特開 2024-104965 電気光学装置、および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024104965

(43)【公開日】2024-08-06

(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20240730BHJP

   G02F 1/1339 20060101ALI20240730BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20240730BHJP

   G02F 1/13 20060101ALN20240730BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G02F1/1339 505

G02F1/1333 500

G02F1/13 505

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023009435

(22)【出願日】2023-01-25

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003177

【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】宮脇 大介

【テーマコード（参考）】

2H088

2H092

2H189

2H190

【Ｆターム（参考）】

2H088EA14

2H088HA13

2H088HA21

2H088HA24

2H088KA26

2H088KA27

2H092GA15

2H092GA21

2H092HA04

2H092JB04

2H092KB02

2H092KB03

2H092KB12

2H092KB13

2H092NA25

2H092PA01

2H092PA04

2H092RA05

2H189DA04

2H189DA72

2H189EA04Y

2H189EA07X

2H189HA16

2H189KA17

2H189LA01

2H189LA03

2H189LA18

2H189MA07

2H190JA03

2H190JA05

2H190JB02

2H190LA01

2H190LA03

(57)【要約】

【課題】表示品位の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記周辺領域に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されるシール部材と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記表示領域に設けられ、透明導電材料を含み、前記電気光学層に電界を与える電極と、透明導電材料を含み、前記平面視で前記電極の外側に配置される周辺電極と、を有し、前記周辺電極のグレインサイズは、前記電極のグレインサイズよりも小さい。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記周辺領域に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されるシール部材と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記表示領域に設けられ、透明導電材料を含み、前記電気光学層に電界を与える電極と、透明導電材料を含み、前記平面視で前記電極の外側に配置される周辺電極と、を有し、
前記周辺電極のグレインサイズは、前記電極のグレインサイズよりも小さい、
ことを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記周辺電極の１１１面の配向度は、前記電極の１１１面の配向度よりも低い、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記周辺電極の抵抗値は、前記電極の抵抗値よりも低い、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記周辺電極の前記電気光学層とは反対の面に接触し、導電性を有する無機化合物を含む下地膜を、さらに備える、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、凹部を有し、
前記周辺電極は、前記凹部内に配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項6】

前記凹部は、前記シール部材と離間し、前記シール部材に沿って枠状に形成される溝である、
請求項５に記載の電気光学装置。

【請求項7】

前記周辺電極を含む複数の周辺電極を備え、
前記複数の周辺電極は、互いに離間する、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項8】

前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記電気光学層に接触する配向膜を、さらに備え、
前記配向膜は、前記電極に接触する第１部分と、前記周辺電極に接触する第２部分と、を含み、
前記第２部分のグレインサイズは、前記第１部分のグレインサイズよりも小さい、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項9】

請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。

【0003】

特許文献１に記載の電気光学装置は、素子基板と、対向基板と、これら基板を貼り合わせるシール部材と、これら基板の間に設けられる液晶層と、を有する。素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方の基板の液晶層と接する面には、イオン性不純物を保持するための凹状のイオン吸着部が形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２－２５２０３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

イオン性不純物が液晶層で留まると、イオン性不純物の凝縮物により表示シミが発生してしまい、表示品位の低下を招いてしまう。このため、イオン性不純物を保持するトラップ能力の更なる向上が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の電気光学装置の一態様は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記周辺領域に設けられ、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されるシール部材と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記表示領域に設けられ、透明導電材料を含み、前記電気光学層に電界を与える電極と、透明導電材料を含み、前記平面視で前記電極の外側に配置される周辺電極と、を有し、前記周辺電極のグレインサイズは、前記電極のグレインサイズよりも小さい。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。

【図2】図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。

【図3】図１の第１基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図4】図２の電気光学装置の一部を拡大した図である。

【図5】図４の周辺電極の平面的な配置を示す図である。

【図6】第２実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。

【図7】図６の周辺電極の平面図である。

【図8】第３実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。

【図9】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図10】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図11】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【図12】配向膜が有する第１部分の表面の画像である。

【図13】配向膜が有する第２部分の表面の画像である。

【図14】第４実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0009】

１．電気光学装置
Ａ．第１実施形態
Ａ－１．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。

【0010】

また、本明細書において、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。

【0011】

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の電気光学装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。図２に示すように、第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、第１基板２、液晶層５および第２基板３の重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。

【0012】

図２に示す電気光学装置１００は透過型であって、第１基板２および第２基板３は、透光性を有する。具体的には、入射光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

【0013】

第１基板２は、基板２１と、積層体２０と、複数の画素電極２２と、複数のダミー画素電極２２ｄと、周辺電極２５と、下地膜２６と、配向膜２９とを有する。基板２１、積層体２０、複数の画素電極２２および配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。

【0014】

基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体２０は、詳細な図示はしないが、透光性を有する複数の絶縁膜を含む。当該複数の絶縁膜は、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料を含む。また、詳細な図示はしないが、積層体２０には、各種配線等が設けられる。複数の画素電極２２、および複数のダミー画素電極２２ｄは、積層体２０上に配置されており、同層に設けられる。複数の画素電極２２は、液晶層５に電界を与える電極である。複数の画素電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む透明導電膜である。複数のダミー画素電極２２ｄは、表示には寄与しないものの、複数の画素電極２２と同様に駆動制御される。例えば、複数のダミー画素電極２２ｄは、複数の画素電極２２に書き込まれる画像信号のノイズ対策等のために用いられる。複数のダミー画素電極２２ｄは、複数の画素電極２２を平面視で囲む。複数のダミー画素電極２２ｄは、透明導電材料を含む。

【0015】

周辺電極２５および下地膜２６は、積層体２０に配置される。周辺電極２５は、液晶層５中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ用電極である。周辺電極２５は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む透明導電膜である。下地膜２６は、周辺電極２５の下層に配置され、周辺電極２５に接触する。下地膜２６は、導電性を有する無機化合物を含み、遮光性を有する。配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜２９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子５０を配向させる。配向膜２９は、複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２５を覆い、これらに接触する。配向膜２９の材料は、例えば酸化ケイ素等である。

【0016】

また、図１に示すように、第１基板２には、駆動回路１０と複数の外部端子１３とが配置される。駆動回路１０は、走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２とを含む。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子を含む。

【0017】

図２に示すように、第２基板３は、第１基板２に対向する。第２基板３は、基板３１と、積層体３０と、電極部３００と、下地膜３６と、配向膜３９と、見切り３８とを有する。電極部３００は、対向電極３２および周辺電極３５を含む。基板３１、積層体３０、対向電極３２および配向膜３９は、この順にＺ２方向に積層される。

【0018】

基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体３０は、絶縁層３０１、レンズ層３０２、絶縁層３０３、レンズ層３０４、および絶縁層３０５を含む。絶縁層３０１、レンズ層３０２、絶縁層３０３、レンズ層３０４、および絶縁層３０５は、この順に基板３１からＺ２方向に積層される。各層は、透光性および絶縁性を有しており、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。

【0019】

絶縁層３０１は複数の凹みを有する。レンズ層３０２は、絶縁層３０３からＺ１方向に向かって突出する複数の凸状のレンズを有する。当該複数の凸状のレンズは、絶縁層３０１の複数の凹みに接触する。絶縁層３０３には、見切り３８が設けられる。見切り３８は、詳細な図示はしないが、平面視で複数の画素電極２２を囲む遮光性の見切りとして機能する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１５％以下であることをいう。レンズ層３０４は、絶縁層３０３からＺ２方向に向かって突出する複数の凸状のレンズを有する。絶縁層３０５は、複数の凹みを有する。当該複数の凹みは、レンズ層３０４の複数の凸状のレンズに接触する。絶縁層３０５は、対向電極３２に接触する。絶縁層３０５の対向電極３２に接触する面は、平坦面である。なお、積層体３０は、レンズを有していなくてもよく、１層で構成されてもよい。

【0020】

電極部３００は、積層体３０と配向膜３９との間に配置される導電性を有する膜である。電極部３００は、前述のように、対向電極３２および周辺電極３５を含む。対向電極３２は、電極部３００のうち、複数の画素電極２２に対して液晶層５を介して対向する部分である。対向電極３２は、液晶層５に電界を与える電極である。対向電極３２は、透光性および導電性を有する。対向電極３２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む透明導電膜である。周辺電極３５は、対向電極３２の外側に配置される。周辺電極３５は、液晶層５中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ用電極である。周辺電極３５は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む透明導電膜である。下地膜３６は、周辺電極３５の下層に配置され、周辺電極３５に接触する。下地膜３６は、導電性を有する無機化合物を含み、遮光性を有する。配向膜３９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜３９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。配向膜３９は、電極部３００を覆い、電極部３００に接触する。配向膜３９の材料は、例えば酸化ケイ素等である。

【0021】

また、図１に示すように、第２基板３には、複数の基板間導通材６が設けられる。複数の基板間導通材６は、第１基板２との第２基板３とを電気的に接続するための導通材である。基板間導通材６は、第１基板２に配置される図示省略された引き回し配線を介して、複数の外部端子１３のうちの定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子に接続される。よって、対向電極３２には定電位Ｖｃｏｍが印加させる。

【0022】

シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置され、液晶層５をシールする。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等のＵＶ硬化性材料を含む。ＵＶは、ultravioletの略称であり、特に、波長１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光をいう。また、シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

【0023】

液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子５０を含む。液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

【0024】

図１に示すように、電気光学装置１００は、表示領域Ａ１０と周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、画像が表示される領域である。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２２が１対１で配置される。前述の対向電極３２は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。

【0025】

周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０の外側に設けられる。周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む枠状である。周辺領域Ａ２０は、ダミー画素領域Ａ２１と、周辺電極領域Ａ２２と、中間領域Ａ２３と、シール領域Ａ２４とを含む。これら領域の各平面形状は、枠状である。ダミー画素領域Ａ２１には、複数のダミー画素電極２２ｄが配置される。周辺電極領域Ａ２２には、複数の周辺電極２５が配置される。中間領域Ａ２３は、平面視で周辺電極領域Ａ２２とシール領域Ａ２４との間の領域である。シール領域Ａ２４には、シール部材４が配置される。したがって、シール部材４は、対向電極３２の外側に設けられる。また、ダミー画素領域Ａ２１、周辺電極領域Ａ２２、および中間領域Ａ２３には、見切り３８が配置される。また、周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１、信号線駆動回路１２および複数の外部端子１３が配置される。

【0026】

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

【0027】

Ａ－２．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２は、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の定電位線２４３とを有する。これらは、図２の積層体２０に配置される。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。また、ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0028】

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0029】

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0030】

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２２および蓄積容量２４が設けられる。画素電極２２は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。各画素電極２２は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0031】

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４３は、ｎ本の走査線２４１およびｍ本の信号線２４２に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。ｎ本の定電位線２４３のそれぞれは、対応する蓄積容量２４が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される。各蓄積容量２４は、画素電極２２の電位を保持するための保持容量である。蓄積容量２４は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各蓄積容量２４が有する２つの電極のうちの他方は、対応する画素電極２２に電気的に接続される。したがって、蓄積容量２４の一方の電極には定電位Ｖｃｏｍが印加され、他方の電極はトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0032】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍの応じた電位が、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２２に印加される。これにより、画素電極２２と対向電極３２との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。また、蓄積容量２４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子５０の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

【0033】

１Ｃ．周辺電極２５および３５
図４は、図２の電気光学装置の一部を拡大した図である。図４に示すように、第１基板２は、周辺電極２５および側壁部２７を有する。周辺電極２５および側壁部２７は、積層体２０に設けられる。具体的には、周辺電極２５および側壁部２７は、積層体２０に形成された凹部２１０内に配置される。凹部２１０は、積層体２０の液晶層５を向く面に形成された溝である。各凹部２１０は、周辺領域Ａ２０に設けられ、表示領域Ａ１０の外側に位置する。

【0034】

周辺電極２５は、凹部２１０の底部に配置される。側壁部２７は、周辺電極２５に接続され、凹部２１０の側壁に配置される。また、周辺電極２５は、第１面２５１と第２面２５２とを含む。第１面２５１は、配向膜２９に接触する面であり、液晶層５を向く面である。第２面２５２は、下地膜２６と接触する面であり、周辺電極２５の液晶層５とは反対の面である。

【0035】

周辺電極２５は、例えば、複数の画素電極２２と同じ材料である。周辺電極２５および複数の画素電極２２は、例えば、積層体２０上に一様に形成された膜をエッチングすることにより一括で形成される。また、周辺電極２５および複数の画素電極２２のそれぞれは、複数の結晶粒子を有する。そして、周辺電極２５のグレインサイズ、すなわち粒径は、各画素電極２２のグレインサイズよりも低い。

【0036】

第２基板３は、周辺電極３５および側壁部３７を有する。周辺電極３５および側壁部３７は、積層体３０に設けられる。具体的には、周辺電極３５および側壁部３７は、電極部３００のうち、積層体３０に形成された凹部３１０内に配置される部分である。凹部３１０は、積層体３０の液晶層５を向く面に形成された溝である。各凹部３１０は、周辺領域Ａ２０に設けられ、表示領域Ａ１０の外側に位置する。

【0037】

周辺電極３５は、凹部３１０の底部に配置される。側壁部３７は、周辺電極３５に接続され、凹部３１０の側壁に配置される。また、周辺電極３５は、第１面３５１と第２面３５２とを含む。第１面３５１は、配向膜３９に接触する面であり、液晶層５を向く面である。第２面３５２は、下地膜３６と接触する面であり、周辺電極３５の液晶層５とは反対の面である。

【0038】

周辺電極３５は、対向電極３２と同じ材料であり、対向電極３２と一体である。また、周辺電極３５および対向電極３２のそれぞれは、複数の結晶粒子を有する。そして、周辺電極３５のグレインサイズは、対向電極３２のグレインサイズよりも低い。

【0039】

ここで、シール部材４、液晶層５、配向膜２９および３９に光が入射すると、光化学反応によりイオン性不純物が発生する。例えば、液晶層５の紫外線劣化により、液晶材料から離脱したイオン性不純物が液晶層５中に拡散する。当該イオン性不純物、すなわち液晶の分解物が凝集すると、例えば、シミ等の発生により凝集物が局在化することによりシミが発生するおそれがある。この結果、表示品位の劣化を招くおそれがある。このため、表示領域Ａ１０中にイオン性物質が留まることは好ましくない。そこで、電気光学装置１００では、当該イオン性物質をトラップするために、周辺電極２５および３５を備えている。

【0040】

前述のように、周辺電極２５のグレインサイズは、各画素電極２２のグレインサイズよりも小さい。このため、周辺電極２５のグレインサイズが各画素電極２２のグレインサイズ以上である場合に比べ、周辺電極２５にイオン性不純物を留らませ易い。このため、表示領域Ａ１０中のイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。よって、イオン性不純物が、表示領域Ａ１０に留まることが抑制される。加えて、周辺電極２５に留まっているイオン性物質が表示領域Ａ１０に再度拡散するおそれを効果的に抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

【0041】

同様に、周辺電極３５のグレインサイズは、対向電極３２のグレインサイズよりも小さい。このため、周辺電極３５のグレインサイズが対向電極３２のグレインサイズ以上である場合に比べ、周辺電極３５にイオン性不純物を留らませ易い。このため、表示領域Ａ１０中のイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。よって、イオン性不純物が、表示領域Ａ１０に留まることが抑制される。加えて、周辺電極３５に留まっているイオン性物質が表示領域Ａ１０に再度拡散するおそれを効果的に抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

【0042】

なお、周辺電極２５および３５のうちのいずれか一方は、省略されてもよい。ただし、周辺電極２５および３５の両方が設けられることで、一方が設けられる場合に比べ、イオン性不純物が表示領域Ａ１０に留まることを抑制することができる。

【0043】

また、周辺電極２５の結晶性は、複数の画素電極２２の結晶性よりも高い。同様に、周辺電極３５の結晶性は、対向電極３２の結晶性よりも高い。例えば、周辺電極２５、３５、対向電極３２および画素電極２２がＩＴＯを含む場合、ＩＴＯのＩｎ_２Ｏ_３結晶子は（１１１）方位の三角錐状の構造を作り、緻密に整列する。立方形状のＩｎ_２Ｏ_３は（１１１）方位面に結晶子すなわち立方晶構造が緻密に整列する。

【0044】

周辺電極２５の１１１面の配向度は、各画素電極２２の１１１面の配向度よりも低い。配向度が低いとイオントラップ性が高まる。このため、周辺電極２５の１１１面の配向度が各画素電極２２の１１１面の配向度よりも低いことで、周辺電極２５を、イオン性不純物をトラップするイオントラップ電極として機能させることができる。

【0045】

同様に、周辺電極３５の１１１面の配向度が対向電極３２の１１１面の配向度よりも低い。このため、周辺電極３５を、イオン性不純物をトラップするイオントラップ電極として機能させることができる。よって、イオン性不純物が、表示領域Ａ１０に留まることが抑制される。

【0046】

各画素電極２２の１１１面の配向度は、５０％以上であることが好ましく、周辺電極２５の１１１面の配向度は、５０％未満であることが好ましい。別の言い方をすれば、各画素電極２２は、１１１面の配向が強い。同様に、対向電極３２の１１１面の配向度は、５０％以上であることが好ましく、周辺電極３５の１１１面の配向度は、５０％未満であることが好ましい。別の言い方をすれば、対向電極３２は、１１１面の配向が強い。配向度は、Ｘ線回折法で測定される。配向度は、Ｘ線回折パターンのピーク強度から求められ、配向が他の方向への配向に比べて高められている度合をいう。

【0047】

特に、周辺電極２５および３５は、アモルファスであることが好ましい。アモルファスであることで、アモルファスでない場合に比べ、イオン性不純物をトラップする機能を好適に発揮することができる。

【0048】

加えて、周辺電極２５の抵抗値は、各画素電極２２の抵抗値よりも低い。このため、周辺電極２５にイオン性不純物を留らませ易くなる。また、イオン性不純物を特に効果的に留らませるためには、周辺電極２５の抵抗値［Ω／ｃｍ^２］は、各画素電極２２の抵抗値［Ω／ｃｍ^２］の１／２以下であることが好ましい。周辺電極２５の抵抗値は、具体的には例えば、５．０［Ω／ｃｍ^２］以上７．０［Ω／ｃｍ^２］以下である。各画素電極２２の抵抗値は、具体的には例えば、１０．０［Ω／ｃｍ^２］以上１４．０［Ω／ｃｍ^２］以下である。なお、周辺電極２５の抵抗値は、各画素電極２２の抵抗値以上でもよい。

【0049】

同様に、周辺電極３５の抵抗値は、対向電極３２の抵抗値よりも低い。このため、周辺電極３５にイオン性不純物を留らませ易くなる。なお、周辺電極３５の抵抗値は、対向電極３２の抵抗値以上でもよい。

【0050】

また、前述のように、周辺電極２５は、凹部２１０内に設けられる。このため、周辺電極２５が平坦面上に設けられる場合に比べ、周辺電極２５にイオン性不純物を留らませ易く、かつ、イオン性物質が表示領域Ａ１０に再度拡散し難い。よって、長期にわたり、表示品位の低下を抑制することができる。

【0051】

同様に、周辺電極３５は、凹部３１０内に設けられる。このため、周辺電極３５が平坦面上に設けられる場合に比べ、周辺電極３５にイオン性不純物を留らませ易く、かつ、イオン性物質が表示領域Ａ１０に再度拡散し難い。よって、長期にわたり、表示品位の低下を抑制することができる。

【0052】

なお、凹部２１０および３１０の各深さは特に限定されないが、深いほどイオントラップ性能を向上させることができる。

【0053】

また、周辺電極２５の厚さは特に限定されないが、画素電極２２と周辺電極２５とを一括で形成することによる製造の容易性の観点から、例えば各画素電極２２の厚さと同様であることが好ましい。同様に、周辺電極３５の厚さは特に限定されないが、対向電極３２と周辺電極２５とを一括で形成することによる製造の容易性の観点から、例えば対向電極３２の厚さと同様であることが好ましい。

【0054】

１Ｄ．下地膜２６および２７
図４に示すように、下地膜２６は、周辺電極２５の下層に設けられる。具体的には、凹部２１０の底面は開口しており、下地膜２６は、周辺電極２５の第２面２５２に接触する。したがって、下地膜２６上に周辺電極２５が設けられている。下地膜２６は、前述のように、導電性を有する無機化合物を含む。具体的には例えば、下地膜２６の材料としては、ＴｉＮ（窒化チタン）、およびＷＳｉ（タングステンシリサイド）等の導電性を有する無機化合物が挙げられる。

【0055】

下地膜２６上に周辺電極２５が形成されることで、周辺電極２５のグレインサイズを各画素電極２２のグレインサイズよりも小さくすることができる。なお、各画素電極２２は、積層体２０に接触する。積層体２０を形成する複数の絶縁膜は、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成されており、導電性を有していない。周辺電極２５は複数の画素電極２２と同一材料であるが、下地膜２６上に周辺電極２５を形成することで、周辺電極２５のグレインサイズを複数の画素電極２２のグレインサイズよりも小さくすることができる。

【0056】

同様に、下地膜３６は、周辺電極３５の下層に設けられる。具体的には、凹部３１０の底面は開口しており、下地膜３６は、周辺電極３５の第２面３５２に接触する。したがって、下地膜３６上に周辺電極３５が設けられている。下地膜３６は、前述のように、導電性を有する無機化合物を含む。具体的には例えば、下地膜３６の材料としては、ＴｉＮ、およびＷＳｉ等の導電性を有する無機化合物が挙げられる。

【0057】

下地膜３６上に周辺電極２５が形成されることで、周辺電極３５の１１１面のグレインサイズを対向電極３２の１１１面のグレインサイズよりも小さくすることができる。なお、対向電極３２は、積層体３０に接触する。積層体３０を形成する複数の絶縁膜は、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成されており、導電性を有していない。周辺電極３５は対向電極３２と同一材料であるが、下地膜３６上に周辺電極２５を形成することで、周辺電極２５のグレインサイズを対向電極３２のグレインサイズよりも小さくすることができる。

【0058】

１Ｅ．配向膜２９および３９
図４に示すように、配向膜２９は、周辺電極２５および複数の画素電極２２上に設けられる。配向膜２９は、複数の第１部分２９１と第２部分２９２とを含む。複数の第１部分２９１は、複数の画素電極２２上の部分である。第２部分２９２は、周辺電極２５上の部分である。また、配向膜２９は、欠損部Ｈ２を有する。配向膜２９は、例えば、斜方蒸着により形成される。このため、斜方蒸着により配向膜２９を形成する際、凹部２１０の壁面が陰になり、配向膜２９が蒸着されない部分が生じる。当該部分が欠損部Ｈ２である。

【0059】

同様に、周辺電極３５および対向電極３２上には、配向膜３９が設けられる。配向膜３９は、第１部分３９１と第２部分３９２とを含む。第１部分３９１は、対向電極３２上の部分である。第２部分３９２は、周辺電極３５上の部分である。また、配向膜３９は、欠損部Ｈ３を有する。配向膜３９は、例えば、斜方蒸着により形成される。このため、斜方蒸着により配向膜３９を形成する際、凹部３１０の壁面が陰になり、配向膜３９が蒸着されない部分が生じる。当該部分が欠損部Ｈ３である。

【0060】

周辺電極２５のグレインサイズが複数の画素電極２２のグレインサイズよりも小さいことで、第２部分２９２のグレインサイズを第１部分２９１のグレインサイズよりも小さくすることができる。よって、第２部分２９２は、周辺電極２５のトラップ性を発揮する。このため、第２部分２９２を、イオン性不純物をトラップするイオントラップ部として機能させることができる。また、欠損部Ｈ２が存在していても、存在していない場合と変わらず、第２部分２９２は、トラップ性能を発揮することができる。

【0061】

同様に、周辺電極３５のグレインサイズが対向電極３２のグレインサイズよりも小さいことで、第２部分３９２のグレインサイズを第１部分３９１のグレインサイズよりも小さくすることができる。よって、第２部分３９２は、周辺電極３５のトラップ性を発揮する。このため、第２部分３９２を、イオン性不純物をトラップするイオントラップ部として機能させることができる。また、欠損部Ｈ３が存在していても、存在していない場合と変わらず、第２部分３９２は、トラップ性能を発揮することができる。

【0062】

図１２は、配向膜２９が有する第１部分２９１の表面の画像である。図１３は、配向膜２９が有する第２部分２９２の表面の画像である。図１２および図１３に示すように、第２部分２９２のグレインサイズは、第１部分２９１のグレインサイズよりも小さい。第２部分２９２の１１１面の配向度は、第１部分２９１の１１１面の配向度よりも低い。また、特に、図１３に示すように、第２部分２９２の表面は、アモルファスである。

【0063】

なお、画像では示さないが、第１部分３９１の表面は、図１２に示す画像と同様である。第２部分３９２の表面は、図１３に示す画像と同様であり、アモルファスである。

【0064】

また、本実施形態では、配向膜２９は周辺電極２５上に設けられる第２部分２９２を有するが、配向膜２９は、周辺電極２５上に配置されていなくてもよい。よって、第２部分２９２は存在していなくてもよい。同様に、配向膜３９は周辺電極３５上に設けられる第２部分３９２を有するが、配向膜３９は、周辺電極３５上に配置されていなくてもよい。よって、第２部分３９２は存在していなくてもよい。

【0065】

１Ｆ．周辺電極２５および３５の平面配置
図５は、図４の周辺電極２５および３５の平面的な配置を示す図である。図５に示すように、凹部２１０および３１０は、周辺領域Ａ２０に配置されており、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。よって、周辺電極２５および３５は、周辺領域Ａ２０に配置されており、表示領域Ａ１０を囲む。したがって、詳細な図示はしないが、周辺電極２５および３５は、平面視で、複数の画素電極２２および対向電極３２を囲む。

【0066】

また、凹部２１０および３１０は、シール部材４と離間し、シール部材４の内縁に沿って枠状に形成される溝である。したがって、周辺電極２５および３５は、シール部材４と離間し、シール部材４の内縁に沿って枠状に配置される。周辺電極２５および３５が枠状であることで、液晶層５中のイオン性不純物を液晶層５の全周に渡ってトラップし易い。なお、周辺電極２５および３５が枠状でなくてもよく、例えば点在していてもよい。

【0067】

以上説明したように、電気光学装置１００は、前述の周辺電極２５および３５を有するため、従来よりもイオントラップ性能をより向上させることができる。このため、従来の構成に比べ、イオン性不純物の凝縮物により表示シミが発生するおそれが低減される。よって、従来の構成よりも表示品位の低下をさらに抑制することができる。

【0068】

Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0069】

図６は、第２実施形態の電気光学装置１００Ａの一部を示す断面図である。図７は、図６の周辺電極２５および３５の平面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ａは、複数の凹部２１０、複数の凹部３１０、複数の周辺電極２５、および複数の周辺電極３５を有することが第１実施形態の電気光学装置１００と異なる。なお、第２実施形態では中間領域Ａ２３が省略される。

【0070】

図６に示すように、電気光学装置１００Ａの第１基板２Ａが有する積層体２０Ａは、複数の凹部２１０を有する。図示の例では、積層体２０Ａは、複数の凹部２１０として３つの凹部２１０を有する。図７に示すように、各凹部２１０は、シール部材４と離間し、シール部材４の内縁に沿って枠状に配置される。また、３つの凹部２１０は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。

【0071】

図６に示すように、第１基板２Ａは、複数の周辺電極２５および複数の側壁部２７を含む。複数の周辺電極２５および複数の側壁部２７は、複数の凹部２１０に１対１で配置される。図７に示すように、各周辺電極２５は、シール部材４と離間し、シール部材４の内縁に沿って枠状に配置される。また、３つの周辺電極２５は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。

【0072】

図６に示すように、電気光学装置１００Ａの第２基板３Ａが有する積層体３０Ａは、複数の凹部３１０を有する。図示の例では、積層体３０Ａは、複数の凹部３１０として３つの凹部３１０を有する。図７に示すように、各凹部３１０は、シール部材４と離間し、シール部材４の内縁に沿って枠状に配置される。また、３つの凹部３１０は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。

【0073】

図６に示すように、第２基板３Ａは、複数の周辺電極３５および複数の側壁部３７を含む。複数の周辺電極３５および複数の側壁部３７は、複数の凹部３１０に１対１で配置される。図７に示すように、各周辺電極３５は、シール部材４と離間し、シール部材４の内縁に沿って枠状に配置される。また、３つの周辺電極３５は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。

【0074】

複数の周辺電極２５を備えることで、１つの周辺電極２５を有する場合に比べ、イオントラップ性能を向上させることができる。よって、表示品位の低下をより抑制することができる。同様に、複数の周辺電極３５を備えることで、１つの周辺電極３５を有する場合に比べ、イオントラップ性能を向上させることができる。よって、従来よりも表示シミを低減することができ、この結果、従来よりも表示品位の低下をより抑制することができる。

【0075】

Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0076】

図８は、第３実施形態の電気光学装置１００Ｂの一部を示す断面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ｂは、周辺電極２５および３５の代わりに、周辺電極２５Ｂおよび３５Ｂを有することが第１実施形態の電気光学装置１００と異なる。

【0077】

図８に示すように、第１基板２Ｂが有する積層体２０Ｂは、凹部２０１Ｂを有する。凹部２０１Ｂ内に下地膜２６が配置される。下地膜２６の液晶層５を向く面と積層体２０Ｂの液晶層５を向く面とは、連続しており、平坦である。下地膜２６は、周辺電極２５Ｂの第２面２５２に接触する。周辺電極２５Ｂは、凹部２０１Ｂ内に配置されておらず、平坦面上に配置されていると捉えられる。

【0078】

同様に、第２基板３Ｂが有する積層体３０Ｂは、凹部３１０Ｂを有する。凹部３１０Ｂ内に下地膜３６が配置される。下地膜３６の液晶層５を向く面と積層体３０Ｂの液晶層５を向く面とは、連続しており、平坦である。下地膜３６は、周辺電極３５Ｂの第２面３５２に接触する。周辺電極３５Ｂは、凹部３１０Ｂ内に配置されておらず、平坦面上に配置されていると捉えられる。周辺電極３５Ｂは、電極部３００Ｂのうちの下地膜３６に接触する部分である。

【0079】

本実施形態においても第１実施形態と同様に、周辺電極２５Ｂのグレインサイズは、複数の画素電極２２のグレインサイズよりも小さい。また、周辺電極３５Ｂのグレインサイズは、対向電極３２のグレインサイズよりも小さい。このため、従来の構成よりも、周辺電極２５Ｂおよび３５Ｂはイオン性不純物のイオントラップ性能に優れる。よって、従来よりも表示シミを低減することができ、この結果、従来よりも表示品位の低下をより抑制することができる。

【0080】

また、第１実施形態と同様に、配向膜２９は、周辺電極２５Ｂおよび複数の画素電極２２上に配置される。配向膜２９の第２部分２９２のグレインサイズは、第１部分２９１のグレインサイズよりも小さい。よって、第２部分２９２は、周辺電極２５Ｂのトラップ性を発揮する。同様に、配向膜３９は、周辺電極３５Ｂおよび対向電極３２上に配置される。配向膜３９の第２部分３９２のグレインサイズは、第１部分３９１のグレインサイズよりも小さい。よって、第２部分３９２は、周辺電極３５Ｂのトラップ性を発揮する。

【0081】

Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0082】

図１４は、第４実施形態の電気光学装置１００Ｃの一部を示す断面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ｃは、積層体２０、３０、周辺電極２５および３５、下地膜２６および３６の代わりに、積層体２０Ｃ、３０Ｃ、周辺電極２５Ｃおよび３５Ｃ、下地膜２６Ｃおよび３６Ｃを有することが第１実施形態の電気光学装置１００と異なる。

【0083】

図１４に示すように、第１基板２Ｃが有する積層体２０Ｃの液晶層５を向く面は、平坦面であり、積層体２０Ｃには凹部２０１が設けられていない。下地膜２６Ｃは、当該平坦面上に配置される。周辺電極２５Ｃは、下地膜２６Ｃ上に配置される。よって、下地膜２６Ｃおよび周辺電極２５Ｃは、積層体２０Ｃから突出している。

【0084】

同様に、第２基板３Ｃが有する積層体３０Ｃの液晶層５を向く面は、平坦面であり、積層体３０Ｃには凹部３１０が設けられていない。下地膜３６Ｃは、当該平坦面上に配置される。周辺電極３５Ｃは、下地膜３６Ｃ上に配置される。よって、下地膜３６Ｃおよび周辺電極３５Ｃは、積層体２０Ｃから突出している。なお、周辺電極３５Ｃは、電極部３００Ｃのうちの下地膜３６Ｃに接触する部分である。

【0085】

本実施形態においても第１実施形態と同様に、周辺電極２５Ｃのグレインサイズは、複数の画素電極２２のグレインサイズよりも小さい。また、周辺電極３５Ｃのグレインサイズは、対向電極３２のグレインサイズよりも小さい。このため、従来の構成よりも、周辺電極２５Ｃおよび３５Ｃはイオン性不純物のイオントラップ性能に優れる。よって、従来よりも表示シミを低減することができ、この結果、従来よりも表示品位の低下をより抑制することができる。

【0086】

また、第１実施形態と同様に、配向膜２９は、周辺電極２５Ｃおよび複数の画素電極２２上に配置される。配向膜２９の第２部分２９２のグレインサイズは、第１部分２９１の１１１面のグレインサイズよりも小さい。よって、第２部分２９２は、周辺電極２５Ｂのトラップ性を発揮する。同様に、配向膜３９は、周辺電極３５Ｃおよび対向電極３２上に配置される。配向膜３９の第２部分３９２のグレインサイズは、第１部分３９１のグレインサイズよりも小さい。よって、第２部分３９２は、周辺電極３５Ｃのトラップ性を発揮する。

【0087】

Ｅ．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

【0088】

第１基板２が有する「周辺電極」の数と、第２基板３が有する「周辺電極」の数とは、互いに同じでなくてもよく、異なっていてもよい。また、第１基板２および第２基板３のうちのいずれか一方は、凹部内に「周辺電極」が配置されており、他方は、平坦面上に「周辺電極」が配置されてもよい。また、第１基板２が有する「周辺電極」と、第２基板３が有する「周辺電極」とは、平面視で重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。また、第１基板２および第２基板３のうちのいずれか一方に「周辺電極」が配置され、他方には「周辺電極」が配置されていなくてもよい。

【0089】

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

【0090】

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

【0091】

また、前述した説明では、「電気光学装置」の一例として液晶表示装置について説明したが、「電気光学装置」のはこれに限定されない。例えば、「電気光学装置」のは、イメージセンサー等にも適用することができる。

【0092】

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0093】

図９は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0094】

図１０は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0095】

図１１は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0096】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0097】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は表示品位の低下が抑制されている。このため、よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位の低下を抑制することができる。なお、電気光学装置１００の代わりに、電気光学装置１００Ａ、または１００Ｂを適用した場合にも同様の効果が得られる。

【0098】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0099】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【符号の説明】

【0100】

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、２Ａ…第１基板、２Ｂ…第１基板、３…第２基板、３Ａ…第２基板、３Ｂ…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、６…基板間導通材、１０…駆動回路、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…積層体、２０Ａ…積層体、２０Ｂ…積層体、２１…基板、２２…画素電極、２２ｄ…ダミー画素電極、２３…トランジスター、２４…蓄積容量、２５…周辺電極、２５Ｂ…周辺電極、２６…下地膜、２７…側壁部、２９…配向膜、３０…積層体、３０Ａ…積層体、３０Ｂ…積層体、３１…基板、３２…対向電極、３５…周辺電極、３５Ｂ…周辺電極、３６…下地膜、３７…側壁部、３８…見切り、３９…配向膜、５０…液晶分子、１００…電気光学装置、１００Ａ…電気光学装置、１００Ｂ…電気光学装置、２０１Ｂ…凹部、２１０…凹部、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…定電位線、２５１…第１面、２５２…第２面、２９１…第１部分、２９２…第２部分、３００…電極部、３００Ｂ…電極部、３０１…絶縁層、３０１Ｂ…凹部、３０２…レンズ層、３０３…絶縁層、３０４…レンズ層、３０５…絶縁層、３１０…凹部、３５１…第１面、３５２…第２面、３９１…第１部分、３９２…第２部分、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…ダミー画素領域、Ａ２２…周辺電極領域、Ａ２３…中間領域、Ａ２４…シール領域、Ｈ２…欠損部、Ｈ３…欠損部、ＬＬ…入射光、Ｐ…画素。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】