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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104398
(43)【公開日】2024-08-05
(54)【発明の名称】マルチプレクサ
(51)【国際特許分類】
H03H 9/72 20060101AFI20240729BHJP
H03H 9/145 20060101ALI20240729BHJP
H03H 9/70 20060101ALI20240729BHJP
H03H 9/17 20060101ALI20240729BHJP
H03H 9/54 20060101ALI20240729BHJP
【ＦＩ】
H03H9/72
H03H9/145 Z
H03H9/70
H03H9/17 F
H03H9/54 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023008582
(22)【出願日】2023-01-24
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】中橋 憲彦
【テーマコード（参考）】
5J097
5J108
【Ｆターム（参考）】
5J097AA01
5J097BB14
5J097BB15
5J097CC05
5J097DD07
5J097EE08
5J097FF05
5J097GG03
5J097KK09
5J097KK10
5J108AA07
5J108BB07
5J108BB08
5J108CC04
5J108CC11
5J108EE03
5J108EE04
5J108EE13
5J108JJ01
(57)【要約】
【課題】通過特性が改善されたマルチプレクサを提供する。
【解決手段】マルチプレクサ１は、共通端子１００、入出力端子１１０および１２０と、共通端子１００と入出力端子１１０との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ１０と、共通端子１００と入出力端子１２０との間に接続され、第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ２０と、第１端が共通端子１００に接続され、第２端が共通端子１００と入出力端子１１０とを結ぶ経路のうちの共通端子１００を除く経路に接続された付加回路３０と、を備え、付加回路３０は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ電極を有する共振器を含み、上記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が共通端子１００に接続されている。
【選択図】図１
【解決手段】マルチプレクサ１は、共通端子１００、入出力端子１１０および１２０と、共通端子１００と入出力端子１１０との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ１０と、共通端子１００と入出力端子１２０との間に接続され、第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ２０と、第１端が共通端子１００に接続され、第２端が共通端子１００と入出力端子１１０とを結ぶ経路のうちの共通端子１００を除く経路に接続された付加回路３０と、を備え、付加回路３０は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ電極を有する共振器を含み、上記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が共通端子１００に接続されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
共通端子、第１入出力端子および第２入出力端子と、
前記共通端子と前記第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、
前記共通端子と前記第２入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、
第１端が前記共通端子に接続され、第２端が前記共通端子と前記第１入出力端子とを結ぶ経路のうちの前記共通端子を除く経路に接続された付加回路と、を備え、
前記付加回路は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を有する共振器を含み、
前記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が前記共通端子に接続されている、
マルチプレクサ。
前記共通端子と前記第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、
前記共通端子と前記第２入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、
第１端が前記共通端子に接続され、第２端が前記共通端子と前記第１入出力端子とを結ぶ経路のうちの前記共通端子を除く経路に接続された付加回路と、を備え、
前記付加回路は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を有する共振器を含み、
前記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が前記共通端子に接続されている、
マルチプレクサ。
【請求項2】
前記共通端子に接続された前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値は、前記複数のＩＤＴ電極のうち前記共通端子に接続されたＩＤＴ電極を除くＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値よりも大きい、
請求項１に記載のマルチプレクサ。
請求項１に記載のマルチプレクサ。
【請求項3】
前記付加回路の挿入損失が極小となる周波数において、前記第１端から前記付加回路を見た反射損失は、前記第２端から前記付加回路を見た反射損失よりも小さい、
請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項4】
前記付加回路の挿入損失が極小となる周波数は、前記第１周波数帯域の低周波端よりも低周波側に位置する、
請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項5】
前記第１周波数帯域は、アップリンク動作バンドであり、
前記第２周波数帯域は、ダウンリンク動作バンドである、
請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
前記第２周波数帯域は、ダウンリンク動作バンドである、
請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マルチプレクサに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、第１周波数帯域を通過帯域とする送信側フィルタ（第１フィルタ）および第２周波数帯域を通過帯域とする受信側フィルタ（第２フィルタ）を備えるマルチプレクサの回路構成が開示されている。第１フィルタの入出力端子には、複数のＩＤＴ電極からなる共振器を含む付加回路が接続されている。付加回路の接続により、第１フィルタの所定の周波数帯域における減衰特性を改善できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－７４５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載されたマルチプレクサにおいて、付加回路を構成する複数のＩＤＴ電極の設計パラメータにより、第２フィルタの通過特性が劣化するという問題がある。
【0005】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、通過特性が改善されたマルチプレクサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１入出力端子および第２入出力端子と、共通端子と第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、共通端子と第２入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、第１端が共通端子に接続され、第２端が共通端子と第１入出力端子とを結ぶ経路のうちの共通端子を除く経路に接続された付加回路と、を備え、付加回路は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を有する共振器を含み、当該複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が共通端子に接続されている。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、通過特性が改善されたマルチプレクサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施の形態に係るマルチプレクサおよびその周辺回路の回路構成図である。
【図2A】実施例に係る第１フィルタ回路の回路構成図である。
【図2B】実施例に係る第２フィルタ回路の回路構成図である。
【図3A】実施例に係る各フィルタおよび付加回路を構成する弾性波共振子の第１例を模式的に表す平面図および断面図である。
【図3B】実施例に係る各フィルタおよび付加回路を構成する弾性波共振子の第２例を模式的に表す断面図である。
【図3C】実施例に係る各フィルタを構成する弾性波共振子の第３例を模式的に表す断面図である。
【図4A】実施例に係る付加回路の通過特性を表すグラフである。
【図4B】ノードＮ１から実施例に係る付加回路を見た反射特性を表すグラフである。
【図4C】ノードＮ２から実施例に係る付加回路を見た反射特性を表すグラフである。
【図5A】実施例および比較例に係る第１フィルタ回路および付加回路の通過特性を表すグラフである。
【図5B】実施例および比較例に係る第２フィルタ回路の通過特性を表すグラフである。
【図5C】実施例および比較例に係る第１フィルタ回路および第２フィルタ回路のアイソレーション特性を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
【0010】
なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、または比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、および比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡素化される場合がある。
【0011】
本開示の回路構成において、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。
【0012】
また、本開示の部品配置において、「部品Ａが経路Ｂに直列配置される」とは、部品Ａの信号入力端および信号出力端の双方が、経路Ｂを構成する配線、電極、または端子に接続されていることを意味する。
【0013】
また、「平行」および「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、「矩形」などの要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。
【0014】
（実施の形態）
［１．マルチプレクサの回路構成］
図１は、実施の形態に係るマルチプレクサ１およびその周辺回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係るマルチプレクサ１と、アンテナ２と、インダクタ５とが示されている。
［１．マルチプレクサの回路構成］
図１は、実施の形態に係るマルチプレクサ１およびその周辺回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係るマルチプレクサ１と、アンテナ２と、インダクタ５とが示されている。
【0015】
マルチプレクサ１は、フィルタ１０と、フィルタ２０と、付加回路３０と、インダクタ３および４と、共通端子１００と、入出力端子１１０（第１入出力端子）および入出力端子１２０（第２入出力端子）と、を備える。
【0016】
フィルタ１０は、第１フィルタ回路の一例であり、共通端子１００と入出力端子１１０との間に接続されており、第１周波数帯域を含む通過帯域を有する。
【0017】
フィルタ２０は、第２フィルタ回路の一例であり、共通端子１００と入出力端子１２０との間に接続されており、第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有する。
【0018】
インダクタ３は、入出力端子１１０とグランドとの間に接続されたインピーダンス整合用素子である。インダクタ４は、入出力端子１２０とフィルタ２０とを結ぶ経路に直列配置されたインピーダンス整合用素子である。なお、インダクタ３は、入出力端子１１０とフィルタ１０とを結ぶ経路に直列配置されてもよい。また、インダクタ４は、入出力端子１２０とグランドとの間に接続されてもよい。また、インダクタ３および４は無くてもよい。
【0019】
付加回路３０は、入力端３０ａ（第２端）および出力端３０ｂ（第１端）を有し、出力端３０ｂがノードＮ１に接続され、入力端３０ａがノードＮ２に接続されている。ノードＮ１は、共通端子１００およびフィルタ１０を結ぶ経路上の接続点であり、ノードＮ２は、入出力端子１１０およびフィルタ１０を結ぶ経路上の接続点である。なお、付加回路３０の入力端３０ａは、共通端子１００と入出力端子１１０とを結ぶ経路のうちの共通端子１００を除く経路に接続されていてもよい。また、ノードＮ１とノードＮ２とは、異なる２つのノードである。異なる２つのノードとは、当該２つのノードがインピーダンス素子（インダクタ、キャパシタ、抵抗または共振子など）を介して接続されていることを意味する。
【0020】
付加回路３０は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ電極を有する共振器を含む。具体的には、付加回路３０は、縦結合共振器３１と、キャパシタ３２と、を備える。縦結合共振器３１は、弾性波共振子３１ａおよび３１ｂで構成され、一端（弾性波共振子３１ａ）がキャパシタ３２に接続され、他端（弾性波共振子３１ｂ）が入力端３０ａを介してノードＮ２に接続されている。キャパシタ３２は、弾性波共振子３１ａとノードＮ１との間に接続されている。
【0021】
弾性波共振子３１ａおよび３１ｂのそれぞれは、圧電性を有する基板と、当該基板上に形成されたＩＤＴ電極と、を有している。弾性波共振子３１ａのＩＤＴ電極は、互いに対向する２つの櫛形電極で構成されており、一方の櫛形電極はキャパシタ３２に接続され、他方の櫛形電極はグランドに接続されている。弾性波共振子３１ｂのＩＤＴ電極は、互いに対向する２つの櫛形電極で構成されており、一方の櫛形電極は入力端３０ａに接続され、他方の櫛形電極はグランドに接続されている。弾性波共振子３１ａのＩＤＴ電極と弾性波共振子３１ｂのＩＤＴ電極とは、弾性波伝搬方向に並置されている。
【0022】
なお、縦結合共振器３１は、弾性波伝搬方向の両端に、反射器が配置されていてもよい。
【0023】
また、付加回路３０は、弾性波共振子３１ａおよび３１ｂの代わりに、２以上のＩＤＴ電極間での表面波の伝搬を利用して信号を伝達するトランスバーサル型の弾性波共振子を有していてもよい。
【0024】
上記構成によれば、付加回路３０は、フィルタ１０を通過する第１周波数帯域よりも高周波側または低周波側における所定の周波数帯域の成分に対して、当該所定の周波数帯域の成分と略同振幅かつ略逆位相の成分を生成する。これにより、フィルタ１０における上記所定の周波数帯域における減衰特性を改善することが可能となる。
【0025】
ここで、付加回路３０が有する複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチ（波長λの１／２）が最も大きいＩＤＴ電極がノードＮ１（共通端子１００）に接続されている。
【0026】
これによれば、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数において、ノードＮ１（共通端子１００）から付加回路３０を見た反射損失は、ノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失よりも小さくなる。このため、フィルタ２０への並接損が抑制されるので、フィルタ２０の挿入損失の劣化を抑制できる。よって、フィルタ１０および２０の通過特性が改善されたマルチプレクサ１を提供することが可能となる。
【0027】
なお、縦結合共振器３１は、３つ以上の弾性波共振子が弾性波伝搬方向に並置されている構成を有していてもよい。
【0028】
また、キャパシタ３２は無くてもよく、弾性波共振子３１ａの一端がノードＮ１に直接接続されていてもよい。また、弾性波共振子３１ｂの一端とノードＮ２との間にキャパシタが接続されていてもよい。
【0029】
［２．実施例に係るマルチプレクサ１］
次に、実施例に係るマルチプレクサ１について説明する。実施例に係るマルチプレクサ１は、図１に示す構成と同様の構成を有し、フィルタ１０と、フィルタ２０と、付加回路３０と、インダクタ３および４と、共通端子１００と、入出力端子１１０および１２０と、を備える。
次に、実施例に係るマルチプレクサ１について説明する。実施例に係るマルチプレクサ１は、図１に示す構成と同様の構成を有し、フィルタ１０と、フィルタ２０と、付加回路３０と、インダクタ３および４と、共通端子１００と、入出力端子１１０および１２０と、を備える。
【0030】
実施例に係るマルチプレクサ１は、実施の形態に係るマルチプレクサ１に対して、フィルタ１０および２０の具体的な回路構成例が示されている。
【0031】
図２Ａは、実施例に係るフィルタ１０の回路構成図である。
【0032】
フィルタ１０は、第１フィルタ回路の一例であり、複数の弾性波共振子で構成されたラダー型の弾性波フィルタ回路であり、直列腕共振子１１、１２、１３および１４と、並列腕共振子１６、１７、１８および１９と、を備える。直列腕共振子１１～１４は、端子１１１と端子１１２とを結ぶ直列腕経路に配置されている。端子１１１は共通端子１００に接続され、端子１１２は入出力端子１１０に接続されている。並列腕共振子１６～１９のそれぞれは、上記直列腕経路とグランドとの間に接続されている。直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子１６～１９のそれぞれは、例えば、ＹカットのＬｉＮｂＯ３圧電基板と、当該圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された、レイリー波を利用した弾性表面波共振子である。
【0033】
上記構成により、フィルタ１０は、例えば、ＬＴＥ（Long Term Evolution）のためのバンドＢ７１または５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）のためのバンドｎ７１のアップリンク動作バンド（６６３－６９８ＭＨｚ）を通過帯域（第１周波数帯域）とする。
【0034】
本実施例では、付加回路３０の出力端３０ｂは、ノードＮ１に接続され、付加回路３０の入力端３０ａは、直列腕共振子１３と直列腕共振子１４との間のノードＮ２に接続されている。
【0035】
なお、本発明に係る第１フィルタ回路の回路構成は、図２Ａに示されたフィルタ１０の回路構成に限定されるものではない。
【0036】
図２Ｂは、実施例に係るフィルタ２０の回路構成図である。
【0037】
フィルタ２０は、第２フィルタ回路の一例であり、７個の弾性波共振子で構成された縦結合共振器２６を備える弾性波フィルタ回路であり、縦結合共振器２６と、直列腕共振子２１、２２および２３と、並列腕共振子２４および２５と、を備える。
【0038】
縦結合共振器２６は、弾性波共振子２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６および２５７で構成され、一端が直列腕共振子２１および２２を介して端子１２１に接続され、他端が直列腕共振子２３を介して端子１２２に接続されている。端子１２１は共通端子１００に接続され、端子１２２は入出力端子１２０に接続されている。
【0039】
弾性波共振子２５１～２５７のそれぞれは、圧電性を有する基板と、当該基板上に形成されたＩＤＴ電極と、を有している。弾性波共振子２５１～２５７のＩＤＴ電極は、互いに対向する２つの櫛形電極で構成されている。弾性波共振子２５１、２５３、２５５および２５７のそれぞれの一方の櫛形電極は直列腕共振子２１および２２を介して端子１２１に接続され、弾性波共振子２５１、２５３、２５５および２５７のそれぞれの他方の櫛形電極はグランドに接続されている。弾性波共振子２５２、２５４および２５６のそれぞれの一方の櫛形電極は直列腕共振子２３を介して端子１２２に接続され、弾性波共振子２５２、２５４および２５６のそれぞれの他方の櫛形電極はグランドに接続されている。弾性波共振子２５１～２５７は、弾性波共振子２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６および２５７の順で、弾性波伝搬方向に沿って配置されている。
【0040】
直列腕共振子２１、２２および２３は、端子１２１と１２２とを結ぶ直列腕経路に配置されている。並列腕共振子２４および２５のそれぞれは、上記直列腕経路とグランドとの間に接続されている。
【0041】
弾性波共振子２５１～２５７、直列腕共振子２１～２３および並列腕共振子２４～２５のそれぞれは、例えば、ＹカットのＬｉＮｂＯ３圧電基板と、当該圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された、レイリー波を利用した弾性表面波共振子である。
【0042】
上記構成により、フィルタ２０は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ７１または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のダウンリンク動作バンド（６１７－６５２ＭＨｚ）を通過帯域（第２周波数帯域）とする。
【0043】
なお、本発明に係る第２フィルタ回路の回路構成は、図２Ｂに示されたフィルタ２０の回路構成に限定されるものではない。
【0044】
なお、本実施例に係るマルチプレクサ１において、フィルタ１０の通過帯域はフィルタ２０の通過帯域よりも高周波側にあることが条件であるが、フィルタ１０および２０に適用されるバンドは、ＬＴＥのバンドＢ７１または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１には限定されない。
【0045】
また、フィルタ１０および２０が弾性表面波フィルタである場合、圧電性を有する基板はＹカットのＬｉＮｂＯ３圧電基板でありレイリー波を利用するものでなくてもよい。圧電性の基板は、例えばＬｉＴａＯ３圧電基板でありリーキー波を利用するものであってもよい。
【0046】
また、圧電性を有する基板は、高音速支持基板、低音速膜および圧電膜がこの順で積層された構造を有していてもよく、また、支持基板、エネルギー閉じ込め層および圧電膜がこの順で積層された構造を有していてもよい。
【0047】
また、本実施例において、フィルタ１０はラダー型の弾性表面波フィルタであることに限定されず、ラダー型以外の弾性表面波フィルタであってもよい。さらに、フィルタ１０は、インダクタおよびキャパシタを含んでもよい。また、フィルタ２０は、縦結合型の弾性表面波フィルタであることに限定されず、縦結合型以外の構造であってもよく、また、バルク弾性波フィルタであってもよい。さらに、フィルタ２０は、インダクタおよびキャパシタで構成されたＬＣフィルタであってもよい。
【0048】
また、付加回路３０の縦結合共振器３１を構成する弾性波共振子の数は３つ以上であってもよい。
【0049】
［３．弾性波フィルタの構造］
ここで、マルチプレクサ１を構成するフィルタ１０、２０および付加回路３０が有する弾性波共振子の構造について例示する。
ここで、マルチプレクサ１を構成するフィルタ１０、２０および付加回路３０が有する弾性波共振子の構造について例示する。
【0050】
図３Ａは、実施例に係るフィルタ１０、２０および付加回路３０の弾性波共振子の第１例を模式的に表す平面図および断面図である。同図には、フィルタ１０、２０および付加回路３０を構成する弾性波共振子の基本構造が例示されている。なお、図３Ａに示された弾性波共振子６０は、弾性波共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数および長さなどは、これに限定されない。
【0051】
弾性波共振子６０は、圧電性を有する基板５０と、櫛形電極６０ａおよび６０ｂとで構成されている。
【0052】
図３Ａの（ａ）に示すように、基板５０の上には、互いに対向する一対の櫛形電極６０ａおよび６０ｂが形成されている。櫛形電極６０ａは、互いに平行な複数の電極指６１ａと、複数の電極指６１ａを接続するバスバー電極６２ａとで構成されている。また、櫛形電極６０ｂは、互いに平行な複数の電極指６１ｂと、複数の電極指６１ｂを接続するバスバー電極６２ｂとで構成されている。複数の電極指６１ａおよび６１ｂは、弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）と直交する方向に沿って形成されている。
【0053】
また、複数の電極指６１ａおよび６１ｂ、ならびに、バスバー電極６２ａおよび６２ｂで構成されるＩＤＴ電極５４は、図３Ａの（ｂ）に示すように、密着層５４０と主電極層５４２との積層構造となっている。
【0054】
密着層５４０は、基板５０と主電極層５４２との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。主電極層５４２は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。保護層５５は、櫛形電極６０ａおよび６０ｂを覆うように形成されている。保護層５５は、主電極層５４２を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜である。
【0055】
なお、密着層５４０、主電極層５４２および保護層５５を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極５４は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極５４は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護層５５は、形成されていなくてもよい。
【0056】
次に、基板５０の積層構造について説明する。
【0057】
図３Ａの（ｃ）に示すように、基板５０は、高音速支持基板５１と、低音速膜５２と、圧電膜５３とを備え、高音速支持基板５１、低音速膜５２および圧電膜５３がこの順で積層された構造を有している。
【0058】
圧電膜５３は、例えばθ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からθ°回転した軸を法線とする面で切断したリチウムタンタレート単結晶、またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。なお、各フィルタの要求仕様により、圧電膜５３として使用される圧電単結晶の材料およびカット角θが適宜選択される。
【0059】
高音速支持基板５１は、低音速膜５２、圧電膜５３ならびにＩＤＴ電極５４を支持する基板である。高音速支持基板５１は、さらに、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、高音速支持基板５１中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電膜５３および低音速膜５２が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板５１より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板５１は、例えば、シリコン基板である。
【0060】
低音速膜５２は、圧電膜５３を伝搬するバルク波よりも、低音速膜５２中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜５３と高音速支持基板５１との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜５２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。
【0061】
なお、基板５０の上記積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性波共振子を構成し得るので、当該弾性波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
【0062】
なお、高音速支持基板５１は、支持基板と、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板には、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、および水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、およびフォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、シリコンおよび窒化ガリウム等の半導体、ならびに樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜には、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜、ダイヤモンド、これらの材料を主成分とする媒質、これらの材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
【0063】
また、図３Ｂは、実施例に係るフィルタ１０、２０および付加回路３０の弾性波共振子の第２例を模式的に表す断面図である。図３Ａに示した弾性波共振子６０では、ＩＤＴ電極５４が、圧電膜５３を有する基板５０上に形成された例を示したが、当該ＩＤＴ電極５４が形成される基板は、図３Ｂに示すように、圧電体層の単層からなる圧電単結晶基板５７であってもよい。圧電単結晶基板５７は、例えば、ＬｉＮｂＯ３の圧電単結晶で構成されている。本例に係る弾性波共振子は、ＬｉＮｂＯ３の圧電単結晶基板５７と、ＩＤＴ電極５４と、圧電単結晶基板５７上およびＩＤＴ電極５４上に形成された保護層５８と、で構成されている。
【0064】
上述した圧電膜５３および圧電単結晶基板５７は、弾性波フィルタ装置の要求通過特性などに応じて、適宜、積層構造、材料、カット角、および、厚みを変更してもよい。上述したカット角以外のカット角を有するＬｉＴａＯ３圧電基板などを用いた弾性波共振子であっても、上述した圧電膜５３を用いた弾性波共振子６０と同様の効果を奏することができる。
【0065】
また、ＩＤＴ電極５４が形成される基板は、支持基板と、エネルギー閉じ込め層と、圧電膜がこの順で積層された構造を有していてもよい。圧電膜上にＩＤＴ電極５４が形成される。圧電膜は、例えば、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックスが用いられる。支持基板は、圧電膜、エネルギー閉じ込め層、およびＩＤＴ電極５４を支持する基板である。
【0066】
エネルギー閉じ込め層は１層または複数の層からなり、その少なくとも１つの層を伝搬するバルク弾性波の速度は、圧電膜近傍を伝搬する弾性波の速度よりも大きい。例えば、エネルギー閉じ込め層は、低音速層と、高音速層との積層構造となっていてもよい。低音速層は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速層中のバルク波の音速が低速となる膜である。高音速層は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速層中のバルク波の音速が高速となる膜である。なお、支持基板を高音速層としてもよい。
【0067】
また、エネルギー閉じ込め層は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層と、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層とが、交互に積層された構成を有する音響インピーダンス層であってもよい。
【0068】
ここで、弾性波共振子６０を構成するＩＤＴ電極の電極パラメータの一例について説明する。
【0069】
弾性波共振子の波長とは、図３Ａの（ｂ）に示すＩＤＴ電極５４を構成する複数の電極指６１ａまたは６１ｂの繰り返し周期である波長λで規定される。また、電極指ピッチは、波長λの１／２であり、櫛形電極６０ａおよび６０ｂをそれぞれ構成する電極指６１ａおよび６１ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指６１ａと電極指６１ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、一対の櫛形電極６０ａおよび６０ｂの交叉幅Ｌは、図３Ａの（ａ）に示すように、電極指６１ａと電極指６１ｂとの弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）から見た場合の重複する電極指の長さである。また、電極指６１ａおよび６１ｂの総本数をＮｉ本とした場合、ＩＤＴ電極５４の対数は、（Ｎｉ－１）／２で定義される。また、各弾性波共振子の電極デューティーは、複数の電極指６１ａおよび６１ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指６１ａおよび６１ｂのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、櫛形電極６０ａおよび６０ｂの高さをｈとしている。以降では、波長λ、電極指ピッチ、交叉幅Ｌ、電極デューティー、ＩＤＴ電極５４の高さｈ等、弾性波共振子のＩＤＴ電極の形状に関するパラメータは、電極パラメータと定義される。
【0070】
なお、ＩＤＴ電極５４において、隣り合う電極指間の間隔が一定でない場合には、ＩＤＴ電極５４の電極指ピッチは、ＩＤＴ電極５４の平均電極指ピッチで定義される。ＩＤＴ電極５４の平均電極指ピッチは、ＩＤＴ電極５４に含まれる電極指６１ａ、６１ｂの総本数をＮｉ本とし、ＩＤＴ電極５４の、弾性波伝搬方向における一方端に位置する電極指と他方端に位置する電極指との中心間距離をＤｉとすると、Ｄｉ／（Ｎｉ－１）と定義される。
【0071】
また、図３Ｃは、実施例に係るフィルタ１０および２０の弾性波共振子の第３例を模式的に表す断面図である。図３Ｃには、フィルタ１０および２０の弾性波共振子として、バルク弾性波共振子が示されている。同図に示すように、バルク弾性波共振子は、例えば、支持基板６５と、下部電極６６と、圧電体層６７と、上部電極６８と、を有しており、支持基板６５、下部電極６６、圧電体層６７、および上部電極６８がこの順で積層された構成となっている。
【0072】
支持基板６５は、下部電極６６、圧電体層６７、および上部電極６８を支持するための基板であり、例えば、シリコン基板である。なお、支持基板６５は、下部電極６６と接触する領域に、空洞が設けられている。これにより、圧電体層６７を自由に振動させることが可能となる。
【0073】
下部電極６６は、支持基板６５の一方面上に形成されている。上部電極６８は、支持基板６５の一方面上に形成されている。下部電極６６および上部電極６８は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。
【0074】
圧電体層６７は、下部電極６６と上部電極６８との間に形成されている。圧電体層６７は、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＫＮ（ニオブ酸カリウム）、ＬＮ（リチウムニオベイト）、ＬＴ（リチウムタンタレート）、水晶、およびＬｉＢＯ（ホウ酸リチウム）の少なくとも１つを主成分とする。
【0075】
上記積層構成を有するバルク弾性波共振子は、下部電極６６と上部電極６８との間に電気的なエネルギーを印加することで圧電体層６７内にてバルク弾性波を誘発して共振を発生させるものである。このバルク弾性波共振子により生成されるバルク弾性波は、下部電極６６と上部電極６８との間を、圧電体層６７の膜面に垂直な方向に伝搬する。つまり、バルク弾性波共振子は、バルク弾性波を利用した共振子である。
【0076】
［４．付加回路３０の反射特性およびマルチプレクサ１の通過特性］
表１に、実施例にかかるマルチプレクサが有する付加回路３０の電極パラメータを示す。
表１に、実施例にかかるマルチプレクサが有する付加回路３０の電極パラメータを示す。
【0077】
【表1】
【0078】
表１に示すように、弾性波共振子３１ａのＩＤＴ電極の波長λは、弾性波共振子３１ｂのＩＤＴ電極の波長λよりも大きい。言い換えると、ノードＮ１（共通端子１００）側に接続された弾性波共振子３１ａの電極指ピッチは、ノードＮ２側に接続された弾性波共振子３１ｂのＩＤＴ電極の電極指ピッチよりも大きい。
【0079】
図４Ａは、実施例に係る付加回路３０の通過特性を表すグラフである。同図には、付加回路３０単体のノードＮ２からノードＮ１の通過特性が示されている。付加回路３０では、フィルタ２０の通過帯域（第２周波数帯域）近傍の成分がフィルタ１０にて抑制されるように、当該成分の振幅レベルおよび位相レベルが設定されている。本実施例では、フィルタ１０の通過帯域よりも低周波側（第２周波数帯域近傍）で挿入損失が極小となる周波数は、６０８ＭＨｚとなっている。
【0080】
図４Ｂは、ノードＮ１から実施例に係る付加回路３０を見た反射特性を表すグラフである。また、図４Ｃは、ノードＮ２から実施例に係る付加回路３０を見た反射特性を表すグラフである。図４Ｂおよび図４Ｃの反射特性を比較すると、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数（６０８ＭＨｚ）近傍において、ノードＮ１（共通端子１００）から付加回路３０を見た反射損失（のリップル）は、ノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失（のリップル）よりも小さくなっている。
【0081】
図５Ａは、実施例および比較例に係るフィルタ１０および付加回路の通過特性を表すグラフである。同図には、フィルタ１０、２０および付加回路が共通端子１００に接続された状態での、入出力端子１１０と共通端子１００との間の通過特性が示されている。
【0082】
また、図５Ｂは、実施例および比較例に係るフィルタ２０の通過特性を表すグラフである。同図には、フィルタ１０、２０および付加回路が共通端子１００に接続された状態での、入出力端子１２０と共通端子１００との間の通過特性が示されている。
【0083】
また、図５Ｃは、実施例および比較例に係るフィルタ１０および２０のアイソレーション特性を表すグラフである。同図には、フィルタ１０、２０および付加回路が共通端子１００に接続された状態での、入出力端子１１０と入出力端子１２０との間の通過特性が示されている。
【0084】
なお、比較例に係るフィルタ１０は実施例に係るフィルタ１０と同じ回路構成を有し、比較例に係るフィルタ２０は実施例に係るフィルタ２０と同じ回路構成を有する。これに対して、比較例に係る付加回路は、実施例に係る付加回路３０と比較して、ノードＮ１側に弾性波共振子３１ｂが接続され、ノードＮ２側に弾性波共振子３１ａが接続されている点が異なる。つまり、比較例に係る付加回路において、ノードＮ１（共通端子１００）側に接続された弾性波共振子の電極指ピッチは、ノードＮ２側に接続された弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチよりも小さい。
【0085】
図５Ｂに示すように、フィルタ２０の通過帯域の低周波側（図５Ｂの破線丸内）において、実施例に係るフィルタ２０の方が、比較例に係るフィルタ２０と比較して挿入損失が減少している。言い換えると、実施例に係るフィルタ２０の方が、比較例に係るフィルタ２０と比較して、通過帯域幅が広くなっている。
【0086】
これは、実施例に係る付加回路３０において、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数（６０８ＭＨｚ）近傍において、ノードＮ１（共通端子１００）から付加回路３０を見た反射損失がノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失よりも小さくなっていることに起因するものである。これによれば、挿入損失が極小となる周波数（６０８ＭＨｚ）近傍の信号が共通端子１００からフィルタ２０へ入力される際に、当該信号が付加回路３０に漏洩することが抑制される。つまり、フィルタ２０への並接損が抑制される。よって、フィルタ２０の挿入損失の増加を抑制できる。
【0087】
なお、図５Ａに示すように、フィルタ１０および付加回路の通過特性において、実施例は比較例と比較して、同等以上の通過特性となっている。また、図５Ｃに示すように、フィルタ１０および２０のアイソレーション特性において、実施例は比較例と比較して、同等以上のアイソレーション特性となっている。
【0088】
以上により、付加回路３０において、ノードＮ１（共通端子１００）側に接続された弾性波共振子の電極指ピッチをノードＮ２側に接続された弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチよりも大きくすることで、通過特性が改善されたマルチプレクサ１を提供することが可能となる。
【0089】
なお、実施例に係る付加回路３０において、ノードＮ１（共通端子１００）に接続された弾性波共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値は、ノードＮ１（共通端子１００）に接続されたＩＤＴ電極を除くＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値よりも大きいことが望ましい。
【0090】
これによれば、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数近傍において、ノードＮ１（共通端子１００）から付加回路３０を見た反射損失（のリップル）を、ノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失（のリップル）よりも、さらに小さくできる。よって、フィルタ２０への並接損をより抑制でき、フィルタ２０の挿入損失の増加をより抑制できる。
【0091】
［５．効果など］
以上のように、実施例１に係るマルチプレクサ１は、共通端子１００、入出力端子１１０および１２０と、共通端子１００と入出力端子１１０との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ１０と、共通端子１００と入出力端子１２０との間に接続され、第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ２０と、第１端が共通端子１００に接続され、第２端が共通端子１００と入出力端子１１０とを結ぶ経路のうちの共通端子１００を除く経路に接続された付加回路３０と、を備え、付加回路３０は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ電極を有する共振器を含み、上記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が共通端子１００に接続されている。
以上のように、実施例１に係るマルチプレクサ１は、共通端子１００、入出力端子１１０および１２０と、共通端子１００と入出力端子１１０との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ１０と、共通端子１００と入出力端子１２０との間に接続され、第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有するフィルタ２０と、第１端が共通端子１００に接続され、第２端が共通端子１００と入出力端子１１０とを結ぶ経路のうちの共通端子１００を除く経路に接続された付加回路３０と、を備え、付加回路３０は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ電極を有する共振器を含み、上記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が共通端子１００に接続されている。
【0092】
これによれば、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数において、共通端子１００から付加回路３０を見た反射損失は、ノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失よりも小さくなる。このため、フィルタ２０への並接損が抑制されるので、フィルタ２０の挿入損失の劣化を抑制できる。よって、フィルタ１０および２０の通過特性が改善されたマルチプレクサ１を提供することが可能となる。
【0093】
また例えば、マルチプレクサ１において、共通端子１００に接続されたＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値は、共通端子１００に接続されたＩＤＴ電極を除くＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値よりも大きい。
【0094】
これによれば、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数近傍において、共通端子１００から付加回路３０を見た反射損失（のリップル）を、ノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失（のリップル）よりも、さらに小さくできる。よって、フィルタ２０への並接損をより抑制でき、フィルタ２０の挿入損失の増加をより抑制できる。
【0095】
また例えば、マルチプレクサ１において、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数において、共通端子１００から付加回路３０を見た反射損失は、ノードＮ２から付加回路３０を見た反射損失よりも小さい。
【0096】
また例えば、マルチプレクサ１において、付加回路３０の挿入損失が極小となる周波数は、第１周波数帯域の低周波端よりも低周波側に位置する。
【0097】
これによれば、フィルタ１０の通過帯域（第１周波数帯域）よりも低周波側帯域において、フィルタ１０の減衰特性を改善し、フィルタ２０の通過特性を改善できる。
【0098】
また例えば、マルチプレクサ１において、第１周波数帯域は、アップリンク動作バンドであり、第２周波数帯域は、ダウンリンク動作バンドである。
【0099】
これによれば、フィルタ２０の通過特性が改善されることにより受信感度の劣化を抑制できる。
【0100】
（その他の変形例など）
以上、マルチプレクサについて、実施の形態を挙げて説明したが、本発明の弾性波フィルタは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記実施の形態に係るマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
以上、マルチプレクサについて、実施の形態を挙げて説明したが、本発明の弾性波フィルタは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記実施の形態に係るマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【0101】
また、例えば、マルチプレクサにおいて、各構成要素の間に、インダクタやキャパシタが接続されていてもかまわない。なお、当該インダクタには、各構成要素間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
【0102】
以下に、上記実施の形態および変形例に基づいて説明したマルチプレクサの特徴を示す。
【0103】
＜１＞
共通端子、第１入出力端子および第２入出力端子と、
前記共通端子と前記第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、
前記共通端子と前記第２入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、
第１端が前記共通端子に接続され、第２端が前記共通端子と前記第１入出力端子とを結ぶ経路のうちの前記共通端子を除く経路に接続された付加回路と、を備え、
前記付加回路は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を有する共振器を含み、
前記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が前記共通端子に接続されている、マルチプレクサ。
共通端子、第１入出力端子および第２入出力端子と、
前記共通端子と前記第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、
前記共通端子と前記第２入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域よりも低周波側の第２周波数帯域を含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、
第１端が前記共通端子に接続され、第２端が前記共通端子と前記第１入出力端子とを結ぶ経路のうちの前記共通端子を除く経路に接続された付加回路と、を備え、
前記付加回路は、圧電性を有する基板上に形成された複数のＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を有する共振器を含み、
前記複数のＩＤＴ電極のうち電極指ピッチが最も大きいＩＤＴ電極が前記共通端子に接続されている、マルチプレクサ。
【0104】
＜２＞
前記共通端子に接続された前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値は、前記共通端子に接続された前記ＩＤＴ電極を除く前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値よりも大きい、＜１＞に記載のマルチプレクサ。
前記共通端子に接続された前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値は、前記共通端子に接続された前記ＩＤＴ電極を除く前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチの最小値よりも大きい、＜１＞に記載のマルチプレクサ。
【0105】
＜３＞
前記付加回路の挿入損失が極小となる周波数において、前記第１端から前記付加回路を見た反射損失は、前記第２端から前記付加回路を見た反射損失よりも小さい、＜１＞または＜２＞に記載のマルチプレクサ。
前記付加回路の挿入損失が極小となる周波数において、前記第１端から前記付加回路を見た反射損失は、前記第２端から前記付加回路を見た反射損失よりも小さい、＜１＞または＜２＞に記載のマルチプレクサ。
【0106】
＜４＞
前記付加回路の挿入損失が極小となる周波数は、前記第１周波数帯域の低周波端よりも低周波側に位置する、＜１＞～＜３＞のいずれかに記載のマルチプレクサ。
前記付加回路の挿入損失が極小となる周波数は、前記第１周波数帯域の低周波端よりも低周波側に位置する、＜１＞～＜３＞のいずれかに記載のマルチプレクサ。
【0107】
＜５＞
前記第１周波数帯域は、アップリンク動作バンドであり、
前記第２周波数帯域は、ダウンリンク動作バンドである、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載のマルチプレクサ。
前記第１周波数帯域は、アップリンク動作バンドであり、
前記第２周波数帯域は、ダウンリンク動作バンドである、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載のマルチプレクサ。
【産業上の利用可能性】
【0108】
本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる、低損失および高減衰のマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【0109】
１ マルチプレクサ
２ アンテナ
３、４、５ インダクタ
１０、２０ フィルタ
１１、１２、１３、１４、２１、２２、２３ 直列腕共振子
１６、１７、１８、１９、２４、２５ 並列腕共振子
２６、３１ 縦結合共振器
３０ 付加回路
３０ａ 入力端
３０ｂ 出力端
３１ａ、３１ｂ、６０、２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６、２５７ 弾性波共振子
３２ キャパシタ
５０ 基板
５１ 高音速支持基板
５２ 低音速膜
５３ 圧電膜
５４ ＩＤＴ電極
５５、５８ 保護層
５７ 圧電単結晶基板
６０ａ、６０ｂ 櫛形電極
６１ａ、６１ｂ 電極指
６２ａ、６２ｂ バスバー電極
６５ 支持基板
６６ 下部電極
６７ 圧電体層
６８ 上部電極
１００ 共通端子
１１０、１２０ 入出力端子
１１１、１１２、１２１、１２２ 端子
５４０ 密着層
５４２ 主電極層
Ｎ１、Ｎ２ ノード
２ アンテナ
３、４、５ インダクタ
１０、２０ フィルタ
１１、１２、１３、１４、２１、２２、２３ 直列腕共振子
１６、１７、１８、１９、２４、２５ 並列腕共振子
２６、３１ 縦結合共振器
３０ 付加回路
３０ａ 入力端
３０ｂ 出力端
３１ａ、３１ｂ、６０、２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６、２５７ 弾性波共振子
３２ キャパシタ
５０ 基板
５１ 高音速支持基板
５２ 低音速膜
５３ 圧電膜
５４ ＩＤＴ電極
５５、５８ 保護層
５７ 圧電単結晶基板
６０ａ、６０ｂ 櫛形電極
６１ａ、６１ｂ 電極指
６２ａ、６２ｂ バスバー電極
６５ 支持基板
６６ 下部電極
６７ 圧電体層
６８ 上部電極
１００ 共通端子
１１０、１２０ 入出力端子
１１１、１１２、１２１、１２２ 端子
５４０ 密着層
５４２ 主電極層
Ｎ１、Ｎ２ ノード
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5A】
【図5B】
【図5C】