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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024104902
(43)【公開日】2024-08-06
(54)【発明の名称】減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
(51)【国際特許分類】
F26B 5/04 20060101AFI20240730BHJP
【ＦＩ】
F26B5/04
【審査請求】有
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023009332
(22)【出願日】2023-01-25
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】安陪 裕滋
(72)【発明者】
【氏名】秋岡 知輝
【テーマコード（参考）】
3L113
【Ｆターム（参考）】
3L113AA01
3L113AC21
3L113AC24
3L113AC55
3L113AC66
3L113AC76
3L113BA34
3L113DA11
(57)【要約】
【課題】塗布膜が形成された基板の四隅近傍に発生する乾燥ムラを抑制する技術を提供する。
【解決手段】減圧乾燥装置１は、矩形状を有する基板９の上面の有効領域ＡＥに塗布された塗布膜９０を乾燥させるためのものである。減圧乾燥装置１は、基板９を収容するチャンバ１０と、チャンバ１０から気体を吸引してチャンバ１０内の圧力を低下させる減圧機構３０と、基板９に対面する冷却面４０ａを冷却する冷却部４０と、を含む。冷却部４０の冷却面４０ａは、基板９の有効領域ＡＥの外縁から内側へ離れた内側部分ＰＩに対面する内側領域ＡＩと、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣに対面する四隅領域ＡＣと、を含む。冷却部４０は、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。
【選択図】図１
【解決手段】減圧乾燥装置１は、矩形状を有する基板９の上面の有効領域ＡＥに塗布された塗布膜９０を乾燥させるためのものである。減圧乾燥装置１は、基板９を収容するチャンバ１０と、チャンバ１０から気体を吸引してチャンバ１０内の圧力を低下させる減圧機構３０と、基板９に対面する冷却面４０ａを冷却する冷却部４０と、を含む。冷却部４０の冷却面４０ａは、基板９の有効領域ＡＥの外縁から内側へ離れた内側部分ＰＩに対面する内側領域ＡＩと、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣに対面する四隅領域ＡＣと、を含む。冷却部４０は、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
矩形状を有する基板の上面の有効領域に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバから気体を吸引して、前記チャンバ内の圧力を低下させる減圧機構と、
前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記基板に対面する冷却面を冷却する冷却部と、
を備え、
前記冷却部の前記冷却面は、
前記基板の前記有効領域の外縁から内側へ離れた内側部分に対面する内側領域と、
前記基板の前記有効領域の四隅部分に対面する四隅領域と、
を含み、
前記冷却部は、前記冷却面の前記内側領域の温度に比して前記冷却面の前記四隅領域の温度が低くなるように構成されている、減圧乾燥装置。
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバから気体を吸引して、前記チャンバ内の圧力を低下させる減圧機構と、
前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記基板に対面する冷却面を冷却する冷却部と、
を備え、
前記冷却部の前記冷却面は、
前記基板の前記有効領域の外縁から内側へ離れた内側部分に対面する内側領域と、
前記基板の前記有効領域の四隅部分に対面する四隅領域と、
を含み、
前記冷却部は、前記冷却面の前記内側領域の温度に比して前記冷却面の前記四隅領域の温度が低くなるように構成されている、減圧乾燥装置。
【請求項2】
前記冷却面は、前記基板の前記上面に対面する、請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項3】
前記冷却部の前記冷却面は、前記四隅領域を包含し前記内側領域を囲繞する囲繞領域を含み、
前記冷却部は、前記冷却面の前記内側領域の温度に比して前記冷却面の前記囲繞領域の温度が低くなるように構成されている、請求項１または２に記載の減圧乾燥装置。
前記冷却部は、前記冷却面の前記内側領域の温度に比して前記冷却面の前記囲繞領域の温度が低くなるように構成されている、請求項１または２に記載の減圧乾燥装置。
【請求項4】
前記冷却部は、前記冷却面を冷却するために、室温に比して低い温度に設定可能な複数の冷却機構を含み、
前記複数の冷却機構は、平面視で、
前記基板の前記有効領域の前記外縁に重なるように位置する主冷却機構と、
前記基板の前記有効領域の前記外縁から外れて位置し、前記主冷却機構の温度よりも高い温度に設定可能な少なくとも１つの副冷却機構と、
を含む、請求項１または２に記載の減圧乾燥装置。
前記複数の冷却機構は、平面視で、
前記基板の前記有効領域の前記外縁に重なるように位置する主冷却機構と、
前記基板の前記有効領域の前記外縁から外れて位置し、前記主冷却機構の温度よりも高い温度に設定可能な少なくとも１つの副冷却機構と、
を含む、請求項１または２に記載の減圧乾燥装置。
【請求項5】
矩形状を有する基板の上面の有効領域に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥方法であって、
ａ）チャンバ内に前記塗布膜が塗布された前記基板を配置する工程と、
ｂ）前記ａ）の後、前記チャンバ内の圧力を低下させることによって前記塗布膜を乾燥させる工程と、
を備え、
前記ｂ）において、前記基板の前記有効領域の外縁から内側へ離れた内側部分の温度に比して、前記基板の前記有効領域の四隅部分の温度が低くなるように、前記基板を冷却する工程が行われる、減圧乾燥方法。
ａ）チャンバ内に前記塗布膜が塗布された前記基板を配置する工程と、
ｂ）前記ａ）の後、前記チャンバ内の圧力を低下させることによって前記塗布膜を乾燥させる工程と、
を備え、
前記ｂ）において、前記基板の前記有効領域の外縁から内側へ離れた内側部分の温度に比して、前記基板の前記有効領域の四隅部分の温度が低くなるように、前記基板を冷却する工程が行われる、減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗布膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するためのガラス基板、セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板または印刷用の印刷版等の種々の基板が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、太陽電池パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル、プラズマ表示パネル、または電界放出ディスプレイ等が適用される。
【0003】
減圧乾燥装置を用いて塗布膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数の支持ピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。該排気により、チャンバ内を減圧する。チャンバ内の圧力が低下すると、塗布膜の溶媒が蒸発するので、塗布膜を乾燥させることができる。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内に気体を供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。気体には、例えば、窒素気体等の不活性気体または空気等が適用される。
【0004】
特許文献１に開示された技術によれば、減圧乾燥装置の一種であるインク乾燥装置が開示されている。前記インク乾燥装置は、基板上に並設された複数の列バンクにおける、行方向に隣接する列バンク間の間隙それぞれに前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して塗布されたインクの乾燥に用いられる。前記インクは、溶質と、２種類以上の溶媒とを含む。前記インク乾燥装置は、前記インクが塗布された基板が設置されるチャンバと、前記チャンバ内において前記基板が載置される支持台と、前記チャンバ内の気体を排気する手段とを備える。前記気体を排気する手段は、前記チャンバ内の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減少する第１の期間と、前記第１の期間の後に、前記チャンバ内の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減少する第２の期間とを含むプロファイルで制御する。前記チャンバ内の圧力を１０ＸＰａ（Ｘは実数）と表したとき、前記第２の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、前記第１の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きい。上記特許文献１によれば、上記インク乾燥装置によって、膜厚の均一化を図ることができる、と主張されている。
【0005】
特許文献２に開示された技術によれば、減圧乾燥装置は、基板を支持する支持ピンを昇降させる昇降部が設けられた減圧乾燥装置が開示されている。昇降部は減圧初期において支持ピンを上昇させることにより、基板とチャンバの天井面との間隔を狭くする。これにより、基板と天井面との間の圧力の低下速度が小さくなることによって、減圧初期において塗布膜中に突沸が発生することが抑制される。これにより、当該突沸に起因しての膜厚のばらつきを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】国際公開第２０１８／１３１６１６号
【特許文献2】特開２０２２－０８６７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記特許文献１および２に開示された技術は、膜厚のばらつきが抑制されるように乾燥ムラを抑制することを意図している。しかしながら本発明者の検討によれば、これら文献の技術においても乾燥ムラを十分には抑制することができないことがあり、特に、矩形状を有する基板の四隅近傍において乾燥ムラが問題となりやすいことを本発明者は見出している。
【0008】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、塗布膜が形成された基板の四隅近傍に発生する乾燥ムラを抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
第１の態様は、矩形状を有する基板の上面の有効領域に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバから気体を吸引して、前記チャンバ内の圧力を低下させる減圧機構と、前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部と、前記支持部によって支持された前記基板に対面する冷却面を冷却する冷却部と、を備え、前記冷却部の前記冷却面は、前記基板の前記有効領域の外縁から内側へ離れた内側部分に対面する内側領域と、前記基板の前記有効領域の四隅部分に対面する四隅領域と、を含み、前記冷却部は、前記冷却面の前記内側領域の温度に比して前記冷却面の前記四隅領域の温度が低くなるように構成されている。
【0010】
第２の態様は、第１の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記冷却面は、前記基板の前記上面に対面する。
【0011】
第３の態様は、第１または第２の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記冷却部の前記冷却面は、前記四隅領域を包含し前記内側領域を囲繞する囲繞領域を含み、前記冷却部は、前記冷却面の前記内側領域の温度に比して前記冷却面の前記囲繞領域の温度が低くなるように構成されている。
【0012】
第４の態様は、第１から第３の態様のいずれかに係る減圧乾燥装置であって、前記冷却部は、前記冷却面を冷却するために、室温に比して低い温度に設定可能な複数の冷却機構を含み、前記複数の冷却機構は、平面視で、前記基板の前記有効領域の前記外縁に重なるように位置する主冷却機構と、前記基板の前記有効領域の前記外縁から外れて位置し、前記主冷却機構の温度よりも高い温度に設定可能な少なくとも１つの副冷却機構と、を含む。
【0013】
第５の態様は、矩形状を有する基板の上面の有効領域に塗布された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥方法であって、ａ）チャンバ内に前記塗布膜が塗布された前記基板を配置する工程と、ｂ）前記ａ）の後、前記チャンバ内の圧力を低下させることによって前記塗布膜を乾燥させる工程と、を備え、前記ｂ）において、前記基板の前記有効領域の外縁から内側へ離れた内側部分の温度に比して、前記基板の前記有効領域の四隅部分の温度が低くなるように、前記基板を冷却する工程が行われる。
【発明の効果】
【0014】
上記各態様によれば、基板に塗布された塗布膜を乾燥する際に、基板の有効領域の内側部分の温度に比して、基板の有効領域の四隅部分の温度が低くされる。これにより、基板の有効領域の四隅部分において、塗布膜の粘度が増加させられる。換言すれば、基板の有効領域の四隅部分において、塗布膜の流動性が低下させられる。この結果、基板の有効領域の四隅部分において発生しやすい乾燥ムラを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】第１実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。
【図2】第１実施形態に係る減圧乾燥装置の横断面の一例を概略的に示す図である。
【図3】第１実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。
【図4】基板の一例を示す上面図である。
【図9】基板の仮想的区画の一例を示す上面図である。
【図10】第１実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。
【図11】制御部において実現される機能を概念的に示したブロック図である。
【図12】第１実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図13】第１減圧処理におけるチャンバ内の様子の一例を概略的に示す図である。
【図14】第２減圧処理におけるチャンバ内の様子の一例を概略的に示す図である。
【図15】第２実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。
【図16】第３実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。
【図17】第４実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。
【図18】第４実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図19】第５実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。
【図20】第６実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。
【図21】第７実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を概略的に示す図である。
【図22】第８実施形態に係る減圧乾燥装置の上面の一例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本開示の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、本明細書において、下方向は、重力方向であり、上方向は、重力方向とは逆の方向である。上方向および下方向を総称して上下方向とも言う。平面視は平面レイアウトを意味する。何らかの部材の平面レイアウトは、当該部材を平面へ射影することによって得られる２次元的レイアウトのことである。当該平面は、上下方向に垂直な面であってよい。
【0017】
＜１．第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を概略的に示す図である。図２は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の横断面の一例を概略的に示す図である。図３は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を概略的に示す図である。図１の縦断面と図３の縦断面とは、約９０度異なる方向からそれぞれ見たときの減圧乾燥装置１の構成を示している。図３では、図面の煩雑化を避けるために、後述する減圧機構３０、給気部６０、圧力計７０および制御部８０に関する構成が便宜的に省略されている。
図１は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を概略的に示す図である。図２は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の横断面の一例を概略的に示す図である。図３は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を概略的に示す図である。図１の縦断面と図３の縦断面とは、約９０度異なる方向からそれぞれ見たときの減圧乾燥装置１の構成を示している。図３では、図面の煩雑化を避けるために、後述する減圧機構３０、給気部６０、圧力計７０および制御部８０に関する構成が便宜的に省略されている。
【0018】
本実施形態においては、基板９が有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイの製造用である場合について詳述する。図４は、基板９の一例を示す上面図である。図５は、図４の破線Ｖ内の拡大図である。図６は、図５の線ＶＩ－ＶＩに沿う断面図である。
【0019】
基板９は、第１主面としての第１面Ｆ１と、この第１面Ｆ１とは逆の第２主面としての第２面Ｆ２と、を有する平板状の基板であり、平面視において矩形状を有している。減圧乾燥装置１では、基板９の第１面Ｆ１が基板９の上面とされ、基板９の第２面Ｆ２が基板９の下面とされる。基板９は、ガラス基板９５（図５および図６）を含む。基板９の第１面Ｆ１には、例えば、予め有機材料および溶媒を含む処理液が塗布されることで、塗布膜９０が部分的に形成されている。塗布膜９０が、減圧乾燥装置１で乾燥されることによって、有機ＥＬディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる。
【0020】
基板９の第１面Ｆ１には、製品（具体的には有機ＥＬディスプレイ）を実際に形成するのに用いられる領域（形成領域ともいう）Ａ１が複数配列されていてよい。図４の例では、上面視において、基板９には、８つの矩形状の形成領域Ａ１が、４行２列のマトリックス状に配列されている。ただし、形成領域Ａ１の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗布膜９０は、減圧乾燥装置１による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、インクジェット装置またはスリットコータ等によって、形成領域Ａ１の各々の上面に、所望のパターンに従って形成される。言い換えれば、塗布膜９０は、形成領域Ａ１上の全体の上に形成されているのではなく、形成領域Ａ１上に所定のパターンに従って部分的に形成されている。第１面Ｆ１における形成領域Ａ１以外の外側は非形成領域Ａ２であり、非形成領域Ａ２には、製品を構成するための塗布膜９０は形成されない。
【0021】
基板９の第１面Ｆ１は、すべての形成領域Ａ１を包含する有効領域ＡＥを有している。有効領域ＡＥは、例えば、すべての形成領域Ａ１を包含する最小の長方形状を有する領域として定義されてよい。第１面Ｆ１のうちのどの範囲までが有効領域ＡＥであるかの判別が困難である場合は第１面Ｆ１の全体が有効領域ＡＥとみなされてよいが、典型的には、製品（具体的には有機ＥＬディスプレイ）を形成する目的で第１面Ｆ１の縁まで完全に基板９を活用することは困難であり、第１面Ｆ１は有効領域ＡＥの周りにマージン領域ＡＮを有する。
【0022】
基板９に上記のように形成された塗布膜９０は、減圧乾燥装置１によって乾燥されることになる。よって減圧乾燥装置１は、矩形状を有する基板９の上面の有効領域ＡＥに塗布された塗布膜９０を乾燥させるためのものである。
【0023】
ガラス基板９５の第１面Ｆ１上には、複数の行バンク９６と、複数の列バンク９７とが形成されている。行バンク９６および列バンク９７は、有効領域ＡＥの形成領域Ａ１（図４）に形成されている。行バンク９６および列バンク９７は、形成領域Ａ１をマトリックス状に区画することによって有機ＥＬディスプレイの発光単位を構成する。よって行バンク９６の延在方向と列バンク９７の延在方向とは直交している。本実施形態においては、図６に示されているように、行バンク９６の表面高さよりも列バンク９７の表面高さの方が高い。塗布膜９０の表面高さは、行バンク９６の表面高さよりも高く、列バンク９７の表面高さよりも低い。これにより塗布膜９０は、隣り合う列バンク９７によって区画されている。よって、各々がｙ方向に延在する複数の塗布膜９０が、ｘ方向に並べられている。図５に示された例においては、ＲＧＢ方式のディスプレイを得るために、ｘ方向において、赤（Ｒ）に対応する塗布膜９０Ｒと、緑色（Ｇ）に対応する９０Ｇと、青色（Ｂ）に対応する９０Ｂとが周期的に並べられている。なお図５および図６においては図示を省略しているが、ガラス基板９５には、上述した部材に加えて、電極層等の、有機ＥＬディスプレイの発光のために必要な部材が適宜設けられていてよい。
【0024】
上述したように、塗布膜９０の各々は、隣り合う列バンク９７によって構成されたｙ方向に沿って延びる溝の中に形成されるので、乾燥される前の、流動性を有する塗布膜９０は、ｘ方向に沿って大きく流動することはできないが、ｙ方向に沿って大きく流動することはできる。乾燥工程においてこの流動が生じる結果、乾燥後の塗布膜９０は、図７に示されているように、二点鎖線で示されたおおよそ理想的な膜厚分布ではなく、延在方向（ｙ方向）の端部において膜厚が小さくなるような乾燥ムラＤＶをともなう膜厚分布を有し得る。よって、図８を参照して、乾燥ムラＤＶは、有効領域ＡＥのｙ方向における両端部（図８における有効領域ＡＥの矩形の上辺および下辺の近傍部）に発生し得るが、図８に示されているように、本発明者の検討によれば、特に、有効領域ＡＥの四隅部分において発生しやすい。従って、乾燥工程の際に、有効領域ＡＥの四隅部分において塗布膜９０の流動性を抑制することによって、乾燥ムラＤＶを抑制することができると考えられる。
【0025】
図９は、基板９の仮想的区画の一例を示す上面図である。基板９の有効領域ＡＥ（図９において二点鎖線で囲まれた領域）は、有効領域ＡＥの外縁から内側に離れた内側部分ＰＩと、内側部分ＰＩを取り囲む囲繞部分ＰＦとを有している。囲繞部分ＰＦは有効領域ＡＥの外縁に接している。囲繞部分ＰＦは、上述したように乾燥ムラＤＶ（図８）が特に発生しやすい四隅部分ＰＣと、辺部分ＰＳとを有している。四隅部分ＰＣは、矩形状の有効領域ＡＥの四隅に位置する４つの部分であり、辺部分ＰＳによって互いに分離されている。辺部分ＰＳは、有効領域ＡＥの外縁に接しており、当該外縁に沿って延びている。
【0026】
なお、上記においては基板９が有機ＥＬディスプレイの製造用である場合について詳述したが、基板９はこれに限定されるものではない。変形例として、基板９は、ガラス基板に代わって半導体基板またはセラミック基板を含んでよい。また塗布膜９０を形成するための処理液は、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液、またはレジスト液等が適用されてよい。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。
【0027】
＜１－１．減圧乾燥装置の構成の概要＞
次に減圧乾燥装置１の構成について概説する。図１および図２に示されるように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０と、支持部２０と、減圧機構３０と、第１昇降部１００と、冷却部４０と、制御部８０とを含んでいる。
次に減圧乾燥装置１の構成について概説する。図１および図２に示されるように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０と、支持部２０と、減圧機構３０と、第１昇降部１００と、冷却部４０と、制御部８０とを含んでいる。
【0028】
チャンバ１０は、基板９を収容するための部分である。支持部２０はチャンバ１０内に設けられており、基板９を水平姿勢で支持する。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が上下方向に沿う姿勢である。
【0029】
減圧機構３０はチャンバ１０内の気体を吸引して、気体をチャンバ１０の外部に排出する。この吸引により、チャンバ１０内の圧力が低下する。チャンバ１０内の圧力が低下することにより、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０の溶媒が蒸発し、塗布膜９０が乾燥する。
【0030】
冷却部４０は、冷却面４０ａを冷却する。ただし、必ずしも冷却面４０ａの全体が冷却される必要はなく、本実施形態においては、後述するように冷却面４０ａの一部が積極的に冷却される。冷却面４０ａは、支持部２０によって支持された基板９の第１面Ｆ１（上面）と上下方向において対面する。図１の例では、冷却面４０ａはチャンバ１０の天井面に相当する。冷却面４０ａは上面視において基板９よりも大きいサイズを有してもよい。つまり、冷却面４０ａは、基板９の第１面Ｆ１の全面と対面することができる程度のサイズを有していてもよい。冷却面４０ａは例えば水平な平坦面である。冷却部４０が冷却面４０ａを冷却することにより、冷却面４０ａの温度を低下させることができる。
【0031】
基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０から蒸発した溶媒の蒸気（以下、溶媒蒸気と呼ぶ）は、冷却面４０ａにおいて冷却されて凝縮し得る。このため、冷却面４０ａには液状の溶媒９１（後に説明する図１３も参照）が付着し得る。すなわち、溶媒９１の結露が生じ得る。また、チャンバ１０内の圧力のさらなる低下により、冷却面４０ａに付着した溶媒９１を蒸発させることもできる。この凝縮および蒸発についても後に詳述する。
【0032】
図１の例では、第１昇降部１００は支持部２０を昇降させる。具体的には、第１昇降部１００は上昇位置Ｈ１と下降位置Ｈ２との間で支持部２０を昇降させる。上昇位置Ｈ１は、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるときの支持部２０の位置である。図１の例では、上昇位置Ｈ１に位置する支持部２０および基板９を仮想線で示している。下降位置Ｈ２は、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔よりも広い第２間隔となるときの支持部２０の位置である。つまり、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態との間で、支持部２０を昇降させる。第１間隔は例えば１０ｍｍ以下であり、より具体的な一例として５ｍｍ程度である。第２間隔は例えば第１間隔の５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよい。数値の具体例を説明すると、第２間隔は例えば５０ｍｍ以上であり、より具体的な一例として、８０ｍｍ程度である。
【0033】
後に詳述するように、減圧初期において、第１昇降部１００は支持部２０を上昇位置Ｈ１に位置させる。その後、第１昇降部１００は支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させる。この技術的意義についても後に詳述する。
【0034】
また、図１および図２の例では、減圧乾燥装置１は、給気部６０と、底面整流板５０と、側面整流板５１と、圧力計７０と、をさらに含んでいる。給気部６０はチャンバ１０内に気体を供給する。これにより、チャンバ１０内の圧力を大気圧に戻すことができる。底面整流板５０および側面整流板５１はチャンバ１０内に設けられており、チャンバ１０内の気流を整える。圧力計７０はチャンバ１０内の圧力を計測し、その計測結果を示す電気信号を制御部８０に出力する。制御部８０は上述の減圧乾燥装置１の各種構成を制御する。例えば、制御部８０は、圧力計７０によって計測された圧力に基づいて減圧機構３０を制御して、チャンバ１０内の圧力を調整する。また、制御部８０は冷却部４０を制御して、冷却面４０ａの温度を調整し、第１昇降部１００を制御して、支持部２０の位置を調整する。
【0035】
次に、減圧乾燥装置１の各構成の詳細な一例について述べる。
【0036】
＜１－１－１．チャンバ１０＞
チャンバ１０には、基板９を収容するための内部空間１０ｓを有する耐圧容器が適用される。チャンバ１０は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ１０の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、例えば、略正方形状の底板部１１と、４つの側壁部１２と、略正方形状の天板部１３と、を有する。４つの側壁部１２は、例えば、底板部１１の４つの端辺と、天板部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、４つの側壁部１２のうちの１つの側壁部１２には、搬入出口１４と、この搬入出口１４を開閉するゲート部（ゲートバルブともいう）１５と、が設けられている。ゲート部１５は、例えば、開閉駆動部１６に連結もしくは接続されている。図３では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部１６が概念的に示されている。開閉駆動部１６には、例えば、エアシリンダ等の駆動装置が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部１６の動作によって、ゲート部１５は、搬入出口１４を閉鎖している位置（閉鎖位置ともいう）と、搬入出口１４を開放している位置（開放位置ともいう）との間で移動することができる。
チャンバ１０には、基板９を収容するための内部空間１０ｓを有する耐圧容器が適用される。チャンバ１０は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ１０の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、例えば、略正方形状の底板部１１と、４つの側壁部１２と、略正方形状の天板部１３と、を有する。４つの側壁部１２は、例えば、底板部１１の４つの端辺と、天板部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、４つの側壁部１２のうちの１つの側壁部１２には、搬入出口１４と、この搬入出口１４を開閉するゲート部（ゲートバルブともいう）１５と、が設けられている。ゲート部１５は、例えば、開閉駆動部１６に連結もしくは接続されている。図３では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部１６が概念的に示されている。開閉駆動部１６には、例えば、エアシリンダ等の駆動装置が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部１６の動作によって、ゲート部１５は、搬入出口１４を閉鎖している位置（閉鎖位置ともいう）と、搬入出口１４を開放している位置（開放位置ともいう）との間で移動することができる。
【0037】
ここで、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置に位置する状態では、チャンバ１０の内部空間１０ｓが密閉される。例えば、ゲート部１５が開放位置に位置する状態では、搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。
【0038】
＜１－１－２．支持部２０＞
支持部２０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置しており、チャンバ１０の内部空間１０ｓに収容された基板９を下方から支持することができる。支持部２０は、例えば、複数の支持プレート２１と、複数の支持ピン２２と、を有する。複数の支持プレート２１は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。複数の支持ピン２２は上面視において２次元的に分散配置される。複数の支持プレート２１は、支持部２０のベースとなる部分である。基板９は複数の支持プレート２１の上方に配置され、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面としての第２面Ｆ２に接触することで、基板９が水平姿勢で支持される。
支持部２０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置しており、チャンバ１０の内部空間１０ｓに収容された基板９を下方から支持することができる。支持部２０は、例えば、複数の支持プレート２１と、複数の支持ピン２２と、を有する。複数の支持プレート２１は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。複数の支持ピン２２は上面視において２次元的に分散配置される。複数の支持プレート２１は、支持部２０のベースとなる部分である。基板９は複数の支持プレート２１の上方に配置され、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面としての第２面Ｆ２に接触することで、基板９が水平姿勢で支持される。
【0039】
＜１－１－３．減圧機構３０＞
図１および図２に示されるように、チャンバ１０の底板部１１のうち基板９と上下方向において対向する部分には、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。減圧機構３０は、例えば、排気配管３１と、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄと、主バルブＶｅと、真空ポンプ３２と、を有する。排気配管３１は、例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、１つの主配管３１ｅと、を有する。例えば、個別配管３１ａの一端は、排気口１６ａに接続しており、個別配管３１ｂの一端は、排気口１６ｂに接続しており、個別配管３１ｃの一端は、排気口１６ｃに接続しており、個別配管３１ｄの一端は、排気口１６ｄに接続している。例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄのそれぞれの他端は、合流して主配管３１ｅの一端に接続されている。例えば、主配管３１ｅの他端は、真空ポンプ３２に接続している。例えば、個別バルブＶａは、個別配管３１ａの経路上に設けられており、個別バルブＶｂは、個別配管３１ｂの経路上に設けられており、個別バルブＶｃは、個別配管３１ｃの経路上に設けられており、個別バルブＶｄは、個別配管３１ｄの経路上に設けられている。例えば、主バルブＶｅは、主配管３１ｅの経路上に設けられている。
図１および図２に示されるように、チャンバ１０の底板部１１のうち基板９と上下方向において対向する部分には、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。減圧機構３０は、例えば、排気配管３１と、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄと、主バルブＶｅと、真空ポンプ３２と、を有する。排気配管３１は、例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、１つの主配管３１ｅと、を有する。例えば、個別配管３１ａの一端は、排気口１６ａに接続しており、個別配管３１ｂの一端は、排気口１６ｂに接続しており、個別配管３１ｃの一端は、排気口１６ｃに接続しており、個別配管３１ｄの一端は、排気口１６ｄに接続している。例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄのそれぞれの他端は、合流して主配管３１ｅの一端に接続されている。例えば、主配管３１ｅの他端は、真空ポンプ３２に接続している。例えば、個別バルブＶａは、個別配管３１ａの経路上に設けられており、個別バルブＶｂは、個別配管３１ｂの経路上に設けられており、個別バルブＶｃは、個別配管３１ｃの経路上に設けられており、個別バルブＶｄは、個別配管３１ｄの経路上に設けられている。例えば、主バルブＶｅは、主配管３１ｅの経路上に設けられている。
【0040】
ここで、例えば、ゲート部１５によって搬入出口１４を閉鎖した状態で、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの少なくとも１つと、１つの主バルブＶｅとを開放し、真空ポンプ３２を動作させると、チャンバ１０内の気体が、排気配管３１を介してチャンバ１０の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を低下させることができる。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの排気量（吸引流量）を、個別に調節するためのバルブである。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開状態と閉状態との間で切り替えられる弁（開閉弁ともいう）が適用される。主バルブＶｅは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブＶｅには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開度が調節され得る弁（開度制御弁ともいう）が適用される。
【0041】
＜１－１－４．第１昇降部１００＞
第１実施形態では、第１昇降部１００はチャンバ１０内において支持部２０を昇降させる。換言すれば、第１昇降部１００は、支持部２０を昇降させることができる機構（昇降機構ともいう）を有する。図１では、図面の煩雑化を避けるために、第１昇降部１００が概念的に示されている。第１昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。図３に示されるように、第１昇降部１００は、例えば、本体部１００ａと、移動部１００ｂと、を有する。本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの上端部に、支持部２０が固定されている。ここでは、例えば、底板部１１の下面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、底板部１１と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部２０が複数の支持プレート２１を有する場合には、移動部１００ｂは、支持プレート２１ごとに支持プレート２１に固定されており且つ底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された棒状の部分（棒状部ともいう）と、複数の棒状部を連結している部分（連結部ともいう）と、連結部に接続されており且つ本体部１００ａに摺動可能に支持された部分（摺動部ともいう）と、を有する。第１昇降部１００が支持部２０を昇降させることにより、支持部２０によって支持された基板９も昇降する。
第１実施形態では、第１昇降部１００はチャンバ１０内において支持部２０を昇降させる。換言すれば、第１昇降部１００は、支持部２０を昇降させることができる機構（昇降機構ともいう）を有する。図１では、図面の煩雑化を避けるために、第１昇降部１００が概念的に示されている。第１昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。図３に示されるように、第１昇降部１００は、例えば、本体部１００ａと、移動部１００ｂと、を有する。本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの上端部に、支持部２０が固定されている。ここでは、例えば、底板部１１の下面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、底板部１１と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部２０が複数の支持プレート２１を有する場合には、移動部１００ｂは、支持プレート２１ごとに支持プレート２１に固定されており且つ底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された棒状の部分（棒状部ともいう）と、複数の棒状部を連結している部分（連結部ともいう）と、連結部に接続されており且つ本体部１００ａに摺動可能に支持された部分（摺動部ともいう）と、を有する。第１昇降部１００が支持部２０を昇降させることにより、支持部２０によって支持された基板９も昇降する。
【0042】
＜１－１－５．冷却部４０＞
冷却部４０の冷却原理は特に制限されないものの、図１の例では、冷媒を用いた冷却が行われる。具体的には、冷却部４０は、冷却部材４１と、第１冷媒配管４２と、第２冷媒配管４３と、冷媒冷却源４４とを含む。なお図３では、図面の煩雑化を避けるために、冷却部４０の構成を簡易的に示している。冷却部材４１は板状形状を有する。この場合、冷却部材４１は冷却板とも呼ばれ得る。冷却部材４１は、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で、天板部１３の上面に取り付けられている。冷却部材４１は上面視において例えば長方形状を有する。冷却部材４１の下面は天板部１３の上面に密着しているとよい。冷却部材４１は熱伝導率の高い材料（例えば金属など）によって形成され得る。
冷却部４０の冷却原理は特に制限されないものの、図１の例では、冷媒を用いた冷却が行われる。具体的には、冷却部４０は、冷却部材４１と、第１冷媒配管４２と、第２冷媒配管４３と、冷媒冷却源４４とを含む。なお図３では、図面の煩雑化を避けるために、冷却部４０の構成を簡易的に示している。冷却部材４１は板状形状を有する。この場合、冷却部材４１は冷却板とも呼ばれ得る。冷却部材４１は、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で、天板部１３の上面に取り付けられている。冷却部材４１は上面視において例えば長方形状を有する。冷却部材４１の下面は天板部１３の上面に密着しているとよい。冷却部材４１は熱伝導率の高い材料（例えば金属など）によって形成され得る。
【0043】
図１の例では、冷却部材４１の内部には冷媒流路４１ａが形成されている。冷媒流路４１ａは例えば上面視において蛇行していてもよく、渦巻き状に延びていてもよい。図１の例では、冷媒流路４１ａの流入口４１ｂおよび流出口４１ｃは冷却部材４１の上面に形成されている。流入口４１ｂは第１冷媒配管４２の下流端に接続され、流出口４１ｃは第２冷媒配管４３の上流端に接続される。第１冷媒配管４２の上流端および第２冷媒配管４３の下流端は、冷媒冷却源４４に接続されている。
【0044】
冷媒冷却源４４には第２冷媒配管４３の下流端から冷媒が流入する。冷媒は、液体であってもよく、気体であってもよい。具体的な一例として、冷媒には水を適用することができる。冷媒冷却源４４は冷媒を冷却し、冷却後の冷媒を第１冷媒配管４２の上流端に供給する。冷媒冷却源４４は例えばヒートポンプであってもよい。冷媒冷却源４４によって冷却された冷媒は第１冷媒配管４２の上流端に流入し、第１冷媒配管４２を通じて冷媒流路４１ａに流入する。低温の冷媒が冷媒流路４１ａを流れることにより、冷媒が冷却部材４１と熱交換して冷却部材４１を冷却する。この冷却部材４１は天板部１３と熱交換するので、天板部１３も冷却される。冷媒流路４１ａを流れて温められた冷媒は第２冷媒配管４３を通じて再び冷媒冷却源４４に流入し、冷媒冷却源４４によって再び冷却される。
【0045】
冷却部４０がチャンバ１０の天板部１３を冷却すると、天板部１３の下面（つまり、チャンバ１０の天井面）である冷却面４０ａも冷却される。図１の例では、冷却部材４１は平面視において基板９の有効領域ＡＥよりも大きなサイズを有する。つまり、平面視において冷却部材４１の輪郭は有効領域ＡＥの輪郭を囲う。冷却部材４１および有効領域ＡＥが平面視において長方形状を有している場合には、冷却部材４１の長辺は有効領域ＡＥの長辺よりも長く、冷却部材４１の短辺は有効領域ＡＥの短辺よりも長い。また、冷却部材４１は平面視において正方形状を有していてもよい。この場合、冷却部材４１の１辺は有効領域ＡＥの短辺よりも長くてもよい。これによれば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、平面視において、冷却部材４１は有効領域ＡＥよりも大きい。
【0046】
図１０は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の上面の一例を概略的に示す図である。冷却面４０ａは、内側領域ＡＩと、囲繞領域ＡＦと、外側領域ＡＯとを包含している。なお、図を見やすくするために、図１０においては囲繞領域ＡＦにハッチングが付されている。図９および図１０を参照して、内側領域ＡＩ（図１０）は基板９の内側部分ＰＩ（図９）に上下方向において対面する。囲繞領域ＡＦ（図１０）は基板９の囲繞部分ＰＦ（図９）に上下方向において対面する。囲繞領域ＡＦは、内側領域ＡＩを囲繞しており、四隅領域ＡＣおよび辺領域ＡＳを包含する。四隅領域ＡＣ（図１０）は四隅部分ＰＣ（図９）に上下方向において対面し、辺領域ＡＳ（図１０）は辺部分ＰＳ（図９）に上下方向において対面する。外側領域ＡＯ（図１０）は囲繞領域ＡＦの外側に位置している。平面視において囲繞領域ＡＦの外縁は、基板９の有効領域ＡＥの外縁（図１０における二点鎖線）を取り囲むように有効領域ＡＥの外側に位置してよい。その場合、平面視において基板９の有効領域ＡＥの外縁（図１０における二点鎖線）は囲繞領域ＡＦに包含される。
【0047】
冷却部４０は、冷却部４０が動作することによって、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。具体的には、内側領域ＡＩの温度分布の最小値よりも、四隅領域ＡＣの温度分布における最大値が低くされてよい。特に本実施形態においては、冷却部４０は、冷却部４０が動作することによって、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの囲繞領域ＡＦの温度が低くなるように構成されている。具体的には、内側領域ＡＩの温度分布の最小値よりも、囲繞領域ＡＦの温度分布における最大値が低くされてよい。言い換えれば、本実施形態においては実質的に、冷却面４０ａのうち囲繞領域ＡＦが冷却領域（図１０におけるハッチング領域）とされる。
【0048】
冷却面４０ａにおける上記のような温度の差異は、冷却面４０ａのうち、本実施形態における冷却領域としての囲繞領域ＡＦを選択的に冷却する冷却機構ＭＦが設けられればよい。なお冷却機構ＭＦによる囲繞領域ＡＦの選択的冷却において、囲繞領域ＡＦ以外の他の領域が副次的に若干冷却されてもよいが、当該他の領域に比して囲繞領域ＡＦの方が強く冷却される。上記のように囲繞領域ＡＦを選択的に冷却する冷却機構ＭＦは、例えば、平面視において冷媒流路４１ａ（図１）を、囲繞領域ＡＦには配置し、かつ内側領域ＡＩには配置しないことによって実現される。なおその場合において、冷媒流路４１ａは外側領域ＡＯに配置する必要はない。変形例として、平面視において冷却部材４１を、囲繞領域ＡＦには配置し、かつ内側領域ＡＩには配置しないようにしてもよい。なおその場合において、冷却部材４１は外側領域ＡＯに配置する必要はない。
【0049】
＜１－１－６．底面整流板５０＞
底面整流板５０は、減圧機構３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板５０は、支持部２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間に位置するように配置されている。底面整流板５０は、例えば、チャンバ１０の底板部１１に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図２に示されるように、例えば、底面整流板５０は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板５０の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の短辺よりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板５０は、基板９よりも大きい。また、底面整流板５０は、例えば、第１昇降部１００の移動部１００ｂが挿通された状態にある貫通孔５０ｈを有している。貫通孔５０ｈにおいて、底面整流板５０と移動部１００ｂとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。
底面整流板５０は、減圧機構３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板５０は、支持部２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間に位置するように配置されている。底面整流板５０は、例えば、チャンバ１０の底板部１１に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図２に示されるように、例えば、底面整流板５０は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板５０の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の短辺よりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板５０は、基板９よりも大きい。また、底面整流板５０は、例えば、第１昇降部１００の移動部１００ｂが挿通された状態にある貫通孔５０ｈを有している。貫通孔５０ｈにおいて、底面整流板５０と移動部１００ｂとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。
【0050】
＜１－１－７．側面整流板５１＞
側面整流板５１は、底面整流板５０とともに、減圧機構３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板５１は、下降位置Ｈ２に位置した支持部２０によって支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置するように配置されている。ここでは、例えば、支持部２０に支持される基板９の周囲を囲むように、４つの側面整流板５１が配置されている。例えば、４つの側面整流板５１は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板５０および４つの側面整流板５１は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。なお、図１の例では、側面整流板５１の上端は、上昇位置Ｈ１に位置した支持部２０によって支持される基板９の第２面Ｆ２よりも下方に位置している。このため、支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９は４つの側面整流板５１によって包囲されていない。
側面整流板５１は、底面整流板５０とともに、減圧機構３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板５１は、下降位置Ｈ２に位置した支持部２０によって支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置するように配置されている。ここでは、例えば、支持部２０に支持される基板９の周囲を囲むように、４つの側面整流板５１が配置されている。例えば、４つの側面整流板５１は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板５０および４つの側面整流板５１は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。なお、図１の例では、側面整流板５１の上端は、上昇位置Ｈ１に位置した支持部２０によって支持される基板９の第２面Ｆ２よりも下方に位置している。このため、支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９は４つの側面整流板５１によって包囲されていない。
【0051】
ここで、例えば、支持部２０が下降位置Ｈ２に位置した第２状態でのチャンバ１０内の減圧時には、基板９の直上の気体は主として側面整流板５１の上端に向かって流れる（後に説明する図１４も参照）。該気体は、側面整流板５１と側壁部１２との間の空間、底面整流板５０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄをこの記載の順に通って、チャンバ１０の外部へ排出される。このように、気体が基板９から離れた空間を流れることで、基板９の近傍に気流が形成されにくくなる。そして、基板９の周縁部において集中的な気流の発生が生じにくくなる。これにより、例えば、基板９の上面に形成された塗布膜９０の乾燥ムラの発生が抑制され得る。
【0052】
また、ここで、例えば、図２に示されるように、上面視において、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、いずれも正方形状の底面整流板５０の対角線５２上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄによって、底面整流板５０の中央（２本の対角線５２の交点）に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて、より均一な気流が形成され得る。
【0053】
＜１－１－８．給気部６０＞
給気部６０は、チャンバ１０内に気体を供給する動作（給気ともいう）を行う部分である。図１で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、給気口１６ｆが設けられている。給気口１６ｆは、例えば、底面整流板５０の下方に位置している。給気部６０は、給気口１６ｆに接続された給気配管６１と、給気バルブＶｆと、給気源６２と、を有する。例えば、給気配管６１の一端は、給気口１６ｆに接続している。例えば、給気配管６１の他端は、給気源６２に接続している。例えば、給気バルブＶｆは、給気配管６１の経路上に設けられている。
給気部６０は、チャンバ１０内に気体を供給する動作（給気ともいう）を行う部分である。図１で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、給気口１６ｆが設けられている。給気口１６ｆは、例えば、底面整流板５０の下方に位置している。給気部６０は、給気口１６ｆに接続された給気配管６１と、給気バルブＶｆと、給気源６２と、を有する。例えば、給気配管６１の一端は、給気口１６ｆに接続している。例えば、給気配管６１の他端は、給気源６２に接続している。例えば、給気バルブＶｆは、給気配管６１の経路上に設けられている。
【0054】
ここで、例えば、給気バルブＶｆを開放すると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓに気体が供給される。これにより、チャンバ１０内の圧力を上昇させることができる。給気源６２から供給される気体は、例えば、窒素気体等の不活性気体であってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。
【0055】
＜１－１－９．圧力計７０＞
圧力計７０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を計測するセンサである。図１に示されるように、圧力計７０はチャンバ１０の一部分に取り付けられている。圧力計７０はチャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を計測し、その計測結果を制御部８０へ出力することができる。
圧力計７０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を計測するセンサである。図１に示されるように、圧力計７０はチャンバ１０の一部分に取り付けられている。圧力計７０はチャンバ１０の内部空間１０ｓの圧力を計測し、その計測結果を制御部８０へ出力することができる。
【0056】
＜１－１－１０．制御部８０＞
制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御するためのユニット（電子回路）である。制御部８０は、減圧機構３０、冷却部４０、給気部６０および第１昇降部１００等の構成を制御することができる。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータによって構成されている。記憶部８０３には、例えば、減圧乾燥装置１において基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を実行させるためのコンピュータプログラム（プログラムともいう）８０３ｐおよび各種のデータが記憶されている。記憶部８０３は、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部８０は、例えば、記憶部８０３からメモリ８０２にプログラム８０３ｐおよびデータを読み出して、プロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム８０３ｐは、減圧乾燥装置１において制御部８０に含まれるプロセッサ８０１によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。
制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御するためのユニット（電子回路）である。制御部８０は、減圧機構３０、冷却部４０、給気部６０および第１昇降部１００等の構成を制御することができる。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータによって構成されている。記憶部８０３には、例えば、減圧乾燥装置１において基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を実行させるためのコンピュータプログラム（プログラムともいう）８０３ｐおよび各種のデータが記憶されている。記憶部８０３は、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部８０は、例えば、記憶部８０３からメモリ８０２にプログラム８０３ｐおよびデータを読み出して、プロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム８０３ｐは、減圧乾燥装置１において制御部８０に含まれるプロセッサ８０１によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。
【0057】
また、制御部８０には、例えば、入力部８０４、出力部８０５、通信部８０６およびドライブ８０７が接続されていてもよい。入力部８０４は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部８０に入力する部分である。入力部８０４には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部８０５は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部８０５には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部８０４と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部８０６は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部８０６によって外部の装置から受信したプログラム８０３ｐが記憶部８０３に記憶されてもよい。ドライブ８０７は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体８０７ｍの着脱が可能な部分である。このドライブ８０７は、例えば、記憶媒体８０７ｍが装着されている状態で、この記憶媒体８０７ｍと制御部８０との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム８０３ｐが記憶された記憶媒体８０７ｍがドライブ８０７に装着されることで、記憶媒体８０７ｍから記憶部８０３内にプログラム８０３ｐが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体８０７ｍは、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。
【0058】
図１１は、制御部８０において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図１１に示されるように、制御部８０は、例えば、開閉駆動部１６、第１昇降部１００、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ、主バルブＶｅ、真空ポンプ３２、給気バルブＶｆ、冷却部４０および圧力計７０と、それぞれ電気的に接続されている。制御部８０は、例えば、圧力計７０から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。
【0059】
図１１に概念的に示したように、制御部８０は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部８１、昇降制御部８２、切替制御部８３、排気制御部８４、ポンプ制御部８５、給気制御部８６および冷却制御部８７を有する。例えば、開閉制御部８１は、開閉駆動部１６の動作を制御する。例えば、昇降制御部８２は、第１昇降部１００の動作を制御する。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部８４は、主バルブＶｅの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部８５は、真空ポンプ３２の動作を制御する。例えば、給気制御部８６は、給気バルブＶｆの開閉状態を制御する。例えば、冷却制御部８７は、冷却部４０の動作を制御する。制御部８０における各部の機能は、例えば、上述したプログラム８０３ｐ等に従った演算処理をプロセッサ８０１が行うことで実現される。
【0060】
＜１－２．減圧乾燥処理＞
次に、減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について説明する。図１２は、第１実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図１２のステップＳ１からステップＳ８の処理がこの記載の順に行われる。
次に、減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について説明する。図１２は、第１実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図１２のステップＳ１からステップＳ８の処理がこの記載の順に行われる。
【0061】
減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳ１）。このとき、基板９の第１面Ｆ１には、未乾燥の塗布膜９０が形成されている状態にある。よってこの搬入により、チャンバ１０内に、塗布膜９０が塗布された基板９が配置される。ステップＳ１では、例えば、ゲート部１５が制御部８０の制御下で搬入出口１４を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板９を載置しつつ、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへ基板９を搬入する。この時点では、支持部２０は、例えば、下降位置Ｈ２に位置している。なお、側面整流板５１が搬送ロボットと干渉しないように、側面整流板５１が移動可能に構成されてもよい。搬送ロボットは、例えば、支持部２０の複数の支持プレート２１の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部２０上に基板９を載置し、その後、チャンバ１０の外部にフォークを退避させる。そして、ゲート部１５は制御部８０の制御下で搬入出口１４を閉鎖する。以上のように、ステップＳ１では、チャンバ１０内に配置された複数の支持ピン２２に基板９を載置する工程が行われる。
【0062】
次に、減圧乾燥装置１は冷却処理を行う（ステップＳ２）。冷却処理は、冷却面４０ａの冷却領域を冷却する処理である。具体的には、制御部８０が冷却部４０を動作させることにより、冷却部４０が冷却面４０ａの冷却領域を冷却し、冷却面４０ａの冷却領域の温度を低下させる。冷却部４０は冷却面４０ａの冷却領域の温度を目標温度まで低下させる。目標温度は例えば摂氏５度以上かつ摂氏１５度以下である。より具体的な一例として、目標温度は摂氏１０度程度である。冷却部４０は、基板９に対する減圧乾燥処理が完了するまで冷却面４０ａに対する冷却動作を継続してもよい。なお、冷却部４０により冷却動作は、ステップＳ１よりも前に開始されてもよい。
【0063】
次に、減圧乾燥装置１は第１間隔調整処理を行う（ステップＳ３）。第１間隔調整処理は、基板９と冷却面４０ａとの間隔を第１間隔にする処理である。具体的には、制御部８０が第１昇降部１００を制御して、支持部２０を上昇位置Ｈ１（図１または図３を参照）に上昇させる。支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９は側面整流板５１の上端よりも上方に位置する（図１も参照）。
【0064】
次に、チャンバ１０内の圧力を低下させることによって塗布膜９０を乾燥させる工程（ステップＳ４～Ｓ６）が行われる。この工程について、以下に詳述する。
【0065】
減圧乾燥装置１は第１減圧処理を行う（ステップＳ４）。第１減圧処理は、チャンバ１０内の圧力を第１圧力（以下、第１目標圧力と呼ぶ）まで低下させる処理である。第１目標圧力は標準大気圧よりも低く、例えば１０ｋＰａ以上に設定される。具体的には、制御部８０は減圧機構３０にチャンバ１０内の気体を小さい第１吸引流量で吸引させることにより、チャンバ１０内の圧力を低下させる。例えば、制御部８０が主バルブＶｅの開度を後述の第２減圧処理時の開度よりも小さくしてもよい。これによれば、第１減圧処理において、チャンバ１０内の圧力はより低い低下速度で低下する。
【0066】
ステップＳ３では、例えば、制御部８０が、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよい。これにより、基板９の乾燥ムラの発生を抑制するように、チャンバ１０内の気流を制御することができる。
【0067】
図１３は、第１減圧処理におけるチャンバ１０内の様子の一例を概略的に示す図である。第１減圧処理において、支持部２０が上昇位置Ｈ１に位置する第１状態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔は非常に狭い。そのため、上部空間１０ｓ１内の圧力の低下速度がより低くなり、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０における突沸の発生を抑制することができる。
【0068】
一方で、第１状態では、支持部２０によって支持された基板９は側面整流板５１の上端よりも上方に位置している。このため、側面整流板５１による整流機能は、基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１にはほとんど作用しない。従って、側面整流板５１による乾燥ムラの発生抑制効果はあまり招来できない。第１状態では、基板９よりも下方の下部空間１０ｓ２は広いので、下部空間１０ｓ２内の気体は速やかに排出される。具体的には、下部空間１０ｓ２内の気体は側面整流板５１とチャンバ１０の側壁部１２との間を通って、チャンバ１０から排出される。図１３では、この気流を模式的に破線の矢印で示している。
【0069】
第１減圧処理によって、チャンバ１０内の圧力が低下させられることにより、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０の溶媒の蒸発が促進される。この際に、前述のように冷却されている冷却面４０ａに、非常に狭い間隔で対面することによって、基板９の第１面Ｆ１が冷却される。ここで冷却面４０ａ（図１０）のうち基板９（図９）の内側部分ＰＩに対面する内側領域ＡＩの温度に比して、冷却面４０ａのうち基板９の四隅部分ＰＣに対面する四隅領域ＡＣの温度が低くされていることから、基板９の第１面Ｆ１の上記冷却によって、基板９の内側部分ＰＩの温度に比して、基板９の四隅部分ＰＣの温度が低くされる。具体的には、基板９の内側部分ＰＩの温度分布の最小値よりも、基板９の四隅部分ＰＣの温度分布における最大値が低くされてよい。基板９の四隅部分ＰＣが冷却されることによって、四隅部分ＰＣ上の塗布膜９０の粘度が増加する。言い換えれば、四隅部分ＰＣ上の塗布膜９０の流動性が低下する。これにより、四隅部分ＰＣにおいて特に発生しやすい乾燥ムラＤＶ（図８）を効果的に抑制することができる。
【0070】
また本実施形態においては、冷却面４０ａのうち基板９の内側部分ＰＩに対面する内側領域ＡＩの温度に比して、冷却面４０ａのうち基板９の囲繞部分ＰＦに対面する囲繞領域ＡＦの温度が低くされていることから、基板９の第１面Ｆ１の上記冷却によって、基板９の内側部分ＰＩの温度に比して、基板９の囲繞部分ＰＦの温度が低くされる。具体的には、基板９の内側部分ＰＩの温度分布の最小値よりも、基板９の囲繞部分ＰＦの温度分布における最大値が低くされてよい。基板９の囲繞部分ＰＦが冷却されることによって、囲繞部分ＰＦ上の塗布膜９０の粘度が増加する。言い換えれば、囲繞部分ＰＦ上の塗布膜９０の流動性が低下する。これにより、四隅部分ＰＣだけでなく辺部分ＰＳにおいても、列方向（図６におけるｙ方向）に延在する塗布膜９０の端部での乾燥ムラＤＶ（図６）を抑制することができる。
【0071】
この第１減圧処理において、冷却面４０ａの冷却領域の目標温度は、チャンバ１０内の圧力が第１目標圧力となる状態で、塗布膜９０の溶媒蒸気が凝縮する程度の温度に設定される。より具体的な一例として、冷却面４０ａの冷却領域の目標温度は、溶媒の蒸気圧曲線において圧力が第１目標圧力となるときの温度以下に設定される。その結果、チャンバ１０内の溶媒蒸気が、主に、冷却部４０の冷却面４０ａの冷却領域において結露する。つまり、主に冷却面４０ａの冷却領域に、液状の溶媒９１（図１３）が付着する。よって、冷却面４０ａにおける結露量は、冷却面４０ａのうち相対的に低い温度を有する部分である冷却領域において多くなりやすい。本実施形態においては、冷却面４０ａの冷却領域は囲繞領域ＡＦであるので、結露量は囲繞領域ＡＦ（図１０）において多くなりやすい。このように本実施形態においては冷却領域が冷却面４０ａの一部のみであるところ、仮に、本実施形態と異なり、冷却面４０ａの全体が強く冷却されたとすると、塗布膜９０から蒸発した溶媒蒸気のうち冷却面４０ａで結露するものの割合が高くなり、その結果、減圧乾燥装置に過大な量の結露が発生しやすい。これに対して本実施形態においては、冷却面４０ａのうち内側領域ＡＩ（図１０）は積極的には冷却されないので、内側領域ＡＩの温度を比較的高い温度とすることができる。よって、冷却面４０ａのうち内側領域ＡＩは、結露が生じないように、または、結露が生じてもその量が顕著に少なくなるようにすることができる。これにより、冷却に起因して減圧乾燥装置１に過大な量の結露が発生することを避けることができる。
【0072】
次に、例えばチャンバ１０内の圧力が第１目標圧力に達すると、減圧乾燥装置１は第２間隔調整処理を行う（ステップＳ５）。第２間隔調整処理は、基板９と冷却面４０ａとの間隔を第２間隔とする処理である。具体的には、制御部８０は第１昇降部１００を制御して、支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させる。支持部２０が下降位置Ｈ２に位置する第２状態では、基板９は側面整流板５１の上端よりも下方に位置している。
【0073】
次に、減圧乾燥装置１は第２減圧処理を行う（ステップＳ６：第２工程に相当）。第２減圧処理は、チャンバ１０内の圧力を第１目標圧力よりも低い第２圧力（以下、第２目標圧力と呼ぶ）に低下させる処理である。具体的には、制御部８０は減圧機構３０にチャンバ１０内の気体を第１吸引流量よりも大きい第２吸引流量で吸引させることにより、チャンバ１０内の圧力を低下させる。例えば、制御部８０が主バルブＶｅの開度を第１減圧処理時の開度よりも大きくしてもよい。チャンバ１０内の圧力は、第１減圧処理時の低下速度よりも高い低下速度で第２目標圧力まで低下する。第２減圧処理では、減圧乾燥装置１はチャンバ１０内の圧力を所定期間に亘って第２目標圧力で維持させてもよい。第２目標圧力は例えば１０ｋＰａ未満かつ０．１Ｐａ以上である。
【0074】
ステップＳ６でも、例えば、制御部８０が、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよい。これにより、基板９の乾燥ムラＤＶを抑制するように、チャンバ１０内の気流を制御することができる。
【0075】
図１４は、第２減圧処理におけるチャンバ１０内の様子の一例を概略的に示す図である。図１４に示されるように、支持部２０が下降位置Ｈ２に位置する第２状態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔は広い。言い換えれば、上部空間１０ｓ１の高さは大きい。このため、第１減圧処理とは異なって、塗布膜９０からの溶媒蒸気は上方にも流れやすく、溶媒蒸気の滞留を招きにくい。上部空間１０ｓ１が大きいので、上部空間１０ｓ１内の圧力をより適切かつ速やかに第２目標圧力に低下させることができる。
【0076】
また、第２状態では、支持部２０によって支持された基板９は４つの側面整流板５１によって包囲される。このため、側面整流板５１による整流機能が基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１に作用する。つまり、基板９の周縁部への気流の集中を側面整流板５１によって抑制することができる。従って、第２状態では冷却面４０ａと基板９の第１面Ｆ１との距離が大きいので冷却作用を利用しての乾燥ムラＤＶの抑制効果は小さくなるものの、気流の制御によって乾燥ムラＤＶを抑制することができる。
【0077】
チャンバ１０内の圧力が第２目標圧力に達すると、塗布膜９０の溶媒が沸騰して塗布膜９０の乾燥がより高い速度で進行する。減圧機構３０はチャンバ１０内の圧力が第２目標圧力で略一定となるようにチャンバ１０内の気体を吸引してもよい。つまり、減圧機構３０は所定期間に亘ってチャンバ１０内の圧力を第２目標圧力に維持してもよい。本実施形態では、第２減圧処理において、冷却面４０ａに付着した溶媒９１も蒸発する。言い換えれば、冷却面４０ａの目標温度は、チャンバ１０内の圧力が第２目標圧力となる状態で、溶媒が蒸発する程度の温度に設定される。より具体的な一例として、冷却面４０ａの目標温度は、溶媒の蒸気圧曲線において圧力が第２目標圧力となるときの温度以上に設定される。
【0078】
塗布膜９０および冷却面４０ａからの溶媒蒸気は、側面整流板５１の上端側から、側面整流板５１とチャンバ１０の側壁部１２との間の空間へ流入し、排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを通じて外部に排出される。図１４では、これらの溶媒蒸気の流れを破線の矢印で模式的に示している。
【0079】
塗布膜９０の沸騰が終了すると、つまり、所定期間が経過すると、減圧機構３０はチャンバ１０内の圧力をさらに低下させてもよい。言い換えれば、減圧機構３０はチャンバ１０内の圧力を第２目標圧力よりも低い第３目標圧力まで低下させてもよい。これにより、塗布膜９０および冷却面４０ａをより確実に乾燥させることができる。
【0080】
以上のように、第２減圧処理においては、第１昇降部１００が支持部２０を下降位置Ｈ２に下降させ、かつ、減圧機構３０がチャンバ１０内の圧力を第２目標圧力以下とする。これにより、減圧乾燥装置１は第２減圧処理において、基板９の第１面Ｆ１上の塗布膜９０のみならず冷却面４０ａをも乾燥させることができる。
【0081】
塗布膜９０および冷却面４０ａの両方が十分に乾燥すると、制御部８０は給気バルブＶｆを開放する。これにより、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを通ってチャンバ１０の内部空間１０ｓへ気体が供給される（ステップＳ７）。これにより、チャンバ１０内の圧力が、再び大気圧まで上昇する。
【0082】
そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳ８）。ステップＳ８では、例えば、まず、ゲート部１５が制御部８０の制御下で搬入出口１４を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、支持部２０に載置された乾燥済みの基板９を、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の外部へ搬出する。これにより、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理が終了し得る。
【0083】
＜１－３．効果のまとめ＞
冷却部４０は、冷却面４０ａの内側領域ＡＩ（図１０）の温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣ（図１０）の温度が低くなるように構成されている。これにより、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣ（図９）において、塗布膜９０の粘度が増加させられる。換言すれば、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣにおいて、塗布膜９０の流動性が低下させられる。この結果、基板９の四隅部分ＰＣにおいて発生しやすい乾燥ムラＤＶ（図８）を抑制することができる。なおこの効果は、後述する他の実施形態によっても得られる。
冷却部４０は、冷却面４０ａの内側領域ＡＩ（図１０）の温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣ（図１０）の温度が低くなるように構成されている。これにより、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣ（図９）において、塗布膜９０の粘度が増加させられる。換言すれば、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣにおいて、塗布膜９０の流動性が低下させられる。この結果、基板９の四隅部分ＰＣにおいて発生しやすい乾燥ムラＤＶ（図８）を抑制することができる。なおこの効果は、後述する他の実施形態によっても得られる。
【0084】
一方で、基板９の冷却は、減圧乾燥装置１内での結露の発生につながることがある。もしもこの結露の量が過大であったとすると、減圧乾燥方法の実施において悪影響を及ぼすことがあり、例えば、結露が基板９上に落下すると、当該基板９を用いた製品の品質が損なわれてしまう。結露は、減圧下での乾燥時間を十分に長くすることによって除去可能ではあるものの、これは生産性の過度な低下につながりやすい。特に、工業用途では、長いインターバルを空けることなく減圧乾燥装置１を繰り返し動作させる必要があるのが通常であり、その結果、１回の動作では結露の蓄積量が少なくても、動作が繰り返されるにつれて、過大な量の結露が蓄積されやすい。この結露の問題について、本実施形態によれば、冷却部４０は、前述したように、冷却面４０ａの内側領域ＡＩ（図１０）の温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣ（図１０）の温度が低くなるように構成されている。これにより、乾燥ムラＤＶ（図８）を抑制する観点で基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣ（図９）を十分に冷却しつつも、基板９の有効領域ＡＥの内側部分ＰＩ（図９）は必要以上に冷却しないようにすることができる。これにより、冷却部４０の冷却面４０ａに過大な量の結露が発生することを避けることができる。以上から、本実施形態によれば、冷却を用いて乾燥ムラを抑制しつつも、冷却部４０の冷却面４０ａに過大な量の結露が発生することを避けることができる。
【0085】
特に本実施形態の減圧乾燥装置１によれば、冷却面４０ａの内側領域ＡＩ（図１０）の温度に比して冷却面４０ａの囲繞領域ＡＦ（図１０）の温度が低くされる。これにより、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣ（図９）における乾燥ムラＤＶを抑制するだけでなく、四隅部分ＰＣ以外の、有効領域ＡＥの外縁近傍での乾燥ムラも抑制することができる。具体的には、四隅部分ＰＣだけでなく辺部分ＰＳ（図９）においても、列方向（図６におけるｙ方向）に延在する塗布膜９０の端部での乾燥ムラＤＶ（図６）を抑制することができる。
【0086】
【0087】
また、チャンバ１０の天井面が冷却部４０の冷却面４０ａに相当する。これにより、特殊なチャンバを準備する必要がなく、一般的なチャンバ１０を用いて冷却部４０を構成することができる。
【0088】
また、支持部２０が、基板９の搬入および搬出の際に用いられるだけでなく、基板９と冷却面４０ａとの間隔調整にも用いられる。これにより、間隔調整のためだけの専用機構を設ける必要がない。
【0089】
本実施形態の減圧乾燥方法によれば、基板９の有効領域ＡＥの内側部分ＰＩ（図９）の温度に比して基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣ（図９）の温度が低くなるように、基板９が冷却される。これにより、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣを十分に冷却し、かつ、基板９の有効領域ＡＥの内側部分ＰＩを必要以上に冷却しないようにすることができる。第１に、基板９の有効領域ＡＥの四隅部分ＰＣを十分に冷却することによって、四隅部分ＰＣにおいて発生しやすい乾燥ムラＤＶ（図８）を抑制することができる。第２に、基板９の有効領域ＡＥの内側部分ＰＩを必要以上に冷却しないことによって、減圧乾燥のための装置に過大な量の結露が発生することを避けることができる。以上から、乾燥ムラを抑制しつつ、減圧乾燥装置１に過大な量の結露が発生することを避けることができる。なおこの効果は、後述する他の実施形態によっても得られる。
【0090】
＜２．第２実施形態＞
図１５は、第２実施形態に係る減圧乾燥装置１Ａの上面の一例を概略的に示す図である。本実施形態における減圧乾燥装置１Ａの冷却部４０（図１５において全体構成を図示せず）も、前述した第１実施形態の場合（図１０参照）と同様に、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。一方で本実施形態においては、冷却部４０は、冷却面４０ａの辺領域ＡＳの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。具体的には、辺領域ＡＳの温度分布の最小値よりも、四隅領域ＡＣの温度分布における最大値が低くされてよい。言い換えれば、本実施形態においては実質的に、冷却面４０ａのうち四隅領域ＡＣが冷却領域（図１５におけるハッチング領域）とされる。
図１５は、第２実施形態に係る減圧乾燥装置１Ａの上面の一例を概略的に示す図である。本実施形態における減圧乾燥装置１Ａの冷却部４０（図１５において全体構成を図示せず）も、前述した第１実施形態の場合（図１０参照）と同様に、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。一方で本実施形態においては、冷却部４０は、冷却面４０ａの辺領域ＡＳの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。具体的には、辺領域ＡＳの温度分布の最小値よりも、四隅領域ＡＣの温度分布における最大値が低くされてよい。言い換えれば、本実施形態においては実質的に、冷却面４０ａのうち四隅領域ＡＣが冷却領域（図１５におけるハッチング領域）とされる。
【0091】
冷却面４０ａにおける上記のような温度の差異は、冷却面４０ａのうち、本実施形態における冷却領域としての四隅領域ＡＣを選択的に冷却する冷却機構ＭＣが設けられればよい。なお冷却機構ＭＣによる冷却の結果として、四隅領域ＡＣ以外の他の領域が副次的に若干冷却されてもよいが、当該他の領域に比して四隅領域ＡＣの方が強く冷却される。上記のように四隅領域ＡＣを選択的に冷却する冷却機構ＭＣは、例えば、平面視において冷媒流路４１ａ（図１）を、四隅領域ＡＣには配置し、かつ辺領域ＡＳおよび内側領域ＡＩには配置しないことによって実現される。なおその場合において、冷媒流路４１ａは外側領域ＡＯに配置する必要はない。変形例として、平面視において冷却部材４１を、四隅領域ＡＣには配置し、かつ辺領域ＡＳおよび内側領域ＡＩには配置しないようにしてもよい。なおその場合において、冷却部材４１は外側領域ＡＯに配置する必要はない。
【0092】
本実施形態によれば、冷却面４０ａの辺領域ＡＳの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くされる。言い換えれば、冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度に比して、冷却面４０ａの辺領域ＡＳの温度が高くされる。これにより、辺領域ＡＳの温度を不必要に低くすることが避けられる。これにより、冷却部４０の冷却面４０ａに過大な量の結露が発生することを、より十分に避けることができる。
【0093】
＜３．第３実施形態＞
図１６は、第３実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｂの上面の一例を概略的に示す図である。本実施形態における減圧乾燥装置１Ｂの冷却部４０（図１６において全体構成を図示せず）も、前述した第１実施形態の場合（図１０参照）と同様に、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。冷却の目的で、第１実施形態（図１０）においては、室温に比して低い温度に設定可能な単一の冷却機構ＭＦが設けられればよい。一方、本実施形態においては、冷却部４０は、冷却面４０ａを冷却するために、室温に比して低い温度に設定可能な複数の冷却機構を含む。これら複数の冷却機構は、平面視で、基板９の有効領域ＡＥの外縁（図１６における二点鎖線）に重なるように位置する主冷却機構としての冷却機構ＭＦと、基板９の有効領域ＡＥの外縁から外れて位置し、冷却機構ＭＦの温度よりも高い温度に設定可能な少なくとも１つの副冷却機構ＭＺと、を含む。副冷却機構ＭＺは、図１６に示された例においては、冷却機構ＭＦの冷却領域よりも内側を冷却する冷却機構ＭＩａと、冷却機構ＭＩａの冷却領域よりも内側を冷却する冷却機構ＭＩｂと、冷却機構ＭＦの冷却領域よりも外側を冷却する冷却機構ＭＯａと、冷却機構ＭＯａの冷却領域よりも外側を冷却する冷却機構ＭＯｂと、を含む。これら冷却機構の設定温度を室温（例えば、摂氏２０度）からの差分によって例示すると、冷却機構ＭＦの設定温度が摂氏マイナス１０度、冷却機構ＭＩａの設定温度が摂氏マイナス８度、冷却機構ＭＩｂおよび冷却機構ＭＯａの設定温度が摂氏マイナス６度、冷却機構ＭＯｂの設定温度が摂氏マイナス２度である。上述した複数の冷却機構は、互いに独立して設定温度を調整可能に構成されていてよい。
図１６は、第３実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｂの上面の一例を概略的に示す図である。本実施形態における減圧乾燥装置１Ｂの冷却部４０（図１６において全体構成を図示せず）も、前述した第１実施形態の場合（図１０参照）と同様に、冷却面４０ａの内側領域ＡＩの温度に比して冷却面４０ａの四隅領域ＡＣの温度が低くなるように構成されている。冷却の目的で、第１実施形態（図１０）においては、室温に比して低い温度に設定可能な単一の冷却機構ＭＦが設けられればよい。一方、本実施形態においては、冷却部４０は、冷却面４０ａを冷却するために、室温に比して低い温度に設定可能な複数の冷却機構を含む。これら複数の冷却機構は、平面視で、基板９の有効領域ＡＥの外縁（図１６における二点鎖線）に重なるように位置する主冷却機構としての冷却機構ＭＦと、基板９の有効領域ＡＥの外縁から外れて位置し、冷却機構ＭＦの温度よりも高い温度に設定可能な少なくとも１つの副冷却機構ＭＺと、を含む。副冷却機構ＭＺは、図１６に示された例においては、冷却機構ＭＦの冷却領域よりも内側を冷却する冷却機構ＭＩａと、冷却機構ＭＩａの冷却領域よりも内側を冷却する冷却機構ＭＩｂと、冷却機構ＭＦの冷却領域よりも外側を冷却する冷却機構ＭＯａと、冷却機構ＭＯａの冷却領域よりも外側を冷却する冷却機構ＭＯｂと、を含む。これら冷却機構の設定温度を室温（例えば、摂氏２０度）からの差分によって例示すると、冷却機構ＭＦの設定温度が摂氏マイナス１０度、冷却機構ＭＩａの設定温度が摂氏マイナス８度、冷却機構ＭＩｂおよび冷却機構ＭＯａの設定温度が摂氏マイナス６度、冷却機構ＭＯｂの設定温度が摂氏マイナス２度である。上述した複数の冷却機構は、互いに独立して設定温度を調整可能に構成されていてよい。
【0094】
本実施形態によれば、基板９の有効領域ＡＥの外縁（図１６における二点鎖線）を局所的に強く冷却しつつ、その近傍を、適度に弱く冷却することができる。前者の強い冷却により、基板９の有効領域ＡＥの囲繞部分ＰＦ、特に四隅部分ＰＣにおいて発生しやすい乾燥ムラＤＶ（図８）を効果的に抑制することに加えて、後者の冷却により、基板９の有効領域ＡＥの内側部分ＰＩにおいても乾燥ムラを抑制することができる。さらに、後者の冷却が適度に弱いものとされることによって、冷却部４０の冷却面４０ａに過大な量の結露（図１３における溶媒９１を参照）が発生することを避けることができる。
【0095】
＜４．第４実施形態＞
図１７は、第４実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｃの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｃは第２昇降部４５を除いて、減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）と同様の構成を有している。第２昇降部４５は、冷却部４０の冷却部材４１を冷却位置Ｈ３と離間位置Ｈ４との間で昇降させる。冷却位置Ｈ３は、冷却部材４１の下面がチャンバ１０の天板部１３の上面に接する位置であり、離間位置Ｈ４は、冷却部材４１が天板部１３から離れた位置である。図１７の例では、離間位置Ｈ４に位置する冷却部材４１が仮想線で模式的に示されている。第２昇降部４５には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。
図１７は、第４実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｃの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｃは第２昇降部４５を除いて、減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）と同様の構成を有している。第２昇降部４５は、冷却部４０の冷却部材４１を冷却位置Ｈ３と離間位置Ｈ４との間で昇降させる。冷却位置Ｈ３は、冷却部材４１の下面がチャンバ１０の天板部１３の上面に接する位置であり、離間位置Ｈ４は、冷却部材４１が天板部１３から離れた位置である。図１７の例では、離間位置Ｈ４に位置する冷却部材４１が仮想線で模式的に示されている。第２昇降部４５には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。
【0096】
図１８は、第４実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示すフローチャートである。ここでは、例えば、図１８のステップＳ１１からステップＳ１９の処理がこの記載の順に行われる。冷却部材４１は初期的には、冷却位置Ｈ３に位置している。
【0097】
減圧乾燥装置１ＣはまずステップＳ１１からステップＳ１５をこの順で行う。ステップＳ１１からステップＳ１５はそれぞれステップＳ１からステップＳ５（図１２：第１実施形態）と同様である。ただし、冷却部４０による冷却面４０ａへの冷却動作は、実質的にはステップＳ１５で終了し得る。
【0098】
ステップＳ１５の次に、減圧乾燥装置１Ｃは冷却部離間処理を行う（ステップＳ１６）。冷却部離間処理は、冷却部４０を離間位置Ｈ４へ移動させる処理である。具体的には、制御部８０は第２昇降部４５を制御して、冷却部材４１を冷却位置Ｈ３から離間位置Ｈ４へ上昇させる。冷却部材４１が離間位置Ｈ４へ上昇することにより、冷却面４０ａに対する冷却動作は実質的に中断され得る。
【0099】
次に、減圧乾燥装置１ＣはステップＳ１７からステップＳ１９を行う。ステップＳ１７からステップＳ１９はそれぞれステップＳ６からステップＳ８（図１２：第１実施形態）と同様である。
【0100】
以上のように、第４実施形態によれば、第１減圧処理（ステップＳ１４）において、冷却部材４１は冷却位置Ｈ３に下降しており、天板部１３の下面である冷却面４０ａを冷却する。このため、減圧乾燥装置１Ｃは第１減圧処理において、減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）とほぼ同様に冷却面４０ａを冷却することができる。一方で、本第４実施形態によれば、第２減圧処理（ステップＳ１７）において、冷却部材４１は離間位置Ｈ４に上昇している。これにより、第２減圧処理において、冷却面４０ａに対する冷却動作は実質的に中断され得る。冷却部材４１が冷却面４０ａから遠ざかることにより、冷却面４０ａの温度は時間の経過とともに上昇するので、冷却面４０ａに結露した溶媒９１の蒸発を促進させることができる。これにより、結露の蓄積を、より抑制することができる。
【0101】
＜５．第５実施形態＞
図１９は、第５実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｄの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｄは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）と同様の構成を有している。
図１９は、第５実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｄの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｄは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）と同様の構成を有している。
【0102】
図１９に示されるように、減圧乾燥装置１Ｄの冷却部４０の一部は、チャンバ１０の天板部１３に埋設されている。天板部１３に埋設される冷却部４０の当該一部は、天板部１３から熱を吸収する低温部分である。これにより、天板部１３が冷却部材４１として機能する。天板部１３は熱伝導率の高い材料（例えば金属）によって形成されてもよい。図１９の例では、天板部１３の内部には、冷却部４０の一部である冷媒流路４１ａが形成されている。冷媒流路４１ａは例えば上面視において天板部１３の内部を蛇行していてもよく、渦巻き状に延びていてもよい。図１９の例では、冷媒流路４１ａの流入口４１ｂおよび流出口４１ｃは天板部１３の上面に形成されている。流入口４１ｂは第１冷媒配管４２の下流端に接続され、流出口４１ｃは第２冷媒配管４３の上流端に接続される。冷媒冷却源４４が冷媒を冷却しつつ循環させることにより、チャンバ１０の天板部１３を冷却することができる。つまり、天板部１３の下面である冷却面４０ａが冷却される。
【0103】
なお減圧乾燥装置１Ｄを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は、第１実施形態における減圧乾燥処理と同様である。
【0104】
本実施形態によれば、天板部１３が冷却部材４１として機能する。従って、減圧乾燥装置１Ｄの部品点数を低減させることができ、減圧乾燥装置１Ｄのサイズおよび製造コストを低減させることができる。また、冷媒流路４１ａと冷却面４０ａとの間隔を低減させることができるので、冷却部４０はより高い効率で冷却面４０ａを冷却することができる。
【0105】
＜６．第６実施形態＞
図２０は、第６実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｅの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｅは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）と同様の構成を有している。
図２０は、第６実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｅの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｅは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）と同様の構成を有している。
【0106】
図２０に示されるように、減圧乾燥装置１Ｅの冷却部４０の一部は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置している。具体的には、冷却部材４１がチャンバ１０の内部空間１０ｓに位置している。冷却部材４１は、チャンバ１０内において、支持部２０によって支持された基板９の第１面Ｆ１と対面する位置に設けられている。つまり、冷却部材４１は支持部２０によって支持された基板９よりも上方に設けられている。冷却部材４１は、チャンバ１０内において、その厚み方向が上下方向に沿う姿勢で設けられる。冷却部材４１は不図示の固定部を通じてチャンバ１０に固定される。冷却部材４１は例えばネジ等の固定部によってチャンバ１０の天板部１３に固定されていてもよい。第６実施形態では、冷却部材４１の下面が冷却面４０ａに相当する。図２０の例では、第１冷媒配管４２および第２冷媒配管４３は天板部１３を貫通しており、冷媒冷却源４４はチャンバ１０の外部に設けられている。冷媒冷却源４４が冷媒を冷却しつつ冷媒を循環させることにより、冷却部材４１が冷却される。つまり、冷却部材４１の冷却面４０ａが冷却される。
【0107】
なお減圧乾燥装置１Ｅを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は、第１実施形態における減圧乾燥処理と同様である。
【0108】
本実施形態によれば、冷却面４０ａは、チャンバ１０とは別体の冷却部材４１の下面である。このため、冷却面４０ａを有する冷却部材４１の材料をチャンバ１０への仕様要求とは別に選定することができる。つまり、冷却部材４１の材料の選択性を向上させることができる。また、冷却面４０ａは冷却部材４１の下面であるので、冷却部４０の低温部分（ここでは冷媒流路４１ａ）と冷却面４０ａとの間隔を狭くすることができる。このため、冷却部４０はより高い効率で冷却面４０ａを冷却することができる。
【0109】
＜７．第７実施形態＞
図２１は、第７実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｆの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｆは、第１昇降部１００の昇降対象を除いて減圧乾燥装置１Ｅ（図２０：第６実施形態）と同様の構成を有している。図２１に示されるように、第１昇降部１００は冷却部４０を昇降させる。具体的には、第１昇降部１００は冷却部４０の冷却部材４１を上昇位置Ｈ１１と下降位置Ｈ１２との間で昇降させる。下降位置Ｈ１２は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるときの冷却部材４１の位置である。図２１では、下降位置Ｈ１２に位置する冷却部材４１を仮想線で示している。上昇位置Ｈ１１は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となるときの冷却部材４１の位置である。つまり、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態との間で、冷却部材４１を昇降させる。
図２１は、第７実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｆの縦断面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｆは、第１昇降部１００の昇降対象を除いて減圧乾燥装置１Ｅ（図２０：第６実施形態）と同様の構成を有している。図２１に示されるように、第１昇降部１００は冷却部４０を昇降させる。具体的には、第１昇降部１００は冷却部４０の冷却部材４１を上昇位置Ｈ１１と下降位置Ｈ１２との間で昇降させる。下降位置Ｈ１２は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるときの冷却部材４１の位置である。図２１では、下降位置Ｈ１２に位置する冷却部材４１を仮想線で示している。上昇位置Ｈ１１は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となるときの冷却部材４１の位置である。つまり、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態との間で、冷却部材４１を昇降させる。
【0110】
図２１に示されるように、支持部２０は、第１実施形態から第６実施形態でいう下降位置Ｈ２に位置している。つまり、支持部２０によって支持された基板９は側面整流板５１の上端よりも低い位置にあり、４つの側面整流板５１によって包囲されている。第７実施形態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態、および、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となる第２状態の両方において、基板９は４つの側面整流板５１によって包囲される。
【0111】
下降位置Ｈ１２は、冷却部材４１の冷却面４０ａが側面整流板５１の上端よりも下方となる位置であってもよい。つまり、冷却部材４１は、上面視において、４つの側面整流板５１によって囲まれた空間よりも小さいサイズを有する。
【0112】
上昇位置Ｈ１１は、冷却部材４１の冷却面４０ａが側面整流板５１の上端よりも上方となる位置である。冷却部材４１が上昇位置Ｈ１１に位置する状態で、冷却面４０ａと側面整流板５１の上端との間隔は、例えば、第１間隔の２倍以上であってもよく、５倍以上であってもよい。これによれば、基板９の直上の気体が側面整流板５１の上端側から側面整流板５１とチャンバ１０の側壁部１２との間の空間に流入しやすい。
【0113】
第１昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。第１昇降部１００の本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定される。第１昇降部１００の移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の天板部１３の貫通孔１３ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの下端部に、冷却部材４１が固定されている。ここでは、例えば、天板部１３の上面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、天板部１３と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。
【0114】
減圧乾燥装置１Ｆを用いた減圧乾燥処理の流れの一例は第１実施形態における減圧乾燥処理と同様である。ただし、第１間隔調整処理（図１２：ステップＳ３）では、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となるように、冷却部材４１を下降位置Ｈ１２に下降させる。また、第２間隔調整処理（図１２：ステップＳ５）では、第１昇降部１００は、基板９と冷却面４０ａとの間隔が第２間隔となるように、冷却部材４１を上昇位置Ｈ１１に上昇させる。
【0115】
本実施形態７によれば、冷却部材４１がチャンバ１０とは別体である。このため、第６実施形態と同様に、冷却部材４１の材料の選択性を向上させることができる。また、冷却面４０ａは冷却部材４１の下面であるので、第６実施形態と同様に、冷却部４０はより高い効率で冷却面４０ａを冷却することができる。
【0116】
さらに第７実施形態では、基板９と冷却面４０ａとの間隔がより狭い第１間隔となる第１状態においても、支持部２０によって支持された基板９は４つの側面整流板５１によって包囲される。これにより、第１減圧処理（図１２：ステップＳ４）においても、４つの側面整流板５１による整流機能が、基板９と冷却面４０ａとの間の上部空間１０ｓ１にも作用する。従って、乾燥ムラの発生をさらに抑制することができる。
【0117】
なお本第７実施形態では、第１昇降部１００は冷却部４０を昇降させているものの、変形例として、支持部２０および冷却部４０の両方を昇降させてもよい。要するに、第１昇降部１００は、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔となる第１状態と、支持部２０によって支持された基板９と冷却面４０ａとの間隔が第１間隔よりも広い第２間隔となる第２状態との間で、支持部２０および冷却面４０ａの少なくともいずれか一方を昇降させればよい。
【0118】
＜８．第８実施形態＞
図２２は、第８実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｇの上面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｇは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）に類した構成を有している。具体的には、減圧乾燥装置１Ｇ（図２２）は、冷却面４０ａを有する冷却部材４１（図１：第１実施形態）に代わって、冷却面４０ａを有する冷却部材４１Ｍを有している。冷却部材４１Ｍの冷却面４０ａの温度分布は、冷却部材４１（図１：第１実施形態）の冷却面４０ａの温度分布と同様とされてよい。冷却部材４１Ｍの冷却面４０ａは、冷却部材４１の冷却面４０ａと異なり、基板９の第２面Ｆ２（下面）に対面する。
図２２は、第８実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｇの上面の一例を概略的に示す図である。減圧乾燥装置１Ｇは、冷却部４０の内部構成を除いて減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）に類した構成を有している。具体的には、減圧乾燥装置１Ｇ（図２２）は、冷却面４０ａを有する冷却部材４１（図１：第１実施形態）に代わって、冷却面４０ａを有する冷却部材４１Ｍを有している。冷却部材４１Ｍの冷却面４０ａの温度分布は、冷却部材４１（図１：第１実施形態）の冷却面４０ａの温度分布と同様とされてよい。冷却部材４１Ｍの冷却面４０ａは、冷却部材４１の冷却面４０ａと異なり、基板９の第２面Ｆ２（下面）に対面する。
【0119】
なお、図２２において図示が省略されているが、減圧乾燥装置１Ｇは、減圧乾燥装置１の支持部２０と同様の機能を有する支持部を有している。この支持部は第１実施形態と同様に上昇位置Ｈ１および下降位置Ｈ２（図１を参照）との間で昇降可能である。また当該支持部は、第１実施形態と同様、チャンバ１０に対する基板９の搬入および搬出を可能に構成されている。
【0120】
また減圧乾燥装置１Ｇの冷却部４０は、上記の支持部の昇降に合わせて冷却部材４１の昇降を行うように構成されている。なお図２２においては図示が省略されているが、減圧乾燥装置１Ｇの冷却部４０も、減圧乾燥装置１（図１：第１実施形態）の冷却部４０と同様に、冷媒流路４１ａ、第１冷媒配管４２、第２冷媒配管４３、および冷媒冷却源４４を有していてよい。なお本実施形態においては、第１冷媒配管４２および第２冷媒配管４３は天板部１３を貫通している。
【0121】
本実施形態によれば、冷却面４０ａが基板９の第２面Ｆ２に対面する構成を用いつつ、第１実施形態とおおよそ同様、乾燥ムラを抑制しつつ、冷却部４０の冷却面４０ａに過大な量の結露が発生することを避けることができる。
【0122】
＜９．変形例＞
本開示は、上述の各実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
本開示は、上述の各実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
【0123】
冷却面４０ａ（図１参照）を冷却するために、上記各実施形態では冷却部４０が冷媒を用いるが、冷却部の冷却原理は限定されない。例えば、冷媒を利用するための構成に代わって、ペルチェ素子を利用する構成が適用されてよい。その場合、平面視においてペルチェ素子が取り付けられる位置の最適化と、複数のペルチェ素子の温度制御の最適化と、の少なくともいずれかによって、上記各実施形態における冷却部を構成することができる。ペルチェ素子の取付方法は特に限定されないが、例えば、天板部１３に埋設されてよい。
【0124】
塗布膜９０が、図５および図６に示されたようにその流動方向が規制された状態で基板９の有効領域ＡＥの一部にのみ形成されている場合、乾燥ムラＤＶ（図８）を低減する効果が特に顕著に得られるが、塗布膜９０が基板９の有効領域ＡＥの全体に形成されているような場合であっても、上記各実施形態で示された減圧乾燥が適用されることによって、乾燥ムラを低減する効果が期待される。
【0125】
チャンバ１０（図１参照）は、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを有しているが、排気口の数は任意である。また、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、それらによる効果が不要であれば省略されてよい。
【0126】
チャンバ１０（図３参照）は、側壁部１２に基板９の搬入出口１４が設けられているが、搬入出口の位置はこれに限定されない。例えば、チャンバ１０の４つの側壁部１２および天板部１３が一体の蓋部を構成し、この蓋部が底板部１１から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。この場合には、例えば、蓋部が開閉駆動部１６等によって上下に移動されてもよい。そして、チャンバ１０は、蓋部がＯリング等のシール材を介して底板部１１に接触して内部空間１０ｓを密閉している状態（密閉状態）と、蓋部が底板部１１から上方へ分離して内部空間１０ｓを開放している状態（開放状態）と、に選択的に設定され得る。ここで、チャンバ１０が開放状態にあれば、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。チャンバ１０が閉鎖状態にあれば、内部空間１０ｓからの排気および内部空間１０ｓへの給気によって、基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させることができる。
【0127】
【0128】
【0129】
減圧乾燥装置１（図１参照）における各種の動作は、例えば、入力部８０４に対するユーザの動作もしくは通信部８０６に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。
【0130】
制御部８０（図１１参照）において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。
【0131】
なお、以上において説明された実施形態および変形例の各々の構成の全部または一部を、矛盾しない範囲で適宜、相互に組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【0132】
１，１Ａ～１Ｇ 減圧乾燥装置
９ 基板
１０ チャンバ
２０ 支持部
３０ 減圧機構
４０ 冷却部
４０ａ 冷却面
４１，４１Ｍ 冷却部材
６０ 給気部
８０ 制御部
９０ 塗布膜
９１ 溶媒
Ｆ１ 上面（第１面）
Ｆ２ 下面（第２面）
ＡＣ 四隅領域
ＡＥ 有効領域
ＡＦ 囲繞領域
ＡＩ 内側領域
ＡＮ マージン領域
ＡＯ 外側領域
ＡＳ 辺領域
ＤＶ 乾燥ムラ
ＭＣ，ＭＦ 冷却機構
ＭＩａ，ＭＩｂ，ＭＯａ，ＭＯｂ，ＭＺ 冷却機構（副冷却機構）
ＰＣ 四隅部分
ＰＦ 囲繞部分
ＰＩ 内側部分
ＰＳ 辺部分
９ 基板
１０ チャンバ
２０ 支持部
３０ 減圧機構
４０ 冷却部
４０ａ 冷却面
４１，４１Ｍ 冷却部材
６０ 給気部
８０ 制御部
９０ 塗布膜
９１ 溶媒
Ｆ１ 上面（第１面）
Ｆ２ 下面（第２面）
ＡＣ 四隅領域
ＡＥ 有効領域
ＡＦ 囲繞領域
ＡＩ 内側領域
ＡＮ マージン領域
ＡＯ 外側領域
ＡＳ 辺領域
ＤＶ 乾燥ムラ
ＭＣ，ＭＦ 冷却機構
ＭＩａ，ＭＩｂ，ＭＯａ，ＭＯｂ，ＭＺ 冷却機構（副冷却機構）
ＰＣ 四隅部分
ＰＦ 囲繞部分
ＰＩ 内側部分
ＰＳ 辺部分
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】