の裏面１００ａである半導体ウェハ１００とダイシングテープ１４０との界面まで降下させて、半導体ウェハ１００のみを切断することが好ましい。ダイシングテープ１４０は、後述するように、延伸して、半導体素子１同士の距離を広げるため、ダイシングテープ１４０の延伸時に切れないようにする必要がある。

【0044】

なお、切断工程では、半導体ウェハ１００のダイシングはダイシングブレードを用いる方法であるが、それ以外の方法でもよく、例えば、レーザー加工を用いる方法、劈開により分離する方法でもよい。

【0045】

次に、図９に示すように、ダイシングされた半導体ウェハ１００が張り合わせられているダイシングテープ１４０を、テープエキスパンダー等の不図示の拡張装置のステージ１７０に設置した後、ダイシングテープ１４０を引き伸ばして、ダイシングテープ１４０を引張方向に拡張し、ダイシングテープ１４０が拡張した状態で不図示のグリップシングにより固定することで、ダイシングされた半導体ウェハ１００同士を互いに離間させる（引き延ばし工程）。

【0046】

なお、本実施形態では、ダイシングテープ１４０を引張方向に拡張した後、縮退させ、ダイシングテープ１４０を縮退した状態で不図示のグリップシングにより固定してもよい。また、ダイシングテープ１４０の引張方向への拡張及び縮退を複数回繰り返した後、ダイシングテープ１４０を不図示のグリップシングにより固定してもよい。

【0047】

次に、図１０に示すように、凹部１１１とダイシングテープ１４０の間に液体１３０を挟んだ状態で、ＵＶ硬化型粘着層１４１にＵＶを照射してＵＶ硬化型粘着層１４１を硬化させる（硬化工程）。

【0048】

ダイシングテープ１４０のＵＶ硬化型粘着層１４１側にＵＶを照射することで、ＵＶ硬化型粘着層１４１の粘着剤が硬化して粘着力が低下するため、ダイシングされた半導体ウェハ１００はＵＶ硬化型粘着層１４１から剥離し易くなる。この場合、ダイシングテープ１４０にＵＶを照射する際に、ダイシングされた半導体ウェハ１００とダイシングテープ１４０との間に空気は略無いので、ＵＶ硬化型粘着層１４１の紫外線硬化反応が阻害されることを低減できる。

【0049】

ＵＶは、一般的なＵＶ照射装置を用いてよい。ＵＶの照射条件は特に限定されず、凹部１１１の形状、大きさ等に応じて適宜設定されてよい。

【0050】

次に、図１１に示すように、ＵＶ硬化型粘着層１４１の硬化後、ダイシングテープ１４０をダイシングテープ１４０のダイシングされた半導体ウェハ１００が設置されている側とは異なる側から不図示のニードルピン等で突き上げることで、ダイシングテープ１４０からダイシングされた半導体ウェハ１００の裏面１００ａを剥離する（剥離工程）。

【0051】

この時、ＵＶ硬化型粘着層１４１は酸素阻害されることなく硬化して粘着力が低下しているので、半導体素子１の集光部１１２にＵＶ硬化型粘着層１４１が接触していても、半導体素子１にダイシングテープ１４０のＵＶ硬化型粘着層１４１が残る糊残りの発生は低減されている。

【0052】

分離した半導体素子１は、必要に応じて、洗浄水、アルコール水溶液用で表面の洗浄等を行ってよい。これにより、図１に示す半導体素子１が得られる。

【0053】

このように、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、貼り付け工程、切断工程及び硬化工程を含む。本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、貼り付け工程で、半導体ウェハ１００に対してダイシングテープ１４０の貼り合わせと同時に、半導体ウェハ１００の凹部１１１に液体１３０を封止しているため、凹部１１１とダイシングテープ１４０の間に空気が残留すること、又は空気が残留してもその気泡の大きさを抑えることができる。本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、切断工程でダイシングされた半導体ウェハ１００に張り付いているダイシングテープ１４０のＵＶ硬化型粘着層１４１に、硬化工程でＵＶを照射して硬化させる際にＵＶ硬化型粘着層１４１の硬化が酸素阻害されることを抑制できる。このため、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、ダイシングされた半導体ウェハ１００の凹部１１１の集光部１１２に糊残りが生じることを低減できる。よって、本実施形態に係る半導体素子の製造方法によれば、糊残りによって生じる半導体素子１の性能低下を抑制し、歩留まりを向上させることができる。

【0054】

また、製造した半導体素子に糊残りが生じ、歩留まりが悪いと、得られた半導体素子を別途後工程として洗浄及び再確認等を行う必要であり、最終的に製品として出荷可能な状態とするまでに、手間、時間、費用等を要する。本実施形態に係る半導体素子の製造方法によれば、糊残りがないか少ない半導体素子１を歩留まり良く製造できるため、剥離工程でダイシングテープ１４０から分離した半導体素子１を別途後工程として洗浄等を行う際の負担を軽減できる。

【0055】

本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、凹部１１１に集光部１１２を有することができる。本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、凹部１１１に集光部１１２を有している場合でも、裏面１００ａにダイシングテープ１４０を貼り合わせる際に半導体ウェハ１００の凹部１１１に液体１３０を封止できるため、硬化工程でダイシングテープ１４０の硬化が酸素阻害されることを抑制できる。よって、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、凹部１１１に集光部１１２を有している場合であっても、半導体素子１の凹部１１１の集光部１１２に糊残りが生じることを低減できる。

【0056】

本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、集光部１１２として凸状レンズを用いることができる。本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、集光部１１２を凸状レンズとしても、裏面１００ａにダイシングテープ１４０を貼り合わせる際に半導体ウェハ１００の凹部１１１に液体１３０を封止できるため、硬化工程でダイシングテープ１４０の硬化が酸素阻害されることを抑制し、凸状レンズの頂部等に糊残りが生じることを低減できる。

【0057】

本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、剥離工程を含むことができる。これにより、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、ダイシングテープ１４０から、複数の半導体素子１を簡易に得ることができる。

【0058】

本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、貼り付け工程で、液体１３０を半導体ウェハ１００に滴下することができる。これにより、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、凹部１１１の大きさ等に応じて適切な量の液体１３０を簡易に凹部１１１に供給できるため、凹部１１１の中に液体１３０を充填してダイシングテープ１４０で封止しながら貼り合わせる作業を適切な液体１３０の量で簡易に行うことができる。

【0059】

本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、液体として、水又はアルコールを用いることができる。これにより、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、凹部１１１に液体１３０を充填してダイシングテープ１４０で封止しながら貼り合わせる作業を容易に行うことができる。

【0060】

本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、裏面１００ａ及び表面１００ｂの少なくとも一方の面に設けた凹部１１１に集光部１１２を形成した半導体ウェハ１００から半導体素子１を歩留まり良く製造できることから、例えば、少なくとも一方の表面の凹部１１１に集光部１１２を形成した光半導体素子等の製造に有効に用いることができる。

【0061】

以上の通り、実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の組み合わせ、省略、置き換え、変更等を行うことが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0062】

なお、本発明の実施形態の態様は、例えば、以下の通りである。
＜１＞ 第一面に凹部を有し、前記第一面とは異なる第二面に切断ラインを有する半導体ウェハに対し、紫外線硬化型粘着層を有するテープと前記凹部との間に液体を挟むように、前記第一面に前記テープを貼り付ける工程と、
前記切断ラインに沿って、前記半導体ウェハを半導体素子に切断する工程と、
前記凹部と前記テープの間に前記液体を挟んだ状態で前記紫外線硬化型粘着層に紫外線を照射して硬化させる工程と、
を含む半導体素子の製造方法。
＜２＞ 前記凹部が、集光部を有する＜１＞に記載の半導体素子の製造方法。
＜３＞ 前記集光部が、凸状レンズである＜２＞に記載の半導体素子の製造方法。
＜４＞ 前記紫外線硬化型粘着層の硬化後、前記テープを前記第一面から剥離する工程を含む＜１＞～＜３＞の何れか一つに記載の半導体素子の製造方法。
＜５＞ 前記液体を、前記半導体ウェハに滴下する＜１＞～＜４＞の何れか一つに記載の半導体素子の製造方法。
＜６＞ 前記液体が、水又はアルコールである＜１＞～＜５＞の何れか一つに記載の半導体素子の製造方法。
＜７＞ 前記半導体素子が、光半導体素子である＜１＞～＜６＞の何れか一つに記載の半導体素子の製造方法。

【符号の説明】

【0063】

１ 半導体素子
１ａ、１００ａ 裏面（第一面）
１ｂ、１００ｂ 表面（第二面）
１１ 半導体基板
１１１ 凹部
１１２ 集光部
１１２ａ 頂部
１００ 半導体ウェハ
１０１ ダイシングストリート
１１０、１７０ ステージ
１２０ ダイシングフレーム
１３０ 液体
１４０ ダイシングテープ
１４１ 紫外線（ＵＶ）硬化型粘着層
１５０ ロール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】