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特開2024-103523透明導電層、透明導電性フィルム、物品および光電変換素子
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024103523
(43)【公開日】2024-08-01
(54)【発明の名称】透明導電層、透明導電性フィルム、物品および光電変換素子
(51)【国際特許分類】
H01B 5/14 20060101AFI20240725BHJP
C23C 14/08 20060101ALI20240725BHJP
C23C 14/34 20060101ALI20240725BHJP
【ＦＩ】
H01B5/14 A
C23C14/08 K
C23C14/34
【審査請求】有
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024079989
(22)【出願日】2024-05-16
(62)【分割の表示】P 2023548479の分割
【原出願日】2022-09-14
(31)【優先権主張番号】P 2021152346
(32)【優先日】2021-09-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003812
【氏名又は名称】弁理士法人いくみ特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】藤野 望
(72)【発明者】
【氏名】鴉田 泰介
(57)【要約】
【課題】エッチング性に優れる透明導電層および透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明導電層１は、クリプトンを含有する無機酸化物を含む。透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅が、０．２５度以下である。無機酸化物が、インジウムスズ複合酸化物である。インジウムスズ複合酸化物における酸化スズの含有量が、６質量％以上１５質量％以下である。
【選択図】図１
【解決手段】透明導電層１は、クリプトンを含有する無機酸化物を含む。透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅が、０．２５度以下である。無機酸化物が、インジウムスズ複合酸化物である。インジウムスズ複合酸化物における酸化スズの含有量が、６質量％以上１５質量％以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
クリプトンを含有する無機酸化物を含む透明導電層であり、
前記透明導電層をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅が、０．２５度以下であり、
前記無機酸化物が、インジウムスズ複合酸化物であり、
前記インジウムスズ複合酸化物における酸化スズの含有量が、６質量％以上１５質量％以下である、透明導電層。
前記透明導電層をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅が、０．２５度以下であり、
前記無機酸化物が、インジウムスズ複合酸化物であり、
前記インジウムスズ複合酸化物における酸化スズの含有量が、６質量％以上１５質量％以下である、透明導電層。
【請求項2】
基材と、請求項１に記載の透明導電層とを、厚み方向の一方側に向かって順に備える、透明導電性フィルム。
【請求項3】
前記基材は、樹脂を含む、請求項２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項4】
前記基材は、樹脂である、請求項２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを備える、物品。
【請求項6】
請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを備える、光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、透明導電層および透明導電性フィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
有機高分子フィルム基材上にある透明導電膜が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。特許文献１に記載の透明導電膜は、比抵抗が低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－１５７８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
用途および目的に応じて、透明導電膜は、エッチングにより、パターンニングされる。
【0005】
そのため、透明導電膜は、エッチング性に優れることが求められることがある。
【0006】
エッチング性は、例えば、溶解時間で評価される。溶解時間は、厚み方向における透明導電膜の一方面がエッチング液と接触して溶解されて除去されるときに、透明導電膜の単位厚み当たりの、透明導電膜が除去されるまでの時間である。溶解時間の単位は、（秒／ｎｍ）である。溶解時間が短ければ、エッチング性に優れる。
【0007】
しかし、特許文献１に記載の透明導電膜は、上記した要求を満足できないという不具合がある。
【0008】
本発明は、エッチング性に優れる透明導電層および透明導電性フィルムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明（１）は、アルゴンより原子番号の大きい希ガスを含有する無機酸化物を含む透明導電層であり、前記透明導電層をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅が、０．２７度以下である、透明導電層を含む。
【0010】
本発明（２）は、前記無機酸化物が、インジウムスズ複合酸化物である、（１）に記載の透明導電層を含む。
【0011】
本発明（３）は、基材と、（１）または（２）に記載の透明導電層とを、厚み方向の一方側に向かって順に備える、透明導電性フィルムを含む。
【0012】
本発明（４）は、前記基材は、樹脂を含む、（３）に記載の透明導電性フィルムを含む。
【0013】
本発明（５）は、前記基材は、樹脂である、（３）または（４）に記載の透明導電性フィルムを含む。
【発明の効果】
【0014】
本発明の透明導電層および透明導電性フィルムは、エッチング性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
１． 透明導電層の一実施形態
本発明の一実施形態である透明導電層１を、図１を参照して説明する。この透明導電層１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。透明導電層１は、結晶質である。
本発明の一実施形態である透明導電層１を、図１を参照して説明する。この透明導電層１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。透明導電層１は、結晶質である。
【0017】
１．１ 透明導電層に含有される無機酸化物
透明導電層１は、無機酸化物を含む。無機酸化物としては、例えば、金属酸化物が挙げられる。金属酸化物は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む。具体的には、透明導電層１の材料としては、好ましくは、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、および、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられ、好ましくは、エッチング性を向上する観点から、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。
透明導電層１は、無機酸化物を含む。無機酸化物としては、例えば、金属酸化物が挙げられる。金属酸化物は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む。具体的には、透明導電層１の材料としては、好ましくは、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、および、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられ、好ましくは、エッチング性を向上する観点から、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。
【0018】
１．２ 酸化スズ（ＳｎＯ２）の含有量
インジウムスズ複合酸化物における酸化スズ（ＳｎＯ２）の含有量は、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、６質量％以上、さらに好ましくは、８質量％以上であり、また、例えば、５０質量％未満、好ましくは、２５質量％以下、より好ましくは、１５質量％以下である。インジウムスズ複合酸化物における酸化スズの含有量が上記した下限以上であれば、エッチング性に優れる。インジウムスズ複合酸化物における酸化スズ（ＳｎＯ２）の含有量が上記した上限以下であれば、透明導電層１の優れた抵抗特性とエッチング性を両立しやすい。
インジウムスズ複合酸化物における酸化スズ（ＳｎＯ２）の含有量は、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、６質量％以上、さらに好ましくは、８質量％以上であり、また、例えば、５０質量％未満、好ましくは、２５質量％以下、より好ましくは、１５質量％以下である。インジウムスズ複合酸化物における酸化スズの含有量が上記した下限以上であれば、エッチング性に優れる。インジウムスズ複合酸化物における酸化スズ（ＳｎＯ２）の含有量が上記した上限以下であれば、透明導電層１の優れた抵抗特性とエッチング性を両立しやすい。
【0019】
１．３ 無機酸化物に含有される、アルゴンより原子番号の大きい希ガス
上記した無機酸化物は、アルゴンより原子番号の大きい希ガスを含有する。アルゴンより原子番号の大きい希ガス２は、図１における上側の拡大図に示すように、厚み方向における透明導電層１の全体に存在する。
上記した無機酸化物は、アルゴンより原子番号の大きい希ガスを含有する。アルゴンより原子番号の大きい希ガス２は、図１における上側の拡大図に示すように、厚み方向における透明導電層１の全体に存在する。
【0020】
無機酸化物（好ましくは、金属酸化物）にアルゴンより原子番号が大きい希ガスが混入した組成物が、透明導電層１である。
【0021】
アルゴンより原子番号が大きい希ガスとしては、例えば、クリプトン、キセノン、および、ラドンが挙げられる。これらは、単独または併用できる。アルゴンより原子番号が大きい希ガスとして、好ましくは、クリプトン、および、キセノンが挙げられ、より好ましくは、低価格と優れた電気伝導性とを得る観点から、クリプトン（Ｋｒ）が挙げられる。
【0022】
アルゴンより原子番号が大きい希ガスの同定方法は、限定されない。例えば、ラザフォード後方散乱分析（Rutherford Backscattering Spectrometry）、二次イオン質量分析法、レーザー共鳴イオン化質量分析法、および／または、蛍光Ｘ線分析により、透明導電層１におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスが同定される（存否が判断される）が、好ましくは、分析簡易性の観点から、蛍光Ｘ線分析で、同定される。蛍光Ｘ線分析の詳細は、実施例に記載する。アルゴンより原子番号が大きい希ガスを定量するために、ラザフォード後方散乱分析を実施すると、アルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有量が検出限界値（下限値）以上でないために定量できない一方、蛍光Ｘ線分析を実施すると、アルゴンより原子番号が大きい希ガスの存在が同定される場合には、当該透明導電層１におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有量が０.０００１ａｔｏｍ％以上である領域を含む、と判断する。
【0023】
無機酸化物（透明導電層１）におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有割合は、例えば、０．０００１ａｔｏｍ％以上であり、好ましくは、０．００１ａｔｏｍ％以上であり、また、例えば、１.０ａｔｏｍ％以下、より好ましくは、０.７ａｔｏｍ％以下、さらに好ましくは、０．５ａｔｏｍ％以下、ことさらに好ましくは、０．３ａｔｏｍ％以下、とくに好ましくは、０．２ａｔｏｍ％以下、もっとも好ましくは、０．１５ａｔｏｍ％以下である。無機酸化物（透明導電層１）におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有割合が、上記範囲であれば、透明導電層１のエッチング性を向上できる。
【0024】
または、アルゴンより原子番号の大きい希ガス２は、図１における下側の拡大図に示すように、厚み方向における透明導電層１の一部に存在（分布）する。図１における下側の拡大図に示す態様では、透明導電層１は、第１領域３と、第２領域４とを厚み方向の一方側に向かって順に有する。
【0025】
第１領域３は、アルゴンより原子番号の大きい希ガス２を含有する。なお、第１領域３は、アルゴンを含有することが許容される。好ましくは、第１領域３は、アルゴンを含有しない。透明導電層１における第１領域３の厚みの比は、例えば、０．９５以下、好ましくは、０．８以下、より好ましくは、０．７以下、さらに好ましくは、０．６以下、ことさらに好ましくは、０．４８以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．１以上、より好ましくは、０．３以上である。第１領域３の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、２０ｎｍ以上、さらに好ましくは、３０ｎｍ以上、ことさらに好ましくは、４０ｎｍ超過、とくに好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍ未満、好ましくは、２５０ｎｍ以下、より好ましくは、１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは、１００ｎｍ以下、ことさらに好ましくは、７０ｎｍ以下である。
【0026】
第１領域３におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有割合は、例えば、０．０００１ａｔｏｍ％以上であり、好ましくは、０．００１ａｔｏｍ％以上であり、また、例えば、１.０ａｔｏｍ％以下、より好ましくは、０.７ａｔｏｍ％以下、さらに好ましくは、０．５ａｔｏｍ％以下、ことさらに好ましくは、０．３ａｔｏｍ％以下、とくに好ましくは、０．２ａｔｏｍ％以下、もっとも好ましくは、０．１５ａｔｏｍ％以下である。
第１領域３におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有割合が、上記範囲であれば、第１領域３のエッチング性を向上できる。
第１領域３におけるアルゴンより原子番号が大きい希ガスの含有割合が、上記範囲であれば、第１領域３のエッチング性を向上できる。
【0027】
第２領域４は、アルゴンより原子番号の大きい希ガス２を含有しない。一方、第２領域４は、例えば、アルゴンを含有し、または、アルゴンを含有しない。好ましくは、第２領域４は、アルゴンより原子番号の大きい希ガス２を含有せず、アルゴンを含有する。アルゴンの存在は、例えば、ラザフォード後方散乱分析を実施することで確認される。第１領域３の厚みに対する第２領域４の比は、例えば、０．９９以上、好ましくは、０．９以上、好ましくは、１．２以上であり、また、例えば、２．０以下、好ましくは、１．５以下である。第２領域４の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、２０ｎｍ以上、さらに好ましくは、３０ｎｍ以上、ことさらに好ましくは、４０ｎｍ超過、とくに好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍ未満、好ましくは、２５０ｎｍ以下、より好ましくは、２００ｎｍ以下、さらに好ましくは、１５０ｎｍ以下、ことさらに好ましくは、１００ｎｍ以下、とくに好ましくは、７５ｎｍ以下、もっとも好ましくは、７０ｎｍ以下である。
【0028】
後述するスパッタリングにおいて、スパッタリングガスがアルゴンを含有する場合には、透明導電層１にアルゴンが、多量に取り込まれる。対して、スパッタリングガスがアルゴンより原子番号が大きい希ガスを含有し、アルゴンを含有しない本実施形態では、透明導電層１（または第１領域３）は、アルゴンより原子番号が大きい希ガスを含有する。つまり、透明導電層１に含有する希ガスの種類が領域で異なる。透明導電層１に含有するガスは、不純物元素として作用し、不純物元素の種類や原子の大きさにより、透明導電層１の結晶配向性に影響を与える。とりわけ、基材６が、樹脂を含む本実施形態では、この影響が大きい。本願では、透明導電層１（または第１領域３）が、アルゴンより原子番号が大きい希ガスを含有することで、（４４０）面における配向を好適に制御でき、その結果、（第１領域３を含む）透明導電層１のエッチング性が向上する。
【0029】
１．４ Ｘ線回折における（４４０）面におけるピーク
透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークが存在する。（４４０）面は、結晶質な透明導電層１をＸ線回折したときに得られるスペクトルに含まれる固有のピークである。
透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークが存在する。（４４０）面は、結晶質な透明導電層１をＸ線回折したときに得られるスペクトルに含まれる固有のピークである。
【0030】
１．４．１ （４４０）面におけるピークの半値幅
Ｘ線回折における（４４０）面におけるピークの半値幅は、０．２７度以下である。
Ｘ線回折における（４４０）面におけるピークの半値幅は、０．２７度以下である。
【0031】
他方、Ｘ線回折における（４４０）面におけるピークの半値幅は、０．２７度超過であれば、透明導電層１のエッチング性が不良である。
【0032】
対して、透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅は、０．２７度以下であるので、透明導電層１は、エッチング性に優れる。
【0033】
透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅は、好ましくは、０．２６度以下、より好ましくは、０．２５度以下、さらに好ましくは、０．２４度以下、とりわけ好ましくは、０．２３度以下、もっとも好ましくは、０．２２度以下である。
【0034】
また、透明導電層１をＸ線回折したときの、（４４０）面におけるピークの半値幅は、例えば、０．０１度以上、好ましくは、０．０５度以上、より好ましくは、０．１０度以上、さらに好ましくは、０．１５度以上である。
【0035】
（４４０）面におけるピークの半値幅が上記した下限以上であれば、過度の溶解性に起因する透明導電層１のサイドエッチングを抑制できる。サイドエッチングは、透明導電層１をパターン形状にエッチングによって外形加工するときに、透明導電層１を過度に除去する現象の一つである。詳しくは、厚み方向における透明導電層１の一方面に、パターンを有するエッチングレジストを形成し、上記パターンから露出する透明導電層１がエッチング液に接触して、エッチング液が上記した透明導電層１を他方側に向かって除去するとき、エッチングレジストの端部に接触する透明導電層１も過剰に除去する現象である。この際、厚み方向に投影したときに、エッチングレジストの端部に重なる透明導電層１において、一方面およびその近傍が、エッチングレジストの面方向内側に向かって大きく除去される一方、他方面およびその近傍が、エッチングレジストの面方向内側に向かって小さく除去され、または、ほとんど除去されない。
【0036】
Ｘ線回折における（４４０）面におけるピークの半値幅を上記範囲にする方法は、限定されない。
【0037】
Ｘ線回折の（４４０）面におけるピークの半値幅は、後の実施例の記載に基づいて、測定される。
【0038】
１．５ 透明導電層１の溶解時間
透明導電層１を７質量％の塩酸に浸漬するときの溶解時間は、例えば、２０（秒／ｎｍ）以下、好ましくは、１８（秒／ｎｍ）以下、より好ましくは、１７（秒／ｎｍ）以下、さらに好ましくは、１６（秒／ｎｍ）以下であり、また、例えば、１（秒／ｎｍ）以上である。溶解時間が短いことは、エッチング性に優れることを意味する。溶解時間の測定は、後の実施例で記載される。
透明導電層１を７質量％の塩酸に浸漬するときの溶解時間は、例えば、２０（秒／ｎｍ）以下、好ましくは、１８（秒／ｎｍ）以下、より好ましくは、１７（秒／ｎｍ）以下、さらに好ましくは、１６（秒／ｎｍ）以下であり、また、例えば、１（秒／ｎｍ）以上である。溶解時間が短いことは、エッチング性に優れることを意味する。溶解時間の測定は、後の実施例で記載される。
【0039】
１．６ 透明導電層１の他の物性
透明導電層１における結晶粒径は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上、より好ましくは、０．１５μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下、より好ましくは、０．５μｍ以下、さらに好ましくは、０．４μｍ未満、ことさらに好ましくは、０．３μｍ以下、とくに好ましくは、０．２５μｍ以下である。結晶粒径が上記した下限以上であれば、エッチング性に優れる。結晶粒径が上記した上限以下であれば、可撓性を有する樹脂を含む基材６を採用しても、透明導電層１に割れが生じにくい。結晶粒径は、例えば、ＦＥ－ＳＥＭ観察によって、求められる。求め方の詳細は、後の実施例で記載される。
透明導電層１における結晶粒径は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上、より好ましくは、０．１５μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下、より好ましくは、０．５μｍ以下、さらに好ましくは、０．４μｍ未満、ことさらに好ましくは、０．３μｍ以下、とくに好ましくは、０．２５μｍ以下である。結晶粒径が上記した下限以上であれば、エッチング性に優れる。結晶粒径が上記した上限以下であれば、可撓性を有する樹脂を含む基材６を採用しても、透明導電層１に割れが生じにくい。結晶粒径は、例えば、ＦＥ－ＳＥＭ観察によって、求められる。求め方の詳細は、後の実施例で記載される。
【0040】
透明導電層１の厚みは、例えば、１５ｎｍ以上、好ましくは、３５ｎｍ以上、より好ましくは、５０ｎｍ以上、さらに好ましくは、７５ｎｍ以上、ことさらに好ましくは、１００ｎｍ以上、とりわけ好ましくは、１２０ｎｍ以上である。透明導電層１の厚みは、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、３００ｎｍ以下、より好ましくは、２５０ｎｍ以下、より好ましくは、２００ｎｍ以下、さらに好ましくは、１５０ｎｍ以下、ことさらに好ましくは、１４０ｎｍ以下、とくに好ましくは、１３５ｎｍ以下である。
【0041】
透明導電層１の全光線透過率は、例えば、７５％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上、さらに好ましくは、９０％以上である。透明導電層１の全光線透過率の上限は、限定されない。透明導電層１の全光線透過率の上限は、例えば、１００％である。
【0042】
透明導電層１の比抵抗は、例えば、５．０×１０－４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、３×１０－４Ω・ｃｍ以下であり、また、例えば、０．１×１０－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１．１×１０－４Ω・ｃｍ以上である。比抵抗は、四端子法により測定される。
【0043】
１．７ 透明導電性フィルム５
次に、上記した透明導電層１を備える透明導電性フィルム５を、図２を参照して説明する。透明導電性フィルム５は、面方向に延びる。透明導電性フィルム５は、基材６と、透明導電層１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。つまり、本実施形態では、透明導電性フィルム５では、基材６と、透明導電層１とが、厚み方向の一方側に向かって順に配置される。本実施形態では、透明導電性フィルム５は、基材６と、透明導電層１とのみを備える。
次に、上記した透明導電層１を備える透明導電性フィルム５を、図２を参照して説明する。透明導電性フィルム５は、面方向に延びる。透明導電性フィルム５は、基材６と、透明導電層１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。つまり、本実施形態では、透明導電性フィルム５では、基材６と、透明導電層１とが、厚み方向の一方側に向かって順に配置される。本実施形態では、透明導電性フィルム５は、基材６と、透明導電層１とのみを備える。
【0044】
１．８ 基材６
本実施形態では、基材６は、厚み方向における透明導電性フィルム５の他方面を形成する。基材６は、透明導電性フィルム５の機械強度を向上させる。基材６は、面方向に延びる。基材６は、例えば、樹脂を含む。基材６が樹脂を含めば、透明導電層１における優れた抵抗特性とエッチング性の両立ができる。好ましくは、基材６は、樹脂からなる。基材６が樹脂からなれば、透明導電層１における優れた抵抗特性とエッチング性の両立に加え、可撓性を有する透明導電性フィルム５を実現できる。樹脂は、後で説明する。本実施形態では、基材６は、ガラス板（図示せず）に隣接しない。本実施形態では、厚み方向における基材６の他方面は、ガラス板に接触しない。
本実施形態では、基材６は、厚み方向における透明導電性フィルム５の他方面を形成する。基材６は、透明導電性フィルム５の機械強度を向上させる。基材６は、面方向に延びる。基材６は、例えば、樹脂を含む。基材６が樹脂を含めば、透明導電層１における優れた抵抗特性とエッチング性の両立ができる。好ましくは、基材６は、樹脂からなる。基材６が樹脂からなれば、透明導電層１における優れた抵抗特性とエッチング性の両立に加え、可撓性を有する透明導電性フィルム５を実現できる。樹脂は、後で説明する。本実施形態では、基材６は、ガラス板（図示せず）に隣接しない。本実施形態では、厚み方向における基材６の他方面は、ガラス板に接触しない。
【0045】
１．８．１ 基材６の層構成
本実施形態では、基材６は、基材シート６１と、機能層６０とを厚み方向に順に備える。本実施形態では、機能層６０は、単層である。機能層６０は、厚み方向における基材シート６１の一方面に接触する。機能層６０は、好ましくは、ハードコート層６２である。
本実施形態では、基材６は、好ましくは、基材シート６１と、ハードコート層６２とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
本実施形態では、基材６は、基材シート６１と、機能層６０とを厚み方向に順に備える。本実施形態では、機能層６０は、単層である。機能層６０は、厚み方向における基材シート６１の一方面に接触する。機能層６０は、好ましくは、ハードコート層６２である。
本実施形態では、基材６は、好ましくは、基材シート６１と、ハードコート層６２とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
【0046】
１．８．１．１ 基材シート６１
基材シート６１は、可撓性を有する。基材シート６１としては、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムにおける樹脂は、限定されない。樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、および、ノルボルネン樹脂が挙げられる。樹脂として、好ましくは、透明性および機械強度の観点から、ポリエステル樹脂が挙げられる。
ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられ、好ましくは、ＰＥＴが挙げられる。
基材シート６１は、可撓性を有する。基材シート６１としては、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムにおける樹脂は、限定されない。樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、および、ノルボルネン樹脂が挙げられる。樹脂として、好ましくは、透明性および機械強度の観点から、ポリエステル樹脂が挙げられる。
ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられ、好ましくは、ＰＥＴが挙げられる。
【0047】
基材シート６１の厚みは、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上、さらに好ましくは、３０μｍ以上である。基材シート６１の厚みは、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは、２００μｍ以下、さらに好ましくは、１５０μｍ以下、とりわけ好ましくは、１００μｍ以下である。基材６の厚みに対する基材シート６１の厚みの割合は、例えば、０％以上、好ましくは、５０％以上、さらに好ましくは、８０％以上であり、また、例えば、９９．９９％以下、好ましくは、９９％以下である。
【0048】
１．８．１．２ ハードコート層６２
ハードコート層６２は、厚み方向における透明導電層１の一方面に擦り傷が形成されにくくする。ハードコート層６２は、厚み方向における基材シート６１の一方面に接触する。ハードコート層６２は、樹脂からなる。具体的には、ハードコート層６２は、例えば、硬化性樹脂を含む硬化性組成物の硬化物層である。硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、および、メラミン樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。ハードコート層６２の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。基材シート６１の厚みに対するハードコート層６２の厚みの割合は、例えば、０．１％以上、好ましくは、１％以上であり、また、例えば、１００％以下、好ましくは、５０％以下である。ハードコート層６２の厚みは、機能層６０の厚みに相当する。
ハードコート層６２は、厚み方向における透明導電層１の一方面に擦り傷が形成されにくくする。ハードコート層６２は、厚み方向における基材シート６１の一方面に接触する。ハードコート層６２は、樹脂からなる。具体的には、ハードコート層６２は、例えば、硬化性樹脂を含む硬化性組成物の硬化物層である。硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、および、メラミン樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。ハードコート層６２の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。基材シート６１の厚みに対するハードコート層６２の厚みの割合は、例えば、０．１％以上、好ましくは、１％以上であり、また、例えば、１００％以下、好ましくは、５０％以下である。ハードコート層６２の厚みは、機能層６０の厚みに相当する。
【0049】
１．８．２ 基材６の厚み
基材６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、より好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。基材６の厚みは、基材シート６１およびハードコート層６２の合計厚みである。
基材６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、より好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。基材６の厚みは、基材シート６１およびハードコート層６２の合計厚みである。
【0050】
１．８．３ 基材６の物性
基材６の全光線透過率は、例えば、７５％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上、さらに好ましくは、９０％以上である。基材６の全光線透過率の上限は、限定されない。基材６の全光線透過率の上限は、例えば、１００％である。基材６の全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８に基づいて求められる。以下の部材の全光線透過率は、上記と同様の方法に基づいて求められる。
基材６の全光線透過率は、例えば、７５％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上、さらに好ましくは、９０％以上である。基材６の全光線透過率の上限は、限定されない。基材６の全光線透過率の上限は、例えば、１００％である。基材６の全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８に基づいて求められる。以下の部材の全光線透過率は、上記と同様の方法に基づいて求められる。
【0051】
基材６は、市販品を用いることができる。
【0052】
１．９ 透明導電層１
本実施形態の透明導電性フィルム５では、透明導電層１は、厚み方向における透明導電性フィルム５の一方面を形成する。透明導電層１は、厚み方向における基材６の一方面に配置される。透明導電層１は、厚み方向における基材６の一方面に接触する。つまり、厚み方向における透明導電層１の他方面が、基材６に接触する。本実施形態では、透明導電層１の他方面は、厚み方向におけるハードコート層６２（機能層６０）の一方面に接触する。
本実施形態の透明導電性フィルム５では、透明導電層１は、厚み方向における透明導電性フィルム５の一方面を形成する。透明導電層１は、厚み方向における基材６の一方面に配置される。透明導電層１は、厚み方向における基材６の一方面に接触する。つまり、厚み方向における透明導電層１の他方面が、基材６に接触する。本実施形態では、透明導電層１の他方面は、厚み方向におけるハードコート層６２（機能層６０）の一方面に接触する。
【0053】
図１の下側の拡大図に示すように、透明導電層１が、第１領域３と第２領域４を有する場合には、好ましくは、第１領域３が、厚み方向の基材６の一方面に配置される。好ましくは、第１領域３が、厚み方向におけるハードコート層６２（図２参照）の一方面に接触する。図１の下側の拡大図、および、図２の拡大図に示すように、透明導電層１が第１領域３と第２領域４を有する場合には、透明導電性フィルム５は、基材シート６１と、ハードコート層６２と、第１領域３と、第２領域４とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。つまり、第２領域４は、厚み方向において、第１領域３に対して基材６の反対側に配置される。
【0054】
１．１０ 透明導電性フィルム５の厚み、他の物性
透明導電性フィルム５の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。
透明導電性フィルム５の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。
【0055】
透明導電性フィルム５の全光線透過率は、例えば、７５％以上、好ましくは、８０％以上であり、また、例えば、１００％以下である。
【0056】
１．１１ 透明導電性フィルム５の製造方法
この方法では、例えば、各層のそれぞれをロール－トゥ－ロール法で配置する。
この方法では、例えば、各層のそれぞれをロール－トゥ－ロール法で配置する。
【0057】
１．１１．１ 基材６の準備
まず、基材６を準備する。具体的には、基材シート６１の一方面に硬化性組成物を塗布する。その後、硬化性組成物における硬化性樹脂を、熱または紫外線照射によって、硬化させる。これによって、ハードコート層６２を基材シート６１の一方面に形成する。これによって、基材６を準備する。
まず、基材６を準備する。具体的には、基材シート６１の一方面に硬化性組成物を塗布する。その後、硬化性組成物における硬化性樹脂を、熱または紫外線照射によって、硬化させる。これによって、ハードコート層６２を基材シート６１の一方面に形成する。これによって、基材６を準備する。
【0058】
１．１１．２ 透明導電層１の形成
その後、透明導電層１を、厚み方向における基材６の一方面に形成する。具体的には、まず、非晶質透明導電層を厚み方向における基材６の一方面に形成し、その後、非晶質透明導電層を結晶質に転化して、透明導電層１を形成する。
その後、透明導電層１を、厚み方向における基材６の一方面に形成する。具体的には、まず、非晶質透明導電層を厚み方向における基材６の一方面に形成し、その後、非晶質透明導電層を結晶質に転化して、透明導電層１を形成する。
【0059】
１．１１．２．１ 非晶質透明導電層の形成（スパッタリング工程）
非晶質透明導電層を形成するには、例えば、スパッタリング、好ましくは、反応性スパッタリングを実施する。
非晶質透明導電層を形成するには、例えば、スパッタリング、好ましくは、反応性スパッタリングを実施する。
【0060】
スパッタリングでは、スパッタリング装置が用いられる。スパッタリング装置は、単数の成膜ロールと、単数の成膜室とを備える。
【0061】
成膜室は、成膜室内にスパッタリングガスを供給可能である。スパッタリングガスとしては、アルゴンより原子番号が大きい希ガスが挙げられる。アルゴンより原子番号が大きい希ガスとしては、例えば、クリプトン、キセノン、および、ラドンが挙げられ、好ましくは、クリプトン（Ｋｒ）が挙げられる。スパッタリングガスは、好ましくは、アルゴンを含有しない。
【0062】
スパッタリングガスは、好ましくは、反応性ガスと混合される。反応性ガスとしては、例えば、酸素が挙げられる。スパッタリングガスおよび反応性ガスの合計導入量に対する反応性ガスの導入量の割合は、例えば、０．１流量％以上、好ましくは、０．５流量％以上であり、また、例えば、５．０流量％未満、好ましくは、４．０流量％以下、より好ましくは、３．５流量％以下である。
【0063】
単数の成膜室に、単数のターゲットが配置される。ターゲットは、例えば、上記した金属酸化物（の焼結体）である。
【0064】
図１の下側図に示すように、透明導電層１に上記した第１領域３と第２領域４とを備えるには、第１スパッタリング工程と、第２スパッタリング工程とを順に実施する。具体的には、第１および第２成膜室をスパッタリング装置に備える。第１および第２成膜室は、基材６の搬送方向の下流側に向かって順に配置される。
【0065】
１．１１．２．２ 第１スパッタリング工程
第１スパッタリング工程では、第１スパッタリングガスが第１成膜室に導入される。第１スパッタリングガスは、アルゴンより原子番号が大きい希ガスを含む。好ましくは、第１スパッタリングガスは、アルゴンより原子番号が大きい希ガスである。第１スパッタリング工程によって、第１領域３が形成される。
第１スパッタリング工程では、第１スパッタリングガスが第１成膜室に導入される。第１スパッタリングガスは、アルゴンより原子番号が大きい希ガスを含む。好ましくは、第１スパッタリングガスは、アルゴンより原子番号が大きい希ガスである。第１スパッタリング工程によって、第１領域３が形成される。
【0066】
１．１１．２．３ 第２スパッタリング工程
第２スパッタリング工程では、第２スパッタリングガスが第２成膜室に導入される。第２スパッタリングガスは、アルゴンを含む。好ましくは、第２スパッタリングガスは、アルゴンである。第２スパッタリング工程によって、第２領域４が第１領域３の一方面に形成される。
第２スパッタリング工程では、第２スパッタリングガスが第２成膜室に導入される。第２スパッタリングガスは、アルゴンを含む。好ましくは、第２スパッタリングガスは、アルゴンである。第２スパッタリング工程によって、第２領域４が第１領域３の一方面に形成される。
【0067】
スパッタリング装置内の気圧は、例えば、１．０Ｐａ以下であり、また、例えば、０．０１Ｐａ以上である。
【0068】
これによって、基材６と、非晶質透明導電層とを備える積層体が製造される。スパッタリング装置が第１および第２成膜室を備える場合には、非晶質透明導電層は、第１領域３および第２領域４を含む。
【0069】
１．１１．２．４ 非晶質透明導電層の結晶質への転化
その後、非晶質透明導電層を結晶質に転化して、透明導電層１を形成する。
その後、非晶質透明導電層を結晶質に転化して、透明導電層１を形成する。
【0070】
透明導電層１を結晶質に転化するには、非晶質透明導電層（を備える積層体）を加熱する。
【0071】
加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１１０℃以上、より好ましくは、さらに好ましくは、１３０℃以上、とりわけ好ましくは、１５０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下、より好ましくは、１７５℃以下、さらに好ましくは、１７０℃以下である。加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、３分間以上、より好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下、より好ましくは、２時間以下である。加熱は、例えば、真空下、または、大気下で、実施される。透明導電層１の優れたエッチング性を得る観点から、好ましくは、加熱は、大気下で実施される。
【0072】
または、非晶質透明導電層を備える透明導電性フィルム５を、大気下で、２０℃以上、８０℃未満の範囲で、例えば、１０時間以上、好ましくは、２４時間以上放置して、非晶質透明導電層を結晶質に転化することもできる。
【0073】
１．１２ 透明導電性フィルム５の用途
透明導電性フィルム５は、例えば、物品に用いられる。物品としては、光学用の物品が挙げられる。詳しくは、物品としては、例えば、タッチセンサ、電磁波シールド、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、光透過性アンテナ部材、光透過性ヒータ部材、画像表示装置、および、照明が挙げられる。
透明導電性フィルム５は、例えば、物品に用いられる。物品としては、光学用の物品が挙げられる。詳しくは、物品としては、例えば、タッチセンサ、電磁波シールド、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、光透過性アンテナ部材、光透過性ヒータ部材、画像表示装置、および、照明が挙げられる。
【0074】
２． 一実施形態の作用効果
透明導電性フィルム５に備えられる透明導電層１は、エッチング性に優れる。言い換えれば、透明導電層１の溶解時間が、短い。
透明導電性フィルム５に備えられる透明導電層１は、エッチング性に優れる。言い換えれば、透明導電層１の溶解時間が、短い。
【0075】
透明導電層１は、上記した物品の種類によって、エッチングされてパターンニングされる。
【0076】
３． 変形例
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。
【0077】
変形例では、透明導電性フィルム５は、基材６と、第２領域４と、第１領域３とが厚み方向の一方側に向かって順に備える。
【0078】
別の変形例では、透明導電層１は、第１領域３と第２領域４との繰り返し構造を有する。
【0079】
変形例では、図示しないが、機能層６０は、複層である。機能層６０は、厚み方向における基材シート６１の一方面および他方面に配置される。例えば、機能層６０は、光学調整層と、ハードコート層とを備える。光学調整層は、基材シート６１の一方面に配置される。ハードコート層は、基材シート６１の他方面に配置される。
【実施例0080】
以下に、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0081】
実施例１
厚み５２μｍの基材６を準備した。
厚み５２μｍの基材６を準備した。
【0082】
具体的には、ＰＥＴからなる基材シート６１（厚さ５０μｍ、東レ社製）を準備した。次いで、ハードコート組成物（アクリル樹脂を含有する紫外線硬化性樹脂）を厚み方向における基材シート６１の一方面に塗布して塗膜を形成した。次いで、紫外線照射によって、塗膜を硬化させた。これにより、厚み２μｍのハードコート層６２を基材シート６１の一方面に形成した。これによって、基材シート６１と、ハードコート層６２とを厚み方向の一方側に向かって順に備える基材６を作製した。
【0083】
非晶質透明導電層を、基材６の一方面に、反応性スパッタリング法によって形成した（スパッタリング工程の実施）。反応性スパッタリングの条件は、次のとおりである。
【0084】
ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体を用いた。焼結体における酸化スズ濃度は１０質量％であった。ＤＣ電源を用いて、ターゲットに対して電圧を印加した。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。また、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置における成膜室内の到達真空度が０．９×１０－４Ｐａに至るまで成膜室内を真空排気して、基材６に対して脱ガス処理を実施した。その後、成膜室内に、スパッタリングガスとしてのＫｒと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、成膜室内の気圧を０．２Ｐａとした。成膜室に導入されるＫｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約２．５流量％であった。酸素導入量は、図３に示すように、比抵抗－酸素導入量曲線の領域Ｘ内であって、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗が６．６×１０－４Ω・ｃｍになるように調整した。図３に示す比抵抗－酸素導入量曲線は、酸素導入量以外の条件は上記と同じ条件で、非晶質のクリプトン含有透明導電層を反応性スパッタリング法で形成した場合の、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗の酸素導入量依存性を、予め調べて作成できる。
【0085】
その後、積層体を、１６０℃の熱風オーブンで加熱した。これにより、非晶質透明導電層を結晶質に転化して、透明導電層１を形成した。透明導電層１の厚みは、厚み１３０ｎｍであった。
【0086】
これによって、基材６と、非晶質透明導電層とを厚み方向の一方側に向かって順に備える透明導電性フィルム５を製造した。
【0087】
＜実施例２＞
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムを製造した。但し、非晶質透明導電層の形成では、以下の通りに変更して、第１スパッタリング工程と第２スパッタリング工程とを順に実施した。
実施例１と同様にして、透明導電性フィルムを製造した。但し、非晶質透明導電層の形成では、以下の通りに変更して、第１スパッタリング工程と第２スパッタリング工程とを順に実施した。
【0088】
実施例１と同様の方法によって、第１スパッタリング工程を実施した。但し、酸素導入量を、非晶質のクリプトン含有透明導電層の比抵抗が６．５×１０－４Ω・ｃｍになるように変更し、Ｋｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合を２．６流量％に変更した。第１スパッタリング工程によって、非晶質の第１領域３を形成した。第１領域３の厚みは、５５ｎｍであった。
【0089】
続いて、第２スパッタリング工程を実施した。この際、スパッタリングガスを、アルゴンに変更し、スパッタ成膜装置内の気圧を０．４Ｐａに変更し、酸素導入量を、非晶質の第２領域４の比抵抗が６．５×１０－４Ω・ｃｍになるように変更し、Ａｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合を１．５流量％に変更した。第２スパッタリング工程によって、非晶質の第２領域４を形成した。第２領域４の厚みは、７５ｎｍであった。
【0090】
＜比較例１＞
実施例２と同様にして、第１スパッタリング工程と第２スパッタリング工程とを実施した後、透明導電性フィルム５を製造した。但し、以下の点を変更した。
実施例２と同様にして、第１スパッタリング工程と第２スパッタリング工程とを実施した後、透明導電性フィルム５を製造した。但し、以下の点を変更した。
【0091】
第１スパッタリング工程において、スパッタリングガスを、アルゴンに変更して、スパッタ成膜装置内の気圧を０．４Ｐａに変更した。第１領域３の厚みは、１９ｎｍであった。
【0092】
第２スパッタリング工程において、ターゲットにおける酸化スズ濃度を３質量％に変更した。第２領域４の厚みは、３ｎｍであった。
【0093】
＜比較例２＞
実施例２と同様にして、第１スパッタリング工程と第２スパッタリング工程とを実施した後、透明導電性フィルム５を製造した。但し、以下の点を変更した。
実施例２と同様にして、第１スパッタリング工程と第２スパッタリング工程とを実施した後、透明導電性フィルム５を製造した。但し、以下の点を変更した。
【0094】
第１スパッタリング工程において、焼結体における酸化スズ濃度を３質量％に変更した。酸素導入量を、第１領域３における比抵抗が６．６×１０－４Ω・ｃｍになるように変更し、Ｋｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合を２．５流量％に変更した。真空加熱装置内で非晶質透明導電層を加熱ロールと接触させることにより結晶化させた。加熱温度は１６０℃とし、加熱時間は０．１時間とした。第１領域３の厚みは、１１ｎｍであった。
【0095】
第２スパッタリング工程において、スパッタリングガスを、Ｋｒからアルゴンに変更した。第２領域４の厚みは、１１ｎｍであった。
【0096】
＜評価＞
各実施例および各比較例の透明導電性フィルム５について、下記の項目を評価した。
各実施例および各比較例の透明導電性フィルム５について、下記の項目を評価した。
【0097】
＜厚み＞
透明導電層１の厚みを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、透明導電層１の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」、Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層１の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」、ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。
透明導電層１の厚みを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、透明導電層１の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」、Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層１の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」、ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。
【0098】
また、実施例２、比較例１および比較例２において、第２領域４を形成する前に、第１領域３から、断面観察用サンプルを作製し、そのサンプルをＦＥ－ＴＥＭ観察して、第１領域３の厚みを算出した。
【0099】
透明導電層１の厚みから、第１領域３の厚みを差し引くことにより、第２領域４の厚みを算出した。
【0100】
＜（４４０）面におけるＸ線回折のピークの半値幅＞
透明導電層１のＸ線回折ピークは、水平型Ｘ線回折装置（商品名「ＳｍａｒｔＬａｂ」、株式会社リガク製）を用いて、下記測定条件に基づいて、Ｘ線回折測定することにより取得した。結果を表１に記載する。
透明導電層１のＸ線回折ピークは、水平型Ｘ線回折装置（商品名「ＳｍａｒｔＬａｂ」、株式会社リガク製）を用いて、下記測定条件に基づいて、Ｘ線回折測定することにより取得した。結果を表１に記載する。
【0101】
［測定条件］
平行ビーム光学配置
光源：ＣｕＫα線（波長：１．５４０５９Å）
出力：４５ｋＶ、２００ｍＡ
入射側スリット系：ソーラスリット５．０°
入射スリット：１．０００ｍｍ
受光スリット：２０．１００ｍｍ
受光側スリット：パラレルスリットアナライザー（ＰＳＡ）０．１１４ｄｅｇ．
検出器：多次元ピクセル検出器 Ｈｙｐｉｘ－３０００
試料ステージ：透明導電性フィルム５の基材６に、粘着層を介してガラスを貼り合せた検体を、試料板（４インチウェーハ試料板）に静置した。
スキャン軸：２θ／θ（Ｏｕｔ ｏｆ Ｐｌａｎｅ測定）
ステップ間隔：０．０２°
測定スピード：０．８°／分
測定範囲：１０°～９０°
平行ビーム光学配置
光源：ＣｕＫα線（波長：１．５４０５９Å）
出力：４５ｋＶ、２００ｍＡ
入射側スリット系：ソーラスリット５．０°
入射スリット：１．０００ｍｍ
受光スリット：２０．１００ｍｍ
受光側スリット：パラレルスリットアナライザー（ＰＳＡ）０．１１４ｄｅｇ．
検出器：多次元ピクセル検出器 Ｈｙｐｉｘ－３０００
試料ステージ：透明導電性フィルム５の基材６に、粘着層を介してガラスを貼り合せた検体を、試料板（４インチウェーハ試料板）に静置した。
スキャン軸：２θ／θ（Ｏｕｔ ｏｆ Ｐｌａｎｅ測定）
ステップ間隔：０．０２°
測定スピード：０．８°／分
測定範囲：１０°～９０°
【0102】
Ｘ線ピークプロファイルは、基材６（各実施例および各比較例の透明導電層１と同条件で加熱済みの基材６）由来のバックグラウンドを差し引いた値とした。その後、解析ソフトウェア（ソフト名「ＳｍａｒｔＬａｂ ＳｔｕｄｉｏＩＩ」）を用いて、２θが４９．８°～５１．８°の範囲となるように（４４０）面に対応するＸ線回折ピークのプロファイルを作成し、Ｘ線回折ピークのフィッティング（ピーク形状；分割型ＰｅａｒｓｏｎＶＩＩ関数、バックグラウンドタイプ；Ｂ－スプライン、フィッティング条件；自動）をすることで、（４４０）面におけるＸ線回折のピークの半値幅（ＦＷＨＭ、単位；°）を求めた。
【0103】
なお、上記のＸ線回折の（４４０）面におけるピークの半値幅の測定では、以下の手順が実施されている。
［１］（４４０）面におけるピークにおける２つの裾を通過するベースラインをＸ線回折チャートに描画する。
［２］（４４０）面におけるピークトップからベースラインまでの強度をピーク強度として取得する。
［３］（４４０）面におけるピーク強度の半値における強度を特定する。
［４］（４４０）面におけるピークにおいて、半値における２つの点の間の２θ（度）を半値幅（ＦＷＨＭ：半値全幅）として取得する。
［１］（４４０）面におけるピークにおける２つの裾を通過するベースラインをＸ線回折チャートに描画する。
［２］（４４０）面におけるピークトップからベースラインまでの強度をピーク強度として取得する。
［３］（４４０）面におけるピーク強度の半値における強度を特定する。
［４］（４４０）面におけるピークにおいて、半値における２つの点の間の２θ（度）を半値幅（ＦＷＨＭ：半値全幅）として取得する。
【0104】
上記した手順を含むプログラムを備えるＸ線回折装置によって、（４４０）によって求められる。
【0105】
＜結晶粒径＞
透明導電層１の一方面をＦＥ－ＳＥＭ（装置；Ｈｉｔａｃｈｉ製、ＳＵ８０２０）で観察して、透明導電層１の結晶粒径を求めた。具体的には、透明導電層１を台に固定した後、表面FE-SEM観察（加速電圧；０．８ｋV、観察像：二次電子像）を実施して、透明導電層１を平面視で撮影した。倍率を、結晶粒が明瞭に確認できるように調整した。
透明導電層１の一方面をＦＥ－ＳＥＭ（装置；Ｈｉｔａｃｈｉ製、ＳＵ８０２０）で観察して、透明導電層１の結晶粒径を求めた。具体的には、透明導電層１を台に固定した後、表面FE-SEM観察（加速電圧；０．８ｋV、観察像：二次電子像）を実施して、透明導電層１を平面視で撮影した。倍率を、結晶粒が明瞭に確認できるように調整した。
【0106】
次いで、撮影された画像を画像解析処理することにより、結晶粒界によって規定される領域（各結晶粒界内領域）に存在するピクセルの数から当該領域の面積を求め、当該面積と同じ面積の円の直径を結晶粒径（円相当径）として求めた。結果を表１に記載する。
【0107】
＜溶解時間（エッチング性）＞
透明導電層１の溶解時間（秒／ｎｍ）を測定して、透明導電層１のエッチング性を評価した。結果を表１に記載する。
透明導電層１の溶解時間（秒／ｎｍ）を測定して、透明導電層１のエッチング性を評価した。結果を表１に記載する。
【0108】
具体的には、透明導電性フィルム５について、下記第１ステップ、下記第２ステップ、および、下記第３ステップを順に備えるサイクルを単数回または複数回実施した。
【0109】
第３ステップにおいて、エッチングが完了したと判定すれば、該当するサイクルを終了した。一方、第３ステップにおいてエッチングが完了していないと判定すれば、サイクルを繰り返した。
【0110】
第１ステップ：透明導電性フィルム５を、濃度７質量％の塩酸に浸漬した。浸漬温度は、３５℃とした。浸漬時間は、３０秒間とした。
第２ステップ：透明導電性フィルム５を、水洗し、その後、乾燥した。
第３ステップ：透明導電性フィルム５の透明導電層１の一方面（露出面）において、表面抵抗測定テスタを使用して、離隔距離１５ｍｍの一対の端子の間の抵抗（端子間抵抗）を測定した。
第２ステップ：透明導電性フィルム５を、水洗し、その後、乾燥した。
第３ステップ：透明導電性フィルム５の透明導電層１の一方面（露出面）において、表面抵抗測定テスタを使用して、離隔距離１５ｍｍの一対の端子の間の抵抗（端子間抵抗）を測定した。
【0111】
第３ステップにおいて、測定された端子間抵抗が１００ｋΩを超えた場合、または、測定不能であった場合に、第３ステップが属するサイクルの第１ステップにおいて、透明導電層１の溶解（エッチング）が完了したと判定した。
【0112】
複数の第１ステップの累積浸漬時間（溶解時間）を、透明導電層１の厚さで除することにより、溶解時間（詳しくは、単位厚み当たりの溶解時間）を求めた。溶解時間が短い程、透明導電層１のエッチング性が優れていることを示す。
【0113】
＜透明導電層１内のＫｒ原子の確認＞
実施例１、実施例２、および、比較例２における透明導電層１がＫｒ原子を含有することは、次のようにして確認した。
実施例１、実施例２、および、比較例２における透明導電層１がＫｒ原子を含有することは、次のようにして確認した。
【0114】
まず、走査型蛍光Ｘ線分析装置（商品名「ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＶ」、リガク社製）を使用して、下記の測定条件にて蛍光Ｘ線分析測定を５回繰り返し、各走査角度の平均値を算出し、Ｘ線スペクトルを作成した。そして、作成されたＸ線スペクトルにおいて、走査角度２８．２°近傍にピークが出ていることを確認することにより、透明導電層１にＫｒ原子が含有されることを確認した。
【0115】
［測定条件］
スペクトル；Ｋｒ－ＫＡ
測定径：３０ｍｍ
雰囲気：真空
ターゲット：Ｒｈ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：６０ｍＡ
１次フィルタ：Ｎｉ４０
走査角度（ｄｅｇ）：２７．０～２９．５
ステップ（ｄｅｇ）：０．０２０
速度（ｄｅｇ／分）：０．７５
アッテネータ：１／１
スリット：Ｓ２
分光結晶：ＬｉＦ（２００）
検出器：ＳＣ
ＰＨＡ：１００～３００
スペクトル；Ｋｒ－ＫＡ
測定径：３０ｍｍ
雰囲気：真空
ターゲット：Ｒｈ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：６０ｍＡ
１次フィルタ：Ｎｉ４０
走査角度（ｄｅｇ）：２７．０～２９．５
ステップ（ｄｅｇ）：０．０２０
速度（ｄｅｇ／分）：０．７５
アッテネータ：１／１
スリット：Ｓ２
分光結晶：ＬｉＦ（２００）
検出器：ＳＣ
ＰＨＡ：１００～３００
【0116】
【表1】
【産業上の利用可能性】
【0117】
透明導電性フィルムは、光学用の物品に用いられる。
【0118】
なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0119】
１ 透明導電層
２ 希ガス
５ 透明導電性フィルム
６ 基材
２ 希ガス
５ 透明導電性フィルム
６ 基材
【図1】
【図2】
【図3】
