特開 2024-108015 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024108015

(43)【公開日】2024-08-09

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20240802BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240802BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20240802BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501E

H05K3/46 B

H05K3/46 N

H05K3/18 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023012259

(22)【出願日】2023-01-30

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】島田 志保

【テーマコード（参考）】

5E316

5E319

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC06

5E316CC09

5E316CC32

5E316CC34

5E316DD17

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH13

5E316JJ02

5E319AA03

5E319AA07

5E319AB05

5E319AC02

5E319AC18

5E319BB05

5E319CC33

5E319GG20

5E343AA02

5E343AA17

5E343BB17

5E343BB24

5E343BB28

5E343BB52

5E343BB57

5E343BB71

5E343DD25

5E343DD43

5E343ER11

5E343FF16

5E343GG06

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、導体層と、導体層を露出する開口と第１面と第１面と反対側の第２面とを有し、第２面が導体層と対向する状態で、導体層上に形成されている最外の絶縁層と、開口内に形成されている金属ポストと、を有する。金属ポストは、シード層とシード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、シード層は、第１面の表面形状に沿って形成されており、金属ポストは、最外の絶縁層の第１面を超える高さに形成されており、シード層は、第１層と第１層上に形成される第２層とを有しており、金属ポストは、最外の絶縁層に近い方から順に第１層、第２層、電解めっき層で構成されており、金属ポストの最外の絶縁層の高さを超える部分の断面において、第１層の幅は第２層の幅より大きく、電解めっき層の幅は第１層の幅より大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体層と、
前記導体層を露出する開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記導体層と対向する状態で、前記導体層上に形成されている最外の絶縁層と、
前記開口内に形成されている金属ポストと、を有するプリント配線板であって、
前記金属ポストは、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、前記シード層は、前記第１面の表面形状に沿って形成されており、
前記金属ポストは、前記最外の絶縁層の前記第１面を超える高さに形成されており、
前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記金属ポストは、前記最外の絶縁層に近い方から順に前記第１層、前記第２層、前記電解めっき層で構成されており、前記金属ポストの前記最外の絶縁層の高さを超える部分の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層はスパッタで形成される。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１層と前記第２層は異なる材料の銅合金の組み合わせ、あるいは前記銅合金と銅の組み合わせからなる。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記銅合金は、銅の含有量が全重量の９０％以上である。

【請求項5】

請求項３のプリント配線板であって、前記第１層は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、鉄、モリブデン、銀、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウムのうちの少なくとも１つを含む銅合金で形成されており、前記第２層は銅で形成されている。

【請求項6】

請求項５のプリント配線板であって、前記第１層は、アルミニウムとケイ素を含む銅合金である。

【請求項7】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１層は、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀のうちのいずれか１つの金属で形成されており、前記第２層は銅で形成されている。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記金属ポストの前記最外の絶縁層の高さを超える部分の断面において、前記シード層の側面と前記第１面との間の第１角度は、前記電解めっき層の側面下端部から前記シード層と前記電解めっき層との境界部分に向かう直線と前記第１面との間の第２角度より大きい。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、シード層と金属めっき層とからなり、最外絶縁層の高さを超える部分を有する金属ポストを開示する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１２５７０９号公報

【発明の概要】

【0004】

特許文献１の技術では、シード層が過度にエッチングされ、シード層の側面に金属めっき層の下端から内側に後退する食込部（アンダーカット部）が形成されることがある。これにより、最外絶縁層の表面において、シード層と最外絶縁層との接触面積が減少し、密着不良が懸念される。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示のプリント配線板は、導体層と、前記導体層を露出する開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記導体層と対向する状態で、前記導体層上に形成されている最外の絶縁層と、前記開口内に形成されている金属ポストと、を有するプリント配線板であって、前記金属ポストは、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、前記シード層は、前記第１面の表面形状に沿って形成されており、前記金属ポストは、前記最外の絶縁層の前記第１面を超える高さに形成されており、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記金属ポストは、前記最外の絶縁層に近い方から順に前記第１層、前記第２層、前記電解めっき層で構成されており、前記金属ポストの前記最外の絶縁層の高さを超える部分の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。

【0006】

本開示の実施形態のプリント配線板では、金属ポストを構成するシード層は第１面の表面形状に沿って形成されている。そのため、シード層は最外の絶縁層の内側に入り込んで形成されない。製造過程でシード層が除去される際のエッチング量が少なく済む。金属ポストが過度にエッチングされることを抑制できる。金属ポストの幅を設計値に近くすることができる。金属ポストを最外の絶縁層の第１面を超える高さに形成することで、金属ポストと外部部品が備える接続端子との密着性を高くできる。第１層の幅を第２層の幅より大きく形成することで、シード層と最外の絶縁層との密着性を高くできるため、高い品質を有するプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板に外部部品が接続された状態を模式的に示す断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０と最外の絶縁層２２０と金属ポスト２５０とを有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６（図中の上面）と第３面６と反対側の第４面８（図中の下面）を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0011】

第１樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。第１樹脂絶縁層２０は第５面２２（図中の上面）と第５面２２と反対側の第６面２４（図中の下面）を有する。第１樹脂絶縁層２０の第６面２４は第１導体層１０と対向する。第１樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂８０の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は、例えば、シリカやアルミナである。無機粒子９０の粒子径は、平均粒子径０．５μｍ、粒子径範囲は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。

【0012】

図１に示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0013】

図１に示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第５面２２はほとんど樹脂８０で形成されている。第５面２２から無機粒子９０（第２無機粒子９２）は少量露出する。第１樹脂絶縁層２０の第５面２２には凹凸が形成されていない。第５面２２は荒らされていない。第５面２２は平滑に形成されている。第５面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μ ｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0014】

開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。第１無機粒子９１は平坦部を有する。内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１の平坦部とで形成されている。内壁面２７は平滑に形成されている。

【0015】

第２導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第５面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第５面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第５面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第５面２２に接している。第２層３１ｂは電解めっき層３０ｂと接着している。第２導体層３０のうち第１樹脂絶縁層２０の第５面２２と対向する面は第５面２２の表面形状に沿って形成されている。第２導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第５面２２の内側に入り込まない。

【0016】

第１ビア導体４０は開口２６内に形成されている。第１ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１では第１ビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。第１ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。第１ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第１層３１ａは内壁面２７に接している。

【0017】

第２樹脂絶縁層１２０は第１樹脂絶縁層２０の第５面２２と第２導体層３０上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は第７面１２２（図中の上面）と第７面１２２と反対側の第８面１２４（図中の下面）を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第８面１２４は第２導体層３０と対向する。第２樹脂絶縁層１２０はランド３６を露出する開口１２６を有している。第２樹脂絶縁層１２０は、樹脂１８０と樹脂１８０内に分散されている多数の無機粒子１９０で形成されている。樹脂１８０、無機粒子１９０は、第１樹脂絶縁層２０の樹脂８０、無機粒子９０と同様である。無機粒子１９０は、開口１２６の内壁面１２７を形成する第１無機粒子１９１と、樹脂１８０内に埋まっている第２無機粒子１９２を含む。第２無機粒子１９２の形は球である。第１無機粒子１９１の形状は球を平面で切断することで得られる。

【0018】

第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２はほとんど樹脂１８０で形成されている。第７面１２２から無機粒子１９０（第２無機粒子１９２）は少量露出する。第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２には凹凸が形成されていない。第７面１２２は荒らされていない。第７面１２２は平滑に形成されている。

【0019】

開口１２６の内壁面１２７は樹脂１８０と第１無機粒子１９１で形成されている。内壁面１２７は樹脂１８０と第１無機粒子１９１の平坦部とで形成されている。内壁面１２７は平滑に形成されている。

【0020】

第３導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２上に形成されている。第３導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６を含む。図に示されていないが、第３導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４はペア配線を形成している。第３導体層１３０は主に銅によって形成される。第３導体層１３０は、第７面１２２上のシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａ、電解めっき層１３０ｂは第２導体層３０のシード層３０ａ、電解めっき層３０ｂと同様である。シード層１３０ａは第７面１２２上の第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。第１層１３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。第２層１３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１３０ｂは銅で形成されている。第１層１３１ａは第７面１２２に接している。第３導体層１３０のうち第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２と対向する面は第７面１２２の表面形状に沿って形成されている。第３導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２の内側に入り込まない。

【0021】

第２ビア導体１４０は開口１２６内に形成されている。第２ビア導体１４０は第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。図１では第２ビア導体１４０はランド３６とランド１３６を接続する。第２ビア導体１４０はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第２ビア導体１４０を形成するシード層１３０ａと第３導体層１３０を形成するシード層１３０ａは共通である。第１層１３１ａは内壁面１２７に接している。

【0022】

最外の絶縁層２２０は第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２と第３導体層１３０上に形成されている。最外の絶縁層２２０は第１面２２２（図中の上面）と第１面２２２と反対側の第２面２２４（図中の下面）を有する。最外の絶縁層２２０の第２面２２４は第３導体層１３０と対向する。最外の絶縁層２２０は第３導体層１３０のランド１３６を露出する開口２２６を有している。最外の絶縁層２２０は、樹脂２８０と樹脂２８０内に分散されている多数の無機粒子２９０で形成されている。樹脂２８０、無機粒子２９０は、第１樹脂絶縁層２０の樹脂８０、無機粒子９０と同様である。無機粒子２９０は、開口２２６の内壁面２２７を形成する第１無機粒子２９１と、樹脂２８０内に埋まっている第２無機粒子２９２を含む。第２無機粒子２９２の形は球である。第１無機粒子２９１の形状は球を平面で切断することで得られる。

【0023】

最外の絶縁層２２０の第１面２２２はほとんど樹脂２８０で形成されている。第１面２２２から無機粒子２９０（第２無機粒子２９２）は少量露出する。最外の絶縁層２２０の第１面２２２には凹凸が形成されていない。第１面２２２は荒らされていない。第１面２２２は平滑に形成されている。

【0024】

開口２２６の内壁面２２７は樹脂２８０と第１無機粒子２９１で形成されている。内壁面２２７は樹脂２８０と第１無機粒子２９１の平坦部とで形成されている。内壁面２２７は平滑に形成されている。

【0025】

金属ポスト２５０は、最外の絶縁層２２０の開口２２６内と最外の絶縁層２２０の第１面２２２上に形成されている。金属ポスト２５０を構成する第４導体層２３０は最外の絶縁層２２０の第１面２２２上に形成されている。第４導体層２３０は導体回路であるランド２３６を含む。図に示されていないが、第４導体層２３０はランド２３６以外のランドも含んでいる。第４導体層２３０は主に銅によって形成される。第４導体層２３０は、第１面２２２上のシード層２３０ａとシード層２３０ａ上の電解めっき層２３０ｂで形成されている。シード層２３０ａ、電解めっき層２３０ｂは第２導体層３０のシード層３０ａ、電解めっき層３０ｂと同様である。シード層２３０ａは第１面２２２上の第１層２３１ａと第１層２３１ａ上の第２層２３１ｂで形成されている。第１層２３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。第２層２３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層２３０ｂは銅で形成されている。第１層２３１ａは第１面２２２に接している。第４導体層２３０のうち最外の絶縁層２２０の第１面２２２と対向する面は第１面２２２の表面形状に沿って形成されている。第４導体層２３０は最外の絶縁層２２０の第１面２２２の内側に入り込まない。

【0026】

金属ポスト２５０は開口２２６内に形成されている。金属ポスト２５０は第３導体層１３０と第４導体層２３０を接続する。図１では金属ポスト２５０はランド１３６とランド２３６を接続する。また、金属ポスト２５０はランド２３６と外部部品が備える接続端子を接続する。金属ポスト２５０はシード層２３０ａとシード層２３０ａ上の電解めっき層２３０ｂで形成されている。シード層２３０ａは第１面２２２上の第１層２３１ａと第１層２３１ａ上の第２層２３１ｂで形成されている。第１層２３１ａは内壁面２２７に接している。電解めっき層２３０ｂ上には接続用金属層２４０が形成されている。接続用金属層２４０はニッケル及び錫で形成されている。

【0027】

図２は第４導体層２３０のランド２３６周辺の拡大断面図である。図２に示されるように、ランド２３６には、金属ポスト２５０が設けられている。金属ポスト２５０は、第１面２２２上のシード層２３０ａと、シード層２３０ａ上の電解めっき層２３０ｂによって形成されている。シード層２３０ａは、第１面２２２上の第１層２３１ａと第１層２３１ａ上の第２層２３１ｂを備える。第１層２３１ａは第１面２２２に接している。第１層２３１ａは第１面２２２と第１層２３１ａの第１面２２２と対向する面の表面形状に沿って形成されている。第２層２３１ｂは電解めっき層２３０ｂと接着している。

【0028】

図２に示されるように、金属ポスト２５０は、最外の絶縁層２２０の第１面２２２を超える高さ（図中上下方向において金属ポスト２５０の上端の高さ位置Ｈ１が第１面２２２の高さ位置Ｈ２よりも上側となる高さ）に形成されている。金属ポスト２５０の最外の絶縁層２２０の高さを超える部分の断面において、金属ポスト２５０のシード層２３０ａの幅（図中左右方向の長さ）は、電解めっき層２３０ｂの幅よりも小さい。第１面２２２を超える高さ部分において、金属ポスト２５０の幅は、シード層２３０ａと電解めっき層２３０ｂの境界部分Ｂにおいて最も小さい。第１層２３１ａの幅Ｄ１は第２層２３１ｂの幅Ｄ２より大きく、電解めっき層２３０ｂの幅Ｄ３は第１層２３１ａの幅Ｄ１より大きい。シード層２３０ａの側面と第１面２２２との間の第１角度θ１は、電解めっき層２３０ｂの側面下端部からシード層２３０ａと電解めっき層２３０ｂとの境界部分Ｂに向かう直線と第１面２２２との間の第２角度θ２より大きい。

【0029】

図２は金属ポスト２５０を例示するが、第１導体層１０の導体回路（信号配線１２、パッド１４）、第２導体層３０の導体回路（第１信号配線３２、第２信号配線３４、ランド３６）、第３導体層１３０の導体回路（第１信号配線１３２、第２信号配線１３４、ランド１３６）も金属ポスト２５０と同様の構成を有する。

【0030】

図３は実施形態のプリント配線板２に半導体チップ３００が接続された状態を示す断面図である。図３に示されるように、プリント配線板２には、外部部品である半導体チップ３００が接続される。金属ポスト２５０上の接続用金属層２４０は、はんだ３２０を介して半導体チップ３００の接続端子３１０に接続される。プリント配線板２と半導体チップ３００との間の隙間には、アンダーフィル樹脂３３０が充填されている。アンダーフィル樹脂３３０はエポキシ系樹脂である。

【0031】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｇは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｇは断面図である。

【0032】

実施形態のプリント配線板２の製造方法では、図４Ａに示されるように、先ず、製造途中のプリント配線板２Ａを用意する。プリント配線板２Ａは、絶縁層４と第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を有する。

【0033】

図４Ｂに示されるように、第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０上に最外の絶縁層２２０と保護膜５０が形成される。最外の絶縁層２２０の第２面２２４が第２樹脂絶縁層１２０の第７面１２２と対向している。最外の絶縁層２２０の第１面２２２上に保護膜５０が形成されている。最外の絶縁層２２０は樹脂８０により形成される。保護膜５０は最外の絶縁層２２０の第１面２２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と最外の絶縁層２２０との間に離型剤が形成されている。

【0034】

図４Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と最外の絶縁層２２０を同時に貫通する。第３導体層１３０のビア導体１４０に至る金属ポスト用の開口２２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２２６によりビア導体１４０が露出される。開口２２６が形成される時、第１面２２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２２に樹脂が付着することが抑制される。最外の絶縁層２２０の第１面２２２には凹凸が形成されない。第１面２２２は荒らされない。内壁面２２７上に凹凸が形成されない。内壁面２２７は平滑に形成される。

【0035】

図４Ｄに示されるように、最外の絶縁層２２０から保護膜５０が除去される。最外の絶縁層２２０の第１面２２２を荒らすことは行われない。そのため、第１面２２２は平滑に形成される。第１面２２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0036】

図４Ｅに示されるように、最外の絶縁層２２０の第１面２２２上にシード層２３０ａが形成される。シード層２３０ａはスパッタによって形成される。シード層２３０ａの形成はドライプロセスで行われる。シード層２３０ａは第１層２３１ａと、第１層２３１ａ上に第１層２３１ａとは異なる材料で形成される第２層２３１ｂとを有する。第１層２３１ａと第２層２３１ｂは異なる材料の銅合金の組み合わせ、あるいは銅合金と銅の組み合わせからなる。第１層２３１ａは銅合金で形成されている。銅合金と最外の絶縁層２２０との密着強度は、銅と最外の絶縁層２２０との密着強度より大きい。第２層２３１ｂは銅合金あるいは銅で形成される。第１層２３１ａと第２層２３１ｂの銅合金は、銅の含有量が全重量の９０％以上で形成される。銅の含有量が高いほど電気抵抗を低くできるため接続信頼性が向上する。

【0037】

シード層２３０ａの厚みは、０．０２μｍ以上１μｍ以下、好ましくは０．０３μｍ以上０．５ｕｍ以下、さらに好ましくは０．０５μｍ以上０．３ｕｍ以下の範囲で形成される。第１面２２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。シード層２３０ａの厚みは、０．０２μｍ以下では最外の絶縁層２２０の表面全体に均一に形成することが困難である。また１μｍ以上ではシード層のエッチング除去工程時の電解めっき層２３０ｂの配線幅の制御が難しい。第１層２３１ａが第１面２２２上にスパッタで形成される。第１層２３１ａの厚みは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．０２μｍ以上０．３ｕｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以上０．１ｕｍ以下の範囲で形成される。第１層２３１ａは０．０１μｍ以下では最外の絶縁層２２０との密着性が低下する。第１層２３１ａは０．５μｍ以上では配線抵抗値が高くなる。第２層２３１ｂが第１層２３１ａ上にスパッタで形成される。第２層２３１ｂの厚みは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下、好ましくは０．０２μｍ以上０．３ｕｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以上０．２ｕｍ以下の範囲で形成される。第２層２３１ｂは０．０１μｍ以下では配線抵抗値が高くなる。第２層２３１ｂが０．９μｍ以上では第１層２３１ａは薄く形成されるため配線と最外の絶縁層２２０の密着性が低下する。

【0038】

シード層２３０ａは第１面２２２の表面形状に沿って形成されている。シード層２３０ａは最外の絶縁層２２０の内側に入り込んで形成されない。製造過程でシード層２３０ａが除去される際のエッチング量が少なく済む。導体回路が過度にエッチングされることを抑制できる。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。シード層２３０ａは開口２２６から露出するビア導体１４０の上面と開口２２６の内壁面２２７にも形成される。第１層２３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成される。第２層２３１ｂは銅で形成される。

【0039】

図４Ｆに示されるように、シード層２３０ａ上にめっきレジスト層６０が形成される。めっきレジスト層６０は、ランド２３６（図１参照）を形成するための開口を有する。

【0040】

図４Ｇに示されるように、めっきレジスト層６０から露出するシード層２３０ａ上に電解めっき層２３０ｂが形成される。電解めっき層２３０ｂは銅で形成される。電解めっき層２３０ｂは開口２２６を充填する。第１面２２２上のシード層２３０ａと電解めっき層２３０ｂによって、ランド２３６を有する第４導体層２３０が形成される。開口２２６内のシード層２３０ａと電解めっき層２３０ｂによって、金属ポスト２５０が形成される。金属ポスト２５０は、ビア導体１４０とランド２３６を接続する。また、金属ポスト２５０はランド２３６と外部部品が備える接続端子を接続する。金属ポスト２５０の電解めっき層２３０ｂ上に接続用金属層２４０が形成される。接続用金属層２４０はニッケル及び錫で形成される。

【0041】

図１に示されるように、めっきレジスト層６０が除去される。電解めっき層２３０ｂから露出するシード層２３０ａがエッチングで除去される。第４導体層２３０と金属ポスト２５０が同時に形成される。第１層２３１ａの幅は第２層２３１ｂの幅より大きく、電解めっき層２３０ｂの幅は第１層２３１ａの幅より大きい。シード層２３０ａのエッチング速度は電解めっき層２３０ｂのエッチング速度より大きい。シード層のエッチング速度は電解メッキ層のエッチング速度の１．１倍から１．５倍である。スパッタで形成されるシード層２３０ａは、電解めっき層２３０ｂに比べ、金属結晶部に対するアモルファス構造部の割合が高い。一般にアモルファス構造部は結晶欠陥を多く有する。結晶欠陥を多く有するほどエッチング速度が大きくなる。シード層２３０ａは、電解めっき層２３０ｂに比べエッチング速度が大きくなる。そのため、製造過程でシード層２３０ａが除去される工程のエッチング量が少なく済む。導体回路が過度にエッチングされることを抑制できる。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。

【0042】

シード層２３０ａがエッチングで除去された結果、第４導体層２３０の導体回路（ランド２３６）のシード層２３０ａの幅が電解めっき層２３０ｂの幅よりも小さくなる。シード層２３０ａは、第１層２３１ａ上に第２層２３１ｂが形成される。第１層２３１ａは銅合金からなる。第２層２３１ｂは銅からなる。スパッタにより形成される銅のエッチング速度がスパッタにより形成される銅合金のエッチング速度がより大きいエッチング液を使用することで、第１層２３１ａの幅を第２層２３１ｂの幅より大きくできる。第１面２２２を超える高さ部分において、第２層２３１ｂと電解めっき層２３０ｂとの境界部分Ｂが最も配線幅が小さくなる。第４導体層２３０の配線の境界部分Ｂで最も応力が大きくなるので、第１層２３１ａと最外の絶縁層２２０との密着性が向上する。

【0043】

金属ポスト２５０の断面において、シード層２３０ａの側面と第１面２２２との間の第１角度θ１は、電解めっき層２３０ｂの側面下端部から境界部分Ｂに向かう直線と第１面２２２との間の第２角度θ２より大きい。シード層２３０ａのエッチング速度は電解めっき層２３０ｂのエッチング速度より大きいため、シード層２３０ａの側面と第１面２２２との間の第１角度θ１が第２角度θ２より大きく形成される。その結果、境界部分Ｂの深さを小さくできるため応力集中を緩和できる。

【0044】

実施形態のプリント配線板２では、第４導体層２３０のうち第１面２２２と対向する面は第１面２２２の表面形状に沿って形成されている。そのため、第４導体層２３０内の導体回路（ランド２３６）を形成するシード層２３０ａは最外の絶縁層２２０の第１面２２２より内側に入り込んで形成されない。シード層２３０ａを薄くすることができる。シード層２３０ａの厚みのバラツキを小さくすることができる。製造過程でシード層２３０ａが除去される際のエッチング量が少なく済む。導体回路が過度にエッチングされることを抑制できる。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。第１層２３１ａの幅Ｄ１は第２層２３１ｂの幅Ｄ２より大きく、電解めっき層３０ｂの幅Ｄ３は第１層２３１ａの幅Ｄ１より大きくなるように形成される。シード層２３０ａは最外の絶縁層２２０との密着性を高くすることができる。最外の絶縁層２２０の第１面２２２は樹脂２８０で形成されている。第１面２２２には凹凸が形成されない。第１面２２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0045】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、シード層１０ａ、３０ａ、１３０ａ、２３０ａの第１層１１ａ、３１ａ、１３１ａ、２３１ａは、銅と第２元素で形成されている。第２元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、の中から選ばれる。第１層１１ａ、３１ａ、１３１ａ、２３１ａは銅を含む合金で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂ、１３１ｂ、２３１ｂは銅で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂ、１３１ｂ、２３１ｂを形成している銅の含有量（原子量％）は９９．９％以上である。９９．９５％以上が好ましい。

【0046】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、シード層１０ａ、３０ａ、１３０ａ、２３０ａの第１層１１ａ、３１ａ、１３１ａ、２３１ａは、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、のうちのいずれか１つの金属で形成される。

【符号の説明】

【0047】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：第１樹脂絶縁層
３０ ：第２導体層
４０ ：ビア導体
１２０ ：第２樹脂絶縁層
１３０ ：第３導体層
１４０ ：ビア導体
２２０ ：最外の絶縁層
２２６ ：開口
２２７ ：内壁面
２３０ ：第４導体層
２３０ａ ：シード層
２３０ｂ ：電解めっき層
２３１ａ ：第１層
２３１ｂ ：第２層
２３６ ：ランド
２４０ ：接続用金属層
２５０ ：金属ポスト
２８０ ：樹脂
３００ ：半導体チップ
Ｂ ：境界部分
Ｈ１ ：金属ポストの上端の高さ位置
Ｈ２ ：第１面の高さ位置
Ｌ ：レーザ光
θ１ ：第１角度
θ２ ：第２角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】