特開 2024-109032 発光素子を含むディスプレイ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024109032

(43)【公開日】2024-08-13

(54)【発明の名称】発光素子を含むディスプレイ装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/124 20230101AFI20240805BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 59/38 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 50/828 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20240805BHJP

   G02B 5/20 20060101ALI20240805BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240805BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240805BHJP

【ＦＩ】

H10K59/124

H10K59/122

H10K59/38

H10K50/828

H10K50/818

G02B5/20 101

G09F9/30 338

G09F9/30 365

G09F9/30 348A

G09F9/30 349A

H10K50/844 445

【審査請求】有

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023195922

(22)【出願日】2023-11-17

(31)【優先権主張番号】10-2023-0012854

(32)【優先日】2023-01-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】李鎬丞

(72)【発明者】

【氏名】李永旭

(72)【発明者】

【氏名】金▲聖▼基

(72)【発明者】

【氏名】洪基相

(72)【発明者】

【氏名】李鍾源

(72)【発明者】

【氏名】金貞民

【テーマコード（参考）】

2H148

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

2H148BD01

2H148BG06

2H148BH01

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC05

3K107CC37

3K107DD02

3K107DD03

3K107DD90

3K107EE22

3K107EE48

3K107EE49

3K107EE50

3K107FF15

5C094AA07

5C094BA03

5C094BA27

5C094DA15

5C094EC03

5C094ED02

5C094ED11

5C094FA01

5C094FA04

(57)【要約】      （修正有）

【課題】発光効率を低下させることなく、光抽出効率が向上するディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】発光素子は発光領域の平坦化膜順に積層された第１電極、発光層および第２電極を含むことがある。平坦化膜は発光領域と重なる少なくとも一つの平坦溝または少なくとも一つの平坦突出部を含むことがある。発光素子の第１電極、発光層および第２電極は平坦溝の側面または平坦突出部の側面上に延長することがある。平坦溝の側面または平坦突出部の側面上に位置する第１電極と発光層との間には絶縁パターンが位置することがある。これにより、ディスプレイ装置では発光効率を低下させることなく、光抽出効率が向上することがある。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

素子基板上に位置し、画素領域内に発光領域を定義するバンク絶縁膜；
前記素子基板と前記バンク絶縁膜との間に位置し、前記発光領域と重なる平坦突出部を含む平坦化膜；
前記平坦突出部の側面上に位置し、前記平坦突出部の上面と離隔される絶縁パターン；及び
前記発光領域の平坦化膜上に位置し、第１電極、発光層及び第２電極の積層構造を有する発光素子を含み、
前記平坦突出部の前記側面は、前記平坦突出部の内側方向に凹んだ形状を有し、
前記絶縁パターンは、前記発光素子の前記第１電極と前記発光層との間に位置する、ディスプレイ装置。

【請求項2】

前記平坦突出部の平面形状は多角形である、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項3】

前記絶縁パターンは、前記バンク絶縁膜と同じ物質を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項4】

前記バンク絶縁膜は一定の厚さを有するライナー膜（ｌｉｎｅａｒ ｌａｙｅｒ）であり、
前記絶縁パターンの厚さは前記バンク絶縁膜の厚さより小さい、請求項３に記載のディスプレイ装置。

【請求項5】

前記第２電極は、前記第１電極より大きい反射率を有する、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項6】

前記素子基板と前記平坦化膜との間に位置し、前記発光領域と重なるカラーフィルタをさらに含む、請求項５に記載のディスプレイ装置。

【請求項7】

前記平坦化膜は、前記平坦突出部を囲む平坦溝をさらに含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項8】

前記平坦溝の幅は、前記平坦突出部の幅より小さい、請求項７に記載のディスプレイ装置。

【請求項9】

素子基板上に位置し、平坦溝を含む平坦化膜；
前記平坦化膜上に位置し、前記平坦溝の側面及び底面を覆う第１電極；
前記平坦溝の側面を覆う前記第１電極の一部領域上に位置する絶縁パターン；
前記平坦化膜上に位置し、前記第１電極の端を覆うバンク絶縁膜；
前記バンク絶縁膜によって露出された前記第１電極の一部領域上に位置する発光層；及び
前記発光層上に位置し、前記バンク絶縁膜上に延びる第２電極を含み、
前記バンク絶縁膜は、前記平坦溝の外側に位置する、ディスプレイ装置。

【請求項10】

前記平坦溝の前記側面は、前記平坦溝の外側方向へ凸状を有する、請求項９に記載のディスプレイ装置。

【請求項11】

前記絶縁パターンは、前記平坦溝の前記底面と離隔される、請求項９に記載のディスプレイ装置。

【請求項12】

前記平坦溝の平面形状は、多角形である、請求項９に記載のディスプレイ装置。

【請求項13】

前記第２電極の透過率は、前記第１電極の透過率より大きい、請求項９に記載のディスプレイ装置。

【請求項14】

前記第２電極上に位置する封止ユニットをさらに含み、
前記封止ユニットは、無機絶縁物質からなる無機絶縁膜と有機絶縁物質からなる有機絶縁膜との積層構造を有する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。

【請求項15】

前記平坦化膜は、発光領域と重なる平坦突出部をさらに含み、
前記平坦突出部の幅は、前記平坦溝の幅より小さい、請求項１３に記載のディスプレイ装置。

【請求項16】

前記絶縁パターンは、前記第１電極と前記発光層の間に配置される、請求項９に記載のディスプレイ装置。

【請求項17】

前記絶縁パターンは、前記バンク絶縁膜と同じ物質を含む、請求項９に記載のディスプレイ装置。

【請求項18】

前記バンク絶縁膜は一定の厚さを有するライナー膜（ｌｉｎｅａｒ ｌａｙｅｒ）であり、
前記絶縁パターンの厚さは前記バンク絶縁膜の厚さより小さい、請求項１７に記載のディスプレイ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は各画素領域の内に発光素子が位置するディスプレイ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的に、ディスプレイ装置はユーザーにイメージを提供する。例えば、ディスプレイ装置は複数の画素領域を含むことがある。各画素領域は特定の色を具現することがある。例えば、各画素領域の内には発光素子が位置することがある。発光素子は特定の色を表す光を放出することがある。例えば、発光素子は、第１電極と第２電極の間に位置する発光層を含むことがある。

【0003】

ディスプレイ装置では、各画素領域の発光素子が平坦化膜の平らな平面上に位置することがある。これにより、ディスプレイ装置では視野角の増加によって輝度が急激に低下することがある。また、ディスプレイ装置では第１電極と第２電極の間で発生する全反射によって光抽出効率が減少することがある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、光抽出効率を向上できるディスプレイ装置を提供することだ。

【0005】

本発明が解決しようとする他の課題は、視野角の増加による輝度低下を緩和できるディスプレイ装置を提供することである。

【0006】

本発明が解決しようとする課題は、前述の課題に限定されない。ここで言及されていない課題は、以下の記載から通常の技術者に明確に理解されるだろう。

【課題を解決するための手段】

【0007】

解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、素子基板を含む。素子基板上にはバンク絶縁膜が位置する。バンク絶縁膜は画素領域の内に発光領域を定義する。素子基板とバンク絶縁膜の間には平坦化膜が位置する。平坦化膜は発光領域と重なる平坦突出部を含む。平坦突出部の側面は凹状を持つ。平坦突出部の側面上には絶縁パターンが位置する。絶縁パターンは平坦突出部の上面と離隔される。発光領域の平坦化膜上には発光素子が位置する。発光素子は順に積層された第１電極、発光層および第２電極を含む。絶縁パターンは発光素子の第１電極と発光層の間に位置する。

【0008】

平坦突出部の平面形状は多角形であることがある。

【0009】

絶縁パターンはバンク絶縁膜と同じ物質を含むことがある。

【0010】

バンク絶縁膜は一定の厚さを持つライナー膜（ｌｉｎｅａｒ ｌａｙｅｒ）であることがある。絶縁パターンの厚さはバンク絶縁膜の厚さより小さい場合がある。

【0011】

第２電極は第１電極より大きい反射率を持つことがある。

【0012】

素子基板と平坦化膜の間にはカラーフィルタが位置することがある。カラーフィルタは発光領域と重なることがある。

【0013】

平坦化膜は平坦突出部を囲む平坦溝を含むことがある。

【0014】

平坦溝の幅は平坦突出部の幅より小さい場合がある。

【0015】

解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、素子基板を含む。素子基板上には平坦化膜が位置する。平坦化膜は平坦溝を含む。平坦化膜上には第１電極およびバンク絶縁膜が位置する。第１電極は平坦溝の側面および底面を覆う。平坦溝の側面を覆う第１電極の一部領域上には絶縁パターンが位置する。バンク絶縁膜は平坦溝の外側に位置する。バンク絶縁膜は第１電極の端を覆う。バンク絶縁膜によって露出された第１電極の一部領域上には発光層が位置する。発光層上には第２電極が位置する。第２電極はバンク絶縁膜上に延長する。

【0016】

平坦溝の側面は凸状を持つことがある。

【0017】

絶縁パターンは平坦溝の底面から離すことがある。

【0018】

平坦な溝の平面形状は多角形であることがある。

【0019】

第２電極の透過率は、第１電極の透過率より大きくことがある。

【0020】

第２電極上には封止ユニットが配置されることがある。封止ユニットは、無機絶縁材料からなる無機絶縁膜と有機絶縁材料からなる有機絶縁膜との積層構造を有することがある。

【0021】

平坦化膜は、発光領域と重なる平坦な突出部を含むことがある。平坦な突起の幅は平坦な溝の幅より小さくことがある。

【発明の効果】

【0022】

本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、平坦溝または平坦突出部を含む平坦化膜および平坦化膜上に位置する発光素子を含みながら、発光素子の第１電極、発光層および第２電極が平坦溝の側面または平坦突出部の側面上に延長し、平坦溝の側面または平坦突出部の側面上で第１電極と発光層が絶縁パターンによって離すことがある。これにより、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では発光効率を低下させることなく、光抽出効率が向上することができる。したがって、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、各画素領域の動作に必要な電力を減少させることがある。すなわち、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、低電力駆動により消費電力が低減することができる。また、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、視野角の増加による輝度低下が緩和されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の実施例によるディスプレイ装置を概略的に示した図である。

【図2】本発明の実施例によるディスプレイ装置において単位画素領域の回路を示した図である。

【図3】本発明の実施例によるディスプレイ装置において発光領域の平面を示した図である。

【図4】図３のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面を示した図である。

【図5】図４のＫ１領域を拡大した図である。

【図6】本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図7】本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図8】本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図9】本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図10】本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図11】本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図12A】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置で発光領域の平面を示した図である。

【図12B】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置で発光領域の平面を示した図である。

【図12C】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置で発光領域の平面を示した図である。

【図12D】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置で発光領域の平面を示した図である。

【図12E】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置で発光領域の平面を示した図である。

【図13】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置における画素領域の断面を示した図である。

【図14】図１３のＫ２領域を拡大した図である。

【図15】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図16】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図17】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図18】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図19】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【図20】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置を示した図である。

【図21】本発明の他の実施例によるディスプレイ装置を示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

本発明の目的と技術的構成及びこれによる作用効果に関する詳細事項は、本発明の実施例を図示している図面を参照した以下の詳細な説明によってさらに明確に理解されるだろう。ここで、本発明の実施例は当業者に本発明の技術的思想が十分に伝えられるようにするために提供されるものであるため、本発明は以下説明される実施例に限定されないように、他の形態で具体化できる。

【0025】

また、明細書全体にわたって同じ参照番号で表示された部分は同じ構成要素を意味し、図において、層または領域の長さと厚さは便宜のために誇張されて表現することもある。なお、第１コンポーネントが第２コンポーネント”上”にあると記載される場合、第１コンポーネントが第２コンポーネントと直接接触する上側に位置するだけでなく、第１コンポーネントと第２コンポーネントの間に第３コンポーネントが位置する場合も含む。

【0026】

ここで、第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するためのもので、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。ただし、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲では、第１成分と第２成分は当業者の便宜によって任意に命名することがある。

【0027】

本発明の明細書で使用する用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されるものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。例えば、単数で表現されたコンポーネントは文脈上明らかに単数のみを意味しない場合、複数のコンポーネントを含む。また、本発明の明細書において、「含む」又は「持つ」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴若しくは数字，段階，動作，構成要素，部分品若しくはこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性をあらかじめ排除しないものと理解しなければならない。

【0028】

なお、別に定義されない限り、技術的または科学的な用語を含めてここで使用されるすべての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を持つ者によって一般的に理解されるのと同じ意味がある。一般的に使用される辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈上持つ意味と一致する意味があるものと解釈されなければならず、本発明の明細書で明確に定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味では解釈されない。

【0029】

（実施例）
図１は、本発明の実施例によるディスプレイ装置を概略的に示した図である。図２は、本発明の実施例によるディスプレイ装置で単位画素領域の回路を示した図である。

【0030】

図１及び２を参照すると、本発明の実施例によるディスプレイ装置は、表示パネルＤＰを含むことがある。表示パネルＤＰは、ユーザーに提供されるイメージを生成することがある。例えば、表示パネルＤＰは複数の画素領域ＰＡを含むことがある。

【0031】

各画素領域ＰＡには信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＰＬ、ＲＬを介して多様な信号が提供されることがある。例えば、信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＰＬ、ＲＬは、各画素領域ＰＡにゲート信号を順次印加するゲート線ＧＬ、各画素領域ＰＡにデータ信号を印加するデータ線ＤＬ、各画素領域ＰＡに電源電圧を供給する電源電圧供給ラインＰＬ及び各画素領域ＰＡに基準電圧を供給する基準電圧供給ラインＲＬを含むことがある。ゲートラインＧＬはゲートドライバＧＤと電気的に連結されることがある。データラインＤＬはデータドライバＤＤと電気的に接続できる。ゲートドライバＧＤおよびデータドライバＤＤはタイミングコントローラＴＣによって制御することがある。例えば、ゲートドライバＧＤはタイミングコントローラＴＣからクロック信号、リセット信号及びスタート信号を受け取り、データドライバＤＤはタイミングコントローラＴＣからデジタルビデオデータ及びソースタイミング信号を受け取ることがある。電源電圧供給ラインＰＬおよび基準電圧供給ラインＲＬは、電源ユニットＰＵと電気的に接続されることがある。

【0032】

表示パネルＤＰは、画素領域ＰＡが位置する表示領域ＡＡおよび表示領域ＡＡの外側に位置するベゼル領域ＢＺを含むことがある。ゲートドライバＧＤ、データドライバＤＤ、タイミングコントローラＴＣおよび電源ユニットＰＵのうち少なくとも一つは表示パネルＤＰのベゼル領域ＢＺ上に位置することがある。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置は、ゲートドライバＧＤが表示パネルＤＰのベゼル領域ＢＺ上に形成されたＧＩＰ（ＧａｔｅＩｎＰａｎｅｌ）タイプのディスプレイ装置であることがある。

【0033】

各画素領域ＰＡは特定の色を具現することがある。例えば、各画素領域ＰＡの内には画素駆動回路ＤＣと電気的に連結された発光素子３００が位置することがある。各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣおよび発光素子３００は素子基板１００上に位置することがある。素子基板１００は絶縁性物質を含むことがある。素子基板１００は透明な物質を含むことがある。例えば、素子基板１００はガラスまたはプラスチックを含むことがある。

【0034】

各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、ゲート信号に応じてデータ信号に対応する駆動電流を一フレーム間、対応する画素領域ＰＡの発光素子３００に供給することがある。例えば、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３及びストレージキャパシタＣｓｔを含むことがある。

【0035】

図３は、本発明の実施例によるディスプレイ装置では発光領域の平面を示した図である。図４は、図３のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面を示した図である。図５は図４のＫ１領域を拡大した図である。

【0036】

図２ないし５を参照すると、各画素領域ＰＡの第１薄膜トランジスタＴ１は、第１半導体パターン、第１ゲート絶縁膜、第１ゲート電極、第１ドレイン電極および第１ソース電極を含むことがある。各画素領域ＰＡの第１薄膜トランジスタＴ１は、ゲート信号によってデータ信号を対応する画素領域ＰＡの第２薄膜トランジスタＴ２に伝達することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第１薄膜トランジスタＴ１はスイッチング薄膜トランジスタであることがある。第１ゲート電極はゲートラインＧＬのうち一つと電気的に連結されることがある。第１ドレイン電極は、データラインＤＬのいずれかと電気的に接続することがある。

【0037】

各画素領域ＰＡの第２薄膜トランジスタＴ２は、第２半導体パターン２１０、第２ゲート絶縁膜２２０、第２ゲート電極２３０、第２ドレイン電極２４０及び第２ソース電極２５０を含むことがある。各画素領域ＰＡの第２薄膜トランジスタＴ２は、データ信号に対応する駆動電流を生成することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第２薄膜トランジスタＴ２は駆動薄膜トランジスタであることがある。第２ゲート電極２３０は、第１ソース電極と電気的に連結されることがある。第２ドレイン電極２４０は、電源電圧供給ラインＰＬのいずれかに電気的に接続することがある。

【0038】

第２半導体パターン２１０は、素子基板１００上に位置することがある。第２半導体パターン２１０は、ドレイン領域２１０ｄ、チャネル領域２１０ｃおよびソース領域２１０ｓを含むことがある。チャネル領域２１０ｃは、ドレイン領域２１０ｄとソース領域２１０ｓとの間に位置することがある。ドレイン領域２１０ｄおよびソース領域２１０ｓは、チャネル領域２１０ｃよりも小さい抵抗を持つことがある。ドレイン領域２１０ｄおよびソース領域２１０ｓは、多重層構造を持つことがある。ソース領域２１０ｓは、ドレイン領域２１０ｄと同じ積層構造を有することがある。例えば、ドレイン領域２１０ｄは第１ドレイン層２１１ｄと第２ドレイン層２１２ｄの積層構造を有し、ソース領域２１０ｓは第１ソース層２１１ｓと第２ソース層２１２ｓの積層構造を有することがある。

【0039】

第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓは、チャネル領域２１０ｃと同じレイヤー上に位置することがある。チャネル領域２１０ｃ、第１ドレイン層２１１ｄ及び第１ソース層２１１ｓは、半導体物質を含むことがある。例えば、チャネル領域２１０ｃ、第１ドレイン層２１１ｄ及び第１ソース層２１１ｓはＩＧＺＯのような酸化物半導体を含むことがある。第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓは、チャネル領域２１０ｃと同じ物質を含むことがある。第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓは、チャネル領域２１０ｃと同じ抵抗を持つことがある。例えば、チャネル領域２１０ｃ、第１ドレイン層２１１ｄ及び第１ソース層２１１ｓは酸化物半導体の導体化されていない領域であることがある。第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓは、チャネル領域２１０ｃと同時に形成することがある。

【0040】

チャネル領域２１０ｃは、第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓと直接接触することがある。チャネル領域２１０ｃは、第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓと物理的に接続することがある。例えば、第１ドレイン層２１１ｄとチャネル領域２１０ｃとの間の境界面およびチャネル領域２１０ｃと第１ソース層２１１ｓとの間の境界面は認識されないことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第２半導体パターン２１０の内部抵抗を最小化することがある。

【0041】

第２ドレイン層２１２ｄは、第１ドレイン層２１１ｄ上に位置することがある。例えば、第１ドレイン層２１１ｄは素子基板１００と第２ドレイン層２１２ｄとの間に位置することがある。第２ドレイン層２１２ｄは、第１ドレイン層２１１ｄと直接接触することがある。例えば、素子基板１００に向けた第２ドレイン層２１２ｄの下部面は、素子基板１００と対向する第１ドレイン層２１１ｄの上部面と直接接触することがある。第２ソース層２１２ｓは、第１ソース層２１１ｓ上に位置することがある。例えば、第１ソース層２１１ｓは、素子基板１００と第２ソース層２１２ｓとの間に位置することがある。第２ソース層２１２ｓは、第１ソース層２１１ｓと直接接触することがある。例えば、素子基板１００に向かう第２ソース層２１２ｓの下面は、素子基板１００と対向する第１ソース層２１１ｓの上部面と直接接触することがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、ドレイン領域２１０ｄの抵抗及びソース領域２１０ｓの抵抗を最小化することがある。

【0042】

第２ドレイン層２１２ｄおよび第２ソース層２１２ｓは、チャネル領域２１０ｃ、第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓと異なる物質を含むことがある。第２ドレイン層２１２ｄおよび第２ソース層２１２ｓは、チャネル領域２１０ｃ、第１ドレイン層２１１ｄおよび第１ソース層２１１ｓよりも小さい抵抗を持つことがある。例えば、第２ドレイン層２１２ｄおよび第２ソース層２１２ｓは、ＩＴＯおよびＩＺＯなどの導電性酸化物または金属を含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第２ドレイン領域２１０ｄの抵抗及び第２ソース領域２１０ｓの抵抗を最小化することがある。第２ソース層２１２ｓは、第２ドレイン層２１２ｄと同一の物質を含むことがある。例えば、第２ソース層２１２ｓは、第２ドレイン層２１２ｄと同時に形成することがある。第２ドレイン層２１２ｄおよび第２ソース層２１２ｓは、チャネル領域２１０ｃの外側に位置することがある。例えば、第２半導体パターン２１０を形成する工程は、素子基板１００上に半導体物質層を形成する段階、半導体物質層上に低抵抗物質層を形成する段階、半導体物質層及び低抵抗物質層をパターニングする段階及びチャネル領域２１０ｃと重なる低抵抗物質層の一部領域を除去する段階を含むことがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第２半導体パターン２１０を形成する工程の効率が向上することがある。

【0043】

第１半導体パターンは、第２半導体パターン２１０と同じ構造を持つことがある。例えば、第１半導体パターンは、ドレイン領域とソース領域の間に位置するチャネル領域を含みながら、ドレイン領域とソース領域とがそれぞれチャネル領域と同じ物質を含む第１層および第１層より小さい抵抗を持つ第２層の積層構造を持つことがある。第１半導体パターンは、第２半導体パターン２１０と同時に形成することがある。例えば、第２半導体パターン２１０のチャネル領域２１０ｃは、第１半導体パターンのチャネル領域と同じ抵抗を持つことがある。これにより、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では工程効率が効果的に向上することができる。

【0044】

第２ゲート絶縁膜２２０は、第２半導体パターン２１０のチャネル領域２１０ｃ上に位置することがある。第２半導体パターン２１０のドレイン領域２１０ｄおよびソース領域２１０ｓは、第２ゲート絶縁膜２２０の外側に位置することがある。例えば、第２ゲート絶縁膜２２０は、第２ドレイン層２１２ｄと第２ソース層２１２ｓとの間に位置することがある。第２ゲート絶縁膜２２０は絶縁性物質を含むことがある。例えば、第２ゲート絶縁膜２２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる無機絶縁膜であることがある。

【0045】

第１ゲート絶縁膜は、第２ゲート絶縁膜２２０と同一の物質を含むことがある。例えば、第２ゲート絶縁膜２２０は、第１ゲート絶縁膜と同時に形成することがある。第１ゲート絶縁膜の厚さは、第２ゲート絶縁膜２２０の厚さと同一であることがある。

【0046】

第２ゲート電極２３０は、第２ゲート絶縁膜２２０上に位置することがある。例えば、第２ゲート電極２３０は、第２半導体パターン２１０のチャネル領域２１０ｃと重なることがある。第２ゲート電極２３０は、第２ゲート絶縁膜２２０によって第２半導体パターン２１０と絶縁されることがある。例えば、第２ゲート電極２３０の側面は、第２ゲート絶縁膜２２０の側面と連続することがある。第２ゲート電極２３０は導電性物質を含むことがある。例えば、第２ゲート電極２３０はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）のような金属を含むことがある。第２半導体パターン２１０のチャネル領域２１０ｃは、第２ゲート電極２３０に印加された電圧に対応する電気伝導度を有することがある。

【0047】

第１ゲート電極は、第２ゲート電極２３０と同一の物質を含むことがある。例えば、第２ゲート電極２３０は、第１ゲート電極と同時に形成することがある。第１ゲート電極の側面は、第１ゲート絶縁膜の側面と連続することがある。例えば、第１半導体パターンのソース領域は、第１ゲート電極に印加された電圧によって第１半導体パターンのドレイン領域と電気的に連結されることがある。

【0048】

第２ドレイン電極２４０は導電性物質を含むことがある。例えば、第２ドレイン電極２４０はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）のような金属を含むことがある。第２ドレイン電極２４０は、第２ゲート電極２３０と同一の物質を含むことがある。例えば、第２ドレイン電極２４０は、第２ゲート電極２３０と同時に形成することがある。第２ドレイン電極２４０は、第２ゲート電極２３０と同じ層上に位置することがある。第２ドレイン電極２４０は、第２ゲート電極２３０と離すことがある。第２ドレイン電極２４０は、第２ゲート電極２３０と絶縁することがある。第２ドレイン電極２４０は、第２半導体パターン２１０のドレイン領域２１０ｄと電気的に接続することがある。例えば、第２ドレイン電極２４０は、第２半導体パターン２１０の第２ドレイン層２１２ｄと直接接触することがある。

【0049】

第２ソース電極２５０は導電性物質を含むことがある。例えば、第２ソース電極２５０はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）のような金属を含むことがある。第２ソース電極２５０は、第２ドレイン電極２４０と同一の物質を含むことがある。例えば、第２ソース電極２５０は、第２ドレイン電極２４０と同時に形成することがある。第２ソース電極２５０は、第２ドレイン電極２４０と同じ層上に位置することがある。第２ソース電極２５０は、第２ゲート電極２３０および第２ドレイン電極２４０と離すことがある。第２ソース電極２５０は、第２ゲート電極２３０と絶縁することがある。第２ソース電極２５０は、第２半導体パターン２１０のソース領域２１０ｓと電気的に連結することがある。例えば、第２ソース電極２５０は、第２半導体パターン２１０の第２ソース層２１２ｓと直接接触することがある。

【0050】

第１ドレイン電極および第１ソース電極は、第２ドレイン電極２４０および第２ソース電極２５０と同一の物質を含むことがある。第１ドレイン電極および第１ソース電極は、第２ドレイン電極２４０および第２ソース電極２５０と同じ層上に位置することがある。例えば、第２ドレイン電極２４０および第２ソース電極２５０は、第１ドレイン電極および第１ソース電極と同時に形成することがある。第１ドレイン電極および第１ソース電極は、第１ゲート電極と同じ物質を含むことがある。

【0051】

各画素領域ＰＡの第３薄膜トランジスタＴ３は、第３半導体パターン、第３ゲート絶縁膜、第３ゲート電極、第３ドレイン電極および第３ソース電極を含むことがある。各画素領域ＰＡの第３薄膜トランジスタＴ３は、ゲート信号によって対応する画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔを初期化することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第３薄膜トランジスタＴ３は、対応する画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔと基準電圧供給ラインＲＬのいずれかの間に位置することがある。各画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔにはゲート信号によって基準電圧が供給されることがある。例えば、各画素領域ＰＡの第３薄膜トランジスタＴ３はスイッチング薄膜トランジスタであることがある。第３ゲート電極はゲートラインＧＬのうち一つと電気的に連結されることがある。第３ドレイン電極は、基準電圧供給ラインＲＬのいずれかと電気的に接続されることがある。各画素領域ＰＡの第１ゲート電極と第３ゲート電極は、同一のゲート線ＧＬと電気的に接続されることがある。例えば、各画素領域ＰＡの第３薄膜トランジスタＴ３は、対応する画素領域ＰＡの第１薄膜トランジスタＴ１と同時にターンオン／オフすることがある。

【0052】

各画素領域ＰＡの第３薄膜トランジスタＴ３は、対応する画素領域ＰＡの第１薄膜トランジスタＴ１と同時に形成されることがある。例えば、第３半導体パターンは、第１半導体パターンと同じ構造で形成することがある。第３ゲート絶縁膜は、第１ゲート絶縁膜と同じ物質を含むことがある。第３ゲート電極、第３ドレイン電極および第３ソース電極は、第１ゲート電極、第１ドレイン電極および第１ソース電極と同時に形成されることがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では工程効率が向上することができる。

【0053】

各画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔは、対応する画素領域ＰＡの内に位置する第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極２３０に印加される信号を一フレームの間、維持することがある。例えば、各画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔは、対応する画素領域ＰＡの内に位置する第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極２３０と第２ソース電極２５０との間に電気的に連結されることがある。各画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔは、キャパシタ電極の積層構造を持つことがある。例えば、各画素領域ＰＡのストレージキャパシタＣｓｔは、対応する画素領域ＰＡの第２ゲート電極２３０と電気的に連結される第１キャパシタ電極及び対応する画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０と電気的に連結される第２キャパシタ電極を含むことがある。各画素領域ＰＡの内に位置する第３薄膜トランジスタＴ３の第３ソース電極は、対応する画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０と同じキャパシタ電極に連結されることがある。例えば、各画素領域ＰＡの内に位置する第３薄膜トランジスタＴ３の第３ソース電極は、対応する画素領域ＰＡの内に位置するストレージキャパシタＣｓｔの第２キャパシタ電極と電気的に連結されることがある。

【0054】

素子基板１００上には各画素領域ＰＡ内で不必要な電気的連結を防止するための複数の絶縁膜１１０、１２０、１３０、１４０、１５０が位置することがある。例えば、素子基板１００上には素子バッファ膜１１０、層間絶縁膜１２０、素子保護膜１３０、平坦化膜１４０及びバンク絶縁膜１５０が位置することがある。

【0055】

素子バッファ膜１１０は素子基板１００に近く位置することがある。素子バッファ膜１１０は、各画素領域ＰＡの内に位置する画素駆動回路ＤＣの形成工程で素子基板１００による汚染を防止することができる。例えば、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣに向けた素子基板１００の上部面は、素子バッファ膜１１０によって完全に覆うことがある。各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、素子バッファ膜１１０上に位置することがある。素子バッファ膜１１０は絶縁性物質を含むことがある。例えば、素子バッファ膜１１０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）およびシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含むことがある。素子バッファ膜１１０は、多重層構造を有することがある。例えば、素子バッファ膜１１０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）からなる無機絶縁膜とシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）からなる無機絶縁膜の積層構造を有することがある。

【0056】

素子基板１００と各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣとの間には遮光パターン１０５が位置することがある。例えば、各画素領域ＰＡの遮光パターン１０５は、素子基板１００と素子バッファ膜１１０との間に位置することがある。各画素領域ＰＡの第２半導体パターン２１０は、対応する画素領域ＰＡの遮光パターン１０５と重なることがある。遮光パターン１０５は、光を遮断できる物質を含むことがある。例えば、遮光パターン１０５は金属を含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、素子基板１００を通じて各薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３の第２半導体パターン２１０方向に進行する外光が遮光パターン１０５によって遮断されることがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、外光による各薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３の特性変化が防止できる。

【0057】

遮光パターン１０５は導電性物質を含むことがある。遮光パターン１０５には特定電圧が印加されることがある。例えば、各画素領域ＰＡの遮光パターン１０５は、対応する画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０と電気的に連結することがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３の第２半導体パターン２１０方向に進行する外光が効果的に遮断されることができる。

【0058】

層間絶縁膜１２０は、素子バッファ膜１１０上に位置することがある。層間絶縁膜１２０は絶縁性物質を含むことがある。例えば、層間絶縁膜１２０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる無機絶縁膜であることがある。層間絶縁膜１２０は、各画素領域ＰＡの第２ゲート絶縁膜２２０と同一の物質を含むことがある。各画素領域ＰＡの第２ゲート絶縁膜２２０は、層間絶縁膜１２０と同じ層上に形成することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第２ドレイン電極２４０及び第２ソース電極２５０は層間絶縁膜１２０上に位置する領域を含むことがある。各画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０は、素子バッファ膜１１０および層間絶縁膜１２０を貫通して対応する画素領域ＰＡの遮光パターン１０５と直接接触することがある。

【0059】

素子保護膜１３０は層間絶縁膜１２０上に位置することがある。素子保護膜１３０は、外部水分及び衝撃による各画素領域ＰＡの内に位置する画素駆動回路ＤＣの損傷を防止できる。例えば、各画素領域ＰＡの第１ドレイン電極、第１ソース電極、第２ドレイン電極２４０、第２ソース電極２５０、第３ドレイン電極および第３ソース電極は素子保護膜１３０によって覆われることがある。素子保護膜１３０は絶縁性物質を含むことがある。例えば、素子保護膜１３０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる無機絶縁膜であることがある。

【0060】

平坦化膜１４０は、素子保護膜１３０上に位置することがある。平坦化膜１４０は絶縁性物質を含むことがある。平坦化膜１４０は、素子保護膜１３０と他の物質を含むことがある。例えば、平坦化膜１４０は有機絶縁物質からなる有機絶縁膜であることもある。各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣによる段差は、平坦化膜１４０によって除去することがある。

【0061】

各画素領域ＰＡの平坦化膜１４０は、複数の平坦突出部１４０ｐを含むことがある。各平坦突出部１４０ｐは、隣接する平坦突出部１４０ｐと離すことがある。複数の平坦突出部１４０ｐは、対応する画素領域ＰＡの内に並んで位置することがある。各平坦突出部１４０ｐは、隣接する平坦突出部１４０ｐと交互に配置することがある。例えば、各平坦突出部１４０ｐの平面形状は六角形であることがある。各画素領域ＰＡの平坦化膜１４０は、平坦突出部１４０ｐの外側に位置する平坦溝１４０ｇを含むことがある。平坦溝１４０ｇは平坦突出部１４０ｐの間に延長することがある。例えば、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓは平坦溝１４０ｇの側面であることがある。各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓは、対応する平坦突出部１４０ｐの内側方向に凹んだ形状を有することがある。平坦溝１４０ｇは平坦溝１４０ｇの外側方向に凸状の側面１４０ｓを有することがある。隣接する平坦突出部１４０ｐの間で平坦溝１４０ｇの幅は、各平坦突出部１４０ｐの幅より小さいことがある。

【0062】

バンク絶縁膜１５０は平坦化膜１４０上に位置することがある。バンク絶縁膜１５０は、各画素領域ＰＡの内に発光領域ＥＡを定義することがある。各画素領域ＰＡ上に位置する平坦突出部１４０ｐは、バンク絶縁膜１５０によって対応する画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡと重なることがある。例えば、各画素領域ＰＡの平坦突出部１４０ｐ及び平坦溝１４０ｇは、対応する画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内に位置することがある。バンク絶縁膜１５０は絶縁性物質を含むことがある。例えば、バンク絶縁膜１５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる無機絶縁膜であることがある。バンク絶縁膜１５０は一定の厚さを持つライナー膜（ｌｉｎｅａｒｌａｙｅｒ）であることがある。例えば、バンク絶縁膜１５０は、各画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡの端に近く位置する平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓに沿って延長することがある。

【0063】

各画素領域ＰＡの発光素子３００は、対応する画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡの平坦化膜１４０上に位置することがある。各画素領域ＰＡの発光素子３００は、特定の色を表す光を放出することがある。例えば、各画素領域ＰＡの発光素子３００は、対応する画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡの平坦化膜１４０上に順に積層された第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０を含むことがある。

【0064】

第１電極３１０は導電性物質を含むことがある。第１電極３１０は相対的に高い透過率を有することがある。例えば、第１電極３１０は、ＩＴＯ及びＩＺＯのような透明な導電性物質からなる透明電極であることがある。

【0065】

発光層３２０は、第１電極３１０と第２電極３３０との間の電圧差に対応する輝度の光を生成することがある。例えば、発光層３２０は発光物質を含む発光物質層（ＥｍｉｓｓｉｏｎＭａｔｅｒｉａｌＬａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含むことがある。発光物質は有機物質、無機物質またはハイブリッド物質を含むことがある。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置は、有機発光物質を含む有機発光表示装置であることがある。

【0066】

発光層３２０は多重層構造を有することがある。例えば、発光層３２０は、正孔注入層（ＨｏｌｅＩｎｊｅｃｔｉｏｎＬａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨｏｌｅＴｒａｎｓｐｏｒｔＬａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥｌｅｃｔｒｏｎＴｒａｎｓｐｏｒｔＬａｙｅｒ；ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥｌｅｃｔｒｏｎＩｎｊｅｃｔｉｏｎＬａｙｅｒ；ＥＩＬ）のうち少なくとも１つを含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では発光効率が向上することができる。

【0067】

第２電極３３０は導電性物質を含むことがある。第２電極３３０は、第１電極３１０と他の物質を含むことがある。第２電極３３０の反射率は、第１電極３１０の反射率より大きいことがある。例えば、第２電極３３０はアルミニウム（Ａｌ）および銀（Ａｇ）などの金属を含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、発光層３２０によって生成された光が第１電極３１０を通じて放出されることができる。

【0068】

各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣは、対応する画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡの外側に位置することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３及びストレージキャパシタＣｓｔは、対応する画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重畳しないことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光素子３００から放出された光が対応する画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣによって遮断されないことがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣによる光抽出効率の低下が防止できる。

【0069】

各画素領域ＰＡの発光素子３００は、対応する画素領域ＰＡの内に位置する画素駆動回路ＤＣの第２薄膜トランジスタＴ２と電気的に連結されることがある。例えば、各画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０は、対応する画素領域ＰＡの第１電極３１０と電気的に連結することがある。素子保護膜１３０および平坦化膜１４０は、各画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０を部分的に露出する電極コンタクトホールを含むことがある。例えば、各画素領域ＰＡの第１電極３１０は電極コンタクトホールの一つを介して対応する画素領域ＰＡの第２ソース電極２５０と直接接触することがある。電極コンタクトホールは、各画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡの外側に位置することがある。例えば、電極コンタクトホールはバンク絶縁膜１５０と重なることがある。各画素領域ＰＡの内に位置する第１電極３１０の端は、バンク絶縁膜１５０によって覆われることがある。各画素領域ＰＡの発光層３２０および第２電極３３０は、バンク絶縁膜１５０によって露出された対応する第１電極３１０の一部領域上に順に積層することがある。各画素領域ＰＡの第１電極３１０は、バンク絶縁膜１５０によって隣接する画素領域ＰＡの第１電極３１０と絶縁されることがある。

【0070】

各画素領域ＰＡの第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０は、対応する画素領域ＰＡの内に位置する各平坦突出部１４０ｐの上部面及び平坦溝１４０ｇの底面上に積層することがある。例えば、本発明の実施例による表示装置では、各画素領域ＰＡから放出される光が、対応する画素領域ＰＡの平坦溝１４０ｇの底面上に位置する発光層３２０の一部領域によって生成された光Ｌ１及び対応する画素領域ＰＡの平坦突出部１４０ｐの各上面上に位置する発光層３２０の一部領域によって生成された光Ｌ２を含むことがある。各画素領域ＰＡの第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０は、対応する画素領域ＰＡの内に位置する各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に延長することがある。例えば、各画素領域ＰＡの内に位置する各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓは、対応する画素領域ＰＡの第１電極３１０と直接接触することがある。すなわち、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの平坦突出部１４０ｐによって形成された屈曲が対応する画素領域ＰＡの第２電極３３０によって覆われることがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの第１電極３１０と第２電極３３０との間で全反射された光が対応する画素領域ＰＡ内で各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓを覆う第２電極３３０によって外部に放出されることができる。また、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの平坦突出部１４０ｐそれぞれの上部面上に位置する発光層３２０の一部領域から側面方向に放出された光Ｌ３、Ｌ４が対応する画素領域ＰＡの第２電極３３０によって素子基板１００方向に反射されることがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、光抽出効率が向上することができる。

【0071】

本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの平坦突出部１４０ｐそれぞれの上部面上に位置する発光層３２０の一部領域から側面方向に放出された光Ｌ３、Ｌ４が多様な方向に反射できる。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの上部面に近く位置する第２電極３３０の一部領域によって反射された光Ｌ３が、対応する平坦突出部１４０ｐの上部面上に位置する第２電極３３０の一部領域によって素子基板１００方向に再反射されることがある。また、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの上部面から遠く位置する第２電極３３０の一部領域に向かって放出された光Ｌ４が第２電極３３０の対応する領域によって素子基板１００方向に反射されることがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐを覆う第２電極３３０によって各発光素子３００によって生成された光が多様な角度で放出されることがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、視野角の増加による輝度の低下が緩和されることができる。

【0072】

各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内には絶縁パターン１５０ｐが位置することがある。絶縁パターン１５０ｐは、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置することがある。例えば、絶縁パターン１５０ｐは、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に積層された第１電極３１０の一部領域と発光層３２０の一部領域との間に位置することがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する発光層３２０の一部領域が絶縁パターン１５０ｐによって対応する第１電極３１０の一部領域と離すことがある。絶縁パターン１５０ｐは絶縁性物質を含むことがある。例えば、絶縁パターン１５０ｐはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる無機絶縁膜であることがある。絶縁パターン１５０ｐはバンク絶縁膜１５０と同一の物質を含むことがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する発光層３２０の一部領域から光が放出されないことがある。

【0073】

一般的に、各画素領域ＰＡの発光層３２０は、ステップカバレッジ（ｓｔｅｐｃｏｖｅｒａｇｅ）が良くない蒸着工程によって形成されることがある。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する発光層３２０の一部領域が相対的に小さい厚さで形成されることがある。発光層３２０は厚さと比例する抵抗を持つことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に形成された発光層３２０の一部領域が相対的に小さい抵抗を持つことがある。相対的に小さな抵抗を持つ発光層３２０の一部領域には電界が集中されることがある。すなわち、相対的に小さい抵抗を持つ発光層３２０の一部領域が光を放出すると、相対的に高い抵抗を持つ発光層３２０の他の領域では光が放出されないことがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に相対的に小さい厚さで形成された発光層３２０の一部領域が光を放出しないようにして、発光層３２０の抵抗差による発光面積の低下が防止できる。

【0074】

各画素領域ＰＡの発光素子３００から放出された光は、隣接した画素領域ＰＡの発光素子３００から放出された光と同じ色を具現することがある。例えば、各画素領域ＰＡの発光素子３００は白色光を放出することがある。各画素領域ＰＡの発光層３２０は、隣接する画素領域ＰＡの発光層３２０と同じ物質を含むことがある。各画素領域ＰＡの発光層３２０は、隣接する画素領域ＰＡの発光層３２０と同じ構造を持つことがある。例えば、各画素領域ＰＡの発光層３２０は、隣接する画素領域ＰＡの発光層３２０と同時に形成されることがある。各画素領域ＰＡの発光層３２０は、隣接する画素領域ＰＡの発光層３２０と直接接触することがある。例えば、各画素領域ＰＡの発光層３２０はバンク絶縁膜１５０上に延長することがある。

【0075】

各画素領域ＰＡは隣接する画素領域ＰＡとは異なる色を具現することがある。例えば、各画素領域ＰＡの素子基板１００と第１電極３１０との間にはカラーフィルタ６００が位置することがある。各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００は、対応する画素領域ＰＡの発光素子３００から放出された光の経路上に位置することがある。例えば、各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００は、対応する画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なることがある。各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００は、素子保護膜１３０と平坦化膜１４０との間に位置することがある。各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００による段差は、平坦化膜１４０によって除去されることがある。各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００は、対応する画素領域ＰＡの発光領域ＥＡより大きい大きさを持つことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００を通過していない光による光漏れ現象が防止されることができる。

【0076】

各画素領域ＰＡの第２電極３３０に印加される電圧は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０に印加される電圧と同じであることもある。例えば、各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と電気的に接続されてもよい。各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と同時に形成することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と同じ物質を含むことができる。各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、隣接する画素領域ＰＡの第２電極３３０と直接接触することがある。これにより、本発明の一実施形態による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に第２電極３３０を形成する工程を簡略化することができる。また、本発明の実施形態に係る表示装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣに印加されるデータ信号によって対応する画素領域ＰＡの発光素子３００から放出される光の輝度が調整できる。

【0077】

各画素領域ＰＡの発光素子３００上には封止ユニット４００が位置することもある。封止ユニット４００は、外部の水分や衝撃による発光素子３００の損傷を防止することができる。例えば、各画素領域ＰＡの発光素子３００は、封止ユニット４００によって完全に覆われることがある。各画素領域ＰＡの平坦溝１４０ｇは、封止ユニット４００によって充填されることがある。封止ユニット４００は絶縁材料を含むことがある。例えば、封止ユニット４００はオレフィン（ｏｌｅｆｉｎ）系材料を含むことがある。封止ユニット４００は吸湿材料（ｍｏｉｓｔｕｒｅ－ａｂｓｏｒｂｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌ）を含むことがある。

【0078】

封止ユニット４００上には封止基板５００が配置されることがある。封止基板５００は、封止ユニット４００によって発光素子３００が形成された素子基板１００と結合することがある。例えば、封止ユニット４００は接着性材料を含むことがある。封止基板５００は、外部の水分や衝撃による発光素子３００の損傷を防止することができる。封止基板５００は、比較的熱伝導率の高い材料を含むことがある。例えば、封止基板５００は、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）などの金属を含むことがある。したがって、本発明の一実施形態による表示装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣおよび発光素子３００によって発生した熱を封止基板５００を介して放出することができる。したがって、本発明の実施形態に係る表示装置では、熱による各発光素子３００の劣化を防止することができる。

【0079】

図６ないし１１は、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順次示した図である。

【0080】

図４及び６ないし１１を参照して、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を説明する。まず、図６に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、素子基板１００の各画素領域ＰＡ上に遮光パターン１０５を形成する段階、遮光パターン１０５を覆う素子バッファ膜１１０を形成する段階、素子バッファ膜１１０を含む画素駆動回路を形成する段階、素子バッファ膜１１０上に層間絶縁膜１２０を形成する段階、画素駆動回路を覆う素子保護膜１３０上にカラーフィルタ６００が形成される、カラーフィルタ６００を覆う平坦化膜１４０を形成する段階及び平坦化膜１４０上に第１マスクパターンＭＲ１を形成する段階を含むことがある。

【0081】

画素駆動回路は、後続工程によって各画素領域ＰＡの内に定義される発光領域ＥＡの外側に形成することがある。カラーフィルタ６００は、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なるように形成することがある。平坦化膜１４０はネガティブ物質（ｎｅｇａｔｉｖｅｍａｔｅｒｉａｌ）で形成することがある。例えば、第１マスクパターンＭＲ１は後続工程によって平坦突出部１４０ｐが形成される領域と重なることがある。平坦突出部１４０ｐは、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内に形成することがある。例えば、第１マスクパターンＭＲ１は、各画素領域ＰＡのカラーフィルタ６００と重なるように形成することがある。

【0082】

図７に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、第１マスクパターンＭＲ１を利用して平坦化膜１４０に平坦突出部１４０ｐを形成する段階を含むことがある。

【0083】

平坦突出部１４０ｐを形成する段階は、第１マスクパターンＭＲ１によって露出された平坦化膜１４０の一部領域をエッチングする段階を含むことがある。例えば、各平坦突出部１４０ｐの外側には平坦溝１４０ｇが形成されることがある。平坦突出部１４０ｐを形成する段階は乾式エッチング工程（ｄｒｙ－ｅｔｃｈｐｒｏｃｅｓｓ）を含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓは対応する平坦突出部１４０ｐの内側方向に凹んだ形状で形成されることがある。

【0084】

図８に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、第１マスクパターンＭＲ１を除去する段階、平坦化膜１４０に各画素領域ＰＡの画素駆動回路を部分的に露出する電極コンタクトホールを形成する段階及び各画素領域ＰＡの平坦化膜１４０上に電極コンタクトホールのいずれかを介して対応する画素駆動回路と電気的に連結される第１電極３１０を形成する段階を含むことがある。

【0085】

各画素領域ＰＡの第１電極３１０は、対応する画素領域ＰＡ上に位置する各平坦突出部１４０ｐ及び平坦溝１４０ｇの表面に沿って延長することがある。例えば、各画素領域ＰＡ上に位置する各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓと上部面および平坦溝１４０ｇの底面は、対応する画素領域ＰＡの第１電極３１０によって覆われることがある。

【0086】

図９に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、各画素領域ＰＡの第１電極３１０を覆うバンク絶縁膜１５０を形成する段階及びバンク絶縁膜１５０上に各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる開口部を有するフォトレジストパターン（Ｐｈｏｔｏ－Ｒｅｓｉｓｔｐａｔｔｅｒｎ；ＰＲ）を形成する段階を含むことがある。

【0087】

バンク絶縁膜１５０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成することがある。バンク絶縁膜１５０はライナー膜（ｌｉｎｅａｒｌａｙｅｒ）で形成されることがある。例えば、各画素領域ＰＡ上に位置するバンク絶縁膜１５０は一定の厚さを持つことがある。バンク絶縁膜１５０は、各画素領域ＰＡ上に位置する各平坦突出部１４０ｐ及び平坦溝１４０ｇの表面に沿って対応する画素領域ＰＡの第１電極３１０と並んで延長することがある。
図１０に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、フォトレジストパターンＰＲを利用してバンク絶縁膜１５０をパターニングする段階を含むことがある。

【0088】

バンク絶縁膜１５０をパターニングする段階は、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なるバンク絶縁膜１５０の一部領域を除去する段階を含むことがある。例えば、フォトレジストパターンＰＲを利用したパターニング工程により、各画素領域ＰＡ上に位置する各平坦突出部１４０ｐの上部面及び平坦溝１４０ｇの底面上に位置するバンク絶縁膜１５０の一部領域は除去されることがある。

【0089】

バンク絶縁膜１５０をパターニングする段階は乾式エッチング工程を含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦突出部１４０ｐの凹状を持つ側面１４０ｓを覆うバンク絶縁膜１５０の一部領域がフォトレジストパターンＰＲを利用したパターニング工程によって除去されないことがある。例えば、フォトレジストパターンＰＲを利用したパターニング工程により、各平坦突出部１４０ｐの凹んだ形状を持つ側面１４０ｓ上には絶縁パターン１５０ｐが形成されることがある。各平坦突出部１４０ｐの凹状を持つ側面１４０ｓ上に形成された絶縁パターン１５０ｐは、各画素領域ＰＡの内に定義された発光領域ＥＡの外側に位置するバンク絶縁膜１５０より小さい厚さを持つことがある。

【0090】

図１１に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、絶縁パターン１５０ｐが形成された素子基板１００の各画素領域ＰＡ上に発光層３２０を形成する段階を含むことがある。

【0091】

発光層３２０を形成する段階は蒸着工程を含むことがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に形成される発光層３２０の一部領域が発光層３２０の他の領域より小さい厚さを持つことがある。例えば、絶縁パターン１５０ｐ上に形成される発光層３２０の一部領域は、バンク絶縁膜１５０上に形成される発光層３２０の一部領域より小さい厚さを有することがある。各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に形成される発光層３２０の一部領域は、絶縁パターン１５０ｐによって対応する第１電極３１０と離すことがある。すなわち、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、相対的に小さい厚さで形成される発光層３２０の一部領域が、絶縁パターン１５０ｐによって対応する第１電極３１０と絶縁されることがある。

【0092】

図４に示すように、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、各画素領域ＰＡの発光層３２０上に第２電極３３０を形成する段階及び封止ユニット４００を利用して第２電極３３０が形成された素子基板１００に封止基板５００を付着する段階を含むことがある。

【0093】

各画素領域ＰＡ上に形成された第２電極３３０は、対応する画素領域ＰＡの発光層３２０に沿って延長することがある。例えば、各画素領域ＰＡの第２電極３３０は、対応する画素領域ＰＡ上に位置する各平坦突出部１４０ｐの上部面および側面１４０ｓに沿って延長することがある。各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上で発光層３２０は絶縁パターン１５０ｐと第２電極３３０との間に位置することがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する発光層３２０の一部領域に電界が集中しないことがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する発光層３２０の一部領域が光を放出しないことがある。すなわち、本発明の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦突出部１４０ｐの上部面および平坦溝１４０ｇの底面上に位置する発光層３２０の一部領域でのみ光が放出されることがある。

【0094】

結果として、本発明の実施例による表示装置は、各画素領域ＰＡの平坦化膜１４０が対応する画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる平坦突出部１４０ｐを含みながら、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する第１電極３１０の一部領域と発光層３２０の一部領域が絶縁パターン１５０ｐによって互いに離隔することがある。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に比較的小さい厚さで形成された発光層３２０の一部領域による発光面積の減少が防止され、各平坦突出部１４０ｐによる屈曲によって各発光素子３００の第１電極３１０と第２電極３３０との間に全反射される光が外部へ放出されることがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では発光効率を低下させることなく、光抽出効率が向上することができる。

【0095】

また、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光素子３００によって生成された光が平坦突出部１４０ｐを覆う対応する画素領域ＰＡの第２電極３３０によって多様な角度で放出されることがある。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、視野角の増加による輝度の低下が緩和されることができる。

【0096】

なお、本発明の実施形態に係る表示装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓが対応する平坦突出部１４０ｐの内側方向に凹状の形状を有することもある。これにより、本発明の一実施形態による表示装置では、各平坦突出部１４０ｐの側面１４０ｓ上に位置する絶縁パターン１５０ｐが各画素領域ＰＡ上に位置する第１電極３１０を縁部を覆うバンク絶縁膜１５０の形成工程により形成することがある。したがって、本発明の実施形態に係る表示装置では、工程効率を低下させることなく、光抽出効率を効果的に向上させることができる。

【0097】

本発明の実施形態に係る表示装置は、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣが第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３及びストレージキャパシタＣｓｔから構成されるものとして説明される。しかしながら、本発明の他の実施形態による表示装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣが少なくとも１つの薄膜トランジスタを含むことがある。例えば、本発明の他の実施形態に係る表示装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣが第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔのみを含めることがある。また、本発明の他の実施形態による表示装置では、各画素領域ＰＡの画素駆動回路ＤＣが、４つ以上の薄膜トランジスタを含むことがある。これにより、本発明の他の実施形態に係る表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する画素駆動回路ＤＣの構成に対する自由度を向上させることができる。

【0098】

本発明の実施形態による表示装置において、各画素領域ＰＡ内に位置する第２ドレイン電極２４０及び第２ソース電極２５０の位置及び電気的接続は、対応する画素領域ＰＡ内に位置する画素駆動回路ＤＣの構成および／または対応する薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３の種類によって変わることがある。例えば、本発明の他の実施形態による表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極２３０が対応する画素領域ＰＡ内に位置する第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極と電気的に接続され、各画素領域ＰＡの第１電極３１０を対応する画素領域ＰＡの第２ドレイン電極２４０と電気的に接続することがある。したがって、本発明の他の実施形態に係る表示装置では、各画素領域ＰＡ内に位置する画素駆動回路ＤＣの構成及び各画素駆動回路ＤＣに含まれる薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３の種類に対する自由度を向上させることができる。

【0099】

本発明の実施例によるディスプレイ装置は、各平坦突出部１４０ｐの平面形状が六角形であると説明される。しかし、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐが多様な平面状を持つことがある。例えば、図１２ａに示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各発光領域ＥＡ内で各平坦突出部１４０ｐの平面形状が一方方向に延びるバー形状であり、各発光領域ＥＡ上に位置する平坦溝１４０ｇが対応する平坦突出部１４０ｐと平行に延長する形状を有することがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内に平坦突出部１４０ｐ及び平坦溝１４０ｇの形成工程が単純化できる。したがって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では工程効率及び光抽出効率が向上し、視野角の増加による輝度の低下が減少することができる。

【0100】

本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの平面形状が多角形であることがある。例えば、図１２ｂに示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの平面形状が三角形であることがある。また、図１２ｃに示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの平面形状が四角形であることがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの平面形状に対する自由度が向上することができる。

【0101】

図１２ｄに示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの平面形状が円形であることがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐを覆う第２電極によって反射された光が方位角と関係なく均一な輝度を持つことがある。したがって、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、方位角および視野角による輝度偏差が防止できる。

【0102】

本発明の実施例によるディスプレイ装置は、平坦突出部１４０ｐの間にのみ平坦溝１４０ｇが位置するものと説明される。しかし、図１２ｅに示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、平坦溝１４０ｇが各平坦突出部１４０ｐの縁に沿って延長することがある。例えば、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐの平面形状を平坦溝１４０ｇによって定義されることがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦突出部１４０ｐと平坦溝１４０ｇの相対位置に対する自由度が向上することができる。

【0103】

本発明の実施例によるディスプレイ装置は、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内に複数の平坦突出部１４０ｐが位置するものと説明される。しかし、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内に一つの平坦突出部１４０ｐ及び平坦突出部１４０ｐを囲む平坦溝１４０ｇが位置することがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡの内に位置する平坦突出部１４０ｐの数及び平坦溝１４０ｇの数に対する自由度が向上することができる。

【0104】

本発明の実施例によるディスプレイ装置は、各平坦突出部１４０ｐが平坦突出部１４０ｐの間に位置する平坦溝１４０ｇより大きい大きさを有するものと説明される。しかし、図１３に示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる平坦化膜１４０の一部領域が複数の平坦溝１４０ｇ及び平坦溝１４０ｇとの間に位置する平坦突出部１４０ｐを含みながら、平坦突出部１４０ｐは各平坦溝１４０ｇより小さい幅を有することがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡ上に位置する平坦突出部１４０ｐ及び平坦溝１４０ｇの相対サイズに対する自由度が向上することができる。

【0105】

本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各発光素子３００の発光層３２０によって生成された光が対応する発光素子３００の第２電極３３０を介して外部に放出されることがある。例えば、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各発光素子３００の第１電極３１０がアルミニウム（Ａｌ）および銀（Ａｇ）のような金属を含むことがある。第１電極３１０は、多重層構造を有することがある。例えば、第１電極３１０はＩＴＯおよびＩＺＯのような透明な導電性物質からなる透明電極の間に金属からなる反射電極が位置する構造を持つことがある。各発光素子３００の第２電極３３０は、対応する発光素子３００の第１電極３１０より大きい透過率を有することがある。例えば、各発光素子３００の第２電極３３０は、ＩＴＯおよびＩＺＯのような透明な導電性物質からなる透明電極またはＡｇおよびＭｇのような金属が薄く形成された半透明電極であることがある。これにより、図１４に示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各平坦溝１４０ｇの底面に位置する発光層３２０の一部領域が素子基板１００の上部面に垂直な方向に放出される光Ｌ５及び素子基板１００の上部面に傾斜して放出される光Ｌ６，Ｌ７を生成することがある。各平坦溝１４０ｇの底面に位置する発光層３２０の一部領域で素子基板１００の上部面に傾斜して放出された光Ｌ６、Ｌ７は、対応する平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓを覆う第１電極３１０によって外部方向に反射することがある。各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓを覆う第１電極３１０によって反射される光Ｌ６、Ｌ７は入射される位置によって多様な角度で反射されることがある。したがって、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では光抽出効率が向上し、視野角の増加による輝度の低下が緩和されることができる。平坦突出部１４０ｐの上部面に位置する発光層３２０の一部領域で生成された光Ｌ８は、第１電極３１０による反射なしに外部に放出されることができる。

【0106】

図１５ないし１９は、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を順に示した図である。

【0107】

図１３および１５ないし１９を参照して、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法を説明する。まず、図１５に示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、各画素領域ＰＡの画素駆動回路が形成された素子基板１００上に素子保護膜１３０及び平坦化膜１４０を形成する段階及び第２マスクパターンＭＲ２を利用して各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なる平坦化膜１４０の一部領域に複数の平坦溝を形成する段階を含むことがある。

【0108】

複数の平坦溝１４０ｇを形成する段階は、第２マスクパターンＭＲ２によって露出された平坦化膜１４０の一部領域をエッチングする段階を含むことがある。例えば、平坦溝１４０ｇの間には平坦突出部１４０ｐが形成されることがある。複数の平坦溝１４０ｇを形成する段階は乾式エッチング工程を含むことがある。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法では、各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓは、対応する平坦溝１４０ｇの外側方向に凸状に形成されることがある。

【0109】

図１６に示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、第２マスクパターンＭＲ２を除去する段階、平坦化膜１４０に各画素領域ＰＡの画素駆動回路を部分的に露出する電極コンタクトホールを形成する段階及び各画素領域ＰＡの平坦化膜１４０上に電極コンタクトホールのいずれかを介して対応する画素駆動回路と電気的に連結される第１電極３１０を形成する段階を含むことがある。

【0110】

各画素領域ＰＡの第１電極３１０は、対応する画素領域ＰＡ上に位置する各平坦溝１４０ｇおよび平坦突出部１４０ｐの表面に沿って延長することがある。例えば、各画素領域ＰＡ上に位置する各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓと底面及び平坦突出部１４０ｐの上部面は、対応する画素領域ＰＡの第１電極３１０によって覆われることがある。

【0111】

図１７に示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、各画素領域ＰＡの第１電極３１０を覆うバンク絶縁膜１５０を形成する段階を含むことがある。

【0112】

バンク絶縁膜１５０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成することがある。バンク絶縁膜１５０はライナー膜（ｌｉｎｅａｒｌａｙｅｒ）で形成されることがある。例えば、各画素領域ＰＡ上に位置するバンク絶縁膜１５０は一定の厚さを持つことがある。バンク絶縁膜１５０は、各画素領域ＰＡ上に位置する各平坦溝１４０ｇ及び平坦突出部１４０ｐの表面に沿って対応する画素領域ＰＡの第１電極３１０と並んで延長することがある。
図１８に示すように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置の形成方法は、バンク絶縁膜１５０をパターニングして、各画素領域ＰＡの第１電極３１０を部分的に露出する段階を含むことがある。

【0113】

バンク絶縁膜１５０によって露出された各画素領域ＰＡの内に位置する第１電極３１０の一部領域は、対応する画素領域ＰＡの発光領域ＥＡと重なることがある。例えば、バンク絶縁膜１５０をパターニングする工程は、各画素領域ＰＡ内に発光領域ＥＡを定義する工程を含むことがある。バンク絶縁膜１５０をパターニングする工程は、ドライエッチング工程を含むことがある。したがって、本発明の一実施形態による表示装置の形成方法では、各平坦溝１４０ｇの凸形状を有する側面１４０ｓを覆うバンク絶縁膜１５０の一部の領域を完全に除去されない場合がある。例えば、各平坦溝１４０ｇの凸形状を有する側面１４０ｓ上に絶縁パターン１５０ｐを形成することがある。各平坦溝１４０ｇの凸形状を有する側面１４０ｓ上に形成された絶縁パターン１５０ｐは、各画素領域ＰＡの発光領域ＥＡを定義するバンク絶縁膜１５０より、小さい厚さを持つことがある。

【0114】

図１９に示すように、本発明の他の実施形態による表示装置の形成方法は、絶縁パターン１５０ｐが形成された素子基板１００の各画素領域ＰＡ上に発光層３２０を形成する工程及び各画素領域ＰＡの発光層３２０上に第２電極３３０を形成する工程を含むことがある。

【0115】

発光層３２０を形成する工程は蒸着工程を含むことがある。例えば、各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓ上に形成される発光層３２０の一部の領域は、比較的小さい厚さを有することがある。各画素領域ＰＡ上に形成された第２電極３３０は、対応する画素領域ＰＡの発光層３２０に沿って延びることがある。例えば、各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓ上には、第１電極３１０の一部領域、絶縁パターン１５０ｐ、発光層３２０の一部領域及び第２電極３３０の一部領域が順に積み重ねることがある。すなわち、本発明の他の実施形態に係る表示装置の形成方法では、各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓ上に形成される発光層３２０の一部領域が、絶縁パターン１５０ｐによって対応する第１電極３１０と絶縁することがある。したがって、本発明の他の実施形態による表示装置の形成方法では、各平坦溝１４０ｇの側面１４０ｓ上に位置する発光層３２０の一部の領域において、光が放出されないことがある。

【0116】

図１３に示すように、本発明の他の実施形態による表示装置は、各画素領域ＰＡの第２電極３３０上に封止ユニット４００を形成するステップを含むことがある。

【0117】

封止ユニット４００は多重層構造で形成することがある。例えば、封止ユニット４００は、各画素領域ＰＡの第２電極３３０上に順に積層された第１封止層４１０、第２封止層４２０及び第３封止層４３０を含むことがある。第１封止層４１０、第２封止層４２０、および第３封止層４３０は絶縁材料を含むことがある。第２封止層４２０は、第１封止層４１０および第３封止層４３０とは異なる材料を含むことがある。封止ユニット４００は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造で形成することがある。例えば、第１封止層４１０および第３封止層４３０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなる無機絶縁膜であり、第２封止層４２０は有機絶縁材料からなる有機絶縁膜であることがある。これにより、本発明の他の実施形態による表示装置の形成方法では、外部の水分や衝撃による発光素子３００の損傷を効果的に防止され、光抽出効率を向上させることができる。また、本発明の他の実施形態に係る表示装置の形成方法では、工程効率及び発光効率を低下させることなく、視野角の増加に伴う輝度の低下を効果的に低減することができる。

【0118】

本発明の一実施形態による表示装置は、隣接する平坦突出部１４０ｐの間に位置する平坦溝１４０ｇの幅が各平坦突出部１４０ｐの幅よりも小さいと説明される。しかしながら、図２０および図２１に示すように、本発明の他の実施形態による表示装置では、隣接する平坦突出部１４０ｐ間の距離ｄが各平坦突出部１４０ｐの幅ｗに等しいことがある。すなわち、本発明の他の実施形態による表示装置では、平坦溝１４０ｇが各平坦突出部１４０ｐと同じ幅を有することがある。これにより、本発明の他の実施形態に係る表示装置では、発光効率を低下させることなく光抽出効率を効果的に向上させることができる。したがって、本発明の技術的思想による表示装置では、各画素領域ＰＡの動作に必要な電力を効果的に低減することができる。また、本発明の他の実施形態に係る表示装置では、視野角の増加に伴う輝度低下を効果的に緩和することができる。

【符号の説明】

【0119】

１００ 素子基板
１４０ 平坦化膜
１４０ｇ 平坦溝
１４０ｓ 平坦側面
１４０ｐ 平坦突出部
１５０ バンク絶縁膜
１５０ｐ 絶縁パターン
３００ 発光素子
４００ 封止ユニット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図12D】

【図12E】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】