特開 2024-103449 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024103449

(43)【公開日】2024-08-01

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240725BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201N

H01G4/30 201K

H01G4/30 201L

H01G4/30 512

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023195094

(22)【出願日】2023-11-16

(31)【優先権主張番号】10-2023-0008871

(32)【優先日】2023-01-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】鄭 惠允

(72)【発明者】

【氏名】鄭 東俊

(72)【発明者】

【氏名】蔡 現植

(72)【発明者】

【氏名】朴 志恩

(72)【発明者】

【氏名】姜 心忠

(72)【発明者】

【氏名】沈 大振

(72)【発明者】

【氏名】李 銀貞

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD02

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE01

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】サイドマージン部の厚さを薄層化しながらも積層型電子部品の耐湿信頼性を確保する。
【解決手段】積層型電子部品において、サイドマージン部１４１、１４２は、内部電極１２１、１２２に隣接する第１領域１４１ａ、１４２ａ及びサイドマージン部の外側に隣接する第２領域１４１ｂ、１４２ｂを含み、サイドマージン部の第１、第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち、第１領域に位置する少なくとも１つの地点と、第２領域に位置する少なくとも１つの地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れ、上記第１領域のラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値をλ（ｃｍ^－１）とするとき、上記第２領域のラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値はλ＋０．７５ｃｍ^－１以上である。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、前記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と接続され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面から第４面と接続され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面及び第４面に配置される外部電極と、
前記第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部を含み、
前記サイドマージン部は、前記内部電極に隣接する第１領域及び前記サイドマージン部の外側に隣接する第２領域を含み、
前記サイドマージン部の第１方向及び第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち、前記第１領域に位置する少なくとも１つの地点と、前記第２領域に位置する少なくとも１つの地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルは４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れ、
前記第１領域のラマンスペクトルのうち前記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値をλ（ｃｍ^－１）とするとき、前記第２領域のラマンスペクトルのうち前記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値はλ＋０．７５ｃｍ^－１以上である、積層型電子部品。

【請求項2】

前記第２領域のラマンスペクトルのうち、前記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値はλ＋１．２ｃｍ^－１以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記第１領域のラマンスペクトルで前記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値をλ１とし、前記第２領域のラマンスペクトルで前記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値をλ２とするとき、λ２＞λ１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記サイドマージン部の第１方向及び第３方向の断面の第１方向の中央領域において第３方向に等間隔の複数の仮想線のうち互いに隣接する２つの仮想線において、
１つの前記仮想線上に位置する互いに等間隔の４つの地点のラマンスペクトルで前記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値はλｍであり、もう一つの前記仮想線上に位置する互いに等間隔の４つの地点のラマンスペクトルで前記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値がλｍ＋０．５ｃｍ^－１以上を満たし、
前記第１領域及び第２領域の間の境界は、前記互いに隣接する２つの仮想線の間の中央に位置する、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記サイドマージン部の第１方向及び第３方向の断面は、前記サイドマージン部の第２方向の中央で切断した断面である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記サイドマージン部の第１方向の中央領域で測定した第１領域の第３方向の大きさをＴ１、前記サイドマージン部の第１方向の中央領域で測定した第２領域の第３方向の大きさをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔ１は０．６以上２．２以下を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記サイドマージン部は、ＢａＴｉＯ_３系を主成分として含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記サイドマージン部は、Ｓｎをさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記サイドマージン部の第３方向の平均大きさは１５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記誘電体層の少なくとも１つの平均厚さは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記第１内部電極の少なくとも１つの平均厚さは０．４μｍ以下であり、
前記第２内部電極の少なくとも１つの平均厚さは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記本体の第１方向の中央領域に対応する前記サイドマージン部の領域の第３方向の大きさをｔｍ１、前記第１方向を基準として最外側に配置された内部電極の末端と接する前記サイドマージン部の領域の第３方向の大きさをｔｍ２とするとき、ｔｍ２／ｔｍ１は０．９以上１．０以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記本体の第１方向の中央領域に対応する前記サイドマージン部の領域の第３方向の大きさをｔｍ１、前記本体のエッジと接する前記サイドマージン部の領域の厚さをｔｍ３とするとき、ｔｍ３／ｔｍ１は０．９以上１．０以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記第１内部電極は、前記第３面、第５面及び第６面と接続され、
前記第２内部電極は、前記第４面、第５面及び第６面と接続される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。最近、コンピュータ、モバイル機器など、各種電子機器が小型化、高出力化され、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。

【0004】

積層セラミックキャパシタは、一般的に、誘電体層及び内部電極が交互に配置される本体と、上記本体の側面に配置されて上記本体を保護するサイドマージン部を含むことができる。

【0005】

一方、近年、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するためにサイドマージン部の薄層化が進められているが、サイドマージン部の厚さが薄くなるほど積層セラミックキャパシタの耐湿信頼性が低下するという問題点が発生することがある。

【0006】

特に、サイドマージン部の厚さを薄層化するために、別途の誘電体シートを本体の側面に積層する工法を適用する場合、本体とサイドマージン部の界面、特に誘電体層及び内部電極が交互に配置されて容量を形成する容量形成部とサイドマージン部との間の界面が内部応力差によって広がる現象が発生することがあり、上記界面に外部の水分や水素などが浸透して積層セラミックキャパシタの信頼性を劣化させることがある。

【0007】

したがって、サイドマージン部の内部応力を制御することで、本体とサイドマージン部との間の界面での残留応力ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）を最小化して、積層セラミックキャパシタの耐湿信頼性を向上させるための研究が必要な実情である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明の様々な目的の一つは、サイドマージン部の厚さを薄層化しながらも積層型電子部品の耐湿信頼性を確保することである。

【0009】

但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施形態は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、上記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と接続され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、上記第１面から第４面と接続され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含む本体、上記第３面及び第４面に配置される外部電極及び上記第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部を含み、上記サイドマージン部は、上記内部電極に隣接する第１領域及び上記サイドマージン部の外側に隣接する第２領域を含み、上記サイドマージン部の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち、上記第１領域に位置する少なくとも１つの地点と上記第２領域に位置する少なくとも１つの地点をラマン分光法を介して分析したラマンスペクトルは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れ、上記第１領域のラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値をλ（ｃｍ^－１）とするとき、上記第２領域のラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値はλ＋０．７５ｃｍ^－１以上である積層型電子部品を提供する。

【発明の効果】

【0011】

本発明の様々な効果の一つとして、サイドマージン部の厚さを薄層化しながらも積層型電子部品の耐湿信頼性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。

【図2】図１の本体及びサイドマージン部を分解して概略的に示した分解斜視図である。

【図3】図１のＩ－Ｉ’線に沿った切断断面を概略的に示した断面図である。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った切断断面を概略的に示した断面図である。

【図5】図４のＫ１領域拡大図である。

【図6】ＢａＴｉＯ_３系のラマンスペクトルを概略的に示した図面である。

【図7】ＢａＴｉＯ_３系のラマンスペクトルで現れるピークと圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒａｉｎ）との関係を示した図面である。

【図8】第１領域及び第２領域に位置する複数の地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルにおいてピークＸが現れるラマンシフトを示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0014】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0015】

図面において、第１方向は厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0016】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１の本体及びサイドマージン部を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った切断断面を概略的に示した断面図であり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った切断断面を概略的に示した断面図であり、図５は、図４のＫ１領域拡大図であり、図６は、ＢａＴｉＯ_３系のラマンスペクトルを概略的に示した図面であり、図７は、ＢａＴｉＯ_３系のラマンスペクトルで現れるピークと圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒａｉｎ）との関係を示した図面であり、図８は、第１領域及び第２領域に位置する複数の地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルにおいてピークＸが現れるラマンシフトを示した図面である。

【0017】

以下、図１～図８を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について詳細に説明する。また、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な積層型電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0018】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、上記第１方向に向かい合う第１面及び第２面１、２、上記第１面及び第２面と接続され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面３、４、上記第１面から第４面と接続され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面５、６を含む本体１１０、上記第３面及び第４面に配置される外部電極１３１、１３２及び上記第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部１４１、１４２を含み、上記サイドマージン部は、上記内部電極に隣接する第１領域１４１ａ、１４２ａ及び上記サイドマージン部の外側に隣接する第２領域１４１ｂ、１４２ｂを含み、上記サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち上記第１領域１４１ａ、１４２ａに位置する少なくとも１つの地点と上記第２領域１４１ｂ、１４２ｂに位置する少なくとも１つの地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れ、上記第１領域１４１ａ、１４２ａのラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値をλ（ｃｍ^－１）とするとき、上記第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値はλ＋０．７５ｃｍ^－１以上であり得る。

【0019】

上述したように、本体１１０は、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２が交互に積層された構造により、サイドマージン部１４１、１４２に比べて比較的高い引張応力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒａｉｎ）が発生することがある。これにより、本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の応力ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）により本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の界面が広がる現象が発生することがあり、本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の界面を介して外部の水分及び／または水素が浸透して積層型電子部品１００の信頼性が低下することがある。

【0020】

一方、本発明の一実施形態によるサイドマージン部１４１、１４２は、本体１１０に隣接する第１領域１４１ａ、１４２ａが第２領域１４１ｂ、１４２ｂに比べて高い引張応力を有することで、本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の応力ミスマッチを最小化し、これにより本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の界面が広がる現象を防止することができる。

【0021】

一方、サイドマージン部１４１、１４２に残留する引張応力が高いほど、外部衝撃によってクラック（ｃｒａｃｋ）が発生しやすくなるという問題点が発生することがあるが、本発明の一実施形態によるサイドマージン部１４１、１４２は、上記サイドマージン部の外側に隣接する第２領域１４１ｂ、１４２ｂが第１領域１４１ａ、１４２ａに対する圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒａｉｎ）を有することで、外部衝撃によるクラックの発生を防止し、積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。

【0022】

以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００に含まれる各構成についてより詳細に説明する。

【0023】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図２に示されたように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮やエッジ部の研磨により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではなく、実質的に六面体状を有することができる。

【0024】

本体１１０は、第１方向に向かい合う第１面及び第２面１、２、上記第１面及び第２面１、２と接続され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面３、４、第１面から第４面１、２、３、４と接続され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面５、６を有することができる。

【0025】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていることができる。本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0026】

誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及びバインダーを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた後、上記セラミックグリーンシートを焼成することで、形成することができる。セラミック粉末は十分な静電容量が得られる限り特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0027】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に配置されることができ、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２が誘電体層１１１を挟んで第１方向に交互に配置されることができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0028】

第１内部電極１２１は、第３面、第５面及び第６面３、５、６と接続され、第４面４と離隔して配置されることができる。また、第２内部電極１２２は、第４面、第５面、第６面４、５、６と接続され、第３面３と離隔して配置されることができる。

【0029】

内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上であることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0030】

内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート上に所定厚さで導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布して焼成することで形成されることができる。内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0031】

本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと容量形成部Ａｃの第１方向に向かい合う両端面上にそれぞれ配置される第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３を含むことができる。カバー部１１２、１１３は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。カバー部１１２、１１３は内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同じ誘電体組成を有することができるが、本発明がこれに限定されるものではなく、カバー部１１２、１１３は誘電体層１１１とは異なる誘電体組成を有することもできる。

【0032】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面及び第４面３、４に配置されることができ、上記第１面、第２面、第５面及び第６面の一部上に延びることができる。また、外部電極１３１、１３２は、第１内部電極１２１と接続される第１外部電極１３１及び第２内部電極１２２と接続される第２外部電極１３２を含むことができる。

【0033】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面及び第４面３、４を導電性金属及びガラスを含む外部電極用導電性ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）した後、焼成することで形成されることができる。または、導電性金属及びガラスを含むシートを転写する方式で形成されることもできる。

【0034】

外部電極１３１、１３２に含まれる導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）及び／またはこれを含む合金などを含むことができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0035】

また、図示してはいないが、第１外部電極１３１上には第１めっき層が配置されることができ、第２外部電極上には第２めっき層が配置されることができる。めっき層は実装特性を向上させることができる。上記めっき層の種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及び／またはこれを含む合金などを含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることもできる。上記めっき層は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき層またはスズ（Ｓｎ）めっき層であることができ、ニッケル（Ｎｉ）めっき層及びスズ（Ｓｎ）めっき層が順次形成された形態であることもできる。また、めっき層は、複数のニッケル（Ｎｉ）めっき層及び／または複数のスズ（Ｓｎ）めっき層を含むこともできる。

【0036】

図面では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、これに限定されるものではなく、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0037】

サイドマージン部１４１、１４２は、第５面及び第６面５、６に配置されることができる。上記サイドマージン部は、上記第５面に配置される第１サイドマージン部１４１及び上記第６面に配置される第２サイドマージン部１４２を含むことができる。サイドマージン部１４１、１４２は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0038】

サイドマージン部１４１、１４２は、ＢａＴｉＯ_３系を主成分として含むことができ、ここでＢａＴｉＯ_３系とは、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。サイドマージン部１４１、１４２は、誘電体層１１１と実質的に同じ材料を含むことができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0039】

以下では、サイドマージン部１４１、１４２の第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂに関してより詳細に説明する。一方、図５は、第２サイドマージン部１４２の第１領域１４２ａ及び第２領域１４２ｂを示しているが、第１サイドマージン部１４１と第２サイドマージン部１４２は、第３方向に互いに対称の関係にあるため、図５による説明は、第１サイドマージン部１４１に関する説明を含むものと見なす。

【0040】

サイドマージン部１４１、１４２は、本体１１０に隣接する第１領域１４１ａ、１４２ａ及び上記サイドマージン部の外側に隣接する第２領域１４１ｂ、１４２ｂを含むことができる。本発明の一実施形態によると、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち、第１領域１４１ａ、１４２ａに位置する少なくとも１つの地点と第２領域１４１ｂ、１４２ｂに位置する少なくとも１つの地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れることができる。ここで、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面とは、例えば、サイドマージン部１４１、１４２の第２方向の中央で切断した第１及び第３方向の断面であることができる。

【0041】

例えば、図４及び図５を参照すると、第１領域１４２ａに位置する少なくとも１つの地点Ｐ１１～Ｐ１６、Ｐ２１～Ｐ２６、Ｐ３１～Ｐ３６、Ｐ４１～Ｐ４６をラマン分光法により分析したラマンスペクトルは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れ、第２領域１４２ｂに位置する少なくとも１つの地点Ｐ１７～Ｐ１１２、Ｐ２７～Ｐ２１２、Ｐ３７～Ｐ３１２、Ｐ４７～Ｐ４１２をラマン分光法により分析したラマンスペクトルは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトでピークＸが現れることができる。

【0042】

図７を参照すると、ＢａＴｉＯ_３系のラマンスペクトルでは、２５０ｃｍ^－１、３６０ｃｍ^－１、５１４ｃｍ^－１、７１６ｃｍ^－１付近のラマンシフトでピークが現れることができ、２５０ｃｍ^－１、３６０ｃｍ^－１、５１４ｃｍ^－１、７１６ｃｍ^－１付近での４つのピークは、それぞれＡ_１（ＴＯ）、Ｂ_１＋Ｅ（ＴＯ）、Ａ_１（ＴＯ）＋Ｅ（ＴＯ）、Ａ_１（ＬＯ）＋Ｅ（ＬＯ）振動に由来することができる。ここで、上記ピークＸとは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトで現れ、Ａ_１（ＴＯ）＋Ｅ（ＴＯ）振動に由来するピークを意味する。

【0043】

本発明の一実施形態によると、第１領域１４１ａ、１４２ａのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値をλ（ｃｍ^－１）とするとき、第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値はλ＋０．７５ｃｍ^－１以上であり得る。以下、上記ピークＸが現れるラマンシフトとは、４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトで最大強度のピークＸが現れるラマンシフト値を意味する。

【0044】

ここで、第１領域１４１ａ、１４２ａのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値λとは、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち、第１領域１４１ａ、１４２ａに位置する第１方向に等間隔であり、第３方向に等間隔である複数の地点Ｐ１１～Ｐ１６、Ｐ２１～Ｐ２６、Ｐ３１～Ｐ３６、Ｐ４１～Ｐ４６をラマン分光法により分析したとき、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値を意味することができる。

【0045】

また、第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値とは、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域のうち第２領域１４１ｂ、１４２ｂに位置する第１方向に等間隔であり、第３方向に等間隔である複数の地点Ｐ１７～Ｐ１１２、Ｐ２７～Ｐ２１２、Ｐ３７～Ｐ３１２、Ｐ４７～Ｐ４１２をラマン分光法により分析したとき、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値を意味することができる。上記第１領域及び第２領域に位置する複数の地点の個数は特に限定する必要はなく、上記サイドマージン部の第１方向の大きさ及び第３方向の大きさに応じて適宜選択されることができる。

【0046】

図７を参照すると、上記ピークＸが現れるラマンシフトは、ＢａＴｉＯ_３系物質に残留する応力に応じて変わることができる。例えば、比較的引張応力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒａｉｎ）が作用する場合、上記ピークＸが現れるラマンシフト値は減少することができ、比較的圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒａｉｎ）が作用する場合、上記ピークＸが現れるラマンシフト値は増加することができる。特に、上記ピークＸは、Ａ_１（ＴＯ）、Ｂ_１＋Ｅ（ＴＯ）及びＡ_１（ＬＯ）＋Ｅ（ＬＯ）振動に由来するピークに比べて、ＢａＴｉＯ_３系物質に残留する応力に敏感に反応する。したがって、本発明では、上記ピークＸが現れるラマンシフト値で第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂに残留する応力を評価したものである。また、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域に位置する地点をラマン分光法により分析したのは、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の外側領域に比べて内部応力の影響を多く受ける第１方向の中央領域に残留する応力を評価するためである。

【0047】

第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋０．７５ｃｍ^－１以上を満たすことは、第１領域１４１ａ、１４２ａは第２領域１４１ｂ、１４２ｂに比べて比較的引張応力を有し、第２領域１４１ｂ、１４２ｂは、第１領域１４１ａ、１４２ａに比べて比較的圧縮応力が有することを意味することができる。

【0048】

これにより、第１領域１４１ａ、１４２ａは、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２が積層されて、サイドマージン部１４１、１４２に比べて比較的高い引張応力を有する本体１１０との応力ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）を最小化する役割を果たすことができ、これにより本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の界面が広がる現象を防止して、外部の水分及び／又は水素の浸透を防ぎ、積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。

【0049】

また、サイドマージン部１４１、１４２に残留する引張応力が高くなるほど外部衝撃によって容易にクラックが生じるという問題点が発生することがあるが、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００はサイドマージン部１４１、１４２の外側に隣接する第２領域１４１ｂ、１４２ｂが第１領域１４１ａ、１４２ａに対する圧縮応力（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒａｉｎ）を有することで外部衝撃によるクラックの発生を防止して、積層型電子部品１００の信頼性をより効果的に向上させることができる。

【0050】

第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値の上限は特に限定する必要はないが、例えばλ＋１．２ｃｍ^－１以下であることができる。第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋１．２ｃｍ^－１超過である場合、本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の界面が広がる現象が発生する可能性がある。

【0051】

一実施形態において、第１領域１４１ａ、１４２ａのラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値をλ１とし、第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値をλ２とするとき、λ２＞λ１を満たすことができる。例えば、λ１は、上記第１領域に位置する複数の地点Ｐ１１～Ｐ１６、Ｐ２１～Ｐ２６、Ｐ３１～Ｐ３６、Ｐ４１～Ｐ４６をラマン分光法により分析したとき、上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値を意味することができ、λ２は、上記第２領域に位置する複数の地点Ｐ１７～Ｐ１１２、Ｐ２７～Ｐ２１２、Ｐ３７～Ｐ３１２、Ｐ４７～Ｐ４１２をラマン分光法により分析したとき、上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値を意味することができる。λ２＞λ１を満たすことで、応力ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の最小化効果及び外部衝撃によるクラック防止効果がさらに顕著になることができる。

【0052】

第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂの間の境界は次のように定義されることができる。例えば、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域において第３方向に等間隔の複数の仮想線のうち、互いに隣接する２つの仮想線において、１つの上記仮想線上に位置する互いに等間隔の４つの地点のラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値はλｍであり、もう一つの上記仮想線上に位置する互いに等間隔の４つの地点のラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値がλｍ＋０．５ｃｍ^－１以上を満たすとき、第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂとの間の境界は、上記互いに隣接する２つの仮想線間の中央に位置することができる。

【0053】

例えば、図５に示されたように、第３方向に等間隔の複数の仮想線のうち、互いに隣接する第６仮想線及び第７仮想線Ｌ６、Ｌ７において、第６仮想線Ｌ６上に位置する互いに等間隔の４つの地点Ｐ１６、Ｐ２６、Ｐ３６、Ｐ４６のラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値がλｍであり、第７仮想線Ｌ７上に位置する互いに等間隔の４つの地点Ｐ１７、Ｐ２７、Ｐ３７、Ｐ４７のラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値がλｍ＋０．５ｃｍ^－１以上を満たすとき、上記第１領域及び第２領域の間の境界は第６仮想線Ｌ６と第７仮想線Ｌ７との間の中央に位置することができる。一方、図５及び図８を参照すると、仮想線は合計１２個であるが、上記仮想線の個数はサイドマージン部１４１、１４２の第３方向の大きさに応じて変わることができる。

【0054】

図５を参照すると、一実施形態において、サイドマージン部１４２の第１方向の中央領域で測定した第１領域１４２ａの第３方向の大きさをＴ１、サイドマージン部１４２の第１方向の中央領域で測定した第２領域１４２ｂの第３方向の大きさをＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔ１は０．６以上２．２以下を満たすことができる。Ｔ２／Ｔ１が０．６未満の場合、第２領域１４２ｂの第３方向の大きさが小さすぎて外部衝撃によるクラック防止及び信頼性の向上効果が僅かであることがある。Ｔ２／Ｔ１が２．２超過である場合、サイドマージン部１４１、１４２の第３方向の大きさが過度に増加して、本体１１０とサイドマージン部１４１、１４２との間の境界が広がる現象が発生して、積層型電子部品の信頼性が低下する可能性がある。

【0055】

上記Ｔ２／Ｔ１比率を調節する方法は特に限定する必要はない。例えば、サイドマージン部１４１、１４２の第３方向の大きさを増加させるほど、Ｔ２／Ｔ１比率が増加することができる。また、上記Ｔ１及びＴ２は、例えば、上記サイドマージン部の第２方向の中央で切断した第１及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影し、ラマン分光法を介して第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂの間の境界を定義することで測定することができる。

【0056】

サイドマージン部１４１、１４２は、例えば、第５面及び第６面５、６にＢａＴｉＯ_３系粉末を主成分として含む誘電体物質を含む誘電体シートを積層した後、焼成することで形成されることができる。第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルにおいて上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値を調節する方法は特に限定する必要はないが、例えばＳｎがドーピングされたＢａＴｉＯ_３系粉末を含む誘電体物質を含む上記誘電体シートを焼成して焼成時のサイドマージン部１４１、１４２の収縮量を調節することで、第１領域１４１ａ、１４２ａ及び第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルにおいて、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値を調節することができる。これによって、サイドマージン部１４１、１４２はＳｎを含むことができる。

【0057】

一実施形態において、第１領域１４１ａ、１４２ａに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、第２領域１４１ｂ、１４２ｂに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさよりも大きいことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。上記第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさ及び第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、積層型電子部品の第２方向の中央で切断した第１及び第３方向の断面において、サイドマージン部１４１、１４２の第１方向の中央領域（例えば、図４のＫ１領域）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて５０，０００倍拡大したイメージを得た後、上記イメージをイメージ分析プログラム、例えば、Ｚｏｏｔｏｓ社のＺｏｏｔｏｓ Ｐｒｏｇｒａｍを用いて分析することで得られることができる。

【0058】

サイドマージン部１４１、１４２の第３方向の平均大きさは特に限定する必要はない。但し、一般的にサイドマージン部１４１、１４２の第３方向の平均大きさが小さくなるほど、積層型電子部品の信頼性が低下するという問題点がある。一方、本発明の一実施形態による積層型電子部品の場合、上記第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋０．７５ｃｍ^－１以上を満たすことで、サイドマージン部１４１、１４２の第３方向の平均大きさが２５μｍ以下である場合にも、積層型電子部品の信頼性を確保することができる。サイドマージン部１４１、１４２の第３方向の平均大きさの下限は特に限定する必要はないが、例えば２μｍ以上であることができる。

【0059】

サイドマージン部１４１、１４２の第３方向の平均大きさは、第１サイドマージン部１４１及び第２サイドマージン部１４２のそれぞれの平均厚さを意味する。また、サイドマージン部１４１、１４２の平均厚さは、サイドマージン部１４１、１４２の第１及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンしたイメージで等間隔の５つの地点で測定した第３方向の大きさを平均した値であることができる。

【0060】

一実施形態において、本体１１０の第１方向の中央領域に対応するサイドマージン部１４１、１４２の領域の第３方向の大きさをｔｍ１、上記第１方向を基準として最外側に配置された内部電極１２１、１２２の末端と接するサイドマージン部１４１、１４２の領域の第３方向の大きさをｔｍ２とするとき、ｔｍ２／ｔｍ１は０．９以上１．０以下であることができる。

【0061】

従来には、セラミックスラリーを塗布または印刷する方式でサイドマージン部を形成したため、サイドマージン部の位置別厚さのばらつきが激しかった。具体的には、従来の場合には、本体の第１方向の中央部領域に対応する第１または第２サイドマージン部の領域の厚さが他の領域の厚さに比べて厚く形成された。このようにサイドマージン部の位置別厚さのばらつきが大きい従来の場合、同一大きさの積層型電子部品においてサイドマージン部が占める部分が大きいため、容量形成部の大きさを大きく確保できず、高容量確保に困難がある。

【0062】

一方、本発明の一実施形態によると、ｔｍ２／ｔｍ１が０．９以上１．０以下を満たすことで、第１及び第２サイドマージン部Ｍ１、Ｍ２の第３方向の大きさを小さく形成して容量形成部Ａｃの大きさを大きく確保することができる。

【0063】

また、本体１１０のエッジと接するサイドマージン部１４１、１４２の領域の厚さをｔｍ３とするとき、ｔｍ３／ｔｍ１は０．９以上１．０以下であることができる。上記特徴により、サイドマージン部の領域別厚さのばらつきを低減して容量形成部Ａｃの大きさを大きく確保することができ、これにより高容量の積層型電子部品の実現が可能である。

【0064】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。但し、誘電体層１１１の厚さが薄くなるほど電圧印加時に発生する応力により本体１１０にクラックが発生しやすくなり、これにより積層型電子部品の信頼性が低下するという問題点がある。一方、本発明の一実施形態による積層型電子部品の場合、上記第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋０．７５ｃｍ^－１以上を満たすことで、誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄが０．４μｍ以下である場合にも、積層型電子部品の信頼性を確保することができる。

【0065】

ここで、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味する。誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの誘電体層１１１の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０つの誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0066】

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。但し、本発明の一実施形態による積層型電子部品の場合、上記第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋０．７５ｃｍ^－１以上を満たすことで、第１内部電極１２１の少なくとも１つの平均厚さが０．４μｍ以下であり、第２内部電極１２２の少なくとも１つの平均厚さが０．４μｍ以下である場合にも積層型電子部品の信頼性を確保することができる。

【0067】

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味する。ここで、内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの内部電極１２１、１２２の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０つの内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0068】

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは２０μｍ以下であることができる。上述したように、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃが２０μｍ以下である場合にも、上記第２領域１４１ｂ、１４２ｂのラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋０．７５ｃｍ^－１以上を満たすことで、積層型電子部品の信頼性を確保することができる。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さは、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれの平均厚さを意味する。

【0069】

カバー部１１２、１１３の平均厚さは、カバー部１１２、１１３の第１方向における平均大きさを意味することができ、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面で等間隔の５つの地点で測定した第１方向の大きさを平均した値であることができる。

【0070】

（実験例）
＜第１領域及び第２領域のラマンシフト測定＞
まず、誘電体層及び内部電極を含む本体を設けた後、ＳｎがコーティングされたＢａＴｉＯ_３系粉末を含む誘電体物質、添加剤、溶剤、分散剤などを含む誘電体シートを本体の第５面及び第６面に積層した後、焼成してサイドマージン部を形成した。焼成後、本体の第３面及び第４面をＣｕを含む外部電極用導電性ペーストにディッピングした後、焼成して外部電極を形成することでサンプルチップを設けた。

【0071】

次に、サイドマージン部の第２方向の中央で切断した第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域をラマン分光法により分析した。ラマン分光法は、Ｒａｍａｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ（ＬａｂＲａｍ ＨＲ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）装備によって測定し、レーザ波長：５３２ｎｍ、ＮＤ ｆｉｌｔｅｒ：３．２％、ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ：１５ｓの条件で行った。

【0072】

図５を参照すると、まず、サイドマージン部の第１及び第３方向の断面の第１方向の中央領域において第３方向に互いに約１μｍずつ離れた第１～第１２仮想線を引き、各仮想線上に位置する互いに約５μｍずつ離れた４つの地点をラマン分光法により分析した。ここで、上記第１仮想線は本体に最も隣接する仮想線であり、上記第１２仮想線はサイドマージン部の外側に最も隣接する仮想線である。

【0073】

この後、各仮想線上に位置する４つの地点をラマン分光法により分析したラマンスペクトルにおいて４５０ｃｍ^－１～６００ｃｍ^－１のラマンシフトで最大強度のピークＸが現れるラマンシフト値を求めた後、上記４つの地点のラマンスペクトルにおいて、上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値、最大値及び平均値を測定した。例えば、第１仮想線Ｌ１上に位置した４つの地点Ｐ１１～Ｐ４１のラマンスペクトルにおける上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値、最大値及び平均値を測定し、第２仮想線Ｌ２上に位置した４つの地点Ｐ１２～Ｐ４２のラマンスペクトルにおける上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値、最大値及び平均値を測定し、この後、第３～第１２仮想線Ｌ３～Ｌ１２も同様の方法でラマンシフト測定を行い、図８に示した。

【0074】

図５及び８を参照すると、第６仮想線Ｌ６上に位置する４つの地点Ｐ１６～Ｐ４６のラマンスペクトルにおいて、上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値をλｍとするとき、第７仮想線Ｌ７上に位置する４つの地点Ｐ１７～Ｐ４７のラマンスペクトルにおいて、上記ピークＸが現れるラマンシフトの平均値がλｍ＋０．５ｃｍ^－１以上を満たすことを確認し、これにより、第１領域及び第２領域の間の境界を互いに隣接する第６及び第７仮想線Ｌ６、Ｌ７の間の中央として定義した。

【0075】

また、第１領域のラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値をλとするとき、第２領域のラマンスペクトルのうち上記ピークＸが現れるラマンシフトの最小値がλ＋０．７５ｃｍ^－１以上であることを確認した。

【0076】

＜Ｔ２／Ｔ１比率による耐湿信頼性の評価＞
この後、設定された第１領域及び第２領域の間の境界を基準として、第１領域の第３方向の大きさＴ１に対する第２領域の第３方向の大きさＴ２の比率による耐湿信頼性を評価した。耐湿信頼性の評価は各サンプルチップ当たり１２００個のチップを実装し、温度８５℃、相対湿度８５％で１０Ｖの電圧を２４時間の間印加した後、絶縁抵抗が初期数値より１ｏｒｄｅｒ以上落ちたサンプルの個数を下記表１に記載した。このとき、１２００個のサンプルチップのうち、絶縁抵抗が初期数値より１ｏｒｄｅｒ以上落ちたサンプルの個数が１０個未満の場合は良好（○）、１０個以上の場合は不良（Ｘ）と判定した。

【0077】

【表1】

【0078】

上記表１を参照すると、Ｔ２／Ｔ１比率が０．６～２．２を満たす試験番号３～６は、耐湿信頼性のテスト時に不良であるサンプルの個数が１０個未満であり、耐湿信頼性が改善されることが分かる。一方、試験番号１及び２は、Ｔ２／Ｔ１比率が０．６未満であり、耐湿信頼性のテスト時に不良であるサンプルの個数が１０個以上であることを確認することができる。これは、第２領域の第３方向の大きさが小さすぎて外部衝撃によるクラックを防止することができず、信頼性が低下したためと予想される。一方、Ｔ２／Ｔ１比率が０である試験番号１は、本発明で定義した第２領域が形成されていないことを意味する。

【0079】

また、試験番号７の場合、Ｔ２／Ｔ１比率が２．２超過であり、本体とサイドマージン部との間の界面が広がって耐湿信頼性のテストを行うことができなかった。

【0080】

本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0081】

また、「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0082】

また、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱せずに、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。

【符号の説明】

【0083】

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１４１、１４２ サイドマージン部
１４１ａ、１４２ａ 第１領域
１４１ｂ、１４２ｂ 第２領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】