▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024109036
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 59/124 20230101AFI20240805BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240805BHJP
H10K 50/856 20230101ALI20240805BHJP
H10K 50/852 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240805BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240805BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240805BHJP
H10K 50/19 20230101ALI20240805BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240805BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240805BHJP
【ＦＩ】
H10K59/124
H10K59/123
H10K50/856
H10K50/852
H10K59/35
H10K59/122
H10K50/824
H10K71/20
H10K50/19
G09F9/30 338
G09F9/30 348A
G09F9/30 365
G09F9/00 338
【審査請求】有
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023204416
(22)【出願日】2023-12-04
(31)【優先権主張番号】10-2023-0013239
(32)【優先日】2023-01-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】キム， ホジン
(72)【発明者】
【氏名】クァク， ボンチュン
(72)【発明者】
【氏名】パク， ジヨン
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC05
3K107CC33
3K107CC35
3K107DD10
3K107DD37
3K107DD52
3K107DD89
3K107DD90
3K107EE33
3K107FF15
5C094AA25
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA15
5C094DB04
5C094ED11
5G435AA16
5G435BB05
5G435FF03
5G435KK05
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】本発明に係る有機発光ダイオード表示装置は、複数の副画素が備えられた基板１１０と、前記基板の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置される少なくとも１つのトランジスタと、少なくとも１つのトランジスタの上部の第１絶縁層１１２と、前記第１絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置され、第１電極１２０と発光層１３０、そして第２電極１４０を含む発光ダイオードを含み、前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において、前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、前記第１絶縁層は前記コンタクト領域において凹部を有する。
【効果】漏洩電流を最小にし、信頼性を向上させることができる。
【選択図】図２
【効果】漏洩電流を最小にし、信頼性を向上させることができる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の副画素が備えられた基板と、
前記基板の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置される少なくとも１つのトランジスタと、
前記少なくとも１つのトランジスタの上部における第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置され、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードとを含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、
前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、
前記第１絶縁層は、前記コンタクト領域において凹部を有する、有機発光ダイオード表示装置。
前記基板の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置される少なくとも１つのトランジスタと、
前記少なくとも１つのトランジスタの上部における第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置され、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードとを含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、
前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、
前記第１絶縁層は、前記コンタクト領域において凹部を有する、有機発光ダイオード表示装置。
【請求項2】
前記第１絶縁層と前記発光ダイオードとの間において、同じ物質からなり、同じ層上に備えられる少なくとも１つのコンタクト電極、および少なくとも１つの反射層をさらに含み、
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記コンタクト領域に位置し、前記少なくとも１つの反射層は、前記発光領域に位置する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記コンタクト領域に位置し、前記少なくとも１つの反射層は、前記発光領域に位置する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項3】
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記凹部内に位置し、前記少なくとも１つのコンタクト電極と前記基板との間の距離は、前記少なくとも１つの反射層と前記基板との間の距離より短い、請求項２に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項4】
前記第１絶縁層と前記発光ダイオードとの間の前記発光領域において、第１反射層、第２反射層、第３反射層をさらに含み、
前記複数の副画素は、第１副画素、第２副画素、第３副画素を含み、
前記第１反射層、前記第２反射層、前記第３反射層は、前記第１副画素、前記第２副画素、前記第３副画素にそれぞれ位置する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記複数の副画素は、第１副画素、第２副画素、第３副画素を含み、
前記第１反射層、前記第２反射層、前記第３反射層は、前記第１副画素、前記第２副画素、前記第３副画素にそれぞれ位置する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項5】
前記第２副画素における前記第２反射層と前記第２電極との間の距離は、前記第１副画素における前記第１反射層と前記第２電極との間の距離よりは小さく、前記第３副画素における前記第３反射層と前記第２電極との間の距離よりは大きい、請求項４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項6】
前記第１絶縁層と前記発光ダイオードとの間において、第２絶縁層および第３絶縁層をさらに含み、
前記第１反射層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、
前記第２反射層は、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に位置し、
前記第３反射層は、前記第３絶縁層と前記発光ダイオードとの間に位置する、請求項４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記第１反射層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、
前記第２反射層は、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に位置し、
前記第３反射層は、前記第３絶縁層と前記発光ダイオードとの間に位置する、請求項４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項7】
前記第１副画素、前記第２副画素、前記第３副画素のそれぞれの前記コンタクト領域において、互いに重なり、電気的に接続される第１コンタクト電極、第２コンタクト電極、第３コンタクト電極をさらに含み、
前記第１コンタクト電極、前記第２コンタクト電極、前記第３コンタクト電極は、前記凹部内に位置する、請求項６に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記第１コンタクト電極、前記第２コンタクト電極、前記第３コンタクト電極は、前記凹部内に位置する、請求項６に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項8】
前記第１コンタクト電極は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、
前記第２コンタクト電極は、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に位置し、
前記第３コンタクト電極は、前記第３絶縁層と前記発光ダイオードとの間に位置する、請求項７に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記第２コンタクト電極は、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に位置し、
前記第３コンタクト電極は、前記第３絶縁層と前記発光ダイオードとの間に位置する、請求項７に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項9】
前記第１電極と前記発光層との間において、前記第１電極の縁部を覆いながら前記第１電極の中央部を露出するバンクをさらに含み、
前記バンクは、前記コンタクト領域に位置する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記バンクは、前記コンタクト領域に位置する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項10】
隣接する副画素間において、前記バンクはトレンチを有する、請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項11】
基板上に備えられる複数の副画素のそれぞれにおいて、少なくとも１つのトランジスタを形成する段階と、
前記少なくとも１つのトランジスタの上部において、凹部を有する少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と、
前記少なくとも１つの絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれにおいて、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードを形成する段階とを含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、
前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、
前記凹部は、前記コンタクト領域に位置する、有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
前記少なくとも１つのトランジスタの上部において、凹部を有する少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と、
前記少なくとも１つの絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれにおいて、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードを形成する段階とを含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、
前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、
前記凹部は、前記コンタクト領域に位置する、有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
【請求項12】
前記第１電極と前記発光層との間において、前記第１電極の縁部を覆いながら前記第１電極の中央部を露出するバンクを形成する段階をさらに含み、
前記バンクは、前記コンタクト領域に位置する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
前記バンクは、前記コンタクト領域に位置する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
【請求項13】
前記バンクを形成する段階は、
前記第１電極の上部にバンク物質層を形成する段階と、
前記バンク物質層の上面を研磨し、バンク層を形成する段階と、
前記バンク層を選択的に除去する段階とを含む、請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
前記第１電極の上部にバンク物質層を形成する段階と、
前記バンク物質層の上面を研磨し、バンク層を形成する段階と、
前記バンク層を選択的に除去する段階とを含む、請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と、前記発光ダイオードを形成する段階との間において、同じ工程で少なくとも１つのコンタクト電極と少なくとも１つの反射層を形成する段階をさらに含み、
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記コンタクト領域に位置し、
前記少なくとも１つの反射層は、前記発光領域に位置する請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記コンタクト領域に位置し、
前記少なくとも１つの反射層は、前記発光領域に位置する請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記凹部内に位置し、
前記少なくとも１つのコンタクト電極と前記基板との間の距離は、前記少なくとも１つの反射層と前記基板との間の距離より短い、請求項１４に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
前記少なくとも１つのコンタクト電極と前記基板との間の距離は、前記少なくとも１つの反射層と前記基板との間の距離より短い、請求項１４に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関するものであって、特に色の再現率が向上した有機発光ダイオード表示装置、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
情報化社会に伴い、画像をディスプレイするための表示装置への様々な要求が増加しており、それに応じて液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、有機発光ダイオード表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）といったフラットパネル表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＦＰＤ）が開発され、多様な分野に採用されている。
【0003】
フラットパネル表示装置のうち、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）とも呼ばれる有機発光ダイオード表示装置は、電子注入電極である陰極と正孔注入電極である陽極との間に設けられた発光層に電荷を注入すると、電子と正孔が結合して励起子を形成した後、消滅する際に光を放出する素子である。かかる有機発光ダイオード表示装置は、プラスチックのようにフレキシブルな基板上に形成することができる上に、自己発光素子であるため、コントラスト比が大きい。また、応答時間が数マイクロ秒（μｍ）程度であることから動画を具現化しやすく、視野角に制限がなく、低温下でも安定である。さらに、直流５Ｖ～１５Ｖの比較的に低電圧で駆動が可能であるため、駆動回路の製作や設計が容易である。
【0004】
近年、有機発光ダイオード表示装置が多様な分野に採用されるにつれ、高解像度の表示装置が求められている。高解像度を具現化するためには、同じ面積内により多くの副画素を設ける必要があるが、その結果、各副画素の面積が減少し、隣接する副画素間の距離もまた減少することになる。
【0005】
かかる隣接する副画素間における距離の減少は、隣接する副画素間において、側部の漏洩電流を発生させる原因となる。その結果、発光すべきでない副画素が発光することになり、表示装置における色の再現率が低下する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、前述した問題を解決するためになされたものであって、隣接する副画素間における側部の漏洩電流を最小にすることができる有機発光ダイオード表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
また、本発明は、光効率を向上させることができる有機発光ダイオード表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前述した目的を達成するため、本発明の有機発光ダイオード表示装置は、複数の副画素が備えられた基板と、前記基板の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置される少なくとも１つのトランジスタと、前記少なくとも１つのトランジスタの上部における第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれに配置され、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードとを含み、前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、前記第１絶縁層は、前記コンタクト領域において凹部を有する。
【0009】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記第１絶縁層と前記発光ダイオードとの間において、同じ物質からなり、同じ層上に備えられる少なくとも１つのコンタクト電極、および少なくとも１つの反射層をさらに含み、前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記コンタクト領域に位置し、前記少なくとも１つの反射層は、前記発光領域に位置する。
【0010】
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記凹部内に位置し、前記少なくとも１つのコンタクト電極と前記基板との間の距離は、前記少なくとも１つの反射層と前記基板との間の距離より短い。
【0011】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記第１絶縁層と前記発光ダイオードとの間の前記発光領域において、第１反射層、第２反射層、第３反射層をさらに含み、前記複数の副画素は、第１副画素、第２副画素、第３副画素を含み、前記第１反射層、前記第２反射層、前記第３反射層は、前記第１副画素、前記第２副画素、前記第３副画素にそれぞれ位置する。
【0012】
前記第２副画素における前記第２反射層と前記第２電極との間の距離は、前記第１副画素における前記第１反射層と前記第２電極との間の距離よりは小さく、前記第３副画素における前記第３反射層と前記第２電極との間の距離よりは大きい。
【0013】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記第１絶縁層と前記発光ダイオードとの間において、第２絶縁層および第３絶縁層をさらに含み、前記第１反射層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、前記第２反射層は、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に位置し、前記第３反射層は、前記第３絶縁層と前記発光ダイオードとの間に位置する。
【0014】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記第１副画素、前記第２副画素、前記第３副画素のそれぞれの前記コンタクト領域において、互いに重なり、電気的に接続される第１コンタクト電極、第２コンタクト電極、第３コンタクト電極をさらに含み、前記第１コンタクト電極、前記第２コンタクト電極、前記第３コンタクト電極は、前記凹部内に位置する。
【0015】
前記第１コンタクト電極は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、前記第２コンタクト電極は、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に位置し、前記第３コンタクト電極は、前記第３絶縁層と前記発光ダイオードとの間に位置する。
【0016】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記第１電極と前記発光層との間において、前記第１電極の縁部を覆いながら前記第１電極の中央部を露出するバンクをさらに含み、前記バンクは、前記コンタクト領域に位置する。
【0017】
隣接する副画素間において、前記バンクはトレンチを有する。
【0018】
本発明の有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、基板上に備えられる複数の副画素のそれぞれにおいて、少なくとも１つのトランジスタを形成する段階と、前記少なくとも１つのトランジスタの上部において、凹部を有する少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と、前記少なくとも１つの絶縁層の上部における前記複数の副画素のそれぞれにおいて、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードを形成する段階とを含み、前記複数の副画素のそれぞれは、コンタクト領域および発光領域を含み、前記発光ダイオードは、前記コンタクト領域において前記少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続され、前記凹部は、前記コンタクト領域に位置する。
【0019】
本発明の有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、前記第１電極と前記発光層との間において、前記第１電極の縁部を覆いながら前記第１電極の中央部を露出するバンクを形成する段階をさらに含み、前記バンクは、前記コンタクト領域に位置する。
【0020】
前記バンクを形成する段階は、前記第１電極の上部にバンク物質層を形成する段階と、前記バンク物質層の上面を研磨し、バンク層を形成する段階と、前記バンク層を選択的に除去する段階とを含む。
【0021】
本発明の有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、前記少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と、前記発光ダイオードを形成する段階との間において、同じ工程で少なくとも１つのコンタクト電極と少なくとも１つの反射層を形成する段階をさらに含み、前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記コンタクト領域に位置し、前記少なくとも１つの反射層は、前記発光領域に位置する。
【0022】
前記少なくとも１つのコンタクト電極は、前記凹部内に位置し、前記少なくとも１つのコンタクト電極と前記基板との間の距離は、前記少なくとも１つの反射層と前記基板との間の距離より短い。
【発明の効果】
【0023】
本発明では、隣接する異色の副画素の間にトレンチを配置することにより、隣接する副画素間における側部の漏洩電流を最小にすることができる。その結果、色の再現率を高めることができる。
【0024】
また、各副画素にマイクロキャビティ構造を採用することにより、色純度の高い光を得ることができ、光効率を向上させることができる。その結果、低電力化が可能となり、消費電力を低減することができる。
【0025】
さらに、発光ダイオードとトランジスタとが電気的に接続されるコンタクト領域に凹部を備え、バンクの上面を研磨して、コンタクト領域と発光領域との間における段差を最小にすることにより、漏洩電流を最小にし、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置、およびその製造方法について詳細に説明する。
【0028】
図１は、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置を概略的に示す平面図である。
【0029】
図１に示すように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、Ｘ方向である第１方向、およびＹ方向である第２方向に沿ってマトリクス状に配列された複数の画素Ｐを含み、各画素Ｐは、複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む。図１においては、第２方向に沿って配列された２つの画素Ｐのみを示すが、同じ構成を持つ複数の画素Ｐがまた第１方向に沿って配列される。
【0030】
１つの画素Ｐは、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３を含むことができる。例えば、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３は、それぞれ赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素であり得るが、本発明の実施例がこれに限定されるものではない。１つの画素Ｐが含む副画素の数は変わってもよく、例えば、１つの画素Ｐは、赤色・緑色・青色・白色の副画素を含むこともできる。
【0031】
第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれには、少なくとも１つのトランジスタおよび発光ダイオードが備えられる。
【0032】
一方、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれは、発光領域ＥＡおよびコンタクト領域ＣＡを含む。発光ダイオードは発光領域ＥＡに備えられ、コンタクト領域ＣＡにおいて少なくとも１つのトランジスタと電気的に接続される。
【0033】
第１方向に沿って隣接する２つの副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間には、トレンチＴＣＨが備えられる。トレンチＴＣＨは、第２方向に沿って伸延することができる。例えば、複数のトレンチＴＣＨを副画素の列の間に配置することができる。
【0034】
トレンチＴＣＨは、第２方向に沿って隣接する２つの副画素、すなわち、第１副画素ＳＰ１間、第２副画素ＳＰ２間、そして第３副画素ＳＰ３間には備えられなくてもよいが、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。あるいは、トレンチＴＣＨは、第２方向に沿って 隣接する２つの副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の間に備えられてもよい。例えば、複数のトレンチＴＣＨを副画素の行の間に配置することができる。また、一実施例によれば、トレンチＴＣＨは各副画素の周囲を完全に取り囲むことができる（例えば、グリッドまたは格子構成で）が、実施例はこれに限定されない。
【0035】
トレンチＴＣＨは、第２方向に沿って隣接する２つの副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間に備えられてもよい。
【0036】
【0037】
図２および図３は、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な断面図であって、図２は、図１のＩ‐Ｉ’線に沿った断面を示し、図３は、図１のＩＩ‐ＩＩ’線、ＩＩＩ‐ＩＩＩ’線、およびＩＶ－ＩＶ’線に沿った断面を示す。ここで、有機発光ダイオード表示装置は、上部発光型（Ｔｏｐ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｔｙｐｅ）を例に挙げて説明する。
【0038】
図２および図３に示すように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、複数の副画素、例えば、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３を含み、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれは、トランジスタＴＲおよび発光ダイオードＤｅを含む。
【0039】
具体的に、基板１１０の上部における第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれには、トランジスタＴＲが配置される。第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３は、１つの画素Ｐを構成する。
【0040】
ここで、基板１１０は、半導体物質から構成することができる。例えば、基板１１０は、単結晶シリコンからなるウェーハであり得る。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではなく、基板１１０は、ガラスやプラスチックのような絶縁物質からなってもよい。
【0041】
トランジスタＴＲは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳＦＥＴ）であり得る。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではなく、トランジスタＴＲは、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）であってもよい。
【0042】
かかるトランジスタＴＲは、発光ダイオードＤｅに接続される駆動トランジスタであり得る。また、基板１１０上には、駆動トランジスタに接続される少なくとも１つのトランジスタと少なくとも１つの配線、および少なくとも１つの電極をさらに備えることができる。
【0043】
例えば、基板１１０上には、スイッチングトランジスタ、センシングトランジスタ、ストレージキャパシタ、ゲート配線、データ配線、電源配線、センシング配線、および／または基準配線をさらに備えることができる。
【0044】
スイッチングトランジスタは、ゲート配線、データ配線および駆動トランジスタに接続され、ゲート配線のゲート信号によりスイッチングされ、データ配線のデータ信号を駆動トランジスタに伝送することができる。
【0045】
駆動トランジスタは、スイッチングトランジスタ、電源配線および発光ダイオードＤｅに接続され、スイッチングトランジスタを介して伝送されたデータ信号によりスイッチングされ、電源配線の高電位電圧による電流を発光ダイオードＤｅに伝送することができる。
【0046】
センシングトランジスタは、駆動トランジスタ、センシング配線、および基準配線に接続され、センシング配線のセンシング信号によりスイッチングされ、基準配線の基準電圧を駆動トランジスタに伝送する、または駆動トランジスタの電圧を検出することができる。
【0047】
ストレージキャパシタは、スイッチングトランジスタおよび駆動トランジスタに接続され、スイッチングトランジスタを介して伝送されたデータ信号を１フレームの間保持する働きをすることができる。
【0048】
かかる駆動トランジスタとスイッチングトランジスタ、センシングトランジスタ、そしてストレージキャパシタは、コンタクト領域ＣＡ、および／または発光領域ＥＡに位置することができる。また、他の実施例によれば、トランジスタＴＲは、（例えば、スペースを節約するために）発光領域ＥＡの下に、または発光領域ＥＡと重なえるように配置することができるが、実施例はこれに限定されるものではない。
【0049】
次に、トランジスタＴＲの上部には、第１絶縁層１１２が配置される。第１絶縁層１１２は、実質的に基板１１０の全面に位置することができる。第１絶縁層１１２は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のトランジスタＴＲを露出するビアホール１１２ａを有する。ビアホール１１２ａは、コンタクト領域ＣＡに位置する。
【0050】
また、第１絶縁層１１２は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡにおいて凹部１１３を有する。凹部１１３は、ビアホール１１２ａと重なって位置し、ビアホール１１２ａより広い幅および広い面積を有する。例えば、ビアホール１１２ａは、凹部１１３の底面にあってもよい。
【0051】
第１絶縁層１１２は、断層で形成されてもよく、多層で形成されてもよい。例えば、第１絶縁層１１２は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）やシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で構成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。第１絶縁層１１２は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂のような有機絶縁物質で構成されてもよい。
【0052】
第１絶縁層１１２の上部における第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれには、金属物質からなる第１コンタクト電極１２２ａが配置される。かかる第１コンタクト電極１２２ａは、コンタクト領域ＣＡ内に位置する。このとき、第１コンタクト電極１２２ａは、凹部１１３内に位置する。
【0053】
第１コンタクト電極１２２ａは、第１絶縁層１１２に備えられたビアホール１１２ａを介し、トランジスタＴＲに接続される。このとき、第１コンタクト電極１２２ａは、トランジスタＴＲのソース電極、またはドレイン電極に電気的に接続されることができる。
【0054】
ここで、ビアホール１１２ａ内には（例えば、トランジスタＴＲと凹部１１３との間）、金属物質からなるビア電極１１７を備えることができる。したがって、第１コンタクト電極１２２ａは、ビア電極１１７に接触することができる。例えば、ビア電極１１７は、タングステン（Ｗ）から構成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。ビア電極１１７を省略し、第１コンタクト電極１２２ａをビアホール１１２ａ内に備え、トランジスタＴＲに直接接続することもできる。
【0055】
また、第１絶縁層１１２の上部における第１副画素ＳＰ１には、金属物質からなる第１反射層１２２が配置される。第１反射層１２２は、第１副画素ＳＰ１の発光領域ＥＡに位置する。ここで、凹部１１３内に設けられる第１コンタクト電極１２２ａの高さは、第１反射層１２２の高さより低い。本発明の実施例において、高さは、基板１１０からの距離と定義することができる。したがって、凹部１１３内に設けられる第１コンタクト電極１２２ａと基板１１０との間の距離は、第１反射層１２２と基板１１０との間の距離より短い。
【0056】
第１反射層１２２は、第１コンタクト電極１２２ａと同じ物質からなり、第１副画素ＳＰ１の第１コンタクト電極１２２ａに接続される。例えば、第１反射層１２２と第１コンタクト電極１２２ａは一体に形成される。このとき、第１副画素ＳＰ１において、第１反射層１２２は、トランジスタＴＲに電気的に接続されることができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。第１反射層１２２は、第１コンタクト電極１２２ａとは分離されてもよい。
【0057】
第１反射層１２２および第１コンタクト電極１２２ａは、単層で形成されてもよく、多層で形成されてもよい。例えば、第１反射層１２２および第１コンタクト電極１２２ａは、アルミニウム（Ａｌ）若しくはアルミニウム合金、または銀（Ａｇ）若しくは銀合金で構成することができ、銀合金は、銀・パラジウム・銅の合金（Ａｇ‐Ｐｄ‐Ｃｕ：ＡＰＣ）であり得る。或いは、第１反射層１２２および第１コンタクト電極１２２ａは、チタン、アルミニウム、そしてチタンの３層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）を有することもできる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0058】
第１反射層１２２および第１コンタクト電極１２２ａの上部には、第２絶縁層１１４が配置される。第２絶縁層１１４は、実質的に基板１１０の全面に位置することができる。
【0059】
第２絶縁層１１４は、無機絶縁物質から構成することができる。そのため、第２絶縁層１１４は下部膜による段差を有し、第２絶縁層１１４の段差は、平面視において凹部１１３内に位置することができる。例えば、第２絶縁層１１４は、第１絶縁層１１２の凹部１１３に対応する又は重なる凹部を有していてもよい。例えば、第２絶縁層１１４は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）、またはシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）から構成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0060】
第２絶縁層１１４は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３における第１コンタクト電極１２２ａを露出する第１コンタクトホール１１４ａを有する。すなわち、第１コンタクトホール１１４ａは、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡに位置する。ここで、第１コンタクトホール１１４ａは、平面視において、凹部１１３内に位置するか、凹部１１３と重なることができる。かかる第１コンタクトホール１１４ａは、ビアホール１１２ａと第１コンタクトホール１１４ａが重ならないように、ビアホール１１２ａから離間して位置することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0061】
第２絶縁層１１４の上部における第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれには、金属物質からなる第２コンタクト電極１２４ａが配置される。かかる第２コンタクト電極１２４ａは、コンタクト領域ＣＡ内に位置する。このとき、第２コンタクト電極１２４ａは、平面視において凹部１１３内に位置するか、または凹部１１３と重なり、第１コンタクト電極１２２ａと重なる。
【0062】
第２コンタクト電極１２４ａは、第２絶縁層１１４に備えられた第１コンタクトホール１１４ａを介し、第１コンタクト電極１２２ａに接続される。したがって、第２コンタクト電極１２４ａは、トランジスタＴＲに電気的に接続される。このとき、第２コンタクト電極１２４ａは、第１コンタクト電極１２２ａに直接接触することができる。
【0063】
また、第２絶縁層１１４の上部における第２副画素ＳＰ２には、金属物質からなる第２反射層１２４が配置される。第２反射層１２４は、第２副画素ＳＰ２の発光領域ＥＡに位置する。ここで、凹部１１３内に設けられる第２コンタクト電極１２４ａの高さは、第２反射層１２４の高さより低い。すなわち、凹部１１３内に設けられる第２コンタクト電極１２４ａと基板１１０との間の距離は、第２反射層１２４と基板１１０との間の距離より短い。
【0064】
第２反射層１２４は、第２コンタクト電極１２４ａと同じ物質からなり、第２副画素ＳＰ２の第２コンタクト電極１２４ａに接続される。例えば、第２反射層１２４は、第２コンタクト電極１２４ａと一体に形成される。したがって、第２副画素ＳＰ２において、第２反射層１２４は、トランジスタＴＲに電気的に接続されることができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。第２反射層１２４は、第２コンタクト電極１２４ａとは分離されてもよい。
【0065】
第２反射層１２４および第２コンタクト電極１２４ａは、単層で形成されてもよく、多層で形成されてもよい。例えば、第２反射層１２４および第２コンタクト電極１２４ａは、アルミニウム（Ａｌ）若しくはアルミニウム合金、または銀（Ａｇ）若しくは銀合金で構成することができ、銀合金は、銀・パラジウム・銅の合金（Ａｇ‐Ｐｄ‐Ｃｕ：ＡＰＣ）であり得る。或いは、第２反射層１２４および第２コンタクト電極１２４ａは、チタン、アルミニウム、そしてチタンの３層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）を有することもできる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0066】
第２反射層１２４および第２コンタクト電極１２４ａの上部には、第３絶縁層１１６が配置される。第３絶縁層１１６は、実質的に基板１１０の全面に位置することができる。
【0067】
第３絶縁層１１６は、無機絶縁物質から構成することができる。そのため、第３絶縁層１１６は下部膜による段差を有し、第３絶縁層１１６の段差は、平面視において凹部１１３内に位置することができる。例えば、第３絶縁層１１６は、第２絶縁層１１４の凹部及び第１絶縁層１１２の凹部１１３の両方と重なる凹部を有することができる。例えば、第３絶縁層１１６は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）、またはシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）から構成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0068】
第３絶縁層１１６は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３における第２コンタクト電極１２４ａを露出する第２コンタクトホール１１６ａを有する。すなわち、第２コンタクトホール１１６ａは、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡに位置する。ここで、第２コンタクトホール１１６ａは、平面視において、凹部１１３内に位置する。かかる第２コンタクトホール１１６ａは、３つの異なるホールが互いに重ならないように、第１コンタクトホール１１４ａおよびビアホール１１２ａ から離間して位置することができる。また、平面視において、第１コンタクトホール１１４ａは、第２コンタクトホール１１６ａとビアホール１１２ａとの間に配置される。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0069】
第３絶縁層１１６の上部における第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれには、金属物質からなる第３コンタクト電極１２６ａが配置される。かかる第３コンタクト電極１２６ａは、コンタクト領域ＣＡ内に位置する。このとき、第３コンタクト電極１２６ａは、平面視において凹部１１３内に位置し、第１コンタクト電極１２２ａ、および第２コンタクト電極１２４ａと重なる。例えば、第１、第２、及び第３のコンタクト電極１２２ａ、１２４ａ、１２６ａは、互いに積層することができる。
【0070】
第３コンタクト電極１２６ａは、第３絶縁層１１６に備えられた第２コンタクトホール１１６ａを介し、第２コンタクト電極１２４ａに接続される。したがって、第３コンタクト電極１２６ａは、トランジスタＴＲに電気的に接続される。このとき、第３コンタクト電極１２６ａは、第２コンタクト電極１２４ａに直接接触することができる。
【0071】
また、第３絶縁層１１６の上部における第３副画素ＳＰ３には、金属物質からなる第３反射層１２６が配置される。第３反射層１２６は、第３副画素ＳＰ３の発光領域ＥＡに位置する。ここで、凹部１１３内に設けられる第３コンタクト電極１２６ａの高さは、第３反射層１２６の高さより低い。すなわち、凹部１１３内に設けられる第３コンタクト電極１２６ａと基板１１０との間の距離は、第３反射層１２６と基板１１０との間の距離より短い。
【0072】
第３反射層１２６は、第３コンタクト電極１２６ａと同じ物質からなり、第３副画素ＳＰ３の第３コンタクト電極１２６ａに接続される。例えば、第３反射層１２６は、第３コンタクト電極１２６ａと一体に形成される。したがって、第３副画素ＳＰ３において、第３反射層１２６は、トランジスタＴＲに電気的に接続されることができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。第３反射層１２６は、第３コンタクト電極１２６ａとは分離されてもよい。
【0073】
第３反射層１２６および第３コンタクト電極１２６ａは、単層で形成されてもよく、多層で形成されてもよい。例えば、第３反射層１２６および第３コンタクト電極１２６ａは、アルミニウム（Ａｌ）若しくはアルミニウム合金、または銀（Ａｇ）若しくは銀合金で構成することができ、銀合金は、銀・パラジウム・銅の合金（Ａｇ‐Ｐｄ‐Ｃｕ：ＡＰＣ）であり得る。或いは、第３反射層１２６および第３コンタクト電極１２６ａは、チタン、アルミニウム、そしてチタンの３層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）を有することもできる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0074】
第３絶縁層１１６、または第３反射層１２６の上部における各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光領域ＥＡには、第１電極１２０が配置される。第１副画素ＳＰ１および第２副画素ＳＰ２における第１電極１２０は、第３絶縁層１１６の上部に位置して第３絶縁層１１６に接触し、第３副画素ＳＰ３における第１電極１２０は、第３反射層１２６の上部に位置して第３反射層１２６に接触する。例えば、第３反射層１２６は、第３副画素ＳＰ３の発光領域ＥＡにおいて第１電極１２０と第３絶縁層１１６との間に配置される。
【0075】
ここで、第３絶縁層１１６と第１電極１２０との間、および第３反射層１２６と第１電極１２０との間には、少なくとも１つの絶縁層をさらに設けることもできる。
【0076】
また、第１電極１２０は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡまで伸延する。そのため、第１電極１２０は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の第３コンタクト電極１２６ａの上部にも配置され、第３コンタクト電極１２６ａと接触し、重なる。
【0077】
したがって、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の第１電極１２０は、第１コンタクト電極１２２ａ、第２コンタクト電極１２４ａ、第３コンタクト電極１２６ａを介し、対応するトランジスタＴＲに電気的に接続される。
【0078】
かかる第１電極１２０は、比較的に仕事関数の高い導電性物質を含むことができる。例えば、第１電極１２０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）から構成することができる。
【0079】
第１電極１２０の上部にはバンク１５０が配置される。バンク１５０は、第１電極１２０の縁部を覆いながら第１電極１２０の中央部を露出する開口部を有する。バンク１５０の開口部に対応する部分、すなわち、バンク１５０を介して第１電極１２０が露出される部分を、発光領域ＥＡとして定義する。このような発光領域ＥＡを除いた残りの部分を非発光領域として定義するが、バンク１５０は非発光領域に配置される。コンタクト領域ＣＡは非発光領域に該当し、バンク１５０はコンタクト領域ＣＡに位置する。
【0080】
例えば、バンク１５０は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）やシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で構成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。バンク１５０はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂といった有機絶縁物質で構成することもできる。かかるバンク１５０は、単層で形成されてもよく、多層で形成されてもよい。
【0081】
本発明の実施例において、バンク１５０は平らな上面を有する。これについては、後で詳細に説明する。
【0082】
一方、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の間、すなわち、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３間におけるバンク１５０、および第３絶縁層１１６には、トレンチＴＣＨが形成される。
【0083】
本発明の実施例では、トレンチＴＣＨが、バンク１５０および第３絶縁層１１６に備えられることを例に挙げ、説明したが、本発明の実施例がこれに限定されるものではない。例えば、トレンチＴＣＨは、バンク１５０を完全に貫通し、部分的に第３絶縁層１１６を貫通して延びることができるが、実施例がこれに限定されるものではない。トレンチＴＣＨは、第３絶縁層１１６の下部の第２絶縁層１１４に備えられてもよく、第１絶縁層１１２および第２絶縁層１１４に備えられてもよい。
【0084】
かかるトレンチＴＣＨは、後続工程において、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光層１３０を分離させ、側部の漏洩電流を最小にする働きをする。他の実施例によれば、トレンチＴＣＨは、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光層１３０の一部を薄くしながら、隣接する副画素間の領域で発光層１３０を完全に切断することなく、側部の漏洩電流を最小にする（例えば、トレンチＴＣＨは、発光層１３０の一部が非常に薄くなり、電気抵抗を増加させることができる）。
【0085】
具体的に、トレンチＴＣＨを形成しない場合、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の間において、第１スタック１３２、第２スタック１３６、そして電荷発生層１３４がそれぞれ１つに接続され、側部の漏洩電流が発生し得る。また、かかる側部の漏洩電流により、発光すべきでない副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が発光し、色の再現率が低下することもあり得る。
【0086】
このような色の再現率の低下は、同色の光を放射する副画素同士の間において側部の漏洩電流が発生した場合より、異色の光を放射する副画素同士の間において側部の漏洩電流が発生した場合に、さらに大きくなり得る。
【0087】
したがって、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、異色の光を放射する第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３間における側部の漏洩電流を最小にするため、互いに異なる色の光を放射する第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３間にトレンチＴＣＨを配置することができる。ここで、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間における第１スタック１３２および電荷発生層１３４は、トレンチＴＣＨにより互いに分離されるが、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間における第２スタック１３６は分離されず、互いに接続されていてもよい。或いは、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間における第１スタック１３２、電荷発生層１３４および第２スタック１３６は、全てトレンチＴＣＨにより互いに分離されてもよい。
【0088】
一方、トレンチＴＣＨは、同色の光を放射する第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３同士の間には、配置されなくてもよい。
【0089】
例えば、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置がストライプ型である場合、図１に示すように、第１方向に沿って第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３が順次に繰り返し配置され、第２方向に沿って同色の第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３がそれぞれ配置されるが、トレンチＴＣＨは、図１の第１方向に沿って隣接する異色の光を放射する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間において、第２方向に沿ってライン状に配置される。図１の第２方向に沿って隣接する同色の光を放射する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３同士の間には配置されなくてもよい。
【0090】
次に、バンク１５０の開口部を介して露出される第１電極１２０、およびバンク１５０の上部には発光層１３０が配置される。発光層１３０は、順次配置される第１スタック１３２と電荷発生層１３４、そして第２スタック１３６を含む。
【0091】
第１スタック１３２は、少なくとも１つの正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、少なくとも１つの正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、少なくとも１つの発光物質層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、少なくとも１つの電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）を含むことができる。第１スタック１３２の発光物質層は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光のうち、１つを放射することができる。
【0092】
電荷発生層（Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）１３４は、第１スタック１３２に電子を供給するためのネガティブタイプ（Ｎ‐ｔｙｐｅ）の電荷発生層、第２スタック１３６に正孔を供給するためのポジティブタイプ（Ｐ‐ｔｙｐｅ）の電荷発生層を含むことができる。
【0093】
第２スタック１３６は、少なくとも１つの正孔輸送層（ＨＴＬ）、少なくとも１つの発光物質層（ＥＭＬ）、少なくとも１つの電子輸送層（ＥＴＬ）、少なくとも１つの電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）を含むことができる。第２スタック１３６の発光物質層は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光のうち、１つを放射することができる。
【0094】
ここで、第２スタック１３６の発光物質層は、第１スタック１３２の発光物質層とは異なる色の光を放射してもよい。例えば、第１スタック１３２の発光物質層は青色の光を放射し、第２スタック１３６の発光物質層は赤色の光や緑色の光を放射してもよい。或いは、第１スタック１３２の発光物質層は青色の光を放射し、第２スタック１３６の発光物質層は黄色の光を放射してもよい。
【0095】
前述した通り、発光層１３０の第１スタック１３２、電荷発生層１３４、そして第２スタック１３６のうち、電荷発生層１３４を含む少なくとも１つは、トレンチＴＣＨの段差によりトレンチＴＣＨの上部において分離され、互いに接触することなく、 第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３毎に離間する。
【0096】
例えば、第１スタック１３２と電荷発生層１３４が、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３毎に離間するか分離されことができる。このとき、第１スタック１３２と電荷発生層１３４は、トレンチＴＣＨの上部から基板１１０に近接するほど段々細くなり、断絶する。一方、トレンチＴＣＨ内においては、第１スタック１３２および電荷発生層１３４と同じ物質が積層されることができる。また、第１スタック１３２と電荷発生層１３４が切断または分離された領域のトレンチＴＣＨ内には、ギャップスペースまたは空きスペースが存在することができる。
【0097】
このように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、トレンチＴＣＨの上部における第１スタック１３２および電荷発生層１３４が、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３毎に互いに分離され、離間する。そのため、異色の光を放射する第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３間における側部の漏洩電流を最小にすることができる。
【0098】
一方、本発明の実施例では、第１スタック１３２、電荷発生層１３４、そして第２スタック１３６を含むダブルスタック構造の発光層１３０を例に挙げたが、他の実施例では、発光層が、３つ以上のスタックと２つ以上の電荷発生層を含むマルチスタック構造を有することもできる。この場合、トレンチＴＣＨにより、２つ以上のスタックと２つ以上の電荷発生層を分離することができる。
【0099】
発光層１３０の上部には第２電極１４０が配置される。第２電極１４０は、実質的に基板１１０の全面に配置される。
【0100】
第１電極１２０、発光層１３０および第２電極１４０は、発光ダイオードＤｅを構成する。ここで、第１電極１２０はアノードであり、第２電極１４０はカソードであり得る。しかしながら、本発明の実施例がこれに限定されるものではない。第１電極１２０はカソードであってもよく、第２電極１４０はアノードであってもよい。
【0101】
第２電極１４０はトレンチＴＣＨの上部において分離されず、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３に亘り、接続して配置される。換言すれば、第２電極１４０は、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３間のトレンチＴＣＨを横切って連続的に延在することができる。また、第２電極１４０は、トレンチＴＣＨと重なる領域に凹部、溝、またはディボットを有することができる。或いは、第２電極１４０はトレンチＴＣＨの上部において分離され、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３毎に離間してもよい。
【0102】
第２電極１４０は、透明導電性物質や半透過金属物質、または反射率を持つ金属物質から構成することができる。第２電極１４０は、比較的に仕事関数の低い導電性物質を含むことができる。
【0103】
例えば、前述した通り、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置が上部発光型である場合、第２電極１４０は、光を透過させることができる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム・銀の合金（ＭｇＡｇ）のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ）から構成することができる。
【0104】
第２電極１４０の上部には、第１封止層１５２、第２封止層１５４、第３封止層１５６が順次配置される。第１封止層１５２および第３封止層１５６は、無機絶縁物質から構成し、第２封止層１５４は有機絶縁物質から構成することができる。
【0105】
例えば、第１封止層１５２は、アルミニウムオキシド（ＡｌＯｘ）、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から構成することができる。また、第３封止層１５６は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）やシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から構成することができ、第２封止層１５４は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂のような有機絶縁物質で構成することができる。
【0106】
かかる第１封止層１５２、第２封止層１５４、第３封止層１５６は、外部からの水分および酸素を遮断することができる。
【0107】
次に、第３封止層１５６の上部にはカラーフィルター１６０が配置される。カラーフィルター１６０は、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３にそれぞれ対応する第１カラーフィルター１６０Ｒ、第２カラーフィルター１６０Ｇ、第３カラーフィルター１６０Ｂを含むことができる。第１カラーフィルター１６０Ｒ、第２カラーフィルター１６０Ｇ、第３カラーフィルター１６０Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルターであり得る。しかしながら、本発明の実施例がこれに限定されるものではない。
【0108】
図面に示していないが、カラーフィルター１６０の上部には、カバー基板やカバーフィルムを配置することができる。
【0109】
このように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、隣接する異色の第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３間にトレンチＴＣＨを配置することにより、隣接する異色の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間における第１スタック１３２および電荷発生層１３４を分離し、側部の漏洩電流を最小にすることができる。
【0110】
また、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３にマイクロキャビティ構造を採用することにより、光効率を向上させることができる。
【0111】
さらに詳細に説明すると、発光ダイオードからの光が２つの反射板の間で干渉を起こすマイクロキャビティ効果を利用し、波長を選択的に増幅させ、狭い色スペクトルで光を放出させることにより、色純度の高い光を得ることができ、正面において高い効率を持たせることができる。
【0112】
かかるマイクロキャビティ効果を実現するため、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３における２つの反射板間の距離は相違する。すなわち、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、第１反射層１２２、第２反射層１２４、第３反射層１２６と第２電極１４０との間の距離を相違させることにより、マイクロキャビティ効果を実現する。このとき、第１反射層１２２、第２反射層１２４、第３反射層１２６と第２電極１４０との間の距離を調節するため、第１絶縁層１１２、第２絶縁層１１４、第３絶縁層１１６が利用される。
【0113】
具体的に、第１副画素ＳＰ１の第１反射層１２２を、第１絶縁層１１２と第２絶縁層１１４との間に配置し、第２副画素ＳＰ２の第２反射層１２４を、第２絶縁層１１４と第３絶縁層１１６との間に配置し、第３副画素ＳＰ３の第３反射層１２６を、第３絶縁層１１６と第１電極１２０との間に配置する。
【0114】
そのため、第２副画素ＳＰ２における第２反射層１２４と第２電極１４０との間の第２距離ｄ２は、第１副画素ＳＰ１における第１反射層１２２と第２電極１４０との間の第１距離ｄ１よりは小さく、第３副画素ＳＰ３における第３反射層１２６と第２電極１４０との間の第３距離ｄ３よりは大きい（ｄ１ > ｄ２ > ｄ３)。かかる第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３は、それぞれ赤色、緑色、青色に対応する光範囲のメインピークを放出することができ、赤色、緑色、青色のメインピークの強度は、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３の発光層１３０からの光の強度より大きい。したがって、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３における赤色光、緑色光、青色光の光取り出し効率、およびその輝度が向上する。
【0115】
また、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、コンタクト領域ＣＡに凹部１１３を設け、バンク１５０の上面を研磨して平らにすることにより、コンタクト領域ＣＡと発光領域ＥＡとの間の段差を最小にする。
【0116】
具体的に、コンタクト領域ＣＡには、複数のコンタクト電極１２２ａ、１２４ａ、１２６ａおよび複数のコンタクトホール１１４ａ、１１６ａが設けられるため、コンタクト領域ＣＡにおける段差は、発光領域ＥＡより高く、様々な高さに形成される。かかる段差により発光層１３０が薄くなる箇所ができ、その結果、漏洩電流が発生してオフ状態の発光ダイオードＤｅをオンにさせ、パネル不良を引き起こす。
【0117】
したがって、本発明の実施例では、コンタクト領域ＣＡに凹部１１３を設け、バンク１５０の上面を研磨して、コンタクト領域ＣＡと発光領域ＥＡとの間の段差を最小にすることにより、漏洩電流を最小にし、信頼性を向上させることができる。例えば、発光層１３０は、実質的に同じまたは均一な厚さ、および発光層１３０の上面の実質的に同じまたは均一な平坦度を維持しながら、コンタクト領域ＣＡおよび発光領域ＥＡにわたって延在することができる。
【0118】
このような本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法について、図面を参照し、説明する。
【0119】
図４Ａないし図４Ｎ、および図５Ａないし図５Ｎは、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造工程における概略的な断面図であって、図４Ａないし図４Ｎは図１のＩ‐Ｉ’線に対応し、図５Ａないし図５Ｎは、図１のＩＩ‐ＩＩ’線、ＩＩＩ‐ＩＩＩ’線、およびＩＶ－ＩＶ’線に対応する。
【0120】
図４Ａ及び図５Ａに示すように、基板１１０の上部における第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３のそれぞれにトランジスタＴＲを形成する。トランジスタＴＲは、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡに位置することができる。しかしながら、本発明の実施例がこれに限定されるものではない。トランジスタＴＲは、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光領域ＥＡに（例えば、スペースを節約し、各副画素の設置面積を減らすために、発光領域ＥＡの下に）位置してもよい。
【0121】
続いて、トランジスタＴＲの上部に絶縁物質を蒸着し、実質的に基板１１０の全面に第１絶縁層１１２を形成した後、フォトリソグラフィ工程で第１絶縁層１１２を選択的に除去し、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のトランジスタＴＲを露出するビアホール１１２ａを形成する。
【0122】
次に、ビアホール１１２ａ内を金属物質で埋め込み、ビア電極１１７を形成する。例えば、ビア電極１１７はタングステンから構成することができるが、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0123】
続いて、ビア電極１１７が形成された第１絶縁層１１２の上面を研磨し、平坦化を行う。ここで、研磨は、化学的作用と物理的作用を利用した化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）を利用することができる。
【0124】
次に、図４Ｂおよび図５Ｂに示すように、フォトリソグラフィ工程で、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡにおける第１絶縁層１１２を部分的に除去し、凹部１１３を形成する。このとき、ビアホール１１２ａおよびビア電極１１７の一部も除去される。他の実施形態によれば、凹部１１３は、トランジスタＴＲと第１のコンタクト電極１２２ａの少なくとも一部が同じ層上または同じ高さに位置するように、第１の絶縁層１１２を貫通して延在することができる。このように、ビアホール１１２ａ及びビア電極１１７を省略することもできるが、実施例はこれに限定されるものではない。
【0125】
次に、図４Ｃおよび図５Ｃに示すように、凹部１１３が設けられた第１絶縁層１１２の上部に金属物質を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で選択的に除去することで、第１反射層１２２および第１コンタクト電極１２２ａを形成する。
【0126】
ここで、第１反射層１２２は第１副画素ＳＰ１の発光領域ＥＡに位置し、第１コンタクト電極１２２ａは各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡに位置する。第１コンタクト電極１２２ａは凹部１１３内に位置し、ビア電極１１７に接触する。また、第１副画素ＳＰ１の第１コンタクト電極１２２ａは、第２副画素ＳＰ２の第１コンタクト電極１２２ａ及び第３副画素ＳＰ３の第１コンタクト電極１２２ａよりも大きいサイズを有することができる。例えば、第１副画素ＳＰ１の第１コンタクト電極１２２ａは、第１副画素ＳＰ１の発光領域ＥＡ内に延在する第１反射層１２２と一体に形成される。
【0127】
図５Ｃに示すように、第１副画素ＳＰ１において、第１反射層１２２と第１コンタクト電極１２２ａは互いに接続される。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。本発明の他の実施例では、第１副画素ＳＰ１における第１反射層１２２と第１コンタクト電極１２２ａとが分離され、電気的に接続されなくてもよい。
【0128】
次に、図４Ｄおよび図５Ｄに示すように、第１反射層１２２および第１コンタクト電極１２２ａの上部に絶縁物質を蒸着し、実質的に基板１１０の全面に第２絶縁層１１４を形成した後、フォトリソグラフィ工程で第２絶縁層１１４を選択的に除去し、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に第１コンタクトホール１１４ａを形成する。
【0129】
第１コンタクトホール１１４ａは、コンタクト領域ＣＡに位置し、第１コンタクト電極１２２ａの上面を部分的に露出する。第１コンタクトホール１１４ａは、平面視において凹部１１３内に位置し、ビアホール１１２ａから離間する。
【0130】
次に、図４Ｅおよび図５Ｅに示すように、第１コンタクトホール１１４ａが設けられた第２絶縁層１１４の上部に金属物質を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で選択的に除去することで、第２反射層１２４および第２コンタクト電極１２４ａを形成する。
【0131】
ここで、第２反射層１２４は、第２副画素ＳＰ２の発光領域ＥＡに位置し、第２コンタクト電極１２４ａは、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡに位置する。各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡにおいて、第２コンタクト電極１２４ａは凹部１１３内に位置し、第１コンタクト電極１２２ａと重なる。第２コンタクト電極１２４ａは、第１コンタクトホール１１４ａを介し、第１コンタクト電極１２２ａに接触する。
【0132】
図５Ｅに示すように、第２副画素ＳＰ２における第２反射層１２４と第２コンタクト電極１２４ａは互いに接続されるか、一体に形成される。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。本発明の他の実施例では、第２副画素ＳＰ２における第２反射層１２４と第２コンタクト電極１２４ａは分離され、電気的に接続されなくてもよい。
【0133】
次に、図４Ｆおよび図５Ｆに示すように、第２反射層１２４および第２コンタクト電極１２４ａの上部に絶縁物質を蒸着し、実質的に基板１１０の全面に第３絶縁層１１６を形成した後、フォトリソグラフィ工程で第３絶縁層１１６を選択的に除去し、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に第２コンタクトホール１１６ａを形成する。
【0134】
第２コンタクトホール１１６ａは、コンタクト領域ＣＡに位置し、第２コンタクト電極１２４ａの上面を部分的に露出する。第２コンタクトホール１１６ａは、平面視において凹部１１３内に位置し、第１コンタクトホール１１４ａから離間する。
【0135】
次に、図４Ｇおよび図５Ｇに示すように、第２コンタクトホール１１６ａが設けられた第３絶縁層１１６の上部に金属物質を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で選択的に除去することで、第３反射層１２６および第３コンタクト電極１２６ａを形成する。
【0136】
ここで、第３反射層１２６は、第３副画素ＳＰ３の発光領域ＥＡに位置し、第３コンタクト電極１２６ａは、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡに位置する。各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡにおいて、第３コンタクト電極１２６ａは凹部１１３内に位置し、第１コンタクト電極１２２ａ、および第２コンタクト電極１２４ａと重なる。第３コンタクト電極１２６ａは、第２コンタクトホール１１６ａを介し、第２コンタクト電極１２４ａに接触する。
【0137】
図５Ｇに示すように、第３副画素ＳＰ３における第３反射層１２６と第３コンタクト電極１２６ａは互いに接続されるか、一体に形成される。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。本発明の他の実施例では、第３副画素ＳＰ３における第３反射層１２６と第３コンタクト電極１２６ａは分離され、電気的に接続されなくてもよい。
【0138】
次に、図４Ｈおよび図５Ｈに示すように、第３反射層１２６および第３コンタクト電極１２６ａの上部に導電性物質を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で選択的に除去することで、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に第１電極１２０を形成する。
【0139】
第１電極１２０は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光領域ＥＡおよびコンタクト領域ＣＡに位置する。ここで、コンタクト領域ＣＡに位置する第１電極１２０の高さは、発光領域ＥＡに位置する第１電極１２０の高さより低い。すなわち、コンタクト領域ＣＡに位置する第１電極１２０と基板１１０との間の距離は、発光領域ＥＡに位置する第１電極１２０と基板１１０との間の距離より短い。
【0140】
第１副画素ＳＰ１および第２副画素ＳＰ２の発光領域ＥＡにおける第１電極１２０は、第３絶縁層１１６に接触し、第３副画素ＳＰ３の発光領域ＥＡにおける第１電極１２０は、第３反射層１２６に接触する。また、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のコンタクト領域ＣＡにおける第１電極１２０は、第１コンタクト電極１２２ａ、第２コンタクト電極１２４ａ、第３コンタクト電極１２６ａと重なり、第３コンタクト電極１２６ａを覆いながら接触する。したがって、第１電極１２０は、トランジスタＴＲと電気的に接続される。
【0141】
次に、図４Ｉおよび図５Ｉに示すように、第１電極１２０の上部に絶縁物質を蒸着し、実質的に基板１１０の全面にバンク物質層１５０ａを形成する。ここで、バンク物質層１５０ａの上面は平坦ではない。すなわち、コンタクト領域ＣＡに設けられる第１コンタクト電極１２２ａ、第２コンタクト電極１２４ａ、第３コンタクト電極１２６ａと、第１コンタクトホール１１４ａ、第２コンタクトホール１１６ａなどによりバンク物質層１５０ａはその上面において様々な高さの段差があり、凸凹を有する。
【0142】
かかるバンク物質層１５０ａは、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）やシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から構成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0143】
続いて、図４Ｊおよび図５Ｊに示すように、バンク物質層１５０ａの上面を研磨し、平坦化を行う。このとき、化学機械研磨法を用いることができる。これにより、バンク物質層１５０ａより高さや厚さが小さく、平らな上面を有するバンク層１５０ｂが形成される。
【0144】
次に、図４Ｋおよび図５Ｋに示すように、フォトリソグラフィ工程でバンク層１５０ｂを選択的に除去し、第１電極１２０の縁部を覆いながら第１電極１２０の中央部を露出するバンク１５０を形成する。バンク１５０は、コンタクト領域ＣＡに位置する第１電極１２０を覆いながら、発光領域ＥＡに位置する第１電極１２０を露出する。
【0145】
かかるバンク１５０は平坦な上面を有し、コンタクト領域ＣＡのバンク１５０と発光領域ＥＡの第１電極１２０との間の段差は相対的に小さい。すなわち、コンタクト領域ＣＡにおけるバンク１５０の上面と、発光領域ＥＡにおける第１電極１２０の上面との間の距離は相対的に小さい。
【0146】
【0147】
次に、図４Ｍおよび図５Ｍに示すように、バンク１５０の開口部を介して露出される第１電極１２０およびバンク１５０の上部に、第１スタック１３２と電荷発生層１３４を順次形成する。第１スタック１３２と電荷発生層１３４は、熱蒸発のような蒸着工程で形成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0148】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間において、第１スタック１３２はトレンチＴＣＨにより分離される。すなわち、第１スタック１３２は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３毎に独立したパターンになる。同様に、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間における電荷発生層１３４は、トレンチＴＣＨにより分離される。すなわち、電荷発生層１３４は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３毎に独立したパターンになる。そのため、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３における第１スタック１３２および電荷発生層１３４同士は接続されず、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３毎に分離される。このとき、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３間における第１スタック１３２および電荷発生層１３４のそれぞれは、トレンチＴＣＨの側壁に沿って形成され、トレンチＴＣＨの側壁から基板１１０に近接するほど薄くなり、断絶することがある。
【0149】
続いて、電荷発生層１３４の上部に、第２スタック１３６と第２電極１４０を順次形成する。第２スタック１３６と第２電極１４０は、熱蒸発のような蒸着工程で形成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。
【0150】
ここで、隣接する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３における第２スタック１３６および第２電極１４０は、分離されず、互いに接続されてもよい。或いは、第２スタック１３６および／または第２電極１４０は、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３毎に分離されてもよい。
【0151】
次に、図４Ｎおよび図５Ｎに示すように、第２電極１４０の上部に第１封止層１５２、第２封止層１５４、第３封止層１５６を順次形成する。このとき、第１封止層１５２および第３封止層１５６は、段差被服性に優れた蒸着工程で形成することができる。その結果、第１封止層１５２および第３封止層１５６は、下部層の段差に沿って形成され、非平坦な上面を持つことがある。
【0152】
一方、第２封止層１５４は、下部層による段差を解消し、実質的に平坦な上面を有することができる。それにより、第２封止層１５４の上部の第３封止層１５６も平坦な上面を有することができる。このような第２封止層１５４は、溶液工程で形成することができる。しかしながら、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。第２封止層１５４は、蒸着工程で形成することもできる。
【0153】
続いて、第３封止層１５６の上部にカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程でパターニングする段階を繰り返し、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３にそれぞれ第１カラーフィルター１６０Ｒ、第２カラーフィルター１６０Ｇ、第３カラーフィルター１６０Ｂを形成することで、カラーフィルター１６０を完成させる。
【0154】
このように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、コンタクト領域ＣＡに凹部１１３を設け、化学機械研磨ＣＭＰなどを利用して平坦な上面を有するバンク１５０を形成することで、コンタクト領域ＣＡと発光領域ＥＡとの間の段差を最小にする。それにより、漏洩電流を最小にし、信頼性を向上させることができる。
【0155】
かかる本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、ヘッドマウントディスプレイに採用することができる。ヘッドマウントディスプレイとは、頭部に装着するゴーグルやヘルメットの形状の表示装置であって、ユーザーの目の前に焦点が形成される仮想現実（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ：ＶＲ）、または拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ：ＡＲ）の眼鏡型モニターであるが、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の前面に様々な光学系を配置することで、実現することができる。
【0156】
以上、本発明の好適な実施例を参照し、説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の技術思想や技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を様々に修正、または変形することが可能であろう。
【符号の説明】
【0157】
１１０…基板、ＴＲ…トランジスタ、Ｄｅ…発光ダイオード、ＴＣＨ…トレンチ、１１２…第１絶縁層、１１４…第２絶縁層、１１６…第３絶縁層、１１２ａ…ビアホール、１１３…凹部、１１４ａ…第１コンタクトホール、１１６ａ…第２コンタクトホール、１１７…ビア電極、１２０…第１電極、１３０…発光層、１３２…第１スタック、１３４…電荷発生層、１３６…第２スタック、１４０…第２電極、１５０…バンク、１２２…第１反射層、１２４…第２反射層、１２６…第３反射層、１２２ａ…第１コンタクト電極、１２４ａ…第２コンタクト電極、１２６ａ…第３コンタクト電極、１５２…第１封止層、１５４…第２封止層、１５６…第３封止層、１６０…カラーフィルター、ＳＰ１…第１副画素、ＳＰ２…第２副画素、ＳＰ３…第３副画素
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図4J】
【図4K】
【図4L】
【図4M】
【図4N】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図5J】
【図5K】
【図5L】
【図5M】
【図5N】