(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024109035
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】アレイ基板及びその製作方法、表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240805BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20240805BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20240805BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20240805BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240805BHJP
【FI】
G09F9/30 338
G09F9/30 348A
H01L29/78 612Z
H01L29/78 618C
G02F1/1368
H10K59/123
H10K59/124
【審査請求】有
【請求項の数】13
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023202788
(22)【出願日】2023-11-30
(31)【優先権主張番号】202310075240.7
(32)【優先日】2023-01-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】523439149
【氏名又は名称】グァンチョウ チャイナスター オプトエレクトロニクス セミコンダクター ディスプレイ テクノロジー カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100118256
【弁理士】
【氏名又は名称】小野寺 隆
(74)【代理人】
【識別番号】100166338
【弁理士】
【氏名又は名称】関口 正夫
(72)【発明者】
【氏名】ライ クーファン
(72)【発明者】
【氏名】ワン ファイペイ
【テーマコード(参考)】
2H192
3K107
5C094
5F110
【Fターム(参考)】
2H192AA24
2H192FB09
2H192GD06
2H192JA33
3K107AA01
3K107BB01
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3K107HH05
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5F110BB01
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5F110GG26
5F110HL02
5F110HL03
5F110HL04
5F110NN03
5F110QQ19
(57)【要約】 (修正有)
【課題】アレイ基板及びその製作方法、表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、サブストレートと、サブストレートに設けられるDemux回路とを含み、Demux回路は、第1のゲートと、第2のゲートと、第1の活性層と、第2の活性層と、第1のソースと、第2のソースと、第1のドレインと、第2のドレインとを含む。第1のゲートと第2のゲートとをサブストレートに垂直な方向に積層して設置するように設置し、また第1の活性層と第2の活性層とをサブストレートに垂直な方向に積層して設置するように設置することによって、Demux回路の水平方向における占有面積を顕著に小さくすることができ、Demux回路が一般的に表示装置の非表示領域に設置されるため、表示装置の非表示領域の面積を小さくすることができ、さらに表示装置の額縁の幅を小さくすることができ、それによって狭額縁表示の技術的効果を実現する。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
順に積層して設置されるサブストレートと、第1のゲートと、第1のゲート絶縁層と、第1の活性層と、第1の層間誘電層と、第2の活性層と、第2のゲート絶縁層と、第2のゲートと、第2の層間誘電層と、ソースドレイン層とを含み、
前記ソースドレイン層は第1のソースと、第2のソースと、第1のドレインと、第2のドレインとを含み、ここで、前記第1のソースは前記第2のソースに電気的に接続され、前記第1のソースは前記第1の活性層の一端に電気的に接続され、前記第2のソースは前記第2の活性層の一端に電気的に接続され、前記第1のドレインは前記第1の活性層の他端に電気的に接続され、前記第2のドレインは前記第2の活性層の他端に電気的に接続される、ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項2】
前記第1の活性層の電流通路が導通する時、前記第2の活性層の電流通路は遮断され、前記第1のソースの電気信号は、前記第1の活性層を介して前記第1のドレインに伝送され、
前記第2の活性層の電流通路が導通する時、前記第1の活性層の電流通路は遮断され、前記第2のソースの電気信号は、前記第2の活性層を介して前記第2のドレインに伝送される、ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項3】
前記第1のゲートの前記サブストレート上での正投影は、前記第2のゲートの前記サブストレート上での正投影と少なくとも部分的に重なる、ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項4】
前記第1の活性層の前記サブストレート上での正投影は、前記第2の活性層の前記サブストレート上での正投影と少なくとも部分的に重なる、ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項5】
前記第2の層間誘電層、前記第2のゲート絶縁層及び前記第1の層間誘電層に、第1のビアホールと第2のビアホールが設けられており、前記第1のソースは、前記第1のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、前記第1のドレインは、前記第2のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、
前記第2の層間誘電層と前記第2のゲート絶縁層に、第3のビアホールと第4のビアホールが設けられており、前記第2のソースは、前記第3のビアホールを介して前記第2の活性層に接続され、前記第2のドレインは、前記第4のビアホールを介して前記第2の活性層に接続される、ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項6】
前記アレイ基板は、第1のパッシベーション層と、平坦層と、第2のパッシベーション層とをさらに含み、前記第1のパッシベーション層は、前記ソースドレイン層を覆い、前記平坦層は、前記第1のパッシベーション層の前記ソースドレイン層から離れる側に設置され、前記第2のパッシベーション層は、前記平坦層の前記第1のパッシベーション層から離れる側に設置される、ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項7】
前記サブストレートは、表示領域と非表示領域とを含み、前記第1のゲート、前記第2のゲート、前記第1の活性層、前記第2の活性層、前記第1のソース、前記第2のソース、前記第1のドレイン及び前記第2のドレインは、いずれも前記サブストレートの前記非表示領域に対応する、ことを特徴とする請求項6に記載のアレイ基板。
【請求項8】
前記アレイ基板は、共通電極と画素電極とをさらに含み、前記共通電極は、前記平坦層と前記第2のパッシベーション層との間に設置され、前記画素電極は、前記第2のパッシベーション層の前記平坦層から離反する側に設置され、そして、前記共通電極と前記画素電極は、いずれも前記サブストレートの前記表示領域に対応する、ことを特徴とする請求項7に記載のアレイ基板。
【請求項9】
サブストレートを提供することと、
前記サブストレートに第1のゲートを形成することと、
前記第1のゲート及び前記サブストレートに第1のゲート絶縁層を形成することと、
前記第1のゲート絶縁層に第1の活性層を形成することと、
前記第1の活性層及び前記第1のゲート絶縁層に第1の層間誘電層を形成することと、
前記第1の層間誘電層に第2の活性層を形成することと、
前記第2の活性層及び前記第1の層間誘電層に第2のゲート絶縁層を形成することと、
前記第2のゲート絶縁層に第2のゲートを形成することと、
前記第2のゲート及び前記第2のゲート絶縁層に第2の層間誘電層を形成することと、
前記第2の層間誘電層にソースドレイン層を形成し、前記ソースドレイン層は第1のソースと、第2のソースと、第1のドレインと、第2のドレインとを含み、ここで、前記第1のソースは前記第2のソースに電気的に接続され、前記第1のソースは前記第1の活性層の一端に電気的に接続され、前記第2のソースは前記第2の活性層の一端に電気的に接続され、前記第1のドレインは前記第1の活性層の他端に電気的に接続され、前記第2のドレインは前記第2の活性層の他端に電気的に接続されることとを含む、ことを特徴とするアレイ基板の製作方法。
【請求項10】
前記第2のゲート及び前記第2のゲート絶縁層に第2の層間誘電層を形成した後、及び前記第2の層間誘電層にソースドレイン層を形成する前に、前記アレイ基板の製作方法は、
前記第1の層間誘電層、前記第2のゲート絶縁層及び前記第2の層間誘電層に、間隔をおいて設置される第1のビアホールと第2のビアホールを形成し、前記第2のゲート絶縁層及び前記第2の層間誘電層に、間隔をおいて設置される第3のビアホールと第4のビアホールを形成することをさらに含み、
前記第1のソースは、前記第1のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、前記第1のドレインは、前記第2のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、前記第2のソースは、前記第3のビアホールを介して前記第2の活性層に接続され、前記第2のドレインは、前記第4のビアホールを介して前記第2の活性層に接続される、ことを特徴とする請求項9に記載のアレイ基板の製作方法。
【請求項11】
前記サブストレートは、表示領域と非表示領域とを含み、前記第1のゲート、前記第2のゲート、前記第1の活性層、前記第2の活性層、前記第1のソース、前記第2のソース、前記第1のドレイン及び前記第2のドレインは、いずれも前記サブストレートの前記非表示領域に対応する、ことを特徴とする請求項10に記載のアレイ基板の製作方法。
【請求項12】
前記第2の層間誘電層にソースドレイン層を形成した後に、前記アレイ基板の製作方法は、
前記ソースドレイン層及び前記第2の層間誘電層に第1のパッシベーション層を形成することと、
前記第1のパッシベーション層の前記ソースドレイン層から離れる側に平坦層を形成することと、
前記平坦層において、前記サブストレートの表示領域に対応して設置される共通電極を形成することと、
前記共通電極及び前記平坦層の前記第1のパッシベーション層から離れる側に第2のパッシベーション層を形成することと、
前記第2のパッシベーション層の前記平坦層から離反する側に、前記サブストレートの表示領域に対応して設置される画素電極を形成することとをさらに含む、ことを特徴とする請求項11に記載のアレイ基板の製作方法。
【請求項13】
請求項1~8のいずれか一項に記載のアレイ基板、又は請求項9~12のいずれか一項に記載のアレイ基板の製作方法によって製作されるアレイ基板を含む、ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、表示分野に関し、特にアレイ基板及びその製作方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
表示技術の発展に伴い、消費者は、表示装置の画面占有率を追求するようになり、できるだけ小さいサイズ内で、できるだけ大きい有効表示面積(Active Area、AA)があることを望んでいる。それに応じて、表示装置の額縁領域をできるだけ小さくする必要があり、最終的に狭額縁の表示効果を実現する。
【0003】
デマルチプレクサ(Demultiplexer、Demux)は、一つの信号チャネルを複数の信号チャネルに分解するためのものであり、表示装置において広く採用されている。Demux回路は、一般的に、表示装置の非表示領域(即ち、額縁位置)に設置され、Demux回路の占有面積が大きいため、表示装置の額縁の幅が大きくなり、現在の狭額縁表示という主流のトレンドに適合しない。
【発明の概要】
【0004】
本願の実施例は、表示装置の額縁の幅を小さくすることで、狭額縁の表示効果を実現できるアレイ基板及びその製作方法、表示装置を提供する。
【0005】
第1の態様によれば、本願の実施例は、アレイ基板を提供し、この基板は、順に積層して設置されるサブストレートと、第1のゲートと、第1のゲート絶縁層と、第1の活性層と、第1の層間誘電層と、第2の活性層と、第2のゲート絶縁層と、第2のゲートと、第2の層間誘電層と、ソースドレイン層とを含み、
前記ソースドレイン層は、第1のソースと、第2のソースと、第1のドレインと、第2のドレインとを含み、ここで、前記第1のソースは、前記第2のソースに電気的に接続され、前記第1のソースは、前記第1の活性層の一端に電気的に接続され、前記第2のソースは、前記第2の活性層の一端に電気的に接続され、前記第1のドレインは、前記第1の活性層の他端に電気的に接続され、前記第2のドレインは、前記第2の活性層の他端に電気的に接続される。
【0006】
いくつかの実施例では、前記第1の活性層の電流通路が導通する時、前記第2の活性層の電流通路が遮断され、前記第1のソースの電気信号は、前記第1の活性層を介して前記第1のドレインに伝送され、
前記第2の活性層の電流通路が導通する時、前記第1の活性層の電流通路が遮断され、前記第2のソースの電気信号は、前記第2の活性層を介して前記第2のドレインに伝送される。
【0007】
いくつかの実施例では、前記第1のゲートの前記サブストレート上での正投影は、前記第2のゲートの前記サブストレート上での正投影と少なくとも部分的に重なる。
【0008】
いくつかの実施例では、前記第1の活性層の前記サブストレート上での正投影は、前記第2の活性層の前記サブストレート上での正投影と少なくとも部分的に重なる。
【0009】
いくつかの実施例では、前記第2の層間誘電層、前記第2のゲート絶縁層及び前記第1の層間誘電層に、第1のビアホールと第2のビアホールが設けられており、前記第1のソースは、前記第1のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、前記第1のドレインは、前記第2のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、
前記第2の層間誘電層と前記第2のゲート絶縁層に、第3のビアホールと第4のビアホールが設けられており、前記第2のソースは、前記第3のビアホールを介して前記第2の活性層に接続され、前記第2のドレインは、前記第4のビアホールを介して前記第2の活性層に接続される。
【0010】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は、第1のパッシベーション層と、平坦層と、第2のパッシベーション層とをさらに含み、前記第1のパッシベーション層は、前記ソースドレイン層を覆い、前記平坦層は、前記第1のパッシベーション層の前記ソースドレイン層から離れる側に設置され、前記第2のパッシベーション層は、前記平坦層の前記第1のパッシベーション層から離れる側に設置される。
【0011】
いくつかの実施例では、前記サブストレートは、表示領域と非表示領域とを含み、前記第1のゲート、前記第2のゲート、前記第1の活性層、前記第2の活性層、前記第1のソース、前記第2のソース、前記第1のドレイン及び前記第2のドレインは、いずれも前記サブストレートの前記非表示領域に対応する。
【0012】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は、共通電極と画素電極とをさらに含み、前記共通電極は、前記平坦層と前記第2のパッシベーション層との間に設置され、前記画素電極は、前記第2のパッシベーション層の前記平坦層から離反する側に設置され、そして、前記共通電極と前記画素電極は、いずれも前記サブストレートの前記表示領域に対応する。
【0013】
第2の態様によれば、本願の実施例は、アレイ基板の製作方法を提供し、この方法は、
サブストレートを提供することと、
前記サブストレートに第1のゲートを形成することと、
前記第1のゲート及び前記サブストレートに第1のゲート絶縁層を形成することと、
前記第1のゲート絶縁層に第1の活性層を形成することと、
前記第1の活性層及び前記第1のゲート絶縁層に第1の層間誘電層を形成することと、
前記第1の層間誘電層に第2の活性層を形成することと、
前記第2の活性層及び前記第1の層間誘電層に第2のゲート絶縁層を形成することと、
前記第2のゲート絶縁層に第2のゲートを形成することと、
前記第2のゲート及び前記第2のゲート絶縁層に第2の層間誘電層を形成することと、
前記第2の層間誘電層にソースドレイン層を形成し、前記ソースドレイン層が第1のソースと、第2のソースと、第1のドレインと、第2のドレインとを含み、ここで、前記第1のソースが前記第2のソースに電気的に接続され、前記第1のソースが前記第1の活性層の一端に電気的に接続され、前記第2のソースが前記第2の活性層の一端に電気的に接続され、前記第1のドレインが前記第1の活性層の他端に電気的に接続され、前記第2のドレインが前記第2の活性層の他端に電気的に接続されることとを含む。
【0014】
いくつかの実施例では、前記第2のゲート及び前記第2のゲート絶縁層に第2の層間誘電層を形成した後、及び前記第2の層間誘電層にソースドレイン層を形成する前に、前記アレイ基板の製作方法は、
前記第1の層間誘電層、前記第2のゲート絶縁層及び前記第2の層間誘電層に、間隔をおいて設置される第1のビアホールと第2のビアホールを形成し、前記第2のゲート絶縁層及び前記第2の層間誘電層に、間隔をおいて設置される第3のビアホールと第4のビアホールを形成することをさらに含み、
前記第1のソースは、前記第1のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、前記第1のドレインは、前記第2のビアホールを介して前記第1の活性層に接続され、前記第2のソースは、前記第3のビアホールを介して前記第2の活性層に接続され、前記第2のドレインは、前記第4のビアホールを介して前記第2の活性層に接続される。
【0015】
いくつかの実施例では、前記サブストレートは、表示領域と非表示領域とを含み、前記第1のゲート、前記第2のゲート、前記第1の活性層、前記第2の活性層、前記第1のソース、前記第2のソース、前記第1のドレイン及び前記第2のドレインは、いずれも前記サブストレートの前記非表示領域に対応する。
【0016】
いくつかの実施例では、前記第2の層間誘電層にソースドレイン層を形成した後に、前記アレイ基板の製作方法は、
前記ソースドレイン層及び前記第2の層間誘電層に第1のパッシベーション層を形成することと、
前記第1のパッシベーション層の前記ソースドレイン層から離れる側に平坦層を形成することと、
前記平坦層において、前記サブストレートの表示領域に対応して設置される共通電極を形成することと、
前記共通電極及び前記平坦層の前記第1のパッシベーション層から離れる側に第2のパッシベーション層を形成することと、
前記第2のパッシベーション層の前記平坦層から離反する側に、前記サブストレートの表示領域に対応して設置される画素電極を形成することとをさらに含む。
【0017】
第3の態様によれば、本願の実施例は、以に記載のアレイ基板、又は以に記載のアレイ基板の製作方法によって製作されるアレイ基板を含む表示装置を提供する。
【0018】
本願の実施例によるアレイ基板は、サブストレートと、サブストレートに設けられるDemux回路とを含み、ここで、Demux回路は、第1のゲートと、第2のゲートと、第1の活性層と、第2の活性層と、第1のソースと、第2のソースと、第1のドレインと、第2のドレインとを含む。本願の実施例は、第1のゲートと第2のゲートとをサブストレートに垂直な方向に積層して設置するように設置し、また第1の活性層と第2の活性層とをサブストレートに垂直な方向に積層して設置するように設置することによって、複数の薄膜トランジスタのそれぞれのゲートを水平方向に順に配列するように設置し、また複数の薄膜トランジスタのそれぞれの活性層を水平方向に順に配列するように設置するという従来技術における技術案に比べて、Demux回路の水平方向における占有面積を顕著に小さくすることができ、Demux回路が一般的に表示装置の非表示領域に設置されるため、表示装置の非表示領域の面積を小さくすることができ、さらに表示装置の額縁の幅を小さくすることができ、それによって狭額縁表示の技術的効果を実現する。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【
図1】本願の実施例によるアレイ基板の非表示領域の構造模式図である。
【
図2】本願の実施例によるDemux回路の模式図である。
【
図3】本願の実施例によるサブストレートの平面模式図である。
【
図4】本願の実施例によるアレイ基板の表示領域の一部の構造層の模式図である。
【
図5】本願の実施例による第2の層間誘電層形成後の模式図である。
【
図6】本願の実施例による第1のビアホール、第2のビアホール、第3のビアホールと第4のビアホール形成後の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下では、本願の実施例における図面を結び付けながら、本願の実施例における技術案を明瞭且つ完全に説明する。明らかなように、記述された実施例は、本願の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本願における実施例に基づき、当業者が創造的な労力を払わない前提で得られるすべての他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。
【0021】
図1を参照すると、本願の実施例は、アレイ基板100を提供し、順に積層して設置されるサブストレート10と、第1のゲート21と、第1のゲート絶縁層50と、第1の活性層22と、第1の層間誘電層60と、第2の活性層42と、第2のゲート絶縁層70と、第2のゲート41と、第2の層間誘電層80と、ソースドレイン層とを含み、
ここで、ソースドレイン層は、第1のソース31と、第2のソース32と、第1のドレイン23と、第2のドレイン43とを含み、ここで、第1のソース31は、第2のソース32に電気的に接続され、第1のソース31は、第1の活性層22の一端に電気的に接続され、第2のソース32は、第2の活性層42の一端に電気的に接続され、第1のドレイン23は、第1の活性層22の他端に電気的に接続され、第2のドレイン43は、第2の活性層42の他端に電気的に接続される。
【0022】
本願の実施例によるアレイ基板100は、サブストレート10と、サブストレート10に設けられるDemux回路とを含み、ここで、Demux回路は、第1のゲート21と、第2のゲート41と、第1の活性層22と、第2の活性層42と、第1のソース31と、第2のソース32と、第1のドレイン23と、第2のドレイン43とを含む。本願の実施例は、第1のゲート21と第2のゲート41とをサブストレート10に垂直な方向に積層して設置するように設置し、また第1の活性層22と第2の活性層42とをサブストレート10に垂直な方向に積層して設置するように設置することによって、複数の薄膜トランジスタのそれぞれのゲートを水平方向に順に配列するように設置し、また複数の薄膜トランジスタのそれぞれの活性層を水平方向に順に配列するように設置するという従来技術における技術案に比べて、Demux回路の水平方向における占有面積を顕著に小さくすることができ、Demux回路が一般的に表示装置の非表示領域に設置されるため、表示装置の非表示領域の面積を小さくすることができ、さらに表示装置の額縁の幅を小さくすることができ、それによって狭額縁表示の技術的効果を実現する。
【0023】
理解すべきこととして、本願の実施例は、アレイ基板にDemux回路を設置することによって、ソースチップ(Source IC)の使用を減らすことができ、それによってICコストを効果的に低減させることができる。例えば、14インチのフルハイビジョン(14FHD)テレビは、Demux回路を採用する前に、ハイビジョンの表示効果を実現するために4個のSource ICを使用する必要があるが、Demux回路を採用した後、1~2個のSource ICだけで同様な表示効果を実現することができる。つまり、表示装置のアレイ基板にDemux回路を設置することによって、製品のコストを効果的に低減させ、製品の市場競争力を高めることができる。また、Source ICは、一般的に表示装置の下額縁の位置に設置されるため、Source ICの数が減少すると、Source ICを覆って遮蔽するための下額縁の幅をさらに小さくすることができ、それによって表示装置の額縁の幅をさらに小さくする作用を果たすことができる。
【0024】
図1と
図2を参照すると、Demux回路は、第1の薄膜トランジスタ210と第2の薄膜トランジスタ220とを含み、第1の薄膜トランジスタ210は、第1のゲート21と、第1の活性層22と、第1のソース31と、第1のドレイン23とを含み、第2の薄膜トランジスタ220は、第2のゲート41と、第2の活性層42と、第2のソース32と、第2のドレイン43とを含み、そして、第1のソース31は、第2のソース32に電気的に接続される。
【0025】
図2を結び付けると、前記第1の活性層22の電流通路が導通する時、前記第2の活性層42の電流通路が遮断され、前記第1のソース31の電気信号は、前記第1の活性層22を介して前記第1のドレイン23に伝送され、この時、第1のゲート21上の電圧は、第2のゲート41上の電圧よりも大きく、
前記第2の活性層42の電流通路が導通する時、前記第1の活性層22の電流通路が遮断され、前記第2のソース32の電気信号は、前記第2の活性層42を介して前記第2のドレイン43に伝送され、この時、第2のゲート41上の電圧は、第1のゲート21上の電圧よりも大きい。
【0026】
図1を結び付けると、第1のゲート21のサブストレート10上での正投影は、第2のゲート41のサブストレート10上での正投影と少なくとも部分的に重なる。理解すべきこととして、第1のゲート21のサブストレート10上での正投影と第2のゲート41のサブストレート10上での正投影とが部分的に重なる時は、第1のゲート21のサブストレート10上での正投影と第2のゲート41のサブストレート10上での正投影とがまったく重ならない技術案に比べて、Demux回路の水平方向(表示画面に平行である)における占有面積を小さくすることができ、さらに狭額縁表示の実現に有利である。いくつかの実施例では、第1のゲート21のサブストレート10上での正投影と第2のゲート41のサブストレート10上での正投影とが完全に(百パーセント)重なっている時、Demux回路の水平方向(表示画面に平行である)における占有面積を最大限小さくし、超狭額縁表示を実現することができる。
【0027】
例示的に、第1のゲート21のサブストレート10上での正投影と第2のゲート41のサブストレート10上での正投影とが重なる部分の面積と、第1のゲート21のサブストレート10上での正投影の面積又は第2のゲート41のサブストレート10上での正投影の面積との比は、10%~100%であってもよく、例えば10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、99%、100%などである。
【0028】
図1から分かるように、第1のゲート2は、第1の活性層22の下方に設置され、ボトムゲートを構成し、第2のゲート41は、第2の活性層42の上方に設置され、トップゲートを構成する。つまり、本願の実施例は、トップゲート構造とボトムゲート構造との組み合わせを採用して、Demux回路を鉛直方向(表示画面に垂直である)に延在する立体構造として設計することを実現し、それによってDemux回路の水平面(表示画面に平行である)における占有面積を小さくし、さらに表示装置の狭額縁設計を実現する。
【0029】
指摘すべきこととして、本願の実施例は、Demux回路が二つの薄膜トランジスタ(第1の薄膜トランジスタ210と第2の薄膜トランジスタ220)を含むことを例にしているが、説明すべきこととして、本願の実施例におけるDemux回路は、より多くの薄膜トランジスタ、例えば3個、4個、5個又は6個の薄膜トランジスタを含んでもよく、複数の薄膜トランジスタのそれぞれのゲートと、複数の薄膜トランジスタのそれぞれの活性層とは、サブストレート10に垂直な方向に積層して設置されるため、つまり、Demux回路に薄膜トランジスタが何個含まれても、Demux回路の水平方向(表示画面に平行である)における占有面積は、変わらない。理解できるように、本願の実施例によるアレイ基板におけるDemux回路がより多くの薄膜トランジスタを含む時、該アレイ基板をより少ないソースチップ(Source IC)と組み合わせて使用できることを意味し、Source ICの数が減少すると、Source ICを覆って遮蔽するための下額縁の幅をさらに小さくすることができ、それによって表示装置の額縁の幅をさらに小さくする作用を果たすことができる。
【0030】
図1を結び付けると、第1の活性層22のサブストレート10上での正投影は、第2の活性層42のサブストレート10上での正投影と少なくとも部分的に重なる。理解すべきこととして、第1の活性層22のサブストレート10上での正投影と第2の活性層42のサブストレート10上での正投影とが部分的に重なる時は、第1の活性層22のサブストレート10上での正投影と第2の活性層42のサブストレート10上での正投影とがまったく重ならない技術案に比べて、Demux回路の水平方向(表示画面に平行である)における占有面積を小さくすることができ、さらに狭額縁表示の実現に有利である。理解すべきこととして、第1のソース31と第1のドレイン23は、それぞれ第2の活性層42の両側を介して第1の活性層22との電気的接続を実現する必要があるため、第1の活性層22のサブストレート10上での正投影と第2の活性層42のサブストレート10上での正投影とが完全に重なることは、困難である。
【0031】
例示的に、第1の活性層22のサブストレート10上での正投影と第2の活性層42のサブストレート10上での正投影とが重なる部分の面積と、第1の活性層22のサブストレート10上での正投影の面積又は第2の活性層42のサブストレート10上での正投影の面積との比は、10%~99%であってもよく、例えば10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、99%などである。
【0032】
図1を結び付けると、第2の層間誘電層80、第2のゲート絶縁層70及び第1の層間誘電層60に、第1のビアホール91と第2のビアホール92が設けられており、第1のソース31は、第1のビアホール91を介して第1の活性層22に接続され、第1のドレイン23は、第2のビアホール92を介して第1の活性層22に接続され、
第2の層間誘電層80及び第2のゲート絶縁層70に、第3のビアホール93と第4のビアホール94が設けられており、第2のソース32は、第3のビアホール93を介して第2の活性層42に接続され、第2のドレイン43は、第4のビアホール94を介して第2の活性層42に接続される。
【0033】
図1を結び付けると、アレイ基板100は、第1のパッシベーション層101と、平坦層102と、第2のパッシベーション層104とをさらに含み、第1のパッシベーション層101は、ソースドレイン層を覆い、平坦層102は、第1のパッシベーション層101のソースドレイン層から離れる側に設置され、第2のパッシベーション層104は、平坦層102の第1のパッシベーション層101から離れる側に設置される。
【0034】
図1と
図3を参照すると、サブストレート10は、表示領域11と非表示領域12とを含み、第1のゲート21、第2のゲート41、第1の活性層22、第2の活性層42、第1のソース31、第2のソース32、第1のドレイン23及び第2のドレイン43は、いずれもサブストレート10の非表示領域12に対応する。
【0035】
図1と
図4を参照すると、アレイ基板100は、共通電極103と画素電極105とをさらに含み、共通電極103は、平坦層102と第2のパッシベーション層104との間に設置され、画素電極105は、第2のパッシベーション層104の平坦層102から離反する側に設置され、共通電極103と画素電極105は、いずれもサブストレート10の表示領域11に対応する。
【0036】
図3を参照すると、非表示領域12は、表示領域11を取り囲んで設置されてもよく、表示領域11は、矩形であってもよく、非表示領域12は、端から端まで順に連結される第1の領域121と、第2の領域122と、第3の領域123と、第4の領域124とを含んでもよく、ここで、第1の領域121と第3の領域123とは、対向して設置され、第2の領域122と第4の領域124とは、対向して設置される。理解すべきこととして、アレイ基板100がテレビに用いる時、第1の領域121は、表示領域11の上方に位置し、第3の領域123は、表示領域11の下方に位置し、第2の領域122は、表示領域11の左側に位置し、第4の領域124は、表示領域11の右側に位置し、Demux回路は、第3の領域123に設置されてもよい。本願の実施例は、Demux回路におけるゲート及び/又は活性層の位置を改良することによって、Demux回路の占有面積を小さくすることができ、さらに第3の領域123の幅を小さくすることができる。第3の領域123は、テレビの下額縁の位置に設置されるため、それによって下額縁の幅を小さくし、狭額縁の表示効果を実現することができる。
【0037】
例示的に、サブストレート10は、フレキシブルサブストレート10又はリジッドサブストレート10であってもよく、リジッドサブストレート10は、ガラスであってもよく、フレキシブルサブストレート10は、ポリイミド(PI)などであってもよい。
【0038】
例示的に、第1のゲート21と第2のゲート41の材料は、いずれも金属であってもよく、いくつかの実施例では、第1のゲート21と第2のゲート41のそれぞれの材料は、いずれもアルミニウム(Al)、銀(Ag)、タングステン(W)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、白金(Pt)、タンタル(Ta)及びネオジム(Nd)などの金属のうちの少なくとも一種を含んでもよい。
【0039】
例示的に、第1の活性層22と第2の活性層42のそれぞれの材料は、いずれも酸化物半導体、アモルファスシリコン(a-Si)及び低温ポリシリコン(LTPS)のうちの少なくとも一種を含んでもよく、ここで、酸化物半導体は、インジウムガリウム亜鉛酸化物(IGZO)、亜鉛スズ酸化物(ZTO)、インジウムスズ亜鉛酸化物(ITZO)のうちの少なくとも一種を含んでもよい。
【0040】
例示的に、第1のソース31、第2のソース32、第1のドレイン23及び第2のドレイン43は、いずれも金属であってもよく、いくつかの実施例では、第1のソース31、第2のソース32、第1のドレイン23及び第2のドレイン43のそれぞれの材料は、いずれもアルミニウム(Al)、銀(Ag)、タングステン(W)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、白金(Pt)、タンタル(Ta)及びネオジム(Nd)などの金属のうちの少なくとも一種を含んでもよい。
【0041】
例示的に、第1のゲート絶縁層50、第2のゲート絶縁層70、第1の層間誘電層60及び第2の層間誘電層80のそれぞれの材料は、いずれも窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiOx)及び酸窒化ケイ素(SiOxNy)のうちの少なくとも一種を含んでもよい。
【0042】
例示的に、共通電極103と画素電極105のそれぞれの材料は、いずれも透明な導電性金属酸化物を含んでもよく、いくつかの実施例では、透明な導電性金属酸化物は、インジウムスズ酸化物(ITO、Indium tin oxide)であってもよい。
【0043】
例示的に、本願の実施例のアレイ基板100は、FFS(Fringe Field Switching、フリンジフィールドスイッチング技術)型の液晶表示パネルに応用されてもよい。
【0044】
図5と
図6を参照するとともに、
図1を結び付けると、本願の実施例は、アレイ基板の製作方法をさらに提供し、上記いずれか一つの実施例におけるアレイ基板を製作するために用いることができ、アレイ基板の製作方法は、
サブストレート10を提供することと、
サブストレート10に第1のゲート21を形成することと、
第1のゲート21及びサブストレート10において、第1のゲート21を覆う第1のゲート絶縁層50を形成することと、
第1のゲート絶縁層50に第1の活性層22を形成することと、
第1の活性層22及び第1のゲート絶縁層50において、第1の活性層22を覆う第1の層間誘電層60を形成することと、
第1の層間誘電層60に第2の活性層42を形成することと、
第2の活性層42及び第1の層間誘電層60において、第2の活性層42を覆う第2のゲート絶縁層70を形成することと、
第2のゲート絶縁層70に第2のゲート41を形成することと、
第2のゲート41及び第2のゲート絶縁層70において、第2のゲート41を覆う第2の層間誘電層80を形成することと、
第2の層間誘電層80にソースドレイン層を形成することであって、ソースドレイン層が第1のソース31と、第2のソース32と、第1のドレイン23と、第2のドレイン43とを含み、ここで、第1のソース31が第2のソース32に電気的に接続され、第1のソース31が第1の活性層22の一端に電気的に接続され、第2のソース32が第2の活性層42の一端に電気的に接続され、第1のドレイン23が第1の活性層22の他端に電気的に接続され、第2のドレイン43が第2の活性層42の他端に電気的に接続されることとを含んでもよい。
【0045】
図5と
図6を参照すると、第2のゲート41及び第2のゲート絶縁層70に第2の層間誘電層80を形成した後、及び第2の層間誘電層80にソースドレイン層を形成する前に、本願の実施例のアレイ基板の製作方法は、
第1の層間誘電層60、第2のゲート絶縁層70及び第2の層間誘電層80に、間隔をおいて設置される第1のビアホール91と第2のビアホール92を形成し、第2のゲート絶縁層70及び第2の層間誘電層80に、間隔をおいて設置される第3のビアホール93と第4のビアホール94を形成することをさらに含み、
第1のソース31は、第1のビアホール91を介して第1の活性層22に接続され、第1のドレイン23は、第2のビアホール92を介して第1の活性層22に接続され、第2のソース32は、第3のビアホール93を介して第2の活性層42に接続され、第2のドレイン43は、第4のビアホール94を介して第2の活性層42に接続される。
【0046】
例示的に、第1のビアホール91、第2のビアホール92、第3のビアホール93及び第4のビアホール94は、同一のフォトマスクによる製造工程において形成されてもよい。
【0047】
図1と
図3を結び付けると、サブストレート10は、表示領域11と非表示領域12とを含み、第1のゲート21、第2のゲート41、第1の活性層22、第2の活性層42、第1のソース31、第2のソース32、第1のドレイン23及び第2のドレイン43は、いずれもサブストレート10の非表示領域12に対応する。
【0048】
図3と
図4を結び付けると、第2の層間誘電層80にソースドレイン層を形成した後に、アレイ基板の製作方法は、
ソースドレイン層及び第2の層間誘電層80において、ソースドレイン層を覆う第1のパッシベーション層101を形成することと、
第1のパッシベーション層101のソースドレイン層から離れる側に平坦層102を形成することと、
平坦層102において、サブストレート10の表示領域11に対応して設置される共通電極103を形成することと、
共通電極103及び平坦層102の第1のパッシベーション層101から離れる側に、共通電極103を覆う第2のパッシベーション層104を形成することと、
第2のパッシベーション層104の平坦層102から離反する側に、サブストレート10の表示領域11に対応して設置される画素電極105を形成することとをさらに含む。
【0049】
例示的に、第1のゲート21、第1の活性層22、第2のゲート41、第2の活性層42、第1のドレイン23、第2のドレイン43、第1のソース31、第2のソース32、共通電極103、画素電極105、第1の層間誘電層60、第2のゲート絶縁層70及び第2の層間誘電層80は、いずれも膜形成、露光、エッチングのプロセスを採用して製造される。ここで、第1のドレイン23、第2のドレイン43、第1のソース31及び第2のソース32は、一つのフォトマスクを共用して露光を行ってもよく、第1のゲート21、第1の活性層22、第2のゲート41、第2の活性層42、共通電極103及び画素電極105は、それぞれ一つのフォトマスクを用いて露光を行う必要がある。なお、第1の層間誘電層60、第2のゲート絶縁層70及び第2の層間誘電層80における第1のビアホール91と第2のビアホール92、及び第2のゲート絶縁層70と第2の層間誘電層80における第3のビアホール93と第4のビアホール94は、一つのフォトマスクを採用して露光を行ってもよい。そのため、本願の実施例のアレイ基板の製作方法は、合計8つのフォトマスクを必要とする。
【0050】
本願の実施例によるアレイ基板の製作方法は、Demux回路のサイズを小さくして(即ちDemux回路の水平方向における占有面積を小さくする)、該アレイ基板を含む表示装置の狭額縁表示を実現することができるだけでなく、また、本願の実施例によるアレイ基板の製作方法は、様々な額縁サイズの表示装置を製作するために用いることができる。1セットのフォトマスクを採用して様々なモジュール設計案と組み合わせることで、様々な額縁の需要を満たすことができ、様々な製品の研究開発期間及びフォトマスクの研究作製費用を低減させることができる。
【0051】
本願の実施例は、上記いずれか一つの実施例におけるアレイ基板100、又は上記いずれか一つの実施例におけるアレイ基板の製作方法によって製作されるアレイ基板100を含む表示装置をさらに提供する。
【0052】
例示的に、表示装置は、液晶表示装置又はOLED(有機発光ダイオード)表示装置であってもよい。表示装置が液晶表示装置である時、表示装置は、カラーフィルタ基板、及びアレイ基板100とカラーフィルタ基板との間に設けられる液晶層を含んでもよい。表示装置がOLED表示装置である時、表示装置は、アレイ基板100に設置されるとともにアレイ基板100と電気的に接続されるOLEDデバイスをさらに含んでもよい。
【0053】
以上は、本願の実施例によるアレイ基板及びその製作方法、表示装置について詳細に紹介した。本明細書において、具体的な例を利用して本願の原理及び実施形態について記述したが、以上の実施例の説明は、本願を理解するためのものに過ぎない。なお、当業者であれば、本願の思想に基づき、具体的な実施形態及び応用範囲を変更することが可能であり、要するに、本明細書の内容は、本願を限定するものと解釈されるべきではない。