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特開2024-104824発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法ならびに発光素子ブロックと配線用基板および発光素子搭載基板
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104824
(43)【公開日】2024-08-06
(54)【発明の名称】発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法ならびに発光素子ブロックと配線用基板および発光素子搭載基板
(51)【国際特許分類】
G09F 9/00 20060101AFI20240730BHJP
H01L 33/48 20100101ALI20240730BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
G09F9/00 338
H01L33/48
G09F9/33
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023009203
(22)【出願日】2023-01-25
(71)【出願人】
【識別番号】508081064
【氏名又は名称】株式会社ナノマテリアル研究所
(71)【出願人】
【識別番号】518251033
【氏名又は名称】エーオーイーティー コーポレーション
【住所又は居所原語表記】６０３， Ｙｏｎｓｅｉ Ｓａｒａｎｇ Ｂｌｄｇ．， ９３ Ｓｏｇｏｎｇ Ｒｏ Ｊｕｎｇ－ｇｕ， Ｓｅｏｕｌ ０４５３１ Ｋｏｒｅａ ＡＯＥＴ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
(71)【出願人】
【識別番号】518251044
【氏名又は名称】イ ヤン‐ジュ
【氏名又は名称原語表記】Ｙｏｕｎｇ－ｊｕ， Ｌｅｅ
【住所又は居所原語表記】２０２ Ｇｒｅｅｎ Ｈｏｕｓｅ ２５， Ｄａｅｙａｎｇ－ｒｏ ２８５ｂｅｏｎ－ｇｉｌ， Ｄｅｏｇｙａｎｇ－ｇｕ， Ｇｏｙａｎｇ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， １０２７３， ＫＯＲＥＡ
(74)【代理人】
【識別番号】505384793
【氏名又は名称】塩谷 喜美
(72)【発明者】
【氏名】塩谷 喜美
(72)【発明者】
【氏名】オー，サング‐ムク
【テーマコード（参考）】
5C094
5F142
5G435
【Ｆターム（参考）】
5C094AA03
5C094AA08
5C094BA25
5C094CA19
5C094DA13
5C094DB01
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB14
5C094FB15
5C094GB01
5F142AA12
5F142AA13
5F142AA54
5F142CB14
5F142EA02
5F142EA31
5F142FA32
5F142GA01
5G435AA17
5G435BB04
5G435CC09
5G435EE34
5G435KK05
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光素子ブロック内の３色のマイクロＬＥＤの発光量を同一にし、この発光素子ブロックを配線用基板に精度よく転写し、発光素子搭載配線用基板とし、この発光素子搭載配線用基板を表示用基板に複数転写する場合には、表示用基板に精度よく転写し、また表示用基板内で均一な発光素子分布が得られるようにする。
【解決手段】本発明では、発光素子ブロック内の青色、緑色、および赤色の３色のマイクロＬＥＤの面積を規定し、それらの発光量を同一とし、発光素子ブロック、それを搭載する配線用基板の形状、大きさ、および配線間隔を規定し、精度よく転写できるようにし、さらに発光素子搭載配線用基板の端と、端にある発光素子の間隔を規定し、表示用基板に転写する場合には、表示用基板に精度よく転写でき、隣り合う発光素子搭載配線用基板間で、発光素子分布が均一になるようにする。
【選択図】図２３ｂ
【解決手段】本発明では、発光素子ブロック内の青色、緑色、および赤色の３色のマイクロＬＥＤの面積を規定し、それらの発光量を同一とし、発光素子ブロック、それを搭載する配線用基板の形状、大きさ、および配線間隔を規定し、精度よく転写できるようにし、さらに発光素子搭載配線用基板の端と、端にある発光素子の間隔を規定し、表示用基板に転写する場合には、表示用基板に精度よく転写でき、隣り合う発光素子搭載配線用基板間で、発光素子分布が均一になるようにする。
【選択図】図２３ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ｉ）半導体基板を準備する、工程、
ｉｉ）発光素子ブロックを準備する、工程であって、
ａ）前記半導体基板の両面にＳｉＣ層、ＧａＮバッファ層を形成し、半導体基板の反りを減少させ、
ｂ）前記半導体基板上に六方晶または立方晶ＧａＮ層を用いた青色マイクロＬＥＤ、前記青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤを前記青色マイクロＬＥＤから前記緑色マイクロの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、および前記緑色マイクロＬＥＤと同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤを前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、それらの３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子を前記３色のマイクロＬＥＤ間の最大間隔以上離して形成した発光素子を準備し、
ｃ）前記３色のマイクロＬＥＤの表面に電極層を形成し、
ｄ）前記半導体表面の前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ領域以外の前記絶縁層、前記ｐ型ＧａＮエピタキシャル層、前記多重量子井戸層、前記ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、および前記ＧａＮバッファ層をエッチングし、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤを分離する工程、
ｅ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間を絶縁層で埋め込み、平坦化を行い、
ｆ）前記半導体基板の裏面の前記絶縁層、前記ＧａＮエピタキシャル層、前記量子井戸層、前記ＧａＮバッファ層、前記ＳｉＣ層、および前記半導体基板を研削し、
ｇ）前記半導体基板を研削後、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とする、発光素子ブロックに切り出し、
ｈ）前記発光素子ブロックを切り出し後、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する前記発光素子ブロックの端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付けるプロセスステップを含む、工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、反転させる、工程であって、
ｉ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、上下、左右を反転させるプロセスステップを含む、工程、
ｉｖ）配線用基板を準備する、工程であって、
ｊ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従う側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備え、
ｋ）前記発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、
ｌ）さらに前記発光素子ブロックを搭載した場合、前記配線用基板の端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とするプロセスステップを含む、工程、
ｖ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写する、工程であって、
ｍ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記半導体基板または前記発光素子ブロックを、吸着機構によって平坦化し、
ｎ)前記発光素子ブロックの前記アライメントマークと、前記吸着機構によって平坦化された配線用基板の前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を整合させ、
ｏ）前記側面配線または前記スルービアホールによって接続した前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備えた前記配線用基板に転写する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉ）前記半導体基板をエッチング除去する、工程であって、
ｐ）前記配線用基板に転写した状態で、接合した前記発光素子ブロックと前記配線用基板の、前記半導体基板の表面以外をレジスト（または有機物、または絶縁層）で覆い、前記半導体基板をエッチングする際に、他の部分がエッチングされないように保護し、
ｑ）前記半導体基板の残りの部分と、前記半導体基板表面の前記ＳｉＣ層および前記ＧａＮバッファ層とをエッチング除去する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉｉ）前記発光素子の表面に上部配線となる透明導電性配線を形成し、前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続する、工程であって、
ｒ）前記発光素子ブロックを搭載した前記配線基板である発光素子搭載基板の最外周に、絶縁層を形成し、
ｓ）その一部をエッチングし、
ｔ）またエッチングにより露出させた前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の表面に上部配線となる前記透明導電性配線を形成し、
ｕ)前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続するプロセスステップを含む、工程、を備える発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
ｉｉ）発光素子ブロックを準備する、工程であって、
ａ）前記半導体基板の両面にＳｉＣ層、ＧａＮバッファ層を形成し、半導体基板の反りを減少させ、
ｂ）前記半導体基板上に六方晶または立方晶ＧａＮ層を用いた青色マイクロＬＥＤ、前記青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤを前記青色マイクロＬＥＤから前記緑色マイクロの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、および前記緑色マイクロＬＥＤと同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤを前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、それらの３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子を前記３色のマイクロＬＥＤ間の最大間隔以上離して形成した発光素子を準備し、
ｃ）前記３色のマイクロＬＥＤの表面に電極層を形成し、
ｄ）前記半導体表面の前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ領域以外の前記絶縁層、前記ｐ型ＧａＮエピタキシャル層、前記多重量子井戸層、前記ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、および前記ＧａＮバッファ層をエッチングし、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤを分離する工程、
ｅ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間を絶縁層で埋め込み、平坦化を行い、
ｆ）前記半導体基板の裏面の前記絶縁層、前記ＧａＮエピタキシャル層、前記量子井戸層、前記ＧａＮバッファ層、前記ＳｉＣ層、および前記半導体基板を研削し、
ｇ）前記半導体基板を研削後、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とする、発光素子ブロックに切り出し、
ｈ）前記発光素子ブロックを切り出し後、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する前記発光素子ブロックの端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付けるプロセスステップを含む、工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、反転させる、工程であって、
ｉ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、上下、左右を反転させるプロセスステップを含む、工程、
ｉｖ）配線用基板を準備する、工程であって、
ｊ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従う側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備え、
ｋ）前記発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、
ｌ）さらに前記発光素子ブロックを搭載した場合、前記配線用基板の端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とするプロセスステップを含む、工程、
ｖ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写する、工程であって、
ｍ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記半導体基板または前記発光素子ブロックを、吸着機構によって平坦化し、
ｎ)前記発光素子ブロックの前記アライメントマークと、前記吸着機構によって平坦化された配線用基板の前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を整合させ、
ｏ）前記側面配線または前記スルービアホールによって接続した前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備えた前記配線用基板に転写する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉ）前記半導体基板をエッチング除去する、工程であって、
ｐ）前記配線用基板に転写した状態で、接合した前記発光素子ブロックと前記配線用基板の、前記半導体基板の表面以外をレジスト（または有機物、または絶縁層）で覆い、前記半導体基板をエッチングする際に、他の部分がエッチングされないように保護し、
ｑ）前記半導体基板の残りの部分と、前記半導体基板表面の前記ＳｉＣ層および前記ＧａＮバッファ層とをエッチング除去する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉｉ）前記発光素子の表面に上部配線となる透明導電性配線を形成し、前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続する、工程であって、
ｒ）前記発光素子ブロックを搭載した前記配線基板である発光素子搭載基板の最外周に、絶縁層を形成し、
ｓ）その一部をエッチングし、
ｔ）またエッチングにより露出させた前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の表面に上部配線となる前記透明導電性配線を形成し、
ｕ)前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続するプロセスステップを含む、工程、を備える発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
【請求項2】
ｉｉ）ｂ２）前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
【請求項3】
ｉｉ）ｂ３）前記マイクロＬＥＤをすべて前記青色マイクロＬＥＤとし、それらの間を等間隔とし、前記緑色マイクロＬＥＤに相当する前記青色マイクロＬＥＤ上の前記透明電極上に緑色蛍光体を塗布し、また前記赤色マイクロＬＥＤに相当する前記青色マイクロＬＥＤの前記透明電極上に赤色蛍光体を塗布し、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの代用とする工程を備える、請求項1に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
【請求項4】
ｉｉ）ｂ４）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの上下に配置した配線間隔を等間隔、またはそれぞれ前記青色と前記緑色、前記緑色と前記赤色、および前記赤色と前記青色マイクロＬＥＤの間隔を、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、そして前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく離し、またそれらの間隔をそれぞれ、赤色、緑色、緑色マクロＬＥＤの一辺の５倍未満となるように、配置する工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
【請求項5】
ｉｉ）ｂ５）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の間隔が、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
【請求項6】
ｉｖ）ｉ２）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子を含む前記発光素子ブロックおよび前記発光素子ブロックを搭載した前記発光素子搭載配線用基板の大きさを、前記発光素子ブロック内の発光素子間隔が、隣り合う前記発光素子搭載配線用基板間の前記発光素子間隔と同じ間隔になるように、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法。
【請求項7】
前記発光素子間の間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの最大間隔の１～４０倍とし、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする、請求項１～６に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法により製造される発光素子ブロック。
【請求項8】
前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従い、前記側面配線または前記スルービアホールによって接続した前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を備え、前記発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、さらに前記発光素子ブロックを搭載した場合、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることを備える、請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法により製造される、配線用基板。
【請求項9】
前記発光素子ブロックを、前記配線用基板に搭載したものであり、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることを備える、請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法により製造される発光素子搭載配線用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置の製造方法およびそれを構成する装置に関するものであり、そしてより具体的には青色、緑色、および赤色のマイクロＬＥＤからなる発光素子を形成した基板から切り出した発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法ならびに発光素子ブロックと配線用基板および発光素子搭載基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
現在、表示装置として液晶表示装置や有機発光ダイオードが使用されている。
またＬＥＤは、現在照明分野に広く使用されているが、近年、マイクロＬＥＤが開発され、消費電力の少ない表示装置としてとして、利用され始めている。
またＬＥＤは、現在照明分野に広く使用されているが、近年、マイクロＬＥＤが開発され、消費電力の少ない表示装置としてとして、利用され始めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１０３０９号公報
【特許文献2】特開２０１９－２０４８４２号公報
【特許文献3】特開２０２２－１５５４７１号公報
【特許文献4】特開２０２２－５２５８５１号公報
【特許文献5】特開２０２０‐０１３８０９号公報
【特許文献6】特開２０２０－０１３８１１号公報
【特許文献7】特開２０２１－１１８３６０号公報
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】COMPOUND SEMICONDUCTOR, volume26,Issue7 October, p42, 2020.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
マイクロＬＥＤを表示用基板に転写する方法は、特許文献１～４に示されるように、マイクロＬＥＤが一つずつ表示用基板に転写されている。
【0006】
しかしながら、この作業は３色のマイクロＬＥＤを含む発光素子をピックアップして表示用基板に転写するため、非常に時間がかかる作業である。
【0007】
また、特許文献５、および６では、Ｓｉ基板の反りをなくした上で、青色、緑色、および赤色３色のマイクロＬＥＤを含む発光素子を複数形成した一つの発光素子ブロックを配線用基板に転写する方法が示されている。また特許文献６および７では表示用配線基板が青色、緑色、および赤色を独立して制御できる構造とすることが提案されている。
【0008】
しかしながら、特許文献５、および６では、青色、緑色、および赤色のマイクロＬＥＤを使用して青色、緑色、および赤色の３色の発光を実現し、一方青色マイクロＬＥＤと、青色マイクロＬＥＤと、緑色、および赤色蛍光層の組み合わせを使用して、青色、緑色、および赤色の３色の発光を実現する違いがあるが、これらの文献では発光素子ブロックの反りを減少させ、転写しやすい状態にした上で、表示用配線基板に転写している。そして発光素子ブロックを一つだけ表示用配線基板に転写接続している。
【0009】
また、非特許文献１には、六方晶ＧａＮを使用した緑色マイクロＬＥＤの電力変換効率は青色ＬＥＤに比べ、１５～４０％程度に低下ことが記載されている。そして特許文献７には、赤色マイクロＬＥＤでは４％程度まで低下することが知られている。したがって、これら３色のマイクロＬＥＤを表示用発光素子として使用するためには、これらの電力変換効率も考慮して各マイクロＬＥＤの大きさを規定しなければならない。
【0010】
本発明は、上記技術に鑑みてなされたものであって、
発光素子ブロックを搭載した発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する際に、第１の課題として、発光ブロック内で青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの発光量を同一とすること、第２の課題として、発光素子ブロックを配線用基板に精度よく転写すること、第３の課題として、発光素子搭載配線用基板を複数設置する表示用基板内で均一な発光素子分布を得ることである。青色、緑色、および赤色の３色のマイクロＬＥＤの面積を規定し、発光量を同一とし、配線間隔、および発光素子ブロックの端と発光素子の間隔を規定した発光素子ブロックを、アライメントマークを利用し、配線用基板に転写し、配線間隔が発光素子ブロックの配線間隔に従い、発光素子搭載基板の端と発光素子間隔を規定した発光素子搭載基板を提供することにより、複数の発光素子搭載配線用基板を転写した表示基板上で、発光素子搭載配線用基板間の発光素子分布を均一とすることにより、上記課題を解決することを目的とする。
発光素子ブロックを搭載した発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する際に、第１の課題として、発光ブロック内で青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの発光量を同一とすること、第２の課題として、発光素子ブロックを配線用基板に精度よく転写すること、第３の課題として、発光素子搭載配線用基板を複数設置する表示用基板内で均一な発光素子分布を得ることである。青色、緑色、および赤色の３色のマイクロＬＥＤの面積を規定し、発光量を同一とし、配線間隔、および発光素子ブロックの端と発光素子の間隔を規定した発光素子ブロックを、アライメントマークを利用し、配線用基板に転写し、配線間隔が発光素子ブロックの配線間隔に従い、発光素子搭載基板の端と発光素子間隔を規定した発光素子搭載基板を提供することにより、複数の発光素子搭載配線用基板を転写した表示基板上で、発光素子搭載配線用基板間の発光素子分布を均一とすることにより、上記課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本願請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法は、
ｉ）半導体基板を準備する、工程、
ｉｉ）発光素子ブロックを準備する、工程であって、
ａ）前記半導体基板の両面にＳｉＣ層、ＧａＮバッファ層を形成し、半導体基板の反りを減少させ、
ｂ）前記半導体基板上に六方晶または立方晶ＧａＮ層を用いた青色マイクロＬＥＤ、前記青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤを前記青色マイクロＬＥＤから前記緑色マイクロの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、および前記緑色マイクロＬＥＤと同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤを前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、それらの３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子を前記３色のマイクロＬＥＤ間の最大間隔以上離して形成した発光素子を準備し、
ｃ）前記３色のマイクロＬＥＤの表面に電極層を形成し、
ｄ）前記半導体表面の前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ領域以外の前記絶縁層、前記ｐ型ＧａＮエピタキシャル層、前記多重量子井戸層、前記ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、および前記ＧａＮバッファ層をエッチングし、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤを分離する工程、
ｅ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間を絶縁層で埋め込み、平坦化を行い、
ｆ）前記半導体基板の裏面の前記絶縁層、前記ＧａＮエピタキシャル層、前記量子井戸層、前記ＧａＮバッファ層、前記ＳｉＣ層、および前記半導体基板を研削し、
ｇ）前記半導体基板を研削後、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とする、発光素子ブロックに切り出し、
ｈ）前記発光素子ブロックを切り出し後、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する前記発光素子ブロックの端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付けるプロセスステップを含む、工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、反転させる、工程であって、
ｉ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、上下、左右を反転させるプロセスステップを含む、工程、
ｉｖ）配線用基板を準備する、工程であって、
ｊ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従う側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備え、
ｋ）前記発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、
ｌ）さらに前記発光素子ブロックを搭載した場合、前記配線用基板の端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とするプロセスステップを含む、工程、
ｖ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写する、工程であって、
ｍ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記半導体基板または前記発光素子ブロックを、吸着機構によって平坦化し、
ｎ)前記発光素子ブロックの前記アライメントマークと、前記吸着機構によって平坦化された配線用基板の前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を整合させ、
ｏ）前記側面配線または前記スルービアホールによって接続した前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備えた前記配線用基板に転写する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉ）前記半導体基板をエッチング除去する、工程であって、
ｐ）前記配線用基板に転写した状態で、接合した前記発光素子ブロックと前記配線用基板の、前記半導体基板の表面以外をレジスト（または有機物、または絶縁層）で覆い、前記半導体基板をエッチングする際に、他の部分がエッチングされないように保護し、
ｑ）前記半導体基板の残りの部分と、前記半導体基板表面の前記ＳｉＣ層および前記ＧａＮバッファ層とをエッチング除去する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉｉ）前記発光素子の表面に上部配線となる透明導電性配線を形成し、前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続する、工程であって、
ｒ）前記発光素子ブロックを搭載した前記配線基板である発光素子搭載基板の最外周に、絶縁層を形成し、
ｓ）その一部をエッチングし、
ｔ）またエッチングにより露出させた前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の表面に上部配線となる前記透明導電性配線を形成し、
ｕ)前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続するプロセスステップを含む、工程、を備える発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供することにより、上記課題１～３を解決している。
ｉ）半導体基板を準備する、工程、
ｉｉ）発光素子ブロックを準備する、工程であって、
ａ）前記半導体基板の両面にＳｉＣ層、ＧａＮバッファ層を形成し、半導体基板の反りを減少させ、
ｂ）前記半導体基板上に六方晶または立方晶ＧａＮ層を用いた青色マイクロＬＥＤ、前記青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤを前記青色マイクロＬＥＤから前記緑色マイクロの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、および前記緑色マイクロＬＥＤと同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤを前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、それらの３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子を前記３色のマイクロＬＥＤ間の最大間隔以上離して形成した発光素子を準備し、
ｃ）前記３色のマイクロＬＥＤの表面に電極層を形成し、
ｄ）前記半導体表面の前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ領域以外の前記絶縁層、前記ｐ型ＧａＮエピタキシャル層、前記多重量子井戸層、前記ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、および前記ＧａＮバッファ層をエッチングし、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤを分離する工程、
ｅ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間を絶縁層で埋め込み、平坦化を行い、
ｆ）前記半導体基板の裏面の前記絶縁層、前記ＧａＮエピタキシャル層、前記量子井戸層、前記ＧａＮバッファ層、前記ＳｉＣ層、および前記半導体基板を研削し、
ｇ）前記半導体基板を研削後、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とする、発光素子ブロックに切り出し、
ｈ）前記発光素子ブロックを切り出し後、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する前記発光素子ブロックの端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付けるプロセスステップを含む、工程、
ｉｉｉ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、反転させる、工程であって、
ｉ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写するために、上下、左右を反転させるプロセスステップを含む、工程、
ｉｖ）配線用基板を準備する、工程であって、
ｊ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従う側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備え、
ｋ）前記発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、
ｌ）さらに前記発光素子ブロックを搭載した場合、前記配線用基板の端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とするプロセスステップを含む、工程、
ｖ）前記発光素子ブロックを前記配線用基板に転写する、工程であって、
ｍ）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記半導体基板または前記発光素子ブロックを、吸着機構によって平坦化し、
ｎ)前記発光素子ブロックの前記アライメントマークと、前記吸着機構によって平坦化された配線用基板の前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を整合させ、
ｏ）前記側面配線または前記スルービアホールによって接続した前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備えた前記配線用基板に転写する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉ）前記半導体基板をエッチング除去する、工程であって、
ｐ）前記配線用基板に転写した状態で、接合した前記発光素子ブロックと前記配線用基板の、前記半導体基板の表面以外をレジスト（または有機物、または絶縁層）で覆い、前記半導体基板をエッチングする際に、他の部分がエッチングされないように保護し、
ｑ）前記半導体基板の残りの部分と、前記半導体基板表面の前記ＳｉＣ層および前記ＧａＮバッファ層とをエッチング除去する、プロセスステップを含む、工程、
ｖｉｉ）前記発光素子の表面に上部配線となる透明導電性配線を形成し、前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続する、工程であって、
ｒ）前記発光素子ブロックを搭載した前記配線基板である発光素子搭載基板の最外周に、絶縁層を形成し、
ｓ）その一部をエッチングし、
ｔ）またエッチングにより露出させた前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の表面に上部配線となる前記透明導電性配線を形成し、
ｕ)前記縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線と接続するプロセスステップを含む、工程、を備える発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供することにより、上記課題１～３を解決している。
【0012】
本願請求項１に記載の青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤからなる発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法は、
工程ｉ）のｂ）に示すように、青色マイクロＬＥＤ、青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤを形成し、および前記緑色マイクロＬＥＤと同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤを形成し、青色マイクロＬＥＤと同等以下の発光効率を有する緑色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤと同等以下の発光効率を有する赤色マイクロＬＥＤの発光効率の違いをそれらの面積を増加させることで補償し、発光量を同一にすることができる。これにより、課題１が解決される。
工程ｉｉ）のａ）に示すように、半導体基板の反りをなくし、また工程ｉｉ）のｈ）に示すように、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する前記発光素子ブロックの端および側面に、精度良く加工された半導体基板である配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付け、そして工程ｖ）に示すように、吸着機構により発光素子ブロック、および配線用基板を平坦化した上で、アライメントマークを整合させることにより、発光素子ブロックを配線用基板に精度よく転写させることができる発光素子搭載配線用基板を製造することが出来る。これにより、課題２が解決される。
そして工程ｉｉ）のｇ）に示すように、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とし、さらにｉｖ）に示すように、配線用基板が、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの間隔に従側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備え、さらに発光素子ブロックを搭載した場合、配線用基板の端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とすることにより、複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する際に、隣り合う発光素子搭載基板の発光素子間の間隔を一つの発光素子搭載基板内の発光素子間の間隔と同一にでき、このことにより表示基板内で均一な発光素子分布が得られる。これにより、課題３が解決される。
工程ｉ）のｂ）に示すように、青色マイクロＬＥＤ、青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤを形成し、および前記緑色マイクロＬＥＤと同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤを形成し、青色マイクロＬＥＤと同等以下の発光効率を有する緑色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤと同等以下の発光効率を有する赤色マイクロＬＥＤの発光効率の違いをそれらの面積を増加させることで補償し、発光量を同一にすることができる。これにより、課題１が解決される。
工程ｉｉ）のａ）に示すように、半導体基板の反りをなくし、また工程ｉｉ）のｈ）に示すように、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する前記発光素子ブロックの端および側面に、精度良く加工された半導体基板である配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付け、そして工程ｖ）に示すように、吸着機構により発光素子ブロック、および配線用基板を平坦化した上で、アライメントマークを整合させることにより、発光素子ブロックを配線用基板に精度よく転写させることができる発光素子搭載配線用基板を製造することが出来る。これにより、課題２が解決される。
そして工程ｉｉ）のｇ）に示すように、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とし、さらにｉｖ）に示すように、配線用基板が、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの間隔に従側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備え、さらに発光素子ブロックを搭載した場合、配線用基板の端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とすることにより、複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に転写する際に、隣り合う発光素子搭載基板の発光素子間の間隔を一つの発光素子搭載基板内の発光素子間の間隔と同一にでき、このことにより表示基板内で均一な発光素子分布が得られる。これにより、課題３が解決される。
【0013】
本願請求項２に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素
子搭載配線用基板の製造方法は、
ｉｉ）ｂ２）前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
子搭載配線用基板の製造方法は、
ｉｉ）ｂ２）前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの面積が前記青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の大きさとする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写により発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
【0014】
本願請求項２に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法は、現在使用中の六方晶のＧａＮの場合、緑色マイクロＬＥＤは青色マイクロＬＥＤに比べて発光効率が約１５～４０％であり、そして赤色マイクロＬＥＤは発光効率が約４％でありため、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの発光量を同一とするためには、緑色マイクロＬＥＤと、赤色マイクロＬＥＤの面積を青色マイクロＬＥＤの面積のそれぞれ、７～２．５倍、および２５倍とする必要があり、また緑色、および赤色マイクロＬＥＤが３Ｃ（立方晶）－ＧａＮ層を使用した場合は、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの発光効率はほぼ同一であるため、それらの発光量を同一とするためには、緑色と、赤色マイクロＬＥＤの面積を青色マイクロＬＥＤの面積の1倍とすることが必要である。以上の結果をまとめると、３色のマイクロLＥＤが同一の発光量を得るためには緑色、および赤色マイクロＬＥＤの面積は青色マイクロＬＥＤの面積の１～２５倍の範囲内とする必要がある。以上述べた３色のマイクロＬＥＤの発光効率の違いを、その面積で補償することによって、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの発光量を均一にすることができ、発光素子搭載配線用基板を有効に機能させることができる。
【0015】
本願請求項３に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法ならびに発光素子ブロックと配線用基板および発光素子搭載基板は、
ｉｉ）ｂ３）前記マイクロＬＥＤをすべて前記青色マイクロＬＥＤとし、それらの間を等間隔とし、前記緑色マイクロＬＥＤに相当する前記青色マイクロＬＥＤ上の前記透明電極上に緑色蛍光体を塗布し、また前記赤色マイクロＬＥＤに相当する前記青色マイクロＬＥＤの前記透明電極上に赤色蛍光体を塗布し、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの代用とする工程を備える、請求項1に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
ｉｉ）ｂ３）前記マイクロＬＥＤをすべて前記青色マイクロＬＥＤとし、それらの間を等間隔とし、前記緑色マイクロＬＥＤに相当する前記青色マイクロＬＥＤ上の前記透明電極上に緑色蛍光体を塗布し、また前記赤色マイクロＬＥＤに相当する前記青色マイクロＬＥＤの前記透明電極上に赤色蛍光体を塗布し、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの代用とする工程を備える、請求項1に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
【0016】
本願請求項３に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法は、
緑色、および赤色の発光は、青色マイクロLＥＤから発光された青色光線によって緑色、および赤色蛍光体を励起し、その青色光線の緑色、または赤色光線への変換効率１００％またはそれに近い値であるため、結果として３つの青色マイクロLＥＤの面積を同一またはほぼ同一とすることができ、言い換えると緑色蛍光体を備えた緑色、および赤色蛍光体を備えた赤色マイクロＬＥＤの面積の青色マイクロＬＥＤに対する面積を１倍とし、発光量を均一とすることができる。またそのことによって、それらのマイクロＬＥＤ間の間隔を等間隔とすることができ、コンパクトに纏められた発光素子を形成できるため、発光素子搭載配線用基板を有効に機能させることができる。
緑色、および赤色の発光は、青色マイクロLＥＤから発光された青色光線によって緑色、および赤色蛍光体を励起し、その青色光線の緑色、または赤色光線への変換効率１００％またはそれに近い値であるため、結果として３つの青色マイクロLＥＤの面積を同一またはほぼ同一とすることができ、言い換えると緑色蛍光体を備えた緑色、および赤色蛍光体を備えた赤色マイクロＬＥＤの面積の青色マイクロＬＥＤに対する面積を１倍とし、発光量を均一とすることができる。またそのことによって、それらのマイクロＬＥＤ間の間隔を等間隔とすることができ、コンパクトに纏められた発光素子を形成できるため、発光素子搭載配線用基板を有効に機能させることができる。
【0017】
本願請求項４に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法は、
ｉｉ）ｂ４）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの上下に配置した配線間隔を等間隔、またはそれぞれ前記青色と前記緑色、前記緑色と前記赤色、および前記赤色と前記青色マイクロＬＥＤの間隔を、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、そして前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく離し、またそれらの間隔をそれぞれ、赤色、緑色、緑色マクロＬＥＤの一辺の５倍未満となるように、配置する工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
ｉｉ）ｂ４）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの上下に配置した配線間隔を等間隔、またはそれぞれ前記青色と前記緑色、前記緑色と前記赤色、および前記赤色と前記青色マイクロＬＥＤの間隔を、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、そして前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく離し、またそれらの間隔をそれぞれ、赤色、緑色、緑色マクロＬＥＤの一辺の５倍未満となるように、配置する工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
【0018】
本願請求項４に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法ならびに発光素子ブロックと配線用基板および発光素子搭載基板は、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの上下に配置した配線間隔を等間隔、またはそれぞれ前記青色と前記緑色、前記緑色と前記赤色、および前記赤色と前記青色マイクロＬＥＤの間隔を、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、前記緑色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく、そして前記赤色マイクロＬＥＤの一辺の半分より大きく離し、またそれらの間隔をそれぞれ、赤色、緑色、緑色マクロＬＥＤの一辺の５倍未満となるように、最小限の間隔で配置するため、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの配置、および面積の変更にも対応でき、発光素子をコンパクトに纏めることができ、発光素子搭載配線用基板を有効に機能させることができる。
【0019】
本願請求項５に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法は、
ｉｉ）ｂ５）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の間隔が、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
ｉｉ）ｂ５）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子の間隔が、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
【0020】
本願請求項５に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法は、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤからなる発光素子の間隔が、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とするため、工程ｉｉ）のｇ）に示すように、発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内の前記マイクロＬＥＤとの間隔を前記発光素子間隔の半分以下の間隔とするため、発光素子ブロックを搭載した発光素子搭載配線用基板を表示用基板に設置する際に、発光素子搭載配線用基板内の１つの発光素子ブロック内の発光素子間隔が隣り合う発光素子搭載配線用基板間での発光素子間隔と同一の間隔とすることができ、表示装置の発光素子分布の均一化を図ることができる。
【0021】
本願請求項６に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法は、
ｉｖ）ｉ２）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子を含む前記発光素子ブロックおよび前記発光素子ブロックを搭載した前記発光素子搭載配線用基板の大きさを、前記発光素子ブロック内の発光素子間隔が、隣り合う前記発光素子搭載配線用基板間の前記発光素子間隔と同じ間隔になるように、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
ｉｖ）ｉ２）前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤからなる前記発光素子を含む前記発光素子ブロックおよび前記発光素子ブロックを搭載した前記発光素子搭載配線用基板の大きさを、前記発光素子ブロック内の発光素子間隔が、隣り合う前記発光素子搭載配線用基板間の前記発光素子間隔と同じ間隔になるように、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする工程を備える、請求項１に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法を提供する。
【0022】
本願請求項６に記載の発光素子ブロックを配線用基板に転写する方法は、
発光素子ブロックの端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする工程を備えるため、発光素子ブロックを搭載した発光素子搭載配線用基板を表示用基板に搭載した場合、一つの発光素子搭載配線用基板内の発光ブロック内の発光素子間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍であるため、隣り合う発光素子搭載配線用基板内の隣り合う発光素子ブロック内の発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍の２倍となり、隣り合う発光素子ブロック内の発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とすることができる。このことによって複数の発光素子搭載配線用基板を転写した表示用基板内で均一な発光素子分布を得ることができ、表示装置の発光素子分布の均一化を図ることができる。
発光素子ブロックの端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする工程を備えるため、発光素子ブロックを搭載した発光素子搭載配線用基板を表示用基板に搭載した場合、一つの発光素子搭載配線用基板内の発光ブロック内の発光素子間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍であるため、隣り合う発光素子搭載配線用基板内の隣り合う発光素子ブロック内の発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍の２倍となり、隣り合う発光素子ブロック内の発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とすることができる。このことによって複数の発光素子搭載配線用基板を転写した表示用基板内で均一な発光素子分布を得ることができ、表示装置の発光素子分布の均一化を図ることができる。
【0023】
請求項７に記載の発光素子ブロックは、前記発光素子間の間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの最大間隔の１～４０倍とし、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする、請求項１～６に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法により製造される発光素子ブロックを提供する。
【0024】
本願請求項７に記載の発光素子ブロックは、発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの最大間隔の１～４０倍とし、また発光素子ブロックの端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることにより、配線用基板に転写され、発光素子搭載配線用基板とし、複数の発光素子搭載配線用基板が表示用基板に転写された場合、発光素子搭載配線用基板内と、発光素子搭載配線用基板間で発光素子間隔を同一とすることができ、表示用基板内で均一な発光素子分布を得ることができ、発光素子搭載配線用基板を有効に機能させることができる。
【0025】
本願請求項８に記載の配線用基板は、前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤの間隔に従い、前記側面配線または前記スルービアホールによって接続した前記下部配線、および前記横方向駆動配線と前記縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線を備え、前記発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、さらに前記発光素子ブロックを搭載した場合、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることを備える、請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法により製造される、配線用基板を提供する。
【0026】
本願請求項８に記載の配線用基板は、加工精度の良いＳｉ基板または石英ガラス基板等であり、発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、その下部配線、および横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線と、発光素子ブロックの側面アライメントマークとの整合を行うことができる。
【0027】
本願請求項９に記載の発光素子搭載配線用基板は、前記発光素子ブロックを、前記配線用基板に搭載したものであり、前記発光素子ブロックの端と、端にある前記発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を前記青色、前記緑色、および前記赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることを備える、請求項１～６の何れか１項に記載の発光素子ブロックの配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板を製造する方法により製造される発光素子搭載配線用基板を提供する。
【0028】
本願請求項９に記載の発光素子搭載配線用基板は、発光素子ブロックの端と、端にある発光素子内のマイクロＬＥＤとの間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍以下とするため、複数の発光素子搭載配線用基板を表示用基板に搭載した場合、一つの発光素子搭載配線用基板内の発光ブロック内の発光素子間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍であるため、隣り合う発光素子搭載配線用基板内の隣り合う発光素子ブロック内の発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の０．５～２０倍の２倍となり、隣り合う発光素子ブロック内の発光素子間の間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間の最大間隔の１～４０倍とすることができ、発光ブロック内の発光素子間隔と同一にすることができ、表示用基板内で均一な発光素子分布が得られる。
【発明の効果】
【0029】
本発明によると、発光ブロック内で青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤの発光量を同一とすることができ、発光素子ブロックを配線用基板に精度よく転写することができ、そして複数の発光素子搭載配線用基板を転写する表示用基板内で均一な発光素子分布えることができる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】半導体基板を準備する工程を示す。
【図2】青色、緑色、および青色マイクロＬＥＤからなる発光素子を形成するために、Ｓｉ基板の両面にＳｉＣ層とＧａＮバッファ層を形成する工程後の状態を示す。
【図3】両面にｐ型ＧａＮエピタキシャル層を形成し、絶縁層のエッチングした部分に、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層を埋め込み、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを完成する工程後の状態を示す。
【図4】半導体基板表面のｐ型ＧａＮエピタキシャル層上に電極層を形成し、それらを分離する工程後の状態を示す。点線は発光素子を形成する領域を示す。
【図5】半導体基板表面に青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ間に絶縁層（ＳＯＧ）を形成する工程後の状態を示す。
【図6】裏面のｐ型ＧａＮエピタキシャル層、多重量子井戸層、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、ＧａＮバッファ層、ＳｉＣ層、およびＳｉ基板を研削する工程を示す。点線で囲んだ領域が研削する領域である。
【図7】裏面のｐ型ＧａＮエピタキシャル層、多重量子井戸層、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、ＧａＮバッファ層、ＳｉＣ層、およびＳｉを研削する工程後の状態を示す。
【図8】Ｓｉウェハから発光素子ブロックを切り出す工程後の状態を示す。ここでは、矩形の発光素子ブロックを一つ切り出す様子を示すが、大きさ、および数は任意とする。
【図9】発光素子ブロックを切り出し後、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する発光素子ブロックの端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付ける工程後の状態を示す。
【図10】発光素子を形成した発光素子ブロックを配線用基板に転写するために反転させる工程を示す。
【図11a】発光素子ブロックを転写するための配線用基板の平面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向および横方向に形成する。
【図11b】配線用基板の横断面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、横方向に形成する。
【図11c】配線用基板の縦断面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向に形成する。
【図12】発光素子ブロックと、これを転写するための配線用基板との転写部分の位置関係を示す。
【図13】発光素子ブロックと配線用基板とを転写する工程後の状態を示す。
【図14】発光素子ブロックの裏面以外にレジスト膜等を形成する工程後の状態を示す。
【図15】発光素子ブロックと配線用基板を転写した後に、半導体基板をエッチングし、さらにＳｉＣ層とＧａＮバッファ層をエッチングする工程後の状態を示す。
【図16a】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の横断面図を示す。
【図16b】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の縦断面図を示す。
【図17a】青色マイクロＬＥＤの上部配線上に緑色蛍光体、および赤色蛍光体を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを形成する工程後の横断面図を示す。
【図17b】青色マイクロＬＥＤの上部配線上に緑色蛍光体、および赤色蛍光体を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを形成する工程後の縦断面図を示す。
【図18a】発光素子ブロックを転写するためのスルービアホールを備えた配線用基板の平面図を示す。基板裏面に、表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向および横方向に形成する。
【図18b】スルービアホールを備えた配線用基板の横断面図を示す。基板裏面に、表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、横方向に形成する。
【図18c】スルービアホールを備えた配線用基板の縦断面図を示す。基板裏面に上部配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向に形成する。
【図19】発光素子ブロックと、これを転写するためのスルービアホールを備えた配線用基板との転写部分の位置関係を示す。
【図20】発光素子ブロックを、スルービアホールを備えた配線用基板に転写する工程後の状態を示す。
【図21】発光素子ブロックの裏面以外にレジスト膜等を形成する工程後の状態を示す。
【図22】発光素子ブロックを、スルービアホールを備えた配線用基板に転写した後に、半導体基板をエッチングし、さらにＳｉＣ層とＧａＮバッファ層をエッチングする工程後の状態を示す。
【図23a】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の横断面図を示す。
【図23b】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の縦断面図を示す。
【図24】表示用基板を示す。配線間隔は等間隔である。下部配線の上部には絶縁層を挟んで、上部配線との接続を行う縦方向のアライメント兼コンタクト配線がある。
【図25】表示用基板を示す。配線間隔は異なった間隔である。下部配線の上部には絶縁層を挟んで、上部配線との接続を行う縦方向のアライメント兼コンタクト配線がある。
【図26】表示用基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写する工程後の状態を示す。配線間隔は等間隔であり、下部配線が点線で、上部配線が実線で示してある。
【図27】表示用基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写する工程後の状態を示す。配線間隔は異なった間隔であり、下部配線が点線で、上部配線が実線で示してある。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図は、図の構造を実現するための具体的な製造工程を示す。各図において同一部分には、同一の符号を付している。
（実施形態１）
（実施形態１）
【0032】
本実施形態は、Ｓｉ基板上に大きさを規定した青色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを形成し、これらマイクロＬＥＤの配線間隔を規定し、３色のマイクロＬＥＤの一組を発光素子とし、発光素子間の配線間隔を規定し、Ｓｉ基板から発光素子ブロックを切り出し、発光素子ブロックの配線間隔に従い、側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、横方向駆動配線および縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線を備えた配線用基板への転写による発光素子搭載配線用基板の製造方法に関する。
【0033】
図1に示すようにＳｉ基板１を準備し（工程ｉ））、
図２に示すように、原子層堆積（ＡＬＤ）法（図示せず）により、Ｓｉ基板１の両面に５０～３００ｎｍのＳｉＣ層２を形成し、その上に低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により、３～３０μｍのｎ型ＧａＮバファ層３を形成する（工程ｉｉ））。この工程により、表面にＳｉＣ層、およびＧａＮバッファ層を形成した場合に比べＳｉ基板の反りを大幅に減少させ、後に形成するマイクロＬＥＤにかかるストレスを大幅に減少させる。また、Ｓｉ基板１の両面にＳｉＣ２、バッファＧａＮ層等を形成することによって、Ｓｉ基板１の反りを大幅に減少させることができ、発光素子ブロック３０の反りも大幅に減少させることができるために、発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写できるようになる。Ｓｉ基板１の反りが大きいと、発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写できない。
図３に示すように、ＧａＮ層を用いた青色マイクロＬＥＤ２１、青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤ２２を青色マイクロＬＥＤ２１から緑色マイクロＬＥＤ２２の一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、および緑色マイクロＬＥＤ２２と同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤ２３を前記緑色マイクロＬＥＤ２２の一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、それらの３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子２７を３色のマイクロＬＥＤ間の最大間隔以上離して形成した発光素子を準備する、（工程ｉｉ）のｂ））。なお、ＡＬＤ法、またはＬＰＣＶＤ法によるＳｉ基板両面へのｎ型ＧａＮ層、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ用量子井戸層、ｐ型ＧａＮ層、および絶縁層の形成は省略してある。あくまでも３色のマイクロＬＥＤ２１，２２、および２３を一組として一つの発光素子２７として機能させるために、それらの発光量を同一とする必要があり、また３色のマイクロＬＥＤはできるだけコンパクトにまとめる必要がある。本工程はそのような要請を可能にするものである。
図４に示すように、スパッタリングによって電極層１７を形成し、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロLＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を形成し（工程ｉｉ）のｃ））、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３の間の絶縁層５および８をエッチングし、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３を分離する（工程ｉｉ）のｄ））。ここではＳｉＣ層２を残すようにエッチングし、後にＳｉ基板１をエッチング除去する際に、ＳｉＣ層２が下部のマイクロＬＥＤ２１、２２、および２３を保護する役目を果たす。
図５に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３間を絶縁層（ＳＯＧ）１７で埋め込み。平坦化を行う（工程ｉｉ）の ｅ））。ここでは、平坦化により、発光素子２７を保護する。
図２に示すように、原子層堆積（ＡＬＤ）法（図示せず）により、Ｓｉ基板１の両面に５０～３００ｎｍのＳｉＣ層２を形成し、その上に低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により、３～３０μｍのｎ型ＧａＮバファ層３を形成する（工程ｉｉ））。この工程により、表面にＳｉＣ層、およびＧａＮバッファ層を形成した場合に比べＳｉ基板の反りを大幅に減少させ、後に形成するマイクロＬＥＤにかかるストレスを大幅に減少させる。また、Ｓｉ基板１の両面にＳｉＣ２、バッファＧａＮ層等を形成することによって、Ｓｉ基板１の反りを大幅に減少させることができ、発光素子ブロック３０の反りも大幅に減少させることができるために、発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写できるようになる。Ｓｉ基板１の反りが大きいと、発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写できない。
図３に示すように、ＧａＮ層を用いた青色マイクロＬＥＤ２１、青色マイクロＬＥＤと同等、またはそれより大きな面積を有する緑色マイクロＬＥＤ２２を青色マイクロＬＥＤ２１から緑色マイクロＬＥＤ２２の一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、および緑色マイクロＬＥＤ２２と同等、またはそれ以上の面積を有する赤色マイクロＬＥＤ２３を前記緑色マイクロＬＥＤ２２の一辺の長さの半分以上の間隔を離して形成し、それらの３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子２７を３色のマイクロＬＥＤ間の最大間隔以上離して形成した発光素子を準備する、（工程ｉｉ）のｂ））。なお、ＡＬＤ法、またはＬＰＣＶＤ法によるＳｉ基板両面へのｎ型ＧａＮ層、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ用量子井戸層、ｐ型ＧａＮ層、および絶縁層の形成は省略してある。あくまでも３色のマイクロＬＥＤ２１，２２、および２３を一組として一つの発光素子２７として機能させるために、それらの発光量を同一とする必要があり、また３色のマイクロＬＥＤはできるだけコンパクトにまとめる必要がある。本工程はそのような要請を可能にするものである。
図４に示すように、スパッタリングによって電極層１７を形成し、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロLＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を形成し（工程ｉｉ）のｃ））、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３の間の絶縁層５および８をエッチングし、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３を分離する（工程ｉｉ）のｄ））。ここではＳｉＣ層２を残すようにエッチングし、後にＳｉ基板１をエッチング除去する際に、ＳｉＣ層２が下部のマイクロＬＥＤ２１、２２、および２３を保護する役目を果たす。
図５に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３間を絶縁層（ＳＯＧ）１７で埋め込み。平坦化を行う（工程ｉｉ）の ｅ））。ここでは、平坦化により、発光素子２７を保護する。
【0034】
なお、ここでは、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３のｎ型ＧａＮ層は１～５μｍ、ｐ型ＧａＮ層は０．１～０．５μｍ、多重量子井戸層は３～７ｎｍの量子井戸層からなり、その層数は２～６層である。また赤色、緑色、および青色用量子井戸層、それぞれ７、１０、および１３はＩｎ濃度の異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ障壁層からなり、その下層の５０ｎｍ程度のｎ型ＩｎＧａＮ（図示せず）、上層の２０ｎｍ程度のｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（図示せず）によって挟まれている。
【0035】
図６に示すように、裏面に形成したｎ型ＧａＮエピタキシャル層１５、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ用量子井戸層、それぞれ７、１０，および１３、絶縁層５、８、および１１、ＧａＮバッファ層３、ＳｉＣ層２およびＳｉ基板１の裏面をグラインダーによって研削し、Ｓｉ基板１の残りの厚さを５０～３００μｍとする（工程ｉｉ）のｆ））。点線部分は研削する部分である。
図７に、Ｓｉ基板１の裏面を研削する工程後の状態を示す（工程ｉｉ）のｆ））。
図８に発光素子ブロック３０に切り出す工程後の状態を示す（工程ｉｉ）のｇ））。ここでは、発光素子ブロック３０を矩形とし、配線用基板４０に転写した発光素子搭載基板７０を表示装置８０に設置接続する場合に、隙間なく設置接続できるようにする。
図７に、Ｓｉ基板１の裏面を研削する工程後の状態を示す（工程ｉｉ）のｆ））。
図８に発光素子ブロック３０に切り出す工程後の状態を示す（工程ｉｉ）のｇ））。ここでは、発光素子ブロック３０を矩形とし、配線用基板４０に転写した発光素子搭載基板７０を表示装置８０に設置接続する場合に、隙間なく設置接続できるようにする。
【0036】
図９に示すように、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する発光素子ブロック３０の端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマーク１８を付ける（工程ｉｉ）のｈ））。ここでは、このアライメントマーク１８によって配線用基板４０の配線との整合を精密に行う。
図１０に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を含む発光素子ブロック３０を切り出した後、配線用基板４０に転写するために、上下、左右を反転させる（工程ｉｉｉ））。これは、発光素子ブロック３０と、配線用基板４０の対応する配線同士を整合させるための作業である。
図１０に示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を含む発光素子ブロック３０を切り出した後、配線用基板４０に転写するために、上下、左右を反転させる（工程ｉｉｉ））。これは、発光素子ブロック３０と、配線用基板４０の対応する配線同士を整合させるための作業である。
【0037】
図１１ａ、ｂ、およびｃに示すように、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２７を駆動するための、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の間隔に従い、側面配線によって接続した下部配線および、横方向駆動配線と縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線を備えた配線用基板４０を準備する（工程ｉｖ））、配線用基板４０はＳｉ基板１から製作された矩形のものとする。Ｓｉ基板１とするのは、端部を加工し易く、またスルービアホールによってＳｉ基板１の両面にある配線間を接続しやすいためである。
図１１ａは配線用基板の平面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃを示す（工程ｉｖ））。
図１１ｂは端部を丸めて断線を防止した配線用基板の横断面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０Ａ、５０Ｂ、および５０Ｃを示す（工程ｉｖ））。
そして図１１ｃは端部を丸めて断線を防止した配線用基板４０の縦断面図を示し、ここでは、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃ、縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０ａ、５０ｂ、および５０cを示す（工程ｉｖ））。
図１１ａは配線用基板の平面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃを示す（工程ｉｖ））。
図１１ｂは端部を丸めて断線を防止した配線用基板の横断面図を示し、ここでは、下部配線４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０Ａ、５０Ｂ、および５０Ｃを示す（工程ｉｖ））。
そして図１１ｃは端部を丸めて断線を防止した配線用基板４０の縦断面図を示し、ここでは、上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃ、縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０ａ、５０ｂ、および５０cを示す（工程ｉｖ））。
【0038】
図１２に示すように、吸着機構（図示せず）により、発光素子ブロック３０、および配線用基板４０を平坦化し、青色マイクロＬＥＤ２１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３からなる発光素子２５を備えた発光素子ブロック３０を、端、および側面のアライメントマーク１８を配線用基板４０の上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃ、縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト配線５０ａ、５０ｂ、および５０cに位置合わせし、発光素子ブロック３０と配線用基板４０の対応する電極同士を接合させる。配線基板４０の表面の下部電極接続端子５１、５２、および５３の表面には、金合金、半田、または導電性樹脂を（図示せず）を形成してもよい。ここでは、一点鎖線の矢印で示すように青色マイクロＬＥＤ２１、および青色マイクロ用下部電極接続端子５１、緑色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ用下部電極接続端子５２、赤色マイクロＬＥＤ２３、および赤色マイクロＬＥＤ用下部電極接続端子５３をアライメントした上で接合し、発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写する様子を示す（工程ｖ））。
【0039】
図１３に示すように、発光素子ブロック３０と配線用基板４０を接合し、転写する（工程ｖ））。
【0040】
図１４に示すように、接合した発光素子ブロック３０と配線用基板４０の、Ｓｉ基板１の表面以外をレジスト（または有機物、または絶縁層）６０で覆い、半導体基板１をエッチングする際に、他の部分がエッチングされないように保護する（工程ｖｉ）のｐ））。
【0041】
図１５に示すように、発光素子搭載配線用基板７０のＳｉ基板１をエッチングし、表面側のＳｉＣ層２およびＧａＮバッファ層３をエッチングにより除去する工程後の状態を示す（工程ｖｉ））。これは、３色のマイクロＬＥＤ２１、２２，および２３のｎ型ＧａＮ層４上に透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃを形成するためである。透明導電性配線は酸化インジウム等とする。
【0042】
図１６ａに示すように、周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の横断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し（工程ｖｉｉ）のｒ））、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃと縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行うためにその一部をエッチングする（工程ｖｉｉ）のｓ））。ここでは、上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃを縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃと接続することにより、表示用基板の駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃに接続する準備を行うためのものである。
【0043】
図１６ｂに示すように、周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の縦断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し、その一部をエッチングし、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃを形成し（工程ｖｉｉ）のｔ））、縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行う（工程ｖｉｉ）のｕ））。
【0044】
図１７ａは、青色マイクロＬＥＤ上に緑色２４、および赤色蛍光体２５を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤとする場合を示し、ここでは、透明導電性電極周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の横断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し（工程ｖｉｉ）のｒ））、透明導電性配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃと縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行うためにその一部をエッチングする（工程ｖｉｉ）（工程ｖｉｉ）のｓ）））。３色すべてのマイクロＬＥＤを青色マイクロＬＥＤ２１とすることによって、それらの配線間隔を等間隔とし、また青色マイクロＬＥＤの面積は３色のマイクロＬＥＤの中で、一番小さい面積を有するので、配線間隔を最も短くすることができ、発光素子をコンパクトにまとめることができる。さらに発光素子２７間の間隔も最も短くすることができる。
【0045】
図１７ｂは、青色マイクロＬＥＤ上に緑色、および赤色蛍光体を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤとする場合を示し、ここでは、周辺のレジスト層６０を除去する工程後の状態の縦断面図を示す。配線用基板４０周辺に絶縁層６１を形成し（工程ｖｉｉ）のｒ））、その一部をエッチングし（工程ｖｉｉ）のｓ））、透明配線である上部配線４０ａ、４０ｂおよび４０ｃを形成し（工程ｖｉｉ）のｔ））、縦方向駆動用配線へのアライメント兼コンタクト用配線、５０ａ、５０ｂおよび５０ｃとの接続を行う（（工程ｖｉｉ）のｕ）））。
【0046】
同様にスルービアホール４１によりそれぞれ表面の配線４０ａ、４０ｂ、および４０ｃと４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ａ、裏面の配線５０ａ、５０ｂ、および０ｃと５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ａとの接続を行う配線用基板４０を準備し、発光素子搭載配線用基板を形成する工程を図１８ａ、１８ｂおよび１８ｃから２３ａおよび２３ｂに示す（工程ｉｖ）～工程ｖｉｉ））。
ここでは、配線用基板４０はＳｉ基板１から製作したＳｉ基板ブロックとする。
この配線用基板４０は、スルービアホールを容易に形成でき、配線用基板４０両面の配線を接続しやすくすることができる。
ここでは、配線用基板４０はＳｉ基板１から製作したＳｉ基板ブロックとする。
この配線用基板４０は、スルービアホールを容易に形成でき、配線用基板４０両面の配線を接続しやすくすることができる。
【0047】
実施形態１の方法を、実際の表示装置１００の製作に適用するためには、発光素子ブロック３０を搭載した配線用基板４０である発光素子搭載配線用基板７０を表示用基板８０に設置接続する。図２４、および図２５に示すように、駆動用下部配線９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、ならびに絶縁層（図示せず）を挟んで、駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃを備えた表示用基板８０を準備する。表示用基板８０は、矩形であることが望ましい。発光素子搭載配線用基板７０を隙間なく転写できるためである。また、発光素子ブロック３０、および配線用基板４０の端と、端にある発光素子２７、または配線との間隔を内部にある発光素子２７、または配線間の間隔の半分とすることで、隣り合った発光素子搭載基板７０間の隣り合った発光素子２７間の間隔を一つの発光素子搭載配線用基板７０内の発光素子２７間の間隔と同一とすることができる。なお、表示用基板８０の配線上に金合金、半田、または導電性樹脂を（図示せず）を形成してもよい。
図２４は配線が等間隔であり、図２５は配線間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の配線間隔に従って異なったものである。
図２４は配線が等間隔であり、図２５は配線間隔が青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の配線間隔に従って異なったものである。
【0048】
図２６に示すように、表示基板８０に複数の発光素子搭載配線用基板７０を転写する。配線間隔は等間隔である。ここでは、発光素子ブロック３０、および配線用基板７０の形状を規定したことにより、発光素子搭載配線用基板７０内、および隣り合う発光素子搭載配線用基板７０の間で発光素子分布を均一にできている。
【0049】
図２７に示すように、表示基板８０に複数の発光素子搭載配線用基板７０を転写する。配線間隔は青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の配線間隔に従って、異なったものである。ここでは、発光素子ブロック３０、および配線用基板４０の形状を規定したことにより、発光素子搭載配線用基板７０内、および隣り合う発光素子搭載配線用基板７０の間で発光素子分布を均一にできている。
【0050】
ここで、駆動用下部配線、９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃ、および駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、９０ｂ、および９０ｃに数段階の電圧をかけ、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、２１、２２、および２３の色調整を行い、表示装置８０を動作させることができる。
（実施形態２）
（実施形態２）
【0051】
本実施形態は、実施形態１において、緑色マイクロＬＥＤマイクロＬＥＤ２２の面積が赤色ＬＥＤ２３の面積と同一、またはそれ以上の大きさとし、赤色、および緑色マイクロＬＥＤ、２３、２２の面積が青色マイクロＬＥＤ２１の面積の１～２５倍の大きさとする（工程ｉｉ）のｂ２））。このことにより、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の発光量を均一にすることができ、発光する色と、実際の色との違いを低減でき、発光素子搭載配線用基板７０を有効に機能させることができる。そして青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の形状は矩形、または任意の形としてよい。
（実施形態３）
（実施形態３）
【0052】
本実施形態は、実施形態1において、マイクロＬＥＤをすべて青色マイクロＬＥＤ２１とし、それらの間を等間隔とし、青色マイクロＬＥＤ２１上の上部配線４０ｂ、および４０ｃ上に、それぞれ緑色蛍光体２４、および赤色蛍光体２５を塗布し、緑色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３の代用とし、発光素子搭載配線用基板７０を有効に機能させることができる（工程ｉｉ）のｂ３））。この実施形態は、マイクロＬＥＤが一種類のためその製造がより、容易であり、３色のマイクロＬＥＤの発光量をにすることができ、マイクロLＥＤ２１をコンパクトにまとめることができ、発光素子２７間の間隔を最短にすることができ、発光素子２７分布を高密度にすることができる。
（実施形態４）
（実施形態４）
【0053】
本実施形態では、実施形態１において、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の上下に配置した配線間隔を等間隔、またはそれぞれ青色と緑色、緑色と赤色、および赤色と青色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１と２２，２２と２３、および２３と２１の間隔を、緑色マイクロＬＥＤ２２の一辺の半分より大きく、赤色マイクロＬＥＤ２１の一辺の半分より大きく、および赤色マイクロＬＥＤ２３の一辺の半分より大きくし、またそれらの間隔を一辺の５倍未満とするように配置する（工程ｉｉ）のｂ４））。このことにより、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤをコンパクトに纏めることができ、それらの配置、および面積の変更にも対応でき、発光素子搭載配線用基板７０を有効に機能させることができる。
（実施形態５）
（実施形態５）
【0054】
本実施形態では、実施形態１において、発光素子２７の間隔が、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２，および２３間の最大間隔の１～４０倍とする（工程ｉｉ）のｂ５））。このことにより、発光素子搭載配線用基板７０を表示用基板８０に設置する際に、発光素子搭載配線用基板７０間の発光素子２５の間隔を発光素子搭載基板内の発光素子２５の間隔と同じにすることができ、表示用基板８０内の発光素子２５密度の均一化を図ることができる。発光素子２７間の間隔をある程度余裕をもって設定することにより、発光素子登載配線用基板７０の表示用基板８０への設置接続を寸法的な余裕をもって行うことができる。
（実施形態６）
（実施形態６）
【0055】
本実施形態は、実施形態１において、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３からなる発光素子２５を含む発光素子ブロック３０、配線用基板４０，および発光素子ブロック３０を搭載した発光素子搭載配線用基板７０の大きさを、発光素子ブロック３０内の発光素子２５の間隔が、隣り合う発光素子搭載配線用基板７０間の発光素子２５間隔と同一間隔になるように、発光素子ブロック３０の端、または配線用基板４０の端と、発光素子ブロック３０内の端にある前記発光素子２５内のマイクロＬＥＤ、２１または２３との間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする（工程ｉｖ）のｉ２））。このことにより、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２，および２３からなる発光素子ブロック３０内の発光素子２５の間隔が、表示用基板８０内の発光素子搭載配線用基板７０間の発光素子２５の間隔と等しい間隔とすることができる。これにより、表示用基板８０内での均一な発光素子密度と、均一な発光量を得ることができる。
（実施形態７）
（実施形態７）
【0056】
本実施形態は、発光素子ブロック３０の端と、発光素子ブロック３０内の端にある発光素子２５内のマイクロＬＥＤ、２１または２３との間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２，および２３間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることを備える発光素子３０を採用する。このことにより、発光素子ブロック３０を搭載した発光素子搭載配線用基板７０を転写した表示用基板８０内で、均一な発光素子分布を得ることができる。
（実施形態８）
（実施形態８）
【0057】
本実施形態は、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の間隔に従い、側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、それぞれ４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃ、および横方向駆動配線、それぞれ５０Ａ、５０Ｂ、および５０Ｃと、縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線、それぞれ５０ａ、５０ｂ、および５０ｃを備え、発光素子ブロックと同一形状および同一またはそれ以上の大きさとし、さらに発光素子２７の間隔が、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２，および２３間の最大間隔の１～４０倍とし、そのうえ発光素子ブロック３０を搭載した場合、発光素子搭載配線用基板７０の端と、端にある発光素子２７内のマイクロＬＥＤ、２１または２３との間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３間の最大間隔の０．５～２０倍以下とすることを備える配線用基板４０を採用する。このことにより、発光素子ブロック３０、および表示用基板８０との配線接続を精度良く行うことができ、また発光素子搭載配線用基板７０間で均一な発光素子分布を得ることができる。
（実施形態９）
（実施形態９）
【0058】
本実施形態は、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３からなる発光素子２７を含み、緑色マイクロＬＥＤマイクロＬＥＤ２２の面積が赤色ＬＥＤ２３の面積と同一、またはそれ以上の大きさとし、赤色、および緑色マイクロＬＥＤ、２３、２２の面積が青色マイクロＬＥＤ２１の面積の１～２５倍の大きさとし、青色と緑色、緑色と赤色、および赤色と青色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１と２２，２２と２３、および２３と２１の間隔を、緑色マイクロＬＥＤ２２の一辺の半分より大きく、赤色マイクロＬＥＤ２１の一辺の半分より大きく、および赤色マイクロＬＥＤ２３の一辺の半分より大きくし、またそれらの間隔を一辺の５倍未満とするように配置し、さらに発光素子ブロックの端と、端にある発光素子２７内のマイクロＬＥＤとの間隔を青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２，および２３間の最大間隔の０．５～２０倍以下とする発光素子ブロック３０を、発光素子ブロック３０と同一、またはそれ以上の大きさで、配線間隔が、青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ、それぞれ２１、２２、および２３の間隔に従い、側面配線またはスルービアホールによって接続した下部配線、４０Ａ、４０Ｂ、および４０Ｃおよび横方向駆動配線と縦方向駆動配線への前記アライメント兼コンタクト用配線、それぞれ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０ａ、５０ｂ、および５０ｃを備えた（工程ｉｘ））配線用基板４０に搭載した発光素子搭載配線用基板７０を採用する。このことにより、発光素子ブロックを搭載した発光素子搭載配線用基板７０を表示用基板８０の駆動用下部配線、９０Ａ、９０Ｂ、および９０Ｃおよび駆動用アライメント兼上部配線、９０ａ、９０ｂ、および９０ｃと接続し、発光素子搭載配線用基板７０を転写した表示用基板８０内で、均一な発光素子分布を得ることができる。
【符号の説明】
【0059】
１ 半導体基板（Ｓｉウェハ）
２ ＳｉＣ層
３ ＧａＮバッファ層（ノンドープまたはｎ型ＧａＮ）
４ ｎ型ＧａＮエピタキシャル層
５ 絶縁層
６ 青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
７ 青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
８ 絶縁層
９ 緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１０ 緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１１ 絶縁層
１２ 赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１３ 赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１４ 青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ形成のための
絶縁層エッチング領域
１５ ｐ型ＧａＮエピタキシャル層
１６ 電極層
１７ 絶縁層（ＳＯＧ層）
１８ 配線用基板とのアライメントマーク
２１ 青色マイクロＬＥＤ
２２ 緑色マイクロＬＥＤ
２３ 赤色マイクロＬＥＤ
２４ 緑色蛍光体
２５ 赤色蛍光体
２７ 発光素子
３０ 発光素子ブロック
４０ 配線用基板（Ｓｉウェハ、または石英ガラス、ガラス、サファイヤ、およびプラスチック等を矩形に切り出した基板）
４０Ａ 下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｂ 下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｃ 下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、また透明導電性配線）
４０ａ 上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｂ 上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｃ 上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４１ スルービアホール（導体充填）
５０Ａ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｂ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｃ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ａ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｂ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｃ 縦方向駆動配線へのコンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５１ 下部配線コンタクト領域
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５２ 下部配線コンタクト領域
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５３ 下部配線コンタクト領域
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
６０ レジスト（または有機物、または絶縁層）
６１ 絶縁層（ＳＯＧ）
７０ 発光素子搭載配線用基板（発光素子ブロック搭載済み配線用基板）
８０ 表示用基板
（石英ガラス、ガラス、プラスチック基板、Ｓｉ、およびサファイヤ等）
８１ 横方向駆動回路構成領域
８２ 縦方向駆動回路構成領域
９０Ａ 駆動用下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｂ 駆動用下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｃ 駆動用下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ａ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｂ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｃ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
１００ 表示装置
２ ＳｉＣ層
３ ＧａＮバッファ層（ノンドープまたはｎ型ＧａＮ）
４ ｎ型ＧａＮエピタキシャル層
５ 絶縁層
６ 青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
７ 青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
８ 絶縁層
９ 緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１０ 緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１１ 絶縁層
１２ 赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１３ 赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１４ 青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤ形成のための
絶縁層エッチング領域
１５ ｐ型ＧａＮエピタキシャル層
１６ 電極層
１７ 絶縁層（ＳＯＧ層）
１８ 配線用基板とのアライメントマーク
２１ 青色マイクロＬＥＤ
２２ 緑色マイクロＬＥＤ
２３ 赤色マイクロＬＥＤ
２４ 緑色蛍光体
２５ 赤色蛍光体
２７ 発光素子
３０ 発光素子ブロック
４０ 配線用基板（Ｓｉウェハ、または石英ガラス、ガラス、サファイヤ、およびプラスチック等を矩形に切り出した基板）
４０Ａ 下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｂ 下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｃ 下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、また透明導電性配線）
４０ａ 上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｂ 上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｃ 上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４１ スルービアホール（導体充填）
５０Ａ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｂ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｃ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ａ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｂ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｃ 縦方向駆動配線へのコンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５１ 下部配線コンタクト領域
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５２ 下部配線コンタクト領域
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５３ 下部配線コンタクト領域
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
６０ レジスト（または有機物、または絶縁層）
６１ 絶縁層（ＳＯＧ）
７０ 発光素子搭載配線用基板（発光素子ブロック搭載済み配線用基板）
８０ 表示用基板
（石英ガラス、ガラス、プラスチック基板、Ｓｉ、およびサファイヤ等）
８１ 横方向駆動回路構成領域
８２ 縦方向駆動回路構成領域
９０Ａ 駆動用下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｂ 駆動用下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｃ 駆動用下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ａ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｂ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｃ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
１００ 表示装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図11c】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16a】
【図16b】
【図17a】
【図17b】
【図18a】
【図18b】
【図18c】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23a】
【図23b】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】