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特開2024-104823発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造方法および表示用基板と表示装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104823
(43)【公開日】2024-08-06
(54)【発明の名称】発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造方法および表示用基板と表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/33 20060101AFI20240730BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20240730BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240730BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20240730BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
G09F9/33
G09F9/302 C
G09F9/00 338
H01L33/62
H01L33/00 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023009202
(22)【出願日】2023-01-25
(71)【出願人】
【識別番号】508081064
【氏名又は名称】株式会社ナノマテリアル研究所
(71)【出願人】
【識別番号】518251033
【氏名又は名称】エーオーイーティー コーポレーション
【住所又は居所原語表記】６０３， Ｙｏｎｓｅｉ Ｓａｒａｎｇ Ｂｌｄｇ．， ９３ Ｓｏｇｏｎｇ Ｒｏ Ｊｕｎｇ－ｇｕ， Ｓｅｏｕｌ ０４５３１ Ｋｏｒｅａ ＡＯＥＴ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
(71)【出願人】
【識別番号】518251044
【氏名又は名称】イ ヤン‐ジュ
【氏名又は名称原語表記】Ｙｏｕｎｇ－ｊｕ， Ｌｅｅ
【住所又は居所原語表記】２０２ Ｇｒｅｅｎ Ｈｏｕｓｅ ２５， Ｄａｅｙａｎｇ－ｒｏ ２８５ｂｅｏｎ－ｇｉｌ， Ｄｅｏｇｙａｎｇ－ｇｕ， Ｇｏｙａｎｇ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， １０２７３， ＫＯＲＥＡ
(74)【代理人】
【識別番号】505384793
【氏名又は名称】塩谷 喜美
(72)【発明者】
【氏名】塩谷 喜美
(72)【発明者】
【氏名】オー，サング‐ムク
【テーマコード（参考）】
5C094
5F142
5G435
【Ｆターム（参考）】
5C094AA03
5C094AA43
5C094BA12
5C094BA25
5C094CA19
5C094CA20
5C094CA24
5C094DB01
5C094EB05
5C094GB01
5C094JA01
5F142AA82
5F142BA32
5F142CA11
5F142CB14
5F142CB18
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD44
5F142CD45
5F142CD47
5F142DA14
5F142DA22
5F142DA36
5F142DA73
5F142EA02
5F142EA10
5F142EA18
5F142EA34
5F142FA03
5F142FA26
5F142FA30
5F142FA32
5F142GA02
5G435AA01
5G435AA17
5G435BB04
5G435CC09
5G435CC12
5G435KK05
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光素子ブロックを搭載した配線用基板である発光素子搭載配線用基板を、表示用基板に精度よく転写し、複数の発光素子搭載配線用基板を含む、表示装置を製造し、この表示装置内で均一な発光素子分布が得られるようにする。
【解決手段】本発明では、発光素子ブロック内の青色、緑色、および赤色の３色のマイクロＬＥＤを含む発光素子ブロックと、発光素子ブロックを搭載する配線用基板の形状、大きさ、および配線間隔を規定し、発光素子ブロックを精度よく転写できるようにし、発光素子搭載配線用基板を完成させ、さらに配線用基板の配線間隔に従い、アライメント兼配線を備える表示用基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写し、隣り合う発光素子搭載配線用基板間で、発光素子分布が均一となる表示装置を製造する。
【選択図】図２１
【解決手段】本発明では、発光素子ブロック内の青色、緑色、および赤色の３色のマイクロＬＥＤを含む発光素子ブロックと、発光素子ブロックを搭載する配線用基板の形状、大きさ、および配線間隔を規定し、発光素子ブロックを精度よく転写できるようにし、発光素子搭載配線用基板を完成させ、さらに配線用基板の配線間隔に従い、アライメント兼配線を備える表示用基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写し、隣り合う発光素子搭載配線用基板間で、発光素子分布が均一となる表示装置を製造する。
【選択図】図２１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ｉ）青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを一組とした発光素子を備え、
ａ）前記赤色、および前記緑色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとし、
ｂ）前記青色マイクロＬＥＤと前記緑色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤと前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤと前記青色マイクロＬＥＤの間隔が、それぞれ前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、またそれぞれの一辺の５倍未満とし、
ｃ）前記発光素子間の間隔を前記マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とし、
ｄ）発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする前記発光素子ブロックを準備する工程、
ｉｉ）配線用基板が、
ｅ）前記発光素子ブロックと同一形状、および同等以上の大きさとし、
ｆ）その配線が前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従い、
ｇ）側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を備えた、配線用基板を準備する工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写し、発光素子搭載配線用基板とする工程、
ｉｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの裏面の半導体基板をエッチングにより除去し、その後、周辺レジストを除去する工程、
ｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの周辺絶縁膜をエッチングし、上部配線を形成する工程、
ｖｉ）表示用基板の前記配線間隔が発光素子ブロックの前記配線間隔に従った駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線を備えた表示用基板を準備する、工程、
ｖｉｉ）前記複数の発光素子搭載配線用基板の前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を、前記表示用基板の前記駆動用下部配線、および前記駆動用アライメント兼上部配線に重ね合わせて、転写する工程、
を備えた複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する方法。
ａ）前記赤色、および前記緑色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとし、
ｂ）前記青色マイクロＬＥＤと前記緑色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤと前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤと前記青色マイクロＬＥＤの間隔が、それぞれ前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、またそれぞれの一辺の５倍未満とし、
ｃ）前記発光素子間の間隔を前記マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とし、
ｄ）発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする前記発光素子ブロックを準備する工程、
ｉｉ）配線用基板が、
ｅ）前記発光素子ブロックと同一形状、および同等以上の大きさとし、
ｆ）その配線が前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従い、
ｇ）側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を備えた、配線用基板を準備する工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写し、発光素子搭載配線用基板とする工程、
ｉｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの裏面の半導体基板をエッチングにより除去し、その後、周辺レジストを除去する工程、
ｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの周辺絶縁膜をエッチングし、上部配線を形成する工程、
ｖｉ）表示用基板の前記配線間隔が発光素子ブロックの前記配線間隔に従った駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線を備えた表示用基板を準備する、工程、
ｖｉｉ）前記複数の発光素子搭載配線用基板の前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を、前記表示用基板の前記駆動用下部配線、および前記駆動用アライメント兼上部配線に重ね合わせて、転写する工程、
を備えた複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する方法。
【請求項2】
前記駆動用下部配線、および前記駆動用アライメント兼上部配線を備え、請求
項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造により製造される表示用基板。
項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造により製造される表示用基板。
【請求項3】
前記複数の発光素子搭載配線用基板と前記表示用基板の配線接続を行い、前記発光素子分布が前記表示用基板内で均一になるように転写した前記複数の発光素子搭載配線用基板および前記表示用基板を備え、請求項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造方法により製造される表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置の製造方法およびその構造に関するものであり、そしてより具体的には青色、緑色、および赤色のマイクロＬＥＤからなる発光素子を搭載した発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造方法および表示用基板と表示装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
現在、表示装置として液晶表示装置や有機発光ダイオードが使用されている。
【0003】
またＬＥＤは、現在照明分野に広く使用されているが、近年、マイクロＬＥＤが開発され、消費電力の少ない表示装置としてとして、利用され始めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－１０３０９号公報
【特許文献2】特開２０１９－２０４８４２号公報
【特許文献3】特開２０２２－１５５４７１号公報
【特許文献4】特開２０２２－５２５８５１号公報
【特許文献5】特開２０２０‐０１３８０９号公報
【特許文献6】特開２０２０－０１３８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
マイクロＬＥＤを表示用基板に転写する方法は、特許文献１～４に示されるように、マイクロＬＥＤが一つずつ表示用基板に転写されている。
【0006】
しかしながら、従来では、マイクロＬＥＤを形成した基板に反りがあるため、基板毎の表示用基板への転写はできなかった。したがって、この作業はマイクロＬＥＤを一つずつ表示用基板に転写せざるを得ず、非常に時間がかかっている。
【0007】
これに対処するため、特許文献５、および６では、Ｓｉ基板の反りをなくした上で、多数の発光素子（青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ）を形成した一つの発光素子ブロックが表示用配線基板に転写されている。
【0008】
ところで、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤからなる発光素子ブロックを一つだけ表示用基板に転写する方法では、一つの発光素子ブロックに相当する表示装置を完成させることはできるが、発光素子ブロックの何倍かの大きな面積を有する表示装置に複数の発光素子ブロックを搭載する場合は、Ｓｉ基板を除去する工程上、大きな面積の表示用基板上で複数の発光素子ブロックのＳｉ基板を一度に除去することは困難であるため、発光素子ブロックを配線用基板に搭載した上で、Ｓｉ基板を除去する必要があり、Ｓｉ基板を除去した工程後の発光素子ブロックを搭載した複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する際には、複数の発光素子ブロック搭載配線用基板を精度よく転写する必要があり、このことを実現するためには、発光素子ブロックと配線用基板、および発光素子搭載配線用基板と表示用基板間の配線を精度よく接続する必要があり、この問題を解決しなければ、大きな面積を有する表示装置を得ることはきなかった。
【0009】
ここで、発光素子ブロックを搭載した複数の発光素子搭載配線用基板を、表示用基板に転写する際、発光素子ブロックの配線間隔、発光ブロックの端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤの間隔、および発光素子ブロックを転写する配線用基板の大きさを規定する必要がある。さもなければ、発光素子登載配線用基板間で、発光素子分布が均一にならず、表示用基板全域にわたり均一な発光素子分布を得ることが出来ないという問題が発生していた。
【0010】
本発明は、上記技術に鑑みてなされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、第１に、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤからなる発光素子ブロックを搭載した複数の発光素子搭載基板を表示用基板に精度よく転写することであり、第２に、表示用基板全域にわたり均一な発光素子分布を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本願請求項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する方法は、
ｉ）青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを一組とした発光素子を備え、
ａ）前記赤色、および前記緑色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとし、
ｂ）前記青色マイクロＬＥＤと前記緑色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤと前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤと前記青色マイクロＬＥＤの間隔が、それぞれ前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、またそれぞれの一辺の５倍未満とし、
ｃ）前記発光素子間の間隔を前記マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とし、
ｄ）発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする前記発光素子ブロックを準備する工程、
ｉｉ）配線用基板が、
ｅ）前記発光素子ブロックと同一形状、および同等以上の大きさとし、
ｆ）その配線が前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従い、
ｇ）側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を備えた、配線用基板を準備する工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写し、発光素子搭載配線用基板とする工程、
ｉｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの裏面の半導体基板をエッチングにより除去し、その後、周辺レジストを除去する工程、
ｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの周辺絶縁膜をエッチングし、上部配線を形成する工程、
ｖｉ）表示用基板の前記配線間隔が発光素子ブロックの前記配線間隔に従った駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線を備えた表示用基板を準備する、工程、
ｖｉｉ）前記複数の発光素子搭載配線用基板の前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を、前記表示用基板の前記駆動用下部配線、および前記駆動用アライメント兼上部配線に重ね合わせて転写する工程、
を備えた複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する方法を提供することによって、上記課題１および２を解決している。
ｉ）青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを一組とした発光素子を備え、
ａ）前記赤色、および前記緑色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとし、
ｂ）前記青色マイクロＬＥＤと前記緑色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤと前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤと前記青色マイクロＬＥＤの間隔が、それぞれ前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、またそれぞれの一辺の５倍未満とし、
ｃ）前記発光素子間の間隔を前記マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とし、
ｄ）発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする前記発光素子ブロックを準備する工程、
ｉｉ）配線用基板が、
ｅ）前記発光素子ブロックと同一形状、および同等以上の大きさとし、
ｆ）その配線が前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従い、
ｇ）側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を備えた、配線用基板を準備する工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写し、発光素子搭載配線用基板とする工程、
ｉｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの裏面の半導体基板をエッチングにより除去し、その後、周辺レジストを除去する工程、
ｖ）前記発光素子搭載配線用基板の前記発光素子ブロックの周辺絶縁膜をエッチングし、上部配線を形成する工程、
ｖｉ）表示用基板の前記配線間隔が発光素子ブロックの前記配線間隔に従った駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線を備えた表示用基板を準備する、工程、
ｖｉｉ）前記複数の発光素子搭載配線用基板の前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を、前記表示用基板の前記駆動用下部配線、および前記駆動用アライメント兼上部配線に重ね合わせて転写する工程、
を備えた複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する方法を提供することによって、上記課題１および２を解決している。
【0012】
本願請求項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する方法は、工程ｖｉｉ）に示すように、発光素子搭載配線用基板の横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を、表示用基板の駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線に重ね合わせて、転写する。このように、請求項１に記載の方法では、アライメント兼コンタクト用配線を、表示用基板の駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線に重ね合わせることにより、複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に精度よく転写すると言う、第1の課題が解決される。
さらに、工程ｉ）のｃ）前記発光素子間の間隔を前記マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とし、ｄ）発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする前記発光素子ブロックを準備する工程により、複数の発光素子搭載基板を表示用基板に設置する際に、隣り合う発光素搭載基板間の発光素子内のマイクロＬＥＤ間の間隔が一つの発光素子搭載基板内の発光素子内のマイクロＬＥＤ間の間隔、すなわちマイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下の２倍の最大間隔の１～４０倍と同一にすることができ、表示用基板全般にわたり均一な発光素子分布を得ることができ、これにより第２の課題が解決される。
さらに、工程ｉ）のｃ）前記発光素子間の間隔を前記マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とし、ｄ）発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする前記発光素子ブロックを準備する工程により、複数の発光素子搭載基板を表示用基板に設置する際に、隣り合う発光素搭載基板間の発光素子内のマイクロＬＥＤ間の間隔が一つの発光素子搭載基板内の発光素子内のマイクロＬＥＤ間の間隔、すなわちマイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下の２倍の最大間隔の１～４０倍と同一にすることができ、表示用基板全般にわたり均一な発光素子分布を得ることができ、これにより第２の課題が解決される。
【0013】
本願請求項２に記載の表示用基板は、前記駆動用下部配線、および前記駆動用アライメント兼上部配線を備え、請求項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造により製造される表示用基板を提供する。
【0014】
本願請求項３に記載の表示装置により、前記発光素子搭載配線用基板と前記表示用基板の配線接続を行い、前記発光素子分布が前記表示用基板内で均一になるように転写した前記複数の発光素子搭載配線用基板および前記表示用基板を備え、請求項１に記載の複数の発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造方法により製造される表示装置が提供される。
【0015】
本願請求項３に記載の表示装置により、表示用基板は、複数の発光素子搭載配線用基板を備え、発光素子搭載配線用基板内、および隣り合う発光素子搭載配線用基板間で、均一な発光素子分布を得ることができる。その結果、複数の発光素子搭載配線用基板を備えた大面積のマイクロＬＥＤ表示装置が得られる。
【発明の効果】
【0016】
本発明は、請求項1の工程ｖｉ）および工程ｖｉｉ）に示されるように、表示用基板が駆動用アライメント兼上部配線を備えることにより、発光素子ブロックを搭載した複数の発光素子搭載基板を表示用基板に転写する第１の課題を解決する。複数の発光素子搭載基板を表示用基板に転写することにより、短時間で、マイクロＬＥＤからなる大面積の表示装置を製造することができる。
また、本発明は、請求項1の工程ｉ）～工程ｉｉｉ）、工程ｖｉ）および工程ｖｉｉ）に示されるように、発光素子ブロックの端と、端にある発光素子ブロックのマイクロＬＥＤの間隔を規定し、さらに配線用基板の大きさを規定し、発光素子ブロックを配線用基板に搭載した複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写することにより、第２の課題である、表示用基板全域にわたり均一な発光素子分布を得ることを実現している。
また、本発明は、請求項1の工程ｉ）～工程ｉｉｉ）、工程ｖｉ）および工程ｖｉｉ）に示されるように、発光素子ブロックの端と、端にある発光素子ブロックのマイクロＬＥＤの間隔を規定し、さらに配線用基板の大きさを規定し、発光素子ブロックを配線用基板に搭載した複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写することにより、第２の課題である、表示用基板全域にわたり均一な発光素子分布を得ることを実現している。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】半導体基板表面に青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を形成した後、半導体基板のそりを減少させるために裏面に形成した発光素子の形成に必要なｐ型ＧａＮエピタキシャル層、多重量子井戸層、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、ＧａＮバッファ層、ＳｉＣ層、およびＳｉ基板を研削する工程を示す。点線で囲んだ領域が研削する領域である。
【図2】裏面を研削後、半導体基板から発光素子ブロックを切り出す状態を示す。
【図3】半導体基板から発光素子ブロックを切り出す工程後の状態を示す。ここで、ブロックの端に配線用基板とのアライメントマークを付け、発光素子ブロックを完成する。
【図4】発光素子を形成した発光素子ブロックを配線用基板に転写するために反転させる工程を示す。
【図5a】発光素子ブロックを転写するための配線用基板の平面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向および横方向に形成する。
【図5b】配線用基板の横断面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、横方向に形成する。
【図5c】配線用基板の縦断面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向に形成する。
【図6】発光素子ブロックと、これを転写するための配線用基板との転写部分の位置関係を示す。アライメントマークを基準としてアライメントする。
【図7】発光素子ブロックと配線用基板とを転写する工程後の状態を示す。
【図8】発光素子ブロックの裏面以外にレジスト膜等を形成する工程後の状態を示す。
【図9】発光素子ブロックと配線用基板を転写した後に、半導体基板をエッチングし、さらにＳｉＣ層とＧａＮバッファ層をエッチングする工程後の状態を示す。
【図10a】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の横断面図を示す。
【図10b】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の縦断面図を示す。
【図11a】青色マイクロＬＥＤの上部配線上に緑色蛍光体、および赤色蛍光体を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを形成する工程後の横断面図を示す。
【図11b】青色マイクロＬＥＤの上部配線上に緑色蛍光体、および赤色蛍光体を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを形成する工程後の縦断面図を示す。
【図12a】発光素子ブロックを転写するためのスルービアホールを備えた配線用基板の平面図を示す。基板裏面に、表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向および横方向に形成する。
【図12b】スルービアホールを備えた配線用基板の横断面図を示す。基板裏面に、表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、横方向に形成する。
【図12c】スルービアホールを備えた配線用基板の縦断面図を示す。基板裏面に上部配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向に形成する。
【図13】発光素子ブロックと、これを転写するためのスルービアホールを備えた配線用基板との転写部分の位置関係を示す。
【図14】発光素子ブロックを、スルービアホールを備えた配線用基板に転写する工程後の状態を示す。
【図15】発光素子ブロックの裏面以外にレジスト膜等を形成する工程後の状態を示す。
【図16】発光素子ブロックを、スルービアホールを備えた配線用基板に転写した後に、半導体基板をエッチングする工程後の状態を示す。
【図17a】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の横断面図を示す。
【図17b】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の縦断面図を示す。
【図18】表示用基板を示す。配線間隔は等間隔である。下部配線の上部には絶縁層を挟んで、上部配線との接続を行う縦方向のアライメント兼コンタクト配線がある。
【図19】表示用基板を示す。配線間隔は異なった間隔である。下部配線の上部には絶縁層を挟んで、上部配線との接続を行う縦方向のアライメント兼コンタクト配線がある。
【図20】表示用基板に多数の発光素子搭載配線用基板を転写する工程後の状態を示す。配線間隔は等間隔であり、下部配線が点線で、上部配線が実線で示してある。
【図21】表示用基板に多数の発光素子搭載配線用基板を転写する工程後の状態を示す。配線間隔は異なった間隔であり、下部配線が点線で、上部配線が実線で示してある。
【図22a】表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の下部配線の接続状態を示す。基板の角を丸めて表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の横断面図を示す。
【図22b】表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の上部配線の接続状態を示す。基板の角を丸めて表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の縦断面図を示す。
【図23a】表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の下部配線の接続状態を示す。スルービアホールにより表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の横断面図を示す。
【図23b】表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の上部配線の接続状態を示す。スルービアホールにより表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の縦断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図は、図の構造を実現するための具体的な製造工程を示す。各図において同一部分には、同一の符号を付している。
（実施形態１）
（実施形態１）
【0019】
本実施形態は、Ｓｉ基板１上に大きさを規定した青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３を形成し、これらマイクロＬＥＤの配線間隔を規定し、３色のマイクロＬＥＤの一組を発光素子２７とし、発光素子２７間の配線間隔を規定したＳｉ基板１から切り出した発光素子ブロック３０を、発光素子ブロック３０の配線間隔に従い、側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、ならびに４０ａ、４０ｂ、および４０ｃと、横方向駆動配線および縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線、それぞれ５０Ａ、５０Ｂ、ならびに５０Ｃ、５０ａ、５０ｂ、および５０ｃを備えた配線用基板４０に転写し、発光素子搭載用配線基板７０を完成させ、この発光素子搭載配線用基板７０を、駆動用下部配線、それぞれ９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃを備えた表示用基板８０にアライメント配線を重ねて転写し、表示装置１００を完成する方法である。
以下この方法を具体的に示す。
以下この方法を具体的に示す。
【0020】
図１に示すように、Ｓｉ基板１の裏面に形成したｎ型ＧａＮエピタキシャル層１５、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ用量子井戸層、それぞれ７、１０，および１３、絶縁層５、８、および１１、ＧａＮバッファ層３、ＳｉＣ層２および半導体基板１の裏面をグラインダーによって研削し、半導体基板１の残りの厚さを５０～３００μｍとする（工程ｉ））。点線部分は研削する部分である。
図２に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を含む発光素子ブロック３０を切り出す（工程ｉ））。
図３に示すように、Ｓｉ基板１の裏面を研削する工程後の状態を示す（工程ｉ））。ここでは、配線用基板４０との位置合わせを行うため、レーザ等により、配線用基板４０とのアライメントマーク１８を付ける。
図４に示すように、配線用基板４０に転写するために、上下、左右を反転させる（工程ｉ））。
図２に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を含む発光素子ブロック３０を切り出す（工程ｉ））。
図３に示すように、Ｓｉ基板１の裏面を研削する工程後の状態を示す（工程ｉ））。ここでは、配線用基板４０との位置合わせを行うため、レーザ等により、配線用基板４０とのアライメントマーク１８を付ける。
図４に示すように、配線用基板４０に転写するために、上下、左右を反転させる（工程ｉ））。
【0021】
図５ａ、ｂ、およびｃに示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２７を駆動するための、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の間隔に従い、側面配線によって接続した下部配線および、横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備えた配線用基板４０を準備する（工程ｉｉ））、
図５ａは配線用基板の平面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃを示す（工程ｉｉ））。
図５ｂは端部を丸めて断線を防止した配線用基板の横断面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０Ａ、５０Ｂ、および５０Ｃを示す（工程ｉｉ））。
そして図５ｃは端部を丸めて断線を防止した配線用基板の縦断面図を示し、ここでは、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃ、縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０ａ、５０ｂ、および５０ｃを示す（工程ｉｉ））。
図５ａは配線用基板の平面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃを示す（工程ｉｉ））。
図５ｂは端部を丸めて断線を防止した配線用基板の横断面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０Ａ、５０Ｂ、および５０Ｃを示す（工程ｉｉ））。
そして図５ｃは端部を丸めて断線を防止した配線用基板の縦断面図を示し、ここでは、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃ、縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０ａ、５０ｂ、および５０ｃを示す（工程ｉｉ））。
【0022】
図６に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を備えた発光素子ブロック３０を、配線用基板４０とのアライメントマーク１８を基準にして、配線用基板４０に位置合わせし、発光素子ブロック３０と配線用基板４０の対応する電極同士を接合させる。配線基板４０の表面の下部電極接続端子５１、５２、および５３の表面には、金合金、半田、または導電性樹脂を（図示せず）を形成してもよい。ここでは、一点鎖線の矢印で示すように青色マイクロＬＥＤ２１、および青色マイクロ用下部電極接続端子５１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ用下部電極接続端子５２、赤色マイクロＬＥＤ２３、および赤色マイクロＬＥＤ用下部電極接続端子５３をアライメントした上で接合し、発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写する様子を示す（工程ｉｉｉ））。
【0023】
図７に示すように、配線用基板とのアライメントマーク１８を基準として発光素子ブロック３０と配線用基板４０を接合し、転写する（工程ｉｉｉ））。
【0024】
図８に示すように、接合した発光素子ブロック３０と配線用基板４０の、Ｓｉ基板１の表面以外をレジスト（または有機物、または絶縁層）６０で覆い、半導体基板１をエッチングする際に、他の部分がエッチングされないように保護する（工程ｉｉｉ））。
【0025】
図９に示すように、発光素子搭載配線用基板７０の半導体基板１およびＧａＮバッファ層３を、ＳｉＣ層をエッチストッパーとしてエッチング除去する工程後の状態を示す（工程ｉｖ））。
【0026】
図１０ａに示すように、周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の横断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃと縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行うためにその一部をエッチングし、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃを形成し、縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行う（工程ｖ））。
【0027】
図１０ｂに示すように、周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の縦断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し、透明配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃと縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行うためにその一部をエッチングし、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃを形成し、縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行う（工程ｖ））。
【0028】
図１１ａは、青色マイクロＬＥＤ上に緑色、および赤色蛍光体を塗布し、あ緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤとする場合を示し、ここでは、透明電極周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の横断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃと縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行うためにその一部をエッチングし、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０bおよび４０ｃを形成し、縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行う（工程ｖ））。
【0029】
図１１ｂは、青色マイクロＬＥＤ上に緑色、および赤色蛍光体を塗布し、あ緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤとする場合を示し、ここでは、周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の縦断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し、その一部をエッチングし、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃを形成し、縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行う（工程ｖ））。
【0030】
同様にスルービアホール４１によりそれぞれ表面の透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃと４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ａ、裏面の配線５０ａ、５０ｂ、および５０ｃと５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ａとの接続を行う配線用基板４０を準備し、発光素子搭載配線用基板を形成する工程を図１２ａ、１２ｂおよび１２ｃ～１７ａおよび１７ｂに示す（工程ｉｉｉ））。
【0031】
図１８に示すように、駆動用下部配線９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、ならびに絶縁層（図示せず）を挟んで、駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃを備えた表示用基板８０を準備する（工程ｖｉ）。ここでは配線が等間隔である。
図１９に示すように、駆動用下部配線９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、ならびに絶縁層（図示せず）を挟んで、駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃを備えた表示用基板８０を準備する（工程ｖｉ）。ここでは配線間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の配線間隔に従って異なったものである。
図１９に示すように、駆動用下部配線９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、ならびに絶縁層（図示せず）を挟んで、駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃを備えた表示用基板８０を準備する（工程ｖｉ）。ここでは配線間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の配線間隔に従って異なったものである。
【0032】
図２０に示すように、表示基板８０に複数の発光素子搭載配線用基板７０を転写する（工程ｖｉｉ））。配線間隔は等間隔である。
【0033】
図２１に示すように、表示基板８０に複数の発光素子搭載配線用基板７０を転写する（工程ｖｉｉ））。配線間隔は青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の配線間隔に従って、異なったものである。
【0034】
図２２ａに表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の下部配線の接続状態を示す。基板の角を丸めて表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の横断面図を示す。
図２２ｂに表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の透明導電性配線である上部配線の接続状態を示す。基板の角を丸めて表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の縦断面図を示す。ここでは、図２２ａ、および図２２ｂからわかるように発光素子搭載配線用基板４０から表示用基板７０に配線が接続していることがわかる。
図２２ｂに表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の透明導電性配線である上部配線の接続状態を示す。基板の角を丸めて表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の縦断面図を示す。ここでは、図２２ａ、および図２２ｂからわかるように発光素子搭載配線用基板４０から表示用基板７０に配線が接続していることがわかる。
【0035】
図２３ａに表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の下部配線の接続状態を示す。スルービアホールにより表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の横断面図を示す。
図２３ｂに表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の透明導電性配線である上部配線の接続状態を示す。スルービアホールにより表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の縦断面図を示す。ここでは、図２３ａ、および図２３ｂからわかるように発光素子搭載配線用基板４０から表示用基板７０に配線が接続していることがわかる。
図２３ｂに表示基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写した場合の透明導電性配線である上部配線の接続状態を示す。スルービアホールにより表面と裏面の配線の接続を行った配線用基板を採用した場合の縦断面図を示す。ここでは、図２３ａ、および図２３ｂからわかるように発光素子搭載配線用基板４０から表示用基板７０に配線が接続していることがわかる。
【0036】
ここで、駆動用下部配線、９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、および駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃに数段階の電圧をかけ、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、２１、２２、および２３の色調整を行い、表示装置１００を動作させることができる。
（実施形態２）
（実施形態２）
【0037】
本実施形態は、図１８および図１９に示すように、駆動用下部配線、および駆動用アライメント兼上部配線、それぞれ９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、ならびに９０ａ、９０ｂ、および９０ｃを備えた表示用基板８０を採用する。本実施形態の表示用基板８０により、下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線、それぞれ４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、ならびに５０Ａ、５０Ｂ，および５０Ｃを備える複数の発光素子搭載配線用基板７０との配線接続を精度よく行うことができ、複数の発光素子搭載配線用基板７０を転写することができ、一つの発光素子搭載配線用基板７０内、および隣り合う発光素子搭載配線用基板７０間で同一の発光素子間隔を得ることができ、表示装置１００全体で均一な発光素子分布を得ることができる。
（実施形態３）
（実施形態３）
【0038】
本実施形態は、図２０、図２１、図２２ａ、図２２ｂ、図２３ａ、および図２３ｂに示すように、複数の発光素子搭載配線用基板７０と表示用基板８０の配線接続を行い、発光素子分布が表示用基板８０内で均一になるように転写した複数の発光素子搭載配線用基板７０および表示用基板８０を備えた、表示装置１００を採用する。本表示装置１００によって、均一な発光素子分布が得られ、複数の発光素子搭載配線用基板７０を表示用基板８０に転写した大画面の表示装置１００を実現できる。
【符号の説明】
【0039】
１ 半導体基板（Ｓｉウェハ）
２ ＳｉＣ層
３ ＧａＮバッファ層（ノンドープまたはｎ型ＧａＮ）
４ ｎ型ＧａＮエピタキシャル層
５ 絶縁層
６ 青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
７ 青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
８ 絶縁層
９ 緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１０ 緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１１ 絶縁層
１２ 赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１３ 赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１４ 青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ形成のための
絶縁層エッチング領域
１５ ｐ型ＧａＮエピタキシャル層
１６ 電極層
１７ 絶縁層（ＳＯＧ層）
１８ 配線用基板とのアライメントマーク
２１ 青色マイクロＬＥＤ
２２ 緑色マイクロＬＥＤ
２３ 赤色マイクロＬＥＤ
２４ 緑色蛍光体
２５ 赤色蛍光体
２７ 発光素子
３０ 発光素子ブロック
４０ 配線用基板（Ｓｉウェハ、または石英ガラス、ガラス、サファイヤ、およびプラスチック等を矩形に切り出した基板）
４０Ａ 下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｂ 下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｃ 下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、また透明導電性配線）
４０ａ 上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｂ 上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｃ 上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４１ スルービアホール（導体充填）
５０Ａ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｂ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｃ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ａ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｂ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｃ 縦方向駆動配線へのコンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５１ 下部配線コンタクト領域
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５２ 下部配線コンタクト領域
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５３ 下部配線コンタクト領域
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
６０ レジスト（または有機物、または絶縁層）
６１ 絶縁層（ＳＯＧ）
７０ 発光素子搭載配線用基板（発光素子ブロック搭載済み配線用基板）
８０ 表示用基板
（石英ガラス、ガラス、プラスチック基板、Ｓｉ、およびサファイヤ等）
８１ 横方向駆動回路構成領域
８２ 縦方向駆動回路構成領域
９０Ａ 駆動用下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｂ 駆動用下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｃ 駆動用下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ａ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｂ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｃ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
１００ 表示装置
２ ＳｉＣ層
３ ＧａＮバッファ層（ノンドープまたはｎ型ＧａＮ）
４ ｎ型ＧａＮエピタキシャル層
５ 絶縁層
６ 青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
７ 青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
８ 絶縁層
９ 緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１０ 緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１１ 絶縁層
１２ 赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１３ 赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１４ 青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ形成のための
絶縁層エッチング領域
１５ ｐ型ＧａＮエピタキシャル層
１６ 電極層
１７ 絶縁層（ＳＯＧ層）
１８ 配線用基板とのアライメントマーク
２１ 青色マイクロＬＥＤ
２２ 緑色マイクロＬＥＤ
２３ 赤色マイクロＬＥＤ
２４ 緑色蛍光体
２５ 赤色蛍光体
２７ 発光素子
３０ 発光素子ブロック
４０ 配線用基板（Ｓｉウェハ、または石英ガラス、ガラス、サファイヤ、およびプラスチック等を矩形に切り出した基板）
４０Ａ 下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｂ 下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｃ 下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、また透明導電性配線）
４０ａ 上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｂ 上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｃ 上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４１ スルービアホール（導体充填）
５０Ａ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｂ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｃ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ａ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｂ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｃ 縦方向駆動配線へのコンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５１ 下部配線コンタクト領域
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５２ 下部配線コンタクト領域
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５３ 下部配線コンタクト領域
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
６０ レジスト（または有機物、または絶縁層）
６１ 絶縁層（ＳＯＧ）
７０ 発光素子搭載配線用基板（発光素子ブロック搭載済み配線用基板）
８０ 表示用基板
（石英ガラス、ガラス、プラスチック基板、Ｓｉ、およびサファイヤ等）
８１ 横方向駆動回路構成領域
８２ 縦方向駆動回路構成領域
９０Ａ 駆動用下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｂ 駆動用下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｃ 駆動用下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ａ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｂ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｃ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
１００ 表示装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10a】
【図10b】
【図11a】
【図11b】
【図12a】
【図12b】
【図12c】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17a】
【図17b】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22a】
【図22b】
【図23a】
【図23b】