▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024109113
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/00 20060101AFI20240805BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20240805BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240805BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20240805BHJP
G09F 9/40 20060101ALI20240805BHJP
【ＦＩ】
G09F9/00 313
H01L33/00 L
G09F9/30 338
G09F9/30 330
G09F9/30 348A
G09F9/33
G09F9/40 301
【審査請求】有
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024013538
(22)【出願日】2024-01-31
(31)【優先権主張番号】10-2023-0012883
(32)【優先日】2023-01-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ソ， デヨン
(72)【発明者】
【氏名】ナム， ジュヒョン
(72)【発明者】
【氏名】ハ， ヨンミン
【テーマコード（参考）】
5C094
5F142
5G435
【Ｆターム（参考）】
5C094AA01
5C094BA03
5C094BA23
5C094CA19
5C094DA01
5C094DA13
5C094DB01
5C094DB05
5C094EC03
5C094FA02
5C094FB01
5C094FB12
5C094FB15
5F142BA32
5F142CA11
5F142CB13
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD18
5F142DB17
5F142DB24
5F142DB52
5F142GA01
5G435AA01
5G435BB04
5G435CC09
5G435HH12
5G435HH14
(57)【要約】 （修正有）
【課題】表示装置の駆動特性の変化をより効率良く、かつ、正確に補償する。
【解決手段】表示装置は、発光素子が配置されたパネルユニットとは別の配線基板に発光素子の光をセンシングするフォトトランジスタを配置する。フォトトランジスタが光をセンシングして、画素別の輝度偏差が補償できる補償ユニットとして使用できるようにする。
【選択図】図１
【解決手段】表示装置は、発光素子が配置されたパネルユニットとは別の配線基板に発光素子の光をセンシングするフォトトランジスタを配置する。フォトトランジスタが光をセンシングして、画素別の輝度偏差が補償できる補償ユニットとして使用できるようにする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも１つの発光素子をそれぞれ含む複数のパネルユニット；及び
前記パネルユニットに配線信号を伝達する複数のリンク配線と、前記発光素子から出射する光をセンシングする複数のフォトトランジスタと、を含む配線基板；を含み、
前記複数のパネルユニットは、前記配線基板上にタイル結合された、
表示装置。
前記パネルユニットに配線信号を伝達する複数のリンク配線と、前記発光素子から出射する光をセンシングする複数のフォトトランジスタと、を含む配線基板；を含み、
前記複数のパネルユニットは、前記配線基板上にタイル結合された、
表示装置。
【請求項2】
前記フォトトランジスタは、前記発光素子よりも上部に位置し、
前記フォトトランジスタと前記発光素子との間には、少なくとも１つのオーバコート層または少なくとも１つのスペーサが配置される、
請求項１に記載の表示装置。
前記フォトトランジスタと前記発光素子との間には、少なくとも１つのオーバコート層または少なくとも１つのスペーサが配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記オーバコート層と前記スペーサは、有機物からなる、
請求項２に記載の表示装置。
請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記フォトトランジスタと前記発光素子は、上下方向に互いに重畳しないように配置される、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記パネルユニットは、
前記発光素子に駆動信号を印加する薄膜トランジスタ；
前記発光素子と前記薄膜トランジスタ上に配置されたオーバコート層；
前記オーバコート層上に配置されたスペーサ；
前記薄膜トランジスタと電気的に連結されて、前記スペーサを覆うように配置された配線連結電極；及び
前記配線連結電極上に前記スペーサと上下方向に重畳するように配置されて、前記リンク配線と接続する導電性接続部材；をさらに含む、
請求項１に記載の表示装置。
前記発光素子に駆動信号を印加する薄膜トランジスタ；
前記発光素子と前記薄膜トランジスタ上に配置されたオーバコート層；
前記オーバコート層上に配置されたスペーサ；
前記薄膜トランジスタと電気的に連結されて、前記スペーサを覆うように配置された配線連結電極；及び
前記配線連結電極上に前記スペーサと上下方向に重畳するように配置されて、前記リンク配線と接続する導電性接続部材；をさらに含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記パネルユニットは、
前記発光素子に駆動信号を印加する薄膜トランジスタ；
前記発光素子と前記薄膜トランジスタ上に配置されたオーバコート層；
前記薄膜トランジスタと電気的に連結されて、前記オーバコート層上に配置された配線連結電極；及び
前記配線連結電極上に配置されて、前記リンク配線と接続する導電性接続部材；をさらに含み、
前記オーバコート層は、基準層と、前記基準層よりも高い高さを有する段差形成層とを含み、
前記導電性接続部材は、前記段差形成層上に配置される、
請求項１に記載の表示装置。
前記発光素子に駆動信号を印加する薄膜トランジスタ；
前記発光素子と前記薄膜トランジスタ上に配置されたオーバコート層；
前記薄膜トランジスタと電気的に連結されて、前記オーバコート層上に配置された配線連結電極；及び
前記配線連結電極上に配置されて、前記リンク配線と接続する導電性接続部材；をさらに含み、
前記オーバコート層は、基準層と、前記基準層よりも高い高さを有する段差形成層とを含み、
前記導電性接続部材は、前記段差形成層上に配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記発光素子は、前記基準層に対応するように位置する、
請求項６に記載の表示装置。
請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記配線基板が、
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、
前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線、及び
前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線
をさらに含み、前記フォト制御信号配線、前記フォト駆動信号配線、及び前記フォトセンシング信号配線は、前記リンク配線が配置される層と異なる層に配置される、
請求項１に記載の表示装置。
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、
前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線、及び
前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線
をさらに含み、前記フォト制御信号配線、前記フォト駆動信号配線、及び前記フォトセンシング信号配線は、前記リンク配線が配置される層と異なる層に配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記配線基板が、
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、
前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線、及び
前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線
をさらに含み、前記フォト制御信号配線、前記フォト駆動信号配線、及び前記フォトセンシング信号配線は、前記複数のリンク配線のうち少なくとも１つが配置される層と同じ層に配置される、
請求項１に記載の表示装置。
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、
前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線、及び
前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線
をさらに含み、前記フォト制御信号配線、前記フォト駆動信号配線、及び前記フォトセンシング信号配線は、前記複数のリンク配線のうち少なくとも１つが配置される層と同じ層に配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記パネルユニットは、前記フォトトランジスタのフォトセンシング信号を検出するセンシング回路部をさらに含み、
前記配線基板は、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線をさらに含み、前記フォトセンシング信号配線は、前記センシング回路部と電気的に連結される、
請求項１に記載の表示装置。
前記配線基板は、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線をさらに含み、前記フォトセンシング信号配線は、前記センシング回路部と電気的に連結される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
一方向に配列された前記複数のフォトトランジスタは、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力する１つのフォトセンシング信号配線を共有し、
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達する複数のフォト制御信号配線には、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が印加され、
前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達する複数のフォト駆動信号配線には、前記一方向に沿って、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が順次印加されて、
前記一方向に配列された前記複数のフォトトランジスタのうちセンシングされる前記フォトトランジスタの位置座標を確認する、
請求項１に記載の表示装置。
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達する複数のフォト制御信号配線には、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が印加され、
前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達する複数のフォト駆動信号配線には、前記一方向に沿って、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が順次印加されて、
前記一方向に配列された前記複数のフォトトランジスタのうちセンシングされる前記フォトトランジスタの位置座標を確認する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項12】
一方向に配列された前記複数のフォトトランジスタは、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力する１つのフォトセンシング信号配線と、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達する、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が印加された１つのフォト駆動信号配線とをそれぞれ共有し、
フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達する複数のフォト制御信号配線には、前記一方向に沿って、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が順次印加されて、
前記一方向に配列された前記複数のフォトトランジスタのうちセンシングされる前記フォトトランジスタの位置座標を確認する、
請求項１に記載の表示装置。
フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達する複数のフォト制御信号配線には、前記一方向に沿って、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が順次印加されて、
前記一方向に配列された前記複数のフォトトランジスタのうちセンシングされる前記フォトトランジスタの位置座標を確認する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記複数のリンク配線は、
前記パネルユニットに高電位電圧を伝達する高電位電圧リンク配線；
前記パネルユニットに低電位電圧を伝達する低電位電圧リンク配線；及び
前記パネルユニットに基準電圧を印加する基準電圧リンク配線；を含み、
前記配線基板は、
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、及び
前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線
をさらに含み、
前記フォト制御信号配線は、前記低電位電圧リンク配線と一体型に形成され、
前記フォトセンシング信号配線は、前記基準電圧リンク配線と一体型に形成される、
請求項１に記載の表示装置。
前記パネルユニットに高電位電圧を伝達する高電位電圧リンク配線；
前記パネルユニットに低電位電圧を伝達する低電位電圧リンク配線；及び
前記パネルユニットに基準電圧を印加する基準電圧リンク配線；を含み、
前記配線基板は、
前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、及び
前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線
をさらに含み、
前記フォト制御信号配線は、前記低電位電圧リンク配線と一体型に形成され、
前記フォトセンシング信号配線は、前記基準電圧リンク配線と一体型に形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項14】
前記複数のリンク配線は、
前記パネルユニットに高電位電圧を伝達する高電位電圧リンク配線；
前記パネルユニットに低電位電圧を伝達する低電位電圧リンク配線；及び
前記パネルユニットに基準電圧を印加する基準電圧リンク配線；を含み、
前記配線基板は、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線をさらに含み、
前記フォト駆動信号配線は、前記高電位電圧リンク配線と一体型に形成される、
請求項１に記載の表示装置。
前記パネルユニットに高電位電圧を伝達する高電位電圧リンク配線；
前記パネルユニットに低電位電圧を伝達する低電位電圧リンク配線；及び
前記パネルユニットに基準電圧を印加する基準電圧リンク配線；を含み、
前記配線基板は、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線をさらに含み、
前記フォト駆動信号配線は、前記高電位電圧リンク配線と一体型に形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項15】
複数の発光素子と、前記複数の発光素子に連結される複数の信号配線とをそれぞれ含む複数のパネルユニットと、
前記複数のパネルユニット上の前記複数の信号配線にそれぞれ連結される複数のリンク配線と、前記複数の発光素子から放出する光を感知するように構成されたフォトトランジスタとを含む配線基板と、を含み、
前記複数のパネルユニットは、タイル方式で前記配線基板上に接合された、
表示装置。
前記複数のパネルユニット上の前記複数の信号配線にそれぞれ連結される複数のリンク配線と、前記複数の発光素子から放出する光を感知するように構成されたフォトトランジスタとを含む配線基板と、を含み、
前記複数のパネルユニットは、タイル方式で前記配線基板上に接合された、
表示装置。
【請求項16】
前記フォトトランジスタは、消えた状態の発光素子から放出する光を感知して、前記発光素子のオフ電流出力を決定する、
請求項１５に記載の表示装置。
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項17】
前記発光素子を駆動する薄膜トランジスタの電流は、前記発光素子間の輝度差を補償するように感知される、
請求項１６に記載の表示装置。
請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書は、表示装置に関し、より詳細には、リンク配線が配置された配線基板上に複数のパネルユニットを結合する表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置は、テレビ、モニタ、スマートフォン、タブレットＰＣ、ノートパソコン、ウェアラブル機器など、非常に様々な形態に具現することができる。
【0003】
表示装置のうち、発光型表示装置は、発光素子または光源を表示装置に内蔵し、内蔵した自己発光素子または光源で発生する光を使用して、情報を表示することができる。
【0004】
自己発光素子を含む表示装置は、光源を内蔵する表示装置よりも薄く具現することができ、柔軟であり、折り畳むか巻き取ることができる表示装置に具現することができるという長所がある。
【0005】
自己発光素子が内蔵された表示装置は、例えば、発光層として有機物を含む有機発光表示装置（ＯＬＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）、または発光層として無機物を含むマイクロＬＥＤ表示装置（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ；Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）などを含んでいてもよい。
【0006】
このうち、マイクロＬＥＤ表示装置は、水分と酸素に強い無機物を発光層として使用するため、有機物を発光層として使用することに比べて信頼性に優れて、寿命が長い。
【0007】
また、マイクロＬＥＤ表示装置のマイクロＬＥＤ素子は、点灯速度が早いだけでなく、消費電力が少なくて、高輝度の映像を表示することができるため、超大型画面の適用に有利である長所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
一方、表示装置は、駆動特性変化を補償するため様々な方式を用いて電流、電圧の補償を行うことができる。
【0009】
例えば、表示装置の発光素子を駆動する薄膜トランジスタのほか、補償のため別途薄膜トランジスタをさらに形成して、電流、電圧の補償を行うことができる。
【0010】
但し、このように、発光素子と発光素子を駆動する薄膜トランジスタが形成される基板に、別途薄膜トランジスタをさらに形成して補償を行う場合、回路構成が複雑になるにつれて、工程効率性が下がる問題点がある。
【0011】
また、透明な表示装置の場合、補償のために、さらに配置される薄膜トランジスタと同様の構成の回路によって、回路部の面積が増加し、透明部の面積が減少する問題点がある。
【0012】
このため、本明細書の発明者は、表示装置の駆動特性の変化をより効率良く、かつ、正確に補償することができる補償構造を有する表示装置を発明した。
【0013】
本明細書の実施形態による解決すべき課題は、発光素子から出射する光をセンシングして、画素別の輝度偏差を補償することができる表示装置を提供することである。
【0014】
本明細書の実施形態による解決すべき課題は、発光素子から出射する光をセンシングするユニットを単独補償ユニットとして活用することができる表示装置を提供することである。
【0015】
本明細書の実施形態による解決すべき課題は、発光素子から出射する光を最大限に効果的にセンシングすることができる構造の表示装置を提供することである。
【0016】
本明細書の実施形態による解決すべき課題は、発光素子から出射する光をセンシングする構造に連結される信号配線の工程効率性と空間活用性を高めることができる表示装置を提供することである。
【0017】
本明細書の実施形態による解決すべき課題は、以上で言及した課題に限らず、言及していないさらに他の課題は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本明細書の実施形態による表示装置は、複数の発光素子を含む複数のパネルユニット；及びパネルユニットに配線信号を伝達する複数のリンク配線と、発光素子から出射する光をセンシングする複数のフォトトランジスタと、を含む配線基板；を含み、複数のパネルユニットは、配線基板上にタイル結合される。
【0019】
本明細書の一実施形態によれば、フォトトランジスタは、発光素子よりも上部に位置するものの、フォトトランジスタと発光素子との間には、少なくとも１つのオーバコート層または少なくとも１つのスペーサが配置されてもよい。
【0020】
また、本明細書の一実施形態によれば、フォトトランジスタと連結される信号配線は、パネルユニットに配線信号を伝達するリンク配線と同じ層に形成されるか、一体型に形成されてもよい。
【0021】
本明細書の実施形態によれば、発光素子が配置されたパネルユニットとは別の配線基板に発光素子の光をセンシングするフォトトランジスタを配置するため、フォトトランジスタが光をセンシングして、画素別の輝度偏差が補償できる補償ユニットとして使用されるようにすることができる。
【0022】
また、本明細書の実施形態によれば、パネルユニットの形成工程とは別の工程で、物理的に区分するように形成される配線基板にフォトトランジスタを形成し、複数のパネルユニットを配線基板にタイル結合するため、高い信頼性を有するフォトトランジスタを単独補償ユニットとして容易に活用することができる。
【0023】
また、本明細書の実施形態によれば、フォトトランジスタは、発光素子よりも上部に位置するものの、フォトトランジスタと発光素子との間には、少なくとも１つのオーバコート層または少なくとも１つのスペーサが配置されるようにするため、フォトトランジスタが発光素子の光を最大限に効果的にセンシングできる最小限の角度を確保するようにすることができる。
【0024】
また、本明細書の実施形態によれば、フォトトランジスタと連結される信号配線は、パネルユニットに配線信号を伝達するリンク配線と同じ層に形成されるか、一体型に形成されるため、発光素子から出射する光をセンシングする構造に連結される信号配線の形成に対する工程効率性と空間活用性を高めることができ、工程最適化効果を得ることができる。
【0025】
また、本明細書の実施形態によれば、複数のパネルユニットを配線基板上にタイル結合することができるため、ベゼル領域を最小化して、実質的にパネルユニットの間の境界が視認されないようにすることができる。
【0026】
また、本明細書の実施形態によれば、配線基板上に複数のパネルユニットをタイル結合することができるため、様々な大きさと形態の大型画面を有する表示装置を自由にかつ容易に具現することができる効果がある。
【0027】
また、本明細書の実施形態によれば、複数のリンク配線を含む配線基板上に、複数の信号配線を含む複数のパネルユニットを配置するものの、リンク配線と信号配線が互いに重畳するように配置することができるため、透明な表示装置の透過率を向上させることができる。
【0028】
上述した効果並びに本発明の具体的な効果は、以下の発明を実施するための形態を説明すると共に記述する。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本明細書の実施形態による表示装置の概略的な平面図である。
【図2】本明細書の第１実施形態による配線基板とパネルユニットとが結合した状態での１つのサブ画素に対応する断面図である。
【図4】本明細書の第１実施形態及び第２実施形態によるパネルユニットの平面図である。
【図5】本明細書の第１実施形態及び第２実施形態による配線基板の平面図である。
【図6】本明細書の第３実施形態による配線基板とパネルユニットとが結合した状態での１つのサブ画素に対応する断面図である。
【図7】本明細書の第３実施形態によるパネルユニットの平面図である。
【図8】本明細書の第３実施形態による配線基板の平面図である。
【図9】本明細書の第４実施形態による配線基板とパネルユニットとが結合した状態での１つのサブ画素に対応する断面図である。
【図10】本明細書の一実施形態による透明な表示装置のパネルユニットの平面図である。
【図11】本明細書の一実施形態による透明な表示装置の配線基板の回路連結図である。
【図12】本明細書の一実施形態による表示装置のパネルユニットの平面図である。
【図13】本明細書の一実施形態による表示装置の配線基板の回路連結図である。
【図14】本明細書の一実施形態によるフォトトランジスタの回路図である。
【図15】本明細書の第５実施形態によるフォトトランジスタの駆動実施形態を示した図である。
【図16】本明細書の第５実施形態によるフォトトランジスタの駆動実施形態を示した図である。
【図17】本明細書の第６実施形態によるフォトトランジスタの駆動実施形態を示した図である。
【図18】本明細書の第６実施形態によるフォトトランジスタの駆動実施形態を示した図である。
【図19】照度によるフォトトランジスタのリーク電流値を測定したグラフである。
【図20】照度によるフォトトランジスタのリーク電流値を測定したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0030】
本明細書の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本明細書は、以下で開示の実施形態に限定されるものではなく、相異する様々な形態に具現されるものである。但し、本実施形態は、本明細書の開示を完全にして、本明細書の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は、請求項の範疇によって定義されるだけである。
【0031】
本明細書の実施形態を説明するため図面に開示の形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであり、本明細書は、図示の事項に限定されるものではない。本明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を称する。また、本明細書を説明するにあたり、関連する公知の技術に関する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合には、それの詳説を省略する。本明細書上に言及されている「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「～のみ」が使われていない限り、他部分を加えることができる。構成要素を単数に示した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【0032】
構成要素を解釈するにあたって、明示的記載が別途ないとしても、誤差範囲を含むものであると解釈する。
【0033】
位置関係に関する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」等と、両部分の位置関係を説明する場合、「直ちに」又は「直接」が使われていない限り、両部分の間に一以上の他部分が位置してもよい。
【0034】
時間関係に関する説明の場合、例えば、「～後に」、「～に引き続き」、「～次に」、「～前に」等と、時間の先後関係を説明する場合、「直ちに」又は「直接」が使われていない限り、連続していない場合も含んでいてもよい。
【0035】
第１、第２などは、様々な構成要素を述べるために使われるものの、これら構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一構成要素を他構成要素と区別するために使うものである。よって、以下で言及する第１構成要素は、本明細書の技術的思想内における第２構成要素であってもよい。
【0036】
本明細書の複数の実施形態の特徴は、それぞれ部分的に或いは全体的に互いに結合又は組み合わせが可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施形態は、互いに独立して実施することもでき、連関関係で共に実施することもできる。
【0037】
【0038】
【0039】
複数のリンク配線（ＬＬ）が含まれた配線基板２０上には、複数の信号配線（ＳＬ）を含むパネルユニット１０がタイル方式で結合されてもよい。
【0040】
配線基板２０は、複数のリンク配線（ＬＬ）を支持する第２基板２００を含んでいてもよい。
【0041】
第２基板２００は、絶縁基板であってもよく、例えば、ガラスまたは透明なプラスチック材質で構成されて、透明な表示装置を具現することができる。
【0042】
第２基板２００の一側または両側には、１つ以上の回路フィルム３０が配置されて、複数のリンク配線（ＬＬ）と電気的に連結されてもよい。
【0043】
回路フィルム３０は、軟性回路フィルムであってもよく、個々の回路フィルム３０上には、チップオンフィルム（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）方式でデータドライバ３２が配置されてもよいものの、これに限定されるものではない。
【0044】
第２基板２００と連結される回路フィルム３０の一側の反対側である他側には、１つ以上の印刷回路基板３４が電気的に連結されてもよい。
【0045】
印刷回路基板３４は、軟性印刷回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；ＦＰＣＢ）であってもよい。
【0046】
例えば、印刷回路基板３４は、ソース印刷回路基板と制御印刷回路基板とを含んでいてもよい。
【0047】
この場合、ソース印刷回路基板と制御印刷回路基板は、フラットフレキシブルケーブル（Ｆｌａｔ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃａｂｌｅ；ＦＦＣ）で互いに連結されてもよいものの、これに限定されるものではない。
【0048】
印刷回路基板３４には電源管理回路、タイミングコントローラ、レベルシフターなどが配置されてもよい。
【0049】
電源管理回路は、外部から供給された入力電圧を用いて、表示装置１のあらゆる回路の構成に必要な各種駆動電圧を生成して出力することができる。
【0050】
タイミングコントローラは、外部ホストシステムから映像データ及び入力タイミング制御信号が供給されて、データドライバ３２に複数のデータ制御信号、映像データを供給し、ゲートドライバに複数のゲート制御信号を供給することができる。
【0051】
データドライバ３２は、タイミングコントローラから複数のデータ制御信号及び映像データが供給されて、データ信号に変換し、データ信号配線にデータ電圧を供給することができる。
【0052】
ゲートドライバは、タイミングコントローラからレベルシフターを介して複数のゲート制御信号が供給されて、ゲート信号（スキャン信号）に変換し、ゲート信号配線にゲート電圧、例えば、スキャン電圧を供給することができる。
【0053】
例えば、ゲートドライバは、パネルユニット１０にゲート－イン－パネル（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ；ＧＩＰ）方式で実装することができるものの、これに限定されるものではない。
【0054】
このように生成される各種の様々な電圧及び配線信号は、回路フィルム３０を介して配線基板２０のリンク配線（ＬＬ）に伝達することができる。
【0055】
複数のリンク配線（ＬＬ）は、一方向に沿って互いに離隔して、整列して配置されてもよい。
【0056】
例えば、複数のリンク配線（ＬＬ）は、複数の高電位電圧（Ｅｖｄｄ）リンク配線、複数の低電位電圧（Ｅｖｓｓ）リンク配線、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）リンク配線、複数の初期化電圧（Ｉｎｉ）リンク配線、複数の基準電圧（Ｒｅｆ）リンク配線、及び複数のスキャン（Ｓｃａｎ）リンク配線などを含んでいてもよい。
【0057】
この場合、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）リンク配線は、第１データ電圧（Ｄａｔａ１）リンク配線、第２データ電圧（Ｄａｔａ２）リンク配線、及び第１データ電圧（Ｄａｔａ３）リンク配線を含んでいてもよい。
【0058】
配線基板２０上に配置された複数のリンク配線（ＬＬ）は、それぞれパネルユニット１０上に配置された複数の信号配線（ＳＬ）と電気的に連結することができる。
【0059】
例えば、複数の信号配線（ＳＬ）は、複数の高電位電圧（Ｅｖｄｄ）信号配線、複数の低電位電圧（Ｅｖｓｓ）信号配線、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）信号配線、複数の基準電圧（Ｒｅｆ）信号配線、複数の初期化電圧（Ｉｎｉ）信号配線、及び複数のスキャン（Ｓｃａｎ）信号配線などを含んでいてもよい。
【0060】
この場合、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）信号配線は、第１データ電圧（Ｄａｔａ１）信号配線、第２データ電圧（Ｄａｔａ２）信号配線、及び第１データ電圧（Ｄａｔａ３）信号配線を含んでいてもよい。
【0061】
このように、リンク配線（ＬＬ）を介して伝達される各種電圧と配線信号は、信号配線（ＳＬ）を介して画素に供給することができる。
【0062】
複数の信号配線（ＳＬ）を含む複数のパネルユニット１０は、モジュール形式で具備されて、配線基板２０上にタイル状に結合されるタイル方式で結合されることにより、タイル表示装置を具現することができる。
【0063】
例えば、複数のパネルユニット１０は、配線基板２０上に複数の行と複数の列方向に沿って、マトリックス状に配列されるように配置されて、配線基板２０と結合されてもよい。
【0064】
この場合、複数のパネルユニット１０は、パネルユニット１０の信号配線（ＳＬ）が配線基板２０のリンク配線（ＬＬ）と上下方向に互いに重畳して配置することにより、各種配線による透過部領域の減少を最小化することができるため、本明細書の実施形態による表示装置１が透明な表示装置に具現される場合、透過率を向上させることができる。
【0065】
また、本明細書の実施形態による表示装置１は、配線基板２０上に複数のパネルユニット１０をタイル結合することができるため、結合されるパネルユニット１０の個数及び配列形態の変化によって、様々な大きさと形態の画面を有する表示装置１を自由に具現することができる。
【0066】
特に、パネルユニット１０の個数を自由に増やすことができるため、大型サイズの画面をより容易に具現することができるという長所がある。
【0067】
また、本明細書の実施形態による表示装置１は、非表示領域を最小化することができる。
【0068】
例えば、１つのパネルユニット１０の最も外郭発光素子と、これに隣接する他の１つのパネルユニット１０の最も外郭発光素子との間の間隔を、１つのパネルユニット１０内における発光素子間の間隔と同様に具現することができる。
【0069】
これによって、本明細書の実施形態による表示装置１は、非表示領域を最小化することができ、さらに、実質的にベゼル領域が存在しないゼロベゼル表示装置１への具現が可能である。
【0070】
また、本明細書の実施形態による表示装置１は、複数のパネルユニット１０を配線基板２０上に配置するため、複数のパネルユニット１０が配線基板２０から自由に着脱し得る。
【0071】
これによって、本発明の一実施形態による表示装置１は、特定のパネルユニット１０に不良が発生する場合、配線基板２０から不良が発生したパネルユニット１０のみを分離して取り替ることができるため、より容易かつ早いリペア工程が可能である。
【0072】
また、本明細書の実施形態による表示装置１は、配線基板２０上に配置される複数のリンク配線（ＬＬ）が、パネルユニット１０に配置される信号配線（ＳＬ）の補助配線として機能することができる。
【0073】
複数のリンク配線（ＬＬ）は、パネルユニット１０の複数の信号配線（ＳＬ）は、上下方向に重畳するように並列に位置して、接続部材３００によって電気的に連結することができる。
【0074】
よって、本発明の一実施形態による表示装置１は、複数の信号配線（ＳＬ）の抵抗を下げることができるため、ＲＣ遅延のような信号遅延と電圧降下による輝度の均一度低下が減少し得、低電力及び高輝度の表示装置に具現することができる。
【0075】
【0076】
一方、パネルユニット１０は、複数の画素（Ｐ）を含んでいてもよい。
【0077】
複数の画素（Ｐ）は、それぞれ第１サブ画素（ＳＰ１）と、第２サブ画素（ＳＰ２）と、第３サブ画素（ＳＰ３）と、を含んでいてもよい。
【0078】
第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）及び第３サブ画素（ＳＰ３）は、それぞれ互いに異なる色相に具現することができる。
【0079】
例えば、第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）及び第３サブ画素（ＳＰ３）は、それぞれ赤（Ｒ）を具現する赤色サブ画素、緑（Ｇ）を具現する緑色サブ画素、及び青（Ｂ）を具現する青色サブ画素であってもよいものの、これに限定されない。
【0080】
例えば、複数の画素（Ｐ）は、白（Ｗ）を具現する白色サブ画素をさらに含んでいてもよい。
【0081】
複数のサブ画素（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）は、それぞれ発光部（ＥＡ）と回路部（ＣＡ）とを含んでいてもよい。
【0082】
パネルユニット１０の発光部（ＥＡ）には、複数の第１発光素子（ＥＤ１）と第２発光素子（ＥＤ２）とを含む複数の発光素子（ＥＤ）が配置されてもよい。
【0083】
本明細書では、発光素子（ＥＤ）がマイクロＬＥＤであることを一例に説明するものの、これに限定されるものではない。
【0084】
第１発光素子（ＥＤ１）は、第１色相の第１発光素子（ＥＤ１１）、第２色相の第１発光素子（ＥＤ１２）、及び第３色相の第１発光素子（ＥＤ１３）を含んでいてもよい。
【0085】
また、第２発光素子（ＥＤ２）は、第１色相の第２発光素子（ＥＤ２１）、第２色相の第２発光素子（ＥＤ２２）、及び第３色相の第２発光素子（ＥＤ２３）を含んでいてもよい。
【0086】
例えば、同じ色相を具現する一対の第１発光素子（ＥＤ１）と第２発光素子（ＥＤ２）は、１つのサブ画素を構成することができる。
【0087】
第１発光素子（ＥＤ１）は、パネルユニット１０に形成する工程中に不良が発生して、該第１発光素子（ＥＤ１）が良く発光することができない場合が発生し得る。
【0088】
かかる場合に備えて、本明細書の実施形態による表示装置１は、１つのサブ画素に同じ色相を具現する複数の発光素子をさらに含む、リダンダンシ（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）構造を有してもよい。
【0089】
よって、第１発光素子（ＥＤ１）は、メイン発光素子であり、第２発光素子（ＥＤ２）は、リダンダンシ（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）発光素子であってもよい。
【0090】
図１０を参照すると、スキャン電圧信号配線（Ｓｃａｎ１，Ｓｃａｎ２，Ｓｃａｎ３）と各種の信号配線（Ｅｖｄｄ，Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ３，Ｉｎｉ，Ｒｅｆ，Ｅｖｓｓ）が交差する領域に発光部（ＥＡ）と回路部（ＣＡ）が配置されてもよい。
【0091】
回路部（ＣＡ）は、スキャン薄膜トランジスタ（ＳＣＴ）、センシング薄膜トランジスタ（ＳＥＴ）などのような様々な種類の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含む駆動回路などが配置されてもよい。
【0092】
各種の信号配線（Ｅｖｄｄ，ｄａｔａ１，ｄａｔａ２，ｄａｔａ３，Ｉｎｉ，Ｒｅｆ，Ｅｖｓｓ）が配置される領域は、配線部（ＬＡ）と定義することができる。
【0093】
発光部（ＥＡ）、回路部（ＣＡ）及び配線部（ＬＡ）を除く領域は、透過部（ＴＡ）であってもよい。
【0094】
透明な表示装置の場合、より高い透過部（ＴＡ）の面積を確保するため発光部（ＥＡ）、回路部（ＣＡ）及び配線部（ＬＡ）の領域がより稠密に形成されてもよい。
【0095】
図１２を参照すると、通常の表示装置の場合、透過部（ＴＡ）を含まなくてもよいため、透明な表示装置に比べて、発光部（ＥＡ）、回路部（ＣＡ）及び配線部（ＬＡ）の配置を稠密にするよりは、配線及び電極の干渉などの可否を考慮して、最大限に分散して形成することもできる。
【0096】
一方、配線基板２０は、パネルユニット１０に配置された発光素子（ＥＤ）から出射する光をセンシングする複数のフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を含んでいてもよい。
【0097】
本明細書による表示装置１は、ターン－オフ（Ｔｕｒｎ－Ｏｆｆ）状態で、発光素子（ＥＤ）から出射する光に反応して、オフ電流（Ｏｆｆ－Ｃｕｒｒｅｎｔ）を出力するフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を含み、このように、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）によって出力されるオフ電流を検出して、特定の画素に位置する発光素子（ＥＤ）の光をセンシングすることができる。
【0098】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、フォトゲート電極（ＰＧＥ）、フォトアクティブ層（ＰＡＣＴ）、第１フォト電極（ＰＥ１）、及び第２フォト電極（ＰＥ２）を含んでいてもよい。
【0099】
フォトゲート電極（ＰＧＥ）にはフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）が印加され、第１フォト電極（ＰＥ１）にはフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）が印加され、第２フォト電極（ＰＥ２）は、フォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を出力することができる。
【0100】
よって、フォトゲート電極（ＰＧＥ）は、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を印加するフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）配線と電気的に連結され、第１フォト電極（ＰＥ１）は、フォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を印加するフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）配線と電気的に連結され、第２フォト電極（ＰＥ２）は、フォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を印加するフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線と電気的に連結されてもよい。
【0101】
例えば、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）のフォトゲート電極（ＰＧＥ）にロー（Ｌｏｗ）レベルのフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）電圧が印加され、第１フォト電極（ＰＥ１）にハイ（Ｈｉｇｈ）レベルのフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）電圧が印加された状態で、光源が流入する場合、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、オフ電流を出力することができる。
【0102】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）の第２フォト電極（ＰＥ２）は、リードアウト配線（ＲＯＬ）を介してセンシング信号を検出するセンシング回路部（不図示）と電気的に連結することができる。
【0103】
例えば、センシング回路部（不図示）は、リードアウト配線（ＲＯＬ）と電気的に連結された増幅器、増幅器の出力信号を積分して積分値を出力する積分器、積分器の積分値を貯蔵するサンプル＆ホールド回路、及びセンシング信号をデジタル信号に変換するアナログデジタルコンバータなどを含んでいてもよい。
【0104】
センシング回路部（不図示）は、リードアウト配線（ＲＯＬ）を介して検出されたセンシング信号をデジタル信号形態に変換したセンシングデータをセンシングコントローラに出力することができる。
【0105】
一例では、センシング回路部（不図示）は、データドライバ３２と１つのＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）で製作されて、表示装置１に配置することができる。
【0106】
配線基板２０と複数のパネルユニット１０は、配線基板２０と複数のパネルユニット１０との間に配置される光学樹脂層（ＯＣＲ）によって互いに合着し、複数の導電性接続部材３００を介して互いに電気的に連結することができる。
【0107】
例えば、光学樹脂層（ＯＣＲ）は、光学透明樹脂（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ；ＯＣＲ）を含んでいてもよい。
【0108】
以上で説明した本明細書の実施形態による表示装置１は、発光素子（ＥＤ）が配置されたパネルユニット１０とは別の配線基板２０に、発光素子（ＥＤ）の光をセンシングするフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を配置するため、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が光をセンシングして、画素別の輝度偏差が補償できる補償ユニットとして使用できるようにすることができる。
【0109】
このように、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）を用いて発光素子（ＥＤ）から出射する光をセンシングして、画素別の輝度偏差を補償することによって、発光素子（ＥＤ）を駆動する薄膜トランジスタ端における電流及び電圧センシングの補償を補正して、表示装置１がより正確な画像品質を有するようにできる。
【0110】
また、本明細書の実施形態による表示装置１は、パネルユニット１０の形成工程とは別の工程で、物理的に区分するように形成される配線基板２０にフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を形成し、複数のパネルユニット１０を配線基板２０にタイル結合するため、高い信頼性を有するフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を単独補償ユニットとして容易に活用することができる。
【0111】
このように、高い信頼性を有するフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を単独補償ユニットとして活用することができることによって、外部補償やカメラ補償などの用途に活用することもできる。
【0112】
配線基板２０とパネルユニット１０とが結合した状態での１つのサブ画素に対する断面図によって、配線基板２０とパネルユニット１０の様々な連結構造について説明することとする。
【0113】
以下では、パネルユニット１０について先に説明し、次いで、配線基板２０について説明することとする。
【0114】
パネルユニット１０は、第１基板１００、前記第１基板１００上に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）、及び各種配線などを含んでいてもよい。
【0115】
第１基板１００は、ガラスまたはプラスチックを含む透明な材質からなってもよい。
【0116】
第１基板１００上には光遮断層（ＬＳ）が配置されて、第１基板１００の下部から薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブ層（ＡＣＴ）に入射する光を遮断し、リーク電流を減少させることができる。
【0117】
光遮断層（ＬＳ）上にはバッファ層（ＢＵＦ）が配置されて、第１基板１００による不純物または水分の浸透を防止することができる。
【0118】
バッファ層（ＢＵＦ）上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が配置されてもよい。
【0119】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、発光素子（ＥＤ）を駆動させる駆動信号を提供する駆動薄膜トランジスタであってもよい。
【0120】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、半導体層（ＡＣＴ）、第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）、第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）、及びゲート電極（ＧＥ）を含んでいてもよい。
【0121】
アクティブ層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＥ）との間には、ゲート絶縁層（ＧＩ）が配置されてもよい。
【0122】
アクティブ層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＥ）上には層間絶縁層（ＩＬＤ）が配置され、層間絶縁層（ＩＬＤ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）のソース領域とドレイン領域を露出させる一対のコンタクトホールを含んでいてもよい。
【0123】
層間絶縁層（ＩＬＤ）上には、第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）と第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）が配置されて、前記一対のコンタクトホールを介してアクティブ層（ＡＣＴ）と電気的に連結することができる。
【0124】
第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）は、ドレイン電極であり、第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）は、ソース電極であってもよい。
【0125】
パネルユニット１０に形成される信号配線（ＳＬ）である第１データ電圧（Ｄａｔａ１）信号配線、第２データ電圧（Ｄａｔａ２）信号配線及び第１データ電圧（Ｄａｔａ３）信号配線は、第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）及び第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）と同じ層に、同じ物質で形成することができ、第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）及び第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）と互いに電気的に連結することができる。
【0126】
ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から離隔して配置され、第１ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ１）と第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ２）とを含んでいてもよい。
【0127】
ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、一フレームのうち、発光素子（ＥＤ）が継続して同じ状態を維持するように電圧を貯蔵することができる。
【0128】
第１ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ１）は、第１キャパシタ電極（ＳＴ１）と第２キャパシタ電極（ＳＴ２）との間に形成され、第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ２）は、第２キャパシタ電極（ＳＴ２）と第３キャパシタ電極（ＳＴ３）との間に形成されてもよい。
【0129】
第１キャパシタ電極（ＳＴ１）は、光遮断層（ＬＳ）と一体からなってもよい。
【0130】
第１キャパシタ電極（ＳＴ１）上には第２キャパシタ電極（ＳＴ２）が配置され、第２キャパシタ電極（ＳＴ２）は、ゲート電極（ＧＥ）と同じ物質で形成することができる。
【0131】
第１キャパシタ電極（ＳＴ１）と第２キャパシタ電極（ＳＴ２）との間には、バッファ層（ＢＵＦ）とゲート絶縁層（ＧＩ）が配置されて、第１ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ１）を形成する誘電体層になり得る。
【0132】
第３キャパシタ電極（ＳＴ３）は、第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）と一体からなってもよい。
【0133】
第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）は、バッファ層（ＢＵＦ）と層間絶縁層（ＩＬＤ）に形成されたコンタクトホールを介して光遮断層（ＬＳ）と電気的に連結することができる。
【0134】
第２キャパシタ電極（ＳＴ２）と第３キャパシタ電極（ＳＴ３）との間には層間絶縁層（ＩＬＤ）が配置されて、第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ２）を形成する誘電体層になり得る。
【0135】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆うように、第１パッシベーション層（ＰＡＳ１）を形成することができる。
【0136】
第１パッシベーション層（ＰＡＳ１）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で不純物または水分の浸透を防止する役割が可能である。
【0137】
第１パッシベーション層（ＰＡＳ１）上には第１オーバコート層（ＯＣ１）を形成することができる。
【0138】
第１オーバコート層（ＯＣ１）は、第１平坦化層であってもよく、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの下部配線による段差を減少させて、表面を扁平にする役割が可能である。
【0139】
第１オーバコート層（ＯＣ１）は、有機物を含んでいてもよく、例えば、感光性化合物（Ｐｈｏｔｏａｃｔｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ；ＰＡＣ）を含んでいてもよいものの、これに限定されるものではない。
【0140】
第１オーバコート層（ＯＣ１）と第１パッシベーション層（ＰＡＳ１）には、第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）と第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）の表面の一部を露出させる一対のビアホールまたは一対のコンタクトホールが形成されてもよい。
【0141】
第１オーバコート層（ＯＣ１）上には、絶縁物質を含む第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）が配置され、第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）は、前記第１オーバコート層（ＯＣ１）と第１パッシベーション層（ＰＡＳ１）を貫通して形成される一対のビアホールの内部側面まで延びて形成することができる。
【0142】
但し、第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）は、第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）と第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）の表面の一部を露出させるパターンで形成することができる。
【0143】
第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）上には、前記一対のビアホールを介して、それぞれ第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）と電気的に連結するように形成される第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）と、第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）と電気的に連結するように形成される第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）と、が配置されてもよい。
【0144】
第１ソースドレイン電極（ＳＤ１）と第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）は、互いに用語を変えて命名し得、同様、第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）と第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）も互いに用語を変えて命名し得る。
【0145】
第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）上には、発光素子（ＥＤ）が配置されてもよい。
【0146】
本明細書では、発光素子（ＥＤ）が自己組立方式でパネルユニット１０上に直接に合着することを一実施形態として説明するものの、これに限定されるものではない。
【0147】
この場合、パネルユニット１０は、発光素子（ＥＤ）を自己組立方式で固定させる自己組立基板として機能することができ、パネルユニット１０には自己組立構造が形成されてもよい。
【0148】
第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）上には第１組立電極（ＡＥ１）、第２組立電極（ＡＥ２）、クラッド電極（ＣＤＥ）、第１配線電極（ＣＥ１）、及び接着層（ＡＤ）が形成されてもよい。
【0149】
第１組立電極（ＡＥ１）及び第２組立電極（ＡＥ２）は、互いに離隔して配置され、自己組立工程によって組み立てられた複数の第１発光素子（ＥＤ１）のそれぞれに対応することができる。
【0150】
組立電極（ＡＥ１，ＡＥ２）は、インジウム－スズ－酸化物（ＩＴＯ）を含む透明な電極物質を含んでいてもよい。
【0151】
第１組立電極（ＡＥ１）及び第２組立電極（ＡＥ２）は、自己組立工程で電圧が印加されると、電場を生成して、第１組立電極（ＡＥ１）と第２組立電極（ＡＥ２）との間に形成される組立空間内に移動した発光素子（ＥＤ）を安定的に固定させることができる。
【0152】
第１組立電極（ＡＥ１）及び第２組立電極（ＡＥ２）上にはクラッド電極層（ＣＤＥ）が形成され、クラッド電極層（ＣＤＥ）は、第１組立電極（ＡＥ１）及び第２組立電極（ＡＥ２）を覆うように配置することができる。
【0153】
第１組立電極（ＡＥ１）及び第２組立電極（ＡＥ２）は、第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）及び第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）と同じ層に、同じ物質で形成することができる。
【0154】
第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）及び第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）上にもクラッド電極層（ＣＤＥ）が形成され、クラッド電極層（ＣＤＥ）は、第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）及び第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）を覆うように配置することができる。
【0155】
クラッド電極層（ＣＤＥ）は、流体内で行われる自己組立工程で、第１組立電極（ＡＥ１）、第２組立電極（ＡＥ２）の腐食を防止し、発光素子（ＥＤ）の組み立てのため電場の形成が容易に行われるようにすることができる。
【0156】
クラッド電極層（ＣＤＥ）は、銅（Ｃｕ）を含んでいてもよい。
【0157】
第１組立電極（ＡＥ１）及び第２組立電極（ＡＥ２）上にそれぞれ形成される一対のクラッド電極層（ＣＤＥ）間の間隔は、第１組立電極（ＡＥ１）と第２組立電極（ＡＥ２）との間の間隔よりも小さく形成することができる。
【0158】
これによって、第１組立電極（ＡＥ１）と第２組立電極（ＡＥ２）との間に形成される組立空間内に配置される第１発光素子（ＥＤ１）の組立位置をより精密に固定することができる。
【0159】
クラッド電極層（ＣＤＥ）上には、第３パッシベーション層（ＰＡＳ３）が配置されてもよい。
【0160】
第３パッシベーション層（ＰＡＳ３）は、クラッド電極層（ＣＤＥ）の上部の一部領域を覆い、他の領域は、第１基板１００の全面を覆うように形成することができる。
【0161】
第３パッシベーション層（ＰＡＳ３）は、第１組立電極（ＡＥ１）と第２組立電極（ＡＥ２）との間に形成される組立空間に対応する領域が露出するように形成することができる。
【0162】
このように形成される組立空間は、発光素子（ＥＤ）が結合する位置を指定することができる。
【0163】
組立空間に対応するクラッド電極層（ＣＤＥ）上には接着層（ＡＤ）が配置され得、接着層（ＡＤ）は、発光素子（ＥＤ）を接着固定させる役割が可能である。
【0164】
接着層（ＡＤ）は、熱硬化物質または光硬化物質からなってもよいものの、これに限定されない。
【0165】
接着層（ＡＤ）上には、発光素子（ＥＤ）が配置されてもよい。
【0166】
本明細書では、発光素子（ＥＤ）が垂直型マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）であることを一実施形態として説明するものの、これに限定されるものではなく、発光素子（ＥＤ）は、水平型マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）であってもよい。
【0167】
また、発光素子（ＥＤ）は、プリップチップ状のマイクロＬＥＤまたはナノロード状のマイクロＬＥＤであってもよい。
【0168】
発光素子（ＥＤ）は、半導体構造物（ＮＳＳ）と、第１電極（Ｅ１）と、第２電極（Ｅ２）と、を含んでいてもよい。
【0169】
発光素子（ＥＤ１）の第１電極（Ｅ１）は、第１カソード電極であり、第２電極（Ｅ２）は、第１アノード電極であってもよい。
【0170】
半導体構造物（ＮＳＳ）は、チッ化物半導体構造物であってもよく、第１半導体層と、第１半導体層の一側上に配置された活性層と、第２半導体層と、を含んでいてもよい。
【0171】
第１電極（Ｅ１）は、活性層が位置していない第１半導体層の一面に配置され、第２電極（Ｅ２）は、活性層が位置していない第２半導体層の一面に配置されてもよい。
【0172】
例えば、第１電極（Ｅ１）は、第１半導体層の一面から第１半導体層の側面の一部まで延びるように形成することができる。
【0173】
第１半導体層は、活性層に電子を供給するための層であって、第１導電型不純物を含むチッ化物半導体を含んでいてもよい。
【0174】
例えば、第１導電型不純物は、Ｎ型不純物を含んでいてもよい。
【0175】
活性層は、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造を含んでいてもよい。第２半導体層は、活性層に正孔を注入するための層であって、第２導電型不純物を含むチッ化物半導体を含んでいてもよい。
【0176】
例えば、第２導電型不純物は、Ｐ型不純物を含んでいてもよい。
【0177】
発光素子（ＥＤ１）の少なくとも一部の外側表面を覆うように、保護層パターン（ＰＴ）が形成されてもよい。
【0178】
保護層パターン（ＰＴ）は、半導体構造物（ＮＳＳ）を形成するために行う乾式エッチング工程で、半導体構造物（ＮＳＳ）の側面部に発生し得る損傷を防止して、素子の特性を補完する役割が可能である。
【0179】
発光素子（ＥＤ）は、活性層が配置された第１半導体層の一面と対向する他の面が接着層（ＡＤ）と接触して固定し得る。
【0180】
発光素子（ＥＤ１）の側面には、第１電極（Ｅ１）を囲むように配置される第１配線電極（ＣＥ１）が形成されて、第１電極（Ｅ１）と接触して電気的に連結することができる。
【0181】
第１配線電極（ＣＥ１）の一側は、クラッド電極層（ＣＤＥ）を覆うように形成されて、クラッド電極層（ＣＤＥ）と接触して電気的に連結することができる。
【0182】
また、発光素子（ＥＤ１）上には第２配線電極（ＣＥ２）が形成されて、第２電極（Ｅ２）と接触し、電気的に連結することができる。
【0183】
発光素子（ＥＤ１）を覆うように、第２オーバコート層（ＯＣ２）が形成されてもよい。
【0184】
第２オーバコート層（ＯＣ２）は、第２平坦化層であってもよく、発光素子（ＥＤ１）などの下部配線による段差を減少させて、表面を扁平にする役割が可能である。
【0185】
第２オーバコート層（ＯＣ２）は、有機物を含んでいてもよく、例えば、感光性化合物（Ｐｈｏｔｏａｃｔｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ；ＰＡＣ）を含んでいてもよいものの、これに限定されるものではない。
【0186】
第２オーバコート層（ＯＣ２）上には、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）及び第２配線連結電極（ＬＣＥ２）が形成されてもよい。
【0187】
上述した第２配線電極（ＣＥ２）は、第２配線連結電極（ＬＣＥ２）と命名することができる。
【0188】
第１配線連結電極（ＬＣＥ１）と第２配線連結電極（ＬＣＥ２）は、同じ層に、同じ物質で形成することができる。
【0189】
第２オーバコート層（ＯＣ２）には、第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）及び第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）上のクラッド電極層（ＣＤＥ）の一部表面が露出するように、第２オーバコート層（ＯＣ２）と第３パッシベーション層（ＰＡＳ３）を貫通する一対のコンタクトホールが形成されてもよい。
【0190】
また、第２オーバコート層（ＯＣ２）は、発光素子（ＥＤ）の第２電極（Ｅ２）の少なくとも一部表面が露出するように形成されてもよい。
【0191】
これによって、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）は、前記コンタクトホールを介して外部に露出するクラッド電極層（ＣＤＥ）によって第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）と電気的に連結され、第２配線連結電極（ＬＣＥ２）は、前記コンタクトホールを介して外部に露出するクラッド電極層（ＣＤＥ）によって第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）と電気的に連結することができる。
【0192】
この場合、一側が第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）と電気的に連結される第２配線連結電極（ＬＣＥ２）は、第２電極（Ｅ２）とも電気的に連結されるように、発光素子（ＥＤ）の上部を覆うように配置されてもよい。
【0193】
よって、第２配線連結電極（ＬＣＥ２）は、アノード電極である第２電極（Ｅ２）と電気的に連結される、アノード連結電極と命名し得る。
【0194】
このように、第２配線連結電極（ＬＣＥ２）が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の第２ソースドレイン電極（ＳＤ２）と、発光素子（ＥＤ）のアノード電極である第２電極（Ｅ２）を電気的に連結することによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の駆動信号は、発光素子（ＥＤ）のアノード電極に印加され得る。
【0195】
第２オーバコート層（ＯＣ２）と第１配線連結電極（ＬＣＥ１）との間には、スペーサ（ＳＰＣ）が形成されてもよい。
【0196】
スペーサ（ＳＰＣ）の下面は、第２オーバコート層（ＯＣ２）と接触し、スペーサ（ＳＰＣ）の上面は、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）と接触するように配置されてもよい。
【0197】
これによって、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）は、スペーサ（ＳＰＣ）の一部側面を含む、上面を覆うように配置されてもよい。
【0198】
スペーサ（ＳＰＣ）は、有機物を含んでいてもよく、例えば、感光性化合物（Ｐｈｏｔｏａｃｔｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ；ＰＡＣ）を含んでいてもよいものの、これに限定されるものではない。
【0199】
スペーサ（ＳＰＣ）は、配線基板２０とパネルユニット１０との間の離隔距離を維持し、かつ、離隔距離を増加させる役割が可能である。
【0200】
スペーサ（ＳＰＣ）による配線基板２０とパネルユニット１０との間の離隔距離を増加させる場合、発光素子（ＥＤ）とフォトトランジスタ（ＰＨＴ）との間の離隔距離も増加する。
【0201】
これによって、スペーサ（ＳＰＣ）は、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が発光素子（ＥＤ）の一側に位置するようになる場合も、発光素子（ＥＤ）の側方向に出射する光を最大限に効果的にセンシングできる最小限の角度を良く確保するようにすることができる。
【0202】
第１配線連結電極（ＬＣＥ１）上には、接続部材３００が配置されてもよい。
【0203】
具体的には、接続部材３００は、上下方向にスペーサ（ＳＰＣ）と重畳する第１配線連結電極（ＬＣＥ１）上に配置されてもよい。
【0204】
接続部材３００は、パネルユニット１０の第１配線連結電極（ＬＣＥ１）と配線基板２０のリンク配線（ＬＬ）を互いに電気的に連結させる媒介体の役割が可能である。
【0205】
また、接続部材３００は、導電物質から構成することができる。
【0206】
例えば、導電性接続部材３００は、金属層、導電性インクまたは銀ペースト（Ｐａｓｔｅ）といった導電性ペースト（Ｐａｓｔｅ）で形成することができるものの、これに限定されるものではない。
【0207】
また、接続部材３００は、接着成分を含む接着性接続部材であってもよい。
【0208】
このように、導電性接続部材３００が接着成分を有することにより、パネルユニット１０の第１配線連結電極（ＬＣＥ１）と配線基板２０のリンク配線（ＬＬ）を互いに電気的に連結させるだけでなく、固定させる役割も可能である。
【0209】
一方、配線基板２０は、第２基板２００と、前記第２基板２００上に配置された複数のフォトトランジスタ（ＰＨＴ）と、各種リンク配線（ＬＬ）と、を含んでいてもよい。
【0210】
第２基板２００は、ガラスまたはプラスチックを含む透明な材質からなってもよい。
【0211】
よって、第２基板２００上にはフォトトランジスタ（ＰＨＴ）が形成されてもよい。
【0212】
具体的には、フォトゲート電極（ＰＧＥ）が形成され、フォトゲート電極（ＰＧＥ）を覆うようにゲート絶縁層（ＧＩ）が形成されてもよい。
【0213】
ゲート絶縁層（ＧＩ）上にはフォトアクティブ層（ＰＡＣＴ）が形成され、フォトアクティブ層（ＰＡＣＴ）上にはフォトアクティブ層（ＰＡＣＴ）の一側と接する第１フォト電極（ＰＥ１）と、フォトアクティブ層（ＰＡＣＴ）の他側と接する第２フォト電極（ＰＥ２）と、が形成されてもよい。
【0214】
第１フォト電極（ＰＥ１）と第２フォト電極（ＰＥ２）上にはパッシベーション層（ＰＡＳ）が形成され、パッシベーション層（ＰＡＳ）を覆うようにオーバコート層（ＯＣ）が形成されてもよい。
【0215】
オーバコート層（ＯＣ）は、平坦化層であってもよく、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）などの下部配線による段差を減少させて、表面を扁平にする役割が可能である。
【0216】
オーバコート層（ＯＣ）は、有機物を含んでいてもよく、例えば、感光性化合物（Ｐｈｏｔｏａｃｔｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ；ＰＡＣ）を含んでいてもよいものの、これに限定されるものではない。
【0217】
また、オーバコート層（ＯＣ）は、配線基板２０とパネルユニット１０との間の離隔距離を維持し、かつ、離隔距離を増加させる役割が可能である。
【0218】
オーバコート層（ＯＣ）による配線基板２０とパネルユニット１０との間の離隔距離を増加させる場合、発光素子（ＥＤ）とフォトトランジスタ（ＰＨＴ）との間の離隔距離も増加する。
【0219】
これによって、オーバコート層（ＯＣ）は、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が発光素子（ＥＤ）の一側に位置するようになる場合も、発光素子（ＥＤ）の側方向に出射する光を最大限に効果的にセンシングできる最小限の角度を良く確保するようにすることができる。
【0220】
本明細書の実施形態による表示装置１は、発光素子（ＥＤ）が形成されるパネルユニット１０と、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が形成される配線基板２０を互いに別の工程で形成した後、合着するものであるため、発光素子（ＥＤ）とフォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、互いに異なる層に形成されてもよい。
【0221】
具体的には、発光素子（ＥＤ）から出射する光を効果的にセンシングするために、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、発光素子（ＥＤ）よりも上部に位置することが好ましい。
【0222】
但し、発光素子（ＥＤ）とフォトトランジスタ（ＰＨＴ）が上下方向に重畳するように配置される場合、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）によって発光素子（ＥＤ）の光効率が減少し得る。
【0223】
これによって、本明細書の一実施形態によれば、発光素子（ＥＤ）とフォトトランジスタ（ＰＨＴ）が上下方向に互いに重畳しないように配置されることが好ましい。
【0224】
例えば、図４～図５、図１０～図１３を参照すると、パネルユニット１０の発光素子（ＥＤ）が配置される領域と、配線基板２０のフォトトランジスタ（ＰＨＴ）が配置される領域とが、互いに合着する場合、発光素子（ＥＤ）とフォトトランジスタ（ＰＨＴ）が互いに上下方向に重畳しないように配置されることが分かる。
【0225】
但し、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が発光素子（ＥＤ）から遠すぎて離隔する場合、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、発光素子（ＥＤ）の光を効果的にセンシングしにくいことがあるため、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、最大限に発光素子（ＥＤ）と隣接して配置することが好ましい。
【0226】
このように、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、発光素子（ＥＤ）と上下方向に互いに重畳しないように配置されるため、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）と発光素子（ＥＤ）の上下方向への離隔距離を増加させて、発光素子（ＥＤ）の側面に出射する光が、最大限にフォトトランジスタ（ＰＨＴ）がセンシング可能であるようにすることができる。
【0227】
よって、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）と発光素子（ＥＤ）が上下方向に互いに重畳しないように配列されても、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）と発光素子（ＥＤ）は、できるだけ近く配置されるの好ましい。
【0228】
これによって、第１実施形態によれば、所定の高さを有する構造を形成するのに有利な有機物からなり得るスペーサ（ＳＰＣ）とオーバコート層（ＯＣ）を、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）と発光素子（ＥＤ）との間に配置することができる。
【0229】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）と発光素子（ＥＤ）との離隔距離を増加させる第２実施形態として、図３を参照して説明することができる。
【0230】
図３を参照すると、発光素子（ＥＤ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上に配置される第２オーバコート層（ＯＣ２）は、互いに異なる高さを有する段差形成層（ＯＣ２２）と基準層（ＯＣ２１）に分けられるように形成されてもよい。
【0231】
段差形成層（ＯＣ２２）の高さは、基準層（ＯＣ２１）の高さよりも高く形成されてもよい。
【0232】
このように、同じオーバコート層（ＯＣ）の段差形成層（ＯＣ２２）と基準層（ＯＣ２１）の高さを互いに異なって形成するために、ハーフトーン（Ｈａｌｆｔｏｎｅ）マスクを用いたフォト工程を用いることができる。
【0233】
この場合、一側が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と電気的に連結される第１配線連結電極（ＬＣＥ１）は、第２オーバコート層（ＯＣ２）の段差形成層（ＯＣ２２）上に形成されてもよい。
【0234】
具体的には、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）の下面は、第２オーバコート層（ＯＣ２）と接触することができる。
【0235】
そして、第２オーバコート層（ＯＣ２）の基準層（ＯＣ２１）は、発光素子（ＥＤ）を覆うように形成することができる。
【0236】
すなわち、発光素子（ＥＤ）は、基準層（ＯＣ２１）に対応するように配置されてもよい。
【0237】
これによって、第２実施形態の場合、第１実施形態とは異なり、別途スペーサ（ＳＰＣ）のような段差調節部材を形成しなくても、オーバコート層の部分領域別高さ差によって同じ効果を得ることができ、工程上の効率性に対する効果がある。
【0238】
一方、配線基板２０のオーバコート層（ＯＣ）上には複数のリンク配線（ＬＬ）が形成されてもよい。
【0239】
よって、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を伝達するフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）配線、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を伝達するフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）配線、及びフォトトランジスタ（ＰＨＴ）からフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を出力するフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線は、複数のリンク配線（ＬＬ）と互いに異なる層に配置されてもよい。
【0240】
オーバコート層（ＯＣ）上に形成された複数のリンク配線（ＬＬ）は、接続部材３００によってパネルユニット１０の第１配線連結電極（ＬＣＥ１）と電気的に連結することができ、これによって、配線基板２０のリンク配線（ＬＬ）を介してパネルユニット１０の信号配線（ＳＬ）に配線信号を伝達することができる。
【0241】
図４と図５を参照すると、配線基板２０に形成される複数の高電位電圧（Ｅｖｄｄ）リンク配線、複数の低電位電圧（Ｅｖｓｓ）リンク配線、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）リンク配線、複数のスキャン（Ｓｃａｎ）リンク配線は、配線基板２０に形成されるコンタクト部（ＣＮＴ）において、パネルユニット１０に形成される複数の高電位電圧（Ｅｖｄｄ）信号配線、複数の低電位電圧（Ｅｖｓｓ）信号配線、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）信号配線、及び複数のスキャン（Ｓｃａｎ）信号配線と電気的に連結することができる。
【0242】
すなわち、図５に示した複数のコンタクト部（ＣＮＴ）は、接続部材３００が配置されて、リンク配線（ＬＬ）と信号配線（ＳＬ）が互いに電気的に連結される地点に対応することができる。
【0243】
【0244】
第３実施形態に関する説明のうち、上記実施形態に関する説明と重複する内容については説明を省略することとし、相違する構成を中心に説明することとする。
【0245】
これについては、以下でさらに説明する他の実施形態にも同様に適用することができる。
【0246】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を伝達するフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）配線、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を伝達するフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）配線、及びフォトトランジスタ（ＰＨＴ）からフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を出力するフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線は、複数のリンク配線（ＬＬ）のうち少なくとも１つと同じ層に形成されてもよい。
【0247】
例えば、配線基板２０上には、フォトゲート電極（ＰＧＥ）と同じ層に、同じ物質で形成されるリンク分岐配線（ＬＢＬ）が形成されてもよい。
【0248】
リンク分岐配線（ＬＢＬ）上にはゲート絶縁層（ＧＩ）が形成され、ゲート絶縁層（ＧＩ）上にはリンク配線（ＬＬ）が形成されてもよい。
【0249】
リンク配線（ＬＬ）は、第１フォト電極（ＰＥ１）及び第２フォト電極（ＰＥ２）と同じ層に、同じ物質で形成されてもよい。
【0250】
リンク分岐配線（ＬＢＬ）は、リンク配線（ＬＬ）から電気的に連結されるように分岐した配線であってもよい。
【0251】
リンク配線（ＬＬ）上にはパッシベーション層（ＰＡＳ）が形成され、パッシベーション層（ＰＡＳ）は、リンク配線（ＬＬ）の一部表面領域が露出するように形成されて、リンク配線（ＬＬ）は、接続部材３００と電気的に連結することができる。
【0252】
このように、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）と連結されるフォト信号配線は、リンク配線（ＬＬ）のうち少なくとも１つと互いに同じ層に配置されることによって、発光素子（ＥＤ）から出射する光をセンシングする構造に連結されるフォト信号配線の形成に対する工程効率性と空間活用性を高めることができ、工程最適化効果を得ることができる。
【0253】
図７と図８を参照すると、配線基板２０に形成される複数の高電位電圧（Ｅｖｄｄ）リンク配線、複数の低電位電圧（Ｅｖｓｓ）リンク配線、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）リンク配線、複数のスキャン（Ｓｃａｎ）リンク配線は、配線基板２０に形成されるコンタクト部（ＣＮＴ）において、パネルユニット１０に形成される複数の高電位電圧（Ｅｖｄｄ）信号配線、複数の低電位電圧（Ｅｖｓｓ）信号配線、複数のデータ電圧（Ｄａｔａ）信号配線、及び複数のスキャン（Ｓｃａｎ）信号配線と電気的に連結することができる。
【0254】
すなわち、図８に示した複数のコンタクト部（ＣＮＴ）は、接続部材３００が配置されて、リンク配線（ＬＬ）と信号配線（ＳＬ）が互いに電気的に連結される地点に対応することができる。
【0255】
本明細書の第４実施形態による表示装置１は、図９をさらに参照して説明することができる。
【0256】
パネルユニット１０には、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）のセンシング信号を検出するセンシング回路部（不図示）が形成され得、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）からフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線は、センシング回路部（不図示）と電気的に連結することができる。
【0257】
例えば、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）上にはオーバコート層（ＯＣ）が形成され、オーバコート層（ＯＣ）上には複数のリンク配線（ＬＬ）が形成されてもよい。
【0258】
複数のリンク配線（ＬＬ）は、複数の第１リンク配線（ＬＬ１）と複数の第２リンク配線（ＬＬ２）とを含んでいてもよい。
【0259】
この場合、リンク配線（ＬＬ）は、発光素子（ＥＤ）の駆動配線信号を伝達する第１リンク配線（ＬＬ１）と第１配線連結電極（ＬＣＥ１）との電気的な連結によって、パネルユニット１０の信号配線（ＳＬ）に駆動配線信号を伝達することができる。
【0260】
この場合、第１リンク配線（ＬＬ１）と第１配線連結電極（ＬＣＥ１）との間には第１接続部材３１０が形成され、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）と第２オーバコート層（ＯＣ２）との間には第１スペーサ（ＳＰＣ１）が形成されてもよい。
【0261】
また、リンク配線（ＬＬ）は、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）のフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を伝達する第２リンク配線（ＬＬ２）と、パネルユニット１０に形成されたセンシング回路部（不図示）との電気的な連結によって、フォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を伝達することができる。
【0262】
このために、パネルユニット１０の第２パッシベーション層（ＰＡＳ２）上には、センシング回路部（不図示）と電気的に連結されるリードアウト配線（ＲＯＬ）が形成されてもよい。
【0263】
リードアウト配線（ＲＯＬ）は、第１ソースドレイン連結電極（ＮＥ１）及び第２ソースドレイン連結電極（ＮＥ２）と同じ層に、同じ物質で形成されてもよい。
【0264】
リードアウト配線（ＲＯＬ）上にはクラッド電極層（ＣＤＥ）、第３パッシベーション層（ＰＡＳ３）、及び第２オーバコート層（ＯＣ２）が形成されてもよい。
【0265】
第２オーバコート層（ＯＣ２）上には、第１配線連結電極（ＬＣＥ１）及び第２配線連結電極（ＬＣＥ２）と同じ層に、同じ物質で形成される第３配線連結電極（ＬＣＥ３）が形成されてもよい。
【0266】
第２オーバコート層（ＯＣ２）には、リードアウト配線（ＲＯＬ）の一部表面が露出するように、第２オーバコート層（ＯＣ２）と第３パッシベーション層（ＰＡＳ３）を貫通するコンタクトホールが形成されてもよい。
【0267】
これによって、第３配線連結電極（ＬＣＥ３）は、前記コンタクトホールを介して外部に露出するクラッド電極層（ＣＤＥ）によってリードアウト配線（ＲＯＬ）と電気的に連結することができる。
【0268】
この場合、第３配線連結電極（ＬＣＥ３）と第２オーバコート層（ＯＣ２）との間には、第２スペーサ（ＳＰＣ２）が形成され、第３配線連結電極（ＬＣＥ３）と第２リンク配線（ＬＬ２）との間には第２接続部材３２０が形成されてもよい。
【0269】
第２リンク配線（ＬＬ２）は、オーバコート層（ＯＣ）とパッシベーション層（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホールを介して、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）の第２フォト電極（ＰＥ２）と電気的に連結することができる。
【0270】
よって、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）の第２フォト電極（ＰＥ２）から出力されるフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）は、第２リンク配線（ＬＬ２）、第２接続部材３２０及び第３配線連結電極（ＬＣＥ３）のような電気的な連結構造によって、センシング回路部（不図示）と電気的に連結されるリードアウト配線（ＲＯＬ）に伝達することができる。
【0271】
【0272】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、ゲート電極であるフォトゲート電極（ＰＧＥ）にフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）が印加され、ソース電極である第１フォト電極（ＰＥ１）にフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）が印加され、ドレイン電極である第２フォト電極（ＰＥ２）からフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）が出力されてもよい。
【0273】
上説したように、フォトトランジスタセンサの場合、フォトゲート電極（ＰＧＥ）にロー（ｌｏｗ）レベルのフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）が印加され、第１フォト電極（ＰＥ１）にハイ（Ｈｉｇｈ）レベルのフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）が印加された状態で、内外部光源によるオフ電流をセンシングすることができる。
【0274】
すなわち、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）がオフである状態、すなわち、フォトゲート電極（ＰＧＥ）にロー電圧が印加され、フォトソース電極にハイ電圧が印加された後、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）に光が入射すると、フォトドレイン電極でリーク電流（Ｉｏｆｆ）が発生することをセンシングする方式でフォトトランジスタセンサを駆動することができる。
【0275】
本明細書の実施形態によれば、これらのフォトトランジスタセンサのセンシングメカニズムを能動（Ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ；ＡＭ）駆動して、センシング値の位置座標を確保することができる。
【0276】
図１４に示したように、行方向であるＸ軸に沿って、リードアウトＩＣの番地が決定され、列方向であるＹ軸に沿ってフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）が順次駆動するか、オン／オフ（Ｏｎ／Ｏｆｆ）駆動することができる。
【0277】
例えば、Ｙ軸の位置座標を区分するために、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）をロー電圧で固定した状態で、フォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を第１段から第Ｎ段まで順次駆動することができる。
【0278】
この場合、フォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）がハイで順次駆動されている特定のタイミングにのみフォトトランジスタ（ＰＨＴ）が作動し得、フォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）がローである他の領域では、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が作動しなくなる。
【0279】
このように、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が作動する時点である、特定のタイミングにセンシング値が出力されると、光源の入射と判断され、センシングされる特定のタイミングによってＹ軸の位置座標値を確認することができる。
【0280】
この場合、光源がなければ、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が作動する時点である、特定のタイミングにもセンシング値は、なくなる。
【0281】
このように、本明細書の一実施形態によれば、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を伝達する複数のフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）配線には、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が印加され、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を伝達する複数のフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）配線には、一方向に沿って、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が順次印加され、センシングされるフォトトランジスタ（ＰＨＴ）の位置座標を確認することができる。
【0282】
この場合、一方向に配列された複数のフォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）からフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を出力する１つのフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線を共有することができる。
【0283】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を伝達するフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）配線は、低電位電圧（Ｅｖｓｓ）リンク配線と一体型に形成され、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）からフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を出力するフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線は、基準電圧（Ｒｅｆ）リンク配線と一体型に形成されてもよい。
【0284】
このように、一部のフォト信号配線とリンク配線（ＬＬ）は、互いに一体に形成されて、同じ配線を共有することによって、リンク配線（ＬＬ）と別途のフォト信号配線を形成する必要がないため、工程の効率性及び配線基板２０の空間活用性を高めることができる。
【0285】
【0286】
図１７に示したように、行方向であるＸ軸に沿って、リードアウトＩＣの番地が決定され、列方向であるＹ軸に沿って、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）が順次駆動するか、オン／オフ（Ｏｎ／Ｏｆｆ）駆動することができる。
【0287】
例えば、Ｙ軸の位置座標を区分するために、フォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）をロー電圧で固定した状態で、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を第１段からＮ段まで順次駆動することができる。
【0288】
この場合、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）がハイで順次駆動されている、特定のタイミングにのみフォトトランジスタ（ＰＨＴ）を作動することができ、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）がハイである他の領域では、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）がフル（Ｆｕｌｌ）ハイ電圧を発生させることができる。
【0289】
このように、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が作動する時点である、特定のタイミングにセンシング値が出力されると、光源の入射と判断され、センシングされる特定のタイミングによってＹ軸の位置座標値を確認することができる。
【0290】
この場合、光源がなければ、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）が作動する時点である、特定タイミングにもフルハイセンシング値のみあるようになる。
【0291】
このように、本明細書の一実施形態によれば、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）からフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）を出力する１つのフォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）配線と、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を伝達する、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が印加された１つのフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）配線とを共有し、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）を伝達する複数のフォト制御信号（Ｖｓｔｏ）配線には、一方向に沿って、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が順次印加されて、センシングされるフォトトランジスタ（ＰＨＴ）の位置座標を確認することができる。
【0292】
フォトトランジスタ（ＰＨＴ）にフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）を伝達するフォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）配線は、高電位電圧（Ｅｖｄｄ）リンク配線と一体型に形成することができる。
【0293】
このように、一部のフォト信号配線とリンク配線（ＬＬ）が互いに一体に形成されて、同じ配線を共有することによって、リンク配線（ＬＬ）と別途のフォト信号配線を形成する必要がないため、工程の効率性及び配線基板２０の空間活用性を高めることができる。
【0294】
【0295】
Ｘ軸のＶｇｓ値は、フォト制御信号（Ｖｓｔｏ）の電圧と、フォトセンシング信号（Ｖｓｅｎ）の電圧との間の差を意味し、Ｙ軸値は、リーク電流（Ｉｄ）を意味する。
【0296】
図１９を参照すると、フォト駆動信号（Ｖｄｒｖ）が２０Ｖであることを基準に、リーク電流（Ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）を確認した結果、暗（Ｄａｒｋ）状態である場合に比べて、照度が１００Ｌｕｘである場合と、赤色フィルタ（Ｒｅｄ ＣＦ）を使用した場合、リーク電流値が小幅増加するものの、赤光レーザ（Ｒｅｄ Ｌａｓｅｒ）を使用するか、赤光レーザと赤色フィルタを共に使用した場合、リーク電流値が約１,０００倍以上に大幅増加することを確認した。
【0297】
また、図２０を参照すると、暗状態である場合に比べて、照度強さが２００Ｌｕｘ、５００Ｌｕｘ、１０００Ｌｕｘのように増加すればするほど、リーク電流値が大幅増加することを確認した。
【0298】
これによって、フォトトランジスタ（ＰＨＴ）は、照度によって有意な差値を有し、Ｖｇｓ値の調節によって電流値の増減が可能であることを確認することができる。
【0299】
以上のように説明した本明細書の実施形態による表示装置は、下記のように説明することができる。
【0300】
本明細書の実施形態による表示装置は、複数の発光素子を含む複数のパネルユニットと、前記パネルユニットに配線信号を伝達する複数のリンク配線と、前記発光素子から出射する光をセンシングする複数のフォトトランジスタを含む配線基板と、を含み、前記複数のパネルユニットは、前記配線基板上にタイル結合される。
【0301】
本明細書の一実施形態によれば、前記フォトトランジスタは、前記発光素子よりも上部に位置するものの、前記フォトトランジスタと前記発光素子との間には、少なくとも１つのオーバコート層または少なくとも１つのスペーサが配置されてもよい。
【0302】
本明細書の一実施形態によれば、前記オーバコート層と前記スペーサは、有機物からなってもよい。
【0303】
本明細書の一実施形態によれば、前記フォトトランジスタと前記発光素子は、上下方向に互いに重畳しないように配置されてもよい。
【0304】
本明細書の一実施形態によれば、前記パネルユニットは、前記発光素子に駆動信号を印加する薄膜トランジスタ、前記発光素子と前記薄膜トランジスタ上に配置されたオーバコート層、前記オーバコート層上に配置されたスペーサ、前記薄膜トランジスタと電気的に連結されて、前記スペーサを覆うように配置された配線連結電極、及び前記配線連結電極上に前記スペーサと上下方向に重畳するように配置されて、前記リンク配線と接続する導電性接続部材をさらに含んでいてもよい。
【0305】
本明細書の一実施形態によれば、前記パネルユニットは、前記発光素子に駆動信号を印加する薄膜トランジスタ、前記発光素子と前記薄膜トランジスタ上に配置されたオーバコート層、前記薄膜トランジスタと電気的に連結されて、前記オーバコート層上に配置された配線連結電極、及び前記配線連結電極上に配置されて、前記リンク配線と接続する導電性接続部材をさらに含み、前記オーバコート層は、基準層と前記基準層よりも高い高さを有する段差形成層を含み、前記導電性接続部材は、前記段差形成層上に配置されてもよい。
【0306】
本明細書の一実施形態によれば、前記発光素子は、前記基準層に対応するように位置してもよい。
【0307】
本明細書の一実施形態によれば、前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線、及び前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線は、前記リンク配線と互いに異なる層に配置されてもよい。
【0308】
本明細書の一実施形態によれば、前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線、及び前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線は、複数の前記リンク配線のうち少なくとも１つと互いに同じ層に配置されてもよい。
【0309】
本明細書の一実施形態によれば、前記パネルユニットは、前記フォトトランジスタのセンシング信号を検出するセンシング回路部をさらに含み、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線は、前記センシング回路部と電気的に連結することができる。
【0310】
本明細書の一実施形態によれば、一方向に配列された複数の前記フォトトランジスタは、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力する１つのフォトセンシング信号配線を共有し、前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達する複数のフォト制御信号配線には、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が印加され、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達する複数のフォト駆動信号配線には、前記一方向に沿って、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が順次印加され、センシングされる前記フォトトランジスタの位置座標を確認することができる。
【0311】
本明細書の一実施形態によれば、一方向に配列された複数の前記フォトトランジスタは、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力する１つのフォトセンシング信号配線と、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達する、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベルの電圧が印加された１つのフォト駆動信号配線とを共有し、フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達する複数のフォト制御信号配線には、前記一方向に沿って、ロー（Ｌｏｗ）レベルの電圧が順次印加されて、センシングされる前記フォトトランジスタの位置座標を確認することができる。
【0312】
本明細書の一実施形態によれば、前記複数のリンク配線は、前記パネルユニットに高電位電圧を伝達する高電位電圧リンク配線、前記パネルユニットに低電位電圧を伝達する低電位電圧リンク配線、及び前記パネルユニットに基準電圧を印加する基準電圧リンク配線を含み、前記フォトトランジスタにフォト制御信号を伝達するフォト制御信号配線は、前記低電位電圧リンク配線と一体型に形成され、前記フォトトランジスタからフォトセンシング信号を出力するフォトセンシング信号配線は、前記基準電圧リンク配線と一体型に形成されてもよい。
【0313】
本明細書の一実施形態によれば、前記複数のリンク配線は、前記パネルユニットに高電位電圧を伝達する高電位電圧リンク配線、前記パネルユニットに低電位電圧を伝達する低電位電圧リンク配線、及び前記パネルユニットに基準電圧を印加する基準電圧リンク配線を含み、前記フォトトランジスタにフォト駆動信号を伝達するフォト駆動信号配線は、前記高電位電圧リンク配線と一体型に形成することができる。
【0314】
以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施形態をより詳説したが、本明細書は、必ずしもこれらの実施形態に限るものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内における様々な変形実施が可能である。よって、本明細書に開示の実施形態は、本明細書の技術思想を限定するためではなく、説明するためのものであり、これらの実施形態によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものでもない。よって、上述した実施形態は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解すべきである。
【符号の説明】
【0315】
１ 表示装置
１０ パネルユニット
２０ 配線基板
ＬＬ リンク配線
ＬＬ１ 第１リンク配線
ＬＬ２ 第２リンク配線
ＬＢＬ リンク分岐配線
３０ 回路フィルム
３２ データドライバ
３４ 印刷回路基板
１００ 第１基板
ＢＵＦ バッファ層
ＬＳ 光遮断層
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＡＣＴ アクティブ層
ＳＥ ソース電極
ＳＤ１ 第１ソースドレイン電極
ＳＤ２ 第２ソースドレイン電極
ＧＥ ゲート電極
ＧＩ ゲート絶縁層
ＩＬＤ 層間絶縁層
Ｃｓｔ１ 第１ストレージキャパシタ
Ｃｓｔ２ 第２ストレージキャパシタ
ＳＴ１ 第１キャパシタ電極
ＳＴ２ 第２キャパシタ電極
ＳＴ３ 第３キャパシタ電極
ＰＡＳ１ 第１パッシベーション層
ＯＣ１ 第１オーバコート層
ＰＡＳ２ 第２パッシベーション層
ＮＥ１ 第１ソースドレイン連結電極
ＮＥ２ 第２ソースドレイン連結電極
ＰＡＳ３ 第３パッシベーション層
ＯＣ２ 第２オーバコート層
ＯＣ２１ 基準層
ＯＣ２２ 段差形成層
ＣＡ 回路部
ＥＡ 発光部
ＬＡ 配線部
ＴＡ 透過部
ＳＬ 信号配線
ＬＣＥ１，ＰＸＬ 第１配線連結電極
ＬＣＥ２，ＰＸＬ 第２配線連結電極
ＬＣＥ３ 第３配線連結電極
ＥＤ 発光素子
ＥＤ１ 第１発光素子
ＥＤ１１ 第１色相の第１発光素子
ＥＤ１２ 第２色相の第１発光素子
ＥＤ１３ 第３色相の第１発光素子
ＥＤ２ 第２発光素子
ＥＤ２１ 第１色相の第２発光素子
ＥＤ２２ 第２色相の第２発光素子
ＥＤ２３ 第３色相の第２発光素子
ＣＤＥ クラッド電極層
ＡＤ 接着層
Ｅ１ 第１電極
Ｅ２ 第２電極
ＮＳＳ 半導体構造物
ＣＥ１ 第１配線電極
ＣＥ２ 第２配線電極
ＰＴ 保護層パターン
ＡＥ１ 第１組立電極
ＡＥ２ 第２組立電極
ＰＡＳ パッシベーション層
ＯＣ オーバコート層
ＰＨＴ フォトトランジスタ
ＰＧＥ フォトゲート電極
ＰＡＣＴ フォトアクティブ層
ＰＳＤ フォトソースドレイン電極
ＰＥ１ 第１フォト電極
ＰＥ２ 第２フォト電極
ＳＰＣ スペーサ
ＳＰＣ１ 第１スペーサ
ＳＰＣ２ 第２スペーサ
３００ 接続部材
３１０ 第１接続部材
３２０ 第２接続部材
ＲＯＬ リードアウト配線
ＣＮＴ コンタクト部
ＳＣＴ スキャン薄膜トランジスタ
ＳＥＴ センシング薄膜トランジスタ
ＯＣＲ 光学樹脂層
１０ パネルユニット
２０ 配線基板
ＬＬ リンク配線
ＬＬ１ 第１リンク配線
ＬＬ２ 第２リンク配線
ＬＢＬ リンク分岐配線
３０ 回路フィルム
３２ データドライバ
３４ 印刷回路基板
１００ 第１基板
ＢＵＦ バッファ層
ＬＳ 光遮断層
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＡＣＴ アクティブ層
ＳＥ ソース電極
ＳＤ１ 第１ソースドレイン電極
ＳＤ２ 第２ソースドレイン電極
ＧＥ ゲート電極
ＧＩ ゲート絶縁層
ＩＬＤ 層間絶縁層
Ｃｓｔ１ 第１ストレージキャパシタ
Ｃｓｔ２ 第２ストレージキャパシタ
ＳＴ１ 第１キャパシタ電極
ＳＴ２ 第２キャパシタ電極
ＳＴ３ 第３キャパシタ電極
ＰＡＳ１ 第１パッシベーション層
ＯＣ１ 第１オーバコート層
ＰＡＳ２ 第２パッシベーション層
ＮＥ１ 第１ソースドレイン連結電極
ＮＥ２ 第２ソースドレイン連結電極
ＰＡＳ３ 第３パッシベーション層
ＯＣ２ 第２オーバコート層
ＯＣ２１ 基準層
ＯＣ２２ 段差形成層
ＣＡ 回路部
ＥＡ 発光部
ＬＡ 配線部
ＴＡ 透過部
ＳＬ 信号配線
ＬＣＥ１，ＰＸＬ 第１配線連結電極
ＬＣＥ２，ＰＸＬ 第２配線連結電極
ＬＣＥ３ 第３配線連結電極
ＥＤ 発光素子
ＥＤ１ 第１発光素子
ＥＤ１１ 第１色相の第１発光素子
ＥＤ１２ 第２色相の第１発光素子
ＥＤ１３ 第３色相の第１発光素子
ＥＤ２ 第２発光素子
ＥＤ２１ 第１色相の第２発光素子
ＥＤ２２ 第２色相の第２発光素子
ＥＤ２３ 第３色相の第２発光素子
ＣＤＥ クラッド電極層
ＡＤ 接着層
Ｅ１ 第１電極
Ｅ２ 第２電極
ＮＳＳ 半導体構造物
ＣＥ１ 第１配線電極
ＣＥ２ 第２配線電極
ＰＴ 保護層パターン
ＡＥ１ 第１組立電極
ＡＥ２ 第２組立電極
ＰＡＳ パッシベーション層
ＯＣ オーバコート層
ＰＨＴ フォトトランジスタ
ＰＧＥ フォトゲート電極
ＰＡＣＴ フォトアクティブ層
ＰＳＤ フォトソースドレイン電極
ＰＥ１ 第１フォト電極
ＰＥ２ 第２フォト電極
ＳＰＣ スペーサ
ＳＰＣ１ 第１スペーサ
ＳＰＣ２ 第２スペーサ
３００ 接続部材
３１０ 第１接続部材
３２０ 第２接続部材
ＲＯＬ リードアウト配線
ＣＮＴ コンタクト部
ＳＣＴ スキャン薄膜トランジスタ
ＳＥＴ センシング薄膜トランジスタ
ＯＣＲ 光学樹脂層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
