特開 2024-106237 成膜装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024106237

(43)【公開日】2024-08-07

(54)【発明の名称】成膜装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/509 20060101AFI20240731BHJP

   H05H 1/46 20060101ALI20240731BHJP

【ＦＩ】

C23C16/509

H05H1/46 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023010463

(22)【出願日】2023-01-26

(71)【出願人】

【識別番号】000003942

【氏名又は名称】日新電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】長町 学

(72)【発明者】

【氏名】安藤 瞭汰

(72)【発明者】

【氏名】辰巳 夏生

【テーマコード（参考）】

2G084

4K030

【Ｆターム（参考）】

2G084AA05

2G084BB05

2G084BB28

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD04

2G084DD12

2G084DD22

2G084DD25

2G084DD38

2G084DD55

2G084EE25

2G084FF36

4K030AA09

4K030AA14

4K030AA17

4K030FA04

4K030GA02

4K030KA20

4K030KA45

4K030LA22

(57)【要約】

【課題】アンテナの材質に関わらず、被処理物の温度を所望の温度にした状態で被処理物に対して成膜を行う。
【解決手段】成膜装置（１）は、被処理物（Ｗ）を内部に収容する真空容器（２）と、真空容器（２）の内部にプラズマを発生させるためのアンテナ（３）と、被処理物（Ｗ）を加熱するヒータ（８１）と、アンテナ（３）とヒータ（８１）との間に配置され、ヒータ（８１）からアンテナ（３）への輻射を抑制する輻射抑制部材（５）と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、
前記被処理物を内部に収容する真空容器と、
前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、
前記被処理物を加熱する加熱部と、
前記アンテナと前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、を備えることを特徴とする成膜装置。

【請求項2】

前記被処理物を支持するホルダと、
前記ホルダにバイアス電圧を印加するバイアス電源と、をさらに備え、
前記輻射抑制部材の電位が前記被処理物の電位と同一になるように、前記輻射抑制部材は、前記ホルダと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項3】

前記輻射抑制部材には開口部が形成されており、
前記被処理物の一部が前記開口部内に配置されることにより、前記被処理物と前記輻射抑制部材との間に隙間が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。

【請求項4】

前記アンテナは、
少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間を絶縁する絶縁要素と、を有し、
前記輻射抑制部材は、
前記絶縁要素と前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記絶縁要素への輻射を抑制するとともに、前記加熱部に対して、前記アンテナのうち前記絶縁要素を含む一部を遮蔽するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。

【請求項5】

前記輻射抑制部材の熱を前記輻射抑制部材の外部に導くことにより、前記輻射抑制部材を冷却する冷却機構をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、成膜装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、真空容器内に配置された直線状のアンテナと、真空容器内に誘導結合型のプラズマを生成するための高周波をアンテナに印加する高周波電源と、を備え、プラズマを用いて真空容器内の基板に処理を施すプラズマ処理装置が開示されている。アンテナは、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う導体要素と電気的に直列接続された容量素子と、を備える。真空容器内には、基板を保持する基板ホルダが設けられており、基板ホルダ内には、基板を加熱するヒータが設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第６３４１３２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に開示のプラズマ処理装置において、プラズマを用いて処理を施す対象を、３００℃以上に加熱する必要があるものに変更した場合、アンテナの温度が上昇し、アンテナが許容する温度を上回る可能性がある。よって、当該プラズマ処理装置では、アンテナを用いた処理を安定して継続できなくなるという問題がある。本開示の一態様は、アンテナの材質に関わらず、被処理物の温度を所望の温度にした状態で被処理物に対して成膜を行うことを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る成膜装置は、被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、前記被処理物を内部に収容する真空容器と、前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、前記被処理物を加熱する加熱部と、前記アンテナと前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、を備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一態様によれば、アンテナの材質に関わらず、被処理物の温度を所望の温度にした状態で被処理物に対して成膜を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の実施形態１に係る成膜装置の構成を示す断面図である。

【図2】図１に示す成膜装置において、アンテナ、輻射抑制部材及び被処理物の位置関係を示す図である。

【図3】本開示の実施形態２に係る成膜装置の構成を示す断面図である。

【図4】図３に示す成膜装置において、アンテナ、輻射抑制部材、冷却機構及び被処理物の位置関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

〔実施形態１〕
図１は、本開示の実施形態１に係る成膜装置１の構成を示す断面図である。図１において、アンテナ３の延伸方向をＸ軸方向、ホルダ８からアンテナ３に向かう方向をＺ軸方向、Ｘ軸方向及びＺ軸方向の両方の方向に直交する方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向は互いに直交する方向である。ここで説明したＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の定義については、他の図においても適用されるものとする。

【0009】

＜成膜装置１の構成＞
成膜装置１は、誘導結合型のプラズマＰを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、被処理物Ｗに対して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置である。被処理物Ｗは、例えば複雑な形状をしているものであってもよく、螺旋形状に形成されるドリルまたはエンドミル等の工具である。また、被処理物Ｗは、例えば金属製材料を用いて構成されたものである。

【0010】

図１に示すように、成膜装置１は、真空容器２と、アンテナ３と、高周波電源４と、整合器４１と、輻射抑制部材５と、真空排気装置６と、ガス供給機構７と、を備える。また、成膜装置１は、ホルダ８と、ヒータ８１と、ヒータ電源９と、絶縁カバー１０と、絶縁部材１１と、固定治具１２と、配線１３と、バイアス電源１４と、を備える。

【0011】

＜真空容器２及び真空排気装置６の構成＞
真空容器２は、例えばＳＵＳ（ステンレス）またはアルミニウム等の金属製の容器であり、電気的に接地されている。真空容器２は、被処理物Ｗを内部に収容している。真空容器２の内部は、真空排気装置６によって真空排気される。真空排気装置６は、真空容器２の内部の圧力を調整するバルブ等の圧力調整器６１及び図示しないポンプを有する。真空排気装置６は、圧力調整器６１を制御してプラズマ生成時における真空容器２の内部の圧力を調整する。

【0012】

＜アンテナ３の構成＞
アンテナ３は、真空容器２の内部にプラズマを発生させるためのものであり、直線状に形成されている。アンテナ３は、真空容器２の内部における被処理物Ｗの上方に、ホルダ８に沿うように配置されている。アンテナ３は、Ｙ軸方向に並んで複数配置されていてもよい。これにより、より広い範囲でプラズマＰを均一に発生させることができ、より多くの被処理物Ｗに対して処理を行うことができる。なお、アンテナ３の本数は、複数本に限らず１本だけであってもよい。

【0013】

アンテナ３は真空容器２を貫通しており、アンテナ３の給電端部３Ａ及び接地端部３Ｂは、真空容器２の外部に配置されている。アンテナ３は、絶縁部材１１を介して真空容器２に設けられている。絶縁部材１１は、真空容器２とアンテナ３とを電気的に絶縁するものである。真空容器２と絶縁部材１１との間には、真空容器２と絶縁部材１１との間を真空シールするパッキン１１１が設けられている。アンテナ３と絶縁部材１１との間にも、アンテナ３と絶縁部材１１との間を真空シールするパッキン１１１が設けられている。

【0014】

アンテナ３は、導体要素３１、絶縁要素３２及び容量素子３３を有するＬＣアンテナである。導体要素３１は、例えば管状に形成された金属パイプであり、１本のアンテナ３に対して少なくとも２つ設けられている。絶縁要素３２は、互いに隣り合う導体要素３１の間に設けられており、互いに隣り合う導体要素３１の間を電気的に絶縁する。絶縁要素３２は、例えば管状に形成された絶縁パイプであり、容量素子３３を覆っている。容量素子３３は、例えばコンデンサであり、絶縁要素３２の内部に設けられている。導体要素３１及び容量素子３３は、絶縁要素３２の内部で電気的に互いに直列接続されている。

【0015】

導体要素３１の材質は、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金またはＳＵＳ等である。絶縁要素３２の材質は、例えば、アルミナ等のセラミックス、石英、フッ素樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）またはエンジニアリングプラスチック等である。エンジニアリングプラスチックとしては、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。絶縁要素３２は単一の材質から構成されているが、これに限られるものではなく、複数の材質から構成されていてもよい。

【0016】

アンテナ３は、高周波電圧が印加される給電端部３Ａと、電気的に接地されている接地端部３Ｂと、を有する。給電端部３Ａには、高周波電源４から整合器４１を介して高周波電圧が印加される。整合器４１は、高周波電源４からの電力を負荷に応じて整合させる電気回路である。

【0017】

＜絶縁カバー１０の構成＞
アンテナ３における真空容器２の内部に位置する部分は、管状の絶縁カバー１０により覆われている。絶縁カバー１０の両端部は、絶縁部材１１によって支持されている。絶縁カバー１０の材質は、例えば、石英、アルミナ、フッ素樹脂、窒化シリコン、炭化シリコンまたはシリコン等である。

【0018】

絶縁カバー１０が設けられることにより、プラズマＰ中の荷電粒子が導体要素３１に入射することを抑制できるため、導体要素３１に荷電粒子が入射することによるプラズマ電位の上昇を抑制することができる。また、導体要素３１が荷電粒子によってスパッタされてプラズマＰ及び被処理物Ｗに対して金属汚染が生じることを防ぐことができる。上記荷電粒子は主にイオンである。

【0019】

＜ガス供給機構７の構成＞
ガス供給機構７は、真空容器２におけるＺ軸正方向側の上壁に形成されたガス導入口２１を通して原料ガス等のガスＧを真空容器２の内部に供給するものである。ガス供給機構７は、ガス導入口２１からＺ軸負方向にガスＧを供給する。ガスＧは、例えばＣ（炭素）、Ｈ（水素）及びＯ（酸素）を含むガスであり、具体的には、Ｈ_２ガス、ＣＨ_４ガスまたはＣＯ_２ガスであるが、本開示はそれに限定されるものではない。ガス供給機構７が有する流量調整器７１は、真空容器２の内部に供給されるガスＧの流量を調整するバルブ等である。

【0020】

＜ホルダ８、ヒータ８１及びバイアス電源１４の構成＞
ホルダ８は、真空容器２の内部に設けられており、被処理物Ｗを支持する。被処理物Ｗは、ホルダ８の上にＸ軸方向に沿って複数配置されている。ホルダ８は金属性材料を用いて構成されている。ホルダ８の内部には、被処理物Ｗを加熱するヒータ８１が設けられている。ヒータ８１は加熱部の一例である。ホルダ８はバイアス電源１４と電気的に接続されており、ヒータ８１はヒータ電源９と電気的に接続されている。

【0021】

バイアス電源１４は、ホルダ８にバイアス電圧を印加する。ホルダ８に印加されるバイアス電圧は、例えば負の直流電圧である。バイアス電源１４は、ホルダ８にバイアス電圧を印加することにより、例えば、プラズマＰ中の正イオンが被処理物Ｗに入射するときのエネルギーを制御して、被処理物Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。ヒータ電源９がヒータ８１に電圧を印加することにより、ヒータ８１の温度が上昇する。

【0022】

＜輻射抑制部材５の構成＞
図１及び図２を用いて輻射抑制部材５について説明する。図２は、図１に示す成膜装置１において、アンテナ３、輻射抑制部材５及び被処理物Ｗの位置関係を示す図である。図２では、成膜装置１の構成のうち、アンテナ３及び輻射抑制部材５以外の構成の図示を省略している。また図２は、アンテナ３、輻射抑制部材５及び被処理物ＷをＺ軸負方向に向かって視認した場合の図である。

【0023】

図１に示すように、輻射抑制部材５は、アンテナ３とヒータ８１との間に配置され、ヒータ８１からアンテナ３への輻射を抑制する。また、輻射抑制部材５は、アンテナ３とホルダ８との間に配置され、ヒータ８１から絶縁要素３２への電磁波を抑制する。輻射抑制部材５は、アンテナ３に対してホルダ８の全体を遮蔽する、つまり、ヒータ８１の全体を遮蔽するものである。

【0024】

被処理物Ｗのうち成膜される成膜部分は、被処理物Ｗのうち輻射抑制部材５の上面よりも上側の部分である。当該上面は、輻射抑制部材５におけるＺ軸正方向側の面である。被処理物Ｗのうち輻射抑制部材５の下面よりも下側の部分は成膜されない。当該下面は、輻射抑制部材５におけるＺ軸負方向側の面である。

【0025】

輻射抑制部材５は、ＸＹ平面に沿って延伸する板状の部材である。輻射抑制部材５の材質は、例えば、アルミニウム合金、ＳＵＳまたは高融点金属である。当該高融点金属としては、例えば、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モリブデン）等である。輻射抑制部材５は単一の材質から構成されているが、これに限られるものではなく、複数の材質から構成されていてもよい。

【0026】

輻射抑制部材５におけるＺ軸方向に沿った厚みは、例えば１０ｍｍ以上である。なお、輻射抑制部材５の材質がＭｏである場合、輻射抑制部材５の厚みを２ｍｍにし、輻射抑制部材５の下面に、輻射抑制部材５の材質と同一の材質の棒状部材を格子状に設けてもよい。これにより輻射抑制部材５を丈夫なものとすることができる。

【0027】

アンテナ３とヒータ８１との間に輻射抑制部材５が配置されることにより、アンテナ３の温度上昇を抑制することができるため、アンテナ３に含まれる絶縁要素３２の材質の選択の幅を広げることができる。また、被処理物Ｗに対して成膜を行うときに被処理物Ｗの温度の範囲を広げることができるため、成膜を行える被処理物Ｗの種類の幅も広げることができる。したがって、アンテナ３の材質に関わらず、被処理物Ｗの温度を所望の温度にした状態で被処理物Ｗに対して成膜を行うことができる。さらに被処理物Ｗに対して長時間安定した成膜を行うことができる。

【0028】

被処理物Ｗが例えば工具である場合、被処理物Ｗが基板である場合に比べて、被処理物Ｗがホルダ８によって支持されているとき、被処理物Ｗの成膜部分とヒータ８１との間の距離が大きくなる。よって、被処理物Ｗが工具である場合、被処理物Ｗの温度が例えば５００℃以上となるように、ヒータ８１で被処理物Ｗを加熱する必要がある。この場合、被処理物Ｗの温度が樹脂のガラス転移温度よりも高くなるが、輻射抑制部材５が設けられることにより、絶縁要素３２の材質として樹脂系のものを使用することができる。

【0029】

配線１３は、輻射抑制部材５とホルダ８とを電気的に接続する。ホルダ８には、被処理物Ｗをホルダ８に固定する固定治具１２が設けられている。固定治具１２は、被処理物Ｗがホルダ８に接触するように、被処理物Ｗをホルダ８に固定する。これにより、輻射抑制部材５は、輻射抑制部材５の電位が被処理物Ｗの電位と同一になるように、ホルダ８と電気的に接続される。

【0030】

輻射抑制部材５の電位が被処理物Ｗの電位と同一になることにより、真空容器２の内部に発生するプラズマＰを安定させることができる。また、輻射抑制部材５と被処理物Ｗとの間に電位差が生じないため、輻射抑制部材５と被処理物Ｗとの間に異常放電が生じることを防ぐことができる。

【0031】

また、固定治具１２は、金属製材料を用いて構成されている。固定治具１２は、輻射抑制部材５の下面よりも下側に配置されるため、固定治具１２がプラズマＰにさらされないようにすることができる。よって、互いに隣り合う固定治具１２の間に異常放電が生じることを防ぐことができる。

【0032】

図１及び図２に示すように、輻射抑制部材５には複数の開口部５１が形成されている。被処理物Ｗの一部が開口部５１内に配置されることにより、被処理物Ｗと輻射抑制部材５との間に隙間ＳＰが形成される。Ｚ軸負方向に向かって輻射抑制部材５を視認した場合、開口部５１の直径は、被処理物Ｗの直径よりも大きい。つまり、被処理物Ｗの全周に亘って隙間ＳＰが形成される。

【0033】

複数の被処理物Ｗと複数の開口部５１とが１対１に対応するように、複数の開口部５１は、輻射抑制部材５にＸ軸方向に沿って複数形成されている。Ｚ軸負方向に向かって輻射抑制部材５を視認した場合、複数の被処理物Ｗ及び複数の開口部５１は、互いに隣り合うアンテナ３の間に配置されている。

【0034】

被処理物Ｗと輻射抑制部材５との間に隙間ＳＰが形成されることにより、被処理物Ｗと輻射抑制部材５とを接触しないようにすることができる。これにより、被処理物Ｗから輻射抑制部材５への熱の移動を抑制でき、輻射抑制部材５の温度上昇を抑制することができる。よって、ヒータ８１からアンテナ３への輻射を抑制する輻射抑制部材５の機能を維持することができる。

【0035】

〔実施形態２〕
本開示の実施形態２について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0036】

図３は、本開示の実施形態２に係る成膜装置１Ａの構成を示す断面図である。図４は、図３に示す成膜装置１Ａにおいて、アンテナ３、輻射抑制部材５Ａ、冷却機構１５及び被処理物Ｗの位置関係を示す図である。図４では、成膜装置１の構成のうち、アンテナ３、輻射抑制部材５Ａ及び冷却機構１５以外の構成の図示を省略している。また図４は、アンテナ３、輻射抑制部材５Ａ、冷却機構１５及び被処理物ＷをＺ軸負方向に向かって視認した場合の図である。

【0037】

図３及び図４に示すように、成膜装置１Ａは、成膜装置１に比べて、輻射抑制部材５が輻射抑制部材５Ａに変更されている点と、冷却機構１５を備える点と、が異なる。輻射抑制部材５Ａは、アンテナ３の絶縁要素３２とヒータ８１との間に配置され、ヒータ８１から絶縁要素３２への輻射を抑制する。また、輻射抑制部材５Ａは、ヒータ８１に対して、アンテナ３のうち絶縁要素３２を含む一部３４を遮蔽するものである。

【0038】

具体的には、輻射抑制部材５Ａは、ヒータ８１に対して、絶縁要素３２と、容量素子３３と、導体要素３１のうち絶縁要素３２及び容量素子３３の近傍に位置する部分と、を有するアンテナ３の一部３４を遮蔽するものである。なお、輻射抑制部材５Ａは、ヒータ８１に対して、絶縁要素３２及び容量素子３３のみを有するアンテナ３の一部３４を遮蔽するものであってもよい。

【0039】

Ｘ軸方向において輻射抑制部材５Ａと輻射抑制部材５Ａの外部との境界となる輻射抑制部材５Ａの外端５Ｅは、Ｚ軸負方向に向かって輻射抑制部材５Ａを視認した場合において導体要素３１とヒータ８１との間に配置される。なお、輻射抑制部材５Ａの外端５Ｅは、Ｚ軸負方向に向かって輻射抑制部材５Ａを視認した場合において導体要素３１と、絶縁要素３２と、の境界に重なる位置に配置されてもよい。

【0040】

このように、輻射抑制部材５Ａは、ヒータ８１に対して、アンテナ３のうち絶縁要素３２を含む一部３４を遮蔽するものであるため、輻射抑制部材５Ａのサイズを小さくすることができ、輻射抑制部材５Ａにかかるコストを削減することができる。

【0041】

輻射抑制部材５Ａは、真空容器２の内部に複数設けられているが、これに限られず、真空容器２の内部に１つ設けられていてもよい。輻射抑制部材５Ａが真空容器２の内部に複数設けられている場合、配線１３は、複数の輻射抑制部材５Ａのそれぞれとホルダ８とを電気的に接続する。

【0042】

冷却機構１５は、輻射抑制部材５Ａの熱を輻射抑制部材５Ａの外部に導くことにより、輻射抑制部材５Ａを冷却する。冷却機構１５は、熱交換器１５１と、循環流路１５２と、図示しないポンプ等の循環機構と、を有する。熱交換器１５１は、真空容器２の外部に配置されており、循環流路１５２を循環して流通する冷却液を一定温度に調整するためのものである。上記循環機構は、循環流路１５２に冷却液を循環させるためのものである。

【0043】

循環流路１５２は、真空容器２を貫通して輻射抑制部材５Ａの内部に設けられている管によって形成されている。なお、循環流路１５２を形成する管は、輻射抑制部材５Ａの下面に設けられていてもよい。循環流路１５２は、輻射抑制部材５Ａの熱を輻射抑制部材５Ａの外部に導く。また、循環流路１５２は、輻射抑制部材５Ａの熱を真空容器２の外部に導く。

【0044】

ヒータ８１からの輻射によって温度が上昇した輻射抑制部材５Ａを冷却機構１５によって冷却することができ、輻射抑制部材５Ａの温度を適切な温度に維持することができる。冷却機構１５により輻射抑制部材５Ａを冷却することにより、輻射抑制部材５Ａの温度を下げることができ、ヒータ８１からアンテナ３への輻射を抑制する輻射抑制部材５Ａの機能を維持することができる。

【0045】

〔実施例〕
本開示の実施例について以下に説明する。成膜装置１において、真空容器２の内部に輻射抑制部材５が設けられていない場合、ヒータ８１の温度が７００℃であるとき、絶縁要素３２の表面温度が最高で２４０℃になった。２４０℃は、上述のエンジニアリングプラスチックを連続して使用可能な温度に近い温度であり、長時間の成膜を行う場合において絶縁要素３２の交換頻度が高かった。

【0046】

また、バイアス電源１４によってホルダ８に２５Ｖのバイアス電圧を印加することにより、被処理物Ｗの電位を２５Ｖにしたとき、互いに隣り合う固定治具１２の間に異常放電が生じていた。よって、成膜を行う処理の維持が困難になっていた。

【0047】

しかし、真空容器２の内部に輻射抑制部材５が設けられることにより、絶縁要素３２の損傷を低減することができ、絶縁要素３２の交換頻度を低下させることができた。また、バイアス電源１４によって被処理物Ｗの電位を５０Ｖまで上げた状態でも、互いに隣り合う固定治具１２の間に異常放電が生じることを防ぐことができた。

【0048】

〔まとめ〕
本開示の態様１に係る成膜装置は、被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、前記被処理物を内部に収容する真空容器と、前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、前記被処理物を加熱する加熱部と、前記アンテナと前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、を備える構成である。

【0049】

本開示の態様２に係る成膜装置は、上記の態様１において、前記被処理物を支持するホルダと、前記ホルダにバイアス電圧を印加するバイアス電源と、をさらに備え、前記輻射抑制部材の電位が前記被処理物の電位と同一になるように、前記輻射抑制部材は、前記ホルダと電気的に接続されている構成としてもよい。

【0050】

本開示の態様３に係る成膜装置は、上記の態様１または２において、前記輻射抑制部材には開口部が形成されており、前記被処理物の一部が前記開口部内に配置されることにより、前記被処理物と前記輻射抑制部材との間に隙間が形成される構成としてもよい。

【0051】

本開示の態様４に係る成膜装置は、上記の態様１から３のいずれかにおいて、前記アンテナは、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間を絶縁する絶縁要素と、を有し、前記輻射抑制部材は、前記絶縁要素と前記加熱部との間に配置され、前記加熱部から前記絶縁要素への輻射を抑制するとともに、前記加熱部に対して、前記アンテナのうち前記絶縁要素を含む一部を遮蔽するものである構成としてもよい。

【0052】

本開示の態様５に係る成膜装置は、上記の態様１から４のいずれかにおいて、前記輻射抑制部材の熱を前記輻射抑制部材の外部に導くことにより、前記輻射抑制部材を冷却する冷却機構をさらに備える構成としてもよい。

【0053】

本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0054】

１、１Ａ 成膜装置
２ 真空容器
３ アンテナ
５、５Ａ 輻射抑制部材
８ ホルダ
１４ バイアス電源
１５ 冷却機構
３１ 導体要素
３２ 絶縁要素
５１ 開口部
８１ ヒータ
Ｐ プラズマ
ＳＰ 隙間
Ｗ 被処理物

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】