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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024108612
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】ＮＴＣサーミスタ素子及び電子部品装置
(51)【国際特許分類】
H01C 7/04 20060101AFI20240805BHJP
H01C 7/18 20060101ALI20240805BHJP
【ＦＩ】
H01C7/04
H01C7/18
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023013057
(22)【出願日】2023-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】簗田 壮司
(72)【発明者】
【氏名】八木沼 一郎
(72)【発明者】
【氏名】小椋 俊介
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 駿一
(72)【発明者】
【氏名】内田 雅幸
【テーマコード（参考）】
5E034
【Ｆターム（参考）】
5E034BA04
5E034BB05
5E034BC02
5E034DA07
5E034DB01
5E034DB04
5E034DC01
(57)【要約】
【課題】熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子を提供する。
【解決手段】素体３は、第一方向Ｄ１で互いに対向する一対の端面３ａ，３ｂと、第二方向Ｄ２で互いに対向する一対の側面３ｃ，３ｄと、第三方向Ｄ３で互いに対向する一対の側面と、を含む。各外部電極５，７は、一対の端面３ａ，３ｂのうち対応する端面に配置されている。各内部電極９，１１は、第二方向Ｄ２で互いに対向するように素体３内に配置されていると共に、一対の外部電極５，７のうち対応する外部電極に電気的に接続されている。外部導体２０は、一対の外部電極５，７から離間して、素体３上に配置されている。素体３は、第二方向Ｄ２で、一対の内部電極９，１１の間に位置している素体領域３１を含む。外部導体は、側面３ｃに配置されている導体部分２３を含む。素体領域３１と、導体部分２３とは、第三方向Ｄ３で互いに対向する。
【選択図】図２
【解決手段】素体３は、第一方向Ｄ１で互いに対向する一対の端面３ａ，３ｂと、第二方向Ｄ２で互いに対向する一対の側面３ｃ，３ｄと、第三方向Ｄ３で互いに対向する一対の側面と、を含む。各外部電極５，７は、一対の端面３ａ，３ｂのうち対応する端面に配置されている。各内部電極９，１１は、第二方向Ｄ２で互いに対向するように素体３内に配置されていると共に、一対の外部電極５，７のうち対応する外部電極に電気的に接続されている。外部導体２０は、一対の外部電極５，７から離間して、素体３上に配置されている。素体３は、第二方向Ｄ２で、一対の内部電極９，１１の間に位置している素体領域３１を含む。外部導体は、側面３ｃに配置されている導体部分２３を含む。素体領域３１と、導体部分２３とは、第三方向Ｄ３で互いに対向する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一方向で互いに対向する一対の端面と、前記第一方向に交差する第二方向で互いに対向する第一側面及び第二側面と、前記第一方向と前記第二方向とに交差する第三方向で互いに対向する第三側面及び第四側面と、を含むサーミスタ素体と、
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
前記第二方向で互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記一対の外部電極のうち対応する外部電極にそれぞれ電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記サーミスタ素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記第二方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記第三側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、前記第三方向で互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
前記第二方向で互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記一対の外部電極のうち対応する外部電極にそれぞれ電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記サーミスタ素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記第二方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記第三側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、前記第三方向で互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項2】
前記外部導体と前記素体領域とを前記第三方向から見たときに、前記素体領域は、前記導体部分の内側に位置している、請求項１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項3】
前記素体領域と対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記導体部分に物理的に接続されている内部導体を更に備える、請求項１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項4】
前記内部導体は、
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に連結している第二部分と、を含む、請求項３に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に連結している第二部分と、を含む、請求項３に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項5】
前記外部導体は、前記第四側面に配置されていると共に前記第三方向で前記素体領域に対向する別の導体部分を含む、請求項１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項6】
前記素体領域と前記別の導体部分とを前記第三方向から見たときに、前記素体領域は、前記別の導体部分の内側に位置している、請求項５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項7】
前記素体領域と対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記別の導体部分に物理的に接続されている内部導体を更に備える、請求項５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項8】
前記内部導体は、
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第二部分と、を含む、請求項７に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第二部分と、を含む、請求項７に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項9】
前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記外部導体に物理的に接続されている内部導体を更に備え、
前記内部導体は、
前記第二方向から見て、前記素体領域を囲むように配置されている第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に接続している第二部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第三部分と、を含む、請求項５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
前記内部導体は、
前記第二方向から見て、前記素体領域を囲むように配置されている第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に接続している第二部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第三部分と、を含む、請求項５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項10】
互いに対向する一対の端面と、前記一対の端面を連結している少なくとも一つの側面と、を含むサーミスタ素体と、
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、それぞれが前記一対の外部電極のうち対応する外部電極に電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記一対の内部電極が互いに対向する方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記少なくとも一つの側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、それぞれが前記一対の外部電極のうち対応する外部電極に電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記一対の内部電極が互いに対向する方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記少なくとも一つの側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
【請求項11】
請求項１又は１０に記載の前記ＮＴＣサーミスタ素子と、
前記ＮＴＣサーミスタ素子が実装される電子機器と、を備え、
前記電子機器は、
それぞれに前記一対の外部電極のうち対応する外部電極が電気的かつ物理的に接続されている一対の導体と、
前記外部導体が物理的に接続されている熱伝導体と、を含む、電子部品装置。
前記ＮＴＣサーミスタ素子が実装される電子機器と、を備え、
前記電子機器は、
それぞれに前記一対の外部電極のうち対応する外部電極が電気的かつ物理的に接続されている一対の導体と、
前記外部導体が物理的に接続されている熱伝導体と、を含む、電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタ素子及び電子部品装置に関する。
【背景技術】
【0002】
知られているＮＴＣサーミスタ素子は、サーミスタ素体と、サーミスタ素体上の一対の外部電極と、サーミスタ素体内の一対の内部電極と、を備える（たとえば、特許文献１参照）。サーミスタ素体は、第一方向で互いに対向する一対の端面を含む。一対の外部電極のそれぞれは、一対の端面のうち対応する端面に配置されている。一対の内部電極は、第一方向に交差する第二方向で互いに対向する。一対の内部電極のそれぞれは、一対の外部電極のうち対応する外部電極に電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－１８３１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一つの態様は、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子を提供することを目的とする。本発明の別の一つの態様は、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子を提供することを目的とする。本発明の更に別の一つの態様は、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子に熱を確実に伝える電子部品装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一つの態様に係るＮＴＣサーミスタ素子は、第一方向で互いに対向する一対の端面と、第一方向に交差する第二方向で互いに対向する第一側面及び第二側面と、第一方向と第二方向とに交差する第三方向で互いに対向する第三側面及び第四側面と、を含むサーミスタ素体と、一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、第二方向で互いに対向するようにサーミスタ素体内に配置されていると共に、一対の外部電極のうち対応する外部電極にそれぞれ電気的に接続されている一対の内部電極と、一対の外部電極から離間して、サーミスタ素体上に配置されている外部導体と、を備える。サーミスタ素体は、第二方向で、一対の内部電極の間に位置している素体領域を含む。外部導体は、第三側面に配置されている導体部分を含む。素体領域と、導体部分とは、第三方向で互いに対向する。
【0006】
上記一つの態様では、外部導体が、サーミスタ素体上に配置されている。したがって、熱源からの熱が、外部導体を通して、サーミスタ素体に伝わりやすい。
第三側面と第四側面とは、一対の内部電極が互いに対向する第二方向に交差する第三方向で互いに対向する。第三側面は、サーミスタ素体が含むと共に一対の内部電極の間に位置している素体領域に、直接的に対向する傾向にある。素体領域は、ＮＴＣサーミスタ素子の特性に寄与する。外部導体が含む導体部分は、第三側面に配置されていると共に、素体領域と第三方向で対向する。したがって、導体部分から素体領域に、熱が伝わりやすい。この結果、上記一つの態様は、熱応答性に優れる。
第三側面と第四側面とは、一対の内部電極が互いに対向する第二方向に交差する第三方向で互いに対向する。第三側面は、サーミスタ素体が含むと共に一対の内部電極の間に位置している素体領域に、直接的に対向する傾向にある。素体領域は、ＮＴＣサーミスタ素子の特性に寄与する。外部導体が含む導体部分は、第三側面に配置されていると共に、素体領域と第三方向で対向する。したがって、導体部分から素体領域に、熱が伝わりやすい。この結果、上記一つの態様は、熱応答性に優れる。
【0007】
上記一つの態様では、外部導体と素体領域とを第三方向から見たときに、素体領域は、導体部分の内側に位置してもよい。
素体領域と導体部分とが上述したように位置する構成は、熱を導体部分から素体領域に確実に伝えやすい。したがって、本構成は、熱応答性により一層優れる。
素体領域と導体部分とが上述したように位置する構成は、熱を導体部分から素体領域に確実に伝えやすい。したがって、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0008】
上記一つの態様では、素体領域と対向するようにサーミスタ素体内に配置されていると共に、導体部分に物理的に接続されている内部導体を備えてもよい。
上記内部導体を含む構成では、熱源からの熱は、導体部分及び内部導体を通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、内部導体は、素体領域と対向する。したがって、熱が、内部導体から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
上記内部導体を含む構成では、熱源からの熱は、導体部分及び内部導体を通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、内部導体は、素体領域と対向する。したがって、熱が、内部導体から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0009】
上記一つの態様では、内部導体は、素体領域に対向すると共に、第一方向において、素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、第一部分と導体部分とを物理的に連結している第二部分と、を含んでもよい。
内部導体が上記第一及び第二部分を含む構成では、熱源からの熱は、導体部分から、第二部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、第一部分の幅は、素体領域の幅より大きい。したがって、熱が、第一部分から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
内部導体が上記第一及び第二部分を含む構成では、熱源からの熱は、導体部分から、第二部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、第一部分の幅は、素体領域の幅より大きい。したがって、熱が、第一部分から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0010】
上記一つの態様では、外部導体は、第四側面に配置されていると共に第三方向で素体領域に対向する別の導体部分を含んでもよい。
第四側面は、素体領域に、直接的に対向する傾向にある。外部導体が上記別の導体部分を含む構成では、熱が、別の導体部分からも素体領域に伝わりやすい。したがって、本構成は、熱応答性により一層優れる。
第四側面は、素体領域に、直接的に対向する傾向にある。外部導体が上記別の導体部分を含む構成では、熱が、別の導体部分からも素体領域に伝わりやすい。したがって、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0011】
上記一つの態様では、素体領域と別の導体部分とを第三方向から見たときに、素体領域は、別の導体部分の内側に位置してもよい。
素体領域と別の導体部分とが上述したように位置する構成は、熱を別の導体部分から素体領域に確実に伝えやすい。したがって、本構成は、熱応答性により一層優れる。
素体領域と別の導体部分とが上述したように位置する構成は、熱を別の導体部分から素体領域に確実に伝えやすい。したがって、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0012】
上記一つの態様では、素体領域と対向するようにサーミスタ素体内に配置されていると共に、別の導体部分に物理的に接続されている内部導体を備えてもよい。
上記内部導体を含む構成では、熱源からの熱は、別の導体部分及び内部導体を通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、内部導体は、素体領域と対向する。したがって、熱が、内部導体から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
上記内部導体を含む構成では、熱源からの熱は、別の導体部分及び内部導体を通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、内部導体は、素体領域と対向する。したがって、熱が、内部導体から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0013】
上記一つの態様では、内部導体は、素体領域に対向すると共に、第一方向において、素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、第一部分と別の導体部分とを物理的に接続している第二部分と、を含んでもよい。
内部導体が上記第一及び第二部分を含む構成では、熱源からの熱は、別の導体部分から、第二部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、第一部分の幅は、素体領域の幅より大きい。したがって、熱が、第一部分から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
内部導体が上記第一及び第二部分を含む構成では、熱源からの熱は、別の導体部分から、第二部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、第一部分の幅は、素体領域の幅より大きい。したがって、熱が、第一部分から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0014】
上記一つの態様では、サーミスタ素体内に配置されていると共に、外部導体に物理的に接続されている内部導体を備え、内部導体は、第二方向から見て、素体領域を囲むように配置されている第一部分と、第一部分と導体部分とを物理的に接続している第二部分と、第一部分と別の導体部分とを物理的に接続している第三部分と、を含んでもよい。
内部導体が上記第一、第二、及び第三部分を含む構成では、熱源からの熱は、導体部分から、第二部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすく、別の導体部分から、第三部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、第一部分は、素体領域を囲んでいる。したがって、熱が、第一部分から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
内部導体が上記第一、第二、及び第三部分を含む構成では、熱源からの熱は、導体部分から、第二部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすく、別の導体部分から、第三部分と第一部分とを通して、素体領域に伝わりやすい。本構成では、第一部分は、素体領域を囲んでいる。したがって、熱が、第一部分から素体領域に確実に伝わりやすい。この結果、本構成は、熱応答性により一層優れる。
【0015】
本発明の別の一つの態様に係るＮＴＣサーミスタ素子は、互いに対向する一対の端面と、一対の端面を連結している少なくとも一つの側面と、を含むサーミスタ素体と、一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、それぞれが一対の外部電極のうち対応する外部電極に電気的に接続されている一対の内部電極と、一対の外部電極から離間して、素体上に配置されている外部導体と、を備える。サーミスタ素体は、一対の内部電極が互いに対向する方向で、一対の内部電極の間に位置している素体領域を含む。外部導体は、少なくとも一つの側面に配置されている導体部分を含む。素体領域と、導体部分とは、互いに対向する。
【0016】
上記別の一つの態様では、外部導体が、サーミスタ素体上に配置されている。したがって、熱源からの熱が、外部導体を通して、サーミスタ素体に伝わりやすい。
外部導体が含む導体部分は、素体領域と第三方向で対向する。したがって、導体部分から素体領域に、熱が伝わりやすい。この結果、上記別の一つの態様は、熱応答性に優れる。
外部導体が含む導体部分は、素体領域と第三方向で対向する。したがって、導体部分から素体領域に、熱が伝わりやすい。この結果、上記別の一つの態様は、熱応答性に優れる。
【0017】
本発明の更に別の一つの態様に係る電子部品装置は、上記ＮＴＣサーミスタ素子と、ＮＴＣサーミスタ素子が実装される電子機器と、を備える。電子機器は、それぞれに一対の外部電極のうち対応する外部電極が電気的かつ物理的に接続されている一対の導体と、外部導体が物理的に接続されている熱伝導体と、を含む。
上記更に別の一つの態様では、熱源からの熱が、熱伝導体を通して外部導体に伝わりやすい。したがって、上記更に別の一つの態様は、熱を、熱応答性に優れる上記ＮＴＣサーミスタ素子に確実に伝える。
上記更に別の一つの態様では、熱源からの熱が、熱伝導体を通して外部導体に伝わりやすい。したがって、上記更に別の一つの態様は、熱を、熱応答性に優れる上記ＮＴＣサーミスタ素子に確実に伝える。
【発明の効果】
【0018】
本発明の一つの態様は、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子を提供する。本発明の別の一つの態様は、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子を提供する。本発明の更に別の一つの態様は、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子に熱を確実に伝える電子部品装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】一実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。
【図2】本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。
【図3】本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。
【図4】本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。
【図5】本実施形態の第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。
【図6】本実施形態の第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。
【図7】本実施形態の第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。
【図8】本実施形態の第二変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。
【図9】本実施形態の第三変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。
【図10】本実施形態に係る電子部品装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0021】
図１～図４を参照して、本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。図２～図４は、本実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。図２～図４では、ハッチングが省略されている。
【0022】
図１～図４に示されるように、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、素体３と、被覆層４と、複数の外部電極５，７と、複数の内部電極９，１１と、外部導体２０と、を備える。素体３は、たとえば、直方体形状を呈する。被覆層４は、素体３上に配置されている。複数の外部電極５，７は、被覆層４上に配置されている。複数の外部電極５，７は、素体３上に、間接的に配置されている。複数の外部電極５，７は、素体３上に、直接的に配置されていてもよい。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、たとえば、一対の外部電極５，７を備える。一対の外部電極５，７は、素体３上に配置されている。一対の外部電極５，７は、互いに離間している。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、たとえば、一対の複数の内部電極９，１１を備える。一対の複数の内部電極９，１１は、素体３内に配置されている。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、又は、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。
【0023】
素体３は、一対の端面３ａ，３ｂと、一対の側面３ｃ，３ｄと、一対の側面３ｅ，３ｆと、を含む。素体３の表面は、端面３ａ，３ｂ及び四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆを含む。端面３ａ，３ｂ及び四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆのそれぞれは、矩形状を呈する。矩形状は、たとえば、各角が面取りされている形状、又は、各角が丸められている形状を含む。
一対の端面３ａ，３ｂは、第一方向Ｄ１で互いに対向する。一対の側面３ｃ，３ｄは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。一対の側面３ｅ，３ｆは、第三方向Ｄ３で互いに対向する。第一方向Ｄ１は、第二方向Ｄ２に交差すると共に、第三方向Ｄ３に交差する。第一方向Ｄ１は、たとえば、第二方向Ｄ２に直交すると共に、第三方向Ｄ３に直交する。第二方向Ｄ２は、第三方向Ｄ３に交差する。第二方向Ｄ２は、たとえば、第三方向Ｄ３に直交する。
たとえば、側面３ｅが第一側面を含む場合、側面３ｆが第二側面を含んでもよく、側面３ｃが第三側面を含んでもよく、側面３ｄが第四側面を含んでもよい。
一対の端面３ａ，３ｂは、第一方向Ｄ１で互いに対向する。一対の側面３ｃ，３ｄは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。一対の側面３ｅ，３ｆは、第三方向Ｄ３で互いに対向する。第一方向Ｄ１は、第二方向Ｄ２に交差すると共に、第三方向Ｄ３に交差する。第一方向Ｄ１は、たとえば、第二方向Ｄ２に直交すると共に、第三方向Ｄ３に直交する。第二方向Ｄ２は、第三方向Ｄ３に交差する。第二方向Ｄ２は、たとえば、第三方向Ｄ３に直交する。
たとえば、側面３ｅが第一側面を含む場合、側面３ｆが第二側面を含んでもよく、側面３ｃが第三側面を含んでもよく、側面３ｄが第四側面を含んでもよい。
【0024】
一対の端面３ａ，３ｂのそれぞれは、一対の側面３ｃ，３ｄを連結するように第二方向Ｄ２に延在していると共に、一対の側面３ｅ，３ｆを連結するように第三方向Ｄ３に延在している。一対の側面３ｃ，３ｄのそれぞれは、一対の端面３ａ，３ｂを連結するように第一方向Ｄ１に延在していると共に、一対の側面３ｅ，３ｆを連結するように第三方向Ｄ３に延在している。一対の側面３ｅ，３ｆのそれぞれは、一対の端面３ａ，３ｂを連結するように第一方向Ｄ１に延在していると共に、一対の側面３ｃ，３ｄを連結するように第二方向Ｄ２に延在している。一対の端面３ａ，３ｂのそれぞれは、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆと隣り合う。一対の側面３ｃ，３ｄのそれぞれは、一対の側面３ｅ，３ｆと隣り合う。一対の端面３ａ，３ｂのそれぞれは、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆのそれぞれと間接的に隣り合ってもよい。一対の側面３ｃ，３ｄのそれぞれは、側面３ｅ，３ｆと間接的に隣り合ってもよい。
【0025】
素体３は、第二方向Ｄ２に複数のサーミスタ層が積層されて構成されている。複数のサーミスタ層の積層方向は、第二方向Ｄ２と一致する。素体３は、積層されている複数のサーミスタ層を含む。各サーミスタ層は、たとえば、ＮＴＣサーミスタ材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体を含む。ＮＴＣサーミスタ材料は、たとえば、半導体セラミック材料を含む。ＮＴＣサーミスタ材料は、スピネル構造を有する複合酸化物を主成分として含む。複合酸化物は、たとえば、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、及び、Ｆｅを含む遷移金属元素の中から選ばれる２種あるいはそれ以上の元素を含む。本実施形態では、ＮＴＣサーミスタ材料は、たとえば、Ｍｎ３О４粉末、ＮｉО粉末、及びＣо３О４粉末を含む。素体３は、サーミスタ素体を含む。
【0026】
ＮＴＣサーミスタ材料は、副成分を含んでもよい。副成分は、たとえば、Ｃｕ、Ａｌ、又はＺｒを含む。副成分を含むＮＴＣサーミスタ材料は、たとえば、ＮＴＣサーミスタの特性を向上する。本実施形態では、副成分は、少なくともＺｒを含む。主成分及び副成分の組成、並びに、含有量は、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１に求められる特性に応じて設定される。実際の素体３では、各サーミスタ層は、各サーミスタ層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【0027】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、たとえば、ＪＩＳ表示での２０１２サイズを有する。ＪＩＳ表示での２０１２サイズは、ＥＩＡ表示での０８０５サイズと対応する。素体３の第二方向Ｄ２での長さは、たとえば、約１．２ｍｍである。素体３の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、約２．０ｍｍである。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、約１．２ｍｍである。
【0028】
図２及び図３に示されるように、被覆層４は、素体３の表面上に、直接的に配置されている。被覆層４は、一対の端面３ａ，３ｂ上と、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ上とに形成されている。被覆層４は、素体３の表面を覆っている。本実施形態では、素体３の表面の略全体を覆っている。被覆層４は、ガラス材料を含む。被覆層４の厚さは、たとえば、０．０１～０．５μｍである。本実施形態では、被覆層４の厚さは、約０．１５μｍである。ガラス材料は、たとえば、ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＬｉＯ２系結晶化ガラスを含む。ガラス材料は、非晶質ガラスを含んでもよい。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、被覆層４を備えなくてもよい。
【0029】
図１に示されるように、一対の外部電極５，７は、たとえば、素体３の第一方向Ｄ１での両端部にそれぞれ配置されている。一対の外部電極５，７は、図２～図４に示されるように、被覆層４上に配置されている。被覆層４は、各外部電極５，７で覆われている部分と、各外部電極５，７から露出している部分とを含む。
外部電極５は、端面３ａに配置されている。外部電極７は、端面３ｂに配置されている。各外部電極５，７は、一対の端面３ａ，３ｂのうち対応する端面に配置されている。外部電極５，７は、第一方向Ｄ１で、互いに離間すると共に互いに対向する。
外部電極５は、たとえば、端面３ａ上と、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの各一部上とに配置されている。各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの上記一部は、各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆにおける端面３ａ寄りの一部領域である。本実施形態では、外部電極５は、端面３ａの全体を覆っている。
外部電極７は、たとえば、端面３ｂ上と、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの各一部上とに配置されている。各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの上記一部は、各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆにおける端面３ｂ寄りの一部領域である。本実施形態では、外部電極７は、端面３ｂの全体を覆っている。
外部電極５は、端面３ａに配置されている。外部電極７は、端面３ｂに配置されている。各外部電極５，７は、一対の端面３ａ，３ｂのうち対応する端面に配置されている。外部電極５，７は、第一方向Ｄ１で、互いに離間すると共に互いに対向する。
外部電極５は、たとえば、端面３ａ上と、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの各一部上とに配置されている。各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの上記一部は、各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆにおける端面３ａ寄りの一部領域である。本実施形態では、外部電極５は、端面３ａの全体を覆っている。
外部電極７は、たとえば、端面３ｂ上と、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの各一部上とに配置されている。各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの上記一部は、各側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆにおける端面３ｂ寄りの一部領域である。本実施形態では、外部電極７は、端面３ｂの全体を覆っている。
【0030】
図２及び図３に示されるように、一対の内部電極９，１１は、互いに対向するように素体３内に配置されている。一対の内部電極９，１１は、たとえば、第二方向Ｄ２で互いに対向する。一対の内部電極９，１１は、第二方向Ｄ２で互いに離間している。
各内部電極９，１１は、第二方向Ｄ２から見て、たとえば、矩形状を呈する。各内部電極９，１１において、たとえば、第一方向Ｄ１での長さは、第三方向Ｄ３での長さより大きい。内部電極９の大きさと内部電極１１の大きさとは、たとえば、略同一である。
各内部電極９，１１は、第二方向Ｄ２から見て、たとえば、矩形状を呈する。各内部電極９，１１において、たとえば、第一方向Ｄ１での長さは、第三方向Ｄ３での長さより大きい。内部電極９の大きさと内部電極１１の大きさとは、たとえば、略同一である。
【0031】
内部電極９は、第二方向Ｄ２で互い対向する一対の面を含む。内部電極９が含む一対の面のうち一方の面は、側面３ｃと対向する。内部電極９が含む一対の面のうち他方の面は、内部電極１１と対向する。内部電極９は、端面３ａから露出している端部を含む。内部電極９が含む端部は、端面３ａから突出していると共に、被覆層４を貫通している。内部電極９が含む端部は、被覆層４から露出している部分を含む。内部電極９は、上記端部を除き、素体３内に位置している。
内部電極１１は、第二方向Ｄ２で互い対向する一対の面を含む。内部電極１１が含む一対の面のうち一方の面は、側面３ｄと対向する。内部電極１１が含む一対の面のうち他方の面は、内部電極９と対向する。内部電極１１は、端面３ｂから露出している端部を含む。内部電極１１が含む端部は、端面３ｂから突出していると共に、被覆層４を貫通している。内部電極１１が含む端部は、被覆層４から露出している部分を含む。内部電極１１は、上記端部を除き、素体３内に位置している。
内部電極１１は、第二方向Ｄ２で互い対向する一対の面を含む。内部電極１１が含む一対の面のうち一方の面は、側面３ｄと対向する。内部電極１１が含む一対の面のうち他方の面は、内部電極９と対向する。内部電極１１は、端面３ｂから露出している端部を含む。内部電極１１が含む端部は、端面３ｂから突出していると共に、被覆層４を貫通している。内部電極１１が含む端部は、被覆層４から露出している部分を含む。内部電極１１は、上記端部を除き、素体３内に位置している。
【0032】
内部電極９は、被覆層４から露出している上記部分にて、外部電極５と接続されている。内部電極９は、外部電極５と、物理的かつ電気的に接続されている。内部電極１１は、被覆層４から露出している上記部分にて、外部電極７と接続されている。内部電極１１は、外部電極５と、物理的かつ電気的に接続されている。一対の内部電極９，１１のそれぞれは、一対の外部電極５，７のうち対応する外部電極に電気的に接続されている。
被覆層４を備えないＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、内部電極９が含む端部は、端面３ａから突出していなくてもよく、内部電極１１が含む端部は、端面３ｂから突出していなくてもよい。この場合でも、内部電極９は、外部電極５と、物理的かつ電気的に接続されると共に、内部電極１１は、外部電極７と、物理的かつ電気的に接続される。
被覆層４を備えないＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、内部電極９が含む端部は、端面３ａから突出していなくてもよく、内部電極１１が含む端部は、端面３ｂから突出していなくてもよい。この場合でも、内部電極９は、外部電極５と、物理的かつ電気的に接続されると共に、内部電極１１は、外部電極７と、物理的かつ電気的に接続される。
【0033】
各内部電極９，１１は、積層型電子部品の内部導体として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、貴金属又は貴金属合金を含む。貴金属は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔを含む。貴金属合金は、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金を含む。導電性材料は、卑金属又は卑金属合金を含んでもよい。卑金属は、たとえば、Ｃｕ又はＮｉを含む。各内部電極９，１１は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。
【0034】
図２～図４に示されるように、素体３は、素体領域３１と、素体領域３３とを含む。素体領域３１は、第二方向Ｄ２で、一対の内部電極９，１１の間に位置している。素体領域３１は、素体３内に位置し、素体３の表面から離間している。素体領域３３は、素体領域３１の外側に位置し、素体３の表面を含む。素体領域３３は、端面３ａ，３ｂ及び四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆを含む。素体領域３１は、主として、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の特性に寄与する。
素体領域３１は、第二方向Ｄ２で、内部電極９と内部電極１１とに重なっている。素体領域３１は、内部電極９と内部電極１１とに接している。素体領域３１は、たとえば、内部電極９と内部電極１１とに直接的に接している。素体領域３１は、一対の内部電極９，１１のそれぞれが含む上記他方の面に接している。一対の内部電極９，１１のそれぞれが含む上記他方の面は、素体領域３１に接している領域と、素体領域３３に接している領域とを含む。素体領域３１は、一対の内部電極９，１１のそれぞれが含む上記一方の面に接していない。素体領域３１は、たとえば、略柱体形状を呈している。略柱体形状は、たとえば、略角柱形状、略円柱形状、又は、略錐台形状を含む。略角柱形状は、たとえば、略直方体形状を含む。
素体領域３１は、第二方向Ｄ２で、内部電極９と内部電極１１とに重なっている。素体領域３１は、内部電極９と内部電極１１とに接している。素体領域３１は、たとえば、内部電極９と内部電極１１とに直接的に接している。素体領域３１は、一対の内部電極９，１１のそれぞれが含む上記他方の面に接している。一対の内部電極９，１１のそれぞれが含む上記他方の面は、素体領域３１に接している領域と、素体領域３３に接している領域とを含む。素体領域３１は、一対の内部電極９，１１のそれぞれが含む上記一方の面に接していない。素体領域３１は、たとえば、略柱体形状を呈している。略柱体形状は、たとえば、略角柱形状、略円柱形状、又は、略錐台形状を含む。略角柱形状は、たとえば、略直方体形状を含む。
【0035】
素体領域３１は、たとえば、第一～第四仮想面で囲まれる。第一仮想面は、内部電極９に直交すると共に、内部電極１１の第一方向Ｄ１での端縁に接する。第二仮想面は、内部電極１１に直交すると共に、内部電極９の第一方向Ｄ１での端縁に接する。第三仮想面は、一対の内部電極９，１１のそれぞれが含むと共に側面３ｅと対向する端縁に接している。第四仮想面は、一対の内部電極９，１１のそれぞれが含むと共に側面３ｆと対向する端縁に接している。
素体領域３１の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、第一方向Ｄ１における、内部電極９の上記端縁と内部電極１１の上記端縁との間隔である。素体領域３１の第二方向Ｄ２での長さは、たとえば、一対の内部電極９，１１の間隔である。素体領域３１の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、各内部電極９，１１の上記第三方向Ｄ３長さである。
素体領域３１の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、第一方向Ｄ１における、内部電極９の上記端縁と内部電極１１の上記端縁との間隔である。素体領域３１の第二方向Ｄ２での長さは、たとえば、一対の内部電極９，１１の間隔である。素体領域３１の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、各内部電極９，１１の上記第三方向Ｄ３長さである。
【0036】
図１～図４に示されるように、外部導体２０は、被覆層４上に配置されている。外部導体２０は、素体３上に、間接的に配置されている。外部導体２０は、素体３上に、直接的に配置されていてもよい。外部導体２０は、一対の外部電極５，７から離間している。外部導体２０は、第一方向Ｄ１において、一対の外部電極５，７の間に位置している。
外部導体２０は、たとえば、複数の導体部分２１，２３を含む。外部導体２０は、たとえば、一対の導体部分２１，２３を含む。一対の導体部分２１，２３は、互いに離間しており、第三方向Ｄ３で互いに対向する。外部導体２０は、複数の導体部分２１，２３のうち一つの導体部分のみを含んでもよい。外部導体２０は、一対の導体部分２１，２３のうちいずれか一方のみを含んでもよい。
外部導体２０は、たとえば、複数の導体部分２１，２３を含む。外部導体２０は、たとえば、一対の導体部分２１，２３を含む。一対の導体部分２１，２３は、互いに離間しており、第三方向Ｄ３で互いに対向する。外部導体２０は、複数の導体部分２１，２３のうち一つの導体部分のみを含んでもよい。外部導体２０は、一対の導体部分２１，２３のうちいずれか一方のみを含んでもよい。
【0037】
導体部分２１は、側面３ｅ上に配置されている。導体部分２１は、側面３ｃ上に配置されていてもよく、側面３ｄ上に配置されていてもよい。本実施形態では、導体部分２１は、側面３ｃの一部上と、側面３ｄの一部上とに配置されている。導体部分２１は、素体領域３１と対向する。導体部分２１と素体領域３１とは、たとえば、第三方向Ｄ３で互いに対向する。導体部分２１と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１は、導体部分２１の内側に位置している。導体部分２１と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１の全体は、導体部分２１の外縁の内側に位置している。
【0038】
導体部分２３は、側面３ｆ上に配置されている。導体部分２３は、側面３ｃ上に配置されていてもよく、側面３ｄ上に配置されていてもよい。本実施形態では、導体部分２３は、側面３ｃの一部上と、側面３ｄの一部上とに配置されている。導体部分２３は、素体領域３１と対向する。導体部分２３と素体領域３１とは、たとえば、第三方向Ｄ３で互いに対向する。導体部分２３と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１は、導体部分２３の内側に位置している。導体部分２３と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１の全体は、導体部分２３の外縁の内側に位置している。
【0039】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、たとえば、内部導体４０を備える。内部導体４０は、素体３内に配置されている。内部導体４０は、素体領域３３内に配置されており、素体領域３１内には配置されていない。内部導体４０は、素体領域３１と対向するように素体３内に配置されている。内部導体４０は、たとえば、複数の内部導体４１，４３を含む。内部導体４０は、たとえば、少なくとも一つの内部導体４１と、少なくとも一つの内部導体４３を含む。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、内部導体４０を備えなくてもよい。
内部導体４１は、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向すると共に、導体部分２１に物理的に接続されている。内部導体４３は、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向すると共に、導体部分２３に物理的に接続されている。各内部導体４１，４３は、素体領域３１から離間しており、素体領域３１内に位置する部分を含まない。各内部導体４１，４３は、第二方向Ｄ２において、各内部電極９，１１とは異なる位置（層）に位置する。各内部導体４１，４３は、第二方向Ｄ２において、互いに異なる位置（層）に位置していてもよい。
内部導体４１は、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向すると共に、導体部分２１に物理的に接続されている。内部導体４３は、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向すると共に、導体部分２３に物理的に接続されている。各内部導体４１，４３は、素体領域３１から離間しており、素体領域３１内に位置する部分を含まない。各内部導体４１，４３は、第二方向Ｄ２において、各内部電極９，１１とは異なる位置（層）に位置する。各内部導体４１，４３は、第二方向Ｄ２において、互いに異なる位置（層）に位置していてもよい。
【0040】
各内部導体４１は、部分４１ａと部分４１ｂとを含む。部分４１ａは、素体領域３１に対向すると共に、第一方向Ｄ１において、素体領域３１の幅より大きい幅を有する。部分４１ａは、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１の少なくとも一部と重なっている。本実施形態では、部分４１ａは、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１の全体と重なっている。部分４１ａは、たとえば、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１と重なっている第一領域と、第一領域の両側に位置している一対の第二領域と、を含む。一対の第二領域は、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１と重なっていない。一対の第二領域は、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向していない。
部分４１ｂは、部分４１ａと導体部分２１とを物理的に連結している。部分４１ｂは、部分４１ａと導体部分２１とに物理的に接続されている。部分４１ｂは、部分４１ａに接続されている端と、導体部分２１に接続されている端とを含む。導体部分２１に接続されている端は、側面３ｅに露出している。部分４１ｂの第一方向Ｄ１での長さは、導体部分２１の第一方向Ｄ１での長さより小さい。各部分４１ａ，４１ｂは、第二方向Ｄ２から見て、たとえば、矩形状を呈する。部分４１ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４１ｂの第一方向Ｄ１での長さより大きい。部分４１ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４１ｂの第一方向Ｄ１での長さと同等でもよい。部分４１ａと部分４１ｂとは、一体に形成されている。
たとえば、部分４１ａが、第一部分を含む場合、部分４１ｂは、第二部分を含む。
部分４１ｂは、部分４１ａと導体部分２１とを物理的に連結している。部分４１ｂは、部分４１ａと導体部分２１とに物理的に接続されている。部分４１ｂは、部分４１ａに接続されている端と、導体部分２１に接続されている端とを含む。導体部分２１に接続されている端は、側面３ｅに露出している。部分４１ｂの第一方向Ｄ１での長さは、導体部分２１の第一方向Ｄ１での長さより小さい。各部分４１ａ，４１ｂは、第二方向Ｄ２から見て、たとえば、矩形状を呈する。部分４１ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４１ｂの第一方向Ｄ１での長さより大きい。部分４１ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４１ｂの第一方向Ｄ１での長さと同等でもよい。部分４１ａと部分４１ｂとは、一体に形成されている。
たとえば、部分４１ａが、第一部分を含む場合、部分４１ｂは、第二部分を含む。
【0041】
各内部導体４３は、部分４３ａと部分４３ｂとを含む。部分４３ａは、素体領域３１に対向すると共に、第一方向Ｄ１において、素体領域３１の幅より大きい幅を有する。部分４３ａは、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３３の少なくとも一部と重なっている。本実施形態では、部分４３ａは、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１の全体と重なっている。部分４３ａは、たとえば、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１と重なっている第三領域と、第三領域の両側に位置している一対の第四領域と、を含む。一対の第四領域は、第三方向Ｄ３から見て、素体領域３１と重なっていない。一対の第四領域は、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向していない。
部分４３ｂは、部分４３ａと導体部分２３とを物理的に連結している。部分４３ｂは、部分４３ａと導体部分２３とに物理的に接続されている。部分４３ｂは、部分４３ａに接続されている端と、導体部分２３に接続されている端とを含む。導体部分２３に接続されている端は、側面３ｆに露出している。部分４３ｂの第一方向Ｄ１での長さは、導体部分２３の第一方向Ｄ１での長さより小さい。各部分４３ａ，４３ｂは、第二方向Ｄ２から見て、たとえば、矩形状を呈する。部分４３ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４３ｂの第一方向Ｄ１での長さより大きい。部分４３ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４３ｂの第一方向Ｄ１での長さと同等でもよい。部分４３ａと部分４３ｂとは、一体に形成されている。
たとえば、部分４３ａが、第一部分を含む場合、部分４３ｂは、第二部分を含む。
部分４３ｂは、部分４３ａと導体部分２３とを物理的に連結している。部分４３ｂは、部分４３ａと導体部分２３とに物理的に接続されている。部分４３ｂは、部分４３ａに接続されている端と、導体部分２３に接続されている端とを含む。導体部分２３に接続されている端は、側面３ｆに露出している。部分４３ｂの第一方向Ｄ１での長さは、導体部分２３の第一方向Ｄ１での長さより小さい。各部分４３ａ，４３ｂは、第二方向Ｄ２から見て、たとえば、矩形状を呈する。部分４３ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４３ｂの第一方向Ｄ１での長さより大きい。部分４３ａの第一方向Ｄ１での長さは、部分４３ｂの第一方向Ｄ１での長さと同等でもよい。部分４３ａと部分４３ｂとは、一体に形成されている。
たとえば、部分４３ａが、第一部分を含む場合、部分４３ｂは、第二部分を含む。
【0042】
外部電極５，７及び外部導体２０のそれぞれは、たとえば、焼結金属層を含む。焼結金属層は、導電性ペーストを焼き付けることにより形成される。焼結金属層は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成される。焼結金属層は、貴金属又は貴金属合金を含む。貴金属は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔを含む。貴金属合金は、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金を含む。焼結金属層は、卑金属又は卑金属合金を含んでもよい。卑金属は、たとえば、Ｃｕ又はＮｉを含む。導電性ペーストは、たとえば、上述した種類の金属粉末、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含む。
【0043】
外部電極５，７及び外部導体２０のそれぞれは、めっき層を含んでもよい。めっき層は、焼結金属層上に形成される。めっき層は、二層構造を有してもよい。めっき層が二層構造を有する構成では、第一層は、たとえば、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層を含む。第一層上に形成される第二層は、たとえば、Ｓｎめっき層、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層を含む。めっき層は、三層以上の層構造を有してもよい。外部電極５，７及び外部導体２０のそれぞれの厚さは、たとえば、５０～１００μｍである。
【0044】
内部電極９，１１及び内部導体４０のそれぞれは、積層型電子部品の内部導体として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、貴金属又は貴金属合金を含む。貴金属は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔを含む。貴金属合金は、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金を含む。導電性材料は、卑金属又は卑金属合金を含んでもよい。卑金属は、たとえば、Ｃｕ又はＮｉを含む。内部電極９，１１及び内部導体４０のそれぞれは、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。内部電極９，１１及び内部導体４０のそれぞれの厚さは、たとえば、０．５～５μｍである。
【0045】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、外部導体２０が、素体３上に配置されている。したがって、熱源からの熱が、外部導体２０を通して、素体３に伝わりやすい。
側面３ｅと側面３ｆとは、第三方向Ｄ３で互いに対向する。側面３ｅは、素体領域３１に、直接的に対向する傾向にある。素体領域３１は、上述したように、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の特性に寄与する。外部導体２０が含む導体部分２１は、側面３ｅに配置されていると共に、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向する。したがって、導体部分２１から素体領域３１に、熱が伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性に優れる。
側面３ｅと側面３ｆとは、第三方向Ｄ３で互いに対向する。側面３ｅは、素体領域３１に、直接的に対向する傾向にある。素体領域３１は、上述したように、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１の特性に寄与する。外部導体２０が含む導体部分２１は、側面３ｅに配置されていると共に、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向する。したがって、導体部分２１から素体領域３１に、熱が伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性に優れる。
【0046】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、外部導体２０と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１は、導体部分２１の内側に位置している。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱を導体部分２１から素体領域３１に確実に伝えやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱を導体部分２１から素体領域３１に確実に伝えやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0047】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、内部導体４１を含む。
熱源からの熱は、導体部分２１及び内部導体４１を通して、素体領域３１に伝わりやすい。内部導体４１は、素体領域３１と対向する。したがって、熱が、内部導体４１から素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
熱源からの熱は、導体部分２１及び内部導体４１を通して、素体領域３１に伝わりやすい。内部導体４１は、素体領域３１と対向する。したがって、熱が、内部導体４１から素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0048】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、内部導体４１は、部分４１ａと部分４１ｂとを含む。
熱源からの熱は、導体部分２１から、部分４１ｂと部分４１ａとを通して、素体領域３１に伝わりやすい。部分４１ａの幅は、素体領域３１の幅より大きい。したがって、熱が、部分４１ａから素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
熱源からの熱は、導体部分２１から、部分４１ｂと部分４１ａとを通して、素体領域３１に伝わりやすい。部分４１ａの幅は、素体領域３１の幅より大きい。したがって、熱が、部分４１ａから素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0049】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、外部導体２０は、導体部分２３を含む。
側面３ｆは、素体領域３１に、直接的に対向する傾向にある。導体部分２３は、側面３ｆに配置されていると共に、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向する。したがって、熱が、導体部分２３からも素体領域３１に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
側面３ｆは、素体領域３１に、直接的に対向する傾向にある。導体部分２３は、側面３ｆに配置されていると共に、素体領域３１と第三方向Ｄ３で対向する。したがって、熱が、導体部分２３からも素体領域３１に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0050】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、導体部分２３と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１は、導体部分２３の内側に位置している。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱を導体部分２３から素体領域３１に確実に伝えやすい。したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱を導体部分２３から素体領域３１に確実に伝えやすい。したがって、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0051】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、内部導体４３を含む。
熱源からの熱は、導体部分２３及び内部導体４３を通して、素体領域３１に伝わりやすい。内部導体４３は、素体領域３１と対向する。したがって、熱が、内部導体４３から素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
熱源からの熱は、導体部分２３及び内部導体４３を通して、素体領域３１に伝わりやすい。内部導体４３は、素体領域３１と対向する。したがって、熱が、内部導体４３から素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0052】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、内部導体４３は、部分４３ａと部分４３ｂとを含む。
熱源からの熱は、導体部分２３から、部分４３ｂと部分４３ａとを通して、素体領域３１に伝わりやすい。部分４３ａの幅は、素体領域３１の幅より大きい。したがって、熱が、部分４３ａから素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
熱源からの熱は、導体部分２３から、部分４３ｂと部分４３ａとを通して、素体領域３１に伝わりやすい。部分４３ａの幅は、素体領域３１の幅より大きい。したがって、熱が、部分４３ａから素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0053】
図５、図６及び図７を参照しながら、本実施形態の第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１について説明する。図５～図７は、第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子の断面構成を示す図である。図５～図７では、ハッチングが省略されている。第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、内部導体４０の構成を除いて、上述した実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１と同一の構成を有している。
【0054】
第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、内部導体４０は、互いに連結されている内部導体４１，４３を含む。互いに連結されている内部導体４１，４３は、第二方向Ｄ２において、同じ位置（層）に位置している。内部導体４０は、内部導体４１と内部導体４３とを物理的に連結している、少なくとも一つの部分４５を含む。内部導体４０は、一対の部分４５を含んでもよい。内部導体４０は、一対の導体部分２１，２３を物理的に連結している。部分４１ａ，４１ｂと、部分４３ａ，４３ｂと、部分４５とは一体に形成されている。
【0055】
内部導体４０は、内部導体４１が含む部分４１ａ，４１ｂと、内部導体４３が含む部分４３ａ，４３ｂと、部分４５と、を含む。部分４５は、部分４１ａと部分４３ａとを物理的に連結している。部分４５は、各部分４１ａ，４３ａが含むと共に第三方向Ｄ３で対向する端同士を物理的に連結している。部分４５は、部分４１ａに物理的に接続されている端と、部分４３ａに物理的に接続されている端と、を含む。部分４５は、第一方向Ｄ１で素体領域３１と対向する。
【0056】
部分４５は、素体領域３１から離間しており、素体領域３１内に位置する部分を含まない。部分４１ａと、部分４３ａと、部分４５とは、第二方向Ｄ２から見て、素体領域３１を囲むように配置されている。素体領域３１は、第二方向Ｄ２から見て、部分４１ａと、部分４３ａと、一対の部分４５とで囲まれる領域内に位置している。部分４１ａと、部分４３ａと、一対の部分４５とで囲まれる領域は、第二方向Ｄ２から見て、略矩形状を呈する。部分４１ａと、部分４３ａと、部分４５とは、略矩形環状を呈する。内部導体４０は、素体領域３１を貫通していない。
たとえば、部分４１ａ，４３ａ，４５からなる部位が第一部分を含む場合、部分４１ｂが第二部分を含んでもよく、部分４３ｂが第三部分を含んでもよい。
たとえば、部分４１ａ，４３ａ，４５からなる部位が第一部分を含む場合、部分４１ｂが第二部分を含んでもよく、部分４３ｂが第三部分を含んでもよい。
【0057】
第一変形例では、内部導体４０は、内部導体４１が含む部分４１ａ，４１ｂと、内部導体４３が含む部分４３ａ，４３ｂと、部分４５と、を含む。
熱源からの熱は、導体部分２１から、部分４１ｂと部分４１ａと部分４５とを通して、素体領域３１に伝わりやすく、導体部分２３から、部分４３ｂと部分４３ａと部分４５とを通して、素体領域３１に伝わりやすい。部分４１ａと、部分４３ａと、部分４５とは、第二方向Ｄ２から見て、素体領域３１を囲んでいる。したがって、熱が、部分４１ａ、部分４３ａ、及び部分４５から素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、第一変形例では、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
熱源からの熱は、導体部分２１から、部分４１ｂと部分４１ａと部分４５とを通して、素体領域３１に伝わりやすく、導体部分２３から、部分４３ｂと部分４３ａと部分４５とを通して、素体領域３１に伝わりやすい。部分４１ａと、部分４３ａと、部分４５とは、第二方向Ｄ２から見て、素体領域３１を囲んでいる。したがって、熱が、部分４１ａ、部分４３ａ、及び部分４５から素体領域３１に確実に伝わりやすい。この結果、第一変形例では、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、熱応答性により一層優れる。
【0058】
図８を参照しながら、本実施形態の第二変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１について説明する。図８は、第二変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。第二変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、外部導体２０の構成を除いて、上述した実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１、又は、第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１と同一の構成を有している。
第二変形例における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成は、上述した実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１、又は、第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成と同じである。
第二変形例における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成は、上述した実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１、又は、第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成と同じである。
【0059】
第二変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、外部導体２０は、複数の導体部分２１，２３，２５，２７を含む。
導体部分２５は、側面３ｃ上に配置されている。導体部分２５は、一対の導体部分２１，２３を物理的に連結している。導体部分２５は、一対の導体部分２１，２３のそれぞれと物理的に接続されている。導体部分２５と素体領域３１とを第二方向から見たとき、導体部分２５と素体領域３１とは互いに重なっている。導体部分２５と素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、導体部分２５の内側に位置している。導体部分２５と素体領域３１とを見たとき、導体部分２５と素体領域３１とは互いに対向する。
導体部分２７は、側面３ｄ上に配置されている。導体部分２７は、一対の導体部分２１，２３を物理的に連結している。導体部分２７は、一対の導体部分２１，２３のそれぞれと物理的に接続されている。導体部分２７と素体領域３１とを第二方向から見たとき、導体部分２７と素体領域３１とは互いに重なっている。導体部分２７と素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、導体部分２７の内側に位置している。導体部分２７と素体領域３１とを見たとき、導体部分２７と素体領域３１とは互いに対向する。
導体部分２５と導体部分２７とは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。各導体部分２１，２３，２５，２７は、一体に形成されている。外部導体２０は、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ上に連続して配置されている。
導体部分２５は、側面３ｃ上に配置されている。導体部分２５は、一対の導体部分２１，２３を物理的に連結している。導体部分２５は、一対の導体部分２１，２３のそれぞれと物理的に接続されている。導体部分２５と素体領域３１とを第二方向から見たとき、導体部分２５と素体領域３１とは互いに重なっている。導体部分２５と素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、導体部分２５の内側に位置している。導体部分２５と素体領域３１とを見たとき、導体部分２５と素体領域３１とは互いに対向する。
導体部分２７は、側面３ｄ上に配置されている。導体部分２７は、一対の導体部分２１，２３を物理的に連結している。導体部分２７は、一対の導体部分２１，２３のそれぞれと物理的に接続されている。導体部分２７と素体領域３１とを第二方向から見たとき、導体部分２７と素体領域３１とは互いに重なっている。導体部分２７と素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、導体部分２７の内側に位置している。導体部分２７と素体領域３１とを見たとき、導体部分２７と素体領域３１とは互いに対向する。
導体部分２５と導体部分２７とは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。各導体部分２１，２３，２５，２７は、一体に形成されている。外部導体２０は、四つの側面３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ上に連続して配置されている。
【0060】
図９を参照しながら、本実施形態の第三変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１について説明する。図９は、第三変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子を示す斜視図である。第三変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、外部導体２０の構成を除いて、第二変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１と同一の構成を有している。
第三変形例における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成は、上述した実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１、又は、第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成と同じである。
第三変形例における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成は、上述した実施形態に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１、又は、第一変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１における内部電極９，１１及び内部導体４０の構成と同じである。
【0061】
第三変形例に係るＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、導体部分２５は、部分２５ａと一対の部分２５ｂとを含む。一対の部分２５ｂは、部分２５ａの両側に位置している。一対の部分２５ｂのうち一方は、導体部分２１と物理的に接続されている。一対の部分２５ｂのうち他方は、導体部分２３と物理的に接続されている。導体部分２７は、部分２７ａと一対の部分２７ｂとを含む。一対の部分２７ｂは、部分２７ａの両側に位置している。一対の部分２７ｂのうち一方は、導体部分２１と物理的に接続されている。一対の部分２７ｂのうち他方は、導体部分２３と物理的に接続されている。
【0062】
部分２５ａは、一対の部分２５ｂの間に位置している。部分２５ａと一対の部分２５ｂとは連続している。部分２５ａと一対の部分２５ｂとは、一体に形成されている。部分２５ａの第一方向Ｄ１での長さは、一対の部分２５ｂの第一方向Ｄ１での各長さより大きい。一対の部分２５ｂの第一方向Ｄ１での各長さは、一対の導体部分２１，２３の第一方向Ｄ１での各長さと略同等である。部分２５ａと素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、部分２５ａの内側に位置している。部分２５ａと素体領域３１とを見たとき、部分２５ａと素体領域３１とは互いに対向する。
部分２７ａは、一対の部分２７ｂの間に位置している。部分２７ａと一対の部分２７ｂとは連続している。部分２７ａと一対の部分２７ｂとは、一体に形成されている。部分２７ａの第一方向Ｄ１での長さは、一対の部分２７ｂの第一方向Ｄ１での各長さより大きい。一対の部分２７ｂの第一方向Ｄ１での各長さは、一対の導体部分２１，２３の第一方向Ｄ１での各長さと略同等である。部分２７ａと素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、部分２７ａの内側に位置している。部分２７ａと素体領域３１とを見たとき、部分２７ａと素体領域３１とは互いに対向する。
各導体部分２１，２３は、導体部分２５，２７と同様に、一対の部分と、一対の部分の間に位置すると共に一対の部分の第一方向Ｄ１での各長さより大きい第一方向Ｄ１での長さを有する部分と、を含んでもよい。
部分２７ａは、一対の部分２７ｂの間に位置している。部分２７ａと一対の部分２７ｂとは連続している。部分２７ａと一対の部分２７ｂとは、一体に形成されている。部分２７ａの第一方向Ｄ１での長さは、一対の部分２７ｂの第一方向Ｄ１での各長さより大きい。一対の部分２７ｂの第一方向Ｄ１での各長さは、一対の導体部分２１，２３の第一方向Ｄ１での各長さと略同等である。部分２７ａと素体領域３１とを第二方向から見たとき、素体領域３１は、部分２７ａの内側に位置している。部分２７ａと素体領域３１とを見たとき、部分２７ａと素体領域３１とは互いに対向する。
各導体部分２１，２３は、導体部分２５，２７と同様に、一対の部分と、一対の部分の間に位置すると共に一対の部分の第一方向Ｄ１での各長さより大きい第一方向Ｄ１での長さを有する部分と、を含んでもよい。
【0063】
次に、図１０を参照して、電子部品装置ＥＣＤの構成を説明する。図１０は、本実施形態に係る電子部品装置を示す図である。
電子部品装置ＥＣＤは、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１と、発熱し得る電子部品ＥＤと、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１及び電子部品ＥＤが実装される電子機器ＥＳと、を備える。電子部品ＥＤは、熱源となり得る。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、電子部品ＥＤにて発生する熱を検出する。電子部品ＥＤは、たとえば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）、又はＰＭＩＣ（Power Management Integrated Circuit）を含む。
電子機器ＥＳは、たとえば、回路基板を含む。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１及び電子部品ＥＤは、たとえば、電子機器ＥＳにはんだ実装される。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、たとえば、側面３ｄが、電子機器ＥＳと対向する。この場合、側面３ｄは、実装面を構成するように配置される。側面３ｄは、実装面である。側面３ｃが、実装面であってもよい。図１０では、はんだフィレットの図示が省略されている。電子機器ＥＳは、回路基板の代わりに、たとえば、電子部品ＥＤとは別の電子部品を含んでもよい。この場合、電子部品ＥＤは、別の電子部品に実装される。
電子部品装置ＥＣＤは、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１と、発熱し得る電子部品ＥＤと、ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１及び電子部品ＥＤが実装される電子機器ＥＳと、を備える。電子部品ＥＤは、熱源となり得る。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１は、電子部品ＥＤにて発生する熱を検出する。電子部品ＥＤは、たとえば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）、又はＰＭＩＣ（Power Management Integrated Circuit）を含む。
電子機器ＥＳは、たとえば、回路基板を含む。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１及び電子部品ＥＤは、たとえば、電子機器ＥＳにはんだ実装される。ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、たとえば、側面３ｄが、電子機器ＥＳと対向する。この場合、側面３ｄは、実装面を構成するように配置される。側面３ｄは、実装面である。側面３ｃが、実装面であってもよい。図１０では、はんだフィレットの図示が省略されている。電子機器ＥＳは、回路基板の代わりに、たとえば、電子部品ＥＤとは別の電子部品を含んでもよい。この場合、電子部品ＥＤは、別の電子部品に実装される。
【0064】
電子機器ＥＳは、たとえば、基板５１と、一対の導体５３と、熱伝導体５５と、を含む。一対の導体５３と熱伝導体５５とは、基板５１に配置されている。一対の導体５３と熱伝導体５５とは、互いに電気的に絶縁されている。一対の導体５３は、たとえば、一対の電極パッドを含む。一対の外部電極５，７のそれぞれは、一対の電極パッドのうち対応する電極パッドと物理的かつ電気的に接続されている。
外部導体２０は、熱伝導体５５と物理的に接続されている。熱伝導体５５は、たとえば、電子部品ＥＤと物理的に接続されている。熱伝導体５５は、電子部品ＥＤと物理的かつ電気的に接続されていてもよい。熱伝導体５５は、たとえば、金属を含む。熱伝導体５５は、たとえば、Ｃｕを含む。熱伝導体５５は、たとえば、グラウンドパターンであってもよい。熱伝導体５５は、電子部品ＥＤと物理的に接続されていなくてもよい。熱伝導体５５は、電子部品ＥＤと近接していてもよい。
外部導体２０は、熱伝導体５５と物理的に接続されている。熱伝導体５５は、たとえば、電子部品ＥＤと物理的に接続されている。熱伝導体５５は、電子部品ＥＤと物理的かつ電気的に接続されていてもよい。熱伝導体５５は、たとえば、金属を含む。熱伝導体５５は、たとえば、Ｃｕを含む。熱伝導体５５は、たとえば、グラウンドパターンであってもよい。熱伝導体５５は、電子部品ＥＤと物理的に接続されていなくてもよい。熱伝導体５５は、電子部品ＥＤと近接していてもよい。
【0065】
電子部品装置ＥＣＤでは、電子部品ＥＤが発熱する場合、電子部品ＥＤにて発生した熱は、電子部品ＥＤから熱伝導体５５に伝わる。熱伝導体５５に伝わった熱は、外部導体２０から素体３に伝わる。
電子部品装置ＥＣＤでは、熱源からの熱が、熱伝導体５５を通して外部導体２０に伝わりやすい。したがって、電子部品装置ＥＣＤは、熱を、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１に確実に伝える。
電子部品装置ＥＣＤでは、熱源からの熱が、熱伝導体５５を通して外部導体２０に伝わりやすい。したがって、電子部品装置ＥＣＤは、熱を、熱応答性に優れるＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１に確実に伝える。
【0066】
以上、本発明の実施形態及び第一～第三変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態及び第一～第三変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0067】
ＮＴＣサーミスタ素子Ｔ１では、外部導体２０と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１の全体が、導体部分２１の内側に位置していなくてよい。外部導体２０と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１の一部が、導体部分２１の内側に位置していてもよい。外部導体２０と素体領域３１とを第三方向Ｄ３から見たときに、素体領域３１の全体が、導体部分２１の内側に位置している構成は、上述したように、熱応答性により一層優れる。
【0068】
上述した実施形態及び変形例の記載から把握されるとおり、本明細書は、以下に示す態様の開示を含んでいる。
（付記１）
第一方向で互いに対向する一対の端面と、前記第一方向に交差する第二方向で互いに対向する第一側面及び第二側面と、前記第一方向と前記第二方向とに交差する第三方向で互いに対向する第三側面及び第四側面と、を含むサーミスタ素体と、
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
前記第二方向で互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記一対の外部電極のうち対応する外部電極にそれぞれ電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記サーミスタ素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記第二方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記第三側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、前記第三方向で互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
（付記２）
前記外部導体と前記素体領域とを前記第三方向から見たときに、前記素体領域は、前記導体部分の内側に位置している、付記１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記３）
前記素体領域と対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記導体部分に物理的に接続されている内部導体を更に備える、付記１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記４）
前記内部導体は、
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に連結している第二部分と、を含む、付記３に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記５）
前記外部導体は、前記第四側面に配置されていると共に前記第三方向で前記素体領域に対向する別の導体部分を含む、付記１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記６）
前記素体領域と前記別の導体部分とを前記第三方向から見たときに、前記素体領域は、前記別の導体部分の内側に位置している、付記５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記７）
前記素体領域と対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記別の導体部分に物理的に接続されている内部導体を更に備える、付記５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記８）
前記内部導体は、
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第二部分と、を含む、付記７に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記９）
前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記外部導体に物理的に接続されている内部導体を更に備え、
前記内部導体は、
前記第二方向から見て、前記素体領域を囲むように配置されている第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に接続している第二部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第三部分と、を含む、付記５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記１０）
互いに対向する一対の端面と、前記一対の端面を連結している少なくとも一つの側面と、を含むサーミスタ素体と、
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、それぞれが前記一対の外部電極のうち対応する外部電極に電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記一対の内部電極が互いに対向する方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記少なくとも一つの側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
（付記１１）
付記１～１０のいずれか一つに記載の前記ＮＴＣサーミスタ素子と、
前記ＮＴＣサーミスタ素子が実装される電子機器と、を備え、
前記電子機器は、
それぞれに前記一対の外部電極のうち対応する外部電極が電気的かつ物理的に接続されている一対の導体と、
前記外部導体が物理的に接続されている熱伝導体と、を含む、電子部品装置。
（付記１）
第一方向で互いに対向する一対の端面と、前記第一方向に交差する第二方向で互いに対向する第一側面及び第二側面と、前記第一方向と前記第二方向とに交差する第三方向で互いに対向する第三側面及び第四側面と、を含むサーミスタ素体と、
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
前記第二方向で互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記一対の外部電極のうち対応する外部電極にそれぞれ電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記サーミスタ素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記第二方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記第三側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、前記第三方向で互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
（付記２）
前記外部導体と前記素体領域とを前記第三方向から見たときに、前記素体領域は、前記導体部分の内側に位置している、付記１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記３）
前記素体領域と対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記導体部分に物理的に接続されている内部導体を更に備える、付記１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記４）
前記内部導体は、
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に連結している第二部分と、を含む、付記３に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記５）
前記外部導体は、前記第四側面に配置されていると共に前記第三方向で前記素体領域に対向する別の導体部分を含む、付記１に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記６）
前記素体領域と前記別の導体部分とを前記第三方向から見たときに、前記素体領域は、前記別の導体部分の内側に位置している、付記５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記７）
前記素体領域と対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記別の導体部分に物理的に接続されている内部導体を更に備える、付記５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記８）
前記内部導体は、
前記素体領域に対向すると共に、前記第一方向において、前記素体領域の幅より大きい幅を有する第一部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第二部分と、を含む、付記７に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記９）
前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、前記外部導体に物理的に接続されている内部導体を更に備え、
前記内部導体は、
前記第二方向から見て、前記素体領域を囲むように配置されている第一部分と、
前記第一部分と前記導体部分とを物理的に接続している第二部分と、
前記第一部分と前記別の導体部分とを物理的に接続している第三部分と、を含む、付記５に記載のＮＴＣサーミスタ素子。
（付記１０）
互いに対向する一対の端面と、前記一対の端面を連結している少なくとも一つの側面と、を含むサーミスタ素体と、
前記一対の端面のうち対応する端面にそれぞれ配置されている一対の外部電極と、
互いに対向するように前記サーミスタ素体内に配置されていると共に、それぞれが前記一対の外部電極のうち対応する外部電極に電気的に接続されている一対の内部電極と、
前記一対の外部電極から離間して、前記素体上に配置されている外部導体と、を備え、
前記サーミスタ素体は、前記一対の内部電極が互いに対向する方向で、前記一対の内部電極の間に位置している素体領域を含み、
前記外部導体は、前記少なくとも一つの側面に配置されている導体部分を含み、
前記素体領域と、前記導体部分とは、互いに対向する、ＮＴＣサーミスタ素子。
（付記１１）
付記１～１０のいずれか一つに記載の前記ＮＴＣサーミスタ素子と、
前記ＮＴＣサーミスタ素子が実装される電子機器と、を備え、
前記電子機器は、
それぞれに前記一対の外部電極のうち対応する外部電極が電気的かつ物理的に接続されている一対の導体と、
前記外部導体が物理的に接続されている熱伝導体と、を含む、電子部品装置。
【符号の説明】
【0069】
３…素体、３ａ，３ｂ…端面、３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ…側面、５，７…外部電極、９，１１…内部電極、２０…外部導体、２１，２３，２５，２７…導体部分、３１…素体領域、４０，４１，４３…内部導体、４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ，４５…内部導体が含む部分、５５…熱伝導体、ＥＳ…電子機器、ＥＣＤ…電子部品装置、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、Ｔ１…ＮＴＣサーミスタ素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】