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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024108322
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】表示装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
G09F 9/302 20060101AFI20240805BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240805BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240805BHJP
【ＦＩ】
G09F9/302 C
G09F9/30 365
G09F9/30 338
H10K50/10
H10K59/121
H10K59/123
H10K59/124
H10K59/35
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023012631
(22)【出願日】2023-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】太田 人嗣
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC41
3K107DD90
3K107EE03
3K107EE06
3K107EE07
3K107FF15
3K107HH05
5C094AA02
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA20
5C094DA13
5C094DB01
5C094EA04
5C094FA01
5C094HA03
(57)【要約】
【課題】画質を向上できる表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素の各々において、第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素は、互いに隣り合い、第１方向からみて、第１発光領域は、第２発光領域と重なり、前記第１方向と直交する第２方向からみて、第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、前記第１切り欠きの領域に、第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、前記第２切り欠きの領域に、第２コンタクトホールが設けられている、表示装置。
【選択図】図５
【解決手段】複数の画素の各々において、第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素は、互いに隣り合い、第１方向からみて、第１発光領域は、第２発光領域と重なり、前記第１方向と直交する第２方向からみて、第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、前記第１切り欠きの領域に、第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、前記第２切り欠きの領域に、第２コンタクトホールが設けられている、表示装置。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、
第１発光領域、第１画素電極、および前記第１発光領域における発光を制御する第１画素回路を有し、第１色光を出射する第１サブ画素と、
第２発光領域、第２画素電極、および前記第２発光領域における発光を制御する第２画素回路を有し、前記第１色光と異なる第２色光を出射する第２サブ画素と、
第３発光領域、第３画素電極、および前記第３発光領域における発光を制御する第３画素回路を有し、前記第１色光および前記第２色光と異なる第３色光を出射する第３サブ画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々において、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、互いに隣り合い、
第１方向からみて、前記第１発光領域は、前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向と直交する第２方向からみて、前記第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、
前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、
前記第１画素電極と前記第１画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して、前記第１画素電極および前記第１画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第２画素電極と前記第２画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して、前記第２画素電極および前記第２画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第３画素電極と前記第３画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して、前記第３画素電極および前記第３画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、
前記第２切り欠きの領域に、前記第２コンタクトホールが設けられている、表示装置。
前記複数の画素の各々は、
第１発光領域、第１画素電極、および前記第１発光領域における発光を制御する第１画素回路を有し、第１色光を出射する第１サブ画素と、
第２発光領域、第２画素電極、および前記第２発光領域における発光を制御する第２画素回路を有し、前記第１色光と異なる第２色光を出射する第２サブ画素と、
第３発光領域、第３画素電極、および前記第３発光領域における発光を制御する第３画素回路を有し、前記第１色光および前記第２色光と異なる第３色光を出射する第３サブ画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々において、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、互いに隣り合い、
第１方向からみて、前記第１発光領域は、前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向と直交する第２方向からみて、前記第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、
前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、
前記第１画素電極と前記第１画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して、前記第１画素電極および前記第１画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第２画素電極と前記第２画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して、前記第２画素電極および前記第２画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第３画素電極と前記第３画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して、前記第３画素電極および前記第３画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、
前記第２切り欠きの領域に、前記第２コンタクトホールが設けられている、表示装置。
【請求項2】
請求項１において、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられている、表示装置。
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられている、表示装置。
【請求項3】
請求項１において、
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第３発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第３切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられ、
前記第３切り欠きの領域に、前記第３コンタクトホールが設けられている、表示装置。
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第３発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第３切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられ、
前記第３切り欠きの領域に、前記第３コンタクトホールが設けられている、表示装置。
【請求項4】
請求項１において、
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第１発光領域は、前記第３発光領域とは反対側であって、かつ前記第２サブ画素側に、第４切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられ、
前記第４切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられている、表示装置。
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第１発光領域は、前記第３発光領域とは反対側であって、かつ前記第２サブ画素側に、第４切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられ、
前記第４切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられている、表示装置。
【請求項5】
請求項１において、
前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に長手方向を有する形状であり、
前記複数の画素において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に並んでいる、表示装置。
前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に長手方向を有する形状であり、
前記複数の画素において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に並んでいる、表示装置。
【請求項6】
請求項５において、
前記第１切り欠きは、前記第１方向に長手方向を有する形状である、表示装置。
前記第１切り欠きは、前記第１方向に長手方向を有する形状である、表示装置。
【請求項7】
請求項１において、
前記複数の画素の各々において、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間の距離、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間の距離、および前記第１発光領域と前記第３発光領域との間の距離は、互いに同じである、表示装置。
前記複数の画素の各々において、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間の距離、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間の距離、および前記第１発光領域と前記第３発光領域との間の距離は、互いに同じである、表示装置。
【請求項8】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載された表示装置を有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子などの発光素子を有する表示装置が知られている。
【0003】
例えば特許文献１には、発光部がＬ字型に形成され、発光部が形成されない領域に、画素電極と画素回路とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１６－４５３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記のような表示装置では、画質を向上することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る表示装置の一態様は、
複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、
第１発光領域、第１画素電極、および前記第１発光領域における発光を制御する第１画素回路を有し、第１色光を出射する第１サブ画素と、
第２発光領域、第２画素電極、および前記第２発光領域における発光を制御する第２画素回路を有し、前記第１色光と異なる第２色光を出射する第２サブ画素と、
第３発光領域、第３画素電極、および前記第３発光領域における発光を制御する第３画素回路を有し、前記第１色光および前記第２色光と異なる第３色光を出射する第３サブ画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々において、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、互いに隣り合い、
第１方向からみて、前記第１発光領域は、前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向と直交する第２方向からみて、前記第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、
前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、
前記第１画素電極と前記第１画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して、前記第１画素電極および前記第１画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第２画素電極と前記第２画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して、前記第２画素電極および前記第２画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第３画素電極と前記第３画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して、前記第３画素電極および前記第３画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、
前記第２切り欠きの領域に、前記第２コンタクトホールが設けられている。
複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、
第１発光領域、第１画素電極、および前記第１発光領域における発光を制御する第１画素回路を有し、第１色光を出射する第１サブ画素と、
第２発光領域、第２画素電極、および前記第２発光領域における発光を制御する第２画素回路を有し、前記第１色光と異なる第２色光を出射する第２サブ画素と、
第３発光領域、第３画素電極、および前記第３発光領域における発光を制御する第３画素回路を有し、前記第１色光および前記第２色光と異なる第３色光を出射する第３サブ画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々において、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、互いに隣り合い、
第１方向からみて、前記第１発光領域は、前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向と直交する第２方向からみて、前記第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、
前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、
前記第１画素電極と前記第１画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して、前記第１画素電極および前記第１画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第２画素電極と前記第２画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して、前記第２画素電極および前記第２画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第３画素電極と前記第３画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して、前記第３画素電極および前記第３画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、
前記第２切り欠きの領域に、前記第２コンタクトホールが設けられている。
【0007】
本発明に係る電子機器の一態様は、
前記表示装置の一態様を有する。
前記表示装置の一態様を有する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図。
【図2】本実施形態に係る表示装置の表示パネルを模式的に示す平面図。
【図3】本実施形態に係る表示装置のサブ画素の画素回路を示す回路図。
【図4】本実施形態に係る表示装置の画素を模式的に示す断面図。
【図5】本実施形態に係る表示装置の画素を模式的に示す平面図。
【図6】視野角による色変化を説明するための図。
【図7】本実施形態の第１変形例に係る表示装置の画素を模式的に示す平面図。
【図8】本実施形態の第２変形例に係る表示装置の画素を模式的に示す平面図。
【図9】本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイを模式的に示す斜視図。
【図10】本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイの像形成装置および導光装置を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【0010】
１． 表示装置
１．１． 全体の構成
まず、本実施形態に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００を模式的に示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の表示パネル１１０を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２には、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。
１．１． 全体の構成
まず、本実施形態に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００を模式的に示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の表示パネル１１０を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２には、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。
【0011】
表示装置１００は、例えば、図１に示すように、表示パネル１１０と、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１２０と、表示パネル１１０を固定する枠体１３０と、を有している。
【0012】
ＦＰＣ１２０は、表示パネル１１０に電気的に接続されている。ＦＰＣ１２０には、表示パネル１１０を駆動させるドライバーＩＣ（Integrated Circuit）１２２が実装されている。ＦＰＣ１２０は、複数の外部接続用端子１２４を有している。外部接続用端子１２４は、ドライバーＩＣ１２２に外部回路から画像情報などの入力信号を入力するための端子である。枠体１３０には、表示パネル１１０の表示を視認可能な窓枠１３２が設けられている。
【0013】
表示パネル１１０は、図２に示すように、表示領域１１２を有している。図示の例では、表示領域１１２は、Ｘ軸に平行な長辺を有する長方形である。表示パネル１１０には、表示単位としての画素Ｐがマトリックス状に所定の配置ピッチで複数配置されている。図示の例では、複数の画素Ｐは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリックス状に配列されている。画素Ｐは、図２ではしないが、例えば、赤色表示が可能な赤色サブ画素と、緑色表示が可能な緑色サブ画素と、青色表示が可能な青色サブ画素と、を有している。なお、図２では、画素Ｐを簡略して図示している。
【0014】
１．２． サブ画素の電気的な構成
図３は、画素Ｐのサブ画素ＳＰの画素回路１１４を示す回路図である。赤色表示が可能な赤色サブ画素は、画素回路１１４として第１画素回路１１４Ｒを有している。緑色表示が可能な緑色サブ画素は、画素回路１１４として第２画素回路１１４Ｇを有している。青色表示が可能な青色サブ画素は、画素回路１１４として第３画素回路１１４Ｂを有している。
図３は、画素Ｐのサブ画素ＳＰの画素回路１１４を示す回路図である。赤色表示が可能な赤色サブ画素は、画素回路１１４として第１画素回路１１４Ｒを有している。緑色表示が可能な緑色サブ画素は、画素回路１１４として第２画素回路１１４Ｇを有している。青色表示が可能な青色サブ画素は、画素回路１１４として第３画素回路１１４Ｂを有している。
【0015】
サブ画素ＳＰの画素回路１１４は、図３に示すように、例えば、４つのトランジスター２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと、保持容量３と、有機ＥＬ素子４０と、を有している。表示パネル１１０の表示領域１１２には、走査線４ａ、データ線４ｂ、第１制御線５ａ、第２制御線５ｂ、第１電源配線６ａ、および第２電源配線６ｂが、設けられている。
【0016】
画素回路１１４は、第１電源配線６ａと第２電源配線６ｂとの間に設けられている。走査線４ａ、第１制御線５ａ、および第２制御線５ｂは、Ｘ軸方向に配列した複数の画素回路１１４に跨るようにＸ軸方向に延在している。データ線４ｂは、Ｙ軸方向に配列した複数の画素回路１１４に跨るようにＹ軸方向に延在している。データ線４ｂの入力側には、容量素子７が直列に接続されている。
【0017】
画素回路１１４は、例えば、書込制御トランジスター２ａと、駆動トランジスター２ｂと、補償トランジスター２ｃと、発光制御トランジスター２ｄと、を有している。トランジスター２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、Ｐチャネル型であってもよいし、Ｎチャネル型であってもよい。
【0018】
有機ＥＬ素子４０は、陽極としての画素電極４１と、陰極としての共通電極４３と、画素電極４１と共通電極４３との間に設けられた発光機能層４２と、を有している。画素電極４１は、複数のサブ画素ＳＰごとに設けられた電極である。共通電極４３は、複数のサブ画素ＳＰにわたって共通に設けられた電極である。
【0019】
有機ＥＬ素子４０の発光機能層４２は、有機発光材料を含む発光層を有している。発光機能層４２は、例えば、白色光を発光する。
【0020】
有機ＥＬ素子４０は、駆動トランジスター２ｂおよび発光制御トランジスター２ｄを介して、第１電源配線６ａと第２電源配線６ｂとの間に接続されている。第１電源配線６ａには、高位の電源電位Ｖｅｌが供給される。第２電源配線６ｂには、低位の電源電位Ｖｃｔが供給される。電源電位Ｖｃｔは、例えば、接地電位である。
【0021】
駆動トランジスター２ｂのソースは、例えば、第１電源配線６ａに接続されている。駆動トランジスター２ｂのドレインは、例えば、発光制御トランジスター２ｄのソースに接続されている。発光制御トランジスター２ｄのドレインは、有機ＥＬ素子４０の画素電極４１に接続されている。有機ＥＬ素子４０の共通電極４３は、第２電源配線６ｂに接続されている。
【0022】
書込制御トランジスター２ａのゲートは、走査線４ａに接続されている。書込制御トランジスター２ａのソースは、例えば、データ線４ｂに接続されている。書込制御トランジスター２ａのドレインは、例えば、駆動トランジスター２ｂのゲートに接続されている。保持容量３の一方の容量電極３ａは、第１電源配線６ａに接続されている。保持容量３の他方の容量電極３ｂは、書込制御トランジスター２ａのドレインに接続されている。
【0023】
補償トランジスター２ｃのゲートは、第１制御線５ａに接続されている。補償トランジスター２ｃのソースは、例えば、データ線４ｂに接続されている。補償トランジスター２ｃのドレインは、例えば、発光制御トランジスター２ｄのソースに接続されている。発光制御トランジスター２ｄのゲートには、第２制御線５ｂが接続されている。
【0024】
なお、上記のトランジスター２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄのソース・ドレインの接続は、ソース・ドレインを逆にしてもよい。例えば、書込制御トランジスター２ａのドレインが、データ線４ｂに接続され、書込制御トランジスター２ａのソースが、駆動トランジスター２ｂのゲートに接続されていてもよい。
【0025】
走査線４ａは、走査信号を供給する走査線駆動回路に接続されている。データ線４ｂは、容量素子７の一端に接続されている。容量素子７の他端は、画像信号に基づいたデータ信号を供給するデータ線駆動回路に接続されている。データ信号は、容量素子７に供給され、データ信号に応じた電位がデータ線４ｂに供給される。
【0026】
表示装置１００では、水平走査期間内に、補償期間と、書込期間と、を有している。走査線駆動回路は、走査線４ａに走査信号を供給することで複数の走査線４ａの各々を水平走査期間ごとに順次に選択する。走査線駆動回路が選択した走査線４ａに対応する画素回路１１４の書込制御トランジスター２ａは、オン状態に遷移する。さらに、画素回路１１４の駆動トランジスター２ｂもオン状態に遷移する。
【0027】
走査線駆動回路は、第１制御線５ａに制御信号を供給することで、複数の第１制御線５ａの各々を補償期間ごとに順次に選択する。走査線駆動回路が選択した第１制御線５ａに対応する画素回路１１４の補償トランジスター２ｃは、オン状態に遷移する。そして、保持容量３は、補償トランジスター２ｃがオフ状態とされる補償期間の終了に至るまでに駆動トランジスター２ｂの閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を保持する。
【0028】
走査線駆動回路が第１制御線５ａに制御信号を供給することで画素回路１１４の補償トランジスター２ｃをオフ状態に制御すると、データ線４ｂから駆動トランジスター２ｂのゲート電極に至るまでの経路は、フローティング状態になる。一方で、駆動トランジスター２ｂのゲート電位は、保持容量３によって（Ｖｅｌ－｜Ｖｔｈ｜）の電位に維持される。
【0029】
次に、データ線駆動回路は、外部回路から供給される画像信号が画素回路１１４ごとに指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を、書込期間ごとに容量素子７に対して並列に供給する。そして、階調電位は、容量素子７を用いてレベルがシフトされ、その電位がデータ線４ｂと書込制御トランジスター２ａとを経由して画素回路１１４の駆動トランジスター２ｂのゲートに供給される。保持容量３には、駆動トランジスター２ｂの閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を補償しつつ階調電位に応じた電圧が保持される。
【0030】
他方、書込期間での走査線４ａの選択が終了すると、走査線駆動回路は、第２制御線５ｂに制御信号を供給することで第２制御線５ｂに対応する画素回路１１４の発光制御トランジスター２ｄをオン状態に制御する。これにより、直前の書込期間で保持容量３に保持された電圧に応じた駆動電流は、駆動トランジスター２ｂから発光制御トランジスター２ｄを経由して有機ＥＬ素子４０に供給される。そして、有機ＥＬ素子４０は、駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。
【0031】
上記のようにして、有機ＥＬ素子４０が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像は、表示される。駆動トランジスター２ｂから有機ＥＬ素子４０に供給される駆動電流は、閾値電圧の影響が相殺されている。そのため、駆動トランジスター２ｂの閾値電圧が画素回路１１４ごとにばらついても、そのばらつきが補償される。また、階調レベルに応じた駆動電流が有機ＥＬ素子４０に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる。その結果、高品位の表示が可能になる。
【0032】
なお、画素回路１１４は、４つのトランジスター２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを有する構成に限定されない。画素回路１１４は、例えば、駆動トランジスター２ｂの閾値電圧の画素回路１１４ごとのばらつきが小さければ、補償トランジスター２ｃを有さない構成であってもよい。
【0033】
また、信号配線の構成は、特に限定されない。例えば、上記では、走査線４ａは、第１制御線５ａと異なる配線としたが、走査線４ａと第１制御線５ａとを１本の配線としてもよい。
【0034】
１．４． 画素の断面構造
図４は、表示装置１００の画素Ｐを模式的に示す断面図である。
図４は、表示装置１００の画素Ｐを模式的に示す断面図である。
【0035】
画素Ｐは、図４に示すように、例えば、基板１０と、層間絶縁層１４，１５，１６，１７と、配線層１８と、反射層２０と、絶縁層３０と、有機ＥＬ素子４０と、コンタクト５０と、絶縁層６０と、封止層７０と、着色層８０と、対向基板９０と、を有している。
【0036】
基板１０は、例えば、シリコン基板である。基板１０には、不純物がイオン注入された不純物領域１１が設けられている。不純物領域１１は、上述したトランジスター２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄのソースまたはドレインとして機能する。基板１０上には、ゲート絶縁層１２が設けられている。ゲート絶縁層１２の材質は、例えば、酸化シリコンである。ゲート絶縁層１２上には、ゲート電極１３が設けられている。ゲート電極１３の材質は、例えば、金属、ポリシリコンなどである。基板１０、不純物領域１１、ゲート絶縁層１２、およびゲート電極１３は、上述したトランジスター２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを構成している。基板１０、不純物領域１１、ゲート絶縁層１２、およびゲート電極１３は、上述した画素回路１１４を構成している。
【0037】
層間絶縁層１４は、ゲート絶縁層１２およびゲート電極１３を覆っている。層間絶縁層１４，１５，１６，１７は、基板１０側から、この順序で積層されている。層間絶縁層１４，１５，１６，１７は、例えば、酸化シリコン層である。
【0038】
配線層１８は、層間絶縁層１４上、層間絶縁層１５上、および層間絶縁層１６上に設けられている。配線層１８の材質は、例えば、アルミニウム、銅などの金属である。配線層１８は、上述した走査線４ａ、データ線４ｂ、制御線５ａ，５ｂ、および電源配線６ａ，６ｂを構成している。
【0039】
反射層２０は、層間絶縁層１７上に設けられている。反射層２０は、層間絶縁層１７と、絶縁層３０と、の間に設けられている。反射層２０は、複数のサブ画素ＳＰごとに設けられている。図２では、２つのサブ画素ＳＰを図示している。反射層２０の材質は、例えば、アルミニウムなどの金属である。反射層２０は、有機ＥＬ素子４０で生じた光であって、基板１０側に向かう光を、着色層８０側に反射させる。
【0040】
絶縁層３０は、反射層２０上に設けられている。絶縁層３０は、反射層２０と、有機ＥＬ素子４０と、の間に設けられている。絶縁層３０は、画素回路１１４と、画素電極４１と、の間に設けられている。絶縁層３０は、赤色光を出射するサブ画素ＳＰと、緑色光を出射する緑色サブ画素ＳＰと、青色光を出射する青色サブ画素ＳＰと、において、厚さが異なる。絶縁層３０は、例えば、複数の層が積層された積層構造を有している。絶縁層３０は、赤色光を出射するサブ画素ＳＰと、緑色光を出射する緑色サブ画素ＳＰと、青色光を出射する青色サブ画素ＳＰと、において、積層された層の数が異なる。絶縁層３０は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層などである。
【0041】
有機ＥＬ素子４０は、絶縁層３０上に設けられている。有機ＥＬ素子４０は、絶縁層３０と封止層７０との間に設けられている。有機ＥＬ素子４０は、例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）である。有機ＥＬ素子４０は、画素電極４１と、発光機能層４２と、共通電極４３と、を有している。
【0042】
画素電極４１は、絶縁層３０上に設けられている。画素電極４１は、絶縁層３０と発光機能層４２との間に設けられている。画素電極４１は、複数のサブ画素ＳＰごとに設けられている。画素電極４１は、発光機能層４２で生じた光を透過させる。画素電極４１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなる透明電極である。画素電極４１は、発光機能層４２に電流を注入するための一方の電極である。
【0043】
発光機能層４２は、画素電極４１上に設けられている。発光機能層４２は、画素電極４１と共通電極４３との間に設けられている。発光機能層４２は、複数のサブ画素ＳＰにおいて、連続して設けられている。発光機能層４２は、例えば、複数の発光層が積層されて構成されている。発光機能層４２は、例えば、白色光を発光する。
【0044】
共通電極４３は、発光機能層４２上に設けられている。共通電極４３は、発光機能層４２と封止層７０との間に設けられている。共通電極４３は、複数のサブ画素ＳＰにおいて、連続して設けられた共通の電極である。共通電極４３の材質は、例えば、マグネシウムと銀との合金である。共通電極４３は、発光機能層４２に電流を注入するための他方の電極である。
【0045】
共通電極４３、絶縁層３０、および反射層２０は、光共振構造を形成している。絶縁層３０の厚さは、反射層２０と共通電極４３との間で、所定の波長の定常波を形成するように調整されている。これにより、複数のサブ画素ＳＰごとに、所定の波長の光を有機ＥＬ素子４０から出射できる。
【0046】
コンタクト５０は、画素電極４１と接続されている。コンタクト５０は、絶縁層３０に形成されたコンタクトホール５２に設けられている。コンタクト５０は、反射層２０と画素電極４１との間に設けられている。コンタクト５０は、複数の画素電極４１に対応して、複数設けられている。コンタクト５０は、例えば、画素電極４１と一体に設けられている。コンタクト５０は、配線層１８と電気的に接続されている。配線層１８を流れる電流は、コンタクト５０を介して、画素電極４１に供給される。本実施形態において、コンタクト５０は、画素電極４１と一体に設けられているが、これに限らず、コンタクト５０と画素電極４１とが、それぞれ異なる材料で構成されていてもよい。
【0047】
絶縁層６０は、コンタクト５０を覆っている。絶縁層６０は、Ｚ軸方向からみて（以下、「平面視で」ともいう）、コンタクト５０と重なっている。絶縁層６０は、画素電極４１上に設けられている。絶縁層６０は、画素電極４１と発光機能層４２との間に設けられている。絶縁層６０は、平面視で、画素電極４１の外縁と重なっている。絶縁層６０は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層である。
【0048】
絶縁層６０には、開口部６２が形成されている。開口部６２は、絶縁層６０を貫通している。絶縁層６０は、有機ＥＬ素子４０の発光領域４４を規定している。発光領域４４は、平面視で、有機ＥＬ素子４０の開口部６２と重なっている領域である。換言すれば、発光領域４４は、平面視で、画素電極４１と発光機能層４２とが接している領域である。発光領域４４は、平面視で、絶縁層６０と重なっていない。絶縁層６０が設けられた領域では、画素電極４１から発光機能層４２への正孔の供給が抑制され、発光機能層４２の発光が抑制される。有機ＥＬ素子４０では、コンタクト５０と重なる領域を発光領域４４として用いていないため、コンタクト５０によって光が遮られることを抑制できる。画素回路１１４は、発光領域４４における発光機能層４２の発光を制御する。
【0049】
封止層７０は、共通電極４３上に設けられている。封止層７０は、共通電極４３と着色層８０との間に設けられている。封止層７０は、複数のサブ画素ＳＰにおいて、連続している。封止層７０は、例えば、無機層および有機層が積層されて構成されている。封止層７０は、有機層を一対の無機層で挟持した構造であってもよい。無機層は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層である。無機層は、発光機能層４２を水分や酸素などから保護する。有機層は、例えば、アクリル系などの樹脂層である。有機層は、封止層７０の上面の平坦性を向上させる。
【0050】
着色層８０は、封止層７０上に設けられている。着色層８０は、封止層７０と対向基板９０との間に設けられている。着色層８０は、赤色光を出射するサブ画素ＳＰ、緑色光を出射する緑色サブ画素ＳＰ、および青色光を出射する青色サブ画素ＳＰの各々において、所定の波長を透過させるように構成されたカラーフィルターである。着色層８０の材質は、例えば、カラーレジストである。
【0051】
対向基板９０は、着色層８０上に設けられている。図示の例では、対向基板９０は、接着層９２によって、着色層８０に接着されている。対向基板９０および接着層９２は、着色層８０から出射された光を透過させる。対向基板９０は、有機ＥＬ素子４０および着色層８０を保護する保護基板として機能する。
【0052】
なお、表示装置１００の画素Ｐは、例えば、公知の半導体製造プロセスを用いて製造される。
【0053】
１．５． 画素の平面構造
図５は、表示装置１００の画素Ｐを模式的に示す平面図である。上述した図４は、図５のＶＩ－ＶＩ断面図である。なお、便宜上、図５では、反射層２０、画素電極４１、発光領域４４、コンタクト５０、および着色層８０以外の部材の図示を省略している。また、着色層８０を破線で示している。
図５は、表示装置１００の画素Ｐを模式的に示す平面図である。上述した図４は、図５のＶＩ－ＶＩ断面図である。なお、便宜上、図５では、反射層２０、画素電極４１、発光領域４４、コンタクト５０、および着色層８０以外の部材の図示を省略している。また、着色層８０を破線で示している。
【0054】
画素Ｐは、図５に示すように、複数設けられている。画素Ｐの数は、複数であれば、特に限定されない。複数の画素Ｐは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリックス状に配列されている。
【0055】
Ｘ軸方向において隣り合う画素Ｐの形状は、Ｙ軸方向において、相補の関係を有している。すなわち、Ｘ軸方向において隣り合う画素Ｐのうち、一方の画素ＰをＹ軸方向において反転させた形状が、他方の画素Ｐの形状となる。これにより、色変化がＹ軸方向において対称になるため、視野角による色変化の違和感を低減できる。一方、Ｙ軸方向において隣り合う画素Ｐは、互いに同じ形状で配置されている。
【0056】
画素Ｐは、３つのサブ画素ＳＰで構成されている。具体的には、画素Ｐは、３つのサブ画素ＳＰとして、赤色光を出射する赤色サブ画素ＳＰＲ、緑色光を出射する緑色サブ画素ＳＰＧ、および青色光を出射する青色サブ画素ＳＰＢで構成されている。１つの画素Ｐを構成するサブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢは、互いに隣り合っている。複数の画素Ｐにおいて、複数のサブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢは、デルタ配列されている。１つの画素Ｐを構成するサブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの各々の中心を結ぶ図形Ｆは、例えば、直角三角形、正三角形、二等辺三角形等である。平面視で、着色層８０の外縁は、サブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの形状を規定している。
【0057】
赤色サブ画素ＳＰＲは、画素電極４１としての第１画素電極４１Ｒと、画素回路１１４としての第１画素回路１１４Ｒと、発光領域４４としての第１発光領域４４Ｒと、コンタクト５０としての第１画素コンタクト５０Ｒと、を有している。緑色サブ画素ＳＰＧは、画素電極４１としての第２画素電極４１Ｇと、画素回路１１４としての第２画素回路１１４Ｇと、発光領域４４としての第２発光領域４４Ｇと、コンタクト５０としての第２画素コンタクト５０Ｇと、を有している。青色サブ画素ＳＰＢは、画素電極４１としての第３画素電極４１Ｂと、画素回路１１４としての第３画素回路１１４Ｂと、発光領域４４としての第３発光領域４４Ｂと、コンタクト５０としての第３画素コンタクト５０Ｂと、を有している。第１画素電極４１Ｒは、コンタクトホール５２としての第１コンタクトホール５２Ｒを介して第１画素回路１１４Ｒと電気的に接続されている。第２画素電極４１Ｇは、コンタクトホール５２としての第２コンタクトホール５２Ｇを介して第２画素回路１１４Ｇと電気的に接続されている。第３画素電極４１Ｂは、コンタクトホール５２としての第３コンタクトホール５２Ｂを介して第３画素回路１１４Ｂと電気的に接続されている。
【0058】
第１発光領域４４Ｒ、第２発光領域４４Ｇ、および第３発光領域４４Ｂは、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状である。発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂにおいて、Ｘ軸方向の大きさは、Ｙ軸方向の大きさよりも大きい。複数の画素Ｐにおいて、第１発光領域４４Ｒ、第２発光領域４４Ｇ、および第３発光領域４４Ｂは、この順で、Ｘ軸方向に並んで繰り返し設けられている。
【0059】
第１発光領域４４Ｒ、第２発光領域４４Ｇ、および第３発光領域４４Ｂは、平面視で、画素電極４１の外縁の内側に設けられている。画素電極４１は、平面視で、反射層２０の外縁の内側に設けられている。反射層２０は、平面視で、着色層８０の内側に設けられている。図示の例では、Ｘ軸方向において隣り合う画素Ｐにおいて、赤色サブ画素ＳＰＲの反射層２０と、青色サブ画素ＳＰＢの反射層２０とは、離隔している。平面視で、画素電極４１および着色層８０の形状は、例えば、長方形である。なお、Ｘ軸方向において隣り合う画素Ｐにおいて、各々の反射層２０は、連続していてもよい。
【0060】
１つの画素Ｐにおいて、第１発光領域４４Ｒは、Ｘ軸方向からみて、第２発光領域４４Ｇと重なっている。換言すると、第１発光領域４４ＲをＸ軸方向に移動させると、第２発光領域４４Ｇと重なる。１つの画素Ｐにおいて、第３発光領域４４Ｂは、Ｙ軸方向からみて、第１発光領域４４Ｒおよび第２発光領域４４Ｇと重なっている。換言すると、第３発光領域４４ＢをＹ軸方向に移動させると、第１発光領域４４Ｒおよび第２発光領域４４Ｇと重なる。
【0061】
１つの画素Ｐにおいて、第１発光領域４４Ｒは、平面視で、第２発光領域４４Ｇとは反対側に、第１切り欠き４５Ｒを有する形状である。第１切り欠き４５Ｒは、第３発光領域４４Ｂとは反対側に設けられている。第１切り欠き４５Ｒは、第１発光領域４４Ｒの－Ｘ軸方向に設けられている。第１発光領域４４Ｒは、第１切り欠き４５Ｒによって、略Ｌ字状の形状を有している。Ｙ軸方向からみて、第１切り欠き４５Ｒは、例えば、第３発光領域４４Ｂと重ならない。
【0062】
第１切り欠き４５Ｒの領域には、第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）が設けられている。さらに、第１切り欠き４５Ｒの領域には、第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）が設けられている。第１切り欠き４５Ｒの領域に設けられた第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）は、第１切り欠き４５Ｒを有する画素ＰとＸ軸方向において隣の画素Ｐの青色サブ画素ＳＰＢの第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）である。図示の例では、第１切り欠き４５Ｒの領域において、第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）は、第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）の－Ｘ軸方向に設けられている。
【0063】
第１切り欠き４５Ｒの領域は、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状である。第１切り欠き４５Ｒの領域において、Ｘ軸方向の大きさは、Ｙ軸方向の大きさよりも大きい。図示の例では、第１切り欠き４５Ｒの形状は、長方形である。
【0064】
１つの画素Ｐにおいて、第２発光領域４４Ｇは、平面視で、第１発光領域４４Ｒとは反対側に、第２切り欠き４５Ｇを有する形状である。第２切り欠き４５Ｇは、第３発光領域４４Ｂとは反対側に設けられている。第２切り欠き４５Ｇは、第２発光領域４４Ｇの＋Ｘ軸方向に設けられている。第２発光領域４４Ｇは、第２切り欠き４５Ｇによって、略Ｌ字状の形状を有している。Ｙ軸方向からみて、第２切り欠き４５Ｇは、例えば、第３発光領域４４Ｂと重ならない。Ｘ軸方向からみて、第２切り欠き４５Ｇは、第１切り欠き４５Ｒと重なる。
【0065】
第２切り欠き４５Ｇの領域には、第２画素コンタクト５０Ｇ（第２コンタクトホール５２Ｇ）が設けられている。図示の例では、第２切り欠き４５Ｇの形状は、正方形である。
【0066】
第３発光領域４４Ｂの形状は、例えば、長方形である。第３発光領域４４Ｂは、切り欠きを有さない形状である。第３発光領域４４Ｂを発光させるための第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）は、第３発光領域４４Ｂを有する画素Ｐと隣の画素Ｐの第１切り欠き４５Ｒの領域に、設けられている。平面視で、第３発光領域４４Ｂの面積は、例えば、第２発光領域４４Ｇの面積よりも大きい。
【0067】
１つの画素Ｐにおいて、第１発光領域４４Ｒと第２発光領域４４Ｇとの間の距離Ｄ１、第２発光領域４４Ｇと第３発光領域４４Ｂとの間の距離Ｄ２、第１発光領域４４Ｒと第３発光領域４４Ｂとの間の距離Ｄ３は、例えば、互いに同じである。距離Ｄ１は、第１発光領域４４Ｒと第２発光領域４４Ｇとの間の最短距離である。距離Ｄ２は、第２発光領域４４Ｇと第３発光領域４４Ｂとの間の最短距離である。距離Ｄ３は、第１発光領域４４Ｒと第３発光領域４４Ｂとの間の最短距離である。
【0068】
第１発光領域４４ＲのＸ軸方向の最大の大きさ、第２発光領域４４ＧのＸ軸方向の最大の大きさ、および第３発光領域４４ＢのＸ軸方向の最大の大きさは、例えば、互いに同じである。第１発光領域４４ＲのＹ軸方向の最大の大きさ、第２発光領域４４ＧのＹ軸方向の最大の大きさ、および第３発光領域４４ＢのＹ軸方向の最大の大きさは、例えば、互いに同じである。
【0069】
１つの画素Ｐにおいて、第１発光領域４４Ｒの第２発光領域４４Ｇと対向する辺の長さと、第２発光領域４４Ｇの第１発光領域４４Ｒと対向する辺の長さとは、互いに同じである。図示の例では、第１発光領域４４ＲのＹ軸と平行な辺であって＋Ｘ軸方向の辺の長さと、第２発光領域４４ＧのＹ軸と平行な辺であって－Ｘ軸方向の辺の長さとは、互いに同じである。
【0070】
１．６． 作用効果
表示装置１００では、複数の画素Ｐの各々において、第１サブ画素としての赤色サブ画素ＳＰＲ、第２サブ画素としての緑色サブ画素ＳＰＧ、および第３サブ画素としての青色サブ画素ＳＰＢは、互いに隣り合う。第１方向としてのＸ軸方向からみて、第１発光領域４４Ｒは、第２発光領域４４Ｇと重なり、第１方向と直交する第２方向としてのＹ軸方向からみて、第３発光領域４４Ｂは、第１発光領域４４Ｒおよび第２発光領域４４Ｇと重なる。複数の画素Ｐの各々において、第１方向および第２方向と直交する第３方向としてのＺ軸方向からの平面視で、第１発光領域４４Ｒは、第２発光領域４４Ｇとは反対側に、第１切り欠き４５Ｒを有する形状であり、第２発光領域４４Ｇは、第１発光領域４４Ｒとは反対側に、第２切り欠き４５Ｇを有する形状である。第１画素電極４１Ｒと第１画素回路１１４Ｒとの間に設けられた絶縁層３０に形成された第１コンタクトホール５２Ｒを介して、第１画素電極４１Ｒおよび第１画素回路１１４Ｒは、互いに電気的に接続されている。第２画素電極４１Ｇと第２画素回路１１４Ｇとの間に設けられた絶縁層３０に形成された第２コンタクトホール５２Ｇを介して、第２画素電極４１Ｇおよび第２画素回路１１４Ｇは、互いに電気的に接続されている。第３画素電極４１Ｂと第３画素回路１１４Ｂとの間に設けられた絶縁層３０に形成された第３コンタクトホール５２Ｂを介して、第３画素電極４１Ｂおよび第３画素回路１１４Ｂは、互いに電気的に接続されている。第１切り欠き４５Ｒの領域に、第１コンタクトホール５２Ｒ、および複数の画素Ｐのうちの隣の画素Ｐの第３コンタクトホール５２Ｂの少なくとも一方が設けられ、第２切り欠き４５Ｇの領域に、第２コンタクトホール５２Ｇが設けられている。
表示装置１００では、複数の画素Ｐの各々において、第１サブ画素としての赤色サブ画素ＳＰＲ、第２サブ画素としての緑色サブ画素ＳＰＧ、および第３サブ画素としての青色サブ画素ＳＰＢは、互いに隣り合う。第１方向としてのＸ軸方向からみて、第１発光領域４４Ｒは、第２発光領域４４Ｇと重なり、第１方向と直交する第２方向としてのＹ軸方向からみて、第３発光領域４４Ｂは、第１発光領域４４Ｒおよび第２発光領域４４Ｇと重なる。複数の画素Ｐの各々において、第１方向および第２方向と直交する第３方向としてのＺ軸方向からの平面視で、第１発光領域４４Ｒは、第２発光領域４４Ｇとは反対側に、第１切り欠き４５Ｒを有する形状であり、第２発光領域４４Ｇは、第１発光領域４４Ｒとは反対側に、第２切り欠き４５Ｇを有する形状である。第１画素電極４１Ｒと第１画素回路１１４Ｒとの間に設けられた絶縁層３０に形成された第１コンタクトホール５２Ｒを介して、第１画素電極４１Ｒおよび第１画素回路１１４Ｒは、互いに電気的に接続されている。第２画素電極４１Ｇと第２画素回路１１４Ｇとの間に設けられた絶縁層３０に形成された第２コンタクトホール５２Ｇを介して、第２画素電極４１Ｇおよび第２画素回路１１４Ｇは、互いに電気的に接続されている。第３画素電極４１Ｂと第３画素回路１１４Ｂとの間に設けられた絶縁層３０に形成された第３コンタクトホール５２Ｂを介して、第３画素電極４１Ｂおよび第３画素回路１１４Ｂは、互いに電気的に接続されている。第１切り欠き４５Ｒの領域に、第１コンタクトホール５２Ｒ、および複数の画素Ｐのうちの隣の画素Ｐの第３コンタクトホール５２Ｂの少なくとも一方が設けられ、第２切り欠き４５Ｇの領域に、第２コンタクトホール５２Ｇが設けられている。
【0071】
そのため、表示装置１００では、第１発光領域が第２発光領域側に切り欠きを有する形状であり、第２発光領域が第１発光領域側に切り欠きを有する形状である場合に比べて、赤色サブ画素ＳＰＲ、緑色サブ画素ＳＰＧ、および青色サブ画素ＳＰＢから出射される色光を混ぜ合わせ易い。これにより、画質を向上できる。表示装置１００では、平面視で、第１発光領域４４Ｒの重心、第２発光領域４４Ｇの重心、および第３発光領域４４Ｂの重心を、画素Ｐの中心に近づけることができる。
【0072】
例えば、赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素から出射される色光を混ぜ合わせて画素から白色光を出射させる場合、第１発光領域が第２発光領域側に切り欠きを有する形状や、第２発光領域が第１発光領域側に切り欠きを有する形状であると、赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素から出射される色光が混じり合い難く、白色光の色純度が低下する。
【0073】
さらに、表示装置１００では、第１切り欠き４５Ｒの領域に、第１コンタクトホール５２Ｒ、および複数の画素Ｐのうちの隣の画素Ｐの第３コンタクトホール５２Ｂの少なくとも一方が設けられ、第２切り欠き４５Ｇの領域に、第２コンタクトホール５２Ｇが設けられているため、画素Ｐの面積を小さくすることができる。
【0074】
表示装置１００では、第１切り欠き４５Ｒの領域に、第１コンタクトホール５２Ｒ、および複数の画素Ｐのうちの隣の画素Ｐの第３コンタクトホール５２Ｂが設けられている。そのため、表示装置１００では、第３コンタクトホール５２Ｂを設けるために、第３発光領域４４Ｂを、切り欠きを有する形状にする必要がない。これにより、第３発光領域４４Ｂの面積を大きくすることができる。第３発光領域４４Ｂを有する青色サブ画素ＳＰＢは、赤色光および緑色光よりも短波長の青色光を出射するため、赤色サブ画素ＳＰＲおよび緑色サブ画素ＳＰＧに比べて、劣化速度が速い場合があり、輝度が低下し易い。そのため、第３発光領域４４Ｂの面積を大きくすることにより、青色サブ画素ＳＰＢの輝度の低下を抑えることができる。これにより、青色サブ画素ＳＰＢの輝度を、サブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧの輝度に近づけることができる。
【0075】
表示装置１００では、第１発光領域４４Ｒ、第２発光領域４４Ｇ、および第３発光領域４４Ｂは、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状であり、複数の画素Ｐにおいて、第１発光領域４４Ｒ、第２発光領域４４Ｇ、および第３発光領域４４Ｂは、Ｘ軸方向に並んでいる。そのため、表示装置１００では、視野角による色変化を小さくすることができる。
【0076】
ここで、図６は、視野角による色変化を説明するための図である。図６において、複数の発光領域Ｌは、Ｘ軸方向に並んでいる。赤色フィルターＣＲ、緑色フィルターＣＧ、および青色フィルターＣＢは、Ｘ軸方向に並んでいる。
【0077】
図６に示すαの場合では、最も－Ｘ軸方向に位置する発光領域Ｌの中心Ｏから、＋Ｘ軸方向にΔｘ離れた位置にある眼Ｅには、赤色フィルターＣＲを通過した光が入射する。そのため、中心Ｏの位置から見た場合と、中心Ｏから＋Ｘ軸方向にΔｘ離れた位置から見た場合と、で色変化が小さい。
【0078】
図６に示すβの場合では、αの場合に比べて、発光領域ＬのＸ軸方向の大きさが小さい。それにともない、βの場合では、αの場合に比べて、フィルターＣＲ，ＣＧ，ＣＢのＸ軸方向の大きさが小さい。図６に示すβの場合では、中心Ｏから＋Ｘ軸方向にΔｘ離れた位置にある眼Ｅには、赤色フィルターＣＲだけでなく緑色フィルターＣＧを通過した光が入射する。そのため、中心Ｏの位置から見た場合と、中心Ｏから＋Ｘ軸方向にΔｘ離れた位置から見た場合と、で色変化が大きくなる。
【0079】
以上のように、発光領域ＬのＸ軸方向の大きさが大きい方が、視野角による色変化を小さくすることができる。表示装置１００では、上記のように、発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状であり、複数の画素Ｐにおいて、発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、Ｘ軸方向に並んでいるため、視野角による色変化を小さくすることができる。
【0080】
さらに、表示装置１００では、発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４ＢのＸ軸方向の大きさを変更することにより、発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの面積比を調整できる。
【0081】
表示装置１００では、第１切り欠き４５Ｒの領域は、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状である。そのため、例えば第１切り欠きの領域がＹ軸方向に長手方向を有する形状である場合に比べて、第１発光領域４４Ｒの狭窄領域４７の幅Ｗを大きくすることができる。図示の例では、狭窄領域４７は、第１切り欠き４５ＲのＹ軸方向に位置している。幅Ｗは、狭窄領域４７のＹ軸方向の大きさである。
【0082】
表示装置１００では、複数の画素Ｐの各々において、第１発光領域４４Ｒと第２発光領域４４Ｇとの間の距離Ｄ１、第２発光領域４４Ｇと第３発光領域４４Ｂとの間の距離Ｄ２、および第１発光領域４４Ｒと第３発光領域４４Ｂとの間の距離Ｄ３は、互いに同じである。そのため、表示装置１００では、発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂから出射される色光を、均一性よく混ぜ合わせることができる。
【0083】
２． 表示装置の変形例
２．１． 第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００について、図面を参照しながら説明する。図７は、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００の画素Ｐを模式的に示す平面図である。
２．１． 第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００について、図面を参照しながら説明する。図７は、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００の画素Ｐを模式的に示す平面図である。
【0084】
以下、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００において、上述した本実施形態に係る表示装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、後述する本実施形態の第２変形例に係る表示装置おいて、同様である。
【0085】
上述した表示装置１００では、図５に示すように、第３発光領域４４Ｂの形状は、長方形であった。
【0086】
これに対し、表示装置２００では、図７に示すように、１つの画素Ｐにおいて、第３発光領域４４Ｂの形状は、平面視で、第２発光領域４４Ｇとは反対側に、第３切り欠き４５Ｂを有する形状である。
【0087】
第３発光領域４４Ｂは、第３切り欠き４５Ｂによって、略Ｌ字状の形状を有している。図示の例では、切り欠き４５Ｒ，４５Ｇ，４５Ｂの形状は、正方形である。発光領域４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの面積は、例えば、互いに同じである。
【0088】
第３切り欠き４５Ｂの領域には、青色サブ画素ＳＰＢの第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）が設けられている。第１切り欠き４５Ｒの領域には、第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）は、設けられていない。第１切り欠き４５Ｒの領域には、第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）が設けられている。
【0089】
表示装置２００では、複数の画素Ｐの各々において、平面視で、第３発光領域４４Ｂは、第２発光領域４４Ｇとは反対側に、第３切り欠き４５Ｂを有する形状であり、第１切り欠き４５Ｒの領域に、赤色サブ画素ＳＰＲの第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）が設けられ、第３切り欠き４５Ｂの領域に、青色サブ画素ＳＰＢの第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）が設けられている。そのため、表示装置２００では、第１発光領域４４Ｒの面積、第２発光領域４４Ｇの面積、および第３発光領域４４Ｂの面積の差を小さくすることができる。これにより、サブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの劣化速度の差が小さい場合に、サブ画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの輝度の差を小さくすることができる。
【0090】
２．２． 第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係る表示装置３００について、図面を参照しながら説明する。図８は、本実施形態の第２変形例に係る表示装置３００の画素Ｐを模式的に示す平面図である。
次に、本実施形態の第２変形例に係る表示装置３００について、図面を参照しながら説明する。図８は、本実施形態の第２変形例に係る表示装置３００の画素Ｐを模式的に示す平面図である。
【0091】
上述した表示装置１００では、図５に示すように、第１発光領域４４Ｒの形状は、略Ｌ字状であった。
【0092】
これに対し、表示装置３００では、図８に示すように、第１発光領域４４Ｒの形状は、略Ｔ字状である。第１発光領域４４Ｒの形状は、凸型である。
【0093】
１つの画素Ｐにおいて、平面視で、第１発光領域４４Ｒは、第２発光領域４４Ｇとは反対側に第１切り欠き４５Ｒを有し、第２発光領域４４Ｇ側に第４切り欠き４６Ｒを有する形状である。第４切り欠き４６Ｒは、第３発光領域４４Ｂとは反対側に設けられている。第４切り欠き４６Ｒは、第１発光領域４４Ｒの＋Ｘ軸方向に設けられている。図示の例では、切り欠き４５Ｒ，４５Ｇ，４６Ｒの形状は、正方形である。
【0094】
第４切り欠き４６Ｒの領域には、第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）が設けられている。第１切り欠き４５Ｒの領域には、第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）は、設けられていない。第１切り欠き４５Ｒの領域には、第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）が設けられている。
【0095】
表示装置３００では、複数の画素Ｐの各々において、平面視で、第１発光領域４４Ｒは、第３発光領域４４Ｂとは反対側であって、かつ緑色サブ画素ＳＰＧ側に、第４切り欠き４６Ｒを有する形状であり、第１切り欠き４５Ｒの領域に、複数の画素Ｐのうちの隣の画素Ｐの青色サブ画素ＳＰＢの第３画素コンタクト５０Ｂ（第３コンタクトホール５２Ｂ）が設けられ、第４切り欠き４６Ｒの領域に、赤色サブ画素ＳＰＲの第１画素コンタクト５０Ｒ（第１コンタクトホール５２Ｒ）が設けられている。そのため、表示装置３００では、第１切り欠き４５Ｒの領域の面積を小さくすることができる。
【0096】
３． 電子機器
３．１． 全体の構成
次に、本実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイについて、図面を参照しながら説明する。図９は、本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイ９００を模式的に示す斜視図である。
３．１． 全体の構成
次に、本実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイについて、図面を参照しながら説明する。図９は、本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイ９００を模式的に示す斜視図である。
【0097】
ヘッドマウントディスプレイ９００は、図９に示すように、眼鏡のような外見を有する頭部装着型のディスプレイである。ヘッドマウントディスプレイ９００は、観察者の頭部に装着される。観察者とは、ヘッドマウントディスプレイ９００を使用する使用者のことである。ヘッドマウントディスプレイ９００は、観察者に対して虚像による映像光を視認させることができるとともに、外界像をシースルーで視認させることができる。
【0098】
ヘッドマウントディスプレイ９００は、例えば、第１表示部９１０ａと、第２表示部９１０ｂと、フレーム９２０と、第１テンプル９３０ａと、第２テンプル９３０ｂと、を有している。
【0099】
第１表示部９１０ａおよび第２表示部９１０ｂは、画像を表示する。具体的には、第１表示部９１０ａは、観察者の右眼用の虚像を表示する。第２表示部９１０ｂは、観察者の左眼用の虚像を表示する。表示部９１０ａ，９１０ｂ、例えば、像形成装置９１１と、導光装置９１５と、を有している。
【0100】
像形成装置９１１は、画像光を形成する。像形成装置９１１は、例えば、光源や投射装置などの光学系と、外部部材９１２と、を有している。外部部材９１２は、光源および投射装置を収容している。
【0101】
導光装置９１５は、観察者の眼前を覆う。導光装置９１５は、像形成装置９１１で形成された映像光を導光させるとともに、外界光と映像光とを重複して観察者に視認させる。なお、像形成装置９１１および導光装置９１５の詳細については、後述する。
【0102】
フレーム９２０は、第１表示部９１０ａおよび第２表示部９１０ｂを支持している。フレーム９２０は、例えば、表示部９１０ａ，９１０ｂを囲んでいる。図示の例では、第１表示部９１０ａの像形成装置９１１は、フレーム９２０の一方の端部に取り付けられている。第２表示部９１０ｂの像形成装置９１１は、フレーム９２０の他方の端部に取り付けられている。
【0103】
第１テンプル９３０ａおよび第２テンプル９３０ｂは、フレーム９２０から延在している。図示の例では、第１テンプル９３０ａは、フレーム９２０の一方の端部から延在している。第２テンプル９３０ｂは、フレーム９２０の他方の端部から延在している。
【0104】
第１テンプル９３０ａおよび第２テンプル９３０ｂは、ヘッドマウントディスプレイ９００が観察者に装着された場合に、観察者の耳に懸架される。テンプル９３０ａ，９３０ｂ間に、観察者の頭部が位置する。
【0105】
３．２． 像形成装置および導光装置
図１０は、ヘッドマウントディスプレイ９００の第１表示部９１０ａの像形成装置９１１および導光装置９１５を模式的に示す図である。なお、第１表示部９１０ａと第２表示部９１０ｂとは、基本的に同じ構成を有している。したがって、以下の第１表示部９１０ａの説明は、第２表示部９１０ｂに適用できる。
図１０は、ヘッドマウントディスプレイ９００の第１表示部９１０ａの像形成装置９１１および導光装置９１５を模式的に示す図である。なお、第１表示部９１０ａと第２表示部９１０ｂとは、基本的に同じ構成を有している。したがって、以下の第１表示部９１０ａの説明は、第２表示部９１０ｂに適用できる。
【0106】
像形成装置９１１は、図１０に示すように、例えば、光源としての表示装置１００と、結像用の投射装置９１４と、を有している。
【0107】
投射装置９１４は、表示装置１００から出射された映像光を、導光装置９１５に向けて投射する。投射装置９１４は、例えば、投射レンズである。投射装置９１４を構成するレンズとして、軸対称面をレンズ面とするものを用いてもよい。
【0108】
導光装置９１５は、例えば、投射装置９１４の鏡筒にねじ止めされることにより、投射装置９１４に対して精度よく位置決めされている。導光装置９１５は、例えば、映像光を導光する映像光導光部材９１６と、透視用の透視部材９１８と、を有している。
【0109】
映像光導光部材９１６には、投射装置９１４から出射された映像光が入射する。映像光導光部材９１６は、映像光を、観察者の眼に向けて導光するプリズムである。映像光導光部材９１６に入射した映像光は、映像光導光部材９１６の内面において反射を繰り返した後、反射層９１７で反射されて映像光導光部材９１６から出射される。映像光導光部材９１６から出射された映像光は、観察者の眼に至る。反射層９１７は、例えば、金属や、誘電体多層膜で構成されている。反射層９１７は、ハーフミラーであってもよい。
【0110】
透視部材９１８は、映像光導光部材９１６に隣接している。透視部材９１８は、映像光導光部材９１６に固定されている。透視部材９１８の外表面は、例えば、映像光導光部材９１６の外表面と連続している。透視部材９１８は、観察者に、外界光を透視させる。映像光導光部材９１６についても、映像光を導光する機能の他に、観察者に外界光を透視させる機能を有している。なお、ヘッドマウントディスプレイ９００は、観察者に、外界光を透視させない構成であってもよい。
【0111】
本実施形態に係る電子機器は、本実施形態に係る表示装置を有すれば、ヘッドマウントディスプレイに限定されない。本実施形態に係る電子機器は、ＥＶＦ（Electronic View Finder）、プロジェクター、携帯情報端末、腕時計、車載用のヘッドアップディスプレイであってもよい。
【0112】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【0113】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成できる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【0114】
上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。
【0115】
表示装置の一態様は、
複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、
第１発光領域、第１画素電極、および前記第１発光領域における発光を制御する第１画素回路を有し、第１色光を出射する第１サブ画素と、
第２発光領域、第２画素電極、および前記第２発光領域における発光を制御する第２画素回路を有し、前記第１色光と異なる第２色光を出射する第２サブ画素と、
第３発光領域、第３画素電極、および前記第３発光領域における発光を制御する第３画素回路を有し、前記第１色光および前記第２色光と異なる第３色光を出射する第３サブ画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々において、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、互いに隣り合い、
第１方向からみて、前記第１発光領域は、前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向と直交する第２方向からみて、前記第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、
前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、
前記第１画素電極と前記第１画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して、前記第１画素電極および前記第１画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第２画素電極と前記第２画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して、前記第２画素電極および前記第２画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第３画素電極と前記第３画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して、前記第３画素電極および前記第３画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、
前記第２切り欠きの領域に、前記第２コンタクトホールが設けられている。
複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、
第１発光領域、第１画素電極、および前記第１発光領域における発光を制御する第１画素回路を有し、第１色光を出射する第１サブ画素と、
第２発光領域、第２画素電極、および前記第２発光領域における発光を制御する第２画素回路を有し、前記第１色光と異なる第２色光を出射する第２サブ画素と、
第３発光領域、第３画素電極、および前記第３発光領域における発光を制御する第３画素回路を有し、前記第１色光および前記第２色光と異なる第３色光を出射する第３サブ画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々において、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、互いに隣り合い、
第１方向からみて、前記第１発光領域は、前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向と直交する第２方向からみて、前記第３発光領域は、前記第１発光領域および前記第２発光領域と重なり、
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向からの平面視で、前記第１発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第１切り欠きを有する形状であり、
前記第２発光領域は、前記第１発光領域とは反対側に、第２切り欠きを有する形状であり、
前記第１画素電極と前記第１画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して、前記第１画素電極および前記第１画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第２画素電極と前記第２画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して、前記第２画素電極および前記第２画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第３画素電極と前記第３画素回路との間に設けられた絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して、前記第３画素電極および前記第３画素回路は、互いに電気的に接続され、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールの少なくとも一方が設けられ、
前記第２切り欠きの領域に、前記第２コンタクトホールが設けられている。
【0116】
この表示装置によれば、第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素から出射される色光を混ぜ合わせ易い。これにより、画質を向上できる。
【0117】
表示装置の一態様において、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられていてもよい。
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホール、および前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられていてもよい。
【0118】
この表示装置によれば、第３コンタクトホールを設けるために、第３発光領域を、切り欠きを有する形状にする必要がない。これにより、第３発光領域の面積を大きくすることができる。
【0119】
表示装置の一態様において、
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第３発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第３切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられ、
前記第３切り欠きの領域に、前記第３コンタクトホールが設けられていてもよい。
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第３発光領域は、前記第２発光領域とは反対側に、第３切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられ、
前記第３切り欠きの領域に、前記第３コンタクトホールが設けられていてもよい。
【0120】
この表示装置によれば、第１発光領域の面積、第２発光領域の面積、および第３発光領域の面積の差を小さくすることができる。
【0121】
表示装置の一態様において、
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第１発光領域は、前記第３発光領域とは反対側であって、かつ前記第２サブ画素側に、第４切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられ、
前記第４切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられていてもよい。
前記複数の画素の各々において、前記平面視で、前記第１発光領域は、前記第３発光領域とは反対側であって、かつ前記第２サブ画素側に、第４切り欠きを有する形状であり、
前記第１切り欠きの領域に、前記複数の画素のうちの隣の画素の前記第３コンタクトホールが設けられ、
前記第４切り欠きの領域に、前記第１コンタクトホールが設けられていてもよい。
【0122】
この表示装置によれば、第１切り欠きの領域の面積を小さくすることができる。
【0123】
表示装置の一態様において、
前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に長手方向を有する形状であり、
前記複数の画素において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に並んでいてもよい。
前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に長手方向を有する形状であり、
前記複数の画素において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は、前記第１方向に並んでいてもよい。
【0124】
この表示装置によれば、視野角による色変化を小さくすることができる。
【0125】
表示装置の一態様において、
前記第１切り欠きの領域は、前記第１方向に長手方向を有する形状であってもよい。
前記第１切り欠きの領域は、前記第１方向に長手方向を有する形状であってもよい。
【0126】
この表示装置によれば、第１発光領域の狭窄領域の幅を大きくすることができる。
【0127】
表示装置の一態様において、
前記複数の画素の各々において、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間の距離、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間の距離、および前記第１発光領域と前記第３発光領域との間の距離は、互いに同じであってもよい。
前記複数の画素の各々において、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間の距離、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間の距離、および前記第１発光領域と前記第３発光領域との間の距離は、互いに同じであってもよい。
【0128】
この表示装置によれば、第１発光領域、第２発光領域、および第３発光領域から出射される色光を、均一性よく混ぜ合わせることができる。
【0129】
電子機器の一態様は、
前記表示装置の一態様を有する。
前記表示装置の一態様を有する。
【符号の説明】
【0130】
２ａ…書込制御トランジスターと、２ｂ…駆動トランジスター、２ｃ…補償トランジスター、２ｄ…発光制御トランジスター、３…保持容量、３ａ，３ｂ…容量電極、４ａ…走査線、４ｂ…データ線、５ａ…第１制御線、５ｂ…第２制御線、６ａ…第１電源配線、６ｂ…第２電源配線、７…容量素子、１０…基板、１１…不純物領域、１２…ゲート絶縁層、１３…ゲート電極、１４，１５，１６，１７…層間絶縁層、１８…配線層、２０…反射層、３０…絶縁層、４０…有機ＥＬ素子、４１…画素電極、４１Ｒ…第１画素電極、４１Ｇ…第２画素電極、４１Ｂ…第３画素電極、４２…発光機能層、４３…共通電極、４４…発光領域、４４Ｒ…第１発光領域、４４Ｇ…第２発光領域、４４Ｂ…第３発光領域、４５Ｒ…第１切り欠き、４５Ｇ…第２切り欠き、４５Ｂ…第３切り欠き、４６Ｒ…第４切り欠き、４７…狭窄領域、５０…コンタクト、５０Ｒ…第１画素コンタクト、５０Ｇ…第２画素コンタクト、５０Ｂ…第３画素コンタクト、５２…コンタクトホール、５２Ｒ…第１コンタクトホール、５２Ｇ…第２コンタクトホール、５２Ｂ…第３コンタクトホール、６０…絶縁層、６２…開口部、７０…封止層、８０…着色層、９０…対向基板、９２…接着層、１００…表示装置、１１０…表示パネル、１１２…表示領域、１１４…画素回路、１１４Ｒ…第１画素回路、１１４Ｇ…第２画素回路、１１４Ｂ…第３画素回路、１２０…ＦＰＣ、１２２…ドライバーＩＣ、１２４…外部接続用端子、１３０…枠体、１３２…窓枠、２００，３００…表示装置、９００…ヘッドマウントディスプレイ、９１０ａ…第１表示部、９１０ｂ…第２表示部、９１１…像形成装置、９１２…外部部材、９１４…投射装置、９１５…導光装置、９１６…映像光導光部材、９１７…反射層、９１８…透視部材、９２０…フレーム、９３０ａ…第１テンプル、９３０ｂ…第２テンプル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】