特開 2024-107709 基板処理装置およびチャックピン

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024107709

(43)【公開日】2024-08-09

(54)【発明の名称】基板処理装置およびチャックピン

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20240802BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240802BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

H01L21/304 643A

H01L21/304 648A

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023011787

(22)【出願日】2023-01-30

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼岡 誠

(72)【発明者】

【氏名】尾崎 広

(72)【発明者】

【氏名】冠 拓冶

(72)【発明者】

【氏名】蒲 裕充

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 駿介

【テーマコード（参考）】

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA37

5F131CA06

5F131DA32

5F131DA42

5F131DB02

5F131DB52

5F131DB57

5F131DB76

5F131DB82

5F131EA24

5F131EB32

5F131EB55

5F131HA09

5F131HA12

5F131HA13

5F157AA15

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB47

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157BA07

5F157BB23

5F157BB44

5F157CF92

5F157DB37

5F157DC90

(57)【要約】

【課題】把持部が設けられる箇所において基板処理が不十分になることを抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、台座と、台座の上面の周縁部に配置され、かつ、基板を把持する複数のチャックピンとを備え、チャックピンが、基板の径方向外側かつ斜め下方に延びる上面傾斜面と、基板の径方向外側かつ斜め上方に延びる下面傾斜面と、上面傾斜面と下面傾斜面とを接続する溝部とを有し、上面傾斜面の少なくとも一部が基板の上面の周縁部に接触し、かつ、下面傾斜面の少なくとも一部が基板の下面の周縁部に接触することで、基板を水平姿勢に把持する。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理装置であって、
台座と、
前記台座の上面の周縁部に配置され、かつ、基板を把持する複数のチャックピンとを備え、
前記チャックピンが、
前記基板の径方向外側かつ斜め下方に延びる上面傾斜面と、
前記基板の径方向外側かつ斜め上方に延びる下面傾斜面と、
前記上面傾斜面と前記下面傾斜面とを接続する溝部とを有し、
前記上面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の上面の周縁部に接触し、かつ、前記下面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の下面の周縁部に接触することで、前記基板を水平姿勢に把持する、
基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置であり、
前記溝部が、前記上面傾斜面および前記下面傾斜面から前記基板の径方向外側へと陥没するように形成される、
基板処理装置。

【請求項3】

請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
前記溝部の表面の少なくとも一部は、前記上面傾斜面と前記基板とが接触する部分において仮想的に設けられる前記基板の表面との接平面よりも前記基板の径方向において外側に形成され、かつ、
前記溝部の表面の少なくとも一部は、前記下面傾斜面と前記基板とが接触する部分において仮想的に設けられる前記基板の表面との接平面よりも前記基板の径方向において外側に形成される、
基板処理装置。

【請求項4】

請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
前記基板の下面に不活性ガスを供給する供給部をさらに備える、
基板処理装置。

【請求項5】

台座の上面の周縁部に配置され、基板を把持する複数のチャックピンであり、
前記基板の径方向外側かつ斜め下方に延びる上面傾斜面と、
前記基板の径方向外側かつ斜め上方に延びる下面傾斜面と、
前記上面傾斜面と前記下面傾斜面とを接続する溝部とを有し、
前記上面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の上面の周縁部に接触し、かつ、前記下面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の下面の周縁部に接触することで、前記基板を水平姿勢に把持する、
チャックピン。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願明細書に開示される技術は、基板処理技術に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

従来の基板処理においては、保持ピンなどによってスピンチャックに保持された基板に対し、処理液が供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第６１４３５７２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記のように基板に対して処理液を供給することによって行われる基板処理では、保持ピン（チャックピン）が設けられる箇所では基板と保持ピンとが近接して配置されるため、当該箇所において処理液が基板に対して十分に供給されずに、基板処理が不十分になる場合がある。

【0005】

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、チャックピンが設けられる箇所において基板処理が不十分になることを抑制するための技術である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板処理装置は、台座と、前記台座の上面の周縁部に配置され、かつ、基板を把持する複数のチャックピンとを備え、前記チャックピンが、前記基板の径方向外側かつ斜め下方に延びる上面傾斜面と、前記基板の径方向外側かつ斜め上方に延びる下面傾斜面と、前記上面傾斜面と前記下面傾斜面とを接続する溝部とを有し、前記上面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の上面の周縁部に接触し、かつ、前記下面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の下面の周縁部に接触することで、前記基板を水平姿勢に把持する。
本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板処理装置は、第１の態様である基板処理装置に関連し、前記溝部が、前記上面傾斜面および前記下面傾斜面から前記基板の径方向外側へと陥没するように形成される。
本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板処理装置は、第１または２の態様である基板処理装置に関連し、前記溝部の表面の少なくとも一部は、前記上面傾斜面と前記基板とが接触する部分において仮想的に設けられる前記基板の表面との接平面よりも前記基板の径方向において外側に形成され、かつ、前記溝部の表面の少なくとも一部は、前記下面傾斜面と前記基板とが接触する部分において仮想的に設けられる前記基板の表面との接平面よりも前記基板の径方向において外側に形成される。
本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板処理装置は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記基板の下面に不活性ガスを供給する供給部をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第５の態様であるチャックピンは、台座の上面の周縁部に配置され、基板を把持する複数のチャックピンであり、前記基板の径方向外側かつ斜め下方に延びる上面傾斜面と、前記基板の径方向外側かつ斜め上方に延びる下面傾斜面と、前記上面傾斜面と前記下面傾斜面とを接続する溝部とを有し、前記上面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の上面の周縁部に接触し、かつ、前記下面傾斜面の少なくとも一部が前記基板の下面の周縁部に接触することで、前記基板を水平姿勢に把持する。

【発明の効果】

【0007】

本願明細書に開示される技術の少なくとも第１、５の態様によれば、チャックピンが設けられる箇所において基板処理が不十分になることを抑制することができる。

【0008】

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を示す平面図である。

【図2】図１に例が示された制御部の構成の例を概念的に示す図である。

【図3】処理チャンバーの構成の例を示す断面図である。

【図4】スピンチャックの構成の例を示す平面図である。

【図5】可動ピンの近傍の構成の例を示す断面図である。

【図6】基板の周縁部の構成の例を示す図である。

【図7】図６に示される基板の周縁部を把持する把持部の構成の例を示す断面図である。

【図8】基板を把持する把持部の構成の変形例を示す断面図である。

【図9】基板処理装置で実行される基板処理の例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるために、それらのすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

【0011】

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされる。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

【0012】

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

【0013】

また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

【0014】

また、本願明細書に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

【0015】

また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。

【0016】

また、本願明細書に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「Ａの上面に設けられるＢ」と記載される場合、ＡとＢとの間に別の構成要素「Ｃ」が介在することを妨げるものではない。

【0017】

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置について説明する。

【0018】

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１の構成の例を示す平面図である。

【0019】

図１に例が示されるように、基板処理装置１は、半導体ウエハ（半導体基板）からなる円板状の基板Ｗを、処理液などで一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポート４００と、基板Ｗの姿勢を上下反転させる反転ユニット４０８と、基板Ｗを処理する複数の処理チャンバー４とを備える。

【0020】

反転ユニット４０８は、ロードポート４００と処理チャンバー４との間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。

【0021】

また、基板処理装置１は、ロードポート４００と反転ユニット４０８との間に配置されたインデクサロボット４０２と、反転ユニット４０８と処理チャンバー４との間に配置されたセンターロボット４０６と、基板処理装置１に備えられた装置の動作またはバルブの開閉を制御する制御部９０とを備える。

【0022】

インデクサロボット４０２は、ロードポート４００に保持されているキャリアＣから反転ユニット４０８に基板Ｗを一枚ずつ搬送し、反転ユニット４０８からロードポート４００に保持されているキャリアＣに基板Ｗを一枚ずつ搬送する。

【0023】

同様に、センターロボット４０６は、反転ユニット４０８から処理チャンバー４に基板Ｗを一枚ずつ搬送し、処理チャンバー４から反転ユニット４０８に基板Ｗを一枚ずつ搬送する。また、センターロボット４０６は、複数の処理チャンバー４の間で基板Ｗを搬送する。

【0024】

キャリアＣには、デバイス形成面である基板Ｗの表面Ｗａ（後述の図２など参照）が上に向けられた状態（上向き姿勢）で基板Ｗが収容されている。制御部９０は、インデクサロボット４０２によって、表面Ｗａが上向きの状態でキャリアＣから反転ユニット４０８に基板Ｗを搬送させる。そして、制御部９０は、反転ユニット４０８によって、基板Ｗを反転させる。これによって、基板Ｗの裏面Ｗｂ（後述の図２など参照）が上に向けられる。

【0025】

その後、制御部９０は、センターロボット４０６によって、裏面Ｗｂが上向きの状態で反転ユニット４０８から処理チャンバー４に基板Ｗを搬送させる。そして、制御部９０は、処理チャンバー４において基板Ｗの裏面Ｗｂを処理させる。

【0026】

基板Ｗの裏面Ｗｂが処理された後は、制御部９０は、センターロボット４０６によって、裏面Ｗｂが上向きの状態で処理チャンバー４から反転ユニット４０８に基板Ｗを搬送させる。そして、制御部９０は、反転ユニット４０８によって基板Ｗを反転させる。これによって、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。

【0027】

その後、制御部９０は、インデクサロボット４０２によって、表面Ｗａが上向きの状態で反転ユニット４０８からキャリアＣに基板Ｗを搬送させる。これによって、処理済みの基板ＷがキャリアＣに収容される。

【0028】

図２は、図１に例が示された制御部９０の構成の例を概念的に示す図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）９１、リードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）９２、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）９３、記憶装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互に接続するバスライン９５とを備える。

【0029】

ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として用いられる。記憶装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置などの不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネルなどによって構成されており、オペレータから処理レシピなどの入力設定指示を受ける。表示部９７は、たとえば、液晶表示装置およびランプなどによって構成されており、ＣＰＵ９１の制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ（ＬＡＮ）などを介してのデータ通信機能を有する。

【0030】

記憶装置９４には、図１の基板処理装置１におけるそれぞれの構成の制御についての複数のモードがあらかじめ設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、上記の複数のモードのうちの１つのモードが選択され、当該モードでそれぞれの構成が制御される。なお、処理プログラム９４Ｐは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また、制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要はなく、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

【0031】

図３は、処理チャンバー４の構成の例を示す断面図である。図３に例が示されるように、内部空間を有する箱形の処理チャンバー４は、内部で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（裏面Ｗｂ）に向けて、薬液（処理液）の一例としてのフッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_３）との混合液であるフッ硝酸を供給するための薬液供給ユニット７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にリンス液（処理液）としての水を供給するための水供給ユニット８と、基板Ｗの上面に接触して当該上面をスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ１０と、洗浄ブラシ１０を駆動するための洗浄ブラシ駆動ユニット１１と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（表面Ｗａ）に保護気体としての不活性ガスを供給するための保護気体供給ユニット１２と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ（図示しない）とを備える。

【0032】

図３に例が示されるように、スピンチャック５（台座）は、鉛直方向に沿う回転軸線Ａ１のまわりに回転可能な回転台１０７を備えている。回転台１０７の回転中心の下面にボス１０９を介して回転軸１０８が結合されている。回転軸１０８は、たとえば、回転軸１０８を駆動軸とする電動モータからの駆動力を受けて、回転軸線Ａ１まわりに回転する。

【0033】

図３に例が示されるように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿ってほぼ等間隔を開けて設けられた複数本（本実施の形態では６本）の可動ピン１１０（チャックピン）を備えている。それぞれの可動ピン１１０は、ほぼ水平な上面を有する回転台１０７から一定の間隔を開けた上方の基板保持高さにおいて、基板Ｗを水平に把持するように構成されている。

【0034】

回転台１０７は、水平面に沿った円盤状に形成されていて、回転軸１０８に結合されたボス１０９に結合されている。

【0035】

図４は、スピンチャック５の構成の例を示す平面図である。図４に例が示されるように、それぞれの可動ピン１１０は、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿って等間隔に配置されている。６本の可動ピン１１０は、互いに隣り合わない３本の可動ピン１１０ごとに、対応する駆動用永久磁石１５６Ａ、駆動用永久磁石１５６Ｂの磁極方向が共通する１つの群に設定されている。換言すると、６本の可動ピン１１０は、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０とを含む。

【0036】

図５は、可動ピン１１０の近傍の構成の例を示す断面図である。図５に例が示されるように、それぞれの可動ピン１１０は、回転台１０７に結合された下軸部１５１と、下軸部１５１の上端に一体的に形成された把持部１５２とを備える。把持部１５２は、下軸部１５１の中心軸線から偏心して設けられている（軸線Ｂを参照）。

【0037】

図５に例が示されるように、それぞれの可動ピン１１０は、下軸部１５１がその中心軸線と同軸の回転軸線Ａ３まわりに回転可能であるように回転台１０７に結合されている。より詳細には、下軸部１５１の下端部には、回転台１０７に対して軸受け１５４を介して支持された支持軸１５５が設けられている。支持軸１５５の下端には、駆動用永久磁石（駆動用永久磁石１５６Ａまたは駆動用永久磁石１５６Ｂ）を保持する磁石保持部材１５７が結合されている。駆動用永久磁石１５６Ａおよび駆動用永久磁石１５６Ｂは、たとえば、磁極方向を可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向に向けて配置されている。

【0038】

回転台１０７には、可動ピン１１０の数と同数の閉塞永久磁石１２１および閉塞永久磁石１２２が設けられている。閉塞永久磁石１２１および閉塞永久磁石１２２は、可動ピン１１０に１対１対応で設けられており、対応する可動ピン１１０に隣接して配置されている。

【0039】

本実施の形態では、閉塞永久磁石１２１および閉塞永久磁石１２２は、対応する可動ピン１１０の周囲において、可動ピン１１０の平面視での中心位置よりも、回転軸線Ａ１から離反する方向に寄って配置されている。それぞれの閉塞永久磁石１２１および閉塞永久磁石１２２は、対応する磁石保持部材１５７に隣接して設けられた磁石保持部材１２３に収容されている。

【0040】

閉塞永久磁石１２１は、駆動用永久磁石１５６Ａに対応し、閉塞永久磁石１２２は、駆動用永久磁石１５６Ｂに対応している。閉塞永久磁石１２１および駆動用永久磁石１５６Ａは、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。

【0041】

前述のように、駆動用永久磁石１５６Ａおよび駆動用永久磁石１５６Ｂは、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。閉塞永久磁石１２１および閉塞永久磁石１２２は、対応する駆動用永久磁石１５６Ａおよび駆動用永久磁石１５６Ｂに磁力を付与して、対応する可動ピン１１０の把持部１５２を保持位置に付勢するために設けられている。したがって、閉塞永久磁石１２１および閉塞永久磁石１２２も、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。

【0042】

駆動用永久磁石１５６Ａは、閉塞永久磁石１２１からの吸引磁力を受け、把持部１５２を回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動させている。つまり、可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の把持部１５２は、閉塞永久磁石１２１の吸引磁力により保持位置へと付勢されている。

【0043】

駆動用永久磁石１５６Ｂは、閉塞永久磁石１２２からの吸引磁力を受け、把持部１５２を回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動させている。つまり、可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の把持部１５２は、閉塞永久磁石１２２の吸引磁力により保持位置へと付勢されている。

【0044】

したがって、駆動用永久磁石１５６Ａおよび駆動用永久磁石１５６Ｂが次に述べる開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７からの吸引磁力を受けないときには、回転軸線Ａ１から離れた保持位置に可動ピン１１０が位置している。

【0045】

図３に例が示されるように、回転台１０７の下方には、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７が設けられている。開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７の磁極方向は、ともに上下方向に沿う方向であるが互いに逆向きである。開放永久磁石１２５の上面がたとえば、Ｎ極である場合には、開放永久磁石１２７の上面は逆極性のＳ極を有している。

【0046】

本実施の形態では、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７はそれぞれ３つずつ（可動ピン群１１１および可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の数と同数）設けられている。３つの駆動用永久磁石１５６Ａおよび３つの駆動用永久磁石１５６Ａは、平面視で、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。

【0047】

３つの開放永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状を成し、互いに共通の高さ位置で、回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置されている。３つの開放永久磁石１２５は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。それぞれの開放永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。

【0048】

開放永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。

【0049】

開放永久磁石１２５には、当該複数の開放永久磁石１２５を一括して昇降させる昇降ユニット１２６が連結されている。昇降ユニット１２６は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、昇降ユニット１２６が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、昇降ユニット１２６は開放永久磁石１２５を個別に昇降させるようにしてもよい。

【0050】

開放永久磁石１２５は、駆動用永久磁石１５６Ａとの間に吸引磁力を発生させ、当該吸引磁力によって、可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の把持部１５２を、開放位置へと付勢するための磁石である。開放永久磁石１２５が、磁極が駆動用永久磁石１５６Ａに対して上下方向に接近する上位置に配置され、かつ、開放永久磁石１２５が駆動用永久磁石１５６Ａに横方向に対向する状態では、開放永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６Ａとの間に磁力（吸引磁力）が作用する。

【0051】

３つの開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなし、互いに共通の高さ位置で、回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置されている。３つの開放永久磁石１２７は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。それぞれの開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。

【0052】

開放永久磁石１２７には、当該複数の開放永久磁石１２７を一括して昇降させる昇降ユニット１２８が連結されている。昇降ユニット１２８は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、昇降ユニット１２８が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、昇降ユニット１２８は開放永久磁石１２７を個別に昇降させるようにしてもよい。

【0053】

開放永久磁石１２７は、駆動用永久磁石１５６Ｂとの間に吸引磁力を発生させ、当該吸引磁力によって、可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の把持部１５２を、開放位置へと付勢するための磁石である。開放永久磁石１２７が、磁極が駆動用永久磁石１５６Ｂに対して上下方向に接近する上位置に配置され、かつ、開放永久磁石１２７が駆動用永久磁石１５６Ｂに横方向に対向する状態では、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６Ｂとの間に磁力（吸引磁力）が作用する。

【0054】

開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７をそれぞれ昇降ユニット１２６および昇降ユニット１２８を用いて昇降させる。そのため、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７を互いに独立して行うことができる。

【0055】

図３に例が示されるように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面と可動ピン１１０による基板保持高さとの間に配置された保護ディスク１１５を備えている。保護ディスク１１５は、回転台１０７に対して上下動可能に結合されており、回転台１０７の上面に近い下位置と、当該下位置よりも上方において可動ピン１１０に保持された基板Ｗの下面に微小間隔を開けて接近した接近位置との間で移動可能である。

【0056】

保護ディスク１１５は、基板Ｗよりも僅かに大径の大きさを有する円盤状の部材であって、可動ピン１１０に対応する位置には当該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１１６が形成されている。

【0057】

回転軸１０８は、中空軸であって、その内部に、不活性ガス供給管１７０が挿通されている。不活性ガス供給管１７０の下端には不活性ガス供給源からの、保護気体の一例としての不活性ガスを導く不活性ガス供給路１７２が結合されている。不活性ガス供給路１７２に導かれる不活性ガスとして、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）または窒素ガスなどの不活性ガスを例示することができる。不活性ガス供給路１７２の途中には、不活性ガスバルブ１７３および不活性ガス流量調整バルブ１７４が介装されている。不活性ガスバルブ１７３は、不活性ガス供給路１７２を開閉する。不活性ガスバルブ１７３を開くことによって、不活性ガス供給管１７０へと不活性ガスが送り込まれる。この不活性ガスは、後述する構成によって、保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に供給される。このように、不活性ガス供給管１７０、不活性ガス供給路１７２および不活性ガスバルブ１７３などによって、前述の保護気体供給ユニット１２が構成されている。

【0058】

保護ディスク１１５の上面の周縁部は、円環状の円環カバー１９１によって保護されている。

【0059】

図３に例が示されるように、薬液供給ユニット１３は、薬液を把持された状態の基板Ｗの上面に向けて吐出する薬液ノズル６と、薬液ノズル６が先端部に取り付けられたノズルアーム２１と、ノズルアーム２１を移動させることによって、薬液ノズル６を移動させるノズル移動ユニット２２とを備える。

【0060】

薬液ノズル６は、たとえば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、たとえば、基板Ｗの上面に垂直な方向に薬液を吐出する垂直姿勢でノズルアーム２１に取り付けられている。ノズルアーム２１は水平方向に延びており、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる所定の揺動軸線（図示しない）まわりに旋回可能に設けられている。

【0061】

薬液供給ユニット１３は、薬液ノズル６に薬液を案内する薬液配管１４と、薬液配管１４を開閉する薬液バルブ１５とを備える。薬液バルブ１５が開かれると、薬液供給源からの薬液が、薬液配管１４から薬液ノズル６に供給される。これによって、薬液が、薬液ノズル６から吐出される。

【0062】

ノズル移動ユニット２２は、揺動軸線まわりにノズルアーム２１を旋回させることによって、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル６を水平に移動させる。ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル６が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。さらに、ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出された薬液が基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル６から吐出された薬液が基板Ｗの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。

【0063】

なお、薬液ノズル６は、吐出口が基板Ｗの上面の所定位置（たとえば、中央部）に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。

【0064】

図３に例が示されるように、水供給ユニット８は水ノズル４１を備える。水ノズル４１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を把持された状態の基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル４１には、水供給源からの水が供給される水配管４２が接続されている。水配管４２の途中部には、水ノズル４１からの水の供給／供給停止を切り替えるための水バルブ４３が介装されている。水バルブ４３が開かれると、水配管４２から水ノズル４１に供給された連続流の水が、水ノズル４１の下端に設定された吐出口から吐出される。また、水バルブ４３が閉じられると、水配管４２から水ノズル４１への水の供給が停止される。水は、たとえば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ以上、かつ、１００ｐｐｍ以下程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

【0065】

なお、水ノズル４１は、それぞれ、スピンチャック５に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、スピンチャック５の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの上面における水の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。

【0066】

洗浄ブラシ１０は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。洗浄ブラシ１０は、その下面に、平坦状の洗浄面１０ａを有している。洗浄面１０ａが、基板Ｗの上面と接触する接触面として機能する。

【0067】

洗浄ブラシ駆動ユニット１１は、洗浄ブラシ１０を先端部に保持する揺動アーム４７と、揺動アーム４７を駆動するためのアーム駆動ユニット４８とを含む。アーム駆動ユニット４８は、揺動アーム４７を、鉛直方向に延びる揺動軸線Ａ２回りに揺動させたり、揺動アーム４７を上下動させたりすることができるように構成されている。この構成によって、基板Ｗがスピンチャック５に保持されて回転しているときに、洗浄ブラシ１０を、基板Ｗの上方の位置と、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置との間で水平に移動させることができる。

【0068】

さらに、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの上面（裏面Ｗｂ）に押し付け、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で基板Ｗの半径方向に移動（スキャン）させることもできる。

【0069】

このスクラブ洗浄の際に、水ノズル４１から水（たとえば、純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ：脱イオン水））が供給されることによって、基板Ｗの裏面Ｗｂの異物が取れやすくなり、また、洗浄ブラシ１０によって擦り落とされた異物を基板Ｗ外へと排出することができる。

【0070】

＜把持部の構成について＞
図６は、基板Ｗの周縁部の構成の例を示す図である。図６に例が示されるように、基板Ｗの周縁部は、水平で平坦な環状の上面である上面平坦部５００と、上面平坦部５００の外端から斜め下に外方に延びる環状の上面傾斜部５０２と、水平で平坦な環状の下面である下面平坦部５０４と、下面平坦部５０４の外端から斜め上に外方に延びる環状の下面傾斜部５０６と、上面傾斜部５０２の外端および下面傾斜部５０６の外端に連続する環状の先端５０８とを含む。

【0071】

図７は、図６に示される基板Ｗの周縁部を把持する把持部１５２の構成の例を示す断面図である。図７に例が示されるように、把持部１５２は、基板Ｗの周縁部における上面傾斜部５０２および下面傾斜部５０６に接触して、基板Ｗを把持する。なお、把持部１５２は、１つの下軸部１５１に対して１つが設けられる場合に限られず、１つの下軸部１５１に対して複数の把持部１５２が設けられる場合であってもよい。

【0072】

把持部１５２は、基板Ｗの上面傾斜部５０２に接触する上面接触部１５２Ａと、基板Ｗの下面傾斜部５０６に接触する下面接触部１５２Ｂと、上面接触部１５２Ａと下面接触部１５２Ｂとを接続する溝部１５２Ｃとを備える。図７においては、上面接触部１５２Ａと下面接触部１５２Ｂと溝部１５２Ｃとが一体的に形成されているが、これらが分離可能に組み立てられていてもよい。

【0073】

上面接触部１５２Ａは、接触箇所Ｘ１において基板Ｗの上面傾斜部５０２に接触する。下面接触部１５２Ｂは、接触箇所Ｘ２において基板Ｗの下面傾斜部５０６に接触する。上面接触部１５２Ａは、溝部１５２Ｃの中心線ＣＬからの開き角がＲ２である上面傾斜面２５２Ａを備える。上面傾斜面２５２Ａは、基板Ｗの径方向外側に向かって斜め下方に延びて形成される。接触箇所Ｘ１は、上面傾斜面２５２Ａの端部に相当する。同様に、下面接触部１５２Ｂは、溝部１５２Ｃの中心線ＣＬからの開き角がＲ２である下面傾斜面２５２Ｂを備える。下面傾斜面２５２Ｂは、基板Ｗの径方向外側に向かって斜め上方に延びて形成される。接触箇所Ｘ２は、下面傾斜面２５２Ｂの端部に相当する。基板Ｗに対し、上面傾斜面２５２Ａの一部および下面傾斜面２５２Ｂの一部がそれぞれ基板Ｗの周縁部に接触することによって、基板Ｗが水平姿勢で把持される。

【0074】

溝部１５２Ｃは、基板Ｗの先端５０８から離間する内側面２５２Ｃを備える。すなわち、内側面２５２Ｃは、上面傾斜面２５２Ａおよび下面傾斜面２５２Ｂから基板Ｗの径方向外側へと陥没している。内側面２５２Ｃの、中心線ＣＬからの開き角はＲ１である。図７の断面において、内側面２５２Ｃは曲面形状であるが、内側面２５２Ｃが中心線ＣＬ上に角を有する平面形状などであってもよい。

【0075】

図７において、Ｒ２は、Ｒ１よりも大きい角度である。図７の断面において、上面傾斜面２５２Ａおよび下面傾斜面２５２Ｂは凹凸がない平面形状であるが、上面傾斜面２５２Ａおよび下面傾斜面２５２Ｂが曲面形状であってもよい。

【0076】

ここで、接触箇所Ｘ１における上面傾斜部５０２の接平面Ｙ１（図７では、上面傾斜面２５２Ａに沿う平面）と、接触箇所Ｘ２における下面傾斜部５０６の接平面Ｙ２（図７では、下面傾斜面２５２Ｂに沿う平面）とで規定される、基板Ｗを含む領域（基板Ｗの先端５０８の径方向外側の、接平面Ｙ１と接平面Ｙ２とに囲まれる空間を含む）を基板領域Ｙとする。そうすると、溝部１５２Ｃの内側面２５２Ｃは、基板領域Ｙの外側（基板Ｗの径方向外側）に位置していることが分かる。すなわち、溝部１５２Ｃの表面の少なくとも一部は、上面傾斜面２５２Ａと基板Ｗとが接触する接触箇所Ｘ１において仮想的に設けられる基板Ｗの表面との接平面Ｙ１よりも基板Ｗの径方向において外側に形成される。また、溝部１５２Ｃの表面の少なくとも一部は、下面傾斜面２５２Ｂと基板Ｗとが接触する接触箇所Ｘ２において仮想的に設けられる基板Ｗの表面との接平面Ｙ２よりも基板Ｗの径方向において外側に形成される。

【0077】

内側面２５２Ｃが基板領域Ｙの外側に位置することによって、内側面２５２Ｃと基板Ｗの先端５０８との間に十分な空間が形成される。よって、当該空間に処理液が流れ込みやすくなる。

【0078】

発明者らは、従来の可動ピンと、本実施の形態で示された可動ピン１１０とで、基板Ｗに形成された膜（酸化膜）のウェットエッチング処理における当該膜の残存について比較を行った。なお、従来の可動ピンでは、可動ピン１１０における溝部１５２Ｃの内側面２５２Ｃに相当する内側面が、上面傾斜面２５２Ａおよび下面傾斜面２５２Ｂが延長された面となっており、基板Ｗの先端５０８と対向する内側面との間の空間が、本実施の形態における可動ピン１１０よりも狭くなっている。

【0079】

上記の比較の結果、内側面２５２Ｃと対向する部分の基板Ｗの周縁部において、本実施の形態における可動ピン１１０では十分に膜が除去されていたのに対して、従来の可動ピンでは膜が残存していた。すなわち、本実施の形態に示された可動ピン１１０によれば、内側面２５２Ｃと対向する部分の基板Ｗの周縁部において、処理液が十分に流れ込まないことに起因する膜の残存を抑制することができる。

【0080】

本実施の形態に示されるような、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたデバイス構造を保護するために基板Ｗの下面から不活性ガスが吹き付けられつつ行われる基板Ｗの上面の液処理では、可動ピン１１０に供給される処理液は基板Ｗの上面からのものに限定されてしまう。そのため、このような液処理の場合には特に、本実施の形態で示される可動ピン１１０のように、内側面２５２Ｃと対向する部分の基板Ｗの周縁部に処理液を流れ込ませて、膜の残存を抑制することが有効である。

【0081】

ここで、上記の接平面Ｙ１（または接平面Ｙ２）は、曲面である上面傾斜部５０２（または下面傾斜部５０６）の接平面として定義されたが、たとえば、接触箇所Ｘ１（または接触箇所Ｘ２）における基板Ｗの形状が平面である場合には、当該平面に沿う面を接平面Ｙ１（または接平面Ｙ２）として定義してもよい。

【0082】

図８は、基板Ｗを把持する把持部の構成の変形例を示す断面図である。

【0083】

図８に示されるように、把持部３５２は、基板Ｗの周縁部における上面傾斜部５０２および下面傾斜部５０６に接触して、基板Ｗを把持する。

【0084】

把持部３５２は、基板Ｗの上面傾斜部５０２に接触する上面接触部３５２Ａと、基板Ｗの下面傾斜部５０６に接触する下面接触部３５２Ｂと、上面接触部３５２Ａと下面接触部３５２Ｂとを接続する溝部３５２Ｃとを備える。図８においては、上面接触部３５２Ａと下面接触部３５２Ｂと溝部３５２Ｃとが一体的に形成されているが、これらが分離可能に組み立てられていてもよい。

【0085】

上面接触部３５２Ａは、接触箇所Ｘ３において基板Ｗの上面傾斜部５０２に接触する。下面接触部３５２Ｂは、接触箇所Ｘ４において基板Ｗの下面傾斜部５０６に接触する。上面接触部３５２Ａは、溝部３５２Ｃの中心線ＣＬからの開き角がＲ２である上面傾斜面４５２Ａを備える。上面傾斜面４５２Ａは、基板Ｗの径方向外側に向かって斜め下方に延びて形成される。接触箇所Ｘ３は、上面傾斜面４５２Ａ内の箇所である。同様に、下面接触部３５２Ｂは、溝部３５２Ｃの中心線ＣＬからの開き角がＲ２である下面傾斜面４５２Ｂを備える。下面傾斜面４５２Ｂは、基板Ｗの径方向外側に向かって斜め上方に延びて形成される。接触箇所Ｘ４は、下面傾斜面４５２Ｂ内の箇所である。

【0086】

溝部３５２Ｃは、基板Ｗの先端５０８から離間する内側面４５２Ｃを備える。すなわち、内側面４５２Ｃは、上面傾斜面４５２Ａおよび下面傾斜面４５２Ｂから基板Ｗの径方向外側へと陥没している。内側面４５２Ｃの、中心線ＣＬからの開き角はＲ３である。図８の断面において、内側面４５２Ｃは曲面形状であるが、内側面４５２Ｃが中心線ＣＬ上に角を有する平面形状などであってもよい。

【0087】

図８において、Ｒ２は、Ｒ３よりも大きい角度である。図８の断面において、上面傾斜面４５２Ａおよび下面傾斜面４５２Ｂは凹凸がない平面形状であるが、上面傾斜面４５２Ａおよび下面傾斜面４５２Ｂが曲面形状であってもよい。

【0088】

ここで、接触箇所Ｘ３における上面傾斜部５０２の接平面Ｙ１（図８では、上面傾斜面４５２Ａに沿う平面）と、接触箇所Ｘ４における下面傾斜部５０６の接平面Ｙ２（図８では、下面傾斜面４５２Ｂに沿う平面）とで規定される、基板Ｗを含む領域（基板Ｗの先端５０８の径方向外側の、接平面Ｙ１と接平面Ｙ２とに囲まれる空間を含む）を基板領域Ｙとする。そうすると、溝部３５２Ｃの内側面４５２Ｃは、基板領域Ｙの外側（基板Ｗの径方向外側）に位置していることが分かる。すなわち、溝部３５２Ｃの表面の少なくとも一部は、上面傾斜面４５２Ａと基板Ｗとが接触する接触箇所Ｘ３において仮想的に設けられる基板Ｗの表面との接平面Ｙ１よりも基板Ｗの径方向において外側に形成される。また、溝部３５２Ｃの表面の少なくとも一部は、下面傾斜面４５２Ｂと基板Ｗとが接触する接触箇所Ｘ４において仮想的に設けられる基板Ｗの表面との接平面Ｙ２よりも基板Ｗの径方向において外側に形成される。

【0089】

内側面４５２Ｃが基板領域Ｙの外側に位置することによって、内側面４５２Ｃと基板Ｗの先端５０８との間に十分な空間が形成される。よって、当該空間に処理液が流れ込みやすくなる。

【0090】

ここで、上記の接平面Ｙ１（または接平面Ｙ２）は、曲面である上面傾斜部５０２（または下面傾斜部５０６）の接平面として定義されたが、たとえば、接触箇所Ｘ３（または接触箇所Ｘ４）における基板Ｗの形状が平面である場合には、当該平面に沿う面を接平面Ｙ１（または接平面Ｙ２）として定義してもよい。

【0091】

＜基板処理装置の動作について＞
図９は、基板処理装置１で実行される基板処理の例を示すフローチャートである。

【0092】

まず、制御部９０は、インデクサロボット４０２によって、キャリアＣから反転ユニット４０８に表面Ｗａが上向きの状態で基板Ｗを搬送させる。そして、制御部９０は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニット４０８によって反転させる（ステップＳ１）。これによって、基板Ｗの裏面Ｗｂが上に向けられる。

【0093】

その後、制御部９０は、センターロボット４０６のハンドによって、反転ユニット４０８から基板Ｗを取り出し、その裏面Ｗｂを上方に向けた状態で処理チャンバー４内に搬入させる（ステップＳ２）。

【0094】

基板Ｗの搬入に先立って、薬液ノズル６は、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、洗浄ブラシ１０も、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。それぞれの開放永久磁石１２５とそれぞれの駆動用永久磁石１５６Ａとの角度位置が互いに対向し、かつ、それぞれの開放永久磁石１２７と、それぞれの駆動用永久磁石１５６Ｂとの角度位置が互いに対向する対向状態となるように、回転台１０７の回転方向姿勢が決められている。また、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７はともに上位置に配置されている。

【0095】

この状態では、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０、および、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０のいずれも、すなわち、６本の可動ピン１１０のすべてが開放位置に配置されている。

【0096】

また、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン１１０による基板保持高さと保護ディスク１１５の上面との間には、センターロボット４０６のハンドが入り込むことができる十分な空間が確保されている。

【0097】

センターロボット４０６のハンドは、可動ピン１１０の上端よりも高い位置で基板Ｗを保持した状態で当該基板Ｗをスピンチャック５の上方まで搬送する。その後、センターロボット４０６のハンドは、回転台１０７の上面に向かって下降する。

【0098】

次いで、制御部９０は、昇降ユニット１２６および昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７を下位置に向けて下降させ、下位置のまま保持する（ステップＳ３）。それによって、すべての可動ピン１１０が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。よって、６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが把持される。

【0099】

その後、センターロボット４０６のハンドは、可動ピン１１０の間を通ってスピンチャック５の側方へと退避していく。

【0100】

また、制御部９０は、保護ディスク１１５を回転台１０７の上面から基板Ｗに向かって浮上させる。そして、開放永久磁石１２５が上位置に達すると、保護ディスク１１５が基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に微小間隔を開けて接近した接近位置に達する。これによって、保護ディスク１１５は、接近位置に保持されることになる。

【0101】

この状態で、制御部９０は不活性ガスバルブ１７３を開き、不活性ガスの供給を開始する（ステップＳ４）。供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出され、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。

【0102】

その後、制御部９０の制御によって、回転台１０７の回転を開始し、これによって、基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる（ステップＳ５）。基板Ｗの回転速度は、あらかじめ定められる液処理速度（たとえば、３００ｒｐｍ以上、かつ、１５００ｒｐｍ以下の範囲内で、たとえば、５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。

【0103】

基板Ｗの回転速度が液処理速度に達した後、制御部９０は、薬液を基板Ｗの裏面Ｗｂに供給する薬液供給工程（ステップＳ６）を行う。薬液供給工程（ステップＳ６）では、制御部９０は、ノズル移動ユニット２２を制御することによって、薬液ノズル６をホーム位置から中央位置に移動させる。これによって、薬液ノズル６が基板Ｗの中央部の上方に配置される。薬液ノズル６が基板Ｗの上方に配置された後、制御部９０は、薬液バルブ１５を開くことによって、薬液ノズル６の吐出口から薬液が吐出され、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの裏面Ｗｂを周縁部に向けて放射状に広がる。そのため、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域に薬液が行き渡らせることができる。

【0104】

薬液供給工程（ステップＳ６）では、薬液に含まれるフッ酸の酸化膜エッチング作用によって、基板Ｗの裏面Ｗｂに形成されている傷（欠け、凹みなど）が除去され、また、基板Ｗの裏面Ｗｂから異物（パーティクル、不純物、当該基板Ｗの裏面Ｗｂの剥れなど）も除去される。

【0105】

薬液供給工程（ステップＳ６）において、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出された不活性ガスは、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。

【0106】

薬液供給工程（ステップＳ６）では、基板Ｗがそれぞれの可動ピン１１０によって把持されている。ここで、図７（または図８）に示されたように、可動ピン１１０の把持部１５２（または把持部３５２）の溝部１５２Ｃ（または溝部３５２Ｃ）の内側面２５２Ｃ（または内側面４５２Ｃ）が、基板領域Ｙの外側に位置しているため、薬液が基板Ｗの先端５０８と内側面２５２Ｃ（または内側面４５２Ｃ）との間の空間にも十分に流れ込む。よって、基板Ｗの、把持部１５２（または把持部３５２）によって把持されている箇所も適切に薬液処理が行われ、当該箇所に除去されなかった膜が残存するなどの不具合を抑制することができる。

【0107】

また、薬液供給工程（ステップＳ６）では、当該工程の実行中に、基板Ｗを３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とを切り替える。

【0108】

具体的には、薬液の吐出開始から所定の期間が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２６を制御して、それまで下位置にあった開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これによって、開放永久磁石１２５を上位置に配置し、かつ、開放永久磁石１２７を下位置に配置した状態となり、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これによって、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0109】

開放永久磁石１２５の上昇から所定の期間（たとえば、１０秒間）が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２６を制御して、開放永久磁石１２５を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これによって、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７をともに下位置に配置した状態となり、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０が開放位置へと復帰し、これによって、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0110】

開放永久磁石１２５の下降から所定の期間（たとえば、３秒間）が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２８を制御して、それまで下位置にあった開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これによって、開放永久磁石１２７を上位置に配置し、かつ、開放永久磁石１２５を下位置に配置した状態となり、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これによって、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0111】

開放永久磁石１２７の上昇から所定の期間（たとえば、１０秒間）が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これによって、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７をともに下位置に配置した状態となり、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０が開放位置へと復帰し、これによって、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0112】

薬液の吐出開始から所定の期間が経過すると、薬液供給工程（ステップＳ６）が終了する。具体的には、制御部９０は、薬液バルブ１５を閉じて、薬液ノズル６からの薬液の吐出を停止させる。また、制御部９０は、薬液ノズル６を中央位置からホーム位置に移動させる。これによって、薬液ノズル６が基板Ｗの上方から退避させられる。

【0113】

薬液供給工程（ステップＳ６）の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給開始される（ステップＳ７）。

【0114】

具体的には、制御部９０は、水バルブ４３を開いて、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に向けて水ノズル４１から水を吐出させる。水ノズル４１から吐出された水は、薬液によって覆われている基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液した水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの裏面Ｗｂ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れ、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域へと広がる。そのため、基板Ｗ上の薬液が、水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これによって、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着した薬液が水に置換される。

【0115】

リンス工程（ステップＳ７）では、基板Ｗがそれぞれの可動ピン１１０によって把持されている。ここで、図７（または図８）に示されたように、可動ピン１１０の把持部１５２（または把持部３５２）の溝部１５２Ｃ（または溝部３５２Ｃ）の内側面２５２Ｃ（または内側面４５２Ｃ）が、基板領域Ｙの外側に位置しているため、リンス液が基板Ｗの先端５０８と内側面２５２Ｃ（または内側面４５２Ｃ）との間の空間にも十分に流れ込む。よって、基板Ｗの、把持部１５２（または把持部３５２）によって把持されている箇所も適切にリンス処理が行われ、当該箇所に薬液が残存するなどの不具合を抑制することができる。

【0116】

また、リンス工程（ステップＳ７）では、当該工程の実行中に、基板Ｗを３本の可動ピン１１０で支持する。さらに、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態と、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗを接触支持している状態とを切り替える。

【0117】

具体的には、水の吐出開始から所定の期間が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２６を制御して、それまで下位置にあった開放永久磁石１２５を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これによって、可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0118】

開放永久磁石１２５の上昇から所定の期間（たとえば、１０秒間）が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２６を制御して、開放永久磁石１２５を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これによって、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0119】

開放永久磁石１２５の下降から所定の期間（たとえば、３秒間）が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２８を制御して、それまで下位置にあった開放永久磁石１２７を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これによって、可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0120】

開放永久磁石１２７の上昇から所定の期間（たとえば、１０秒間）が経過すると、制御部９０は、昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これによって、再び、合計６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが接触支持されている状態になる。

【0121】

水の吐出開始から、所定の期間が経過すると、制御部９０は、アーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０による基板Ｗの裏面Ｗｂのスクラブ洗浄を実行する（ステップＳ８）。これによって、基板Ｗの裏面Ｗｂに対して、水を供給しながら洗浄ブラシ１０によるスクラブ洗浄が行われる。

【0122】

具体的には、制御部９０は、アーム駆動ユニット４８を制御して、揺動アーム４７を揺動軸線Ａ２周りに揺動させて、洗浄ブラシ１０をホーム位置から基板Ｗの上方へ配置させるとともに、洗浄ブラシ１０を降下させて、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの裏面Ｗｂに押し付ける。そして、制御部９０は、アーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で移動（スキャン）させる。これによって、洗浄ブラシ１０の押付け位置が基板Ｗの裏面Ｗｂの全域を走査し、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域が洗浄ブラシ１０によりスクラブされる。

【0123】

ブラシ洗浄工程（ステップＳ８）では、薬液供給工程（ステップＳ６）で剥離された異物が、洗浄ブラシ１０によるスクラブにより掻き取られる。そして、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物は、水により洗い流される。これによって、剥離された異物を基板Ｗの裏面Ｗｂから除去することができる。

【0124】

洗浄ブラシ１０の往動があらかじめ定める回数（たとえば、４回）行われた後、制御部９０は、アーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０をスピンチャック５の上方からホーム位置に戻す。これによって、ブラシ洗浄工程（ステップＳ８）は終了する。

【0125】

また、制御部９０は、水バルブ４３を開いたままの状態に維持する。これによって、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給され、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物が基板Ｗ外に排出される（ステップＳ９）。

【0126】

水の供給開始から所定の期間が経過すると、制御部９０は、水バルブ４３を閉じて、水ノズル４１からの水の吐出を停止させる。また、制御部９０は、不活性ガスバルブ１７３を閉じて、不活性ガス供給管１７０からの不活性ガスの吐出を停止させる。また、制御部９０は、昇降ユニット１２６を制御して、開放永久磁石１２５を下位置まで下降させる。これ以降は、基板Ｗは６本の可動ピン１１０によって挟持され、これにより基板Ｗが強固に保持される。

【0127】

次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ１０）が行われる。具体的には、制御部９０は、スピンチャック５を制御することによって、薬液供給工程（ステップＳ６）からリンス工程（ステップＳ９）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば、数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これによって、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。

【0128】

このとき、基板Ｗは６本の可動ピン１１０で把持されているので、基板Ｗを強固に保持しながら高速回転させることができる。

【0129】

そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御部９０は、スピンチャック５を制御することによって、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１１）。

【0130】

その後、制御部９０の制御によって、保護ディスク１１５は、回転台１０７の上面に向かって降下する。これによって、保護ディスク１１５の上面と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間には、センターロボット４０６のハンドを進入させることができるだけの空間が確保される。

【0131】

また、制御部９０は、昇降ユニット１２６および昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２５および開放永久磁石１２７をそれぞれ上位置へと上昇させ、上位置で保持させる。これによって、６本の可動ピン１１０のすべてが開放位置に配置され、これによって、基板Ｗの把持が解除される。

【0132】

次に、処理チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１３）。具体的には、制御部９０は、すべてのノズルなどがスピンチャック５の上方から退避している状態で、センターロボット４０６を制御し、ハンドを保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間に確保された空間に進入させる。そして、ハンドは、可動ピン１１０に保持されている基板Ｗをすくい取り、その後に、スピンチャック５の側方へと退避する。これによって、洗浄処理済みの基板Ｗが処理チャンバー４から搬出される。

【0133】

制御部９０は、センターロボット４０６のハンドによって、洗浄処理済みの基板Ｗを反転ユニット４０８に搬送させる。そして、制御部９０は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニット４０８によって反転させる（ステップＳ１４）。これによって、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。

【0134】

その後、制御部９０は、インデクサロボット４０２のハンドによって、反転ユニット４０８から基板Ｗを取り出し、洗浄処理済みの基板Ｗを、その表面Ｗａを上に向けた状態でキャリアＣに収容する。洗浄処理済みの基板Ｗが収容されたキャリアＣは、基板処理装置１から、露光装置などの後処理装置に向けて搬送される。

【0135】

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではない。

【0136】

したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。

【0137】

また、以上に記載された少なくとも１つの実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

【符号の説明】

【0138】

１ 基板処理装置
１５２Ｃ 溝部
２５２Ａ 上面傾斜面
２５２Ｂ 下面傾斜面
３５２Ｃ 溝部
４５２Ａ 上面傾斜面
４５２Ｂ 下面傾斜面
Ｗ 基板
Ｙ１ 接平面
Ｙ２ 接平面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】