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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024106771
(43)【公開日】2024-08-08
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20240801BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240801BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 J
H01L21/304 643A
H01L21/304 648G
H01L21/306 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023011204
(22)【出願日】2023-01-27
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】火口 友美
(72)【発明者】
【氏名】鰍場 真樹
(72)【発明者】
【氏名】ホー リンダ
【テーマコード（参考）】
5F043
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043AA31
5F043BB22
5F043DD30
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE36
5F043GG10
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC01
5F157AC26
5F157BB23
5F157BB45
5F157CB13
5F157CB15
5F157CE23
5F157CF22
5F157DB02
5F157DB41
(57)【要約】
【課題】処理液の消費量を低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板保持部７と、処理液吐出部６と、接触部材保持部４と、接触部材移動部５と、圧力緩和機構ＡＫとを備える。基板保持部７は、基板Ｗを保持する。処理液吐出部６は、基板保持部７に保持された基板Ｗの上面に処理液を吐出して、基板Ｗに処理液を供給する。接触部材保持部４は、基板Ｗ上の処理液に接触して処理液を覆う接触部材３を保持する。接触部材移動部５は、接触部材保持部４を移動させて、基板Ｗ上の処理液に接触部材３を接触させる。圧力緩和機構ＡＫは、接触部材３が処理液に接触する際に処理液に付与される圧力を緩和する。
【選択図】図５
【解決手段】基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板保持部７と、処理液吐出部６と、接触部材保持部４と、接触部材移動部５と、圧力緩和機構ＡＫとを備える。基板保持部７は、基板Ｗを保持する。処理液吐出部６は、基板保持部７に保持された基板Ｗの上面に処理液を吐出して、基板Ｗに処理液を供給する。接触部材保持部４は、基板Ｗ上の処理液に接触して処理液を覆う接触部材３を保持する。接触部材移動部５は、接触部材保持部４を移動させて、基板Ｗ上の処理液に接触部材３を接触させる。圧力緩和機構ＡＫは、接触部材３が処理液に接触する際に処理液に付与される圧力を緩和する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を吐出して、前記基板に前記処理液を供給する処理液吐出部と、
前記基板上の前記処理液に接触して前記処理液を覆う接触部材を保持する接触部材保持部と、
前記接触部材保持部を移動させて、前記基板上の前記処理液に前記接触部材を接触させる接触部材移動部と、
前記接触部材が前記処理液に接触する際に前記処理液に付与される圧力を緩和する圧力緩和機構と
を備える、基板処理装置。
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を吐出して、前記基板に前記処理液を供給する処理液吐出部と、
前記基板上の前記処理液に接触して前記処理液を覆う接触部材を保持する接触部材保持部と、
前記接触部材保持部を移動させて、前記基板上の前記処理液に前記接触部材を接触させる接触部材移動部と、
前記接触部材が前記処理液に接触する際に前記処理液に付与される圧力を緩和する圧力緩和機構と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記処理液吐出部及び前記接触部材移動部を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、前記処理液吐出部から前記処理液を吐出させた後に、前記接触部材を前記処理液に接触させる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理液吐出部から前記処理液を吐出させた後に、前記接触部材を前記処理液に接触させる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記処理液吐出部は、前記処理液を一定量吐出する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記接触部材を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記圧力緩和機構は、前記接触部材保持部に設けられ、
前記圧力緩和機構は、前記接触部材を上下動自在に支持する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記圧力緩和機構は、前記接触部材を上下動自在に支持する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記接触部材は、前記接触部材保持部に支持される被支持部を含み、
前記接触部材保持部は、前記被支持部を支持する支持部を含み、
前記圧力緩和機構は、前記被支持部と前記支持部との間に気体を供給する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記接触部材保持部は、前記被支持部を支持する支持部を含み、
前記圧力緩和機構は、前記被支持部と前記支持部との間に気体を供給する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記接触部材の下限位置を規制する規制部材を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記圧力緩和機構は、弾性部材を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記圧力緩和機構は、
前記接触部材を下方から支持する昇降支持部材と、
前記昇降支持部材を昇降させる昇降部と、
前記接触部材移動部及び前記昇降部を制御する制御部と
を含み、
前記制御部は、前記接触部材に対して下方から前記昇降支持部材を接触させた状態を維持しつつ、前記接触部材を前記基板上の前記処理液へ向けて移動させて前記処理液に接触させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記接触部材を下方から支持する昇降支持部材と、
前記昇降支持部材を昇降させる昇降部と、
前記接触部材移動部及び前記昇降部を制御する制御部と
を含み、
前記制御部は、前記接触部材に対して下方から前記昇降支持部材を接触させた状態を維持しつつ、前記接触部材を前記基板上の前記処理液へ向けて移動させて前記処理液に接触させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記圧力緩和機構は、前記接触部材移動部と、前記接触部材移動部を制御する制御部とを含み、
前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触する際に前記処理液に付与される圧力が緩和されるように前記接触部材を移動させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触する際に前記処理液に付与される圧力が緩和されるように前記接触部材を移動させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記接触部材保持部は、前記接触部材が前記処理液に接触した後に、前記接触部材を保持しない非保持状態となる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記接触部材保持部は、前記接触部材が前記処理液に接触した後も前記接触部材を保持する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させる基板回転部と、
前記基板回転部を制御する制御部と
を更に備え、
前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触している状態で前記基板を回転させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板回転部を制御する制御部と
を更に備え、
前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触している状態で前記基板を回転させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させる基板回転部と、
前記基板回転部を制御する制御部と
を更に備え、
前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触している状態で前記基板の回転を停止させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板回転部を制御する制御部と
を更に備え、
前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触している状態で前記基板の回転を停止させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記接触部材は、疎水材又は超撥水材を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記基板保持部は、前記接触部材と係合する係合部を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
１枚ずつ基板を処理する枚葉式の基板処理装置が知られている。この種の基板処理装置には、例えば、基板をエッチングする基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の基板処理装置は、エッチング処理時に、処理対象の基板に向けてノズルからエッチング液を吐出し続ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－５４１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、処理対象の基板に向けて処理液を吐出し続けて基板を処理する構成では、処理液の消費量が多くなる。処理液の消費量を考慮すれば、更なる改善の余地がある。
【0005】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液の消費量を低減できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、基板保持部と、処理液吐出部と、接触部材保持部と、接触部材移動部と、圧力緩和機構とを備える。前記基板保持部は、前記基板を保持する。前記処理液吐出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を吐出して、前記基板に前記処理液を供給する。前記接触部材保持部は、前記基板上の前記処理液に接触して前記処理液を覆う接触部材を保持する。前記接触部材移動部は、前記接触部材保持部を移動させて、前記基板上の前記処理液に前記接触部材を接触させる。前記圧力緩和機構は、前記接触部材が前記処理液に接触する際に前記処理液に付与される圧力を緩和する。
【0007】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、前記処理液吐出部及び前記接触部材移動部を制御する制御部を更に備える。前記制御部は、前記処理液吐出部から前記処理液を吐出させた後に、前記接触部材を前記処理液に接触させる。
【0008】
ある実施形態において、前記処理液吐出部は、前記処理液を一定量吐出する。
【0009】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、前記接触部材を更に備える。
【0010】
ある実施形態において、前記圧力緩和機構は、前記接触部材保持部に設けられる。前記圧力緩和機構は、前記接触部材を上下動自在に支持する。
【0011】
ある実施形態において、前記接触部材は、前記接触部材保持部に支持される被支持部を含む。前記接触部材保持部は、前記被支持部を支持する支持部を含む。前記圧力緩和機構は、前記被支持部と前記支持部との間に気体を供給する。
【0012】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、前記接触部材の下限位置を規制する規制部材を更に備える。
【0013】
ある実施形態において、前記圧力緩和機構は、弾性部材を含む。
【0014】
ある実施形態において、前記圧力緩和機構は、昇降支持部材と、昇降部と、制御部とを含む。前記昇降支持部材は、前記接触部材を下方から支持する。前記昇降部は、前記昇降支持部材を昇降させる。前記制御部は、前記接触部材移動部及び前記昇降部を制御する。前記制御部は、前記接触部材に対して下方から前記昇降支持部材を接触させた状態を維持しつつ、前記接触部材を前記基板上の前記処理液へ向けて移動させて前記処理液に接触させる。
【0015】
ある実施形態において、前記圧力緩和機構は、前記接触部材移動部と、前記接触部材移動部を制御する制御部とを含む。前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触する際に前記処理液に付与される圧力が緩和されるように前記接触部材を移動させる。
【0016】
ある実施形態において、前記接触部材保持部は、前記接触部材が前記処理液に接触した後に、前記接触部材を保持しない非保持状態となる。
【0017】
ある実施形態において、前記接触部材保持部は、前記接触部材が前記処理液に接触した後も前記接触部材を保持する。
【0018】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、基板回転部と、制御部とを更に備える。前記基板回転部は、前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させる。前記制御部は、前記基板回転部を制御する。前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触している状態で前記基板を回転させる。
【0019】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、基板回転部と、制御部とを更に備える。前記基板回転部は、前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させる。前記制御部は、前記基板回転部を制御する。前記制御部は、前記接触部材が前記処理液に接触している状態で前記基板の回転を停止させる。
【0020】
ある実施形態において、前記接触部材は、疎水材又は超撥水材を含む。
【0021】
ある実施形態において、前記基板保持部は、前記接触部材と係合する係合部を含む。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理液の消費量を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図3】（ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作を示すフローチャートである。（ｂ）は、基板処理時の処理の流れを示すフローチャートである。
【図4】薬液吐出時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図5】接触部材を液面に接触させる際の基板処理部を模式的に示す図である。
【図6】リンス処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図7】（ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置の変形例１を模式的に示す図である。（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置の変形例２を模式的に示す図である。
【図8】基板処理時の処理の流れの他例を示すフローチャートである。
【図9】（ａ）は、本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。（ｂ）は、係合ピンの他例を示す図である。
【図10】本発明の実施形態３に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。
【図11】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図12】（ａ）は、本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる第３ノズル、リンス液供給部、及び第３気体供給部を示す図である。（ｂ）は、第３ノズルの側面図である。（ｃ）は、第３ノズルの底面図である。
【図13】（ａ）は、接触部材を液面に接触させる際の基板処理部を模式的に示す図である。（ｂ）は、リンス処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図14】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。
【図15】（ａ）は、本発明の実施形態６に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。（ｂ）は、接触部材及び接触部材保持部の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図16】（ａ）～（ｃ）は、第１ノズルから基板の上面に薬液が吐出された後の基板処理部の動作を模式的に示す図である。
【図17】（ａ）及び（ｂ）は、第１ノズルから基板の上面に薬液が吐出された後の基板処理部の動作を模式的に示す図である。
【図18】本発明の実施形態７に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。
【図19】（ａ）～（ｃ）は、第１ノズルから基板の上面に薬液が吐出された後の基板処理部の動作を模式的に示す図である。
【図20】（ａ）～（ｃ）は、第１ノズルから基板の上面に薬液が吐出された後の基板処理部の動作を模式的に示す図である。
【図21】（ａ）は、本発明の実施形態８に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。（ｂ）は、接触部材の底面図である。
【図22】本発明の実施形態９に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の一部を模式的に示す図である。
【図23】（ａ）～（ｃ）は、第１ノズルから基板の上面に薬液が吐出された後の基板処理部の動作を模式的に示す図である。
【図24】（ａ）～（ｃ）は、第１ノズルから基板の上面に薬液が吐出された後の基板処理部の動作を模式的に示す図である。
【図25】本発明の実施形態１０に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図26】接触部材保持部の構成を示す断面図である。
【図27】（ａ）は、基板の上面に吐出された薬液に接触部材が接触した後の基板処理部を模式的に示す図である。（ｂ）は、リンス処理時の基板処理部を模式的に示す図である。（ｃ）は、乾燥処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、図面（図１～図２７）を参照して本発明の基板処理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0025】
本発明に係る基板処理装置において、基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0026】
［実施形態１］
図１～図８を参照して、本発明の実施形態１を説明する。まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液により１枚ずつ基板Ｗを処理する。
図１～図８を参照して、本発明の実施形態１を説明する。まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液により１枚ずつ基板Ｗを処理する。
【0027】
本実施形態において、基板処理装置１００は、洗浄装置である。但し、基板処理装置１００は、処理液により１枚ずつ基板Ｗを処理する装置である限り、特に限定されない。例えば、基板処理装置１００は、エッチング装置であってもよい。
【0028】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２と、流体キャビネット１０Ａと、複数の流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
【0029】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
【0030】
複数の基板処理部２は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２（図１では３つの基板処理部２）を含む。
【0031】
流体キャビネット１０Ａは、処理液を収容する。流体ボックス１０Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。
【0032】
処理液は、薬液と、リンス液とを含む。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）である。但し、薬液は、希フッ酸に限定されない。薬液は、例えば、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤であってもよい。リンス液は、例えば、純水（例えば、脱イオン水）である。但し、リンス液は、純水に限定されない。リンス液は、例えば、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水であってもよい。
【0033】
流体キャビネット１０Ａは、気体を更に収容してもよい。流体キャビネット１０Ａ内の気体は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。気体は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよい。
【0034】
基板処理部２の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。この結果、基板Ｗが処理される。例えば、基板処理部２は、基板Ｗの上面に希フッ酸を供給して、基板Ｗに形成されている自然酸化膜を除去する。つまり、基板処理部２は、自然酸化膜をエッチングする。
【0035】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
【0036】
制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
【0037】
記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。具体的には、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。
【0038】
記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
【0039】
【0040】
図２に示すように、基板処理部２は、処理室２ａと、接触部材３と、接触部材保持部４と、接触部材移動部５と、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、基板保持部７と、基板回転部８と、第２ノズル９と、カップ部１１と、カップ昇降部１１１とを有する。また、基板処理装置１００は、薬液供給部６１と、リンス液供給部９１とを更に備える。
【0041】
基板Ｗは、処理室２ａ内に搬入されて、処理室２ａ内で処理される。処理室２ａは、略箱形状を有する。処理室２ａは、接触部材３と、接触部材保持部４と、接触部材移動部５と、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、基板保持部７と、基板回転部８と、第２ノズル９と、カップ部１１と、カップ昇降部１１１と、薬液供給部６１の一部と、リンス液供給部９１の一部とを収容する。処理室２ａは、例えば、チャンバーである。
【0042】
基板保持部７は、基板Ｗを保持する。基板保持部７の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より具体的には、基板保持部７は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。基板保持部７は、例えば、スピンチャックである。本実施形態において、基板保持部７は、複数のチャック部材７１と、スピンベース７２と、複数の係合ピン７３とを有する。
【0043】
スピンベース７２は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材７１を支持する。本実施形態において、スピンベース７２は、複数の係合ピン７３を更に支持する。
【0044】
複数のチャック部材７１は、スピンベース７２の周縁部に配置される。複数のチャック部材７１は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材７１により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材７１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。複数のチャック部材７１は、基板Ｗの中心がスピンベース７２の中心と一致するように配置されている。
【0045】
複数の係合ピン７３は、スピンベース７２の周縁部に配置される。例えば、複数の係合ピン７３は、複数のチャック部材７１の外側に配置される。あるいは、複数の係合ピン７３は、複数のチャック部材７１の間に配置されてもよい。係合ピン７３は、棒状の部材である。本実施形態において、係合ピン７３は、円柱状である。複数の係合ピン７３は、スピンベース７２から上方に向かって突出する。複数の係合ピン７３は、基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触する際に接触部材３に係合する。係合ピン７３は、「係合部」の一例である。
【0046】
基板回転部８は、基板保持部７を回転させることにより、基板保持部７に保持されている基板Ｗを回転させる。具体的には、基板回転部８は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部７とを一体に回転させる。基板回転部８の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0047】
詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース７２の中心を通る。したがって、スピンベース７２は、スピンベース７２の中心を回転中心として回転する。また、既に説明したように、基板保持部７は、基板Ｗの中心がスピンベース７２の中心と一致するように基板Ｗを保持する。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
【0048】
基板回転部８は、例えば、モータ本体８２と、シャフト８１とを有する。シャフト８１はスピンベース７２に結合される。モータ本体８２は、シャフト８１を回転させる。その結果、スピンベース７２が回転する。モータ本体８２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。モータ本体８２は、例えば、電動モータである。
【0049】
第１ノズル６は、基板保持部７に保持された基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出して、基板Ｗに薬液を供給する。第１ノズル６は、例えば、希フッ酸を吐出する。第１ノズル６は、「処理液吐出部」の一例である。本実施形態において、第１ノズル６は、一定量の薬液を吐出する。ここで、一定量は、第１ノズル６から基板Ｗに供給された薬液が基板Ｗから零れ落ちない量である。換言すると、一定量は、薬液が表面張力によって基板Ｗの上面に保持される量である。あるいは、一定量は、回転する基板Ｗから薬液が零れ落ちない量であってもよい。換言すると、一定量は、回転する基板Ｗの上面に薬液が表面張力によって保持される量あってもよい。第１ノズル６から一定量の薬液が吐出される際の基板Ｗの回転数は、例えば、５ｒｐｍ以上１０ｒｐｍ以下である。
【0050】
薬液供給部６１は、第１ノズル６に薬液を供給する。例えば、薬液供給部６１は、第１ノズル６に希フッ酸を供給する。本実施形態において、薬液供給部６１は、薬液配管６１１と、第１開閉弁６１２と含む。処理室２ａは、薬液配管６１１の一部を収容する。第１開閉弁６１２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
【0051】
薬液配管６１１は、管状の部材であり、薬液を第１ノズル６まで流通させる。第１開閉弁６１２は、薬液配管６１１に介装される。第１開閉弁６１２は、薬液配管６１１を介した第１ノズル６への薬液の供給、及び第１ノズル６への薬液の供給停止を制御する。具体的には、第１開閉弁６１２の状態は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。第１開閉弁６１２が開状態になると、薬液が薬液配管６１１を介して第１ノズル６まで流通する。第１開閉弁６１２が閉状態になると、薬液配管６１１を介した薬液の流通が停止する。第１開閉弁６１２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１開閉弁６１２のアクチュエータは、は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
【0052】
薬液ノズル移動部６２は、第１ノズル６を第１退避位置と処理位置との間で移動させる。薬液ノズル移動部６２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１退避位置は、平面視において基板保持部７の外側の位置である。本実施形態において、第１退避位置は、平面視においてカップ部１１の外側の位置である。処理位置は、基板保持部７に保持されている基板Ｗの中心に対向する位置である。
【0053】
詳しくは、薬液ノズル移動部６２は、鉛直方向及び水平方向に第１ノズル６を移動させる。具体的には、薬液ノズル移動部６２は、薬液アーム６２１と、第１基台６２２と、薬液ノズル移動機構６２３とを有する。
【0054】
薬液アーム６２１は水平方向に沿って延びる。薬液アーム６２１の先端部に第１ノズル６が配置される。薬液アーム６２１は第１基台６２２に結合される。第１基台６２２は、鉛直方向に沿って延びる。
【0055】
薬液ノズル移動機構６２３は、鉛直方向及び水平方向に薬液アーム６２１を移動させる。この結果、第１ノズル６が鉛直方向及び水平方向に移動する。薬液ノズル移動機構６２３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0056】
具体的には、薬液ノズル移動機構６２３は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１基台６２２を揺動させて、薬液アーム６２１を水平面に沿って揺動させる。この結果、第１ノズル６が水平面に沿って移動する。また、薬液ノズル移動機構６２３は、第１基台６２２を鉛直方向に沿って昇降させて、薬液アーム６２１を昇降させる。この結果、第１ノズル６が鉛直方向に沿って移動する。薬液ノズル移動機構６２３は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0057】
接触部材３は、基板Ｗ上の薬液に接触して、基板Ｗ上の薬液を覆う。本実施形態において、接触部材３は、接触部３１と、筒状部３２と、被支持部３３とを含む。
【0058】
接触部３１は、円盤状であり、接触部３１の直径は、基板Ｗの直径よりも大きい。接触部３１の下面は液接触面３１ａであり、液接触面３１ａが基板Ｗ上の薬液に接触する。
【0059】
接触部材３は、疎水材又は超撥水材を含んでもよい。この場合、少なくとも液接触面３１ａが疎水材又は超撥水材で構成される。なお、接触部材３の全部分が疎水材又は超撥水材で構成されてもよいし、接触部３１のみが疎水材又は超撥水材で構成されてもよい。液接触面３１ａが疎水材で構成されことにより、液接触面３１ａに薬液が付着し難くなり、液接触面３１ａのリンス及び乾燥が容易になる。液接触面３１ａが超撥水材で構成された場合、液接触面３１ａのリンス及び乾燥は省略されてもよい。
【0060】
本実施形態において、接触部３１は、複数の係合穴３１ｂを含む。係合穴３１ｂはそれぞれ鉛直方向に延びて、接触部３１を貫通する。複数の係合穴３１ｂは、複数の係合ピン７３に対向する位置に配置される。基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触する際に、複数の係合ピン７３はそれぞれ対応する係合穴３１ｂに係合する。具体的には、係合ピン７３は、対応する係合穴３１ｂに挿通される。
【0061】
筒状部３２は、筒状であり、接触部３１から上方に突出する。具体的には、筒状部３２は、第１回転軸線ＡＸ１を中心とする周方向に延在する。被支持部３３は、鍔状又は環状であり、筒状部３２から外方に突出する。具体的には、被支持部３３は、第１回転軸線ＡＸ１を中心とする径方向に突出する。
【0062】
接触部材保持部４は、接触部材３を保持する。本実施形態では、接触部材保持部４は、接触部材３の被支持部３３を支持する。具体的には、接触部材保持部４は、支持部４１を含む。支持部４１は、環状であり、第１回転軸線ＡＸ１を中心とする周方向に延在する。支持部４１は、被支持部３３の下方に位置して、被支持部３３に対向する。被支持部３３が支持部４１に係合することにより、接触部材３が接触部材保持部４によって支持される。
【0063】
詳しくは、接触部材保持部４は、筒状部を含む。筒状部は、第１回転軸線ＡＸ１を中心とする周方向に延在する。支持部４１は、筒状部の下部に設けられて、筒状部から内側に突出する。接触部材保持部４の下面の中央は開口しており、接触部材３の筒状部３２の一部が、接触部材保持部４の下面から接触部材保持部４の内部空間に収容される。接触部材３の被支持部３３は、接触部材保持部４の内部空間に配置されて、接触部材保持部４の支持部４１と対向する。
【0064】
接触部材保持部４は、圧力緩和機構ＡＫを構成する。換言すると、圧力緩和機構ＡＫは、接触部材保持部４に設けられる。圧力緩和機構ＡＫは、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和する。この結果、基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触した衝撃で薬液が基板Ｗから零れ落ち難くなる。つまり、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触しても、薬液が基板Ｗ上で保持される。
【0065】
具体的には、接触部材保持部４は、接触部材３が薬液に接触した後に、接触部材３を保持しない非保持状態となる。この結果、薬液に作用する負荷が接触部材３の自重のみとなるため、薬液に付与される圧力を緩和することができる。
【0066】
詳しくは、接触部材保持部４は、接触部材３を上下動自在に保持する。より具体的には、接触部材保持部４は、自由に上下動できるように接触部材３を保持する。この結果、基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触する際に、薬液に作用する負荷が接触部材３の自重のみとなるため、薬液に付与される圧力を緩和することができる。
【0067】
接触部材移動部５は、接触部材保持部４を移動させて、基板Ｗ上の薬液に接触部材３を接触させる。詳しくは、接触部材移動部５は、第２退避位置と接触位置との間で接触部材３を移動させる。ここで、接触位置は、接触部材３の液接触面３１ａが基板Ｗ上の薬液に接触する位置である。本実施形態において、第２退避位置は、接触位置よりも上方の位置である。つまり、接触部材移動部５は、接触部材３及び接触部材保持部４を昇降させる。接触部材移動部５の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0068】
本実施形態では、圧力緩和機構ＡＫに、接触部材移動部５と制御装置１０１とが更に含まれる。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）が、基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触する際に薬液に付与される圧力が緩和されるように接触部材３を移動させる。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３を低速度で接触位置に移動させる。接触部材３の移動速度は、基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触しても、その接触時の衝撃では薬液が基板Ｗから零れ落ちない速度に設定される。この結果、基板Ｗ上の薬液に接触部材３が接触しても、薬液が基板Ｗから零れ落ち難くなる。
【0069】
具体的には、接触部材移動部５は、支持アーム５１と、第２基台５２と、接触部材移動機構５３とを有する。支持アーム５１は水平方向に沿って延びる。支持アーム５１は接触部材保持部４を支持する。支持アーム５１は第２基台５２に結合される。第２基台５２は、鉛直方向に沿って延びる。接触部材移動機構５３は、鉛直方向に支持アーム５１を移動させる。この結果、接触部材３が鉛直方向に移動する。接触部材移動機構５３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0070】
詳しくは、接触部材移動機構５３は、第２基台５２を鉛直方向に沿って昇降させて、支持アーム５１を昇降させる。この結果、接触部材３が鉛直方向に沿って移動する。接触部材移動機構５３は、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。
【0071】
なお、本実施形態において、接触部材移動部５は、鉛直方向に接触部材３を移動させるが、接触部材移動部５は、薬液ノズル移動部６２と同様に、鉛直方向及び水平方向に接触部材３を移動させてもよい。
【0072】
第２ノズル９は、基板Ｗにリンス液を供給する。詳しくは、第２ノズル９は、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。第２ノズル９は、固定ノズルである。なお、本実施形態において、第２ノズル９は固定ノズルであるが、第２ノズル９はスキャンノズルであってもよい。
【0073】
リンス液供給部９１は、第２ノズル９にリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給部９１は、リンス液配管９１１と、第２開閉弁９１２とを含む。処理室２ａは、リンス液配管９１１の一部を収容する。第２開閉弁９１２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
【0074】
リンス液配管９１１は、リンス液を第２ノズル９まで流通させる。リンス液配管９１１及び第２開閉弁９１２の構成は、薬液配管６１１及び第１開閉弁６１２と略同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0075】
カップ部１１は、基板保持部７及び基板回転部８の外方に配置される。カップ部１１は、略筒形状を有する。換言すると、カップ部１１は、基板保持部７及び基板回転部８を取り囲んでいる。カップ部１１は、回転する基板Ｗから飛散する処理液を受け止める。
【0076】
カップ昇降部１１１は、カップ部１１を昇降させる。カップ昇降部１１１は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。カップ昇降部１１１は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0077】
具体的には、カップ昇降部１１１は、カップ部１１を液受け位置と第３退避位置との間で昇降させる。液受け位置は、第３退避位置よりも上方の位置である。詳しくは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗが処理室２ａ内部に搬入される際、あるいは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗが処理室２ａ内部から搬出される際に、カップ部１１は第３退避位置に退避している。カップ部１１は、処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。
【0078】
続いて、図１、図２、及び図３（ａ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００の動作を示すフローチャートである。詳しくは、図３（ａ）は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れを示す。
【0079】
図３（ａ）に示す処理は、センターロボットＣＲがインデクサーロボットＩＲから基板Ｗを受け取った後に開始する。図３（ａ）に示すように、センターロボットＣＲがインデクサーロボットＩＲから基板Ｗを受け取ると、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、基板Ｗを処理室２ａ内に搬入させる（ステップＳ１）。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部７を制御して、センターロボットＣＲが搬入した基板Ｗを保持させる。この結果、基板保持部７により、処理室２ａ内で基板Ｗが保持される。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗが保持されると、基板処理部２に基板処理を実行させる（ステップＳ２）。
【0080】
基板処理が終了すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理部２に乾燥処理を実行させる（ステップＳ３）。乾燥処理は、基板処理後の基板Ｗを乾燥させる処理である。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部８を制御して、基板Ｗを高速回転させる。例えば、乾燥処理時の基板Ｗの回転速度は、１５００ｒｐｍである。基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着している処理液が振り切られて基板Ｗが乾燥される。
【0081】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの高速回転を開始してから、予め規定された時間が経過した後、基板回転部８を制御して、基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転が停止すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部７を制御して、基板Ｗの保持を解除させる。基板保持部７による基板Ｗの保持が解除されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、基板Ｗを処理室２ａから搬出させる（ステップＳ４）。この結果、図３（ａ）に示す処理が終了する。
【0082】
続いて、図１、図２、図３（ｂ）、及び図４～図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３（ｂ）は、基板処理時（図３（ａ）のステップＳ２）の処理の流れを示すフローチャートである。図３（ｂ）に示すように、基板処理は、薬液吐出処理（ステップＳ２２）と、接触部材３を液面に接触させる処理（ステップＳ２４）と、リンス処理（ステップＳ２６）とを含む。図４は、薬液吐出時（図３（ｂ）のステップＳ２２）の基板処理部２を模式的に示す図である。図５は、接触部材３を液面に接触させる際（図３（ｂ）のステップＳ２４）の基板処理部２を模式的に示す図である。図６は、リンス処理時（図３（ｂ）のステップＳ２６）の基板処理部２を模式的に示す図である。
【0083】
図３（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理（図３（ａ）のステップＳ２）を開始すると、薬液ノズル移動部６２を制御して第１ノズル６を処理位置へ移動させ、薬液供給部６１を制御して第１ノズル６から薬液を一定量だけ吐出させる（ステップＳ２２）。
【0084】
詳しくは、図４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部８を制御して、基板Ｗを第１回転速度で回転させる。第１回転速度は、例えば、５ｒｐｍ以上１０ｒｐｍ以下である。つまり、基板回転部８は、基板Ｗを低速回転させる。この結果、一定量の薬液が基板Ｗから零れ落ちることなく、基板Ｗ上に保持される。例えば、図４に示すように、基板Ｗの上面に薬液の液膜ＬＭ１が形成されてもよい。
【0085】
図３（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、薬液の吐出後、接触部材移動部５を制御して、接触部材３を第２退避位置から接触位置へ移動させて、接触部材３を薬液の液面に接触させる（ステップＳ２４）。
【0086】
詳しくは、図５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、薬液ノズル移動部６２を制御して第１ノズル６を第１退避位置へ移動させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部７及び基板Ｗの回転を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部７及び基板Ｗの回転が停止した後に、接触部材３を接触位置へ移動させる。この結果、薬液の液膜ＬＭ１に接触部材３が接触する。また、係合ピン７３が接触部材３の係合穴３１ｂに係合する。
【0087】
本実施形態によれば、薬液の液膜ＬＭ１に接触部材３が接触することで、基板Ｗの上面で保持されている薬液が基板Ｗと接触部材３とによって挟まれた状態となる。その結果、基板Ｗの縁まで薬液が拡がり易くなる。つまり、基板Ｗの縁まで薬液で覆われた状態となり易くなる。よって、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）によるエッチング量の面内均一性が向上する。
【0088】
詳しくは、本実施形態では、薬液の液膜ＬＭ１に接触部材３が接触した後、接触部材保持部４が更に下降する。この結果、接触部材３が薬液の液膜ＬＭ１上に浮く状態となり、接触部材保持部４と接触部材３との係合状態が解除される。本実施形態では、係合ピン７３は円柱状であり、鉛直方向に延びる。そして、係合穴３１ｂも鉛直方向に延びる。よって、接触部材３は、自由に上下動可能となる。その結果、接触部材３の自重により薬液の液膜ＬＭ１が押されるため、薬液が基板Ｗの縁まで拡がり易くなる。
【0089】
制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３を接触位置へ移動させて、係合ピン７３が接触部材３の係合穴３１ｂに係合すると、基板回転部８を制御して基板Ｗを第１回転速度で回転させる。基板Ｗの回転を開始してから一定時間が経過すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部８を制御して、基板Ｗの回転速度を第１回転速度から第２回転速度まで増加させる。例えば、第２回転速度は、２００ｒｐｍである。なお、このとき、接触部材保持部４と接触部材３との係合状態が解除されており、係合ピン７３が接触部材３の係合穴３１ｂに係合しているため、基板Ｗと共に接触部材３も回転する。
【0090】
本実施形態によれば、基板Ｗの上面で保持されている薬液を基板Ｗと接触部材３とで挟んだ状態で基板Ｗを回転させる。この結果、基板Ｗ上で薬液の液流が発生する。したがって、薬液が基板Ｗの縁まで、より拡がり易くなる。
【0091】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度を第１回転速度から第２回転速度まで増加させてから一定時間が経過すると、基板回転部８を制御して、基板Ｗ、基板保持部７及び接触部材３の回転を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗ、基板保持部７及び接触部材３の回転が停止すると、接触部材移動部５を制御して、接触部材保持部４を上昇させる。この結果、接触部材３が接触部材保持部４に支持されて、接触部材保持部４と共に上昇し、第２退避位置まで移動する。
【0092】
【0093】
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル９からリンス液を吐出させる前に、基板回転部８を制御して、基板Ｗを第３回転速度で回転させる。第３回転速度は、例えば、８００ｒｐｍ以上１２００ｒｐｍ以下である。基板Ｗの回転速度が第３回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル９からリンス液を吐出させる。その結果、図６に示すように、基板Ｗ上にリンス液の液膜ＬＭ２が形成される。換言すると、基板Ｗ上の液膜が薬液の液膜ＬＭ１からリンス液の液膜ＬＭ２に置換される。リンス液の吐出開始から一定時間が経過すると、処理は乾燥処理（図３（ａ）のステップＳ３）へ移る。
【0094】
以上、図１～図６を参照して、本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、一定量の薬液を基板Ｗに吐出すればよいため、処理対象の基板Ｗに向けて薬液を吐出し続けて基板Ｗを処理する構成と比べて、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。
【0095】
なお、図１～図６を参照して説明した実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３が薬液の液膜ＬＭ１に接触している状態で基板Ｗを回転させたが、接触部材３が薬液の液膜ＬＭ１に接触している間、基板Ｗの回転を停止させもよい。
【0096】
また、図１～図６を参照して説明した実施形態では、回転している基板Ｗに向けて薬液が吐出されたが、停止している基板Ｗに薬液を吐出してもよい。以下、図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の変形例を説明する。
【0097】
図７（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００の変形例１を模式的に示す図である。図７（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００の変形例２を模式的に示す図である。詳しくは、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、薬液吐出時（図３（ｂ）のステップＳ２２）の基板処理部２を模式的に示す。
【0098】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを回転させていない状態で、第１ノズル６から一定量の薬液を吐出させてもよい。図７（ａ）に示す例では、一定量の薬液は、基板Ｗの縁まで拡がらず、基板Ｗの中央部に留まっている。本実施形態では、接触部材３の自重によって薬液が押されるため、薬液の吐出時に基板Ｗの中央部に薬液が留まっても、基板Ｗの縁まで薬液が拡がり易い。
【0099】
あるいは、図７（ｂ）に示すように、第１ノズル６から吐出させる薬液の量（一定量）は、回転していない基板Ｗにおいて、基板Ｗの上面全体を覆う量であってもよい。図７（ｂ）に示す例によれば、接触部材３が薬液に接触する前に基板Ｗの上面全体が薬液で覆われるため、基板Ｗの中央部と縁部との間で薬液との接触時間に差が生じ難くなる。その結果、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）によるエッチング量の面内均一性が向上する。
【0100】
続いて、図８を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の変形例３を説明する。図８は、基板処理時（図３（ａ）のステップＳ２）の処理の流れの他例を示すフローチャートである。図８に示す処理は、図３（ｂ）に示す処理と比べて、ステップＳ２８が追加されている。
【0101】
具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出開始から一定時間が経過すると、ステップＳ２２、ステップＳ２４、及びステップＳ２６の処理をＮ回繰り返したか否か判定する（ステップＳ２８）。ステップＳ２２、ステップＳ２４、及びステップＳ２６の処理をＮ回繰り返していないと制御装置１０１（制御部１０２）が判定すると（ステップＳ２８のＮｏ）、処理はステップＳ２２に戻る。一方、ステップＳ２２、ステップＳ２４、及びステップＳ２６の処理をＮ回繰り返したと制御装置１０１（制御部１０２）が判定すると（ステップＳ２８のＹｅｓ）、処理は乾燥処理（図３（ａ）のステップＳ３）へ移る。
【0102】
図８に示す例によれば、ステップＳ２２において使用する薬液の種類を変更することにより、複数種類の薬液を用いる基板処理が可能となる。したがって、例えば、ＲＣＡ洗浄処理が可能となる。
【0103】
［実施形態２］
続いて図１～図９を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、接触部材３及び接触部材保持部４の構成が実施形態１と異なる。
続いて図１～図９を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、接触部材３及び接触部材保持部４の構成が実施形態１と異なる。
【0104】
図９（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の一部を模式的に示す図である。詳しくは、図９（ａ）は、接触部材３を液面に接触させる際（図３（ｂ）のステップＳ２４）の基板処理部２を模式的に示す。
【0105】
図９（ａ）に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、気体供給部４２を備える。また、接触部材３は、第１ラビリンス構造ＬＡ１を有する。接触部材保持部４は、第２ラビリンス構造ＬＡ２と、気体流入穴４ａとを有する。
【0106】
第１ラビリンス構造ＬＡ１は、接触部材３の被支持部３３に形成される。第１ラビリンス構造ＬＡ１は、凹凸形状を示す。具体的には、第１ラビリンス構造ＬＡ１は、複数の突条を含む。複数の突条は互いに平行である。よって、隣り合う２つの突条の間に溝が形成される。突条はそれぞれ環状であり、円周方向に沿って延びる。
【0107】
第２ラビリンス構造ＬＡ２は、接触部材保持部４の支持部４１に形成される。第２ラビリンス構造ＬＡ２は、第１ラビリンス構造ＬＡ１に対向する。第２ラビリンス構造ＬＡ２は、第１ラビリンス構造ＬＡ１と同様の形状を有する。
【0108】
第１ラビリンス構造ＬＡ１の複数の突条は、第２ラビリンス構造ＬＡ２の複数の突条に対して径方向にずれた位置に配置される。具体的には、第１ラビリンス構造ＬＡ１の複数の突条は、第２ラビリンス構造ＬＡ２の複数の溝内に位置し、第２ラビリンス構造ＬＡ２の複数の突条は、第１ラビリンス構造ＬＡ１の複数の溝内に位置する。
【0109】
気体流入穴４ａは、接触部材保持部４の内部と外部とを連通させる。気体供給部４２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、気体流入穴４ａに気体を供給する。この結果、接触部材保持部４の内部に気体が流入する。
【0110】
具体的には、気体供給部４２は、気体供給配管４２１と、第３開閉弁４２２とを含む。図２を参照して説明した処理室２ａは、気体供給配管４２１の一部を収容する。第３開閉弁４２２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
【0111】
気体供給配管４２１は、気体を気体流入穴４ａまで流通させる。気体は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよい。あるいは、気体は、清浄な空気であってもよい。第３開閉弁４２２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。気体供給配管４２１及び第３開閉弁４２２の構成は、図２を参照して説明した薬液配管６１１及び第１開閉弁６１２と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0112】
本実施形態において、圧力緩和機構ＡＫは、制御装置１０１（制御部１０２）と、気体供給部４２とを含む。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）が気体供給部４２を制御して、支持部４１と被支持部３３との間に気体を供給する。
【0113】
詳しくは、図９（ａ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、気体供給部４２を制御して、接触部材保持部４の内部に気体を流入させる。接触部材３が薬液の液膜ＬＭ１に接触した後、接触部材保持部４が更に降下すると、第１ラビリンス構造ＬＡ１と第２ラビリンス構造ＬＡ２との間に隙間が発生する。その結果、第１ラビリンス構造ＬＡ１と第２ラビリンス構造ＬＡ２との間の隙間に気流が発生して、接触部材３を下方から上方へ押し上げる圧力が発生する。よって、接触部材３と接触部材保持部４との係合状態が解除される際に薬液の液膜ＬＭ１に付与される圧力が緩和される。
【0114】
続いて、図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図９（ａ）に示すように、基板保持部７は、複数の係合ピン７３Ａを有してもよい。係合ピン７３Ａと、図２に示す係合ピン７３とは、形状が異なる。具体的には、係合ピン７３Ａの形状は、円錐状である。詳しくは、係合ピン７３Ａの最上部の直径は、接触部材３の係合穴３１ｂの直径より小さく、係合ピン７３Ａの最下部の直径は、接触部材３の係合穴３１ｂの直径より大きい。その結果、接触部材３は、係合ピン７３Ａの途中までしか下降できない。つまり、係合ピン７３Ａは、接触部材３の下限位置を規制する。係合ピン７３Ａは、「規制部材」の一例である。本実施形態によれば、接触部材３の下限位置を規制できるので、例えば、接触部材３を接触位置に移動させる際の位置決めが容易になる。
【0115】
また、本実施形態によれば、接触部材３の被支持部３３に第１ラビリンス構造ＬＡ１が含まれ、接触部材保持部４の支持部４１に第２ラビリンス構造ＬＡ２が含まれるため、接触部材３が第１回転軸線ＡＸ１（図２参照）に対して水平方向へずれ難い。その結果、係合ピン７３Ａを係合穴３１ｂに、より確実に係合させることができる。
【0116】
なお、図９（ａ）に示す例では、係合ピン７３Ａは円錐状であったが、接触部材３の下限位置を規制する形状は、円錐状に限定されない。図９（ｂ）は、係合ピン７３Ａの他例を示す図である。図９（ｂ）に示すように、係合ピン７３Ａは、例えば、段差を有する形状であってもよい。この場合、段差の位置で、接触部材３の下限位置が規制される。
【0117】
以上、図１～図９を参照して、本発明の実施形態２を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３が基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0118】
なお、本実施形態では、基板保持部７が係合ピン７３Ａを有したが、実施形態１と同様に、基板保持部７は係合ピン７３（円錐状の係合ピン）を有してもよい。
【0119】
［実施形態３］
続いて図１０を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、圧力緩和機構ＡＫの構成が実施形態１、２と異なる。
続いて図１０を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、圧力緩和機構ＡＫの構成が実施形態１、２と異なる。
【0120】
図１０は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の一部を模式的に示す図である。詳しくは、図１０は、接触部材３を液面に接触させる際（図３（ｂ）のステップＳ２４）の基板処理部２を模式的に示す。
【0121】
図１０に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、気体供給部４３を更に備える。また、接触部材保持部４は、気体流入流路４ｂを更に有する。以下、気体供給部４２を、「第１気体供給部４２」と記載する場合がある。同様に、気体供給部４３を、「第２気体供給部４３」と記載する場合がある。
【0122】
気体流入流路４ｂは、接触部材保持部４の内部と外部とを連通させる。気体流入流路４ｂの一端（吐出口）は、第２ラビリンス構造ＬＡ２内に位置する。第２気体供給部４３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、気体流入流路４ｂに気体を供給する。この結果、第２ラビリンス構造ＬＡ２から上方へ向けて気体が吐出される。換言すると、第２ラビリンス構造ＬＡ２から第１ラビリンス構造ＬＡ１へ向けて気体が吐出される。
【0123】
具体的には、第２気体供給部４３は、気体供給配管４３１と、第４開閉弁４３２とを含む。以下、気体供給配管４３１を、「第２気体供給配管４３１」と記載する場合がある、図２を参照して説明した処理室２ａは、第２気体供給配管４３１の一部を収容する。第４開閉弁４３２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
【0124】
第２気体供給配管４３１は、気体を気体流入流路４ｂまで流通させる。気体は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよい。あるいは、気体は、清浄な空気であってもよい。第４開閉弁４３２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２気体供給部４３の構成は、第１気体供給部４２と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0125】
本実施形態において、圧力緩和機構ＡＫは、第２気体供給部４３を更に含む。具体的には、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２気体供給部４３を制御して、支持部４１と被支持部３３との間に気体を供給する。この結果、接触部材３を下方から上方へ押し上げる圧力が発生する。よって、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を更に緩和することができる。
【0126】
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２気体供給部４３を制御して、第２ラビリンス構造ＬＡ２から第１ラビリンス構造ＬＡ１へ向けて気体を吐出させる。つまり、支持部４１から被支持部３３へ向けて気体が吐出される。したがって、下方から上方へ押す圧力が被支持部３３に付与されるため、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和することができる。
【0127】
以上、図１０を参照して、本発明の実施形態３を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３が基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0128】
なお、本実施形態の基板処理装置１００は、第１気体供給部４２と、第２気体供給部４３とを備えたが、基板処理装置１００は、第１気体供給部４２と、第２気体供給部４３とのうち、第２気体供給部４３のみを備えてもよい。
【0129】
［実施形態４］
続いて図１１～図１３を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、基板処理部２の構成が実施形態１～３と異なる。
続いて図１１～図１３を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、基板処理部２の構成が実施形態１～３と異なる。
【0130】
図１１は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。図１１に示すように、本実施形態の基板処理装置１００には、図２を参照して説明した第２ノズル９及びリンス液供給部９１が含まれない。本実施形態の基板処理装置１００は、第２ノズル９に替えて、第３ノズル４４を備える。また、接触部材３は、吐出孔３１ｃを更に有する。
【0131】
第３ノズル４４は、接触部材保持部４の内部空間に配置される。第３ノズル４４は、接触部材保持部４から、接触部材３の筒状部３２内部まで延びる。吐出孔３１ｃは、接触部３１に形成される。吐出孔３１ｃは、接触部３１を貫通する。吐出孔３１ｃは、第３ノズル４４の先端に対向する位置に設けられる。
【0132】
図１２（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第３ノズル４４、リンス液供給部４５、及び第３気体供給部４６を示す図である。図１２（ａ）に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、図２を参照して説明したリンス液供給部９１に替えて、リンス液供給部４５を備える。また、本実施形態の基板処理装置１００は、第３気体供給部４６を更に備える。
【0133】
図１２（ａ）に示すように、第３ノズル４４は、処理液流路４４ａと、気体流路４４ｂとを含む。リンス液供給部４５は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、処理液流路４４ａにリンス液を供給する。また、第３気体供給部４６は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、気体流路４４ｂに気体を供給する。
【0134】
具体的には、リンス液供給部４５は、リンス液配管４５１と、第５開閉弁４５２とを含む。処理室２ａは、リンス液配管４５１の一部を収容する。第５開閉弁４５２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。リンス液配管４５１は、リンス液を第３ノズル４４まで流通させる。リンス液供給部４５の構成は、図２を参照して説明したリンス液供給部９１と略同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0135】
第３気体供給部４６は、気体供給配管４６１と、第６開閉弁４６２とを含む。以下、気体供給配管４６１を、「第３気体供給配管４６１」と記載する場合がある。図２を参照して説明した処理室２ａは、第３気体供給配管４６１の一部を収容する。第６開閉弁４６２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
【0136】
第３気体供給配管４６１は、気体を第３ノズル４４まで流通させる。気体は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよい。あるいは、気体は、清浄な空気であってもよい。第６開閉弁４６２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第３気体供給部４６の構成は、図９（ａ）を参照して説明した第１気体供給部４２と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0137】
【0138】
図１２（ａ）に示すように、処理液流路４４ａは、第３ノズル４４の先端まで延びる。図１２（ｃ）に示すように、第３ノズル４４は、処理液吐出口４４ｃを有する。処理液吐出口４４ｃは、第３ノズル４４の先端に設けられる。処理液流路４４ａの一端は、処理液吐出口４４ｃに連通する。リンス液供給部４５から処理液流路４４ａに流入したリンス液は、処理液吐出口４４ｃ（第３ノズル４４の先端）から吐出される。
【0139】
図１２（ａ）に示すように、気体流路４４ｂは、第３ノズル４４の側面に向かって延びる。図１２（ｂ）に示すように、第３ノズル４４は、気体吐出口４４ｄを有する。気体吐出口４４ｄは、第３ノズル４４の側面に設けられる。気体流路４４ｂの一端は、気体吐出口４４ｄに連通する。第３気体供給部４６から気体流路４４ｂに流入した気体は、気体吐出口４４ｄ（第３ノズル４４の側面）から吐出される。
【0140】
図１３（ａ）は、接触部材３を液面に接触させる際（図３（ｂ）のステップＳ２４）の基板処理部２を模式的に示す図である。実施形態１と同様に、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部７及び基板Ｗの回転が停止した後に、接触部材３を接触位置へ移動させる。この結果、薬液の液膜ＬＭ１に接触部材３が接触する。更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、薬液の液膜ＬＭ１に接触部材３が接触した後、接触部材保持部４を更に下降させる。この結果、接触部材３が薬液の液膜ＬＭ１上に浮く状態となり、接触部材保持部４と接触部材３との係合状態が解除される。よって、実施形態１と同様に、薬液が基板Ｗの縁まで拡がり易くなる。
【0141】
なお、図９（ａ）を参照して説明したように、接触部材３の被支持部３３及び接触部材保持部４の支持部４１にラビリンス構造（第１ラビリンス構造ＬＡ１及び第２ラビリンス構造ＬＡ２）が形成されている場合、第３ノズル４４の側面から吐出された気体により、接触部材３の被支持部３３と接触部材保持部４の支持部４１との間に気流が発生する。したがって、実施形態２と同様に、接触部材３と接触部材保持部４との係合状態が解除される際に薬液の液膜ＬＭ１に付与される圧力を緩和することができる。
【0142】
図１３（ｂ）は、リンス処理時（図３（ｂ）のステップＳ２６）の基板処理部２を模式的に示す図である。図１３（ｂ）に示すように、本実施形態において、接触部材３は、リンス処理時に処理位置に位置する。処理位置は、接触位置よりも上方の位置である。
【0143】
リンス処理時に、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液供給部４５を制御して、第３ノズル４４からリンス液を吐出させる。吐出孔３１ｃは、筒状部３２の内側空間と外部とを連通しており、第３ノズル４４から吐出されたリンス液は、接触部材３の筒状部３２の内側に溜まりつつ、吐出孔３１ｃから基板Ｗへ向けて吐出される。
【0144】
以上、図１１～図１３を参照して、本発明の実施形態４を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３が基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0145】
なお、本実施形態では、リンス処理時に接触部材３は処理位置に位置したが、接触部材３は、リンス処理時に接触位置に位置してもよい。
【0146】
［実施形態５］
続いて図１４を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、基板処理部２の構成が実施形態１～４と異なる。
続いて図１４を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、基板処理部２の構成が実施形態１～４と異なる。
【0147】
図１４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の一部を模式的に示す図である。詳しくは、図１４は、接触部材３Ａを液面に接触させる際（図３（ｂ）のステップＳ２４）の基板処理部２を模式的に示す。図１４に示すように、本実施形態において、基板処理部２は、接触部材３Ａを有する。
【0148】
接触部材３Ａは、接触部３１Ａと、支持ベース部４１１と、筒状部３２と、被支持部３３とを含む。接触部３１Ａは、基板Ｗ上の薬液に接触して、基板Ｗ上の薬液を覆う。本実施形態において、接触部３１Ａは、円盤状である。接触部３１Ａの直径は、基板Ｗの直径と略同じである。接触部３１Ａの下面は、図２を参照して説明した接触部３１と同様に、液接触面３１ａである。接触部３１Ａは、図１１を参照して説明した接触部３１と同様に、吐出孔３１ｃを有する。
【0149】
支持ベース部４１１は、円盤状であり、支持ベース部４１１の直径は、基板Ｗの直径よりも大きい。支持ベース部４１１は、接触部３１Ａを支持する。例えば、接触部３１Ａは、支持ベース部４１１に結合されてもよい。支持ベース部４１１は、複数の係合穴４１１ａと、連通孔４１１ｂとを有する。複数の係合穴４１１ａは、図２を参照して説明した係合穴３１ｂに相当する。連通孔４１１ｂは、支持ベース部４１１を貫通する。連通孔４１１ｂは、第３ノズル４４の先端に対向する位置に設けられる。連通孔４１１ｂは、吐出孔３１ｃに連通する。
【0150】
以上、図１４を参照して、本発明の実施形態５を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３が基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0151】
［実施形態６］
続いて図１５～図１７を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、基板処理部２の構成が実施形態１～５と異なる。
続いて図１５～図１７を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、基板処理部２の構成が実施形態１～５と異なる。
【0152】
【0153】
図１５（ａ）に示すように、基板処理部２は、接触部材３Ｂと、基板保持部７Ａとを有する。また、基板処理装置１００は、第４気体供給部４７と、吸引部４８とを備える。なお、図示しないが、基板処理部２は、図２を参照して説明した基板処理部２と同様に、処理室２ａと、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、第２ノズル９と、カップ昇降部１１１とを更に有する。また、基板処理装置１００は、薬液供給部６１と、リンス液供給部９１とを更に備える。
【0154】
接触部材３Ｂは、図２を参照して説明した接触部材３と同様に、接触部３１と、筒状部３２と、被支持部３３とを含む。接触部材３Ｂは、図２を参照して説明した接触部材３と異なり、係合穴３１ｂを含まない。接触部材３Ｂの接触部３１は、図２を参照して説明した接触部材３と異なり、基板Ｗと略同じ直径を有する。
【0155】
基板保持部７Ａは、図２を参照して説明した基板保持部７と同様に、複数のチャック部材７１と、スピンベース７２とを有する。基板保持部７Ａは、図２を参照して説明した基板保持部７と異なり、係合ピン７３を含まない。
【0156】
図１５（ｂ）に示すように、接触部材保持部４は、気体流入流路４１ａと、吸引流路４１ｂとを有する。気体流入流路４１ａの吐出口は、支持部４１に設けられる。詳しくは、気体流入流路４１ａの吐出口は、接触部材３Ｂの被支持部３３に対向する位置に配置される。同様に、吸引流路４１ｂの吸引口は、支持部４１に設けられる。詳しくは、吸引流路４１ｂの吸引口は、接触部材３Ｂの被支持部３３に対向する位置に配置される。
【0157】
第４気体供給部４７は、気体流入流路４１ａに気体を流入させる。この結果、気体流入流路４１ａの吐出口から気体が吐出される。気体流入流路４１ａの吐出口から吐出された気体は、接触部材３Ｂの被支持部３３に向けて噴出する。この結果、下方から上方へ押し上げる圧力が接触部材３Ｂの被支持部３３に付与されて、被支持部３３が支持部４１から切り離される（パージされる）。
【0158】
具体的には、第４気体供給部４７は、気体供給配管４７１と、第７開閉弁４７２とを有する。図２を参照して説明した処理室２ａは、気体供給配管４７１の一部を収容する。第７開閉弁４７２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。気体供給配管４７１は、気体を気体流入流路４１ａまで流通させる。第４気体供給部４７の構成は、図９（ａ）を参照して説明した第１気体供給部４２と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0159】
本実施形態において、圧力緩和機構ＡＫは、制御装置１０１（制御部１０２）と、第４気体供給部４７とを含む。具体的には、接触部材３Ｂが薬液に接触する際に、制御装置１０１（制御部１０２）が第４気体供給部４７を制御して、気体流入流路４１ａの吐出口から気体を噴出させて、支持部４１と被支持部３３との間に気体を供給する。この結果、接触部材３を下方から上方へ押し上げる圧力が発生する。よって、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を更に緩和することができる。
【0160】
詳しくは、支持部４１から被支持部３３へ向けて気体が吐出される。したがって、下方から上方へ押す圧力が被支持部３３に付与されるため、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を更に緩和することができる。
【0161】
吸引部４８は、吸引流路４１ｂから気体を吸引する。この結果、支持部４１に被支持部３３が吸着される。具体的には、吸引部４８は、吸引配管４８１と、第８開閉弁４８２と、吸引機構４８３とを有する。図２を参照して説明した処理室２ａは、吸引配管４８１の一部を収容する。第８開閉弁４８２及び吸引機構４８３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
【0162】
吸引配管４８１は気体が流通する管状の部材である。吸引配管４８１は、吸引流路４１ｂに連通する。第８開閉弁４８２は、吸引配管４８１に介装される。第８開閉弁４８２は、吸引配管４８１を介した気体の流通、及び流通の停止を制御する。第８開閉弁４８２の構成は、図２を参照して説明した第１開閉弁６１２と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0163】
吸引機構４８３は、吸引配管４８１に接続する。吸引機構４８３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。吸引機構４８３が駆動すると、吸引流路４１ｂから吸引配管４８１内へ気体が吸引される。吸引機構４８３は、例えば、真空ポンプを含む。
【0164】
【0165】
図１６（ａ）に示すように、接触部材３Ｂが第２退避位置に位置する際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、吸引部４８を制御して、支持部４１に被支持部３３を吸着させる。
【0166】
図１６（ｂ）に示すように、第１ノズル６から基板Ｗの上面に薬液が吐出されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、吸引機構４８３を停止させる。この結果、被支持部３３の吸着が解除される。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４気体供給部４７を制御して、気体流入流路４１ａの吐出口から気体を噴出させる。この結果、被支持部３３が支持部４１から切り離される（パージされる）。制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材移動部５を制御して、接触部材３Ｂを第２退避位置から接触位置へ移動させる。その結果、図１６（ｃ）に示すように、接触部材３Ｂの液接触面３１ａが薬液の液膜ＬＭ１に接触する。
【0167】
本実施形態では、接触部材３Ｂの液接触面３１ａが薬液の液膜ＬＭ１に接触する際に、支持部４１から被支持部３３へ向けて気体が吐出されている。したがって、下方から上方へ押す圧力が被支持部３３に付与されるため、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を更に緩和することができる。
【0168】
【0169】
図１７（ｂ）に示すように、接触部材３Ｂが第２退避位置まで移動した後、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４気体供給部４７を制御して、気体流入流路４１ａの吐出口からの気体の噴出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、吸引機構４８３を駆動させて、支持部４１に被支持部３３を吸着させる。
【0170】
以上、図１５～図１７を参照して、本発明の実施形態６を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３が基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0171】
［実施形態７］
続いて図１８～図２０を参照して本発明の実施形態７について説明する。但し、実施形態１～６と異なる事項を説明し、実施形態１～６と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態７は、基板処理部２の構成が実施形態１～６と異なる。
続いて図１８～図２０を参照して本発明の実施形態７について説明する。但し、実施形態１～６と異なる事項を説明し、実施形態１～６と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態７は、基板処理部２の構成が実施形態１～６と異なる。
【0172】
図１８は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の一部を模式的に示す図である。図１８に示すように、基板処理部２は、接触部材３Ａと、接触部材保持部４と、基板保持部７Ｂと、ピン昇降部７５とを有する。また、基板処理装置１００は、第４気体供給部４７と、吸引部４８と、吸引部７６とを備える。なお、図示しないが、基板処理部２は、図２を参照して説明した基板処理部２と同様に、処理室２ａと、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、第２ノズル９と、カップ昇降部１１１とを更に有する。また、基板処理装置１００は、薬液供給部６１と、リンス液供給部９１とを更に備える。以下、吸引部４８を、「第１吸引部４８」と記載する場合がある。また、吸引部７６を、「第２吸引部７６」と記載する場合がある。
【0173】
本実施形態において、接触部材３Ａは、図１４に示す吐出孔３１ｃ、係合穴４１１ａ及び連通孔４１１ｂを含まない。基板保持部７Ｂは、複数のチャック部材７１Ａと、スピンベース７２Ｂとを有する。チャック部材７１Ａはそれぞれ、吸引流路７１ａを有する。スピンベース７２Ｂは、複数の吸引流路７２ａと、複数の収容部７２ｂと、複数の昇降ピン７４とを有する。昇降ピン７４は、「昇降支持部材」の一例である。
【0174】
吸引流路７１ａはそれぞれ、鉛直方向に延びる。吸引流路７１ａの各々の上端は、気体の吸引口を形成する。吸引流路７１ａの各々の下端は、対応するスピンベース７２の吸引流路７２ａと連通する。
【0175】
吸引流路７２ａはそれぞれ、鉛直方向に延びる。吸引流路７２ａの各々の上端は、対応する吸引流路７１ａの下端と連通する。収容部７２ｂはそれぞれ、昇降ピン７４を収容する。詳しくは、収容部７２ｂは、鉛直方向に延びる。収容部７２ｂの上端は開口している。昇降ピン７４は、鉛直方向に延びる。昇降ピン７４は、収容部７２ｂに昇降自在に収容される。
【0176】
第２吸引部７６は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、吸引流路７２ａから気体を吸引する。この結果、吸引流路７１ａから気体が吸引される。本実施形態では、接触部材３Ａが薬液に接触している際に、支持ベース部４１１の下面が複数のチャック部材７１Ａの上面に接触する。チャック部材７１Ａの上面には吸引流路７１ａの吸引口が形成されている。したがって、第２吸引部７６が気体を吸引すると、複数のチャック部材７１Ａの上面に支持ベース部４１１が吸着される。つまり、複数のチャック部材７１Ａに接触部材３Ａが吸着される。
【0177】
具体的には、第２吸引部７６は、吸引配管７６１と、第９開閉弁７６２と、第２吸引機構７６３とを有する。図２を参照して説明した処理室２ａは、吸引配管７６１の一部を収容する。第９開閉弁７６２及び第２吸引機構７６３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。吸引配管７６１は、吸引流路７２ａに連通する。第２吸引部７６の構成は、第１吸引部４８と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0178】
ピン昇降部７５は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、複数の昇降ピン７４を昇降させる。ピン昇降部７５は、エアシリンダ等のアクチュエータを含んでもよい。
【0179】
本実施形態において、圧力緩和機構ＡＫには、昇降ピン７４と、ピン昇降部７５と、制御装置１０１（制御部１０２）とが含まれる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）が、接触部材３Ａに対して下方から複数の昇降ピン７４を接触させた状態を維持しつつ、接触部材３Ａを基板Ｗ上の薬液へ向けて移動させて薬液に接触させる。この結果、複数の昇降ピン７４によって下方から接触部材３Ａが支持された状態で、接触部材３Ａを薬液に接触させることができる。したがって、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和することができる。
【0180】
【0181】
図１９（ａ）に示すように、接触部材３Ａが第２退避位置に位置する際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吸引部４８を制御して、支持部４１に被支持部３３を吸着させる。
【0182】
図１９（ｂ）に示すように、第１ノズル６から基板Ｗの上面に薬液が吐出されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吸引機構４８３を停止させる。この結果、被支持部３３の吸着が解除される。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４気体供給部４７を制御して、気体流入流路４１ａの吐出口から気体を噴出させる。この結果、被支持部３３が支持部４１から切り離される（パージされる）。制御装置１０１（制御部１０２）は、ピン昇降部７５を制御して、複数の昇降ピン７４を上昇させる。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、各昇降ピン７４の上端が支持ベース部４１１に接触する位置まで、各昇降ピン７４を上昇させる。この結果、複数の昇降ピン７４によって、接触部材３Ａが下方から支持される。
【0183】
制御装置１０１（制御部１０２）は、各昇降ピン７４の上端が支持ベース部４１１に接触すると、接触部材移動部５を制御して、接触部材３Ａを第２退避位置から接触位置へ移動させる。更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、ピン昇降部７５を制御して、複数の昇降ピン７４を下降させる。このとき、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ａ及び昇降ピン７４の移動速度が等しくなるように、接触部材移動機構５３（図２参照）及びピン昇降部７５を制御する。
【0184】
図１９（ｃ）に示すように、接触部材３Ｂが接触位置まで移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２吸引部７６を制御して、接触部材保持部４を複数のチャック部材７１Ａに吸着させる。図１９（ｃ）及び図２０（ａ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ｂが接触位置まで移動した後も、複数の昇降ピン７４を下降させる。この結果、複数の昇降ピン７４から複数のチャック部材７１Ａに接触部材３Ａが引き渡される。
【0185】
図２０（ｂ）に示すように、接触部材３Ａを接触位置から上昇させる前に、制御装置１０１（制御部１０２）は、ピン昇降部７５を制御して、昇降ピン７４を上昇させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、昇降ピン７４の上端が支持ベース部４１１に接触すると同時に、第２吸引機構７６３を停止させる。この結果、接触部材３Ａの吸着が解除される。
【0186】
図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ａの吸着が解除されると、ピン昇降部７５を制御して、複数の昇降ピン７４を上昇させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材移動部５を制御して、接触部材３Ａを接触位置から第２退避位置へ移動させる。このとき、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ａ及び昇降ピン７４の移動速度が等しくなるように、接触部材移動機構５３（図２参照）及びピン昇降部７５を制御する。
【0187】
【0188】
図２０（ｃ）に示すように、接触部材３Ａが第２退避位置まで移動した後、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４気体供給部４７を制御して、気体流入流路４１ａの吐出口からの気体の噴出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吸引機構４８３を駆動させて、支持部４１に被支持部３３を吸着させる。また、接触部材３Ａが第２退避位置まで移動した後、制御装置１０１（制御部１０２）は、ピン昇降部７５を制御して、複数の昇降ピン７４を下降させる。この結果、複数の昇降ピン７４から接触部材保持部４に接触部材３Ａが引き渡される。
【0189】
以上、図１８～図１９を参照して、本発明の実施形態７を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３が基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0190】
［実施形態８］
続いて図２１を参照して本発明の実施形態８について説明する。但し、実施形態１～７と異なる事項を説明し、実施形態１～７と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態８は、基板処理部２の構成が実施形態１～７と異なる。
続いて図２１を参照して本発明の実施形態８について説明する。但し、実施形態１～７と異なる事項を説明し、実施形態１～７と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態８は、基板処理部２の構成が実施形態１～７と異なる。
【0191】
図２１（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の一部を模式的に示す図である。図２１（ｂ）は、接触部材３Ｃの底面図である。図２１（ａ）に示すように、基板処理部２は、接触部材３Ｃと、接触部材保持部４Ａと、接触部材移動部５と、基板保持部７Ａと、基板回転部８と、カップ部１１とを有する。また、本実施形態の基板処理装置１００は、リンス液供給部４５と、第３気体供給部４６とを備える。また、図２１（ｂ）に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、第３ノズル４４Ａを備える。
【0192】
なお、図示しないが、基板処理部２は、図２を参照して説明した基板処理部２と同様に、処理室２ａと、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、カップ昇降部１１１とを更に有する。また、基板処理装置１００は、薬液供給部６１を更に備える。また、本実施形態の基板処理装置１００には、図２を参照して説明した第２ノズル９及びリンス液供給部９１が含まれない。本実施形態の基板処理装置１００は、実施形態４と同様に、第２ノズル９及びリンス液供給部９１に替えて、第３ノズル４４Ａ及びリンス液供給部４５を備える。
【0193】
本実施形態では、基板処理装置１００が、圧力緩和機構ＡＫとして、複数の弾性部材１２を備える。複数の弾性部材１２は、接触部材３Ｃと接触部材保持部４Ａとの間に配置されて、接触部材３が基板Ｗ上の薬液に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和する。弾性部材１２は、例えば、引張バネ、又は空気バネを含む。
【0194】
接触部材３Ｃは、基板Ｗ上の薬液に接触して、基板Ｗ上の薬液を覆う。本実施形態において、接触部材３Ｃは、円盤状である。接触部材３Ｃの直径は、基板Ｗの直径と略同じである。接触部材３Ｃの下面は、図２を参照して説明した接触部３１と同様に、液接触面３１ａである。
【0195】
本実施形態において、第３ノズル４４Ａは、接触部材３Ｃ、接触部材保持部４Ａ、及び支持アーム５１を貫通する。第３ノズル４４Ａの底面には、処理液吐出口４４ｃと、気体吐出口４４ｄとが設けられる。
【0196】
処理液流路４４ａは、第３ノズル４４の先端まで延びて、処理液吐出口４４ｃに連通する。リンス液供給部４５から処理液流路４４ａに流入したリンス液は、処理液吐出口４４ｃ（第３ノズル４４の先端）から吐出される。
【0197】
同様に、気体流路４４ｂは、第３ノズル４４の先端まで延びて、気体吐出口４４ｄに連通する。第３気体供給部４６から気体流路４４ｂに流入した気体は、気体吐出口４４ｄ（第３ノズル４４の先端）から吐出される。
【0198】
続いて、図２１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図２１に示すように、本実施形態において、接触部材移動部５は、支持アーム５１と、第２基台５２と、接触部材移動機構５３ａとを有する。
【0199】
接触部材移動機構５３ａは、支持アーム５１を昇降させる昇降機構に加えて、接触部材３Ｃを回転させる回転機構を有する。例えば、接触部材移動機構５３ａは、接触部材保持部４Ａを回転させることにより、接触部材３Ｃを回転させてもよい。制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ｃが薬液に接触している際に、基板Ｗを回転させるとともに、接触部材３Ｃを回転させる。接触部材移動機構５３ａの回転機構は、例えば、電動モータと、ボールねじ機構とを含む。
【0200】
具体的には、接触部材移動機構５３ａは、鉛直方向に延びる第３回転軸線ＡＸ３を中心として、接触部材３Ｃを回転させる。第３回転軸線ＡＸ３は、接触部材３Ｃの中心を通る軸線である。接触部材３Ｃの中心は、基板Ｗの中心に対向する。
【0201】
以上、図２１を参照して、本発明の実施形態８を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３Ｃが基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。また、接触部材３Ｃが薬液に接触している際に、基板Ｗを回転させるとともに、接触部材３Ｃを回転させることができるので、基板Ｗ上で薬液の液流を効率よく発生させることができる。したがって、薬液が基板Ｗの縁まで、より拡がり易くなる。
【0202】
［実施形態９］
続いて図２２～図２４を参照して本発明の実施形態９について説明する。但し、実施形態１～８と異なる事項を説明し、実施形態１～８と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態９は、基板処理部２の構成が実施形態１～８と異なる。
続いて図２２～図２４を参照して本発明の実施形態９について説明する。但し、実施形態１～８と異なる事項を説明し、実施形態１～８と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態９は、基板処理部２の構成が実施形態１～８と異なる。
【0203】
図２２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の一部を模式的に示す図である。図２２に示すように、基板処理部２は、接触部材３Ｄと、接触部材保持部４Ｂ、接触部材移動部５と、基板保持部７Ａと、基板回転部８と、カップ部１１とを有する。また、基板処理装置１００は、吸引部１３を備える。
【0204】
なお、図示しないが、基板処理部２は、図２を参照して説明した基板処理部２と同様に、処理室２ａと、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、第２ノズル９と、カップ昇降部１１１とを有する。また、基板処理装置１００は、薬液供給部６１と、リンス液供給部９１とを更に備える。
【0205】
本実施形態において、接触部材３Ｄは、円盤状である。接触部材３Ｄの直径は、基板Ｗの直径と略同じである。接触部材３Ｄの下面は、図２を参照して説明した接触部３１と同様に、液接触面３１ａである。
【0206】
接触部材保持部４Ｂは、吸引流路４１ｃを有する。吸引流路４１ｃの吸引口は、接触部材保持部４Ｂの下面に開口する。支持アーム５１は、吸引流路５１ａを有する。吸引流路５１ａは、吸引流路４１ｃに連通する。
【0207】
吸引部１３は、吸引流路４１ｃの吸引口から気体を吸引する。本実施形態では、吸引部１３は、吸引流路５１ａから気体を吸引する。この結果、吸引流路５１ａ及び吸引流路４１ｃを介して、吸引流路４１ｃの吸引口から気体が吸引される。
【0208】
吸引部１３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材保持部４Ｂに接触部材３Ｄを保持させる際に吸引部１３を駆動する。この結果、吸引口からの吸引力によって、接触部材保持部４Ｂの下面に接触部材３Ｄが吸着される。
【0209】
具体的には、吸引部１３は、吸引配管１３１と、第１０開閉弁１３２と、吸引機構１３３とを有する。図２を参照して説明した処理室２ａは、吸引配管１３１の一部を収容する。第１０開閉弁１３２及び吸引機構１３３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。吸引配管１３１は、吸引流路５１ａに連通する。吸引部１３の構成は、図１５（ａ）を参照して説明した吸引部４８と同様であるため、その説明は割愛する。
【0210】
なお、圧力緩和機構ＡＫは、実施形態１と同様に、接触部材移動部５と制御装置１０１とによって構成される。
【0211】
【0212】
図２３（ａ）に示すように、接触部材３Ｄが第２退避位置に位置する際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、吸引部１３を制御して、接触部材保持部４Ｂに接触部材３Ｄを吸着させる。
【0213】
図２３（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材移動部５を制御して、接触部材３Ｄを第２退避位置から接触位置へ移動させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ｄが接触位置へ移動すると、吸引部１３を制御して、接触部材３Ｄの吸着を解除する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、吸引機構１３３を停止させる。
【0214】
図２３（ｃ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ｄの吸着を解除した後、接触部材移動部５を制御して、接触部材保持部４Ｂを上昇させる。このように、本実施形態では、接触部材３Ｄを用いて基板Ｗを処理する際に、接触部材保持部４Ｂは接触部材３Ｄを保持しない。本実施形態では、接触部材３Ｄを用いて基板Ｗを処理する際に、接触部材３Ｄが薬液の液膜ＬＭ１上に浮いた状態となる。
【0215】
図２４（ａ）に示すように、接触部材３Ｄを接触位置へ移動させてから一定時間が経過すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材移動部５を制御して、接触部材保持部４Ｂを下降させる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材保持部４Ｂの下面が接触部材３Ｄの上面に接触する位置へ接触部材保持部４Ｂを移動させる。
【0216】
図２４（ｂ）に示すように、接触部材保持部４Ｂが接触部材３Ｄに接触すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、吸引部１３を制御して、接触部材保持部４Ｂに接触部材３Ｄを吸着させる。
【0217】
図２４（ｃ）に示すように、接触部材保持部４Ｂに接触部材３Ｄを吸着させた後に、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材移動部５を制御して、接触部材３Ｄを第２退避位置まで移動させる。
【0218】
以上、図２２～図２４を参照して、本発明の実施形態９を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３Ｄが基板Ｗ上の薬液（処理液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0219】
なお、接触部材３Ｄを薬液に接触させて基板Ｗを処理している際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを回転させてもよいし、基板Ｗを回転させなくてもよい。基板Ｗを回転させる場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ｄが基板Ｗ上で保持される回転速度で基板Ｗを回転させる。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が２００ｒｐｍとなるように基板回転部８を制御する。
【0220】
接触部材３Ｄは、センターロボットＣＲによって処理室２ａ内に搬入されて使用されてもよい。例えば、接触部材３Ｄは、基板処理装置１００の外部から内部へインデクサーロボットＩＲによって搬入されてもよいし、基板処理装置１００の内部に保持されてもよい。
【0221】
［実施形態１０］
続いて図２５～図２７を参照して本発明の実施形態１０について説明する。但し、実施形態１～９と異なる事項を説明し、実施形態１～９と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態１０は、基板処理部２の構成が実施形態１～９と異なる。
続いて図２５～図２７を参照して本発明の実施形態１０について説明する。但し、実施形態１～９と異なる事項を説明し、実施形態１～９と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態１０は、基板処理部２の構成が実施形態１～９と異なる。
【0222】
図２５は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。図２５に示すように、基板処理部２は、処理室２ａと、接触部材３Ｄと、接触部材保持部４Ｃと、接触部材移動部５と、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、基板保持部７Ａと、基板回転部８と、第２ノズル９Ａと、リンスノズル移動部１４と、乾燥ノズル１５と、乾燥ノズル移動部１６と、カップ部１１と、カップ昇降部１１１とを有する。また、基板処理装置１００は、吸引部１３と、気体供給部１７と、薬液供給部６１と、リンス液供給部９１Ａとを更に備える。
【0223】
処理室２ａは、接触部材３Ｄと、接触部材保持部４Ｃと、接触部材移動部５と、第１ノズル６と、薬液ノズル移動部６２と、基板保持部７Ａと、基板回転部８と、第２ノズル９Ａと、リンスノズル移動部１４と、乾燥ノズル１５と、乾燥ノズル移動部１６と、カップ部１１と、カップ昇降部１１１と、吸引部１３の一部と、気体供給部１７の一部と、薬液供給部６１の一部と、リンス液供給部９１Ａの一部とを収容する。
【0224】
リンス液供給部９１Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第２ノズル９Ａにリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給部９１Ａは、リンス液配管９１１Ａと、第２開閉弁９１２Ａとを含む。リンス液供給部９１Ａの構成は、リンス液供給部９１と同様であるため、その説明は割愛する。
【0225】
第２ノズル９Ａは、水平方向にリンス液を吐出する。リンスノズル移動部１４は、第２ノズル９Ａを昇降させる。具体的には、リンスノズル移動部１４は、第２ノズル９Ａを第２処理位置と第４退避位置との間で移動させる。第２処理位置は、カップ部１１の内部の位置である。第４退避位置は、第２処理位置よりも上方の位置である。具体的には、第４退避位置は、カップ部１１の外部の位置である。
【0226】
リンスノズル移動部１４は、リンスアーム１４１と、第３基台１４２と、リンスノズル移動機構１４３とを有する。リンスノズル移動機構１４３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。リンスノズル移動部１４の構成は、接触部材移動部５と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0227】
気体供給部１７は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、乾燥ノズル１５に気体を供給する。具体的には、気体供給部１７は、気体供給配管１７１と、第１１開閉弁１７２とを含む。図２を参照して説明した処理室２ａは、気体供給配管１７１の一部を収容する。第１１開閉弁１７２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。気体供給配管１７１は、乾燥ノズル１５まで気体を流通させる。気体供給部１７の構成は、図９（ａ）を参照して説明した第１気体供給部４２と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0228】
乾燥ノズル１５は、第１吐出口１５１と、第２吐出口１５２とを有する。第１吐出口１５１は、上方へ向けて気体を吐出する。第２吐出口１５２は、下方へ向けて気体を吐出する。
【0229】
乾燥ノズル移動部１６は、乾燥ノズル１５を第５退避位置と第３処理位置との間で移動させる。乾燥ノズル移動部１６は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第５退避位置は、平面視において基板保持部７Ａの外側の位置である。本実施形態において、第５退避位置は、平面視においてカップ部１１の外側の位置である。第３処理位置は、接触部材３Ｄと、基板保持部７Ａに保持されている基板Ｗとの間の位置である。乾燥ノズル１５が第３処理位置に移動すると、第１吐出口１５１が接触部材３Ｄの液接触面３１ａに対向し、第２吐出口１５２が基板Ｗの上面に対向する。
【0230】
詳しくは、乾燥ノズル移動部１６は、鉛直方向及び水平方向に乾燥ノズル１５を移動させる。具体的には、乾燥ノズル移動部１６は、アーム１６１と、第４基台１６２と、乾燥ノズル移動機構１６３とを有する。乾燥ノズル移動部１６の構成は、薬液ノズル移動部６２と同様であるため、その説明は割愛する。
【0231】
続いて、図２６を参照して、接触部材保持部４Ｃを説明する。図２６は、接触部材保持部４Ｃの構成を示す断面図である。図２６に示すように、接触部材保持部４Ｃは、吸着保持部４９１と、回転軸部４９２と、回転駆動部４９３と、吸引流路４９２ａとを有する。
【0232】
回転軸部４９２は鉛直方向に延びる。回転軸部４９２の下端部は、吸着保持部４９１に結合する。吸着保持部４９１の下面は、吸着面４９１ａを構成する。吸引流路４９２ａは、鉛直方向に延びる。吸引流路４９２ａは、回転軸部４９２から吸着保持部４９１にわたって形成される。吸引流路４９２ａの下端は、吸着面４９１ａにおいて開口する。吸引流路４９２ａの下端は、吸着口を構成する。
【0233】
吸引配管１３１は、吸引流路４９２ａに連通する。吸引機構１３３が駆動すると、吸着面４９１ａの吸着口から気体が吸引される。吸着面４９１ａに接触部材３Ｄが接触している際に吸引機構１３３が駆動すると、吸着面４９１ａに接触部材３Ｄが吸着される。
【0234】
回転駆動部４９３は、鉛直方向に延びる第４回転軸線ＡＸ４を中心として、回転軸部４９２を回転させる。この結果、吸着保持部４９１が回転する。回転駆動部４９３は、例えば、電動モータを含む。回転駆動部４９３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材保持部４Ｃに接触部材３Ｄが保持されている際に、回転駆動部４９３を駆動させる。この結果、第４回転軸線ＡＸ４を中心として接触部材３Ｄが回転する。第４回転軸線ＡＸ４は、第１回転軸線ＡＸ１と一致する。
【0235】
なお、圧力緩和機構ＡＫは、実施形態１と同様に、接触部材移動部５と制御装置１０１とによって構成される。
【0236】
続いて、図２５～図２７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２７（ａ）は、基板Ｗの上面に吐出された薬液に接触部材３Ｄが接触した後の基板処理部２を模式的に示す図である。換言すると、図２７（ａ）は、接触部材３Ｄを用いて基板Ｗを処理する際の基板処理部２を示す。図２７（ｂ）は、リンス処理時（図３（ｂ）のステップＳ２６）の基板処理部２を模式的に示す図である。図２７（ｃ）は、乾燥処理時（図３（ａ）のステップＳ３）の基板処理部２を模式的に示す図である。
【0237】
図２７（ａ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材３Ｄを用いて基板Ｗを処理する際に、基板回転部８を制御して基板Ｗを回転させるとともに、回転駆動部４９３を制御して、基板Ｗ上の薬液の液膜ＬＭ４に接触している接触部材３Ｄを回転させる。
【0238】
図２７（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理時に、リンスノズル移動部１４を制御して、第２ノズル９Ａを第２処理位置へ移動させる。具体的には、第２ノズル９Ａは、接触部材３Ｄと基板Ｗとの間に挟まれた薬液の液膜ＬＭ４の側方へ移動する。
【0239】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル９Ａが第２処理位置へ移動すると、リンス液供給部９１Ａを制御して、第２ノズル９Ａからリンス液を吐出させる。この結果、薬液の液膜ＬＭ４がリンス液の液膜ＬＭ５に置換される。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理時に、基板回転部８を制御して基板Ｗを回転させるとともに、回転駆動部４９３を制御して、接触部材３Ｄを回転させる。
【0240】
図２７（ｃ）に示すように、乾燥処理時に、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部材移動部５を制御して、接触部材３Ｄを上方へ移動させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、乾燥ノズル移動部１６を制御して、接触部材３Ｄと基板Ｗとの間の隙間に乾燥ノズル１５を移動させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、気体供給部１７を制御して、乾燥ノズル１５の第１吐出口１５１及び第２吐出口１５２から気体を吐出させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、乾燥処理時に、基板回転部８を制御して基板Ｗを高速回転させるとともに、回転駆動部４９３を制御して、接触部材３Ｄを高速回転させる。
【0241】
以上、図２５～図２７を参照して、本発明の実施形態１０を説明した。本実施形態によれば、薬液（処理液）の消費量を低減することができる。また、接触部材３Ｄが基板Ｗ上の薬液（薬液）に接触する際に薬液に付与される圧力を緩和できる。
【0242】
なお、本実施形態では、接触部材３Ｄを用いて基板Ｗを処理する際に接触部材３Ｄを回転させたが、接触部材３Ｄを用いて基板Ｗを処理する際に接触部材３Ｄを回転させなくてもよい。また、本実施形態では、接触部材保持部４Ｃに接触部材３Ｄが保持された状態で基板処理が行われるが、基板処理時に接触部材保持部４Ｃは接触部材３Ｄを保持しなくてもよい。具体的には、接触部材保持部４Ｃは、基板処理時に接触部材３Ｄから離れて上方へ退避してもよい。
【0243】
以上、図面（図１～図２７）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0244】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0245】
例えば、図１～図２７を参照して説明した実施形態において、基板保持部７、７Ａ、及び７Ｂは、複数のチャック部材７１、７１Ａを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、基板Ｗを保持する方式は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、基板保持部７、７Ａ、及び７Ｂは、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。
【0246】
また、図１～図２７を参照して説明した実施形態では、基板処理時に、接触部材３、３Ａ～３Ｄを接触させた状態で基板Ｗを回転させたが、基板処理時に、接触部材３、３Ａ～３Ｄを接触させた状態で基板Ｗを回転させなくてもよい。具体的には、基板Ｗ上の処理液に接触部材３、３Ａ～３Ｄを接触させた状態を一定時間維持してもよい。
【産業上の利用可能性】
【0247】
本発明は、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法に有用である。
【符号の説明】
【0248】
２ ：基板処理部
３、３Ａ～３Ｄ ：接触部材
４、４Ａ～４Ｃ ：接触部材保持部
５ ：接触部材移動部
７、７Ａ、７Ｂ ：基板保持部
８ ：基板回転部
１２ ：弾性部材
４２ ：気体供給部
４３ ：気体供給部
４６ ：第３気体供給部
４７ ：第４気体供給部
５３、５３ａ ：接触部材移動機構
７３、７３Ａ ：係合ピン
７４ ：昇降ピン
７５ ：ピン昇降部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
ＡＫ ：圧力緩和機構
Ｗ ：基板
３、３Ａ～３Ｄ ：接触部材
４、４Ａ～４Ｃ ：接触部材保持部
５ ：接触部材移動部
７、７Ａ、７Ｂ ：基板保持部
８ ：基板回転部
１２ ：弾性部材
４２ ：気体供給部
４３ ：気体供給部
４６ ：第３気体供給部
４７ ：第４気体供給部
５３、５３ａ ：接触部材移動機構
７３、７３Ａ ：係合ピン
７４ ：昇降ピン
７５ ：ピン昇降部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
ＡＫ ：圧力緩和機構
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】