特開 2024-104471 積層セラミックコンデンサの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024104471

(43)【公開日】2024-08-05

(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240729BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 311A

H01G4/30 201N

H01G4/30 517

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023008687

(22)【出願日】2023-01-24

(71)【出願人】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100075557

【弁理士】

【氏名又は名称】西教 圭一郎

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 恒

(72)【発明者】

【氏名】古市 明

(72)【発明者】

【氏名】江藤 大俊

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AH06

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE01

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG10

(57)【要約】

【課題】 短絡が生じにくく、信頼性および耐久性に優れた積層セラミックコンデンサを製造することができる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 積層セラミックコンデンサの製造方法は、導電膜が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層してシート積層体を作製する第１工程と、シート積層体を積層体ブロック２２に切断する第２工程と、積層体ブロック２２を切断方向と直交する方向に切断して積層体チップ２３に切断する第３工程と、積層体チップ２３の側面切断面に保護層を形成する第４工程と、複数の積層体チップ２３を焼成する第５工程と、を含み、第３工程において、刃先２６，２７が対向する一対の切断刃１４，１５を、刃先２６，２７が互いに近接するように移動させて切込みを形成し、シート積層体を複数の積層体チップ２３に分割する。
【選択図】 図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電膜が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層してシート積層体を作製する第１工程と、前記シート積層体を積層体ブロックに切断する第２工程と、前記積層体ブロックを切断方向と直交する方向に切断して積層体チップに切断する第３工程と、積層体チップの側面切断面に保護層を形成する第４工程と、前記複数の積層体チップを焼成する第５工程と、を含み、
前記第３工程において、刃先が対向する一対の切断刃を、前記積層体ブロックの対向両面に垂直に、前記刃先が互いに近接するように移動させて切込みを形成し、前記シート積層体を複数の積層体チップに分割する、積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項2】

前記積層体ブロックの対向両面が、積層方向に垂直な面である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項3】

前記積層体ブロックの対向両面が、積層方向と平行な面である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項4】

前記積層体ブロックの前記対向両面に垂直な面に沿って移動する前記刃先の進行方向と、前記積層体ブロックの対向両面とが成す角度が１０°～９０°である、請求項２または３に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項5】

前記第３工程において、前記複数の積層体ブロックを、前記複数のセラミックグリーンシートの積層方向が前記一対の切断刃の移動面に対して垂直となるように配置して、前記複数の積層体チップに分割する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項6】

前記第３工程において、前記複数の積層体ブロックを、前記複数のセラミックグリーンシートの積層方向が前記一対の切断刃の移動方向に対して平行となるように配置して、複数の積層体チップに分割する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項7】

前記一対の切断刃の移動経路に沿って一対の支持体を設け、
前記一対の切断刃を、前記一対の支持体に接触させながら移動させる、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項8】

前記一対の切断刃の前記シート積層体への切込み深さは、前記シート積層体の厚さの５％以上２０％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項9】

前記一対の切断刃の前記積層体ブロックへの切込み深さは、前記積層体ブロックの厚さの５％以上２０％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来技術の積層セラミックコンデンサの製造方法は、例えば特許文献１に記載されている。この従来技術では、内部電極とセラミックシートとが交互に積層された大判の積層シートを押し切り刃によって格子状に切断し、未焼成の積層チップに個片化するとき、内部電極の端部に押し切り刃によって押し切り方向に展延された展延部が生じることを、押し切り刃の刃先の角度や形状を調整することによって抑制することが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－ ７９９７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記特許文献１の従来技術では、積層チップの展延部を押し切り刃の刃先の角度、形状の調整によって抑制しているが、展延部の形状が小さくなったり、発生個数が低減されること想定し得るが、展延部に発生を完全に抑制することは困難である。このような従来技術の製造方法では、積層チップに切断による内部電極の垂れ下が生じ、このような積層他チップを焼成して積層セラミックコンデンサを作成しても、短絡が起こる可能性がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の積層セラミックコンデンサの製造方法は、導電膜が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層してシート積層体を作製する第１工程と、前記シート積層体を積層体ブロックに切断する第２工程と、前記積層体ブロックを切断方向と直交する方向に切断して積層体チップに切断する第３工程と、積層体チップの側面切断面に保護層を形成する第４工程と、前記複数の積層体チップを焼成する第５工程と、を含み、前記第３工程において、刃先が対向する一対の切断刃を、前記積層体ブロックの対向両面に垂直に、前記刃先が互いに近接するように移動させて切込みを形成し、前記シート積層体を複数の積層体チップに分割する。

【発明の効果】

【0006】

本開示の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、短絡が生じにくく、信頼性および耐久性に優れた積層セラミックコンデンサを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の第１の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法によって製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。

【図2】図１に示される積層セラミックコンデンサのコンデンサ本体を示す斜視図である。

【図3】積層セラミックコンデンサの積層体ブロックの切断工程を示す断面図である。

【図4】積層体ブロックの切断工程で用いられる切断装置の構成を模式的に示す断面図である。

【図5】図４に示される切断装置の構成を模式的に示す斜視図である。

【図6】積層セラミックコンデンサの製造手順を説明するためのフローチャートである。

【図7】図７（ａ）は、第１切断刃１４および第２切断刃１５による積層体ブロック２２の切断面を示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ)の端面側のコーナーＡ部の部分拡大図である。

【図8】第１切断刃および第２切断刃による積層体ブロックの切断動作を説明するための図である。

【図9】図８の左側から見た側面図である。

【図10】積層体ブロックの切断面の中央部の破断面の状態を観察した５０００倍のＳＥＭ像を示す図である。

【図11】積層体ブロックの切断面の切断部の２０００倍のＳＥＭ像を示す図である。

【図12】本開示の第２の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法における切断装置の構成を模式的に示す斜視図である。

【図13】本開示の第２の実施形態の第１切断刃および第２切断刃による積層体ブロックの切断動作を説明するための側面図である。

【図14】本開示の第１および第２の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法で用いられる第１切断刃および第２切断刃の刃先形状を模式的に示す図である。

【図15】本開示の第１および第２の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法で用いられる第１切断刃および第２切断刃を模式的に示す図である。

【図16】図１６（ａ）は本開示の第２の実施形態の積層体ブロックの切断面を示す図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）の積層上層部側のコーナーＢ部の部分拡大図である。

【図17】本開示の第３の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照しつつ、本開示の積層セラミックコンデンサの製造方法の実施形態について説明する。以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。本明細書では、便宜的に、直交座標系ＸＹＺを想定する。

【0009】

図１は、本開示の第１の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法によって製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示される積層セラミックコンデンサのコンデンサ本体を示す斜視図である。本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法によって製造される積層セラミックコンデンサ１は、積層体２１を含んでいる。積層体２１は、略直方体状の形状を有している。積層体２１は、第３方向Ｚに互いに対向する第１面７ａおよび第２面７ｂ、第１方向Ｘに互いに対向する第１端面８ａおよび第２端面８ｂ、ならびに、第２方向Ｙに互いに対向する第１側面９ａおよび第２側面９ｂを有している。

【0010】

第１面７ａおよび第２面７ｂは、第３方向Ｚに垂直であってもよい。第１端面８ａおよび第２端面８ｂは、第１方向Ｘに垂直であってもよい。第１側面９ａおよび第２側面９ｂは、第２方向Ｙに垂直であってもよい。以下では、第１面７ａおよび第２面７ｂを、主面７ａ，７ｂと称することがあり、第１端面８ａおよび第２端面８ｂを、端面８ａ，８ｂと称することがあり、第１側面９ａおよび第２側面９ｂを、側面９ａ，９ｂと称することがある。

【0011】

積層体２１は、複数の誘電体層４と複数の内部電極層５とが第３方向Ｚに交互に積層されて構成される。内部電極層５を形成する材料としては、高積層化して製造コストも抑制できるという点で、ニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）などの卑金属が用いられてもよい。内部電極層５と誘電体層４との同時焼成を行える点で、ニッケル（Ｎｉ）であってもよい。内部電極層５の厚みは、０．１μｍ～１．０μｍ程度であってもよく、０．４μｍ～０．５μｍ程度であってもよい。

【0012】

外部電極３は、金属とガラスとの焼結体からなってもよく、例えば銅（Ｃｕ）粉末または銅と他の金属、たとえばニッケル（Ｎｉ）等の卑金属との合金粉末と、ガラス粉末とを焼成した構成であってもよい。さらに、表層にＮｉめっきやＳｎめっきなどの金属めっき層を付与してもよい。

【0013】

誘電体層４は、絶縁性を有する材料によって構成されている。誘電体層４は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、またはジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ_３）等を主成分とするセラミック材料で構成されていてもよい。なお、本明細書において、「主成分」とは、着目する材料または部材等において最も構成比率の高い成分のことを言う。構成比率は、含有濃度（ｍｏｌ％）であってよい。

【0014】

誘電体層４は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に酸化マグネシウム、希土類元素（ＲＥ）の酸化物および酸化マンガンなどが固溶した結晶粒子と、酸化珪素（ＳｉＯ_２）を主成分とする粒界相とから構成されているセラミックからなる。なお、セラミックの種類としては、上述したものだけに限らず、他のセラミックを用いることもできる。その平均厚みは２μｍ以下、特に、１μｍ以下であってもよい。これにより積層セラミックコンデンサ１を小型化、高容量化することが可能となる。なお、誘電体層４の第３方向Ｚの平均厚みは、０．１μｍ～１．０μｍ程度であってもよく、０．４μｍ～０．５μｍ程度であってもよい。

【0015】

内部電極層５は、極性別に第１端面８ａおよび第２端面８ｂに露出している。

【0016】

積層セラミックコンデンサ１は、例えば図２に示すように、保護層６を含んでいる。保護層６は、積層体２１の第１側面９ａおよび第２側面９ｂに位置している。保護層６は、側面９ａ，９ｂに露出した極性の異なる内部電極層５間を電気的に絶縁している。また、保護層６は、側面９ａ，９ｂに露出した内部電極層５の外側部を機械的に保護している。各側面９ａ，９ｂに保護層６が配設された積層体２１は、素体２とも称される。

【0017】

保護層６は、絶縁性を有する材料によって構成される。保護層６は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、またはジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ_３）等を主成分とするセラミック材料で構成されていてもよい。保護層６は、誘電体層４を構成するセラミック材料と同じセラミック材料で構成されていてもよい。保護層６は、第２方向Ｙにおいて、例えば５μｍ～３０μｍ程度の厚みを有していてもよい。

【0018】

積層セラミックコンデンサ１は、第１端面８ａおよび第２端面８ｂを覆い、内部電極層５に極性別に接続された外部電極３を含んでいる。外部電極３は、外部基板または外部装置との電気的接続のために用いられる。

【0019】

外部電極３は、第１外部電極３１と第２外部電極３２とによって構成される。第１外部電極３１は、積層体２１の第１端面８ａに位置している。第１外部電極３１は、第１端面８ａに露出した内部電極層５と電気的に接続されている。第２外部電極３２は、積層体２１の第２端面８ｂに位置している。第２外部電極３２は、第２端面８ｂに露出した内部電極層５と電気的に接続されている。第１外部電極３１および第２外部電極３２は、例えば図１に示すように、主面７ａ，７ｂに位置してもよい。また、第１外部電極３１および第２外部電極３２は、例えば図１に示すように、側面９ａ，９ｂ上に位置し、保護層６を部分的に覆っていてもよい。

【0020】

第１外部電極３１および第２外部電極３２は、単一の導電層によって構成されてもよく、複数の導電層によって構成されてもよい。本実施形態では、第１外部電極３１および第２外部電極３２が、下地層および外層を有する２層構造で構成されてもよい。

【0021】

下地層は、積層体２１に接しており、第１端面８ａおよび第２端面８ｂに露出した内部電極層５と接続されている。下地層は、金属とガラスとの焼結体からなってもよく、例えば銅（Ｃｕ）粉末または銅と他の金属、例えばニッケル（Ｎｉ）等の卑金属との合金粉末と、ガラス粉末とを焼成した構成であってもよい。或いは、めっき法、スパッタリング法、蒸着法等の薄膜形成技術、またはスクリーン印刷法、グラビア印刷法等の厚膜形成技術を用いて形成されてもよい。或いは、導電性樹脂で形成されてもよい。下地層に用いられる金属材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属またはこれらの金属から成る合金であってもよい。

【0022】

外層は、下地層を覆っている。外層は、例えば無電解めっき法、または電解めっき法等の薄膜形成技術を用いて形成されていてもよい。外層は、金属材料から構成されている。外層に用いられる金属材料は、例えばＮｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、またはＡｕ等の金属もしくはこれらの金属から成る合金であってもよい。外層は、単一のめっき層で構成されてもよく、複数のめっき層で構成されてもよい。

【0023】

前述の積層セラミックコンデンサ１は、複数のセラミックグリーンシートを積層してシート積層体を作製し、シート積層体を、複数のセラミックグリーンシートの積層方向に垂直な第１方向Ｘに沿って切断して、複数の積層体ブロック２２を作製し、複数の積層体ブロック２２を第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに切断することによって、複数の積層体チップ２３を作製し、複数の積層体チップ２３を焼成することによって作製することができる。

【0024】

図３は、積層セラミックコンデンサの積層体ブロックの切断工程を示す断面図であり、図４は、積層体ブロックの切断工程で用いられる切断装置の構成を模式的に示す断面図であり、図５は、図４に示される切断装置の構成を模式的に示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１を製造するに際しては、切断装置１１が用いられる。切断装置１１は、貫通孔１２を有する基台１３、一対の切断刃である第１切断刃１４および第２切断刃１５、第１支持体１６、押出し部材１８、一対の案内部材１９ａ，１９ｂ、ならびに押出し駆動装置２０を備える。

【0025】

貫通孔１２は、第２切断刃１５が第３方向Ｚに移動可能に嵌り込む、第２方向Ｙに長手の長孔である。基台１３は、例えば、ステンレス鋼などの金属や、ポリエチレンテレフタレート（Poly Ethylene Terephthalate：略称ＰＥＴ）などからなる板状体によって構成されてもよい。また、一対の案内部材１９ａ，１９ｂは、例えばステンレス鋼などの金属やポリエチレンテレフタレートによって構成され、積層体ブロック２２と接触する内面の表面粗さは、損傷が発生しない表面粗さとされてもよい。

【0026】

基台１３は、平坦状の水平な支持面１３ａを有し、支持面１３ａには、複数の積層体ブロック２２が例えば第２端面８ｂを下方に向けて載置される。このような支持面１３ａ上には、積層体ブロック２２の第２端面８ｂが対向するように載置される。

【0027】

複数の積層体ブロック２２は、支持面１３ａ上で一対の案内部材１９ａ，１９ｂによって、第１方向Ｘに移動可能な状態で挟着される。複数の積層体ブロック２２は、押出し部材１８によって第１方向Ｘに平行な押出し方向Ｄ１に同時に押圧され、各案内部材１９ａ，１９ｂの各内面によって案内されるので、支持面１３ａに平行な水平面上で押出し方向Ｄ１に交差する第２方向Ｙに積層体ブロック２２が変位することが防がれた状態で、押出し部材１８および押出し駆動装置２０によって、第１切断刃１４および第２切断刃１５の１切断動作ごとに各積層体ブロック２２が押出し方向Ｄ１に積層体チップ２３の幅ｂ分ずつ間欠的に押出すように構成される。このとき、積層体ブロック２２は、基台１３の支持面１３ａおよび案内部材１９ａ，１９ｂの各内面に接触した状態で移動されても、積層体ブロック２２が損傷することが防がれる。

【0028】

第１切断刃１４および第２切断刃１５は、第３方向Ｚに平行に互いに刃先２６，２７が近接する方向に移動された後、互いに刃先２６，２７が離反する方向に第３方向Ｚに平行に移動して初期位置に復帰する。このように切断動作する第１切断刃１４および第２切断刃１５は、図示しない切断刃駆動装置によって変位駆動される。切断刃駆動装置は、例えば復動油圧シリンダおよび複数のリンク部材等によって駆動されてもよく、あるいはステッピングモータおよびステッピングモータによって回転軸線まわりに回転駆動されるボールねじ軸等によって駆動されてもよい。

【0029】

第１切断刃１４および第２切断刃１５は、一定の厚みを有する基部２４，２５と、刃先２６，２７とを有する。第１切断刃１４および第２切断刃１５は、刃先２６，２７が第１方向Ｘおよび第２方向Ｙを含む仮想一平面上で対向するように、高精度で位置決めされており、切断時に積層体ブロック２２に切込んだ際に、積層体ブロック２２の各端面８ａ，８ｂに形成される亀裂の進展方向のずれを可及的に小さくすることができる。これによって、各亀裂を第２方向Ｙおよび第３方向Ｚを含む仮想一平面に沿って真っ直ぐに進展させることができる。したがって、積層体ブロック２２には、第１切断刃１４および第２切断刃１５の各刃先２６，２７によって切込みだけが形成され、その後は亀裂の進展によって分断される。これによって、刃先２６，２７が積層体ブロック２２に接触する領域を少なくすることができるので、積層体ブロック２２への刃傷の発生を抑制し、積層体ブロック２２を亀裂の進展によって、平坦状の切断面を得ることができる。

【0030】

第１切断刃１４および第２切断刃１５は、例えばタングステンカーバイトなどの超硬合金から成ってよい。第１切断刃１４の刃先２６は、後述の図１４又は図１５に示されるように、両面刃、或いは片面刃であり、刃先２６，２７の剛性が高いので、切断時の被切断物からの反力の作用に対して歪みが小さい。これによって、積層体ブロック２２の切断面に高い平面性を得ることができる。

【0031】

（製造方法）
図６は、積層セラミックコンデンサの製造手順を示すフローチャートである。本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法は、準備工程Ｓ０において、内部電極層５の所定の内部電極パターンに導電ペーストを例えば印刷して導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを準備する。第１工程Ｓ１において、準備工程Ｓ０で準備されたセラミックグリーンシートを、例えば１００～６００枚積層して板状のシート積層体を作製する。第２工程Ｓ２において、シート積層体を基台１３の支持面１３ａに載置する。支持面１３ａに載置されたシート積層体は、複数のセラミックグリーンシートの積層方向が支持面１３ａに垂直な状態である。第１切断刃１４および第２切断刃１５を、刃先２６，２７が互いに近接するように、移動させてシート積層体の複数のセラミックグリーンシートの積層方向に垂直な第１方向Ｘに沿って切込みを形成し、シート積層体を複数の積層体ブロック２２に分割する。第３工程Ｓ３において、複数の積層体ブロック２２を、支持面１３ａに垂直な軸線（第２方向Ｙに平行な軸線）まわりに９０°回転させるとともに、各積層体ブロック２２のそれぞれを長手方向に平行な軸線まわりに９０°回転させて基台１３の支持面１３ａに載置する。これによって、支持面１３ａ上の各積層体ブロック２２は、複数のセラミックグリーンシートの積層方向が支持面１３ａに対して平行となる。第１切断刃１４および第２切断刃１５を、刃先２６，２７が互いに近接するように、移動させて、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに沿って複数の積層体ブロック２２に切込みを形成し、複数の積層体ブロック２２を複数の積層体チップ２３に分割する。次に、第４工程Ｓ４において、積層体チップ２３の各側面９ａ，９ｂに保護層６を形成する。保護層６が形成された複数の積層体チップ２３は、第５工程Ｓ５において焼成してコンデンサ本体を作製する。

【0032】

複数の積層体チップ２３は、脱脂した後、酸素分圧が例えば１×１０^－７Ｐａ～１×１０^－９Ｐａの水素－窒素の混合ガス中で、１１００℃～１２００℃の温度で１～４時間の焼成を行い、誘電体層４と内部電極層５とが一体化するように焼結される。これによって、積層体チップ２３は、誘電体層４と内部電極層５とが分離する方向への応力が低減され、クラックの発生を抑制することができる。第６工程Ｓ６において、焼成後の積層体チップ２３に第１端面８ａに第１外部電極３１を形成し、第２端面８ｂに第２外部電極３２を形成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１が作製される。

【0033】

第３工程Ｓ３において、複数の積層体ブロック２２は、第１切断刃１４および第２切断刃１５を各刃先２６，２７が互いに近接する方向に移動するとき、第１切断刃１４は第１支持体１６に接触し、第１切断刃１４の第１方向Ｘの変位を阻止することができる。また、第２切断刃１５は、第２支持体１７に接触するので、第２切断刃１５の第１方向Ｘの変位を阻止することができる。このように第１支持体１６および第２支持体１７によって第１切断刃１４および第１切断刃１４の第１方向Ｘへの変位が阻止されるので、各刃先２６，２７の複数の積層体ブロック２２への接触によるカット崩れの発生が抑制され、平面性の高い切断面を得ることができる。なお、第２支持体１７は、基台１３と一体で構成されていてもよい。

【0034】

また、複数の積層体ブロック２２を、第１切断刃１４および第２切断刃１５の移動方向に対して複数のセラミックグリーンシートの積層方向が垂直となるように配置して、複数の積層体チップ２３に分割する。これによって複数の積層体ブロック２２を切断方向に材料変化がなく、亀裂を円滑に進展させることができ、従来法の押切切断で発生していた切断最終端におけるカット崩れがない平面性の高い端面８ａ，８ｂおよび側面９ａ，９ｂを有する積層体チップ２３を得ることができる。よって、各側面９ａ，９ｂを覆う保護層６と内部電極層５との間の層間剥離の発生を抑制し、積層セラミックコンデンサ１の信頼性および耐久性を向上することができる。

【0035】

図７（ａ）は、積層体ブロックの切断面を示す図である。前述の第１切断刃１４および第２切断刃１５によって積層体ブロック２２を切断したところ、図７（ａ）に示されるように、カット崩れのない切断面が得られることが確認された。図７（ｂ）は、図７（ａ)の端面側のコーナーＡ部の部分拡大図である。積層体チップ２３の端面８ａ，８ｂから第２切断刃１５の切込が入った刃痕が、ダレ（ａ部）とシェア切断部（ｂ部）に観察され、その後は破断面（ｃ部）となっている。

【0036】

図８は、第１切断刃および第２切断刃による積層体ブロックの切断動作を説明するための図であり、図９は、図８の左側から見た側面図である。第１切断刃１４および第２切断刃１５の各刃先２６，２７は、積層体ブロック２２の第１端面８ａおよび第２端面８ｂとなる各表面から切込み深さｄだけ切込まれる。切込み深さｄは、積層体ブロック２２の厚さＴの例えば５％以上２０％以下であってもよい。製品材質によって、例えば２０％以上に設定する可能性があるが、そうなったとしても本開示の主旨に影響を与えるものではない。

【0037】

切込み深さｄは、積層ブロックの厚みに影響されるが、一例を述べると、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよい。第１切断刃１４および第２切断刃１５の各刃先２６，２７を積層体ブロック２２に切込み深さｄだけ切込むことによって、積層体ブロック２２には確実に亀裂が発生し、この亀裂の進展によって、刃傷を生じることなしに積層体ブロック２２を複数の積層体チップ２３に分断することができる。

【0038】

積層体ブロック２２は、第１切断刃１４および第２切断刃１５の移動方向に対してセラミックグリーンシートの積層方向が垂直に配置されるので、第１切断刃１４および第２切断刃１５の切断方向に積層体ブロック２２の断面変化がなく、円滑に亀裂を進展させることができ、平坦性の高い切断面を得ることができる。

【0039】

図１０は、積層体ブロックの切断面の中央部の破断面の状態を観察した５０００倍のＳＥＭ像を示す図であり、図１１は、積層体ブロックの切断面の切断刃の切込部の１１００倍のＳＥＭ像を示す図である。これらの図から明らかなように、カット崩れのない平面性の高い切断面が得られることが確認された。

【0040】

図１２は、本開示の第２の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法における切断装置の構成を模式的に示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１を製造するに際しては、図５で説明した切断装置１１が用いられる。

【0041】

図１３は、本開示の第２の実施形態の第１切断刃および第２切断刃による積層体ブロックの切断動作を説明するための側面図である。図９に示す前述の実施形態の各積層体ブロック２２を、その長手軸線Ｌ１まわりに９０°回転させてもよい。これによって第１面７ａ（または第２面７ｂ）となる表面を支持面１３ａに対向させ、セラミックグリーンシートの積層方向が、支持面１３ａと平行となるように載置することによって、第１切断刃１４および第２切断刃１５の切断方向に対して積層体ブロック２２の積層方向を平行な状態で切断することができる。切断後の積層体チップ２３に刃傷の発生はなく、カット崩れの発生をなくし、平面性の高い切断面を得ることができる。

【0042】

図１４は、本開示の第２の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法で用いられる第１切断刃および第２切断刃を模式的に示す図であり、図１５は本開示の第１および第２の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法で用いられる第１切断刃および第２切断刃を模式的に示す図である。前述の第１切断刃１４および第２切断刃１５としては、図１４に示される両面刃を構成する刃先２６，２７を有する切断刃であってもよく、また図１５に示される片面刃を構成する刃先２６，２７を有する切断刃であってもよい。

【0043】

図１６（ａ）は、本開示の第２の実施形態の積層体ブロックの切断面を示す図である。前述の第１切断刃１４および第２切断刃１５によって４本の積層体ブロック２２を切断したところ、図１６（ａ）に示されるように、カット崩れのない切断面が得られることが確認された。

【0044】

図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の積層上層部側のコーナーＢ部の部分拡大図である。積層体ブロック２２の端面から第２切断刃１５の切込が入った刃痕が、ダレ（ａ部）とシェア切断部（ｂ部）に観察され、その後は破断面（ｃ部）となっている。このように平均的な切込深さは、積層体ブロック２２の厚さＴの例えば５％以上２０％以下であってもよい。

【0045】

図１７は、本開示の第３の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法を模式的に示す断面図である。前記積層体ブロック２２の対向両面に垂直な面に沿って移動する前記刃先２６，２７の進行方向と積層体ブロック２２の対向両面とが成す角度θが鋭角となっている。刃先２６，２７の進行方向が傾斜することにより、刃先２６，２７の摩擦力が増大し有機分子の切断を容易にするため、切断面におけるダレ量が小さくなるメリットがある。積層体ブロック２２の対向両面と刃先２６，２７の進行方向とが成す角度θは、１０°～４５°であってもよい。

【0046】

上述の第一の実施例及び第二の実施例において、第１切断刃１４の刃先角度と第２切断刃１５の刃先角度とを違えた切断刃で切断してもよい。刃先角度を大きくすると、浅い切り込みで切断されることも見出しているので、積層ブロックの状態においては、違えて切断するのがよい場合もある。刃先角度は１０°～１２０°の範囲の中から選定される。

【0047】

本開示は、以下の構成（１）～（９）の態様で実施可能である。

【0048】

（１）導電膜が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層してシート積層体を作製する第１工程と、前記シート積層体を積層体ブロックに切断する第２工程と、前記積層体ブロックを切断方向と直交する方向に切断して積層体チップに切断する第３工程と、積層体チップの側面切断面に保護層を形成する第４工程と、前記複数の積層体チップを焼成する第５工程と、を含み、前記第３工程において、刃先が対向する一対の切断刃を、前記積層体ブロックの対向両面に垂直に、前記刃先が互いに近接するように移動させて切込みを形成し、前記シート積層体を複数の積層体チップに分割する、積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0049】

（２）前記積層体ブロックの対向両面が、積層方向に垂直な面である、上記構成（１）に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0050】

（３）前記積層体ブロックの対向両面が、積層方向と平行な面である、上記構成（１）に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0051】

（４）前記積層体ブロックの対向両面に垂直な面に沿って移動する前記刃先の進行方向と、前記積層体ブロックの対向両面とが成す角度が１０°～９０°である、上記構成（２）または（３）に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0052】

（５）前記第３工程において、前記複数の積層体ブロックを、前記複数のセラミックグリーンシートの積層方向が前記一対の切断刃の移動面に対して垂直となるように配置して、前記複数の積層体チップに分割する、上記構成（１）に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0053】

（６）前記第３工程において、前記複数の積層体ブロックを、前記複数のセラミックグリーンシートの積層方向が前記一対の切断刃の移動方向に対して平行となるように配置して、複数の積層体チップに分割する、上記構成（１）に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0054】

（７）前記一対の切断刃の移動経路に沿って一対の支持体を設け、
前記一対の切断刃を、前記一対の支持体に接触させながら移動させる、上記構成（１）～（３）のいずれか１つに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0055】

（８）前記一対の切断刃の前記シート積層体への切込み深さは、前記シート積層体の厚さの５％以上２０％以下である、上記構成（１）～（３）のいずれか１つに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0056】

（９）前記一対の切断刃の前記積層体ブロックへの切込み深さは、前記積層体ブロックの厚さの５％以上２０％以下である、上記構成（１）～（３）のいずれか１つに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

【0057】

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

【符号の説明】

【0058】

１ 積層セラミックコンデンサ
２ 素体
３ 外部電極
３１ 第１外部電極
３２ 第２外部電極
４ 誘電体層
５ 内部電極層
６ 保護層
７ａ 第１面
７ｂ 第２面
８ａ 第１端面
８ｂ 第２端面
９ａ 第１側面
９ｂ 第２側面
１１ 切断装置
１２ 貫通孔
１３ 基台
１３ａ 支持面
１４ 第１切断刃
１５ 第２切断刃
１６ 第１支持体
１７ 第２支持体
１８ 押出し部材
１９ａ，１９ｂ 案内部材
２０ 押出し駆動装置
２１ 積層体
２２ 積層体ブロック
２３ 積層体チップ
２４，２５ 基部
２６，２７ 刃先
ｂ 切込み深さ
Ｄ１ 押出し方向
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】