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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024106952
(43)【公開日】2024-08-08
(54)【発明の名称】有機発光表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240801BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240801BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240801BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240801BHJP
H10K 59/40 20230101ALI20240801BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240801BHJP
H10K 59/88 20230101ALI20240801BHJP
H10K 50/88 20230101ALI20240801BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240801BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 338
G09F9/30 365
G09F9/30 330
G09F9/30 348A
G09F9/30 349Z
G09F9/00 342
G09F9/00 366A
H10K59/131
H10K50/844
H10K59/40
H10K59/124
H10K59/88
H10K50/88
H10K71/16
【審査請求】有
【請求項の数】23
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023146644
(22)【出願日】2023-09-11
(31)【優先権主張番号】10-2023-0010533
(32)【優先日】2023-01-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】洪 玄 碩
(72)【発明者】
【氏名】李 秀 彬
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC23
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD38
3K107DD92
3K107EE03
3K107EE48
3K107EE58
3K107EE66
3K107FF15
5C094AA31
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA14
5C094BA27
5C094DA15
5C094DB03
5C094EA10
5C094GB10
5G435AA14
5G435BB05
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】不良発生を防止できる有機発光表示装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】本明細書の実施形態は、表示領域とパッド領域とを含む基板上に配置された第１の無機絶縁層と、前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域に位置する第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域に位置する第１のパッド電極と、前記第１のゲート電極及び前記第１のパッド電極を覆い、前記第１のパッド電極の少なくとも一部を露出する開口部を有する第２の無機絶縁層と、前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆う封止層と、前記封止層上に配置されたタッチセンサ層と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続された第２のパッド電極；及び前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とを含む表示パッドを含む有機発光表示装置を提供することができる。
【選択図】図４
【解決手段】本明細書の実施形態は、表示領域とパッド領域とを含む基板上に配置された第１の無機絶縁層と、前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域に位置する第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域に位置する第１のパッド電極と、前記第１のゲート電極及び前記第１のパッド電極を覆い、前記第１のパッド電極の少なくとも一部を露出する開口部を有する第２の無機絶縁層と、前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆う封止層と、前記封止層上に配置されたタッチセンサ層と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続された第２のパッド電極；及び前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とを含む表示パッドを含む有機発光表示装置を提供することができる。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の表示領域とパッド領域上に配置された第１の無機絶縁層と、
前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域に位置する第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域に位置する第１のパッド電極と、
前記表示領域における前記第１のゲート電極を覆い、前記パッド領域における前記第１のパッド電極の一部を覆い、開口部を有する第２の無機絶縁層と、
前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、
前記表示領域における前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、
前記表示領域における前記発光素子を覆う封止層と、
前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチセンサ層と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極と、
前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極とを含む表示パッドを含む有機発光表示装置。
前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域に位置する第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域に位置する第１のパッド電極と、
前記表示領域における前記第１のゲート電極を覆い、前記パッド領域における前記第１のパッド電極の一部を覆い、開口部を有する第２の無機絶縁層と、
前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、
前記表示領域における前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、
前記表示領域における前記発光素子を覆う封止層と、
前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチセンサ層と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極と、
前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極とを含む表示パッドを含む有機発光表示装置。
【請求項2】
前記基板上に配置され、第２のゲート電極を含む第２のトランジスタをさらに含み、
前記第１の無機絶縁層は、
前記第２のトランジスタの前記第２のゲート電極を覆う第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層上に配置されたバッファ層と、
前記表示領域及び前記パッド領域に配置され、前記表示領域における前記第１のトランジスタの前記第１のゲート電極及び前記バッファ層の間に配置されたゲート絶縁層とを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
前記第１の無機絶縁層は、
前記第２のトランジスタの前記第２のゲート電極を覆う第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層上に配置されたバッファ層と、
前記表示領域及び前記パッド領域に配置され、前記表示領域における前記第１のトランジスタの前記第１のゲート電極及び前記バッファ層の間に配置されたゲート絶縁層とを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項3】
前記第２の無機絶縁層は、前記表示領域及び前記パッド領域において前記ゲート絶縁層と接触する、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項4】
前記パッド領域における前記第１のパッド電極と重なるダミーパッド電極をさらに含み、
前記ダミーパッド電極は、前記第２のゲート電極と同じ物質で構成され、前記第２のゲート電極と同じ層に配置される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
前記ダミーパッド電極は、前記第２のゲート電極と同じ物質で構成され、前記第２のゲート電極と同じ層に配置される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項5】
前記第２のパッド電極は、前記タッチセンサ層と同一物質からなっている、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項6】
前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチバッファ層と、
前記表示領域の前記タッチバッファ層及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上に配置されたタッチ絶縁層とをさらに含み、
前記タッチセンサ層は、前記表示領域における前記タッチ絶縁層上に配置され、前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記タッチ絶縁層上に配置され、前記タッチ絶縁層は、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部に接続された開口部を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
前記表示領域の前記タッチバッファ層及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上に配置されたタッチ絶縁層とをさらに含み、
前記タッチセンサ層は、前記表示領域における前記タッチ絶縁層上に配置され、前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記タッチ絶縁層上に配置され、前記タッチ絶縁層は、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部に接続された開口部を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項7】
表示領域及びパッド領域を含む基板と、
前記基板の前記表示領域及び前記パッド領域上に配置された第１の無機絶縁層と、
前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層上に配置された第１のパッド電極と、
前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、開口部とを有する第２の無機絶縁層と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続された第２のパッド電極と、
前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極を含む表示パッドと、
を含む、有機発光表示装置。
前記基板の前記表示領域及び前記パッド領域上に配置された第１の無機絶縁層と、
前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層上に配置された第１のパッド電極と、
前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、開口部とを有する第２の無機絶縁層と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続された第２のパッド電極と、
前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極を含む表示パッドと、
を含む、有機発光表示装置。
【請求項8】
前記第２の無機絶縁層の下面と、前記第１の無機絶縁層の上面とが接触している、請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項9】
前記表示領域における前記第１の無機絶縁層と、前記第２の無機絶縁層との間に配置された第１のトランジスタの第１のゲート電極と、
前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、
前記表示領域における前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、
前記表示領域における前記発光素子を覆う封止層と、
前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチセンサ層をさらに含む、請求項７に記載の有機発光表示装置。
前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、
前記表示領域における前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、
前記表示領域における前記発光素子を覆う封止層と、
前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチセンサ層をさらに含む、請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項10】
前記第１のパッド電極は、前記第１のゲート電極と同一物質で構成され、前記第１のゲート電極と同じ層に配置される、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項11】
前記第２のパッド電極は、前記タッチセンサ層と同じ物質からなっている、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項12】
前記表示領域における前記第１の無機絶縁層の下部に配置された第２のトランジスタの第２のゲート電極と、
前記パッド領域における前記第１のパッド電極の下部に配置され、前記第１のパッド電極と重なるダミーパッド電極とをさらに含み、
前記ダミーパッド電極は、前記第２のゲート電極と同一物質で構成され、前記第２のゲート電極と同じ層に配置される、請求項９に記載の有機発光表示装置。
前記パッド領域における前記第１のパッド電極の下部に配置され、前記第１のパッド電極と重なるダミーパッド電極とをさらに含み、
前記ダミーパッド電極は、前記第２のゲート電極と同一物質で構成され、前記第２のゲート電極と同じ層に配置される、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項13】
前記第１の無機絶縁層は、
前記表示領域及び前記パッド領域に配置され、前記表示領域における前記第２のゲート電極を覆う第１の層間絶縁層と、
前記表示領域及び前記パッド領域における前記第１の層間絶縁層上に配置されたバッファ層と、
前記表示領域における前記第１のトランジスタの前記第１のゲート電極と前記バッファ層との間に配置され、前記パッド領域における前記バッファ層上に配置された前記第１のトランジスタのゲート絶縁層とを含む、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
前記表示領域及び前記パッド領域に配置され、前記表示領域における前記第２のゲート電極を覆う第１の層間絶縁層と、
前記表示領域及び前記パッド領域における前記第１の層間絶縁層上に配置されたバッファ層と、
前記表示領域における前記第１のトランジスタの前記第１のゲート電極と前記バッファ層との間に配置され、前記パッド領域における前記バッファ層上に配置された前記第１のトランジスタのゲート絶縁層とを含む、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項14】
前記表示領域の前記封止層上に配置されたタッチバッファ層と、
前記表示領域における前記タッチバッファ層上に配置され、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部と接続された開口部を有するタッチ絶縁層とをさらに含み、
前記タッチセンサ層は、前記表示領域における前記タッチ絶縁層上に配置され、前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記タッチ絶縁層上に配置される、請求項９に記載の有機発光表示装置。
前記表示領域における前記タッチバッファ層上に配置され、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部と接続された開口部を有するタッチ絶縁層とをさらに含み、
前記タッチセンサ層は、前記表示領域における前記タッチ絶縁層上に配置され、前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記タッチ絶縁層上に配置される、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項15】
表示領域とパッド領域とを含む基板上に配置された第１の無機絶縁層を形成する段階と、
前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に第１のパッド電極を形成する段階と、
前記第１の無機絶縁層上に、前記表示領域の前記第１のゲート電極を覆い、前記パッド領域の前記第１のパッド電極を覆う第２の無機絶縁層を形成する段階と、
前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上に有機絶縁層を形成する段階と、
前記表示領域の前記有機絶縁層上に発光素子を形成する段階と、
前記表示領域の前記発光素子を覆う封止層を形成する段階と、
前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層に、前記第１のパッド電極の一部を露出する開口部を形成する段階と、
前記表示領域の前記封止層上のタッチセンサ層、及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層と、前記第１のパッド電極上に前記第２の無機絶縁層の前記開口部を介して前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極を形成する段階とを含む、有機発光表示装置の製造方法。
前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に第１のパッド電極を形成する段階と、
前記第１の無機絶縁層上に、前記表示領域の前記第１のゲート電極を覆い、前記パッド領域の前記第１のパッド電極を覆う第２の無機絶縁層を形成する段階と、
前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上に有機絶縁層を形成する段階と、
前記表示領域の前記有機絶縁層上に発光素子を形成する段階と、
前記表示領域の前記発光素子を覆う封止層を形成する段階と、
前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層に、前記第１のパッド電極の一部を露出する開口部を形成する段階と、
前記表示領域の前記封止層上のタッチセンサ層、及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層と、前記第１のパッド電極上に前記第２の無機絶縁層の前記開口部を介して前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極を形成する段階とを含む、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記発光素子を形成する間に、前記第１のパッド電極が、前記第２の無機絶縁層で覆われている、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記封止層を形成した後、前記第２の無機絶縁層に開口部を形成する前に、
前記表示領域の前記封止層上にタッチバッファ層を形成する段階と、
前記表示領域の前記タッチバッファ層及び前記パッド領域の前記第１のパッド電極上に位置する前記第２の無機絶縁層上にタッチ絶縁層を形成する段階と、
前記パッド領域の前記タッチ絶縁層に開口部を形成する段階とをさらに含み、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部が、前記タッチ絶縁層の開口部の下部に位置する、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記表示領域の前記封止層上にタッチバッファ層を形成する段階と、
前記表示領域の前記タッチバッファ層及び前記パッド領域の前記第１のパッド電極上に位置する前記第２の無機絶縁層上にタッチ絶縁層を形成する段階と、
前記パッド領域の前記タッチ絶縁層に開口部を形成する段階とをさらに含み、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部が、前記タッチ絶縁層の開口部の下部に位置する、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項18】
表示領域とパッド領域とを含む基板と、
前記表示領域及びパッド領域上の第１の無機絶縁層と、
前記表示領域に配置され、前記第１の無機絶縁層上のゲート絶縁層を含む駆動トランジスタと、
前記表示領域及びパッド領域における前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域における前記駆動トランジスタの第１のゲート電極を覆う第２の無機絶縁層と、
前記パッド領域に配置され、前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上の第１のパッド電極及び前記パッド領域の前記第１のパッド電極及び前記第２の無機絶縁層上の第２のパッド電極を含む前記パッド領域の表示パッドとを含み、
前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続される、有機発光表示装置。
前記表示領域及びパッド領域上の第１の無機絶縁層と、
前記表示領域に配置され、前記第１の無機絶縁層上のゲート絶縁層を含む駆動トランジスタと、
前記表示領域及びパッド領域における前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域における前記駆動トランジスタの第１のゲート電極を覆う第２の無機絶縁層と、
前記パッド領域に配置され、前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上の第１のパッド電極及び前記パッド領域の前記第１のパッド電極及び前記第２の無機絶縁層上の第２のパッド電極を含む前記パッド領域の表示パッドとを含み、
前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続される、有機発光表示装置。
【請求項19】
前記第１のパッド電極は、前記第１のゲート電極と同じ物質で構成され、前記第１のゲート電極と同じ層に配置される、請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項20】
表示領域とパッド領域とを含む基板と、
前記表示領域及び前記パッド領域上の第１の無機絶縁層と、
前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に位置するゲート電極を含む前記表示領域の駆動トランジスタと、
前記表示領域及び前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に位置し、前記表示領域の第１のゲート電極を覆う第２の無機絶縁層と、
前記駆動トランジスタに接続された前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上の発光素子と、
前記表示領域の前記発光素子上のタッチセンサ層と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層によって覆われた端部を有し、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極と同じ物質で構成された前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上の第１のパッド電極と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層のホールを介して、前記第１のパッド電極に接続され、前記タッチセンサ層と同じ物質で構成された前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上の第２のパッド電極と
を含む表示装置。
前記表示領域及び前記パッド領域上の第１の無機絶縁層と、
前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に位置するゲート電極を含む前記表示領域の駆動トランジスタと、
前記表示領域及び前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に位置し、前記表示領域の第１のゲート電極を覆う第２の無機絶縁層と、
前記駆動トランジスタに接続された前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上の発光素子と、
前記表示領域の前記発光素子上のタッチセンサ層と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層によって覆われた端部を有し、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極と同じ物質で構成された前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上の第１のパッド電極と、
前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層のホールを介して、前記第１のパッド電極に接続され、前記タッチセンサ層と同じ物質で構成された前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上の第２のパッド電極と
を含む表示装置。
【請求項21】
前記パッド電極は、前記ゲート電極と同じ層に配置される、請求項２０に記載の表示装置。
【請求項22】
前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記第２の無機絶縁層の前記ホールと重なるホールを有する前記表示領域及び前記パッド領域のタッチ絶縁層をさらに含み、
前記第の２パッド電極は、前記タッチ絶縁層のホール及び前記第２の無機絶縁層のホールを介して、前記第１のパッド電極と接触する、請求項２０に記載の表示装置。
前記第の２パッド電極は、前記タッチ絶縁層のホール及び前記第２の無機絶縁層のホールを介して、前記第１のパッド電極と接触する、請求項２０に記載の表示装置。
【請求項23】
前記パッド領域における前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極と重畳され、前記表示領域の他のトランジスタのゲート電極と同じ物質で構成され、前記他のトランジスタの前記ゲート電極と同じ層に配置されたダミーパッド電極をさらに含む、請求項２０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
情報化技術が発展するにつれて、ユーザと情報との間の接続媒体である表示装置の市場が拡大している。これにより、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）などの表示装置の使用が増加している。
【0003】
表示装置は、マトリクス状に配置された複数のサブピクセルを含む表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部などを含む。駆動部には、表示パネルにスキャン信号（又はゲート信号）を供給するスキャン駆動部と、表示パネルにデータ信号を供給するデータ駆動部などが含まれる。表示装置は、マトリクス状に配置されたサブピクセルに、スキャン信号及びデータ信号などが供給されると、選択されたサブピクセルが発光することにより、映像を表示することができる。
【0004】
表示装置は、様々な入力装置を用いて、ユーザとのインターフェースを構成する。便利でありながら、簡単で誤動作を減らすことができる入力装置への要求が日々増加している。そこで、ユーザが画面に直接接触して、情報を入力するタッチ素子が提案されている。特に、有機発光表示装置に適用される場合、タッチ素子は、有機発光表示装置の発光部を保護するための封止層の上部に形成することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
サブピクセルとタッチ素子を駆動する駆動ＩＣのコスト削減と構造的な便宜のために、駆動ＩＣを表示パネルの基板に取り付けるＣＯＰ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｐａｎｅｌ）が好まれている。
【0006】
ＣＯＰを実現するために、非表示領域のパッド領域に、表示パッドを配置している。そして、工程数を減らし、製造コストを低減するために、表示領域の導電層を形成する工程において、導電層と同じ層に、導電層と共に表示パッドのパッド電極を形成している。例えば、表示領域のソース及びドレイン電極を形成する工程において、ソース及びドレイン電極と同じ層に、表示パッドの第１のパッド電極を形成し、表示領域の駆動トランジスタと発光素子とを接続する接続電極を形成する工程において、接続電極と同じ層に、表示パッドの第２のパッド電極を形成し、表示領域のタッチセンサ層を形成する工程において、タッチセンサ層と同じ層に、表示パッドの第３のパッド電極を形成している。そして、接続電極を覆う感光性有機絶縁物質からなる平坦化層を、第２のパッド電極の上部に形成し、平坦化層に第２のパッド電極を露出する開口部を形成している。
【0007】
平坦化層が感光性有機物質で構成され、１回のパターニングが可能であるため、接続電極と駆動トランジスタとを接続するホールを形成する工程で、第２のパッド電極を露出する開口部を共に形成している。これにより、開口部を介して第２のパッド電極が露出した状態で、発光素子のアノード電極をパターニングするためのエッチング工程を進めることができる。この場合、アノード電極をパターニングする工程において、第２のパッド電極として用いられたメタル（例えば、Ａｌ）と、アノード電極の材料として用いられたメタル（例えば、Ａｇ）との間のガルバニック効果（Ｇａｌｖａｎｉｃ ｅｆｆｅｃｔ）により、メタルスカム（ｍｅｔａｌ ｓｃｕｍ）が発生し、メタルスカムにより、発光素子のアノード電極とカソード電極とがショート（ｓｈｏｒｔ）して、暗点不良が発生する可能性がある。
【0008】
そして、平坦化層が有機絶縁物質からなっていることによって、下部及び上部の無機絶縁層との接着力が低下して剥がれ、浮き上がりが生じる恐れがあり、絶縁層が浮き上がって発生する力によって、表示パッドを構成するパッド電極が剥離され、表示パッド上に実装される駆動ＩＣの信号が、表示領域に伝達できない不良が発生する可能性がある。
【0009】
本明細書の実施形態による解決課題は、メタルスカムの発生を防止して、メタルスカムに起因する暗点不良を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【0010】
本明細書の実施形態による解決課題は、表示パッド周辺の絶縁層が浮き上がることを防止して、表示パッドのパッド電極が剥離することを防止し、表示パッド上に実装される駆動ＩＣの信号が、表示領域に伝達できない不良を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【0011】
本明細書の実施形態による解決課題は、以上で言及した課題に限定されず、言及されていない他の課題は、以下の説明から当業者には明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本開示の一実施形態による有機発光表示装置は、基板の表示領域とパッド領域上に配置された第１の無機絶縁層と、前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域に位置する第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域に位置する第１のパッド電極と、前記表示領域における前記第１のゲート電極を覆い、前記パッド領域における前記第１のパッド電極の一部を覆い、開口部を有する第２の無機絶縁層と、前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、前記表示領域における前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、前記表示領域における前記発光素子を覆う封止層と、前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチセンサ層と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層及び第１のパッド電極上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極と、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極を含む表示パッドとを含む。
【0013】
本明細書の一実施形態による有機発光表示装置は、表示領域とパッド領域とを含む基板と、前記基板の前記表示領域及び前記パッド領域上に配置された第１の無機絶縁層と、前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層上に配置された第１のパッド電極と、前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、開口部を有する第２の無機絶縁層と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続された第２のパッド電極と、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極を含む表示パッドとを含む。
【0014】
本明細書の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、表示領域とパッド領域とを含む基板上に配置された第１の無機絶縁層を形成する段階と、前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に、第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に、第１のパッド電極を形成する段階と、前記第１の無機絶縁層上に、前記表示領域の前記第１のゲート電極を覆い、前記パッド領域の前記第１のパッド電極を覆う第２の無機絶縁層を形成する段階と、前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上に、有機絶縁層を形成する段階と、前記表示領域の前記有機絶縁層上に発光素子を形成する段階と、前記表示領域の前記発光素子を覆う封止層を形成する段階；前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層に、前記第１のパッド電極の一部を露出する開口部を形成する段階と、前記表示領域の前記封止層上のタッチセンサ層、及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層と前記第１のパッド電極上に、前記第２の無機絶縁層の前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極を形成する段階を含む。
【0015】
本明細書の一実施形態による有機発光表示装置は、表示領域とパッド領域とを含む基板と、前記表示領域及びパッド領域上の第１の無機絶縁層と、前記表示領域に配置され、前記第１の無機絶縁層上のゲート絶縁層を含む駆動トランジスタと、前記表示領域及びパッド領域における第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域における前記第１のゲート電極を覆う第２の無機絶縁層と、前記パッド領域に配置され、前記パッド領域の第１の無機絶縁層上の第１のパッド電極及び前記パッド領域の前記第１のパッド電極及び前記第２の無機絶縁層上の第２のパッド電極を含む前記パッド領域の表示パッドを含み、前記第２のパッド電極は、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層の開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続される。
【0016】
本明細書の一実施形態による表示装置は、表示領域とパッド領域とを含む基板；前記表示領域及び前記パッド領域上の第１の無機絶縁層と、前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に位置するゲート電極を含む前記表示領域の駆動トランジスタと、前記表示領域及び前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に位置し、前記表示領域の第１のゲート電極を覆う第２の無機絶縁層と、前記駆動トランジスタに接続された前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上の発光素子；前記表示領域の前記発光素子上のタッチセンサ層と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層によって覆われた端部を有し、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極と同じ物質で構成された前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上の第１のパッド電極と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層のホールを介して、前記第１のパッド電極に接続され、前記タッチセンサ層と同じ物質で構成された前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上の第２のパッド電極とを含む。
【発明の効果】
【0017】
本明細書の実施形態によれば、表示パッドのパッド電極を、第１のトランジスタ（駆動トランジスタ）のゲート電極と同じ層に構成し、第１のトランジスタのゲート電極の上部の無機絶縁層で、表示パッドのパッド電極を覆った状態で、発光素子のアノード電極をパターニングすることにより、アノード電極をパターニングする工程中に、メタルスカムが生成することを防止することができ、メタルスカムにより、発光素子のアノード電極とカソード電極とが短絡して発生する暗点不良を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することができる効果がある。
【0018】
本明細書の実施形態によれば、表示パッドを構成するパッド電極の上部及び下部に、無機絶縁層を配置することにより、パッド電極周辺の絶縁層が浮き上がるのを防止することができ、絶縁層が浮き上がって発生する力によって、表示パッドのパッド電極が剥離することを防止することにより、パッド電極が剥離することにより、表示パッド上に実装される駆動ＩＣの信号が、表示領域に伝達できない不良が発生することを防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することができる効果がある。
【0019】
本明細書の効果は、以上で言及した効果に限定されず、言及されていない他の効果は、以下の記載から当業者には明確に理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示パネルの斜視図である。
【図2】本開示の実施形態による有機発光表示装置を示す平面図である。
【図3】本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示領域及びベンディング領域の断面図である。
【図4】本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示領域及びパッド領域の断面図である。
【図6】本開示の第１の実験例による有機発光表示装置のパッド領域の断面図である。
【図7】本開示の第１の実験例による有機発光表示装置の表示パッドの不良を示すＳＥＭ写真である。
【図8】本開示の第２の実験例による有機発光表示装置の表示パッドの不良を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本開示の一部の実施形態を、例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付け加えるにおいて、同一の構成要素については、たとえ他の図面上に表示されていても、可能な限り同一の符号を付することができる。なお、本開示を説明するに当たって、関連する公知の構成又は機能の具体的な説明が、本開示の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加されてもよい。構成要素を単数として表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含むことができる。
【0022】
また、本開示の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語によって当該構成要素の本質、順番、順序又は数などが限定されない。
【0023】
構成要素の位置関係についての説明において、２つ以上の構成要素が、「連結」、「結合」又は「接続」されると記載されている場合、２つ以上の構成要素が、直接「連結」、「結合」又は「接続」され得るが、２つ以上の構成要素と他の構成要素とが、さらに「介在」され、「連結」、「結合」又は「接続」されることも可能であることを理解されたい。ここで、他の構成要素は、互いに「連結」、「結合」又は「接続」される２つ以上の構成要素のうち１つ以上に含まれてもよい。
【0024】
構成要素や、動作方法や作製方法などに関する時間的流れの関係の説明において、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで、時間的先後関係又は流れ的前後関係が説明される場合、「直ちに」又は「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含み得る。
【0025】
一方、構成要素に関する数値又はその対応情報（例えば、レベルなど）が言及されている場合、別途の明示的な記載がなくても、数値又はその対応情報は、各種要因（例えば、工程上の要因、内部又は外部の衝撃、ノイズなど）によって発生できる誤差の範囲を含むと解釈され得る。
【0026】
以下、添付の図面を参照して、本明細書の様々な実施形態を詳細に説明する。
【0027】
図１は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示パネルの斜視図である。
【0028】
図１を参照すると、本開示の実施形態による有機発光表示装置は、発光素子を含む単位ピクセルを介して映像を表示する。そして、有機発光表示装置は、タッチ期間中にタッチ電極ＴＥを介して、ユーザのタッチによる相互静電容量（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の変化量を感知して、タッチの有無及びタッチ位置をセンシングする。
【0029】
このために、表示パネルＤＩＳＰは、基板１１０上にマトリクス状に配置された複数のサブピクセルＳＰと、複数のサブピクセルＳＰ上に配置された封止層１８０と、封止層１８０上に配置された相互静電容量Ｃｍを備える。
【0030】
各サブピクセルＳＰは、発光素子ＥＤと、発光素子ＥＤを駆動するための第１のトランジスタＴ１と、第１のトランジスタＴ１の第１のノードＮ１に、データ電圧ＶＤＡＴＡを伝達するための第２のトランジスタＴ２と、１フレームの間、一定の電圧を維持するためのストレージキャパシタＣｓｔなどを含むことができる。
【0031】
第１のトランジスタＴ１は、データ電圧が印加され得る第１のノードＮ１、発光素子ＥＤと電気的に接続される第２のノードＮ２、及び駆動電圧ラインＤＶＬから駆動電圧ＶＤＤが印加される第３のノードＮ３を含むことができる。第１のノードＮ１は、ゲートノードであり、第２のノードＮ２は、ソースノード又はドレインノードであり、第３のノードＮ３は、ドレインノード又はソースノードであり得る。このような第１のトランジスタＴ１は、発光素子ＥＤを駆動する駆動トランジスタとも呼ばれる。
【0032】
発光素子ＥＤは、第１の電極（例えば、アノード電極）、発光層、及び第２の電極（例えば、カソード電極）を含むことができる。第１の電極は、第１のトランジスタＴ１の第２のノードＮ２と電気的に接続され、第２の電極は、ベース電圧ＶＳＳが印加され得る。
【0033】
このような発光素子ＥＤにおける発光層は、有機物を含む有機発光層であってもよい。この場合、発光素子ＥＤは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。
【0034】
第２のトランジスタＴ２は、ゲートラインＧＬを介して印加されるスキャン信号ＳＣＡＮによってオンオフが制御され、第１のトランジスタＴ１の第１のノードＮ１と、データラインＤＬとの間に電気的に接続することができる。このような第２のトランジスタＴ２は、スイッチングトランジスタとも呼ばれる。
【0035】
第２のトランジスタＴ２は、スキャン信号ＳＣＡＮによってターンオンされると、データラインＤＬから供給されたデータ電圧ＶＤＡＴＡを、第１のトランジスタＴ１の第１のノードＮ１に伝達する。ストレージキャパシタＣｓｔは、第１のトランジスタＴ１の第１のノードＮ１と、第２のノードＮ２との間に電気的に接続され得る。
【0036】
各サブピクセルＳＰは、図１に示すように、２つのトランジスタＴ１、Ｔ２と、１つのキャパシタＣｓｔとを含む２Ｔ１Ｃ構造を有することができ、場合によっては、１つ以上のトランジスタをさらに含んでもよく、１つ以上のキャパシタをさらに含んでもよい。
【0037】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１のトランジスタＴ１の第１のノードＮ１と、第２のノードＮ２との間に存在し得る内部キャパシタ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）である寄生キャパシタ（例えば、Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、第１のトランジスタＴ１の外部に意図的に設計した外部キャパシタ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）であってもよい。
【0038】
第１のトランジスタＴ１及び第２のトランジスタＴ２のそれぞれは、ｎ型トランジスタでもｐ型トランジスタでもよい。
【0039】
前述のように、表示パネルＤＩＳＰには、発光素子ＥＤ、トランジスタＴ１、Ｔ２、キャパシタＣｓｔなどの回路素子が配置される。このような回路素子、特に、発光素子ＥＤは、外部の水分や酸素などに脆弱であるため、外部の水分や酸素が回路素子に浸透することを防止するための封止層１８０が、表示パネルＤＩＳＰに配置され得る。
【0040】
本開示の実施形態による有機発光表示装置では、タッチパネルＴＳＰを封止層１８０上に形成することができる。すなわち、有機発光表示装置では、タッチパネルＴＳＰを構成する複数のタッチ電極ＴＥなどを含むタッチセンサ層を封止層１８０上に配置することができる。
【0041】
タッチセンシング時、タッチ電極ＴＥにタッチ駆動信号又はタッチセンシング信号を印加することができる。タッチセンシング時、封止層１８０を挟んで配置されたタッチ電極ＴＥと、カソード電極との間には、電位差が形成され、不要な寄生キャパシタンスが形成され得る。このような寄生キャパシタンスは、タッチ感度を低下させることができるため、寄生キャパシタンスを低下させるために、タッチ電極ＴＥとカソード電極との間の距離は、パネル厚さ、パネル製作工程及びディスプレイ性能等を考慮して、一定の値（例えば、５μｍ）以上になるように設計することができる。このために、一例として、封止層１８０の厚さは、最小５μｍ以上に設計することができる。
【0042】
図２は、本開示の実施形態による有機発光表示装置を示す平面図である。
【0043】
図２を参照すると、本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示パネルＤＩＳＰは、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの縁に配置された非表示領域ＮＤＡとを含むことができる。表示領域ＤＡは、複数のサブピクセルが配置される領域であり、画像が表示される領域である。表示領域（ＤＡ）は、アクティブ領域（ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）と呼ばれることがある。
【0044】
表示領域ＤＡには、複数のゲートライン（図示せず）と、データライン（図示せず）とが交差して、複数のピクセル領域を定義する。また、表示領域ＤＡには、複数の第１のタッチラインＹ－ＴＥＬ及び複数の第２のタッチラインＸ－ＴＥＬが配置されてもよい。
【0045】
複数の第１のタッチラインＹ－ＴＥＬは、複数の第１のタッチ電極Ｙ－ＴＥ及び複数の第１のブリッジＹ－ＢＲを含むことができる。各第１のタッチラインＹ－ＴＥＬに含まれる複数の第１のタッチ電極Ｙ－ＴＥは、第１の方向であるＹ方向に沿って、一定の間隔で離隔して配置され得る。第１のタッチ電極Ｙ－ＴＥは、第１のブリッジＹ－ＢＲを介して隣接する第１のタッチ電極Ｙ－ＴＥと電気的に接続され得る。
【0046】
複数の第２のタッチラインＸ－ＴＥＬは、複数の第２のタッチ電極Ｘ－ＴＥ及び複数の第２のブリッジＸ－ＢＲを含むことができる。各第２のタッチラインＸ－ＴＥＬに含まれる複数の第２のタッチ電極Ｘ－ＴＥは、第２の方向であるＸ方向に沿って、一定の間隔で離隔して配置され得る。第２のタッチ電極Ｘ－ＴＥは、第２のブリッジＸ－ＢＲを介して隣接する第２のタッチ電極Ｘ－ＴＥと電気的に接続され得る。
【0047】
第１、第２のタッチ電極（Ｙ－ＴＥ、Ｘ－ＴＥ）及び第１、第２のブリッジ（Ｙ－ＢＲ、Ｘ－ＢＲ）は、メッシュ状に形成することができる。これにより、第１、第２のタッチ電極（Ｙ－ＴＥ、Ｘ－ＴＥ）及び第１、第２のブリッジ（Ｙ－ＢＲ、Ｘ－ＢＲ）自体の抵抗と、キャパシタンスとが減少し、ＲＣ時定数が減少して、タッチ感度を向上させることができる。また、メッシュ状の第１、第２のタッチ電極（Ｙ－ＴＥ、Ｘ－ＴＥ）及び第１、第２のブリッジ（Ｙ－ＢＲ、Ｘ－ＢＲ）の線幅が非常に薄く、第１、第２のタッチ電極（Ｙ－ＴＥ、Ｘ－ＴＥ）及び第１、第２のブリッジ（Ｙ－ＢＲ、Ｘ－ＢＲ）により、開口率及び透過率が低下することを防止することができる。
【0048】
第１のタッチラインＹ－ＴＥＬ及び第２のタッチラインＸ－ＴＥＬのそれぞれに、ルーティングラインＲＬを接続することができる。ルーティングラインＲＬは、表示領域ＤＡの上側及び下側のうち少なくとも一方に伸びて、非表示領域ＮＤＡに配置されたタッチパッドＴＰＡＤに接続され得る。タッチパッドＴＰＡＤには、タッチセンシング回路（図示せず）が接続され得る。
【0049】
ルーティングラインＲＬは、タッチセンシング回路で生成されたタッチ駆動パルスを、タッチパッドＴＰＡＤを介して、第１のタッチラインＹ－ＴＥＬに送信し、第２のタッチラインＸ－ＴＥＬからのタッチ信号を、タッチパッドＴＰＡＤを介して、タッチセンシング回路に送信することができる。
【0050】
データドライバ回路（Ｄａｔａ Ｄｒｉｖｅｒ Ｃｉｒｃｕｉｔ）は、集積回路ＩＣ形態で構成され、非表示領域ＮＤＡに実装することができる。図２の駆動ＩＣ８００は、データドライバ回路を含む。駆動ＩＣ８００との電気的な接続のために、非表示領域ＮＤＡに、表示パッドＤＰＡＤを配置することができる。
【0051】
非表示領域ＮＤＡは、タッチパッドＴＰＡＤ及び表示パッドＤＰＡＤが配置されるパッド領域ＰＡと、表示パネルＤＩＳＰを曲げたり折り畳むことができるベンディング領域ＢＡとを含むことができる。ベンディング領域ＢＡは、タッチパッドＴＰＡＤ、表示パッドＤＰＡＤ、タッチセンシング回路及び駆動ＩＣ８００のような表示機能をしない構成を、表示領域ＤＡの背面に折り畳んで配置するために、ベンディングされる領域に該当する。
【0052】
ベンディング領域ＢＡは、図２に示すように、表示領域ＤＡとパッド領域ＰＡとの間に配置することができる。その他にも、ベンディング領域ＢＡは、非表示領域ＮＤＡの上、下、左、右側のうち少なくとも一方側に配置されてもよい。これにより、表示装置の全画面において、表示領域ＤＡが占める面積を最大化し、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの後ろに隠すことができる。
【0053】
図３は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示領域及びベンディング領域の断面図である。
【0054】
図３を参照すると、サブピクセルは、第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２、及び発光素子ＥＤを含むことができる。先ず、図１を参照して説明したように、第１のトランジスタＴ１は、発光素子ＥＤを駆動する駆動トランジスタであり、第２のトランジスタＴ２は、スイッチトランジスタであり得る。
【0055】
図３には、１つのスイッチトランジスタが示されているが、スイッチトランジスタは、サブピクセル内に少なくとも１つ以上配置されてもよい。すなわち、サブピクセルが、３Ｔ１Ｃ、４Ｔ１Ｃ、５Ｔ１Ｃ、６Ｔ１Ｃ、７Ｔ１Ｃなどの多様な構造を有することにより、スイッチトランジスタは、１つ以上を配置することができる。
【0056】
第１のトランジスタＴ１は、第１の半導体パターン３１０と、第１の半導体パターン３１０と重なる第１のゲート電極３２０と、第１のソース電極３３０Ｓ及び第１のドレイン電極３３０Ｄとを含むことができる。
【0057】
第１のゲート電極３２０は、第１の無機絶縁層１４０上に配置することができる。第１の無機絶縁層１４０は、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁物を多層に積層して用いることができる。例えば、第１の無機絶縁層１４０は、順次に積層された第１の層間絶縁層１４１、中間バッファ層１４２、及び第１のゲート絶縁層１４３を含むことができる。
【0058】
第１の半導体パターン３１０は、中間バッファ層１４２上に配置することができる。第１の半導体パターン３１０は、酸化物半導体物質で構成することができる。酸化物半導体物質は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）などの金属の酸化物又は亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）などの金属とそれらの酸化物との組み合わせからなることができる。より具体的には、酸化物半導体は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛－錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛－インジウム酸化物（ＺＩＯ）、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、チタン酸化物（ＴｉＯ）インジウム－ガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウム‐亜鉛‐錫酸化物（ＩＺＴＯ）などを含むことができる。
【0059】
従来技術では、駆動トランジスタへの活性層として高速動作に有利な多結晶半導体パターンを用いた。しかしながら、多結晶半導体パターンを含む駆動トランジスタは、オフ（ｏｆｆ）状態でリーク電流が発生して、電力が消費されるという問題が発生する可能性がある。特に、オフ（ｏｆｆ）状態で消費電力が発生する問題は、表示装置が文書画面を表出する静止画のような低速の動作時にさらに問題となる。駆動トランジスタの活性層として酸化物半導体パターンを用いて、リーク電流の発生を遮断するのに寄与することができる。
【0060】
第１の半導体パターン３１０は、第１のチャネル領域３１０ａと、第１のチャネル領域３１０ａを挟んで、第１のチャネル領域３１０ａに隣接する第１のソース領域３１０ｂ及び第１のドレイン領域３１０ｃとを含むことができる。第１のチャネル領域３１０ａは、不純物がドープされていない真性の酸化物半導体で構成することができる。また、第１のソース領域３１０ｂ及び第１のドレイン領域３１０ｃは、真性の酸化物半導体に３族又は５族の不純物イオンがドープされて、導体化された領域であってもよい。
【0061】
第１の半導体パターン３１０及び中間バッファ層１４２上に、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）のような無機絶縁物を蒸着して、第１のゲート絶縁層１４３を形成することができる。第１のゲート絶縁層１４３は、第１の半導体パターン３１０を外部から保護し、絶縁する役割を果たすことができる。
【0062】
第１のゲート絶縁層１４３上には、第１の半導体パターン３１０の第１のチャネル領域３１０ａと重なる第１のゲート電極３２０が形成され得る。第１のゲート電極３２０は、金属物質で構成することができる。例えば、第１のゲート電極３２０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうちいずれか、又はそれらの合金からなる単層又は多層であってもよいが、これらに限定されない。
【0063】
第２のトランジスタＴ２は、第２の半導体パターン２１０と、第２の半導体パターン２１０と重なる第２のゲート電極２２０と、第２のソース電極２３０Ｓ及び第２のドレイン電極２３０Ｄとを含むことができる。
【0064】
第２の半導体パターン２１０は、下部バッファ層１２０上に配置することができる。第２の半導体パターン２１０は、電荷が移動する第２のチャネル領域２１０ａと、第２のチャネル領域２１０ａを挟んで、第２のチャネル領域２１０ａに隣接する第２のソース領域２１０ｂ及び第２のドレイン領域２１０ｃとを含むことができる。第２のチャネル領域２１０ａは、不純物がドープされていない半導体で構成することができる。また、第２のソース領域２１０ｂ及び第２のドレイン領域２１０ｃは、半導体に３族又は５族の不純物イオンがドープされて、導体化された領域であり得る。
【0065】
下部バッファ層１２０は、基板１１０上に配置することができる。基板１１０は、有機膜と無機膜とが交互に積層された多層（ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒ）で構成することができる。例えば、基板１１０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの有機膜と、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機膜とが交互に積層されて形成され得る。
【0066】
下部バッファ層１２０は、基板１１０上に配置された第１の下部バッファ層１２１と、第１の下部バッファ層１２１上に配置された第２の下部バッファ層１２２とを含むことができる。第１の下部バッファ層１２１は、外部から浸透できる水分等を遮断するためのものであり、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）等を多層に積層して用いることができる。第２の下部バッファ層１２２は、第１の下部バッファ層１２１と同じ材料で構成することができる。
【0067】
第２の半導体パターン２１０が形成された下部バッファ層１２０の全面上に、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁物を蒸着して、第２のゲート絶縁層１３０を形成することができる。第２のゲート絶縁層１３０は、第２の半導体パターン２１０を、外部から保護し絶縁する役割を果たすことができる。
【0068】
第２のゲート絶縁層１３０上に、第２の半導体パターン２１０の第２のチャネル領域２１０ａと重なる第２のゲート電極２２０を形成することができる。第２のゲート電極２２０は、金属物質で構成することができる。例えば、第２のゲート電極２２０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうちいずれか、又はそれらの合金からなる単層又は多層であってもよいが、これらに限定されない。
【0069】
第２のゲート電極２２０が形成された第２のゲート絶縁層１３０の全面上に、第１の無機絶縁層１４０を配置することができる。前述したように、第１の無機絶縁層１４０上に、第１のゲート電極３２０を配置することができる。
【0070】
第１のゲート電極３２０が形成された第１の無機絶縁層１４０の全面上に、第２の層間絶縁層１５０を形成することができる。第２の層間絶縁層１５０は、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁膜を、単層又は複数層に蒸着して形成することができる。第２の層間絶縁層１５０は、第２の無機絶縁層と呼ぶことができる。
【0071】
第２の層間絶縁層１５０上には、第１のソース電極３３０Ｓ、第１のドレイン電極３３０Ｄ、第２のソース電極２３０Ｓ、及び第２のドレイン電極２３０Ｄを配置することができる。
【0072】
第２の層間絶縁層１５０及び第１のゲート絶縁層１４３は、第１のソース電極３３０Ｓ及び第１のドレイン電極３３０Ｄのそれぞれを、第１の半導体パターン３１０と電気的に接続するために、ホールを設けることができる。第２の層間絶縁層１５０、第１のゲート絶縁層１４３、中間バッファ層１４２、第１の層間絶縁層１４１及び第２のゲート絶縁層１３０は、第２のソース電極２３０Ｓ及び第２のドレイン電極２３０Ｄのそれぞれを、第２の半導体パターン２１０と電気的に接続するために、ホールを設けることができる。
【0073】
本開示の実施形態による有機発光表示装置は、遮断層２２２をさらに含むことができる。第１のトランジスタＴ１の第１の半導体パターン３１０の下部に、第１の半導体パターン３１０と重なるように、遮断層２２２を配置することができる。遮断層２２２は、第１の半導体パターン３１０の面積より大きい面積を有することができる。
【0074】
遮断層２２２は、発光表示装置の外部から入射した光が、第１の半導体パターン３１０に照射され、第１の半導体パターン３１０が誤動作することを防止するか、又は減らすことができる。遮断層２２２は、基板１１０から電荷が流入する問題を防止するか、又は減らすことができる。例えば、第１のゲート電極３２０に電圧が長時間印加されると、第１のトランジスタＴ１で発生する電界により、基板１１０の電荷が、第１の半導体パターン３１０の第１のチャネル領域３１０ａに流入し、第１のチャネル領域３１０ａの電荷量を変動させるバックチャネル（ｂａｃｋ ｃｈａｎｎｅｌ）現象が発生することができる。電荷は、電界の極性に応じて、正孔又は電荷であり得る。基板１１０は、第１のトランジスタＴ１の電流を変化させて、第１のトランジスタＴ１のしきい値電圧の変化を引き起こすことができる。これは、画素の輝度の変化と残像を招く可能性がある。基板１１０と第１の半導体パターン３１０との間に、遮断層２２２を配置し、基板１１０から第１のトランジスタＴ１に流入する不要な電荷の流入を遮断し、第１のトランジスタＴ１のしきい値電圧Ｖｔｈの変動を防止することにより、残像を防止するか、又は減らすことができる。駆動時の第１のトランジスタＴ１の安定性を確保して、表示品質を向上させることができる。
【0075】
遮断層２２２は、第２のゲート絶縁層１３０上に配置することができる。遮断層２２２は、第２のゲート電極２２０を形成する工程において、第２のゲート電極２２０と共に形成することができる。したがって、遮断層２２２は、第２のゲート電極２２０と同じ層に同じ材料で構成することができる。遮断層２２２を第２のゲート電極２２０と同じ工程で形成することにより、工程数が減り、製造コストを低減することができる。
【0076】
遮断層２２２は、第１のソース電極３３０Ｓと電気的に接続することができる。これにより、遮断層２２２には、第１のソース電極３３０Ｓと同じ電圧を印加することができる。遮断層２２２の電圧を第１のソース電極３３０Ｓの電圧と同じ電圧に維持することができるので、遮断層２２２の周辺に配置された素子の特性の変化を低減することができる。すなわち、遮断層２２２は、外部の電圧に対する影響を少なく受けるため、バックチャネル（ｂａｃｋ ｃｈａｎｎｅｌ）現象による第１のトランジスタＴ１のしきい値電圧Ｖｔｈの変化を防止するか、又は減らすことができる。図示していないが、第２のトランジスタＴ２の下部にも遮断層を配置することができる。
【0077】
第２の層間絶縁層１５０、第１のゲート絶縁層１４３、中間バッファ層１４２及び第１の層間絶縁層１４１は、遮断層２２２と第１のソース電極３３０Ｓとを電気的に接続するためのホールを設けることができ、ホール内に第１のソース電極３３０Ｓを配置することができる。
【0078】
ベンディング領域ＢＡには、図３に示すように、表示パネルが容易にベンディングするように、オープン部ＯＡを構成することができる。オープン部ＯＡは、ベンディング領域ＢＡに蒸着される無機絶縁層をエッチングして形成される。
【0079】
基板１１０がベンディングされると、ベンディング領域ＢＡに配置された無機絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０に、持続的なベンディングストレスが加わる。無機絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０は、有機絶縁物に比べて弾性力が低く、無機絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０には、クラック（ｃｒａｃｋ）が発生しやすい。無機絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０に発生したクラックは、無機絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０に沿って、表示領域ＤＡに伝播することにより、ライン欠陥及び素子駆動不良を招くことがある。
【0080】
オープン部ＯＡは、クラックを有することができる多数の無機絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０を除去することによって生成される。具体的には、オープン部ＯＡは、ベンディング領域ＢＡに蒸着される下部バッファ層１２０、第２のゲート絶縁層１３０、第１の無機絶縁層１４０及び第２の層間絶縁層１５０を除去して生成される。
【0081】
平坦化層１６１、１６２は、第１のトランジスタＴ１及び第２のトランジスタＴ２をカバーするように配置することができる。平坦化層１６１、１６２は、下部に配置されたトランジスタを保護し、様々なパターンによる段差を緩和又は平坦化することができる。
【0082】
平坦化層１６１、１６２は、ＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、又はポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機絶縁物質のうち少なくとも１つ又はそれ以上で形成することができ、これに限定されない。平坦化層１６１、１６２は、単層として配置することができるが、電極の配置を考慮して、２層以上の複数層として配置してもよい。
【0083】
平坦化層１６１、１６２は、表示領域ＤＡからベンディング領域ＢＡに延び、ベンディング領域ＢＡをカバーすることができる。ベンディング領域ＢＡには、無機絶縁物よりも弾性力の高い有機絶縁物からなる平坦化層１６１、１６２を配置することができる。平坦化層１６１、１６２は、基板１１０がベンディングされて発生するベンディングストレスを緩和して、クラックが発生するのを防止するか、又は減らすことができ、ベンディング領域ＢＡに配置される配線を保護することができる。
【0084】
表示装置が、高解像度に進化するにつれて、各種信号配線が増加することに起因する。したがって、すべての配線を最小間隔を確保しながら、一層に配置することが難しいので、追加の層を設けたのである。このような追加の層によって、配線の配置に余裕があり、電線／電極の配置設計がより容易になる。また、多層から構成された平坦化層として、誘電物質（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いると、平坦化層は、金属層間に静電容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を形成する用途として活用することもできる。
【0085】
平坦化層１６１、１６２が、複数の層として配置される場合、平坦化層１６１、１６２は、第１の平坦化層１６１と第２の平坦化層１６２とを含むことができる。第１の平坦化層１６１と第２の平坦化層１６２との間に、接続電極５００を配置することができる。
【0086】
第１の平坦化層１６１にホールを形成し、ホール内に接続電極５００を配置し、接続電極５００を介して、第１のトランジスタＴ１と発光素子ＥＤとを電気的に接続することができる。例えば、接続電極５００の一端（又は一部）は、第１のトランジスタＴ１に接続され、接続電極５００の他端（又は他の部分）は、発光素子ＥＤに接続され得る。接続電極５００は、アルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。
【0087】
発光素子ＥＤは、順次に積層された第１の電極６１０、発光層６２０及び第２の電極６３０を含むことができる。第１の電極６１０は、アノード電極であり、第２の電極６３０は、カソード電極であり得る。
【0088】
発光素子ＥＤの第１の電極６１０は、第２の平坦化層１６２上に配置することができる。第１の電極６１０は、第２の平坦化層１６２に設けられたホールを介して、接続電極５００に接続され、接続電極５００を介して、第１のドレイン電極３３０Ｄと電気的に接続され得る。第１の電極６１０は、発光層６２０に正孔を供給し、仕事関数の高い導電性物質からなることができる。
【0089】
有機発光表示装置が、上部発光方式（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、第１の電極６１０は、光を反射する反射電極として不透明な導電性物質を用いて配置することができる。例えば、第１の電極６１０は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、又はこれらの合金のうち少なくとも１つ以上で形成することができる。例えば、第１の電極６１０は、銀（Ａｇ）／鉛（Ｐｂ）／銅（Ｃｕ）の３層構造からなることができ、これに限定されない。
【0090】
第１の電極６１０及び第２の平坦化層１６２上にバンク層１７０を配置することができる。バンク層１７０は、複数のサブピクセルを区分けることができ、光滲み現象を減らし、様々な視野角で生じる混色を防止するか、又は減らすことができる。バンク層１７０は、発光領域と対応する第１の電極６１０を露出させるバンクホールを有することができる。
【0091】
バンク層１７０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質、又はＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、又はポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機絶縁物質のうち少なくとも１つ以上の物質からなることができ、これらに限定されない。
【0092】
バンク層１７０上にスペーサ１７２をさらに配置することができる。スペーサ１７２は、発光素子ＥＤが形成された基板１１０と、上部基板との間の空隙を緩衝させ、外部からの衝撃から有機発光表示装置が破損することを減らすことができる。スペーサ１７２は、バンク層１７０と同じ材料で形成することができ、バンク層１７０と同時に形成することができ、これに限定されない。
【0093】
第１の電極６１０及びバンク層１７０上に、発光層６２０を配置することができる。発光層６２０は、特定の色の光を発光するために、赤色有機発光層、緑色有機発光層、青色有機発光層、又は白色有機発光層のうち１つを含むことができる。発光層６２０が白色有機発光層を含む場合、発光素子ＥＤの上部に、白色有機発光層からの白色光を他の色の光に変換するためのカラーフィルタを配置することができる。また、発光層６２０は、有機発光層の他に、正孔注入層（Ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）などをさらに含んでもよく、これに限定されるものではない。
【0094】
発光層６２０上に第２の電極６３０を配置することができる。第２の電極６３０は、発光層６２０に電子を供給し、仕事関数の低い導電性物質からなることができる。
【0095】
発光表示装置が、上部発光方式（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、第２の電極６３０は、光を透過する透明な導電性物質を用いて配置することができる。例えば、インジウムチンオキシド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、及びインジウムジンクオキシド（Ｉｎｄｕｉｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）のうち少なくとも１つ以上で形成されてもよく、これらに限定されない。
【0096】
また、光を透過する半透明の導電性物質を用いて配置することができる。例えば、ＬｉＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｃａ／Ａｇ、Ｃａ：Ａｇ、ＬｉＦ／Ｍｇ：Ａｇ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｇ、及びＬｉＦ／Ｃａ：Ａｇなどの合金のうち少なくとも１つ以上で形成することができ、これに限定されない。
【0097】
発光素子ＥＤの第２の電極６３０上に封止層１８０を配置することができる。封止層１８０は、外部の水分、酸素、又は異物から発光素子ＥＤを保護することができる。例えば、発光物質と電極物質の酸化を防止するか、又は減らすために、外部からの酸素や水分の浸透を防止するか、又は減らすことができる。このような封止層１８０は、１層であってもよいが、複数の層であってもよい。
【0098】
例えば、封止層１８０が複数の層からなる場合、封止層１８０は、１つ以上の無機封止層と、１つ以上の有機封止層とを含むことができる。具体的な例として、封止層１８０は、順次に積層された第１の封止層１８１、第２の封止層１８２、及び第３の封止層１８３を含むことができる。ここで、第２の封止層１８２は、第１の封止層１８１と、第３の封止層１８３との間に位置することができる。
【0099】
第１の封止層１８１及び第３の封止層１８３は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）又は酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）のうち少なくとも１つ以上の無機物からなってもよく、これらに限定されない。第１の封止層１８１及び第３の封止層１８３は、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）又は原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）等の真空成膜法を用いて形成することができ、これに限定されるものではない。
【0100】
第２の封止層１８２は、製造工程で発生し得る異物又はパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）をカバーすることができる。また、第２の封止層１８２は、第１の封止層１８１の表面を平坦化することができる。例えば、第２の封止層１８２は、パーティクルカバー層であり、用語に限定されない。
【0101】
第２の封止層１８２は、有機物、例えば、シリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣｚ）、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）系などの高分子（ｐｏｌｙｍｅｒ）であってもよく、これに限定されるものではない。第２の封止層１８２は、熱又は光によって硬化する熱硬化性物質又は光硬化性物質からなることができる。
【0102】
封止層１８０上に、複数のタッチセンサ層７１０、７２０を配置することができる。
【0103】
複数のタッチセンサ層１７０、７２０は、Ｙ軸方向に延びる複数の第１のタッチラインＹ－ＴＥＬと、第１のタッチラインＹ－ＴＥＬと接触することなく、交差するように、Ｘ軸方向に延びる複数の第２のタッチラインＸ－ＴＥＬを含む。
【0104】
このような複数の第１のタッチラインＹ－ＴＥＬ及び複数の第２のタッチラインＸ－ＴＥＬを配置するために、封止層１８０上にタッチバッファ層１９０が配置され、タッチバッファ層１９０上に第１のタッチセンサ層７１０が配置され、タッチバッファ層１９０上に第１のタッチセンサ層７１０を覆うタッチ絶縁層１９１が配置され、タッチ絶縁層１９１上に第２のタッチセンサ層７２０が配置され得る。
【0105】
第１のタッチセンサ層７１０は、例えば、複数の第１のタッチラインＹ－ＴＥＬの複数の第１のタッチ電極Ｙ－ＴＥ及び複数の第１のブリッジＹ－ＢＲと、複数の第２のタッチラインＸ－ＴＥＬの複数の第２のブリッジＸ－ＢＲを含み、第２のタッチセンサ層７２０は、複数の第２のタッチラインＸ－ＴＥＬの複数の第２のタッチ電極Ｘ－ＴＥを含む。第２のブリッジＸ－ＢＲは、タッチ絶縁層１９１を貫通するタッチコンタクトホールを介して露出され、第２のタッチ電極Ｘ－ＴＥと電気的に接続される。
【0106】
タッチバッファ層１９０及びタッチ絶縁層１９１は、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁物で形成することができる。タッチバッファ層１９０は、第１、第２のタッチセンサ層７１０、７２０の製造工程で用いられる薬液（現像液又はエッチング液等）又は外部からの水分等が、有機物を含む発光素子層ＥＤに浸透するのを遮断することができる。また、タッチバッファ層１９０の上部に配置される第１、第２のタッチセンサ層７１０、７２０が、外部の衝撃による断線の問題を防止することができ、第１、第２のタッチセンサ層７１０、７２０の駆動時に発生し得る干渉信号を遮断することができる。
【0107】
平坦化層、即ち、タッチ平坦化層１９２は、タッチ絶縁層１９１上に、第２のタッチセンサ層７２０を覆うように配置することができる。タッチ平坦化層１９２は、ＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、又はポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機絶縁物質のうち少なくとも１つ以上の物質から形成することができ、これに限定されない。
【0108】
図４は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の表示領域ＤＡ及びパッド領域ＰＡを示す断面図である。
【0109】
【0110】
表示パッドＤＰＡＤは、第１のパッド電極３２２及び第２のパッド電極７２２を含むことができる。
【0111】
第１のパッド電極３２２は、表示領域ＤＡの第１のトランジスタＴ１の第１のゲート電極３２０を形成する工程において、第１のゲート電極３２０と共に形成することができる。したがって、第１のパッド電極３２２は、第１のトランジスタＴ１の第１のゲート電極３２０と同じ層に同一物質で形成することができる。第１のトランジスタＴ１の第１のゲート電極３２０及び第１のパッド電極３２２は、第１のゲート絶縁層１４３上に配置され得る。
【0112】
パッド領域ＰＡにおいて、第１のゲート絶縁層１４３上に、第１のパッド電極３２２を覆う第２の層間絶縁層１５０を配置することができる。第２の層間絶縁層１５０の下面は、第１のゲート絶縁層１４３の上面と接触することができる。第２の層間絶縁層１５０は、第２の無機絶縁層と呼ばれることがあり、第１のゲート絶縁層１４３は、第１の無機絶縁層１４０の上面を構成することができる。第２の無機絶縁層は、第１の無機絶縁層１４０の上面と接触することができる。第２の層間絶縁層１５０は、第１のパッド電極３２２の少なくとも一部を露出する開口部を含むことができる。
【0113】
パッド領域ＰＡにおいて、第２の層間絶縁層１５０上にタッチ絶縁層１９１を配置することができる。タッチ絶縁層１９１は、第２の層間絶縁層１５０の開口部と接続される開口部を含むことができる。第２の層間絶縁層１５０及びタッチ絶縁層１９１は、第１のパッド電極３２２のエッジ（即ち、先端）を覆い、第１のパッド電極３２２の中央部を露出させることができる。
【0114】
タッチ絶縁層１９１上に第２のパッド電極７２２を配置することができる。第２のパッド電極７２２は、開口部を介して第１のパッド電極３２２に接続することができる。すなわち、第２のパッド電極７２２は、開口部において第１のパッド電極３２２と直接接触することができる。
【0115】
第２のパッド電極７２２は、表示領域ＤＡに第２のタッチセンサ層７２０を形成する工程において、第２のタッチセンサ層７２０と共に形成することができる。したがって、第２のパッド電極７２２は、第２のタッチセンサ層７２０と同一物質で形成することができる。
【0116】
第１のパッド電極３２２の下部に、ダミーパッド電極２２４をさらに配置することができる。ダミーパッド電極２２４は、第１のパッド電極３２２と重なるように配置することができる。
【0117】
ダミーパッド電極２２４は、表示領域ＤＡの第２のトランジスタＴ２の第２のゲート電極２２０を形成する工程において、第２のゲート電極２２０と共に形成することができる。したがって、ダミーパッド電極２２４は、表示領域ＤＡの第２のトランジスタＴ２の第２のゲート電極２２０と同じ層に同一物質で形成することができる。ダミーパッド電極２２４は、遮光層２２２と同じ層に同じ物質で形成することができる。
【0118】
【0119】
図５ａを参照すると、基板１１０上に下部バッファ層１２０を形成し、下部バッファ層１２０上に第２の半導体パターン２１０を形成する。
【0120】
下部バッファ層１２０は、第１の下部バッファ層１２１及び第２の下部バッファ層１２２を含むことができる。第１の下部バッファ層１２１と、第２の下部バッファ層１２２とは、同じ物質で同じ方法により形成することができる。第１の下部バッファ層１２１及び第２の下部バッファ層１２２は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む基板全体に形成することができる。第２の半導体パターン２１０は、第２のチャネル領域２１０ａ、第２のソース領域２１０ｂ、及び第２のドレイン領域２１０ｃを含むことができる。第２のチャネル領域２１０ａは、不純物がドープされていない半導体で構成することができる。第２のソース領域２１０ｂ及び第２のドレイン領域２１０ｃは、半導体に３族又は５族の不純物イオンがドープされて導体化された領域であってもよい。
【0121】
第２の半導体パターン２１０が形成された下部バッファ層１２０の全面上に、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁物を蒸着して、第２のゲート絶縁層１３０を形成する。第２のゲート絶縁層１３０は、その上部に形成される第２のゲート電極２２０と、第２の半導体パターン２１０とを電気的に絶縁する役割を果たすことができる。
【0122】
表示領域ＤＡにおいて、第２のゲート絶縁層１３０上に第２のゲート電極２２０及び遮光層２２２を形成する。第２のゲート電極２２０は、第２のチャネル領域２１０ａ上に形成され、遮光層２２２は、その後に形成される第１のトランジスタＴ１の下部に形成され得る。
【0123】
表示領域ＤＡに第２のゲート電極２２０が形成される反面、パッド領域ＰＡには、ダミーパッド電極２２４が形成される。ダミーパッド電極２２４は、表示領域ＤＡに第２のゲート電極２２０を形成する工程において、第２のゲート電極２２０と共に形成することができる。したがって、ダミーパッド電極２２４は、表示領域ＤＡの第２のゲート電極２２０と同じ層に同一物質で形成することができる。
【0124】
第２のゲート電極２２０、遮光層２２２及びダミーパッド電極２２４は、金属物質で構成することができる。例えば、第２のゲート電極２２０、遮光層２２２及びダミーパッド電極２２４は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうちいずれか又はそれらの合金からなる単層又は多層であってもよいが、これらに限定されない。
【0125】
図５ｂを参照すると、第２のゲート電極２２０、ダミーパッド電極２２２及びダミーパッド電極２２４が形成された第２のゲート絶縁層１３０上に、第１の無機絶縁層１４０を形成する。第１の無機絶縁層１４０は、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとを含む基板全体に形成することができる。
【0126】
第１の無機絶縁層１４０は、シリコン窒化物及び／又はシリコン酸化物を含む無機絶縁物が、単層又は複数層で蒸着されて形成されてもよい。例えば、第１の無機絶縁層１４０は、第１の層間絶縁層１４１と、中間バッファ層１４２と、第１のゲート絶縁層１４３とを含むことができる。
【0127】
第１の層間絶縁層１４１は、第２のゲート絶縁層１３０上に形成され、中間バッファ層１４２は、第１の層間絶縁層１４１上に形成され、中間バッファ層１４２上には、第１の半導体パターン３１０が形成され、第１のゲート絶縁層１４３は、第１の半導体パターン３１０が形成された中間バッファ層１４２上に形成される。
【0128】
第１のゲート絶縁層１４３は、上部に形成される第１のゲート電極３２０と、第１の半導体パターン３１０とを電気的に絶縁する役割を果たすことができる。第１のゲート絶縁層１４３は、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁物を含むことができる。例えば、第１のゲート絶縁層１４３は、水素粒子を含むシリコン窒化膜を含むことができる。第１のゲート絶縁層１４３を形成した後、第１のゲート絶縁層１４３を熱処理する過程で、水素粒子が拡散して、第１の半導体パターン３１０に浸透することにより、第１の半導体パターン３１０を導体化して、第１のソース領域３１０ａ及び第１のドレイン領域３１０ｂを形成することができる。
【0129】
表示領域ＤＡにおいて、第１のゲート絶縁層１４３上に第１のゲート電極３２０を形成する。表示領域ＤＡに第１のゲート電極３２０が形成される反面、パッド領域ＰＡに表示パッドの第１のパッド電極３２２が形成される。第１のパッド電極３２２は、表示領域ＤＡに第１のゲート電極３２０を形成する工程において、第１のゲート電極３２０と共に形成することができる。したがって、表示パッドの第１パッド電極３２２は、表示領域ＤＡの第１のゲート電極３２０と同じ層に同一物質で形成することができる。
【0130】
第１のゲート電極３２０及び第１のパッド電極３２２は、金属物質で構成することができる。例えば、第１のゲート電極３２０及び第１のパッド電極３２２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうちいずれか又はそれらの合金からなる単層又は多層であってもよいが、これらに限定されない。
【0131】
図５ｃを参照すると、第１のゲート絶縁層１４３上に第１のゲート電極３２０及び第１のパッド電極３２２を覆う第２の層間絶縁層１５０を形成する。第２の層間絶縁層１５０は、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとを含む基板全体に形成することができる。第２の層間絶縁層１５０は、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）又は／及びシリコン窒化物（ＳｉＮＸ）などの無機絶縁膜を単層又は複数層に蒸着して形成することができる。
【0132】
続いて、第１、第２のソース領域３１０ｂ、２１０ｂ及び第１、第２のドレイン領域３１０ｃ、２１０ｃを露出させるホールを形成する。次に、ホールを介して、第１、第２のソース領域３１０ｂ、２１０ｂ及び第１、第２のドレイン領域３１０ｃ、２１０ｃにそれぞれ接続される第１、第２のソース電極３３０Ｓ、２３０Ｓ及び第１、第２のドレイン電極３３０Ｄ、２３０Ｄを形成することができる。
【0133】
図示していないが、ベンディング領域の第２の層間絶縁層１５０、第１の無機絶縁層１４０、第２のゲート絶縁層１３０及び下部バッファ層１２０を除去する。
【0134】
続いて、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む基板全体の上に、第１、第２のソース電極３３０Ｓ、２３０Ｓ及び第１、第２のドレイン電極３３０Ｄ、２３０Ｄを覆う第１の平坦化層１６１を形成する。
【0135】
第１の平坦化層１６１は、例えば、第１、第２のソース電極３３０Ｓ、２３０Ｓ及び第１、第２のドレイン電極３３０Ｄ、２３０Ｄ等の金属電極が形成された基板１１０上の一面を平坦化することができる。第１の平坦化層１６１は、感光性有機物質を含むことができる。第１の平坦化層１６１は、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの有機絶縁物質で形成することができ、本明細書の実施形態は、これに限定されない。
【0136】
露光及び現像工程で、第１の平坦化層１６１をパターニングして、第１のドレイン電極３３０Ｄを露出するホールを形成する。前記ホールを形成するためのパターニング工程では、パッド領域ＰＡの第１の平坦化層１６１を除去することができる。
【0137】
その後、ホールを介して第１のドレイン電極３３０Ｄに接続される接続電極５００を形成する。接続電極５００は、第１の平坦化層１６１上に金属物質を蒸着した後、写真エッチング工程を進行してパターニングすることにより形成することができる。接続電極５００の材料として使用される金属物質は、アルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。
【0138】
続いて、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む基板全体に接続電極５００を覆う第２の平坦化層１６２を形成する。第２の平坦化層１６２は、例えば、接続電極５００などの金属電極が形成された基板１１０上の一面を平坦化することができる。
【0139】
第２の平坦化層１６２は、第１の平坦化層１６１と同じ物質で形成することができる。第２の平坦化層１６２は、感光性有機物質を含むことができる。第２の平坦化層１６２は、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）の有機絶縁物質で形成することができる。
【0140】
露光及び現像工程で、第２の平坦化層１６２をパターニングして、接続電極５００を露出するホールを形成する。前記ホールを形成するためのパターニング工程では、パッド領域ＰＡの第２の平坦化層１６２を除去することができる。
【0141】
その後、ホールを介して接続電極５００に接続される発光素子ＥＤの第１の電極６１０を形成する。第１の電極６１０は、第２の平坦化層１６２上に金属物質を蒸着した後、写真エッチング工程で金属物質をパターニングして形成することができる。第１の電極６１０の材料として用いられる金属物質は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、又はこれらの合金のうち少なくとも１つ以上で形成することができる。例えば、第１の電極６１０は、銀（Ａｇ）／鉛（Ｐｂ）／銅（Ｃｕ）の３層構造からなることができ、これに限定されない。
【0142】
第１の電極６１０を形成するためのエッチング工程は、第１のパッド電極３２２が、第２の層間絶縁層１５０で覆われた状態で進行する。第１のパッド電極３２２を第２の層間絶縁層１５０で覆った状態で、金属物質をエッチングして第１の電極６１０が形成されるため、前記エッチング工程中にメタルスカム（ｍｅｔａｌ ｓｃｕｍ）が発生しない。
【0143】
図５ｄを参照すると、表示領域ＤＡの第２の平坦化層１６２上に、発光領域と対応する第１の電極６１０を露出させるバンクホールを有するバンク層１７０及びスペーサ１７２を形成し、バンク層１７０、スペーサ１７２及びバンクホールを介して露出した第１の電極６１０上に発光層６２０を形成し、発光層６２０上に第２の電極６３０を形成した後、表示領域ＤＡ上に発光素子ＥＤを覆う封止層１８０を形成し、封止層１８０上にタッチバッファ層１９０を形成する。次に、表示領域ＤＡのタッチバッファ層１９０上に第１のタッチセンサ層７１０を形成する。
【0144】
続いて、表示領域ＤＡのタッチバッファ層１９０及びパッド領域ＰＡの第２層間絶縁層１５０上にタッチ絶縁層１９１を形成する。タッチ絶縁層１９１は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機絶縁物で形成することができる。
【0145】
その後、表示領域ＤＡのタッチ絶縁層１９１に、第１のタッチセンサ層７１０を露出するホールを形成する。表示領域ＤＡのタッチ絶縁層１９１にホールを形成する工程では、パッド領域ＰＡのタッチ絶縁層１９１に、第１のパッド電極３２２と重なる開口部を形成する。次に、タッチ絶縁層１９１の開口部の下部の第２の層間絶縁層１５０に、第１のパッド電極３２２の一部を露出する開口部を形成する。
【0146】
再び図４を参照すると、表示領域ＤＡに、ホールを介して第１のタッチセンサ層７１０と接続される第２のタッチセンサ層７２０を形成する。表示領域ＤＡに第２のタッチセンサ層７２０が形成されると、パッド領域ＰＡに表示パッドの第２のパッド電極７２２が形成される。第２のパッド電極７２２は、表示領域ＤＡに第２のタッチセンサ層７２０を形成する工程において、第２のタッチセンサ層７２０と共に形成することができる。したがって、第２のパッド電極７２２は、表示領域ＤＡの第２のタッチセンサ層７２０と同一物質で形成することができる。
【0147】
第２のタッチセンサ層７２０及び第２のパッド電極７２２は、金属物質で構成することができる。金属物質は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏなどの耐食性及び耐酸性が強く、導電性の良い金属を用いて、単層又は多層構造として形成することができる。例えば、金属物質は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ又はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏなどの積層された３層構造として形成することができる。
【0148】
その後、表示領域ＤＡのタッチ絶縁層１９１上に、第２のタッチセンサ層７２０を覆う平坦化層１９２を形成する。
【0149】
図６は、本開示の第１の実験例による有機発光表示装置のパッド領域の断面図である。
【0150】
図６を参照すると、第１の実験例による有機発光表示装置のパッド領域ＰＡは、基板１１０、下部バッファ層１２０、第２のゲート絶縁層１３０、ダミーパッド電極２２４、第１の層間絶縁層１４１、第２の層間絶縁層１５０、第１のパッド電極３３２、第２のパッド電極７２２、第２の平坦化層１６２、タッチ絶縁層１９１及び第３のパッド電極５１０を含む。
【0151】
表示パッドＤＰＡＤ′は、第１のパッド電極３３２、第２のパッド電極７２２、及び第３のパッド電極５１０から構成することができる。
【0152】
第１のパッド電極３３２は、表示領域ＤＡに第１、第２のソース電極３３０Ｓ、２３０Ｓ及び第１、第２のドレイン電極３３０Ｄ、２３０Ｄが形成されるとき、第１、第２のソース電極３３０Ｓ、２３０Ｓ及び第１、第２のドレイン電極３３０Ｄ、２３０Ｄと共に形成することができる。第３のパッド電極５１０は、表示領域ＤＡに接続電極５００が形成されるとき、接続電極５００と共に形成され得る。第２のパッド電極７２２は、表示領域ＤＡに第２のタッチセンサ層７２０が形成されるとき、第２のタッチセンサ層７２０と共に形成され得る。
【0153】
第１の実験例による有機発光表示装置は、本開示の前述した実施形態と異なり、第１のパッド電極３３２を第１、第２のソース電極３３０Ｓ、２３０Ｓ及び第１、第２のドレイン電極３３０Ｄ、２３０Ｄと同じ層に形成し、第３のパッド電極５１０を接続電極５００と同じ層に形成する。
【0154】
発光素子ＥＤの第１の電極６１０と接続電極５００とを接続するために、表示領域ＤＡの第２の平坦化層１６２にホールを形成する工程において、パッド領域ＰＡの第２の平坦化層１６２に、第３のパッド電極５１０を露出する開口部を形成する。接続電極５００及び第３のパッド電極５１０を覆う第２の平坦化層１６２が、感光性有機物質で構成され、１回のパターニングのみが可能であるため、表示領域ＤＡにホールを形成する工程において、パッド領域ＰＡに開口部を形成する。
【0155】
第２の平坦化層１６２に、ホール及び開口部を形成した後、表示領域ＤＡに発光素子ＥＤの第１の電極６１０を形成するために、第２の平坦化層１６２上に金属膜を形成し、金属膜をパターニングするためのエッチング工程を実施するが、金属膜をエッチングする工程が、開口部を介して第３のパッド電極５１０が露出した状態で進行するので、第３のパッド電極５１０の材料として用いられる金属物質（例えば、Ａｌ）と、第１の電極６１０の材料として用いられた金属物質（例えば、Ａｇ）との間のガルバニック効果（Ｇａｌｖａｎｉｃ ｅｆｆｅｃｔ）により、メタルスカム（ｍｅｔａｌ ｓｃｕｍ）が発生し、このメタルスカムにより、発光素子ＥＤの第１の電極６１０と、第２の電極６３０とがショート（ｓｈｏｒｔ）されて、暗点不良が発生する可能性がある。
【0156】
一方、第１の実験例では、第３のパッド電極５１０の端を、第３のパッド電極５１０上部の第２の平坦化層１６２で覆う。第２の平坦化層１６２は、有機絶縁物質であり、第２の平坦化層１６２の下部に配置される第２の層間絶縁層１５０及び第２の平坦化層１６２の上部に配置されるタッチ絶縁層１９１は、無機絶縁物質であるため、第２の層間絶縁層１５０と第２の平坦化層１６２との間、及び第２の平坦化層１６２とタッチ絶縁層１９１との間の接着力が低く、浮きが発生し、絶縁層が浮き上がって発生する力によって、表示パッドＤＰＡＤ′を構成するパッド電極３３２、５１０、７２２が剥離され、これにより、表示パッドＤＰＡＤ′上に実装される駆動ＩＣの信号が、表示領域に伝達できない不良が発生する可能性がある。
【0157】
【0158】
図７は、第１のパッド電極３３２、第２のパッド電極７２２及び第３のパッド電極５１０を積層して、表示パッドＤＰＡＤ′を構成した場合を示し、図８は、第２のパッド電極７２２及び第３のパッド電極５１０を積層して、表示パッドＤＰＡＤ″を構成した場合を示す。
【0159】
図７及び図８を参照すると、第２の平坦化層１６２が、第１の層間絶縁層１４１から剥離して浮き上がる現象が発生し、第２の平坦化層１６２が浮き上がって発生する力によって、第２のパッド電極７２２が上方に押されると、第２のパッド電極７２２が、第３のパッド電極５１０から剥離する不良が発生することを確認することができる。
【0160】
再び図４を参照すると、本開示の実施形態によれば、表示パッドの第１のパッド電極３２２を、第１のトランジスタＴ１の第１のゲート電極３２０と同じ層に形成し、第２のパッド電極３２２の端を、無機絶縁物質からなる第２の層間絶縁層１５０でクラッド（重畳及び直接接触）して、第１のパッド電極３２２の端をクラッドする絶縁層と、無機絶縁物からなる下部の第１のゲート絶縁層１４３及び上部のタッチ絶縁層１９１との接着力を高めることで、表示パッドＤＰＡＤの周辺で、絶縁層が剥離して浮き上がることを防止することができる。これにより、表示パッドＤＰＡＤ周辺の絶縁層が浮き上がって発生する力によって、表示パッドＤＰＡＤのパッド電極が剥離する不良を防止し、表示パッドＤＰＡＤ上に実装される駆動ＩＣ８００の信号が、表示領域に伝達されない不良を防止することができる。
【0161】
また、表示パッドの第１のパッド電極３２２を、第１のトランジスタＴ１の第１のゲート電極３２０と同じ層に同一物質で形成し、第２の層間絶縁層１５０で第１のパッド電極３２２を覆った状態で、発光素子ＥＤの第１の電極６１０を形成するためのエッチング工程を進めるので、第１の電極６１０を形成するためのエッチング工程中に、メタルスカム（ｍｅｔａｌ ｓｃｕｍ）が発生することを防止することができ、メタルスカムにより、発光素子ＥＤの第１の電極６１０と第２の電極６３０とがショートして、暗点不良が発生することを防止することができる。
【0162】
以上で説明した本明細書の実施形態による有機発光表示装置は、以下のように簡単に説明することができる。
【0163】
本明細書の実施形態は、表示領域及びパッド領域を含む基板上に配置された第１の無機絶縁層と、前記第１の無機絶縁層上に配置され、前記表示領域に位置する第１のトランジスタの第１のゲート電極及び前記パッド領域に位置する第１のパッド電極と、前記第１のゲート電極及び前記第１のパッド電極を覆い、前記第１のパッド電極の少なくとも一部を露出する開口部を有する第２の無機絶縁層と、前記表示領域における前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆う封止層と、前記封止層上に配置されたタッチセンサ層と、前記パッド領域における前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極と、及び前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極とを含む表示パッドを含む有機発光表示装置を提供することができる。
【0164】
本明細書の実施形態により、前記基板上に配置された第２のトランジスタをさらに含み、前記第１の無機絶縁層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極を覆う第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に配置されたバッファ層と、前記バッファ層上に配置された前記第１のトランジスタのゲート絶縁層を含む有機発光表示装置とを提供することができる。
【0165】
本明細書の実施形態により、前記第２の無機絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層と接触する有機発光表示装置を提供することができる。
【0166】
本明細書の実施形態により、前記第１のパッド電極と重なるダミーパッド電極をさらに含み、前記ダミーパッド電極は、前記第２のゲート電極と同じ層に同一物質からなっている有機発光表示装置を提供することができる。
【0167】
本明細書の実施形態により、前記第２のパッド電極は、前記タッチセンサ層と同じ層に同じ物質からなっている有機発光表示装置を提供することができる。
【0168】
本明細書の実施形態により、前記表示領域における前記封止層上に配置されたタッチバッファ層と、前記表示領域の前記タッチバッファ層及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上に配置されたタッチ絶縁層とをさらに含み、前記タッチセンサ層及び前記第２のパッド電極は、前記タッチ絶縁層上に配置され、前記タッチ絶縁層は、前記第２の無機絶縁層の開口部と接続された開口部を有する有機発光表示装置を提供することができる。
【0169】
本明細書の実施形態は、表示領域とパッド領域とを含む基板；前記基板上に配置された第１の無機絶縁層と、前記パッド領域における前記第１の無機絶縁層上に配置された第１のパッド電極と、前記第１の無機絶縁層及び前記第１のパッド電極上に配置され、前記第１のパッド電極の少なくとも一部を露出する開口部を有する第２の無機絶縁層と、前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記開口部を介して、前記第１のパッド電極と接続された第２のパッド電極と、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極を含む表示パッドを含む有機発光表示装置を提供することができる。
【0170】
本明細書の実施形態により、前記第２の無機絶縁層の下面と、前記第１の無機絶縁層の上面とが接触する有機発光表示装置を提供することができる。
【0171】
［１７１］本明細書の実施形態により、前記表示領域における前記第１の無機絶縁層及び前記第２の無機絶縁層との間に配置された第１のトランジスタの第１のゲート電極；前記第２の無機絶縁層上に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆う封止層と、前記封止層上に配置されたタッチセンサ層とをさらに含む有機発光表示装置を提供することができる。
【0172】
本明細書の実施形態により、前記第１のパッド電極は、前記第１のゲート電極と同じ層に同一物質からなっている有機発光表示装置を提供することができる。
【0173】
本明細書の実施形態により、前記第２のパッド電極は、前記タッチセンサ層と同じ物質からなっている有機発光表示装置を提供することができる。
【0174】
本明細書の実施形態により、前記表示領域における第１の無機絶縁層の下部に配置された第２のトランジスタの第２のゲート電極と、及び前記パッド領域における第１のパッド電極の下部に配置され、前記第１のパッド電極と重なるダミーパッド電極をさらに含み、前記ダミーパッド電極は、前記第２のゲート電極と同じ層に同一物質からなっている有機発光表示装置を提供することができる。
【0175】
本明細書の実施形態により、前記第１の無機絶縁層は、前記表示領域及び前記パッド領域の前記基板上に配置され、前記第２のゲート電極を覆う第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に配置されたバッファ層と、前記バッファ層上に配置された前記第１のトランジスタのゲート絶縁層を含む有機発光表示装置を提供することができる。
【0176】
本明細書の実施形態により、前記表示領域の前記封止層上に配置されたタッチバッファ層と、前記タッチバッファ層及び前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上に配置され、前記第２の無機絶縁層の開口部に接続された開口部を有するタッチ絶縁層とをさらに含み、前記タッチセンサ層及び前記第２のパッド電極は、前記タッチ絶縁層上に配置される有機発光表示装置を提供することができる。
【0177】
本明細書の実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、表示領域とパッド領域とを含む基板上に配置された第１の無機絶縁層を形成する段階と、前記表示領域の前記第１の無機絶縁層上に、第１のゲート電極を形成し、前記パッド領域の前記第１の無機絶縁層上に、第１のパッド電極を形成する段階と、前記第１の無機絶縁層上に、前記第１のゲート電極及び前記第１のパッド電極を覆う第２の無機絶縁層を形成する段階と、前記表示領域の前記第２の無機絶縁層上に、有機絶縁層を形成する段階と、前記有機絶縁層上に発光素子を形成する段階と、前記発光素子を覆う封止層を形成する段階；前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層に、前記第１のパッド電極の少なくとも一部を露出する開口部を形成する段階と、前記表示領域の前記封止層上にタッチセンサ層を形成し、前記パッド領域の前記第２の無機絶縁層上に、前記開口部を介して前記第１のパッド電極に接続される第２のパッド電極を形成する段階を含む、有機発光表示装置の製造方法を提供することができる。
【0178】
本明細書の実施形態により、前記発光素子を形成する段階において、前記第１のパッド電極が、前記第２の無機絶縁層で覆われている、有機発光表示装置の製造方法を提供することができる。
【0179】
本明細書の実施形態により、前記封止層を形成した後に、前記第２の無機絶縁層に開口部を形成する前に、前記封止層上にタッチバッファ層を形成する段階と、前記タッチバッファ層上にタッチ絶縁層を形成する段階と、前記第１のパッド電極の上部の前記タッチ絶縁層に開口部を形成する段階とをさらに含み、前記第２の無機絶縁層の開口部を、前記タッチ絶縁層の開口部の下部に形成する、有機発光表示装置の製造方法を提供することができる。
【0180】
本明細書の実施形態によれば、表示パッドのパッド電極を、第１のトランジスタ（駆動トランジスタ）のゲート電極と同じ層に構成し、第１のトランジスタのゲート電極の上部の無機絶縁層で表示パッドのパッド電極を覆った状態で、発光素子のアノード電極をパターニングすることにより、アノード電極をパターニングする工程中に、メタルスカムが生成することを防止することができ、メタルスカムにより、発光素子のアノード電極とカソード電極とが短絡して発生する暗点不良を防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供できる効果がある。
【0181】
本明細書の実施形態によれば、パッド電極の上部及び下部に、無機絶縁層を配置することにより、パッド電極の周辺で絶縁層間の浮き上がりを防止することができ、絶縁層が浮き上がって発生する力によって、表示パッドのパッド電極が剥離することを防止することで、パッド電極が剥離することにより、表示パッド上に実装される駆動ＩＣの信号が、表示領域に伝達できない不良が発生することを防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することができる効果がある。
【0182】
以上の説明は、本開示の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示が属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本開示の本質的な特性から逸脱しない範囲で、様々な修正及び変形が可能であろう。また、本開示に示された実施形態は、本開示の技術思想を限定するものではなく、説明するためのものであるので、これらの実施形態によって本開示の技術思想の範囲が限定されるものではない。
【符号の説明】
【0183】
１１０ 基板
１２０ 下部バッファ層
１３０ 第２のゲート絶縁層
１２０ 下部バッファ層
１３０ 第２のゲート絶縁層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図5d】
【図6】
【図7】
【図8】
