特開 2024-106184 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024106184

(43)【公開日】2024-08-07

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/13357 20060101AFI20240731BHJP

   G02F 1/1334 20060101ALI20240731BHJP

【ＦＩ】

G02F1/13357

G02F1/1334

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023010351

(22)【出願日】2023-01-26

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】宮尾 諒

【テーマコード（参考）】

2H189

2H391

【Ｆターム（参考）】

2H189AA04

2H189AA73

2H189AA75

2H189AA76

2H189HA05

2H189HA16

2H189MA15

2H189NA09

2H391AA15

2H391AA23

2H391AA25

2H391AB05

2H391AC05

2H391CA34

2H391CA35

2H391CB03

2H391FA01

2H391FA02

(57)【要約】

【課題】表示領域の外側の周辺領域に意図しない光が視認されることを抑制する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示パネルと、表示パネルに貼り合された透光性を有する第１基材と、第１透光性基板の側面、第２透光性基板の側面及び第１基材の側面の少なくとも１つに光が入るように配置される光源と、を備える。第１基材は、アクティブ領域と重畳し、かつ、周辺領域と非重畳な大きさを有している。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１透光性基板と、前記第１透光性基板に対向する第２透光性基板と、前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間の液晶層と、を含み、前記第１透光性基板に垂直な方向からみて、画像を表示可能なアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側の周辺領域とを有する表示パネルと、
前記表示パネルに貼り合された透光性を有する第１基材と、
前記第１透光性基板の側面、前記第２透光性基板の側面及び前記第１基材の側面の少なくとも１つに光が入るように配置される光源と、を備え、
前記第１基材は、前記アクティブ領域と重畳し、かつ、前記周辺領域と非重畳な大きさを有している、
表示装置。

【請求項2】

前記第１基材と反対側で、前記表示パネルに貼り合された透光性を有する第２基材をさらに備え、
前記第２基材は、前記アクティブ領域と重畳し、かつ、前記周辺領域と非重畳な大きさを有している、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１基材と反対側で、前記表示パネルに貼り合された透光性を有する第２基材をさらに備え、
前記第２基材は、前記アクティブ領域と重畳し、かつ、前記周辺領域と重畳する大きさを有している、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記光源は、前記第１基材の側面に沿って設けられた導光体と、前記導光体に対向するように並べられた複数の発光部と、を含む、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記光源は、前記第２透光性基板の側面及び前記第１基材の側面に沿って設けられた導光体と、前記導光体に対向するように並べられた複数の発光部と、を含む、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記周辺領域には、第１周辺領域及び第２周辺領域を有し、
前記第１周辺領域は、第１配線が配置され、
前記第２周辺領域は、第２配線が配置されている、
請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記周辺領域では、前記第１透光性基板から前記第２透光性基板の背景が視認され、前記第２透光性基板から前記第１透光性基板の背景が視認される、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記アクティブ領域では、前記第１透光性基板から前記第２透光性基板の背景が視認され、前記第２透光性基板から前記第１透光性基板の背景が視認される、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記液晶層は、高分子分散型液晶であり、
前記第１透光性基板は、第１主面及び当該第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
前記第２透光性基板は、第１主面及び当該第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第１透光性基板の第１主面から前記第２透光性基板の第１主面側の背景が視認され、又は前記第２透光性基板の第１主面から前記第１透光性基板の第１主面側の背景が視認される、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、第１透光性基板と、第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板及び第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部とを備える表示装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－０２１９７４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載されている表示装置では、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能である。表示領域の外側の周辺領域が光を透過しないと、背景が見えなくなり、違和感を与える可能性があるため、表示領域の外側の周辺領域も表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認できるようにすることが望ましい。表示領域の外側の周辺領域がシースルー状態であると、表示領域の外側の周辺領域に意図しない光が視認される可能性がある。

【0005】

本発明の目的は、表示領域の外側の周辺領域に意図しない光が視認されることを抑制する表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様に係る表示装置は、第１透光性基板と、前記第１透光性基板に対向する第２透光性基板と、前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間の液晶層と、を含み、前記第１透光性基板に垂直な方向からみて、画像を表示可能なアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側の周辺領域とを有する表示パネルと、前記表示パネルに貼り合された透光性を有する第１基材と、前記第１透光性基板の側面、前記第２透光性基板の側面及び前記第１基材の側面の少なくとも１つに光が入るように配置される光源と、を備え、前記第１基材は、前記アクティブ領域と重畳し、かつ、前記周辺領域と非重畳な大きさを有している。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本実施形態に係る表示パネルの一例を表す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態１の表示装置を表すブロック図である。

【図3】図３は、実施形態１のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

【図4】図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。

【図5】図５は、表示装置の断面の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。

【図7】図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。

【図8】図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。

【図9】図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【図10】図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。

【図11】図１１は、画素において、保持容量層を示す平面図である。

【図12】図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。

【図13】図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。

【図14】図１４は、画素において、遮光層を示す平面図である。

【図15】図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。

【図16】図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ’の断面図である。

【図17】図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’の断面図である。

【図18】図１８は、実施形態１の周辺領域を説明するための平面図である。

【図19】図１９は、比較例１の表示装置を説明するための平面図である。

【図20】図２０は、比較例２の表示装置を説明するための平面図である。

【図21】図２１は、第１変形例に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。

【図22】図２２は、図２１の表示装置の平面を示す平面図である。

【図23】図２３は、第１変形例と異なる表示装置の平面を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る表示パネルの一例を表す斜視図である。図２は、実施形態１の表示装置を表すブロック図である。図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

【0010】

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、光源３と、駆動回路４とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向がＰＸ方向とされ、ＰＸ方向と直交する方向が第２方向ＰＹとされ、ＰＸ－ＰＹ平面に直交する方向が第３方向ＰＺとされている。

【0011】

表示パネル２は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。アレイ基板１０は、第１透光性基板であり、対向基板２０は、第２透光性基板である。対向基板２０は、アレイ基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向する。液晶層５０（図５参照）は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、封止部１８とで、高分子分散型液晶ＬＣが封止されている。

【0012】

図１に示すように、表示パネル２において、画像を表示可能なアクティブ領域ＡＡと、アクティブ領域ＡＡの外側の周辺領域ＦＲと、がある。アクティブ領域ＡＡには、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線ＧＬが行毎に配線され、複数の信号線ＳＬが列毎に配線されている。

【0013】

図２に示すように、光源３は、複数の発光部３１を備えている。光源制御部３２は、配線基板９３上に、設けられる。配線基板９３は、フレキシブルプリント基板又はＰＣＢ基板である。光源制御部３２には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から光源制御信号ＬＣＳＡが送出される。光源制御信号ＬＣＳＡは、例えば、画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。

【0014】

図１に示すように、駆動回路４は、アレイ基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、信号処理回路４１、画素制御回路４２、ゲート駆動回路４３、ソース駆動回路４４及び共通電位駆動回路４５を備えている。アレイ基板１０は、対向基板２０よりもＰＸ－ＰＹ平面の面積が大きく、対向基板２０から露出したアレイ基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。

【0015】

信号処理回路４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブルプリント基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。

【0016】

信号処理回路４１は、入力信号解析部４１１と、記憶部４１２と、信号調整部４１３とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された第１入力信号ＶＳに基づいて第２入力信号ＶＣＳを生成する。

【0017】

第２入力信号ＶＣＳは、第１入力信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第２入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。

【0018】

信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡを画素制御回路４２へ送出する。

【0019】

そして、画素制御回路４２は、第３入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。

【0020】

ゲート駆動回路４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線ＧＬを順次選択する。走査線ＧＬの選択の順番は任意である。ゲート駆動回路４３と、走査線ＧＬとは、アクティブ領域ＡＡの外側の周辺領域ＦＲ（図１参照）に配置された第１配線ＧＰＬ１及び第２配線ＧＰＬ２で電気的に接続されている。

【0021】

ソース駆動回路４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。

【0022】

本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視で第２方向ＰＹに延在する信号（ソース）線ＳＬ及び第１方向ＰＸに延在する走査（ゲート）線ＧＬがあり、信号線ＳＬと走査線ＧＬとの交差部には、スイッチング素子Ｔｒがある。

【0023】

スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線ＳＬに接続され、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、後述する高分子分散型液晶ＬＣの容量の一端に接続されている。高分子分散型液晶ＬＣの容量は、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極ＰＥを介して接続され、他端が共通電極ＣＥを介してコモン電位配線ＣＯＭＬに接続されている。また、画素電極ＰＥと、コモン電位配線ＣＯＭＬに電気的に接続されている保持容量電極ＩＯとの間には、保持容量ＨＣが生じる。なお、コモン電位配線ＣＯＭＬは、共通電位駆動回路４５より供給される。

【0024】

発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３３Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３３Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３３Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。

【0025】

図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＦにおいて、第１色の発光期間ＲＯＮで第１色の発光体３３Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色の発光期間ＲＯＮにおいて第１色のみ点灯している。

【0026】

次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＦにおいて、第２色の発光期間ＧＯＮで第２色の発光体３３Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色の発光期間ＧＯＮにおいて第２色のみ点灯している。

【0027】

さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＦにおいて、第３色の発光期間ＢＯＮで第３色の発光体３３Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて第３色のみ点灯している。

【0028】

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に３色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよい。なお、第４サブフレームをさらに有し、第１色、第２色及び第３色とは異なる第４色を発光するようにしてもよい。

【0029】

図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【0030】

１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極ＰＥへの印加電圧が変わる。画素電極ＰＥへの印加電圧が変わると、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとの間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。

【0031】

図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧が飽和電圧Ｖｓａｔ以上となると、画素Ｐｉｘ内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路４は、飽和電圧Ｖｓａｔよりも低い電圧範囲Ｖｄｒにおいて、垂直駆動信号ＶＤＳに応じた画素電極ＰＥへの印加電圧を変化させる。

【0032】

図５に示すように、表示装置１は、透光性の第１基材２５と、表示パネル２と、透光性の第２基材２７と、を備える。保護層７５は、透光性の第１基材２５の一面に設けられている。保護層７６は、表示パネル２の一面に設けられている。

【0033】

表示パネル２は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０とを備えている。対向基板２０は、アレイ基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向する。液晶層５０は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、封止部１８とで、高分子分散型の液晶が封止されている。

【0034】

図５及び図６に示すように、アレイ基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。

【0035】

図５及び図６に示すように、対向基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。

【0036】

図５及び図６に示すように、第１基材２５は、第１主面２５Ａ、第２主面２５Ｂ、第１側面２５Ｃ、第２側面２５Ｄ、第３側面２５Ｅ及び第４側面２５Ｆを備える。第１主面２５Ａと第２主面２５Ｂとは、平行な平面である。第１側面２５Ｃと第２側面２５Ｄとは、平行な平面である。第３側面２５Ｅと第４側面２５Ｆとは、平行な平面である。

【0037】

第１基材２５は、対向基板２０の第１主面２０Ａに光学樹脂２３を介して、貼り合わされている。第１基材２５は、対向基板２０の保護基板であり、例えばガラスもしくは透光性の樹脂により形成される。第１基材２５がガラス基材で形成される場合、カバーガラスとも呼ばれる。また第１基材２５が透光性の樹脂で形成される場合は、可撓性を有していてもよい。なお、アレイ基板１０の第１主面１０Ａに光学樹脂を介して、第１基材２５と同じ基材が貼り合わせられてもよい。

【0038】

図５及び図６に示すように、第２基材２７は、第１主面２７Ａ、第２主面２７Ｂ、第１側面２７Ｃ、第２側面２７Ｄ、第３側面２７Ｅ及び第４側面２７Ｆを備える。第１主面２７Ａと第２主面２７Ｂとは、平行な平面である。第１側面２７Ｃと第２側面２７Ｄとは、平行な平面である。第３側面２７Ｅと第４側面２７Ｆとは、平行な平面である。

【0039】

第２基材２７は、アレイ基板１０の第１主面１０Ａに光学樹脂２６を介して、貼り合わされている。第２基材２７は、アレイ基板１０の保護基板であり、例えばガラスもしくは透光性の樹脂により形成される。第２基材２７がガラス基材で形成される場合、カバーガラスとも呼ばれる。また、第２基材２７が透光性の樹脂で形成される場合は、可撓性を有していても良い。

【0040】

図５及び図６に示すように、光源３は、第１基材２５の第２側面２５Ｄに沿って、第１方向ＰＸに設けられた導光体３３Ｌと、導光体３３Ｌに対向するように並べられた複数の発光部３１とを含む。光源３は、サイド光源と呼ばれることもある。導光体３３Ｌは、光源３の対向基板２０の第２側面２０Ｄと対向せず、第１基材２５の第２側面２５Ｄのみに対向する。図５に示すように、光源３は、第１基材２５の第２側面２５Ｄへ光源光Ｌを照射する。導光体３３Ｌは、第１基材２５の第２側面２５Ｄのみを光源３の光の光入射面とする。また、光源３と対向する光入射面は、対向基板２０の第２側面２０Ｄ、第２基材２７の第２側面２７Ｄであってもよい。

【0041】

光源３は、発光部３１と、導光体３３Ｌとを備えている。発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３３Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３３Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３３Ｂと、を含む。導光体３３Ｌは、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ、及び第３色の発光体３３Ｂで発光した光を第１基材２５の第２側面２５Ｄに照射する。導光体３３Ｌは、複数の発光部３１の光を同時に受光し、内部で拡散させて、表示パネル２へ放出する。その結果、対向基板２０の第２側面２０Ｄ及び第１基材２５の第２側面２５Ｄに照射される、単位面積当たりの光の分布は、均一化される。

【0042】

また、導光体３３Ｌは第３側面２５Ｅから第４側面２５Ｆにかけて一体的に形成される単一の導光体３３Ｌである。導光体３３Ｌは、第３側面２５Ｅから第４側面２５Ｆにかけて、分割された複数の導光体を並べて構成してもよい。導光体３３Ｌは、第３側面２５Ｅから第４側面２５Ｆにかけて、分割された複数の導光体を並べて、隣り合う導光体同士を連結させる構成であってもよい。

【0043】

発光部３１及び導光体３３Ｌは、接着材などで固定され、支持体３３Ｍに組み付けられ、光源モジュールとなっている。支持体３３Ｍは、第１基材２５の第１主面２５Ａに重なるように搭載され、第１基材２５に接着材などで固定されている。

【0044】

配線基板９３（フレキシブルプリント基板又はＰＣＢ基板）は、光源制御部３２の集積回路を搭載しており、光源制御部３２は、配線基板９３（フレキシブルプリント基板又はＰＣＢ基板）を介して、光源３に接続されている。

【0045】

図５に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第１基材２５、アレイ基板１０、対向基板２０又は第２基材２７のいずれかで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向（第２方向ＰＹ）に伝播する。

【0046】

図５に示すように、第１基材２５、アレイ基板１０、対向基板２０又は第２基材２７のいずれかの内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａがそれぞれ対向基板２０の第１主面２０Ａ（第１基材２５の第１主面２５Ａ）、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから外部に放射される。対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａからそれぞれ外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。

【0047】

図６に示すように、複数の発光部３１が、アクティブ領域ＡＡの第１方向ＰＸに対応する領域の範囲内に、所定のピッチで並べられている。複数の発光部３１は、周辺領域ＦＲの第１方向ＰＸに対応する第２領域ＡＡＡの外側に、並べられていない。

【0048】

また、第１方向ＰＸにおける第１基材２５及び第２基材２７の大きさは、第１方向ＰＸにおける、所定のピッチで並べられた複数の発光部３１の一端から他端までの大きさと同等である。また、第１基材２５及び第２基材２７は、アクティブ領域ＡＡと重畳し、かつ、周辺領域ＦＲと非重畳な大きさを有している。なお、第２基材２７は、周辺領域ＦＲと重畳する大きさを有してもよい。

【0049】

図６に示すように、上述した駆動回路４は、ゲート駆動回路４３の複数の集積回路、ソース駆動回路４４の複数の集積回路を備えている。

【0050】

以下、図７から図９を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶について説明する。

【0051】

図７に示すように、アレイ基板１０には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。対向基板２０には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。配向膜が配向処理される場合、例えば第１配向膜ＡＬ１の配向方向は第１方向ＰＸの一方側であり、第２配向膜ＡＬ２の配向方向は第１方向ＰＸの他方側に配向処理される。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えば、垂直配向膜であっても良く、複数の発光部３１が配置される第１方向ＰＸに配向処理された配向膜であっても良い。配向処理はラビング処理もしくは光配向処理によって行われる。

【0052】

図７に示す液晶層５０の高分子分散型液晶ＬＣは、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、３次元の網目状のポリマーネットワーク５１を形成する。これにより、網目状に形成された３次元の網目状のポリマーネットワーク５１の隙間に液晶分子５２が分散されたリバースモードの高分子分散型液晶ＬＣを有する液晶層５０が形成される。

【0053】

このように、高分子分散型液晶ＬＣは、３次元の網目状のポリマーネットワーク５１と、液晶分子５２と、を有する。

【0054】

液晶分子５２の配向は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電圧差によって制御される。画素電極ＰＥへの印加電圧により、液晶分子５２の配向が変化する。液晶分子５２の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘを通過する光の散乱の度合いが変化する。

【0055】

例えば、図８に示すように、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、ポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１と液晶分子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに概ね等しい。液晶分子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０の第１方向ＰＸ（図６）と平行である。またポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無に関わらず、液晶層５０の第１方向ＰＸと平行である。

【0056】

ポリマーネットワーク５１と液晶分子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてポリマーネットワーク５１と液晶分子５２との間の屈折率差がほぼゼロになる。液晶層５０は、光源光を散乱しない非散乱状態となる。光源光は、光源３（発光部３１）から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光を散乱しない非散乱状態であると、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

【0057】

図９に示すように、電圧が印加された画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間では、液晶分子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に発生する電界によって傾くことになる。ポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、ポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１と液晶分子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて、光源光が散乱される。上述したように散乱された光源光の一部がアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。

【0058】

電圧が印加されていない画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘでは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から第１入力信号ＶＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極ＰＥに電圧が印加され、第３入力信号ＶＣＳＡに基づく画像が背景とともに視認される。このように、高分子分散型液晶ＬＣが散乱状態にあるとき、表示領域において画像が表示される。

【0059】

電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて光源光が散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示することができる。

【0060】

図３に示す１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎにおいて、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つに保持されている必要がある。書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つで保持できないと、いわゆるフリッカーなどが生じやすい。言い換えると、走査線の選択時間である１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎを短くし、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動における視認性を高めるためには、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮのそれぞれで、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位を保持しやすくする要望がある。

【0061】

図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図１１は、画素において、保持容量層を示す平面図である。図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。図１４は、画素において、遮光層を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。図１６は、図１４のＸＶI－ＸＶI’の断面図である。図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、アレイ基板１０には、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとが平面視において格子状に設けられている。言い換えると、アレイ基板１０の一方の面には、第１方向ＰＸに間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向ＰＹに間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備える。

【0062】

図１０に示すように、隣り合う走査線ＧＬと隣り合う信号線ＳＬとで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極ＰＥとスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線ＧＬと電気的に接続されているゲート電極ＧＥと平面視において重畳する半導体層ＳＣを有する。

【0063】

図１０に示すように、走査線ＧＬは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。信号線ＳＬは、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。

【0064】

図１０に示すように、半導体層ＳＣは、平面視において、ゲート電極ＧＥからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極ＧＥ側から半導体層ＳＣに向かう光源光Ｌが反射され、半導体層ＳＣに光リークが生じにくくなる。

【0065】

図５に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第２方向ＰＹを入射方向として、入射してくる。入射方向とは、光源３に最も近い第２側面２０Ｄから、第２側面２０Ｄの対向面である第１側面２０Ｃへ向かう方向である。光源光Ｌの入射方向が第２方向ＰＹである場合、半導体層ＳＣの第１方向の長さが、半導体層ＳＣの第１方向ＰＸの長さよりも小さい。これにより、光源光Ｌの入射方向に交差する方向の長さが小さくなり、光リークの影響が低減する。

【0066】

図１０に示すように、ソース電極ＳＥは、信号線ＳＬと同じ２つの導電体が、信号線ＳＬと同層でかつ信号線と交差する方向に信号線ＳＬから延びている。これにより、信号線ＳＬと電気的に接続するソース電極ＳＥは、平面視において、半導体層ＳＣの一端部と重畳している。

【0067】

図１０に示すように、平面視において、隣り合うソース電極ＳＥの導電体の間の位置には、ドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、平面視において、半導体層ＳＣと重畳している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１３に示すように、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続されるコンタクト電極ＤＥＡは、コンタクトホールＣＨで画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

【0068】

図１５に示すように、アレイ基板１０は、例えばガラスで形成された第１透光性基材１９を有している。第１透光性基材１９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。

【0069】

図１５に示すように、第１透光性基材１９上には、走査線ＧＬ（図１０参照）及びゲート電極ＧＥが設けられる。

【0070】

図１５に示すように、また、走査線ＧＬ及びゲート電極ＧＥを覆って第１絶縁層１１が設けられている。第１絶縁層１１は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。

【0071】

第１絶縁層１１上には、半導体層ＳＣが積層されている。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。同じ断面でみたときに、半導体層ＳＣの長さＬｓｃは、半導体層ＳＣに重畳するゲート電極ＧＥの長さＬｇｅよりも小さい。これにより、ゲート電極ＧＥが第１透光性基材１９の中を伝搬してくる光Ｌｄ１を遮光できる。その結果、実施形態１のスイッチング素子Ｔｒは、光リークが低減する。

【0072】

第１絶縁層１１上には、半導体層ＳＣの一部を覆うソース電極ＳＥ及び信号線ＳＬと、半導体層ＳＣの一部を覆うドレイン電極ＤＥとが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、信号線ＳＬと同じ材料で形成されている。半導体層ＳＣ、信号線ＳＬ及びドレイン電極ＤＥ上には、第２絶縁層１２が設けられている。第２絶縁層１２は、例えば、第１絶縁層と同様に、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成される。

【0073】

第２絶縁層１２上には、第２絶縁層１２の一部を覆う第３絶縁層が形成されている。第３絶縁層１３は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する有機絶縁材料により形成されている。第３絶縁層１３は、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。

【0074】

図１５、図１６及び図１７に示すように、第３絶縁層１３がある領域と、第３絶縁層１３がない領域とがある。図１６及び図１７に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方である。第３絶縁層１３は、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状になる。また、図１５に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、半導体層ＳＣの上方、つまりスイッチング素子Ｔｒの上方である。このため、スイッチング素子Ｔｒ、走査線ＧＬ、信号線ＳＬは保持容量電極ＩＴＯから比較的距離をおいて離れることで、保持容量電極ＩＴＯからのコモン電位の影響を受けにくくなる。さらに、アレイ基板１０において、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には第３絶縁層１３がない領域ができるので、平面視で信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域ができる。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域では、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方よりも相対的に、光の透過率が向上し、透光性が向上する。

【0075】

図１５に示すように、第３絶縁層１３上には、金属層ＴＭが設けられている。導電性の金属層ＴＭは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。図１２に示すように、金属層ＴＭは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。これにより、金属層ＴＭは、格子状となり、金属層ＴＭで囲まれた開口部ＡＰができる。

【0076】

図１５に示すように、第３絶縁層１３上及び金属層ＴＭ上には、保持容量電極ＩＯが設けられている。保持容量電極ＩＯは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電材料によって形成されている。保持容量電極ＩＯは、第３透光性電極ともいう。図１１に示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。保持容量電極ＩＯは、透光性導電材料がある領域が走査線ＧＬ又は信号線ＳＬに重なり、隣の画素Ｐｉｘに延びている。

【0077】

保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。これにより、透光性導電材料がない領域ＩＯＸと、画素電極ＰＥとの間の保持容量ＨＣが減少するので、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの大きさにより保持容量ＨＣが調整される。

【0078】

図１２に示すように、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに接続されたスイッチング素子Ｔｒが設けられ、少なくともスイッチング素子Ｔｒは、有機絶縁層である第３絶縁層１３で覆われており、第３絶縁層１３の上方にはスイッチング素子Ｔｒよりも大きな面積の金属層ＴＭがある。これにより、スイッチング素子Ｔｒの光リークを抑制することができる。

【0079】

より具体的には、アレイ基板１０には、少なくともスイッチング素子Ｔｒを覆う有機絶縁層である第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３の上方に重畳して設けられ、スイッチング素子Ｔｒよりも大きな面積の金属層ＴＭとがある。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には、平面視で走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに重なる第３絶縁層１３の厚さよりも厚さが小さい領域がある。このため、平面視でスイッチング素子Ｔｒよりも光源３に近い側にある第３絶縁層１３の厚みが変化する斜面ができる。図５に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第２方向ＰＹを入射方向として、入射してくる。上述した斜面は、図１５に示すように、光源光Ｌのうち光Ｌｕが入射する側の第３絶縁層１３の第１斜面１３Ｆと、光Ｌｕが入射する側とは反対側の第３絶縁層１３の第２斜面１３Ｒとを含む。図１５に示すように、光Ｌｕが入射する側の第３絶縁層１３の第１斜面１３Ｆは、金属層ＴＭｔで覆われている。ここで、金属層ＴＭｔは、金属層ＴＭと同じ材料で形成され、金属層ＴＭが延在して形成されたテーパー状の部分である。

【0080】

図１５に示すように、入射方向には、光Ｌｕが到達する。光Ｌｕは、スイッチング素子Ｔｒよりも光源３に近い側から到達する光源光Ｌの一部の光である。ここで、金属層ＴＭｔは、光Ｌｕを遮光するので、光リークが低減される。

【0081】

第２斜面１３Ｒが金属層ＴＭに覆われ、アレイ基板１０から対向基板２０の背景が視認される場合、観察者が見る光Ｌｄ２が第２斜面１３Ｒを覆う金属層ＴＭに反射し、反射光が観察者に視認されてしまう可能性がある。実施形態１において、第２斜面１３Ｒを覆う金属層ＴＭがない。このため、実施形態１の表示装置では、観察者の視認を妨げる反射光が低減される。

【0082】

金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯの上にあってもよく、保持容量電極ＩＯと積層されていればよい。金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯよりも電気抵抗が小さい。このため、アクティブ領域ＡＡのうち画素Ｐｉｘがある位置による保持容量電極ＩＯの電位のばらつきが抑制される。

【0083】

図１２に示すように、平面視で、信号線ＳＬに重なる金属層ＴＭの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きい。これにより、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。ここで、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。また、走査線ＧＬに重なる金属層ＴＭの幅は、走査線ＧＬの幅よりも大きい。ここで、金属層ＴＭの幅及び走査線ＧＬの幅は、走査線ＧＬの延在する方向に交差する方向の長さである。

【0084】

図１５に示すように、保持容量電極ＩＯ及び金属層ＴＭの上には、第４絶縁層１４が設けられている。第４絶縁層１４は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている無機絶縁層である。

【0085】

図１５に示すように、第４絶縁層１４上には、画素電極ＰＥが設けられている。画素電極ＰＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第４絶縁層１４及び第３絶縁層１３及び第２絶縁層１２に設けられたコンタクトホールＣＨを介してコンタクト電極ＤＥＡと電気的に接続されている。図１３に示すように、画素電極ＰＥは、画素Ｐｉｘ毎に区画されている。画素電極ＰＥの上には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。

【0086】

図１５に示すように、対向基板２０は、例えばガラスで形成された第２透光性基材２９を有している。第２透光性基材２９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２透光性基材２９には、共通電極ＣＥが設けられている。共通電極ＣＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥの表面には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。また、対向基板２０は、第２透光性基材２９と共通電極ＣＥとの間に遮光層ＬＳを有する。遮光層ＬＳは黒色の樹脂又は金属材料で形成されている。また、アレイ基板１０と対向基板２０との間にスペーサＰＳが形成され、スペーサＰＳは共通電極ＣＥと第２配向膜ＡＬ２との間にある。

【0087】

図１２及び図１６に示すように、実施形態１の表示装置では、走査線ＧＬと同層の遮光層ＧＳが、信号線ＳＬに沿って延在し、かつ信号線ＳＬの一部と重なる位置に設けられている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと同じ材料で形成されている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとが平面視において交差する部分には設けられていない。

【0088】

図１２に示すように、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとは、コンタクトホールＣＨＧで電気的に接続されている。これにより、信号線ＳＬのみの配線抵抗に比べて、遮光層ＧＳ及び信号線ＳＬで構成する配線抵抗が下がる。その結果、信号線ＳＬに供給された階調信号の遅延が抑制される。なお、コンタクトホールＣＨＧがなく、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとが接続されていなくてもよい。

【0089】

図１６に示すように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬに対して金属層ＴＭとは反対側に設けられている。遮光層ＧＳの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きく、金属層ＴＭの幅より小さい。遮光層ＧＳの幅、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。このように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬよりも幅が広くなっているので、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。

【0090】

図１４及び図１５に示すように、対向基板２０には、遮光層ＬＳが設けられている。遮光層ＬＳは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。

【0091】

図１４、図１５、図１６及び図１７に示すように、遮光層ＬＳは、金属層ＴＭよりも大きい幅を有している。これにより、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及び金属層ＴＭのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。

【0092】

コンタクトホールＣＨ及びコンタクトホールＣＨＧは、光源光Ｌが当たると乱反射しやすい。このため、遮光層ＬＳは、平面視において、コンタクトホールＣＨ及びコンタクトホールＣＨＧに重なる領域に設けられている。

【0093】

図１５に示すように、アレイ基板１０と対向基板２０との間には、スペーサＳＰが配置され、アレイ基板１０と対向基板２０との間の距離の均一性が向上する。

【0094】

図１８は、実施形態１の周辺領域を説明するための平面図である。図１に示す周辺領域ＦＲは、図１８に示す第１周辺領域ＦＲ１と、第２周辺領域ＦＲ２とを有する。第１周辺領域ＦＲ１と、第２周辺領域ＦＲ２とは、第１方向ＰＸに、アクティブ領域ＡＡを挟む。

【0095】

第１周辺領域ＦＲ１に、ゲート駆動回路４３と、走査線ＧＬとを電気的に接続する第１配線ＧＰＬ１がない場合、第１周辺領域ＦＲ１の透過率を高めることができるが、第２配線ＧＰＬ２が形成される第２周辺領域ＦＲ２は第１周辺配線領域ＦＲ１に比べ透過率が下がる。ここで、第１周辺領域ＦＲ１の透過率と、第２周辺領域ＦＲ２の透過率とが大きく異なると、視認者に違和感を与える可能性がある。そこで、図１８に示すように、第１周辺領域ＦＲ１の第１部分Ｑ１には、第１配線ＧＰＬ１が配置されている。第１配線ＧＰＬ１は、走査線ＧＬと同層に形成され、かつ同じ材料で形成されている。このため、第１周辺領域ＦＲ１の透過率と、第２周辺領域ＦＲ２の透過率とが同程度となっている。このように、第１周辺領域ＦＲ１の第１部分Ｑ１には、第１配線ＧＰＬ１が配置されている。第２周辺領域ＦＲ２の第２部分Ｑ２には、走査線ＧＬと接続される複数の第２配線ＧＰＬ２が配置されている。

【0096】

第２周辺領域ＦＲ２の第１配線ＧＰＬ１は第３側面１０Ｅ側のゲート駆動回路４３に接続され、第１周辺領域ＦＲ１の第２配線ＧＰＬ２は第４側面１０Ｆ側のゲート駆動回路４３に接続され、それぞれ対応する走査線ＧＬに接続される。

【0097】

複数の第２配線ＧＰＬ２が第２周辺領域ＦＲ２で占める形状は、複数の第１配線ＧＰＬ１が第１周辺領域ＦＲ１で占める形状の鏡像反転された形状である。これにより、視認者は、第１周辺領域ＦＲ１と、第２周辺領域ＦＲ２とのコントラストの差に気づきにくくなる。

【0098】

アクティブ領域ＡＡの外側の第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２が光を透過しないと、背景が見えなくなり、違和感を与える可能性がある。隣り合う第１配線ＧＰＬ１の間には、隙間があり、光が透過できる。隣り合う第２配線ＧＰＬ２の間には、隙間があり、光が透過できる。これにより、第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２も表示装置１の一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認できる。

【0099】

図１９は、比較例１の表示装置を説明するための平面図である。図２０は、比較例２の表示装置を説明するための平面図である。図１９に示すように、比較例１の表示装置では、複数の発光部３１は、アクティブ領域ＡＡの第２方向ＰＹに対応する第２領域ＡＡＡに、第１ピッチＰ１間隔で並べられている。複数の発光部３１は、周辺領域ＦＲの第２方向ＰＹに対応する第１領域ＦＲＡと重なる部分に配置されていない。第２領域ＡＡＡでは、発光部３１が発光する光は、第１基材２５の第２側面２５Ｄに照射されるが、第１領域ＦＲＡでは、発光部３１が発光する光が照射されない。このため、観察者が表示パネル２を表示パネル２の法線方向に対して斜めからみて、アクティブ領域ＡＡの外側の周辺領域ＦＲに対応する第１領域ＦＲＡを起点とする意図しない陰影ＢＰが視認される可能性がある。

【0100】

これに対して、実施形態１の表示装置では、第１方向ＰＸにおいてアクティブ領域ＡＡの両側にある周辺領域ＦＲを、第２方向ＰＹに延長した範囲と重なる第１領域ＦＲＡに、発光部３１が配置されていないが、第１方向ＰＸにおける第１基材２５の大きさは、第１方向ＰＸにおけるアクティブ領域ＡＡと同等の大きさである。これにより、観察者が表示パネル２を表示パネル２の法線方向に対して斜めからみても、第１領域ＦＲＡから導光体３３Ｌを介して、第１基材２５の第２側面２５Ｄに、発光部３１からの光が入光するため、陰影ＢＰが発生しにくくなる。

【0101】

また、図２０に示すように、比較例２の表示装置では、発光部３１が第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２と重なる部分に配置されている。このため、発光部３１からの光源光Ｌが、第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２に入光してしまう。第１周辺領域ＦＲ１に配置された第１配線ＧＰＬ１及び第２周辺領域ＦＲ２に配置された第２配線ＧＰＬ２は、光源光Ｌを反射し、反射光が第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２を明るくし、表示品位を低下させる可能性がある。

【0102】

これに対して、実施形態１の表示装置では、第１基材２５及び第２基材２７は、アクティブ領域ＡＡと重畳し、かつ、第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２と非重畳な大きさである。また、第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２に対応する第１基材２５の第２側面２５Ｄがないので、第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２と重畳する第１基材２５へ、発光部３１が入光することがない。

【0103】

これにより、発光部３１からの光が第１周辺領域ＦＲ１の第１配線ＧＰＬ１及び第２周辺領域ＦＲ２の第２配線ＧＰＬ２を有する周辺領域ＦＲへ入射するのを抑制することができる。さらに、第１周辺領域ＦＲ１及び第２周辺領域ＦＲ２に意図しない陰影が発生するのを抑制することができる。

【0104】

（実施形態１の第１変形例）
図２１は、実施形態２の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図２２は、図２１の表示装置の平面を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0105】

図２１及び図２２に示すように、光源３は、第１基材２５の第２側面２５Ｄ及び対向基板２０の第２側面２０Ｄに沿って、第１方向ＰＸに設けられた導光体３３Ｌと、導光体３３Ｌに対向するように並べられた複数の発光部３１とを含む。導光体３３Ｌは、対向基板２０の第２側面２０Ｄ及び第１基材２５の第２側面２５Ｄに対向する。図２１に示すように、光源３は、対向基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。光源３と対向する対向基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。また、光源３と対向する第１基材２５の第２側面２５Ｄは、光入射面となる。

【0106】

図２１及び図２２に示すように、実施形態１と異なり第１変形例では、導光体３３Ｌは、光源３の対向基板２０の第２側面２０Ｄ及び第１基材２５の第２側面２５Ｄに対向する。

【0107】

導光体３３Ｌは、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ、及び第３色の発光体３３Ｂで発光した光を対向基板２０の第２側面２０Ｄ及び第１基材２５の第２側面２５Ｄに照射する。導光体３３Ｌは、複数の発光部３１の光を同時に受光し、内部で拡散させて、表示パネル２へ放出する。その結果、対向基板２０の第２側面２０Ｄ及び第１基材２５の第２側面２５Ｄに照射される、単位面積当たりの光の分布は、均一化される。

【0108】

また、導光体３３Ｌは第３側面２０Ｅ（又は第３側面２５Ｅ）から第４側面２０Ｆ（又は第４側面２５Ｆ）にかけて一体的に形成される単一の導光体３３Ｌである。導光体３３Ｌは、第３側面２０Ｅ（又は第３側面２５Ｅ）から第４側面２０Ｆ（又は第４側面２５Ｆ）にかけて、分割された複数の導光体を並べて構成してもよい。導光体３３Ｌは、第３側面２０Ｅ（又は第３側面２５Ｅ）から第４側面２０Ｆ（又は第４側面２５Ｆ）にかけて、分割された複数の導光体を並べて、隣り合う導光体同士を連結させる構成であってもよい。

【0109】

図２１に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第１基材２５、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ、対向基板２０の第１主面２０Ａ又は第１基材２５で反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向（第２方向ＰＹ）に伝播する。アレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。

【0110】

図２１に示すように、アレイ基板１０及び対向基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａがそれぞれ対向基板２０の第１主面２０Ａ（第１基材２５の第１主面２５Ａ）、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから外部に放射される。対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａからそれぞれ外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。

【0111】

図２２に示すように、複数の発光部３１が、アクティブ領域ＡＡの第１方向ＰＸに対応する領域の範囲内に、所定のピッチで並べられている。複数の発光部３１は、周辺領域ＦＲの第１方向ＰＸに対応する第１領域ＦＲＡに、並べられていない。

【0112】

また、第１方向ＰＸにおける第１基材２５及び第２基材２７の大きさは、第１方向ＰＸにおける、所定のピッチで並べられた複数の発光部３１の一端から他端までの大きさと同等である。また、第１基材２５及び第２基材２７は、アクティブ領域ＡＡと重畳し、かつ、周辺領域ＦＲと非重畳な大きさを有している。

【0113】

つまり、第１配線ＧＰＬ１及び第２配線ＧＰＬ２を有する周辺領域ＦＲには、第１基材２５及び第２基材２７が配置されていない。また、第１領域ＦＲＡには、発光部３１が配置されていない。

【0114】

これにより、発光部３１からの光が第１周辺領域ＦＲ１の第１配線ＧＰＬ１及び第２配線ＧＰＬ２を有する周辺領域ＦＲへ入射するのを抑制することができる。さらに、第１領域ＦＲＡを起点とする意図しない陰影が発生するのを抑制することができる。

【0115】

図２３は、第１変形例と異なる表示装置の平面を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0116】

図２３に示すように、第２基材２７は、第１方向ＰＸにおいて、アクティブ領域ＡＡと重畳し、かつ、周辺領域ＦＲと重畳する大きさを有するように配置されている。

【0117】

これにより、第２基材２７が対向基板２０と重なっているため、第３方向Ｄｚに対する表示パネル２の強度が高くなり、表示パネル２が割れにくくなる。

【0118】

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。

【符号の説明】

【0119】

１ 表示装置
２ 表示パネル
３ 光源
２５ 第１基材
２７ 第２基材
３１ 発光部
３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂ 発光体
３３Ｌ 導光体
５０ 液晶層
ＡＡ アクティブ領域
ＡＡＡ 第２領域
ＦＲ 周辺領域
ＦＲＡ 第１領域
ＬＣ 高分子分散型液晶
ＰＸ 第１方向
ＰＹ 第２方向
ＰＺ 第３方向
第１配線 ＧＰＬ１
第２配線 ＧＰＬ２

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】