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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104071
(43)【公開日】2024-08-02
(54)【発明の名称】撮像装置及び半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 27/146 20060101AFI20240726BHJP
【ＦＩ】
H01L27/146 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023008091
(22)【出願日】2023-01-23
(71)【出願人】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】黒瀬 龍太郎
【テーマコード（参考）】
4M118
【Ｆターム（参考）】
4M118AB01
4M118BA14
4M118CA02
4M118DD04
4M118DD12
4M118FA06
4M118FA33
4M118GA02
4M118HA30
4M118HA31
(57)【要約】
【課題】樹脂にクラックや剥がれが発生することを避けることができる撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の撮像素子からなる画素アレイ部を有する第１の基板と、前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂とを備え、前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆う、撮像装置を提供する。
【選択図】図６
【解決手段】複数の撮像素子からなる画素アレイ部を有する第１の基板と、前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂とを備え、前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆う、撮像装置を提供する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の撮像素子からなる画素アレイ部を有する第１の基板と、
前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂と、
を備え、
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の前記画素アレイ部と向かい合う第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
撮像装置。
前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂と、
を備え、
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の前記画素アレイ部と向かい合う第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
撮像装置。
【請求項2】
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の、前記第１の辺に沿って延伸する前記側面を覆う、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項3】
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の、前記第２の辺に沿って延伸する前記側面の、前記画素アレイ部側の領域を覆う、請求項２に記載の撮像装置。
【請求項4】
遮光樹脂は、エポキシ樹脂、シリカ、カーボンブラックからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項5】
前記第２の基板は、シリコン基板である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項6】
前記第２の基板の前記第１の辺は、矩形状の前記画素アレイ部の、前記第２の基板と向かい合う第３の辺よりも短い、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項7】
前記第２の基板は、ロジック回路を含む、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項8】
前記第２の基板は、前記撮像素子を駆動する画素トランジスタを含む、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項9】
複数の前記第２の基板を備える、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項10】
前記第２の基板は、複数の半導体チップの積層構造からなる、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項11】
前記第２の基板の上面の一部は、前記遮光樹脂で覆われていない、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項12】
前記第２の基板の上面の全体は、前記遮光樹脂で覆われている、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項13】
前記第２の基板は、前記第１の基板に接続端子を介してフリップチップ接合されている、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項14】
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、前記接続端子を保護するアンダーフィル樹脂をさらに備える、請求項１３に記載の撮像装置。
【請求項15】
第１の基板と、
前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う樹脂と、
を備え、
前記樹脂は、前記第２の基板の表面の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
半導体装置。
前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う樹脂と、
を備え、
前記樹脂は、前記第２の基板の表面の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、撮像装置及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
バンプを介して、チップとウェハ、もしくは、チップ同士を電気的、且つ、物理的に接続するフリップチップ実装技術が知られている。フリップチップ実装技術は、半導体装置の高密度化、小型化等に適した技術である。そして、下記の特許文献１においては、このようなフリップチップ実装技術を撮像装置に適用する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０２２／０５０１１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示の撮像装置では、積層されたチップで反射された反射光による、当該チップの下方に位置する基板に搭載されたセンサに対する悪影響を防止することを目的として、チップの上面と側面とを樹脂で覆う構造が採用されている。このような撮像装置に対して、実装や使用過程で想定される熱ストレスに対する耐性を確認するために、温度サイクル試験を行ったところ、樹脂にクラックや剥がれが生じる可能性があることが分かった。
【0005】
そこで、本開示では、樹脂にクラックや剥がれが発生することを避けることができる、撮像装置及び半導体装置を提案する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によれば、複数の撮像素子からなる画素アレイ部を有する第１の基板と、前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂とを備え、前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、前記第１の領域は、前記第２の基板の前記画素アレイ部と向かい合う第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、前記第２の領域は、前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、前記各第３の領域は、前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、前記第３の距離は、１００μｍ以上である、撮像装置が提供される。
【0007】
さらに、本開示によれば、第１の基板と、前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う樹脂とを備え、前記樹脂は、前記第２の基板の表面の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、前記第１の領域は、前記第２の基板の第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、前記第２の領域は、前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、前記各第３の領域は、前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、前記第３の距離は、１００μｍ以上である、半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】撮像装置１の基本的な構成の概略を示すブロック図である。
【図2】画素２の回路構成の一例を示す回路図である。
【図3】比較例に係る撮像装置１ａにおける実装を説明するための平面図である。
【図4】比較例に係る撮像装置１ａにおける実装を説明するための断面図である。
【図5】比較例に係る撮像装置１ａにおける遮光樹脂３００のクラック及び剥離を説明するための説明図である。
【図6】本開示の実施形態に係る撮像装置１における実装を説明するための平面図である。
【図7】本開示の実施形態に係る撮像装置１における実装を説明するための断面図である。
【図8】本開示の実施形態に係る撮像装置１の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に、添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、本明細書及び図面において、実質的に同一又は類似の機能構成を有する複数の構成要素を、同一の符号の後に異なるアルファベットを付して区別する場合がある。ただし、実質的に同一又は類似の機能構成を有する複数の構成要素の各々を特に区別する必要がない場合、同一符号のみを付する。
【0010】
また、以下の説明で参照される図面は、本開示の一実施形態の説明とその理解を促すための図面であり、わかりやすくするために、図中に示される形状や寸法、比などは実際と異なる場合がある。さらに、図中に示される装置は、以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
【0011】
以下の説明における具体的な長さについての記載は、数学的に定義される数値と同一の値だけを意味するものではない。詳細には、以下の説明における具体的な長さについての記載は、撮像装置及びその製造工程、その使用・動作において許容される程度の違い（誤差・ひずみ）がある場合をも含むものとする。
【0012】
また、以下の説明において「電気的に接続する」とは、複数の要素の間を、直接的に、もしくは、他の要素を介して間接的に接続することを意味する。
【0013】
なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．本開示の実施形態を創作するに至る背景
１．１ 撮像装置の機能的構成例
１．２ 画素の回路構成例
１．３ 実装例
１．４ 背景
２． 実施形態
２．１ 詳細構成
２．２ 実施例
２．３ 製造方法
３． まとめ
４． 応用例
５． 補足
１．本開示の実施形態を創作するに至る背景
１．１ 撮像装置の機能的構成例
１．２ 画素の回路構成例
１．３ 実装例
１．４ 背景
２． 実施形態
２．１ 詳細構成
２．２ 実施例
２．３ 製造方法
３． まとめ
４． 応用例
５． 補足
【0014】
＜＜１． 本開示の実施形態を創作するに至る背景＞＞
＜１．１ 撮像装置の機能的構成例＞
まずは、本開示の実施形態を説明する前に、本発明者が本開示の実施形態を創作するに至る背景について説明する。最初に、本開示の技術を適用することができる撮像装置（固体撮像装置）の概要構成について順次説明する。
＜１．１ 撮像装置の機能的構成例＞
まずは、本開示の実施形態を説明する前に、本発明者が本開示の実施形態を創作するに至る背景について説明する。最初に、本開示の技術を適用することができる撮像装置（固体撮像装置）の概要構成について順次説明する。
【0015】
まず、図１を参照して、本開示の技術が適用可能な撮像装置１の機能構成の概要について説明する。ここでは、撮像装置１として、Ｘ－Ｙアドレス方式の撮像装置の一種であるＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサを例に挙げて説明する。ＣＭＯＳイメージセンサは、ＣＭＯＳプロセスを応用して、又は、部分的に使用して作製されたイメージセンサである。図１は、本開示の各実施形態に適用可能な撮像装置の一例であるＣＭＯＳイメージセンサ（撮像装置１）の基本的な構成の概略を示すブロック図である。
【0016】
図１に示す撮像装置１は、光電変換部を含む画素（セル）２が行方向及び列方向に、すなわち、行列状の配列で２次元配置されてなる画素アレイ部（セルアレイ）１１と、当該画素アレイ部１１の周辺回路部とを有する構成となっている。ここで、行方向とは、画素行の画素２の配列方向（水平方向）をいい、列方向とは、画素列の画素２の配列方向（垂直方向）をいう。画素２は、光電変換を行うことにより、受光した光量に応じた電荷を生成し、蓄積する。
【0017】
図１の例においては、画素アレイ部１１の周辺回路部として、例えば、行選択部１２、定電流源部１３、アナログ－デジタル変換部１４、水平転送走査部１５、信号処理部１６及びタイミング制御部１７等を挙げることができる。
【0018】
画素アレイ部１１においては、行列状の画素配列に対し、画素行毎に制御線３２１～３２ｎが行方向に沿って配線されている。また、画素列毎に垂直信号線３１１～３１ｍが列方向に沿って配線されている。なお、垂直信号線３１１～３１ｍを特に区別する必要が無い場合には、垂直信号線３１１～３１ｍを、適宜、垂直信号線３１として説明を行う。同様に、制御線３２１～３２ｎを特に区別する必要が無い場合には、制御線３２１～３２ｎを、適宜、制御線３２として説明を行う。
【0019】
制御線３２は、画素２から信号を読み出す際の駆動を行うための駆動信号を伝送する。図１においては、制御線３２は１本の配線として図示しているが、制御線３２は、１本に限定されず、複数本の配線を含むことができる。制御線３２の一端は、行選択部１２の各行に対応した出力端に接続されている。
【0020】
次に、画素アレイ部１１の周辺回路部の各回路部分、すなわち、行選択部１２、定電流源部１３、アナログ－デジタル変換部１４、水平転送走査部１５、信号処理部１６及びタイミング制御部１７について説明する。
【0021】
行選択部１２は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部１１に含まれる各画素２の選択に際して、画素行の走査や画素行のアドレスを制御する。当該行選択部１２については、その具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の２つの走査系を有する構成となっている。
【0022】
読出し走査系は、画素２から画素信号を読み出すために、画素アレイ部１１の画素２を行単位で順に選択走査する。画素２から読み出される画素信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して掃出し走査を行う。
【0023】
この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の画素２の光電変換部から不要な電荷が掃き出されることによって当該光電変換部がリセットされる。そして、この掃出し走査系に不要電荷を掃き出す（リセットする）ことにより、いわゆる電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換部の電荷を捨てて、新たに露光を開始する（電荷の蓄積を開始する）動作のことをいう。
【0024】
定電流源部１３は、画素列毎に垂直信号線３１１～３１ｍの各々に接続された、例えばＭＯＳ(Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)トランジスタからなる複数の電流源Ｉを備えている。定電流源部１３は、行選択部１２によって選択走査された画素行の各画素２に対し、垂直信号線３１１～３１ｍの各々を通してバイアス電流を供給する。
【0025】
アナログ－デジタル変換部１４は、画素アレイ部１１の画素列に対応して設けられた、例えば、画素列毎に設けられた複数のアナログ－デジタル変換器を含む。アナログ－デジタル変換部１４は、画素列毎に垂直信号線３１１～３１ｍの各々を通して出力されるアナログ方式の信号である画素信号を、Ｎビットのデジタル方式の信号に変換する、列並列型のアナログ－デジタル変換部である。以下、アナログ－デジタル変換部１４を、列並列アナログ－デジタル変換部１４と呼ぶ。
【0026】
列並列アナログ－デジタル変換部１４が含むアナログ－デジタル変換器としては、例えば、参照信号比較型のアナログ－デジタル変換器の一例であるシングルスロープ型アナログ－デジタル変換器を用いることができる。なお、本開示においては、このような例に限定されるものではなく、列並列アナログ－デジタル変換部１４が含むアナログ－デジタル変換器として、逐次比較型アナログ－デジタル変換器やデルタ－シグマ変調型（ΔΣ変調型）アナログ－デジタル変換器等を用いることができる。
【0027】
水平転送走査部１５は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素アレイ部１１の各画素２の信号の読出しに際して、画素列の走査や画素列のアドレスを制御する。この水平転送走査部１５による制御の下に、列並列アナログ－デジタル変換部１４でデジタル方式の信号に変換された画素信号は、画素列単位で、２Ｎビット幅の水平転送線１８に読み出されることとなる。
【0028】
信号処理部１６は、水平転送線１８を通して供給されるデジタル方式の画素信号に対して所定の信号処理を行い、２次元の画像データを生成する。例えば、信号処理部１６は、供給された画素信号に対して、縦線欠陥、点欠陥の補正、信号のクランプといった各信号処理を施すことができる。また、信号処理部１６は、供給された画素信号に対して、パラレル－シリアル変換、圧縮、符号化、加算、平均、間欠動作など信号処理を施すことができる。信号処理部１６は、生成した画像データを、撮像装置１の出力信号として後段の装置に出力する。
【0029】
タイミング制御部１７は、各種のタイミング信号、クロック信号及び制御信号等を生成し、これら生成した信号に基づき、行選択部１２、定電流源部１３、列並列アナログ－デジタル変換部１４、水平転送走査部１５及び信号処理部１６等の駆動制御を行う。
【0030】
＜１．２ 画素の回路構成例＞
次に、図２を参照して、画素２の回路構成例について説明する。図２は、本開示の各実施形態に適用可能な画素２の回路構成の一例を示す回路図である。画素２は、光電変換部として、例えば、フォトダイオード（撮像素子）２１を有している。画素２は、フォトダイオード２１に加えて、転送トランジスタ２２、リセットトランジスタ２３、増幅トランジスタ２４及び選択トランジスタ２５を有する構成となっている。なお、これらのトランジスタを、フォトダイオード（撮像素子）２１を駆動する画素トランジスタとも称する。
次に、図２を参照して、画素２の回路構成例について説明する。図２は、本開示の各実施形態に適用可能な画素２の回路構成の一例を示す回路図である。画素２は、光電変換部として、例えば、フォトダイオード（撮像素子）２１を有している。画素２は、フォトダイオード２１に加えて、転送トランジスタ２２、リセットトランジスタ２３、増幅トランジスタ２４及び選択トランジスタ２５を有する構成となっている。なお、これらのトランジスタを、フォトダイオード（撮像素子）２１を駆動する画素トランジスタとも称する。
【0031】
図２の例では、転送トランジスタ２２、リセットトランジスタ２３、増幅トランジスタ２４および選択トランジスタ２５の４つのトランジスタは、例えばＮチャネルのＭＯＳ型電界効果トランジスタ(Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ)から形成されている。以下、ＮチャネルのＭＯＳ型電界効果トランジスタを、ＮＭＯＳトランジスタと呼ぶ。画素２をＮＭＯＳトランジスタのみで構成することで、面積効率や工程削減視点の最適化を図ることができる。なお、図２に示した転送トランジスタ２２、リセットトランジスタ２３、増幅トランジスタ２４及び選択トランジスタ２５の導電型の組み合わせについては、一例に過ぎず、これらの組み合わせについては限定されるものではない。
【0032】
当該画素２に対して、上述した制御線３２として、複数の制御線が同一画素行の各画素２に対して共通に配線されている。これら複数の制御線は、行選択部１２の各画素行に対応した出力端に画素行単位で接続されている。行選択部１２は、複数の制御線に対して転送信号ＴＲＧ、リセット信号ＲＳＴ及び選択信号ＳＥＬを適宜出力する。
【0033】
フォトダイオード２１は、アノード電極が低電位側電源（例えば、接地電位）に接続されており、受光した光をその光量に応じた電荷量の電荷（ここでは、光電子）に光電変換して、当該電荷を蓄積する。フォトダイオード２１のカソード電極は、転送トランジスタ２２を介して増幅トランジスタ２４のゲート電極と電気的に接続されている。ここで、増幅トランジスタ２４のゲート電極が電気的に接続する領域は、浮遊拡散領域ＦＤである。浮遊拡散領域ＦＤは、電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部である。
【0034】
転送トランジスタ２２のゲート電極には、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベル（例えば、ＶＤＤレベル）がアクティブとなる転送信号ＴＲＧが行選択部１２から供給される。転送トランジスタ２２は、転送信号ＴＲＧに応答して導通状態となることで、フォトダイオード２１で光電変換され、当該フォトダイオード２１に蓄積された電荷を浮遊拡散領域ＦＤに転送する。
【0035】
リセットトランジスタ２３は、高電位側電源電圧を供給する電源ＶＤＤのノードと浮遊拡散領域ＦＤとの間に接続されている。リセットトランジスタ２３のゲート電極には、ハイレベルがアクティブとなるリセット信号ＲＳＴが行選択部１２から供給される。リセットトランジスタ２３は、リセット信号ＲＳＴに応答して導通状態となり、浮遊拡散領域ＦＤの電荷を電源ＶＤＤのノードに捨てることによって浮遊拡散領域ＦＤをリセットする。
【0036】
増幅トランジスタ２４の、ゲート電極は浮遊拡散領域ＦＤに、ドレイン電極は電源ＶＤＤのノードにそれぞれ接続されている。増幅トランジスタ２４は、フォトダイオード２１での光電変換によって得られる信号を読み出すソースフォロワの入力部となる。すなわち、増幅トランジスタ２４のソース電極は、選択トランジスタ２５を介して垂直信号線３１に接続される。そして、増幅トランジスタ２４と、垂直信号線３１の一端に接続される電流源Ｉとは、浮遊拡散領域ＦＤの電圧を垂直信号線３１の電圧に変換するソースフォロワを構成している。
【0037】
選択トランジスタ２５の、ドレイン電極は増幅トランジスタ２４のソース電極に接続され、ソース電極は垂直信号線３１に接続されている。選択トランジスタ２５のゲート電極には、ハイレベルがアクティブとなる選択信号ＳＥＬが行選択部１２から供給される。選択トランジスタ２５は、選択信号ＳＥＬに応答して導通状態となることで、画素２を選択状態として増幅トランジスタ２４から出力される信号を垂直信号線３１に伝達する。
【0038】
なお、選択トランジスタ２５については、電源ＶＤＤのノードと増幅トランジスタ２４のドレイン電極との間に接続する回路構成を適用することもできる。また、図２の例では、画素２の画素回路として、転送トランジスタ２２、リセットトランジスタ２３、増幅トランジスタ２４及び選択トランジスタ２５からなる、すなわち４つのトランジスタ（Ｔｒ）からなる４Ｔｒ構成を例に挙げたが、これに限られるものではない。画素２の回路構成については、例えば、選択トランジスタ２５を省略し、増幅トランジスタ２４に選択トランジスタ２５の機能を持たせる３Ｔｒ構成とすることもできるし、必要に応じて、トランジスタの数を増やした５Ｔｒ以上の構成とすることもできる。
【0039】
＜１．３ 実装例＞
次に、図３及び図４を参照して、比較例に係る撮像装置１ａの実装について説明する。図３は、比較例に係る撮像装置１ａにおける実装を説明するための平面図である。また、図４は、比較例に係る撮像装置１ａにおける実装を説明するための断面図であり、詳細には、図３に示すＡ－Ａ´線で撮像装置１ａを切断した断面を示す。なお、本明細書においては、本発明者が本開示の実施形態をなす前に検討を重ねていた撮像装置を比較例に係る撮像装置１ａと称する。
次に、図３及び図４を参照して、比較例に係る撮像装置１ａの実装について説明する。図３は、比較例に係る撮像装置１ａにおける実装を説明するための平面図である。また、図４は、比較例に係る撮像装置１ａにおける実装を説明するための断面図であり、詳細には、図３に示すＡ－Ａ´線で撮像装置１ａを切断した断面を示す。なお、本明細書においては、本発明者が本開示の実施形態をなす前に検討を重ねていた撮像装置を比較例に係る撮像装置１ａと称する。
【0040】
比較例に係る撮像装置１ａにおいては、図３に示すように、基板２００は、基板１００上に接続端子であるバンプ２２０（図４ 参照）を介してフリップチップ接合されることにより、実装される。基板２００は、例えば、シリコンチップ等の半導体チップであり、基板１００は、シリコンウェハ等の半導体ウェハである。なお、本明細書においては、半導体チップとは、半導体ウェハを切り出して得られるチップのことを意味するものとする。詳細には、基板１００は、例えば、入射光の光量に応じた画素信号を生成して出力するイメージセンサを搭載するセンサ基板であり、具体的には、図３に示すように、上述した画素アレイ部１１０が設けられている。また、基板２００は、例えば、画像信号を用いた所定の信号処理を行うロジック回路を搭載したロジックチップであり、具体的には、上述した信号処理部１６等（図３では図示を省略）が設けられている。
【0041】
図３に示されるように、基板１００の外周部には、各辺に沿って複数の電極パッド１２０が列状に配置されている。電極パッド１２０は、検査工程におけるプローブの接点やワイヤーボンディングに利用することができる。基板１００の外周部の各電極パッド１２０よりも内側には、受光した光量に応じた光電荷を生成及び蓄積する光電変換部を有する画素２が行列状に２次元配置された画素アレイ部１１０が形成されている。さらに、基板１００の外周部の各電極パッド１２０よりも内側の、画素アレイ部１１０とは別の平面領域には、基板２００がフリップチップ実装（フリップチップ接合）されている。
【0042】
さらに、図４に示すように、基板１００と、基板２００とが対向して配置され、基板２００は、基板１００の上面上にバンプ２２０を介して電気的及び物理的に接続されている。また、図４に示されるように、基板１００と基板２００との間の隣り合うバンプ２２０の隙間には、バンプ２２０を保護するアンダーフィル樹脂４００が注入されている。
【0043】
さらに、基板２００の上面は、図４に示されるように、遮光テープ２１０で覆われていてもよい。当該遮光テープ２１０は、例えば、赤外光（ＩＲ）を透過する樹脂材料からなり、基板２００の上面に貼り付けられる。
【0044】
【0045】
ここで、基板２００の画素アレイ部１１０側の側面に遮光樹脂３００ａが設けられていない場合を検討する。この場合、図３の矢印で示すように、基板２００の画素アレイ部１１０の側面で、撮像装置１ａの外部から入射する光が反射され、光強度の強い１次反射光が、基板１００の画素アレイ部１１へ入射されることがある。このような場合、上記反射光により、画素アレイ部１１で取得した撮像に意図せずフレアが発生する。従って、比較例においては、このようなフレアの発生を抑制するために、基板２００の画素アレイ部１１０側の側面を遮光樹脂３００ａで覆うことにより、当該側面での反射を抑制している。
【0046】
【0047】
＜１．４ 背景＞
次に、図５を参照して、本発明者が本開示の実施形態を創作するに至る背景について説明する。図５は、比較例に係る撮像装置１ａにおける遮光樹脂３００のクラック及び剥離を説明するための説明図であり、詳細には、図５の左側には、図３に示す領域Ｂの拡大図を示し、図５の右側には、左側に示す図の拡大断面を示す。
次に、図５を参照して、本発明者が本開示の実施形態を創作するに至る背景について説明する。図５は、比較例に係る撮像装置１ａにおける遮光樹脂３００のクラック及び剥離を説明するための説明図であり、詳細には、図５の左側には、図３に示す領域Ｂの拡大図を示し、図５の右側には、左側に示す図の拡大断面を示す。
【0048】
先に説明したように、比較例に係る撮像装置１ａにおいては、反射光により撮像にフレアが発生することを抑制するために、画素アレイ部１１０と対向する側面の全体を覆うように遮光樹脂３００ａが設けられている。しかしながら、本発明者が、比較例に係る撮像装置１ａに対して、実装や使用過程で想定される熱ストレスに対する耐性を確認するために、温度サイクル試験を行ったところ、遮光樹脂３００ａにクラックや樹脂剥がれが生じる可能性があることが分かった。
【0049】
詳細には、図５の左側に示すように、上述した比較例に係る撮像装置１ａに熱を印加すると、基板１００、２００に変形が生じる。この際、遮光樹脂３００ａと基板１００、２００とは、熱膨張係数に差があることから、遮光樹脂３００ａ内に熱応力（図５の左側の図中の矢印）が発生し、熱応力によりクラック５００が発生すると推定される。特に、遮光樹脂３００内の応力が集中しやすい基板２００の角部近傍にクラック５００が発生しやすいと推定される。さらに、図５の右側に示すように、遮光樹脂３００内には収縮変形（図５の右側の図中の矢印）が発生することから、当該収縮変形の力に、遮光樹脂３００ａと基板１００、２００との間の密着力が負けて、遮光樹脂３００ａにおいて、基板１００、２００からの剥離６００を生じると推定される。
【0050】
そこで、本発明者は、このような状況を鑑みて、遮光樹脂３００ａにおけるクラック５００や剥離６００の発生を抑制するために、遮光樹脂３００の塗布する範囲について、鋭意検討を行い、本開示の実施形態を創作するに至った。以下、このような本発明者が創作した本開示の実施形態の詳細を順次説明する。
【0051】
＜＜２． 実施形態＞＞
＜２．１ 詳細構成＞
まずは、図６及び図７を参照して、本発明者が創作した本開示の実施形態に係る撮像装置１について説明する。図６は、本実施形態に係る撮像装置１における実装を説明するための平面図である。また、図７は、本実施形態に係る撮像装置１における実装を説明するための断面図であり、詳細には、図６に示すＣ－Ｃ´線で撮像装置１を切断した断面を示す。
＜２．１ 詳細構成＞
まずは、図６及び図７を参照して、本発明者が創作した本開示の実施形態に係る撮像装置１について説明する。図６は、本実施形態に係る撮像装置１における実装を説明するための平面図である。また、図７は、本実施形態に係る撮像装置１における実装を説明するための断面図であり、詳細には、図６に示すＣ－Ｃ´線で撮像装置１を切断した断面を示す。
【0052】
図６に示すように、本実施形態に係る撮像装置１においては、矩形状の基板（第２の基板）２００は、基板（第１の基板）１００上に接続端子であるバンプ２２０（図７ 参照）を介してフリップチップ接合されることにより、実装される。本実施形態においても、比較例と同様に、基板２００は、例えば、シリコンチップ（シリコン基板）等の半導体チップであり、基板１００は、シリコンウェハ等の半導体ウェハである。
【0053】
なお、以下の説明においては、ウェハとチップとを貼り合わせる方式(ＣＯＷ)に適用した例を説明するが、本実施形態は、これに限定されるものではなく、チップとチップとを貼り合わせる方式(ＣＯＣ)や、ウェハとウェハとチップとを貼り合わせる方式(ＣＯＷｏＷ)や、ウェハとチップとチップとを貼り合わせる方式(ＣＯＣｏＷ)等に適用することもできる。すなわち、本実施形態においては、基板１００は、半導体ウェハであることに限定されるものではなく、半導体チップ、半導体ウェハの積層体（積層構造）、又は、半導体チップの積層体であってもよい。さらに、基板２００は、半導体チップであることに限定されるものではなく、半導体ウェハ、半導体ウェハの積層体、又は、半導体チップの積層体であってもよい。
【0054】
詳細には、基板１００には、図６に示すように、上述した画素アレイ部１１０が設けられており、言い換えると、基板１００は、イメージセンサを搭載するセンサ基板である。なお、本実施形態においては、基板１００に搭載されるイメージセンサは、裏面照射型イメージセンサであってもよく、表面照射型イメージセンサであってもよく、特に限定されるものではない。なお、以下の説明においては、画素アレイ部１１０が設けられ、且つ、基板２００が積層される、すなわち、基板２００と向かい合う、基板１００の面を上面と称する。
【0055】
また、基板２００は、例えば、画像信号を用いた所定の信号処理を行うロジック回路を搭載したロジックチップであり、具体的には、上述した信号処理部１６等（図示省略）が設けられている。なお、本実施形態においては、基板２００は、ロジック回路を搭載することに限定されるものではなく、上述の画素トランジスタを含んでいてもよく、もしくは、画像信号を格納するメモリを含んでいてもよい。なお、以下の説明においては、基板２００の、基板１００と向かい合う面と反対側に位置する面であって、且つ、後述する遮光樹脂３００が塗布される面を、基板２００の上面と称する。
【0056】
本実施形態においても、比較例と同様に、図６に示されるように、基板１００の外周部には、各辺に沿って複数の電極パッド１２０が列状に配置されている。電極パッド１２０は、検査工程におけるプローブの接点やワイヤーボンディングに利用することができる。また、本実施形態においても、基板１００の外周部の各電極パッド１２０よりも内側には、画素２が行列状に２次元配置された画素アレイ部１１０が形成されている。さらに、基板１００の外周部の各電極パッド１２０よりも内側の、画素アレイ部１１０とは別の平面領域には、基板２００がフリップチップ実装（フリップチップ接合）されている。言い換えると、基板２００は、画素アレイ部１１と隣り合うように、基板１００の上面上にフリップチップ実装（フリップチップ接合）されている。
【0057】
また、基板１００の上面においては、当該の上面での光の反射を防止するために、画素アレイ部１１以外の領域を、図示しない有機層で覆っていてもよい。
【0058】
さらに、本実施形態においても、比較例と同様に、図７に示すように、基板１００と、基板２００とが対向して配置され、基板２００は、基板１００上にバンプ２２０を介して電気的及び物理的に接続されている。バンプ２２０の材料としては、ハンダ、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。しかしながら、バンプ２２０の材料としては、下方に位置する基板１００に設けられている配線層やトランジスタへのダメージの低減のために、本実施形態においては、リフローすることで低荷重でフリップチップ接続が可能なハンダを用いることが好ましい。また、図７に示されるように、基板１００と基板２００との間のバンプ２２０の隙間には、バンプ２２０を保護するアンダーフィル樹脂４００が注入されている。アンダーフィル樹脂４００は、例えばエポキシ樹脂等からなり、熱膨張係数を調整するためにフィラー（充填剤）が分散されていることが好ましい。
【0059】
さらに、基板２００の上面（表面）は、図７に示されるように、遮光テープ２１０で覆われていてもよい。当該遮光テープ２１０は、赤外光（ＩＲ）を透過する樹脂材料からなり、基板２００の上面に貼り付けられる。遮光テープ２１０は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル酸エステル共重合体、シリカ（酸化シリコン）、カーボンブラック等の材料かなる。また、遮光テープ２１０は、フィラー（充填剤）の充填率を調整することで、加熱時、常温時の熱膨張率を調整することができることから、遮光テープ２１０の熱膨張率を、基板２００の熱膨張率と近くするように調整することが可能である。従って、遮光テープ２１０を貼り付けて硬化させたときに基板２００が反らないようにすることができ、その結果、基板２００の反りを抑制し、フリップチップ接合を容易にすることができる。なお、本実施形態においては、例えば後述する遮光樹脂３００で基板２００の上面全体が覆われている場合等には、基板２００の上面に遮光テープ２１０を貼り付けていなくてもよい。
【0060】
【0061】
遮光樹脂３００の材料としては、上述の遮光テープ２１０と同様に、例えば、エポキシ樹脂、シリカ（酸化シリコン）、カーボンブラック等の材料を用いることができるが、遮光テープ２１０とは異なる材料が用いられることが好ましい。遮光樹脂３００は、例えばシリカ材料のサイズを分散させることで表面の凹凸を多くして光を分散させ、且つ、カーボンブラックのような着色剤を入れることで反射率を低減させている。本実施形態においては、遮光テープ２１０の材料と、遮光樹脂３００の材料とは、反射率を低減させる機能を持つ材料という点では共通する。しかしながら、遮光テープ２１０と遮光樹脂３００とを異なる材料にすることで、フレアの抑制、画質の向上、接合歩留まり向上等、遮光テープ２１０及び遮光樹脂３００の各々に要求される機能に応じた材料選定を行うことが可能となることから、遮光樹脂３００としては、遮光テープ２１０とは異なる材料が用いられることが好ましい。
【0062】
遮光樹脂３００は、図６及び図７からわかるように、比較例と同様に、基板２００の矩形の４辺のうち、画素アレイ部１１０と対向する辺（第１の辺）２０１に沿って延伸する側面の全体を覆っている。また、遮光樹脂３００は、当該辺２０１を挟み込む一対の辺（一対の第２の辺）２０２ａ、２０２ｂに沿って延伸する側面の、画素アレイ部１１側の領域を覆っている。さらに、遮光樹脂３００は、基板２００の上面のうちの、画素アレイ部１１０側の領域と、辺２０１を挟み込む一対の角部とを覆っている。加えて、本実施形態においては、遮光樹脂３００は、基板２００の周囲に位置する基板１００の上面（表面）の一部も覆っている。
【0063】
なお、本実施形態においては、遮光樹脂３００は、基板２００の矩形の４辺の側面の全体を覆っていてもよく、さらに、基板２００の上面の全体を覆っていてもよい。しかしながら、例えば、電極パッド１２０に対してワイヤーボンディングを行う際にボンディングの妨げとならないように、基板１００上における基板２００の位置と、電極パッド１２０の位置との間の相対的な位置関係に応じて定められる基板２００の表面（上面）の一部の領域は、遮光樹脂３００に覆われていないことが好ましい。また、遮光樹脂３００が基板２００の上面の全体を覆わないようにすることで、遮光樹脂３００の使用量及び遮光樹脂３００の塗布工程に係る時間を少なくすることができる。
【0064】
さらに、本実施形態においては、遮光樹脂３００が少なくとも覆うべき基板２００、１００の領域を以下のように規定する。なお、以下に説明する、領域５１、５２、５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００が覆うべき領域は、本実施形態における遮光樹脂３００が覆うべき（塗布すべき）最小の領域のことである。従って、本実施形態においては、遮光樹脂３００は、当該領域よりも広い領域を覆っていてもよい。
【0065】
詳細には、遮光樹脂３００が覆うべき基板２００の上面（表面）の領域（第１の領域）５１は、画素アレイ部１１側に位置する。具体的には、当該領域５１は、基板２００の画素アレイ部１１と対向する辺２０１と、当該辺を挟み込む一対の辺２０２ａ、２０２ｂと、辺２０１から所定の距離（第１の距離）ｃだけ離れ、且つ、辺２０１に対して平行に延伸する仮想境界線（第１の仮想境界線）６１とに囲まれた領域である。さらに、本実施形態においては、所定の距離ｃは、基板２００の画素アレイ部１１と対向する辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さを持ち、辺２０１の長さａの０．８５％以上であることが好ましい。
【0066】
また、遮光樹脂３００が覆うべき基板１００の上面（表面）の領域は、基板２００の周囲に位置し、詳細には、基板２００と画素アレイ部１１とに挟まれた領域（第２の領域）５２と、基板２００と電極パッド１２０とに挟まれた２つの領域（第３の領域）５３ａ、５３ｂとからなる。
【0067】
具体的には、領域５２は、辺２０１と、一対の辺２０２ａ、２０２ｂを延長した一対の延長線２０３ａ、２０３ｂと、辺２０１から所定の距離（第２の距離）ｅだけ基板２００から離れ、且つ、辺２０１に対して平行に延伸する仮想境界線（第２の仮想境界線）６２とに囲まれた領域である。さらに、本実施形態においては、所定の距離ｅは、基板２００の画素アレイ部１１と対向する辺２０１を挟みこむ一対の辺２０２ａ、２０２ｂの長さｂの１７％以上の長さを持つ。
【0068】
また、具体的には、領域５３ａ、５３ｂは、仮想境界線６２と、辺２０２ａ、２０２ｂ及びその延長線２０３ａ、２０３ｂと、辺２０２ａ、２０２ｂ及びその延長線２０３ａ、２０３ｂから所定の距離（第３の距離）ｄだけ基板２００から離れ、且つ、辺２０２ａ、２０２ｂに対して平行に延伸する仮想境界線（第３の仮想境界線）６３ａ、６３ｂとに囲まれた領域である。さらに、本実施形態においては、所定の距離ｄは、１００μｍ以上の長さを持つ。
【0069】
なお、以下の説明においては、所定の距離（第１の距離）ｃは、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃ（図６中の上下方向に沿った、領域５１の幅）とも称し、所定の距離（第２の距離）ｅは、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅ（図６中の上下方向に沿った、領域５２の幅）とも称し、所定の距離（第３の距離）ｄは、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄ（図６中の左右方向に沿った、領域５３ａ、５３ｂの幅）とも称する。
【0070】
ここで、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃ（図６中の上下方向に沿った、領域５１の幅）と、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄ（図６中の左右方向に沿った、領域５３ａ、５３ｂの幅）とが狭い場合を検討する。この場合、熱を印加した際、遮光樹脂３００内の応力が集中しやすい基板２００の角部近傍にクラック５００が発生しやすくなると推定される。そこで、本実施形態においては、基板２００の角部近傍に集中していた応力を分散させるために、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃと、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄとを広くする。具体的には、本実施形態においては、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃを辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さとし、且つ、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄを１００μｍ以上の長さとする。その結果、本実施形態によれば、遮光樹脂３００のクラック５００が発生することを抑制することができる。
【0071】
また、ここで、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃ（図６中の上下方向に沿った、領域５１の幅）と、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅ（図６中の上下方向に沿った、領域５２の幅）とが狭い場合を検討する。このような場合に、熱を印加すると、遮光樹脂３００が収縮変形し、遮光樹脂３００の基板２００及び基板１００への接触面積が小さいことから、当該収縮変形の力に遮光樹脂３００ａと基板１００、２００との間の密着力が負けて、遮光樹脂３００が基板１００、２００から剥離すると推定される。そこで、本実施形態においては、遮光樹脂３００の基板１００、２００への密着力を十分に確保するために、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃと、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅとを広くする。具体的には、本実施形態においては、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃを辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さとし、且つ、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅを辺２０２ａ、２０２ｂの長さｂの１７％以上の長さとする。その結果、本実施形態によれば、遮光樹脂３００が剥離することを抑制することができる。
【0072】
すなわち、本実施形態においては、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃを辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さとし、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄを１００μｍ以上の長さとし、且つ、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅを辺２０２ａ、２０２ｂの長さｂの１７％以上の長さとすることで、遮光樹脂３００にクラックや剥がれが発生することを避けることができる。
【0073】
なお、本実施形態においては、基板１００上に積層される基板２００の数は、１つに限定されるものではなく、複数であってもよい。
【0074】
また、例えば、本実施形態に係る撮像装置１の斜視図である図８に示すように、基板２００よりも画素アレイ部１１が大きい場合、すなわち、基板２００の辺２０１が、矩形状の画素アレイ部１１の、基板２００と向かい合う辺（第３の辺）１０３よりも短い場合を検討する。この場合であっても、本実施形態においては、遮光樹脂３００が、辺２０２ａ、２０２ｂに沿って延伸する側面の、画素アレイ部１１側を少なくとも覆っていることから、当該側面で反射した反射光（図中の矢印で示す）が画素アレイ部１１に入射することを防ぐことができる。
【0075】
以上のように、本実施形態によれば、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃを辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さとし、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄを１００μｍ以上の長さとし、且つ、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅを辺２０２ａ、２０２ｂの長さｂの１７％以上の長さとすることで、遮光樹脂３００にクラックや剥がれが発生することを避けることができる。
【0076】
【0077】
＜２．２ 実施例＞
以下、表１を参照して、本開示の実施形態の効果を説明する。表１は、本開示の実施形態に対応する実施例及び比較例の条件及び結果を示す表である。なお、本開示の実施形態は下記実施例に制限されるものではない。
以下、表１を参照して、本開示の実施形態の効果を説明する。表１は、本開示の実施形態に対応する実施例及び比較例の条件及び結果を示す表である。なお、本開示の実施形態は下記実施例に制限されるものではない。
【0078】
詳細には、本発明者は、上述した本開示の実施形態の効果を検証するために、実装過程やその後の電子機器の製造過程や使用過程において撮像装置１にかかると想定される熱ストレスを再現するように温度サイクル試験を行い、本実施形態に係る撮像装置１（実施例）と比較例に係る撮像装置１ａ（比較例）とにおける剥離６００の発生の有無を比較した。以下の表１に、実施例及び比較例における、遮光樹脂３００の塗布幅ｃ、ｅ、ｄの条件、及び、剥離６００の発生の有無を示す。具体的には、温度サイクル試験は、以下のような条件の下で実施した。撮像装置（実施例及び比較例）に対する前処理として、吸湿リフローのストレスを印加し、その後、撮像装置（実施例及び比較例）に、－４５℃～１００℃の温度を３００サイクル印加した。さらに、顕微鏡（倍率２００倍以上）を用いて、撮像装置（実施例及び比較例）における、遮光樹脂３００、３００ａの剥離６００の有無を確認した。
【表1】
【0079】
表１からわかるように、比較例においては、遮光樹脂３００の剥離が生じていた。一方、実施例においては、遮光樹脂３００の剥離が生じていなかった。以上のことから、遮光樹脂３００の塗布する範囲について本実施形態に規定する範囲とすることで、遮光樹脂３００の剥離６００の発生を抑制することができることがわかった。
【0080】
＜２．３ 製造方法＞
以下に、撮像装置１の実装方法の一例について説明する。
以下に、撮像装置１の実装方法の一例について説明する。
【0081】
まず、基板１００に接合する前の基板１００の上面に、遮光テープ２１０を貼り付け、熱により硬化する。例えば、遮光テープ２１０は、赤外光を透過する材料の熱硬化樹脂で形成される。
【0082】
次に、基板１００の所定の電極部（図示省略）に基板２００のバンプ２２０の位置を合わせ、基板１００と基板２００とをバンプ２２０を介して接合する。この際、基板１００の上面に形成されたアライメントマークに基づいて、基板１００と基板２００との平面方向の位置合わせを行うこととなる。
【0083】
次に、基板１００と基板２００との間のバンプ２２０の隙間に、アンダーフィル樹脂４００を注入し、硬化する。アンダーフィル樹脂４００は、例えば、ＵＶ硬化樹脂や熱硬化樹脂等で形成される。
【0084】
次に、遮光樹脂３００を、基板２００の画素アレイ部１１側の側面、及び、基板２００、基板１００の上面の一部に塗布した後、硬化する。遮光樹脂３００も、ＵＶ硬化樹脂や熱硬化樹脂等で形成される。
【0085】
【0086】
＜＜３． まとめ＞＞
以上のように、本開示の実施形態においては、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃを辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さとし、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄを１００μｍ以上の長さとし、且つ、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅを辺２０２ａ、２０２ｂの長さｂの１７％以上の長さとすることで、遮光樹脂３００にクラックや剥がれが発生することを避けることができる。
以上のように、本開示の実施形態においては、領域５１で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｃを辺２０１の長さａの０．８０％以上の長さとし、領域５３ａ、５３ｂで定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｄを１００μｍ以上の長さとし、且つ、領域５２で定義される遮光樹脂３００の塗布幅ｅを辺２０２ａ、２０２ｂの長さｂの１７％以上の長さとすることで、遮光樹脂３００にクラックや剥がれが発生することを避けることができる。
【0087】
また、本開示の実施形態に係る撮像装置１に含まれる基板１００、２００は、一般的な半導体装置の製造に用いられる、方法、装置、及び条件を用いることで製造することが可能である。すなわち、本実施形態に係る撮像装置１は、既存の半導体装置の製造工程を用いて製造することが可能である。
【0088】
なお、上述の方法としては、例えば、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法及びＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を挙げることができる。ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、ＥＢ（電子ビーム）蒸着法、各種スパッタリング法（マグネトロンスパッタリング法、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）－ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）結合形バイアススパッタリング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法等）、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法）、レーザー転写法を挙げることができる。また、ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、有機金属（ＭＯ）ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を挙げることができる。さらに、他の方法としては、電解メッキ法や無電解メッキ法、スピンコート法；浸漬法；キャスト法；マイクロコンタクトプリント法；ドロップキャスト法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法といった各種印刷法；スタンプ法；スプレー法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法を挙げることができる。さらに、パターニング法としては、シャドーマスク、レーザー転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザー等による物理的エッチング等を挙げることができる。加えて、平坦化技術としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法、レーザー平坦化法、リフロー法等を挙げることができる。
【0089】
さらに、本開示の実施形態においては、基板１００が、イメージセンサを搭載したウェハである例について説明したが、このようなセンサを搭載したウェハに限定されるものではない。例えば、基板１００は、入射光の受光信号を生成するその他のセンサを搭載するウェハ、具体的には、ＴｏＦ（Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）方式を用いた測距センサを搭載したウェハや、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なセンサを搭載したウェハであってもよい。
【0090】
また、上述の本開示の実施形態として、撮像装置１に適用した例を説明したが、本開示の実施形態は、撮像装置１に適用することに限定されるものではない。本開示の実施形態は、例えば、半導体ウェハ又は半導体チップ上に別の半導体チップがフリップチップ接合され、且つ、積層されて別の半導体チップの外周部が樹脂で覆われているような半導体装置に適用することができる。このような半導体装置に本開示の実施形態を適用することにより、上記樹脂にクラック５００や剥離６００が発生することを抑制することができる。なお、このような場合、上記樹脂は遮光樹脂でなくてもよい。
【0091】
＜＜４． 応用例＞＞
次に、本開示の技術の適用例について説明する。本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像装置を用いる複写機等、電子機器全般に対して適用可能である。また、本開示の実施形態に係る撮像装置１は、光学系とまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。具体的には、例えば、以下のような電子機器を挙げることができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、ＴＶや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
次に、本開示の技術の適用例について説明する。本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像装置を用いる複写機等、電子機器全般に対して適用可能である。また、本開示の実施形態に係る撮像装置１は、光学系とまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。具体的には、例えば、以下のような電子機器を挙げることができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、ＴＶや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
【0092】
＜＜５． 補足＞＞
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【0093】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0094】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
複数の撮像素子からなる画素アレイ部を有する第１の基板と、
前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂と、
を備え、
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の前記画素アレイ部と向かい合う第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
撮像装置。
（２）
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の、前記第１の辺に沿って延伸する前記側面を覆う、上記（１）に記載の撮像装置。
（３）
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の、前記第２の辺に沿って延伸する前記側面の、前記画素アレイ部側の領域を覆う、上記（２）に記載の撮像装置。
（４）
遮光樹脂は、エポキシ樹脂、シリカ、カーボンブラックからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、上記（１）～（３）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（５）
前記第２の基板は、シリコン基板である、上記（１）～（４）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（６）
前記第２の基板の前記第１の辺は、矩形状の前記画素アレイ部の、前記第２の基板と向かい合う第３の辺よりも短い、上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（７）
前記第２の基板は、ロジック回路を含む、上記（１）～（６）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（８）
前記第２の基板は、前記撮像素子を駆動する画素トランジスタを含む、上記（１）～（７）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（９）
複数の前記第２の基板を備える、上記（１）～（８）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１０）
前記第２の基板は、複数の半導体チップの積層構造からなる、上記（１）～（９）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１１）
前記第２の基板の上面の一部は、前記遮光樹脂で覆われていない、上記（１）～（１０）のいずれか１つ記載の撮像装置。
（１２）
前記第２の基板の上面の全体は、前記遮光樹脂で覆われている、上記（１）～（１０）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１３）
前記第２の基板は、前記第１の基板に接続端子を介してフリップチップ接合されている、上記（１）～（１２）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１４）
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、前記接続端子を保護するアンダーフィル樹脂をさらに備える、上記（１３）に記載の撮像装置。
（１５）
第１の基板と、
前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う樹脂と、
を備え、
前記樹脂は、前記第２の基板の表面の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
半導体装置。
（１）
複数の撮像素子からなる画素アレイ部を有する第１の基板と、
前記画素アレイ部と隣り合うように前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う遮光樹脂と、
を備え、
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の表面の前記画素アレイ部側の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の前記画素アレイ部と向かい合う第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
撮像装置。
（２）
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の、前記第１の辺に沿って延伸する前記側面を覆う、上記（１）に記載の撮像装置。
（３）
前記遮光樹脂は、前記第２の基板の、前記第２の辺に沿って延伸する前記側面の、前記画素アレイ部側の領域を覆う、上記（２）に記載の撮像装置。
（４）
遮光樹脂は、エポキシ樹脂、シリカ、カーボンブラックからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、上記（１）～（３）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（５）
前記第２の基板は、シリコン基板である、上記（１）～（４）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（６）
前記第２の基板の前記第１の辺は、矩形状の前記画素アレイ部の、前記第２の基板と向かい合う第３の辺よりも短い、上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（７）
前記第２の基板は、ロジック回路を含む、上記（１）～（６）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（８）
前記第２の基板は、前記撮像素子を駆動する画素トランジスタを含む、上記（１）～（７）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（９）
複数の前記第２の基板を備える、上記（１）～（８）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１０）
前記第２の基板は、複数の半導体チップの積層構造からなる、上記（１）～（９）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１１）
前記第２の基板の上面の一部は、前記遮光樹脂で覆われていない、上記（１）～（１０）のいずれか１つ記載の撮像装置。
（１２）
前記第２の基板の上面の全体は、前記遮光樹脂で覆われている、上記（１）～（１０）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１３）
前記第２の基板は、前記第１の基板に接続端子を介してフリップチップ接合されている、上記（１）～（１２）のいずれか１つに記載の撮像装置。
（１４）
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、前記接続端子を保護するアンダーフィル樹脂をさらに備える、上記（１３）に記載の撮像装置。
（１５）
第１の基板と、
前記第１の基板上に積層される、矩形状の第２の基板と、
前記第２の基板の表面の少なくとも一部、前記第２の基板の周囲に位置する前記第１の基板の表面の少なくとも一部、及び、前記第２の基板の側面の少なくとも一部を覆う樹脂と、
を備え、
前記樹脂は、前記第２の基板の表面の第１の領域、及び、前記第１の基板の表面の前記第２の基板の周囲に位置する第２の領域及び２つの第３の領域を覆い、
前記第１の領域は、
前記第２の基板の第１の辺と、前記第２の基板の、前記第１の辺を挟み込む一対の第２の辺と、前記第１の辺から第１の距離だけ離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第１の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第２の領域は、
前記第１の辺と、前記一対の第２の辺を延長した一対の延長線と、前記第１の辺から第２の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第１の辺に対して平行に延伸する第２の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記各第３の領域は、
前記第１の仮想境界線と、前記第２の仮想境界線と、前記第２の辺及び前記延長線と、前記第２の辺及び前記延長線から第３の距離だけ前記第２の基板から離れ、且つ、前記第２の辺に対して平行に延伸する第３の仮想境界線とにより囲まれた領域であり、
前記第１の距離は、前記第１の辺の長さの０．８０％以上であり、
前記第２の距離は、前記第２の辺の長さの１７％以上であり、
前記第３の距離は、１００μｍ以上である、
半導体装置。
【符号の説明】
【0095】
１、１ａ 撮像装置
２ 画素
１１、１１０ 画素アレイ部
１２ 行選択部
１３ 定電流源部
１４ アナログ-デジタル変換部
１５ 水平転送走査部
１６ 信号処理部
１７ タイミング制御部
１８ 水平転送線
２１ フォトダイオード
２２ 転送トランジスタ
２３ リセットトランジスタ
２４ 増幅トランジスタ
２５ 選択トランジスタ
３１ 垂直信号線
３２ 制御線
５１、５２、５３ａ、５３ｂ 領域
６１、６２、６３ａ、６３ｂ 仮想境界線
１００、２００ 基板
１０３、２０１、２０２ａ、２０２ｂ 辺
１２０ 電極パッド
２０３ａ、２０３ｂ 延長線
２１０ 遮光テープ
２２０ バンプ
３００、３００ａ 遮光樹脂
４００ アンダーフィル樹脂
５００ クラック
６００ 剥離
２ 画素
１１、１１０ 画素アレイ部
１２ 行選択部
１３ 定電流源部
１４ アナログ-デジタル変換部
１５ 水平転送走査部
１６ 信号処理部
１７ タイミング制御部
１８ 水平転送線
２１ フォトダイオード
２２ 転送トランジスタ
２３ リセットトランジスタ
２４ 増幅トランジスタ
２５ 選択トランジスタ
３１ 垂直信号線
３２ 制御線
５１、５２、５３ａ、５３ｂ 領域
６１、６２、６３ａ、６３ｂ 仮想境界線
１００、２００ 基板
１０３、２０１、２０２ａ、２０２ｂ 辺
１２０ 電極パッド
２０３ａ、２０３ｂ 延長線
２１０ 遮光テープ
２２０ バンプ
３００、３００ａ 遮光樹脂
４００ アンダーフィル樹脂
５００ クラック
６００ 剥離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】