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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104886
(43)【公開日】2024-08-06
(54)【発明の名称】コイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 27/29 20060101AFI20240730BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
H01F27/29 123
H01F17/04 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023009302
(22)【出願日】2023-01-25
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110003915
【氏名又は名称】弁理士法人岡田特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】小野 晃太
(72)【発明者】
【氏名】松浦 耕平
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 智之
【テーマコード（参考）】
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E070AA01
5E070AB10
5E070BA11
5E070CB12
5E070EA01
5E070EB04
(57)【要約】
【課題】信頼性の高いコイル部品を提供する。
【解決手段】この発明にかかるコイル部品１０Ａは、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４および第２の磁性体層１６ｂがこの順に積層された積層体１２Ａと、第１の非磁性体層１４の内部に埋設されたコイル導体２０と、少なくとも、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４の積層方向に平行な外表面に設けられ、コイル導体２０に電気的に接続された外部電極３０とを備える。外部電極３０は積層体側から順に下地電極層３２、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、下地電極層３２はガラスとＡｇとを有する。積層体１２Ａと下地電極層３２との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、積層体１２Ａとガラスとの接触領域でのＡｇが存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上である。
【選択図】図５
【解決手段】この発明にかかるコイル部品１０Ａは、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４および第２の磁性体層１６ｂがこの順に積層された積層体１２Ａと、第１の非磁性体層１４の内部に埋設されたコイル導体２０と、少なくとも、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４の積層方向に平行な外表面に設けられ、コイル導体２０に電気的に接続された外部電極３０とを備える。外部電極３０は積層体側から順に下地電極層３２、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、下地電極層３２はガラスとＡｇとを有する。積層体１２Ａと下地電極層３２との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、積層体１２Ａとガラスとの接触領域でのＡｇが存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上である。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の磁性体層、第１の非磁性体層および第２の磁性体層がこの順に積層された積層体と、
前記第１の非磁性体層の内部に埋設されたコイル導体と、
少なくとも、前記第１の磁性体層、前記第１の非磁性体層の積層方向に平行な外表面に設けられ、前記コイル導体に電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記外部電極は前記積層体側から順に下地電極層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、
前記下地電極層はガラスとＡｇとを有し、
前記積層体と前記下地電極層との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、前記積層体と前記ガラスとの接触領域でのＡｇが存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上である、
コイル部品。
前記第１の非磁性体層の内部に埋設されたコイル導体と、
少なくとも、前記第１の磁性体層、前記第１の非磁性体層の積層方向に平行な外表面に設けられ、前記コイル導体に電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記外部電極は前記積層体側から順に下地電極層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、
前記下地電極層はガラスとＡｇとを有し、
前記積層体と前記下地電極層との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、前記積層体と前記ガラスとの接触領域でのＡｇが存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上である、
コイル部品。
【請求項2】
第１の磁性体層、第１の非磁性体層および第２の磁性体層がこの順に積層された積層体と、
前記第１の非磁性体層の内部に埋設されたコイル導体と、
少なくとも、前記第１の磁性体層、前記第１の非磁性体層の積層方向に平行な外表面に設けられ、前記コイル導体に電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記外部電極は前記積層体側から順に下地電極層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、
前記下地電極層はガラスとＡｇとを有し、
前記下地電極層とＮｉめっき層との界面において、Ａｇとガラスと空隙の面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下である、
コイル部品。
前記第１の非磁性体層の内部に埋設されたコイル導体と、
少なくとも、前記第１の磁性体層、前記第１の非磁性体層の積層方向に平行な外表面に設けられ、前記コイル導体に電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記外部電極は前記積層体側から順に下地電極層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、
前記下地電極層はガラスとＡｇとを有し、
前記下地電極層とＮｉめっき層との界面において、Ａｇとガラスと空隙の面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下である、
コイル部品。
【請求項3】
前記下地電極層と前記Ｎｉめっき層との界面において、Ａｇとガラスと空隙の面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下である、請求項１に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コイル部品に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のコイル部品として、特許文献１に開示されるコイル部品は、第１～第４の絶縁層と、前記第１～第４の絶縁層に設けられた第１～第４の導体とを備え、前記第１の導体と第２の導体とを接続するとともに、前記第３の導体と第４の導体とを接続し、さらに前記第２の導体と第３の導体の形状を渦巻き状にするとともに、互いに対向させているコモンモードチョークコイルである。また、このコイル部品は、前記第１～第４の導体の上方および下方には、それぞれ少なくとも２つの磁性層と、この２つの磁性層間に設けられた２つの非磁性層を設け、そして前記非磁性層間にガラスを含有した低誘電率層を形成するとともに、前記第２の導体と第３の導体との間に位置する第３の絶縁層にガラスを含有した透磁率の低い材料により構成し、かつ前記磁性層と非磁性層をともにフェライトで構成した本体部を含む。
【0003】
そして、本体部の両側部には、第１～第４の外部電極が設けられており、かつこの第１～第４の外部電極は、第１～第４の導体の各一端部とそれぞれ接続されるように銀を印刷することによって形成されている。そしてまた、前記第１～第４の外部電極の表面には、ニッケルめっき層、すずめっき層がそれぞれ施されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００８－１５９７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、引用文献１に開示されるコモンモードチョークコイルは、本体部と外部電極の密着性が悪い。また、外部電極の表面に施されるニッケルめっき層との密着性も悪い。そのため、本体部と外部電極との界面や外部電極とニッケルめっき層との界面に隙間が生じ易い問題があった。
【0006】
さらに、その隙間から水分およびガスが浸入し、外部電極の銀と反応することでマイグレーションが生じ易い問題があった。
【0007】
それゆえに、この発明の主たる目的は、信頼性の高いコイル部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
この発明にかかるコイル部品は、第１の磁性体層、第１の非磁性体層および第２の磁性体層がこの順に積層された積層体と、第１の非磁性体層の内部に埋設されたコイル導体と、少なくとも、第１の磁性体層、第１の非磁性体層の積層方向に平行な外表面に設けられ、前記コイル導体に電気的に接続された外部電極と、を備え、外部電極は積層体側から順に下地電極層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、下地電極層はガラスとＡｇとを有し、積層体と下地電極層との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、積層体とガラスとの接触領域でのＡｇが存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上である、コイル部品である。
【0009】
この発明にかかるコイル部品では、積層体と下地電極層との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、積層体とガラスとの接触領域であるＡｇは存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上であるので、積層体と下地電極層とが隙間なく密着することから、外部電極が積層体から剥がれることを防止することができる。そのため、積層体と下地電極層との間に水分やガスの浸入を防ぐことで、マイグレーションの発生を抑制することができる。
【0010】
また、この発明にかかるコイル部品は、第１の磁性体層、第１の非磁性体層および第２の磁性体層がこの順に積層された積層体と、第１の非磁性体層の内部に埋設されたコイル導体と、少なくとも、第１の磁性体層、第１の非磁性体層の積層方向に平行な外表面に設けられ、前記コイル導体に電気的に接続された外部電極と、を備え、外部電極は積層体側から順に下地電極層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、下地電極層はガラスとＡｇとを有し、下地電極層とＮｉめっき層との界面において、Ａｇとガラスと空隙の面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下である、コイル部品である。
【0011】
この発明にかかるコイル部品では、Ｎｉめっき層と接する下地電極層の表面において、Ａｇが存在する面積と、ガラスが存在する面積と、空隙が存在する面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下であるので、下地電極層とＮｉめっき層とが隙間なく密着することから、Ｎｉめっき層が下地電極層から剥がれることを防止することができる。そのため、下地電極層とＮｉめっき層との間に水分やガスの浸入を防ぐことで、マイグレーションの発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【0012】
この発明によれば、信頼性の高いコイル部品を提供することができる。
【0013】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。
【図4】この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を構成する積層体の分解斜視図である。
【図5】積層体と外部電極との界面部分を拡大断面図の模式図である。
【図6】外部電極の下地電極層を露出させた表面を拡大した模式図である。
【図7】この発明の第２の実施の形態にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
１．コイル部品
以下、本発明の各実施の形態にかかるコイル部品について、図面を参照しながら詳細に説明する。
以下、本発明の各実施の形態にかかるコイル部品について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0016】
Ａ．第１の実施の形態
図１は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。図２は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＩ－ＩＩ断面図である。図３は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を構成する積層体の分解斜視図である。
図１は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。図２は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＩ－ＩＩ断面図である。図３は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を構成する積層体の分解斜視図である。
【0017】
コイル部品１０Ａは、いわゆるコモンモードチョークコイルである。コイル部品１０Ａは、積層体１２Ａと積層体１２Ａの表面に配置される外部電極３０とを有する。
【0018】
（ａ）積層体
積層体１２Ａは、第１の非磁性体層１４と、第１の非磁性体層１４の一方の主面側に配置される第１の磁性体層１６ａと、第１の非磁性体層１４の他方の主面側に配置される第２の磁性体層１６ｂとを有する。すなわち、積層体１２は、第１の非磁性体層１４を、第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂで挟んだ構造である。第１の非磁性体層１４の内部にはコイル導体２０が配置される。
積層体１２Ａは、第１の非磁性体層１４と、第１の非磁性体層１４の一方の主面側に配置される第１の磁性体層１６ａと、第１の非磁性体層１４の他方の主面側に配置される第２の磁性体層１６ｂとを有する。すなわち、積層体１２は、第１の非磁性体層１４を、第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂで挟んだ構造である。第１の非磁性体層１４の内部にはコイル導体２０が配置される。
【0019】
積層体１２Ａは、外観形状が略直方体であり、高さ（積層）方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。積層体１２Ａの寸法は、特に限定されない。
【0020】
（ｂ）非磁性体層
第１の非磁性体層１４を構成するガラス材料は、例えば、少なくともＫ、ＢおよびＳｉを含むガラス材料である。ガラス材料は、Ｋ、ＢおよびＳｉに加え、これら以外の元素を含んでいてもよく、例えばＡｌ、Ｂｉ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｍｇ等を含んでいてもよい。
第１の非磁性体層１４を構成するガラス材料は、例えば、少なくともＫ、ＢおよびＳｉを含むガラス材料である。ガラス材料は、Ｋ、ＢおよびＳｉに加え、これら以外の元素を含んでいてもよく、例えばＡｌ、Ｂｉ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｍｇ等を含んでいてもよい。
【0021】
例えば、ガラス材料は、ＫをＫ2Ｏに換算して０．５質量％以上５質量％以下、ＢをＢ2Ｏ3に換算して１０質量％以上２５質量％以下、ＳｉをＳｉＯ2に換算して７０質量％以上８５質量％以下、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算して０質量％以上５質量％以下含む、ＳｉＯ2－Ｂ2Ｏ3－Ｋ2Ｏ系ガラスまたはＳｉＯ2－Ｂ2Ｏ3－Ｋ2Ｏ－Ａｌ2Ｏ3系ガラスである。
【0022】
第１の非磁性体層１４は、ガラス材料に加え、フィラーを含んでいてもよい。非磁性体層中のフィラーの含有量は、例えば０質量％以上４０質量％以下、好ましくは０．５質量％以上４０質量％以下であり、例えば１０質量％以上、２０質量％以上、３０質量％以上、または３４質量％以上であり、４０質量％以下または３８質量％以下である。
【0023】
フィラーとしては、例えば石英（Ｓｉ2Ｏ3）およびアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）が挙げられる。
【0024】
好ましい態様において、第１の非磁性体層１４は、ガラス層全体に対して、ガラス材料を６０質量％以上６６質量％以下、Ｓｉ2Ｏ3を３４質量％以上３７質量％以下、およびＡｌ2Ｏ3を０．５質量％以上４質量％以下含みうる。
【0025】
第１の非磁性体層１４の厚みは、例えば、８０μｍ以上１７０μｍ以下であることが好ましい。
【0026】
（ｃ）磁性体層
第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂを構成するフェライト材料は、同じであっても、異なっていてもよい。好ましい態様において、第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂを構成するフェライト材料は、同じである。
第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂを構成するフェライト材料は、同じであっても、異なっていてもよい。好ましい態様において、第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂを構成するフェライト材料は、同じである。
【0027】
フェライト材料は、主成分として、Ｆｅ、Ｚｎ、ＣｕおよびＮｉを含むフェライト材料でありうる。フェライト材料は、上記主成分の他に、さらに微量の添加物（不可避不純物を含む）を含んでいてもよい。
【0028】
フェライト材料において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは４５．０モル％以上４８．０モル％以下でありうる。
【0029】
フェライト材料において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、５．０モル％以上３５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは１０．０モル％以上３０．０モル％以下でありうる。
【0030】
フェライト材料において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、４．０モル％以上１２．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0031】
フェライト材料において、Ｎｉ含有量は、特に限定されず、上述した他の主成分であるＦｅ、ＺｎおよびＣｕの残部、例えば９．０モル％以上４５．０モル％以下としうる。
【0032】
上述した添加物としては、例えばＢｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｂｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、ＣｏおよびＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ2Ｏ3換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）およびＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｍｎ3Ｏ4、Ｃｏ3Ｏ4およびＳｉＯ2に換算して、０．１質量部以上１質量部以下とすることが好ましい。
【0033】
第１の磁性体層１６ａおよび第２の磁性体層１６ｂの厚みは、例えば、１３０μｍ以上２４０μｍ以下であることが好ましい。
【0034】
（ｃ）コイル導体
コイル部品１０Ａは、内部導体としてコイル導体２０を備える。コイル導体２０は、第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂの２つのコイルを備える。なお、本開示にかかるコイル部品は２つのコイルを備える構成に限定されるものではなく、コイルを１つのみ備えていてもよく、３以上のコイルを備えていてもよい。２つのコイルを備える構成に限定される場合は、コイル部品１０Ａは、コモンモードチョークコイルとして用いられることが好ましい。
コイル部品１０Ａは、内部導体としてコイル導体２０を備える。コイル導体２０は、第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂの２つのコイルを備える。なお、本開示にかかるコイル部品は２つのコイルを備える構成に限定されるものではなく、コイルを１つのみ備えていてもよく、３以上のコイルを備えていてもよい。２つのコイルを備える構成に限定される場合は、コイル部品１０Ａは、コモンモードチョークコイルとして用いられることが好ましい。
【0035】
第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂｃを含むコイル導体２０は、積層体１２Ａの第１の非磁性体層１４の内部に配置される。第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂは、積層体１２Ａの積層方向に順に設けられて、コモンモードチョークコイルを構成する。第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂを含むコイル導体２０は、例えばＡｇ、Ｃｕ等の導電性材料で構成される。当該導電性材料は、好ましくはＡｇである。
【0036】
第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂは、上方からみて同一方向に螺旋状に巻き回されたスパイラルパターンを有する。第１のコイル導体２０ａおよび第２のコイル導体２０ｂを含むコイル導体２０は、その両端において、積層体１２Ａの表面に引き出されて外部電極のいずれか１つと接続される。
【0037】
具体的には、第１のコイル導体２０ａの螺旋状の外周側の一端は、積層体１２Ａの第１の側面１２ｃに引き出された第１の引出部２２ａを有し、第１のコイル導体２０ａの螺旋状の中心の他端は第１のランド部２４ａを有する。第１のコイル導体２０ａの第１のランド部２４ａは、第１の非磁性体層１４の内部に設けられた第１のビア導体２６ａを介して第１の引出導体部２８ａに電気的に接続される。第１の引出導体部２８ａは積層体１２Ａの第２の側面１２ｄに引き出される。
【0038】
同様に、第２のコイル導体２０ｂの螺旋状の外周側の一端は、積層体１２Ａの第１の側面１２ｃに引き出された第２の引出部２２ｂを有し、第２のコイル導体２０ｂの螺旋状の中心の他端は第２のランド部２４ｂを有する。第２のコイル導体２０ｂの第２のランド部２４ｂは、第１の非磁性体層１４の内部に設けられた第２のビア導体２６ｂを介して第２の引出導体部２８ｂに電気的に接続される。第２の引出導体部２８ｂは積層体１２Ａの第２の側面１２ｄに引き出される。
【0039】
（ｄ）外部電極
図１に示すコイル部品１０Ａは、外部電極３０を含む。外部電極３０は、積層体１２Ａの表面に、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４および第２の磁性体層１６ｂにわたって配置される。外部電極３０は、積層体１２Ａの表面に引き出されるコイル導体２０に電気的に接続される。すなわち、外部電極３０は、積層体１２Ａの表面において、積層方向ｘに延びるように配置される。
外部電極３０は、第１の外部電極３０ａ、第２の外部電極３０ｂ、第３の外部電極３０ｃおよび第４の外部電極３０ｄを備える。
図１に示すコイル部品１０Ａは、外部電極３０を含む。外部電極３０は、積層体１２Ａの表面に、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４および第２の磁性体層１６ｂにわたって配置される。外部電極３０は、積層体１２Ａの表面に引き出されるコイル導体２０に電気的に接続される。すなわち、外部電極３０は、積層体１２Ａの表面において、積層方向ｘに延びるように配置される。
外部電極３０は、第１の外部電極３０ａ、第２の外部電極３０ｂ、第３の外部電極３０ｃおよび第４の外部電極３０ｄを備える。
【0040】
第１の外部電極３０ａは、第１の下地電極層３２ａと、第１の下地電極層３２ａの表面に配置される第１のめっき層３４ａとを含む。第２の外部電極３０ｂは、第２の下地電極層３２ｂと、第２の下地電極層３２ｂの表面に配置される第２のめっき層３４ｂとを含む。第３の外部電極３０ｃは、第３の下地電極層３２ｃと、第３の下地電極層３２ｃの表面に配置される第３のめっき層３４ｃとを含む。第４の外部電極３０ｄは、第４の下地電極層３２ｄと、第４の下地電極層３２ｄの表面に配置される第４のめっき層３４ｄとを含む。
【0041】
第１の外部電極３０ａは、積層体１２Ａの第１の側面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。第１の外部電極３０ａは、積層体１２Ａの第１の側面１２ｃに引き出される第１のコイル導体２０ａの第１の引出部２２ａに電気的に接続される。また、第２の外部電極３０ｂは、積層体１２Ａの第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。第２の外部電極３０ｂは、積層体１２Ａの第２の側面１２ｄに引き出される第１の引出導体部２８ａに電気的に接続される。
【0042】
第３の外部電極３０ｃは、積層体１２Ａの第１の側面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。第３の外部電極３０ｃは、積層体１２Ａの第１の側面１２ｃに引き出される第２のコイル導体２０ｂの第２の引出部２２ｂに電気的に接続される。また、第４の外部電極３０ｄは、積層体１２Ａの第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。第４の外部電極３０ｄは、積層体１２Ａの第２の側面１２ｄに引き出される第２の引出導体部２８ｂに電気的に接続される。
【0043】
下地電極層３２は、第１の下地電極層３２ａ、第２の下地電極層３２ｂ、第３の下地電極層３２ｃおよび第４の下地電極層３２ｄを有する。
【0044】
第１の下地電極層３２ａは、第１の側面１２ｃの表面に配置されている。また、第１の下地電極層３２ａは、第１の側面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第１の下地電極層３２ａは、第１のコイル導体２０ａの第１の引出部２２ａと電気的に接続される。
第２の下地電極層３２ｂは、第２の側面１２ｄの表面に配置されている。また、第２の下地電極層３２ｂは、第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第２の下地電極層３２ｂは、第１の引出導体部２８ａと電気的に接続される。
第２の下地電極層３２ｂは、第２の側面１２ｄの表面に配置されている。また、第２の下地電極層３２ｂは、第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第２の下地電極層３２ｂは、第１の引出導体部２８ａと電気的に接続される。
【0045】
第３の下地電極層３２ｃは、第１の側面１２ｃの表面に配置されている。また、第３の下地電極層３２ｃは、第１の側面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第３の下地電極層３２ｃは、第２のコイル導体２０ｂの第２の引出部２２ｂと電気的に接続される。
第４の下地電極層３２ｄは、第２の側面１２ｄの表面に配置されている。また、第４の下地電極層３２ｄは、第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第４の下地電極層３２ｄは、第２の引出導体部２８ｂと電気的に接続される。
第４の下地電極層３２ｄは、第２の側面１２ｄの表面に配置されている。また、第４の下地電極層３２ｄは、第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第４の下地電極層３２ｄは、第２の引出導体部２８ｂと電気的に接続される。
【0046】
下地電極層３２は、ガラス成分と金属成分を含む。下地電極層のガラス成分は、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層の金属成分は、Ａｇである。下地電極層は、金属成分を含む導電性ペーストを積層体１２Ａに塗布して焼付けたものである。
【0047】
下地電極層３２の厚みは、例えば、３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【0048】
積層体１２Ａと下地電極層３２との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、積層体１２Ａとガラスとの接触領域であるＡｇは存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上である。
【0049】
なお、ガラス占有率は、以下の方法により測定され、以下に示される式（１）にて定義される。図５は、積層体と外部電極との界面部分を拡大断面図の模式図である。図５に示すように、コイル部品１０ＡをＬＷ方向から研磨し、露出した外部電極断面の端部を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮像し、画像解析ソフト（例えば、ＧＩＭＰ：Ｓｐｅｎｃｅｒ Ｋｉｍｂａｌｌ， Ｐｅｔｅｒ Ｍａｔｔｉｓ ａｎｄ ｔｈｅ ＧＩＭＰ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｔｅａｍ製）により、以下のように測定した。すなわち、積層体１２Ａと下地電極層３２との界面において、前述の露出断面（積層方向に垂直な断面）におけるＡｇが存在する領域を長さの和（ΣＬg＝Ｌg1＋Ｌg2＋Ｌg3＋Ｌg4＋…）としてそれぞれ測定され、ガラスが存在する領域を長さの和（ΣＬAg＝ＬAg1＋ＬAg2＋ＬAg3＋ＬAg4＋…）としてそれぞれ算出される。そして、ガラス占有率（％）は、
ガラス占有率＝ΣＬg／（ΣＬAg＋ΣＬg）×１００ （％） （１）
により定義される。
ガラス占有率＝ΣＬg／（ΣＬAg＋ΣＬg）×１００ （％） （１）
により定義される。
【0050】
第１のめっき層３４ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されている。具体的には、第１のめっき層３４ａは、第１の側面１２ｃに配置される第１の下地電極層３２ａを覆うように配置され、さらに第１の側面１２ｃから延伸して、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに配置される第１の下地電極層３２ａの表面を覆うように配置される。
第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されている。具体的には、第２のめっき層３４ｂは、第２の側面１２ｄに配置される第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置され、さらに第２の側面１２ｄから延伸して、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに配置される第２の下地電極層３２ｂの表面を覆うように配置される。
第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されている。具体的には、第２のめっき層３４ｂは、第２の側面１２ｄに配置される第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置され、さらに第２の側面１２ｄから延伸して、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに配置される第２の下地電極層３２ｂの表面を覆うように配置される。
【0051】
第３のめっき層３４ｃは、第３の下地電極層３２ｃを覆うように配置されている。具体的には、第３のめっき層３４ｃは、第１の側面１２ｃに配置される第３の下地電極層３２ｃを覆うように配置され、さらに第１の側面１２ｃから延伸して、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに配置される第３の下地電極層３２ｃの表面を覆うように配置される。
第４のめっき層３４ｄは、第４の下地電極層３２ｄを覆うように配置されている。具体的には、第４のめっき層３４ｄは、第２の側面１２ｄに配置される第４の下地電極層３２ｄを覆うように配置され、さらに第２の側面１２ｄから延伸して、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに配置される第４の下地電極層３２ｄの表面を覆うように配置される。
第４のめっき層３４ｄは、第４の下地電極層３２ｄを覆うように配置されている。具体的には、第４のめっき層３４ｄは、第２の側面１２ｄに配置される第４の下地電極層３２ｄを覆うように配置され、さらに第２の側面１２ｄから延伸して、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに配置される第４の下地電極層３２ｄの表面を覆うように配置される。
【0052】
第１のめっき層３４ａ、第２のめっき層３４ｂ、第３のめっき層３４ｃおよび第４のめっき層３４ｄは、複数層に形成されてもよい。
【0053】
第１のめっき層３４ａは、第１のＮｉめっき層３６ａと第１のＮｉめっき層３６ａの表面に第１のＳｎめっき層３８ａとの２層構造である。第２のめっき層３４ｂは、第２のＮｉめっき層３６ｂと第２のＮｉめっき層３６ｂの表面に第２のＳｎめっき層３８ｂとの２層構造である。
【0054】
第３のめっき層３４ｃは、第３のＮｉめっき層３６ｃと第３のＮｉめっき層３６ｃの表面に第３のＳｎめっき層３８ｃとの２層構造である。第４のめっき層３４ｄは、第４のＮｉめっき層３６ｄと第４のＮｉめっき層３６ｄの表面に第４のＳｎめっき層３８ｄとの２層構造である。
【0055】
第１のＮｉめっき層３６ａないし第４のＮｉめっき層３６ｄの厚みは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。
第１のＳｎめっき層３８ａないし第４のＳｎめっき層３８ｄの厚みは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。
第１のＳｎめっき層３８ａないし第４のＳｎめっき層３８ｄの厚みは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。
【0056】
Ｎｉめっき層は、コイル部品１０Ａを実装する際に、下地電極層３２が半田によって浸食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層は、コイル部品１０Ａを実装する際の半田の濡れ性を向上させ、コイル部品１０Ａを実装基板に容易に実装させることができる。このように、めっき層を複数層により形成することで、コイル部品１０Ａの信頼性や実装性を効率的により向上させることができる。
【0057】
Ｎｉめっき層と接する下地電極層の表面において、Ａｇが存在する面積ＳAgと、ガラスが存在する面積Ｓgと、空隙が存在する面積Ｓpを１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下である。
【0058】
なお、Ａｇ面積率は、以下の方法により測定され、以下に示される式（２）により定義される。図６は、外部電極の下地電極層を露出させた表面を拡大した模式図である。Ｎｉめっき層を研磨して下地電極層を露出し、ＳＥＭで撮像し、Ａｇが存在する領域である明色部と、ガラスが存在する領域である中間色部と、空隙が存在する領域である暗色部とに三値化する。そして、Ａｇが存在する領域である明色部の合計面積（ΣＳAg）と、ガラスが存在する領域の合計面積（ΣＳg）と、空隙が存在する領域の合計面積（ΣＳp）との各合計面積を算出する。そして、Ａｇ面積率（％）は、
Ａｇ面積率＝ΣＳAg／（ΣＳAg＋ΣＳg＋ΣＳp）×１００ （％） （２）
により定義される。
Ａｇ面積率＝ΣＳAg／（ΣＳAg＋ΣＳg＋ΣＳp）×１００ （％） （２）
により定義される。
【0059】
図１に示すコイル部品１０Ａによれば、積層体１２Ａと下地電極層３２との界面において、積層方向に垂直な断面をみたとき、積層体１２Ａとガラスとの接触領域であるＡｇは存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上であるので、積層体１２Ａと下地電極層３２とが隙間なく密着することから、外部電極３０が積層体１２Ａから剥がれることを防止することができる。そのため、積層体１２Ａと下地電極層３２との間に水分やガスの浸入を防ぐことで、マイグレーションの発生を抑制することができる。
【0060】
また、図１に示すコイル部品１０Ａによれば、Ｎｉめっき層と接する下地電極層の表面において、Ａｇが存在する面積ＳAgと、ガラスが存在する面積Ｓgと、空隙が存在する面積Ｓpを１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下であるので、下地電極層３２とＮｉめっき層とが隙間なく密着することから、Ｎｉめっき層が下地電極層３２から剥がれることを防止することができる。そのため、下地電極層３２とＮｉめっき層との間に水分やガスの浸入を防ぐことで、マイグレーションの発生を抑制することができる。
【0061】
Ｂ．第２の実施の形態
続いて、第２の実施の形態にかかるコイル部品１０Ｂについて説明する。
続いて、第２の実施の形態にかかるコイル部品１０Ｂについて説明する。
【0062】
図７は、この発明の第２の実施の形態にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。図８は、この発明の第２の実施の形態にかかるコイル部品を示す図１の線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ断面図である。図９は、この発明の第１の実施の形態にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＸ－ＩＸ断面図である。
【0063】
第２の実施の形態は、第１の実施の形態とは、積層体１２Ｂが第２の非磁性体層１８ａおよび第３の非磁性体層１８ｂをさらに含む点で相違する。この相違する構成のみを以下に説明する。なお、第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一の符号は第１の実施の形態と同じ構成を指すので、その説明は省略する。
【0064】
図７に示すように、第２の実施の形態にかかるコイル部品１０Ｂにおいて、素体２は、第１の磁性体層１６ａの上に積層された第２の非磁性体層１８ａと、第２の磁性体層１６ｂの下に積層された第３の非磁性体層１８ｂとをさらに含んでよい。この場合、外部電極３０は、第２の非磁性体層１８ａ、第１の磁性体層１６ａ、第１の非磁性体層１４、第２の磁性体層１６ｂおよび第３の非磁性体層１８ｂの表面にわたって存在する。第２の非磁性体層１８ａおよび第３の非磁性体層１８ｂは、ガラスおよび／またはガラスとフェライトの複合材料を含むことが好ましい。外部電極がガラスを含み、かつ第２の非磁性体層１８ａおよび第３の非磁性体層１８ｂが、ガラスおよび／またはガラスとフェライトの複合材料を含む場合、外部電極３０に含まれるガラス成分と、第２の非磁性体層１８ａおよび第３の非磁性体層１８ｂに含まれるガラス成分との相互作用により、外部電極３０と積層体１２Ｂとの固着力がさらに向上しうる。
【0065】
第２の非磁性体層１８ａおよび第３の非磁性体層１８ｂに含まれうるガラスおよび／またはガラスとフェライトの複合材料は、第１の非磁性体層１４に含まれうるものと同様のものであってよい。第２の非磁性体層１８ａおよび第３の非磁性体層１８ｂは、第１の非磁性体層１４と同様の組成を有してよく、互いに異なる組成を有してもよい。また、第２の非磁性体層１８ａと第３の非磁性体層１８ｂとは同様の組成を有してよく、互いに異なる組成を有してもよい。
【0066】
このコイル部品１０Ｂでは、上述のコイル部品１０Ａと同様の効果を奏する。
【0067】
２．コイル部品の製造方法
【0068】
次に、主として、コイル部品１０Ａの製造方法について説明する。
【0069】
（ａ）ガラスセラミックシートの製造工程
Ｋ2Ｏ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3を所定の比率になるように秤量し、白金製のるつぼに入れ、焼成炉で１５００℃以上１６００℃以下の温度に昇温し、溶融する。この溶融物を急冷することでガラス材料を得る。
Ｋ2Ｏ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3を所定の比率になるように秤量し、白金製のるつぼに入れ、焼成炉で１５００℃以上１６００℃以下の温度に昇温し、溶融する。この溶融物を急冷することでガラス材料を得る。
【0070】
得られたガラス材料をＤ５０（体積基準の累積百分率５０％相当粒径）が１μｍ以上３μｍ以下程度となるように粉砕してガラス粉末を得る。そして、Ｄ５０が０．５μｍ以上２．０μｍ以下のアルミナ粉末と石英粉末を準備し、得られたガラス粉末に添加し、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れ、さらにポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、および可塑剤を入れ、混合する。
【0071】
次に、ドクターブレード法等で、膜厚が２０μｍ以上３０μｍ以下のシート状に成形加工し、これを矩形状に打ち抜き、ガラスセラミックシートを得る。
【0072】
具体的には、ガラス組成は、例えば、少なくともＫ、Ｂ、Ｓｉを含有し、ＫをＫ2Ｏに換算して０．５質量％以上５質量％以下、ＢをＢ2Ｏ3に換算して１０質量％以上２５質量％以下、ＳｉをＳｉＯ2に換算して７０質量％以上８５質量％以下、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算して０質量％以上５質量％以下からなるガラス材料が用いられる。
【0073】
また、ガラスセラミックシートは、ガラス材料を６０質量％以上６６質量％以下、フィラーとして石英（ＳｉＯ2）を３４質量％以上３７質量％以下、アルミナを０．５質量％以上４質量％以下含む誘電体ガラス材料が用いられる。
【0074】
（ｂ）フェライトシートの製造工程
Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯを所定の比率になるように秤量し、ボールミルに、秤量物を、純水、分散剤、ＰＳＺメディアとともに入れ、混合および粉砕する。得られたスラリーを乾燥し、７００℃以上８００℃以下の温度で２時間以上３時間以下の条件で仮焼する。
Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯを所定の比率になるように秤量し、ボールミルに、秤量物を、純水、分散剤、ＰＳＺメディアとともに入れ、混合および粉砕する。得られたスラリーを乾燥し、７００℃以上８００℃以下の温度で２時間以上３時間以下の条件で仮焼する。
【0075】
得られた仮焼粉末と、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエンの有機溶剤を、ＰＳＺメディアとともにボールミルに投入し、混合粉砕する。得られた混合物を、ドクターブレード法で、所定の厚みのシートに成形加工して、所定の大きさに打ち抜いてフェライトシートを作製する。
【0076】
具体的には、例えば、Ｆｅ2Ｏ3が４０ｍｏｌ％以上４９．５ｍｏｌ％以下、ＺｎＯが５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯが６ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下、ＮｉＯが８ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲である。そして、所定の比率になるように秤量し、必要に応じて添加物（Ｍｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｉＯ2など）を添加する。また、不可避不純物が含有しても良い。これらを湿式で混合、粉砕し、乾燥後に７００℃以上８００℃以下の温度で仮焼する。
【0077】
（ｃ）ビア穴あけ加工およびコイル導体を印刷する工程
続いて、コイル導体のパターンをガラスセラミックシートに印刷するために、Ａｇを主成分とした導電性ペーストを準備する。ガラスセラミックシートに、レーザー照射を行い所定箇所にビアホールを形成する。そして、コイル導体用の導電性ペーストをガラスセラミックシートにスクリーン印刷することで、ビアホールに導電性ペーストを充填するとともに、各コイル導体のパターンを形成する。
続いて、コイル導体のパターンをガラスセラミックシートに印刷するために、Ａｇを主成分とした導電性ペーストを準備する。ガラスセラミックシートに、レーザー照射を行い所定箇所にビアホールを形成する。そして、コイル導体用の導電性ペーストをガラスセラミックシートにスクリーン印刷することで、ビアホールに導電性ペーストを充填するとともに、各コイル導体のパターンを形成する。
【0078】
（ｄ）積層シートを製造する工程
上述したガラスセラミックシートを図４の順番で積み重ね、その上下に所定枚数の導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積み重ねることで、コイル導体が内部に配置される第１の非磁性体層が得られる。さらに、その上下に所定枚数のフェライトシートを積み重ねて、第１の磁性体層および第２の磁性体層が得られる。このようにして、図１に示されるコイル部品１０Ａを製造するための積層シートが得られる。
さらに、その上下に所定枚数のガラスセラミックシートを配置して、図７に示されるコイル部品１０Ｂを製造するための積層シートが得られる。
上述したガラスセラミックシートを図４の順番で積み重ね、その上下に所定枚数の導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積み重ねることで、コイル導体が内部に配置される第１の非磁性体層が得られる。さらに、その上下に所定枚数のフェライトシートを積み重ねて、第１の磁性体層および第２の磁性体層が得られる。このようにして、図１に示されるコイル部品１０Ａを製造するための積層シートが得られる。
さらに、その上下に所定枚数のガラスセラミックシートを配置して、図７に示されるコイル部品１０Ｂを製造するための積層シートが得られる。
【0079】
（ｅ）圧着する工程
積み重られた積層シートを温度が８０℃、圧力が１００ＭＰａの条件でＷｉｐ（温間等方圧プレス）処理して、積層ブロックが得られる。
積み重られた積層シートを温度が８０℃、圧力が１００ＭＰａの条件でＷｉｐ（温間等方圧プレス）処理して、積層ブロックが得られる。
【0080】
（ｆ）カットする工程
圧着する工程で得られた積層ブロックがダイサー等で切断され、個片化された積層チップが得られる。
圧着する工程で得られた積層ブロックがダイサー等で切断され、個片化された積層チップが得られる。
【0081】
（ｇ）焼成する工程
次に、個変化された積層チップが焼成炉で８６０℃以上９２０℃以下の温度で、１時間以上２時間以下で焼成される。
次に、個変化された積層チップが焼成炉で８６０℃以上９２０℃以下の温度で、１時間以上２時間以下で焼成される。
【0082】
（ｈ）バレル研磨する工程
焼成した積層チップ（積層体）をメディアとともに、回転バレル機に入れ、回転することで積層体の稜線や角部に丸みを形成する。
焼成した積層チップ（積層体）をメディアとともに、回転バレル機に入れ、回転することで積層体の稜線や角部に丸みを形成する。
【0083】
（ｉ）外部電極の下地電極層を形成する工程
バレル後、積層体の側面でコイル導体が引き出された箇所、４ヶ所にＡｇとガラスを含んだ導電性ペーストが塗布され、約８００℃の温度で焼付けされ、下地電極層が形成される。導電性ペーストに含まれるガラス成分の含有量は、６質量％以上１８質量％以下である。本発明にかかるガラス占有率、およびＡｇ面積率は、導電性ペーストに含まれるガラス成分の含有率ならびに当該導電性ペーストの焼付け温度および焼付け時間を調整することにより実現される。
バレル後、積層体の側面でコイル導体が引き出された箇所、４ヶ所にＡｇとガラスを含んだ導電性ペーストが塗布され、約８００℃の温度で焼付けされ、下地電極層が形成される。導電性ペーストに含まれるガラス成分の含有量は、６質量％以上１８質量％以下である。本発明にかかるガラス占有率、およびＡｇ面積率は、導電性ペーストに含まれるガラス成分の含有率ならびに当該導電性ペーストの焼付け温度および焼付け時間を調整することにより実現される。
【0084】
（ｊ）外部電極のめっき層を形成する工程
次に、下地電極層の表面にめっき層が形成される。電解めっきにより、下地電極層の上にＮｉめっき層、Ｓｎめっき層を順次形成され、外部電極３０が形成される。
次に、下地電極層の表面にめっき層が形成される。電解めっきにより、下地電極層の上にＮｉめっき層、Ｓｎめっき層を順次形成され、外部電極３０が形成される。
【0085】
上述のようにして、コイル部品１０Ａが製造される。
【0086】
３．実験例
上述した製造方法にしたがって、試料であるコイル部品を作製し、ガラス占有率に対する剥がれの有無の確認と、Ａｇ面積率に対するマイグレーション判定の各評価を行った。それぞれの評価方法は後述される。
上述した製造方法にしたがって、試料であるコイル部品を作製し、ガラス占有率に対する剥がれの有無の確認と、Ａｇ面積率に対するマイグレーション判定の各評価を行った。それぞれの評価方法は後述される。
【0087】
【0088】
試料番号１－１ないし試料番号１－１３の各試料は、導電性ペーストに含まれるガラス成分の含有量を変化させて、表１に示すガラス占有率（％）となるように調整した。
【0089】
試料番号２－１ないし試料番号２－５の各試料は、導電性ペーストに含まれるガラス成分の含有量を変化させて、表２に示すＡｇ面積率（％）となるように調整した。
【0090】
（ｂ）ガラス占有率の算出方法
各試料であるコイル部品を垂直に立てて、必要に応じて試料の周囲を樹脂で固めた。そして、研磨機で資料の積層方向に第１の磁性体層の略中央部まで研磨を行った。得られた断面のうち、外部電極と第１の磁性体層との界面の中央にて１００００倍で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により写真を撮影した。各試料は３個ずつ準備し、その３個のうちのガラス占有率の最小値を各試料のガラス占有率とした。
各試料であるコイル部品を垂直に立てて、必要に応じて試料の周囲を樹脂で固めた。そして、研磨機で資料の積層方向に第１の磁性体層の略中央部まで研磨を行った。得られた断面のうち、外部電極と第１の磁性体層との界面の中央にて１００００倍で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により写真を撮影した。各試料は３個ずつ準備し、その３個のうちのガラス占有率の最小値を各試料のガラス占有率とした。
【0091】
（ｃ）隙間の有無の確認
各試料であるコイル部品を準備し、積層体と外部電極との間を１００００倍で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により写真を撮影した。得られた写真に対して目視にて判断した。目視による判断の結果、隙間が確認された場合は「有」とし、隙間が確認されなかった場合は「無」とした。
各試料であるコイル部品を準備し、積層体と外部電極との間を１００００倍で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により写真を撮影した。得られた写真に対して目視にて判断した。目視による判断の結果、隙間が確認された場合は「有」とし、隙間が確認されなかった場合は「無」とした。
【0092】
（ｄ）Ａｇ面積率の測定方法
まず、各試料であるコイル部品を垂直に立てた。このとき、積層方向は研磨面と平行となった。めっき層を研磨することでめっき層を除去し、下地電極層の一部を露出させた。そして、露出された下地電極層のＳＥＭによる撮像範囲のすべてが下地電極層になったときに研磨を終了した。続いて、露出された下地電極層の研磨面を１００００倍でＳＥＭにより写真を撮影し、画像解析ソフトを用いてＡｇ面積率を算出した。画像解析ソフトは、旭化成エンジニアリング株式会社製のＡ像くん（登録商標）を用いた。各試料は３個ずつ準備し、その３個のうちのＡｇ面積率の最小値を各試料のＡｇ面積率とした。マイグレーションにより析出したＡｇ（デンドライト状のＡｇ）の伸び量が２５０μｍ以下であった場合は「Ｇ」とし、マイグレーションにより析出したＡｇ（デンドライト状のＡｇ）の伸び量が２５０μｍを超えた場合は「ＮＧ」とした。
まず、各試料であるコイル部品を垂直に立てた。このとき、積層方向は研磨面と平行となった。めっき層を研磨することでめっき層を除去し、下地電極層の一部を露出させた。そして、露出された下地電極層のＳＥＭによる撮像範囲のすべてが下地電極層になったときに研磨を終了した。続いて、露出された下地電極層の研磨面を１００００倍でＳＥＭにより写真を撮影し、画像解析ソフトを用いてＡｇ面積率を算出した。画像解析ソフトは、旭化成エンジニアリング株式会社製のＡ像くん（登録商標）を用いた。各試料は３個ずつ準備し、その３個のうちのＡｇ面積率の最小値を各試料のＡｇ面積率とした。マイグレーションにより析出したＡｇ（デンドライト状のＡｇ）の伸び量が２５０μｍ以下であった場合は「Ｇ」とし、マイグレーションにより析出したＡｇ（デンドライト状のＡｇ）の伸び量が２５０μｍを超えた場合は「ＮＧ」とした。
【0093】
（ｄ）結果
表１は、各試料番号の試料に対するガラス占有率と隙間の有無を確認した結果を示す。また、表２は、各試料番号の試料に対するＡｇ面積率とマイグレーションの発生の結果を示す。
表１は、各試料番号の試料に対するガラス占有率と隙間の有無を確認した結果を示す。また、表２は、各試料番号の試料に対するＡｇ面積率とマイグレーションの発生の結果を示す。
【0094】
【表1】
【0095】
【表2】
【0096】
表１によれば、試料番号１－１ないし試料番号１－３、試料番号１－５ないし試料番号１－７ならびに試料番号１－１０ないし試料番号１－１３の各試料のガラス占有率が３８％以上であるので、積層体と下地電極層とが隙間なく密着することから、積層体と下地電極層との間に水分やガスの浸入が防止されたと考えられ、積層体と外部電極との界面において隙間の発生が確認されなかった。
【0097】
一方、試料番号１－４、試料番号１－８および試料番号１－９の各試料のガラス占有率は３８％より小さいため、積層体と外部電極との固着力が低下し、積層体と外部電極との界面において隙間の発生が確認された。
【0098】
また、表２によれば、試料番号２－１ないし試料番号２－４の各試料のＡｇ面積率は１１％以上２３％以下であるので、下地電極層とＮｉめっき層とが隙間なく密着することから、下地電極層とＮｉめっき層との間に水分やガスの浸入が抑制されたと考えられ、マイグレーションにより析出したＡｇの伸び量が２５０μｍ以下であった。
一方、試料番号２－５の試料では、下地電極層とＮｉめっき層とが隙間が生じたことから、マイグレーションにより析出したＡｇの伸び量が２５０μｍより長かった。
一方、試料番号２－５の試料では、下地電極層とＮｉめっき層とが隙間が生じたことから、マイグレーションにより析出したＡｇの伸び量が２５０μｍより長かった。
【0099】
以上の結果から、積層体と外部電極との界面において、前記積層体と前記ガラスとの接触領域でのＡｇが存在する領域と、ガラスが存在する領域とにわけた場合、ガラスが存在する領域であるガラス占有率は３８％以上であることで、積層体と下地電極層とが隙間なく密着することから、積層体と下地電極層との間に水分やガスの浸入が防止されたと考えられ、コイル部品の信頼性が向上することが確認された。
また、下地電極層とＮｉめっき層との界面において、Ａｇとガラスと空隙の面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下であることで、下地電極層とＮｉめっき層とが隙間なく密着することから、マイグレーションにより析出したＡｇの伸びが抑制され、コイル部品の信頼性が向上することが確認された。
また、下地電極層とＮｉめっき層との界面において、Ａｇとガラスと空隙の面積を１００％としたとき、Ａｇ面積率は１１％以上２３％以下であることで、下地電極層とＮｉめっき層とが隙間なく密着することから、マイグレーションにより析出したＡｇの伸びが抑制され、コイル部品の信頼性が向上することが確認された。
【0100】
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【0101】
１０Ａ、１０Ｂ コイル部品
１２Ａ、１２Ｂ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 第１の非磁性体層
１６ａ 第１の磁性体層
１６ｂ 第２の磁性体層
１８ａ 第２の非磁性体層
１８ｂ 第３の非磁性体層
２０ コイル導体
２０ａ 第１のコイル導体
２０ｂ 第２のコイル導体
２２ａ 第１の引出部
２２ｂ 第２の引出部
２４ａ 第１のランド部
２４ｂ 第２のランド部
２６ａ 第１のビア導体
２６ｂ 第２のビア導体
２８ａ 第１の引出導体部
２８ｂ 第２の引出導体部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３０ｃ 第３の外部電極
３０ｄ 第４の外部電極
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３２ｃ 第３の下地電極層
３２ｄ 第４の下地電極層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
３４ｃ 第３のめっき層
３４ｄ 第４のめっき層
３６ａ 第１のＮｉめっき層
３６ｂ 第２のＮｉめっき層
３６ｃ 第３のＮｉめっき層
３６ｄ 第４のＮｉめっき層
３８ａ 第１のＳｎめっき層
３８ｂ 第２のＳｎめっき層
３８ｃ 第３のＳｎめっき層
３８ｄ 第４のＳｎめっき層
ｘ 高さ方向（積層方向）
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向
１２Ａ、１２Ｂ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 第１の非磁性体層
１６ａ 第１の磁性体層
１６ｂ 第２の磁性体層
１８ａ 第２の非磁性体層
１８ｂ 第３の非磁性体層
２０ コイル導体
２０ａ 第１のコイル導体
２０ｂ 第２のコイル導体
２２ａ 第１の引出部
２２ｂ 第２の引出部
２４ａ 第１のランド部
２４ｂ 第２のランド部
２６ａ 第１のビア導体
２６ｂ 第２のビア導体
２８ａ 第１の引出導体部
２８ｂ 第２の引出導体部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３０ｃ 第３の外部電極
３０ｄ 第４の外部電極
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３２ｃ 第３の下地電極層
３２ｄ 第４の下地電極層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
３４ｃ 第３のめっき層
３４ｄ 第４のめっき層
３６ａ 第１のＮｉめっき層
３６ｂ 第２のＮｉめっき層
３６ｃ 第３のＮｉめっき層
３６ｄ 第４のＮｉめっき層
３８ａ 第１のＳｎめっき層
３８ｂ 第２のＳｎめっき層
３８ｃ 第３のＳｎめっき層
３８ｄ 第４のＳｎめっき層
ｘ 高さ方向（積層方向）
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】