特開 2024-106278 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024106278

(43)【公開日】2024-08-07

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/38 20060101AFI20240731BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240731BHJP

【ＦＩ】

H05K3/38 A

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023010540

(22)【出願日】2023-01-26

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003096

【氏名又は名称】弁理士法人第一テクニカル国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

【テーマコード（参考）】

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC09

5E316CC16

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316FF07

5E316FF12

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316HH01

5E343AA12

5E343AA22

5E343AA37

5E343BB24

5E343CC62

5E343DD25

5E343DD43

5E343ER16

5E343ER18

5E343GG13

(57)【要約】

【課題】高速伝送に適するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に形成されていて、パッドを有する第１導体層と、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように、前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層の前記第１面の直上に形成されている窒化ケイ素膜と、記窒化ケイ素膜の直上に形成されている第２導体層、とを有する。前記第１面は実質的に平坦である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層上に形成されていて、パッドを有する第１導体層と、
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように、前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
前記第２樹脂絶縁層の前記第１面の直上に形成されている窒化ケイ素膜と、
前記窒化ケイ素膜の直上に形成されている第２導体層、
とを有するプリント配線板であって、
前記第１面は実質的に平坦である。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１面は粗化されていない。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記窒化ケイ素膜と前記第２樹脂絶縁層を同時に貫通し前記パッドに至るビア導体用の開口と前記開口内に形成され前記パッドとランドを接続する前記ビア導体を有する。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記第２導体層は、前記窒化ケイ素膜上のシード層と、前記シード層上の電解めっき膜、とを有する。

【請求項5】

請求項４のプリント配線板であって、前記ビア導体は前記第２導体層を形成する前記シード層と前記電解めっき膜で形成され、前記ビア導体を形成する前記シード層は前記パッドと直接繋がっている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、プリント配線板を開示している。特許文献１の図１に示されるように、特許文献１は、アンカーを有する接着剤層を形成している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平７－１８８９３５号公報

【発明の概要】

【0004】

＜特許文献１の課題＞
特許文献１の技術は、接着剤層にアンカーを形成し、そのアンカーに導体層を形成するめっきを充填している。そのため、導体層はアンカーに起因する凹凸を有するので、伝搬損失が発生すると考えられる。特許文献１の技術で形成されるプリント配線板は高速な信号を伝送するためのプリント配線板に適していないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に形成されていて、パッドを有する第１導体層と、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように、前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層の前記第１面の直上に形成されている窒化ケイ素膜と、前記窒化ケイ素膜の直上に形成されている第２導体層、とを有する。前記第１面は実質的に平坦である。

【0006】

本発明の実施形態では、第２樹脂絶縁層の第１面は平坦である。平坦な第１面の直上に窒化ケイ素膜が形成されている。第２導体層は、窒化ケイ素膜の直上に形成されている。そのため、第２導体層と第２樹脂絶縁層との結合強度は高い。平坦な第１面に第２導体層が形成されるため、伝搬損失が小さい。実施形態のプリント配線板は、高速な信号を伝送することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図2H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

＜実施形態のプリント配線板＞
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層（第１樹脂絶縁層）４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０（第２樹脂絶縁層）と窒化ケイ素膜５０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0009】

絶縁層４は熱硬化性樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含む。あるいは、絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含む。絶縁層４は、第３面６と、第３面６と反対側の第４面８を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は銅によって形成される。第１導体層１０は、シード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき膜１０ｂで形成されている。

【0011】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２２と、第１面２２と反対側の第２面２４を有する。第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０はパッド１４に至る開口（ビア導体用の開口）２６を有する。樹脂絶縁層２０はエポキシ系樹脂と、エポキシ系樹脂の中に分散している複数の無機粒子とで形成されている。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子は、例えば、シリカやアルミナである。

【0012】

樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されていない。第１面２２は粗化されていない。第１面２２は実質的に平坦である。開口２６の内壁面は凹凸を有する。

【0013】

窒化ケイ素膜５０は第１面２２の直上に形成されている。開口２６は、窒化ケイ素膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。

【0014】

第２導体層３０は窒化ケイ素膜５０の直上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６とを含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は銅によって形成される。第２導体層３０は、窒化ケイ素膜５０上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき膜３０ｂで形成されている。シード層３０ａは窒化ケイ素膜５０と接している。

【0015】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０は第２導体層３０を形成するシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき膜３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａは、パッド１４と直接繋がっている。

【0016】

＜実施形態のプリント配線板の製造方法＞
図２Ａ～図２Ｈは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図２Ａ～図２Ｈは断面図である。図２Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。

【0017】

図２Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。

【0018】

図２Ｃに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２の直上に窒化ケイ素膜５０が形成される。 窒化ケイ素膜５０は、スパッタ法により形成される。又は、窒化ケイ素膜５０は、真空蒸着法により形成される。又は、窒化ケイ素膜５０は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される。

【0019】

図２Ｄに示されるように、窒化ケイ素膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは窒化ケイ素膜５０と樹脂絶縁層２０を貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、二酸化炭素レーザ光、ＹＡＧレーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。

【0020】

図２Ｅに示されるように、窒化ケイ素膜５０上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは、開口２６から露出する露出面上に形成される。露出面はパッド１４の上面と開口２６の内壁面である。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。シード層３０ａは銅で形成される。実施形態では、樹脂絶縁層２０の第１面２２は平坦である。平坦な第１面２２の直上に窒化ケイ素膜５０が形成されている。第２導体層３０のシード層３０ａは、窒化ケイ素膜５０の直上に形成されている。そのため、第２導体層３０と樹脂絶縁層２０との結合強度は高い。平坦な第１面２２に第２導体層３０が形成されるため、伝搬損失が小さい。実施形態のプリント配線板２は、高速な信号を伝送することができる。

【0021】

図２Ｆに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ，６０Ｄが写真技術により形成される。めっきレジスト６０Ａ～６０Ｄは、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１参照）を形成するための開口６０ａを有する。

【0022】

図２Ｇに示されるように、めっきレジスト６０Ａ～６０Ｄから露出するシード層３０ａの上に電解めっき膜３０ｂが形成される。

【0023】

図２Ｈに示されるように、めっきレジスト６０Ａ～６０Ｄが除去される。電解めっき膜３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。開口２６内にビア導体４０が形成される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２（図１参照）が得られる。

【符号の説明】

【0024】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
６ ：第３面
８ ：第４面
１０ ：第１導体層
１０ａ ：シード層
１０ｂ ：電解めっき膜
１２ ：信号配線
１４ ：パッド
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき膜
３２ ：第１信号配線
３４ ：第２信号配線
３６ ：ランド
４０ ：ビア導体
５０ ：窒化ケイ素膜
６０Ａ ：めっきレジスト
６０ａ ：開口
６０Ｂ ：めっきレジスト
６０Ｃ ：めっきレジスト
６０Ｄ ：めっきレジスト
Ｅ ：プラズマ
Ｌ ：レーザ光

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】