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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024108495
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】表示装置用マザー基板および表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240805BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240805BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20240805BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240805BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
H10K50/844
H10K59/122
H10K77/10
H10K71/20
G09F9/30 365
G09F9/30 309
G09F9/30 348A
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023012894
(22)【出願日】2023-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】福田 加一
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD14
3K107DD89
3K107DD92
3K107EE48
3K107FF15
3K107GG12
3K107GG52
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094CA20
5C094DA13
5C094EB00
5C094EC04
5C094FA02
5C094FB15
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】 歩留まりを改善することが可能な表示装置用マザー基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置用マザー基板は、複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、前記余白領域に設けられた第１隔壁と、を備えている。前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む。
【選択図】 図５
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置用マザー基板は、複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、前記余白領域に設けられた第１隔壁と、を備えている。前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、
前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、
前記余白領域に設けられた第１隔壁と、
を備え、
前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含み、
前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む、
表示装置用マザー基板。
前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、
前記余白領域に設けられた第１隔壁と、
を備え、
前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含み、
前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む、
表示装置用マザー基板。
【請求項2】
前記パネル部は、前記表示領域の周囲の周辺領域をさらに有し、
前記第１隔壁は、前記余白領域および前記周辺領域に配置されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
前記第１隔壁は、前記余白領域および前記周辺領域に配置されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項3】
前記余白領域と前記周辺領域の境界において、前記第１隔壁が分断されている、
請求項２に記載の表示装置用マザー基板。
請求項２に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項4】
前記第１隔壁は、互いに平行に配置された複数の線状部を有し、
前記複数の線状部は、２００μｍ以下の間隔で並んでいる、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
前記複数の線状部は、２００μｍ以下の間隔で並んでいる、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項5】
前記第１隔壁は、平面視において複数の閉領域を形成している、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項6】
前記パネル部は、前記表示領域において前記複数の表示素子の間に配置された第２隔壁を備え、
前記第２隔壁は、第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部と、を含む、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
前記第２隔壁は、第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部と、を含む、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項7】
前記第１隔壁および前記第２隔壁は、平面視において実質的に同じパターンを有している、
請求項６に記載の表示装置用マザー基板。
請求項６に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項8】
前記余白領域において前記第１隔壁の下に位置する絶縁層と、
前記有機層および前記上電極を含み、前記絶縁層および前記第１隔壁を覆う積層膜と、
前記積層膜を覆う封止層と、
をさらに備え、
前記積層膜は、前記第１隔壁により複数の部分に分断されており、
前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆っている、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
前記有機層および前記上電極を含み、前記絶縁層および前記第１隔壁を覆う積層膜と、
前記積層膜を覆う封止層と、
をさらに備え、
前記積層膜は、前記第１隔壁により複数の部分に分断されており、
前記封止層は、前記複数の部分を連続的に覆っている、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項9】
複数の表示素子が配置された表示領域と、
前記表示領域の周囲の周辺領域と、
前記周辺領域に設けられた第１隔壁と、
を備え、
前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含み、
前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む、
表示装置。
前記表示領域の周囲の周辺領域と、
前記周辺領域に設けられた第１隔壁と、
を備え、
前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含み、
前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む、
表示装置。
【請求項10】
前記第１隔壁は、互いに平行に配置された複数の線状部を有し、
前記複数の線状部は、２００μｍ以下の間隔で並んでいる、
請求項９に記載の表示装置。
前記複数の線状部は、２００μｍ以下の間隔で並んでいる、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記第１隔壁は、平面視において複数の閉領域を形成している、
請求項９に記載の表示装置。
請求項９に記載の表示装置。
【請求項12】
前記パネル部は、前記表示領域において前記複数の表示素子の間に配置された第２隔壁を備え、
前記第２隔壁は、第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部と、を含む、
請求項９乃至１１のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記第２隔壁は、第２下部と、前記第２下部の側面から突出した端部を有する第２上部と、を含む、
請求項９乃至１１のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項13】
前記第１隔壁および前記第２隔壁は、平面視において実質的に同じパターンを有している、
請求項１２に記載の表示装置。
請求項１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、マザー基板および表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
表示装置の製造にあたっては、多数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部が大型のマザー基板に形成される。さらに、各パネル部を切り出すことにより、表示装置の主要な要素である表示パネルが製造される。このような製造工程において、歩留まりを改善するための技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、歩留まりを改善することが可能な表示装置用マザー基板および表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る表示装置用マザー基板は、複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、前記余白領域に設けられた第１隔壁と、を備えている。前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む。
【0007】
一実施形態に係る表示装置は、複数の表示素子が配置された表示領域と、前記表示領域の周囲の周辺領域と、前記周辺領域に設けられた第１隔壁と、を備えている。前記複数の表示素子の各々は、下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。前記第１隔壁は、第１下部と、前記第１下部の側面から突出した端部を有する第１上部と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0011】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0012】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0013】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0014】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0015】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0016】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0017】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0018】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0019】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0020】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。
【0021】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0022】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0023】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0024】
リブ５の上には、隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の間に配置されており、平面視において格子状である。
【0025】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。
【0026】
回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。
【0027】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0028】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0029】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0030】
図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0031】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0032】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0033】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0034】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0035】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0036】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0037】
有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0038】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0039】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0040】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0041】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。これら薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0042】
隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウムによって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成されたボトム層を有してもよい。このようなボトム層を形成する金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。
【0043】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。
【0044】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0046】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0047】
表示装置ＤＳＰの製造時には、それぞれ表示パネルＰＮＬに相当する複数の領域（パネル部）が形成された大型のマザー基板が作製される。このマザー基板に適用し得る構成について以下に説明する。
【0048】
図４は、本実施形態に係るマザー基板ＭＢ（表示装置用マザー基板）の概略的な平面図である。マザー基板ＭＢは、例えば図示したように矩形状であるが、円形などの他の形状であってもよい。マザー基板ＭＢは、マトリクス状に配置された複数のパネル部ＰＰと、これらパネル部ＰＰの周囲の余白領域ＢＡとを有している。
【0049】
図５は、マザー基板ＭＢの一部の概略的な平面図である。各パネル部ＰＰの外形は、マザー基板ＭＢからパネル部ＰＰを切り出すためのカットラインＣＬに相当する。各パネル部ＰＰは、上述の表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡを有している。
【0050】
図５において拡大して示すように、余白領域ＢＡには隔壁７（ドット模様を付した部分）が配置されている。隔壁７は、互いに平行に配置された複数の第１線状部７ｘと、互いに平行に配置された複数の第２線状部７ｙとを有している。
【0051】
複数の第１線状部７ｘは、第２方向Ｙに延びるとともに、第１方向Ｘに並んでいる。複数の第２線状部７ｙは、第１方向Ｘに延びるとともに、第２方向Ｙに並んでいる。図５の例においては、各第１線状部７ｘと各第２線状部７ｙが交差している。これにより、隔壁７は、全体として格子状である。
【0052】
他の観点からいうと、隔壁７は、複数の閉領域ＣＡを形成している。閉領域ＣＡは、隣り合う２本の第１線状部７ｘと、隣り合う２本の第２線状部７ｙとで囲われた正方形または長方形の領域である。
【0053】
第１線状部７ｘは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｘ１を有している。第２線状部７ｙは、第２方向Ｙにおいて幅Ｗｙ１を有している。閉領域ＣＡは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｘ２を有し、第２方向Ｙにおいて幅Ｗｙ２を有している。幅Ｗｘ２は、複数の第１線状部７ｘの配置間隔に相当する。幅Ｗｙ２は、複数の第２線状部７ｙの配置間隔に相当する。
【0054】
例えば、幅Ｗｘ２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３それぞれの第１方向Ｘにおける幅よりも大きい。また、幅Ｗｙ２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３それぞれの第２方向Ｙにおける幅よりも大きい。図５の例においては、幅Ｗｘ２，Ｗｙ２がそれぞれ幅Ｗｘ１，Ｗｙ１よりも大きい（Ｗｘ２＞Ｗｘ１，Ｗｙ２＞Ｗｙ１）。詳しくは後述するが、幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の少なくとも一方は２００μｍ以下であることが好ましい（Ｗｘ２，Ｗｙ２≦２００μｍ）。
【0055】
図５のマザー基板ＭＢにおける格子状の模様は、隔壁７が設けられる領域を示している。すなわち、図５の例においては、余白領域ＢＡに加え、周辺領域ＳＡにも隔壁７が設けられている。表示領域ＤＡには隔壁７が設けられていない。周辺領域ＳＡに設けられた隔壁７は、カットラインＣＬに沿ってパネル部ＰＰが切り出された後にも、パネル部ＰＰ（表示パネルＰＮＬ）に残る。
【0056】
パネル部ＰＰを効率よく切り出す観点からは、カットラインＣＬに隔壁７が設けられていないことが好ましい。この場合においては、周辺領域ＳＡに設けられた隔壁７と、余白領域ＢＡに設けられた隔壁７とが、周辺領域ＳＡおよび余白領域ＢＡの境界において分断される。
【0057】
なお、隔壁７は、周辺領域ＳＡおよび余白領域ＢＡの全体に設けられる必要はない。周辺領域ＳＡおよび余白領域ＢＡの一部に隔壁７が設けられ、残りの部分に隔壁７が設けられていなくてもよい。
【0058】
図６は、図５におけるＶＩ－ＶＩ線に沿う余白領域ＢＡの概略的な断面図である。マザー基板ＭＢは、絶縁性の基板１０ａを備えている。マザー基板ＭＢからパネル部ＰＰを切り出す際には、基板１０ａがカットラインＣＬに沿って切断される。切り出されたパネル部ＰＰの基板１０ａは、図３等に示した基板１０に相当する。
【0059】
マザー基板ＭＢは、余白領域ＢＡにおいて基板１０ａの上方に配置された無機絶縁層１００を備えている。無機絶縁層１００は、例えばリブ５と同じ材料で形成されている。無機絶縁層１００およびリブ５は、一体的に形成されていてもよい。また、無機絶縁層１００およびリブ５は、カットラインＣＬに沿って分断されていてもよい。図６の例においては、基板１０ａと無機絶縁層１００の間に有機絶縁層１２が配置されている。
【0060】
隔壁７は、無機絶縁層１００の上に配置された下部７１と、下部７１の上に配置された上部７２とを含む。上部７２は、下部７１よりも大きい幅を有している。これにより、上部７２の両端部が下部７１の側面よりも突出している。このように、隔壁７は、図３に示した隔壁６と同じくオーバーハング状である。例えば、隔壁７の下部７１および上部７２は、それぞれ隔壁６の下部６１および上部６２と同じ材料で形成されている。
【0061】
なお、余白領域ＢＡの構造は図６の例に限られない。基板１０ａと有機絶縁層１２の間に他の絶縁層や導電層が介在してもよい。また、無機絶縁層１００および隔壁７は、他の絶縁層または導電層によって覆われていてもよい。
【0062】
続いて、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図７は、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図８Ａ乃至図１５Ａは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図８Ｂ乃至図１５Ｂは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける余白領域ＢＡの概略的な断面図である。周辺領域ＳＡにも図８Ｂ乃至図１５Ｂと同様の製造工程を適用できる。なお、図８Ａ乃至図１５Ａおよび図８Ｂ乃至図１５Ｂにおいては基板１０ａおよび回路層１１を省略している。
図７は、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図８Ａ乃至図１５Ａは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図８Ｂ乃至図１５Ｂは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける余白領域ＢＡの概略的な断面図である。周辺領域ＳＡにも図８Ｂ乃至図１５Ｂと同様の製造工程を適用できる。なお、図８Ａ乃至図１５Ａおよび図８Ｂ乃至図１５Ｂにおいては基板１０ａおよび回路層１１を省略している。
【0063】
表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０ａの上に回路層１１、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５、隔壁６および隔壁７が形成される（工程ＰＲ２）。
【0064】
工程ＰＲ２においては、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、リブ５に加工するための無機絶縁層１００がマザー基板ＭＢの全体に形成される。さらに、下部６１，７１に加工するための第１層１０１が無機絶縁層１００の上に形成され、上部６２，７２に加工するための第２層１０２が第１層１０１の上に形成される。
【0065】
続いて、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第１層１０１および第２層１０２がパターニングされる。このパターニングは、第２層１０２を上部６２，７２の形状に加工するエッチングと、第１層１０１を下部６１，７１の形状に加工するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、下部７１（第１下部）および上部７２（第１上部）を含む隔壁７（第１隔壁）が余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに形成されるとともに、下部６１（第２下部）および上部６２（第２上部）を含む隔壁６（第２隔壁）が表示領域ＤＡに形成される。
【0066】
隔壁６，７の形成の後、図９Ａに示すように、無機絶縁層１００に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される。これにより、表示領域ＤＡにおいてリブ５が形成される。なお、図８Ａおよび図９Ａにおいては、隔壁６が形成された後に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0067】
リブ５、隔壁６および隔壁７の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0068】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がマザー基板ＭＢの全体に形成される（工程ＰＲ３）。積層膜ＦＬ１は、図３に示したように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、および、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１を含む。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。
【0069】
積層膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６，７によって複数の部分に分断される。図１０Ａに示すように、表示領域ＤＡにおける積層膜ＦＬ１は、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を通じて露出した下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、リブ５および隔壁６を覆う。また、図１０Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける積層膜ＦＬ１は、無機絶縁層１００および隔壁７を覆う。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１の分割された各部分および隔壁６，７を連続的に覆う。
【0070】
工程ＰＲ３の後、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、図１０Ａに示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ１が配置される。レジストＲ１は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ１が配置されない。
【0071】
その後、レジストＲ１をマスクとしたエッチングにより、図１１Ａに示すように積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0072】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１１Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が除去される。当該エッチングの後、レジストＲ１が除去される。
【0073】
表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ２の形成にあたっては、先ず図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がマザー基板ＭＢの全体に形成される（工程ＰＲ５）。積層膜ＦＬ２は、図３に示したように、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、および、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２を含む。有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ２は、ＣＶＤによって形成される。
【0074】
積層膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６，７によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２の分断された各部分および隔壁６，７を連続的に覆う。
【0075】
工程ＰＲ５の後、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングにおいては、図１２Ａに示すように、封止層ＳＥ２の上にレジストＲ２が配置される。レジストＲ２は、副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ２が配置されない。
【0076】
その後、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、図１３Ａに示すように積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２のうちレジストＲ２から露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0077】
余白領域ＢＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１３Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２が除去される。当該エッチングの後、レジストＲ２が除去される。
【0078】
表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ３の形成にあたっては、先ず図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がマザー基板ＭＢの全体に形成される（工程ＰＲ７）。積層膜ＦＬ３は、図３に示したように、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、および、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３を含む。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ３は、ＣＶＤによって形成される。
【0079】
積層膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６，７によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３の分断された各部分および隔壁６，７を連続的に覆う。
【0080】
工程ＰＲ７の後、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングにおいては、図１４Ａに示すように、封止層ＳＥ３の上にレジストＲ３が配置される。レジストＲ３は、副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ３が配置されない。
【0081】
その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、図１５Ａに示すように積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３のうちレジストＲ３から露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0082】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１５Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３が除去される。当該エッチングの後、レジストＲ３が除去される。
【0083】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が形成された後、各パネル部ＰＰに対し、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。さらに、マザー基板ＭＢから各パネル部ＰＰが切り出される（工程ＰＲ１０）。切り出されたパネル部ＰＰは、表示パネルＰＮＬに相当する。
【0084】
【0085】
図１６は、比較例に係るマザー基板ＭＢｃの余白領域ＢＡ（あるいは周辺領域ＳＡ）の概略的な断面図である。マザー基板ＭＢｃは、隔壁７を備えていない点で本実施形態に係るマザー基板ＭＢと相違する。図１６（ａ）の断面は、図１０Ｂと同様の工程に相当するものであり、余白領域ＢＡに積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成されている。
【0086】
積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のパターニング（図７の工程ＰＲ４）においては、マザー基板ＭＢが大気中での水洗などの洗浄処理やレジストの現像処理に晒される。また、無機絶縁材料で形成された封止層ＳＥ１には、微小なピンホールが生じることがある。洗浄処理等において水分が当該ピンホールから積層膜ＦＬ１に浸入し、有機層ＯＲ１と無機絶縁層１００の界面に到達すると、有機層ＯＲ１が無機絶縁層１００の表面から浮き上がった剥離部Ｇが生じ得る。
【0087】
水分が有機層ＯＲ１を伝わると、図１６（ｂ）に示すように剥離部Ｇが拡大し、積層膜ＦＬ１と無機絶縁層１００の密着力が弱まる。これにより、図１６（ｃ）に示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１の一部が剥落する可能性がある。剥落した積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１は、製造ラインのチャンバ等を汚染する一因となる。そのため、汚染部分の清掃が必要となり、製造ラインを停止しなければならない。
【0088】
図１７は、本実施形態に係るマザー基板ＭＢの余白領域ＢＡ（あるいは周辺領域ＳＡ）の概略的な断面図である。図１７（ａ）においては、図１６（ａ）と同じく余白領域ＢＡに積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成されている。また、水分が積層膜ＦＬ１に浸入し、剥離部Ｇが生じている。
【0089】
さらに、図１７（ｂ）においては剥離部Ｇが拡大している。しかしながら、本実施形態においては余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに隔壁７が配置され、この隔壁７によって積層膜ＦＬ１が分断されている。そのため、剥離部Ｇの拡大が抑制される。
【0090】
具体的には、図１７に示すように積層膜ＦＬ１と無機絶縁層１００の間に剥離部Ｇが生じた場合、この剥離部Ｇの拡がりは閉領域ＣＡ内に抑制される。また、隔壁７の上に位置する積層膜ＦＬ１に剥離部Ｇが生じた場合には、この剥離部Ｇの拡がりが隔壁７上に抑制される。
【0091】
なお、図１７（ｂ）のように剥離部Ｇが生じた箇所において、積層膜ＦＬ１は、封止層ＳＥ１によって抑えられる。そのため、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が剥落しにくい。
【0092】
図５に示したように隔壁７が複数の第１線状部７ｘおよび複数の第２線状部７ｙで構成される場合には、隣り合う第１線状部７ｘの間隔（閉領域ＣＡの幅Ｗｘ２）や隣り合う第２線状部７ｙの間隔（閉領域ＣＡの幅Ｗｙ２）がそれぞれ２００μｍ以下であることが好ましい。これにより、閉領域ＣＡにおける剥離部Ｇの幅が２００μｍ以下の狭い範囲に抑えられ、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が剥落に至りにくい。
【0093】
なお、図１６および図１７においては積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１に着目したが、積層膜ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ２，ＳＥ３についても同様の剥離が生じ得る。本実施形態によれば、これら積層膜ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ２，ＳＥ３の剥落も抑制することができる。
【0094】
［第２実施形態］
第２実施形態においては、隔壁７に適用し得る構成の他の一例を開示する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
第２実施形態においては、隔壁７に適用し得る構成の他の一例を開示する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
【0095】
図１８は、本実施形態に係る隔壁７の概略的な平面図である。この図の例において、隔壁７は、図２に示した隔壁６と実質的に同じパターンを有している。具体的には、隔壁７は、図２に示した隔壁６の開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３と同一または類似した形状の開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３を有している。開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３の内側の領域は、第１実施形態と同様の閉領域ＣＡに相当する。
【0096】
開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３の位置関係は、開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３の位置関係と同様である。開口ＡＰ７１，ＡＰ７２，ＡＰ７３の大きさは、例えば開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３と同様であるが、この例に限られない。
【0097】
隔壁６，７の形状が大きく異なる場合、マザー基板ＭＢの面内において、図８Ａおよび図８Ｂに示した第１層１０１および第２層１０２をパターニングする際のエッチングにむらが生じる可能性がある。これに対し、本実施形態のように隔壁７が隔壁６と実質的に同じパターンを有する場合、第１層１０１および第２層１０２をパターニングする際のエッチングの均一性を改善することができる。
【0098】
なお、隔壁７の形状は、第１および第２実施形態にて開示したものに限られない。例えば、隔壁７は、必ずしも閉領域ＣＡを形成する必要はない。他の例として、隔壁７は、互いに平行に配置された複数の線状部により構成され、これら線状部が互いに接続されていなくてもよい。このような構成であっても、線状部の配列方向への剥離部Ｇの拡がりが抑制される。
【0099】
また、余白領域ＢＡに配置された隔壁７と、周辺領域ＳＡに配置された隔壁７とが異なる形状を有してもよい。一例として、余白領域ＢＡには図５に示した形状の隔壁７が配置され、周辺領域ＳＡには図１８に示した形状の隔壁７が配置されてもよい。さらに他の例として、周辺領域ＳＡに隔壁７が配置されていなくてもよい。
【0100】
第１実施形態においては、隔壁６，７が同じプロセスによって形成される場合を例示した。しかしながら、隔壁６，７は別々の工程によって形成されてもよい。
【0101】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0102】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0103】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0104】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＣＡ…閉領域、５…リブ、６，７…隔壁、６１，７１…下部、６２，７２…上部、１００…無機絶縁層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16】
【図17】
【図18】