特開 2024-109186 液晶デバイス、位相変調装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024109186

(43)【公開日】2024-08-14

(54)【発明の名称】液晶デバイス、位相変調装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/13 20060101AFI20240806BHJP

   G01N 21/3586 20140101ALI20240806BHJP

【ＦＩ】

G02F1/13 505

G02F1/13 500

G01N21/3586

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023013839

(22)【出願日】2023-02-01

(71)【出願人】

【識別番号】306024148

【氏名又は名称】公立大学法人秋田県立大学

(74)【代理人】

【識別番号】100097113

【弁理士】

【氏名又は名称】堀 城之

(74)【代理人】

【識別番号】100162363

【弁理士】

【氏名又は名称】前島 幸彦

(74)【代理人】

【識別番号】100194283

【弁理士】

【氏名又は名称】村上 大勇

(72)【発明者】

【氏名】伊東 良太

(72)【発明者】

【氏名】能勢 敏明

(72)【発明者】

【氏名】本間 道則

【テーマコード（参考）】

2G059

2H088

【Ｆターム（参考）】

2G059AA05

2G059BB08

2G059BB16

2G059EE01

2G059HH05

2G059JJ18

2H088EA47

2H088GA02

2H088HA18

2H088HA28

2H088JA30

2H088MA10

(57)【要約】

【課題】液晶を用いてテラヘルツ波の制御を高速で行う。
【解決手段】基板１０の表面には、基板１０よりも薄い透明電極（電極）１１、配向膜１２が順次形成される。このような積層構造が形成された２枚の基板１０が絶縁性のスペーサ１３を挟んで対向して一定の間隔で設けられ、その間に液晶分子１５Ａが溶媒中に分散された液晶層１５が設けられる。本発明の実施の形態に係る液晶デバイスにおいては、液晶層１５に対する電界Ｅのオン・オフを制御することに加えて、磁界Ｈの印加のオン・オフもこれに同期させて交互に行う。この場合の磁界Ｈの方向は電界Ｅと垂直な方向とされる。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

液晶分子の配向が制御される液晶デバイスであって、
２つの電極の間に前記液晶分子を含む液晶層が挟まれて形成された積層構造の液晶セルと、
２つの前記電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記液晶層に対して前記液晶層の面内方向に沿って磁場を印加する磁場印加手段と、
を具備し、
テラヘルツ波を前記電極の法線方向に沿って前記液晶セルを透過させた後の前記テラヘルツ波の偏光状態が、前記電圧及び前記磁場によって制御されることを特徴とする液晶デバイス。

【請求項2】

前記電圧のオン・オフ及び前記磁場のオン・オフが交互に繰り返し制御されることを特徴とする請求項１に記載の液晶デバイス。

【請求項3】

前記液晶分子は、水素結合を有し、分子末端基にアルキル鎖のみを有するネマティック液晶であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶デバイス。

【請求項4】

請求項１または２に記載の液晶デバイスを用い、前記電圧及び前記磁場を制御することによって前記テラヘルツ波の偏光方向毎の位相差を変調することを特徴とする位相変調装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶の配向が制御されることによって光学的な制御を行う液晶デバイスに関する。また、この液晶デバイスを用いてテラヘルツ波の位相を変調する位相変調装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶分子には誘電率（屈折率）の異方性があり、更に、液晶分子の配向は印加された電界等によって制御が可能である。このため、光の位相や偏光方向の制御を、液晶材料を透過させることによって行うことが可能である。これにより、光学信号を変調する技術が知られ、ディスプレイ等においては可視光を変調するために用いられている。

【0003】

一方、可視光とは波長（周波数）が大きく異なる周波数が１０^１２Ｈｚ程度のテラヘルツ波は、透過性が可視光とは全く異なり、例えばプラスチック材料や半導体材料の透過性が非常に高い。このため、テラヘルツ波を用いて、様々な工業製品の非破壊検査を行うことができる。この場合においても、例えばテラヘルツ波の位相等を同様に制御する技術が必要となる。

【0004】

このため、液晶の配向を制御することによってテラヘルツ波の制御を行う技術が、例えば特許文献１、２に記載されている。これらの技術においては、電極間に設けられた液晶の配向が電極間の電圧（電界）によって制御され、これによってこれを透過したテラヘルツ波の位相が制御される。この場合には電極としてテラヘルツ波に対して透明なものが用いられ、テラヘルツ波は一方の電極側から入射し、他方の電極側から出射し、このテラヘルツ波の位相が電圧によって制御される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特表２００９－５３４９７４号公報

【特許文献2】特開２０２１－１９６２６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

テラヘルツ波の光学特性を制御するためには、可視光と比べてより厚い液晶層が必要となる。一般的には、この制御の際の応答時間は厚さの２乗に比例するため、これに伴って応答時間が長くなり、高速の動作ができず、これを用いた計測の時間が長くなるという問題があった。このため、液晶を用いてテラヘルツ波の制御を高速で行うことができる液晶デバイスが望まれた。

【0007】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の液晶デバイスは、液晶分子の配向が制御される液晶デバイスであって、２つの電極の間に前記液晶分子を含む液晶層が挟まれて形成された積層構造の液晶セルと、２つの前記電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記液晶層に対して前記液晶層の面内方向に沿って磁場を印加する磁場印加手段と、を具備し、テラヘルツ波を前記電極の法線方向に沿って前記液晶セルを透過させた後の前記テラヘルツ波の偏光状態が、前記電圧及び前記磁場によって制御されることを特徴とする。
本発明の液晶デバイスは、前記電圧のオン・オフ及び前記磁場のオン・オフが交互に繰り返し制御されることを特徴とする。
本発明の液晶デバイスにおいて、前記液晶分子は、水素結合を有し、分子末端基にアルキル鎖のみを有するネマティック液晶であることを特徴とする。
本発明の位相変調装置は、前記液晶デバイスを用い、前記電圧及び前記磁場を制御することによって前記テラヘルツ波の偏光方向毎の位相差を変調することを特徴とする。

【発明の効果】

【0009】

本発明は以上のように構成されているので、液晶を用いてテラヘルツ波の制御を高速で行うことができる液晶デバイスを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】従来の液晶デバイスの構造を示す断面図である。

【図2】実施の形態に係る液晶デバイスにおいて用いられる液晶の分子構造を示す図である。

【図3】液晶デバイスの動作原理を模式的に説明する図である。

【図4】発明の実施の形態に係る液晶デバイスの構造を示す断面図である。

【図5】液晶デバイスの動作を測定するために用いられた測定系の構成を示す図である。

【図6】磁場を全く印加しない場合における、液晶デバイスを含む系の透過率の電圧依存性を測定した結果である。

【図7】磁場を全く印加しない場合において、電圧をオフにした直後からの液晶デバイスを含む系の透過率の時間経過を測定した結果である。

【図8】電界のオン・オフと磁場のオン・オフを交互に行った際の、液晶デバイスを含む系の透過率の時間経過を測定した結果である。

【図9】液晶デバイスを用いて試料の複屈折の測定を行う際の測定系の構成を示す図である。

【図10】電界のオン・オフと磁場のオン・オフを交互に行った際の、液晶デバイスと試料を含む系の透過率の時間経過を測定した結果である。

【図11】液晶分子の配向角度と透過率の関係を、試料がない場合（ａ）、ある場合（ｂ）について計算した結果である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

本発明の実施の形態に係る液晶デバイスについて説明する。ここでは、まず、従来の液晶デバイスの構造について説明する。図１は、この液晶デバイス９の構造を示す断面図であり、これは特許文献２に記載された液晶デバイスと同様である。この液晶デバイス９においては、２枚の透明な基板１０が設けられる。基板１０の表面には、基板１０よりも薄い透明電極（電極）１１、配向膜１２が順次形成される。ここで、透明とは、制御の対象となるテラヘルツ波の透過率が充分に高いことを意味する。基板１０の材料としては、例えば水晶が用いられ、透明電極１１としては、例えば有機導電性薄膜となるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（４－スチレンスルホン酸）をドープしたポリ（３、４－エチレンジオキシチオフェン））が用いられる。

【0012】

このような積層構造が形成された２枚の基板１０が絶縁性のスペーサ１３を挟んで対向して一定の間隔で設けられ、その間に液晶分子１５Ａが溶媒中に分散された液晶層１５が設けられる。周知のように、ラビング処理によって、液晶分子１５Ａの配向は制御され、図１においては液晶分子１５Ａの長軸方向が図中水平方向（透明電極１１の面内方向）に制御される。配向膜１２は、例えば塗布によって透明電極１１上に形成され、配向膜１２の材料は、この配向性を高めるために適宜設定される。

【0013】

また、２つの透明電極１１には、電圧印加手段２２が接続され、これらの間の電界が制御される。

【0014】

図２は、ここで用いられる液晶分子１５Ａの分子構造を示す図である。この液晶分子１５Ａも、特許文献２に記載されたものと同様であり、水素結合を有すると共に、分子末端基にアルキル鎖のみを有するネマティック結晶である。この液晶分子１５Ａにおいてはテラヘルツ波の誘電率（屈折率）の異方性は大きい一方で、テラヘルツ波の吸収の異方性は小さい。位相を制御する場合には、制御に伴って位相のみが変化し、この際の吸収の変化は小さいことが好ましいため、液晶分子１５Ａの配向によって特にテラヘルツ波の位相を制御する場合には、この材料は特に有効である。液晶層１５の厚さは透明電極１１間の間隔となり、例えば８００μｍとされる。この厚さは、同様に可視光を変調する液晶デバイスと比べて大きい。

【0015】

図３は、この液晶デバイス９の動作を図１の構造において模式的に示す図である。ここで、配向膜１２、スペーサ１３等の記載は省略されている。図３において、位相が制御されるテラヘルツ波Ｗは図中上下方向でこの液晶デバイス９を透過する。この際、前記のようにテラヘルツ波Ｗの透過率が充分高くテラヘルツ波に対する光学異方性が小さな材料で基板１０等を構成すれば、テラヘルツ波Ｗの透過後の偏光状態あるいは位相は液晶分子１５Ａの配向で調整される。液晶分子１５Ａの配向の状態は、透明電極１１間の電界（電圧）によって制御される。

【0016】

図３（ａ）においては、電界がない場合の状態が示され、図３（ｂ）においては、電界Ｅ（≠０）が印加された場合の構成が模式的に示されている。電界が印加されない図３（ａ）の場合には液晶分子１５Ａの配向状態はラビング処理直後の状態（図１）と同様（長軸方向が図中水平方向）であるのに対し、電界Ｅが印加された図３（ｂ）の場合には液晶分子１５Ａの配向状態はこれと垂直（長軸方向が図中上下方向）となる。これにより、透過後のテラヘルツ波Ｗの位相は図３（ａ）の状態と図３（ｂ）の状態では異なる。すなわち、電界のオン・オフによって液晶分子１５Ａの配向を制御し、テラヘルツ波Ｗの偏光状態あるいは位相が制御される。

【0017】

上記の内容は、特許文献２に記載の技術と同様である。これに対して、本発明の実施の形態に係る液晶デバイスにおいては、液晶層１５に対する電界Ｅのオン・オフを制御することに加えて、磁界Ｈの印加のオン・オフもこれに同期させて交互に行う。この場合の磁界Ｈの方向は電界Ｅと垂直な（交差する）方向とされる。図４は、この液晶デバイス１の構成を図１に対応させて示す図である。ここで用いられる液晶セル２０は図１の液晶デバイス９と同一であり、基板１０、透明電極１１、配向膜１２、スペーサ１３、液晶層１５（液晶分子１５Ａ）についても同様である。この液晶セル２０における電圧Ｅの印加方向（図中上下方向）と垂直な、液晶層１５の面内方向（図中左右方向）の磁場Ｈが、ともにコイルで構成された磁場印加手段（Ｎ極）２１Ａ、磁場印加手段（Ｓ極）２１Ｂによって印加可能とされる。

【0018】

この液晶デバイス１の動作について説明する。ここでは、図５は、この場合において用いられた測定系を模式的に示す図である。ここで、テラヘルツ波Ｗの光源としては、ＣＯ_２レーザー発振器である励起光光源３１と、これによって発せられたＣＯ_２レーザー光Ｃを励起光としてレーザー光となるテラヘルツ波Ｗを連続的に発振するガスレーザー発振器３２が組み合わされた光源３０が用いられる。ここで発振されるテラヘルツ波Ｗの周波数は例えば２．５ＴＨｚである。このテラヘルツ波Ｗはワイヤーグリッド偏光子である偏光子４１を透過することによって特定の方向の偏光成分のみが取り出された直線偏光とされて、前記の液晶デバイス１に入射する。

【0019】

前記のように、透明電極１１間の電圧（電界Ｅ）を印加（制御）する電圧印加手段２２が設けられる。また、磁場印加手段（Ｎ極）２１Ａ、磁場印加手段（Ｓ極）２１Ｂには、コイルの電流によって磁場Ｈを制御する磁場制御部（図示せず）が接続される。

【0020】

液晶デバイス１を透過したテラヘルツ波Ｗは、偏光子４１と垂直な方向の偏光成分のみを透過させる偏光子４２を透過した後に、焦電型の検出器でありテラヘルツ波Ｗの強度を検出する検出器４３で検出される。この場合、テラヘルツ波Ｗには、液晶デバイス１によって偏光方向に応じた位相差が付与され、この位相差が前記の配向状態によって変化し、この位相差に応じて検出器４３の検出強度が変化する。このため、この検出強度は、液晶デバイス１における液晶分子１５Ａの配向状態によって変化する。この点についても、特許文献２に記載の技術と同様である。

【0021】

まず、液晶デバイス１における磁場Ｈを常時オフとした場合における動作について説明する。この動作は特許文献２に記載の液晶デバイスの動作に対応する。図６は、透明電極１１間の電圧を０～１００Ｖの範囲で走査した場合における、テラヘルツ波Ｗの透過率Ｔの電圧依存性を示す。ここで、透過率Ｔは、図５の構成において、液晶デバイス１がない場合の検出強度に対する、液晶デバイス１がある場合の検出強度の比であり、液晶デバイス１による偏光状態の変化に応じて透過率Ｔは変化する。この場合において、例えば図３（ａ）の状態における透過率Ｔの値は偏光子４１、４２の設定に依存し、配向の変化による透過率Ｔの変化が検出できるように、この設定は適宜行われる。

【0022】

ここで、液晶分子１５Ａの配向状態は、始状態においては図３（ａ）の状態（長軸が水平方向）であり、終状態においては図３（ｂ）の状態（長軸が垂直方向）となるため、図６の上側においては、対応する配向状態が図３に対応して模式的に示されている。また、透過率Ｔは始状態、終状態においてはそれぞれ一定値になるため、図６に示されるように、初期状態（０Ｖ）から３０Ｖ程度までは図３（ａ）の状態であり、８０Ｖ以降は図３（ｂ）の状態であると考えられる。この場合、３０Ｖ～８０Ｖまでの間に要した時間は２ｍｉｎ程度であった。また、図３（ａ）の状態と図３（ｂ）の間の中間的な状態（３０Ｖ～８０Ｖの範囲）は図６中に示されるように、液晶分子１５Ａの配向が図３（ａ）と図３（ｂ）の中間的な状態となる。この間においては、透過率Ｔは大きく変動し、特に一時的に大きくなってから減少する。この点についても特許文献２に記載されたとおりである。図６において、「５π／２」、「２π」、「３π／２」、「π」、「π／２」、「０」は、それぞれが、グラフ中の矢印で示された箇所において液晶層１５によってテラヘルツ波に対して付与される位相差を示す。すなわち、０～８０Ｖの電圧範囲内で０～５π／２の位相差をテラヘルツ波に対して付与することができる。

【0023】

一方、図７は、電圧を、図６の場合よりも大きく、２００Ｖ印加してからこれを瞬時にオフした直後からの検出強度の時間経過を示す。この場合においては、始状態は図３（ｂ）の状態（長軸方向が垂直方向）であり、終状態は図３（ａ）の状態（長軸方向が水平方向）となる。この場合においては、始状態から終状態になるまでの期間は２５ｍｉｎ程度となる。この測定においてはオンの時点で検出強度が零となるように設定されており、図７において、横軸の原点（経過時間０）はオフとなった時点と一致していないが、その後における検出強度の時間経過は、図６の場合と同様に液晶分子１５Ａの配向の時間経過を反映する。ここで示されるように、配向が垂直方向から水平方向(初期状態）に戻る際には、初めのうちは配向は速い速度で変動し、その後では緩やかに変動することによって、最終的に初期状態に戻る。

【0024】

なお、図６、７において上側に示された液晶分子１５Ａの配向（長軸が水平方向、垂直方向）について、ここではこの配向が図６の始状態、図７の終状態においては水平方向、図６の終状態、図７の始状態においては垂直方向となるように記載されている。しかしながら、実際にはこの配向は厳密に水平方向、垂直方向になるとは限らず、そのばらつきに応じて各配向状態に対応した透過率（検出強度）はばらつく。ただし、これらの各状態の間で配向が時間的に変化する間の変化の状況（透過率が増減する状況）は同様である。

【0025】

すなわち、従来の液晶デバイスにおいては、電圧によって液晶分子１５Ａの配向状態を制御することができるものの、その変化に要する時間は、図６の場合で２ｍｉｎ、図７の場合で２５ｍｉｎと長い。

【0026】

これに対して、上記の液晶デバイス１において、電界Ｅと磁場Ｈを併用し、電界Ｅのオフ時に磁場Ｈを印加することによって、この液晶分子１５Ａの配向状態の変化に要する時間を大幅に短縮することができる。図８は、図７と比べてより短時間で電界Ｅのオン・オフ（２００Ｖの電圧のオン・オフ）と磁場Ｈ（５００ｍＴ）のオン・オフを交互に繰り返した場合における透過率Ｔの測定結果を示す。ここで、電界Ｅのオン・オフ、磁場Ｂのオン・オフのタイミング、及び各時点における液晶分子１５Ａの配向の状態が、図中に示されている。また、図６と同様に、液晶層１５によってテラヘルツ波に対して付与される位相差が示されている。図６の場合とは異なり、ここではこの位相差は０～２πの間で変動している。また、特にオフ時における配向は、水平方向からやや外れていると推定される。

【0027】

この場合において、配向の変化に要した時間は、電界Ｅをオフからオンにした場合には３．１ｓｅｃ、磁場Ｈをオフからオンにした場合には９．１ｓｅｃであった。すなわち、電界Ｅのオン・オフだけでなく、このように電界Ｅと垂直な磁場Ｈのオン・オフも併用した場合には、液晶分子１５Ａの配向の変化に要する時間が短くなる。このため、この液晶デバイス１を用いてテラヘルツ波Ｗの位相の制御を高速で行うことができる。これは、このように大電圧、高強度の磁場の短時間での印加を用いることにより、図７においてオフ直後に急激に配向が変化する部分が特に速くなったためと考えられる。この際、配向の変化の応答速度以外の点については、この液晶デバイス１の機能は、特許文献２に記載されたものと同様である。このため、この液晶デバイス１を用いて特許文献２に記載された測定と同様の測定を、より短時間で測定することができる。

【0028】

例えば、この液晶デバイス１を用いて、特許文献２に記載されたものと同様に、テラヘルツ波Ｗの位相を制御し、試料の屈折率を測定することができる。特許文献２に記載されるように、この際、液晶分子１５Ａとしてテラヘルツ波の吸収異方性が小さい図２の材料を用いることは有効である。

【0029】

図９は、テラヘルツ波Ｗの位相を変調することによって試料１００の屈折率を測定する場合の装置構成を示す図である。この構成は、図５の構成において液晶デバイス１の直後に試料１００を挿入した場合に相当し、テラヘルツ波Ｗに対して、液晶デバイス１と試料１００によって位相差が付与され、前者による位相差が可変とされる。すなわち、上記の液晶デバイス１は、ここでは位相変調装置として機能する。この構成は、液晶デバイス１が用いられたこと以外については、特許文献２に記載の位相検査装置と同様である。

【0030】

ここで、図２の材料の複屈折（長軸方向と短軸方向における屈折率の差）Δｎは０．１７であり、液晶層１５の厚さｄを８００μｍとした場合には、これに対応するリタデーション（光路差長）は１３６μｍとなる。テラヘルツ波Ｗの周波数が２．５ＴＨｚである場合には、このリタデーションに対応する位相差は４１５°となり、上記の測定において要求される位相差である３６０°よりも大きい。

【0031】

このため、この条件で、例えばテラヘルツ波Ｗに付与する位相差を、特許文献２に記載されたように、４種類（π／２、π、３π／２、２π°）変化させ、これによって試料１００において生じた位相差を算出し、複屈折Δｎの値を算出することができる。

【0032】

ここで、図３の液晶デバイスにおける液晶分子１５Ａの長軸方向の水平方向（図９においては上下方向）に対する角度をθ_ＬＣとしたとき、電圧印加がない場合にはθ_ＬＣは０°、電圧が印加されて充分に配向が変化した場合にはθ_ＬＣは９０°となる。偏光子４１を透過する偏光角度θ_１を４５°、偏光子４２を透過する偏光角度θ_２はこれに直交した－４５°とし、試料１００としてＸカット水晶基板が用いられ、その光学軸は、θ_１、θ_２と同様の基準で９０°とされた。特許文献２と同様の手法により、この条件で測定されたこの試料の複屈折Δｎの値は、０．０５であった。

【0033】

図１０は、実際にこの測定を行った際の透過率Ｔの時間経過を、図８に対応させて示す。図８は図９において試料１００がない場合、図１０は試料１００がある場合の結果となる。図１０の場合においても、配向状態の変化に要する時間が短くなっていることが確認できる。すなわち、配向の変化に要した時間は、電界Ｅをオフからオンにした場合には３．４ｓｅｃ、磁場Ｈをオフからオンにした場合には１１．８ｓｅｃであった。これらの値は、前記の磁場を用いない場合と比べて１／１０以下となっている。すなわち、上記の測定を高速で行うことができる。

【0034】

また、図１１は、図９における透過率Ｔの液晶分子１５Ａの配向角度θ_ＬＣ依存性をジョーンズマトリクス法によって計算した結果であり、図１１（ａ）は試料１００がない場合（図８に対応）、図１１（ｂ）は試料１００がある場合（図１０に対応）の結果である。この変化の形状は、図８、図１０において液晶分子１５Ａの配向が水平方向から垂直方向に変化するまでの形状と概ね一致する。このため、上記に記載された液晶分子１５Ａの配向の変化、あるいは上記の測定結果は妥当であると推定される。なお、図１０において、電界Ｅのオンからオフ時だけでなく、磁場Ｈのオンからオフ時においても定性的に同様の結果となっているため、磁場Ｈのオン・オフによってもこの配向が制御される。

【0035】

以上のように、電界Ｅと磁場Ｈのオン・オフを併用することによって、液晶分子の配向の制御を、電界Ｅだけを用いた場合と比べて、高速で行うことができる。上記の例では、液晶によってヘラヘルツ波の偏光状態あるいは位相差を制御したが、テラヘルツ波における液晶分子の配向によって制御することの可能な特性であれば、同様の制御が可能であり、上記の構成によって、この制御を高速で行うことができる。

【0036】

また、上記の例では図２に示された液晶分子が用いられたが、同様の特性をもつ他の液晶分子を用いた場合においても、上記の構成が有効であることは明らかである。基板や透明電極（電極）の材料についても、要求される特性等に応じて、適宜設定が可能である。

【符号の説明】

【0037】

１、９ 液晶デバイス
１０ 基板
１１ 透明電極（電極）
１２ 配向膜
１３ スペーサ
１５ 液晶層
１５Ａ 液晶分子
２０ 液晶セル
２１Ａ、２１Ｂ 磁場印加手段
２２ 電圧印加手段
３０ 光源
３１ 励起光光源
３２ ガスレーザー発振器
４１、４２ 偏光子
４３ 検出器
１００ 試料
Ｃ ＣＯ_２レーザー光
Ｅ 電界
Ｈ 磁場
Ｗ テラヘルツ波

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】