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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024103979
(43)【公開日】2024-08-02
(54)【発明の名称】転写基板、電子デバイス及び転写基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 29/786 20060101AFI20240726BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20240726BHJP
H10K 10/46 20230101ALI20240726BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20240726BHJP
C01B 32/194 20170101ALI20240726BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 616T
H01L29/78 618B
H01L29/78 617S
H10K10/46
H01L21/02 B
C01B32/194
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023007954
(22)【出願日】2023-01-23
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成３０年度、防衛装備庁、安全保障技術研究推進制度、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000005223
【氏名又は名称】富士通株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(74)【代理人】
【識別番号】100107515
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 浩一
(72)【発明者】
【氏名】須田 章一
【テーマコード（参考）】
4G146
5F110
【Ｆターム（参考）】
4G146AA01
4G146AB07
4G146AD22
4G146BA01
4G146BA42
4G146CB06
4G146CB26
5F110AA01
5F110AA09
5F110AA26
5F110CC01
5F110CC05
5F110CC07
5F110CC10
5F110DD05
5F110EE02
5F110EE08
5F110EE30
5F110EE36
5F110FF01
5F110FF02
5F110FF12
5F110FF23
5F110FF27
5F110FF29
5F110FF30
5F110GG01
5F110GG04
5F110GG42
5F110HK02
5F110HK04
5F110HK21
5F110HK22
5F110HM02
5F110QQ14
5F110QQ16
(57)【要約】
【課題】歩留まりを向上することができる転写基板、電子デバイス及び転写基板の製造方法を提供する。
【解決手段】転写基板は、第１上面を有する基板と、前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、を有し、前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いている。
【選択図】図１
【解決手段】転写基板は、第１上面を有する基板と、前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、を有し、前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１上面を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、
前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする転写基板。
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、
前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする転写基板。
【請求項2】
前記第２上面は凸面を含み、
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする請求項１に記載の転写基板。
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする請求項１に記載の転写基板。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の転写基板と、
前記第１絶縁膜の上に設けられ、前記導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
前記第１絶縁膜の上に設けられ、前記導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項4】
前記２次元層状物質層は、前記導電膜に直接接触していることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項5】
前記２次元層状物質層は、グラフェン層であることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項6】
第１上面を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する２つの第１導電膜と、
２つの前記第１導電膜の間で前記基板の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に直接接触し、２つの前記第２上面に連なる第３上面を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする電子デバイス。
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する２つの第１導電膜と、
２つの前記第１導電膜の間で前記基板の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に直接接触し、２つの前記第２上面に連なる第３上面を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項7】
前記第２上面は凸面を含み、
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項8】
前記２次元層状物質層は、２つの前記第１導電膜に直接接触していることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子デバイス。
【請求項9】
前記２次元層状物質層と一方の前記第１導電膜とを接続する第２導電膜と、
前記２次元層状物質層と他方の前記第１導電膜とを接続する第３導電膜と、
を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の電子デバイス。
前記２次元層状物質層と他方の前記第１導電膜とを接続する第３導電膜と、
を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の電子デバイス。
【請求項10】
前記２次元層状物質層、グラフェン層であることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子デバイス。
【請求項11】
第１上面を有する基板の上に、第２上面を有する導電膜を形成する工程と、
前記基板の上に、前記導電膜に直接接触し、第３上面を有する第１絶縁膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第３上面が前記第２上面に連なり、前記第２上面及び前記第３上面が、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾く工程と、
を有することを特徴とする転写基板の製造方法。
前記基板の上に、前記導電膜に直接接触し、第３上面を有する第１絶縁膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第３上面が前記第２上面に連なり、前記第２上面及び前記第３上面が、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾く工程と、
を有することを特徴とする転写基板の製造方法。
【請求項12】
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２上面が凸面を含み、前記第３上面が凹面を含むことを特徴とする請求項１１に記載の転写基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、転写基板、電子デバイス及び転写基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、グラフェンを有する電子デバイスの製造においては、触媒等を備えた成長基板の上にグラフェンを成長させた後、電極等が形成された転写基板にグラフェンを転写している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１７／０３６１５９９号明細書
【特許文献2】米国特許出願公開第２０１７／０００１４２４号明細書
【特許文献3】特開２０１４－１２８９１０号公報
【特許文献4】特開２０１６－１５０２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の転写基板を用いた場合には、高い歩留まりを得にくい。
【0005】
本開示の目的は、歩留まりを向上することができる転写基板、電子デバイス及び転写基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一形態によれば、第１上面を有する基板と、前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、を有し、前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いている転写基板が提供される。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係る転写基板を示す断面図である。
【図2】第１実施形態に係る転写基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図3】第１実施形態に係る転写基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図4】第１実施形態に係る転写基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図5】第１実施形態に係る転写基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図6】第１実施形態に係る転写基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図7】転写基板へのグラフェン層の転写方法を示す断面図（その１）である。
【図8】転写基板へのグラフェン層の転写方法を示す断面図（その２）である。
【図9】転写基板へのグラフェン層の転写方法を示す断面図（その３）である。
【図10】第２実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【図11】第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図12】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図13】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図14】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図15】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図16】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図17】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その６）である。
【図18】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その７）である。
【図19】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その８）である。
【図20】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その９）である。
【図21】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１０）である。
【図22】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１１）である。
【図23】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１２）である。
【図24】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１３）である。
【図25】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１４）である。
【図26】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１５）である。
【図27】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１６）である。
【図28】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１７）である。
【図29】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１８）である。
【図30】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１９）である。
【図31】第３実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【図32】第３実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図33】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図34】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図35】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図36】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図37】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図38】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その６）である。
【図39】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その７）である。
【図40】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その８）である。
【図41】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その９）である。
【図42】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１０）である。
【図43】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１１）である。
【図44】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１２）である。
【図45】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１３）である。
【図46】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１４）である。
【図47】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１５）である。
【図48】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１６）である。
【図49】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その１）である。
【図50】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その２）である。
【図51】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その３）である。
【図52】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その４）である。
【図53】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その５）である。
【図54】第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す平面図（その６）である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。本開示において平面視とは、基板の上面に垂直な方向から対象物を視ることをいう。
【0010】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。第１実施形態は、転写基板と、転写基板を有する電子デバイスとに関する。図１は、第１実施形態に係る転写基板を示す断面図である。
第１実施形態について説明する。第１実施形態は、転写基板と、転写基板を有する電子デバイスとに関する。図１は、第１実施形態に係る転写基板を示す断面図である。
【0011】
第１実施形態に係る転写基板１は、図１に示すように、主として、基板１００と、絶縁膜１１０と、導電膜１２０と、絶縁膜１３０とを有する。
【0012】
基板１００は、例えばシリコン基板である。基板１００は上面１０１及び下面１０２を有する。絶縁膜１１０は上面１０１及び下面１０２の上に設けられている。絶縁膜１１０は上面１０１及び下面１０２を覆う。絶縁膜１１０は、例えば酸化シリコン膜である。熱酸化膜付きシリコン基板により基板１００及び絶縁膜１１０が構成されていてもよい。上面１０１は第１上面の一例である。絶縁膜１１０は第２絶縁膜の一例である。
【0013】
導電膜１２０は絶縁膜１１０の上に設けられている。複数の導電膜１２０が絶縁膜１１０の上に設けられていてもよい。導電膜１２０は、例えば金属膜である。金属膜は、例えば、金層、白金層又はパラジウム層である。金属膜が、金層と、厚さが１０ｎｍ以下の密着層としてのチタン層との積層体であってもよい。導電膜１２０は上面１２１を有する。上面１２１は凸面を含む。上面１２１は第２上面の一例である。
【0014】
絶縁膜１３０は絶縁膜１１０の上に設けられている。複数の絶縁膜１３０が絶縁膜１１０の上に設けられていてもよい。絶縁膜１３０は、例えば酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、スピンオングラス（spin on glass：ＳＯＧ）膜、又は、ポリイミド樹脂膜及びエポキシ樹脂膜等の有機絶縁膜である。絶縁膜１３０は上面１３１を有する。上面１３１は凹面を含む。絶縁膜１３０は導電膜１２０に直接接触する。絶縁膜１３０は第１絶縁膜の一例である。上面１３１は第３上面の一例である。
【0015】
上面１３１は上面１２１に連なる。上面１２１と上面１３１とは連続している。上面１２１は上面１３１に直接接触する縁を有し、上面１３１は上面１２１に直接接触する縁を有する。上面１２１及び上面１３１は、上面１２１と上面１３１との境界において、上面１０１から傾斜しており、上面１０１と平行ではない。上面１２１及び上面１３１は一連の傾斜が緩やかな曲面を構成する。
【0016】
【0017】
まず、図２に示すように、基板１００及び絶縁膜１１０を準備する。熱酸化膜付きシリコン基板を基板１００及び絶縁膜１１０として用いてもよい。次いで、基板１００の上面１０１側において、絶縁膜１１０の上に樹脂層１９１及びマスク１９２を形成する。マスク１９２には、絶縁膜１１０の導電膜１２０を形成する領域を露出する開口部１９２Ｘが形成されており、樹脂層１９１には開口部１９２Ｘ毎に開口部１９２Ｘよりも広い開口部１９１Ｘが形成されている。マスク１９２は、例えばレジストマスクである。
【0018】
その後、図３に示すように、導電膜１２０となる導電膜１２５を上面１０１側の全面に蒸着法により形成する。導電膜１２５は、開口部１９２Ｘの内側で絶縁膜１１０の上に形成されるとともに、マスク１９２の上に形成される。絶縁膜１１０の上に形成される導電膜１２５の上面の縁に、マスク１９２につながる突起が形成されてもよい。
【0019】
続いて、図４に示すように、樹脂層１９１を除去する。樹脂層１９１の除去によりマスク１９２が除去され、マスク１９２の上の導電膜１２５も除去される。つまり、リフトオフが行われる。
【0020】
次いで、図５に示すように、絶縁膜１３０となる絶縁膜１３５を導電膜１２５の少なくとも側面を覆うように絶縁膜１１０の上に形成する。絶縁膜１３０が酸化シリコン膜である場合、例えばテトラエトキシシラン（tetraethyl orthosilicate：ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ化学気相成長（chemical vapor deposition：ＣＶＤ）法により絶縁膜１３５を形成できる。プラズマＣＶＤ法によれば、比較的低い温度でも緻密な酸化シリコン膜を形成することができ、熱によるダメージ及び既に形成されている膜の間での相互拡散を抑制できる。更に、プラズマＣＶＤ法によれば、被覆性（カバレッジ）が良好な酸化シリコン膜を形成することができ、導電膜１２５の間を酸化シリコン膜により埋めやすい。絶縁膜１３０が酸化アルミニウム膜である場合、例えばトリメチルアルミニウム（trimethylaluminum：ＴＭＡ）を原料として原子層堆積（atomic layer deposition：ＡＬＤ）法により絶縁膜１３５を形成できる。
【0021】
その後、図６に示すように、導電膜１２５及び絶縁膜１３５の化学機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）を行うことにより、導電膜１２５から導電膜１２０を形成し、絶縁膜１３５から絶縁膜１３０を形成する。ＣＭＰでは、導電膜１２５と絶縁膜１３５との間の研磨選択比が小さいスラリー、例えばデュポン社のＡＣｕＰＬＡＮＥを用い、段差追従性が高い研磨布、例えばニッタ・デュポン社製のＳＵＢＡ４００を用いる。ＣＭＰは、導電膜１２０の上面１２１が絶縁膜１３０から露出するように行われる。また、絶縁膜１１０の一部が導電膜１２０及び絶縁膜１３０から露出してもよい。
【0022】
このようにして、第１実施形態に係る転写基板１を製造することができる。
【0023】
転写基板１は、グラフェン層が転写されて使用される。グラフェン層は、互いに積層された、２次元層状物質の一例であるグラフェンを１又は複数有する。次に、転写基板１へのグラフェン層の転写方法について説明する。図７～図９は、転写基板１へのグラフェン層の転写方法を示す断面図である。
【0024】
まず、図７に示すように、転写基板１へ転写されるグラフェン層１５０と、グラフェン層１５０を支持する支持層１５１との積層体１５２を準備する。支持層１５１は可撓性を備えている。支持層１５１は、例えばポリメチルメタクリレート（poly methyl methacrylate：ＰＭＭＡ）層である。そして、グラフェン層１５０が水面に接触するようにして、積層体１５２を水１８０の上に浮かべる。
【0025】
次いで、図８に示すように、導電膜１２０及び絶縁膜１３０がグラフェン層１５０に接するようにして、転写基板１により積層体１５２を掬い上げる。
【0026】
その後、図９に示すように、支持層１５１を除去する。
【0027】
このようにして、転写基板１へグラフェン層１５０を転写することができる。その後、グラフェン層１５０の加工等を行うことにより、転写基板１を有する電子デバイスを製造することができる。この電子デバイスは転写基板１及びグラフェン層１５０を有し、グラフェン層１５０は、絶縁膜１３０の上に設けられ、導電膜１２０に電気的に接続されている。グラフェン層１５０が導電膜１２０に直接接触していてもよい。
【0028】
第１実施形態では、絶縁膜１３０が導電膜１２０に直接接触し、絶縁膜１３０の上面１３１が導電膜１２０の上面１２１に連続し、上面１２１及び上面１３１が上面１２１と上面１３１との境界において、基板１００の上面１０１から傾いている。このため、積層体１５２が転写基板１に掬い上げられる際に、グラフェン層１５０と上面１２１及び上面１３１との間に隙間が生じにくく、グラフェン層１５０と上面１２１及び上面１３１との間に水等の異物が残存しにくい。従って、異物の混入に伴う歩留まりの低下を抑制することができる。また、グラフェン層１５０が上面１２１及び上面１３１に密着しやすくなるため、グラフェン層１５０の形状が安定しやすい。従って、グラフェン層１５０における皺及び断裂の発生を抑制に伴う歩留まりの低下を抑制することができる。このように、第１実施形態によれば、グラフェン層１５０を含む電子デバイスの歩留まりを向上することができる。
【0029】
グラフェン層に代えて二硫化モリブデン層等の他の２次元層状物質層が用いられてもよい。２次元層状物質層は、互いに積層された、２次元層状物質を１又は複数有する。
【0030】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、転写基板と、転写基板を有する電子デバイスとに関する。電子デバイスはバックゲート型のトランジスタを含む。図１０は、第２実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。図１１は、第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図１１は図１０中のXI-XI'線に沿った断面図に相当する。
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、転写基板と、転写基板を有する電子デバイスとに関する。電子デバイスはバックゲート型のトランジスタを含む。図１０は、第２実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。図１１は、第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図１１は図１０中のXI-XI'線に沿った断面図に相当する。
【0031】
【0032】
転写基板２は、主として、基板２００と、絶縁膜２１０と、導電膜２２０Ｓと、導電膜２２０Ｄと、導電膜２２０Ｇと、絶縁膜２３０Ｓと、絶縁膜２３０Ｄと、絶縁膜２３０Ｇとを有する。
【0033】
基板２００は、例えば、不純物を含有し、導電性を備えたシリコン基板である。基板２００は上面２０１及び下面２０２を有する。絶縁膜２１０は上面２０１及び下面２０２の上に設けられている。絶縁膜２１０は上面２０１及び下面２０２を覆う。絶縁膜２１０は、例えば酸化シリコン膜である。熱酸化膜付きシリコン基板により基板２００及び絶縁膜２１０が構成されていてもよい。上面２０１は第１上面の一例である。絶縁膜２１０は第２絶縁膜の一例である。
【0034】
導電膜２２０Ｓ及び２２０Ｄは絶縁膜２１０の上に設けられている。絶縁膜２１０に導電膜２２０Ｓ及び２２０Ｄから離れて開口部２１０Ｘが形成されている。導電膜２２０Ｓ、導電膜２２０Ｄ及び開口部２１０Ｘは上面２０１に平行なＸ軸方向に沿って並んでいる。例えば、導電膜２２０Ｓと開口部２１０Ｘとの間に導電膜２２０Ｄがある。導電膜２２０Ｇは開口部２１０Ｘの内側で基板２００の上に設けられている。導電膜２２０Ｇは基板２００に直接接触している。導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇは、例えば金属膜である。導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇは上面２０１に平行なＸ軸方向に沿って並んでいる。導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇは、それぞれ上面２２１Ｓ、２２１Ｄ及び２２１Ｇを有する。上面２２１Ｓ、２２１Ｄ及び２２１Ｇは凸面を含む。導電膜２２０Ｓ及び２２０Ｄは第１導電膜の一例である。上面２２１Ｓ、２２１Ｄ及び２２１Ｇは第２上面の一例である。
【0035】
絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇは絶縁膜２１０の上に設けられている。平面視で、絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇは、それぞれ、導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇを囲む。絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇは、それぞれ、導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇに直接接触する。絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇは、例えば酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、ＳＯＧ膜、又は、ポリイミド樹脂膜及びエポキシ樹脂膜等の有機絶縁膜である。絶縁膜２１０、絶縁膜２３０Ｓ及び絶縁膜２３０Ｄの、平面視で、導電膜２２０Ｓと導電膜２２０Ｄとの間にある部分から複合絶縁膜２４０が構成されている。絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇは、それぞれ上面２３１Ｓ、２３１Ｄ及び２３１Ｇを有する。上面２３１Ｓ、２３１Ｄ及び２３１Ｇは凹面を含む。複合絶縁膜２４０は上面２４１を有する。上面２４１は上面２３１Ｓ及び２３１Ｄを有する。上面２４１は凹面を含む。絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇは第１絶縁膜の一例である。複合絶縁膜２４０は第３絶縁膜の一例である。上面２３１Ｓ、２３１Ｄ、２３１Ｇ及び２４１は1第３上面の一例である。
【0036】
上面２４１は上面２２１Ｓ及び２２１Ｄに連なる。上面２２１Ｓと上面２４１とは連続し、上面２２１Ｄと上面２４１とは連続している。上面２２１Ｓは上面２４１に直接接触する縁を有し、上面２４１は上面２２１Ｓに直接接触する縁を有する。上面２２１Ｄは上面２４１に直接接触する縁を有し、上面２４１は上面２２１Ｄに直接接触する縁を有する。上面２２１Ｓ及び上面２４１は、上面２２１Ｓと上面２４１との境界において、上面２０１から傾斜しており、上面２０１と平行ではない。上面２２１Ｄ及び上面２４１は、上面２２１Ｄと上面２４１との境界において、上面２０１から傾斜しており、上面２０１と平行ではない。上面２２１Ｓ及び上面２３１Ｓは一連の傾斜が緩やかな曲面を構成し、上面２２１Ｄ及び上面２３１Ｄは一連の傾斜が緩やかな曲面を構成する。
【0037】
上面２３１Ｇは上面２２１Ｇに連なる。上面２２１Ｇと上面２３１Ｇとは連続している。上面２２１Ｇは上面２３１Ｇに直接接触する縁を有し、上面２３１Ｇは上面２２１Ｇに直接接触する縁を有する。上面２２１Ｇ及び上面２３１Ｇは、上面２２１Ｇと上面２３１Ｇとの境界において、上面２０１から傾斜しており、上面２０１と平行ではない。上面２２１Ｇ及び上面２３１Ｇは一連の傾斜が緩やかな曲面を構成する。
【0038】
グラフェン層２５０は複合絶縁膜２４０の上に設けられている。グラフェン層２５０は、導電膜２２０Ｓ及び２２０Ｄのいずれとも接触していない。導電膜２６０Ｓは導電膜２２０Ｓ及びグラフェン層２５０に直接接触し、導電膜２６０Ｄは導電膜２２０Ｄ及びグラフェン層２５０に直接接触する。グラフェン層２５０は導電膜２６０Ｓを介して導電膜２２０Ｓに電気的に接続され、導電膜２６０Ｄを介して導電膜２２０Ｄに電気的に接続されている。導電膜２６０Ｓ及び２６０Ｄは、例えば金膜、白金膜又はアルミニウム膜である。グラフェン層２５０は２次元層状物質層の一例である。導電膜２６０Ｓは第２導電膜の一例であり、導電膜２６０Ｄは第３導電膜の一例である。
【0039】
次に、第２実施形態に係る電子デバイス２Ａの製造方法について説明する。図１２～図２４は、第２実施形態に係る電子デバイス２Ａの製造方法を示す断面図である。図２５～図３０は、第２実施形態に係る電子デバイス２Ａの製造方法を示す平面図である。図１２～図２４には、図１１に示す断面の変化を示す。
【0040】
まず、図１２に示すように、基板２００及び絶縁膜２１０を準備する。熱酸化膜付きシリコン基板を基板２００及び絶縁膜２１０として用いてもよい。次いで、基板２００の上面２０１側において、絶縁膜２１０の上にマスク２９３を形成する。マスク２９３には、開口部２１０Ｘが形成される部分が露出する開口部２９３Ｘが形成されている。マスク２９３は、例えばレジストマスクである。
【0041】
【0042】
次いで、図１４に示すように、基板２００の上面２０１側において、絶縁膜２１０の上に樹脂層２９１及びマスク２９２を形成する。マスク２９２には、絶縁膜２１０の導電膜２２０Ｓを形成する領域を露出する開口部２９２ＳＸと、絶縁膜２１０の導電膜２２０Ｄを形成する領域を露出する開口部２９２ＤＸと、基板２００の導電膜２２０Ｇを形成する領域を露出する開口部２９２ＧＸとが形成されている。樹脂層２９１には、開口部２９２ＳＸ、２９２ＤＸ及び２９２ＧＸに対して、それぞれ、開口部２９２ＳＸよりも広い開口部２９１ＳＸ、開口部２９２ＤＸよりも広い開口部２９１ＤＸ及び開口部２９２ＧＸよりも広い開口部２９１ＧＸが形成されている。マスク２９２は、例えばレジストマスクである。
【0043】
その後、図１５に示すように、導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇとなる導電膜２２５を上面２０１側の全面に蒸着法により形成する。導電膜２２５は、開口部２９２ＳＸ及び２９２ＤＸの内側で絶縁膜２１０の上に形成され、開口部２９２ＧＸの内側で基板２００の上に形成されるとともに、マスク２９２の上に形成される。絶縁膜２１０又は基板２００の上に形成される導電膜２２５の上面の縁に、マスク２９２につながる突起が形成されてもよい。
【0044】
【0045】
次いで、図１７及び図２７に示すように、絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｄとなる絶縁膜２３５を導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｄの少なくとも側面を覆うように絶縁膜２１０の上に形成する。絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｄが酸化シリコン膜である場合、例えばＴＥＯＳを原料としてプラズマＣＶＤ法により絶縁膜２３５を形成できる。絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｄが酸化アルミニウム膜である場合、例えばＴＭＡを原料としてＡＬＤ法により絶縁膜２３５を形成できる。
【0046】
その後、図１８及び図２８に示すように、導電膜２２５及び絶縁膜２３５のＣＭＰを行う。この結果、導電膜２２５から導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｄが形成され、絶縁膜２３５から絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｄが形成される。導電膜２２５及び絶縁膜２３５のＣＭＰは、導電膜１２５及び絶縁膜１３５のＣＭＰと同様の方法で行うことができる。導電膜２２５及び絶縁膜２３５のＣＭＰは、導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｄの上面２２１Ｓ、２２１Ｄ及び２２１Ｄが絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｄから露出するように行われる。また、絶縁膜２１０の一部が導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｄ並びに絶縁膜２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｄから露出してもよい。
【0047】
このようにして、転写基板２を製造することができる。絶縁膜２１０、絶縁膜２３０Ｓ及び絶縁膜２３０Ｄの、平面視で、導電膜２２０Ｓと導電膜２２０Ｄとの間にある部分から複合絶縁膜２４０が構成される。
【0048】
次いで、図１９に示すように、転写基板２にグラフェン層２５０を転写する。グラフェン層２５０の転写は、第１実施形態におけるグラフェン層１５０の転写と同様の方法で行うことができる。
【0049】
その後、図２０に示すように、グラフェン層２５０の上にマスク２９４を形成する。マスク２９４は、グラフェン層２５０の、複合絶縁膜２４０の上で残存させる部分の上に形成する。マスク２９４は、例えばレジストマスクである。
【0050】
【0051】
その後、図２２に示すように、絶縁膜２１０、２３０Ｓ、２３０Ｄ及び２３０Ｇ、導電膜２２０Ｓ、２２０Ｄ及び２２０Ｇ並びにグラフェン層２５０の上にマスク２９５を形成する。マスク２９５には、導電膜２２０Ｓ、絶縁膜２３０Ｓ及びグラフェン層２５０の導電膜２６０Ｓを形成する領域を露出する開口部２９５ＳＸと、導電膜２２０Ｄ、絶縁膜２３０Ｄ及びグラフェン層２５０の導電膜２６０Ｄを形成する領域を露出する開口部２９５ＤＸとが形成されている。マスク２９５は、例えばレジストマスクである。
【0052】
続いて、図２３に示すように、導電膜２６０Ｓ及び２６０Ｄとなる導電膜２６５を上面２０１側の全面に形成する。導電膜２６５は、開口部２９５ＳＸの内側で導電膜２２０Ｓ、絶縁膜２３０Ｓ及びグラフェン層２５０の上に形成され、開口部２９５ＤＸの内側で導電膜２２０Ｄ、絶縁膜２３０Ｄ及びグラフェン層２５０の上に形成されるとともに、マスク２９５の上に形成される。
【0053】
次いで、図２４及び図３０に示すように、マスク２９５を除去する。マスク２９５の除去によりマスク２９５の上の導電膜２６５も除去される。つまり、リフトオフが行われる。この結果、導電膜２６０Ｓ及び２６０Ｄが形成される。
【0054】
このようにして、第２実施形態に係る電子デバイス２Ａを製造することができる。
【0055】
電子デバイス２Ａにおいては、例えば、グラフェン層２５０がチャネル、複合絶縁膜２４０がゲート絶縁膜、基板１００がゲート電極、導電膜２２０Ｓがソース電極、導電膜２２０Ｄがドレイン電極として機能する。
【0056】
第２実施形態では、第１実施形態と同様に、グラフェン層２５０の転写の際に、グラフェン層２５０と上面２２１Ｓ、２２１Ｄ及び２２１Ｄ並びに上面２３１Ｓ、２３１Ｄ及び２３１Ｇとの間に隙間が生じにくい。また、グラフェン層２５０が上面２２１Ｓ、２２１Ｄ及び２２１Ｄ並びに上面２３１Ｓ、２３１Ｄ及び２３１Ｇに密着しやすいため、グラフェン層２５０の形状が安定しやすい。従って、第２実施形態によれば、グラフェン層２５０を含む電子デバイス２Ａの歩留まりを向上することができる。
【0057】
なお、グラフェン層２５０は、導電膜２２０Ｓ及び２２０Ｄに直接接触していてもよい。
【0058】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、転写基板と、転写基板を有する電子デバイスとに関する。電子デバイスはトップゲート型のトランジスタを含む。図３１は、第３実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。図３２は、第３実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図３２は図３１中のXXXII-XXXII'線、XXXII''-XXXII'''線に沿った断面図に相当する。
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、転写基板と、転写基板を有する電子デバイスとに関する。電子デバイスはトップゲート型のトランジスタを含む。図３１は、第３実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。図３２は、第３実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図３２は図３１中のXXXII-XXXII'線、XXXII''-XXXII'''線に沿った断面図に相当する。
【0059】
【0060】
転写基板３は、主として、基板３００と、絶縁膜３１０と、導電膜３２０Ｓと、導電膜３２０Ｄと、導電膜３２０Ｇと、絶縁膜３３０Ｓと、絶縁膜３３０Ｄと、絶縁膜３３０Ｇとを有する。
【0061】
基板３００は、例えばシリコン基板である。基板３００は上面３０１及び下面３０２を有する。絶縁膜３１０は上面３０１及び下面３０２の上に設けられている。絶縁膜３１０は上面３０１及び下面３０２を覆う。絶縁膜３１０は、例えば酸化シリコン膜である。熱酸化膜付きシリコン基板により基板３００及び絶縁膜３１０が構成されていてもよい。上面３０１は第１上面の一例である。絶縁膜３１０は第２絶縁膜の一例である。
【0062】
導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇは絶縁膜３１０の上に設けられている。導電膜３２０Ｓ及び導電膜３２０Ｄは上面３０１に平行なＸ軸方向に沿って並んでいる。導電膜３２０Ｇは、導電膜３２０Ｓと導電膜３２０Ｄとの間の位置、例えば中点から、上面３０１に平行かつＸ軸方向に垂直なＹ軸方向で離れた位置にある。導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇは、例えば金属膜である。導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇは、それぞれ上面３２１Ｓ、３２１Ｄ及び３２１Ｇを有する。上面３２１Ｓ、３２１Ｄ及び３２１Ｇは凸面を含む。導電膜３２０Ｓ及び３２０Ｄは第１導電膜の一例である。上面３２１Ｓ、３２１Ｄ及び３２１Ｇは第２上面の一例である。
【0063】
絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇは絶縁膜３１０の上に設けられている。平面視で、絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇは、それぞれ、導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇを囲む。絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇは、それぞれ、導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇに直接接触する。絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇは、例えば酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、ＳＯＧ膜、又は、ポリイミド樹脂膜及びエポキシ樹脂膜等の有機絶縁膜である。絶縁膜３１０、絶縁膜３３０Ｓ及び絶縁膜３３０Ｄの、平面視で、導電膜３２０Ｓと導電膜３２０Ｄとの間にある部分から複合絶縁膜３４０が構成されている。絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇは、それぞれ上面３３１Ｓ、３３１Ｄ及び３３１Ｇを有する。上面３３１Ｓ、３３１Ｄ及び３３１Ｇは凹面を含む。複合絶縁膜３４０は上面３４１を有する。上面３４１は上面３３１Ｓ及び３３１Ｄを有する。上面３４１は凹面を含む。絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇは第１絶縁膜の一例である。複合絶縁膜３４０は第３絶縁膜の一例である。上面３３１Ｓ、３３１Ｄ、３３１Ｇ及び３４１は第３上面の一例である。
【0064】
上面３４１は上面３２１Ｓ及び３２１Ｄに連なる。上面３２１Ｓと上面３４１とは連続し、上面３２１Ｄと上面３４１とは連続している。上面３２１Ｓは上面３４１に直接接触する縁を有し、上面３４１は上面３２１Ｓに直接接触する縁を有する。上面３２１Ｄは上面３４１に直接接触する縁を有し、上面３４１は上面３２１Ｄに直接接触する縁を有する。上面３２１Ｓ及び上面３４１は、上面３２１Ｓと上面３４１との境界において、上面３０１から傾斜しており、上面３０１と平行ではない。上面３２１Ｄ及び上面３４１は、上面３２１Ｄと上面３４１との境界において、上面３０１から傾斜しており、上面３０１と平行ではない。上面３２１Ｓ及び上面３３１Ｓは一連の傾斜が緩やかな曲面を構成し、上面３２１Ｄ及び上面３３１Ｄは一連の傾斜が緩やかな曲面を構成する。
【0065】
上面３３１Ｇは上面３２１Ｇに連なる。上面３２１Ｇと上面３３１Ｇとは連続している。上面３２１Ｇは上面３３１Ｇに直接接触する縁を有し、上面３３１Ｇは上面３２１Ｇに直接接触する縁を有する。上面３２１Ｇ及び上面３３１Ｇは、上面３２１Ｇと上面３３１Ｇとの境界において、上面３０１から傾斜しており、上面３０１と平行ではない。上面３２１Ｇ及び上面３３１Ｇは一連の傾斜が緩やかな曲面を構成する。
【0066】
グラフェン層３５０は複合絶縁膜３４０の上に設けられている。グラフェン層３５０は、導電膜３２０Ｓ及び３２０Ｄに直接接触している。導電膜３６０Ｓは導電膜３２０Ｓ及びグラフェン層３５０に直接接触し、導電膜３６０Ｄは導電膜３２０Ｄ及びグラフェン層３５０に直接接触する。グラフェン層３５０は導電膜３２０Ｓ及び３２０Ｄに電気的に接続されている。導電膜３６０Ｓ及び３６０Ｄは、例えば金膜、白金膜又はアルミニウム膜である。グラフェン層３５０は２次元層状物質層の一例である。導電膜３６０Ｓは第２導電膜の一例であり、導電膜３６０Ｄは第３導電膜の一例である。
【0067】
絶縁膜３７０は、グラフェン層３５０、導電膜３６０Ｓ、３６０Ｄ、３２０Ｓ及び３２０Ｄ、絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ、３３０Ｇ及び３１０の上に設けられている。絶縁膜３７０は、グラフェン層３５０、導電膜３６０Ｓ、３６０Ｄ、３２０Ｓ及び３２０Ｄ、絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ、３３０Ｇ及び３１０を覆う。絶縁膜３７０に、導電膜３６０Ｓの一部が露出する開口部３７０ＳＸと、導電膜３６０Ｄの一部が露出する開口部３７０ＤＸと、導電膜３２０Ｇの一部が露出する開口部３７０ＧＸとが形成されている。絶縁膜３７０は、例えば酸化シリコン膜又は酸化アルミニウム膜である。
【0068】
導電膜３６０Ｇは絶縁膜３７０の上に形成されている。導電膜３６０Ｇは、開口部３７０ＧＸを通じて導電膜３２０Ｇに直接接触しており、平面視でグラフェン層３５０と重なる。
【0069】
次に、第３実施形態に係る電子デバイス３Ａの製造方法について説明する。図３３～図４８は、第３実施形態に係る電子デバイス３Ａの製造方法を示す断面図である。図４９～図５４は、第３実施形態に係る電子デバイス３Ａの製造方法を示す平面図である。図３３～図４８には、図３２に示す断面の変化を示す。
【0070】
まず、図３３に示すように、基板３００及び絶縁膜３１０を準備する。熱酸化膜付きシリコン基板を基板３００及び絶縁膜３１０として用いてもよい。次いで、基板３００の上面３０１側において、絶縁膜３１０の上に樹脂層３９１及びマスク３９２を形成する。マスク３９２には、絶縁膜３１０の導電膜３２０Ｓを形成する領域を露出する開口部３９２ＳＸと、絶縁膜３１０の導電膜３２０Ｄを形成する領域を露出する開口部３９２ＤＸと、絶縁膜３１０の導電膜３２０Ｇを形成する領域を露出する開口部３９２ＧＸとが形成されている。樹脂層３９１には、開口部３９２ＳＸ、３９２ＤＸ及び３９２ＧＸに対して、それぞれ、開口部３９２ＳＸよりも広い開口部３９１ＳＸ、開口部３９２ＤＸよりも広い開口部３９１ＤＸ及び開口部３９２ＧＸよりも広い開口部３９１ＧＸが形成されている。マスク３９２は、例えばレジストマスクである。
【0071】
その後、図３４に示すように、導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇとなる導電膜３２５を上面３０１側の全面に蒸着法により形成する。導電膜３２５は、開口部３９２ＳＸ、３９２ＤＸ及び３９２ＧＸの内側で絶縁膜３１０の上に形成されるとともに、マスク３９２の上に形成される。絶縁膜３１０の上に形成される導電膜３２５の上面の縁に、マスク３９２につながる突起が形成されてもよい。
【0072】
【0073】
次いで、図３６に示すように、絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｄとなる絶縁膜３３５を導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｄの少なくとも側面を覆うように絶縁膜３１０の上に形成する。絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｄが酸化シリコン膜である場合、例えばＴＥＯＳを原料としてプラズマＣＶＤ法により絶縁膜３３５を形成できる。絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｄが酸化アルミニウム膜である場合、例えばＴＭＡを原料としてＡＬＤ法により絶縁膜３３５を形成できる。
【0074】
その後、図３７及び図５０に示すように、導電膜３２５及び絶縁膜３３５のＣＭＰを行う。この結果、導電膜３２５から導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｄが形成され、絶縁膜３３５から絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｄが形成される。導電膜３２５及び絶縁膜３３５のＣＭＰは、導電膜１２５及び絶縁膜１３５のＣＭＰと同様の方法で行うことができる。導電膜３２５及び絶縁膜３３５のＣＭＰは、導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｄの上面３２１Ｓ、３２１Ｄ及び３２１Ｄが絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｄから露出するように行われる。また、絶縁膜３１０の一部が導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｄ並びに絶縁膜３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｄから露出してもよい。
【0075】
このようにして、転写基板３を製造することができる。絶縁膜３１０、絶縁膜３３０Ｓ及び絶縁膜３３０Ｄの、平面視で、導電膜３２０Ｓと導電膜３２０Ｄとの間にある部分から複合絶縁膜３４０が構成される。
【0076】
次いで、図３８に示すように、転写基板３にグラフェン層３５０を転写する。グラフェン層３５０の転写は、第１実施形態におけるグラフェン層１５０の転写と同様の方法で行うことができる。
【0077】
その後、図３９に示すように、グラフェン層３５０の上にマスク３９４を形成する。マスク３９４は、グラフェン層３５０の、複合絶縁膜３４０、導電膜３２０Ｓ及び導電膜３２０Ｄの上で残存させる部分の上に形成する。マスク３９４は、例えばレジストマスクである。
【0078】
【0079】
その後、図４１に示すように、絶縁膜３１０、３３０Ｓ、３３０Ｄ及び３３０Ｇ、導電膜３２０Ｓ、３２０Ｄ及び３２０Ｇ並びにグラフェン層３５０の上にマスク３９５を形成する。マスク３９５には、導電膜３２０Ｓ及びグラフェン層３５０の導電膜３６０Ｓを形成する領域を露出する開口部３９５ＳＸと、導電膜３２０Ｄ及びグラフェン層３５０の導電膜３６０Ｄを形成する領域を露出する開口部３９５ＤＸとが形成されている。マスク３９５は、例えばレジストマスクである。
【0080】
続いて、図４２に示すように、導電膜３６０Ｓ及び３６０Ｄとなる導電膜３６５を上面３０１側の全面に形成する。導電膜３６５は、開口部３９５ＳＸの内側で導電膜３２０Ｓ及びグラフェン層３５０の上に形成され、開口部３９５ＤＸの内側で導電膜３２０Ｄ及びグラフェン層３５０の上に形成されるとともに、マスク３９５の上に形成される。
【0081】
次いで、図４３及び図５２に示すように、マスク３９５を除去する。マスク３９５の除去によりマスク３９５の上の導電膜３６５も除去される。つまり、リフトオフが行われる。この結果、導電膜３６０Ｓ及び３６０Ｄが形成される。
【0082】
その後、図４４に示すように、絶縁膜３７０を上面３０１側の全面に形成し、絶縁膜３７０の上にマスク３９６を形成する。マスク３９６には、開口部３７０ＳＸが形成される部分が露出する開口部３９６ＳＸと、開口部３７０ＤＸが形成される部分が露出する開口部３９６ＤＸと、開口部３７０ＧＸが形成される部分が露出する開口部３９６ＧＸとが形成されている。マスク３９６が、基板３００のトランジスタが形成される領域内のみで上面３０１側に形成されてもよい。マスク３９６は、例えばレジストマスクである。
【0083】
続いて、図４５及び図５３に示すように、絶縁膜３７０の開口部３９６ＳＸから露出した部分と、開口部３９６ＤＸから露出した部分と、開口部３９６ＧＸから露出した部分とをエッチングして、絶縁膜３７０に開口部３７０ＳＸ、３７０ＤＸ及び３７０ＧＸを形成する。次いで、マスク３９６を除去する。
【0084】
その後、図４６に示すように、絶縁膜３１０及び３７０並びに導電膜３６０Ｓ、３６０Ｄ及び３２０Ｇの上にマスク３９７を形成する。マスク３９７には、導電膜３２０Ｇ及び絶縁膜３７０の導電膜３６０Ｇを形成する領域を露出する開口部３９７ＧＸが形成されている。マスク３９７は、例えばレジストマスクである。
【0085】
続いて、図４７に示すように、導電膜３６０Ｇとなる導電膜３６６を上面３０１側の全面に形成する。導電膜３６６は、開口部３９６ＧＸの内側で導電膜３２０Ｓ及び絶縁膜３７０の上に形成されるとともに、マスク３９７の上に形成される。
【0086】
【0087】
このようにして、第３実施形態に係る電子デバイス３Ａを製造することができる。
【0088】
電子デバイス３Ａにおいては、例えば、グラフェン層３５０がチャネル、絶縁膜３７０がゲート絶縁膜、導電膜３６０Ｇ及び３２０Ｇがゲート電極、導電膜３６０Ｓ及び３２０Ｓがソース電極、導電膜３６０Ｄ及び３２０Ｄがドレイン電極として機能する。
【0089】
第３実施形態では、第１実施形態と同様に、グラフェン層３５０の転写の際に、グラフェン層３５０と上面３２１Ｓ、３２１Ｄ及び３２１Ｄ並びに上面３３１Ｓ、３３１Ｄ及び３３１Ｇとの間に隙間が生じにくい。また、グラフェン層３５０が上面３２１Ｓ、３２１Ｄ及び３２１Ｄ並びに上面３３１Ｓ、３３１Ｄ及び３３１Ｇに密着しやすいため、グラフェン層３５０の形状が安定しやすい。従って、第３実施形態によれば、グラフェン層３５０を含む電子デバイス３Ａの歩留まりを向上することができる。
【0090】
なお、グラフェン層３５０は、導電膜３２０Ｓ及び３２０Ｄのいずれとも直接接触していなくてもよい。
【0091】
転写基板及び電子デバイスは、例えば、高速動作が可能なトランジスタ、及び低消費電力のトランジスタに使用することができる。
【0092】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【0093】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0094】
（付記１）
第１上面を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、
前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする転写基板。
（付記２）
前記第２上面は凸面を含み、
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする付記１に記載の転写基板。
（付記３）
前記第１上面の上に設けられた第２絶縁膜を有し、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜の上に設けられていることを特徴とする付記１又は２に記載の転写基板。
（付記４）
前記第２絶縁膜の一部が前記導電膜及び前記第１絶縁膜から露出していることを特徴とする付記３に記載の転写基板。
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の転写基板と、
前記第１絶縁膜の上に設けられ、前記導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
（付記６）
前記２次元層状物質層は、前記導電膜に直接接触していることを特徴とする付記５に記載の電子デバイス。
（付記７）
前記２次元層状物質層は、グラフェン層であることを特徴とする付記５又は６に記載の電子デバイス。
（付記８）
第１上面を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する２つの第１導電膜と、
２つの前記第１導電膜の間で前記基板の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に直接接触し、２つの前記第２上面に連なる第３上面を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする電子デバイス。
（付記９）
前記第２上面は凸面を含み、
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする付記８に記載の電子デバイス。
（付記１０）
前記２次元層状物質層は、２つの前記第１導電膜に直接接触していることを特徴とする付記８又は９に記載の電子デバイス。
（付記１１）
前記２次元層状物質層と一方の前記第１導電膜とを接続する第２導電膜と、
前記２次元層状物質層と他方の前記第１導電膜とを接続する第３導電膜と、
を有することを特徴とする付記８又は９に記載の電子デバイス。
（付記１２）
前記２次元層状物質層、グラフェン層であることを特徴とする付記８乃至１１のいずれか１項に記載の電子デバイス。
（付記１３）
第１上面を有する基板の上に、第２上面を有する導電膜を形成する工程と、
前記基板の上に、前記導電膜に直接接触し、第３上面を有する第１絶縁膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第３上面が前記第２上面に連なり、前記第２上面及び前記第３上面が、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾く工程と、
を有することを特徴とする転写基板の製造方法。
（付記１４）
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２上面が凸面を含み、前記第３上面が凹面を含むことを特徴とする付記１３に記載の転写基板の製造方法。
（付記１５）
前記第１上面の上に第２絶縁膜が設けられており、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜の上に形成されることを特徴とする付記１３又は１４に記載の転写基板の製造方法。
（付記１６）
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２絶縁膜の一部が前記導電膜及び前記第１絶縁膜から露出することを特徴とする付記１５に記載の転写基板の製造方法。
第１上面を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する導電膜と、
前記基板の上に設けられ、前記導電膜に直接接触し、前記第２上面に連なる第３上面を有する第１絶縁膜と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする転写基板。
（付記２）
前記第２上面は凸面を含み、
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする付記１に記載の転写基板。
（付記３）
前記第１上面の上に設けられた第２絶縁膜を有し、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜の上に設けられていることを特徴とする付記１又は２に記載の転写基板。
（付記４）
前記第２絶縁膜の一部が前記導電膜及び前記第１絶縁膜から露出していることを特徴とする付記３に記載の転写基板。
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の転写基板と、
前記第１絶縁膜の上に設けられ、前記導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
（付記６）
前記２次元層状物質層は、前記導電膜に直接接触していることを特徴とする付記５に記載の電子デバイス。
（付記７）
前記２次元層状物質層は、グラフェン層であることを特徴とする付記５又は６に記載の電子デバイス。
（付記８）
第１上面を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、第２上面を有する２つの第１導電膜と、
２つの前記第１導電膜の間で前記基板の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に直接接触し、２つの前記第２上面に連なる第３上面を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上に設けられ、２つの前記第１導電膜に電気的に接続された２次元層状物質層と、
を有し、
前記第２上面及び前記第３上面は、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾いていることを特徴とする電子デバイス。
（付記９）
前記第２上面は凸面を含み、
前記第３上面は凹面を含むことを特徴とする付記８に記載の電子デバイス。
（付記１０）
前記２次元層状物質層は、２つの前記第１導電膜に直接接触していることを特徴とする付記８又は９に記載の電子デバイス。
（付記１１）
前記２次元層状物質層と一方の前記第１導電膜とを接続する第２導電膜と、
前記２次元層状物質層と他方の前記第１導電膜とを接続する第３導電膜と、
を有することを特徴とする付記８又は９に記載の電子デバイス。
（付記１２）
前記２次元層状物質層、グラフェン層であることを特徴とする付記８乃至１１のいずれか１項に記載の電子デバイス。
（付記１３）
第１上面を有する基板の上に、第２上面を有する導電膜を形成する工程と、
前記基板の上に、前記導電膜に直接接触し、第３上面を有する第１絶縁膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第３上面が前記第２上面に連なり、前記第２上面及び前記第３上面が、前記第２上面と前記第３上面との境界において、前記第１上面から傾く工程と、
を有することを特徴とする転写基板の製造方法。
（付記１４）
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２上面が凸面を含み、前記第３上面が凹面を含むことを特徴とする付記１３に記載の転写基板の製造方法。
（付記１５）
前記第１上面の上に第２絶縁膜が設けられており、
前記導電膜及び前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜の上に形成されることを特徴とする付記１３又は１４に記載の転写基板の製造方法。
（付記１６）
前記導電膜及び前記第１絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２絶縁膜の一部が前記導電膜及び前記第１絶縁膜から露出することを特徴とする付記１５に記載の転写基板の製造方法。
【符号の説明】
【0095】
１、２、３：転写基板
２Ａ、３Ａ：電子デバイス
１００、２００、３００：基板
１０１、２０１、３０１：上面
１１０、２１０、３１０：絶縁膜
１２０、２２０Ｓ、２２０Ｄ、２２０Ｇ、３２０Ｓ、３２０Ｄ、３２０Ｇ：導電膜
１２１、２２１Ｓ、２２１Ｄ、２２１Ｇ、３２１Ｓ、３２１Ｄ、３２１Ｇ：上面
１３０、２３０Ｓ、２３０Ｄ、２３０Ｇ、３３０Ｓ、３３０Ｄ、３３０Ｇ：絶縁膜
１３１、２３１Ｓ、２３１Ｄ、２３１Ｇ、３３１Ｓ、３３１Ｄ、３３１Ｇ：上面
１５０、２５０、３５０：グラフェン層
２４０、３４０：複合絶縁膜
２４１、３４１：上面：グラフェン層
３７０：絶縁膜
２Ａ、３Ａ：電子デバイス
１００、２００、３００：基板
１０１、２０１、３０１：上面
１１０、２１０、３１０：絶縁膜
１２０、２２０Ｓ、２２０Ｄ、２２０Ｇ、３２０Ｓ、３２０Ｄ、３２０Ｇ：導電膜
１２１、２２１Ｓ、２２１Ｄ、２２１Ｇ、３２１Ｓ、３２１Ｄ、３２１Ｇ：上面
１３０、２３０Ｓ、２３０Ｄ、２３０Ｇ、３３０Ｓ、３３０Ｄ、３３０Ｇ：絶縁膜
１３１、２３１Ｓ、２３１Ｄ、２３１Ｇ、３３１Ｓ、３３１Ｄ、３３１Ｇ：上面
１５０、２５０、３５０：グラフェン層
２４０、３４０：複合絶縁膜
２４１、３４１：上面：グラフェン層
３７０：絶縁膜
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】