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特開2024-103038センシング方法、タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024103038
(43)【公開日】2024-08-01
(54)【発明の名称】センシング方法、タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20240725BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 512
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023007167
(22)【出願日】2023-01-20
(71)【出願人】
【識別番号】000201814
【氏名又は名称】双葉電子工業株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】505436106
【氏名又は名称】台湾双葉電子股▲ふん▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】110003410
【氏名又は名称】弁理士法人テクノピア国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】藤井 正規
(72)【発明者】
【氏名】郭 鴻雲
(72)【発明者】
【氏名】周 泰伊
(57)【要約】
【課題】タッチパネルにおいてノイズによるタッチの誤検出を低減する。
【解決手段】タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置のセンシング方法である。タッチパネルのタッチ操作面に形成されるセルの行方向と列方向の配列における各列について列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と、各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する。そして複数セルで構成されるブロックを判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、タッチ検出ポイントを判定する。そしてタッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する。
【選択図】図８
【解決手段】タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置のセンシング方法である。タッチパネルのタッチ操作面に形成されるセルの行方向と列方向の配列における各列について列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と、各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する。そして複数セルで構成されるブロックを判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、タッチ検出ポイントを判定する。そしてタッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置のセンシング方法であって、
前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と、前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する判定エリア設定手順と、
複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する検出ポイント判定手順と、
前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する座標演算手順と
が行われるセンシング方法。
前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と、前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する判定エリア設定手順と、
複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する検出ポイント判定手順と、
前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する座標演算手順と
が行われるセンシング方法。
【請求項2】
前記列側第１評価値は、列内の各セルの検出値変化量の絶対値の総和に相当する値であり、
前記行側第１評価値は、行内の各セルの検出値変化量の絶対値の総和に相当する値である
請求項１に記載のセンシング方法。
前記行側第１評価値は、行内の各セルの検出値変化量の絶対値の総和に相当する値である
請求項１に記載のセンシング方法。
【請求項3】
前記ブロックは、列方向の４セルの範囲と行方向の４セルの範囲での１６セルで形成されるセル群であり、
前記第２評価値は、前記ブロックに対してタッチ操作があったときに所定閾値以上の信号値が得られる計算式で求められる値であり、
前記検出ポイント判定手順では、選択したブロック毎に前記第２評価値を前記所定閾値と比較した結果により、タッチ検出ポイントとされるブロックを判定する
請求項１に記載のセンシング方法。
前記第２評価値は、前記ブロックに対してタッチ操作があったときに所定閾値以上の信号値が得られる計算式で求められる値であり、
前記検出ポイント判定手順では、選択したブロック毎に前記第２評価値を前記所定閾値と比較した結果により、タッチ検出ポイントとされるブロックを判定する
請求項１に記載のセンシング方法。
【請求項4】
タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置であって、
前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について、列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する処理と、
複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する処理と、
前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する処理と、
を行う制御装置を備える
タッチパネル駆動装置。
前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について、列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する処理と、
複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する処理と、
前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する処理と、
を行う制御装置を備える
タッチパネル駆動装置。
【請求項5】
タッチパネルと、
タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置と、
を備え、
前記タッチパネル駆動装置は、
前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について、列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する処理と、
複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する処理と、
前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する処理と、
を行う制御装置を備える
タッチパネル装置。
タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置と、
を備え、
前記タッチパネル駆動装置は、
前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について、列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する処理と、
複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する処理と、
前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する処理と、
を行う制御装置を備える
タッチパネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はタッチパネルのセンシング方法、タッチパネルを駆動するタッチパネル駆動装置、及びタッチパネルとその駆動装置を有するタッチパネル装置に関する。
【背景技術】
【0002】
タッチパネルに関して各種の技術が知られており、下記特許文献１には同時に２組（一対の送信信号線と一対の受信信号線）の信号線（電極）のセンシングを行ってタッチ操作位置の検出を行うことで解像度を向上させるセンシング技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－２１９９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１のようなタッチ位置のセンシングを行う場合に、高いノイズ環境下ではノイズがタッチ検出閾値を超えた場合にゴーストタッチを出力してしまう。ゴーストタッチとは、タッチしていないのにタッチしたと判断してしまう現象のことである。このような誤って検出したタッチ位置検出出力である「座標レポート」は「異常座標レポート」と呼ばれている。
【0005】
この対策として、ノイズ信号が高い環境ではタッチ検出閾値を高く設定するという方法がある。しかしタッチ検出の閾値を高く設定すれば異常座標レポートの発生を抑制できるものの、指でタッチした時にタッチ反応性が低下する背反が生じる。
【0006】
そこで本発明では、高いノイズ環境であっても、ノイズによる異常座標レポートの発生を抑制しつつ、タッチ反応性を確保できるタッチ位置検出アルゴリズムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係るセンシング方法は、タッチパネルに対し、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値を取得する走査を行うタッチパネル駆動装置のセンシング方法である。このセンシング方法として、前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について、列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と、前記配列における各行について、行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する判定エリア設定手順と、複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する検出ポイント判定手順と、前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する検出演算手順とが行われる。
列側第１評価値と行側第１評価値の一方又は両方に基づいて判定エリアを設定することでパネル面上のエリアを限定する。その上で判定エリアに応じたブロック毎に、主にノイズとタッチの切り分けのための第２評価値を求め、タッチ検出ポイントを判定する。タッチ検出ポイントに該当するセル群を対象として座標演算を行い、タッチ検出情報を出力する。
列側第１評価値と行側第１評価値の一方又は両方に基づいて判定エリアを設定することでパネル面上のエリアを限定する。その上で判定エリアに応じたブロック毎に、主にノイズとタッチの切り分けのための第２評価値を求め、タッチ検出ポイントを判定する。タッチ検出ポイントに該当するセル群を対象として座標演算を行い、タッチ検出情報を出力する。
【0008】
本発明に係るタッチパネル駆動装置、タッチパネル装置は、上記のセンシング方法を実行する装置であり、前記タッチパネルのタッチ操作面に形成される前記セルの行方向と列方向の配列における各列について、列内のセルの検出値に基づく列側第１評価値を求める処理と前記配列における各行について行内のセルの検出値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する処理と、複数セルで構成されるブロックを前記判定エリアに応じて選択し、選択したブロック毎にブロック内のセルの検出値に基づく第２評価値を求め、前記第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する処理と、前記タッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルの検出値を用いて座標演算を行ってタッチ検出情報を出力する処理と、を行う制御装置を備える。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、タッチしていると考えられるエリアを絞り込み、そのエリアに限定してタッチ検出ポイントを選択し、タッチポイントで座標演算を行う。これにより。ノイズがある程度高い環境において、タッチしていないエリアでノイズによる異常座標レポート（ゴーストタッチ）が発生することを、抑制できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施の形態のタッチパネル及びタッチパネル駆動装置の構成のブロック図である。
【図2】実施の形態のタッチパネルのセンシングのための構成の説明図である。
【図3】実施の形態のタッチパネル駆動装置の送信回路及び受信回路の説明図である。
【図4】実施の形態の受信回路の容量切り替えの構成の説明図である。
【図5】実施の形態の走査に応じたタッチ信号検出のブロックの説明図である。
【図6】実施の形態の一対の信号線の組に対するタッチ位置の説明図である。
【図7】実施の形態のブロックにおける検出パターンの説明図である。
【図8】実施の形態のセンシング処理のフローチャートである。
【図9】実施の形態のＲｘパワーの説明図である。
【図10】実施の形態のＲｙパワーの説明図である。
【図11】実施の形態の判定エリアの説明図である。
【図12】実施の形態の判定エリアに基づくブロックの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．タッチパネル装置の構成＞
＜２．センシング処理例＞
＜３．実施の形態の効果及び変形例＞
＜１．タッチパネル装置の構成＞
＜２．センシング処理例＞
＜３．実施の形態の効果及び変形例＞
【0012】
＜１．タッチパネル装置の構成＞
実施の形態のタッチパネル装置１の構成例を図１に示す。
タッチパネル装置１は、各種機器においてユーザインターフェース装置として装着される。ここで各種機器とは、例えば電子機器、通信機器、情報処理装置、製造設備機器、工作機械、車両、航空機、建物設備機器、農業用機器、建設用機器、その他非常に多様な分野の機器が想定される。タッチパネル装置１は、これらの多様な機器製品においてユーザの操作入力に用いる操作入力デバイスとして採用される。
特に実施の形態のタッチパネル装置１は、ノイズ環境においてもゴーストタッチの発生を抑えることができるため、ノイズ環境で用いる機器への装着に適している。
実施の形態のタッチパネル装置１の構成例を図１に示す。
タッチパネル装置１は、各種機器においてユーザインターフェース装置として装着される。ここで各種機器とは、例えば電子機器、通信機器、情報処理装置、製造設備機器、工作機械、車両、航空機、建物設備機器、農業用機器、建設用機器、その他非常に多様な分野の機器が想定される。タッチパネル装置１は、これらの多様な機器製品においてユーザの操作入力に用いる操作入力デバイスとして採用される。
特に実施の形態のタッチパネル装置１は、ノイズ環境においてもゴーストタッチの発生を抑えることができるため、ノイズ環境で用いる機器への装着に適している。
【0013】
図１ではタッチパネル装置１と製品側ＭＣＵ（Micro Control Unit）９０を示しているが、製品側ＭＣＵ９０とは、タッチパネル装置１が装着される機器における制御装置を示しているものである。タッチパネル装置１は製品側ＭＣＵ９０に対してユーザのタッチパネル操作の情報を供給する動作を行うことになる。
【0014】
タッチパネル装置１は、タッチパネル２と、タッチパネル駆動装置３を有する。タッチパネル駆動装置３はセンサＩＣ（Integrated Circuit）４とＭＣＵ５を有する。
【0015】
このタッチパネル駆動装置３は、タッチパネル側接続端子部３１を介してタッチパネル２と接続される。この接続を介してタッチパネル駆動装置３はタッチパネル２の駆動（センシング）を行う。
また操作入力デバイスとして機器に搭載される際には、タッチパネル駆動装置３は製品側接続端子部３２を介して製品側ＭＣＵ９０と接続される。この接続によりタッチパネル駆動装置３は製品側ＭＣＵ９０にセンシングした操作情報を送信する。
また操作入力デバイスとして機器に搭載される際には、タッチパネル駆動装置３は製品側接続端子部３２を介して製品側ＭＣＵ９０と接続される。この接続によりタッチパネル駆動装置３は製品側ＭＣＵ９０にセンシングした操作情報を送信する。
【0016】
タッチパネル駆動装置３におけるセンサＩＣ４は、送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３、インターフェース・レジスタ回路４４、電源回路４５を有する。
【0017】
センサＩＣ４の送信回路４１は、マルチプレクサ４３によって選択されたタッチパネル２における端子に対して送信信号を出力する。また受信回路４２は、マルチプレクサ４３によって選択されたタッチパネル２における端子から信号を受信し、必要な比較処理等を行う。
【0018】
図２に送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３とタッチパネル２の接続状態を模式的に示す。
タッチパネル２は、タッチ面を形成するパネル平面に、ｎ本のＹ電極２１－１からＹ電極２１－ｎ、ｍ本のＸ電極２２－１からＸ電極２２－ｍが配設される。
なおＹ電極２１－１・・・２１－ｎ、Ｘ電極２２－１・・・２２－ｍの各電極を特に区別しない場合は、総称として「Ｙ電極２１」「Ｘ電極２２」と表記する。
タッチパネル２は、タッチ面を形成するパネル平面に、ｎ本のＹ電極２１－１からＹ電極２１－ｎ、ｍ本のＸ電極２２－１からＸ電極２２－ｍが配設される。
なおＹ電極２１－１・・・２１－ｎ、Ｘ電極２２－１・・・２２－ｍの各電極を特に区別しない場合は、総称として「Ｙ電極２１」「Ｘ電極２２」と表記する。
【0019】
本実施の形態では、Ｙ電極２１は送信側の電極、つまり送信信号線として用いられ、Ｘ電極２２は受信側の電極、つまり受信信号線として用いられる。
【0020】
Ｙ電極２１－１・・・２１－ｎと、Ｘ電極２２－１・・・２２－ｍは、図示するように交差して配設される場合もあれば、いわゆるシングルレイヤ構造として、交差が生じないように配設される場合もある。いずれにしてもＹ電極２１とＸ電極２２が配設される範囲内でタッチ操作面が形成され、タッチ操作時の容量変化により操作位置が検出される構造となる。
【0021】
図２ではＹ電極２１とＸ電極２２の間で生じる容量を一部のみ例示している（容量Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ３２，Ｃ３３）が、タッチ操作面の全体に、Ｙ電極２１とＸ電極２２の間で生じる容量（例えば交差位置における容量）が存在し、タッチ操作により容量変化が生じた位置が受信回路４２により検出されることとなる。
【0022】
送信回路４１は、マルチプレクサ４３により選択された送信信号線（Ｙ電極２１－１・・・２１－ｎ）に対して送信信号を出力する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接するＹ電極２１を選択していく走査を行う。
受信回路４２は、マルチプレクサ４３により選択された受信信号線（Ｘ電極２２－１・・・２２－ｍ）からの受信信号を受信する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接するＸ電極２２を選択していく。
この送信回路４１、受信回路４２によるセンシング動作については後述する。
受信回路４２は、マルチプレクサ４３により選択された受信信号線（Ｘ電極２２－１・・・２２－ｍ）からの受信信号を受信する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接するＸ電極２２を選択していく。
この送信回路４１、受信回路４２によるセンシング動作については後述する。
【0023】
図１に戻って説明する。センサＩＣ４のインターフェース・レジスタ回路４４には、送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５に対する各種の設定情報がＭＣＵ５によって書き込まれる。
送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５は、それぞれインターフェース・レジスタ回路４４に記憶された設定情報によって動作が制御される。
またインターフェース・レジスタ回路４４には、受信回路４２により検出された検出値（説明上「ＲＡＷ値」ともいう）を記憶し、ＭＣＵ５が取得できるようにしている。
送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５は、それぞれインターフェース・レジスタ回路４４に記憶された設定情報によって動作が制御される。
またインターフェース・レジスタ回路４４には、受信回路４２により検出された検出値（説明上「ＲＡＷ値」ともいう）を記憶し、ＭＣＵ５が取得できるようにしている。
【0024】
電源回路４５は、駆動電圧ＡＶＣＣ等を生成し、送信回路４１、受信回路４２に供給する。後述するが、送信回路４１は駆動電圧ＡＶＣＣ等を用いたパルスをマルチプレクサ４３によって選択された送信信号線（Ｙ電極２１）に印加する。
また受信回路４２は、センシング動作の際に、マルチプレクサ４３によって選択された受信信号線（Ｘ電極２２）に対して駆動電圧ＡＶＣＣ等を印加することも行う。
なお、図１で例示する駆動電圧ＡＶＣＣとは、後述する駆動電圧ＡＶＣＣ１，ＡＶＣＣ２，ＡＶＣＣ３，ＡＶＣＣ４等の総称としている。
また受信回路４２は、センシング動作の際に、マルチプレクサ４３によって選択された受信信号線（Ｘ電極２２）に対して駆動電圧ＡＶＣＣ等を印加することも行う。
なお、図１で例示する駆動電圧ＡＶＣＣとは、後述する駆動電圧ＡＶＣＣ１，ＡＶＣＣ２，ＡＶＣＣ３，ＡＶＣＣ４等の総称としている。
【0025】
ＭＣＵ５はセンサＩＣ４の設定、制御を行う。具体的にはＭＣＵ５はインターフェース・レジスタ回路４４に対して必要な設定情報を書き込むことで、センサＩＣ４の各部の動作を制御する。
またＭＣＵ５は受信回路４２からのＲＡＷ値をインターフェース・レジスタ回路４４から読み出すことで取得する。そしてＭＣＵ５は、ＲＡＷ値を用いて座標計算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する処理を行う。
またＭＣＵ５は受信回路４２からのＲＡＷ値をインターフェース・レジスタ回路４４から読み出すことで取得する。そしてＭＣＵ５は、ＲＡＷ値を用いて座標計算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する処理を行う。
【0026】
図１ではＭＣＵ５におけるメモリ５Ｍとして、ＲＡＭ領域、ＲＯＭ領域、不揮発性記憶領域などを総括して示している。このメモリ５Ｍはインターフェース・レジスタ回路４４に与える設定情報の記憶に用いられる。またメモリ５Ｍは、検出されたＲＡＷ値やそれに応じたタッチ操作位置情報としての座標値の一時的な記憶領域としても用いられる。
【0027】
また図１では、ＭＣＵ５において判定エリア設定部５ａ、検出ポイント判定部５ｂ、座標演算部５ｃを示している。これらはＭＣＵ５においてプログラム（ファームウェア等）により実現される処理機能の一部であり、特に本実施の形態の処理のために設けられる機能を示している。
【0028】
判定エリア設定部５ａは、タッチパネル２のタッチ面に形成されるセルの行方向と列方向の配列において、各列について列の全てのセルのＲＡＷ値に基づく列側第１評価値を求める処理と、各行について行の全てのセルのＲＡＷ値に基づく行側第１評価値を求める処理との少なくとも一方を行って判定エリアを設定する処理を行う機能である。
「セル」とは、２本のＹ電極２１と２本のＸ電極２２の組で形成される１つのＲＡＷ値の検出領域を指す。図２のようにＹ電極２１とＸ電極２２が配列されることで、セルは行方向及び列方向にマトリクス状に配置されることになる。
列側第１評価値とは各列においてその列方向（Ｘ電極２２の線方向）に並ぶ全セルから計算される値であり、一例として後述するＲｘパワーの値である。
行側第１評価値とは各行においてその行方向（Ｙ電極２１の線方向）に並ぶ全セルから計算される値であり、一例として後述するＲｙパワーの値である。
「セル」とは、２本のＹ電極２１と２本のＸ電極２２の組で形成される１つのＲＡＷ値の検出領域を指す。図２のようにＹ電極２１とＸ電極２２が配列されることで、セルは行方向及び列方向にマトリクス状に配置されることになる。
列側第１評価値とは各列においてその列方向（Ｘ電極２２の線方向）に並ぶ全セルから計算される値であり、一例として後述するＲｘパワーの値である。
行側第１評価値とは各行においてその行方向（Ｙ電極２１の線方向）に並ぶ全セルから計算される値であり、一例として後述するＲｙパワーの値である。
【0029】
検出ポイント判定部５ｂは、複数セルで構成されるブロックを、判定エリア設定部５ａが設定した判定エリアに応じて選択し、選択したブロックＢＫ（図５参照）毎にブロックＢＫ内のセルのＲＡＷ値に基づく第２評価値を求め、第２評価値に基づいてタッチ検出ポイントを判定する処理を行う機能としている。
ブロックとは後述する４×４の１６個のセルで構成されるパターン検出の単位であり、第２評価値の例は後述の４×４信号値である。
ブロックとは後述する４×４の１６個のセルで構成されるパターン検出の単位であり、第２評価値の例は後述の４×４信号値である。
【0030】
座標演算部５ｃは、検出ポイント判定部５ｂによるタッチ検出ポイントの判定に基づいて対象のセルのＲＡＷ値を用いて座標演算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標レポートを出力する処理を行う機能としている。
【0031】
これら判定エリア設定部５ａ、検出ポイント判定部５ｂ、座標演算部５ｃの機能により、後述の図８のような処理が行われる。
【0032】
以上の構成のタッチパネル装置１による第１センシングの動作について説明する。
まず図３によりタッチパネル２に対する送信回路４１，受信回路４２の動作を説明する。図ではタッチパネル２において２つの送信信号線（Ｙ電極２１－２、２１－３）と、２つの受信信号線（Ｘ電極２２－２、２２－３）を示している。
まず図３によりタッチパネル２に対する送信回路４１，受信回路４２の動作を説明する。図ではタッチパネル２において２つの送信信号線（Ｙ電極２１－２、２１－３）と、２つの受信信号線（Ｘ電極２２－２、２２－３）を示している。
【0033】
本実施の形態のセンシングの場合、先の図２に示したようなＹ電極２１、Ｘ電極２２に対して、送信回路４１と受信回路４２が、それぞれ隣接する２本ずつ送信、受信を行っていくことでタッチ操作の検出を行うものとなる。つまり一対のＹ電極２１と一対のＸ電極２２の２本×２本をセルとして、順次セル単位で検出走査を行う。図３では、その１つのセルの部分を示していることになる。
【0034】
送信回路４１は、２本のＹ電極２１（図の場合ではＹ電極２１－２とＹ電極２１－３）に対して、ドライバ４１１，４１２から駆動電圧ＡＶＣＣ１を出力する。つまりドライバ４１１，４１２の出力である送信信号Ｔ＋、Ｔ－がマルチプレクサ４３によって選択されたＹ電極２１－２，Ｙ電極２１－３に供給される。
なお駆動電圧ＡＶＣＣ１は、図１の電源回路４５が生成する電圧である。
なお駆動電圧ＡＶＣＣ１は、図１の電源回路４５が生成する電圧である。
【0035】
この場合、送信回路４１は、ドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋を図示のように、アイドル（Idle）期間をロウレベル（以下「Ｌレベル」と表記）とする。例えば０Ｖとする。そして続くアクティブ（Active）期間にはハイレベル（以下「Ｈレベル」と表記）とする。この場合、Ｈレベルの信号として具体的には駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加を行う。
【0036】
また送信回路４１は、もう一つのドライバ４１２からの送信信号Ｔ－は、アイドル期間をＨレベル（駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加）とし、続くアクティブ期間はＬレベルとする。
ここで、アイドル期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位を安定させる期間であり、アクティブ期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位変化をセンシングする期間となる。
ここで、アイドル期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位を安定させる期間であり、アクティブ期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位変化をセンシングする期間となる。
【0037】
このアイドル期間、アクティブ期間において、受信回路４２はマルチプレクサ４３によって選択された２つのＸ電極２２（図の場合ではＸ電極２２－３，Ｘ電極２２－２）からの受信信号Ｒ＋、Ｒ－を受信する。
【0038】
受信回路４２は、コンパレータ４２１、基準容量部４２２、スイッチ４２３，４２５、計測用容量部４２４、演算制御部４２６、電圧選択部４２７，４２８を備えている。
２つの受信信号線（Ｘ電極２２）からの受信信号Ｒ＋、Ｒ－はコンパレータ４２１で受信される。コンパレータ４２１は、受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位を比較して、その比較結果をＨレベル又はＬレベルで演算制御部４２６に出力する。
２つの受信信号線（Ｘ電極２２）からの受信信号Ｒ＋、Ｒ－はコンパレータ４２１で受信される。コンパレータ４２１は、受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位を比較して、その比較結果をＨレベル又はＬレベルで演算制御部４２６に出力する。
【0039】
基準容量部４２２を構成するコンデンサの一端には、電圧選択部４２７を介して、駆動電圧ＶＳＳ、ＡＶＣＣ４、ＡＶＣＣ３、ＡＶＣＣ２のいずれかが印加される。これらの駆動電圧は、図１の電源回路４５が生成する。
基準容量部４２２を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２３の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の＋入力端子に接続されている。
基準容量部４２２を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２３の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の＋入力端子に接続されている。
【0040】
計測用容量部４２４を構成するコンデンサの一端には電圧選択部４２８を介して、駆動電圧ＶＳＳ、ＡＶＣＣ４、ＡＶＣＣ３、ＡＶＣＣ２のいずれかが印加される。なお電圧選択部４２８では、電圧選択部４２７と同じ電圧が選択される。
計測用容量部４２４を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２５の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の－入力端子に接続されている。
計測用容量部４２４を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２５の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の－入力端子に接続されている。
【0041】
スイッチ４２３、４２５は、アイドル期間には端子Ｔｉが選択される。従ってアイドル期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（Ｘ電極２２－３）、－入力端子（Ｘ電極２２－２）がグランド接続され、受信信号Ｒ＋、Ｒ－はグランド電位となる。
スイッチ４２３、４２５は、アクティブ期間には端子Ｔａが選択される。従ってアクティブ期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（Ｘ電極２２－３）、－入力端子（Ｘ電極２２－２）に駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）が印加される。
スイッチ４２３、４２５は、アクティブ期間には端子Ｔａが選択される。従ってアクティブ期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（Ｘ電極２２－３）、－入力端子（Ｘ電極２２－２）に駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）が印加される。
【0042】
図３では当該セルが非タッチ状態の場合の受信信号Ｒ＋、Ｒ－の波形を実線で示している。アイドル期間ではスイッチ４２３、４２５が端子Ｔｉを選択していることで、受信信号Ｒ＋、Ｒ－は、或る電位（グランド電位）で安定されている。
アクティブ期間となるとスイッチ４２３、４２５が端子Ｔａを選択することで、Ｘ電極２２－３，２２－２に駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）が印加される。これにより受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位がΔＶ上昇する。非タッチの状態では、このΔＶの電位上昇は、受信信号Ｒ＋、Ｒ－共に発生する。
アクティブ期間となるとスイッチ４２３、４２５が端子Ｔａを選択することで、Ｘ電極２２－３，２２－２に駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）が印加される。これにより受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位がΔＶ上昇する。非タッチの状態では、このΔＶの電位上昇は、受信信号Ｒ＋、Ｒ－共に発生する。
【0043】
一方、送信回路４１側では、アクティブ期間となると、上述のように送信信号Ｔ＋が立ち上がり、送信信号Ｔ－が立ち下がる。これにより、タッチ操作があった場合には、受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位上昇の程度が変化する。
仮に容量Ｃ２２に影響を与えるＡ１位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ－の電位がアクティブ期間において破線で示すようにΔＶＨだけ上昇する。
また仮に容量Ｃ３２が変化するＡ２位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ－の電位がアクティブ期間において破線で示すΔＶＬだけ上昇する。
これらのように当該セルに対するタッチ操作位置に応じて、受信信号Ｒ－の電位変化量が受信信号Ｒ＋の電位変化量（ΔＶ）よりも大きくなったり小さくなったりする。
コンパレータ４２１はこのような受信信号Ｒ＋、Ｒ－を比較することになる。
仮に容量Ｃ２２に影響を与えるＡ１位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ－の電位がアクティブ期間において破線で示すようにΔＶＨだけ上昇する。
また仮に容量Ｃ３２が変化するＡ２位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ－の電位がアクティブ期間において破線で示すΔＶＬだけ上昇する。
これらのように当該セルに対するタッチ操作位置に応じて、受信信号Ｒ－の電位変化量が受信信号Ｒ＋の電位変化量（ΔＶ）よりも大きくなったり小さくなったりする。
コンパレータ４２１はこのような受信信号Ｒ＋、Ｒ－を比較することになる。
【0044】
なお、このように変化する受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位差分自体をＲＡＷ値（検出結果）として出力するようにしてもよいが、本実施の形態では受信回路４２は、演算制御部４２６が受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電圧バランスがとれるように計測用容量部４２４の容量値の設定変更を行い、ＲＡＷ値を得るようにしている。
【0045】
演算制御部４２６はスイッチ４２３，４２５のオン／オフ制御を行う。
また演算制御部４２６はビット信号ＢＳにより計測用容量部４２４の容量値の切り替え制御を行う。
また演算制御部４２６はモード制御信号ＳＳにより基準容量部４２２の容量値の切り替え制御を行うことで、タッチ信号の検出感度のモード設定を行うことができる。基準容量部４２２の容量は、走査時には固定値であるが、感度のモードの変更として切り替えが行われる。
また演算制御部４２６はビット信号ＢＳにより計測用容量部４２４の容量値の切り替え制御を行う。
また演算制御部４２６はモード制御信号ＳＳにより基準容量部４２２の容量値の切り替え制御を行うことで、タッチ信号の検出感度のモード設定を行うことができる。基準容量部４２２の容量は、走査時には固定値であるが、感度のモードの変更として切り替えが行われる。
【0046】
これら演算制御部４２６の処理は、インターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれた設定情報に従って行われる。即ちＭＣＵ５による動作設定に基づいて行われる。
また演算制御部４２６は、コンパレータ４２１の出力を監視し、ＲＡＷ値を算出する。演算制御部４２６で算出されたＲＡＷ値はインターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれることでＭＣＵ５が取得可能とされる。
また演算制御部４２６は、コンパレータ４２１の出力を監視し、ＲＡＷ値を算出する。演算制御部４２６で算出されたＲＡＷ値はインターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれることでＭＣＵ５が取得可能とされる。
【0047】
以上の図３において可変容量コンデンサの記号で示した計測用容量部４２４は、例えば図４のように複数、この例では１１個のコンデンサＣＭ（コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ１０）と、１１個のスイッチＳＷ（スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０）を有して構成されている。また基準容量部４２２も、計測用容量部４２４と同様に１１個のコンデンサＣＭ（コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ３０）と、１１個のスイッチＳＷ（スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０）を有している。
なお「コンデンサＣＭ」「スイッチＳＷ」という表記は、これらのコンデンサ（ＣＭ０・・・ＣＭ３０）やスイッチ（ＳＷ０・・・ＳＷ３０）を総称する場合に用いる。
なお「コンデンサＣＭ」「スイッチＳＷ」という表記は、これらのコンデンサ（ＣＭ０・・・ＣＭ３０）やスイッチ（ＳＷ０・・・ＳＷ３０）を総称する場合に用いる。
【0048】
【0049】
計測用容量部４２４におけるコンデンサＣＭ０とスイッチＳＷ０、コンデンサＣＭ１とスイッチＳＷ１・・・コンデンサＣＭ１０とスイッチＳＷ１０はそれぞれ直列接続される。そして直列接続された１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組は、駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）の電位とコンパレータ４２１の－入力端子の間に並列に接続されている。
従って、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０のオン／オフにより、受信信号Ｒ－に影響を与える計測用容量部４２４の容量値を変更できる。この計測用容量部４２４における各スイッチＳＷのオン／オフはビット信号ＢＳにより制御される。
またスイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０は、それぞれ例えばＦＥＴ（Field effect transistor）等のスイッチ素子を用いて構成されるが、１つのスイッチＳＷとして複数のスイッチ素子が設けられる場合もある。
従って、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０のオン／オフにより、受信信号Ｒ－に影響を与える計測用容量部４２４の容量値を変更できる。この計測用容量部４２４における各スイッチＳＷのオン／オフはビット信号ＢＳにより制御される。
またスイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０は、それぞれ例えばＦＥＴ（Field effect transistor）等のスイッチ素子を用いて構成されるが、１つのスイッチＳＷとして複数のスイッチ素子が設けられる場合もある。
【0050】
基準容量部４２２におけるコンデンサＣＭ２０とスイッチＳＷ２０、コンデンサＣＭ２１とスイッチＳＷ２１・・・コンデンサＣＭ３０とスイッチＳＷ３０も、それぞれ直列接続される。そして直列接続された１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組は、駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）の電位とコンパレータ４２１の＋入力端子の間に並列に接続されている。
従って、スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０のオン／オフにより、基準容量部４２２の容量値を変更できる構成である。この基準容量部４２２における各スイッチＳＷのオン／オフはモード制御信号ＳＳにより制御される。スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０も、例えばＦＥＴ等のスイッチ素子を用いて構成される。
従って、スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０のオン／オフにより、基準容量部４２２の容量値を変更できる構成である。この基準容量部４２２における各スイッチＳＷのオン／オフはモード制御信号ＳＳにより制御される。スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０も、例えばＦＥＴ等のスイッチ素子を用いて構成される。
【0051】
ここで、走査の際に、計測用容量部４２４では１１ビットのビット信号ＢＳのうちの８ビットにより容量値を２５６段階に変化させる例を考える。
図４の例では、計測用容量部４２４は１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組を備えている例としているが、例えば容量値を２５６段階に変化させる場合、８個の組があればよい。例えばビット信号ＢＳの各ビットに対応して、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ７のそれぞれがオン／オフされるようにすれば、計測用容量部４２４における容量値を２５６段階に変化させることができる。ここで、１１個の組を備えるのは、受信感度のモードを変更できるようにしたためである。
図４の例では、計測用容量部４２４は１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組を備えている例としているが、例えば容量値を２５６段階に変化させる場合、８個の組があればよい。例えばビット信号ＢＳの各ビットに対応して、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ７のそれぞれがオン／オフされるようにすれば、計測用容量部４２４における容量値を２５６段階に変化させることができる。ここで、１１個の組を備えるのは、受信感度のモードを変更できるようにしたためである。
【0052】
また、基準容量部４２２は、２５６段階の中央値とした固定の容量値、例えば「１２８」に相当する容量値でよいため、１つのコンデンサＣＭで構成することが可能である。ところが図のように計測用容量部４２４と同様に１１個の組を備えている目的の１つは、受信感度のモードの変更のためである。
【0053】
図４の上部に、ゲイン設定Ｇ０，Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を表記した。
ゲイン設定Ｇ０では、コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７が用いられる。
ゲイン設定Ｇ１では、コンデンサＣＭ２１からコンデンサＣＭ２８が用いられる。
ゲイン設定Ｇ２では、コンデンサＣＭ２２からコンデンサＣＭ２９が用いられる。
ゲイン設定Ｇ３では、コンデンサＣＭ２３からコンデンサＣＭ３０が用いられる。
ゲイン設定Ｇ０では、コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７が用いられる。
ゲイン設定Ｇ１では、コンデンサＣＭ２１からコンデンサＣＭ２８が用いられる。
ゲイン設定Ｇ２では、コンデンサＣＭ２２からコンデンサＣＭ２９が用いられる。
ゲイン設定Ｇ３では、コンデンサＣＭ２３からコンデンサＣＭ３０が用いられる。
【0054】
つまりゲイン設定Ｇ０，Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を変更することで、受信信号感度のモードを４段階に変更できる。
例えばゲイン設定Ｇ０では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。
実際にはモード制御信号ＳＳとしては、スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０に対応する１１ビットの信号であることが想定されるが、ゲイン設定Ｇ０の場合、モード制御信号ＳＳにおけるスイッチＳＷ２８，ＳＷ２９，ＳＷ３０については常にオフ制御する論理値となる。そしてスイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ２７に対応する各ビットが所定値に設定されることで、コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７を用いて「１２８」に相当する容量値とされる。なお、８個のコンデンサＣＭを用いることで、基準容量部４２２における容量値、即ち「１２８」に相当する容量値を調整することができる。
例えばゲイン設定Ｇ０では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。
実際にはモード制御信号ＳＳとしては、スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０に対応する１１ビットの信号であることが想定されるが、ゲイン設定Ｇ０の場合、モード制御信号ＳＳにおけるスイッチＳＷ２８，ＳＷ２９，ＳＷ３０については常にオフ制御する論理値となる。そしてスイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ２７に対応する各ビットが所定値に設定されることで、コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７を用いて「１２８」に相当する容量値とされる。なお、８個のコンデンサＣＭを用いることで、基準容量部４２２における容量値、即ち「１２８」に相当する容量値を調整することができる。
【0055】
同様に、例えばゲイン設定Ｇ１では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２１からコンデンサＣＭ２８を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。またゲイン設定Ｇ２では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２２からコンデンサＣＭ２９を用いて「１２８」に相当する容量値を設定し、ゲイン設定Ｇ３では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２３からコンデンサＣＭ３０を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。
【0056】
このように受信感度を変更する各ゲイン設定に応じて、計測用容量部４２４も、コンデンサＣＭが次のように用いられる。
ゲイン設定Ｇ０のときはコンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７が用いられる。
ゲイン設定Ｇ１のときはコンデンサＣＭ１からコンデンサＣＭ８が用いられる。
ゲイン設定Ｇ２のときはコンデンサＣＭ２からコンデンサＣＭ９が用いられる。
ゲイン設定Ｇ３のときはコンデンサＣＭ３からコンデンサＣＭ１０が用いられる。
ゲイン設定Ｇ０のときはコンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７が用いられる。
ゲイン設定Ｇ１のときはコンデンサＣＭ１からコンデンサＣＭ８が用いられる。
ゲイン設定Ｇ２のときはコンデンサＣＭ２からコンデンサＣＭ９が用いられる。
ゲイン設定Ｇ３のときはコンデンサＣＭ３からコンデンサＣＭ１０が用いられる。
【0057】
例えばゲイン設定Ｇ０のときは、計測用容量部４２４はコンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７を用いて容量値を２５６段階に変化させる。
実際にはビット信号ＢＳは、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０に対応する１１ビットの信号であることが想定されるが、ゲイン設定Ｇ０の場合、ビット信号ＢＳにおけるスイッチＳＷ８，ＳＷ９，ＳＷ１０に対応するビットは常にオフ制御する論理値となる。そしてスイッチＳＷ０からスイッチＳＷ７に対応する各ビットを変化させることで、コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７を用いて容量値を２５６段階に可変する。
実際にはビット信号ＢＳは、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０に対応する１１ビットの信号であることが想定されるが、ゲイン設定Ｇ０の場合、ビット信号ＢＳにおけるスイッチＳＷ８，ＳＷ９，ＳＷ１０に対応するビットは常にオフ制御する論理値となる。そしてスイッチＳＷ０からスイッチＳＷ７に対応する各ビットを変化させることで、コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７を用いて容量値を２５６段階に可変する。
【0058】
基準容量部４２２及び計測用容量部４２４における各コンデンサの容量値は、例えば次のようにされている。
コンデンサＣＭ０，ＣＭ２０は２ｆＦ（フェムトファラッド）、コンデンサＣＭ１，ＣＭ２１は４ｆＦ、コンデンサＣＭ２，ＣＭ２２は８ｆＦ、コンデンサＣＭ３，ＣＭ２３は１６ｆＦ、コンデンサＣＭ４，ＣＭ２４は３２ｆＦ、コンデンサＣＭ５，ＣＭ２５は６４ｆＦ、コンデンサＣＭ６，ＣＭ２６は１２８ｆＦ、コンデンサＣＭ７，ＣＭ２７は２５６ｆＦ、コンデンサＣＭ８，ＣＭ２８は５１２ｆＦ、コンデンサＣＭ９，ＣＭ２９は１０２４ｆＦ、コンデンサＣＭ１０，ＣＭ３０は２０４８ｆＦである。
コンデンサＣＭ０，ＣＭ２０は２ｆＦ（フェムトファラッド）、コンデンサＣＭ１，ＣＭ２１は４ｆＦ、コンデンサＣＭ２，ＣＭ２２は８ｆＦ、コンデンサＣＭ３，ＣＭ２３は１６ｆＦ、コンデンサＣＭ４，ＣＭ２４は３２ｆＦ、コンデンサＣＭ５，ＣＭ２５は６４ｆＦ、コンデンサＣＭ６，ＣＭ２６は１２８ｆＦ、コンデンサＣＭ７，ＣＭ２７は２５６ｆＦ、コンデンサＣＭ８，ＣＭ２８は５１２ｆＦ、コンデンサＣＭ９，ＣＭ２９は１０２４ｆＦ、コンデンサＣＭ１０，ＣＭ３０は２０４８ｆＦである。
【0059】
なお図４では各コンデンサＣＭはそれぞれ１つのコンデンサにより構成しているが、コンデンサＣＭの全部又は一部は、複数のコンデンサにより構成され、合成容量が上記の容量値となるようにしてもよい。
【0060】
例えばゲイン設定Ｇ０の場合、コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７は、ビット信号ＢＳの１１ビットのうちで、ビット“０”からビット“７”の８ビットの値で選択される。コンデンサＣＭ０及びスイッチＳＷ０がビット“０”、コンデンサＣＭ１及びスイッチＳＷ１がビット“１”、・・・コンデンサＣＭ７及びスイッチＳＷ７がビット“７”として機能する。
そして、この８ビットの値として０（＝「００００００００」）から２５５（＝「１１１１１１１１」）の容量設定値が与えられる。容量設定値はＭＣＵ５がインターフェース・レジスタ回路４４に書き込む設定情報の一つである。
受信回路４２では、この８ビットの容量設定値に応じてスイッチＳＷ０～ＳＷ７がオン／オフされる。即ちスイッチＳＷ０～ＳＷ７は対応するビットが「０」であればオフ、「１」であればオンとなる。これにより計測用容量部４２４の全体の容量値が０ｆＦ～５１０ｆＦの範囲で２５６段階に可変されることになる。
そして、この８ビットの値として０（＝「００００００００」）から２５５（＝「１１１１１１１１」）の容量設定値が与えられる。容量設定値はＭＣＵ５がインターフェース・レジスタ回路４４に書き込む設定情報の一つである。
受信回路４２では、この８ビットの容量設定値に応じてスイッチＳＷ０～ＳＷ７がオン／オフされる。即ちスイッチＳＷ０～ＳＷ７は対応するビットが「０」であればオフ、「１」であればオンとなる。これにより計測用容量部４２４の全体の容量値が０ｆＦ～５１０ｆＦの範囲で２５６段階に可変されることになる。
【0061】
一方、受信信号Ｒ＋側の基準容量部４２２のコンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７により設定される容量値、即ち「１２８」に相当する容量値は例えば２５６ｆＦとされる。
【0062】
上述のように受信信号Ｒ－は、タッチの有無及び位置によってアクティブ期間の波形の電位上昇の程度が変わる。受信信号Ｒ＋の波形上昇程度（ΔＶ）より大きくなったり小さくなったりする。
図４の構成では、計測用容量部４２４の容量設定値を変更していくことで受信信号Ｒ－の波形の電位上昇程度を変化させることができ、例えば受信信号Ｒ＋と同等となる計測用容量部４２４の容量設定値を見つけ出すことができる。
図４の構成では、計測用容量部４２４の容量設定値を変更していくことで受信信号Ｒ－の波形の電位上昇程度を変化させることができ、例えば受信信号Ｒ＋と同等となる計測用容量部４２４の容量設定値を見つけ出すことができる。
【0063】
例えば図４の受信信号Ｒ－の破線で示す波形Ｓｇ１が初期状態であったとしたときに、計測用容量部４２４の容量を小さくすれば受信信号Ｒ－は波形Ｓｇ２のように波形Ｓｇ１より小さくなる。また、計測用容量部４２４の容量を大きくすれば受信信号Ｒ－は波形Ｓｇ３のように波形Ｓｇ１より大きくなる。
つまり、コンパレータ４２１で受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電圧レベルが同等となったときの計測用容量部４２４の容量設定値は、タッチによる受信信号Ｒ－の電圧変化に相当する値と等価となる。
つまり、コンパレータ４２１で受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電圧レベルが同等となったときの計測用容量部４２４の容量設定値は、タッチによる受信信号Ｒ－の電圧変化に相当する値と等価となる。
【0064】
従って、コンパレータ４２１の出力をみながら計測用容量部４２４の容量設定値を順次変化させていき、受信信号Ｒ＋、Ｒ－のアクティブ期間の電圧が同等となる容量設定値を探索する。すると探索された容量設定値を、タッチ操作のセンシング情報としてのＲＡＷ値とすることができる。
【0065】
以上はゲイン設定Ｇ０の例で説明したが、他のゲイン設定の場合もＲＡＷ値の検出方式を同様に考えることができる。つまり基準容量部４２２で「１２８」に相当する容量値の設定に用いる８個のコンデンサＣＭと、計測用容量部４２４で２５６段階の容量値変化に用いる８個のコンデンサＣＭが、ゲイン設定毎に上述のように異なるものとされる。
【0066】
ゲイン設定については、ゲイン設定Ｇ３、Ｇ２、Ｇ１、Ｇ０の順に従ってタッチ信号の検出を高感度化することができる。具体的には、ゲイン設定Ｇ３、Ｇ２、Ｇ１、Ｇ０の順に従って選択されるコンデンサＣＭの容量値は小さくなるため、１分解能当たりの電圧を細かく検出することができるようになる。そのため、より微小な静電容量（電圧）の変化を大きなＲＡＷ値の変化量として増幅して検出することが可能となる。例えば図４の例の場合、ゲイン設定を１段階、高感度側に切り替えると、ＲＡＷ値の変化量としては２倍に増幅して検出できる。
【0067】
ところで本実施の形態のセンシングでは、セルサイズよりも細かい分解能でタッチ位置座標を求めることができる。
【0068】
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃにおけるマス目の１つは、上述のセル、即ち２つの送信信号線（Ｙ電極２１）と２つの受信信号線（Ｘ電極２２）の組により１つのＲＡＷ値を検出する領域を示している。
４×４の１６個のセルを１つのブロックＢＫとして示しているが、ブロックＢＫの各セルのＲＡＷ値を図５Ｄのように「ａ」から「ｐ」で表すこととする。この「ａ」から「ｐ」は、それぞれ各セルを走査したときのＲＡＷ値である。例えば、図５ＡのブロックＢＫについていえば、「ａ」は斜線を付したセルのＲＡＷ値となる。
４×４の１６個のセルを１つのブロックＢＫとして示しているが、ブロックＢＫの各セルのＲＡＷ値を図５Ｄのように「ａ」から「ｐ」で表すこととする。この「ａ」から「ｐ」は、それぞれ各セルを走査したときのＲＡＷ値である。例えば、図５ＡのブロックＢＫについていえば、「ａ」は斜線を付したセルのＲＡＷ値となる。
【0069】
受信回路４２においては、各セルについて、上述のように２５６段階の分解能でＲＡＷ値を検出する走査を行うが、ＭＣＵ５では、各セルのＲＡＷ値から、タッチ位置座標を求める。
その場合、このブロックＢＫとする１６個のセルの選択を図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃのように順次切り替えながら、ＲＡＷ値のパターンを判定する。
その場合、このブロックＢＫとする１６個のセルの選択を図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃのように順次切り替えながら、ＲＡＷ値のパターンを判定する。
【0070】
図６には或る１つのセルと、そのセルに対するタッチ位置を「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ｄ」として示している。
タッチ位置が「Ａ」の場合、当該セルを含む１６セルのブロックＢＫにおいて、図７のＡパターンのＲＡＷ値が得られる。「＋」はＲＡＷ値が１２８より大きい値、「－」はＲＡＷ値が１２８より小さい値となることを示している。なお「１２８」はＲＡＷ値が１２８付近にあることを意味する。容量変化のないセルのＲＡＷ値が常に厳密に「１２８」となるわけではなく、若干変動するためである。
同様にタッチ位置が図６の「Ｂ」「Ｃ」「Ｄ」のそれぞれの場合、当該セルを含むブロックＢＫにおけるＲＡＷ値のパターンが、図７のＢパターン、Ｃパターン、Ｄパターンとなる。
このようなパターンを検出することで、ＭＣＵ５では、セルサイズよりも細かい分解能でタッチ位置座標を求めることができる。
タッチ位置が「Ａ」の場合、当該セルを含む１６セルのブロックＢＫにおいて、図７のＡパターンのＲＡＷ値が得られる。「＋」はＲＡＷ値が１２８より大きい値、「－」はＲＡＷ値が１２８より小さい値となることを示している。なお「１２８」はＲＡＷ値が１２８付近にあることを意味する。容量変化のないセルのＲＡＷ値が常に厳密に「１２８」となるわけではなく、若干変動するためである。
同様にタッチ位置が図６の「Ｂ」「Ｃ」「Ｄ」のそれぞれの場合、当該セルを含むブロックＢＫにおけるＲＡＷ値のパターンが、図７のＢパターン、Ｃパターン、Ｄパターンとなる。
このようなパターンを検出することで、ＭＣＵ５では、セルサイズよりも細かい分解能でタッチ位置座標を求めることができる。
【0071】
＜２．センシング処理例＞
実施の形態のセンシング処理の具体例を説明する。
以下説明する処理例は、上述のように各セルのＲＡＷ値を検出してから、座標レポートを行うまでのタッチ位置検出アルゴリズムによる処理例である。そして、このタッチ位置検出アルゴリズムは、ノイズ環境下であってもゴーストタッチを抑制することができるものである。
実施の形態のセンシング処理の具体例を説明する。
以下説明する処理例は、上述のように各セルのＲＡＷ値を検出してから、座標レポートを行うまでのタッチ位置検出アルゴリズムによる処理例である。そして、このタッチ位置検出アルゴリズムは、ノイズ環境下であってもゴーストタッチを抑制することができるものである。
【0072】
図８はそのようなタッチ位置検出アルゴリズムによるＭＣＵ５の処理例を示している。この図８の処理はＭＣＵ５における判定エリア設定部５ａ、検出ポイント判定部５ｂ、座標演算部５ｃの機能により実行される。図８の処理は、タッチパネル２による操作検出の終了（例えば電源オフ）となるまで繰り返される。
【0073】
ステップＳ１０１でＭＣＵ５はＲＡＷ値スキャン制御を行う。即ちＭＣＵ５は送信回路４１、受信回路４２に、図３，図４で説明した走査を実行させる。受信回路４２は各セルについてのＲＡＷ値を順次検出していく。この走査の結果としてＭＣＵ５は１フレーム分の各セルのＲＡＷ値を取得する。
【0074】
ステップＳ１０２でＭＣＵ５は、セルマトリクスの各列のＲｘパワーの値（RxP）を算出する。
Ｒｘパワー（Rx power）は、列内の各セルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW）の絶対値の総和に相当する値である。ＲＡＷ値変化量とは、非タッチ時のＲＡＷ値である「１２８」との差分である。次のように表される。
Ｒｘパワー（Rx power）は、列内の各セルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW）の絶対値の総和に相当する値である。ＲＡＷ値変化量とは、非タッチ時のＲＡＷ値である「１２８」との差分である。次のように表される。
【0075】
【数1】
【0076】
図９にはタッチパネル面において送信信号線と受信信号線によって形成される各セルによるセルマトリクス１１０を模式的に示している。１マスをセルとする。
図２のようにＸ電極２２がｍ本形成され、Ｙ電極２１がｎ本形成されている場合を考える。セルの列は一対のＸ電極２２で形成されるため、セルマトリクス１１０のセルの列はＭ列となる。Ｍ＝ｍ－１である。そして１つの列におけるセルの数はＮ個となる。Ｎ＝ｎ－１である。
この場合、第１列から第Ｍ列まで、それぞれ列内のセルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW_1・・・ΔRAW_N）を、それぞれ２乗し、総和を計算したものが、第１列から第Ｍ列までのそれぞれのＲｘパワーの値（RxP1、RxP2・・・RxP(M)）となる。
図２のようにＸ電極２２がｍ本形成され、Ｙ電極２１がｎ本形成されている場合を考える。セルの列は一対のＸ電極２２で形成されるため、セルマトリクス１１０のセルの列はＭ列となる。Ｍ＝ｍ－１である。そして１つの列におけるセルの数はＮ個となる。Ｎ＝ｎ－１である。
この場合、第１列から第Ｍ列まで、それぞれ列内のセルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW_1・・・ΔRAW_N）を、それぞれ２乗し、総和を計算したものが、第１列から第Ｍ列までのそれぞれのＲｘパワーの値（RxP1、RxP2・・・RxP(M)）となる。
【0077】
図８のステップＳ１０２では、ＭＣＵ５は、この第１列から第Ｍ列までのＲｘパワーの値（RxP1、RxP2・・・RxP(M)）をそれぞれ求めることになる。
【0078】
ステップＳ１０３でＭＣＵ５は、セルマトリクス１１０の各行のＲｙパワーの値（RyP）を算出する。
Ｒｙパワー（Ry power）は、行内の各セルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW）の絶対値の総和に相当する値である。次のように表される。
Ｒｙパワー（Ry power）は、行内の各セルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW）の絶対値の総和に相当する値である。次のように表される。
【0079】
【数2】
【0080】
図１０も図９と同様にセルマトリクス１１０を示しているが、セルの列は一対のＹ電極２１で形成されるため、セルマトリクス１１０のセルの行はＮ行となる。そして１つの行におけるセルの数はＭ個となる。
この場合、第１行から第Ｎ行まで、それぞれ行内のセルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW_1・・・ΔRAW_M）を、それぞれ２乗し、総和を計算したものが、第１行から第Ｎ行までのそれぞれのＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）となる。
この場合、第１行から第Ｎ行まで、それぞれ行内のセルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW_1・・・ΔRAW_M）を、それぞれ２乗し、総和を計算したものが、第１行から第Ｎ行までのそれぞれのＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）となる。
【0081】
図８のステップＳ１０３では、ＭＣＵ５は、この第１行から第Ｎ行までのＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）をそれぞれ求めることになる。
【0082】
ステップＳ１０４でＭＣＵ５は、求めたＲｘパワーとＲｙパワーから判定エリアを設定する。判定エリアとは、ＲｘパワーとＲｙパワーが共にある程度の値になったセルの位置に基づいて設定する。このためＭＣＵ５は、Ｒｘパワーについて設定された閾値ｔｈｘと、Ｒｙパワーについて設定された閾値ｔｈｙを用いる。
【0083】
ＭＣＵ５は、セルマトリクス１１０の第１列から第Ｍ列までのＲｘパワーの値（RxP1、RxP2・・・RxP(M)）を、それぞれ閾値ｔｈｘと比較し、閾値ｔｈｘより大きい値となっているセルの列を検出する。
またＭＣＵ５は、セルマトリクス１１０の第１行から第Ｎ行までのＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）を、それぞれ閾値ｔｈｙと比較し、閾値ｔｈｙより大きい値となっているセルの行を検出する。
またＭＣＵ５は、セルマトリクス１１０の第１行から第Ｎ行までのＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）を、それぞれ閾値ｔｈｙと比較し、閾値ｔｈｙより大きい値となっているセルの行を検出する。
【0084】
そしてＭＣＵ５は、Ｒｙパワーが閾値ｔｈｙより大きい値となっているセルの列と、Ｒｘパワーが閾値ｔｈｘより大きい値となっているセルの行のアンド条件を満たす領域があった場合に、ステップＳ１０４からステップＳ１０５に進み、該当の領域を判定エリア１００として設定する。
【0085】
なお、今回のステップＳ１０１のＲＡＷ値スキャンの結果として、Ｒｘパワーの値が閾値ｔｈｘを越えた列であり、かつＲｙパワーの値が閾値ｔｈｙを越えた行であるという領域が存在しなければ、ＭＣＵ５はステップＳ１０４からステップＳ１０１に戻り、次のフレームのＲＡＷ値スキャンを行う。
【0086】
判定エリアの設定を図１１で説明する。
図１１には１マスを１つのセルとしたセルマトリクス１１０を示している。セル内の円（〇）の濃さにより、当該セルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW）を表現している。濃い円ほどＲＡＷ値変化量（ΔRAW）が大きいとする。円を付していないセルは、ＲＡＷ値が「１２８」で、つまりＲＡＷ値変化量（ΔRAW）がゼロのセルである。
図１１には１マスを１つのセルとしたセルマトリクス１１０を示している。セル内の円（〇）の濃さにより、当該セルのＲＡＷ値変化量（ΔRAW）を表現している。濃い円ほどＲＡＷ値変化量（ΔRAW）が大きいとする。円を付していないセルは、ＲＡＷ値が「１２８」で、つまりＲＡＷ値変化量（ΔRAW）がゼロのセルである。
【0087】
また図１１ではセルマトリクス１１０の下側に、列毎のＲｘパワーの値（RxP1、RxP2・・・RxP(M)）をそれぞれ１マスで示している。斜線を付したマスは、Ｒｘパワーの値が閾値ｔｈｘを越えた列であるとする。
またセルマトリクス１１０の右側に、行毎のＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）をそれぞれ１マスで示している。斜線を付したマスは、Ｒｙパワーの値が閾値ｔｈｙを越えた行であるとする。
またセルマトリクス１１０の右側に、行毎のＲｙパワーの値（RyP1、RyP2・・・RyP(N)）をそれぞれ１マスで示している。斜線を付したマスは、Ｒｙパワーの値が閾値ｔｈｙを越えた行であるとする。
【0088】
このような場合にＭＣＵ５は、Ｒｘパワーの値が閾値ｔｈｘを越えた列と、Ｒｙパワーの値が閾値ｔｈｙを越えた行のアンド条件により、太線で囲った判定エリア１００を設定する。この例では４つの判定エリア１００が設定されている。
【0089】
この図１１の例のように、上記アンド条件を満たす該当の領域が存在すれば、ＭＣＵ５はステップＳ１０４からステップＳ１０５に進み、該当の領域を判定エリア１００として設定することになる。
その場合、ＭＣＵ５は、判定エリア１００に関連するブロックＢＫを対象として４×４信号値を計算する。
その場合、ＭＣＵ５は、判定エリア１００に関連するブロックＢＫを対象として４×４信号値を計算する。
【0090】
【0091】
つまり４×４信号値は、ブロックＢＫ内の左上４セルのＲＡＷ値合計と右下４セルのＲＡＷ値合計から、右上４セルのＲＡＷ値合計と左下４セルのＲＡＷ値合計を減算した値である。
この４×４信号値は、図７に示したＡパターン、Ｂパターン、Ｃパターン、Ｄパターンが観測されるときに大きな値となるものである。上述のとおり、Ａパターン、Ｂパターン、Ｃパターン、Ｄパターンはタッチ操作の位置（図６参照）に応じて観測されるパターンである。従って、４×４信号値とは、ブロックＢＫに対してタッチ操作があったときに所定閾値以上の値が得られる信号値であるということになる。
この４×４信号値は、図７に示したＡパターン、Ｂパターン、Ｃパターン、Ｄパターンが観測されるときに大きな値となるものである。上述のとおり、Ａパターン、Ｂパターン、Ｃパターン、Ｄパターンはタッチ操作の位置（図６参照）に応じて観測されるパターンである。従って、４×４信号値とは、ブロックＢＫに対してタッチ操作があったときに所定閾値以上の値が得られる信号値であるということになる。
【0092】
ステップＳ１０５においてＭＣＵ５が４×４信号値の計算の対象とするブロックＢＫは、例えば図１２に示されるブロックＢＫとする。図１２ではブロックＢＫを１６マスの破線で示している。１つのマスが１つのセルである。実線で判定エリア１００を示している。
【0093】
４×４信号値の計算対象のブロックＢＫは、１６セルのうち１以上のセルが判定エリア１００内に入るものとする。従ってブロックＢＫ１のように右下の１つのセルが判定エリア１００内のものや、ブロックＢＫ２のように右下の２つのセルが判定エリア１００内のもの、ブロックＢＫ３のように８個のセルが判定エリア１００内のもの、ブロックＢＫ４のように全てのセルが判定エリア１００内のものなどが計算対象となる。
【0094】
ＭＣＵ５は、これらの例のように１以上のセルが判定エリア１００内に入るブロックＢＫを対象のブロックＢＫとして、それぞれ４×４信号値を計算する。判定エリア１００が複数の場合は、それぞれの判定エリア１００毎に対象のブロックＢＫが存在することになる。
【0095】
ＭＣＵ５は対象とした各ブロックＢＫについて４×４信号値を計算したら、ステップＳ１０６で、４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫがあったか否かを確認する。閾値ｔｈＲは、ブロックＢＫとしてタッチ操作によるＡパターン、Ｂパターン、Ｃパターン、Ｄパターンが観測される場合の４×４信号値と、ブロックＢＫがノイズの影響で一部のＲＡＷ値が高くなるような場合の４×４信号値を切り分けるために設定された値である。
【0096】
４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫがなければ、現在、タッチ操作はないと判定してＭＣＵ５はステップＳ１０１に戻る。つまり座標演算や座標レポートは行われない。
【0097】
４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫが存在した場合は、ＭＣＵ５はステップＳ１０７に進み、タッチ検出ポイントの判定を行う。
例えば４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫが１つであれば、そのブロックＢＫをタッチ検出ポイントとする。また４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫが複数あった場合は、複数のブロックＢＫを４×４信号値でソートし、４×４信号値の高い１又は複数のブロックＢＫをタッチ検出ポイントとして確定する。
例えば４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫが１つであれば、そのブロックＢＫをタッチ検出ポイントとする。また４×４信号値が閾値ｔｈＲを越えるブロックＢＫが複数あった場合は、複数のブロックＢＫを４×４信号値でソートし、４×４信号値の高い１又は複数のブロックＢＫをタッチ検出ポイントとして確定する。
【0098】
ＭＣＵ５はステップＳ１０８で、タッチ検出ポイントとしたブロックＢＫについて座標演算処理を行う。例えばパターン判定によって、セルサイズよりも細かい分解能でタッチ位置座標を求める。
そしてＭＣＵ５は、ステップＳ１０９で座標レポートを製品側ＭＣＵ９０に出力する。
そしてＭＣＵ５は、ステップＳ１０９で座標レポートを製品側ＭＣＵ９０に出力する。
【0099】
＜３．実施の形態の効果及び変形例＞
以上の実施の形態で説明したタッチパネル装置１、タッチパネル駆動装置３において行われるセンシング方法によれば、次のような効果が得られる。
以上の実施の形態で説明したタッチパネル装置１、タッチパネル駆動装置３において行われるセンシング方法によれば、次のような効果が得られる。
【0100】
実施の形態のタッチパネル駆動装置３によるセンシングは、タッチパネル２に対し、隣接する一対の送信信号線（Ｙ電極２１）と隣接する一対の受信信号線（Ｘ電極２２）で形成されるセルを順次選択して安定化期間とセンシング期間の静電容量の変化量に基づく検出値（ＲＡＷ値）を取得する走査を行う。
この場合にＭＣＵ５は、タッチパネル２のタッチ面に形成されるセルマトリクス１１０の行方向と列方向の配列において、各列について列の全てのセルの検出値に基づくＲｘパワー（列側第１評価値）を求める処理と、各行について行の全てのセルの検出値に基づくＲｙパワー（行側第１評価値）を求め、これらに基づいて判定エリア１００を設定する処理を行う。これによりタッチパネル２のタッチ面上でタッチ検出を行うエリアを絞り込むことができる。またこのときに判定エリア１００外でのノイズの影響も排除できる。
この場合にＭＣＵ５は、タッチパネル２のタッチ面に形成されるセルマトリクス１１０の行方向と列方向の配列において、各列について列の全てのセルの検出値に基づくＲｘパワー（列側第１評価値）を求める処理と、各行について行の全てのセルの検出値に基づくＲｙパワー（行側第１評価値）を求め、これらに基づいて判定エリア１００を設定する処理を行う。これによりタッチパネル２のタッチ面上でタッチ検出を行うエリアを絞り込むことができる。またこのときに判定エリア１００外でのノイズの影響も排除できる。
【0101】
さらにＭＣＵ５は、判定エリア１００から選択されるブロックＢＫについて４×４信号値（第２評価値）を求めることで、対象のブロックＢＫ数を限定してノイズかタッチかを精度良く判別できる。これにより効率よくタッチ検出ポイントを判定できる。そのうえでＭＣＵ５は、パターン判定を含む座標演算を行って座標レポートを行う。
従ってノイズがある程度高い環境においても、タッチしていないエリアでノイズによる異常座標レポート（ゴーストタッチ）が発生することを抑制できる。しかも判定エリアやタッチ検出ポイントを絞ることで、効率の良い座標演算処理が可能になる。
従ってノイズがある程度高い環境においても、タッチしていないエリアでノイズによる異常座標レポート（ゴーストタッチ）が発生することを抑制できる。しかも判定エリアやタッチ検出ポイントを絞ることで、効率の良い座標演算処理が可能になる。
【0102】
なお図８のステップＳ１０２，Ｓ１０３，Ｓ１０４では、ＲｙパワーとＲｘパワーの両方を用いて判定エリア１００を設定したが、ＲｙパワーとＲｘパワーの一方を用いて判定エリア１００を設定してもよい。例えばＲｘパワーが閾値ｔｈｘの列を判定エリア１００としたり、Ｒｙパワーが閾値ｔｈｙの行を判定エリア１００としたりする例である。このようにすることで図８のステップＳ１０４までの処理を高速化できる。
【0103】
実施の形態では、列側第１評価値であるＲｘパワーは、列内の各セルの検出値変化量の絶対値の総和に相当する値であり、行側第１評価値であるＲｙパワーは、行内の各セルの検出値変化量の絶対値の総和に相当する値であるとした。
Ｒｘパワー、Ｒｙパワーを列又は行の各セルの検出値の絶対値の総和に相当する値とすることで、その列又は行において、ある程度のタッチ反応、つまり静電容量変化が生じたか否かを判定できる。従ってＲｘパワー、Ｒｙパワーは静電容量変化の生じたエリアを絞り込むためには好適な値となる。
Ｒｘパワー、Ｒｙパワーを列又は行の各セルの検出値の絶対値の総和に相当する値とすることで、その列又は行において、ある程度のタッチ反応、つまり静電容量変化が生じたか否かを判定できる。従ってＲｘパワー、Ｒｙパワーは静電容量変化の生じたエリアを絞り込むためには好適な値となる。
【0104】
実施の形態では、ブロックＢＫは、列方向の４セルの範囲と行方向の４セルの範囲での１６セルで形成されるセル群であり、第２評価値である４×４信号値は、ブロックＢＫに対してタッチ操作があったときに所定閾値以上の信号値が得られる計算式で求められる値であるとした。そしてブロックＢＫ毎に４×４信号値を閾値ｔｈＲと比較した結果により、タッチ検出ポイントとされるブロックを判定するものとした。
４×４信号値は、ブロックＢＫ内の各セルのＲＡＷ値でタッチ操作のパターンが生じたときに値が高くなるものであるため、ノイズによる反応を排除しやすい。ノイズによっては図７の各パターンが観測されないことが多いためである。従ってタッチ検出ポイントを精度良く判定できるようになる。
４×４信号値は、ブロックＢＫ内の各セルのＲＡＷ値でタッチ操作のパターンが生じたときに値が高くなるものであるため、ノイズによる反応を排除しやすい。ノイズによっては図７の各パターンが観測されないことが多いためである。従ってタッチ検出ポイントを精度良く判定できるようになる。
【0105】
なお実施の形態のタッチパネル装置１では、実際にパネル面に触れるタッチ操作を行うものとして説明したが、本発明はタッチと同等の操作を行う、いわゆるホバーセンシング（非接触近接操作）に対応するタッチパネル装置も含むものであり、その場合も、上記同様のセンシング手法を適用できる。即ち本発明及び実施の形態でいう「タッチ」とは、非接触近接操作状態も含む。
【符号の説明】
【0106】
１ タッチパネル装置
２ タッチパネル
３ タッチパネル駆動装置
４ センサＩＣ
５ ＭＣＵ
５ａ 判定エリア設定部
５ｂ 検出ポイント判定部
５ｃ 座標演算部
５Ｍ メモリ
２１ Ｙ電極
２２ Ｘ電極
４１ 送信回路
４２ 受信回路
４３ マルチプレクサ
４４ インターフェース・レジスタ回路
１００ 判定エリア
１１０ セルマトリクス
ＢＫ ブロック
２ タッチパネル
３ タッチパネル駆動装置
４ センサＩＣ
５ ＭＣＵ
５ａ 判定エリア設定部
５ｂ 検出ポイント判定部
５ｃ 座標演算部
５Ｍ メモリ
２１ Ｙ電極
２２ Ｘ電極
４１ 送信回路
４２ 受信回路
４３ マルチプレクサ
４４ インターフェース・レジスタ回路
１００ 判定エリア
１１０ セルマトリクス
ＢＫ ブロック
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】