特開2024-104655アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104655
(43)【公開日】2024-08-05
(54)【発明の名称】アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
(51)【国際特許分類】
C07C 255/52 20060101AFI20240729BHJP
C07D 213/57 20060101ALI20240729BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20240729BHJP
H10K 50/11 20230101ALI20240729BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240729BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20240729BHJP
H10K 101/30 20230101ALN20240729BHJP
H10K 101/40 20230101ALN20240729BHJP
【ＦＩ】
C07C255/52
C07D213/57 CSP
C09K11/06 610
C09K11/06 645
H10K50/11
H10K59/10
H10K85/60
H10K101:30
H10K101:40
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023008990
(22)【出願日】2023-01-24
(71)【出願人】
【識別番号】000004352
【氏名又は名称】日本放送協会
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】230118913
【弁護士】
【氏名又は名称】杉村 光嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100161148
【弁理士】
【氏名又は名称】福尾 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119530
【弁理士】
【氏名又は名称】冨田 和幸
(72)【発明者】
【氏名】岡田 拓也
(72)【発明者】
【氏名】深川 弘彦
(72)【発明者】
【氏名】大野 拓
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 翼
【テーマコード（参考）】
3K107
4C055
4H006
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107CC02
3K107CC12
3K107DD53
3K107DD59
3K107DD66
3K107DD71
3K107DD78
3K107FF19
4C055AA01
4C055BA03
4C055BA08
4C055BA35
4C055CA01
4C055DA08
4C055DA35
4H006AA01
4H006AA03
4H006AB90
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体を提供する。
【解決手段】３つのフタロニトリル部位（２つのシアノ基を有するベンゼン環）を直接又は間接的にアントラセン環に繋げることにより、上記課題を解決できる。具体的には、例えば下記化合物（２－１）が示される。
【選択図】なし
【解決手段】３つのフタロニトリル部位（２つのシアノ基を有するベンゼン環）を直接又は間接的にアントラセン環に繋げることにより、上記課題を解決できる。具体的には、例えば下記化合物（２－１）が示される。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記一般式（１）：
［一般式（１）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
【化1】
Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
【請求項2】
下記一般式（２）：
［一般式（２）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化2】
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【請求項3】
下記一般式（３）：
［一般式（３）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｙは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮであり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化3】
Ｙは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮであり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【請求項4】
下記一般式（４）：
［一般式（４）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化4】
Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【請求項5】
陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、請求項１に記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光層が、請求項１に記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項6】
前記発光層が、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項7】
前記陽極と前記発光層との間に、更に正孔輸送層を具え、
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項8】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、表示装置。
【請求項9】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンス（電界発光）を「ＥＬ」と記す場合がある。）素子、表示装置、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
アントラセン誘導体、テトラセン誘導体等の縮合環化合物は、その電子的特性から機能性電子素子素材として注目されている。該縮合環化合物は、高い発光の量子収率を示すため、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層材料として広く使われている（例えば、非特許文献１～３参照）。
【0003】
また、上記の縮合環化合物は、三重項－三重項消滅を利用することで、電流励起により生成する三重項励起状態も、一重項励起状態からの発光として取り出すことができる（例えば、非特許文献３及び４参照）。
【0004】
この特長を利用して、近年、有機エレクトロルミネッセンス素子を低い印加電圧で発光させる取り組みが精力的に行われている。例えば、テトラセン誘導体であるルブレンをドナーに用い、アクセプターとして電子親和力が大きいフラーレンを用いて、その界面で形成される励起錯体（エキサイプレックス）のエネルギーを、三重項－三重項消滅を経て、有機エレクトロルミネッセンス素子において、ルブレンの一重項励起状態の発光として取り出せることが報告されている（例えば、非特許文献３及び５参照）。
【0005】
このルブレンとアクセプターを組み合わせた有機エレクトロルミネッセンス素子においては、ルブレンの最高占有軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギーであるイオン化ポテンシャルと、アクセプターであるフラーレンの最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー差が小さく、その小さいエネルギー差で励起状態を形成できるため、低い印加電圧で発光に寄与する励起状態を生成させることができる。一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子では、一つの分子で電荷を再結合させるため、発光に寄与する励起状態を生成させるためにはバンドギャップのエネルギーに相当する印加電圧が必要であるが、ルブレンとアクセプターの励起錯体を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子では、より低電圧で発光が得られる（例えば、非特許文献１～３及び５参照）。
【0006】
しかしながら、三重項－三重項消滅が起こる材料として、ルブレン等のテトラセン誘導体を用いた場合、材料のピーク波長は５５０ｎｍ以上となるため、橙色や赤色の発光しか得ることができない。青色や緑色の発光を得るためには、アントラセン誘導体など、より発光波長が短い縮合環化合物が必要となる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】Ｘｉａｎｇｙａｎｇ Ｔａｎｇ， Ｑｉｎｇ Ｂａｉ， Ｔｏｎｇ Ｓｈａｎ， Ｊｉｎｙｕ Ｌｉ， Ｙｕ Ｇａｏ， Ｆｕｔｏｎｇ Ｌｉｕ， Ｈｕｉ Ｌｉｕ， Ｑｉｍｉｎｇ Ｐｅｎｇ， Ｂｉｎｇ Ｙａｎｇ， Ｆｅｎｇ Ｌｉ， ａｎｄ Ｐｉｎｇ Ｌｕ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２８：１７０５８１３，ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｆｍ．２０１７０５８１３
【非特許文献2】Ｆｕｔｏｎｇ Ｌｉｕ，外８名，「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ」，第７巻，２０１９年，ｐ１４８８１，ＤＯＩ：１０．１０３９／ｃ９ｔｃ０５０４０ｊ
【非特許文献3】Ｓｅｂａｓｔｉａｎ Ｅｎｇｍａｎｎ，外５名，「Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ」，第１０巻，２０１９年，ｐ２２７，ｄｏｉ．ｏｒｇ／１０．１０３８／ｓ４１４６７－０１８－０８０７５－ｚ
【非特許文献4】Ｙｏｕｎ Ｊｕｅ Ｂａｅ，外９名，「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｃｉｅｔｙ」、２０１８年，第１４０巻，ｐ１５１４０，ＤＯＩ：１０．１０２１／ｊａｃｓ．８ｂ０７４９８
【非特許文献5】Ｓｅｉｉｃｈｉｒｏ Ｉｚａｗａ，外３名，ＤＯＩ：１０．２６４３４／ｃｈｅｍｒｘｉｖ．１４６８５４１７．ｖ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上記非特許文献１及び２においては、シアノ基やトリフェニルトリアジン基といった、アクセプター性の置換基をアントラセン誘導体に導入することで、電子親和力が比較的大きいアントラセン誘導体が実現できている。これらアントラセン誘導体とドナー性材料との間で形成される励起錯体を利用することで、低電圧で駆動する青色や緑色の有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる可能性がある。しかしながら、さらなる低電圧化に向けては、電子親和力がより大きいアントラセン誘導体が必要である。
【0009】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することを更なる課題とする。
また、本発明は、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することを更なる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者らは、電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体について種々検討したところ、３つのフタロニトリル部位（２つのシアノ基を有するベンゼン環）を直接又は間接的にアントラセン環に繋げることにより、上記課題をみごとに解決できることに想到し、本発明に到達したものである。
即ち、上記課題を解決する本発明のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置の要旨構成は、以下の通りである。
即ち、上記課題を解決する本発明のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置の要旨構成は、以下の通りである。
【0011】
［１］ 下記一般式（１）：
［一般式（１）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
上記［１］に記載の本発明のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化1】
Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
上記［１］に記載の本発明のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0012】
［２］ 下記一般式（２）：
［一般式（２）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、［１］に記載のアントラセン誘導体。
上記［２］に記載のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化2】
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、［１］に記載のアントラセン誘導体。
上記［２］に記載のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0013】
［３］ 下記一般式（３）：
［一般式（３）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｙは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮであり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、［１］に記載のアントラセン誘導体。
上記［３］に記載のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化3】
Ｙは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮであり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、［１］に記載のアントラセン誘導体。
上記［３］に記載のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0014】
［４］ 下記一般式（４）：
［一般式（４）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、［１］に記載のアントラセン誘導体。
上記［４］に記載のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化4】
Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表される、［１］に記載のアントラセン誘導体。
上記［４］に記載のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0015】
［５］ 陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、［１］～［４］のいずれか一つに記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［５］に記載の本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が低い。
前記発光層が、［１］～［４］のいずれか一つに記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［５］に記載の本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が低い。
【0016】
［６］ 前記発光層が、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、［５］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
上記［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
【0017】
［７］ 前記陽極と前記発光層との間に、更に正孔輸送層を具え、
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、［５］又は［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、［５］又は［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
【0018】
［８］ ［５］～［７］のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、表示装置。
上記［８］に記載の本発明の表示装置は、低い印加電圧で発光する。
上記［８］に記載の本発明の表示装置は、低い印加電圧で発光する。
【0019】
［９］ ［５］～［７］のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、照明装置。
上記［９］に記載の本発明の照明装置は、低い印加電圧で発光する。
上記［９］に記載の本発明の照明装置は、低い印加電圧で発光する。
【発明の効果】
【0020】
本発明によれば、電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体を提供することができる。
また、本発明によれば、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することができる。
また、本発明によれば、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の有機ＥＬ素子の構造の一例を示した概略図である。
【図2】本発明の有機ＥＬ素子の一例内のエネルギー準位を示した概略図である。
【図3】本発明のアントラセン誘導体の発光機構の一例である、励起錯体からのエネルギー移動と、三重項－三重項消滅と、を活用した一重項励起状態からの発光を示した概略図である。
【図4】一般的な有機ＥＬ素子の構造の一例と、その中のエネルギー準位を示した概略図である。
【図5】本発明の有機ＥＬ素子の構造の他の一例を示した概略図である。
【図6】本発明のアントラセン誘導体の発光機構の他の一例である、励起錯体からのエネルギー移動と、三重項－三重項消滅と、一重項励起状態からのエネルギー移動と、を利用した発光を示した概略図である。
【図7】式（２－１）で表わされるアントラセン誘導体のＮＭＲスペクトルである。
【図8】式（３－１）で表わされるアントラセン誘導体のＮＭＲスペクトルである。
【図9】式（４－１）で表わされるアントラセン誘導体のＮＭＲスペクトルである。
【図10】実施例１及び比較例１で製造した、各種有機ＥＬ素子の（ａ）電流密度－電圧特性及び（ｂ）輝度－電圧特性を測定した結果を示すグラフである。
【図11】実施例２及び比較例１で製造した、各種有機ＥＬ素子の（ａ）電流密度－電圧特性及び（ｂ）輝度－電圧特性を測定した結果を示すグラフである。
【図12】実施例３及び比較例１で製造した、各種有機ＥＬ素子の（ａ）電流密度－電圧特性及び（ｂ）輝度－電圧特性を測定した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下に、本発明のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置を、その実施形態に基づき、詳細に例示説明する。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
【0023】
＜アントラセン誘導体＞
本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（１）：
［一般式（１）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする。
本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（１）：
【化5】
Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする。
【0024】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体は、３つのフタロニトリル部位（２つのシアノ基を有するベンゼン環）を、直接又は間接的にアントラセン環に繋げた構造を有し、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0025】
上記一般式（１）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基である。なお、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３の選択肢としてのＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義であり、Ｒ１については、後述する。
アクセプター性の置換基であるシアノ基を２つ有するフタロニトリル部位をアントラセン環に繋げることにより、電子親和力が大きくなり、発光特性に優れたアントラセン誘導体が得られる。
アクセプター性の置換基であるシアノ基を２つ有するフタロニトリル部位をアントラセン環に繋げることにより、電子親和力が大きくなり、発光特性に優れたアントラセン誘導体が得られる。
【0026】
また、５つのＸ１の内のいずれの２つがシアノ基であってもよいが、アントラセン環への結合位置に対して、メタ位のＸ１の少なくとも一方がシアノ基であることが好ましく、メタ位のＸ１の両方がシアノ基であること更に好ましい。一方、５つのＸ１の内の他の３つは、Ｒ１であるが、３つのＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0027】
また、５つのＸ２の内のいずれの２つがシアノ基であってもよいが、３つのＣ（炭素）と３つのＡで構成される六員環への結合位置に対して、メタ位のＸ２の少なくとも一方がシアノ基であることが好ましく、メタ位のＸ２の両方がシアノ基であること更に好ましい。一方、５つのＸ２の内の他の３つは、Ｒ１であるが、３つのＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0028】
また、５つのＸ３の内のいずれの２つがシアノ基であってもよいが、３つのＣ（炭素）と３つのＡで構成される六員環への結合位置に対して、メタ位のＸ３の少なくとも一方がシアノ基であることが好ましく、メタ位のＸ２の両方がシアノ基であること更に好ましい。一方、５つのＸ３の内の他の３つは、Ｒ１であるが、３つのＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0029】
上記一般式（１）中、Ａは、それぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、ここで、Ｒ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基である。３つのＡの内、２つ又は３つがＣＲ２であることが好ましく、換言すれば、３つのＡの内、１つ以下がＮ［より具体的には、－Ｎ＝］であることが好ましい。
なお、Ａの選択肢としてのＣＲ２［より具体的には、－Ｃ（Ｒ２）＝］中のＲ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、Ｒ２の選択肢としてのＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義であり、Ｒ１については、後述する。
３つのＣ（炭素）と３つのＡで構成される六員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環が挙げられる。
なお、Ａの選択肢としてのＣＲ２［より具体的には、－Ｃ（Ｒ２）＝］中のＲ２は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、Ｒ２の選択肢としてのＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義であり、Ｒ１については、後述する。
３つのＣ（炭素）と３つのＡで構成される六員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環が挙げられる。
【0030】
上記一般式（１）中のＲ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。
【0031】
ここで、炭素数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられ、炭素数１～１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられ、炭素数１～１０のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基等が挙げられ、炭素数１～１０のアルキルアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、ノニルアミノ基等が挙げられ、炭素数２～１０のアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられ、炭素数７～２０のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等が挙げられ、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、２，６－キシリル基、メシチル基、デュリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フルオロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、ピリジルフェニル基、フェナンスレニル基等が挙げられ、置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基としては、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基等が挙げられる。
【0032】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体としては、下記一般式（２）：
［一般式（２）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されるアントラセン誘導体が好ましい。
上記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化6】
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されるアントラセン誘導体が好ましい。
上記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0033】
上記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体は、上記一般式（１）中のＡがＣＲ２であり、ここで、Ｒ２がＲ１である化合物に相当し、即ち、上記一般式（１）中のＡがＣＲ１である化合物に相当する。
【0034】
上記一般式（２）中のＸ１、Ｘ２及びＸ３は、上記一般式（１）中のＸ１、Ｘ２及びＸ３と同義である。また、上記一般式（２）中のＲ１は、上記一般式（１）中のＲ１と同義である。
【0035】
上記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体として、具体的には、以下の構造式（２－１）～（２－３）の化合物が挙げられる。
【化7】
【0036】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体としては、下記一般式（３）：
［一般式（３）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｙは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮであり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されるアントラセン誘導体も好ましい。
上記一般式（３）で表されるアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化8】
Ｙは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮであり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されるアントラセン誘導体も好ましい。
上記一般式（３）で表されるアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0037】
上記一般式（３）で表されるアントラセン誘導体は、上記一般式（１）中のＡがそれぞれ独立してＣＲ２又はＮであり、但し、Ａのいずれか１つはＮであり、ここで、Ｒ２がＲ１である化合物に相当し、即ち、上記一般式（１）中のＡがそれぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、Ａのいずれか１つがＮである化合物に相当する。
【0038】
上記一般式（３）中のＸ１、Ｘ２及びＸ３は、上記一般式（１）中のＸ１、Ｘ２及びＸ３と同義である。また、上記一般式（３）中のＲ１は、上記一般式（１）中のＲ１と同義である。
【0039】
上記一般式（３）中のＹは、それぞれ独立してＣＲ１又はＮであり、但し、Ｙのいずれか１つはＮである。Ｙのいずれか１つがＮであることで、電子親和力が更に大きくなる。
一方、３つのＹの内の他の２つは、ＣＲ１であるが、２つのＣＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、Ｙの選択肢としてのＣＲ１［－Ｃ（Ｒ１）＝］中のＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義である。
一方、３つのＹの内の他の２つは、ＣＲ１であるが、２つのＣＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、Ｙの選択肢としてのＣＲ１［－Ｃ（Ｒ１）＝］中のＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義である。
【0040】
上記一般式（３）で表されるアントラセン誘導体として、具体的には、以下の構造式（３－１）～（３－３）の化合物が挙げられる。
【化9】
【0041】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体としては、下記一般式（４）：
［一般式（４）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｘ１のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ２のいずれか２つはシアノ基で、Ｘ３のいずれか２つはシアノ基であり、
Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されるアントラセン誘導体も好ましい。
上記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化10】
Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基であり、
Ｒ１は、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されるアントラセン誘導体も好ましい。
上記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0042】
上記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体は、上記一般式（１）中のＡがＣＲ２であり、但し、Ｒ２のいずれか１つがシアノ基である化合物に相当し、即ち、上記一般式（１）中のＡがＣＺであり、ここで、Ｚは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つがシアノ基である化合物に相当する。
【0043】
上記一般式（４）中のＸ１、Ｘ２及びＸ３は、上記一般式（１）中のＸ１、Ｘ２及びＸ３と同義である。また、上記一般式（４）中のＲ１は、上記一般式（１）中のＲ１と同義である。
【0044】
上記一般式（４）中のＺは、それぞれ独立してＲ１又はシアノ基であり、但し、Ｚのいずれか１つはシアノ基である。Ｚのいずれか１つがシアノ基であることで、電子親和力が更に大きくなる。
一方、３つのＺの内の他の２つは、Ｒ１であるが、２つのＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、Ｚの選択肢としてのＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義である。
一方、３つのＺの内の他の２つは、Ｒ１であるが、２つのＲ１は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、Ｚの選択肢としてのＲ１は、一般式（１）中のＲ１と同義である。
【0045】
上記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体として、具体的には、以下の構造式（４－１）～（４－３）の化合物が挙げられる。
【化11】
【0046】
上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体は、公知の方法で合成して得ることができる。一般式（１）で表されるアントラセン誘導体の合成方法は、特に限定されるものではないが、その一例を以下に示す。
【0047】
まず、２つのカルボキシル基を有するベンゼン誘導体を準備する。該ベンゼン誘導体としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等が挙げられる。
次に、前記ベンゼン誘導体をハロゲン化して、ハロゲン基（「ハロゲノ基」とも呼ぶ。）と２つのカルボキシル基を有するベンゼン誘導体を得る。
次に、前記ハロゲン基と２つのカルボキシル基を有するベンゼン誘導体のカルボキシル基を塩素化し、カルボン酸塩化物（酸クロリド）を得る。ここで、カルボキシル基の塩素化には、塩化オキサリル［（ＣＯＣｌ）２］、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記カルボン酸塩化物をアミド化し、アミド化合物を得る。ここで、カルボン酸塩化物のアミド化には、ｔ－ブチルアミン等のアミン化合物を使用できる。
次に、前記アミド化合物をニトリル化して、ハロゲン基と２つのシアノ基を有するベンゼン誘導体を得る。ここで、アミド化合物のニトリル化には、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記ハロゲン基と２つのシアノ基を有するベンゼン誘導体に、ピナコラートボリル基等のボリル基を導入して、２つのシアノ基を有する有機ホウ素化合物を得る。ここで、ボリル基の導入には、ビス（ピナコラート）ジボロン等を使用できる。該２つのシアノ基を有する有機ホウ素化合物としては、３，５－ジシアノフェニルボロン酸ピナコールエステル等が挙げられる。
次に、前記ベンゼン誘導体をハロゲン化して、ハロゲン基（「ハロゲノ基」とも呼ぶ。）と２つのカルボキシル基を有するベンゼン誘導体を得る。
次に、前記ハロゲン基と２つのカルボキシル基を有するベンゼン誘導体のカルボキシル基を塩素化し、カルボン酸塩化物（酸クロリド）を得る。ここで、カルボキシル基の塩素化には、塩化オキサリル［（ＣＯＣｌ）２］、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記カルボン酸塩化物をアミド化し、アミド化合物を得る。ここで、カルボン酸塩化物のアミド化には、ｔ－ブチルアミン等のアミン化合物を使用できる。
次に、前記アミド化合物をニトリル化して、ハロゲン基と２つのシアノ基を有するベンゼン誘導体を得る。ここで、アミド化合物のニトリル化には、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記ハロゲン基と２つのシアノ基を有するベンゼン誘導体に、ピナコラートボリル基等のボリル基を導入して、２つのシアノ基を有する有機ホウ素化合物を得る。ここで、ボリル基の導入には、ビス（ピナコラート）ジボロン等を使用できる。該２つのシアノ基を有する有機ホウ素化合物としては、３，５－ジシアノフェニルボロン酸ピナコールエステル等が挙げられる。
【0048】
一方、３つのハロゲン基が結合した六員環化合物を準備する。ここで、３つのハロゲン基の内の１つに、後工程でアントラセン環を有するホウ素化合物を結合させるため、３つのハロゲン基の内の１つは、異なる種類にしておくことが好ましく、例えば、２つをブロモ基とし、１つをヨード基としたり、２つをクロロ基とし、１つをヨード基としたり、或いは、２つをクロロ基とし、１つをブロモ基にすることが好ましい。また、六員環化合物は、六員環として、ベンゼン環を有する化合物であってもよいし、ピリジン環を有する化合物であってもよいし、ピリミジン環を有する化合物であってもよいし、トリアジン環を有する化合物であってもよい。該３つのハロゲン基が結合した六員環化合物としては、１，３－ジブロモ－５－ヨードベンゼン、２，６－ジクロロ－４－ヨードピリジン、１，３－ジクロロ－２－シアノ－５－ブロモベンゼン等が挙げられる。前記３つのハロゲン基が結合した六員環化合物と、９－アントラセンボロン酸等のアントラセン環を有するホウ素化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリングさせることで、２つのハロゲン基が結合した六員環部位を有するアントラセン誘導体を得る。
次に、前記２つのハロゲン基が結合した六員環部位を有するアントラセン誘導体を、Ｎ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）等でブロモ化し、２つのハロゲン基が結合した六員環部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体を得る。
次に、前記２つのハロゲン基が結合した六員環部位を有するアントラセン誘導体を、Ｎ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）等でブロモ化し、２つのハロゲン基が結合した六員環部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体を得る。
【0049】
上記のようにして得た２つのシアノ基を有する有機ホウ素化合物と、２つのハロゲン基が結合した六員環部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体と、をＳｕｚｕｋｉカップリングさせることで、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を製造することができる。ここで、２つのシアノ基を有する有機ホウ素化合物と、２つのハロゲン基が結合した六員環部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体と、のＳｕｚｕｋｉカップリングは、例えば、Ｓ－Ｐｈｏｓ｛ジシクロヘキシル（２’，６’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）ホスフィン｝等の配位子と、パラジウム触媒と、塩基の存在下で、実施できる。
【0050】
また、前記Ｓｕｚｕｋｉカップリングは、例えば、酢酸パラジウム［Ｐｄ（ＯＡｃ）２］、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２等のパラジウム触媒と、リン酸三カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の塩基の存在下で、実施できる。
【0051】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が、上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を含むことを特徴とする。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が、上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を含むことを特徴とする。
【0052】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体が大きな電子親和力を有するため、発光層が一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含むことで、低い印加電圧で発光を得ることが可能である。
【0053】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体が大きな電子親和力を有するため、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料と前記アントラセン誘導体とが励起錯体を形成するように、隣接させたり（即ち、発光層が一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含み、正孔輸送層等の発光層に隣接する層が、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む）、又は混合する（即ち、発光層が一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む）ことで、より低い印加電圧で発光を得ることが可能である。
ここで、一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料のイオン化エネルギー（「イオン化ポテンシャル（ＩＰ）」とも呼ぶ。）は、計算値であり、主にＧａｕｓｓｉａｎ ０９プログラムを用いて密度汎関数法により計算し、以下の条件［Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ （ｄ，ｐ）］で計算した値である。
ここで、一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料のイオン化エネルギー（「イオン化ポテンシャル（ＩＰ）」とも呼ぶ。）は、計算値であり、主にＧａｕｓｓｉａｎ ０９プログラムを用いて密度汎関数法により計算し、以下の条件［Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ （ｄ，ｐ）］で計算した値である。
【0054】
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一態様を、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ素子の構造の一例を示した概略図である。図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２上に、陽極３と、正孔注入層４と、正孔輸送層５と、発光層６と、電子注入層７と、陰極８とがこの順に形成された積層構造を有する。
【0055】
また、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１内のエネルギー準位を図２に示す。有機ＥＬ素子１においては、アントラセン誘導体（発光層６）中に注入されてきた電子と、アントラセン誘導体よりもイオン化ポテンシャルが小さい正孔輸送層５に注入された正孔とが、励起錯体を形成することで、電流が流れて発光する。このとき、発光に必要な電圧は、アントラセン誘導体の電子親和力（ＥＡ）と正孔輸送層５の材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰ）のエネルギー差で決まるが、発光層６であるアントラセン誘導体の電子親和力が大きいため、このエネルギー差が小さくなり、発光に必要な外部印加電圧が低下する。
【0056】
次に、図３に励起錯体の形成から発光に至るまでのエネルギー移動の過程を示す。励起錯体の形成に必要な外部電圧が小さいということは、得られる励起錯体の光のエネルギーは大きくない。しかしながら、励起錯体の形成に関わるアントラセン誘導体の三重項エネルギーがこの励起錯体の励起状態のエネルギーよりも小さければ、励起錯体のエネルギーは、アントラセン誘導体の三重項励起状態にエネルギー移動する。アントラセン誘導体は三重項－三重項消滅を利用することで、一重項励起状態を生成することが良く知られているため、この特性を利用することで、一重項励起状態を生成させ、そこからの発光を得ることができる。ここで、一重項励起状態からの発光は、励起錯体の光に比べて、エネルギーが大きい。
【0057】
次に、励起錯体の形成を利用しない、一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構成とエネルギー準位を図４に示す。図４に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板の上に、陽極と、正孔注入層と、正孔輸送層と、電子阻止層と、発光層と、正孔阻止層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極と、がこの順に形成された積層構造を有する。一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光層材料で直接電子と正孔を再結合させて励起状態を形成するため、発光層材料のバンドギャップに近い外部電圧を印加することが必要である。この外部電圧は、図１～図３に示す有機ＥＬ素子よりも、発光に必要な電圧が高い。また、有機ＥＬ素子内にエネルギー準位が異なる多数の材料を用いると、デバイス内にエネルギー差が生じ、電圧の上昇につながる。従って、低電圧化のためには、図１～図３に示すようなアントラセン誘導体と他の材料との励起錯体を利用することが有効である。但し、本発明のアントラセン誘導体は、高い発光効率を示すことが期待されるため、図４に示すような形で発光層等に用いることも可能である。
【0058】
【0059】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、図５に示すように、基板２上に陰極８を有する逆構造の有機ＥＬ素子としてもよい。図５に示す有機ＥＬ素子１は、基板２上に、陰極８と、電子注入層７と、発光層６と、正孔輸送層５と、正孔注入層４と、陽極３とがこの順に形成された積層構造を有する。
【0060】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子を構成する層の一部を、無機化合物を用いて形成した有機無機ハイブリッド型の有機電界発光素子（ＨＯＩＬＥＤ素子）であってもよい。
【0061】
「基板」
基板２の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。
基板２に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板２の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機ＥＬ素子１が得られるため好ましい。
基板２に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
基板２の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。
基板２に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板２の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機ＥＬ素子１が得られるため好ましい。
基板２に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
【0062】
有機ＥＬ素子１がボトムエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板を用いる。
有機ＥＬ素子１がトップエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
有機ＥＬ素子１がトップエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【0063】
基板２の平均厚さは、基板２の材料等に応じて決定でき、０．１～３０ｍｍであることが好ましく、０．１～１０ｍｍであることがより好ましい。基板２の平均厚さは、デジタルマルチメーター、ノギスにより測定できる。
【0064】
「陽極」
図１に示す陽極３は、基板２上に直接接触して形成されているが、図５に示すような逆構造の有機ＥＬ素子の場合は、基板２上に直接接触して形成されていなくてもよい。
陽極３の材料としては、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素酸化錫）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物の導電材料が挙げられる。この中でも、陽極３の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯを用いることが好ましい。
陽極３の平均厚さは、特に制限されないが、１０～５００ｎｍであることが好ましく、１００～２００ｎｍであることがより好ましい。
陽極３の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
図１に示す陽極３は、基板２上に直接接触して形成されているが、図５に示すような逆構造の有機ＥＬ素子の場合は、基板２上に直接接触して形成されていなくてもよい。
陽極３の材料としては、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素酸化錫）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物の導電材料が挙げられる。この中でも、陽極３の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯを用いることが好ましい。
陽極３の平均厚さは、特に制限されないが、１０～５００ｎｍであることが好ましく、１００～２００ｎｍであることがより好ましい。
陽極３の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
【0065】
「正孔注入層」
正孔注入層４は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。無機材料は、有機材料と比較して安定であるため、有機材料を用いた場合と比較して、酸素や水に対する高い耐性が得られ易い。
無機材料としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等の金属酸化物を１種又は２種以上を用いることができる。
有機材料としては、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）や２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）等を用いることができる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等の高分子材料も用いることができる。
正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、５～５０ｎｍであることがより好ましい。
正孔注入層４の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
正孔注入層４は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。無機材料は、有機材料と比較して安定であるため、有機材料を用いた場合と比較して、酸素や水に対する高い耐性が得られ易い。
無機材料としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等の金属酸化物を１種又は２種以上を用いることができる。
有機材料としては、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）や２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）等を用いることができる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等の高分子材料も用いることができる。
正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、５～５０ｎｍであることがより好ましい。
正孔注入層４の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
【0066】
「正孔輸送層」
正孔輸送層５は、上述の通り、アントラセン誘導体と励起錯体を形成する有機化合物を含むことが好ましく、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含むことが更に好ましい。後述するように、発光層６は、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含むため、正孔輸送層５が、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、発光層６と正孔輸送層５の界面で励起錯体が形成され、有機ＥＬ素子１の駆動電圧を更に低くできる。
正孔輸送層５は、上述の通り、アントラセン誘導体と励起錯体を形成する有機化合物を含むことが好ましく、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含むことが更に好ましい。後述するように、発光層６は、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含むため、正孔輸送層５が、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、発光層６と正孔輸送層５の界面で励起錯体が形成され、有機ＥＬ素子１の駆動電圧を更に低くできる。
【0067】
正孔輸送層５に用いる正孔輸送性有機材料としては、励起錯体を形成する材料のうち、ＩＰ及びＥＡが小さい材料（ドナー性の高い材料）を用いることが好ましい。具体的には、トリアリールアミン、カルバゾール、フェノキサジン、フェナジン、アクリジン、アザジベンゾピレン、ジュロリジン骨格等、ドナー性が高い分子構造を含む材料が好ましい。より具体的には、以下に示す、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＴ－１、ＴＡＰＣ、ＴＰＤＩ、ＨＮ－Ｄ１、ＨＮ－Ｄ２、Ｎ－ＴＰＡ、ＥＨ４４、ＰＨＺ－２Ｎａｐｈ、ＴＢＤＩ、ＨＴ－０１、Ｎ－ＤＰＡ、ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯ－ＴＡＤ、Ｔｒｉｓ－ＰＣｚ、α－ＮＰＤ、ＴｃＴａ、２－ＳＦ－ＤＭＡＣ、２－ＳＦ－ＰＨＸ、ＳＦ－ＢＣｚ、ＦＡＴＰＡ等が好ましい。
【化12-1】
【化12-2】
【化12-3】
【0068】
上記ドナー性の高い材料のＩＰ／ＥＡの計算値を表１に示す。
【0069】
【表1】
【0070】
上記ＩＰ／ＥＡの計算値は、主にＧａｕｓｓｉａｎ ０９プログラムを用いて密度汎関数法により計算し、以下の条件［Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ （ｄ，ｐ）］で計算した。
また、幾つかの材料について、紫外光電子分光法（ＵＰＳ）により求めたＩＰの実測値を示す。このように、ＩＰの実測値と計算値には強い相関関係が見られる。
また、幾つかの材料について、紫外光電子分光法（ＵＰＳ）により求めたＩＰの実測値を示す。このように、ＩＰの実測値と計算値には強い相関関係が見られる。
【0071】
正孔輸送層５に含まれる有機化合物は、密度汎関数法を用いて算出したイオン化ポテンシャル（ＩＰ）の計算値が３．７４～５．０８ｅＶであるか、イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の実測値が４．４～５．８ｅＶであることが好ましい。
正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
正孔輸送層５の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
正孔輸送層５の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
【0072】
「発光層」
発光層６は、上述の通り、本発明のアントラセン誘導体を含む。また、発光層６は、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含んでもよい。発光層６が、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、励起錯体が形成される。
発光層６は、上述の通り、本発明のアントラセン誘導体を含む。また、発光層６は、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含んでもよい。発光層６が、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、励起錯体が形成される。
【0073】
前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料としては、「正孔輸送層５」の項で挙げたＩＰ及びＥＡが小さい材料（ドナー性の高い材料）が好ましく、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＴ－１、ＴＡＰＣ、ＴＰＤＩ、ＨＮ－Ｄ１、ＨＮ－Ｄ２、Ｎ－ＴＰＡ、ＥＨ４４、ＰＨＺ－２Ｎａｐｈ、ＴＢＤＩ、ＨＴ－０１、Ｎ－ＤＰＡ、ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯ－ＴＡＤ、Ｔｒｉｓ－ＰＣｚ、α－ＮＰＤ、ＴｃＴａ、２－ＳＦ－ＤＭＡＣ、２－ＳＦ－ＰＨＸ、ＳＦ－ＢＣｚ、ＦＡＴＰＡ等が更に好ましい。
ここで、発光層６における、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料の含有量は、前記アントラセン誘導体に対して、１０～５０質量％の範囲が好ましい。
ここで、発光層６における、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料の含有量は、前記アントラセン誘導体に対して、１０～５０質量％の範囲が好ましい。
【0074】
発光層６においては、図３に示すようにアントラセン誘導体の発光を取り出すこともできる一方、図６に示す通り、アントラセン誘導体（又は励起錯体）を発光層６のホストとして用いて、別の発光ドーパントの発光を取り出すことも可能である。この場合、ホストに対するドーパントとして、イリジウム錯体や白金錯体等の燐光発光材料、蛍光発光材料、熱活性化遅延蛍光材料等を、前記発光層６に混合してもよい。ドーパントの混合比は、アントラセン誘導体（又は励起錯体）に対して２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以下である。
【0075】
前記蛍光発光材料としては、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４－メチル－８－キノリノレート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｍｑ３）、８－ヒドロキシキノリン亜鉛（Ｚｎｑ２）等の各種金属錯体；ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）等のベンゼン系化合物；ナフタレン、ナイルレッド等のナフタレン系化合物；フェナントレン等のフェナントレン系化合物；クリセン、６－ニトロクリセン等のクリセン系化合物；ペリレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－３，４，９，１０－ペリレン－ジ－カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）等のペリレン系化合物；コロネン等のコロネン系化合物；アントラセン、ビススチリルアントラセン等のアントラセン系化合物；ピレン、ＢＤ－１等のピレン系化合物；４－（ジ－シアノメチレン）－２－メチル－６－（パラ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ）等のピラン系化合物；アクリジン等のアクリジン系化合物；スチルベン等のスチルベン系化合物；２，５－ジベンゾオキサゾールチオフェン等のチオフェン系化合物；ベンゾオキサゾール等のベンゾオキサゾール系化合物；ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系化合物；２，２’－（パラ－フェニレンジビニレン）－ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系化合物；ビスチリル（１，４－ジフェニル－１，３－ブタジエン）、テトラフェニルブタジエン等のブタジエン系化合物；ナフタルイミド等のナフタルイミド系化合物；クマリン等のクマリン系化合物；ペリノン等のペリノン系化合物；オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；アルダジン系化合物；１，２，３，４，５－ペンタフェニル－１，３－シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）等のシクロペンタジエン系化合物；キナクリドン、キナクリドンレッド等のキナクリドン系化合物；ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン等のピリジン系化合物；２，２’，７，７’－テトラフェニル－９，９’－スピロビフルオレン等のスピロ化合物等が挙げられる。
【0076】
前記熱活性化遅延蛍光材料としては、２，４，５，６－テトラ（９－カルバゾール）－イソフタロニトリル（４ＣｚＩＰＮ）、４，５－ジ（９－カルバゾール）－フタロニトリル（２ＣｚＰＮ）、３，４，５，６－テトラ（９－カルバゾール）－フタロニトリル（４ＣｚＰＮ）、２，３，５，６－テトラ（９－カルバゾール）－テレフタロニトリル（４ＣｚＴＰＮ）、２，３，５，６－テトラ（３，６－ジメチル－９－カルバゾール）－テレフタロニトリル（４ＣｚＴＰＮ－Ｍｅ）、２，３，５，６－テトラ（３，６－ジフェニル－９－カルバゾール）－テレフタロニトリル（４ＣｚＴＰＮ－Ｐｈ）等が挙げられ、更には、特開２０１２－１９３３５２号公報、国際公開第２０１１／０７０９６３号に記載の化合物等が挙げられる。
【0077】
発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
発光層６の平均厚さは、触針式段差計により測定してもよいし、水晶振動子膜厚計により発光層６の成膜時に測定してもよい。
発光層６の平均厚さは、触針式段差計により測定してもよいし、水晶振動子膜厚計により発光層６の成膜時に測定してもよい。
【0078】
「電子注入層」
電子注入層７は、アルカリ金属やアルカリ土類金属全般等の仕事関数が小さい材料全般、リチウムキノリン、フッ素化リチウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム等の仕事関数が小さい金属を含む化合物、下記一般式（５）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物、又は下記一般式（６）で表される構造を有する化合物等を用いることができる。
電子注入層７は、アルカリ金属やアルカリ土類金属全般等の仕事関数が小さい材料全般、リチウムキノリン、フッ素化リチウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム等の仕事関数が小さい金属を含む化合物、下記一般式（５）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物、又は下記一般式（６）で表される構造を有する化合物等を用いることができる。
【0079】
【化13】
【0080】
【化14】
【0081】
上記一般式（５）におけるＲ３は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。
芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、炭素数３～３０のものが好ましく、炭素数４～２４のものがより好ましく、炭素数５～２０のものがさらに好ましい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン等の１つの芳香環のみからなる化合物；ビフェニル、ジフェニルベンゼン等の複数の芳香環が１つの炭素原子同士で直接結合した化合物；ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の縮合環式芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、チオフェン、フラン、ピロール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等の１つの芳香族複素環のみからなる化合物；これらの１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物（ビピリジン等）；キノリン、キノキサリン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、インドール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アクリジン、フェナントロリン等の縮合環式複素芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香族複素環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
アリールアルキレン基としては、上記芳香族炭化水素基と炭素数１～３のアルキレン基とを組み合わせた基が挙げられる。
２～４価の鎖状または環状炭化水素基としては、炭素数１～１２のものが好ましく、炭素数１～６のものがより好ましく、炭素数１～４のものがさらに好ましい。鎖状炭化水素基は直鎖状のものであってもよく、分岐鎖状のものであってもよい。
また、Ｒ３は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基を２つ以上組み合わせてできる基でもよい。
更に、Ｒ３は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基であってもよい。そのような基としては、例えば、トリメチルアミン等のトリアルキルアミンやトリフェニルアミンから水素原子を１～４個除いてできる基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、炭素数３～３０のものが好ましく、炭素数４～２４のものがより好ましく、炭素数５～２０のものがさらに好ましい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン等の１つの芳香環のみからなる化合物；ビフェニル、ジフェニルベンゼン等の複数の芳香環が１つの炭素原子同士で直接結合した化合物；ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の縮合環式芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、チオフェン、フラン、ピロール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等の１つの芳香族複素環のみからなる化合物；これらの１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物（ビピリジン等）；キノリン、キノキサリン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、インドール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アクリジン、フェナントロリン等の縮合環式複素芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香族複素環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
アリールアルキレン基としては、上記芳香族炭化水素基と炭素数１～３のアルキレン基とを組み合わせた基が挙げられる。
２～４価の鎖状または環状炭化水素基としては、炭素数１～１２のものが好ましく、炭素数１～６のものがより好ましく、炭素数１～４のものがさらに好ましい。鎖状炭化水素基は直鎖状のものであってもよく、分岐鎖状のものであってもよい。
また、Ｒ３は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基を２つ以上組み合わせてできる基でもよい。
更に、Ｒ３は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基であってもよい。そのような基としては、例えば、トリメチルアミン等のトリアルキルアミンやトリフェニルアミンから水素原子を１～４個除いてできる基等が挙げられる。
【0082】
上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は、アリールアルキレン基は１価の置換基を１つ又は２つ以上有していてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
【0083】
上記一般式（５）におけるｎ１は、１～４の整数であるが、２又は３であることが好ましい。
【0084】
上記一般式（５）で表される化合物は、ヨウ素、臭素、塩素、フッ素を有するハロゲン化合物と、ヘキサヒドロピリミドピリミジンとを原料とし、Ｕｌｌｍａｎｎカップリング反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇアミノ化反応又は求核置換反応等により合成することができる。
【0085】
上記一般式（６）におけるＸ４、Ｘ５は、同一又は異なって、置換基を有していてもよい窒素原子、酸素原子、硫黄原子又は２価の連結基を表す。
２価の連結基としては、２価の炭化水素基及び炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基が挙げられる。
炭化水素基としては、炭素数１～６のものが好ましく、炭素数１、２、又は６のものがより好ましい。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
２価の炭化水素基は、飽和炭化水素基であるアルキレン基でもよく、アルケニレン基、アルキニレン基等の不飽和炭化水素基でもよい。
２価の連結基としては、２価の炭化水素基及び炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基が挙げられる。
炭化水素基としては、炭素数１～６のものが好ましく、炭素数１、２、又は６のものがより好ましい。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
２価の炭化水素基は、飽和炭化水素基であるアルキレン基でもよく、アルケニレン基、アルキニレン基等の不飽和炭化水素基でもよい。
【0086】
上記一般式（６）におけるＬは、直接結合またはｐ価の連結基を表す。なお、Ｌが直接結合となるのは、ｐが２の場合のみである。
ｐ価の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子の他、炭化水素基や炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基から水素原子をｐ個除いてできる基が挙げられる。
ｐ価の連結基が炭素原子を有するものである場合、炭素数１～３０のものが好ましい。より好ましくは、炭素数１～２０のものである。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
炭化水素基としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれのものであってもよい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、トリフェニレン環、ピレン環、フルオレン環、インデン環等の芳香族化合物から水素原子を除いてできる基が挙げられる。
ｐ価の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子の他、炭化水素基や炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基から水素原子をｐ個除いてできる基が挙げられる。
ｐ価の連結基が炭素原子を有するものである場合、炭素数１～３０のものが好ましい。より好ましくは、炭素数１～２０のものである。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
炭化水素基としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれのものであってもよい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、トリフェニレン環、ピレン環、フルオレン環、インデン環等の芳香族化合物から水素原子を除いてできる基が挙げられる。
【0087】
上記一般式（６）におけるＲ４～Ｒ６は、同一又は異なって、１価の置換基を表す。また、ｍ１～ｍ３は、同一又は異なって、０～３の数を表す。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
【0088】
上記一般式（６）におけるｐは、１～４の数を表すが、１～３の数であることが好ましい。
また、上記一般式（６）におけるｎ２は、０又は１の数を表すが、０であることが好ましい。
また、上記一般式（６）におけるｎ２は、０又は１の数を表すが、０であることが好ましい。
【0089】
電子注入層７の平均厚さは、０．５～１００ｎｍであることが好ましく、１～１０ｎｍであることがより好ましい。電子注入層８は塗料組成物を塗布する方法、もしくは、真空蒸着法を用いて共蒸着することにより形成可能である。
電子注入層７の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
電子注入層７の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
【0090】
「陰極」
陰極８に用いられる材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも、陰極８の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌを用いることが好ましい。
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１０００ｎｍであることが好ましく、３０～１５０ｎｍであることがより好ましい。また、陰極９の材料として不透過な材料を用いる場合でも、例えば、平均厚さを１０～３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ素子における透明な陰極として使用できる。
陰極８の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により陰極９の成膜時に測定できる。
陰極８に用いられる材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも、陰極８の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌを用いることが好ましい。
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１０００ｎｍであることが好ましく、３０～１５０ｎｍであることがより好ましい。また、陰極９の材料として不透過な材料を用いる場合でも、例えば、平均厚さを１０～３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ素子における透明な陰極として使用できる。
陰極８の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により陰極９の成膜時に測定できる。
【0091】
特に図５に示す逆構造の有機ＥＬ素子においては、陰極８上に無機の酸化物からなる層を製膜したものも、陰極の一部として取り扱う。
この場合に用いる酸化物は、半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。具体的には、単体の金属酸化物からなる層、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、二種類以上の金属酸化物を混合した層のいずれであってもよい。
この場合に用いる酸化物は、半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。具体的には、単体の金属酸化物からなる層、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、二種類以上の金属酸化物を混合した層のいずれであってもよい。
【0092】
無機の酸化物を形成する金属酸化物を構成する金属元素としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、インジウム、ガリウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素が挙げられる。
【0093】
無機の酸化物からなる層が、二種類以上の金属酸化物を混合した層を含む場合、金属酸化物を構成する金属元素の少なくとも一つが、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、チタン、亜鉛からなる層であることが好ましい。
無機の酸化物からなる層が、単体の金属酸化物からなる層である場合、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物からなる層であることが好ましい。
無機の酸化物からなる層が、単体の金属酸化物からなる層である場合、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物からなる層であることが好ましい。
【0094】
無機の酸化物からなる層が、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、または二種類以上の金属酸化物を混合した層である場合、酸化チタン／酸化亜鉛、酸化チタン／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化ケイ素、酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化カルシウム／酸化アルミニウム、から選ばれる二種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したもの、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化インジウム／酸化ガリウム／酸化亜鉛、から選ばれる三種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したもの等が挙げられる。
【0095】
無機の酸化物は、特殊な組成として良好な特性を示す酸化物半導体であるＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）及び／又はエレクトライドである１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３を含むものであってもよい。
無機の酸化物を成膜する場合の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、２～１００ｎｍであることがより好ましい。
無機の酸化物からなる層の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
無機の酸化物を成膜する場合の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、２～１００ｎｍであることがより好ましい。
無機の酸化物からなる層の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
【0096】
「封止」
有機ＥＬ素子１は、必要に応じて、封止されていてもよい。
例えば、有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子１を収容する凹状の空間を有する封止容器（不図示）と、封止容器の縁部と基板２とを接着する接着剤とによって封止されていてもよい。また、封止容器に有機ＥＬ素子１を収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂などからなるシール材を充填することにより封止してもよい。
有機ＥＬ素子１は、必要に応じて、封止されていてもよい。
例えば、有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子１を収容する凹状の空間を有する封止容器（不図示）と、封止容器の縁部と基板２とを接着する接着剤とによって封止されていてもよい。また、封止容器に有機ＥＬ素子１を収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂などからなるシール材を充填することにより封止してもよい。
【0097】
封止容器又は封止部材を用いて有機ＥＬ素子１を封止する場合、封止容器内又は封止部材の内側に、水分を吸収する乾燥材を配置してもよい。また、封止容器又は封止部材として、水分を吸収する材料を用いてもよい。また、封止された封止容器内又は封止部材の内側には、空間が形成されていてもよい。
【0098】
有機ＥＬ素子１を封止する場合に用いる封止容器又は封止部材の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等を用いることができる。封止容器又は封止部材に用いられる樹脂材料及びガラス材料としては、基板２に用いる材料と同様のものが挙げられる。
【0099】
「有機ＥＬ素子の製造方法」
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
【0100】
有機ＥＬ素子１を製造するには、まず、基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解（ＳＰＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、気相成膜法、液相成膜法等により形成することができる。陽極３の形成には、金属箔を接合する方法を用いてもよい。
陽極３は、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解（ＳＰＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、気相成膜法、液相成膜法等により形成することができる。陽極３の形成には、金属箔を接合する方法を用いてもよい。
【0101】
次に、陽極３上に、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７をこの順で形成する。
正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の形成方法は、特に限定されず、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入７のそれぞれに用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いることができる。
具体的には、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の各層を形成する方法として、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ＥＳＤＵＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ Ｓｐｒａｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｕｌｔｒａ－ｄｉｌｕｔｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）法等が挙げられる。
正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の形成方法は、特に限定されず、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入７のそれぞれに用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いることができる。
具体的には、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の各層を形成する方法として、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ＥＳＤＵＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ Ｓｐｒａｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｕｌｔｒａ－ｄｉｌｕｔｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）法等が挙げられる。
【0102】
次に、電子注入層７上に、陰極８を形成する。陰極８は、例えば、陽極３と同様にして形成できる。
【0103】
図５に示す逆構造の有機ＥＬ素子を作製する場合、順序が逆となる。なお、図５に示す逆構造の有機ＥＬ素子において、陰極８上に無機の酸化物からなる層を形成する場合、酸化物は、例えば、スプレー熱分解法、ゾルゲル法、スパッタ法、真空蒸着法等の方法を用いて形成する。
以上の工程により、有機ＥＬ素子１が得られる。
以上の工程により、有機ＥＬ素子１が得られる。
【0104】
「封止方法」
有機ＥＬ素子１を封止する場合には、有機ＥＬ素子の封止に用いられる通常の方法を使用して封止できる。
有機ＥＬ素子１を封止する場合には、有機ＥＬ素子の封止に用いられる通常の方法を使用して封止できる。
【0105】
＜表示装置、照明装置＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光効率が高い上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を利用して発光を得るため、好ましくは、電子親和力が大きいアントラセン誘導体と他のイオン化ポテンシャルが小さい有機材料との間で形成される励起錯体を利用して発光を得るため、小さなエネルギーで電荷の再結合が可能となる。従って、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１となる。
本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光効率が高い上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を利用して発光を得るため、好ましくは、電子親和力が大きいアントラセン誘導体と他のイオン化ポテンシャルが小さい有機材料との間で形成される励起錯体を利用して発光を得るため、小さなエネルギーで電荷の再結合が可能となる。従って、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１となる。
【0106】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層等の材料を適宜選択することによって発光色を変化させることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。そのため、本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置の発光部位や照明装置として好適に用いることができる。
【0107】
本発明の表示装置は、その簡易な素子構造により生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を具える。このため、表示装置として好ましいものである。
また、本発明の照明装置は、その単純な素子構造により生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を具える。このため、照明装置として好ましいものである。
また、本発明の照明装置は、その単純な素子構造により生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を具える。このため、照明装置として好ましいものである。
【実施例0108】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
【0109】
＜３，５－ジシアノフェニルボロン酸ピナコールエステルの合成＞
以下の反応スキームに従って、式（７－５）で表される化合物を合成した。
以下の反応スキームに従って、式（７－５）で表される化合物を合成した。
【化15】
【0110】
「式（７－１）で表される化合物の合成工程」
１Ｌ反応器にイソフタル酸（１００ｇ，０．６０２ｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、濃硫酸（３００ｍＬ）を加え、バス温８０℃、内温６５℃に昇温した。この懸濁液にＮＢＳ（１２８ｇ）を１５分ごとに３２ｇずつ４回に分けて加えた。添加後、同温で３０分間撹拌後、放冷し、この溶液を氷水（２Ｌ）にゆっくり加え、１５分間激しく撹拌した。析出した固体を濾別し、濾床を市水、ＩＰＥにてかけ洗いした後、高真空下７０℃で乾燥し、白色の粉末である式（７－１）で表される化合物（１４４ｇ，０．５８７ｍｏｌ，９７％）を得た。
１Ｌ反応器にイソフタル酸（１００ｇ，０．６０２ｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、濃硫酸（３００ｍＬ）を加え、バス温８０℃、内温６５℃に昇温した。この懸濁液にＮＢＳ（１２８ｇ）を１５分ごとに３２ｇずつ４回に分けて加えた。添加後、同温で３０分間撹拌後、放冷し、この溶液を氷水（２Ｌ）にゆっくり加え、１５分間激しく撹拌した。析出した固体を濾別し、濾床を市水、ＩＰＥにてかけ洗いした後、高真空下７０℃で乾燥し、白色の粉末である式（７－１）で表される化合物（１４４ｇ，０．５８７ｍｏｌ，９７％）を得た。
【0111】
「式（７－２）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、１Ｌ反応器に式（７－１）で表される化合物（６０ｇ，２４５ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、無水トルエン（３６０ｍＬ）、塩化チオニル（７０ｍＬ，９７９ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、ＤＭＦ（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１００℃に昇温し、同温で１６時間加熱撹拌した。この溶液を濃縮し、茶色の液体である式（７－２）で表される化合物（７０ｇ）を得た。これをそのまま次の工程に用いた。
アルゴン雰囲気下、１Ｌ反応器に式（７－１）で表される化合物（６０ｇ，２４５ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、無水トルエン（３６０ｍＬ）、塩化チオニル（７０ｍＬ，９７９ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、ＤＭＦ（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１００℃に昇温し、同温で１６時間加熱撹拌した。この溶液を濃縮し、茶色の液体である式（７－２）で表される化合物（７０ｇ）を得た。これをそのまま次の工程に用いた。
【0112】
「式（７－３）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、２Ｌ反応器にｔ－ブチルアミン（６５ｍＬ，６１３ｍｍｏｌ，２．５ｅｑ．）、トリエチルアミン（１０２ｍＬ，７３５ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、無水ＴＨＦ（６００ｍＬ）を加えた。氷冷下５℃にて、ＴＨＦ（２００ｍＬ）で希釈した式（７－２）で表される化合物（７０ｇ）を１５分間かけて滴下した後、冷却バスを外し、室温下で３時間撹拌した。この褐色懸濁液に市水（１Ｌ）を加え、酢酸エチル（５００ｍＬ×２）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濃縮し、茶色の固体（８９ｇ）を得た。これをエタノールにて加熱分散洗浄し、放冷後、濾過し、濾床をメタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－３）で表される化合物（７６．３ｇ，２１４ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
アルゴン雰囲気下、２Ｌ反応器にｔ－ブチルアミン（６５ｍＬ，６１３ｍｍｏｌ，２．５ｅｑ．）、トリエチルアミン（１０２ｍＬ，７３５ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、無水ＴＨＦ（６００ｍＬ）を加えた。氷冷下５℃にて、ＴＨＦ（２００ｍＬ）で希釈した式（７－２）で表される化合物（７０ｇ）を１５分間かけて滴下した後、冷却バスを外し、室温下で３時間撹拌した。この褐色懸濁液に市水（１Ｌ）を加え、酢酸エチル（５００ｍＬ×２）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濃縮し、茶色の固体（８９ｇ）を得た。これをエタノールにて加熱分散洗浄し、放冷後、濾過し、濾床をメタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－３）で表される化合物（７６．３ｇ，２１４ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
【0113】
「式（７－４）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、１Ｌ反応器に式（７－３）で表される化合物（７６．３ｇ，２１４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、トルエン（３１０ｍＬ）、塩化チオニル（３０９ｍＬ，４．２８ｍｏｌ，２０ｅｑ．）を加え、バス温１００℃で５０時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色溶液を濃縮し、残渣をトルエン（３００ｍＬ×２）にて共沸させた。この薄褐色固体にヘプタン（２００ｍＬ）を加え、７０℃に加熱、分散洗浄、放冷し、濾過した。濾取物にＴＨＦ（２５０ｍＬ）を加え、７０℃にて完溶後、ＩＰＥ（２００ｍＬ）をゆっくり加え、固体を析出させた後、放冷、濾過し、高真空下４０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－４）で表される化合物１（３９ｇ，１８８ｍｍｏｌ，８８％）を得た。濾液を濃縮し、ＩＰＥにて洗浄、濾過し、高真空下４０℃で乾燥し、式（７－４）で表される化合物２（６．２３ｇ，純度良くない）を得た。
アルゴン雰囲気下、１Ｌ反応器に式（７－３）で表される化合物（７６．３ｇ，２１４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、トルエン（３１０ｍＬ）、塩化チオニル（３０９ｍＬ，４．２８ｍｏｌ，２０ｅｑ．）を加え、バス温１００℃で５０時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色溶液を濃縮し、残渣をトルエン（３００ｍＬ×２）にて共沸させた。この薄褐色固体にヘプタン（２００ｍＬ）を加え、７０℃に加熱、分散洗浄、放冷し、濾過した。濾取物にＴＨＦ（２５０ｍＬ）を加え、７０℃にて完溶後、ＩＰＥ（２００ｍＬ）をゆっくり加え、固体を析出させた後、放冷、濾過し、高真空下４０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－４）で表される化合物１（３９ｇ，１８８ｍｍｏｌ，８８％）を得た。濾液を濃縮し、ＩＰＥにて洗浄、濾過し、高真空下４０℃で乾燥し、式（７－４）で表される化合物２（６．２３ｇ，純度良くない）を得た。
【0114】
「式（７－５）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、２Ｌ反応器に式（７－４）で表される化合物１（２９ｇ，１４０ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ビスピナコールジボラン（４６．２ｇ，１８２ｍｍｏｌ，１．３ｅｑ．）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（１．１４ｇ，１．４０ｍｍｏｌ，０．０１ｅｑ．）、酢酸カリウム（２７．５ｇ，２８０ｍｍｏｌ，２．０ｅｑ．）、脱気した酢酸イソプロピル（７２５ｍＬ）を加え、バス温１００℃で５時間加熱撹拌した。放冷後、この黒褐色懸濁液をセライト濾過し、濾床を酢酸エチルにて洗浄し、濾液を濃縮して、黒褐色の固体（６８ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝３５０ｇ，ヘキサン／酢酸エチル＝２／１→１／１）し、粘稠な固体（２８ｇ）を得た。これをＩＰＥ（１２０ｍＬ）に分散させて、５０℃で加熱洗浄し、放冷後、固体を濾過し、濾床をエタノールで洗浄し、高真空下５０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－５）で表される化合物１（２１．７ｇ，８５．４ｍｍｏｌ，６０％）を得た。濾液を濃縮し、ＩＰＥ／ＥｔＯＨ＝２／１（２０ｍＬ）にて加熱分散洗浄、濾過し、高真空下５０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－５）で表される化合物２（５．９ｇ，僅かにＢｐｉｎ２含有）を得た。
アルゴン雰囲気下、２Ｌ反応器に式（７－４）で表される化合物１（２９ｇ，１４０ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ビスピナコールジボラン（４６．２ｇ，１８２ｍｍｏｌ，１．３ｅｑ．）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（１．１４ｇ，１．４０ｍｍｏｌ，０．０１ｅｑ．）、酢酸カリウム（２７．５ｇ，２８０ｍｍｏｌ，２．０ｅｑ．）、脱気した酢酸イソプロピル（７２５ｍＬ）を加え、バス温１００℃で５時間加熱撹拌した。放冷後、この黒褐色懸濁液をセライト濾過し、濾床を酢酸エチルにて洗浄し、濾液を濃縮して、黒褐色の固体（６８ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝３５０ｇ，ヘキサン／酢酸エチル＝２／１→１／１）し、粘稠な固体（２８ｇ）を得た。これをＩＰＥ（１２０ｍＬ）に分散させて、５０℃で加熱洗浄し、放冷後、固体を濾過し、濾床をエタノールで洗浄し、高真空下５０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－５）で表される化合物１（２１．７ｇ，８５．４ｍｍｏｌ，６０％）を得た。濾液を濃縮し、ＩＰＥ／ＥｔＯＨ＝２／１（２０ｍＬ）にて加熱分散洗浄、濾過し、高真空下５０℃で乾燥し、無色の固体である式（７－５）で表される化合物２（５．９ｇ，僅かにＢｐｉｎ２含有）を得た。
【0115】
＜アントラセン誘導体の合成１＞
以下の反応スキームに従って、式（２－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
以下の反応スキームに従って、式（２－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
【化16】
【0116】
「式（７－１１）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に、１，３－ジブロモ－５－ヨードベンゼン（２．５ｇ，６．９１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（１．５３ｇ，６．９１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．１６ｇ，０．１３８ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（２．２ｇ，２０．７ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（２５ｍＬ）、脱気蒸留水（２５ｍＬ）、脱気エタノール（１３ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温８５℃で１２時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液に１０％塩化アンモニウム水溶液（５０ｍＬ）加え、撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を２層に分けて、水層をトルエン（５０ｍＬ）にて抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて順次洗浄し、乾燥、濃縮して、黒褐色の固体（２．３４ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝９０ｇ，ヘプタンのみ→ヘプタン／トルエン＝２０／１→１０／１）し、無色の固体（１．９８ｇ）を得た。これをエタノールにて超音波分散洗浄、濾過し、エタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥して、無色の粉末である式（７－１１）で表される化合物（１．６８ｇ，４．０７ｍｍｏｌ，５８％）を得た。
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に、１，３－ジブロモ－５－ヨードベンゼン（２．５ｇ，６．９１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（１．５３ｇ，６．９１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．１６ｇ，０．１３８ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（２．２ｇ，２０．７ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（２５ｍＬ）、脱気蒸留水（２５ｍＬ）、脱気エタノール（１３ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温８５℃で１２時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液に１０％塩化アンモニウム水溶液（５０ｍＬ）加え、撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を２層に分けて、水層をトルエン（５０ｍＬ）にて抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて順次洗浄し、乾燥、濃縮して、黒褐色の固体（２．３４ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝９０ｇ，ヘプタンのみ→ヘプタン／トルエン＝２０／１→１０／１）し、無色の固体（１．９８ｇ）を得た。これをエタノールにて超音波分散洗浄、濾過し、エタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥して、無色の粉末である式（７－１１）で表される化合物（１．６８ｇ，４．０７ｍｍｏｌ，５８％）を得た。
【0117】
「式（７－１２）で表される化合物の合成工程」
１００ｍＬ反応器に式（７－１１）で表される化合物（１．６８ｇ，４．０７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（０．９４ｇ，５．３０ｍｍｏｌ，１．３ｅｑ．）、クロロホルム（２５ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温６５℃で６時間加熱撹拌し、ＴＬＣにて確認したが原料が多く残っていたので、ＮＢＳ（０．２１ｇ，１．１８ｍｍｏｌ，０．３ｅｑ．）、蒸留水（１ｍＬ）を追加し、同温でさらに１０時間撹拌した。放冷後、この懸濁液に２％ハイドロサルファイド水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌後、不溶物をセライト濾過し、濾床を市水、クロロホルムにて洗浄し、濾液を２層に分けた。水層をクロロホルム（２０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄後、乾燥、濃縮し、黄色固体（２．５１ｇ）を得た。これをアセトン（２０ｍＬ）にて超音波洗浄後、メタノール（１０ｍＬ）を加え、析出した固体を濾過し、濾床をメタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥して、薄黄色の粉末である式（７－１２）で表される化合物（１．８６ｇ，３．７９ｍｍｏｌ，９３％）を得た。
１００ｍＬ反応器に式（７－１１）で表される化合物（１．６８ｇ，４．０７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（０．９４ｇ，５．３０ｍｍｏｌ，１．３ｅｑ．）、クロロホルム（２５ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温６５℃で６時間加熱撹拌し、ＴＬＣにて確認したが原料が多く残っていたので、ＮＢＳ（０．２１ｇ，１．１８ｍｍｏｌ，０．３ｅｑ．）、蒸留水（１ｍＬ）を追加し、同温でさらに１０時間撹拌した。放冷後、この懸濁液に２％ハイドロサルファイド水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌後、不溶物をセライト濾過し、濾床を市水、クロロホルムにて洗浄し、濾液を２層に分けた。水層をクロロホルム（２０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄後、乾燥、濃縮し、黄色固体（２．５１ｇ）を得た。これをアセトン（２０ｍＬ）にて超音波洗浄後、メタノール（１０ｍＬ）を加え、析出した固体を濾過し、濾床をメタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥して、薄黄色の粉末である式（７－１２）で表される化合物（１．８６ｇ，３．７９ｍｍｏｌ，９３％）を得た。
【0118】
「式（２－１）で表されるアントラセン誘導体の合成工程」
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に式（７－１２）で表される化合物（１．８５ｇ，３．７６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（７－５）で表される化合物１（３．８３ｇ，１５．１ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、リン酸三カリウム（６．４ｇ，３０．１ｍｍｏｌ，８．０ｅｑ．）、脱気トルエン（５５ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下脱気した後、Ｓ－Ｐｈｏｓ（１８５ｍｇ，０．４５２ｍｍｏｌ，０．１２ｅｑ．）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１３８ｍｇ，０．１５１ｍｍｏｌ，０．０４ｅｑ．）を加え、再び脱気し、蒸留水（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１１０℃に昇温し、１４時間加熱撹拌した。この褐色懸濁液にトルエン（１００ｍＬ）を加え、８０℃で３０分撹拌後、ＳｉＯ２（５０ｇ）を加え、この混合液を濃縮し、シリカ担持の粗体を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１５０ｇ，加熱トルエンのみ→加熱トルエン／酢酸エチル＝２０／１→１０／１）し、薄黄色の固体（１．５５ｇ）を得た。これを加熱酢酸エチル（３０ｍＬ）で分散洗浄、濾過し、これを再度加熱ジエチルケトンにて加熱分散洗浄し、濾過して、濾床をメタノールにて洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、式（２－１）で表されるアントラセン誘導体（１．３７ｇ，２．１６ｍｍｏｌ，５７％，ＨＰＬＣ９９．０％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図７に示す。
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に式（７－１２）で表される化合物（１．８５ｇ，３．７６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（７－５）で表される化合物１（３．８３ｇ，１５．１ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、リン酸三カリウム（６．４ｇ，３０．１ｍｍｏｌ，８．０ｅｑ．）、脱気トルエン（５５ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下脱気した後、Ｓ－Ｐｈｏｓ（１８５ｍｇ，０．４５２ｍｍｏｌ，０．１２ｅｑ．）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１３８ｍｇ，０．１５１ｍｍｏｌ，０．０４ｅｑ．）を加え、再び脱気し、蒸留水（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１１０℃に昇温し、１４時間加熱撹拌した。この褐色懸濁液にトルエン（１００ｍＬ）を加え、８０℃で３０分撹拌後、ＳｉＯ２（５０ｇ）を加え、この混合液を濃縮し、シリカ担持の粗体を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１５０ｇ，加熱トルエンのみ→加熱トルエン／酢酸エチル＝２０／１→１０／１）し、薄黄色の固体（１．５５ｇ）を得た。これを加熱酢酸エチル（３０ｍＬ）で分散洗浄、濾過し、これを再度加熱ジエチルケトンにて加熱分散洗浄し、濾過して、濾床をメタノールにて洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、式（２－１）で表されるアントラセン誘導体（１．３７ｇ，２．１６ｍｍｏｌ，５７％，ＨＰＬＣ９９．０％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図７に示す。
【0119】
＜アントラセン誘導体の合成２＞
以下の反応スキームに従って、式（３－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
以下の反応スキームに従って、式（３－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
【化17】
【0120】
「式（７－２１）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に２，６－ジクロロ－４－ヨードピリジン（２．５ｇ，９．１３ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（２．２３ｇ，１０．０ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．２１ｇ，０．１８３ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（２．９ｇ，２７．４ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（３５ｍＬ）、脱気蒸留水（３５ｍＬ）、脱気エタノール（１７ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温７５℃で１時間撹拌後、ＴＬＣにて分析したが原料が多く残っていたので、８５℃に昇温し、同温で１４時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液に１０％塩化アンモニウム水溶液（６０ｍＬ）加え、撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を２層に分けて水層をトルエン（５０ｍＬ）にて抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて順次洗浄し、乾燥、濃縮して、黒褐色の固体（３．２１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１２０ｇ，ヘプタン／トルエン＝２／１→１／１）し、薄茶色の固体（１．９２ｇ）を得た。これをエタノール／ヘプタン＝５／１（２０ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、濾過し、エタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥し、ベージュ色の粉末である式（７－２１）で表される化合物（１．７４ｇ，５．３６ｍｍｏｌ，５８％）を得た。
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に２，６－ジクロロ－４－ヨードピリジン（２．５ｇ，９．１３ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（２．２３ｇ，１０．０ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．２１ｇ，０．１８３ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（２．９ｇ，２７．４ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（３５ｍＬ）、脱気蒸留水（３５ｍＬ）、脱気エタノール（１７ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温７５℃で１時間撹拌後、ＴＬＣにて分析したが原料が多く残っていたので、８５℃に昇温し、同温で１４時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液に１０％塩化アンモニウム水溶液（６０ｍＬ）加え、撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を２層に分けて水層をトルエン（５０ｍＬ）にて抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて順次洗浄し、乾燥、濃縮して、黒褐色の固体（３．２１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１２０ｇ，ヘプタン／トルエン＝２／１→１／１）し、薄茶色の固体（１．９２ｇ）を得た。これをエタノール／ヘプタン＝５／１（２０ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、濾過し、エタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥し、ベージュ色の粉末である式（７－２１）で表される化合物（１．７４ｇ，５．３６ｍｍｏｌ，５８％）を得た。
【0121】
「式（７－２２）で表される化合物の合成工程」
１００ｍＬ反応器に式（７－２１）で表される化合物（１．７４ｇ，５．３６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（１．１５ｇ，６．４４ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、クロロホルム（２８ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温６０℃で６時間加熱撹拌した。これに２％ハイドロサルファイド水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌後、不溶物をセライト濾過し、濾床を市水、クロロホルムにて洗浄し、濾液を２層に分けた。水層をクロロホルム（３０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄後、乾燥、濃縮し、黒色固体（２．０１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝６０ｇ，ヘプタン／トルエン＝１／１→１／２）し、薄茶色の固体（２．０１ｇ）を得た。これをエタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥し、ベージュ色の粉末である式（７－２２）で表される化合物（１．８８ｇ，４．６６ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
１００ｍＬ反応器に式（７－２１）で表される化合物（１．７４ｇ，５．３６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（１．１５ｇ，６．４４ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、クロロホルム（２８ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温６０℃で６時間加熱撹拌した。これに２％ハイドロサルファイド水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌後、不溶物をセライト濾過し、濾床を市水、クロロホルムにて洗浄し、濾液を２層に分けた。水層をクロロホルム（３０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄後、乾燥、濃縮し、黒色固体（２．０１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝６０ｇ，ヘプタン／トルエン＝１／１→１／２）し、薄茶色の固体（２．０１ｇ）を得た。これをエタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥し、ベージュ色の粉末である式（７－２２）で表される化合物（１．８８ｇ，４．６６ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
【0122】
「式（３－１）で表されるアントラセン誘導体の合成工程」
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に式（７－２２）で表される化合物（１．８８ｇ，４．６６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（７－５）で表される化合物１（４．７４ｇ，１８．６ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、リン酸三カリウム（８．９１ｇ，４２．０ｍｍｏｌ，９．０ｅｑ．）、脱気トルエン（７０ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下脱気した後、Ｓ－Ｐｈｏｓ（２２９ｍｇ，０．５６ｍｍｏｌ，０．１２ｅｑ．）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１２８ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ，０．０３ｅｑ．）を加え、再び脱気し、蒸留水（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１１０℃に昇温し、８時間加熱撹拌した。この褐色懸濁液に市水（５ｍＬ）、ヘプタン（１００ｍＬ）を加え、５０℃で３０分撹拌後、濾過し、濾床を市水、メタノールにてかけ洗いし、高真空下５０℃で乾燥し、黒褐色の固体（４．２４ｇ）を得た。これをトルエン（１０ｍＬ）にて超音波洗浄し、濾過して、濾取した固体を酢酸エチル（１０ｍＬ）で超音波洗浄し、濃いベージュ色の固体（２．７ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１５０ｇ，加熱トルエンのみ→加熱トルエン／酢酸エチル＝５０／１→２０／１）し、薄褐色の固体（２．２ｇ）を得た。これを加熱クロロホルム、加熱クロロベンゼンにて順次分散洗浄し、濾過し、最後に酢酸エチルで加熱分散洗浄し、濾過し、高真空下８０℃で乾燥して、式（３－１）で表されるアントラセン誘導体（０．９２ｇ，ＨＰＬＣ９８．９％）を得た。純度の良くない部分を合わせて加熱クロロホルム（１０ｍＬ）にて分散洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、薄いベージュ色の固体である式（３－１）で表されるアントラセン誘導体（０．６２ｇ，ＨＰＬＣ９９．０％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図８に示す。
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に式（７－２２）で表される化合物（１．８８ｇ，４．６６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（７－５）で表される化合物１（４．７４ｇ，１８．６ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、リン酸三カリウム（８．９１ｇ，４２．０ｍｍｏｌ，９．０ｅｑ．）、脱気トルエン（７０ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下脱気した後、Ｓ－Ｐｈｏｓ（２２９ｍｇ，０．５６ｍｍｏｌ，０．１２ｅｑ．）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１２８ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ，０．０３ｅｑ．）を加え、再び脱気し、蒸留水（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１１０℃に昇温し、８時間加熱撹拌した。この褐色懸濁液に市水（５ｍＬ）、ヘプタン（１００ｍＬ）を加え、５０℃で３０分撹拌後、濾過し、濾床を市水、メタノールにてかけ洗いし、高真空下５０℃で乾燥し、黒褐色の固体（４．２４ｇ）を得た。これをトルエン（１０ｍＬ）にて超音波洗浄し、濾過して、濾取した固体を酢酸エチル（１０ｍＬ）で超音波洗浄し、濃いベージュ色の固体（２．７ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１５０ｇ，加熱トルエンのみ→加熱トルエン／酢酸エチル＝５０／１→２０／１）し、薄褐色の固体（２．２ｇ）を得た。これを加熱クロロホルム、加熱クロロベンゼンにて順次分散洗浄し、濾過し、最後に酢酸エチルで加熱分散洗浄し、濾過し、高真空下８０℃で乾燥して、式（３－１）で表されるアントラセン誘導体（０．９２ｇ，ＨＰＬＣ９８．９％）を得た。純度の良くない部分を合わせて加熱クロロホルム（１０ｍＬ）にて分散洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、薄いベージュ色の固体である式（３－１）で表されるアントラセン誘導体（０．６２ｇ，ＨＰＬＣ９９．０％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図８に示す。
【0123】
＜アントラセン誘導体の合成３＞
以下の反応スキームに従って、式（４－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
以下の反応スキームに従って、式（４－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
【化18】
【0124】
「式（７－３１）で表される化合物の合成工程」
５００ｍＬの反応器に４－ブロモ－２，６－ジクロロアニリン（２５ｇ，１０４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、市水（１２５ｍＬ）、濃塩酸（２６ｍＬ，３１１ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、アセトニトリル（２５ｍＬ）を加え、バス温７０℃で１０分間撹拌し、完溶を確認後、放冷した。氷冷下５℃で、この懸濁液に亜硝酸ナトリウム（７．８８ｇ，１１４ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）／Ｈ２Ｏ（１５ｍＬ）水溶液をゆっくり加えた。同温で３０分間撹拌後、発泡、昇温に注意して炭酸ナトリウム（１１ｇ，１０４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）を加えた。別途１Ｌ反応器にシアン化銅（１１．２ｇ，１２５ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、シアン化ナトリウム（７．６ｇ，１５６ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）、蒸留水（１２５ｍＬ）を加え、バス温８０℃に加熱し、この懸濁液に先ほど調製したジアゾニウム懸濁液を発泡に注意しながら何回かに分けて加えた。添加後、同温で３０分間撹拌、トルエン（５００ｍＬ）を加え、３０分間撹拌した後、放冷した。この懸濁液をセライト濾過し、濾床をトルエン（３００ｍＬ）、市水（５００ｍＬ）にてかけ洗いし、濾液を２層に分け、有機層を５％塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水にて順次洗浄、乾燥後、濃縮し、黒色の粘稠な液体（２６ｇ）を得た。これをカラム精製（下層：ＮＨ－ＳｉＯ２＝１００ｇ，上層：ＳｉＯ２＝３００ｇ，ヘキサン／トルエン＝１／１→トルエンのみ）し、薄茶色の粉末である式（７－３１）で表される化合物（４．１５ｇ，１６．３ｍｍｏｌ，１５％）を得た。
５００ｍＬの反応器に４－ブロモ－２，６－ジクロロアニリン（２５ｇ，１０４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、市水（１２５ｍＬ）、濃塩酸（２６ｍＬ，３１１ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、アセトニトリル（２５ｍＬ）を加え、バス温７０℃で１０分間撹拌し、完溶を確認後、放冷した。氷冷下５℃で、この懸濁液に亜硝酸ナトリウム（７．８８ｇ，１１４ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）／Ｈ２Ｏ（１５ｍＬ）水溶液をゆっくり加えた。同温で３０分間撹拌後、発泡、昇温に注意して炭酸ナトリウム（１１ｇ，１０４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）を加えた。別途１Ｌ反応器にシアン化銅（１１．２ｇ，１２５ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、シアン化ナトリウム（７．６ｇ，１５６ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）、蒸留水（１２５ｍＬ）を加え、バス温８０℃に加熱し、この懸濁液に先ほど調製したジアゾニウム懸濁液を発泡に注意しながら何回かに分けて加えた。添加後、同温で３０分間撹拌、トルエン（５００ｍＬ）を加え、３０分間撹拌した後、放冷した。この懸濁液をセライト濾過し、濾床をトルエン（３００ｍＬ）、市水（５００ｍＬ）にてかけ洗いし、濾液を２層に分け、有機層を５％塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水にて順次洗浄、乾燥後、濃縮し、黒色の粘稠な液体（２６ｇ）を得た。これをカラム精製（下層：ＮＨ－ＳｉＯ２＝１００ｇ，上層：ＳｉＯ２＝３００ｇ，ヘキサン／トルエン＝１／１→トルエンのみ）し、薄茶色の粉末である式（７－３１）で表される化合物（４．１５ｇ，１６．３ｍｍｏｌ，１５％）を得た。
【0125】
「式（７－３２）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に式（７－３１）で表される化合物（２．０ｇ，７．９７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（１．７７ｇ，７．９７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．１８４ｇ，０．１５９ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（２．５３ｇ，２３．９ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（２５ｍＬ）、脱気蒸留水（２５ｍＬ）、脱気エタノール（１２ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温９５℃に昇温して、１２時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液に１０％塩化アンモニウム水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を２層に分けて、水層をトルエン（３０ｍＬ）にて抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて順次洗浄、乾燥、濃縮し、黒褐色の固体（３．５１ｇ）を得た。これをトルエン（１００ｍＬ）に加熱溶解させた後、ガレオンアースＶ２Ｒ（１０ｇ）を加え、撹拌し、シリカゲルで濾過し、濾液を濃縮して、黄色固体（２．７ｇ）を得た。これをエタノール／ヘプタン＝５／１（２５ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、濾過し、エタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥して、黄色の粉末である式（７－３２）で表される化合物（２．４２ｇ，６．９５ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に式（７－３１）で表される化合物（２．０ｇ，７．９７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（１．７７ｇ，７．９７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．１８４ｇ，０．１５９ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（２．５３ｇ，２３．９ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（２５ｍＬ）、脱気蒸留水（２５ｍＬ）、脱気エタノール（１２ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温９５℃に昇温して、１２時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液に１０％塩化アンモニウム水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を２層に分けて、水層をトルエン（３０ｍＬ）にて抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて順次洗浄、乾燥、濃縮し、黒褐色の固体（３．５１ｇ）を得た。これをトルエン（１００ｍＬ）に加熱溶解させた後、ガレオンアースＶ２Ｒ（１０ｇ）を加え、撹拌し、シリカゲルで濾過し、濾液を濃縮して、黄色固体（２．７ｇ）を得た。これをエタノール／ヘプタン＝５／１（２５ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、濾過し、エタノールにてかけ洗いし、高真空下８０℃で乾燥して、黄色の粉末である式（７－３２）で表される化合物（２．４２ｇ，６．９５ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
【0126】
「式（７－３３）で表される化合物の合成工程」
１００ｍＬ反応器に式（７－３２）で表される化合物（２．４ｇ，６．８９ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（１．４７ｇ，８．２７ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、クロロホルム（３６ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温６５℃で８時間加熱撹拌した。これに３％ハイドロサルファイド水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌後、２層に分けた。水層をクロロホルム（５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄後、乾燥、濃縮し、茶色の固体（３．６ｇ）を得た。これにトルエン（２５ｍＬ）を加え、９０℃に加熱溶解、放冷後、この懸濁液にエタノール（５ｍＬ）を加え、３０分間撹拌した。析出した固体を濾過し、濾床をエタノールにて洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、黄褐色の固体である式（７－３３）で表される化合物（２．３６ｇ，５．５２ｍｍｏｌ，８０％）を得た。
１００ｍＬ反応器に式（７－３２）で表される化合物（２．４ｇ，６．８９ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（１．４７ｇ，８．２７ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、クロロホルム（３６ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温６５℃で８時間加熱撹拌した。これに３％ハイドロサルファイド水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌後、２層に分けた。水層をクロロホルム（５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせて市水、飽和食塩水にて洗浄後、乾燥、濃縮し、茶色の固体（３．６ｇ）を得た。これにトルエン（２５ｍＬ）を加え、９０℃に加熱溶解、放冷後、この懸濁液にエタノール（５ｍＬ）を加え、３０分間撹拌した。析出した固体を濾過し、濾床をエタノールにて洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、黄褐色の固体である式（７－３３）で表される化合物（２．３６ｇ，５．５２ｍｍｏｌ，８０％）を得た。
【0127】
「式（４－１）で表されるアントラセン誘導体の合成工程」
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に式（７－３３）で表される化合物（２．３ｇ，５．３８ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（７－５）で表される化合物１（５．４ｇ，２１．５ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、リン酸三カリウム（９．１４ｇ，４３．１ｍｍｏｌ，８．０ｅｑ．）、脱気トルエン（８０ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下脱気した後、Ｓ－Ｐｈｏｓ（３５０ｍｇ，０．８６２ｍｍｏｌ，０．１６ｅｑ．）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１９７ｍｇ，０．２１５ｍｍｏｌ，０．０４ｅｑ．）を加え、再び脱気し、蒸留水（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１００℃に昇温し、１時間加熱撹拌した。これをＴＬＣにて分析したところ、原料が多く残っていたので、バス温１１５℃に昇温して、さらに１４時間加熱撹拌した。この褐色懸濁液に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、５０℃で３０分撹拌後、セライト濾過し、濾床を加熱酢酸エチル（１００ｍＬ）にてかけ洗いし、濾液を濃縮して、褐色の固体（３．３７ｇ）を得た。これをカラム精製（ＮＨ－ＳｉＯ２＝２００ｇ，トルエンのみ→トルエン／酢酸エチル＝２０／１→１０／１）し、茶褐色の固体（３．１ｇ）を得た。これを再度カラム精製（ＳｉＯ２＝１２０ｇ，トルエン／酢酸エチル＝２０／１→１０／１）し、完全なワンスポット部分（０．５４ｇ）と複数のスポットがある部分（１．７３ｇ）を得た。ワンスポット部分を加熱酢酸エチルで分散洗浄、濾過し、高真空下８０℃で乾燥して、式（４－１）で表されるアントラセン誘導体（０．４１ｇ，ＨＰＬＣ９９．０％）を得た。純度の良くない部分を合わせて、加熱クロロベンゼン（２５ｍＬ）にて溶解させ、分取ＧＰＣにて精製した。得られた固体を再度加熱酢酸エチルで分散洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、薄いベージュ色の固体である式（４－１）で表されるアントラセン誘導体（０．６１ｇ，ＨＰＬＣ９９．３％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図９に示す。
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に式（７－３３）で表される化合物（２．３ｇ，５．３８ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（７－５）で表される化合物１（５．４ｇ，２１．５ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、リン酸三カリウム（９．１４ｇ，４３．１ｍｍｏｌ，８．０ｅｑ．）、脱気トルエン（８０ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下脱気した後、Ｓ－Ｐｈｏｓ（３５０ｍｇ，０．８６２ｍｍｏｌ，０．１６ｅｑ．）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１９７ｍｇ，０．２１５ｍｍｏｌ，０．０４ｅｑ．）を加え、再び脱気し、蒸留水（０．１ｍＬ）を加えた後、バス温１００℃に昇温し、１時間加熱撹拌した。これをＴＬＣにて分析したところ、原料が多く残っていたので、バス温１１５℃に昇温して、さらに１４時間加熱撹拌した。この褐色懸濁液に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、５０℃で３０分撹拌後、セライト濾過し、濾床を加熱酢酸エチル（１００ｍＬ）にてかけ洗いし、濾液を濃縮して、褐色の固体（３．３７ｇ）を得た。これをカラム精製（ＮＨ－ＳｉＯ２＝２００ｇ，トルエンのみ→トルエン／酢酸エチル＝２０／１→１０／１）し、茶褐色の固体（３．１ｇ）を得た。これを再度カラム精製（ＳｉＯ２＝１２０ｇ，トルエン／酢酸エチル＝２０／１→１０／１）し、完全なワンスポット部分（０．５４ｇ）と複数のスポットがある部分（１．７３ｇ）を得た。ワンスポット部分を加熱酢酸エチルで分散洗浄、濾過し、高真空下８０℃で乾燥して、式（４－１）で表されるアントラセン誘導体（０．４１ｇ，ＨＰＬＣ９９．０％）を得た。純度の良くない部分を合わせて、加熱クロロベンゼン（２５ｍＬ）にて溶解させ、分取ＧＰＣにて精製した。得られた固体を再度加熱酢酸エチルで分散洗浄し、高真空下８０℃で乾燥し、薄いベージュ色の固体である式（４－１）で表されるアントラセン誘導体（０．６１ｇ，ＨＰＬＣ９９．３％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図９に示す。
【0128】
「実施例１」
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
【0129】
［工程１］
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
【0130】
［工程２］
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
【0131】
［工程３］
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、下記構造式：
で表されるＴＰＤＩ（イオン化エネルギー（計算値）＝４．６６ｅＶ）と、ノバレッド社のｐ型ドーパントであるＮＤＰ－９を質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、下記構造式：
【化19】
【0132】
更に、発光層６として、構造式（２－１）で表されるアントラセン誘導体（電子親和力（計算値）＝２．４９ｅＶ、イオン化エネルギー（計算値）＝６．０４ｅＶ）を４０ｎｍ蒸着した膜を形成した。
【0133】
発光層６を製膜した後に、電子注入層７として、下記構造式（５－１）で表される化合物を３ｎｍ蒸着した。
なお、上記構造式（５－１）で表される化合物は、Ｔ．Ｓａｓａｋｉ， Ｍ．Ｈａｓｅｇａｗａ， Ｋ．Ｉｎａｇａｋｉ， Ｈ．Ｉｔｏ， Ｋ．Ｓｕｚｕｋｉ， Ｔ．Ｏｏｎｏ， Ｋ．Ｍｏｒｉｉ， Ｔ．Ｓｈｉｍｉｚｕ ａｎｄ Ｈ．Ｆｕｋａｇａｗａ， Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１２，ｐｐ．２７０６．１，ＤＯＩ：１０．１０３８／ｓ４１４６７－０２１－２３０６７－２に記載の方法に従って合成した。
【化20】
【0134】
次に、電子注入層７まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極８を成膜した。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
【0135】
［工程４］
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
【0136】
「比較例１」
正孔輸送層５として、ＴＰＤＩとＨＡＴ－ＣＮを質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
正孔輸送層５として、ＴＰＤＩとＨＡＴ－ＣＮを質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
【0137】
発光層６に用いる材料を、ベンゾニトリルを含むことで、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン等の単純芳香族アントラセン誘導体よりも電子親和力が大きい、下記構造式（８－１）で表される化合物（非特許文献１記載）とした。
【化21】
【0138】
正孔輸送層５と発光層６以外は、実施例１と同様にして、比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。
【0139】
（有機ＥＬ素子の特性評価）
このようにして得られた実施例１及び比較例１の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係及び印加電圧と電流密度の関係を調べた。これらの結果を図１０に示す。
このようにして得られた実施例１及び比較例１の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係及び印加電圧と電流密度の関係を調べた。これらの結果を図１０に示す。
【0140】
図１０（ａ）に、実施例１及び比較例１の印加電圧－電流密度特性を示す。
実施例１の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（８－１）で表される化合物よりも、構造式（２－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
実施例１の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（８－１）で表される化合物よりも、構造式（２－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
【0141】
また、図１０（ｂ）に、実施例１及び比較例１の印加電圧－輝度特性を示す。
図１０（ｂ）より、実施例１では、比較例１に比べ、低い印加電圧で発光が得られている。特に実施例１においては、印加電圧２Ｖ以下で電流が立ち上がっているにも関わらず発光が得られている。図２，３に示す通り、構造式（２－１）で表されるアントラセン誘導体の大きな電子親和力により、低い印加電圧で励起錯体が形成され、その励起錯体のエネルギーを、三重項－三重項消滅を経て発光として取り出すことができたと考えられる。
図１０（ｂ）より、実施例１では、比較例１に比べ、低い印加電圧で発光が得られている。特に実施例１においては、印加電圧２Ｖ以下で電流が立ち上がっているにも関わらず発光が得られている。図２，３に示す通り、構造式（２－１）で表されるアントラセン誘導体の大きな電子親和力により、低い印加電圧で励起錯体が形成され、その励起錯体のエネルギーを、三重項－三重項消滅を経て発光として取り出すことができたと考えられる。
【0142】
「実施例２」
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
【0143】
［工程１］
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
【0144】
［工程２］
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
【0145】
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、前記ＴＰＤＩ（イオン化エネルギー（計算値）＝４．６６ｅＶ）とノバレッド社のｐ型ドーパントであるＮＤＰ－９を質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、前記ＴＰＤＩ（イオン化エネルギー（計算値）＝４．６６ｅＶ）とノバレッド社のｐ型ドーパントであるＮＤＰ－９を質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
【0146】
更に、発光層６として、構造式（３－１）で表されるアントラセン誘導体（電子親和力（計算値）＝２．７３ｅＶ、イオン化エネルギー（計算値）＝６．１８ｅＶ）を４０ｎｍ蒸着した膜を形成した。
【0147】
発光層６を製膜した後に、電子注入層７として、前記構造式（５－１）で表される化合物を３ｎｍ蒸着した。
【0148】
次に、電子注入層７まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極８を成膜した。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
【0149】
［工程４］
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例２の有機ＥＬ素子を得た。
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例２の有機ＥＬ素子を得た。
【0150】
（有機ＥＬ素子の特性評価）
このようにして得られた実施例２の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係及び印加電圧と電流密度の関係を調べた。これらの結果を図１１に示す。また、比較のため、比較例１の素子の結果も、図１１に示す。
このようにして得られた実施例２の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係及び印加電圧と電流密度の関係を調べた。これらの結果を図１１に示す。また、比較のため、比較例１の素子の結果も、図１１に示す。
【0151】
図１１（ａ）に、実施例２及び比較例１の印加電圧－電流密度特性を示す。
実施例２の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（８－１）で表される化合物よりも、構造式（３－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
実施例２の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（８－１）で表される化合物よりも、構造式（３－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
【0152】
また、図１１（ｂ）に、実施例２及び比較例１の印加電圧-輝度特性を示す。
図１１（ｂ）より、実施例２では、比較例１に比べ、低い印加電圧で青色の発光が得られている。特に実施例２においては、印加電圧２Ｖ以下で電流が立ち上がっているにも関わらず発光が得られている。図２，３に示す通り、構造式（３－１）で表されるアントラセン誘導体の大きな電子親和力により、低い印加電圧で励起錯体が形成され、その励起錯体のエネルギーを、三重項－三重項消滅を経て発光として取り出すことができたと考えられる。
図１１（ｂ）より、実施例２では、比較例１に比べ、低い印加電圧で青色の発光が得られている。特に実施例２においては、印加電圧２Ｖ以下で電流が立ち上がっているにも関わらず発光が得られている。図２，３に示す通り、構造式（３－１）で表されるアントラセン誘導体の大きな電子親和力により、低い印加電圧で励起錯体が形成され、その励起錯体のエネルギーを、三重項－三重項消滅を経て発光として取り出すことができたと考えられる。
【0153】
「実施例３」
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
【0154】
［工程１］
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
【0155】
［工程２］
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
【0156】
［工程３］
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、前記ＴＰＤＩ（イオン化エネルギー（計算値）＝４．６６ｅＶ）とノバレッド社のｐ型ドーパントであるＮＤＰ－９を質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、前記ＴＰＤＩ（イオン化エネルギー（計算値）＝４．６６ｅＶ）とノバレッド社のｐ型ドーパントであるＮＤＰ－９を質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、ＴＰＤＩを１０ｎｍ蒸着した。
【0157】
更に、発光層６として、構造式（４－１）で表されるアントラセン誘導体（電子親和力（計算値）＝２．７４ｅＶ、イオン化エネルギー（計算値）＝６．２０ｅＶ）を４０ｎｍ蒸着した膜を形成した。
【0158】
発光層６を製膜した後に、電子注入層７として、前記構造式（５－１）で表される化合物を３ｎｍ蒸着した。
【0159】
次に、電子注入層７まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極８を成膜した。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
【0160】
［工程４］
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
【0161】
（有機ＥＬ素子の特性評価）
このようにして得られた実施例３の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係及び印加電圧と電流密度の関係を調べた。これらの結果を図１２に示す。また、比較のため、比較例１の素子の結果も、図１２に示す。
このようにして得られた実施例３の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係及び印加電圧と電流密度の関係を調べた。これらの結果を図１２に示す。また、比較のため、比較例１の素子の結果も、図１２に示す。
【0162】
図１２（ａ）に、実施例３及び比較例１の印加電圧－電流密度特性を示す。
実施例３の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（８－１）で表される化合物よりも、構造式（４－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
実施例３の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（８－１）で表される化合物よりも、構造式（４－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
【0163】
【産業上の利用可能性】
【0164】
本発明のアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子等の発光素子の形成に利用できる。
【符号の説明】
【0165】
１：有機ＥＬ素子
２：基板
３：陽極
４：正孔注入層
５：正孔輸送層
６：発光層
７：電子注入層
８：陰極
２：基板
３：陽極
４：正孔注入層
５：正孔輸送層
６：発光層
７：電子注入層
８：陰極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】