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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024108627
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】高周波モジュール、及び通信装置
(51)【国際特許分類】
H04B 1/38 20150101AFI20240805BHJP
【ＦＩ】
H04B1/38
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023013083
(22)【出願日】2023-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】西尾 圭介
【テーマコード（参考）】
5K011
【Ｆターム（参考）】
5K011AA06
5K011AA13
5K011BA04
5K011DA02
5K011DA12
5K011DA27
5K011JA01
(57)【要約】
【課題】高周波モジュールにおいて、送信フィルタの放熱性能の低下と、送信フィルタと受信フィルタの間のアイソレーションの低下と、を抑制する。
【解決手段】高周波モジュール１は、第１主面３１を有する実装基板３と、電子部品４０と、第２受信フィルタ１３２と、を備える。電子部品４０は、送信フィルタと第１受信フィルタとを含み、実装基板３の第１主面３１に配置されている。第２受信フィルタ１３２は、電子部品４０上に積層配置されている。送信フィルタの通過帯域と、第２受信フィルタ１３２の通過帯域とは重ならない。実装基板３の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１受信フィルタが位置している電子部品４０の第１領域４１は第２受信フィルタ１３２と重なり、送信フィルタが位置している電子部品４０の第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１上のフィルタのいずれとも重ならない。
【選択図】図１
【解決手段】高周波モジュール１は、第１主面３１を有する実装基板３と、電子部品４０と、第２受信フィルタ１３２と、を備える。電子部品４０は、送信フィルタと第１受信フィルタとを含み、実装基板３の第１主面３１に配置されている。第２受信フィルタ１３２は、電子部品４０上に積層配置されている。送信フィルタの通過帯域と、第２受信フィルタ１３２の通過帯域とは重ならない。実装基板３の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１受信フィルタが位置している電子部品４０の第１領域４１は第２受信フィルタ１３２と重なり、送信フィルタが位置している電子部品４０の第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１上のフィルタのいずれとも重ならない。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
送信フィルタと第１受信フィルタとを含み、前記実装基板の前記第１主面に配置されている電子部品と、
前記電子部品上に積層配置されている第２受信フィルタと、を備え、
前記送信フィルタの通過帯域と、前記第２受信フィルタの通過帯域とは重ならず、
前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、
前記電子部品において前記第１受信フィルタが位置している第１領域は、前記第２受信フィルタと重なり、
前記電子部品において前記送信フィルタが位置している第２領域は、前記実装基板の前記第１主面に配置されているフィルタのいずれとも重ならない、
高周波モジュール。
送信フィルタと第１受信フィルタとを含み、前記実装基板の前記第１主面に配置されている電子部品と、
前記電子部品上に積層配置されている第２受信フィルタと、を備え、
前記送信フィルタの通過帯域と、前記第２受信フィルタの通過帯域とは重ならず、
前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、
前記電子部品において前記第１受信フィルタが位置している第１領域は、前記第２受信フィルタと重なり、
前記電子部品において前記送信フィルタが位置している第２領域は、前記実装基板の前記第１主面に配置されているフィルタのいずれとも重ならない、
高周波モジュール。
【請求項2】
前記電子部品は、前記実装基板の厚さ方向に前記第１領域を貫通する貫通ビアを有しており、
前記貫通ビアは、
前記第２受信フィルタと接続されている第１端と、
前記実装基板又は前記第１受信フィルタに接続されている第２端と、を有する
請求項１に記載の高周波モジュール。
前記貫通ビアは、
前記第２受信フィルタと接続されている第１端と、
前記実装基板又は前記第１受信フィルタに接続されている第２端と、を有する
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項3】
第３受信フィルタを更に備え、
前記高周波モジュールは、前記送信フィルタを通過する第１バンドの信号と、前記第３受信フィルタを通過する第２バンドの信号とを同時に用いて通信することが可能であり、
前記第３受信フィルタは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
前記高周波モジュールは、前記送信フィルタを通過する第１バンドの信号と、前記第３受信フィルタを通過する第２バンドの信号とを同時に用いて通信することが可能であり、
前記第３受信フィルタは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項4】
前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、
前記電子部品の前記第２領域と、前記第３受信フィルタとは重ならない、
請求項３に記載の高周波モジュール。
前記電子部品の前記第２領域と、前記第３受信フィルタとは重ならない、
請求項３に記載の高周波モジュール。
【請求項5】
前記高周波モジュールは、
前記第２受信フィルタを通過する第３バンドの信号を用いて通信することが可能であり、
前記第３バンドの信号と、前記第１バンドの信号と、を同時に用いて通信しない、
請求項３又は４に記載の高周波モジュール。
前記第２受信フィルタを通過する第３バンドの信号を用いて通信することが可能であり、
前記第３バンドの信号と、前記第１バンドの信号と、を同時に用いて通信しない、
請求項３又は４に記載の高周波モジュール。
【請求項6】
前記実装基板の前記第２主面に配置されているシールド部材を更に備え、
前記シールド部材は、前記第３受信フィルタの周囲に位置している、
請求項３に記載の高周波モジュール。
前記シールド部材は、前記第３受信フィルタの周囲に位置している、
請求項３に記載の高周波モジュール。
【請求項7】
前記第３受信フィルタを複数備え、
前記電子部品を第１電子部品としたとき、前記複数の第３受信フィルタは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている第２電子部品に含まれる、
請求項３に記載の高周波モジュール。
前記電子部品を第１電子部品としたとき、前記複数の第３受信フィルタは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている第２電子部品に含まれる、
請求項３に記載の高周波モジュール。
【請求項8】
前記複数の第３受信フィルタの各々は、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２、Ｂａｎｄ１３及びＢａｎｄ１４の各々の信号を通過させるフィルタを含む、
請求項７に記載の高周波モジュール。
請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項9】
請求項１に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、
を備える通信装置。
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、
を備える通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は高周波モジュール及び通信装置に関し、特に、送信フィルタ及び受信フィルタを含む高周波モジュール及び通信装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、複数のフィルタを含む高周波モジュールが開示されている。特許文献１において、第１通信バンドを通過帯域とする第１フィルタと、第１通信バンドと異なる第２通信バンドを通過帯域とする第２フィルタとが積層されている。複数のフィルタを含む高周波モジュールは、複数の受信フィルタを含む高周波モジュールだけでなく、いわゆるデュプレクサなど、受信フィルタと送信フィルタとを含む高周波モジュールが存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０２０／２６２０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、送信フィルタと受信フィルタとを含む高周波モジュールにおいて、特許文献１の高周波モジュールのように送信フィルタと他のフィルタとを積層すると、送信フィルタの放熱性能が十分でない場合がある。また、高周波モジュールにおいて、送信フィルタと受信フィルタとを積層すると、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーションが低下する場合がある。
【0005】
本発明は、送信フィルタ及び受信フィルタを含む高周波モジュール及び通信装置において、送信フィルタの放熱性能の低下を抑制し、かつ、送信フィルタと受信フィルタとの間でのアイソレーションの低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、第２受信フィルタと、を備える。前記実装基板は、第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、送信フィルタと第１受信フィルタとを含む。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記第２受信フィルタは、前記電子部品上に積層配置されている。前記送信フィルタの通過帯域と、前記第２受信フィルタの通過帯域とは重ならない。前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、第１領域は、前記第２受信フィルタと重なる。前記第１領域は、前記電子部品において前記第１受信フィルタが位置している領域である。前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、第２領域は、前記実装基板の前記第１主面に配置されているフィルタのいずれとも重ならない。前記第２領域は、前記電子部品において前記送信フィルタが位置している領域である。
【0007】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一態様に係る高周波モジュール又は通信装置によれば、送信フィルタの放熱性能の低下を抑制し、かつ、送信フィルタと受信フィルタとの間でのアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を用いて説明する。以下の実施形態において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【0011】
（実施形態１）
（１）高周波モジュールの概要
実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を用いて説明する。
（１）高周波モジュールの概要
実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を用いて説明する。
【0012】
高周波モジュール１は、図３に示すように、例えば、通信装置１０に用いられる。通信装置１０は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置１０は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格及び５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能な回路である。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。
【0013】
高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信に用いられる技術をいう。
【0014】
通信装置１０は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、通信装置１０は、通信バンドの送信信号を送信し、複数の通信バンドの各々の受信信号を受信する。より詳細には、高周波モジュール１は、通信バンドＢ１の受信信号及び通信バンドＢ３の受信信号を受信する。また、高周波モジュール１は、通信バンドＢ１の送信信号を送信する。
【0015】
通信装置１０は、１つの通信バンドの送信信号の送信と、他の１つの通信バンドの受信信号の受信とを同時に行う。より詳細には、高周波モジュール１は、通信バンドＢ１の送信信号の送信と、通信バンドＢ１の受信信号の受信とを同時に行う。
【0016】
複数の通信バンドの送信信号及び受信信号の一部は、例えば、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。なお、複数の通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、例えば、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間とに切り替えて行う無線通信技術である。
【0017】
（２）高周波モジュールの回路構成
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図３を参照して説明する。
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図３を参照して説明する。
【0018】
実施形態１に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、第１スイッチ１１と、送信フィルタ１２と、第１受信フィルタ１３１と、第２受信フィルタ１３２と、第２スイッチ１４と、を備える。高周波モジュール１は、整合回路２４１、２４２、２４３、２４４、２４５と、パワーアンプ１６と、ローノイズアンプ１７１及び１７２とを更に備える。高周波モジュール１は、第２スイッチ１４と、第３スイッチ１５と、第４スイッチ１８と、コントローラ２３１と、複数（図示例では６個）の外部接続端子１９を更に備える。複数の外部接続端子１９は、アンテナ端子１９１と、アンテナ端子１９２と、入力端子１９３と、第１出力端子１９４と、第２出力端子１９５と、を備える。
【0019】
（２．１）送信フィルタ及び受信フィルタ
送信フィルタ１２は、通信バンドＢ１の送信帯域の信号を通過させるフィルタである。通信バンドＢ１は、例えば、５Ｇ ＮＲ規格のｎ５である。すなわち、送信フィルタ１２は５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の送信信号を通過させる。なお、送信フィルタ１２は、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の送信信号を通過させるように設計されていてもよい。３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の送信信号の周波数は５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の送信信号の周波数を全て含む。したがって、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の送信信号を通過させるフィルタを、５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の送信信号を通過させるフィルタとして用いることができる。
送信フィルタ１２は、通信バンドＢ１の送信帯域の信号を通過させるフィルタである。通信バンドＢ１は、例えば、５Ｇ ＮＲ規格のｎ５である。すなわち、送信フィルタ１２は５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の送信信号を通過させる。なお、送信フィルタ１２は、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の送信信号を通過させるように設計されていてもよい。３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の送信信号の周波数は５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の送信信号の周波数を全て含む。したがって、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の送信信号を通過させるフィルタを、５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の送信信号を通過させるフィルタとして用いることができる。
【0020】
第１受信フィルタ１３１、第２受信フィルタ１３２の各々は、互いに異なる通信バンドの受信帯域の信号を通過させるフィルタである。
【0021】
第１受信フィルタ１３１は、通信バンドＢ１の受信帯域の信号を通過させるフィルタである。すなわち、第１受信フィルタ１３１は、例えば、５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の受信信号を通過させる。なお、第１受信フィルタ１３１は、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の受信信号を通過させるように設計されていてもよい。３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の受信信号の周波数は５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の受信信号の周波数を全て含む。したがって、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２６の受信信号を通過させるフィルタを、５Ｇ ＮＲ規格のｎ５の受信信号を通過させるフィルタとして用いることができる。
【0022】
第２受信フィルタ１３２は、通信バンドＢ３の受信帯域の信号を通過させるフィルタである。第２受信バンドは、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７１である。すなわち、第２受信フィルタ１３２は３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７１の受信信号を通過させる。
【0023】
送信フィルタ１２の通過帯域と、第２受信フィルタ１３２の通過帯域とは重ならない。ここで、「送信フィルタ１２の通過帯域と、第２受信フィルタ１３２の通過帯域とは重ならない」とは、送信フィルタ１２の通過帯域と第２受信フィルタ１３２の通過帯域とが完全同一の関係ではないことをいう。より詳細には、第２受信フィルタ１３２の通過帯域は、送信フィルタ１２の通過帯域に含まれない周波数を含む。また、送信フィルタ１２の通過帯域は、第２受信フィルタ１３２の通過帯域に含まれない周波数を含む。すなわち、送信フィルタ１２を通過し、第２受信フィルタ１３２を通過しない信号が存在する。また、第２受信フィルタ１３２を通過し、送信フィルタ１２を通過しない信号が存在する。
【0024】
送信フィルタ１２及び第１受信フィルタ１３１、第２受信フィルタ１３２の各々は、例えば、１以上の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。
【0025】
（２．２）第１スイッチ
第１スイッチ１１は、送信フィルタ１２及び第１受信フィルタ１３１、第２受信フィルタ１３２の中からアンテナ端子１９１及びアンテナ端子１９２の各々に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第１スイッチ１１は、共通端子１１１、１１２と、複数（図示例では５つ）の選択端子１１３～１１８と、を有する。
第１スイッチ１１は、送信フィルタ１２及び第１受信フィルタ１３１、第２受信フィルタ１３２の中からアンテナ端子１９１及びアンテナ端子１９２の各々に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第１スイッチ１１は、共通端子１１１、１１２と、複数（図示例では５つ）の選択端子１１３～１１８と、を有する。
【0026】
共通端子１１１は、アンテナ端子１９１に接続されている。共通端子１１２は、アンテナ端子１９２に接続されている。選択端子１１３は、送信フィルタ１２及び第１受信フィルタ１３１に接続されている。選択端子１１４は、第２受信フィルタ１３２に接続されている。選択端子１１５～１１８の各々は、受信フィルタ（図示しない）又はグランドに接続されている。
【0027】
第１スイッチ１１は、例えば、共通端子１１１、１１２の各々を、選択端子１１３～１１８のいずれか１つに接続可能である。
【0028】
（２．３）パワーアンプ
パワーアンプ１６は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ１６は、入力端子１９３と送信フィルタ１２との間に設けられている。
パワーアンプ１６は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ１６は、入力端子１９３と送信フィルタ１２との間に設けられている。
【0029】
パワーアンプ１６は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ１６の入力端子は、入力端子１９３を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。パワーアンプ１６の出力端子は、送信フィルタ１２に接続されている。パワーアンプ１６は、例えば、コントローラ２３１によって制御される。
【0030】
（２．４）ローノイズアンプ
ローノイズアンプ１７１及び１７２の各々は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。
ローノイズアンプ１７１及び１７２の各々は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。
【0031】
ローノイズアンプ１７１及び１７２の各々は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ１７１の入力端子は、第１受信フィルタ１３１に接続されている。ローノイズアンプ１７１の出力端子は、第１出力端子１９４に接続されている。ローノイズアンプ１７２の入力端子は、第２受信フィルタ１３２に接続されている。ローノイズアンプ１７２の出力端子は、第２出力端子１９５に接続されている。
【0032】
（２．５）第２スイッチ
第２スイッチ１４は、複数の受信フィルタの中からローノイズアンプ１７１に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第２スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１４１～１４３と、を有する。
第２スイッチ１４は、複数の受信フィルタの中からローノイズアンプ１７１に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第２スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１４１～１４３と、を有する。
【0033】
共通端子１４０は、ローノイズアンプ１７１に接続されている。選択端子１４１は、第２受信フィルタ１３２に接続されている。選択端子１４２及び１４３の各々は、受信フィルタ（図示しない）又はグランドに接続されている。
【0034】
第２スイッチ１４は、例えば、共通端子１４０を、選択端子１４１～１４３のいずれか１つに接続可能である。
【0035】
（２．６）第３スイッチ
第３スイッチ１５は、複数の受信フィルタの中からローノイズアンプ１７２に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第３スイッチ１５は、共通端子１５０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１５１、１５２と、を有する。
第３スイッチ１５は、複数の受信フィルタの中からローノイズアンプ１７２に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第３スイッチ１５は、共通端子１５０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１５１、１５２と、を有する。
【0036】
共通端子１５０は、ローノイズアンプ１７２に接続されている。選択端子１５１は、第１受信フィルタ１３１に接続されている。選択端子１５２は、受信フィルタ（図示しない）又はグランドに接続されている。
【0037】
第３スイッチ１５は、例えば、共通端子１５０を、選択端子１５１、１５２のいずれか一方に接続可能である。
【0038】
（２．７）第４スイッチ
第４スイッチ１８は、第１出力端子１９４と第２出力端子１９５の各々に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第４スイッチ１８は、共通端子１８１、１８２と、複数（図示例では２つ）の選択端子１８３、１８４とを有する。
第４スイッチ１８は、第１出力端子１９４と第２出力端子１９５の各々に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。第４スイッチ１８は、共通端子１８１、１８２と、複数（図示例では２つ）の選択端子１８３、１８４とを有する。
【0039】
共通端子１８１は、第１出力端子１９４に接続されている。共通端子１８２は、第２出力端子１９５に接続されている。選択端子１８３は、ローノイズアンプ１７１に接続されている。選択端子は、ローノイズアンプ１７２に接続されている。
【0040】
図３には第４スイッチ１８内の接続態様を示していないが、例えば、第４スイッチ１８は、共通端子１８１を、選択端子１８３及び１８４のいずれか一方に接続可能である。また、例えば、第４スイッチ１８は、共通端子１８２を、選択端子１８３及び１８４のいずれか一方に接続可能である。
【0041】
（２．８）整合回路
整合回路２４１は、送信フィルタ１２とパワーアンプ１６との間に設けられている。整合回路２４１は、送信フィルタ１２の入力端子（図示せず）のインピーダンスとパワーアンプ１６の出力端子のインピーダンスとを整合させるための回路である。
整合回路２４１は、送信フィルタ１２とパワーアンプ１６との間に設けられている。整合回路２４１は、送信フィルタ１２の入力端子（図示せず）のインピーダンスとパワーアンプ１６の出力端子のインピーダンスとを整合させるための回路である。
【0042】
整合回路２４２は、第２スイッチ１４とローノイズアンプ１７１との間に設けられている。整合回路２４２は、第２スイッチ１４の共通端子１４０のインピーダンスとローノイズアンプ１７１の入力端子のインピーダンスとを整合させるための回路である。
【0043】
整合回路２４３は、第３スイッチ１５とローノイズアンプ１７２との間に設けられている。整合回路２４３は、第３スイッチ１５の共通端子１５０のインピーダンスとローノイズアンプ１７２の出力端子のインピーダンスとを整合させるための回路である。
【0044】
整合回路２４４は、アンテナ端子１９１と第１スイッチ１１の共通端子１１１との間に設けられている。整合回路２４４は、アンテナ端子１９１に接続されるアンテナ７１のインピーダンスと第１スイッチ１１の共通端子１１１のインピーダンスとを整合させるための回路である。
【0045】
整合回路２４５は、アンテナ端子１９２と第１スイッチ１１の共通端子１１２との間に設けられている。整合回路２４５は、アンテナ端子１９２に接続されるアンテナ７２のインピーダンスと第１スイッチ１１の共通端子１１２のインピーダンスとを整合させるための回路である。
【0046】
整合回路２４１～２４５の各々は、例えば、インダクタ、キャパシタのうち少なくとも１つを含む。
【0047】
（２．９）コントローラ
コントローラ２３１は、パワーアンプ１６、ローノイズアンプ１７１又は１７２、および第１スイッチ１１などの複数のスイッチを制御する機能を有する制御回路である。コントローラ２３１は、制御端子１９６に接続されている。コントローラ２３１は、制御端子１９６に接続される外部回路（例えば、信号処理回路２）からの制御信号に従って各半導体素子を制御する。
コントローラ２３１は、パワーアンプ１６、ローノイズアンプ１７１又は１７２、および第１スイッチ１１などの複数のスイッチを制御する機能を有する制御回路である。コントローラ２３１は、制御端子１９６に接続されている。コントローラ２３１は、制御端子１９６に接続される外部回路（例えば、信号処理回路２）からの制御信号に従って各半導体素子を制御する。
【0048】
（２．１０）外部接続端子
複数の外部接続端子１９は、外部回路（例えば、信号処理回路２）と電気的に接続するための端子である。複数の外部接続端子１９は、アンテナ端子１９１と、アンテナ端子１９２と、入力端子１９３と、第１出力端子１９４と、第２出力端子１９５と、制御端子１９６と、複数のグランド端子（図示せず）と、を含む。
複数の外部接続端子１９は、外部回路（例えば、信号処理回路２）と電気的に接続するための端子である。複数の外部接続端子１９は、アンテナ端子１９１と、アンテナ端子１９２と、入力端子１９３と、第１出力端子１９４と、第２出力端子１９５と、制御端子１９６と、複数のグランド端子（図示せず）と、を含む。
【0049】
アンテナ端子１９１には、アンテナ７１が接続される。高周波モジュール１内において、アンテナ端子１９１は、第１スイッチ１１を介していずれかのフィルタに接続される。
【0050】
アンテナ端子１９２には、アンテナ７２が接続される。高周波モジュール１内において、アンテナ端子１９２は、第１スイッチ１１を介していずれかのフィルタに接続される。
【0051】
入力端子１９３は、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。高周波モジュール１内において、入力端子１９３は、パワーアンプ１６の入力端子に接続されている。
【0052】
第１出力端子１９４は、高周波モジュール１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための端子である。高周波モジュール１内において、第１出力端子１９４は、ローノイズアンプ１７１又は１７２の出力端子に接続されている。
【0053】
第２出力端子１９５は、高周波モジュール１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための端子である。高周波モジュール１内において、第２出力端子１９５は、ローノイズアンプ１７１又は１７２の出力端子に接続されている。
【0054】
制御端子１９６は、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの制御信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。高周波モジュール１内において、制御端子１９６は、コントローラ２３１の入力端子（図示せず）に接続されている。
【0055】
複数のグランド端子は、通信装置１０が備える外部基板（図示せず）のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。高周波モジュール１内において、複数のグランド端子は、実装基板３（図１参照）のグランド層（図示せず）に接続されている。グランド層は、高周波モジュール１の回路グランドである。
【0056】
【0057】
高周波モジュール１は、図１に示すように、実装基板３と、第１電子部品４０と、電子部品４５と、電子部品５０と、電子部品５１と、電子部品５２と、外部接続端子１９（図示しない）と、を備える。また、高周波モジュール１は、図１に示すように、樹脂層６１、６２と放熱ビア６３とシールド電極（図示しない）を更に備える。
【0058】
高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続されている。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等の通信装置１０（図３参照）のマザー基板である。
【0059】
（３．１）実装基板
実装基板３は、図１に示すように、第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１主面３１及び第２主面３２は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１（以下、「第１方向Ｄ１」ともいう）において互いに対向する。第２主面３２は、高周波モジュール１が外部基板に設けられたときに、外部基板における実装基板３側の主面と対向する。実装基板３は、第１主面３１に第１電子部品４０、電子部品４５、電子部品５１、及び複数（図１は１つのみ示す）の電子部品５２が実装され、第２主面３２に電子部品５０が実装される両面実装基板である。
実装基板３は、図１に示すように、第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１主面３１及び第２主面３２は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１（以下、「第１方向Ｄ１」ともいう）において互いに対向する。第２主面３２は、高周波モジュール１が外部基板に設けられたときに、外部基板における実装基板３側の主面と対向する。実装基板３は、第１主面３１に第１電子部品４０、電子部品４５、電子部品５１、及び複数（図１は１つのみ示す）の電子部品５２が実装され、第２主面３２に電子部品５０が実装される両面実装基板である。
【0060】
実装基板３は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板３は、複数の導電層と、複数のビア導体（貫通電極を含む）と、を有する。複数の導電層は、グランド電位のグランド層を含む。複数のビア導体は、第１主面３１及び第２主面３２のそれぞれに実装されている素子（上述の第１電子部品４０、電子部品４５、電子部品５０、電子部品５１、及び電子部品５２を含む）と実装基板３の導電層との電気的接続に用いられる。
【0061】
【0062】
第１電子部品４０は、図２に示すように、第１受信フィルタ１３１を含む第１領域４１と、送信フィルタ１２を含む第２領域４２とを含む。第１電子部品４０において、第１領域４１と第２領域４２とは重複する空間が存在しない。また、送信フィルタ１２は第１領域４１には存在しておらず、第１受信フィルタ１３１は第２領域４２には存在していない。
【0063】
電子部品４５は、図１及び図２に示すように、実装基板３の第１主面３１において、第１電子部品４０に積層されて配置されている。より詳細には、電子部品４５は、第１電子部品４０の第１領域４１上に配置されている。言い換えると、第２受信フィルタ１３２は、第１電子部品４０上に積層配置されている。ここで、「第２受信フィルタ１３２が第１電子部品４０上に積層配置されている」とは、第２受信フィルタ１３２を含む電子部品４５が第１電子部品４０に接している場合だけでなく、電子部品４５と第１電子部品４０とが第１方向Ｄ１に沿って並んでいる状態を含む。
【0064】
第１方向Ｄ１からの平面視において、電子部品４５は、第１電子部品４０の第１領域４１と重なる。言い換えると、第１方向Ｄ１からの平面視において、第２受信フィルタ１３２は、第１電子部品４０の第１領域４１と重なる。より詳細には、第１方向Ｄ１からの平面視において、電子部品４５は、第１電子部品４０の第１領域４１の存在範囲の全部又は一部の内部に位置している。
【0065】
また、第１方向Ｄ１からの平面視において、電子部品４５は、第１電子部品４０の第２領域４２と重なる部分が存在しない。言い換えると、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１に配置されているフィルタのいずれとも重ならない。ここで、「実装基板３の第１主面３１に配置されているフィルタ」とは、高周波モジュール１において実装基板３で隔てられた第１主面３１側の空間及び第２主面３２側の空間のうち、第１主面側の空間に配置されているフィルタである。すなわち、第１電子部品４０の第２領域４２上には、フィルタが積層されていない。
【0066】
送信フィルタ１２、第１受信フィルタ１３１及び第２受信フィルタ１３２の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、送信フィルタ１２、第１受信フィルタ１３１及び第２受信フィルタ１３２の各々は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよい。また、送信フィルタ１２、第１受信フィルタ１３１及び第２受信フィルタ１３２の各々は、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
【0067】
電子部品５０は、図１に示すように、実装基板３の第２主面３２に配置されている。電子部品５０は、ローノイズアンプ１７１及び１７２、第１スイッチ１１、第２スイッチ１４、第３スイッチ１５及び第４スイッチ１８を含む。なお、実装基板３の第２主面３２に、更にコントローラ２３１を含む電子部品（図示しない）が配置されていてもよい。
【0068】
電子部品５１は、図１に示すように、実装基板３の第１主面３１に配置されている。電子部品５１は、パワーアンプ１６を含む。
【0069】
複数の電子部品５２（図１には１つのみ示す）の各々は、実装基板３の第１主面３１に配置されている。複数の電子部品５２の各々は、整合回路２４１、２４２、２４３、２４４、２４５の各々を含む。図１に示す電子部品５２は、整合回路２４４を含む。
【0070】
（３．３）樹脂層、シールド電極及び放熱ビア
樹脂層６１は、図１に示すように、第１電子部品４０、電子部品４５、電子部品５１及び電子部品５２と、実装基板３の第１主面３１とを覆っている。
樹脂層６１は、図１に示すように、第１電子部品４０、電子部品４５、電子部品５１及び電子部品５２と、実装基板３の第１主面３１とを覆っている。
【0071】
樹脂層６２は、図１に示すように、電子部品５０と、実装基板３の第２主面３２とを覆っている。
【0072】
シールド電極（図示しない）は、樹脂層６１及び樹脂層６２の少なくとも一部を覆っている。
【0073】
複数の放熱ビア６３は、実装基板３の第２主面３２に配置されている。第１方向Ｄ１からの平面視において、複数の放熱ビア６３の各々は、電子部品５１と重なる。放熱ビア６３は、パワーアンプ１６の熱を外部基板（図示せず）に放熱するための伝熱部材である。
【0074】
（４）通信装置
通信装置１０は、図３に示すように、高周波モジュール１と、信号処理回路２と、アンテナ７１及び７２と、を備える。また、通信装置１０は、高周波モジュール１が実装された外部基板（図示せず）を更に備える。外部基板は、例えば、プリント配線板である。外部基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
通信装置１０は、図３に示すように、高周波モジュール１と、信号処理回路２と、アンテナ７１及び７２と、を備える。また、通信装置１０は、高周波モジュール１が実装された外部基板（図示せず）を更に備える。外部基板は、例えば、プリント配線板である。外部基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
【0075】
（４．１）アンテナ
アンテナ７１及び７２の各々は、図３に示すように、高周波モジュール１のアンテナ端子１９１及び１９２に接続されている。アンテナ７１及び７２は、高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能と、を有する。
アンテナ７１及び７２の各々は、図３に示すように、高周波モジュール１のアンテナ端子１９１及び１９２に接続されている。アンテナ７１及び７２は、高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能と、を有する。
【0076】
（４．２）信号処理回路
信号処理回路２は、図３に示すように、ＲＦ信号処理回路２１と、ベースバンド信号処理回路２２と、を含む。信号処理回路２は、高周波モジュール１を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路２は、送信信号及び受信信号を処理する。
信号処理回路２は、図３に示すように、ＲＦ信号処理回路２１と、ベースバンド信号処理回路２２と、を含む。信号処理回路２は、高周波モジュール１を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路２は、送信信号及び受信信号を処理する。
【0077】
ＲＦ信号処理回路２１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路２１は、高周波信号に対する信号処理を行う。
【0078】
ＲＦ信号処理回路２１は、ベースバンド信号処理回路２２から出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号を高周波モジュール１に出力する。また、ＲＦ信号処理回路２１は、高周波モジュール１から出力された受信信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた受信信号をベースバンド信号処理回路２２に出力する。
【0079】
ベースバンド信号処理回路２２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路２２は、信号処理回路２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路２２で処理された受信信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
【0080】
また、ＲＦ信号処理回路２１は、高周波信号（送信信号、受信信号）の送受に基づいて、高周波モジュール１が有する第１スイッチ１１、第２スイッチ１４、第３スイッチ１５及び第４スイッチ１８の各々の接続を、コントローラ２３１を介して制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路２１は、第１スイッチ１１、第２スイッチ１４、第３スイッチ１５及び第４スイッチ１８の各々の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路２１の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１又はベースバンド信号処理回路２２に設けられていてもよい。
【0081】
（５）効果
実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板３と、第１電子部品４０と、電子部品４５とを備える。実装基板３は、第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１電子部品４０は、送信フィルタ１２と第１受信フィルタ１３１とを含む。第１電子部品４０は、実装基板３の第１主面３１に配置されている。電子部品４５は第２受信フィルタ１３２を含み、第１電子部品４０上に積層配置されている。送信フィルタ１２の通過帯域と、第２受信フィルタの通過帯域とは重ならない。実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０において第１受信フィルタ１３１が位置している第１領域４１は、第２受信フィルタ１３２を含む電子部品４５と重なる。また、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０において送信フィルタ１２が位置している第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１上のフィルタのいずれとも重ならない。
実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板３と、第１電子部品４０と、電子部品４５とを備える。実装基板３は、第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１電子部品４０は、送信フィルタ１２と第１受信フィルタ１３１とを含む。第１電子部品４０は、実装基板３の第１主面３１に配置されている。電子部品４５は第２受信フィルタ１３２を含み、第１電子部品４０上に積層配置されている。送信フィルタ１２の通過帯域と、第２受信フィルタの通過帯域とは重ならない。実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０において第１受信フィルタ１３１が位置している第１領域４１は、第２受信フィルタ１３２を含む電子部品４５と重なる。また、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０において送信フィルタ１２が位置している第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１上のフィルタのいずれとも重ならない。
【0082】
高周波モジュール１では、第１方向Ｄ１からの平面視において送信フィルタ１２と第２受信フィルタ１３２とが重ならない。したがって、高周波モジュール１では、送信フィルタ１２と第２受信フィルタ１３２との電磁気的な結合を低減させることができる。これにより、送信フィルタ１２を通過する送信信号が第２受信フィルタ１３２を介して受信経路へ漏洩することを抑制できるため、第２受信フィルタ１３２を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。また、高周波モジュール１では、第１方向Ｄ１からの平面視において送信フィルタ１２は実装基板３の第１主面３１上のフィルタのいずれとも重ならない。送信フィルタ１２は、大きな電力の送信信号を通過させるため発熱するが、高周波モジュール１では、送信フィルタ１２上に他のフィルタが配置されないため、送信フィルタ１２の放熱性能が向上する。また、高周波モジュール１では、送信フィルタ１２の放熱による第２受信フィルタ１３２の温度変化が生じづらい。したがって、高周波モジュール１では、第２受信フィルタ１３２の温度変化による信号の通過特性の変動を低減することができる。
【0083】
【0084】
第１電子部品４０ａは、第１受信フィルタ１３１を含む第１領域４１に、複数の貫通ビア４３を有する。複数の貫通ビア４３は、第１方向Ｄ１（図１参照）に沿って第１電子部品４０ａを貫通する。より詳細には、複数の貫通ビア４３の各々は、その内部あるいは内壁に配置される銅や銀などの導電性部材を備え、第１端４３１が電子部品４５の第１端４３１側に設けられるバンプ電極などと接続されている。また、複数の貫通ビア４３の各々は、第２端４３２が実装基板３の第１主面３１（図１参照）と対向する。複数の貫通ビア４３の各々の第２端４３２は、貫通ビア４３や実装基板３又は第１電子部品４０ａの第１受信フィルタ１３１に接続される。なお、複数の貫通ビア４３の第２端４３２などには、実装基板３と第１受信フィルタとを電気的に接続するためのバンプ電極などが配置される。
【0085】
複数の貫通ビア４３の各々は、例えば、第１電子部品４０ａにおける第１受信フィルタ１３１の基板にレーザー等によって設けられる。
【0086】
実施形態２に係る高周波モジュール１では、第１電子部品４０ａの複数の貫通ビア４３を用いて、電子部品４５と実装基板３の第１主面３１との間の接続を行うことができる。したがって、電子部品４５と、電子部品４５と接続される他の電子部品との間の経路の長さを短くすることができる。これにより、電子部品４５と、電子部品４５と接続される他の電子部品との間のインピーダンスの不整合が生じにくくなり、第２受信フィルタ１３２の挿入損失の悪化、又は、第２受信フィルタ１３２における阻止帯域の信号に対する減衰特性の悪化を低減することができる。
【0087】
なお、実施形態２に係る高周波モジュール１において、電子部品４５は、第１電子部品４０ａと電子部品４５との間の接続に、第１電子部品４０ａの貫通ビア４３を用いてもよい。この場合も、上述の通り、第２受信フィルタ１３２の挿入損失の悪化、又は、第２受信フィルタ１３２における阻止帯域の信号に対する減衰特性の悪化を低減することができる。
【0088】
（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１ａについて、図５及び図６を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の信号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る高周波モジュール１ａについて、図５及び図６を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の信号を付して説明を省略する。
【0089】
【0090】
第３受信フィルタ１３３は、通信バンドＢ２の受信帯域の信号を通過させるフィルタである。ここで、高周波モジュール１ａは、第１電子部品４０（図５参照）の送信フィルタ１２を通過する通信バンドＢ１の信号と、第３受信フィルタ１３３を通過する通信バンドＢ２の信号とを同時に用いて通信することが可能である。より詳細には、高周波モジュール１ａは、通信バンドＢ１の送信帯域の信号の送信と、通信バンドＢ２の受信帯域の信号の受信とを同時に行うことが可能である。通信バンドＢ２は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２である。なお、高周波モジュール１ａは、通信バンドＢ１の送信帯域の信号の送信と、通信バンドＢ３の受信帯域の信号の受信とを同時に行わない。すなわち、高周波モジュール１ａは、送信フィルタ１２を通過する通信バンドＢ１の信号と、第２受信フィルタ１３２を通過する通信バンドＢ３の信号と、を同時に用いて通信しない。
【0091】
第３受信フィルタ１３３は、例えば、１以上の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。
【0092】
第３受信フィルタ１３３は、第１スイッチ１１の選択端子１１５に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３３は、第１スイッチ１１を介して、アンテナ７１又はアンテナ７２に接続可能である。また、第３受信フィルタ１３３は、第２スイッチ１４の選択端子１４２に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３３は、第２スイッチ１４を介して、ローノイズアンプ１７１に接続可能である。
【0093】
【0094】
第２電子部品５４は、図５に示すように、実装基板３の第２主面３２に配置されている。第２電子部品５４は、第３受信フィルタ１３３を含む。すなわち、第３受信フィルタ１３３は、実装基板３の第２主面３２上に配置されている。また、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２と、第３受信フィルタ１３３とが重ならない。
【0095】
（３）効果
実施形態３に係る高周波モジュール１ａは、第３受信フィルタ１３３を更に備える。高周波モジュール１ａは、第１電子部品４０を通過する通信バンドＢ１の送信信号と、第３受信フィルタ１３３を通過する通信バンドＢ２の受信信号とを同時に用いて通信することが可能である。第３受信フィルタ１３３を含む第２電子部品５４は、実装基板３の第２主面３２上に配置されている。これにより、第１電子部品４０に含まれる送信フィルタ１２と、第２電子部品５４に含まれる第３受信フィルタ１３３との間に実装基板３が位置している。したがって、送信フィルタ１２と、第３受信フィルタ１３３との間の電磁気的な結合を低減することができる。そのため、送信フィルタ１２と第３受信フィルタ１３３との間のアイソレーションが向上する。
実施形態３に係る高周波モジュール１ａは、第３受信フィルタ１３３を更に備える。高周波モジュール１ａは、第１電子部品４０を通過する通信バンドＢ１の送信信号と、第３受信フィルタ１３３を通過する通信バンドＢ２の受信信号とを同時に用いて通信することが可能である。第３受信フィルタ１３３を含む第２電子部品５４は、実装基板３の第２主面３２上に配置されている。これにより、第１電子部品４０に含まれる送信フィルタ１２と、第２電子部品５４に含まれる第３受信フィルタ１３３との間に実装基板３が位置している。したがって、送信フィルタ１２と、第３受信フィルタ１３３との間の電磁気的な結合を低減することができる。そのため、送信フィルタ１２と第３受信フィルタ１３３との間のアイソレーションが向上する。
【0096】
さらに、実施形態３に係る高周波モジュール１ａでは、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２と第３受信フィルタ１３３とが重ならない。したがって、送信フィルタ１２と第３受信フィルタ１３３との間のアイソレーションが更に向上する。
【0097】
また、これにより、第３受信フィルタ１３３を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。
【0098】
また、実施形態３に係る高周波モジュール１ａでは、通信バンドＢ３の信号と、通信バンドＢ１の信号と、を同時に用いて通信しない。したがって、第２受信フィルタ１３２を用いて通信バンドＢ３の受信信号を受信する際に送信フィルタ１２を通信バンドＢ１の送信信号が通過していないため、第２受信フィルタ１３２を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。
【0099】
（変形例１）
実施形態３の変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、図７に示すように、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２と、第３受信フィルタ１３３とが重なっていてもよい。
実施形態３の変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、図７に示すように、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２と、第３受信フィルタ１３３とが重なっていてもよい。
【0100】
上述の通り、高周波モジュール１ａでは、通信バンドＢ１の送信帯域の信号の送信と、通信バンドＢ２の受信帯域の信号の受信とを同時に行う。すなわち、高周波モジュール１ａでは、第１電子部品４０と第２電子部品５４とを同時に信号が通過する。
【0101】
しかしながら、実施形態３の変形例に係る高周波モジュール１ａにおいても、送信フィルタ１２と、第３受信フィルタ１３３との間に実装基板３が位置している。したがって、送信フィルタ１２と、第３受信フィルタ１３３との間の電磁気的な結合を低減することができる。これにより、送信フィルタ１２と第３受信フィルタ１３３との間のアイソレーションが向上する。また、第３受信フィルタ１３３を含む受信経路において、受信感度の劣化を更に低減させることができる。
【0102】
（変形例２）
実施形態３の変形例２に係る高周波モジュール１ａでは、図８に示すように、外部接続端子１９が複数のシールド部材１９７を含む。なお、図８は、実施形態３の変形例２に係る高周波モジュール１ｂを第１方向Ｄ１に沿って、実装基板３の第２主面３２側から見た図である。なお、図８では、実装基板３の第２主面３２に、コントローラ２３１を含む電子部品５３が配置されている。また、図８のＸ－Ｘ断面は、図５に対応する。
実施形態３の変形例２に係る高周波モジュール１ａでは、図８に示すように、外部接続端子１９が複数のシールド部材１９７を含む。なお、図８は、実施形態３の変形例２に係る高周波モジュール１ｂを第１方向Ｄ１に沿って、実装基板３の第２主面３２側から見た図である。なお、図８では、実装基板３の第２主面３２に、コントローラ２３１を含む電子部品５３が配置されている。また、図８のＸ－Ｘ断面は、図５に対応する。
【0103】
複数のシールド部材１９７の各々は、グランドに接続されるグランド端子である。シールド部材１９７は、第２電子部品５４の周囲に配置されている。ここで、「シールド部材１９７は、第２電子部品５４の周囲に配置されている」とは、シールド部材１９７が、実装基板３の第２主面３２を、第２電子部品５４の存在する領域とそれ以外の領域とに区画していることをいう。より詳細には、シールド部材１９７は、第２電子部品５４と、実装基板３の第２主面３２に配置されている他の部品との間に配置されている。
【0104】
実施形態３の変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、送信フィルタ１２と、第３受信フィルタ１３３との間の電磁気的な結合を更に低減することができる。そのため、送信フィルタ１２と第３受信フィルタ１３３との間のアイソレーションが更に向上する。また、これにより、第３受信フィルタ１３３を含む受信経路において、受信感度の劣化を更に低減させることができる。
【0105】
（実施形態４）
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂについて、図９を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の信号を付して説明を省略する。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂについて、図９を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の信号を付して説明を省略する。
【0106】
（１）高周波モジュールの回路構成
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは、図９に示すように、図６に示す高周波モジュール１ａの各構成要素に加えて、第３受信フィルタ１３４、第３受信フィルタ１３５を更に備える。すなわち、実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは、第３受信フィルタを複数含む。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは、図９に示すように、図６に示す高周波モジュール１ａの各構成要素に加えて、第３受信フィルタ１３４、第３受信フィルタ１３５を更に備える。すなわち、実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは、第３受信フィルタを複数含む。
【0107】
第３受信フィルタ１３３は、通信バンドＢ２１の受信帯域の信号を通過させるフィルタである。ここで、高周波モジュール１ｂは、通信バンドＢ１の送信帯域の信号の送信と、通信バンドＢ２１の受信帯域の信号の受信とを同時に行う。通信バンドＢ２１は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２である。
【0108】
第３受信フィルタ１３３は、第１スイッチ１１の選択端子１１５に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３３は、第１スイッチ１１を介して、アンテナ７１又はアンテナ７２に接続可能である。また、第３受信フィルタ１３３は、第２スイッチ１４の選択端子１４２に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３３は、第２スイッチ１４を介して、ローノイズアンプ１７１に接続可能である。
【0109】
第３受信フィルタ１３４は、通信バンドＢ２２の受信帯域の信号を通過させるフィルタである。ここで、高周波モジュール１ｂは、通信バンドＢ１の送信帯域の信号の送信と、通信バンドＢ２２の受信帯域の信号の受信とを同時に行う。また、通信バンドＢ２１と、通信バンドＢ２２とは異なる通信バンドである。通信バンドＢ２２は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１３である。
【0110】
第３受信フィルタ１３４は、第１スイッチ１１の選択端子１１６に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３４は、第１スイッチ１１を介して、アンテナ７１又はアンテナ７２に接続可能である。また、第３受信フィルタ１３４は、第２スイッチ１４の選択端子１４３に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３４は、第２スイッチ１４を介して、ローノイズアンプ１７１に接続可能である。
【0111】
第３受信フィルタ１３５は、通信バンドＢ２３の受信帯域の信号を通過させるフィルタである。ここで、高周波モジュール１ｂは、通信バンドＢ１の送信帯域の信号の送信と、通信バンドＢ２３の受信帯域の信号の受信とを同時に行う。また、通信バンドＢ２３は、通信バンドＢ２１及び通信バンドＢ２２のいずれとも異なる通信バンドである。通信バンドＢ２３は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１４である。
【0112】
第３受信フィルタ１３５は、第１スイッチ１１の選択端子１１７に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３５は、第１スイッチ１１を介して、アンテナ７１又はアンテナ７２に接続可能である。また、第３受信フィルタ１３５は、第２スイッチ１４の選択端子１４４に接続されている。すなわち、第３受信フィルタ１３５は、第２スイッチ１４を介して、ローノイズアンプ１７１に接続可能である。
【0113】
第３受信フィルタ１３３、第３受信フィルタ１３４、第３受信フィルタ１３５の各々は、例えば、１以上の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。
【0114】
（２）高周波モジュールの構造
高周波モジュール１ｂでは、図１０に示すように、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０と、第２電子部品５４ａとが重なっている。ここで、実装基板３の第２主面３２に配置されている第２電子部品５４ａは、第３受信フィルタ１３３（図９参照）と、第３受信フィルタ１３４（図９参照）と、第３受信フィルタ１３５（図９参照）と、を含む。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２は、第３受信フィルタ１３３、１３４及び１３５のうち少なくとも１つの少なくとも一部と重なっている。
高周波モジュール１ｂでは、図１０に示すように、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０と、第２電子部品５４ａとが重なっている。ここで、実装基板３の第２主面３２に配置されている第２電子部品５４ａは、第３受信フィルタ１３３（図９参照）と、第３受信フィルタ１３４（図９参照）と、第３受信フィルタ１３５（図９参照）と、を含む。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２は、第３受信フィルタ１３３、１３４及び１３５のうち少なくとも１つの少なくとも一部と重なっている。
【0115】
（３）効果
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは、第３受信フィルタ１３３、第３受信フィルタ１３４及び第３受信フィルタ１３５を備える。高周波モジュール１ｂは、第１電子部品４０を通過する通信バンドＢ１の送信信号と、第３受信フィルタ１３３を通過する通信バンドＢ２１の受信信号、第３受信フィルタ１３４を通過する通信バンドＢ２２の受信信号、第３受信フィルタ１３５を通過する通信バンドＢ２３の受信信号のいずれか１つとを同時に用いて通信することが可能である。第２電子部品５４は、第３受信フィルタ１３３、第３受信フィルタ１３４と、第３受信フィルタ１３５とを含む。これにより、高周波モジュール１ｂを小型化することができる。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは、第３受信フィルタ１３３、第３受信フィルタ１３４及び第３受信フィルタ１３５を備える。高周波モジュール１ｂは、第１電子部品４０を通過する通信バンドＢ１の送信信号と、第３受信フィルタ１３３を通過する通信バンドＢ２１の受信信号、第３受信フィルタ１３４を通過する通信バンドＢ２２の受信信号、第３受信フィルタ１３５を通過する通信バンドＢ２３の受信信号のいずれか１つとを同時に用いて通信することが可能である。第２電子部品５４は、第３受信フィルタ１３３、第３受信フィルタ１３４と、第３受信フィルタ１３５とを含む。これにより、高周波モジュール１ｂを小型化することができる。
【0116】
（変形例）
以下、実施形態１～４の変形例について説明する。
以下、実施形態１～４の変形例について説明する。
【0117】
実施形態１～４に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂは送信フィルタとして送信フィルタ１２を含むが、これに限られず、高周波モジュール１、１ａ、１ｂは複数の送信フィルタを有してもよい。なお、高周波モジュール１、１ａ、１ｂが複数の送信フィルタを有する場合、実装基板３の第１主面３１に配置されている送信フィルタは、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２と重なる部分を有さない。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１に配置されているフィルタのいずれとも重ならない。
【0118】
また、高周波モジュール１、１ａ、１ｂは、パワーアンプとしてパワーアンプ１６を含むが、これに限られず、高周波モジュール１、１ａ、１ｂは複数のパワーアンプを含んでもよい。
【0119】
実施形態１～２に係る高周波モジュール１は受信フィルタとして第１受信フィルタ１３１及び第２受信フィルタ１３２を含む。実施形態３に係る高周波モジュール１ａは受信フィルタとして第３受信フィルタ１３３を更に含む。実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは受信フィルタとして第３受信フィルタ１３４及び第３受信フィルタ１３５を更に含む。これに限られず、高周波モジュール１、１ａ、１ｂは、更に受信フィルタを有してもよい。受信フィルタは、例えば、第１スイッチ１１の選択端子の１つと、第２スイッチ１４の選択端子の１つ又は第３スイッチ１５の選択端子の１つとの間に接続されている。なお、第１方向Ｄ１からの平面視において、実装基板の第１主面３１に配置されている受信フィルタはいずれも、第１電子部品４０の第２領域４２と重なる部分を有さない。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品４０の第２領域４２は、実装基板３の第１主面３１に配置されているフィルタのいずれとも重ならない。
【0120】
実施形態４に係る高周波モジュール１ｂは第３受信フィルタとして第３受信フィルタ１３３、１３４及び１３５を備えるが、これに限られない。例えば、高周波モジュール１ｂは第３受信フィルタとして２つの受信フィルタを備えてもよいし、４以上の受信フィルタを備えてもよい。また、第２電子部品５４ａは全ての第３受信フィルタを含んでいる必要はなく、第３受信フィルタである受信フィルタの一部は、実装基板３の第２主面３２に配置されている、第２電子部品５４ａ以外の電子部品に含まれていてもよい。
【0121】
実施形態１～２に係る高周波モジュール１では、実装基板３は両面実装基板であり、実装基板３の第２主面３２に電子部品５０が配置されている。実施形態１～２に係る高周波モジュール１はこれに限られず、例えば、電子部品５０のいずれか一方は実装基板３の第１主面３１に配置されてもよい。また、例えば、実装基板３は片面実装基板であり、電子部品５０の両方が実装基板３の第１主面３１に配置されてもよい。
【0122】
実施形態１～４に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂでは、通信バンドＢ１が５Ｇ ＮＲ規格のｎ５であり、通信バンドＢ３が３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７１であるが、これに限られない。高周波モジュール１、１ａ、１ｂが、通信バンドＢ１の送信信号の送信と通信バンドＢ３の受信信号の受信とを同時に行わない限りにおいて、通信バンドＢ１と通信バンドＢ３の組み合わせは任意の組み合わせであってよい。
【0123】
また、実施形態３～４に係る高周波モジュール１ａ、１ｂでは、通信バンドＢ１が５Ｇ ＮＲ規格のｎ５であり、通信バンドＢ２が３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２であるが、これに限られない。高周波モジュール１ａ、１ｂが、通信バンドＢ１の送信信号の送信と通信バンドＢ２の受信信号の受信とを同時に行う限りにおいて、通信バンドＢ１と通信バンドＢ２の組み合わせは任意の組み合わせであってよい。
【0124】
実施形態１～４に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂはアンテナ端子１９１、１９２を備え、各々がアンテナ７１及び７２に接続されるが、これに限られない。例えば、高周波モジュール１はアンテナ端子を１つだけ備え、１つのアンテナに接続されてもよい。また、例えば、高周波モジュール１、１ａ、１ｂは３つ以上のアンテナ端子を備え、各々がアンテナに接続されてもよい。
【0125】
実施形態３の変形例２に係る高周波モジュール１ａでは、複数のシールド部材１９７の各々はグランドに接続されるグランド端子であるが、これに限られない。例えば、高周波モジュール１ａは、単一のシールド部材を備え、そのシールド部材が実装基板３のグランド層に接続されていてもよい。シールド部材は例えば円柱状であってもよいし、板状であってもよい。
【0126】
本明細書において、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第１電子部品４０であるが、第１電子部品４０に限定されない。基板は、例えば、実装基板３である。基板が実装基板３である場合、第１主面は第１主面３１であり、第２主面は第２主面３２である。
【0127】
本明細書において、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第２主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、電子部品５０であるが、電子部品５０に限定されない。基板は、例えば、実装基板３である。基板が実装基板３である場合、第１主面は第１主面３１であり、第２主面は第２主面３２である。
【0128】
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
本明細書には、以下の態様が開示されている。
【0129】
第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）は、実装基板（３）と、電子部品（４０；４０ａ）と、第２受信フィルタ（１３２）と、を備える。実装基板（３）は、第１主面（３１）及び第２主面（３２）を有する。電子部品（４０）は、送信フィルタ（１２）と第１受信フィルタ（１３１）とを含む。電子部品（４０；４０ａ）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されている。第２受信フィルタ（１３２）は、電子部品（４０；４０ａ）上に積層配置されている。送信フィルタ（１２）の通過帯域と、第２受信フィルタ（１３２）の通過帯域とは重ならない。実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１領域（４１）は、第２受信フィルタ（１３２）と重なる。第１領域（４１）は、電子部品（４０；４０ａ）において第１受信フィルタ（１３１）が位置している領域である。実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第２領域（４２）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されているフィルタのいずれとも重ならない。第２領域（４２）は、電子部品（４０；４０ａ）において送信フィルタ（１２）が位置している領域である。
【0130】
上記態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）によれば、送信フィルタ（１２）と第２受信フィルタ（１３２）との電磁気的な結合を低減させることができる。これにより、第２受信フィルタ（１３２）を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。また、送信フィルタ（１２）上に他のフィルタが配置されないため、送信フィルタ（１２）の放熱性能が向上する。また、送信フィルタ（１２）の放熱による第２受信フィルタ（１３２）の温度変化が生じづらいため、第２受信フィルタ（１３２）の温度変化による信号の通過特性の変動を低減することができる。
【0131】
第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１の態様において、電子部品（４０）は、貫通ビア（４３）を有している。貫通ビア（４３）は、実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）に第１領域（４１）を貫通する。貫通ビア（４３）は、第１端（４３１）と、第２端（４３２）と、を有する。貫通ビア（４３）の第１端（４３１）は、第２受信フィルタ（１３２）と接続されている。貫通ビア（４３）の第２端（４３２）は、実装基板（３）又は第１受信フィルタ（１３１）に接続されている。
【0132】
上記態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１電子部品（４０ａ）の貫通ビア（４３）を用いて、第２受信フィルタ（１３２）と実装基板（３）との間の接続、又は、第２受信フィルタ（１３２）と第１受信フィルタ（１３１）との間の接続を行うことができる。したがって、第２受信フィルタ（１３２）と、第２受信フィルタ（１３２）と接続される他の電子部品との間の経路の長さを短くすることができる。これにより、第２受信フィルタ（１３２）と、第２受信フィルタ（１３２）と接続される他の電子部品との間のインピーダンスの不整合が生じにくくなる。したがって、第２受信フィルタ（１３２）の挿入損失の悪化、又は、第２受信フィルタ（１３２）における阻止帯域の信号に対する減衰特性の悪化を低減することができる。
【0133】
第３の態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）は、第１又は第２の態様において、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）を更に備える。高周波モジュール（１ａ；１ｂ）は、送信フィルタ（１２）を通過する第１バンドの信号と、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）を通過する第２バンドの信号とを同時に用いて通信することが可能である。第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）は、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置されている。
【0134】
上記態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）によれば、第１電子部品（４０）に含まれる送信フィルタ（１２）と、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間に実装基板（３）が位置している。したがって、送信フィルタ（１２）と、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間の電磁気的な結合を低減することができる。そのため、送信フィルタ（１２）と第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間のアイソレーションが向上する。また、これにより、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。
【0135】
第４の態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）では、第３の態様において、実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、電子部品（４０）の第２領域（４２）と、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）とは重ならない。
【0136】
上記態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）によれば、送信フィルタ（１２）と、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間の電磁気的な結合を更に低減することができる。そのため、送信フィルタ（１２）と第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間のアイソレーションが更に向上する。また、これにより、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）を含む受信経路において、受信感度の劣化を更に低減させることができる。
【0137】
第５の態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）では、第３又は第４の態様において、第２受信フィルタ（１３２）を通過する第３バンドの信号を用いて通信することが可能である。高周波モジュール（１ａ；１ｂ）は、第３バンドの信号と、第１バンドの信号と、を同時に用いて通信しない。
【0138】
上記態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）では、第２受信フィルタ（１３２）を用いて信号を受信する際に、送信フィルタ（１２）を用いた信号の送信が行われないため、第２受信フィルタ（１３２）と送信フィルタ（１２）との間の電磁気的な結合を低減することができる。したがって、第２受信フィルタ（１３２）を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。
【0139】
第６の態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）は、第３から第５の態様のいずれかにおいて、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置されているシールド部材（１９７）を更に備える。シールド部材（１９７）は、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）と、電子部品（４０）の第２領域（４２）との間に位置している。
【0140】
上記態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）によれば、送信フィルタ（１２）と、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間の電磁気的な結合を更に低減することができる。そのため、送信フィルタ（１２）と第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）との間のアイソレーションが更に向上する。また、これにより、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）を含む受信経路において、受信感度の劣化を更に低減させることができる。
【0141】
第７の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）は、第３から第６の態様のいずれかにおいて、第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）を複数備える。電子部品（４０）を第１電子部品（４０）としたとき、複数の第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）は、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置されている第２電子部品（５４ａ）に含まれる。
【0142】
上記態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）によれば、高周波モジュール（１ｂ）を小型化することが可能となる。
【0143】
第８の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）では、第７の態様において、複数の第３受信フィルタ（１３３；１３４；１３５）の各々は、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２、Ｂａｎｄ１３及びＢａｎｄ１４の各々の信号を通過させるフィルタを含む。
【0144】
上記態様に係る高周波モジュール（１ｂ）は、第１バンドの信号と同時に通信可能な第２バンドの信号について、バンドの選択範囲を広げることが可能となる。
【0145】
第９の態様に係る通信装置（１０）は、第１から第８のいずれかの態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）と、信号処理回路（２）と、を備える。信号処理回路（２）は、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）に接続されている。
【0146】
上記態様に係る通信装置（１０）によれば、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）において、送信フィルタ（１２）と第２受信フィルタ（１３２）との電磁気的な結合を低減させることができる。これにより、第２受信フィルタ（１３２）を含む受信経路において、受信感度の劣化を低減させることができる。また、送信フィルタ（１２）上に他のフィルタが配置されないため、送信フィルタ（１２）の放熱性能が向上する。また、送信フィルタ（１２）の放熱による第２受信フィルタ（１３２）の温度変化が生じづらいため、第２受信フィルタ（１３２）の温度変化による信号の通過特性の変動を低減することができる。
【符号の説明】
【0147】
１、１ａ、１ｂ 高周波モジュール
１１ 第１スイッチ
１１１ 共通端子
１１２ 共通端子
１１３ 選択端子
１１４ 選択端子
１１５ 選択端子
１１６ 選択端子
１１７ 選択端子
１１８ 選択端子
１２ 送信フィルタ
１３１ 第１受信フィルタ
１３２ 第２受信フィルタ
１３３ 第３受信フィルタ
１３４ 第３受信フィルタ
１３５ 第３受信フィルタ
１４ 第２スイッチ
１４０ 共通端子
１４１ 選択端子
１４２ 選択端子
１４３ 選択端子
１４４ 選択端子
１５ 第３スイッチ
１５０ 共通端子
１５１ 選択端子
１５２ 選択端子
１６ パワーアンプ
１７１ ローノイズアンプ
１７２ ローノイズアンプ
１８ 第４スイッチ
１８１ 共通端子
１８２ 共通端子
１８３ 選択端子
１８４ 選択端子
１９ 外部接続端子
１９１ アンテナ端子
１９２ アンテナ端子
１９３ 入力端子
１９４ 第１出力端子
１９５ 第２出力端子
１９６ 制御端子
１９７ シールド部材
２３１ コントローラ
２４１ 整合回路
２４２ 整合回路
２４３ 整合回路
２４４ 整合回路
２４５ 整合回路
３ 実装基板
３１ 第１主面
３２ 第２主面
４０、４０ａ 第１電子部品（電子部品）
４１ 第１領域
４２ 第２領域
４３ 貫通ビア
４５ 電子部品
５０ 電子部品
５１ 電子部品
５２ 電子部品
５４、５４ａ 第２電子部品
６１ 樹脂層
６２ 樹脂層
６３ 放熱ビア
７１ アンテナ
７２ アンテナ
２ 信号処理回路
２１ ＲＦ信号処理回路
２２ ベースバンド信号処理回路
１０ 通信装置
Ｄ１ 第１方向
Ｂ１ 通信バンド
Ｂ２、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３ 通信バンド
Ｂ３ 通信バンド
１１ 第１スイッチ
１１１ 共通端子
１１２ 共通端子
１１３ 選択端子
１１４ 選択端子
１１５ 選択端子
１１６ 選択端子
１１７ 選択端子
１１８ 選択端子
１２ 送信フィルタ
１３１ 第１受信フィルタ
１３２ 第２受信フィルタ
１３３ 第３受信フィルタ
１３４ 第３受信フィルタ
１３５ 第３受信フィルタ
１４ 第２スイッチ
１４０ 共通端子
１４１ 選択端子
１４２ 選択端子
１４３ 選択端子
１４４ 選択端子
１５ 第３スイッチ
１５０ 共通端子
１５１ 選択端子
１５２ 選択端子
１６ パワーアンプ
１７１ ローノイズアンプ
１７２ ローノイズアンプ
１８ 第４スイッチ
１８１ 共通端子
１８２ 共通端子
１８３ 選択端子
１８４ 選択端子
１９ 外部接続端子
１９１ アンテナ端子
１９２ アンテナ端子
１９３ 入力端子
１９４ 第１出力端子
１９５ 第２出力端子
１９６ 制御端子
１９７ シールド部材
２３１ コントローラ
２４１ 整合回路
２４２ 整合回路
２４３ 整合回路
２４４ 整合回路
２４５ 整合回路
３ 実装基板
３１ 第１主面
３２ 第２主面
４０、４０ａ 第１電子部品（電子部品）
４１ 第１領域
４２ 第２領域
４３ 貫通ビア
４５ 電子部品
５０ 電子部品
５１ 電子部品
５２ 電子部品
５４、５４ａ 第２電子部品
６１ 樹脂層
６２ 樹脂層
６３ 放熱ビア
７１ アンテナ
７２ アンテナ
２ 信号処理回路
２１ ＲＦ信号処理回路
２２ ベースバンド信号処理回路
１０ 通信装置
Ｄ１ 第１方向
Ｂ１ 通信バンド
Ｂ２、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３ 通信バンド
Ｂ３ 通信バンド
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】