特開 2024-108488 圧電振動デバイスの製造方法、圧電振動デバイス、および、シート基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024108488

(43)【公開日】2024-08-13

(54)【発明の名称】圧電振動デバイスの製造方法、圧電振動デバイス、および、シート基板

(51)【国際特許分類】

   H03H 3/02 20060101AFI20240805BHJP

   H03H 9/02 20060101ALI20240805BHJP

【ＦＩ】

H03H3/02 C

H03H9/02 K

H03H9/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023012884

(22)【出願日】2023-01-31

(71)【出願人】

【識別番号】000149734

【氏名又は名称】株式会社大真空

(74)【代理人】

【識別番号】100105980

【弁理士】

【氏名又は名称】梁瀬 右司

(74)【代理人】

【識別番号】100121027

【弁理士】

【氏名又は名称】木村 公一

(72)【発明者】

【氏名】小笠原 好清

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108EE03

5J108EE07

5J108EE18

5J108GG03

5J108GG16

5J108JJ04

5J108KK04

5J108MM01

(57)【要約】

【課題】個々の圧電振動片単独で圧電振動片の特性の測定を可能にする、シート基板を用いた圧電振動デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動片およびサーミスタが収容されるベース１０がマトリックス状に複数個連なって一体成形されたシート基板１を用いて複数個の圧電振動デバイスを製造する製造方法であって、ベース１０の外底面には圧電振動片用の一対の外部接続端子６１、６２およびサーミスタ用の一対の外部接続端子６３、６４が形成され、シート基板１には一対の外部接続端子６３、６４に電気的に接続されたサーミスタ搭載用の一対の電極パッド４１、４２、および、電極パッド４１と外部接続端子６１とを電気的に接続する配線パターン４０が形成されており、当該製造方法は、シート基板１において、配線パターン４０をエネルギービームを用いて切断する切断工程を含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電振動片および他素子が収容される平面視矩形のベースがマトリックス状に複数個連なって一体成形されたシート基板を用いて、複数個の圧電振動デバイスを製造する圧電振動デバイスの製造方法であって、
前記シート基板は、複数の層からなる積層体であり、
前記複数の層における積層間に、前記複数のベースのうちの隣接するベース間を跨る配線パターンが形成されており、
それぞれの前記ベースの外底面には、当該ベースに収容される前記圧電振動片を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の圧電振動片用外部接続端子と、当該ベースに収容される前記他素子を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の他素子用外部接続端子とを含む複数の外部接続端子が形成されており、
それぞれの前記ベースには、当該ベースに収容される前記他素子が搭載され、前記配線パターンから引き出された一対の他素子用搭載パッドが設けられており、
前記シート基板には、それぞれの前記ベース単独の部分で、前記一対の他素子搭載用パッドのうちの一方の他素子搭載用パッドと、前記一対の圧電振動片用外部接続端子のうちの一方の圧電振動片用外部接続端子とを、電気的に接続する共通接続配線パターンが形成されており、
前記圧電振動デバイスの製造方法は、
前記シート基板において、前記共通接続配線パターンを、切断手段を用いて切断することにより、前記一方の他素子搭載用パッドと前記一方の圧電振動片用外部接続端子とを電気的に独立させる切断工程
を有することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。

【請求項2】

前記共通接続配線パターンは、外部に露出していることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動デバイスの製造方法。

【請求項3】

それぞれの前記ベースの前記複数の外部接続端子の各々は、平面視で当該ベースの前記外底面の外周縁に対して当該ベースの内側に離間して形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電振動デバイスの製造方法。

【請求項4】

前記シート基板には、それぞれの前記ベース単独の部分で、前記一対の他素子搭載用パッドのうちの他方の他素子搭載用パッドと、前記一対の圧電振動片用外部接続端子のうちの他方の圧電振動片用外部接続端子とを、電気的に接続する共通接続配線パターンが形成されていないことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電振動デバイスの製造方法。

【請求項5】

前記共通接続配線パターンの少なくとも一部は、絶縁材料で覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電振動デバイスの製造方法。

【請求項6】

前記切断手段はエネルギービームであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電振動デバイスの製造方法。

【請求項7】

請求項１または請求項２に記載の圧電振動デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動デバイス。

【請求項8】

圧電振動片および他素子が収容される平面視矩形のベースがマトリックス状に複数個連なって一体成形されたシート基板であって、
前記シート基板は、複数の層からなる積層体であり、
前記複数の層における積層間に、前記複数のベースのうちの隣接するベース間を跨る配線パターンが形成されており、
それぞれの前記ベースの外底面には、当該ベースに収容される前記圧電振動片を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の圧電振動片用外部接続端子と、当該ベースに収容される前記他素子を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の他素子用外部接続端子とを含む複数の外部接続端子が形成されており、
それぞれの前記ベースには、当該ベースに収容される前記他素子が搭載され、前記配線パターンから引き出された一対の他素子用搭載パッドが設けられており、
前記シート基板には、それぞれの前記ベース単独の部分で、前記一対の他素子搭載用パッドのうちの一方の他素子搭載用パッドと、前記一対の圧電振動片用外部接続端子のうちの一方の圧電振動片用外部接続端子とを、電気的に接続する共通接続配線パターンが形成されている
ことを特徴とするシート基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、圧電振動デバイスを製造する圧電振動デバイスの製造方法、当該製造方法により製造される圧電振動デバイス、および、当該製造方法に用いられるシート基板に関する。

【背景技術】

【0002】

圧電振動デバイスは、例えば、絶縁体からなり、上部が開放された容器状のベースと、ベースの内部空間に導電性接着剤等により保持された圧電振動片と、圧電振動片を覆ってベースの内部空間を密閉するようにベースの上縁部に接合された蓋とを有する。また、ベースの内底面には圧電振動片が電気的に接続される搭載パッドが設けられており、ベースの外底面にはこの搭載パッドに繋がる外部接続端子が設けられている。ベースの上縁部には、蓋を溶接するためのシール用金属が設けられている（例えば、特許文献１参照）。そして、一般に、搭載パッド、外部接続端子、シール用金属は、金めっき等が施されて酸化が防止されている。

【0003】

ところで、この種の圧電振動デバイスの製造方法の一例として、個々独立したベースに対して圧電振動片を順に搭載していき、その後、各ベースの上縁部に対して蓋を接合していくといった手法がある。しかしながら、この製造方法では、単位時間当たりに製造可能な水晶振動子の個数に限界があり、高い生産効率を実現することは困難である。

【0004】

この課題を解決する手法として、シート基板の上面に多数の凹部をマトリックス状に形成しておき、各凹部内に圧電振動デバイスを同時搭載するものである（例えば、特許文献２参照）。つまり、ベースをシート基板上で多数個取りすることによって生産効率の向上を図っている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平６－９０１３５号公報

【特許文献2】特開２００１－２１７３３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ところが、ベースをシート基板上で多数個取りする生成方法では、電極等には金めっき等が施されている。そして、このめっきの膜厚を適切に得るためのめっき法として電解めっき法が挙げられるが、この電解めっき法を使用する場合、このめっきを施す領域の各金属部分（下地金属）の全てが電気的に導通されている必要がある。このため、個々の圧電振動片に周波数測定装置を接続して周波数測定を行った場合、測定対象の圧電振動片に対して電気的に接続している他の圧電振動片が導通して影響を与えることになり、測定対象の圧電振動片のみの周波数測定ができない。

【0007】

本発明は、上記の課題に鑑み、少なくとも圧電振動片を収容するベースをシート基板上で多数個取りする圧電振動デバイスの製造方法であって、個々の圧電振動片単独で圧電振動片の特性の測定を可能にする圧電振動デバイスの製造方法、当該製造方法により製造される圧電振動デバイス、および、当該製造方法に用いられるシート基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

前記の目的を達成するため、本発明に係る圧電振動デバイスの製造方法は、圧電振動片および他素子が収容される平面視矩形のベースがマトリックス状に複数個連なって一体成形されたシート基板を用いて、複数個の圧電振動デバイスを製造する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記シート基板は、複数の層からなる積層体であり、前記複数の層における積層間に、前記複数のベースのうちの隣接するベース間を跨る配線パターンが形成されており、それぞれの前記ベースの外底面には、当該ベースに収容される前記圧電振動片を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の圧電振動片用外部接続端子と、当該ベースに収容される前記他素子を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の他素子用外部接続端子とを含む複数の外部接続端子が形成されており、それぞれの前記ベースには、当該ベースに収容される前記他素子が搭載され、前記配線パターンから引き出された一対の他素子用搭載パッドが設けられており、前記シート基板には、それぞれの前記ベース単独の部分で、前記一対の他素子搭載用パッドのうちの一方の他素子搭載用パッドと、前記一対の圧電振動片用外部接続端子のうちの一方の圧電振動片用外部接続端子とを、電気的に接続する共通接続配線パターンが形成されており、前記圧電振動デバイスの製造方法は、前記シート基板において、前記共通接続配線パターンを、切断手段を用いて切断することにより、前記一方の他素子搭載用パッドと前記一方の圧電振動片用外部接続端子とを電気的に独立させる切断工程を有することを特徴としている。

【0009】

この構成によれば、同一のベースの一方の圧電振動片用外部接続端子と一方の他素子用搭載パッドとを電気的に接続する共通接続配線パターンを、切断手段を用いて切断することにより、一方の圧電振動片用外部接続端子を一方の他素子用搭載パッドから電気的に独立させることができる。これにより、複数個のベースが一体的に連なったシート基板でも、各ベースにおいて圧電振動片と電気的に接続される一対の圧電振動片用外部接続端子の各々に測定プロープを接触させることにより、他のベースの影響を抑えて、圧電振動デバイスの特性を測定することができる。

【0010】

また、前記共通接続配線パターンは、外部に露出しているとしてもよい。

【0011】

この構成によれば、圧電振動片が蓋（リッド）によってベースの内部に気密封止された後であっても、共通接続配線パターンを切断することにより、一方の圧電振動片用外部接続端子を一方の他素子用搭載パッドから電気的に独立させることが可能となる。これにより、共通接続配線パターンの切断時の金属屑の圧電振動片への付着による絶縁不良等の不具合を防止することができる。

【0012】

また、それぞれの前記ベースの前記複数の外部接続端子の各々は、平面視で当該ベースの前記外底面の外周縁に対して当該ベースの内側に離間して形成されているとしてもよい。

【0013】

ところで、外部接続端子を形成する金属膜は、通常、下地金属層となるメタライズ層に、めっき層が積層された構成である。仮に複数の外部接続端子の各々が、平面視でベースの外底面の外周縁に対して内側に離間していない構成の場合は、シート基板をベースに分割して圧電振動デバイスを個片化する際に、外部接続端子のベースの外底面の外周縁近傍部分のめっき層が削られることになる。めっき層が削られると、めっき層で覆われていた下地金属層が外部に露出するため、下地金属層の種類によっては耐環境性の面で好ましくない場合がある。

【0014】

この構成によれば、複数の外部接続端子の各々が、平面視で外底面の外周縁に対して内側に離間して形成されているので、ベースを分割する際の分割手段と外部接続端子との干渉をなくすことができ、上記の問題の発生を防止できる。

【0015】

また、前記シート基板には、それぞれの前記ベース単独の部分で、前記一対の他素子搭載用パッドのうちの他方の他素子搭載用パッドと、前記一対の圧電振動片用外部接続端子のうちの他方の圧電振動片用外部接続端子とを、電気的に接続する共通接続配線パターンが形成されていないとしてもよい。

【0016】

この構成によれば、一方の他素子搭載用パッドだけに共通接続配線パターンが形成されているので、切断工程で切断する対象領域を最小限にすることができる。

【0017】

また、前記共通接続配線パターンの少なくとも一部は、絶縁材料で覆われているとしてもよい。

【0018】

この構成によれば、共通接続配線パターンの少なくとも一部が絶縁材料で覆われていることによって、切断工程における共通接続配線パターンの切断屑の飛散による絶縁不良を防止することができる。

【0019】

また、前記切断手段はエネルギービームであるとしてもよい。

【0020】

この構成によれば、例えばレーザビームなどのエネルギービームを切断手段として用いることにより、微小な領域であっても確実に切断を行うことができる。

【0021】

また、本発明に係る圧電振動デバイスは、上記の圧電振動デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴としている。

【0022】

この構成によれば、複数個の圧電振動デバイスが連なった状態で、個々の圧電振動デバイスの特性を測定できるため、優れた特性の圧電振動デバイスを得ることができる。

【0023】

また、本発明に係るシート基板は、圧電振動片および他素子が収容される平面視矩形のベースがマトリックス状に複数個連なって一体成形されたシート基板であって、前記シート基板は、複数の層からなる積層体であり、前記複数の層における積層間に、前記複数のベースのうちの隣接するベース間を跨る配線パターンが形成されており、それぞれの前記ベースの外底面には、当該ベースに収容される前記圧電振動片を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の圧電振動片用外部接続端子と、当該ベースに収容される前記他素子を当該ベースの外部に電気的に接続するための一対の他素子用外部接続端子とを含む複数の外部接続端子が形成されており、それぞれの前記ベースには、当該ベースに収容される前記他素子が搭載され、前記配線パターンから引き出された一対の他素子用搭載パッドが設けられており、前記シート基板には、それぞれの前記ベース単独の部分で、前記一対の他素子搭載用パッドのうちの一方の他素子搭載用パッドと、前記一対の圧電振動片用外部接続端子のうちの一方の圧電振動片用外部接続端子とを、電気的に接続する共通接続配線パターンが形成されていることを特徴としている。

【0024】

この構成によれば、一方の他素子搭載用パッドは、一方の圧電振動片用外部接続端子と共通接続配線パターンによって電気的に接続されているので、共通接続配線パターンを切断することによって、複数個のベースが連なったシート基板で個々の圧電振動デバイスの特性の測定が可能になる。

【発明の効果】

【0025】

本発明によれば、同一のベースの一方の圧電振動片用外部接続端子と一方の他素子用搭載パッドとを電気的に接続する共通接続配線パターンを、切断手段を用いて切断することにより、一方の圧電振動片用外部接続端子を一方の他素子用搭載パッドから電気的に独立させることができる。これにより、複数個のベースが一体的に連なったシート基板でも、各ベースにおいて圧電振動片と電気的に接続される一対の圧電振動片用外部接続端子の各々に測定プロープを接触させることにより、他のベースの影響を抑えて、圧電振動デバイスの特性を測定することができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】本発明の実施形態に関わるシート基板の上面側の模式的な平面図である。

【図2】図１のシート基板の下面側の模式的な平面図（透視図）である。

【図3】図１のシート基板の模式的な断面図である。

【図4】図１のシート基板を構成する第１のセラミック層の上面側の模式的な平面図である。

【図5】図１のシート基板を構成する第２のセラミック層の上面側の模式的な平面図である。

【図6】図１のシート基板を構成する第２のセラミック層の下面側の模式的な平面図（透視図）である。

【図7】図１のシート基板を構成する第３のセラミック層の上面側の模式的な平面図である。

【図8】図１のシート基板を構成する第３のセラミック層の下面側の模式的な平面図（透視図）である。

【図9】本実施形態に係る圧電振動デバイスの模式的な断面図である。

【図10】第１変形例に関わる第２のセラミック層の上面側の模式的な平面図である。

【図11】第２変形例に関わる第２のセラミック層の下面側の模式的な平面図（透視図）である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、本発明の実施形態に係る圧電振動デバイスの製造方法、当該製造方法により製造される圧電振動デバイス、および、当該製造方法に用いられるシート基板について図面を参照しつつ説明する。

【0028】

まず、シート基板１の構成について図１から図８を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るシート基板１の上面側の模式的な平面図である。図２は図１のシート基板１の下面側の模式的な平面図（透視図）である。図３は図１のシート基板１の模式的な断面図である。図４は図１のシート基板１を構成する第１のセラミック層１１の上面側の模式的な平面図である。図５は図１のシート基板１を構成する第２のセラミック層１２の上面側の模式的な平面図であり、図６は図１のシート基板１を構成する第２のセラミック層１２の下面側の模式的な平面図（透視図）である。図７は図１のシート基板１を構成する第３のセラミック層１３の上面側の模式的な平面図であり、図８は図１のシート基板１を構成する第３のセラミック層１３の下面側の模式的な平面図（透視図）である。なお、図１から図２および図４から図８中の［Ａ］、［Ｂ］、［Ｃ］、［Ｄ］の同じ英字は図１から図２および図４から図８の対応位置の理解を容易にするために図示したものであり、図１から図２および図４から図８の各［Ａ］は平面視で対応位置に、図１から図２および図４から図８の各［Ｂ］は平面視で対応位置に、図１から図２および図４から図８の各［Ｃ］は平面視で同じ対応位置に、図１から図２および図４から図８の各［Ｄ］は平面視で対応位置に図示している。なお、図１から図８において、シート基板１にマトリックス状に形成された複数個のベース１０は同じ構造をしており、図１から図８において一部で付番を省略している。なお、変形例において用いる図１０および図１１における［Ａ］～［Ｄ］は図１などと同様の位置関係にあり、また、図１０及び図１１において一部で付番を省略している。

【0029】

シート基板１は、平面視矩形のベース１０がマトリックス状に複数個連なって一体成形されたシート基板であり、図３に示すように、アルミナ等のセラミックス材料からなる第１のセラミック層１１、第２のセラミック層１２および第３のセラミック層１３を含む３層からなるセラミック積層体であり、第３のセラミック層１３、第２のセラミック層１２、第１のセラミック層１１の順に積層されている。

【0030】

第２のセラミック層１２は、平面視で矩形の平板状をしている。第１のセラミック層１１は、平面視で外周が矩形状をし、平面視で矩形状の貫通孔１６がマトリックス状に形成されている。なお、図１、図４などでは３行３列のマトリックスに貫通孔１６が設けられている様子を示しているが、マトリックスは他のものであってもよい。第３のセラミック層１３は、平面視で外周が矩形状をし、平面視で矩形状の貫通孔１７がマトリックス状に形成されている。なお、図２、図７、図８などでは３行３列のマトリックスに貫通孔１７が設けられている様子を示しているが、マトリックスは他のものであってもよい。平面視で、第１のセラミック層１１に形成された貫通孔１６の中心と第３のセラミックに形成された貫通孔１７に形成された貫通孔１７の中心とは略重なっている。また、平面視で、貫通孔１６の形成領域は貫通孔１７の形成領域よりも大きく、貫通孔１７の形成領域は貫通孔１６の形成領域に完全に含まれている。

【0031】

第１のセラミック層１１の上面には、［Ａ］－［Ｂ］と平行な溝１１Ａが形成され、［Ｂ］－［Ｃ］と平行な溝１１Ｂが形成されている。また、第３のセラミック層１３の下面には、［Ａ］－［Ｂ］と平行な溝１３Ａが形成され、［Ｂ］－［Ｃ］と平行な溝１３Ｂが形成されている。平面視で、第１のセラミック層１１の上面に形成された溝１１Ａと第３のセラミック層１３に形成された溝１３Ａとは重なり合っており、第１のセラミック層１１の上面に形成された溝１１Ｂと第３のセラミック層１３に形成された溝１３Ｂとは重なり合っている。シート基板１の平面視で溝１１Ａおよび溝１１Ｂで仕切られる（溝１３Ａおよび溝１３Ｂで仕切られる）矩形状の領域部分の各々が１個のベース１０に当たる。

【0032】

ベース１０には、第２のセラミック層１２の上面を底面とし、第１のセラミック層１１の貫通孔１６の部分により、第１のキャビティ１８が形成され、第２のセラミック層１２の下面を底面とし、第３のセラミック層１３の貫通孔１７の部分により、第２のキャビティ１９が形成される。本実施形態では、第１のキャビティ１８に圧電振動片１０１が収容され、第２のキャビティ１９にサーミスタ１０２が収容される（図９参照）。

【0033】

第１のセラミック層１１の上面には、ベース１０毎に、図４に示すように、貫通孔１６の周囲の全周に亘って金属層２１が形成されている。金属層２１は圧電振動デバイス１００を構成するベース１０の上面（第１のセラミック層１１の上面）に圧電振動デバイス１００を構成する蓋１０３を接合する際に利用されるものである。

【0034】

第１のセラミック層１１には、ベース１０毎に、図４に示すように、第１のセラミック層１１を貫通する第１のスルーホール電極２２が平面視で金属層２１と重なる位置に形成されており、金属層２１と第１のスルーホール電極２２とは接合されて両者は電気的に接続されている。

【0035】

第２のセラミック層１２の上面には、ベース１０毎に、図５に示すように、一対の第１の電極パッド２５および第２の電極パッド２６が、それらの一部が平面視で第１のセラミック層１１に形成された貫通孔１６から露出するように、平面視矩形のベース１０における一短辺側に形成されており、本実施形態では、一対の第１の電極パッド２５および第２の電極パッド２６に圧電振動片１０１が搭載される。

【0036】

第２のセラミック層１２の上面には、ベース１０毎に、図５に示すように、第１～第４のスルーホール接続電極２７ａ～３０ａが４角の近傍に形成されている。第４のスルーホール接続電極３０ａと第２の電極パッド２６とは繋がっており両者は電気的に接続されている。また、第２のセラミック層１２の上面には、ベース１０毎に、図５に示すように、第１の配線パターン３１が形成されている。第１の配線パターン３１と第１の電極パッド２５とが繋がっており両者は電気的に接続されており、第１の配線パターン３１と第２のスルーホール接続電極２８ａとが繋がっており両者は電気的に接続されている。

【0037】

第２のセラミック層１２には、ベース１０毎に、図５に示すように、第２のセラミック層１２を貫通する第１のスルーホール電極２７ｂが平面視で第１のスルーホール接続電極２７ａと重なる位置に形成されており、第１のスルーホール接続電極２７ａと第１のスルーホール電極２７ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。また、第２のセラミック層１２には、ベース１０毎に、図５に示すように、第２のセラミック層１２を貫通する第２のスルーホール電極２８ｂが平面視で第２のスルーホール接続電極２８ａと重なる位置に形成されており、第２のスルーホール接続電極２８ａと第２のスルーホール電極２８ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。また、第２のセラミック層１２には、ベース１０毎に、図５に示すように、第２のセラミック層１２を貫通する第３のスルーホール電極２９ｂが平面視で第３のスルーホール接続電極２９ａと重なる位置に形成されており、第３のスルーホール接続電極２９ａと第３のスルーホール電極２９ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。また、第２のセラミック層１２には、ベース１０毎に、図５に示すように、第２のセラミック層１２を貫通する第４のスルーホール電極３０ｂが平面視で第４のスルーホール接続電極３０ａと重なる位置に形成されており、第４のスルーホール接続電極３０ａと第４のスルーホール電極３０ｂとは接合されて両者は電気的に接続されている。

【0038】

第２のセラミック層１２の上面には、ベース１０毎に、図５に示すように、第５のスルーホール接続電極３６が、平面視で第１のセラミック層１１の第１のスルーホール電極２２（図４参照）と重なり、かつ、平面視で第３のスルーホール接続電極２９ａと重なる位置に形成されている。第１のスルーホール電極２２と第５のスルーホール接続電極３６とは接合されて両者は電気的に接続されており、第３のスルーホール接続電極２９ａと第５のスルーホール接続電極３６とは接合されて両者は電気的に接続されている。

【0039】

第２のセラミック層１２の上面には、ベース１０毎に、図５に示すように、２層からなる支持部（枕部）３７が、収容する圧電振動片１０１の自由端に対応する位置に形成されている。支持部（枕部）３７は、収容された圧電振動片１０１の振動時に圧電振動片１０１が第２のセラミック層１２の上面に当たるのを防ぐためのものである。

【0040】

なお、図５では、各電極パッドなどで、平面視で第１のセラミック層１１の貫通孔１６と重ならない部分にはハッチを入れ、貫通孔１６と重なる部分にはハッチを入れずに図示している。また、図５では、第２のセラミック層１２の上面には、［Ａ］－［Ｂ］と平行な溝、および、［Ｂ］－［Ｃ］と平行な溝が形成されていないが、個々のベース１０の把握を容易にするために平面視で第１のセラミック層１１の上面に形成された溝１１Ａおよび溝１１Ｂと重なり合う位置に、点線を描いている。

【0041】

第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、平面視で矩形状をした一対の第１の電極パッド４１および第２の電極パッド４２が、平面視で第３のセラミック層１３に形成された貫通孔１７から露出するように、中央付近に形成されており、本実施形態では、一対の第１の電極パッド４１および第２の電極パッド４２にサーミスタ１０２が搭載される。

【0042】

第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、第１の電極パッド４１から延びる第１の配線パターン４３が形成されており、第１の配線パターン４３は２つに枝分かれし、一方の枝および他方の枝それぞれが平面視矩形のベース１０における［Ａ］－［Ｂ］側の長辺にまで延びる。

【0043】

第２のセラミック層１２の下面側には、ベース１０毎に、図６に示すように、第２の電極パッド４２から延びる第２の配線パターン４４が形成されており、第２の配線パターン４４は２つに枝分かれし、一方の枝は平面視矩形のベース１０における［Ｃ］－［Ｄ］側の長辺にまで延び、他方の枝は平面視矩形のベース１０における［Ｂ］－［Ｃ］側の短辺にまで延びる。

【0044】

第２のセラミック層１２の下面側には、ベース１０毎に、図６に示すように、第３の配線パターン４５が形成されており、第３の配線パターン４５は平面視矩形のベース１０における［Ｃ］－［Ｄ］側の長辺から［Ｄ］－［Ａ］側の短辺にまで折れ曲がって延びている。

【0045】

ベース１０の第１の配線パターン４３の一方の枝は、当該ベース１０の［Ａ］－［Ｂ］側に隣接するベース１０（図６中の当該ベース１０に対して上側のベース１０：ここでは、「第１の隣接ベース１０」と記載する。）の第２の配線パターン４４の一方の枝と繋がっている。また、ベース１０の第１の配線パターン４３の他方の枝は、第１の隣接ベース１０の第３の配線パターン４５の一方の端と繋がっている。

【0046】

ベース１０の第２の配線パターン４４の一方の枝は、当該ベース１０の［Ｃ］－［Ｄ］側に隣接するベース１０（図６中の当該ベース１０に対して下側のベース１０：ここでは、「第３の隣接ベース１０」と記載する。）の第１の配線パターン４３の一方の枝と繋がっている。また、ベース１０の第２の配線パターン４４の他方の枝は、当該ベース１０の［Ｂ］－［Ｃ］側に隣接するベース１０（図６中の当該ベース１０に対して右側のベース１０：ここでは、「第２の隣接ベース１０」と記載する。）の第３の配線パターン４５の他方の端と繋がっている。

【0047】

ベース１０の第３の配線パターン４５の一方の端は、第３の隣接ベース１０の第１の配線パターン４３の他方の枝と繋がっている。また、ベース１０の第３の配線パターン４５の他方の端は、当該ベース１０の［Ｄ］－［Ａ］側に隣接するベース１０（図６中の当該ベース１０に対して左側のベース１０：ここでは、「第４の隣接ベース１０」と記載する。）の第２の配線パターン４４の他方の枝と繋がっている。

【0048】

ベース１０の第１の配線パターン４３と第１の隣接ベース１０の第２の配線パターン４４および第３の配線パターン４５とが、ベース１０と第１の隣接ベース１０との境界を跨る配線パターンを形成する。ベース１０の第２の配線パターン４４と第２の隣接ベース１０の第３の配線パターン４５とが、ベース１０と第２の隣接ベース１０との境界を跨る配線パターンを形成する。ベース１０の第２の配線パターン４４および第３の配線パターン４５と第３の隣接ベース１０の第１の配線パターン４３とが、ベース１０と第３の隣接ベース１０との境界を跨る配線パターンを形成する。ベース１０の第３の配線パターン４５と第４の隣接ベース１０の第２の配線パターン４４とが、ベース１０と第４の隣接ベース１０との境界を跨る配線パターンを形成する。

【0049】

第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、第１の電極パッド４１から延びる第４の配線パターン４０が後述する第２のスルーホール接続電極４７と重なる位置にまで延びる。第４の配線パターン４０は、平面視で第１のセラミック層１１の貫通孔１６と重なる部分（第１のセラミック層１１と重ならない部分）と、平面視で第１のセラミック層１１の貫通孔１６と重ならない部分（第１のセラミック層１１と重なる部分）とを含む。第４の配線パターン４０の［Ｂ］から［Ｃ］に向かう方向の長さＤ１と第１の電極パッド４１の［Ｂ］から［Ｃ］に向かう方向の長さＤ２とを比較した場合、Ｄ１＜Ｄ２となっている。第４の配線パターン４０と第２のスルーホール接続電極４７とが接合されて電気的に接続される。

【0050】

第４の配線パターン４０がＤ１＜Ｄ２となっていることにより、当該配線パターン４０側に半田が引き寄せられにくくなるため、半田のフィレット（這い上がり）の形成を阻害しない。特に、第４の配線パターン４０が、第１の電極パッド４１および第２の電極パッド４２の対向辺側に形成される場合は、溶融した半田をサーミスタ１０２側に留め易くなるため、サーミスタ１０２の安定した搭載が可能となる。このことは、第４の配線パターン４０が、絶縁材料で覆われているか否かに関わらず効果的である。

【0051】

第４の配線パターン４０の少なくとも一部（例えば、エネルギービームで切断される部分（カットラインＣＬ）を少なくとも含む部分）は、アルミナなどの絶縁材料で覆われている。

【0052】

第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、第１のスルーホール接続電極４６が、平面視で第１の配線パターン４３と重なり、かつ、平面視で第１のスルーホール電極２７ｂと重なる位置に形成されている。第１のスルーホール接続電極４６と第１の配線パターン４３とが接合されて両者は電気的に接続されており、第１のスルーホール接続電極４６と第１のスルーホール電極２７ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、第１のスルーホール接続電極４７が平面視で第２のスルーホール電極２８ｂと重なる位置に形成されている。第２のスルーホール接続電極４７と第２のスルーホール電極２８ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、第３のスルーホール接続電極４８が、平面視で第２の配線パターン４４と重なり、かつ、平面視で第３のスルーホール電極２９ｂと重なる位置に形成されている。第３のスルーホール接続電極４８と第２の配線パターン４４とが接合されて両者は電気的に接続されており、第３のスルーホール接続電極４８と第３のスルーホール電極２９ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。第２のセラミック層１２の下面には、ベース１０毎に、図６に示すように、第４のスルーホール接続電極４９が、平面視で第３の配線パターン４５と重なり、かつ、平面視で第４のスルーホール電極３０ｂと重なる位置に形成されている。第４のスルーホール接続電極４９と第３の配線パターン４５とが接合されて両者は電気的に接続されており、第４のスルーホール接続電４９と第４のスルーホール電極３０ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。

【0053】

なお、図６では、各電極パッドや各配線パターンなどで、平面視で第３のセラミック層１３の貫通孔１７と重ならない部分にはハッチを入れ、貫通孔１７と重なる部分にはハッチを入れずに図示している。また、図６では、第２のセラミック層１２の下面には、［Ａ］－［Ｂ］と平行な溝、および、［Ｂ］－［Ｃ］と平行な溝が形成されていないが、個々のベース１０の把握を容易にするために平面視で第１のセラミック層１１の上面に形成された溝１１Ａおよび溝１１Ｂと重なり合う位置に、点線を描いている。

【0054】

第３のセラミック層１３の上面には、ベース１０毎に、図７に示すように、第１のスルーホール接続電極５１ａが、平面視で第２のセラミック層１２の下面に形成された第１のスルーホール接続電極４６と重なる位置に形成されている。第１のスルーホール接続電極５１ａと第１のスルーホール接続電極４６とが接合されて両者は電気的に接続されている。第３のセラミック層１３の上面には、ベース１０毎に、図７に示すように、第２のスルーホール接続電極５２ａが、平面視で第２のセラミック層１２の下面に形成された第２のスルーホール接続電極４７と重なる位置に形成されている。第２のスルーホール接続電極５２ａと第２のスルーホール接続電極４７とが接合されて両者は電気的に接続されている。第３のセラミック層１３の上面には、ベース１０毎に、図７に示すように、第３のスルーホール接続電極５３ａが、平面視で第２のセラミック層１２の下面に形成された第３のスルーホール接続電極４８と重なる位置に形成されている。第３のスルーホール接続電極５３ａと第３のスルーホール接続電極４８とが接合されて両者は電気的に接続されている。第３のセラミック層１３の上面には、ベース１０毎に、図７に示すように、第４のスルーホール接続電極５４ａが、平面視で第２のセラミック層１２の下面に形成された第４のスルーホール接続電極４９と重なる位置に形成されている。第４のスルーホール接続電極５４ａと第４のスルーホール接続電極４９とが接合されて両者は電気的に接続されている。

【0055】

第３のセラミック層１３には、ベース１０毎に、図７に示すように、第３のセラミック層１３を貫通する第１のスルーホール電極５１ｂが平面視で第１のスルーホール接続電極５１ａと重なる位置に形成されており、第１のスルーホール接続電極５１ａと第１のスルーホール電極５１ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。第３のセラミック層１３には、ベース１０毎に、図７に示すように、第３のセラミック層１３を貫通する第２のスルーホール電極５２ｂが平面視で第２のスルーホール接続電極５２ａと重なる位置に形成されており、第２のスルーホール接続電極５２ａと第２のスルーホール電極５２ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。第３のセラミック層１３には、ベース１０毎に、図７に示すように、第３のセラミック層１３を貫通する第３のスルーホール電極５３ｂが平面視で第３のスルーホール接続電極５３ａと重なる位置に形成されており、第３のスルーホール接続電極５３ａと第３のスルーホール電極５３ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。第３のセラミック層１３には、ベース１０毎に、図７に示すように、第３のセラミック層１３を貫通する第４のスルーホール電極５４ｂが平面視で第４のスルーホール接続電極５４ａと重なる位置に形成されており、第４のスルーホール接続電極５４ａと第４のスルーホール電極５４ｂとが接合されて両者は電気的に接続されている。

【0056】

なお、図７では、第３のセラミック層１３の下面には、［Ａ］－［Ｂ］と平行な溝、および、［Ｂ］－［Ｃ］と平行な溝が形成されていないが、個々のベース１０の把握を容易にするために平面視で第１のセラミック層１１の上面に形成された溝１１Ａおよび溝１１Ｂと重なり合う位置に、点線を描いている。

【0057】

第３のセラミック層１３の下面には、ベース１０毎に、図８に示すように、一対の第１の外部接続端子６１および第２の外部接続端子６２が平面視で当該ベース１０の外周縁から離間して形成されており、一対の第１の外部接続端子６１および第２の外部接続端子６２の配置位置は対角関係にある。第１の外部接続端子６１は、平面視矩形のベース１０における［Ａ］－［Ｂ］側の長辺および［Ｂ］－［Ｃ］側の短辺から間隔を空けて形成されている。第２の外部接続端子６２は、平面視矩形のベース１０における［Ｃ］－［Ｄ］側の長辺および［Ｄ］－［Ａ］側の短辺から間隔を空けて形成されている。第１の外部接続端子６１と第３のセラミック層１３に形成された第２のスルーホール電極５２ｂとが接合されて電気的に接続されている。第２の外部接続端子６２と第３のセラミック層１３に形成された第４のスルーホール電極５４ｂとが接合されて電気的に接続されている。

【0058】

本実施形態では、一対の第１の外部接続端子６１および第２の外部接続端子６２は、第２のセラミック層１２の上面に形成された一対の第１の電極パッド２５および第２の電極パッド２６に搭載される本実施形態では圧電振動片１０１を外部に電気的に接続するためのものである。第１の外部接続端子６１は、第３のセラミック層１３に形成された第２のスルーホール電極５２ｂ、第３のセラミック層１３の上面に形成された第２のスルーホール接続電極５２ａ、第２のセラミック層１２の下面に形成された第２のスルーホール接続電極４７、第２のセラミック層１２に形成された第２のスルーホール電極２８ｂ、第２のセラミック層１２の上面に形成されたに第２のスルーホール接続電極２８ａ、第２のセラミック層１２の上面に形成された第１の配線パターン３１を介して、第１の電極パッド２５に接続されている。第２の外部接続端子６２は、第３のセラミック層１３に形成された第４のスルーホール電極５４ｂ、第３のセラミック層１３の上面に形成された第４のスルーホール接続電極５４ａ、第２のセラミック層１２の下面に形成された第４のスルーホール接続電極４９、第２のセラミック層１２に形成された第４のスルーホール電極３０ｂ、第２のセラミック層１２の上面に形成されたに第４のスルーホール接続電極３０ａを介して、第２の電極パッド２６に接続されている。

【0059】

第３のセラミック層１３の下面には、ベース１０毎に、図８に示すように、一対の第３の外部接続端子６３および第４の外部接続端子６４が平面視で当該ベース１０の外周縁から離間して形成されており、一対の第３の外部接続端子６３および第４の外部接続端子６４の配置位置は対角関係にある。第３の外部接続端子６３は、平面視矩形のベース１０における［Ｄ］－［Ａ］側の短辺および［Ａ］－［Ｂ］側の長辺から間隔を空けて形成されている。第４の外部接続端子６４は、平面視矩形のベース１０における［Ｂ］－［Ｃ］側の短辺および［Ｃ］－［Ｄ］側の長辺から間隔を空けて形成されている。第３の外部接続端子６３と第３のセラミック層１３に形成された第１のスルーホール電極５１ｂとが接合されて電気的に接続されている。第４の外部接続端子６４と第３のセラミック層１３に形成された第３のスルーホール電極５３ｂとが接合されて電気的に接続されている。

【0060】

本実施形態では、一対の第３の外部接続端子６３および第４の外部接続端子６４は、第２のセラミック層１２の下面に形成された一対の第１の電極パッド４１および第２の電極パッド４２に搭載される本実施形態ではサーミスタ１０２を外部に電気的に接続するためのものである。第３の外部接続端子６３は、第３のセラミック層１３に形成された第１のスルーホール電極５１ｂ、第３のセラミック層１３の上面に形成された第１のスルーホール接続電極５１ａ、第２のセラミック層１２の下面に形成された第１のスルーホール接続電極４６、第２のセラミック層１２の下面に形成された第１の配線パターン４３を介して、第１の電極パッド４１に接続されている。第４の外部接続端子６４は、第３のセラミック層１３に形成された第３のスルーホール電極５３ｂ、第３のセラミック層１３の上面に形成された第３のスルーホール接続電極５３ａ、第２のセラミック層１２の下面に形成された第３のスルーホール接続電極４８、第２のセラミック層１２の下面に形成された第２の配線パターン４４を介して、第２の電極パッド４２に接続されている。

【0061】

ベース１０の第１の外部接続端子６１は、シート基板１の内部などに形成される配線（第３のセラミック層１３に形成されるスルーホール電極（５１ｂ、５２ｂ）、第３のセラミック層１３の上面に形成されるスルーホール接続電極（５１ａ、５２ａ）、第２のセラミック層１２の下面に形成されるスルーホール接続電極（４６、４７）、第２のセラミック層１２の下面に形成される第４の配線パターン４０、第２のセラミック層１２の下面に形成される電極パッド（４１）、第２のセラミック層１２の下面に形成される配線パターン（４３）など）により、当該ベース１０の第３の外部接続端子６３などと繋がって電気的に接続されている。

【0062】

ベース１０の第２の外部接続端子６２は、シート基板１の内部などに形成される配線（第３のセラミック層１３に形成されるスルーホール電極（５１ｂ、５３ｂ、５４ｂ）、第３のセラミック層１３の上面に形成されるスルーホール接続電極（５１ａ、５３ａ、５４ａ）、第２のセラミック層１２の下面に形成されるスルーホール接続電極（４６、４８、４９）、第２のセラミック層１２の下面に形成される配線パターン（４３、４４、４５）など）により、当該ベース１０の第４の外部接続端子６４、当該ベース１０の［Ｄ］－［Ａ］側に隣接するベース１０（図８中の当該ベース１０に対して左側のベース１０）の第４の外部接続端子６４、当該ベース１０の［Ｃ］－［Ｄ］側に隣接するベース１０（図８中の当該ベース１０に対して下側のベース１０）の第３の外部接続端子６３などと繋がって電気的に接続されている。

【0063】

ベース１０の第３の外部接続端子６３は、シート基板１の内部などに形成される配線（第３のセラミック層１３に形成されるスルーホール電極（５１ｂ、５２ｂ、５４ｂ）、第３のセラミック層１３の上面に形成されるスルーホール接続電極（５１ａ、５２ａ、５４ａ）、第２のセラミック層１２の下面に形成されるスルーホール接続電極（４６、４７、４９）、第２のセラミック層１２の下面に形成される配線パターン（４３、４５）、第２のセラミック層１２の下面に形成される第４の配線パターン４０、第２のセラミック層１２の下面に形成される電極パッド（４１）など）により、当該ベース１０の第１の外部接続端子６１、当該ベース１０の［Ａ］－［Ｂ］側に隣接するベース１０（図８中の当該ベース１０に対して上側のベース１０）の第２の外部接続端子６２などと繋がって電気的に接続されている。

【0064】

ベース１０の第４の外部接続端子６４は、シート基板１の内部などに形成される配線（第３のセラミック層１３に形成されるスルーホール電極（５１ｂ、５３ｂ、５４ｂ）、第３のセラミック層１３の上面に形成されるスルーホール接続電極（５１ａ、５３ａ、５４ａ）、第２のセラミック層１２の下面に形成されるスルーホール接続電極（４６、４８、４９）、第２のセラミック層１２の下面に形成される配線パターン（４３、４４、４５）など）により、当該ベース１０の第２の外部接続端子６２、当該ベース１０の［Ｂ］－［Ｃ］側に隣接するベース１０（図８中の当該ベース１０に対して右側のベース１０）の第２の外部接続端子６２、当該ベース１０の［Ｃ］－［Ｄ］側に隣接するベース１０（図８中の当該ベース１０に対して下側のベース１０）の第３の外部接続端子６３などと繋がって電気的に接続されている。

【0065】

ここで、同一のベース１０における第１の外部接続端子６１（本実施形態では圧電振動片用）と第１の電極パッド４１（本実施形態ではサーミスタ用）とに焦点を当てて第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１の電気的な接続を記載する。第３のセラミック層１３の下面（シート基板１の外底面）に形成された第１の外部接続端子６１は、第３のセラミック層１３に形成された第２のスルーホール電極５２ｂ、第３のセラミック層１３の上面に形成された第２のスルーホール接続電極５２ａ、第２のセラミック層１２の下面に形成された第２のスルーホール接続電極４７、第２のセラミック層１２の下面に形成された第４の配線パターン４０（共通接続配線パターンに該当）を介して、第２のセラミック層１２の下面に形成された第１の電極パッド４１と電気的に接続されている。つまり、同一のベース１０における第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１とは、ベース１０単独の部分で、電気的に接続されている。

【0066】

また、同一のベース１０における第１の外部接続端子６１（本実施形態では圧電振動片用）と第３の外部接続端子６３（本実施形態ではサーミスタ用）とに焦点を当てて第１の外部接続端子６１と第３の外部接続端子６３の電気的な接続を記載する。第３のセラミック層１３の下面（シート基板１の外底面）に形成された第１の外部接続端子６１は、第３のセラミック層１３に形成された第２のスルーホール電極５２ｂ、第３のセラミック層１３の上面に形成された第２のスルーホール接続電極５２ａ、第２のセラミック層１２の下面に形成された第２のスルーホール接続電極４７、第２のセラミック層１２の下面に形成された第４の配線パターン４０（共通接続配線パターンに該当）、第２のセラミック層１２の下面に形成された第１の電極パッド４１、第２のセラミック層１２の下面に形成された第１の配線パターン４３、第２のセラミック層１２の下面に形成された第１のスルーホール接続電極４６、第３のセラミック層１３の上面に形成された第１のスルーホール接続電極５１ａ、第３のセラミック層１３に形成された第１のスルーホール電極５１ｂを介して、第３のセラミック層１３の下面（シート基板１の外底面）に形成された第３の外部接続端子６３と電気的に接続されている。つまり、同一のベース１０における第１の外部接続端子６１と第３の外部接続端子６３とは、ベース１０単独の部分で、電気的に接続されている。

【0067】

なお、ベース１０単独の部分で、当該ベース１０における第２の外部接続端子６２（本実施形態では圧電振動片用）と第２の電極パッド４２（本実施形態ではサーミスタ用）とを、電気的に接続する配線パターン（例えば、第２のセラミック層１２の下面に第２の電極パッド４２と第３の配線パターン４５とを電気的に接続する配線パターン（共通接続配線パターン）など）が形成されていない。つまり、ベース１０単独の部分では、当該ベース１０における第２の外部接続端子６２と第２の電極パッド４２とは電気的に接続されていない。

【0068】

上記した外部接続端子（６１～６４）、スルーホール電極（５１ｂ～５４ｂ）、スルーホール接続電極（５１ａ～５４ａ）、電極パッド（４１～４２）、配線パターン（４０、４３～４５）、スルーホール接続電極（４６～４９）、電極パッド（２５～２６）、スルーホール接続電極（２７ａ～３０ａ）、配線パターン（３１）、スルーホール電極（２７ｂ～３０ｂ）、スルーホール接続電極（３６）、スルーホール電極（２２）、金属層（２１）は、それぞれ、形成面から順に、モリブデン（Ｍｏ）メタライズ層、ニッケル（Ｎｉ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層を積層することによって形成されている。なお、メタライズ層として、モリブデンの代わりに例えばタングステン（Ｗ）を用いてもよい。

【0069】

続いて、図１から図８を参照して説明したシート基板１を用いて、本実施形態にかかる圧電振動デバイスの製造方法で製造される圧電振動デバイス１００の構成について図９を参照して説明する。図９は、本実施形態に係る圧電振動デバイス１００の模式的な断面図である。

【0070】

圧電振動デバイス１００は、ベース１０と、ベース１０の第１のキャビティ１８に収容される圧電振動片１０１と、ベース１０の第２のキャビティ１９に収容されるサーミスタ１０２と、ベース１０の第１のキャビティ１８に収容された圧電振動片１０１を気密封止するための蓋１０３とを備える。ベース１０は、断面視でＨ型構造をしている。

【0071】

第１のキャビティ１８に収容される圧電振動片１０１は、その一対の電極がベース１０の一対の電極パッド（第１の電極パッド２５、第２の電極パッド２６）に、金属バンプや導電性接着剤などの導電性接合部１０４を用いて、機械的および電気的に接続されている。

【0072】

第２のキャビティ１９に収容されるサーミスタ１０２は、その一対の電極がベース１０の一対の電極パッド（第１の電極パッド４１、第２の電極パッド４２）に、半田１０５を用いて、機械的および電気的に接続されている。

【0073】

続いて、図１から図８を参照して説明したシート基板１を用いて圧電振動デバイス１００を製造する、本実施の形態に係る圧電振動デバイスの製造方法について説明する。

【0074】

本実施形態に係る圧電振動デバイスの製造方法を実施するのに先立って、シート基板１を用意する。なお、シート基板１の製造方法の概略は以下の通りである。第１のセラミック層１１、第２のセラミック層１２、第３のセラミック層１３のそれぞれにモリブデンメタライズ層を形成した後、第１のセラミック層１１、第２のセラミック層１２、第３のセラミック層１３を積層する（図３参照）。続いて、第１のセラミック層１１の上面に金属スナップやレーザスナップなどにより溝１１Ａおよび１１Ｂを形成し（図１参照）、第３のセラミック層１３の下面に金属スナップやレーザスナップなどにより溝１３Ａおよび溝１３Ｂを形成する（図２参照）。さらに続いて、第１から第３のセラミック層１１～１３の焼成および電解めっき法などによりモリブデンメタライズ層にニッケルめっき層の積層を行い、さらに続いて電解めっき法などによりニッケルめっき層に金めっき層を積層する。このようにして、シート基板１が製造される。ただし、シート基板１の製造方法は特に限定されるものではなく、図１から図８を参照して説明したシート基板１の構造を実現できるシート基板の製造方法であればよい。

【0075】

本実施形態に係る圧電振動デバイスの製造方法では、用意したシート基板１を構成する第２のセラミック層１２の下面に対して、図２で第２のセラミック層１２の下面に点線で描いたカットラインＣＬ（第２のセラミック層１２の下面に形成された第４の配線パターン４０の［Ａ］－［Ｂ］側から［Ｃ］－［Ｄ］側にかけての全体を含む）に沿ってエネルギービーム（レーザビームや電子ビームなど）を照射する。これにより、ベース１０毎に、第２のセラミック層１２の下面の図２で点線で描いたカットラインＣＬに沿って第４のパターン４０を物理的に切断することによって、第１の電極パッド４１と第２のスルーホール接続電極４７とが電気的に切断され、結果として、第２のスルーホール接続電極４７に電気的に接続されていた第１の外部接続端子６１（本実施形態では圧電振動片用）と、第１の電極パッド４１や第１の電極パッド４１に電気的に接続されている第３の外部接続端子６３との電気的な接続を切断して、第１の外部接続端子６１を第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３から電気的に独立させる（切断工程）。

【0076】

続いて、ベース１０毎に、ベース１０の第１のキャビティ１８に圧電振動片１０１を収容する。このとき、圧電振動片１０１を第１のキャビティ１８に収容した状態のベース１０において周波数などの特性を測定する。続いて、ベース１０毎に、シート基板１を構成する第１のセラミック層１１の上面の開口を蓋１０３により塞ぎ、ベース１０の第２のキャビティ１９にサーミスタ１０２を収容する。続いて、第１のセラミック層１１の上面に形成された溝１１Ａ、１１Ｂおよび第３のセラミック層１３の下面に形成された溝１３Ａ、１３Ｂにより形成された溝を利用して、ベース１０、圧電振動片１０１、サーミスタ１０２、蓋１０３を備える圧電振動デバイス１００を個片化する。

【0077】

上記した実施形態によれば、切断工程において、ベース１０の第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３とを電気的に接続するためにベース１０の第２のセラミック層１２の下面に形成された第４の配線パターン４０をエネルギービームで切断して、第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３との電気的な接続を切断することにより、第１の外部接続端子６１を第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３などから電気的に独立させることができる。これにより、複数個（本実施形態では９個）のベース１０が一体的に連なったシート基板１でも、各ベース１０において圧電振動片１０１と電気的に接続される第１の外部接続端子６１および第２の外部接続端子６２の各々に測定プロープを接触させることにより、他のベース１０の影響を抑えて、圧電振動デバイス１００の特性を測定することができる。

【0078】

また、ベース１０単独の部分で、当該ベース１０における第２の外部接続端子６２と第２の電極パッド４２とを、電気的に接続する配線パターン（例えば、第２のセラミック層１２の下面に第２の電極パッド４２と第３の配線パターン４５とを電気的に接続する配線パターン（共通接続配線パターン）など）が形成されていないので、切断工程でエネルギービームを照射する領域を、図２および図６で点線で描いたカットラインＣＬに抑えることができる。

【0079】

また、第１から第４の外部接続端子６１～６４は、通常、下地金属層となるメタライズ層に、めっき層が積層された構成である。仮に第１から第４の外部接続端子６１～６４の各々が、平面視でベース１０の外底面の外周縁に対して内側に離間していない構成の場合は、シート基板１をベース１０に分割して圧電振動デバイス１００を個片化する際に、第１から第４の外部接続端子６１～６４のベース１０の外底面の外周縁近傍部分のめっき層が削られることになる。めっき層が削られると、めっき層で覆われていた下地金属層が外部に露出するため、下地金属層の種類によっては耐環境性の面で好ましくない場合がある。例えば下地金属層がモリブデンメタライズ層であれば、熱水で腐食しやすいなどである。第１の外部接続端子６１～６４の各々が平面視でベース１０の外底面の外周縁に対して内側に離間して形成されているので、ベースを分割する際の分割手段と第１から第４の外部接続端子６１～６４との干渉をなくすことができ、前記の問題の発生を防止できる。

【0080】

また、図２および図６で点線で描いたカットラインＣＬに沿ってエネルギービームを照射することによって、第４の配線パターン４０を確実に分断して第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３との電気的な接続を切断することができる。

【0081】

また、エネルギービームを切断手段として用いることにより、微小な領域であっても確実に切断を行うことができる。

【0082】

また、第４の配線パターン４０の少なくとも一部をアルミナなどの絶縁材料で覆われているので、切断工程における第４の配線パターン４０の切断屑の飛散による絶縁不良を防止することができる。

【0083】

また、複数個の圧電振動デバイス１００が連なった状態で、個々の圧電振動デバイス１００の特性を測定できるため、優れた特性の圧電振動デバイス１００を得ることができる。

【0084】

なお、圧電振動デバイスの製造方法、当該製造方法により製造される圧電振動デバイス、および、当該製造方法に用いられるシート基板は、上記に説明した圧電振動デバイスの製造方法、当該製造方法により製造される圧電振動デバイス１００、および、当該製造方法に用いられるシート基板１に限定されるものではなく、種々の変更を加えたものとすることができる。

【0085】

例えば、上記実施形態では、ベース１０単独で、第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３とを電気的に接続するために第４の配線パターン４０を第２のセラミック層１２の下面に形成しているが、第２の外部接続端子６２と第２の電極パッド４２や第４の外部接続端子６４とを電気的に接続するための配線パターン（例えば、第２の電極パッド４２と第３の配線パターン４５とを接続する配線パターン）が第２のセラミック層１２の下面に形成されていないが、これに限定されるものではなく、例えば、ベース１０単独で、第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１や第３の外部接続端子６３とを電気的に接続するために第４の配線パターン４０（第１の共通配線パターン）を第２のセラミック層１２の下面に形成するとともに、第２の外部接続端子６２と第２の電極パッド４２や第４の外部接続端子６４とを電気的に接続するための配線パターン（例えば、第２の電極パッド４２と第３の配線パターン４５とを接続する配線パターン：第２の共通接続配線パターン）を第２のセラミック層１２の下面に形成するようにしてもよい。この場合、切断工程において、第１の共通接続配線パターン（第４の配線パターン４０）を物理的に切断するとともに、第２の共通接続配線パターンも物理的に切断するようにしてもよい。このようにすれば、複数個のベース１０が一体的に連なったシート基板１でも、各ベース１０において圧電振動片と電気的に接続される一対の外部接続端子（第１の外部接続端子６１、第２の外部接続端子６２）の各々に測定プロープを接触させることにより、他のベースの影響を抑えて、圧電振動デバイスの特性を測定することができる。

【0086】

また、上記実施形態では、第４の配線パターン４０は蓋１０３が所定位置に配置された状態では外部に露出しないようになっているが、これに限定されるものではなく、例えば、ベース１０単独で、当該ベース１０の第１の外部接続端子６１と第１の電極パッド４１とを電気的に接続するための共通接続配線パターンは、蓋１０３が所定位置に配置された状態で外部に露出するようなものであってもよい。この場合、圧電振動片１０１が蓋１０３によってベース１０の内部に気密封止された後であっても共通接続配線パターンを切断することにより、第１の外部接続端子６１を第１の電極パッド４１から電気的に独立させることが可能となる。これにより、共通接続配線パターンの切断時の金属屑の圧電振動片１００への付着による絶縁不良等の不具合を防止することができる。

【0087】

上記実施形態では、第４の配線パターン４０の切断にエネルギービームを用いるとしたが、これに限定されるものではなく、例えば、刃物などを用いるようにしてもよい。

【0088】

上記実施形態では、第２のセラミック層１２の上面には、第１の電極パッド２５と第２の電極パッド２６とを電気的に接続する配線パターンが形成されていないが、これに限定されるものではなく、例えば、図１０に示すように、第２のセラミック層１２の上面に第１の電極パッド２５と第２の電極パッド２６とを電気的に接続する共通接続配線パターン２０１を形成するようにしてもよい。この場合、圧電振動デバイスの製造方法での切断工程で図１０に点線で示すカットラインＣＬ１に沿って共通接続配線パターン２０１を切断することになる。なお、共通接続配線パターン２０１を形成する場合、上記実施形態の第２のセラミック層１２の下面に形成される第４の配線パターン４０（共通接続配線パターン）が形成されるようにしてもよいし、形成されないようにしてもよい。

【0089】

上記実施形態では、第２のセラミック層１２の下面には、第１の電極パッド４１と第２の電極パッド４２とを電気的に接続する配線パターンが形成されていないが、これに限定されるものではなく、例えば、図１１に示すように、第２のセラミック層１２の下面に第１の電極パッド４１と第２の電極パッド４２とを電気的に接続する共通接続配線パターン２０２を形成するようにしてもよい。この場合、圧電振動デバイスの製造方法での切断工程で図１１に点線で示すカットラインＣＬ２に沿って共通接続配線パターン２０２を切断することになる。なお、共通接続配線パターン２０２を形成する場合、上記実施形態の第２のセラミック層１２の下面に形成される第４の配線パターン４０（共通接続配線パターン）が形成されるようにしてもよいし、形成されないようにしてもよい。

【0090】

上記実施形態では、圧電振動片およびサーミスタを収容するサーミスタ内蔵型の圧電振動デバイス１００を対象としているが、上記実施形態の内容は、圧電振動片のみを収容する圧電振動デバイスに対して適用可能である。

【0091】

上記実施形態では、圧電振動片１０１とともに搭載する素子はサーミスタ１０２としているが、これに限定されるものではなく、例えば、ダイオードなどの他の温度センサであってもよく、圧電振動片１０１とともに発振回路を構成する集積回路素子（ＩＣ素子）などであってもよい。

【0092】

上記実施形態では、ベース１０の構造（パッケージの構造）を、断面視でＨ型構造としているが、これに限定されるものではなく、例えば、上方のみに開口したキャビティを有する、断面視で箱型構造としてもよい。また、ベース１０を平板状とし、基板の一方の主面側に、圧電振動子と他の電子部品（例えば、圧電振動子とともに発振回路を構成するＩＣ等）を搭載し、前記基板の一方の主面側に搭載された圧電振動子と他の電子部品とを樹脂で覆うようにモールドした構成の圧電振動デバイスであってもよい。

【0093】

上記実施形態でベース１０に収容する圧電振動片１０１として、例えば、平板状の圧電振動板であってもよいし、メサ構造（中央部が外周部よりも厚肉の構造）の圧電振動板であってもよいし、逆メサ構造（中央部が外周部よりも薄肉の構造）の圧電振動板であってもよい。また、振動部（励振電極が形成される領域）と、振動部と間を空けて取り囲むように振動部よりも厚肉の外枠部と、振動部と外枠部とを連結する連結部とを一体的に成形された構造の圧電振動板（枠付き圧電振動板）であってもよい。この振動部の形状は、例えば、矩形（ＡＴカット、ＳＣカットなど）でもよいし、音叉形状（ＢＴカット）でもよい。

【0094】

上記実施形態では、ベース１０に圧電振動片１０１を収容するとしているが、これに限定されるものではなく、例えば、ベース１０に振動部が気密封止された圧電振動子を収容するとしてもよい。この圧電振動子は、例えば、水晶を３枚積層した構造（振動部の周囲を枠体で取り囲むように一体成形された水晶振動板の表裏に平板状の封止部材を接合した構造）を有する。

【0095】

また、上記実施形態の内容および変形例の内容を適宜組み合わせてもよい

【産業上の利用可能性】

【0096】

本発明は、圧電振動デバイスを製造する圧電振動デバイスの製造方法、当該製造方法により製造される圧電振動デバイス、および、当該製造方法に用いられるシート基板に広く適用することができる。

【符号の説明】

【0097】

１： シート基板
１０：ベース
１１：第１のセラミック層
１２：第２のセラミック層
１３：第３のセラミック層
２５：第１の電極パッド
２６：第２の電極パッド
３１：第１の配線パターン
４０：第４の配線パターン
４１：第１の電極パッド
４２：第２の電極パッド
４３：第１の配線パターン
４４：第２の配線パターン
４５：第３の配線パターン
６１：第１の外部接続端子
６２：第２の外部接続端子
６３：第３の外部接続端子
６４：第４の外部接続端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】