特開 2024-108113 表示パネル及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024108113

(43)【公開日】2024-08-09

(54)【発明の名称】表示パネル及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240802BHJP

   H05B 33/14 20060101ALI20240802BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20240802BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20240802BHJP

   H10K 59/38 20230101ALI20240802BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20240802BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20240802BHJP

   H10K 59/126 20230101ALI20240802BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20240802BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G09F9/30 365

H05B33/14 Z

H10K59/131

H10K59/80

H10K59/38

H10K59/35 553

H10K59/124

H10K59/126

H10K71/00 861

【審査請求】有

【請求項の数】26

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023197071

(22)【出願日】2023-11-21

(31)【優先権主張番号】10-2023-0012150

(32)【優先日】2023-01-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】李 寧 熙

(72)【発明者】

【氏名】朴 善 益

(72)【発明者】

【氏名】任 庭 範

(72)【発明者】

【氏名】朴 炯 斌

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107AA06

3K107BB01

3K107DD39

3K107DD90

3K107EE04

3K107EE07

3K107EE22

3K107EE27

3K107GG57

5C094AA38

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA24

5C094DA13

5C094EA04

5C094EA05

5C094EA07

5C094ED03

5C094ED15

5C094FA02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】リペアパターンによる開口部の面積の減少を防止することができる表示パネル及び表示装置に関する。
【解決手段】本開示の実施形態は、表示パネル及び表示装置に関し、より詳細には、第１～第４のサブピクセルのそれぞれは、基板上に配置された第１～第３のアクティブパターンを含み、第１のアクティブパターンは、第４の信号ラインと電気的に接続され、第２のアクティブパターンは、第２の信号ライン又は第３の信号ラインと電気的に接続され、第３のアクティブパターンは、第１の信号ラインと電気的に接続され、第１～第３のアクティブパターンのうち少なくとも１つは、カット領域を含み、第１及び第２のサブピクセルに配置された第１及び第２のアクティブパターンのカット領域は、前記発光領域と重なることにより、開口率を向上させることができる表示パネル及び表示装置を提供することができる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

発光領域と、前記発光領域を囲む非発光領域とを含む第１～第４のサブピクセルを含む基板と、
前記基板上に配置され、互いに離隔された第１の信号ライン、第２の信号ライン、第３の信号ライン及び第４の信号ラインとを含み、
前記第１～第４のサブピクセルのそれぞれは、前記基板上に配置された第１～第３のアクティブパターンを含み、
前記第１のアクティブパターンは、前記第４の信号ラインと電気的に接続され、前記第２のアクティブパターンは、前記第２の信号ライン又は前記第３の信号ラインと電気的に接続され、前記第３のアクティブパターンは、前記第１の信号ラインと電気的に接続され、
前記第１～第３のアクティブパターンのうち少なくとも１つは、カット領域を含み、
前記第１及び第２のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記発光領域と重畳され、
前記第３及び第４のサブピクセルに配置された前記第１～第３のアクティブパターンの前記カット領域のうち少なくとも１つは、前記非発光領域に配置された表示パネル。

【請求項2】

前記第１及び第２のサブピクセルのそれぞれに含まれる前記発光領域は、カラーフィルタと重畳され、
前記第３のサブピクセルの各々に含まれる前記発光領域は、カラーフィルタと未重畳された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記第１のサブピクセルは、第１の発光領域を含み、前記第２のサブピクセルは、第２の発光領域を含み、前記第３のサブピクセルは、第３の発光領域を含み、第４のサブピクセルは、第４の発光領域を含み、
前記第１の発光領域及び前記第２の発光領域は、ｎ行に配置され、
前記第３の発光領域及び前記第４の発光領域は、ｎ＋１行に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記第１のサブピクセルに配置された前記第２のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第２のアクティブパターン上には、第１のカラーフィルタが配置され、
前記第１のカラーフィルタ上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、第１のアノード電極、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記第１のサブピクセルに配置された前記第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第１のサブピクセルに含まれる第１の発光領域に重畳された、請求項４に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記第４のサブピクセルに含まれる前記第１のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１のアクティブパターン上には、第２のカラーフィルタが配置され、
前記第２のカラーフィルタ上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、第２のアノード電極、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記第１のサブピクセルに含まれる前記第１のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第２のサブピクセルに含まれる第２の発光領域に重畳された、請求項６に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記第２のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１及び第２のアクティブパターン上には、第２のカラーフィルタが配置され、
前記第２のカラーフィルタ上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、第２のアノード電極、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記第２のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第２のサブピクセルに含まれる第２の発光領域と重なっている、請求項８に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記第１のサブピクセルに含まれる前記第１のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１のアクティブパターン上には、第１のカラーフィルタが配置され、
前記第２のカラーフィルタ上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、ブラック（ｂｌａｃｋ）バンクが配置され、
前記ブラックバンク上に、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記第１のサブピクセルに含まれる前記第１のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第１のサブピクセルに含まれる前記非発光領域と重畳された、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記第３のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１及び第２のアクティブパターン上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、ブラックバンクが配置され、
前記ブラックバンク上に、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項13】

前記第３のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第３のサブピクセルに含まれる前記非発光領域と重畳された、請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項14】

前記第４のサブピクセルに含まれる前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１及び第２のアクティブパターン上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、ブラックバンクが配置され、
前記ブラックバンク上に、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項15】

前記第４のサブピクセルに配置された前記第１のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第３のサブピクセルに含まれる前記非発光領域と重なり、
前記第４のサブピクセルに配置された前記第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第４のサブピクセルに含まれる前記非発光領域と重なっている、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項16】

前記第３のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１及び第２のアクティブパターン上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、第３のアノード電極、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項17】

前記第３のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第３のサブピクセルに含まれる第３の発光領域と重畳された、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項18】

前記第４のサブピクセルに含まれる前記第１のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第１のアクティブパターン上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、第３のアノード電極、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項19】

前記第４のサブピクセルに含まれる前記第１のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第３のサブピクセルに含まれる第３の発光領域と重畳された、請求項１８に記載の表示パネル。

【請求項20】

前記第４のサブピクセルに配置された前記第２のアクティブパターンの前記カット領域が設けられた部分において、
前記第２のアクティブパターン上には、オーバーコート層が配置され、
前記オーバーコート層上には、第４のアノード電極、発光層及びカソード電極が順に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項21】

前記第４のサブピクセルに配置された前記第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記第４のサブピクセルに含まれる第４の発光領域と重畳された、請求項２０に記載の表示パネル。

【請求項22】

前記第１～第４のサブピクセルのそれぞれに配置された前記第３のアクティブパターンの前記カット領域は、前記非発光領域に配置された、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項23】

前記第１～第３のアクティブパターンのそれぞれは、第１のパターンと、前記第１のパターン上に配置された第２のパターンとを含み、
前記第１のパターンは、酸化物半導体物質を含み、
前記第２のパターンは、透明導電性酸化物を含む、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項24】

前記第１の信号ラインは、駆動電圧ラインであり、
前記第２及び第３の信号ラインは、データラインであり、
前記第４の信号ラインは、基準電圧ラインである、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項25】

前記第１～第３のアクティブパターンのリペア時に、前記カット領域にレーザが照射される、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項26】

発光領域と、前記発光領域を囲む非発光領域とを含む第１～第４のサブピクセルを含む表示パネルを含み、
前記表示パネルの基板上に配置され、互いに離隔された第１の信号ライン、第２の信号ライン、第３の信号ライン及び第４の信号ラインを含み、
前記第１～第４のサブピクセルのそれぞれは、前記基板上に配置された第１～第３のアクティブパターンを含み、
前記第１のアクティブパターンは、前記第４の信号ラインと電気的に接続され、前記第２のアクティブパターンは、前記第２の信号ライン又は前記第３の信号ラインと電気的に接続され、前記第３のアクティブパターンは、前記第１の信号ラインと電気的に接続され、
前記第１～第３のアクティブパターンのうち少なくとも１つは、カット領域を含み、
前記第１及び第２のサブピクセルに配置された前記第１及び第２のアクティブパターンの前記カット領域は、前記発光領域と重なり、
前記第３及び第４のサブピクセルに配置された前記第１～第３のアクティブパターンの前記カット領域のうち少なくとも１つは、前記非発光領域に配置された表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、表示パネル及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）、複数の導電層、及び発光素子などを含む。

【0003】

このような表示装置を製造する工程における異物等により、一部の発光領域の輝点又は暗点不良が発生することがある。一部の表示装置は、不良を防止するために、不良が発生した発光領域と、それを駆動する回路領域の接続を切断するなどのリペア工程を行っている。ところが、これにより、表示装置の開口部が減少し、また、リペア工程の成功率（歩留まり率）が低下するなどの問題が生じ得る。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の実施形態は、配線として機能する透明なアクティブパターンを、リペアパターンとして使用することによって、リペアパターンによる開口部の面積の減少を防止または低減することができる表示パネル及び表示装置に関する。

【0005】

本開示の実施形態は、アクティブパターン上にカラーフィルタ、ブラックバンク及びオーバーコート層のうち少なくとも１つを配置することにより、リペア工程の時に照射されるレーザによって、カソード電極及びアノード電極の損傷を防ぐ表示パネル及び表示装置に関する。

【0006】

本開示の実施形態は、透明なアクティブパターンをリペアパターンとして用いて、リペア工程を実行することで、レーザがカソード電極まで到達できないため、カソード電極の損傷を防止することにより、カソード電極上に配置された封止層から浸透する元素などの外部からの異物による不良を防止することができる表示パネル及び表示装置に関する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の実施形態は、発光領域と、発光領域を囲む非発光領域とを含む第１～第４のサブピクセルを含む基板、及び、基板上に配置され、互いに離隔された第１の信号ライン、第２の信号ライン、第３の信号ライン及び第４の信号ラインを含み、第１～第４のサブピクセルはそれぞれ、基板上に配置された第１～第３のアクティブパターンを含み、第１のアクティブパターンは、第４の信号ラインと電気的に接続され、第２のアクティブパターンは、第２の信号ライン又は第３の信号ラインと電気的に接続され、第３のアクティブパターンは、第１の信号ラインと電気的に接続され、第１～第３のアクティブパターンのうち少なくとも１つは、カット領域を含み、第１及び第２のサブピクセルに配置された第１及び第２のアクティブパターンのカット領域は、前記発光領域と重畳され、第３及び第４のサブピクセルに配置された第１～第３のアクティブパターンのカット領域のうち少なくとも１つは、非発光領域に配置された表示パネルを提供することができる。

【0008】

本開示の実施形態は、発光領域と、発光領域を囲む非発光領域とを含む第１～第４のサブピクセルを含む表示パネルを含み、表示パネルの基板上に配置され、互いに離隔された第１の信号ライン、第２の信号ライン、第３の信号ライン及び第４の信号ラインを含み、第１～第４のサブピクセルはそれぞれ、基板上に配置された第１～第３のアクティブパターンを含み、第１のアクティブパターンは、第４の信号ラインと電気的に接続され、第２のアクティブパターンは、第２の信号ライン又は第３の信号ラインと電気的に接続され、第３のアクティブパターンは、第１の信号ラインと電気的に接続され、第１～第３のアクティブパターンのうち少なくとも１つは、カット領域を含み、第１及び第２のサブピクセルに配置された第１及び第２のアクティブパターンのカット領域は、前記発光領域と重畳され、第３及び第４のサブピクセルに配置された第１～第３のアクティブパターンのカット領域のうち少なくとも１つは、非発光領域に配置された表示装置を提供することができる。

【発明の効果】

【0009】

本開示の実施形態によれば、配線として機能する透明なアクティブパターンを、リペアパターンとして用いることで、リペアパターンによって開口部の面積が減少するのを防ぐことができる表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【0010】

本開示の実施形態によれば、アクティブパターン上に、カラーフィルタ、ブラックバンク及びオーバーコート層のうち少なくとも１つを配置することにより、リペア工程時に照射されるレーザによってカソード電極及びアノード電極が損傷されない表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【0011】

本開示の実施形態によれば、透明なアクティブパターンをリペアパターンとして用いて、リペア工程を進めることで、レーザがカソード電極までに到達できないので、カソード電極の損傷を防止することにより、カソード電極上に配置された封止層から浸透する外部の元素による不良を防止することができる表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本開示の実施形態による表示装置のシステム構成図である。

【図2】本開示の実施形態による表示装置のサブピクセルの等価回路である。

【図3】本開示の実施形態による表示パネルの表示領域の一部を示す平面図である。

【図4】図３のＡ－Ｂに沿って切断した断面図である。

【図5】第１のサブピクセル又は第２のサブピクセルをリペアする工程で、アクティブパターンにレーザーを照射した形態を概略的に示す図である。

【図6】赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタのそれぞれの波長別透過率を示すグラフである。

【図7】図３の第１のサブピクセルをリペアする工程において、第１のアクティブパターンの第５のカット領域に、レーザが照射されることを簡略に示す図である。

【図8】透明バンク及びブラックバンクのそれぞれの波長別透過率を示すグラフである。

【図9】図３の第３のサブピクセルをリペアする工程において、第７のアクティブパターンの第３のカット領域に、レーザが照射されることを簡略に示す図である。

【図10】本開示の実施形態による表示パネルに含まれる第１～第４のサブピクセルの構造を示す図である。

【図11】第１のサブピクセルをリペアする工程において、第３のアクティブパターンの第１のカット領域に、レーザが照射されることを簡単に示す図である。

【図12】図１０の第３のサブピクセルをリペアする工程において、第７のアクティブパターンの第３のカット領域に、レーザが照射されることを簡略に示す図である。

【図13】比較例による表示パネルの開口率及び実施例による表示パネルの開口率を比較した表である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本開示の一部の実施形態を、例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付け加えるにおいて、同一の構成要素については、たとえ他の図面上に表示されていても、可能な限り同一の符号を付することがある。なお、本開示を説明するに当たって、関連する公知の構成又は機能の具体的な説明が、本開示の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加されてもよい。構成要素を単数として表現した場合に、特に明示的な記載事項のない限り、複数を含む場合を含むことができる。

【0014】

また、本開示の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を、他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語によって当該構成要素の本質、順番、順序又は数などが限定されない。

【0015】

構成要素の位置関係についての説明において、２つ以上の構成要素が、「連結」、「結合」又は「接続」されると記載されている場合、２つ以上の構成要素が、直接「連結」、「結合」又は「接続」され得るが、２つ以上の構成要素と他の構成要素とが、さらに「介在」され、「連結」、「結合」又は「接続」されることも可能であることを理解されたい。ここで、他の構成要素は、互いに「連結」、「結合」又は「接続」される２つ以上の構成要素のうち１つ以上に含まれてもよい。

【0016】

構成要素や、動作方法や作製方法などに関する時間的流れの関係の説明において、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで、時間的先後関係又は流れ的前後関係が説明される場合、「直ちに」又は「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含み得る。

【0017】

一方、構成要素に関する数値又はその対応情報（例えば、レベルなど）が言及されている場合、別途の明示的な記載がなくても、数値又はその対応情報は、各種要因（例えば、工程上の要因、内部又は外部の衝撃、ノイズなど）によって発生できる誤差の範囲を含むと解釈され得る。

【0018】

以下、添付の図面を参照して、本開示の様々な実施形態を詳細に説明する。

【0019】

図１は、本開示の実施形態による表示装置のシステム構成図である。図１を参照すると、本開示の実施形態による表示装置１００のディスプレイ駆動システムは、表示パネル１１０及び表示パネル１１０を駆動するためのディスプレイ駆動回路を含むことができる。

【0020】

表示パネル１１０は、映像が表示される表示領域ＤＡと、映像が表示されない非表示領域ＮＤＡとを含むことができる。表示パネル１１０は、映像表示のために、基板ＳＵＢ上に配置された複数のサブピクセルＳＰを含むことができる。例えば、複数のサブピクセルＳＰは、表示領域ＤＡに配置することができる。場合によっては、非表示領域ＮＤＡに少なくとも１つのサブピクセルＳＰを配置することができる。非表示領域ＮＤＡに配置される少なくとも１つのサブピクセルＳＰは、ダミーサブピクセルとも呼ばれる。

【0021】

表示パネル１１０は、複数のサブピクセルＳＰを駆動するために、基板ＳＵＢ上に配置される複数の信号配線を含むことができる。例えば、複数の信号配線は、データラインＤＬ、ゲートラインＧＬ、駆動電圧ラインなどを含むことができる。例えば、複数の信号線は、複数の副画素ＳＰに接続されるデータ線ＤＬ、ゲート線ＧＬ、駆動電圧線などを含むことができる。信号線は、複数の副画素ＳＰにゲート信号、データ信号、電源信号等の信号を供給するように構成されている。

【0022】

複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬは、互いに交差することができる。複数のデータラインＤＬのそれぞれは、第１の方向に延びながら配置されてもよい。複数のゲートラインＧＬのそれぞれは、第１の方向と交差する方向に延びながら配置されてもよい。ここで、第１の方向は、列（Ｃｏｌｕｍｎ）方向であり、第１の方向と交差する方向は、行（Ｒｏｗ）方向であり得る。

【0023】

ディスプレイ駆動回路は、データ駆動回路１２０と、ゲート駆動回路１３０と、データ駆動回路１２０及びゲート駆動回路１３０を制御するためのコントローラ１４０とをさらに含み得る。データ駆動回路１２０は、複数のデータラインＤＬに、映像信号に対応するデータ信号（データ電圧ともいう）を出力することができる。ゲート駆動回路１３０は、ゲート信号を生成して、複数のゲートラインＧＬにゲート信号を出力することができる。コントローラ１４０は、外部ホスト１５０から入力される入力映像データを、データ駆動回路１２０で使用されるデータ信号形式に合わせて切り替え、切り替えられた映像データを、データ駆動回路１２０に供給することができる。

【0024】

データ駆動回路１２０は、１つ以上のソースドライバ集積回路を含むことができる。例えば、各ソースドライバ集積回路は、テープオートメチドボンディング（ＴＡＢ）方式で表示パネル１１０に接続されるか、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）又はＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）方式で表示パネル１１０のボンディングパッドに接続されてもよく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式で実現されて、表示パネル１１０と接続されてもよい。

【0025】

ゲート駆動回路１３０は、テープオートメチドボンディング（ＴＡＢ）方式で表示パネル１１０と接続されてもよく、ＣＯＧ又はＣＯＰ方式で表示パネル１１０のボンディングパッドに接続されてもよく、ＣＯＦ方式に応じて表示パネル１１０と接続されてもよく、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプで表示パネル１１０の非表示領域ＮＤＡに形成されてもよい。

【0026】

本開示の実施形態による表示装置１００は、表示パネル１１０が自発光する自発光表示装置であってもよい。例えば、本開示の実施形態による表示装置１００は、発光素子が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）で具現された有機発光表示装置であり得る。別の例として、本開示の実施形態による表示装置１００は、発光素子が無機物ベースの発光ダイオードで具現された無機発光表示装置であり得る。さらに別の例として、本開示の実施形態による表示装置１００は、発光素子が自ら光を発する半導体結晶である量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）で具現された量子ドット表示装置であり得る。

【0027】

図２は、本開示の実施形態による表示装置１００のサブピクセルＳＰの等価回路である。

【0028】

図２を参照すると、本開示の実施形態による表示装置１００において、各サブピクセルＳＰは、発光素子ＥＤと、それを駆動するためのピクセル駆動回路ＳＰＣとを含むことができ、ピクセル駆動回路ＳＰＣは、駆動トランジスタＤＲＴ、スキャントランジスタＳＣＴ、及びストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。

【0029】

駆動トランジスタＤＲＴは、発光素子ＥＤに流れる電流を制御して、発光素子ＥＤを駆動することができる。スキャントランジスタＳＣＴは、データ電圧Ｖｄａｔａを、駆動トランジスタＤＲＴのゲートノードである第１のノードＮ１に伝達することができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、一定の期間の間、電圧を維持するための構成であり得る。

【0030】

発光素子ＥＤは、アノード電極ＡＥ及びカソード電極ＣＥと、アノード電極ＡＥ及びカソード電極ＣＥとの間に位置する発光層ＥＬとを含むことができる。アノード電極ＡＥは、駆動トランジスタＤＲＴの第２のノードＮ２と電気的に接続され得る。

【0031】

カソード電極ＣＥには、ベース電圧ＥＶＳＳを印加することができる。発光素子ＥＤは、一例として、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、無機物ベースの発光ダイオードＬＥＤ、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）発光素子などであってもよい。

【0032】

駆動トランジスタＤＲＴは、発光素子ＥＤを駆動するためのトランジスタであり、第１のノードＮ１、第２のノードＮ２、第３のノードＮ３などを含むことができる。第１のノードＮ１は、ゲートノードであり、スキャントランジスタＳＣＴのソースノード又はドレインノードと電気的に接続することができる。第２のノードＮ２は、ソースノード又はドレインノードであり、発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥと電気的に接続することができる。第３のノードＮ３は、ドレインノード又はソースノードであってもよく、駆動電圧ＥＶＤＤを供給する駆動電圧ラインＤＶＬと電気的に接続することができる。以下では、説明の便宜のために、第２のノードＮ２は、ソースノードであり、第３のノードＮ３は、ドレインノードであることを例に説明することができる。

【0033】

スキャントランジスタＳＣＴは、データラインＤＬと、駆動トランジスタＤＲＴの第１のノードＮ１との間の接続を切り替えることができる。スキャントランジスタＳＣＴは、ゲートラインＧＬの一種であるスキャンラインＳＣＬから供給されるスキャン信号ＳＣＡＮに応答して、駆動トランジスタＤＲＴの第１のノードＮ１と複数のデータラインＤＬのうち対応するデータラインＤＬ間の接続を制御することができる。

【0034】

スキャントランジスタＳＣＴのドレインノード又はソースノードは、対応するデータラインＤＬに電気的に接続することができる。スキャントランジスタＳＣＴのソースノード又はドレインノードは、駆動トランジスタＤＲＴの第１のノードＮ１に電気的に接続されてもよい。スキャントランジスタＳＣＴのゲートノードは、スキャンラインＳＣＬと電気的に接続されて、スキャン信号ＳＣＡＮを印加され得る。スキャントランジスタＳＣＴは、ターンオンレベル電圧のスキャン信号ＳＣＡＮによってターンオンされ、当該データラインＤＬから供給されたデータ電圧Ｖｄａｔａを、駆動トランジスタＤＲＴの第１のノードＮ１に伝達することができる。

【0035】

図２を参照すると、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に構成することができる。

【0036】

図２を参照すると、本開示の実施形態による表示装置１００において、各サブピクセルＳＰのピクセル駆動回路ＳＰＣは、センシングトランジスタＳＥＮＴをさらに含むことができる。センシングトランジスタＳＥＮＴは、駆動トランジスタＤＲＴの第２のノードＮ２と、基準電圧Ｖｒｅｆが印加された基準電圧ラインＲＶＬとの間の接続を切り替えることができる。

【0037】

センシングトランジスタＳＥＮＴは、スキャンラインＳＣＬから供給されるスキャン信号ＳＣＡＮに応答して、発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥに電気的に接続された駆動トランジスタＤＲＴの第２のノードＮ２と、複数の基準電圧ラインＲＶＬのうち対応する基準電圧ラインＲＶＬ間の接続を制御することができる。図２では、センシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードと、スキャントランジスタＳＣＴのゲートノードとは、同一のスキャンラインＳＣＬに接続されているが、これは、説明の便宜のための例示であり、異なるスキャンラインＳＣＬに接続することもできる。

【0038】

センシングトランジスタＳＥＮＴのドレインノード又はソースノードは、基準電圧ラインＲＶＬに電気的に接続することができる。センシングトランジスタＳＥＮＴのソースノード又はドレインノードは、駆動トランジスタＤＲＴの第２のノードＮ２に電気的に接続され得、発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥと電気的に接続され得る。センシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、スキャンラインＳＣＬと電気的に接続され、スキャン信号ＳＣＡＮを印加され得る。

【0039】

駆動トランジスタＤＲＴ、スキャントランジスタＳＣＴ、及びセンシングトランジスタＳＥＮＴはそれぞれ、ｎ型トランジスタでもｐ型トランジスタでもよい。

【0040】

図３は、本開示の実施形態による表示パネルの表示領域の一部を示す平面図である。

【0041】

図３を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、表示領域ＤＡに配置された複数のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４を含むことができる。

【0042】

各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４は、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４を含むことができる。例えば、図３に示すように、第１のサブピクセルＳＰ１は、第１の発光領域ＥＡ１を含み、第２のサブピクセルＳＰ２は、第２の発光領域ＥＡ２を含み、第３のサブピクセルＳＰ３は、第３の発光領域ＥＡ３を含み、第４のサブピクセルＳＰ４は、第４の発光領域ＥＡ４を含むことができる。

【0043】

第１の発光領域ＥＡは、赤色発光領域であり、第２の発光領域ＥＡ２は、青色発光領域であり、第３の発光領域ＥＡ３は、白色発光領域であり、第４の発光領域ＥＡ４は、緑色発光領域であり得るが、本開示の実施形態は、これに限定されない。

【0044】

表示パネル１１０は、複数の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４を囲む非発光領域を含むことができる。

【0045】

複数の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４は、バンクＢＫの開口部に対応する領域であり、非発光領域は、バンクＢＫが配置された領域あり得る。

【0046】

非発光領域には、複数の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４に配置された発光素子を駆動するための複数の信号ラインが配置されてもよく、また、複数のトランジスタ及び複数のストレージキャパシタを含む回路部が配置されてもよい。

【0047】

例えば、図３を参照すると、表示パネル１１０の非発光領域には、第１～第５の信号ラインＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、ＳＬ４、ＳＬ５が配置され得る。

【0048】

図３を参照すると、第１～第４の信号ラインＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、ＳＬ４は、互いに離隔して配置され、第１の方向に延びるように配置されてもよい（例：列方向または垂直方向）。

【0049】

第１の信号ラインＳＬ１は、駆動電圧ラインであり、第２及び第３の信号ラインＳＬ２、ＳＬ３は、データラインであり、第４の信号ラインＳＬ４は、基準電圧ラインであり得るが、本開示の実施形態は、これに限定されない（例：行方向、横方向）。

【0050】

第５の信号ラインＳＬ５は、第１の方向と交差する方向である第２の方向に延びるように配置されてもよい。第５の信号ラインＳＬ５は、第１～第４の信号ラインＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、ＳＬ４と重畳することができる。

【0051】

第５の信号ラインＳＬ５は、スキャンラインであり得るが、本開示の実施形態は、これに限定されない。

【0052】

図３を参照すると、表示パネル１１０は、第１～第４の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４のそれぞれと重畳された複数のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４を含むことができる。

【0053】

具体的に、第１のサブピクセルＳＰ１の第１の発光領域ＥＡ１は、第１のアノード電極ＡＥ１の一部と重なり、第２のサブピクセルＳＰ２の第２の発光領域ＥＡ２は、第２のアノード電極ＡＥ２の一部と重なってもよい。また、第３のサブピクセルＳＰ３の第３の発光領域ＥＡ３は、第３のアノード電極ＡＥ３の一部と重なってもよく、第４のサブピクセルＳＰ４の第４の発光領域ＥＡ４は、第４のアノード電極ＡＥ４の一部と重なってもよい。

【0054】

図３を参照すると、第１の発光領域ＥＡ１は、第１のカラーフィルタＲＣＦと重畳し、第２の発光領域ＥＡ２は、第２のカラーフィルタＢＣＦと重畳することができる。また、第３の発光領域ＥＡ３には、カラーフィルタが配置されなくてもよいが、本開示の実施形態は、これに限定されない。

【0055】

また、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２の各々には、第１のカラーフィルタＲＣＦ及び第２のカラーフィルタＢＣＦが、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２と共に、非発光領域の一部にも配置され得る。そして、第４のサブイクセルＳＰ４においても、カラーフィルタ（例えば、緑色カラーフィルタ）を配置することができるが、第４のサブピクセルＳＰ４の第４の発光領域ＥＡ４に対応するように配置され、第４のサブピクセルＳＰ４の非発光領域には、配置されなくてもよい。

【0056】

さらに、図３を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、複数のアノード電極のうち少なくとも１つのアノード電極と重なるアクティブパターンを含むことができる。

【0057】

例えば、第１及び第２のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２のそれぞれは、信号ラインと電気的に接続された少なくとも１つのアクティブパターンと重なってもよい。

【0058】

第１及び第２のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２と重畳されたアクティブパターンのうち少なくとも１つのアクティブパターンの一部は、表示パネル１１０の発光領域ＥＡとも重なることができる。言い換えれば、表示パネル１１０の表示領域ＤＡに配置された少なくとも１つのアクティブパターンは、アノード電極と発光領域に重畳され得る。

【0059】

具体的に、第１の発光領域ＥＡ１を含む第１のサブピクセルＳＰ１は、第１のアクティブパターン３２１、第２のアクティブパターン３２２、及び第３のアクティブパターン３２３を含むことができる。

【0060】

第１のサブピクセルＳＰ１の回路部は、スキャントランジスタＳＣＴ、センストランジスタＳＥＮＴ、及び駆動トランジスタＤＲＴを含むことができる（図２を参照）。

【0061】

第１のサブピクセルＳＰ１に配置された第１のアクティブパターン３２１は、第４の信号ラインＳＬ４と電気的に接続され、第２のアクティブパターン３２２は、第２の信号ラインＳＬ２と電気的に接続され得る。第３のアクティブパターン３２３は、第１の信号ラインＳＬ１と電気的に接続され得る。

【0062】

第１のアクティブパターン３２１は、第１のサブピクセルＳＰ１のセンストランジスタＳＥＮＴと電気的に接続され、第２のアクティブパターン３２２は、第１のサブピクセルＳＰ１のスキャントランジスタＳＣＡＮと電気的に接続されることができ、第３のアクティブパターン３２３は、第１のサブピクセルＳＰ１の駆動トランジスタＤＲＴと電気的に接続することができる。

【0063】

第１のサブピクセルＳＰ１に配置された第１～第３のアクティブパターン３２１、３２２、３２３のそれぞれは、基板上に配置された信号ラインと接続され、配線として機能することができる。

【0064】

図３に示されているように、第１のサブピクセルＳＰ１に含まれる第１の発光領域ＥＡ１は、第１のアクティブパターン３２１の一部と、第２のアクティブパターン３２２の一部と重なることができる。ここで、第１のアクティブパターン３２１の一部は、第２の発光領域ＥＡ２の一部とも重なってもよい。

【0065】

このような第１のアクティブパターン３２１及び第２のアクティブパターン３２２のうち少なくとも１つは、リペア工程時に、レーザが照射される部分であるカット領域ＣＬが存在してもよい。

【0066】

カット領域ＣＬは、サブピクセルＳＰに不良が発生した場合、不良が発生したサブピクセルＳＰのリペア（ｒｅｐａｉｒ）のために、レーザが照射される部分であり得る。アクティブパターンのカッティング領域ＣＬは、欠陥のある副画素ＳＰを修復するためにレーザ光が照射される部分である。欠陥副画素ＳＰは、切断領域ＣＬを生成し、切断領域ＣＬを含むアクティブパターンに接続された信号線から欠陥副画素ＳＰを切り離すことによって修復される。

【0067】

アクティブパターンのカット領域ＣＬにレーザが照射された場合、カット領域ＣＬにおけるアクティブパターンは、切断（ｃｕｔｔｉｎｇ）することができ、レーザが照射されていない場合、アクティブパターンは、切断されず、薄膜トランジスタに信号を伝達する役割を果たすことができる。言い換えれば、カット領域ＣＬは、リペア工程の後、アクティブパターンが切断されたか否かによって確認され得る。また、リペア工程が行われていないアクティブパターンでは、カット領域ＣＬが視認されない。

【0068】

表示装置に含まれる表示パネルを製造する工程では、各サブピクセルが、異物等により不良が発生する可能性がある。このように、サブピクセルの不良が発生した場合、リペア（ｒｅｐａｉｒ）のために、不良が発生したサブピクセルの動作を遮断することができる。

【0069】

リペア（ｒｅｐａｉｒ）工程は、サブピクセルＳＰに配置された少なくとも１つの配線を、電気的に短絡する工程を意味することができる。例えば、第１～第４の信号ラインＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、ＳＬ４のうち少なくとも１つに電気的に接続された配線にレーザを照射して、当該配線と異なる信号ラインの電気的接続を切断することにより、リペア工程を完了することができる。

【0070】

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、複数のアクティブパターン３２１、３２２、３３１、３３２、３４１、３４２、３５１、３５２が配線の役割を果たすとともに、リペア工程時にレーザが照射されるリペアパターンとして機能することができる。

【0071】

例えば、図３を参照すると、第２のアクティブパターン３２２は、第１のアノード電極ＡＥ１及び第１の発光領域ＥＡ１と重なる領域で、少なくとも１つの第１のカット領域ＣＬ１を含むことができる。

【0072】

また、図３を参照すると、第１のアクティブパターン３２１は、第２のアノード電極ＡＥ２及び第２の発光領域ＥＡ２と重なる領域で、少なくとも１つの第１のカット領域ＣＬ１を含むことができる。即ち、第１のアクティブパターン３２１は、第１のサブピクセルＳＰ１に基準電圧信号を供給する配線の役割を果たすが、第２のサブピクセルＳＰ２が配置された領域で、第１のカット領域ＣＬ１を設けることができる。

【0073】

ただし、本開示の実施形態は、これに限定されず、第１のアクティブパターン３２１は、第１のアノード電極ＡＥ１と重なる領域、又は、第１のアノード電極ＡＥ１及び第１の発光領域ＥＡ１と重なる領域で、第１のカット領域ＣＬ１を設けてもよい。

【0074】

図３を参照すると、第２の発光領域ＥＡ２を含む第２のサブピクセルＳＰ２は、第４のアクティブパターン３３１、第５のアクティブパターン３３２、及び第６のアクティブパターン３３３を含むことができる。

【0075】

第２のサブピクセルＳＰ２の回路部も、スキャントランジスタＳＣＴ、センストランジスタＳＥＮＴ及び駆動トランジスタＤＲＴを含むことができる（図２を参照）。

【0076】

第２のサブピクセルＳＰ２の第４のアクティブパターン３３１は、第４の信号ラインＳＬ４と電気的に接続され、第５のアクティブパターン３３２は、第３の信号ラインＳＬ３と電気的に接続され得る。第６のアクティブパターン３３３は、第１の信号ラインＳＬ１と電気的に接続され得る。

【0077】

図３を参照すると、サブピクセルＳＰ１に配置された第３のアクティブパターン３２３は、第６のアクティブパターン３３３から分岐した構造を有してもよいが、本開示の実施形態によるアクティブパターンの構造は、これに限定されない。

【0078】

第４のアクティブパターン３３１は、第２のサブピクセルＳＰ２のセンストランジスタＳＥＮＴと電気的に接続され、第５のアクティブパターン３３２は、第２のサブピクセルＳＰ２のスキャントランジスタＳＣＡＮと電気的に接続され、第６のアクティブパターン３３３は、第２のサブピクセルＳＰ２の駆動トランジスタＤＲＴと電気的に接続され得る。

【0079】

第２のサブピクセルＳＰ２に配置された第４～第６のアクティブパターン３３１、３３２、３３３はそれぞれ、基板上に配置された信号ラインと接続され、配線の役割を果たすことができる。

【0080】

図３に示されているように、第２のサブピクセルＳＰ２に含まれる第２のアノード電極ＡＥ２及び第２の発光領域ＥＡ２は、第４のアクティブパターン３３１の一部及び第５のアクティブパターン３３２の一部と重なることができる。

【0081】

このような第４のアクティブパターン３３１及び第５のアクティブパターン３３２の少なくとも１つは、リペア工程時に、レーザが照射される部分であるカット領域ＣＬが存在してもよい。

【0082】

例えば、図３を参照すると、第４のアクティブパターン３３１及び第５のアクティブパターン３３２のうち少なくとも１つは、第２のアノード電極ＡＥ２及び第２の発光領域ＥＡ２と重畳された領域で、少なくとも１つの第２のカット領域ＣＬ２を含むことができる。

【0083】

図３を参照すると、第３の発光領域ＥＡ３を含む第３のサブピクセルＳＰ３は、第７のアクティブパターン３４１、第８のアクティブパターン３４２及び第９のアクティブパターン３４３を含むことができる。

【0084】

第３のサブピクセルＳＰ３の回路部は、スキャントランジスタＳＣＴ、センストランジスタＳＥＮＴ及び駆動トランジスタＤＲＴを含むことができる（図２を参照）。

【0085】

第３のサブピクセルＳＰ３の第７のアクティブパターン３４１は、第４の信号ラインＳＬ４と電気的に接続され、第８のアクティブパターン３４２は、第３の信号ラインＳＬ３と電気的に接続され得る。第９のアクティブパターン３４３は、第１の信号ラインＳＬ１と電気的に接続され得る。

【0086】

第７のアクティブパターン３４１は、第３のサブピクセルＳＰ３のセンストランジスタＳＥＮＴと電気的に接続され、第８のアクティブパターン３４２は、第３のサブピクセルＳＰ３のスキャントランジスタＳＣＡＮと電気的に接続されることができ、第９のアクティブパターン３４３は、第３のサブピクセルＳＰ３の駆動トランジスタＤＲＴと電気的に接続されることができる。

【0087】

第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第７～第９のアクティブパターン３４１、３４２、３４３のそれぞれは、基板上に配置された信号ラインと接続され、配線の役割を果たすことができる。

【0088】

図３を参照すると、第７～第９のアクティブパターン３４１、３４２、３４３のそれぞれの少なくとも一部は、第３のアノード電極ＡＥ３及び第３の発光領域ＥＡ３と重畳されなくてもよい。

【0089】

ここで、第３のアノード電極ＡＥ３は、第１及び第２のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２が配置された行とは異なる行に配置されてもよい。例えば、第１及び第２のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２が、ｎ行に配置される場合、第３のアノード電極ＡＥ３は、ｎ＋１行に配置され得る（ここで、ｎは、１以上の正数である）。アノード電極が配置される行は、第５の信号ラインＳＬ５に基づいて区分することができる。

【0090】

図３を参照すると、第７～第９のアクティブパターン３４１、３４２、３４３中に、第７及び第８のアクティブパターン３４１、３４２のうち少なくとも１つは、バンクＢＫと重なる領域で、少なくとも１つの第３のカット領域ＣＬ３を含むことができる。言い換えれば、第３のカット領域ＣＬ３は、非発光領域に配置され得る。

【0091】

第７及び第８のアクティブパターン３４１、３４２に設けられた第３のカット領域ＣＬ３は、第３のサブピクセルＳＰ３の非発光領域に配置され得る。

【0092】

第４のサブピクセルＳＰ４の回路部は、スキャントランジスタＳＣＴ、センストランジスタＳＥＮＴ、及び駆動トランジスタＤＲＴを含むことができる（図２を参照）。

【0093】

第４のサブピクセルＳＰ４の第１０のアクティブパターン３５１は、第４の信号ラインＳＬ４と電気的に接続され、第１１のアクティブパターン３５２は、第２の信号ラインＳＬ２と電気的に接続され得る。第１２のアクティブパターン３５３は、第１の信号ラインＳＬ１と電気的に接続され得る。

【0094】

第１０のアクティブパターン３５１は、第４のサブピクセルＳＰ４のセンストランジスタＳＥＮＴと電気的に接続され、第１１のアクティブパターン３５２は、第４のサブピクセルＳＰ４のスキャントランジスタＳＣＡＮと電気的に接続されることができ、第１２のアクティブパターン３５３は、第４のサブピクセルＳＰ４の駆動トランジスタＤＲＴと電気的に接続されることができる。

【0095】

第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１０～第１２のアクティブパターン３５１、３５２、３５３のそれぞれは、基板上に配置された信号ラインと接続され、配線の役割を果たすことができる。

【0096】

図３を参照すると、第１０～第１２のアクティブパターン３５１、３５２、３５３のそれぞれの一部は、第４のアノード電極ＡＥ４及び第４の発光領域ＥＡ４と未重畳されてもよい。

【0097】

ここで、第４のアノード電極ＡＥ４は、第１及び第２のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２が配置された行とは異なる行に配置されてもよい。例えば、第１及び第２のアノード電極ＡＥ１、ＡＥ２が、ｎ行に配置される場合、第４のアノード電極ＡＥ４は、ｎ＋１行に配置されてもよい。

【0098】

図３を参照すると、第１０～第１２のアクティブパターン３５１、３５２、３５３中に、第１０及び第１１のアクティブパターン３５１、３５２のうち少なくとも１つは、バンクＢＫと重なる領域で、少なくとも１つの第４のカット領域ＣＬ４を含むことができる。言い換えれば、第４のカット領域ＣＬ４は、非発光領域に配置することができる。

【0099】

例えば、第１０のアクティブパターン３５１は、第３のサブピクセルＳＰ３の非発光領域で、少なくとも１つの第４のカット領域ＣＬ４を含み、第１１のアクティブパターン３５２は、第４のサブピクセルＳＰ４の非発光領域で、少なくとも１つの第４のカット領域ＣＬ４を含むことができるが、本開示の実施形態は、これに限定されない。第１０のアクティブパターン３５１の第４のカット領域ＣＬ４は、第４のサブピクセルＳＰ４の非発光領域に設けられてもよい。

【0100】

図３を参照すると、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２に配置されたアクティブパターン３２２、３２３、３３２、３３３と電気的に接続された第１～第３の信号ラインＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３は、第３及び第４のサブピクセルＳＰ３、ＳＰ４に配置されたアクティブパターン３４２、３４３、３５２、３５３と電気的に接続される第１～第３の信号ラインＳＬ１、ＳＬ３、ＳＬ３とは異なる信号ラインであってもよい。

【0101】

また、図３を参照すると、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２に配置されたアクティブパターン３２１、３３１と電気的に接続される第４の信号ラインＳＬ４は、第３及び第４のサブピクセルＳＰ３、ＳＰ４に配置されたアクティブパターン３４１、３５１と電気的に接続される第４の信号ラインＳＬ４と同一の信号ラインであってもよい。

【0102】

図３を参照すると、第１～第４の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４と重畳されたアクティブパターン３２１、３２２、３３１、３３２、３４１、３５１のうち少なくとも１つは、カット領域ＣＬを含むことができる。カット領域ＣＬを含むアクティブパターンは、データラインに接続されてもよく、基準電圧ラインに接続されてもよい。

【0103】

前述したように、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２に配置された第１のアクティブパターン３２１、第２のアクティブパターン３２２、第４のアクティブパターン３３１及び第５のアクティブパターン３３２のうち少なくとも１つは、１つのアノード電極ＡＥ及び１つの発光領域ＥＡと重なる領域で少なくとも１つのカット領域ＣＬを備えることができる。

【0104】

また、第３及び第４のサブピクセルＳＰ３、ＳＰ４に配置された第７のアクティブパターン３４１、第８のアクティブパターン３４２、第１０のアクティブパターン３５１、及び第１１のアクティブパターン３５２のうち少なくとも１つは、バンクＢＫと重なる領域で、少なくとも１つのカット領域ＣＬを備えることができる。

【0105】

前述のように、アクティブパターン３２１、３２２、３３１、３３２、３４１、３４２、３５１、３５２に備えられたカット領域ＣＬには、レーザ（ｌａｓｅｒ）を照射することができ、レーザが照射された領域は、他の構成との電気的接続が切断されることにより、当該サブピクセルに信号が印加されない可能性がある。

【0106】

第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２をリペアすることができるアクティブパターン３２１、３２２、３３１、３３２の第１及び第２のカット領域ＣＬ１、ＣＬ２が、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２と重なるように配置されることで、表示パネル１１０の開口率を低下させることなく、リペア領域を備えることができる。

【0107】

また、第３及び第４のサブピクセルＳＰ３、ＳＰ４をリペアすることができるアクティブパターン３４１、３４２、３５１、３５２の第３及び第４のカット領域ＣＬ３、ＣＬ４が、バンクＢＫと重なるように配置されることにより、カラーフィルタが未配置された領域で、混色を防止するとともに、リペア工程で照射される残余レーザがバンクＢＫに吸収され、カソード電極がレーザによって損傷されることを防止することができる。

【0108】

カット領域ＣＬを含むアクティブパターンの構造を、図４及び図５を参照して具体的に検討すれば、次の通りである。

【0109】

図４は、図３のＡ－Ｂに沿って切断した断面図である。図５は、第１のサブピクセル又は第２のサブピクセルをリペアする工程で、アクティブパターンにレーザを照射した形態を概略的に示す図である。

【0110】

まず、図４を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、基板４０１上に配置された少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ上に配置された発光素子ＥＤ１を含むことができる。

【0111】

薄膜トランジスタは、アクティブ層４０３、ゲート電極４０５、ソース電極４０７、及びドレイン電極４０８を含むことができる。

【0112】

発光素子ＥＤ１は、第１のアノード電極ＡＥ１、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥを含むことができる。

【0113】

図４において、発光素子ＥＤ１と電気的に接続された薄膜トランジスタは、駆動トランジスタＤＲＴであってもよい。

【0114】

また、図４に示されたトランジスタの構造は、表示領域ＤＡに配置されたスキャントランジスタＳＣＡＮ又はセンストランジスタＳＥＮＴの構造と同じであっても、非表示領域ＮＤＡに配置されるトランジスタの構造と同じであってもよい。

【0115】

図４を参照すると、基板４０１上には、ライトシールド層ＬＳが配置され得る。

【0116】

ライトシールド層ＬＳは、各サブピクセルＳＰに配置されたアクティブパターンのチャネル領域に、光が入射するのを防止する役割を果たすことができる。光シールド層ＬＳは、サブピクセルＳＰ内に配置された活性層４０３のチャネル領域への光の入射を防止または少なくとも低減する役割を果たすことができる。

【0117】

ライトシールド層ＬＳ上には、バッファ層４０２が配置され得る。

【0118】

バッファ層４０２は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）又はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁物質を含むことができるが、本発明は、これに限定されない。

【0119】

図４では、バッファ層４０２が単一層の構造として示されているが、本発明のバッファ層４０２は、多重層の構造を有してもよい。

【0120】

バッファ層４０２が多重層の構造を有する場合、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）、又はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）などの無機物質のうち少なくとも２つの無機絶縁物質を含む層が交番して配置される構造であってもよいが、本発明は、これに限定されない。

【0121】

バッファ層４０２上には、薄膜トランジスタのアクティブ層４０３及び第２のアクティブパターン３２２が配置され得る。

【0122】

図４を参照すると、アクティブ層４０３は、第１のアクティブ層４０３ａ及び第１のアクティブ層４０３ａ上に配置された第１の補助電極４０３ｂ及び第２の補助電極４０３ｃを含むことができる。

【0123】

第１の補助電極４０３ｂと第２の補助電極４０３ｃは、第１のアクティブ層４０３ａ上で互いに離隔して配置されるものの、第１のアクティブ層４０３ａのチャネル領域と未重畳されるように配置され得る。第１のアクティブ層４０３ａのチャネル領域は、ゲート電極４０５と重畳された領域であってもよい。

【0124】

第２のアクティブパターン３２２は、第１のパターン３２２ａ上に配置された第２のパターン３２２ｂを含むことができる。

【0125】

第１のアクティブ層４０３ａと第１のパターン３２２ａとは、酸化物半導体物質を含むことができる。酸化物半導体物質は、酸化物材料にドーピングを介して導電性を制御し、バンドギャップを調整した半導体材料であり、一般に広いバンドギャップを有する透明半導体材料であり得る。例えば、酸化物半導体物質は、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＣｄＯ（ｃａｄｍｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩｎＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＺＩＴＯ（ｚｉｎｃ ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などを含むことができる。第１のアクティブ層４０３ａが酸化物半導体物質である場合、このような第１のアクティブ層４０３ａを含む薄膜トランジスタは、酸化物薄膜トランジスタ（Ｏｘｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ばれる。

【0126】

第１の補助電極４０３ｂ、第２の補助電極４０３ｃ、及び第２のパターン３２２ｂは、導電性酸化物を含むことができる。例えば、導電性酸化物は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）、硝酸化物、及び有機物などのうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）は、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ－ｄｏｐｅｄ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｏｘｉｄｅｓ）などのうち１つ以上を含むことができる。硝酸化物は、ＺｎＯＮ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）などを含むことができる。

【0127】

第１の補助電極４０３ｂは、第１のアクティブ層４０３ａと、ドレイン電極４０８との間に配置され、第１のアクティブ層４０３ａとドレイン電極４０８を電気的に接続することができる。第２の補助電極４０３ｃは、第１のアクティブ層４０３ａとソース電極４０７との間に配置され、第１のアクティブ層４０３ａとソース電極４０７を電気的に接続することができる。

【0128】

第１のアクティブ層４０３ａ上には、ゲート絶縁膜４０４が配置され得る。

【0129】

ゲート絶縁膜４０４は、第１のアクティブ層４０３ａのチャネル領域上に配置され得る。

【0130】

ゲート絶縁膜４０４上には、ゲート電極４０５が配置され得る。

【0131】

図４を参照すると、ゲート電極４０５が配置された基板４０１上には、層間絶縁膜４０６が配置され得る。

【0132】

図４を参照すると、層間絶縁膜４０６は、第１の補助電極４０３ｂと第２の補助電極４０３ｃのそれぞれの上面の一部を露出するコンタクトホールを備えることができる。

【0133】

ドレイン電極４０８は、層間絶縁膜４０６上に配置され、コンタクトホールを介して、第１の補助電極４０３ｂの一部の上面と接触することができる。ソース電極４０７は、層間絶縁膜４０６上に配置され、コンタクトホールを介して、第２の補助電極４０３ｃの一部の上面と接触することができる。

【0134】

前述のように、第１の補助電極４０３ｂは、第１のアクティブ層４０３ａとドレイン電極４０８との間の電気的な接続を媒介する補助電極であり、第２の補助電極４０３ｃは、第１のアクティブ層４０３ａとソース電極４０７との間の電気的な接続を媒介する補助電極であり得る。

【0135】

また、図４を参照すると、層間絶縁膜４０６は、第２のアクティブパターン３２２の上面及び側面を囲むように配置することができる。

【0136】

このような層間絶縁膜４０６上には、第１のカラーフィルタＲＣＦを配置することができる。図４に示すように、第１のカラーフィルタＲＣＦは、第２のアクティブパターン３２２の少なくとも一部と重なるように配置することができる。

【0137】

第２のアクティブパターン３２２の少なくとも一部と、第１のカラーフィルタＲＣＦの少なくとも一部は、第１の発光領域ＥＡ１と重なることができる。

【0138】

第１のカラーフィルタＲＣＦ１が配置された基板４０１上には、オーバーコート層４０９が配置され得る。

【0139】

オーバーコート層４０９上には、第１の発光素子ＥＤ１の第１のアノード電極ＡＥ１が配置され得る。

【0140】

第１のアノード電極ＡＥ１は、オーバーコート層４０９に備えられたコンタクトホールを介して、薄膜トランジスタのソース電極４０７と電気的に接続され得る。図４では、第１のアノード電極ＡＥ１が、薄膜トランジスタのソース電極４０７と接続される構造を示しているが、本実施形態による表示パネル１１０の構造は、これに限定されず、第１のアノード電極ＡＥ１は、薄膜トランジスタのドレイン電極４０８と接続されてもよい。

【0141】

また、図４を参照すると、オーバーコート層４０９と第１のアノード電極ＡＥ１の上面の一部には、バンクＢＫが配置され得る。

【0142】

バンクＢＫは、第１のアノード電極ＡＥ１の上面の一部と重なるように配置することができる。また、バンクＢＫは、第１のアノード電極ＡＥ１の上面の一部を露出するように配置することができる。

【0143】

このようなバンクＢＫは、表示パネル１１０の表示領域ＤＡ内における発光領域ＥＡと非発光領域ＮＥＡとを定義することができる。例えば、表示領域ＤＡにおけるバンクＢＫが配置されている領域は、非発光領域ＮＥＡであり、表示領域ＤＡにおけるバンクＢＫが配置されていない領域は、発光領域ＥＡであり得る。

【0144】

第１のアノード電極ＡＥ１上には、第１の発光素子ＥＤ１の発光層ＥＬが配置され得る。

【0145】

図４には、発光層ＥＬが単層である構造を示したが、本開示の実施形態は、これに限定されない。発光層ＥＬは、多層の有機層からなることができる。

【0146】

発光層ＥＬが配置された基板４０１上には、第１の発光素子ＥＤ１のカソード電極ＣＥが配置され得る。

【0147】

第１のアノード電極ＡＥ１は、透明導電物質を含み、カソード電極ＣＥは、反射性導電物質を含むことができるが、本開示の実施形態は、これに限定されない。

【0148】

また、図４には、第１のアノード電極ＡＥ１と、カソード電極ＣＥとが単一層の構造として示されているが、本開示の実施形態は、これに限定されず、２層以上の多層の構造からなってもよい。

【0149】

カソード電極ＣＥ上には、封止層４３０が配置され得る。

【0150】

封止層４３０は、カソード電極ＣＥ上に配置された第１の封止層４３１、第１の封止層４３１上に配置された第２の封止層４３２、及び第２の封止層４３２上に配置された第３の封止層４３３を含むことができる。ここで、第１及び第３の封止層４３１、４３３は、無機絶縁物質を含み、第２の封止層４３２は、有機絶縁物質を含むことができる。

【0151】

図４を参照すると、第２のアクティブパターン３２２が、第１の発光領域ＥＡ１と重なる領域で、少なくとも１つの第１のカット領域ＣＬ１を含むことができる。

【0152】

すなわち、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアする工程において、第１の発光領域ＥＡ１に存在する第２のアクティブパターン３２２の第１のカット領域ＣＬ１にレーザを照射することができる。

【0153】

本開示の実施形態によれば、第２のアクティブパターン３２２の第１及び第２のパターン３２２ａ、３２２ｂのそれぞれが、酸化物半導体物質と透明な導電性物質からなり、このような第２のアクティブパターン３２２を、リペアパターンとして用いることで、リペアパターンにより開口部の面積が減少するのを防止することができる表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【0154】

金属層（例えば、ゲート金属）を介してリペア工程が行われる場合、本開示の実施形態による表示パネル１１０に配置された第２のアクティブパターン３２２を用いたリペア工程よりも長波長のレーザを使用することができる。

【0155】

長波長のレーザを使用してリペア工程を進行する場合、レーザが照射されるリペアパターンだけでなく、金属を含む他の配線や電極も、レーザの影響で正常に動作せず、輝点や暗点が発生したり、ライン（ｌｉｎｅ）欠陥が発生することがある。

【0156】

また、金属層をリペアパターンとして用いる場合、リペアパターンは、不透明な特性を有するため、非発光領域に配置されるべきであるので、リペアパターンが占める面積によって、発光領域ＥＡの面積が減少し、これにより残像性能が低下する可能性がある。

【0157】

図４に示されているように、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、酸化物半導体物質からなる第１のパターン３２２ａと、透明な導電性物質からなる第２のパターン３２２ｂとを含む第２のアクティブパターン３２２を、リペアパターンとして活用することにより、金属層をリペアパターンとして使用する場合に比べて、短波長のレーザを用いてリペア工程を進行することができるので、リペア工程時に他の配線に損傷が加わることを防止することができる。

【0158】

特に、レーザによるカソード電極ＣＥの損傷が発生しないため、カソード電極ＣＥ上に配置された封止層４３０から浸透できる外部元素による２次不良までも防止できる効果がある。

【0159】

また、図５を参照すると、第１のサブピクセルＳＰ１のリペア工程で、第２のアクティブパターン３２２にレーザを照射することができ、これにより、第２のアクティブパターン３２２を切断（ｃｕｔｔｉｎｇ）することができる。

【0160】

リペア工程において、第２のアクティブパターン３２２にレーザが照射される領域は、第２のアクティブパターン３２２上に第１のカラーフィルタＲＣＦが配置され、第１のカラーフィルタＲＣＦ上にオーバーコート層４０９が配置され、オーバーコート層４０９上に第１のアノード電極ＡＥ１が配置され、第１のアノード電極ＡＥ１上に発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥが配置される構造であり得る。

【0161】

前述のように、第１のパターン３２２ａは、酸化物半導体物質からなり、第２のパターン３２２ｂは、透明導電性酸化物からなることで、リペア工程時のレーザパワー（ｌａｓｅｒ ｐｏｗｅｒ）を低減することができる。言い換えれば、低波長のレーザを介して、リペア工程を実行することができる。例えば、リペア工程で照射されるレーザの波長は、２５０ｎｍ～３５０ｎｍであってもよく、２６０ｎｍ～２７０ｎｍの波長のレーザを用いてもよい。

【0162】

ここで、第１のパターン３２２ａの厚さは、２００Å～５００Åで構成することができる。第１のパターン３２２ａの厚さが２００Å未満の場合、第１のパターン３２２ａの均一度が低下する可能性がある。また、第１のパターン３２２ａの厚さが５００Åを超えると、移動度が低下し、配線として機能する第１のアクティブパターン３２１の電気的特性が低下する可能性がある。

【0163】

第２のパターン３２２ｂの厚さは、７０Å～１００Åであり得る。第２のパターン３２２ｂの厚さが７０Å未満の場合、第２のパターン３２２ｂを含む第１のアクティブパターン３２１の電気伝導度が低下する可能性がある。また、第２のパターン３２２ｂの厚さが１００Åを超える場合、透明導電性酸化物を含む第２のパターン３２２ｂのエッチング速度が長くなることにより、製造工程の時間が長くなることがある。

【0164】

このような第１のパターン３２２ａ及び第２のパターン３２２ｂを含む第２のアクティブパターン３２２を形成する工程と同じ工程で、多数の異なるアクティブパターン及び薄膜トランジスタのアクティブ層を形成することができる。

【0165】

第１のパターン３２２ａ及び第２のパターン３２２ｂを含む第２のアクティブパターン３２２に、低パワーのレーザが照射されても、レーザの一部は、第２のアクティブパターン３２２を介して、第２のアクティブパターン３２２上に配置された他の構成にも影響を与える可能性がある。

【0166】

図５に示されているように、第２のアクティブパターン３２２に照射されたレーザは、第２のアクティブパターン３２２をカットし、第１のカラーフィルタＲＣＦまで到達することができる。

【0167】

しかしながら、本開示の実施形態による表示パネル１１０のサブピクセルＳＰをリペアする工程で照射されるレーザの波長が、２５０ｎｍ～３５０ｎｍであるため、第１のカラーフィルタＲＣＦを透過できなくなる。

【0168】

これを、図６を参照して具体的に検討すると、以下の通りである。

【0169】

図６は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタのそれぞれの波長別透過率を示すグラフである。

【0170】

図６を参照すると、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、及び青色カラーフィルタのそれぞれは、３５０ｎｍ以下の波長を全く透過できないことが分かる。

【0171】

したがって、第２のアクティブパターン３２２に照射されたレーザは、第１のカラーフィルタＲＣＦを透過できないので、第１のカラーフィルタＲＣＦ上に配置された第１のアノード電極ＡＥ１及びカソード電極ＣＥにも到達できなくなる。即ち、第２のアクティブパターン３２２のリペア工程において、第１のアノード電極ＡＥ１及びカソード電極ＣＥは、レーザによる損傷を受けないことがある。

【0172】

一方、図４及び図５では、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアする工程において、第２のアクティブパターン３２２の第１のカット領域ＣＬ１にレーザを照射することを例示して説明したが、図３に示す第１のサブピクセルＳＰ１及び第２のサブピクセルＳＰ２の第１及び第２のカット領域ＣＬ２の両方に適用できる構造及び効果であり得る。

【0173】

さらに、図３において、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアするための第５のカット領域ＣＬ５をさらに含むことができ、第５のカット領域ＣＬ５は、第１のアクティブパターン３２１に備えられる。

【0174】

これを、図７を参照して検討すると、次の通りである。

【0175】

図７は、図３の第１のサブピクセルをリペアする工程において、第１のアクティブパターンの第５のカット領域にレーザが照射されることを簡略に示す図である。

【0176】

図３及び図７を参照すると、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアするために使用される第１のアクティブパターン３２１の第５のカット領域ＣＬ５は、非発光領域ＮＥＡに配置することができる。

【0177】

第１のアクティブパターン３２１の第５のカット領域ＣＬ５は、第１のアノード電極ＡＥ１と未重畳され、バンクＢＫと重畳され得る。

【0178】

具体的に、図７を参照すると、第５のカット領域ＣＬ５を含む第１のアクティブパターン３２１上には、第１のカラーフィルタＲＣＦが配置され、第１のカラーフィルタＲＣＦ上には、オーバーコート層４０９が配置され、オーバーコート層４０９上には、バンクＢＫが配置され、バンクＢＫ上には、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥが配置され得る。

【0179】

ここで、バンクＢＫは、ブラック色のバンクであり得る。一実施形態において、ブラックバンクは、ブラックインクなどの黒色の材料を含むバンクである。

【0180】

第１のアクティブパターン３２１の第１のパターン３２１ａ（例：最初のレイヤー）は、酸化物半導体物質からなり、第１のアクティブパターン３２１の第２のパターン３２１ｂ（例：２番目のレイヤー）は、透明導電性酸化物からなることにより、リペア工程時のレーザパワー（ｐｏｗｅｒ）を下げることができる。

【0181】

リペア工程で照射されるレーザの波長は、２５０ｎｍ～３５０ｎｍであってもよく、２６０ｎｍ～２７０ｎｍの波長のレーザが使用されてもよい。

【0182】

図７に示すように、第２アクティブパターン３２２に照射されたレーザービームは、第２アクティブパターン３２１２を切断して第１副画素ＳＰ１を第２信号線ＳＬ２から切り離し、その一部が第１カラーフィルタＲＣＦに到達することもある。

【0183】

前述のように、第１のカラーフィルタＲＣＦは、レーザを透過できずに吸収することができる。

【0184】

但し、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１のアクティブパターン３２１上に配置されたカソード電極ＣＥを保護するために、レーザが照射される第５のカット領域ＣＬ５が備えられた第１のアクティブパターン３２１上に、第１のカラーフィルタＲＣＦだけでなく、ブラック色のバンクＢＫがさらに配置させることにより、レーザがカソード電極ＣＥに到達できないことがある。

【0185】

これを、図８を参照して具体的に検討すると、次の通りである。

【0186】

図８は、透明バンク及びブラックバンクのそれぞれの波長別透過率を示すグラフである。

【0187】

図８のグラフは、透明バンク及びブラックバンクのそれぞれ１．５μｍの厚さにおける可視光波長帯の光の透過率を示す。

【0188】

図８を参照すると、透明バンクは、可視光波長帯の光を７０％以上透過させることが分かる。

【0189】

その反面、ブラックバンクは、６３０ｎｍ以下の光を透過しないことで、２５０ｎｍ～３５０ｎｍの波長のレーザも透過できないことが分かる。

【0190】

このように、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアする工程において、第２のアクティブパターン３２２の第５のカット領域ＣＬ５にレーザが照射される場合、第２のアクティブパターン３２２上に配置された第１のカラーフィルタＲＣＦとバンクＢＫによって、カソード電極ＣＥにレーザが到達できず、カソード電極ＣＥがレーザによって損傷することを防止することができる。

【0191】

上述したように、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２をリペアする工程において、アクティブパターン３２１、３２２、３３１、３３２にレーザを照射することができ、レーザが照射されるカット領域は、発光領域ＥＡ又は非発光領域ＮＥＡに存在してもよい。

【0192】

具体的に、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２をリペアするためのカット領域が、発光領域（第１の発光領域ＥＡ１又は第２の発光領域ＥＡ２）に存在する場合、カット領域が設けられたアクティブパターンは、カラーフィルタ（第１のカラーフィルタＲＣＦ又は第２のカラーフィルタＢＣＦ）と重なり、レーザがアノード電極ＡＥ及びカソード電極ＣＥに到達するのを防止することができる。

【0193】

また、第１及び第２のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２をリペアするためのカット領域が、非発光領域ＮＥＡに存在する場合、カット領域が設けられたアクティブパターンは、カラーフィルタ（第１のカラーフィルタＲＣＦ又は第２のカラーフィルタＢＣＦ）及びバンクＢＫと重畳されて、レーザがバンクＢＫ上に配置されたカソード電極ＣＥに到達するのを防止することができる。

【0194】

一方、第３のサブピクセルＳＰ３及び第４のサブピクセルＳＰ４をリペアするためのカット領域は、発光領域ＥＡとは重畳されなくてもよい（図３を参照）。

【0195】

言い換えれば、第３のサブピクセルＳＰ３及び第４のサブピクセルＳＰ４をリペアするためのカット領域は、非発光領域ＮＥＡにのみ配置することができ、これを、図９を参照して検討すると、以下の通りである。

【0196】

図９は、図３に示す第３のサブピクセルをリペアする工程において、第７のアクティブパターンの第３のカット領域にレーザが照射されることを簡略に示す図である。

【0197】

図９では、第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３にレーザが照射され、第７のアクティブパターン３４１がカットされる構成を例示して示したが、第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第８のアクティブパターン３４２も、第３のカット領域ＣＬ３が設けられた領域で、同じ積層構造を有することができる。また、第４のサブピクセルＳＰ４の第１０のアクティブパターン３５１及び第１１のアクティブパターン３５２も、第４のカット領域ＣＬ４が存在する領域で、図９と同じ積層構造を有することができる。

【0198】

図９を参照すると、第３のサブピクセルＳＰ３をリペアするために使用される第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３は、非発光領域ＮＥＡに配置することができる。

【0199】

第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３は、第３のアノード電極ＡＥ３と未重畳され、バンクＢＫと重畳され得る。

【0200】

具体的に、図９を参照すると、第３のカット領域ＣＬ３を含む第７のアクティブパターン３４１上には、オーバーコート層４０９が配置され、オーバーコート層４０９上には、バンクＢＫが配置され、バンクＢＫ上には、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥが配置され得る。

【0201】

ここで、バンクＢＫは、ブラック色のバンクであり得る。

【0202】

第７のアクティブパターン３４１の第１のパターン３４１ａは、酸化物半導体物質からなり、第７のアクティブパターン３４１の第２のパターン３４１ｂは、透明導電性酸化物からなることにより、リペア工程時に低波長のレーザを使用することができる。例えば、リペア工程で照射されるレーザの波長は、２５０ｎｍ～３５０ｎｍであってもよく、２６０ｎｍ～２７０ｎｍの波長のレーザを用いてもよい。

【0203】

図９に示されているように、第７のアクティブパターン３４１に照射されたレーザは、第７のアクティブパターン３４１をカットすることができ、一部は、バンクＢＫまで到達することもできる。

【0204】

前述のように、本開示の実施形態によるバンクＢＫは、６３０ｎｍ以下の光を透過しないことで、２５０ｎｍ～３５０ｎｍの波長のレーザも透過できない。

【0205】

したがって、第３のサブピクセルＳＰ３をリペアする工程で、第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３にレーザが照射される場合、第７のアクティブパターン３４１上に配置されたバンクＢＫにより、カソード電極ＣＥにレーザが到達できず、カソード電極ＣＥが損傷されることを防止することができる。

【0206】

図３～図９では、第１～第４のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４をリペアするために、データラインである第２の信号ラインＳＬ２又は第３の信号ラインＳＬ３と電気的に接続されたアクティブパターン、又は、基準電圧ラインである第４の信号ラインＳＬ４と電気的に接続されたアクティブパターンに、レーザを照射する構成を例示して説明したが、本開示の実施形態は、これに限定されない。

【0207】

図１０～図１２を参照して、本開示の実施形態による表示パネルの構造を検討すると、次の通りである。

【0208】

図１０は、本開示の実施形態による表示パネルに含まれる第１～第４のサブピクセルの構造を示す図である。図１１は、第１のサブピクセルをリペアする工程において、第３のアクティブパターンの第１のカット領域にレーザが照射されることを簡略に示す図である。図１２は、図１０の第３のサブピクセルをリペアする工程において、第７のアクティブパターンの第３のカット領域にレーザが照射されることを簡略に示す図である。

【0209】

図１０に示された第１～第４のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の構造は、図３に示された第１～第４のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の構造と実質的に同一であり得る。

【0210】

図１０は、図３と比較すると、第１のサブピクセルＳＰ１に配置された第３のアクティブパターン３２３、第２のサブピクセルＳＰ２に配置された第６のアクティブパターン３３３、第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第９のアクティブパターン３４３及び第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１２のアクティブパターン３５３のそれぞれに、少なくとも１つのカット領域が設けられている構成が異なる。

【0211】

具体的に、図１０を参照すると、第３のアクティブパターン３２３、第６のアクティブパターン３３３、第９のアクティブパターン３４３、及び第１２のアクティブパターン３５３のそれぞれは、第１の信号ラインＳＬ１に接続され、配線の役割を果たすことができる。

【0212】

第３のアクティブパターン３２３は、第１のサブピクセルＳＰ１のリペア工程で、レーザが照射され得る第１のカット領域ＣＬ１を含むことができる。

【0213】

第６のアクティブパターン３３３は、第２のサブピクセルＳＰ２のリペア工程で、レーザが照射され得る第２のカット領域ＣＬ２を含むことができる。

【0214】

第９のアクティブパターン３４３は、第３のサブピクセルＳＰ３のリペア工程で、レーザが照射され得る第３のカット領域ＣＬ３を含むことができる。

【0215】

第１２のアクティブパターン３５３は、第４のサブピクセルＳＰ４のリペア工程で、レーザが照射され得る第４のカット領域ＣＬ４を含むことができる。

【0216】

図１０を参照すると、第３のアクティブパターン３２３に設けられた第１のカット領域ＣＬ１、第６のアクティブパターン３３３に設けられた第２のカット領域ＣＬ２、第９のアクティブパターン３４３に設けられた第３のカット領域ＣＬ３及び第１２のアクティブパターン３５３に設けられた第４のカット領域ＣＬ４のそれぞれは、非発光領域ＮＥＡに配置されてもよく、アノード電極ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４と重畳されなくてもよい。

【0217】

図１１を参照すると、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアするために使用される第３のアクティブパターン３２３の第１のカット領域ＣＬ１は、非発光領域ＮＥＡに配置することができる。

【0218】

第３のアクティブパターン３２３の第１のカット領域ＣＬ１は、第１のアノード電極ＡＥ１と未重畳され、バンクＢＫと重畳され得る。

【0219】

具体的に、図１１を参照すると、第１のカット領域ＣＬ１を含む第３のアクティブパターン３２３上には、オーバーコート層４０９が配置され、オーバーコート層４０９上には、バンクＢＫが配置され、バンクＢＫ上には、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥが配置され得る。

【0220】

第３のアクティブパターン３２３の第１のパターン３２３ａは、酸化物半導体物質からなり、第３のアクティブパターン３２３の第２のパターン３２３ｂは、透明導電性酸化物からなり得る。そして、リペア工程で、第３のアクティブパターン３２３の第１のカット領域ＣＬ１に照射されるレーザの波長は、２５０ｎｍ～３５０ｎｍであってもよく、２６０ｎｍ～２７０ｎｍ波長のレーザを用いてもよい。

【0221】

図１１に示されているように、第３のアクティブパターン３２３に照射されたレーザは、第３のアクティブパターン３２３をカットすることができ、一部は、第３のアクティブパターン３２３上に配置されたバンクＢＫまで到達することができる。

【0222】

本開示の実施形態によるバンクＢＫは、６３０ｎｍ以下の光を透過させないことで、２５０ｎｍ～３５０ｎｍの波長のレーザも透過させることができない。

【0223】

そこで、第１のサブピクセルＳＰ１をリペアする工程で、第３のアクティブパターン３２３の第１のカット領域ＣＬ１にレーザが照射される場合、第３のアクティブパターン３２３上に配置されたバンクＢＫによって、カソード電極ＣＥにレーザが到達できず、カソード電極ＣＥが損傷されることを防止することができる。

【0224】

図１１では、第１のサブピクセルＳＰ１に配置された第３のアクティブパターン３２３の第１のカット領域ＣＬ１が設けられる領域の積層構造を例示的に示したが、第２のサブピクセルＳＰ２に配置された第６のアクティブパターン３３３、第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第９のアクティブパターン３４３、及び第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１２のアクティブパターン３５３のそれぞれのカット領域が設けられる領域の積層構造も図１１の構造と同じであり得る。

【0225】

さらに、図１０の構造を図３と比較したとき、第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第７及び第８のアクティブパターン３４１、３４２のそれぞれに備えられた第３のカット領域ＣＬ３及び第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１０及び第１１のアクティブパターン３５１、３５２のそれぞれに備えられた第４のカット領域ＣＬ４の位置は異なる場合がある。

【0226】

具体的に、図１０を参照すると、第３のカット領域ＣＬ３が備えられた領域において、第７及び第８のアクティブパターン３４１、３４２のそれぞれは、バンクＢＫと未重畳され、第３のアノード電極ＡＥ３と重畳され得る。

【0227】

また、図１０を参照すると、第４のカット領域ＣＬ４が備えられた領域において、第１０のアクティブパターン３５１は、バンクＢＫと未重畳され、第３のアノード電極ＡＥ３と重畳され得る。また、第４のカット領域ＣＬ４が備えられた領域において、第１１のアクティブパターン３５２は、バンクＢＫと未重畳され、第４のアノード電極ＡＥ４と重畳され得る。

【0228】

言い換えれば、第３及び第４のサブピクセルＳＰ４において、データライン又は基準電圧ラインに接続されたアクティブパターン３４１、３４２、３５１、３５２は、カット領域ＣＬが位置する部分で、１つのアノード電極ＡＥと重なり、バンクＢＫとは未重畳されることにより、１つの発光領域ＥＡと重なる構造を有することができる。

【0229】

図１０を参照すると、第３のカット領域ＣＬ３が備えられた領域では、第７及び第８のアクティブパターン３４１、３４２のそれぞれは、第３の発光領域ＥＡ３の少なくとも一部と重なっていてもよい。また、第４のカット領域ＣＬ４が備えられた領域では、第１０のアクティブパターン３５１は、第３の発光領域ＥＡ３と重畳され、第４のカット領域ＣＬ４が設けられた領域において、第１１のアクティブパターン３５２は、第４の発光領域ＥＡ４と重なることができる。

【0230】

このように、第３及び第４のサブピクセルＳＰ４において、データライン又は基準電圧ラインに接続されたアクティブパターン３４１、３４２、３５１、３５２のカット領域ＣＬが、１つの発光領域ＥＡ３、ＥＡ４と重なるように配置されることで、表示パネル１１０の開口率を低下させることなく、リペア領域を設けることができる。

【0231】

例えば、図１２を参照すると、第３のサブピクセルＳＰ３をリペアするために使用される第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３は、第３の発光領域ＥＡ３に配置することができる。

【0232】

第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３は、第３のアノード電極ＡＥ３、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥと重畳され、バンクＢＫとは重畳されなくてもよい。

【0233】

具体的に、図１２を参照すると、第３のカット領域ＣＬ３を含む第７のアクティブパターン３４１上には、層間絶縁膜４０６及びオーバーコート層４０９が配置され、オーバーコート層４０９上には、第３のアノード電極ＡＥ３が配置され、第３のアノード電極ＡＥ３上には、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥが配置され得る。

【0234】

第７のアクティブパターン３４１の第１のパターン３４１ａは、酸化物半導体物質からなり、第７のアクティブパターン３４１の第２のパターン３４１ｂは、透明導電性酸化物からなり得る。そして、リペア工程で、第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３に照射されるレーザの波長は、２５０ｎｍ～３５０ｎｍであってもよく、２６０ｎｍ～２７０ｎｍ波長のレーザを用いてもよい。

【0235】

図１２に示されているように、第７のアクティブパターン３４１に照射されたレーザは、第７のアクティブパターン３４１をカットすることができ、一部は、第７のアクティブパターン３４１上に配置されたオーバーコート層４０９まで到達することができる。

【0236】

図１２に示されているように、オーバーコート層４０９に到達したレーザは、オーバーコート層４０９に吸収され、レーザは、第３のアノード電極ＡＥ３及びカソード電極ＣＥに到達できないことがある。

【0237】

このとき、オーバーコート層４０９の厚さは、複数の有機層を含む発光層ＥＬの厚さの１０倍以上からなり得る。

【0238】

図１２では、第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第７のアクティブパターン３４１の第３のカット領域ＣＬ３が設けられる領域の積層構造を例示的に示したが、第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第８のアクティブパターン３４２、第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１０のアクティブパターン３５１、及び第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１１のアクティブパターン３５２のそれぞれのカット領域が設けられる領域の積層構造も図１２の構造と同じであり得る。

【0239】

図１３は、比較例による表示パネルの開口率と、実施例による表示パネルの開口率とを比較した表である。

【0240】

図１３において、比較例による表示パネルは、リペアパターンが金属層からなり、非発光領域に配置されたものであり、実施形態による表示パネルは、図３の構造を有する表示パネルである。

【0241】

図１３を参照すると、比較例による表示パネルの開口率よりも実施例による表示パネルの開口率が７．５％大きいことがわかる。

【0242】

即ち、実施形態による表示パネルの開口率が向上することにより、発光効率が向上し、低電力で表示パネル駆動が可能となる効果がある。

【0243】

本開示の実施形態によれば、配線として機能する透明なアクティブパターンをリペアパターンとして使用することで、リペアパターンにより、開口部の面積が縮小されることを防止することができる表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【0244】

本開示の実施形態によれば、アクティブパターン上にカラーフィルタ、ブラックバンク及びオーバーコート層のうち少なくとも１つを配置することにより、リペア工程時に照射されるレーザによって、カソード電極及びアノード電極が損傷されない表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【0245】

本開示の実施形態によれば、透明なアクティブパターンをリペアパターンとして用いてリペア工程を進めることにより、レーザがカソード電極に到達することができず、カソード電極の損傷を防止することにより、カソード電極上に配置された封止層から浸透する外部元素による不良を防止することができる表示パネル及び表示装置を提供することができる。

【0246】

以上の説明は、本開示の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本開示の本質的な特性から逸脱しない範囲で、様々な修正及び変形が可能であるだろう。また、本開示に示されている実施形態は、本開示の技術思想を限定するものではなく、説明するためのものであるため、これらの実施形態によって本開示の技術思想の範囲が限定されるものではない。

【符号の説明】

【0247】

１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
ＣＬ カット領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】