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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104049
(43)【公開日】2024-08-02
(54)【発明の名称】半導体光素子の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/30 20060101AFI20240726BHJP
H01S 5/343 20060101ALI20240726BHJP
H01S 5/14 20060101ALI20240726BHJP
H01S 5/026 20060101ALI20240726BHJP
【ＦＩ】
H01S5/30
H01S5/343
H01S5/14
H01S5/026 618
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023008060
(22)【出願日】2023-01-23
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和３年度、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発／次世代コンピューティング技術の開発／異種材料集積光エレクトロニクスを用いた高効率・高速処理分散コンピューティングシステム技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000002130
【氏名又は名称】住友電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100087480
【弁理士】
【氏名又は名称】片山 修平
(72)【発明者】
【氏名】菊地 健彦
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AA02
5F173AB32
5F173AB49
5F173AF12
5F173AF54
5F173AG05
5F173AG20
5F173AH07
5F173AH48
5F173AK22
5F173AP05
5F173AP32
5F173AP38
5F173AP45
5F173AQ02
5F173AQ03
5F173AR92
5F173AR93
(57)【要約】
【課題】エッチングにおいて残存物の発生を抑制することが可能な半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む小片と、第１基板とを有する半導体光素子の製造方法であって、小片は第２基板と、第２基板の上に積層された半導体層とを有し、前記製造方法は、前記第２基板および前記半導体層を切断することで前記小片を形成する工程と、前記小片の前記半導体層を前記第１基板に接合する工程と、前記第１基板に接合された前記小片にエッチングを行うことで、前記第２基板を除去する工程と、を有し、前記小片の平面形状は第１方向に垂直な辺を有しておらず、前記第２基板を除去する工程におけるエッチングは、前記第１方向に比べて、前記第１方向に交差する第２方向に進みやすい半導体光素子の製造方法。
【選択図】 図３Ｂ
【解決手段】ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む小片と、第１基板とを有する半導体光素子の製造方法であって、小片は第２基板と、第２基板の上に積層された半導体層とを有し、前記製造方法は、前記第２基板および前記半導体層を切断することで前記小片を形成する工程と、前記小片の前記半導体層を前記第１基板に接合する工程と、前記第１基板に接合された前記小片にエッチングを行うことで、前記第２基板を除去する工程と、を有し、前記小片の平面形状は第１方向に垂直な辺を有しておらず、前記第２基板を除去する工程におけるエッチングは、前記第１方向に比べて、前記第１方向に交差する第２方向に進みやすい半導体光素子の製造方法。
【選択図】 図３Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む小片と、第１基板とを有する半導体光素子の製造方法であって、
小片は第２基板と、第２基板の上に積層された半導体層とを有し、
前記製造方法は、前記第２基板および前記半導体層を切断することで前記小片を形成する工程と、
前記小片の前記半導体層を前記第１基板に接合する工程と、
前記第１基板に接合された前記小片にエッチングを行うことで、前記第２基板を除去する工程と、を有し、
前記小片の平面形状は第１方向に垂直な辺を有しておらず、
前記第２基板を除去する工程におけるエッチングは、前記第１方向に比べて、前記第１方向に交差する第２方向に進みやすい半導体光素子の製造方法。
小片は第２基板と、第２基板の上に積層された半導体層とを有し、
前記製造方法は、前記第２基板および前記半導体層を切断することで前記小片を形成する工程と、
前記小片の前記半導体層を前記第１基板に接合する工程と、
前記第１基板に接合された前記小片にエッチングを行うことで、前記第２基板を除去する工程と、を有し、
前記小片の平面形状は第１方向に垂直な辺を有しておらず、
前記第２基板を除去する工程におけるエッチングは、前記第１方向に比べて、前記第１方向に交差する第２方向に進みやすい半導体光素子の製造方法。
【請求項2】
前記小片の平面形状は多角形であり、前記第２方向から傾斜した辺を有する請求項１に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項3】
２つの前記傾斜した辺は頂点を形成し、
前記頂点の角度は６０°以上、１２０°以下である請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
前記頂点の角度は６０°以上、１２０°以下である請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項4】
前記小片の平面形状は六角形であり、
前記六角形の６つの辺のうち２つの辺は１つの前記頂点を形成し、
前記６つの辺のうち別の２つの辺は別の前記頂点を形成し、
前記１つの頂点および前記別の頂点は前記第１方向において互いに対向する請求項２または請求項３に記載の半導体光素子の製造方法。
前記六角形の６つの辺のうち２つの辺は１つの前記頂点を形成し、
前記６つの辺のうち別の２つの辺は別の前記頂点を形成し、
前記１つの頂点および前記別の頂点は前記第１方向において互いに対向する請求項２または請求項３に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項5】
複数の前記頂点が前記第２方向に並び、
前記複数の頂点のうち一部と、前記複数の頂点のうち別の一部は、前記第１方向において互いに対向する請求項２または請求項３に記載の半導体光素子の製造方法。
前記複数の頂点のうち一部と、前記複数の頂点のうち別の一部は、前記第１方向において互いに対向する請求項２または請求項３に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項6】
前記小片の平面形状は平行四辺形である請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項7】
前記小片の２つの頂点の角度はそれぞれ４５°以上、９０°未満である請求項６に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項8】
前記小片を形成する工程において、光学的な方法によって前記第２基板および前記半導体層を切断する請求項１または請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項9】
前記第２基板はインジウムリンを含み、
前記半導体層はインジウムガリウム砒素を含み、
前記第２基板を除去する工程において、塩酸を含むエッチャントを用いたウェットエッチングにより前記第２基板を除去する請求項１または請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
前記半導体層はインジウムガリウム砒素を含み、
前記第２基板を除去する工程において、塩酸を含むエッチャントを用いたウェットエッチングにより前記第２基板を除去する請求項１または請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項10】
前記半導体層は第１半導体層と第２半導体層とを含み、
前記第２基板、前記第１半導体層、および前記第２半導体層はこの順番に積層され、
前記接合する工程において、前記第２半導体層が前記第１基板に接合され、
前記製造方法は、
前記第２基板を除去する工程の後、前記第１半導体層を除去する工程と、
前記第２半導体層をエッチングする工程を有する請求項１または請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
前記第２基板、前記第１半導体層、および前記第２半導体層はこの順番に積層され、
前記接合する工程において、前記第２半導体層が前記第１基板に接合され、
前記製造方法は、
前記第２基板を除去する工程の後、前記第１半導体層を除去する工程と、
前記第２半導体層をエッチングする工程を有する請求項１または請求項２に記載の半導体光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は半導体光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
化合物半導体で形成され光学利得を有する半導体素子を、導波路を形成したＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板（シリコンフォトニクス）などの基板に接合する技術が知られている（例えば特許文献１）。例えばインジウムリン（ＩｎＰ）などの化合物半導体のウェハに半導体層を成長する。ウェハを切断することで半導体素子を形成する。半導体素子をＳＯＩ基板に接合する。接合後に、半導体素子にエッチングなどを行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－１６４１４８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
接合後のエッチングにおいて、エッチングの異方性に起因して、残存物が発生することがある。残存物は、例えばレジストの塗布といった後工程の障害となる。そこで、エッチングにおいて残存物の発生を抑制することが可能な半導体光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示に係る半導体光素子の製造方法は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む小片と、第１基板とを有する半導体光素子の製造方法であって、小片は第２基板と、第２基板の上に積層された半導体層とを有し、前記製造方法は、前記第２基板および前記半導体層を切断することで前記小片を形成する工程と、前記小片の前記半導体層を前記第１基板に接合する工程と、前記第１基板に接合された前記小片にエッチングを行うことで、前記第２基板を除去する工程と、を有し、前記小片の平面形状は第１方向に垂直な辺を有しておらず、前記第２基板を除去する工程におけるエッチングは、前記第１方向に比べて、前記第１方向に交差する第２方向に進みやすいものである。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、エッチングにおいて残存物の発生を抑制することが可能な半導体光素子の製造方法を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
【0009】
本開示の一形態は、（１）ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む小片と、第１基板とを有する半導体光素子の製造方法であって、小片は第２基板と、第２基板の上に積層された半導体層とを有し、前記製造方法は、前記第２基板および前記半導体層を切断することで前記小片を形成する工程と、前記小片の前記半導体層を前記第１基板に接合する工程と、前記第１基板に接合された前記小片にエッチングを行うことで、前記第２基板を除去する工程と、を有し、前記小片の平面形状は第１方向に垂直な辺を有しておらず、前記第２基板を除去する工程におけるエッチングは、前記第１方向に比べて、前記第１方向に交差する第２方向に進みやすい半導体光素子の製造方法である。小片の平面形状が第１方向に垂直な辺を有していないため、第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。半導体光素子に対するエッチングの残存物の影響が抑制される。
（２）上記（１）において、前記小片の平面形状は多角形であり、前記第２方向から傾斜した辺を有してもよい。第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。
（３）上記（２）において、２つの前記傾斜した辺は頂点を形成し、前記頂点の角度は６０°以上、１２０°以下でもよい。辺が第１方向に垂直な位置から遠ざかる。エッチングが頂点まで進むとき、厚さ方向において半導体層まで進む。残存物の発生が抑制される。
（４）上記（２）または（３）において、前記小片の平面形状は六角形であり、前記六角形の６つの辺のうち２つの辺は１つの前記頂点を形成し、前記６つの辺のうち別の２つの辺は別の前記頂点を形成し、前記１つの頂点および前記別の頂点は前記第１方向において互いに対向してもよい。第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。エッチングは１つの頂点および別の頂点まで進む。小片の両側において残存物の発生を抑制することができる。
（５）上記（２）または（３）において、複数の前記頂点が前記第２方向に並び、前記複数の頂点のうち一部と、前記複数の頂点のうち別の一部は、前記第１方向において互いに対向してもよい。エッチングは複数の頂点まで進む。小片の両側において残存物の発生を抑制することができる。
（６）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記小片の平面形状は平行四辺形でもよい。第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。
（７）上記（６）において、２つの前記傾斜した辺は頂点を形成し、前記頂点の角度は４５°以上、９０°未満でもよい。辺が第１方向に垂直な位置から遠ざかる。エッチングが頂点まで進むとき、厚さ方向において半導体層まで進む。残存物の発生が抑制される。
（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記小片を形成する工程において、光学的な方法によって前記第２基板および前記半導体層を切断してもよい。
（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記第２基板はインジウムリンを含み、前記半導体層はインジウムガリウム砒素を含み、前記第２基板を除去する工程において、塩酸を含むエッチャントを用いたウェットエッチングにより前記第２基板を除去してもよい。第２基板と半導体層との間で高いエッチング選択比が得られる。エッチングによって第２基板を除去する。エッチングは半導体層で停止する。
（１０）上記（１）から（９）のいずれかにおいて、前記半導体層は第１半導体層と第２半導体層とを含み、前記第２基板、前記第１半導体層、および前記第２半導体層はこの順番に積層され、前記接合する工程において、前記第２半導体層が前記第１基板に接合され、前記製造方法は、前記第２基板を除去する工程の後、前記第１半導体層を除去する工程と、前記第２半導体層をエッチングする工程を有してもよい。第２半導体層の加工に対する残存物の影響が抑制される。
（２）上記（１）において、前記小片の平面形状は多角形であり、前記第２方向から傾斜した辺を有してもよい。第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。
（３）上記（２）において、２つの前記傾斜した辺は頂点を形成し、前記頂点の角度は６０°以上、１２０°以下でもよい。辺が第１方向に垂直な位置から遠ざかる。エッチングが頂点まで進むとき、厚さ方向において半導体層まで進む。残存物の発生が抑制される。
（４）上記（２）または（３）において、前記小片の平面形状は六角形であり、前記六角形の６つの辺のうち２つの辺は１つの前記頂点を形成し、前記６つの辺のうち別の２つの辺は別の前記頂点を形成し、前記１つの頂点および前記別の頂点は前記第１方向において互いに対向してもよい。第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。エッチングは１つの頂点および別の頂点まで進む。小片の両側において残存物の発生を抑制することができる。
（５）上記（２）または（３）において、複数の前記頂点が前記第２方向に並び、前記複数の頂点のうち一部と、前記複数の頂点のうち別の一部は、前記第１方向において互いに対向してもよい。エッチングは複数の頂点まで進む。小片の両側において残存物の発生を抑制することができる。
（６）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記小片の平面形状は平行四辺形でもよい。第２基板のエッチングにおいて、エッチングレートの低い面が露出しにくい。第２基板のエッチングが進みやすい。エッチングおける残存物の発生が抑制される。
（７）上記（６）において、２つの前記傾斜した辺は頂点を形成し、前記頂点の角度は４５°以上、９０°未満でもよい。辺が第１方向に垂直な位置から遠ざかる。エッチングが頂点まで進むとき、厚さ方向において半導体層まで進む。残存物の発生が抑制される。
（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記小片を形成する工程において、光学的な方法によって前記第２基板および前記半導体層を切断してもよい。
（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記第２基板はインジウムリンを含み、前記半導体層はインジウムガリウム砒素を含み、前記第２基板を除去する工程において、塩酸を含むエッチャントを用いたウェットエッチングにより前記第２基板を除去してもよい。第２基板と半導体層との間で高いエッチング選択比が得られる。エッチングによって第２基板を除去する。エッチングは半導体層で停止する。
（１０）上記（１）から（９）のいずれかにおいて、前記半導体層は第１半導体層と第２半導体層とを含み、前記第２基板、前記第１半導体層、および前記第２半導体層はこの順番に積層され、前記接合する工程において、前記第２半導体層が前記第１基板に接合され、前記製造方法は、前記第２基板を除去する工程の後、前記第１半導体層を除去する工程と、前記第２半導体層をエッチングする工程を有してもよい。第２半導体層の加工に対する残存物の影響が抑制される。
【0010】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る半導体光素子の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本開示の実施形態に係る半導体光素子の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0011】
＜第１実施形態＞
（半導体光素子）
図１Ａは第１実施形態に係る半導体光素子１００を例示する斜視図である。図１Ｂは図１Ａの線Ａ－Ａに沿った断面図である。図１Ａおよび図１Ｂに示すように半導体光素子１００は、基板１０（第１基板）と半導体素子２０とを有するハイブリッド型のレーザ素子である。半導体素子２０はＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体層を含む素子である。半導体素子２０は、例えば光学利得を有し、光を発生させる。別の例では、半導体素子２０は、光感度を有し、光を吸収して光電流を発生させる。半導体素子２０は、電圧に応じて屈折率を変化させ、光を変調させてもよい。基板１０は光を伝搬させる。Ｚ軸方向は基板１０の上面の法線方向である。
（半導体光素子）
図１Ａは第１実施形態に係る半導体光素子１００を例示する斜視図である。図１Ｂは図１Ａの線Ａ－Ａに沿った断面図である。図１Ａおよび図１Ｂに示すように半導体光素子１００は、基板１０（第１基板）と半導体素子２０とを有するハイブリッド型のレーザ素子である。半導体素子２０はＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体層を含む素子である。半導体素子２０は、例えば光学利得を有し、光を発生させる。別の例では、半導体素子２０は、光感度を有し、光を吸収して光電流を発生させる。半導体素子２０は、電圧に応じて屈折率を変化させ、光を変調させてもよい。基板１０は光を伝搬させる。Ｚ軸方向は基板１０の上面の法線方向である。
【0012】
図１Ｂに示すように、基板１０は、Ｚ軸方向に順に積層された基板１２、ボックス層１４、およびシリコン（Ｓｉ）層１６を含むＳＯＩ基板である。基板１２は例えばＳｉで形成される。ボックス層１４は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成される。ボックス層１４の厚さは例えば３μｍである。Ｓｉ層１６の厚さは、例えば２２０ｎｍである。基板１０の上面は絶縁膜１８で覆われている。絶縁膜１８は例えば厚さ１μｍのＳｉＯ２で形成されている。Ｓｉ層１６の屈折率は３．４５である。ボックス層１４および絶縁膜１８の屈折率は、Ｓｉ層１６より低く、１．４５である。
【0013】
基板１０のＳｉ層１６は、導波路１１、２つの凹部１３、２つのテラス１５を有する。導波路１１と凹部１３とは同じ方向に延伸する。２つの凹部１３は導波路１１の両側に位置し、導波路１１と同じ方向に延伸する。テラス１５はＳｉ層１６の平面であり、凹部１３の導波路１１とは反対に位置する。図１Ｂにおいて凹部１３の底面はＳｉ層１６であるが、底面はボックス層１４でもよい。Ｓｉ層１６には、リング共振器およびループミラーなどの光学部品を設けてもよい。例えば導波路１１をリング状に湾曲させることでリング共振器が形成される。
【0014】
図１Ｂに示すように、半導体素子２０は、Ｓｉ層１６の上面であって、導波路１１および凹部１３の上に接合されている。半導体素子２０は、クラッド層２２、活性層２４、クラッド層２６およびコンタクト層２８を有する。クラッド層２２からコンタクト層２８は、基板１０の上面から上に向けて順番に積層されている。
【0015】
クラッド層２２は、例えば厚さ４００ｎｍのｎ型インジウムリン（ｎ－ＩｎＰ）で形成される。クラッド層２６は、例えば厚さ２μｍのｐ－ＩｎＰで形成される。コンタクト層２８は、（ｐ＋）－ガリウムインジウム砒素（ＧａＩｎＡｓ）などで形成されている。活性層２４は、交互に積層された複数の井戸層およびバリア層を含み、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）を有する。井戸層およびバリア層は、ノンドープのガリウムインジウム砒素リン（ｉ－ＧａＩｎＡｓＰ）などで形成されている。活性層２４の厚さは例えば３００ｎｍである。活性層２４は光学利得を有し、例えば波長１．５５μｍの光を出射する。半導体素子２０の各層は上記以外のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体で形成されてもよい。
【0016】
図１Ａに示すように、半導体素子２０はメサ３０、電極３２および３４を有する。半導体素子２０のメサ３０は導波路１１の上に位置する。メサ３０の先端はテーパ形状であり、導波路１１に沿って先細りである。半導体素子２０のメサ３０およびテーパ形状の先端などが、素子構造である。
【0017】
図１Ｂに示すように、メサ３０は活性層２４、クラッド層２６およびコンタクト層２８で形成され、導波路１１の上に位置する。クラッド層２２はメサ３０と基板１０との間に位置し、メサ３０の外側に広がる。クラッド層２２は、基板１０の導波路１１の上面およびテラス１５の上面に接触する。メサ３０およびクラッド層２２の表面は絶縁膜１８に覆われる。絶縁膜１８はメサ３０の上、およびクラッド層２２の上に開口部を有する。
【0018】
図１Ｂに示すように、電極３２は、メサ３０の上からメサ３０の外側の絶縁膜１８の上面まで延伸する。電極３２は絶縁膜１８の開口部を通じてコンタクト層２８と電気的に接続される。電極３２は例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）の積層体などで形成されている。電極３４は電極３２から離間し、絶縁膜１８の上面に設けられ、絶縁膜１８の開口部を通じてクラッド層２２に電気的に接続される。電極３４は、例えば金、ゲルマニウムおよびニッケルの合金（ＡｕＧｅＮｉ）などの金属で形成されている。電極３２および電極３４にＡｕのメッキ層などを設けてもよい。
【0019】
電極３２および３４に電圧を印加し、半導体素子２０の活性層２４にキャリアを注入する。キャリアを注入することで、活性層２４は光を生成する。半導体素子２０と基板１０とはエバネッセント光結合によって光学的に結合しており、光は基板１０の導波路１１に遷移する。光は導波路１１を伝搬し基板１０の端部から半導体光素子１００の外に出射される。
【0020】
（製造方法）
図２Ａから図７Ｂは半導体光素子１００の製造方法を例示する図である。図２Ａは基板４０（第２基板）を例示する平面図である。図２Ｂは図２Ａの線Ｂ－Ｂに沿った断面図である。図中には基板４０の結晶の方向を示している。図２Ａにおいて、基板４０の表面は（１００）面である。奥から手前の方向は［１００］方向である。上は［０１１］方向である。下は［０－１－１］方向である。右は［０１－１］方向である。左は［０－１１］方向である。［０－１１］方向および［０１－１］方向は第１方向に対応する。［０１１］方向および［０－１－１］方向は第２方向に対応し、［０－１１］方向および［０１－１］方向とは交差する。［０１１］方向および［０－１－１］方向は、［０－１１］方向および［０１－１］方向に直交する。
図２Ａから図７Ｂは半導体光素子１００の製造方法を例示する図である。図２Ａは基板４０（第２基板）を例示する平面図である。図２Ｂは図２Ａの線Ｂ－Ｂに沿った断面図である。図中には基板４０の結晶の方向を示している。図２Ａにおいて、基板４０の表面は（１００）面である。奥から手前の方向は［１００］方向である。上は［０１１］方向である。下は［０－１－１］方向である。右は［０１－１］方向である。左は［０－１１］方向である。［０－１１］方向および［０１－１］方向は第１方向に対応する。［０１１］方向および［０－１－１］方向は第２方向に対応し、［０－１１］方向および［０１－１］方向とは交差する。［０１１］方向および［０－１－１］方向は、［０－１１］方向および［０１－１］方向に直交する。
【0021】
図２Ａに示す基板４０は、例えば２インチのＩｎＰ基板である。図２Ｂに示すように、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）により、基板４０の１つの面に、エッチングストップ層４２（第１半導体層）、および半導体層４４（第２半導体層）を、この順番でエピタキシャル成長する。半導体層４４は、図１Ｂに示したクラッド層２２、活性層２４、クラッド層２６およびコンタクト層２８を含む。エッチングストップ層４２の上に、クラッド層２２、活性層２４、クラッド層２６およびコンタクト層２８がこの順番で積層される。基板４０は、例えば厚さが３５０μｍのインジウムリン（ＩｎＰ）で形成されている。エッチングストップ層４２は、例えば厚さが０．３μｍのインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）で形成されている。半導体層４４の成長後、基板４０、エッチングストップ層４２および半導体層４４を切断し、小片４３を形成する。
【0022】
図３Ａは切断の工程を例示する平面図である。図３Ａにおいて、切断線４１を点線で図示している。切断線４１は、基板４０の表面に六角形を敷き詰めるように定められる。切断の方法は、例えばレーザアブレーションなど光学的な方法である。レーザ光を照射することで、基板４０、エッチングストップ層４２および半導体層４４し、小片４３を形成する。
【0023】
図３Ｂは１つの小片４３を拡大した平面図である。小片４３の平面形状は六角形である。小片４３は６つの辺４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ、および４３ｆを有する。辺４３ａと辺４３ｄとは互いに対向する。辺４３ａおよび辺４３ｄは、［０１１］方向および［０－１－１］方向に垂直であり、［０－１１］方向および［０１－１］方向に平行である。辺４３ａおよび辺４３ｄそれぞれの長さＬ１は例えば５ｍｍである。小片４３の［０１１］方向および［０－１－１］方向における長さＬ２は例えば５ｍｍである。
【0024】
辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆは、［０１１］方向、［０－１－１］方向、［０－１１］方向および［０１－１］方向に対して傾斜しており、（０１－１）面および（０－１１面）に対して平行ではない。辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆは、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直ではない。辺４３ｂと辺４３ｅとは互いに平行である。辺４３ｃと辺４３ｆとは互いに平行である。辺４３ｂと辺４３ｆとは、［０－１１］方向および［０１－１］方向において互いに対向する。辺４３ｃと辺４３ｅとは、［０－１１］方向および［０１－１］方向において互いに対向する。
【0025】
辺４３ｂと辺４３ｃとは頂点４３ｇを形成する。辺４３ｅと辺４３ｆとは頂点４３ｈを形成する。頂点４３ｇと頂点４３ｈとは、［０－１１］方向および［０１－１］方向において互いに対向する。頂点４３ｇは［０１－１］方向に向けて突出する。頂点４３ｈは［０－１１］方向に向けて突出する。頂点４３ｇの角度θ１および頂点４３ｈの角度θ２は、例えば６０°以上、１２０°以下である。角度θ１は角度θ２に等しくてもよいし、異なってもよい。辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆそれぞれの、［０１１］方向および［０－１－１］方向からの傾斜角度は、例えば３０°以上、６０°以下である。
【0026】
図４は基板１０を例示する平面図である。基板１０は例えば直径１０インチのウェハである。図４に示すように、基板１０に複数の小片４３を接合する。接合の方法は親水化接合またはプラズマ活性化接合などである。小片４３の半導体層４４の表面および基板１０のＳｉ層１６の表面に親水化、またはプラズマ照射による活性化を行う。
【0027】
【0028】
図５Ｂに示すように、半導体層４４の表面を、基板１０のＳｉ層１６の表面に対向させ、接触させる。接触後、例えば３００℃の温度で加熱処理を行うことで、接合強度を強める。Ｚ軸方向において、基板１０、半導体層４４、エッチングストップ層４２および基板４０がこの順番に並ぶ。小片４３の基板４０は、半導体層４４およびエッチングストップ層４２を挟んで基板１０の反対に位置する。半導体層４４は基板１０の導波路１１の上に接合される。
【0029】
小片４３の接合後、基板４０の裏面からウェットエッチングを行う。基板４０がＩｎＰ基板である場合、基板４０の裏面は（－１００）面である。基板４０がＩｎＰ基板である場合、エッチャントとしては塩酸（ＨＣｌ）を含む溶液を用いる。エッチャントの溶液は、基板４０を構成する材料に合わせて選択される。
【0030】
ＩｎＰ基板の（－１００）面に対して、塩酸系のエッチャントを用いてウェットエッチングを施すとき、エッチングは基板４０の厚さ方向、すなわち［１００］方向に進行する。ウェットエッチングは、［１００］方向に進むとともに、基板４０の面内にも進む。すなわち、ウェットエッチングは３次元的にあらゆる方向に進行する。
【0031】
基板４０のウェットエッチングには異方性がある。エッチングは［０１－１］方向、［０－１１］方向、［０１１］方向、および［０－１－１］方向にも進行する。エッチングの進行しやすさは方向ごとに異なる。（－１００）面と３５度の角度を有する面に垂直な方向に対するエッチングレートは極めて小さく、当該方向にはエッチングはほとんど進行しない。基板４０に対するウェットエッチングの開始から、ある方向で基板４０が溶けてなくなるまでの時間を、その方向におけるエッチングレートと定義する。［０１－１］方向におけるエッチングレート、および［０－１１］方向におけるエッチングレートは、［０１１］方向におけるエッチングレートおよび［０－１－１］方向におけるエッチングレートより小さい。すなわち、ウェットエッチングは、［０１－１］方向および［０－１１］方向に進みにくく、［０１１］方向および［０－１－１］方向に進みにくい。
【0032】
図５Ａに示すように、小片４３の平面形状は六角形であり、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直な辺を有さない。エッチングレートの小さい面が露出しにくい。ウェットエッチングは［１００］方向にも、面内の方向にも進む。ウェットエッチングは、［１００］方向においてエッチングストップ層４２に達し、エッチングストップ層４２で停止する。ウェットエッチングは、小片４３の辺４３ａ、辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｄ、辺４３ｅおよび辺４３ｆまで達する。図６Ａおよび図６Ｂに示すように、ウェットエッチングによって小片４３から基板４０が除去される。エッチングストップ層４２が露出する。基板４０のウェットエッチングの終了後、小片４３に後工程を行う。
【0033】
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、エッチングストップ層４２を除去する。半導体層４４が露出する。半導体層４４の上にレジストパターンおよびエッチングマスクなどを設ける。半導体層４４にエッチングを行い、半導体層４４から図１Ａおよび図１Ｂに示す半導体素子２０を形成する。半導体光素子１００が形成される。
【0034】
図８Ａおよび図９Ａは比較例に係る半導体光素子の製造方法を例示する平面図である。図８Ｂおよび図９Ｂは対応する平面図の線Ｄ－Ｄに沿った断面図である。小片４３の平面形状は矩形である。小片４３の２つの辺は、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直である。
【0035】
基板４０のウェットエッチングにおいて、［０１－１］方向および［０－１１］方向にエッチングが進むとき、（－１００）面と３５度の角度を有し、［０１１］方向に平行に延伸する特定の結晶面が露出しやすい。（－１００）面に対し３５度で傾斜した面に垂直な方向のエッチングレートは極めて小さい。角度３５度で傾斜した面が露出すると、その面に垂直な方向にはエッチングが進みにくい。［０１１］方向および［０－１－１］方向に比べて、［０１－１］方向および［０－１１］方向にはエッチングが進みにくい。
【0036】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、［０１－１］方向および［０－１１］方向に、基板４０の一部が除去されず、残存物４０ｅとして残る。基板４０のウェットエッチングの後、エッチングストップ層４２にウェットエッチングを行う。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、残存物４０ｅ、および下のエッチングストップ層４２が残る。残存物４０ｅは２つの辺に沿って延伸する。残存物４０ｅはエッチングストップ層４２の上面から上に突出する。残存物４０ｅの断面形状は三角形である。残存物４０ｅの底角の角度は例えば３５度である。残存物４０ｅの高さは例えば２０μｍである。残存物４０ｅ底辺の長さは例えば３０μｍである。残存物４０ｅがあるため、半導体層４４の上にレジストパターンおよびエッチングマスクなどを形成することが難しい。
【0037】
第１実施形態によれば、小片４３を基板１０に接合した後、小片４３にウェットエッチングを行う。ウェットエッチングは、［０１－１］方向および［０－１１］方向に進みにくく、［０１１］方向および［０－１－１］方向に進みやすい。図３Ｂに示すように、小片４３の平面形状は六角形であり、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直な辺を有さない。ウェットエッチングの工程において、エッチングレートの低い面が露出しにくい。ウェットエッチングは［１００］方向に進むとともに、基板４０の面内にも進む。ウェットエッチングがエッチングストップ層４２に達し、かつ小片４３の辺に達することで、基板４０は除去される。図６Ａおよび図６Ｂに示すように、残存物の発生を抑制することができる。残存物のない小片４３を加工することで、半導体素子２０を形成することができる。
【0038】
小片の辺が、［０１１］方向および［０－１－１］方向に対して平行、すなわち（０１－１）面および（０－１１）面に対して平行である場合、ウェットエッチングの途中でエッチングレートの低い面が露出する。図８Ａおよび図８Ｂに示すように、残存物が発生しやすい。第１実施形態によれば、図３Ｂに示すように、小片４３の平面形状は六角形である。小片４３の辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆは、［０１１］方向および［０－１－１］方向から傾斜し、（０１－１）面および（０－１１）面に対して平行でない。エッチングレートの小さい面が露出しにくく、ウェットエッチングが進みやすい。残存物の発生を抑制することができる。
【0039】
辺４３ｂおよび辺４３ｃは頂点４３ｇを形成する。辺４３ｅおよび辺４３ｆは頂点４３ｈを形成する。頂点４３ｇの角度θ１および頂点４３ｈの角度θ２が大きすぎると、辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆは、［０１１］方向および［０－１－１］方向に平行に近くなり、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直に近づく。残存物が発生する恐れがある。角度θ１およびθ２が小さすぎると、ウェットエッチングが頂点付近まで進んだときに、厚さ方向に基板４０が残る恐れがある。角度θ１およびθ２は例えば６０°以上、１２０°以下である。辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆが、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直な位置から遠ざかる。ウェットエッチングは頂点まで進み、厚さ方向においてエッチングストップ層４２まで進む。残存物の発生が抑制される。角度θ１およびθ２は例えば３０°以上、４０°以上、５０°以上、１１０°以下、１３０°以下、１４０°以下などでもよい。
【0040】
頂点４３ｇと頂点４３ｈとは、［０１－１］方向および［０－１１］方向において互いに対向する。小片４３の両側に頂点４３ｇと頂点４３ｈとが位置する。ウェットエッチングが頂点４３ｇおよび頂点４３ｈまで進むことで、小片４３の両側において残存物の発生を抑制することができる。
【0041】
辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆは、同一の長さを有してもよいし、互いに異なってもよい。頂点４３ｇの角度θ１が頂点４３ｈの角度θ２と同一でもよいし、異なってもよい。辺４３ｂ、辺４３ｃ、辺４３ｅおよび辺４３ｆが同一の長さを有し、頂点４３ｇの角度θ１が頂点４３ｈの角度θ２と同一であることにより、ＩＩＩ－Ｖ族半導体の材料を有効に活用することができる。図３Ａに示すように、基板４０に複数の六角形を敷き詰めるように、切断線４１を設定する。隣り合う六角形が噛み合うように並び、隙間が発生しにくい。基板４０のうち小片４３となる部分が多くなり、廃棄される部分は少なくなる。無駄が発生しにくい。
【0042】
光学的な方法によって基板４０を切断する。ブレードを用いる方法に比べ、光学的な方法を用いることで精度が向上する。小片４３を所望の形状とすることができる。光学的な方法とは、レーザ光を照射することで切断する方法である。
【0043】
基板４０とエッチングストップ層４２との間でエッチング選択比が高いことにより、接合後に基板４０をウェットエッチングで除去することができる。例えば、基板４０はＩｎＰで形成される。エッチングストップ層４２はＩｎＧａＡｓで形成される。ウェットエッチングのエッチャントとして塩酸を用いる。基板４０を除去し、ウェットエッチングをエッチングストップ層４２で停止させることができる。基板４０はＩｎＰを含んでもよいし、ＩｎＰ以外の半導体で形成されてもよい。エッチングストップ層４２はＩｎＧａＡｓを含んでもよいし、ＩｎＧａＡｓ以外の半導体で形成されてもよい。エッチャントは塩酸以外の溶液を含んでもよい。
【0044】
残存物４０ｅの発生が抑制されることで、半導体層４４の上にレジストパターンおよびエッチングマスクなどを形成することが可能である。半導体層４４のエッチングを行い、図１Ａに示すようなテーパ形状を有するメサ３０を形成することができる。
【0045】
基板４０の表面は（１００）面であるとした。基板４０の表面の面方位が、ＩｎＰの（１００）面に対して例えば２°、６°、１５°など１５°以下に傾いてもよい。こうした基板４０を用いた場合でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。第１方向および第２方向は、製造上のばらつきの範囲で［０１－１］方向および［０１１］方向からずれることがある。当該ばらつきが発生した場合でも同様の効果が得られる。
【0046】
【0047】
図１０に示すように、第２実施形態における小片５０の平面形状は多角形である。小片５０は辺５１および辺５２を有する。辺５１および辺５２は互いに対向し、かつ互いに平行である。辺５１および辺５２はそれぞれ［０１１］方向および［０－１－１］方向に垂直である。辺５４、辺５５、辺５７および辺５８は、［０１１］方向および［０－１－１］方向から傾斜し、（０－１１）面および（０１－１）面に平行ではない。辺５４、辺５５、辺５７および辺５８は、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直ではない。
【0048】
小片５０は複数の頂点５３および複数の頂点５６を有する。複数の頂点５３および複数の頂点５６は、辺５１と辺５２との間に配列されている。頂点５３と頂点５６とは互いに対向する。１つの頂点５３は、辺５４と辺５５とにより形成される。頂点５３は、［０－１１］方向に向けて突出する。１つの頂点５６は、辺５７と辺５８とにより形成される。頂点５６は、［０１－１］方向に向けて突出する。頂点５３の角度θ３および頂点５６の角度θ４は例えば６０°以上である。角度θ３は角度θ４に等しくてもよいし、角度θ４とは異なってもよい。
【0049】
隣り合う２つの頂点５３の間の距離Ｄ１、および隣り合う２つの頂点５６の間の距離Ｄ２は、例えば５０μｍ以上、５００μｍ以下である。距離Ｄ１は距離Ｄ２に等しくてもよいし、距離Ｄ２とは異なってもよい。
【0050】
小片５０を基板１０に接合した後、ウェットエッチングを行うことで、基板４０を除去する。ウェットエッチングによって小片５０から基板４０が除去される。エッチングストップ層４２が露出する。基板４０除去後の工程は第１実施形態と同じである。
【0051】
第２実施形態によれば、小片５０の平面形状は多角形であり、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直な辺を有さない。ウェットエッチングの途中でエッチングレートの小さい面が露出しにくい。ウェットエッチングは［１００］方向に進み、面内の方向にも進む。ウェットエッチングは、［１００］方向においてエッチングストップ層４２に達し、エッチングストップ層４２で停止する。ウェットエッチングは、小片５０の辺まで達する。残存物の発生を抑制することができる。残存物のない小片５０を加工することで、半導体素子２０を形成することができる。
【0052】
小片５０の辺５４、辺５５、辺５７および辺５８は、［０１１］方向および［０－１－１］方向から傾斜し、（０１－１）面および（０－１１）面に対して平行でない。エッチングレートの小さい面が露出しにくく、ウェットエッチングが進みやすい。残存物の発生を抑制することができる。
【0053】
辺５４と辺５５とは頂点５３を形成する。辺５７と辺５８とは頂点５６を形成する。頂点５３の角度θ３および頂点５６の角度θ４が大きすぎると、辺５４、辺５５、辺５７および辺５８は、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直に近くなる。残存物が発生する恐れがある。角度θ３およびθ４が小さすぎると、ウェットエッチングが頂点付近まで進んだときに、厚さ方向に基板４０が残る恐れがある。角度θ３およびθ４は例えば６０°以上、１２０°以下である。辺５４、辺５５、辺５７および辺５８が、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直な位置から遠ざかる。ウェットエッチングは頂点まで進み、厚さ方向においてエッチングストップ層４２まで進む。残存物の発生が抑制される。角度θ３およびθ４は例えば３０°以上、４０°以上、５０°以上、１１０°以下、１３０°以下、１４０°以下などでもよい。
【0054】
複数の頂点５３および複数の頂点５６は、［０１１］方向および［０－１－１］方向に並ぶ。頂点５３と頂点５６とは、［０１－１］方向および［０－１１］方向において対向する。ウェットエッチングが複数の頂点５３および複数の頂点５６まで進むことで、小片５０の両側において残存物の発生を抑制することができる。図１０の例では頂点５３の個数および頂点５６の個数はそれぞれ６個である。頂点５３および５６それぞれの個数は６個以下でもよいし、６個以上でもよい。
【0055】
辺５４、辺５５、辺５７および辺５８は、互いに等しい長さを有してもよい。頂点５３の角度θ３は、頂点５６の角度θ４は互いに等しくてもよい。頂点同士が噛み合い、かつ小片５０が敷き詰められるように、切断線４１を設定する。基板４０のうち小片５０となる部分が多くなり、廃棄される部分は少なくなる。無駄が発生しにくい。
【0056】
＜第３実施形態＞
図１１は第３実施形態に係る半導体光素子の製造方法を例示する平面図であり、第１実施形態の図３Ｂと同様に１つの小片を図示している。第１実施形態および第２実施形態のいずれかと同じ構成については、説明を省略する。
図１１は第３実施形態に係る半導体光素子の製造方法を例示する平面図であり、第１実施形態の図３Ｂと同様に１つの小片を図示している。第１実施形態および第２実施形態のいずれかと同じ構成については、説明を省略する。
【0057】
図１１に示すように、第３実施形態における小片６０の平面形状は平行四辺形である。小片６０は辺６１、辺６２、辺６３および辺６４を有する。辺６１および辺６２は互いに対向し、かつ互いに平行である。辺６１および辺６２はそれぞれ［０１１］方向および［０－１－１］方向に垂直である。
【0058】
辺６３および辺６４は、互いに対向し、かつ互いに平行である。辺６３および辺６４は［０１１］方向および［０－１－１］方向から傾斜し、（０－１１）面および（０１－１）面に平行ではない。辺６３および辺６４は、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直ではない。傾斜角度は例えば４５°以下である。
【0059】
辺６２と辺６３とは頂点６５を形成する。辺６１と辺６４とは頂点６６を形成する。頂点６５は［０－１１］方向に向けて突出する。頂点６６は［０１－１］方向に向けて突出する。頂点６５と頂点６６とは、平行四辺形の対角線の方向に沿って互いに対向する。頂点６５の角度θ５および頂点６６の角度θ６は、例えば４５°以上、９０°未満である。角度θ５は角度θ６に等しくてもよいし、角度θ６とは異なってもよい。
【0060】
小片６０を基板１０に接合した後、ウェットエッチングを行うことで、基板４０を除去する。ウェットエッチングによって小片６０から基板４０が除去される。エッチングストップ層４２が露出する。基板４０除去後の工程は第１実施形態と同じである。
【0061】
第３実施形態によれば、小片６０の平面形状は平行四辺形であり、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直な辺を有さない。ウェットエッチングの途中でエッチングレートの小さい面が露出しにくい。ウェットエッチングは［１００］方向に進み、面内の方向にも進む。ウェットエッチングは、［１００］方向においてエッチングストップ層４２に達し、エッチングストップ層４２で停止する。ウェットエッチングは、小片６０の辺まで達する。残存物の発生を抑制することができる。残存物のない小片６０を加工することで、半導体素子２０を形成することができる。
【0062】
小片６０の辺６３および辺６４は、［０１１］方向および［０－１－１］方向から傾斜し、（０１－１）面および（０－１１）面に対して平行でない。エッチングレートの小さい面が露出しにくく、ウェットエッチングが進みやすい。残存物の発生を抑制することができる。
【0063】
辺６１および辺６２は［０１１］方向および［０－１－１］方向から９０°傾斜している。辺６３および辺６４は［０１１］方向および［０－１－１］方向から傾斜している。傾斜角度は例えば４５°以下である。辺６２と辺６３とは頂点６５を形成する。辺６１と辺６４とは頂点６６を形成する。頂点６５の角度θ５および頂点６６の角度θ４が９０°である場合、辺６３および辺６４は、［０１１］方向および［０－１－１］方向に平行であり、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直である。ウェットエッチングの工程で残存物が発生する恐れがある。角度θ５およびθ６が小さすぎると、ウェットエッチングが頂点付近まで進んだときに、厚さ方向に基板４０が残る恐れがある。角度θ５およびθ６は例えば４５°以上、９０°未満である。辺６３および辺６４が、［０１－１］方向および［０－１１］方向に垂直な位置から遠ざかる。ウェットエッチングは頂点まで進み、厚さ方向においてエッチングストップ層４２まで進む。残存物の発生が抑制される。角度θ５およびθ６は例えば４０°以上、５０°以上、８０°以下、８５°以下などでもよい。
【0064】
辺６３と辺６４とは互いに等しい長さを有してもよい。辺６１と辺６２とは互いに等しい長さを有してもよい。頂点６５の角度θ５は、頂点６６の角度θ６に等しくてもよい。小片６０が敷き詰められるように、切断線４１を設定する。基板４０のうち小片６０となる部分が多くなり、廃棄される部分は少なくなる。無駄が発生しにくい。
【0065】
小片の平面形状は多角形であり、例えば六角形および平行四辺形でもよいし、図１０のように複数の頂点が並ぶ形状でもよい。小片の平面形状は例えば三角形、台形でもよく、［０－１１］方向および［０１－１］方向に垂直な辺を有さない。図３Ａの例のように、多角形が基板４０に敷き詰められるように、切断線４１を定める。基板４０のうち廃棄される部分が少なくなる。小片の平面形状は例えば円形および楕円形など曲線を含む形状でもよい。
【0066】
以上、本開示の実施形態について詳述したが、本開示は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0067】
１０、１２、４０ 基板
１１ 導波路
１３ 凹部
１４ ボックス層
１５ テラス
１６ Ｓｉ層
１８ 絶縁膜
２０ 半導体素子
２２、２６ クラッド層
２４ 活性層
２８ コンタクト層
３０ メサ
３２、３４ 電極
４０ｅ 残存物
４１ 切断線
４２ エッチングストップ層
４４ 半導体層
４３ 小片
４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ、４３ｆ、５１、５２、５４、５５、５７、５８、６１、６２、６３、６４ 辺
４３ｇ、４３ｈ、５３、５６、６５、６６ 頂点
１００ 半導体光素子
１１ 導波路
１３ 凹部
１４ ボックス層
１５ テラス
１６ Ｓｉ層
１８ 絶縁膜
２０ 半導体素子
２２、２６ クラッド層
２４ 活性層
２８ コンタクト層
３０ メサ
３２、３４ 電極
４０ｅ 残存物
４１ 切断線
４２ エッチングストップ層
４４ 半導体層
４３ 小片
４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ、４３ｆ、５１、５２、５４、５５、５７、５８、６１、６２、６３、６４ 辺
４３ｇ、４３ｈ、５３、５６、６５、６６ 頂点
１００ 半導体光素子
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】