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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024105067
(43)【公開日】2024-08-06
(54)【発明の名称】光モジュール
(51)【国際特許分類】
H01S 5/02255 20210101AFI20240730BHJP
H01S 5/024 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
H01S5/02255
H01S5/024
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023009615
(22)【出願日】2023-01-25
(71)【出願人】
【識別番号】000002130
【氏名又は名称】住友電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100136722
【弁理士】
【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫
(74)【代理人】
【識別番号】100176658
【弁理士】
【氏名又は名称】和田 謙一郎
(72)【発明者】
【氏名】中村 勇貴
(72)【発明者】
【氏名】京野 孝史
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MA10
5F173MB03
5F173MC01
5F173MD64
5F173ME22
5F173ME44
5F173MF18
5F173MF27
5F173MF28
5F173MF29
5F173MF39
5F173MF40
(57)【要約】
【課題】小型化を実現可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】一実施形態に係る光モジュールは、第１レーザ光を出力する第１発光素子と、第２レーザ光を出力する第２発光素子と、第１レーザ光および第２レーザ光の合波光として検知光を出力するとともに、検知光と反対に向けて伝播してきた戻り光を第１戻り光と第２戻り光とに分ける合波部と、第１戻り光を受ける受光部と、第１発光素子と合波部との間に配置される第１光路変更部とを備え、第１発光素子と第２発光素子とは、第１発光素子からの第１レーザ光の出力方向と第２発光素子からの第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されており、受光部は、第１発光素子と第２発光素子との間に配置されており、第１光路変更部は、第１発光素子からの第１レーザ光を合波部に向けて通すとともに、合波部からの第１戻り光を受光部に向けて反射する。
【選択図】図４
【解決手段】一実施形態に係る光モジュールは、第１レーザ光を出力する第１発光素子と、第２レーザ光を出力する第２発光素子と、第１レーザ光および第２レーザ光の合波光として検知光を出力するとともに、検知光と反対に向けて伝播してきた戻り光を第１戻り光と第２戻り光とに分ける合波部と、第１戻り光を受ける受光部と、第１発光素子と合波部との間に配置される第１光路変更部とを備え、第１発光素子と第２発光素子とは、第１発光素子からの第１レーザ光の出力方向と第２発光素子からの第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されており、受光部は、第１発光素子と第２発光素子との間に配置されており、第１光路変更部は、第１発光素子からの第１レーザ光を合波部に向けて通すとともに、合波部からの第１戻り光を受光部に向けて反射する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１レーザ光を出力する第１発光素子と、
第２レーザ光を出力する第２発光素子と、
前記第１レーザ光および前記第２レーザ光を合波する合波部であって、前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の合波光として検知対象範囲内の物体を検知するための検知光を出力するとともに、前記検知光が照射された前記物体から前記検知光と反対に向けて伝播してきた戻り光を前記第１発光素子に向かう第１戻り光と前記第２発光素子に向かう第２戻り光とに分ける前記合波部と、
少なくとも前記第１戻り光を受ける受光部と、
前記第１発光素子と前記合波部との間に配置される第１光路変更部と、
を備え、
前記第１発光素子と前記第２発光素子とは、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光の出力方向と前記第２発光素子からの前記第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されており、
前記受光部は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第１光路変更部は、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第１戻り光を前記受光部に向けて反射する、
光モジュール。
第２レーザ光を出力する第２発光素子と、
前記第１レーザ光および前記第２レーザ光を合波する合波部であって、前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の合波光として検知対象範囲内の物体を検知するための検知光を出力するとともに、前記検知光が照射された前記物体から前記検知光と反対に向けて伝播してきた戻り光を前記第１発光素子に向かう第１戻り光と前記第２発光素子に向かう第２戻り光とに分ける前記合波部と、
少なくとも前記第１戻り光を受ける受光部と、
前記第１発光素子と前記合波部との間に配置される第１光路変更部と、
を備え、
前記第１発光素子と前記第２発光素子とは、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光の出力方向と前記第２発光素子からの前記第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されており、
前記受光部は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、
前記第１光路変更部は、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第１戻り光を前記受光部に向けて反射する、
光モジュール。
【請求項2】
前記第２発光素子と前記合波部との間に配置される第２光路変更部を備え、
前記第２光路変更部は、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第２戻り光を前記受光部に向けて反射し、
前記受光部は、前記第１戻り光および前記第２戻り光を受ける、
請求項１に記載の光モジュール。
前記第２光路変更部は、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第２戻り光を前記受光部に向けて反射し、
前記受光部は、前記第１戻り光および前記第２戻り光を受ける、
請求項１に記載の光モジュール。
【請求項3】
前記受光部は、
前記第１戻り光を受ける第１受光素子と、
前記第２戻り光を受ける第２受光素子と、
を有する、
請求項２に記載の光モジュール。
前記第１戻り光を受ける第１受光素子と、
前記第２戻り光を受ける第２受光素子と、
を有する、
請求項２に記載の光モジュール。
【請求項4】
前記第１光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第１コリメート部と、
前記第２光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第２コリメート部と、
を備える、
請求項２に記載の光モジュール。
前記第２光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第２コリメート部と、
を備える、
請求項２に記載の光モジュール。
【請求項5】
前記受光部は、前記第１戻り光を受けるとともに、前記第２戻り光を受ける単一の受光素子である、
請求項２に記載の光モジュール。
請求項２に記載の光モジュール。
【請求項6】
前記第１光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第１コリメート部と、
前記第２光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第２コリメート部と、
を備え、
前記受光素子は、前記第１光路変更部から前記受光素子に向かう前記第１戻り光の光路および前記第２光路変更部から前記受光素子に向かう前記第２戻り光の光路において、前記第１光路変更部および前記第２光路変更部に対し、前記第１コリメート部による前記第１戻り光の集光位置および前記第２コリメート部による前記第２戻り光の集光位置より遠い位置に配置されている、
請求項５に記載の光モジュール。
前記第２光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第２コリメート部と、
を備え、
前記受光素子は、前記第１光路変更部から前記受光素子に向かう前記第１戻り光の光路および前記第２光路変更部から前記受光素子に向かう前記第２戻り光の光路において、前記第１光路変更部および前記第２光路変更部に対し、前記第１コリメート部による前記第１戻り光の集光位置および前記第２コリメート部による前記第２戻り光の集光位置より遠い位置に配置されている、
請求項５に記載の光モジュール。
【請求項7】
前記合波部に入射される前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の偏光方向は９０°異なる、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項8】
前記第１レーザ光の中心波長と前記第２レーザ光の中心波長との差は３０ｎｍ以上である、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項9】
前記第１レーザ光は赤外光であり、
前記第２レーザ光は可視光である、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
前記第２レーザ光は可視光である、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項10】
前記検知光を走査する走査部であって、前記戻り光を前記合波部に向けて出力する前記走査部を備える、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項11】
前記走査部は、前記検知光を反射するとともに、走査するための走査ミラーを有し、
前記走査ミラーの面積は、前記検知光の進行方向に対して垂直な断面での前記検知光の面積の１．５倍以上２０倍以下である、
請求項１０に記載の光モジュール。
前記走査ミラーの面積は、前記検知光の進行方向に対して垂直な断面での前記検知光の面積の１．５倍以上２０倍以下である、
請求項１０に記載の光モジュール。
【請求項12】
温度調整器を更に備え、
前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記温度調整器に搭載されている、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記温度調整器に搭載されている、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
ＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ、あるいはＬａｓｅｒ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）のように物体を検知する装置（検知装置）が知られている。このような検知装置は、検知対象範囲内の物体を検知するために、検知光を走査しながら出力するとともに、検知光が照射された物体から戻ってきた戻り光を検出する。特許文献１から特許文献５には、検知光を走査しながら出力するとともに、物体に向けて伝播した検知光の光路を逆方向に戻ってきた戻り光を検出する光モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００４－１７０９６５号公報
【特許文献2】特開２０２１－０９３７９４号公報
【特許文献3】国際公開第２０１８／１０１２２６号
【特許文献4】特開２０１８－７２０９７号公報
【特許文献5】特開２０１８－９１６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
たとえば、検知光の光量の増加、検知対象範囲の可視化などために、光モジュールが備える発光素子の数を増やす場合がある。この場合、光モジュールのサイズが大きくなる傾向にある。一方、光モジュールを備える検知装置は小型化が求められていることから、光モジュールについても小型化が求められている。
【0005】
本開示は、小型化を実現可能な光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る光モジュールは、第１レーザ光を出力する第１発光素子と、第２レーザ光を出力する第２発光素子と、前記第１レーザ光および前記第２レーザ光を合波する合波部であって、前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の合波光として検知対象範囲内の物体を検知するための検知光を出力するとともに、前記検知光が照射された前記物体から前記検知光と反対に向けて伝播してきた戻り光を前記第１発光素子に向かう第１戻り光と前記第２発光素子に向かう第２戻り光とに分ける前記合波部と、少なくとも前記第１戻り光を受ける受光部と、前記第１発光素子と前記合波部との間に配置される第１光路変更部と、を備え、前記第１発光素子と前記第２発光素子とは、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光の出力方向と前記第２発光素子からの前記第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されており、前記受光部は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第１光路変更部は、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第１戻り光を前記受光部に向けて反射する。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、小型化を実現可能な光モジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
【0010】
［１］本開示の一側面に係る光モジュールは、第１レーザ光を出力する第１発光素子と、第２レーザ光を出力する第２発光素子と、前記第１レーザ光および前記第２レーザ光を合波する合波部であって、前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の合波光として検知対象範囲内の物体を検知するための検知光を出力するとともに、前記検知光が照射された前記物体から前記検知光と反対に向けて伝播してきた戻り光を前記第１発光素子に向かう第１戻り光と前記第２発光素子に向かう第２戻り光とに分ける前記合波部と、少なくとも前記第１戻り光を受ける受光部と、前記第１発光素子と前記合波部との間に配置される第１光路変更部と、を備え、前記第１発光素子と前記第２発光素子とは、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光の出力方向と前記第２発光素子からの前記第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されており、前記受光部は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置されており、前記第１光路変更部は、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第１戻り光を前記受光部に向けて反射する。
【0011】
上記［１］に記載の光モジュールは、検知光を出力できるとともに、戻り光を検出できる。そのため、上記光モジュールは、検知装置（例えばリモートセンサ）に利用できる。上記光モジュールでは、第１発光素子と第２発光素子とは、第１発光素子からの第１レーザ光の出力方向と第２発光素子からの第２レーザ光の出力方向とが交差するように配置されている。このように配置された第１発光素子と第２発光素子の間に受光部が配置されている。すなわち、上記光モジュールでは、第１発光素子と第２発光素子の間のスペースを受光部の配置に利用している。そのため、第１発光素子と第２発光素子とを備えた光モジュールであっても、光モジュールの小型化を図ることができる。
【0012】
［２］上記［１］に記載の光モジュールは、前記第２発光素子と前記合波部との間に配置される第２光路変更部を備え、前記第２光路変更部は、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けて通すとともに、前記合波部からの前記第２戻り光を前記受光部に向けて反射し、前記受光部は、前記第１戻り光および前記第２戻り光を受けてもよい。
【0013】
上記［２］に記載の光モジュールでは、第１戻り光とともに第２戻り光も検出できる。そのため、物体の検知精度を向上できる。
【0014】
［３］上記［２］に記載の光モジュールにおいて、前記受光部は、前記第１戻り光を受ける第１受光素子と、前記第２戻り光を受ける第２受光素子と、を有してもよい。この場合、第１戻り光に対する第１受光素子の位置調整が容易である。同様に、第２戻り光に対する第２受光素子の位置調整が容易である。
【0015】
［４］上記［２］または［３］に記載の光モジュールは、前記第１光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第１コリメート部と、前記第２光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第２コリメート部と、を備えてもよい。
【0016】
上記［４］に記載の光モジュールでは、第１コリメート部から出力された第１レーザ光および第２コリメート部から出力された第２レーザ光が合波部によって合波される。第１コリメート部から出力された第１レーザ光および第２コリメート部から出力された第２レーザ光はコリメート光であることから、合波部から出力される検知光もコリメート光である。すなわち、上記［４］に記載の光モジュールは、コリメート光である検知光を出力できる。第１コリメート部は、第１光路変更部と合波部の間に配置されている。第２コリメート部は、第２光路変更部と合波部の間に配置されている。このような配置では、第１コリメート部および第２コリメート部は、第１戻り光および第２戻り光を集光する集光部として機能する。そのため、第１受光素子および第２受光素子によってより多くの第１戻り光および第２戻り光を受けることが可能である。上記［４］に記載の光モジュールでは、第１戻り光および第２戻り光を集光するための光学素子とは別に設ける必要がないことから、小型化を図ることが可能である。
【0017】
［５］上記［２］に記載の光モジュールにおいて、前記受光部は、前記第１戻り光を受けるとともに、前記第２戻り光を受ける単一の受光素子でもよい。この場合、第１戻り光および第２戻り光を受けるための素子の数が１つである。そのため、光モジュールの製造コストを低減できる。
【0018】
［６］上記［５］に記載の光モジュールは、前記第１光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第１発光素子からの前記第１レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第１コリメート部と、前記第２光路変更部と前記合波部の間に配置されるとともに、前記第２発光素子からの前記第２レーザ光を前記合波部に向けてコリメート光として出力する第２コリメート部と、を備え、前記受光素子は、前記第１光路変更部から前記受光素子に向かう前記第１戻り光の光路および前記第２光路変更部から前記受光素子に向かう前記第２戻り光の光路において、前記第１光路変更部および前記第２光路変更部に対し、前記第１コリメート部による前記第１戻り光の集光位置および前記第２コリメート部による前記第２戻り光の集光位置より遠い位置に配置されていてもよい。
【0019】
上記［６］に記載の光モジュールでは、第１コリメート部から出力された第１レーザ光および第２コリメート部から出力された第２レーザ光が合波部によって合波される。第１コリメート部から出力された第１レーザ光および第２コリメート部から出力された第２レーザ光はコリメート光であることから、合波部から出力される検知光もコリメート光である。すなわち、上記［６］に記載の光モジュールは、コリメート光である検知光を出力できる。第１コリメート部は、第１光路変更部と合波部の間に配置されている。第２コリメート部は、第２光路変更部と合波部の間に配置されている。このような配置では、第１コリメート部および第２コリメート部は、第１戻り光および第２戻り光を集光する集光部として機能する。更に、上記受光素子は、第１光路変更部から受光素子に向かう第１戻り光の光路および第２光路変更部から受光素子に向かう第２戻り光の光路において、第１光路変更部および第２光路変更部に対し、第１コリメート部による第１戻り光の集光位置および第２コリメート部による第２戻り光の集光位置より遠い位置に配置されている。そのため、集光位置における高い光パワー密度による受光素子の飽和を避けられ、第１コリメート部および第２コリメート部の収差に合わせて最小錯乱円位置に受光素子の受光面を配置する設計とすることでパワー密度分布も若干フラットにでき、効率よく受光できる。上記［６］に記載の光モジュールでは、第１戻り光および第２戻り光を集光するための光学素子を第１コリメート部および第２コリメート部とは別に設ける必要がないことから、小型化を図ることが可能である。
【0020】
［７］上記［１］から上記［６］のいずれかに記載の光モジュールにおいて、前記合波部に入射される前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の偏光方向は９０°異なってもよい。この場合、合波部は、上記偏光方向の違いを利用して、第１レーザ光および第２レーザ光を合波できる。逆に、合波部は、偏光方向に違いによって戻り光を第１戻り光と第２戻り光に分けることができる。上記［７］に記載の光モジュールでは光の合波に偏光の違いを利用しているため、第１レーザ光および第２レーザ光の波長は同じでよい。したがって、第１発光素子および第２発光素子として同じ発光素子を利用できる。
【0021】
［８］上記［１］から上記［７］のいずれかに記載の光モジュールにおいて、前記第１レーザ光の中心波長と前記第２レーザ光の中心波長との差は３０ｎｍ以上であってもよい。この場合、合波部は、波長の違いを利用して、第１レーザ光および第２レーザ光を合波できるとともに、戻り光を第１戻り光と第２戻り光に分けられる。
【0022】
［９］上記［１］から上記［８］のいずれかに記載の光モジュールにおいて、前記第１レーザ光は赤外光であり、前記第２レーザ光は可視光であってもよい。この場合、第１レーザ光を物体の検知に使用し、第２レーザ光を検知対象範囲における検知光の位置のモニタのために利用できる。
【0023】
［１０］上記［１］から上記［９］のいずれかに記載の光モジュールは、前記検知光を走査する走査部であって、前記戻り光を前記合波部に向けて出力する前記走査部を備えてもよい。この場合、検知光によって検知対象範囲内を走査しながら検知対象範囲内の物体を検知可能である。
【0024】
［１１］上記［１０］に記載の光モジュールにおいて、前記走査部は、前記検知光を反射するとともに、走査するための走査ミラーを有し、前記走査ミラーの面積は、前記検知光の進行方向に対して垂直な断面での前記検知光の面積の１．５倍以上２０倍以下でよい。この場合、検知光を有効に利用できる。
【0025】
［１２］上記［１］から上記［１１］のいずれかの光モジュールは、温度調整器を更に備え、前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記温度調整器に搭載されていてもよい。この場合、第１発光素子および第２発光素子の温度を上記温度調整器で調整できる。そのため、第１発光素子および第２発光素子の動作が安定する。
【0026】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
本開示の実施形態の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【0027】
図１は、一実施形態に係る光モジュールを適用した検知装置の模式図である。検知装置１は、光モジュール１０を備える。検知装置１は、検知装置１の外部（光モジュール１０の外部）における検知対象範囲２内の任意の物体３を検知するリモートセンサである。検知装置１の一例は、ＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ、あるいはＬａｓｅｒ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）である。物体３は限定されない。物体３の例は、人、自動車、標識などである。検知装置１は、例えば、自動車、ドローンなどに搭載される。
【0028】
光モジュール１０は、上記物体３を検知するための検知光Ｌ１を出力する。光モジュール１０は、検知対象範囲２内を走査するように検知光Ｌ１を２次元的に走査しながら検知光Ｌ１を出力する。光モジュール１０は、検知対象範囲２内からの戻り光Ｌ２を受ける。戻り光Ｌ２は、検知光Ｌ１が照射された物体３によって反射（例えば拡散反射または散乱反射）された検知光Ｌ１である。検知装置１は、光モジュール１０から出力する検知光Ｌ１の出力タイミング、走査範囲などを制御するとともに、戻り光Ｌ２を解析する制御装置（不図示）を備える。
【0029】
以下では、検知装置１に適用される光モジュール１０を具体的に説明する。説明の便宜の為、図２に示したように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて、光モジュール１０を説明する場合もある。
【0030】
（第１実施形態）
図２は、一実施形態に係る光モジュール１０の斜視図である。図３は、図２に示された光モジュール１０においてカバー１４２が取り外された状態の斜視図である。図４は、カバー１４２が取り外された状態の光モジュール１０の平面図である。
図２は、一実施形態に係る光モジュール１０の斜視図である。図３は、図２に示された光モジュール１０においてカバー１４２が取り外された状態の斜視図である。図４は、カバー１４２が取り外された状態の光モジュール１０の平面図である。
【0031】
図３および図４に示したように、光モジュール１０は、第１部分１１と第２部分１２とを備える。第１部分１１は、検知光Ｌ１を出力するとともに、戻り光Ｌ２を受信する部分である。第１部分１１は、検知光Ｌ１の送受信部に対応する。第２部分１２は、第１部分１１からの検知光Ｌ１を光モジュール１０の外部に出力するように伝播させるとともに、戻り光Ｌ２を第１部分１１に戻すように戻り光Ｌ２を伝播させるための部分である。
【0032】
光モジュール１０は、温度調整器の一例であるペルチェ素子（熱電冷却素子）１３を備えてもよい。ペルチェ素子１３はＴＥＣ（ＴｈｅｒｍｏＥｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｏｌｅｒ）とも称される。光モジュール１０は、第１部分１１および第２部分１２を収容する収容部１４を備えてもよい。本実施形態では、断らない限り、光モジュール１０がペルチェ素子１３および収容部１４を備える形態を説明する。
【0033】
第１部分１１および第２部分１２は、ペルチェ素子１３に搭載されている。ペルチェ素子１３は、吸熱板１３１と、放熱板１３２と、複数の半導体柱１３３を有する。複数の半導体柱１３３は、吸熱板１３１と、放熱板１３２とを連結している。複数の半導体柱１３３は、互いに離間して配置されている。第１部分１１および第２部分１２は、上記吸熱板１３１に搭載されている。
【0034】
第１部分１１と第２部分１２を具体的に説明する。まず、検知光Ｌ１に着目して第１部分１１および第２部分１２を説明する。
【0035】
【0036】
第１部分１１は、吸熱板１３１に固定された台座１１６に搭載されている。台座１１６は、例えば接着剤によって吸熱板１３１に固定されている。台座１１６の材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、コバール（Ｋｖ）等が挙げられる。台座１１６の形状の例は、直方体または立方体である。
【0037】
台座１１６の表面には、第１素子搭載部１１７ａ、第２素子搭載部１１７ｂおよび第３素子搭載部１１７ｃが固定されている。第１素子搭載部１１７ａ、第２素子搭載部１１７ｂおよび第３素子搭載部１１７ｃの形状の例は、直方体または立方体である。第１素子搭載部１１７ａ、第２素子搭載部１１７ｂおよび第３素子搭載部１１７ｃの材料の例は、台座１１６の例と同じである。第１素子搭載部１１７ａ、第２素子搭載部１１７ｂおよび第３素子搭載部１１７ｃの材料は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）でもよい。第１素子搭載部１１７ａ、第２素子搭載部１１７ｂおよび第３素子搭載部１１７ｃは、例えば接着剤によって台座１１６に固定されている。
【0038】
（第１発光素子）
第１発光素子１１１ａは第１レーザ光Ｌ１ａ（図４参照）を出力する。第１発光素子１１１ａの例は半導体発光素子である。本実施形態において、第１発光素子１１１ａはレーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）である。第１発光素子１１１ａはＬＤチップでよい。第１レーザ光Ｌ１ａは、リモートセンサに利用される波長を有する光である。本実施形態において、第１レーザ光Ｌ１ａは赤外光である。第１レーザ光Ｌ１ａの波長の範囲は、例えば、８００ｎｍ以上且つ２５００ｎｍ以下である。第１レーザ光Ｌ１ａの波長は、例えば、８３０ｎｍ、８５０ｎｍ、９０５ｎｍ、９４０ｎｍ、１３１０ｎｍまたは１５５０ｎｍでよい。本実施形態において、第１発光素子１１１ａから出力される第１レーザ光Ｌ１ａは第１偏光の光である。第１偏光は、ＴＥモードまたはＴＭモードである。以下では、断らない限り、第１レーザ光Ｌ１ａはパルス光である。
第１発光素子１１１ａは第１レーザ光Ｌ１ａ（図４参照）を出力する。第１発光素子１１１ａの例は半導体発光素子である。本実施形態において、第１発光素子１１１ａはレーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）である。第１発光素子１１１ａはＬＤチップでよい。第１レーザ光Ｌ１ａは、リモートセンサに利用される波長を有する光である。本実施形態において、第１レーザ光Ｌ１ａは赤外光である。第１レーザ光Ｌ１ａの波長の範囲は、例えば、８００ｎｍ以上且つ２５００ｎｍ以下である。第１レーザ光Ｌ１ａの波長は、例えば、８３０ｎｍ、８５０ｎｍ、９０５ｎｍ、９４０ｎｍ、１３１０ｎｍまたは１５５０ｎｍでよい。本実施形態において、第１発光素子１１１ａから出力される第１レーザ光Ｌ１ａは第１偏光の光である。第１偏光は、ＴＥモードまたはＴＭモードである。以下では、断らない限り、第１レーザ光Ｌ１ａはパルス光である。
【0039】
第１発光素子１１１ａは、第１素子搭載部１１７ａに搭載されている。第１発光素子１１１ａは、例えば導電性接着剤によって第１素子搭載部１１７ａに固定されている。導電性接着剤の例は、銀ペースト、カーボンペーストまたは銅ペーストである。
【0040】
図３および図４に例示した形態では、第１発光素子１１１ａは、Ｘ軸方向に第１レーザ光Ｌ１ａを出力するように配置されている。換言すれば、Ｘ軸方向は、第１発光素子１１１ａから第１レーザ光Ｌ１ａが出力される方向である。第１発光素子１１１ａの光軸の高さは、台座１１６の厚さおよび第１素子搭載部１１７ａの厚さによって調整されている。上記第１発光素子１１１ａの光軸の高さは、吸熱板１３１の表面（台座１１６が固定されている面）に対する高さである。
【0041】
（第２発光素子）
第２発光素子１１１ｂは第２レーザ光Ｌ１ｂ（図４参照）を出力する。第２発光素子１１１ｂの例は半導体発光素子である。本実施形態において、第２発光素子１１１ｂはＬＤである。第２発光素子１１１ｂはＬＤチップでよい。第２レーザ光Ｌ１ｂは、リモートセンサに利用される波長を有する光である。本実施形態において、第２レーザ光Ｌ１ｂは赤外光である。第２レーザ光Ｌ１ｂの波長の範囲は、例えば、８００ｎｍ以上且つ２５００ｎｍ以下である。本実施形態において、第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長は、第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長と異なる。第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長が異なるとは、第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長および第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長の差が少なくとも３０ｎｍ以上であることを意味する。本実施形態では、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂはともに物体３の検出に利用される。この場合、第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長と第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長の差の上限は、例えば３００ｎｍである。第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長と第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長の差は、３０ｎｍ以上且つ３００ｎｍ以下でよい。本実施形態において、第２発光素子１１１ｂから出力される第２レーザ光Ｌ１ｂは第１偏光の光である。以下では、断らない限り、第２レーザ光Ｌ１ｂはパルス光である。
第２発光素子１１１ｂは第２レーザ光Ｌ１ｂ（図４参照）を出力する。第２発光素子１１１ｂの例は半導体発光素子である。本実施形態において、第２発光素子１１１ｂはＬＤである。第２発光素子１１１ｂはＬＤチップでよい。第２レーザ光Ｌ１ｂは、リモートセンサに利用される波長を有する光である。本実施形態において、第２レーザ光Ｌ１ｂは赤外光である。第２レーザ光Ｌ１ｂの波長の範囲は、例えば、８００ｎｍ以上且つ２５００ｎｍ以下である。本実施形態において、第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長は、第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長と異なる。第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長が異なるとは、第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長および第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長の差が少なくとも３０ｎｍ以上であることを意味する。本実施形態では、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂはともに物体３の検出に利用される。この場合、第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長と第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長の差の上限は、例えば３００ｎｍである。第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長と第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長の差は、３０ｎｍ以上且つ３００ｎｍ以下でよい。本実施形態において、第２発光素子１１１ｂから出力される第２レーザ光Ｌ１ｂは第１偏光の光である。以下では、断らない限り、第２レーザ光Ｌ１ｂはパルス光である。
【0042】
第２発光素子１１１ｂは第２素子搭載部１１７ｂに搭載されている。第２発光素子１１１ｂは、例えば導電性接着剤によって第２素子搭載部１１７ｂに固定されている。導電性接着剤の例は、前述したとおりである。
【0043】
第２発光素子１１１ｂは、第２レーザ光Ｌ１ｂの出力方向が、第１発光素子１１１ａからの第１レーザ光Ｌ１ａの出力方向と交差するように配置されている。本実施形態では、第２発光素子１１１ｂは、Ｙ軸方向に第２レーザ光Ｌ１ｂを出力するように配置されている。すなわち、Ｙ軸方向は、第２発光素子１１１ｂから第２レーザ光Ｌ１ｂが出力される方向である。この場合、第２発光素子１１１ｂの光軸（第２レーザ光Ｌ１ｂが出力される方向）は、第１発光素子１１１ａの光軸（第１レーザ光Ｌ１ａが出力される方向）と直交する。第２発光素子１１１ｂの光軸の高さは、台座１１６の厚さおよび第２素子搭載部１１７ｂの厚さによって調整されている。上記第２発光素子１１１ｂの光軸の高さは、吸熱板１３１の表面に対する高さである。第２発光素子１１１ｂの光軸の高さは、第１発光素子１１１ａの光軸の高さに一致している。
【0044】
（第１コリメート部）
第１コリメート部１１２ａは台座１１６に搭載されている。第１コリメート部１１２ａは、第１発光素子１１１ａから出力される第１レーザ光Ｌ１ａの光路に配置されている。第１コリメート部１１２ａは、第１発光素子１１１ａと合波部１１３との間に配置されている。上記第１コリメート部１１２ａはレンズでよい。上記レンズは樹脂製レンズでよい。第１コリメート部１１２ａは第１レーザ光Ｌ１ａをコリメート光（平行光）として出力する。第１コリメート部１１２ａと第１発光素子１１１ａとの間の距離は、実質的に第１コリメート部１１２ａの焦点距離である。第１コリメート部１１２ａは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
第１コリメート部１１２ａは台座１１６に搭載されている。第１コリメート部１１２ａは、第１発光素子１１１ａから出力される第１レーザ光Ｌ１ａの光路に配置されている。第１コリメート部１１２ａは、第１発光素子１１１ａと合波部１１３との間に配置されている。上記第１コリメート部１１２ａはレンズでよい。上記レンズは樹脂製レンズでよい。第１コリメート部１１２ａは第１レーザ光Ｌ１ａをコリメート光（平行光）として出力する。第１コリメート部１１２ａと第１発光素子１１１ａとの間の距離は、実質的に第１コリメート部１１２ａの焦点距離である。第１コリメート部１１２ａは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
【0045】
（第２コリメート部）
第２コリメート部１１２ｂは台座１１６に搭載されている。第２コリメート部１１２ｂは、第２発光素子１１１ｂから出力される第２レーザ光Ｌ１ｂの光路に配置されている。第２コリメート部１１２ｂは、第２発光素子１１１ｂと合波部１１３との間に配置されている。上記第２コリメート部１１２ｂはレンズでよい。上記レンズは樹脂製レンズでよい。第２コリメート部１１２ｂは、第２レーザ光Ｌ１ｂをコリメート光（平行光）として出力する。第２コリメート部１１２ｂと第２発光素子１１１ｂとの間の距離は、実質的に第２コリメート部１１２ｂの焦点距離である。第２コリメート部１１２ｂは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
第２コリメート部１１２ｂは台座１１６に搭載されている。第２コリメート部１１２ｂは、第２発光素子１１１ｂから出力される第２レーザ光Ｌ１ｂの光路に配置されている。第２コリメート部１１２ｂは、第２発光素子１１１ｂと合波部１１３との間に配置されている。上記第２コリメート部１１２ｂはレンズでよい。上記レンズは樹脂製レンズでよい。第２コリメート部１１２ｂは、第２レーザ光Ｌ１ｂをコリメート光（平行光）として出力する。第２コリメート部１１２ｂと第２発光素子１１１ｂとの間の距離は、実質的に第２コリメート部１１２ｂの焦点距離である。第２コリメート部１１２ｂは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
【0046】
（合波部）
合波部１１３は台座１１６に搭載されている。合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波する。本実施形態では、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長が異なる。この場合、合波部１１３は、波長選択フィルタでよい。具体的には、合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａを透過するとともに、第２レーザ光Ｌ１ｂを反射する波長選択フィルタでよい。合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａの光路に沿った方向に第２レーザ光Ｌ１ｂを反射する。これにより、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂが合波される。その結果、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの合波光として、合波部１１３から検知光Ｌ１が出力される。合波部１１３は、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
合波部１１３は台座１１６に搭載されている。合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波する。本実施形態では、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長が異なる。この場合、合波部１１３は、波長選択フィルタでよい。具体的には、合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａを透過するとともに、第２レーザ光Ｌ１ｂを反射する波長選択フィルタでよい。合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａの光路に沿った方向に第２レーザ光Ｌ１ｂを反射する。これにより、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂが合波される。その結果、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの合波光として、合波部１１３から検知光Ｌ１が出力される。合波部１１３は、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
【0047】
［第２部分］
第２部分１２は、ＭＥＭＳ（走査部）１２１を有する。ＭＥＭＳ１２１はＭＥＭＳチップでよい。ＭＥＭＳ１２１は、ＭＥＭＳミラー（走査ミラー）１２１ａと、駆動部１２１ｂとを有する。ＭＥＭＳ１２１は、ペルチェ素子１３と反対方向に向けて検知光Ｌ１を反射するようにペルチェ素子１３に配置されている。本実施形態において、ＭＥＭＳミラー１２１ａの形状は、図４に示したように円形である。しかしながら、ＭＥＭＳミラー１２１ａの形状は円形に限定されない。
第２部分１２は、ＭＥＭＳ（走査部）１２１を有する。ＭＥＭＳ１２１はＭＥＭＳチップでよい。ＭＥＭＳ１２１は、ＭＥＭＳミラー（走査ミラー）１２１ａと、駆動部１２１ｂとを有する。ＭＥＭＳ１２１は、ペルチェ素子１３と反対方向に向けて検知光Ｌ１を反射するようにペルチェ素子１３に配置されている。本実施形態において、ＭＥＭＳミラー１２１ａの形状は、図４に示したように円形である。しかしながら、ＭＥＭＳミラー１２１ａの形状は円形に限定されない。
【0048】
本実施形態では、ＭＥＭＳミラー１２１ａが駆動部１２１ｂによって駆動されていない状態で、ＭＥＭＳミラー１２１ａの反射面に垂直な方向がＺ軸方向（吸熱板１３１の板厚方向）と一致するように、ＭＥＭＳ１２１は吸熱板１３１に固定されている。ＭＥＭＳ１２１は、例えば、接着剤で吸熱板１３１に固定されている。
【0049】
上記ＭＥＭＳ１２１の配置では、Ｚ軸方向において、ＭＥＭＳ１２１の位置と、合波部１１３の位置は異なることから、Ｚ軸方向において、ＭＥＭＳ１２１の位置と、合波部１１３から出力される検知光Ｌ１の位置も異なる。検知光Ｌ１をＭＥＭＳ１２１に入射させるために、第２部分１２はミラー１２２を有する。
【0050】
ミラー１２２は、合波部１１３から出力された検知光Ｌ１の光路に配置されている。ミラー１２２は、検知光Ｌ１をＭＥＭＳミラー１２１ａに向けて反射するように、Ｚ軸方向に対して傾斜している。ミラー１２２は、支持体１２３に固定されている。図３では、支持体１２３として板状部材を例示しているが、支持体１２３の形状は限定されない。ミラー１２２の形状も図３に示したような矩形（または正方形）に限定されない。ミラー１２２は、例えば接着剤で支持体１２３に固定されている。同様に、支持体１２３は、例えば接着剤で吸熱板１３１に固定されている。
【0051】
上記第１部分１１および第２部分１２の構成では、第１発光素子１１１ａから出力された第１レーザ光Ｌ１ａは第１コリメート部１１２ａに入射する。これにより、第１レーザ光Ｌ１ａは、第１コリメート部１１２ａによってコリメート光として出力される。第１コリメート部１１２ａから出力された第１レーザ光Ｌ１ａは合波部１１３に入射される。第２発光素子１１１ｂから出力された第２レーザ光Ｌ１ｂは第２コリメート部１１２ｂに入射する。これにより、第２レーザ光Ｌ１ｂは、第２コリメート部１１２ｂからコリメート光として出力される。第２コリメート部１１２ｂから出力された第２レーザ光Ｌ１ｂは合波部１１３に入射される。
【0052】
合波部１１３は、入射された第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波する。これにより、合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの合波光である検知光Ｌ１を出力する。合波部１１３に入射される第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂはコリメート光であることから、検知光Ｌ１もコリメート光である。
【0053】
図５は、第２部分１２内の光の伝播方向を説明するための図面である。光の伝播方向は、ミラー１２２とＭＥＭＳ１２１（具体的にはＭＥＭＳミラー１２１ａ）によって変更されるため、図５では、ミラー１２２とＭＥＭＳミラー１２１ａを図示する一方、他の要素の図示を省略している。
【0054】
第１部分１１から出力された検知光Ｌ１は、ミラー１２２によってＭＥＭＳミラー１２１ａに向けて反射される。ＭＥＭＳミラー１２１ａは、ミラー１２２からの検知光Ｌ１を反射する。ＭＥＭＳミラー１２１ａが走査されることによって、ＭＥＭＳミラー１２１ａで反射された検知光Ｌ１が走査される。このように走査された検知光Ｌ１は収容部１４の外部に出力される。
【0055】
ＭＥＭＳミラー１２１ａは、駆動部１２１ｂで２次元的に走査される。これにより、ＭＥＭＳミラー１２１ａで反射される検知光Ｌ１も２次的に走査される。そのため、光モジュール１０は、ＭＥＭＳ１２１で走査された検知光Ｌ１を出力できる。ＭＥＭＳ１２１による検知光Ｌ１の走査対象範囲が、図１に示した検知対象範囲２に対応する。第２部分１２において、検知光Ｌ１はミラー１２２およびＭＥＭＳミラー１２１ａで反射されることよって収容部１４の外部（すなわち、光モジュール１０の外部）に出力される。この場合、第２部分１２において、検知光Ｌ１のコリメート性は維持されるので、光モジュール１０から出力された検知光Ｌ１もコリメート光である。
【0056】
【0057】
［第２部分］
図５に示したように、第２部分１２は、戻り光Ｌ２を検知光Ｌ１の伝播方向と逆方向に伝播させる部分である。すなわち、検知光Ｌ１の伝播方向と逆方向に戻ってきた戻り光Ｌ２は、ＭＥＭＳミラー１２１ａに入射する。ＭＥＭＳミラー１２１ａは、戻り光Ｌ２をミラー１２２に向けて反射する。ミラー１２２は、戻り光Ｌ２を第１部分１１（具体的には、合波部１１３）に向けて反射する。
図５に示したように、第２部分１２は、戻り光Ｌ２を検知光Ｌ１の伝播方向と逆方向に伝播させる部分である。すなわち、検知光Ｌ１の伝播方向と逆方向に戻ってきた戻り光Ｌ２は、ＭＥＭＳミラー１２１ａに入射する。ＭＥＭＳミラー１２１ａは、戻り光Ｌ２をミラー１２２に向けて反射する。ミラー１２２は、戻り光Ｌ２を第１部分１１（具体的には、合波部１１３）に向けて反射する。
【0058】
［第１部分］
第１部分１１が有する合波部１１３、第１コリメート部１１２ａおよび第２コリメー部の戻り光Ｌ２に対する機能を説明する。
第１部分１１が有する合波部１１３、第１コリメート部１１２ａおよび第２コリメー部の戻り光Ｌ２に対する機能を説明する。
【0059】
戻り光Ｌ２は、物体３から戻ってきた検知光Ｌ１であることから、戻り光Ｌ２は、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂを含む。よって、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂを合波する合波部１１３は、戻り光Ｌ２に対しては、戻り光Ｌ２から第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂとを分離する光分離部として機能する。すなわち、戻り光Ｌ２が合波部１１３に入射すると、合波部１１３は、戻り光Ｌ２に含まれる第１レーザ光Ｌ１ａを第１発光素子１１１ａに向けて透過するとともに、戻り光Ｌ２に含まれる第２レーザ光Ｌ１ｂを第２発光素子１１１ｂに向けて反射する。戻り光Ｌ２のうち合波部１１３を透過した第１レーザ光Ｌ１ａを第１戻り光Ｌ２ａと称し、合波部１１３で反射された第２レーザ光Ｌ１ｂを第２戻り光りＬ２ｂと称す。
【0060】
第１コリメート部１１２ａは、第１発光素子１１１ａと合波部１１３との間に配置されていることから、第１戻り光Ｌ２ａは第１コリメート部１１２ａに入射される。第１コリメート部１１２ａは、第１戻り光Ｌ２ａを集光する機能を有する。
【0061】
第２コリメート部１１２ｂは、第２発光素子１１１ｂと合波部１１３との間に配置されていることから、第２戻り光Ｌ２ｂは第２コリメート部１１２ｂに入射される。第２コリメート部１１２ｂは、第２戻り光Ｌ２ｂを集光する機能を有する。
【0062】
第１部分１１は、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを検出するために、第１光路変更部１１４ａ、第２光路変更部１１４ｂおよび受光部１１５を有する。
【0063】
（第１光路変更部）
第１光路変更部１１４ａは台座１１６に搭載されている。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａと合波部１１３との間に配置されている。本実施形態では、図３および図４に示したように、第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａと第１コリメート部１１２ａとの間に配置されている。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａの光路に配置されている。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａから出力された第１レーザ光Ｌ１ａを合波部１１３に向けて通すとともに、合波部１１３から出力された第１戻り光Ｌ２ａの一部を受光部１１５に向けて反射する。第１光路変更部１１４ａは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
第１光路変更部１１４ａは台座１１６に搭載されている。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａと合波部１１３との間に配置されている。本実施形態では、図３および図４に示したように、第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａと第１コリメート部１１２ａとの間に配置されている。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａの光路に配置されている。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａから出力された第１レーザ光Ｌ１ａを合波部１１３に向けて通すとともに、合波部１１３から出力された第１戻り光Ｌ２ａの一部を受光部１１５に向けて反射する。第１光路変更部１１４ａは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
【0064】
本実施形態において、第１光路変更部１１４ａはミラーである。第１光路変更部１１４ａは、検知光Ｌ１を通すための開口１１４１ａ（図３参照）を有する。すなわち、本実施形態において、第１光路変更部１１４ａは穴あきミラーである。第１光路変更部１１４ａは、第１光路変更部１１４ａの反射面が受光部１１５を臨むように、検知光Ｌ１の光路に対して斜めに配置されている。
【0065】
第１光路変更部１１４ａが上記開口１１４１ａを有することによって、第１光路変更部１１４ａが第１レーザ光Ｌ１ａの光路に配置されていても、第１レーザ光Ｌ１ａは、開口１１４１ａを通って第１コリメート部１１２ａに入射できる。開口１１４１ａのサイズは、開口１１４１ａの位置における第１レーザ光Ｌ１ａの光強度が最大値の５０％となるビームサイズ（直径が半値全幅（ＦＷＨＭ： Ｆｕｌｌ Ｗａｖｅ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）のサイズ）以上でよい。開口１１４１ａのサイズは、開口１１４１ａの位置における第１レーザ光Ｌ１ａの光強度が最大値の１３．５％となるビームサイズ(１／ｅ２幅となるサイズ)以上でもよい。レーザ光がガウシアン分布である場合、光強度が最大値の１３．５％となるサイズは半値全幅の１．７倍である。この場合、第１レーザ光Ｌ１ａのロスを少なくできる。一方で、第１戻り光Ｌ２ａをできるだけ受光部１１５に入射させるためには、開口１１４１ａのサイズは小さい方が良く、開口１１４１ａのサイズは、第１レーザ光Ｌ１ａの光強度が最大値の１３．５％となるサイズ以下でもよい。第１レーザ光Ｌ１ａのロスを少なく、かつ、受光感度を上げるために、開口１１４１ａのサイズは、第１レーザ光Ｌ１ａの光強度が最大値の５０％（半値全幅)以上且つ１３．５％以下となるサイズでもよい。
【0066】
第１光路変更部１１４ａにおいて、第１戻り光Ｌ２ａが入射する面のうち開口１１４１ａの周囲は反射面である。よって、合波部１１３から第１光路変更部１１４ａに到達した第１戻り光Ｌ２ａの一部は、受光部１１５に向けて反射される。この点を説明する。
【0067】
戻り光Ｌ２は、上記拡散反射により、反射点から放射状に拡がる光である。よって、戻り光Ｌ２の半値全幅は、検知光Ｌ１の半値全幅よりずっと大きい。以上のことから、第１光路変更部１１４ａに到達する第１戻り光Ｌ２ａの少なくとも一部は第１光路変更部１１４ａの反射面に到達し、受光部１１５に向けて反射される。
【0068】
第１戻り光Ｌ２ａの少なくとも一部を受光部１１５に向けて反射させる観点から、開口１１４１ａのサイズは、第１レーザ光Ｌ１ａを通す一方、第１光路変更部１１４ａに戻ってきた第１戻り光Ｌ２ａの少なくとも一部を受光部１１５に向けて反射可能なサイズであればよい。
【0069】
（第２光路変更部）
第２光路変更部１１４ｂは台座１１６に搭載されている。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂと合波部１１３との間に配置されている。本実施形態では、図３および図４に示したように、第２発光素子１１１ｂと第２コリメート部１１２ｂとの間に配置されている。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂの光路に配置されている。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂから出力された第２レーザ光Ｌ１ｂを合波部１１３に向けて通すとともに、合波部１１３から出力された第２戻り光Ｌ２ｂの少なくとも一部を受光部１１５に向けて反射する。第２光路変更部１１４ｂは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
第２光路変更部１１４ｂは台座１１６に搭載されている。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂと合波部１１３との間に配置されている。本実施形態では、図３および図４に示したように、第２発光素子１１１ｂと第２コリメート部１１２ｂとの間に配置されている。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂの光路に配置されている。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂから出力された第２レーザ光Ｌ１ｂを合波部１１３に向けて通すとともに、合波部１１３から出力された第２戻り光Ｌ２ｂの少なくとも一部を受光部１１５に向けて反射する。第２光路変更部１１４ｂは、たとえば、活性エネルギー線硬化樹脂によって台座１１６に固定されてよい。活性エネルギー線硬化樹脂の例は紫外線硬化樹脂である。
【0070】
本実施形態において、第２光路変更部１１４ｂはミラーである。第２光路変更部１１４ｂは、検知光Ｌ１を通す開口１１４１ｂ（図３参照）を有する。すなわち、本実施形態において、第２光路変更部１１４ｂは穴あきミラーである。第２光路変更部１１４ｂは、第２光路変更部１１４ｂの反射面が受光部１１５を臨むように、第２レーザ光Ｌ１ｂの光路に対して斜めに配置されている。
【0071】
第２光路変更部１１４ｂが上記開口１１４１ｂを有することによって、第２光路変更部１１４ｂが第２レーザ光Ｌ１ｂの光路に配置されていても、第２レーザ光Ｌ１ｂは、開口１１４１ｂを通って第２コリメート部１１２ｂに入射できる。開口１１４１ｂのサイズは、開口１１４１ｂの位置における第２レーザ光Ｌ１ｂの半値全幅または半値全幅の１．７倍となるビームサイズ以上である。第１光路変更部１１４ａの場合と同様に、第２レーザ光Ｌ１ｂのロスを少なく、かつ、受光感度を上げるために、開口１１４１ｂのサイズは、第２レーザ光Ｌ１ｂの光強度が最大値の５０％（半値全幅)以上且つ１３．５％以下となるサイズでもよい。
【0072】
第２光路変更部１１４ｂが、上記開口１１４１ｂを備えたミラーであることによって、第２レーザ光Ｌ１ｂを通すとともに、第２戻り光Ｌ２ｂの少なくとも一部を受光部１１５に向けて反射可能であることは、第１光路変更部１１４ａの場合と同様である。換言すれば、開口１１４１ｂのサイズは、第２レーザ光Ｌ１ｂを通す一方、第２光路変更部１１４ｂに戻ってきた第２戻り光Ｌ２ｂの少なくとも一部を受光部１１５に向けて反射可能なサイズであればよい。
【0073】
（受光部）
受光部１１５は、第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを受ける。受光部１１５は、Ｚ軸方向からみて、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂとの間に配置されている。
受光部１１５は、第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを受ける。受光部１１５は、Ｚ軸方向からみて、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂとの間に配置されている。
【0074】
受光部１１５は、第１戻り光Ｌ２ａを受ける第１受光素子１１５ａと、第２戻り光Ｌ２ｂを受ける第２受光素子１１５ｂとを有する。本実施形態において、第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂは、フォトダイオード（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）である。第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂはＰＤチップでよい。第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂは、第３素子搭載部１１７ｃに搭載されている。第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂは、第３素子搭載部１１７ｃが有する異なる側面に配置されている。第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂは、例えば導電性接着剤によって第３素子搭載部１１７ｃに固定されている。導電性接着剤の例は、前述したとおりである。
【0075】
本実施形態において、検知対象範囲２内の物体３からの戻り光Ｌ２は、物体３で反射された後、検知光Ｌ１の伝播方向を逆方向に伝播して光モジュール１０に戻ってきた光である。そのため、光モジュール１０内においても戻り光Ｌ２は、検知光Ｌ１の伝播方向を逆方向に伝播する。したがって、戻り光Ｌ２は、図５を用いて説明したように、ＭＥＭＳミラー１２１ａで反射された後、合波部１１３に入射する。合波部１１３に入射された戻り光Ｌ２は、合波部１１３によって、第１発光素子１１１ａに向けて伝播する第１戻り光Ｌ２ａと、第２発光素子１１１ｂに向けて伝播する第２戻り光Ｌ２ｂとに分離される。
【0076】
第１戻り光Ｌ２ａは第１コリメート部１１２ａによって集光される。第２戻り光Ｌ２ｂは第２コリメート部１１２ｂによって集光される。第１コリメート部１１２ａから第１発光素子１１１ａに向けて出力された第１戻り光Ｌ２ａの一部は、第１光路変更部１１４ａによって受光部１１５に向けて反射される。第２コリメート部１１２ｂから第２発光素子１１１ｂに向けて出力された第２戻り光Ｌ２ｂの一部は、第２光路変更部１１４ｂによって受光部１１５に向けて反射される。第１光路変更部１１４ａによって受光部１１５に向けて反射された第１戻り光Ｌ２ａは第１受光素子１１５ａで検出される。第２光路変更部１１４ｂによって受光部１１５に向けて反射された第２戻り光Ｌ２ｂは第２受光素子１１５ｂで検出される。
【0077】
【0078】
一実施形態において、ＭＥＭＳミラー１２１ａに入射した検知光Ｌ１のサイズは、代表的に半値全幅ＦＷＨＭに対応する。ＭＥＭＳミラー１２１ａの反射平面において、検知光Ｌ１の進行方向と垂直な方向をｗ１方向と称し、上記反射平面において、ｗ１方向と垂直な方向をｗ２方向と称す。ｗ１方向およびｗ２方向は、上記反射平面における検知光Ｌ１の短軸方向および長軸方向に対応してよい。検知光Ｌ１のＭＥＭＳミラー１２１ａへの入射角（上記反射平面の法線に対する角度）をθと称す。ＭＥＭＳミラー１２１ａの上記反射平面において、検知光Ｌ１のｗ１方向の長さは半値全幅ＦＷＨＭで表すことができ、ｗ２方向が半値全幅ＦＷＨＭをθの余弦で割った値で表すことができる。この場合、ＭＥＭＳミラー１２１ａ近辺での、検知光Ｌ１の進行方向に対して垂直な断面における検知光Ｌ１の面積Ａ１は、π×（ＦＷＨＭ）２／４によって表せる。上記ＭＥＭＳミラー１２１ａ近辺の検知光Ｌ１は、ＭＥＭＳミラー１２１ａへの入射直前の検知光Ｌ１でよい。ＭＥＭＳミラー１２１ａの上記反射平面における検知光Ｌ１の面積は、Ａ１／ｃｏｓθで表せる。
【0079】
ＭＥＭＳミラー１２１ａの面積Ａ２は、検知光Ｌ１の進行方向に対して垂直な断面での検知光Ｌ１の面積Ａ１の１．５倍以上且つ２０倍以下でよい。図６において、ＭＥＭＳミラー１２１ａに入射した場合の検知光Ｌ１を示すため、検知光Ｌ１の断面部分にハッチングを付している。この場合、検知光Ｌ１における半値全幅ＦＷＨＭ内の領域（実質的に検知光Ｌ１の全体）がＭＥＭＳミラー１２１ａで反射されるので、検知光Ｌ１を有効に利用できる。その結果、物体３の検知精度が向上する。ＭＥＭＳミラー１２１ａの面積Ａ２は、面積Ａ１の１．５倍以上であることによって、第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを十分に受光部１１５に受光できる。そのため、物体３の認識精度を向上できる。面積Ａ２は、面積Ａ１の２０倍以下であることによって、ＭＥＭＳミラー１２１ａの慣性モーメントをより小さくできるので、フレームレート及び点群密度を向上できる。
【0080】
ＭＥＭＳミラー１２１ａに入射した検知光Ｌ１のサイズが、半値全幅ＦＷＨＭの１．７倍のサイズに対応する場合、面積Ａ１は、π×（ＦＷＨＭ×１．７）２／４によって表される。この場合、面積Ａ２は面積Ａ１の１．５倍以上且つ７倍以下でよい。
【0081】
前述したように、戻り光Ｌ２のサイズは、検知光Ｌ１のサイズより大きい。ＭＥＭＳミラー１２１ａのサイズは、ＭＥＭＳミラー１２１ａに入射する戻り光Ｌ２のサイズより小さくてよい。
【0082】
上述した面積Ａ１と面積Ａ２との関係は、例えば、第１発光素子１１１ａと第１コリメート部１１２ａとの距離（換言すれば、第１コリメート部１１２ａの焦点距離）および第２発光素子１１１ｂと第２コリメート部１１２ｂとの距離（換言すれば、第２コリメート部１１２ｂの焦点距離）で調整可能である。或いは、ＭＥＭＳミラー１２１ａ自体のサイズを調整してもよい。
【0083】
第２部分１２が有するミラー１２２のサイズは、検知光Ｌ１より大きいサイズでよい。ミラー１２２の面積は、ＭＥＭＳミラー１２１ａから反射した戻り光Ｌ２を反射するように、面積Ａ２以上でよい。
【0084】
［収容部］
図２から図４を利用して収容部１４を説明する。収容部１４は、支持基板１４１およびカバー１４２を有する。収容部１４は、第１部分１１および第２部分１２を収容するパッケージである。カバー１４２は、支持基板１４１に固定されている。これにより、第１部分１１および第２部分１２を収容する収容空間が形成されている。本実施形態において、収容空間は、支持基板１４１およびカバー１４２によって気密封止（ハーメチックシール）されている。
図２から図４を利用して収容部１４を説明する。収容部１４は、支持基板１４１およびカバー１４２を有する。収容部１４は、第１部分１１および第２部分１２を収容するパッケージである。カバー１４２は、支持基板１４１に固定されている。これにより、第１部分１１および第２部分１２を収容する収容空間が形成されている。本実施形態において、収容空間は、支持基板１４１およびカバー１４２によって気密封止（ハーメチックシール）されている。
【0085】
支持基板１４１は、第１部分１１および第２部分１２が搭載される板状部材である。支持基板１４１は、例えばステムである。本実施形態では、図３に示されたように、第１部分１１および第２部分１２が搭載されたペルチェ素子１３が支持基板１４１に固定されている。具体的には、ペルチェ素子１３が有する放熱板１３２が、例えば接着剤によって支持基板１４１に固定されている。このようにペルチェ素子１３が支持基板１４１に固定されることによって、第１部分１１および第２部分１２が支持基板１４１に搭載されている。
【0086】
支持基板１４１の材料の例は鉄合金である。ニッケルめっきまたは金めっきが支持基板１４１に施されていてもよい。本実施形態において、支持基板１４１の平面視形状（Ｚ軸方向からみた形状）は矩形である。この場合、長辺の長さの例は、１０ｍｍ以上且つ３０ｍｍ以下であり、短辺の長さの例は、８ｍｍ以上且つ２５ｍｍ以下である。一実施形態において上記長辺の長さは２４ｍｍであり、上記短辺の長さは１９ｍｍである。支持基板１４１の平面視形状は、正方形でもよいし、四角形以外の多角形、または、円形でもよい。
【0087】
支持基板１４１には複数の導電部材２０が設けられている。導電部材２０は、例えば棒状部材である。導電部材２０の一例はリードピンである。各導電部材２０の第１端部は、収容部１４内に突出している。各導電部材２０の第２端部は、収容部１４の外部に突出している。第２端部は、導電部材２０が有する第１端部と反対の端部である。複数の導電部材２０は、収容部１４内の電子部品（例えば、第１発光素子１１１ａ、第２発光素子１１１ｂ、ＭＥＭＳ１２１、ペルチェ素子１３、第１受光素子１１５ａ、第２受光素子１１５ｂなど）を外部接続するための端子として機能する。たとえば、複数の導電部材の上記第２端部は、光モジュール１０が回路基板に取り付けられた場合、回路基板が有する配線パターンに電気的に接続される。これにより、上記回路基板を介して光モジュール１０を、光モジュール１０を制御するための制御装置（または制御回路）に電気的に接続可能である。図３および図４においては、第１発光素子１１１ａ、第２発光素子１１１ｂなどと複数の導電部材２０との配線の図示を省略している。
【0088】
本実施形態では、複数の導電部材２０は、図３および図４に示したように、ペルチェ素子１３の周囲に配置されている。支持基板１４１には、複数の導電部材２０が支持基板１４１と絶縁された状態でＺ軸方向に通されている。複数の導電部材２０の周囲には絶縁部材（例えば絶縁樹脂の硬化物）が設けられていてもよい。これによって、各導電部材２０は、支持基板１４１と絶縁されている。
【0089】
図２に示したように、カバー１４２は、胴部１４２１および天壁部１４２２を有する。カバー１４２の例はキャップである。胴部１４２１は中空体である。胴部１４２１は、例えば溶接によって支持基板１４１に固定されている。天壁部１４２２は、胴部１４２１において支持基板１４１と反対に位置する開口を塞いでいる。天壁部１４２２は、支持基板１４１と対向している壁部である。胴部１４２１と天壁部１４２２の材料としては、Ｋｖ、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などが挙げられる。胴部１４２１と天壁部１４２２は一体化している。カバー１４２が支持基板１４１に固定された状態において、天壁部１４２２の表面（収容空間と反対の面）と、支持基板１４１の裏面（収容空間と反対の面）との間の長さの例は６ｍｍ以上且つ１２ｍｍ以下である。一実施形態において、天壁部１４２２の表面と支持基板１４１の裏面の間の長さは１０ｍｍである。
【0090】
図２に示したように、収容部１４は窓部３０を有する。窓部３０は、検知光Ｌ１を収容部１４の外部に出力するとともに、戻り光Ｌ２を収容部内に通す部分である。窓部３０は、天壁部１４２２に形成された開口１４２２ａに嵌められている。
【0091】
上記光モジュール１０には、光モジュール１０が駆動された場合に生じる熱を放熱するためのヒートシンク（放熱部）が取り付けられてよい。光モジュール１０は、第１発光素子１１１ａ、第２発光素子１１１ｂ等の周囲の温度を測定するための温度計測器（たとえばサーミスタ）を少なくとも１つ備えてもよい。このような温度計測器は、収容部１４内に配置される。
【0092】
以上説明したように、光モジュール１０は、第１発光素子１１１ａ、第２発光素子１１１ｂ、合波部１１３およびＭＥＭＳ１２１を有する。合波部１１３は、第１発光素子１１１ａから出力された第１レーザ光Ｌ１ａと第２発光素子１１１ｂから出力された第２レーザ光Ｌ１ｂを合波する。これによって、合波部１１３は、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの合波光である検知光Ｌ１を出力する。ＭＥＭＳ１２１は、合波部１１３から出力された検知光Ｌ１を走査する。そのため、光モジュール１０は、ＭＥＭＳ１２１で走査された検知光Ｌ１を出力可能である。ＭＥＭＳ１２１による検知光Ｌ１の走査対象範囲が、図１に示した検知対象範囲２に対応する。
【0093】
光モジュール１０は、第１光路変更部１１４ａ、第２光路変更部１１４ｂおよび受光部１１５を有する。第１光路変更部１１４ａは、第１発光素子１１１ａに向かう第１戻り光Ｌ２ａを受光部１１５に向けて光路を変更する部分である。第２光路変更部１１４ｂは、第２発光素子１１１ｂに向かう第２戻り光Ｌ２ｂを受光部１１５に向けて光路を変更する部分である。このように、第１光路変更部１１４ａおよび第２光路変更部１１４ｂによって、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂが受光部１１５に向かう。その結果、受光部１１５が第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを検出できる。
【0094】
上記のように、光モジュール１０は、検知対象範囲を走査する検知光Ｌ１を出力可能とともに、戻り光Ｌ２を検出可能である。したがって、光モジュール１０は、リモートセンサに有効に適用できる。
【0095】
光モジュール１０において、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂは、第１発光素子１１１ａからの第１レーザ光Ｌ１ａの出力方向と、第２発光素子１１１ｂからの第２レーザ光Ｌ１ｂの出力方向とが交差するように配置されている。このような第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂの配置では、Ｚ軸方向からみた場合において、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂとの間のスペースはデッドスペースと考えられる。
【0096】
光モジュール１０では、Ｚ軸方向からみた場合において、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂとの間に受光部１１５を配置している。すなわち、上記デッドスペースに受光部１１５を配置している。この場合、受光部１１５を、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂとの間以外の場所に設置するよりも、光モジュール１０内における第１発光素子１１１ａ、第２発光素子１１１ｂ，受光部１１５などの各要素の設置領域を有効に活用できる。その結果、２つの発光素子（第１発光素子１１１ａおよび第２発光素子１１１ｂ）を備えていても光モジュール１０の小型化を図れる。
【0097】
本実施形態では、光モジュール１０は、図１に示したように検知装置１に適用される。検知装置１の設置領域の有効活用のため、より小さい検知装置１が求められる傾向がある。そのため、小型化が可能な光モジュール１０は、検知装置１に有効である。
【0098】
検知光Ｌ１は、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの合波光である。たとえば、検知対象範囲２内の測定点が第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂとで同じになるように各レーザを同時に発光させるように制御することで、光モジュール１０が備える発光素子が１つの場合より、検知光Ｌ１の光出力を増加できる。この場合、戻り光Ｌ２の光出力も増加するので、測定点での検知精度が向上する。或いは、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂから第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを交互に出力するように制御することで、検知対象範囲２内の測定点を第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂとで異ならせることができる。つまり、第１レーザ光Ｌ１ａによる２つの測定点の間に第２レーザ光Ｌ１ｂの測定点を配置できる。この様にすることで、検知対象範囲２内の点群密度(解像度)を向上できる。この際に、ＭＥＭＳミラー１２１ａの走査を速くすれば、点群密度を向上する代わりに、検知対象範囲２の画像に対応する取得画像のフレームレートを向上できる。
【0099】
受光部１１５が、第１戻り光Ｌ２ａを検出する第１受光素子１１５ａと、第２戻り光Ｌ２ｂを検出する第２受光素子１１５ｂを有する形態では、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂに対して第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂを配置し易い。第１戻り光Ｌ２ａに対して第１受光素子１１５ａが配置されとともに、第２戻り光Ｌ２ｂに対して第２受光素子１１５ｂが配置されている場合、第１戻り光Ｌ２ａを第１受光素子１１５ａに垂直入射可能であるとともに、第２受光素子１１５ｂに垂直入射可能である。そのため、第１発光素子１１１ａおよび第２発光素子１１１ｂがより多くの第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを受けることができる。その結果、物体３の検知精度が向上する。第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂの波長が異なる場合、第１戻り光Ｌ２ａに対して感度が高い第１受光素子１１５ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂに対して感度が高い第２受光素子１１５ｂを使用できる。そのため、物体３を一層検知し易い。
【0100】
本実施形態では、期間Ｔ１と期間Ｔ２が重なっていてよい。期間Ｔ１は、第１発光素子１１１ａから第１レーザ光Ｌ１ａが出射され、物体３から反射して戻ってきた第１戻り光Ｌ２ａが第１受光素子１１５ａに到達するまでの期間である。期間Ｔ２は、第２発光素子１１１ｂから第２レーザ光Ｌ１ｂが出射され、物体３から反射して戻ってきた第２戻り光Ｌ２ｂが第２受光素子１１５ｂに到達するまでの期間である。上記のように、期間Ｔ１と期間Ｔ２が重なっていることを、「第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂの発光タイミングが同じ」と称す。発光タイミングが同じであることにより、取得画像のフレームレートまたは点群密度(解像度)を向上できる。
【0101】
光モジュール１０が、第１光路変更部１１４ａとともに、第２光路変更部１１４ｂを備える形態では、受光部１１５が、第１戻り光Ｌ２ａとともに、第２戻り光Ｌ２ｂを検出できる。この場合、受光部１１５が第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂのうちの一方を検出する場合より、光モジュール１０は、戻り光Ｌ２をより多く検出できる。そのため、物体３の検知精度が向上する。
【0102】
図３および図４に例示した形態では、第１コリメート部１１２ａは第１光路変更部１１４ａと合波部１１３の間に配置されている。このような配置関係では、第１コリメート部１１２ａは第１戻り光Ｌ２ａを集光する。図３および図４に例示した形態では、第２コリメート部１１２ｂは第２光路変更部１１４ｂと合波部１１３の間に配置されている。このような配置関係では、第２コリメート部１１２ｂは第２戻り光Ｌ２ｂを集光する。すなわち、図３および図４に例示した形態では、第１コリメート部１１２ａは、第１レーザ光Ｌ１ａをコリメート光に変換する機能とともに、第１戻り光Ｌ２ａを集光する機能を有する。同様に、第２コリメート部１１２ｂは、第２レーザ光Ｌ１ｂをコリメート光に変換する機能とともに、第２戻り光Ｌ２ｂを集光する機能を有する。そのため、受光部１１５に向けて第１戻り光Ｌ２ａを集光する光学素子を第１コリメート部１１２ａとは別に配置する必要がない。同様に、受光部１１５に向けて第２戻り光Ｌ２ｂを集光する光学素子を第２コリメート部１１２ｂとは別に配置する必要がない。したがって、光モジュール１０の小型化を更に図れるとともに、製造コストを低減できる。
【0103】
第１レーザ光Ｌ１ａの中心波長および第２レーザ光Ｌ１ｂの中心波長が異なる形態では、波長の違いを利用して容易に第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波できる。戻り光Ｌ２も第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを含むことから、波長の違いを利用して容易に戻り光Ｌ２を第１戻り光Ｌ２ａ（第１レーザ光Ｌ１ａに対応）および第２戻り光Ｌ２ｂ（第２レーザ光Ｌ１ｂに対応）に分離できる。
【0104】
光モジュール１０がペルチェ素子１３を有する形態では、第１発光素子１１１ａおよび第２発光素子１１１ｂがペルチェ素子１３に搭載されている。この場合、ペルチェ素子１３によって、第１発光素子１１１ａおよび第２発光素子１１１ｂの温度を一定の温度範囲内に制御できる。そのため、第１発光素子１１１ａおよび第２発光素子１１１ｂの動作が安定する。例えば、第１レーザ光Ｌ１ａの波長および第２発光素子１１１ｂから出力される第２レーザ光Ｌ１ｂの波長が安定する。その結果、第１部分１１から所望の状態の検知光Ｌ１を出力可能である。第１コリメート部１１２ａおよび第２コリメート部１１２ｂが樹脂製レンズである場合のように、第１部分１１に含まれる光学部品が樹脂製である場合、ペルチェ素子１３による温度調整によって、熱に起因する光学部品の変形が抑制される。そのため、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂがより適切に合波される。例えば、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの光軸をより高い精度で一致させることができる。ペルチェ素子１３による温度調整によって、パルス幅やｄｕｔｙ比といったパルス条件を緩和できる。
【0105】
図３および図４に示した形態では、第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂがペルチェ素子１３に搭載されている。そのため、第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂの周囲温度の変化に伴う第１受光素子１１５ａおよび第２受光素子１１５ｂの性能変化も抑制できる。同様に、図３および図４に示した形態では、ＭＥＭＳ１２１もペルチェ素子１３に搭載されている。そのため、ＭＥＭＳ１２１の周囲温度の変化に伴うＭＥＭＳ１２１の性能変化も抑制できる。
【0106】
（変形例１）
受光部１１５は、図７に示したように、単一の受光素子１１５１でもよい。この場合、受光素子１１５１が第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂの両方を検出する。受光素子１１５１は、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂに対して受光感度を有する。受光素子１１５１の例はＰＤである。受光素子１１５１はＰＤチップでよい。受光素子１１５１は、Ｚ軸方向からみて、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを受光可能な位置に配置されている。受光素子１１５１の受光面には、通常、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂは斜め入射される。図７に例示した形態では、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを受ける受光素子の数が１つ、つまり、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂに対して受光素子は共通である。そのため、光モジュール１０の製造コストを低減できる。
受光部１１５は、図７に示したように、単一の受光素子１１５１でもよい。この場合、受光素子１１５１が第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂの両方を検出する。受光素子１１５１は、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂに対して受光感度を有する。受光素子１１５１の例はＰＤである。受光素子１１５１はＰＤチップでよい。受光素子１１５１は、Ｚ軸方向からみて、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを受光可能な位置に配置されている。受光素子１１５１の受光面には、通常、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂは斜め入射される。図７に例示した形態では、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを受ける受光素子の数が１つ、つまり、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂに対して受光素子は共通である。そのため、光モジュール１０の製造コストを低減できる。
【0107】
変形例１において、受光素子１１５１が波長フィルタを有する場合、つまり、受光素子１１５１が波長の異なる第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを別々に検出できる場合、第１受光素子１１５ａと第２受光素子１１５ｂの発光タイミングは同じでよい。
【0108】
受光素子１１５１が波長フィルタを有さない場合は、例えば、第１発光素子１１１ａと第２発光素子１１１ｂの発光タイミングを異ならせることで、第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを識別できる。第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを識別可能なように光モジュール１０を構成或いは制御することによって、第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂに対して共通の受光素子１１５１を用いることができる。第１受光素子１１５ａと第２受光素子１１５ｂの発光タイミングが異なるとは、期間Ｔ１と期間Ｔ２が重ならないということである。
【0109】
発光タイミングが同じであっても、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂに異なる固有のマーキングを施すことにより、共通の受光素子１１５１で第１戻り光Ｌ２ａと第２戻り光Ｌ２ｂを識別できる。マーキングの例としては、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂでパルス幅を異ならせること、または時間的な強度を変調することが挙げられる。上記のマーキングの方法をレーザ光のパルス変調ともいう。
【0110】
受光素子１１５１は、第１光路変更部１１４ａおよび第２光路変更部１１４ｂに対し、第１コリメート部１１２ａによる第１戻り光Ｌ２ａおよび第２コリメート部１１２ｂによる第２戻り光Ｌ２ｂの集光位置より遠い位置に配置されていてよい。この場合、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂは、一度集光した後、拡がった状態で受光素子１１５１に入射される。そのため、集光位置における高い光パワー密度による受光素子１１５１の飽和を避けられ、第１コリメート部１１２ａおよび第２コリメート部１１２ｂの収差に合わせて最小錯乱円位置に受光素子１１５１の受光面を配置する設計とすることでパワー密度分布も若干フラットにでき、効率よく受光できる。
【0111】
（変形例２）
第２レーザ光Ｌ１ｂは可視光でもよい。この場合、第２レーザ光Ｌ１ｂの波長の例は、４００ｎｍ以上且つ７００ｎｍ以下である。検知光Ｌ１は第２レーザ光Ｌ１ｂを含むことから、第２レーザ光Ｌ１ｂが可視光である場合、検知対象範囲２を可視化できる。そのため、光モジュール１０を備えた検知装置１をたとえば自動車等に取り付ける場合に、検知装置１の取付位置などを調整し易い。第１レーザ光Ｌ１ａが赤外光であり且つ第２レーザ光Ｌ１ｂが可視光である形態では、物体３の検知は赤外光で行う。そのため、受光部は、第１戻り光のみを検出すればよい。この変形例２では、第１レーザ光Ｌ１ａはパルス光であり、第２レーザ光Ｌ１ｂが連続波（ＣＷ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）でもよい。第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂが両方ともパルス光でもよい。第２レーザ光Ｌ１ｂは、検知対象範囲２を可視化のためのレーザ光であることから、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂが両方ともパルス光であってもそれらを区別するための構成または制御は不要である。
第２レーザ光Ｌ１ｂは可視光でもよい。この場合、第２レーザ光Ｌ１ｂの波長の例は、４００ｎｍ以上且つ７００ｎｍ以下である。検知光Ｌ１は第２レーザ光Ｌ１ｂを含むことから、第２レーザ光Ｌ１ｂが可視光である場合、検知対象範囲２を可視化できる。そのため、光モジュール１０を備えた検知装置１をたとえば自動車等に取り付ける場合に、検知装置１の取付位置などを調整し易い。第１レーザ光Ｌ１ａが赤外光であり且つ第２レーザ光Ｌ１ｂが可視光である形態では、物体３の検知は赤外光で行う。そのため、受光部は、第１戻り光のみを検出すればよい。この変形例２では、第１レーザ光Ｌ１ａはパルス光であり、第２レーザ光Ｌ１ｂが連続波（ＣＷ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）でもよい。第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂが両方ともパルス光でもよい。第２レーザ光Ｌ１ｂは、検知対象範囲２を可視化のためのレーザ光であることから、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂが両方ともパルス光であってもそれらを区別するための構成または制御は不要である。
【0112】
（第２実施形態）
第１実施形態では、合波部に入射する第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光方向が同じである場合を説明した。第２実施形態として、合波部に入射する第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光方向が異なっている形態を説明する。第２実施形態に係る光モジュールを光モジュール１０Ａと称す。
第１実施形態では、合波部に入射する第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光方向が同じである場合を説明した。第２実施形態として、合波部に入射する第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光方向が異なっている形態を説明する。第２実施形態に係る光モジュールを光モジュール１０Ａと称す。
【0113】
図８は、第２実施形態に係る光モジュール１０Ａを説明するための模式図である。図８では、図４及び図７と同様に、カバーが取り外された状態の光モジュール１０Ａを示している。光モジュール１０Ａは、波長板１１８を備えるとともに、合波部１１３の代わりに合波部１１３Ａを備える点で、第１実施形態係る光モジュールと相違する。この相違点以外の構成は、第１実施形態に係る光モジュールの場合と同じであるため、相違点以外の構成に関する説明を省略する。第２実施形態の説明では、断らない限り、第１実施形態の概念に、変形例１，２の概念も含む。
【0114】
第２実施形態においても、第１発光素子１１１ａから出力される第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２発光素子１１１ｂから出力される第２レーザ光Ｌ１ｂは同じ第１偏光のレーザ光である。第１実施形態の場合と同様に、断らない限り、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂはパルス光である。第２実施形態において、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの波長は同じでよい。波長が同じとは、可干渉性を持つ程度の波長の範囲内であることを意味する。
【0115】
波長板１１８は、第２発光素子１１１ｂと合波部１１３Ａの間に配置される。図８では、波長板１１８は、第２光路変更部１１４ｂとの間に配置されている形態を例示している。波長板１１８は入射される第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光を第１偏光から第２偏光に変更する。第２実施形態において、波長板１１８はλ／２板である。この場合、第２偏光は第１偏光の偏光方向が９０°回転された偏光である。
【0116】
第２実施形態では、第１発光素子１１１ａから出力された第１レーザ光Ｌ１ａは第１偏光を維持した状態で合波部１１３Ａに入射される。一方、第２発光素子１１１ｂから出力された第２レーザ光Ｌ１ｂは、波長板１１８を通って合波部１１３Ａに入射される。したがって、第２レーザ光Ｌ１ｂは、第２偏光のレーザ光として合波部１１３Ａに入射される。
【0117】
合波部１１３Ａは、第１偏光の光を通すとともに、第２偏光の光を反射する。合波部１１３Ａの例は、偏光選択フィルタ（または偏光ビームスプリッタ）でよい。合波部１１３Ａは、第１偏光の第１レーザ光Ｌ１ａを第２部分１２に向けて通すとともに、第２偏光の第２レーザ光Ｌ１ｂを第２部分１２に向けて反射するように、配置されている。これによって、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの合波である検知光Ｌ１が形成される。検知光Ｌ１は、第２部分１２に向けて合波部１１３Ａから出射される。
【0118】
戻り光Ｌ２は、通常、物体３によって拡散反射（または散乱反射）された検知光Ｌ１である。このような戻り光Ｌ２は無偏光である。上記合波部１１３Ａは、第１偏光の光を通すとともに、第２偏光の光を反射する。したがって、無偏光の戻り光Ｌ２が上記合波部１１３Ａに入射すると、第１発光素子１１１ａに向かう第１偏光の第１戻り光Ｌ２ａと、第２発光素子１１１ｂに向かう第２偏光の第２戻り光Ｌ２ｂに分けられる。その結果、第１戻り光Ｌ２ａおよび第２戻り光Ｌ２ｂを受光素子１１５１で検出できる。
【0119】
第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの発光タイミングは、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂを区別可能にパルス変調することによって同じとすることができる。第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの発光タイミングは異なっていてもよい。第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂの発光タイミングが異なっている場合、取得画像のフレームレートまたは点群密度(解像度)を向上できる。
【0120】
第２実施形態では、前述したように、第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの波長は同じでよい。したがって、第１発光素子１１１ａおよび第２発光素子１１１ｂとして同じ発光素子を利用できる。この場合、波長の異なる発光素子を準備する必要がないため、光モジュール１０Ａを製造し易い。
【0121】
光モジュール１０Ａとして、変形例１の場合と同様に受光部１１５が、第１レーザ光Ｌ１ａと第２レーザ光Ｌ１ｂに対して共通の受光素子１１５１である場合を説明した。しかしながら、図４に示したように、受光部１１５は別々の第１受光素子１１５ａと第２受光素子１１５ｂを有してもよい。
【0122】
第２実施形態に係る光モジュール１０Ａは、偏光の違いを利用して第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波する（或いは戻り光Ｌ２を分離する）点以外は、第１実施形態に係る光モジュール１０と同じである。よって、光モジュール１０Ａは、光モジュール１０と同じ作用効果を有する。
【0123】
（変形例３）
偏光方向の異なる第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波部１１３Ａに入射するために、波長板１１８を用いなくてもよい。第２発光素子１１１ｂの設置状態を変更することによって、合波部１１３Ａに入射する第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光状態が調整されてもよい。例えば、第２発光素子１１１ｂの配置状態を、第１偏光の第２レーザ光Ｌ１ｂを出力する状態から９０°回転させた配置状態に変更することによって、第１偏光の偏光方向から９０°回転した第２偏光の第２レーザ光Ｌ１ｂを合波部１１３に入射してもよい。
偏光方向の異なる第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波部１１３Ａに入射するために、波長板１１８を用いなくてもよい。第２発光素子１１１ｂの設置状態を変更することによって、合波部１１３Ａに入射する第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光状態が調整されてもよい。例えば、第２発光素子１１１ｂの配置状態を、第１偏光の第２レーザ光Ｌ１ｂを出力する状態から９０°回転させた配置状態に変更することによって、第１偏光の偏光方向から９０°回転した第２偏光の第２レーザ光Ｌ１ｂを合波部１１３に入射してもよい。
【0124】
合波部１１３Ａに入射する第１レーザ光Ｌ１ａの偏光（第１偏光）と第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光（第２偏光）の偏光方向の角度差は９０°に限定されない。合波部１１３Ａに入射する第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂの偏光方向が異なる場合、その偏光の違いを利用して第１レーザ光Ｌ１ａおよび第２レーザ光Ｌ１ｂを合波できる。
【0125】
以上、本開示に係る種々の実施形態および変形例を説明したが、本開示は、例示した実施形態および変形例に限定されない。
【0126】
第１光路変更部１１４ａは、第１レーザ光Ｌ１ａを通すとともに、第１戻り光Ｌ２ａを受光部１１５に向けて反射できれば、開口１１４１ａを有するミラーに限定されない。同様に、第２光路変更部１１４ｂは、第２レーザ光Ｌ１ｂを通すとともに、第２戻り光Ｌ２ｂを受光部に向けて反射できれば開口１１４１ｂを有するミラーに限定されない。例えば、第１光路変更部１１４ａおよび第２光路変更部１１４ｂは、開口を有しないハーフミラーでもよいし、開口を有しない偏光フィルタ（または偏光ビームスプリッタ）でもよい。
【0127】
受光部１１５は、第１戻り光Ｌ２ａのみを検出してもよい。換言すれば、受光部１１５は、第２戻り光Ｌ２ｂを検出しなくてもよい。
【0128】
光モジュール１０が備える発光素子の数は２つに限定されない。光モジュールが備える発光素子の数は３個以上でもよい。発光素子が出力するレーザ光は赤外光に限定されない。発光素子が出力するレーザ光の波長は、光モジュールの用途に応じた波長でよい。
【0129】
ＭＥＭＳ１２１の位置は、図３から図５を用いて説明した位置に限定されない。ＭＥＭＳ１２１は、合波部１１３から出力された検知光Ｌ１が直接入射される位置に配置されていてもよい。換言すれば、ＭＥＭＳ１２１は、図３に示した形態において吸熱板１３１に対して第１レーザ光Ｌ１ａ（または第２レーザ光Ｌ１ｂ）と同じ高さの検知光Ｌ１が入射される位置に配置されてもよい。この場合、ミラー１２２は不要である。
【0130】
走査部は、検知光Ｌ１を走査可能に構成されていれば、ＭＥＭＳ１２１に限定されない。光モジュール１０は、走査部を有しなくてもよい。この場合、光モジュールから出力された検知光Ｌ１を、光モジュールの外部に配置された走査部によって検知光Ｌ１を走査することによって、検知対象範囲２内の物体３を検知可能である。
【0131】
温度調整器の例は、収容部１４内の素子（発光素子、レンズ等）の温度を調整可能であれば、ペルチェ素子１３に限定されない。
【0132】
以上説明した種々の実施形態および変形例は、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わされてもよい。
【符号の説明】
【0133】
１…検知装置
２…検知対象範囲
３…物体
１０…光モジュール
１０Ａ…光モジュール
１１…第１部分
１１１ａ…第１発光素子
１１１ｂ…第２発光素子
１１２ａ…第１コリメート部
１１２ｂ…第２コリメート部
１１３…合波部
１１３Ａ…合波部
１１４ａ…第１光路変更部
１１４１ａ…開口
１１４ｂ…第２光路変更部
１１４１ｂ…開口
１１５…受光部
１１５ａ…第１受光素子
１１５ｂ…第２受光素子
１１５１…受光素子
１１６…台座
１１７ａ…第１素子搭載部
１１７ｂ…第２素子搭載部
１１７ｃ…第３素子搭載部
１１８…波長板
１２…第２部分
１２１…ＭＥＭＳ（走査部）
１２１ａ…ＭＥＭＳミラー（走査ミラー）
１２１ｂ…駆動部
１２２…ミラー
１２３…支持体
１３…ペルチェ素子
１３１…吸熱板
１３２…放熱板
１３３…半導体柱
１４…収容部
１４１…支持基板
１４２…カバー
１４２１…胴部
１４２２…天壁部
１４２２ａ…開口
２０…導電部材
３０…窓部
Ｌ１…検知光
Ｌ１ａ…第１レーザ光
Ｌ１ｂ…第２レーザ光
Ｌ２…戻り光
Ｌ２ａ…第１戻り光
Ｌ２ｂ…第２戻り光
２…検知対象範囲
３…物体
１０…光モジュール
１０Ａ…光モジュール
１１…第１部分
１１１ａ…第１発光素子
１１１ｂ…第２発光素子
１１２ａ…第１コリメート部
１１２ｂ…第２コリメート部
１１３…合波部
１１３Ａ…合波部
１１４ａ…第１光路変更部
１１４１ａ…開口
１１４ｂ…第２光路変更部
１１４１ｂ…開口
１１５…受光部
１１５ａ…第１受光素子
１１５ｂ…第２受光素子
１１５１…受光素子
１１６…台座
１１７ａ…第１素子搭載部
１１７ｂ…第２素子搭載部
１１７ｃ…第３素子搭載部
１１８…波長板
１２…第２部分
１２１…ＭＥＭＳ（走査部）
１２１ａ…ＭＥＭＳミラー（走査ミラー）
１２１ｂ…駆動部
１２２…ミラー
１２３…支持体
１３…ペルチェ素子
１３１…吸熱板
１３２…放熱板
１３３…半導体柱
１４…収容部
１４１…支持基板
１４２…カバー
１４２１…胴部
１４２２…天壁部
１４２２ａ…開口
２０…導電部材
３０…窓部
Ｌ１…検知光
Ｌ１ａ…第１レーザ光
Ｌ１ｂ…第２レーザ光
Ｌ２…戻り光
Ｌ２ａ…第１戻り光
Ｌ２ｂ…第２戻り光
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】