特開 2024-104959 電気光学装置、および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024104959

(43)【公開日】2024-08-06

(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20240730BHJP

   G02F 1/1345 20060101ALI20240730BHJP

   G02F 1/13 20060101ALN20240730BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 505

G02F1/1345

G02F1/13 505

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023009427

(22)【出願日】2023-01-25

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003177

【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】吉井 栄仁

【テーマコード（参考）】

2H088

2H092

2H189

【Ｆターム（参考）】

2H088EA14

2H088HA21

2H088KA26

2H088KA27

2H088MA20

2H092GA21

2H092GA32

2H092GA33

2H092GA38

2H092GA45

2H092HA04

2H092JB32

2H092NA25

2H092PA01

2H092PA12

2H092RA05

2H189DA72

2H189EA04Y

2H189FA44

2H189FA52

2H189GA49

2H189HA16

2H189KA17

2H189LA03

2H189LA19

2H189MA07

(57)【要約】

【課題】表示品位の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する表示装置であって、前記表示領域に設けられる複数の画素電極を有する第１基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２基板と、前記周辺領域に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、ＵＶ硬化性材料を含むシール部材と、前記第１基板と前記第２基板と前記シール部材で囲まれる領域内に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、前記シール部材と平面視で重なり、前記複数の画素電極または前記対向電極と同層で、導電性を有する膜が設けられていない非導電領域を有する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する表示装置であって、
前記表示領域に設けられる複数の画素電極を有する第１基板と、
前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２基板と、
前記周辺領域に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、ＵＶ硬化性材料を含むシール部材と、
前記第１基板と前記第２基板とに配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、前記シール部材と平面視で重なり、前記複数の画素電極または前記対向電極と同層で、導電性を有する膜が設けられていない非導電領域を有する、
ことを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記一方の基板は、前記シール部材と平面視で重なる導電部をさらに備え、
前記周辺領域における前記非導電領域の占有率は、前記導電部の占有率よりも高い、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記非導電領域は、前記第２基板に設けられる、
請求項２に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記第２基板には、前記周辺領域に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間で電気的な接続をとるための基板間導通材が設けられ、
前記導電部は、前記対向電極と前記基板間導通材とを電気的に接続する接続配線を含む、
請求項３に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記導電部の平面形状は、網目状である、
請求項２に記載の電気光学装置。

【請求項6】

前記導電部は、互いに交差する複数の第１導電線および複数の第２導電線を有し、
前記非導電領域は、前記複数の第１導電線および前記複数の第２導電線の間の複数の開口部である、
請求項５に記載の電気光学装置。

【請求項7】

前記第１基板および前記第２基板のうちの他方の基板は、前記周辺領域に配置され、波長３８０ｎｍの光を反射させる反射膜を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項8】

前記第１基板および前記第２基板のうちの他方の基板は、前記周辺領域に配置され、波長３８０ｎｍの光を吸収する吸収膜を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項9】

前記非導電領域は、前記対向電極の外側に配置され、
前記シール部材は、前記対向電極と離間し、平面視で前記対向電極と異なる箇所に配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項10】

請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。

【0003】

特許文献１に記載の電気光学装置は、素子基板と、対向基板と、これら基板の間に配置されたシール材と、シール材に囲まれた領域内に設けられた電気光学層とを有する。素子基板の対向基板に対向する面には、電気光学層が設けられる領域に複数の画素電極が配置され、シール材が設けられる領域に所定膜厚のＩＴＯ膜が配置される。当該文献では、シール材を効率良く硬化させるため、素子基板のうちシール材が設けられる領域での３５０ｎｍの透過率が、素子基板のうち電気光学層が設けられる領域での３５０ｎｍの透過率よりも高い。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５―２１５５３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、従来の構成では、シール材が設けられる領域にＩＴＯ膜が存在しているため、３５０ｎｍの透過率を充分に高めることができず、シール材のＵＶ硬化のためのＵＶの照射時間が長くなってしまう。このため、生産効率が落ちてしまう。さらに、ＵＶ照射時間が長くなると、ＵＶ照射により各基板の温度上昇が発生し、表示シミなどの原因となる汚染物質が増加するおそれがある。この結果、表示品位が低下するおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の電気光学装置の一態様は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する表示装置であって、前記表示領域に設けられる複数の画素電極を有する第１基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２基板と、前記周辺領域に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、ＵＶ硬化性材料を含むシール部材と、前記第１基板と前記第２基板と前記シール部材で囲まれる領域内に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、前記シール部材と平面視で重なり、前記複数の画素電極または前記対向電極と同層で、導電性を有する膜が設けられていない非導電領域を有する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係る電気光学装置の平面図である。

【図2】図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。

【図3】図１の第１基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図4】図２の第２基板を示す平面図である。

【図5】図２の第２基板およびシール材を示す平面図である。

【図6】図２の電気光学装置の一部を示す図である。

【図7】図６に示すシール部材の形成方法を説明するための図である。

【図8】第２実施形態の電気光学装置が有する導電部を示す平面図である。

【図9】第３実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。

【図10】第４実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。

【図11】変形例の電気光学装置の断面図である。

【図12】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図13】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図14】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【図15】シール領域における透過率を説明するためのグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0009】

１．電気光学装置
Ａ．第１実施形態
Ａ－１．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。

【0010】

また、本明細書において、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αの上方に位置することを意味する。したがって、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αに直接的に接触している場合のみならず、要素αと要素βとが離間している場合も含む。また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。

【0011】

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の電気光学装置である。電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。図２に示すように、第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、第１基板２、液晶層５および第２基板３の重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。本実施形態では、第２基板３が「一方の基板」に相当し、第１基板２が「他方の基板」に相当する。

【0012】

電気光学装置１００は透過型であり、第１基板２および第２基板３は、透光性を有する。図２に示すように、入射光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

【0013】

第１基板２は、基板２１と、第１積層体２０と、複数の画素電極２４と、複数のダミー画素電極２４ｄと、周辺電極２８と、第１配向膜２９とを有する。基板２１、第１積層体２０、複数の画素電極２４および第１配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。

【0014】

基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。第１積層体２０は、詳細な図示はしないが、透光性を有する複数の絶縁膜を含む。また、詳細な図示はしないが、第１積層体２０には、トランジスターおよび各種配線等が設けられる。複数の画素電極２４、複数のダミー画素電極２４ｄ、および周辺電極２８は、第１積層体２０上に配置されており、同層に設けられる。複数の画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。複数のダミー画素電極２４ｄは、表示には寄与しないものの、複数の画素電極２４と同様に駆動制御される。例えば、複数のダミー画素電極２４ｄは、複数の画素電極２４に書き込まれる画像信号のノイズ対策等のために用いられる。周辺電極２８は、液晶層５中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ用の電極である。周辺電極２８は、例えば、平面視で枠状をなす。なお、周辺電極２８は複数設けられてもよく、平面視で枠状でなくてもよい。

【0015】

図１に示すように、複数のダミー画素電極２４ｄは、複数の画素電極２４を平面視で囲む。複数の画素電極２４、複数のダミー画素電極２４ｄおよび周辺電極２８のそれぞれは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。また、図２に示す第１配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。第１配向膜２９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子５０を配向させる。第１配向膜２９は、複数の画素電極２４、複数のダミー画素電極２４ｄ、および複数の周辺電極２８を覆うように配置される。第１配向膜２９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0016】

また、図１に示すように、第１基板２には、駆動回路１０と複数の外部端子１３とが配置される。駆動回路１０は、走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２とを含む。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、駆動回路１０から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子を含む。

【0017】

図２に示す第２基板３は、第１基板２に対向して配置される。第２基板３は、基板３１と、第２積層体３０と、対向電極３２と、第２配向膜３９と、見切り３８とを有する。基板３１、第２積層体３０、対向電極３２および第２配向膜３９は、この順にＺ２方向に積層される。また、後で詳述するが、第２基板３は、図４に示す複数の電極３３および導電部３４を有する。

【0018】

基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。第２積層体３０は、絶縁層３０１、レンズ層３０２、絶縁層３０３、レンズ層３０４、および絶縁層３０５を含む。絶縁層３０１、レンズ層３０２、絶縁層３０３、レンズ層３０４、および絶縁層３０５は、この順に基板３１からＺ２方向に積層される。各層は、透光性および絶縁性を有しており、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。

【0019】

絶縁層３０１は複数の凹部を有する。レンズ層３０２は、絶縁層３０３からＺ１方向に向かって突出する複数の凸状のレンズを有する。当該複数の凸状のレンズは、絶縁層３０１の複数の凹部に接触する。絶縁層３０３には、見切り３８が設けられる。見切り３８は、詳細な図示はしないが、平面視で複数の画素電極２４を囲む遮光性の見切りとして機能する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。レンズ層３０４は、絶縁層３０３からＺ２方向に向かって突出する複数の凸状のレンズを有する。絶縁層３０５は、複数の凹部を有する。当該複数の凹部は、レンズ層３０４の複数の凸状のレンズに接触する。絶縁層３０５は、対向電極３２に接触する。絶縁層３０５の対向電極３２に接触する面は、平坦面である。

【0020】

対向電極３２は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して対向する対向電極である。対向電極３２は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。対向電極３２は、透光性および導電性を有する。対向電極３２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。第２配向膜３９は、透光性および絶縁性を有する。第２配向膜３９は、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。第２配向膜３９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0021】

また、図１に示すように、第２基板３には、複数の基板間導通材６が設けられる。複数の基板間導通材６は、第１基板２との第２基板３とを電気的に接続するための導通材である。基板間導通材６は、第１基板２に配置される図示省略された引き回し配線を介して、複数の外部端子１３のいずれかの外部端子１３に接続される。よって、対向電極３２には、定電位Ｖｃｏｍが印加させる。

【0022】

シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等のＵＶ硬化性材料を含む。ＵＶは、ultravioletの略称であり、特に、波長１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光をいう。また、シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

【0023】

液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子５０を含む。液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

【0024】

図１に示すように、電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に設けられる周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２４が１対１で配置される。よって、複数の画素電極２４は行列状に配置される。一方、前述の対向電極３２は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。対向電極３２は、表示領域Ａ１０に設けられる。

【0025】

周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む枠状である。周辺領域Ａ２０は、ダミー画素領域Ａ２１と、周辺電極領域Ａ２２と、中間領域Ａ２３と、シール領域Ａ２４とを含む。これら領域の各平面形状は、枠状である。ダミー画素領域Ａ２１には、複数のダミー画素電極２４ｄが配置される。周辺電極領域Ａ２２には、周辺電極２８が配置される。中間領域Ａ２３は、平面視で周辺電極領域Ａ２２とシール領域Ａ２４との間に設けられる領域である。シール領域Ａ２４には、シール部材４が配置される。したがって、シール部材４は、対向電極３２の外側に設けられる。また、ダミー画素領域Ａ２１、周辺電極領域Ａ２２、および中間領域Ａ２３には、図２に示す見切り３８が配置される。また、周辺領域Ａ２０には、図１に示す走査線駆動回路１１、信号線駆動回路１２および複数の外部端子１３が配置される。

【0026】

かかる電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

【0027】

Ａ－２．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２には、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の定電位線２４３とが設けられる。これらは図２の第１積層体２０に設けられる。なお、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0028】

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0029】

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ａ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0030】

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２４および蓄積容量２５が設けられる。画素電極２４は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0031】

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４３は、ｎ本の走査線２４１およびｍ本の信号線２４２に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。ｎ本の定電位線２４３のそれぞれは、対応する蓄積容量２５が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される。各蓄積容量２５は、画素電極２４の電位を保持するための保持容量である。蓄積容量２５は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各蓄積容量２５が有する２つの電極のうちの他方は、対応する画素電極２４に電気的に接続される。したがって、蓄積容量２５の一方の電極には定電位Ｖｃｏｍが印加され、他方の電極はトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0032】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ａ２、…、およびＳｍの応じた電位が、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２４に印加される。これにより、画素電極２４と対向電極３２との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。また、蓄積容量２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

【0033】

１Ｃ．第２基板３
図４は、図２の第２基板３を示す平面図である。図４は、第２基板３をＺ１方向に見た平面図である。図４では、第２配向膜３９の図示が省略される。第２基板３は、対向電極３２、複数の電極３３および導電部３４を有する。また、第２基板３は、非導電領域Ｓ３を有する。

【0034】

対向電極３２の平面形状は、第２基板３の平面視での外形と同様に、四角形である。なお、前述の基板３１および第２積層体３０の各平面視形状も同様に四角形である。対向電極３２の平面積は、第２積層体３０の平面積よりも小さい。対向電極３２は、第２積層体３０の中央に位置する。なお、第２積層体３０の平面積は、基板３１の平面積とほぼ等しい。

【0035】

複数の電極３３は、前述の基板間導通材６による第１基板２との第２基板３との電気的な接続をとるために設けられる。複数の電極３３は、第２積層体３０上に配置されており、対向電極３２と同層に設けられる。各電極３３の材料は、対向電極３２と同材料である。本実施形態では、複数の電極３３として４つの電極３３が設けられる。４つの電極３３のそれぞれは、第２積層体３０の角部に設けられる。なお、各電極３３の平面形状は、四角形であるが、円形等の他の形状でもよい。

【0036】

導電部３４は、複数の導電線３４０を含む。各導電線３４０は、導電性を有し、対向電極３２と複数の電極３３とを接続する配線である。導電部３４は、第２積層体３０上に配置されており、対向電極３２と同層に設けられる。導電部３４の材料は、対向電極３２と同材料である。導電部３４、複数の電極３３および対向電極３２は、例えば、金属膜をエッチングすることにより一括で形成される。また、本実施形態では、複数の導電部３４は、４つの導電線３４０を有するが、１、２、３または５以上の導電線３４０を有してもよい。各導電線３４０は、平面視で、直線状であるが、湾曲していてもよい。

【0037】

非導電領域Ｓ３は、対向電極３２、複数の電極３３および導電部３４が設けられていない領域である。非導電領域Ｓ３は、対向電極３２の外側に配置される。さらに、非導電領域Ｓ３は、その他の導電性を有する膜が設けられていない領域である。導電性を有する膜としては、透明導電材料で形成された電極等を含む各種電極および各種配線等が挙げられる。本実施形態では、非導電領域Ｓ３として４つの非導電部Ｓ３０が設けられる。各非導電部Ｓ３０は、２つの導電線３４０の間に設けられる。非導電領域Ｓ３は、導電部３４を除き、平面視で対向電極３２を囲む枠状である。非導電領域Ｓ３には、シール部材４が設けられる。また、非導電領域Ｓ３は、ＵＶ光をシール部材４に到達させる波長開口部である。つまり、非導電領域Ｓ３は、それ以外の領域に比べ、ＵＶ光を透過させ易い領域であり、よって、ＵＶ光をシール部材４に到達させ易い。

【0038】

図５は、図２の第２基板３およびシール部材４を示す平面図である。図５は、第２基板３およびシール部材４をＺ１方向に見た平面図である。図５では、第２配向膜３９の図示が省略される。

【0039】

図５に示すように、複数の電極３３、導電部３４および非導電領域Ｓ３は、周辺領域Ａ２０に設けられる。特に、導電部３４、および非導電領域Ｓ３は、シール領域Ａ２４に設けられ、複数の電極３３は、平面視でシール領域Ａ２４の外側に設けられる。したがって、導電部３４、および非導電領域Ｓ３は、平面視でシール部材４に重なり、複数の電極３３は、平面視でシール部材４の外側に設けられる。また、導電部３４は、第２積層体３０からＺ１方向に突出している。このため、シール部材４は、導電部３４によって凹凸を有する。

【0040】

図６は、図２の電気光学装置１００の一部を示す図である。図６に示すように、シール部材４は、第１配向膜２９と第２積層体３０のそれぞれに接触する。シール部材４は、対向電極３２および第２配向膜３９に接触していない。また、シール部材４は、対向電極３２と離間し、平面視で対向電極３２および第２配向膜３９と異なる箇所に配置される。シール部材４は、対向電極３２および第２配向膜３９と接触していない。また、非導電領域Ｓ３は、対向電極３２および第２配向膜３９の外側に配置される。

【0041】

図７は、図６に示すシール部材４の形成方法を説明するための図である。図７に示すシール母材４ａは、図６のシール部材４の母材であり、硬化前のＵＶ硬化樹脂を含む。図７に示すように、第１基板２と第２基板３との間にシール母材４ａを配置する。シール母材４ａは、平面視で周辺領域Ａ２０の対向電極３２よりも外側の領域、すなわちシール領域Ａ２４に配置する。その後、シール領域Ａ２４において、第２基板３の外表面からＺ２方向に光Ｌを照射する。シール部材４への光Ｌの照射により、シール母材４ａが硬化し、シール部材４となり、シール部材４によって第１基板２および第２基板３が接合される。

【0042】

光Ｌとは、１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長域の光をいう。例えば、非導電領域Ｓ３の３８０ｎｍの透過率は、例えば、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。

【0043】

前述のように、第２基板３は、非導電領域Ｓ３を有する。非導電領域Ｓ３は、平面視でシール部材４と重なり、対向電極３２と同層に設けられており、導電部３４およびその他の導電性を有する膜が設けられていない。かかる非導電領域Ｓ３がシール領域Ａ２４に設けられることで、シール母材４ａを硬化させための光Ｌの照射時間を短くすることができる。よって、生産効率に低下を抑制することができる。さらに、光Ｌの照射時間を短くすることができるため、光Ｌの照射により第１基板２および第２基板３の温度上昇による液晶層５内への汚染物質の増加を抑制することができる。例えば、シール母材４ａに含まれる成分が液晶層５の汚染物質として液晶層５に浸入することを抑制することができる。よって、表示シミを抑制でき、この結果、表示品位の低下を抑制することができる。

【0044】

なお、導電性を有する膜は、光Ｌの透過率が第２積層体３０に比べて低い。このため、非導電領域Ｓ３の光Ｌの透過率は、平面視で導電部３４が設けられる部分よりも光Ｌの透過率が高い。また、非導電領域Ｓ３の光Ｌの透過率は、対向電極３２が設けられている領域、すなわち表示領域Ａ１０よりも高い。それゆえ、複数の非導電領域Ｓ３がシール領域Ａ２４に設けられることで、シール母材４ａを硬化させための光Ｌの照射時間を短くすることができる。

【0045】

非導電領域Ｓ３が設けられることによる効果を特に好適に発揮するためには、第２基板３のうちの非導電領域Ｓ３における光Ｌの透過率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。

【0046】

図１５は、シール領域Ａ２４における透過率Ａを説明するためのグラフである。図１５では、シール領域Ａ２４の非導電領域Ｓ３での透過率Ａが実線で示され、シール領域Ａ２４に薄膜なＩＴＯ膜が設けられている場合の透過率Ａが破線で示される。当該薄膜なＩＴＯ膜の厚さは、例えば、２０ｎｍである。図１５の縦軸は、透過率Ａ［％］を示す。図１５の横軸は、波長Ｎ［ｎｍ］を示し、図中右に行くほど波長が高い。図１５からも分かるように、ＩＴＯ膜が設けられていない非導電領域Ｓ３における透過率Ａは、ＩＴＯ膜が設けられている場合における透過率Ａよりも高い。なお、波長３８０ｎｍの光Ｌ以外のＵＶ光においても同様に、ＩＴＯ膜が設けられていない非導電領域Ｓ３における透過率Ａは、ＩＴＯ膜が設けられている場合における透過率Ａよりも高い。

【0047】

また、周辺領域Ａ２０における非導電領域Ｓ３の占有率は、導電部３４の占有率よりも高い。このため、非導電領域Ｓ３の占有率が導電部３４の占有率以下である場合に比べ、シール部材４の硬化時間を短くすることができる。なお、非導電領域Ｓ３の占有率が導電部３４の占有率以上であっても、非導電領域Ｓ３が設けられていない場合に比べれば、シール部材４の硬化時間を短くすることができる。

【0048】

占有率とは、平面形状の面積占有率であって、周辺領域の平面積における面積占有率である。占積率［％］は、周辺領域Ａ２０における面積比率であって、「非導電領域Ｓ３の面積÷周辺領域Ａ２０の面積：導電部３４の面積÷周辺領域面積」で求められる。

【0049】

周辺領域Ａ２０における非導電領域Ｓ３の占有率は、９０％以上１００％未満であることが好ましく、９５％以上１００％未満であることがより好ましく、９８％以上１００％未満であることがより好ましい。かかる下限値以上であることで、下限値未満である場合に比べ、シール部材４の硬化時間を大幅に短くすることができる。

【0050】

また、前述のように、非導電領域Ｓ３は、第２基板３に設けられる。第１基板２には、周辺領域Ａ２０に走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が設けられることに対し、第２基板３には、周辺領域Ａ２０に走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が設けられていない。このため、第２基板３は、第１基板２に比べて非導電領域Ｓ３の周辺領域Ａ２０における占有率の高くし易い。このため、第２基板３に非導電領域Ｓ３を設けることで、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２の配置の自由度が高まり、かつシール部材４の硬化時間を短縮することができる。

【0051】

なお、非導電領域Ｓ３および導電部３４は、第１基板２に設けられてもよい。この場合、第１基板２が「一方の基板」に相当し、第２基板３が「他方の基板」に相当する。この場合には、非導電領域Ｓ３の周辺領域Ａ２０における占有率を高くするよう、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２の配置を工夫すればよい。例えば、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２をシール領域Ａ２４に重ならないようにする。

【0052】

また、前述のように、第２基板３には、導電部３４が設けられる。導電部３４が有する各導電線３４０は、対向電極３２と基板間導通材６とを電気的に接続する接続配線である。そして、本実施形態では、シール領域Ａ２４において接続配線として機能する各導電線３４０以外の全ての領域を非導電領域Ｓ３としている。このため、シール部材４の硬化時間を大幅に短縮することができる。

【0053】

また、各導電線３４０の幅は、特に限定されないが、各導電線３４０に断線が生じ難く、かつ、非導電領域Ｓ３の占有率を高める観点から、例えば、５μｍ以上１０μｍ以下である。

【0054】

以上説明したように、電気光学装置１００では、シール領域Ａ２４には、従来の構成のように、対向電極３２の一部が平面視でシール部材４と重なっていない。このため、シール部材４の硬化時間を短くすることができる。さらに、従来の構成では、対向電極３２と基板間導通材６とを電気的な接続のために、対向電極３２の一部をシール領域Ａ２４に設ける必要がある。これに対し、電気光学装置１００では、導電部３４を設けることで、対向電極３２と基板間導通材６とを電気的な接続を確保しつつ、シール領域Ａ２４のうちの導電部３４以外の全ての領域を非導電領域Ｓ３として利用することができる。このため、従来の構成に比べ、シール部材４の硬化時間を大幅に短縮することができる。

【0055】

Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0056】

図８は、第２実施形態の電気光学装置１００Ａが有する導電部３４Ａを示す平面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ａは、第１実施形態の導電部３４の代わりに導電部３４Ａが設けられ、非導電領域Ｓ３の代わりに非導電領域Ｓ３Ａが設けられることが第１実施形態の電気光学装置１００と異なる。

【0057】

図８に示すように、導電部３４Ａは、平面視で網目状である。導電部３４Ａは、複数の第１導電線３４１と複数の第２導電線３４２とを含む。複数の第１導電線３４１および複数の第２導電線３４２のそれぞれは、対向電極３２と基板間導通材６とを電気的に接続する接続配線である。複数の第１導電線３４１と複数の第２導電線３４２とは、互いに交差し、行列状に配置される。複数の第１導電線３４１は、互いに離間し、Ｘ１方向に延びる。複数の第２導電線３４２は、互いに離間し、Ｙ１方向に延びる。かかる導電部３４Ａは、４つの電極３３に接続される。また、導電部３４Ａは、第２積層体３０からＺ１方向に突出している。このため、詳細な図示はしないが、シール部材４は、導電部３４Ａによって複数の凹凸を有する。

【0058】

非導電領域Ｓ３Ａは、導電性を有する膜が設けられていない領域である。非導電領域Ｓ３Ａは、複数の開口部Ｓ３１を含む。複数の開口部Ｓ３１は、平面視で、互いに離間し、シール領域Ａ２４において行列状に配置される。複数の開口部Ｓ３１は、複数の第１導電線３４１と複数の第２導電線３４２との間の領域である。

【0059】

導電部３４Ａの平面視形状が網目状であることで、導電部３４Ａに起因する第２積層体３０上のシール部材４の凹凸度合いを分散させることができ、かつ、シール部材４の凹凸度合いの分布の均一化を図ることができる。このため、第１実施形態に比べ、第２積層体３０および導電部３４Ａ上に配置されるシール部材４の均一性を高めることができる。よって、第１実施形態に比べ、第１基板２および第２基板３の距離の均一性を高めることができる。つまり、セルギャップの均一性を高めることができる。

【0060】

本実施形態では、導電部３４Ａの網目の開口率、すなわち周辺領域Ａ２０における非導電領域Ｓ３の占有率は、５０％以上１００％未満であることが好ましく、６０％以上１００％未満であることがより好ましく、８０％以上１００％未満であることがより好ましい。かかる下限値以上であることで、下限値未満である場合に比べ、網目状の導電部３４Ａを形成し易く、かつ、シール部材４の硬化時間を大幅に短くすることができる。

【0061】

占有率とは、平面形状の面積占有率であって、周辺領域の平面積における面積占有率である。占積率［％］は、周辺領域Ａ２０における面積比率であって、「非導電領域Ｓ３Ａの面積÷周辺領域Ａ２０の面積：導電部３４Ａの面積÷周辺領域面積」で求められる。特に、本実施形態では、非導電領域Ｓ３Ａは、複数の第１導電線３４１と複数の第２導電線３４２との間の複数の開口部Ｓ３１を含む。周辺領域Ａ２０の平面積における複数の開口部Ｓ３１の面積占有率の合計が非導電領域Ｓ３Ａの占有率に相当する。

【0062】

以上の第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来の比べ、シール部材４の硬化時間を大幅に短縮することができる。

【0063】

また、本実施形態では、導電部３４Ａは平面視で網目状であるが、シール部材４の凹凸度合いの均一化を図ることができれば、網目状以外の形状でもよい。導電部３４Ａは、例えば、ハニカム構造でもよい。また、導電部３４Ａは複数の第１導電線３４１および複数の第２導電線３４２のそれぞれは、曲線状でもよい。

【0064】

Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0065】

図９は、第４実施形態の電気光学装置１００Ｂの一部を示す断面図である。本実施形態では、第１基板２が反射膜２６を有することが第１実施形態と異なる。

【0066】

図９に示すように、本実施形態の第１基板２は、反射膜２６を有する。反射膜２６は、光Ｌに対する反射性を有する。反射膜２６は、第２積層体３０に設けられる。反射膜２６としては、例えば、第１基板２に設けられる配線２６０の一部を用いることができる。例えば、配線２６０は、アルミニウム膜および窒化チタン膜の積層体で構成される。窒化チタン膜は、入射光ＬＬの反射を避けるよう、入射光ＬＬを吸収するために設けられる。この場合、配線２６０のうちシール領域Ａ２４に設けられる部分は、窒化チタン膜の一部を除去してアルミニウム膜だけにする。こうすることで、配線２６０の一部を反射膜２６として用いることができる。このため、反射膜２６を別途設けずに済む。

【0067】

第１基板２に反射膜２６が設けられることで、第２基板３から入射した光Ｌを反射膜で反射させることができる。このため、反射膜２６で反射した反射光でシール部材４を第１基板２側から硬化させることができる。よって、光Ｌにより第２基板３側からシール部材４を硬化させるとともに、反射光により第１基板２側からもシール部材４を硬化させることができる。よって、反射膜２６がもうけられていることで、反射膜２６が設けられていない場合に比べ、シール部材４の硬化時間を短縮させることができる。

【0068】

反射膜２６としての機能を効果的に発揮するためには、反射膜２６による光Ｌの反射率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。

【0069】

なお、第１基板２に非導電領域Ｓ３が設けられており、光Ｌが第１基板２からＺ１方向に照射される場合、第２基板３に「反射膜」を設ければよい。また、反射膜２６は、配線２６０の一部でなくてもよく、配線２６０とは別で設けてもよい。

【0070】

以上の第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来の比べ、シール部材４の硬化時間を大幅に短縮することができる。

【0071】

Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0072】

図１０は、第４実施形態の電気光学装置１００Ｃの一部を示す断面図である。本実施形態では、第１基板２が吸収膜２７を有することが第１実施形態と異なる。

【0073】

図１０に示すように、本実施形態の第１基板２は、吸収膜２７を有する。吸収膜２７は、光Ｌを吸収する機能を有する。吸収膜２７は、第２積層体３０上の複数の画素電極２４と同層に設けられる。吸収膜２７の材料は、例えば、透明導電材料であり、複数の画素電極２４と同じである。吸収膜２７、および複数の画素電極２４は、例えば、透明導電膜をエッチングすることにより一括で形成される。

【0074】

第１基板２は吸収膜２７を有することで、第２基板３から入射した光Ｌを吸収膜２７で吸収させることができる。さらに、吸収膜２７を駆動回路１０よりもシール部材４に近い。吸収膜２７を例えば駆動回路１０よりもシール部材４の近くに配置することで、シール部材４を透過した光Ｌが駆動回路１０に到達することを抑制することができる。したがって、吸収膜２７は、駆動回路１０をＵＶ照射から保護する保護膜として機能する。このため、吸収膜２７が設けられることで、駆動回路１０が有する各要素がＵＶ照射により劣化することを抑制することができる。

【0075】

なお、吸収膜２７は、駆動回路１０以外の要素を保護する保護膜として機能してもよい。また、吸収膜２７は、第１積層体２０上でなく、第１積層体２０内に配置されてもよい。また、第１基板２に非導電領域Ｓ３が設けられており、光Ｌが第１基板２からＺ１方向に照射される場合、第２基板３に「吸収膜」を設ければよい。

【0076】

吸収膜２７としての機能を効果的に発揮するためには、吸収膜２７による光Ｌの吸収率は、５０％以上であることが好ましい。吸収率［％］は、（１００－透過率［％］－反射率［％］）である。

【0077】

以上の第４実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来の比べ、シール部材４の硬化時間を大幅に短縮することができる。

【0078】

Ｅ．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。

【0079】

図１１は、変形例の電気光学装置１００Ｄの断面図である。図１１に示す電気光学装置１００Ｄが有する第２配向膜３９Ｄは、延在部３９１を有する。延在部３９１は、第２配向膜３９Ｄのうちシール部材４と第２積層体３０との間に配置される部分である。延在部３９１は、対向電極３２から外側に向かって延在する。

【0080】

図１１に示すように、第２積層体３０とシール部材４とは直接的に接触しておらず、第２積層体３０とシール部材４との間には第２配向膜３９Ｄが介在していてもよい。また、第２配向膜３９Ｄ以外の他の膜が介在していてもよい。ただし、第２配向膜３９等の膜が介在していない方が、シール領域Ａ２４における第２基板３の光Ｌの透過率を高めることができる。

【0081】

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

【0082】

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

【0083】

また、前述した説明では、「電気光学装置」のの一例として液晶表示装置について説明したが、「電気光学装置」のはこれに限定されない。例えば、「電気光学装置」のは、イメージセンサー等にも適用することができる。

【0084】

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0085】

図１２は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0086】

図１３は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0087】

図１４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0088】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0089】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は表示品位の低下が抑制されている。このため、よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位の低下を抑制することができる。なお、電気光学装置１００の代わりに、電気光学装置１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃまたは１００Ｄを適用した場合にも同様の効果が得られる。

【0090】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0091】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【符号の説明】

【0092】

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、３…第２基板、４…シール部材、４ａ…シール母材、５…液晶層、６…基板間導通材、１０…駆動回路、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…第１積層体、２１…基板、２３…トランジスター、２４…画素電極、２４ｄ…ダミー画素電極、２５…蓄積容量、２６…反射膜、２７…吸収膜、２８…周辺電極、２９…第１配向膜、３０…第２積層体、３１…基板、３２…対向電極、３３…電極、３４…導電部、３４Ａ…導電部、３８…見切り、３９…第２配向膜、３９Ｄ…第２配向膜、５０…液晶分子、１００…電気光学装置、１００Ａ…電気光学装置、１００Ｂ…電気光学装置、１００Ｃ…電気光学装置、１００Ｄ…電気光学装置、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…定電位線、２６０…配線、３０１…絶縁層、３０２…レンズ層、３０３…絶縁層、３０４…レンズ層、３０５…絶縁層、３４０…導電線、３４１…第１導電線、３４２…第２導電線、３９１…延在部、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ…透過率、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…ダミー画素領域、Ａ２２…周辺電極領域、Ａ２３…中間領域、Ａ２４…シール領域、Ｌ…光、ＬＬ…入射光、Ｐ…画素、Ｓ３…非導電領域、Ｓ３Ａ…非導電領域、Ｓ３０…非導電部、Ｓ３１…開口部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】