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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024109296
(43)【公開日】2024-08-14
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
   H01P 1/203 20060101AFI20240806BHJP
【FI】
H01P1/203
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023014008
(22)【出願日】2023-02-01
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】TDK株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】戸田 慎一郎
【テーマコード(参考)】
5J006
【Fターム(参考)】
5J006HB01
5J006HB03
5J006HB15
5J006JA01
5J006JA02
5J006JA03
5J006JA04
5J006JA05
5J006JA22
5J006LA03
5J006LA21
(57)【要約】      (修正有)
【課題】周波数特性の向上を図る電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、素体と、素体に配置されている入出力端子及びグラウンド端子と、素体内に配置されており、第一共振器を構成する第一インダクタパターン20A及び第二共振器を構成する第二インダクタパターン21Aと、第一端部及び第二端部を有すると共に第一端部及び第二端部の少なくとも一方がグラウンド端子に接続されているグラウンドパターン31Dと、を備え、グラウンドパターン31Dは、素体の平面視において、第一インダクタパターン20Aと第二インダクタパターン21Aとの間に配置されている。
【選択図】図3
【特許請求の範囲】
【請求項1】
素体と、
前記素体に配置されている入出力端子及びグラウンド端子と、
前記素体内に配置されており、第一共振器を構成する第一インダクタパターン及び第二共振器を構成する第二インダクタパターンと、
第一端部及び第二端部を有すると共に前記第一端部及び前記第二端部の少なくとも一方が前記グラウンド端子に電気的に接続されているグラウンドパターンと、を備え、
前記グラウンドパターンは、前記素体の平面視において、前記第一インダクタパターンと前記第二インダクタパターンとの間に配置されている、電子部品。
【請求項2】
前記グラウンドパターンの前記第一端部及び前記第二端部のそれぞれが、前記グラウンド端子に電気的に接続されている、請求項1に記載の電子部品。
【請求項3】
前記グラウンドパターンは、前記第一インダクタパターン及び前記第二インダクタパターンの少なくとも一方と同じ高さ位置に配置されている、請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項4】
前記グラウンドパターンは、前記第一インダクタパターン及び前記第二インダクタパターンの少なくとも一方と異なる高さ位置に配置されている、請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項5】
前記平面視において、前記第一インダクタパターンと前記グラウンドパターンとの間の距離と、前記第二インダクタパターンと前記グラウンドパターンとの間の距離とが異なる、請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項6】
前記第一インダクタパターンよりも、第二インダクタパターンのインダクタンスが大きく、
前記平面視において、前記第一インダクタパターンと前記グラウンドパターンとの間の距離が、前記第二インダクタパターンと前記グラウンドパターンとの間の距離と前記グラウンドパターンとの間の距離よりも短い、請求項5に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、本体と、本体内に設けられた第一共振器及び第二共振器と、を備える電子部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2007-325047号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、通信又は放送用途の分野において、電子部品の小型化、薄型化及び高特性化が要求されている。従来の電子部品のように、素体内に複数の共振器が配置されている構成では、電子部品が小型化すると、一方の共振器を構成するインダクタパターンと、他方の共振器を構成するインダクタパターンとが近接して配置される。この場合、二つのインダクタパターンの間に電磁界結合が生じ得る。二つのインダクタパターンの間の電磁界結合により、減衰特性などの周波数特性に影響が生じることがある。
【0005】
本開示では、周波数特性の向上が図れる電子部品が説明される。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一側面に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている入出力端子及びグラウンド端子と、素体内に配置されており、第一共振器を構成する第一インダクタパターン及び第二共振器を構成する第二インダクタパターンと、第一端部及び第二端部を有すると共に第一端部及び第二端部の少なくとも一方がグラウンド端子に電気的に接続されているグラウンドパターンと、を備え、グラウンドパターンは、素体の平面視において、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間に配置されている。
【発明の効果】
【0007】
本開示の各側面及び各実施形態によれば、周波数特性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1図1は、一実施形態に係る電子部品の斜視図である。
図2図2は、LCフィルタ部を構成する導体パターンを示す図である。
図3図3は、LCフィルタ部を構成する導体パターンを示す図である。
図4図4は、電子部品の等価回路図である。
図5図5は、電子部品の減衰特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[1]実施形態の概要
(1)本開示の一側面に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている入出力端子及びグラウンド端子と、素体内に配置されており、第一共振器を構成する第一インダクタパターン及び第二共振器を構成する第二インダクタパターンと、第一端部及び第二端部を有すると共に第一端部及び第二端部の少なくとも一方がグラウンド端子に電気的に接続されているグラウンドパターンと、を備え、グラウンドパターンは、素体の平面視において、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間に配置されている。
【0010】
本開示の一側面に係る電子部品では、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間にグラウンドパターンが配置されている。グラウンドパターンの第一端部及び第二端部の少なくとも一方は、グラウンド端子に電気的に接続されている。これにより、電子部品では、グラウンドパターンによって、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間における電磁界結合を抑制できる(電磁界結合を弱めることができる)。そのため、電子部品では、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間において、たとえば信号の漏れが発生することを抑制できる。したがって、電子部品では、たとえば、減衰特性など、周波数特性の改善が図れる。
【0011】
(2)グラウンドパターンの第一端部及び第二端部のそれぞれが、グラウンド端子に電気的に接続されている、(1)に記載の電子部品。この構成では、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間における電磁界結合をより一層抑制できる。
【0012】
(3)グラウンドパターンは、第一インダクタパターン及び第二インダクタパターンの少なくとも一方と同じ高さ位置に配置されている、(1)又は(2)に記載の電子部品。この構成では、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間における電磁界結合をより効果的に抑制できる。
【0013】
(4)グラウンドパターンは、第一インダクタパターン及び第二インダクタパターンの少なくとも一方と異なる高さ位置に配置されている、(1)から(3)のいずれか一つに記載の電子部品。この構成では、グラウンドパターンの設計の自由度を高めつつ、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間において電磁界結合が生じることを抑制できる。
【0014】
(5)平面視において、第一インダクタパターンとグラウンドパターンとの間の距離と、第二インダクタパターンとグラウンドパターンとの間の距離とが異なる、(1)から(4)のいずれか一つに記載の電子部品。この構成では、たとえば、第一インダクタパターン及び第二インダクタパターンのそれぞれによって構成されるインダクタのQ値に応じて、上記距離を異ならせることによって、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの間の電磁界結合を効果的に抑制することができる。
【0015】
(6)第一インダクタパターンよりも、第二インダクタパターンのインダクタンスが大きく、平面視において、第一インダクタパターンとグラウンドパターンとの間の距離が、第二インダクタパターンとグラウンドパターンとの間の距離とグラウンドパターンとの間の距離よりも短い、(5)に記載の電子部品。
【0016】
[2]実施形態の例示
以下、図面を参照しながら本開示の実施形態が詳細に説明される。なお、図面の説明において同一要素には同一符号が付され、重複する説明は省略される。
【0017】
図1は、一実施形態に係る電子部品の斜視図である。図1に示される電子部品1は、LCフィルタである。電子部品1は、いわゆる薄膜LCフィルタである。LCフィルタは、バンドパスフィルタであり得る。図1及び図2に示されるように、電子部品1は、基板2と、絶縁体(素体)3と、絶縁体3に配置された第一端子電極4、第二端子電極5、第三端子電極6、第四端子電極7、第五端子電極8及び第六端子電極9と、を備えている。
【0018】
基板2は、例えば、直方体形状を呈している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれ得る。図1図3及び図4に示されるように、基板2は、その外表面として、互いに対向している一対の端面2a,2bと、互いに対向している一対の主面2c,2dと、互いに対向している一対の側面2e,2fと、を有している。
【0019】
一対の端面2a,2bが対向している対向方向が第一方向D1である。一対の主面2c,2dが対向している対向方向が第二方向D2である。一対の側面2e,2fが対向している対向方向が第三方向D3である。本実施形態では、第一方向D1は、基板2の長手方向である。第二方向D2は、基板2の高さ方向であり、第一方向D1と直交している。第三方向D3は、基板2の幅方向であり、第一方向D1と第二方向D2とに直交している。本実施形態では、第二方向D2から見ることは、平面視に相当する。
【0020】
一対の端面2a,2bは、一対の主面2c,2dの間を連結するように第二方向D2に延びている。一対の端面2a,2bは、第三方向D3にも延びている。一対の側面2e,2fは、一対の主面2c,2dの間を連結するように第二方向D2に延びている。一対の側面2e,2fは、第一方向D1にも延びている。
【0021】
基板2は、化学的・熱的に安定で応力発生が少なく、表面の平滑性を保つことができる材料で形成することができる。当該材料としては、特に限定されるものではないが、シリコン単結晶、アルミナ、サファイア、窒化アルミ、MgO単結晶、SrTiO単結晶、表面酸化シリコン、ガラス、石英、フェライトなどを用いることができる。
【0022】
絶縁体3は、直方体形状を呈している。図1図4に示されるように、絶縁体3は、その外表面として、互いに対向している一対の端面3a,3bと、互いに対向している一対の主面3c,3dと、互いに対向している一対の側面3e,3fと、を有している。一対の端面3a,3bは、第一方向D1において対向している。一対の主面3c,3dは、第二方向D2において対向している。一対の側面3e,3fは、第三方向D3において対向している。
【0023】
一対の端面3a,3bは、一対の主面3c,3dの間を連結するように第二方向D2に延びている。一対の端面3a,3bは、第三方向D3にも延びている。一対の側面3e,3fは、一対の主面3c,3dの間を連結するように第二方向D2に延びている。一対の側面3e,3fは、第一方向D1にも延びている。絶縁体3の第一方向D1の寸法は、基板2の第一方向D1の寸法と同等である。絶縁体3の第三方向D3の寸法は、基板2の第三方向D3の寸法と同等である。
【0024】
なお、本実施形態で「同等」とは、等しいことに加えて、予め設定した範囲での微差又は製造誤差などを含んだ値を同等としてもよい。たとえば、複数の値が、当該複数の値の平均値の±5%の範囲内に含まれているのであれば、当該複数の値は同等であると規定する。
【0025】
絶縁体3は、複数の絶縁体層が積層されることによって構成されている。絶縁体層は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で構成されてもよい。絶縁体層は、第一方向D1に積層されている。すなわち、第一方向D1が積層方向である。実際の絶縁体3では、複数の絶縁体層は、その層間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【0026】
基板2と絶縁体3とは、一体に設けられている。基板2と絶縁体3とは、主面2cと主面3dとが対向するように配置されている。基板2と絶縁体3との間には、平坦化層10が配置されている。平坦化層10は、基板2の主面2cと絶縁体3の主面3dとの間に配置されている。平坦化層10としては、アルミナ、酸化シリコンなどを用いることができる。
【0027】
図1及び図2に示されるように、第一端子電極4、第二端子電極5、第三端子電極6、第四端子電極7、第五端子電極8及び第六端子電極9は、絶縁体3の主面3cに配置されている。第一端子電極4及び第二端子電極5、第五端子電極8及び第六端子電極9は、グラウンド端子であり得る。第三端子電極6及び第四端子電極7は、信号の入出力端子であり得る。
【0028】
第一端子電極4、第二端子電極5、第三端子電極6、第四端子電極7、第五端子電極8及び第六端子電極9は、平面視において、略長方形状を呈している。長方形状には、角部及び稜線部が面取りされている形状、及び、角部及び稜線部が丸められている形状が含まれ得る。第一端子電極4、第二端子電極5、第三端子電極6及び第四端子電極7のそれぞれは、絶縁体3の角部に配置されている。
【0029】
第一端子電極4は、端面3a寄りで且つ側面3e寄りの位置に配置されている。第二端子電極5は、端面3aと端面3bとの間で且つ側面3e寄りの位置に配置されている。第三端子電極6は、端面3b寄りで且つ側面3e寄りの位置に配置されている。第四端子電極7は、端面3a寄りで且つ側面3f寄りの位置に配置されている。第五端子電極8は、端面3aと端面3bとの間で且つ側面3f寄りの位置に配置されている。第六端子電極9は、端面3b寄りで且つ側面3f寄りの位置に配置されている。
【0030】
第一端子電極4、第二端子電極5及び第三端子電極6は、第一方向D1において所定の間隔をあけて配置されている。第四端子電極7、第五端子電極8及び第六端子電極9は、第一方向D1において所定の間隔をあけて配置されている。第一端子電極4と第四端子電極7とは、第三方向D3において所定の間隔をあけて配置されている。第二端子電極5と第五端子電極8とは、第三方向D3において所定の間隔をあけて配置されている。第三端子電極6と第六端子電極9とは、第三方向D3において所定の間隔をあけて配置されている。
【0031】
第一端子電極4、第二端子電極5、第三端子電極6、第四端子電極7、第五端子電極8及び第六端子電極9は、たとえば、金、ニッケル、銅、銀などで形成することができる。
【0032】
電子部品1は、絶縁体3内にLCフィルタ部11が配置されている。図2は、図1に示す電子部品1が備えるLCフィルタ部11を構成する導体パターンを示す図である。電子部品1では、基板2側(絶縁体3の主面3d側)から、図2のレイヤーE、レイヤーD、レイヤーC、レイヤーB及びレイヤーAに示される順に導体パターンが配置されている。導体パターンには、インダクタパターン、キャパシタパターン、スルーホールパターン及びビアパターンなどが含まれ得る。導体パターンは、たとえば、銅で形成することができる。
【0033】
図2のレイヤーEに示されるように、LCフィルタ部11は、導体パターン20、導体パターン21、インダクタパターン22、インダクタパターン23、導体パターン24、導体パターン25、導体パターン26、キャパシタパターン27、導体パターン28、キャパシタパターン29、導体パターン30、導体パターン31及び接続パターン32を有している。導体パターン20、導体パターン21、インダクタパターン22、インダクタパターン23、導体パターン24、導体パターン25、導体パターン26、キャパシタパターン27、導体パターン28、キャパシタパターン29、導体パターン30、導体パターン31及び接続パターン32は、平坦化層10上に配置されている。
【0034】
図3に示されるように、導体パターン20は、インダクタパターン(第一インダクタパターン)20A、キャパシタパターン20B及び接続パターン20Cを含んでいる。導体パターン21は、インダクタパターン(第二インダクタパターン)21A及びキャパシタパターン21Bを含んでいる。導体パターン24は、インダクタパターン24A及びキャパシタパターン24Bを含んでいる。導体パターン25は、インダクタパターン25A、キャパシタパターン25B及び接続パターン25Cを含んでいる。導体パターン31は、接続パターン31A、接続パターン31B、接続パターン31C、グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eを含んでいる。
【0035】
グラウンドパターン31Dは、第一端部31Daと、第二端部31Dbと、を有している。第一端部31Daは、接続パターン31Aに接続されている。これにより、グラウンドパターン31Dは、第一端子電極4に電気的に接続される。第二端部31Dbは、接続パターン31Cに接続されている。これにより、グラウンドパターン31Dは、第五端子電極8に電気的に接続される。グラウンドパターン31Eは、第一端部31Eaと、第二端部31Ebと、を有している。第一端部31Eaは、接続パターン31Bに接続されている。これにより、グラウンドパターン31Eは、第二端子電極5に電気的に接続される。第二端部31Ebは、接続パターン31Cに接続されている。これにより、グラウンドパターン31Eは、第五端子電極8に電気的に接続される。
【0036】
グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eのそれぞれは、線状を呈している。本実施形態では、グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eのそれぞれの幅W1は、他の導体パターンのうち、少なくとも一部の導体パターンの幅よりも小さい。具体的には、グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eのそれぞれの幅は、インダクタパターン20A及びインダクタパターン21Aの幅W2よりも小さい。
【0037】
図2のレイヤーDに示されるように、LCフィルタ部11は、キャパシタパターン33、キャパシタパターン34、キャパシタパターン35、キャパシタパターン36、キャパシタパターン37及びキャパシタパターン38を有している。
【0038】
図2のレイヤーCに示されるように、LCフィルタ部11は、インダクタパターン39、インダクタパターン40、導体パターン41、キャパシタパターン42、インダクタパターン43、インダクタパターン44、接続パターン45、接続パターン46、接続パターン47、接続パターン48、接続パターン49及び接続パターン50を有している。導体パターン41は、インダクタパターン41A、キャパシタパターン41B、キャパシタパターン41C、キャパシタパターン41D及びキャパシタパターン41Eを含んでいる。
【0039】
図2のレイヤーBに示されるように、LCフィルタ部11は、インダクタパターン51、インダクタパターン52、導体パターン53、導体パターン54、導体パターン55、インダクタパターン56、導体パターン57、接続パターン58、接続パターン59及び接続パターン60を有している。導体パターン54は、インダクタパターン54Aを含んでいる。
【0040】
導体パターン57は、接続パターン57A、接続パターン57B、接続パターン57C、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eを含んでいる。グラウンドパターン57Dは、第一端部57Daと、第二端部57Dbと、を有している。第一端部57Daは、接続パターン57Aに接続されている。これにより、グラウンドパターン57Dは、第一端子電極4に電気的に接続される。第二端部57Dbは、接続パターン57Cに接続されている。これにより、グラウンドパターン57Dは、第五端子電極8に電気的に接続される。グラウンドパターン57Eは、第一端部57Eaと、第二端部57Ebと、を有している。第一端部57Eaは、接続パターン57Bに接続されている。これにより、グラウンドパターン57Eは、第二端子電極5に電気的に接続される。第二端部57Ebは、接続パターン57Cに接続されている。これにより、グラウンドパターン57Eは、第五端子電極8に電気的に接続される。
【0041】
本実施形態では、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eのそれぞれの幅は、他の導体パターンのうち、少なくとも一部の導体パターンの幅よりも小さい。具体的には、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eのそれぞれの幅は、インダクタパターン20A及びインダクタパターン21Aの幅よりも小さい。
【0042】
図2のレイヤーAに示されるように、LCフィルタ部11は、インダクタパターン61、導体パターン62、導体パターン63、インダクタパターン64、接続パターン65、接続パターン66、接続パターン67及び接続パターン68を有している。導体パターン62は、インダクタパターン62A及び接続パターン62Bを含んでいる。導体パターン63は、インダクタパターン63A及び接続パターン63Bを含んでいる。
【0043】
キャパシタパターン20Bとキャパシタパターン33とは、第二方向D2において重なる位置に配置されている。キャパシタパターン20Bとキャパシタパターン33は、第二方向D2において対向して配置されている。キャパシタパターン20Bとキャパシタパターン33との間には、誘電体層(図示省略)が配置されている。キャパシタパターン21Bとキャパシタパターン35とは、第二方向D2において重なる位置に配置されている。キャパシタパターン21Bとキャパシタパターン35とは、第二方向D2において対向して配置されている。キャパシタパターン21Bとキャパシタパターン35との間には、誘電体層(図示省略)が配置されている。
【0044】
キャパシタパターン24Bとキャパシタパターン37とは、第二方向D2において重なる位置に配置されている。キャパシタパターン24Bとキャパシタパターン37は、第二方向D2において対向して配置されている。キャパシタパターン24Bとキャパシタパターン37との間には、誘電体層(図示省略)が配置されている。キャパシタパターン25Bとキャパシタパターン38とは、第二方向D2において重なる位置に配置されている。キャパシタパターン25Bとキャパシタパターン38とは、第二方向D2において対向して配置されている。キャパシタパターン25Bとキャパシタパターン38との間には、誘電体層(図示省略)が配置されている。
【0045】
キャパシタパターン27とキャパシタパターン34とは、第二方向D2において重なる位置に配置されている。キャパシタパターン27とキャパシタパターン34は、第二方向D2において対向して配置されている。キャパシタパターン27とキャパシタパターン34との間には、誘電体層(図示省略)が配置されている。誘電体層は、たとえば、窒化シリコン、酸化シリコンなどの常誘電体材料、強誘電体材料などからなる無機絶縁材料で形成することができる。
【0046】
インダクタパターン20A、インダクタパターン39、インダクタパターン51及びインダクタパターン61は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。インダクタパターン21A、インダクタパターン40、インダクタパターン52及びインダクタパターン62Aは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。インダクタパターン22、インダクタパターン23、インダクタパターン41A及びインダクタパターン54Aは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。インダクタパターン24A、インダクタパターン43及びインダクタパターン56は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。インダクタパターン25A、インダクタパターン44、インダクタパターン56及びインダクタパターン64は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。導体パターン41、導体パターン53及びインダクタパターン61は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。
【0047】
キャパシタパターン27及び導体パターン41は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。キャパシタパターン29及び導体パターン41は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。
【0048】
キャパシタパターン33とキャパシタパターン41Bとは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。キャパシタパターン34とキャパシタパターン42とは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。キャパシタパターン35とキャパシタパターン42とは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。キャパシタパターン36とキャパシタパターン41Cとは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。キャパシタパターン37とキャパシタパターン41Dとは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。キャパシタパターン38とキャパシタパターン41Eとは、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。
【0049】
接続パターン31A、接続パターン45、接続パターン57A、接続パターン65及び第一端子電極4は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。接続パターン31B、接続パターン46、接続パターン57B、接続パターン62B及び第二端子電極5は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。接続パターン32、接続パターン47、接続パターン58、接続パターン63B及び第三端子電極6は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。
【0050】
接続パターン20C、接続パターン48、接続パターン59、接続パターン66及び第四端子電極7は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。接続パターン31C、接続パターン49、接続パターン57C、接続パターン67及び第五端子電極8は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。接続パターン25C、接続パターン50、接続パターン60、接続パターン68及び第六端子電極9は、接続導体(図示省略)によって電気的に接続されている。
【0051】
図3に示されるように、グラウンドパターン31Dは、第二方向D2から見て、すなわち平面視において、インダクタパターン20Aとインダクタパターン21Aとの間に配置されている。グラウンドパターン31Dは、第二方向D2において、インダクタパターン20A及びインダクタパターン21Aと同じ高さ位置(層)に配置されている。グラウンドパターン31Dは、第二方向D2から見て、インダクタパターン61(図2参照)とインダクタパターン62A(図2参照)との間に配置されている。グラウンドパターン31Dは、第二方向D2において、インダクタパターン61及びインダクタパターン62Aと異なる高さ位置に配置されている。
【0052】
グラウンドパターン31Eは、第二方向D2から見て、インダクタパターン21A、インダクタパターン40及びインダクタパターン62A(図3参照)と、インダクタパターン41A及びインダクタパターン54Aとの間に配置されている。グラウンドパターン31Eは、第二方向D2において、インダクタパターン21Aと同じ高さ位置に配置されている。グラウンドパターン31Eは、第二方向D2において、インダクタパターン40、インダクタパターン41A及びインダクタパターン62Aと異なる高さ位置に配置されている。
【0053】
本実施形態では、グラウンドパターン31Dとインダクタパターン20Aとの間の距離K1は、グラウンドパターン31Dとインダクタパターン21Aとの間の距離K2よりも短い(K1<K2)。距離K1及び距離K2としては、たとえば、グラウンドパターン31Dと、インダクタパターンとの間の最短距離が用いられてもよい。最短距離である。本実施形態では、インダクタパターン20Aを含んで構成される第一インダクタL1(図4参照)よりも、インダクタパターン21Aを含んで構成される第二インダクタL2(図4参照)の方が、インダクタパターンが配置される領域が大きい(巻回部のサイズが大きい)ことから、Q値(インダクタンス)が大きい。グラウンドパターン31Dは、Q値が大きいインダクタを構成するインダクタパターンと間隔をあけて配置されている。これにより、インダクタンスが大きい方のインダクタの特性に対して、グラウンドパターンが与える影響が調整されえる。
【0054】
図2に示されるように、グラウンドパターン57Dは、第二方向D2から見て、インダクタパターン20A及びインダクタパターン61と、インダクタパターン21A及びインダクタパターン62Aとの間に配置されている。グラウンドパターン57Dは、第二方向D2において、インダクタパターン20A及びインダクタパターン61と異なる高さ位置に配置されている。
【0055】
グラウンドパターン57Eは、第二方向D2から見て、インダクタパターン21A、インダクタパターン40及びインダクタパターン62Aと、インダクタパターン41A及びインダクタパターン54Aとの間に配置されている。グラウンドパターン57Eは、第二方向D2において、インダクタパターン54Aと同じ高さ位置に配置されている。グラウンドパターン57Eは、第二方向D2において、インダクタパターン21A、インダクタパターン40、インダクタパターン41A及びインダクタパターン62Aと異なる高さ位置に配置されている。
【0056】
図4は、電子部品1の等価回路図である。図4に示されるように、電子部品1は、第一インダクタL1と、第二インダクタL2と、第三インダクタL3と、第四インダクタL4と、第五インダクタL5と、第一キャパシタC1と、第二キャパシタC2と、第三キャパシタC3と、第四キャパシタC4と、第五キャパシタC5と、第六キャパシタC6と、第七キャパシタC7と、を備えている。
【0057】
第一インダクタL1は、インダクタパターン20Aと、インダクタパターン39と、インダクタパターン51と、インダクタパターン61と、を含んで構成されている。第二インダクタL2は、インダクタパターン21Aと、インダクタパターン40と、インダクタパターン52と、インダクタパターン62Aと、を含んで構成されている。
【0058】
第三インダクタL3は、インダクタパターン22と、インダクタパターン23と、インダクタパターン41Aと、インダクタパターン54Aと、を含んで構成されている。第四インダクタL4は、インダクタパターン24Aと、インダクタパターン43と、インダクタパターン56と、を含んで構成されている。第五インダクタL5は、インダクタパターン25Aと、インダクタパターン44と、インダクタパターン56と、インダクタパターン64と、を含んで構成されている。
【0059】
第一キャパシタC1は、キャパシタパターン20Bと、キャパシタパターン33と、キャパシタパターン41Bと、を含んで構成されている。第二キャパシタC2は、キャパシタパターン21Bと、キャパシタパターン27と、キャパシタパターン34と、キャパシタパターン35と、キャパシタパターン42と、を含んで構成されている。
【0060】
第三キャパシタC3は、キャパシタパターン29と、キャパシタパターン36と、キャパシタパターン41Cと、を含んで構成されている。第四キャパシタC4は、キャパシタパターン24Bと、キャパシタパターン37と、キャパシタパターン41Dと、を含んで構成されている。第五キャパシタC5は、キャパシタパターン25Bと、キャパシタパターン38と、キャパシタパターン41Eと、を含んで構成されている。
【0061】
第六キャパシタC6は、第二インダクタL2の浮遊容量である。第七キャパシタC7は、第四インダクタL4の浮遊容量である。
【0062】
第一インダクタL1及び第一キャパシタC1は、第一LC共振器を構成している。第二インダクタL2及び第二キャパシタC2は、第二LC共振器を構成している。第三インダクタL3及び第三キャパシタC3は、第一LC共振器を構成している。第四インダクタL4及び第四キャパシタC4は、第四LC共振器を構成している。第五インダクタL5及び第五キャパシタC5は、第五LC共振器を構成している。
【0063】
図5は、電子部品の減衰特性を示す図である。図5は、第四端子電極7から信号を入力して、第六端子電極9から信号を出力した場合の減衰特性を示している。図5では、横軸は周波数[GHz]を示し、縦軸は減衰量[dB]を示している。図5では、電子部品1の特性を実線で示し、比較例に係る電子部品の特性を破線で示している。比較例に係る電子部品は、グラウンドパターンを有していない。図5に示されるように、本実施形態に係る電子部品1は、比較例に電子部品に比べて、減衰特性が向上している。なお、図5は、周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【0064】
以上説明したように、本実施形態に係る電子部品1では、インダクタパターン20Aとインダクタパターン21Aとの間にグラウンドパターン31Dが配置されている。グラウンドパターン31Dの第一端部31Da及び第二端部31Dbの少なくとも一方は、グラウンド端子に接続されている。これにより、電子部品1では、グラウンドパターン31Dによって、インダクタパターン20Aとインダクタパターン21Aとの間における電磁界結合を抑制できる(電磁界結合を弱めることができる)。そのため、電子部品1では、たとえば、インダクタパターン20Aとインダクタパターン21Aとの間において信号の漏れが発生することを抑制できる。グラウンドパターン31E、グラウンドパターン57D,57Eにおいても、同様の効果を得ることができる。したがって、電子部品1では、減衰特性の向上など、周波数特性の改善を図ることができる。
【0065】
本実施形態に係る電子部品1では、グラウンドパターン31Dの第一端部31Daが第一端子電極4(グラウンド端子)に電気的に接続され、第二端部31Dbが第五端子電極8(グラウンド端子)に電気的に接続されている。グラウンドパターン31Eの第一端部31Eaが第二端子電極5(グラウンド端子)に電気的に接続され、第二端部31Ebが第五端子電極8(グラウンド端子)に電気的に接続されている。グラウンドパターン57Dの第一端部57Daが第一端子電極4(グラウンド端子)に電気的に接続され、第二端部57Dbが第五端子電極8(グラウンド端子)に電気的に接続されている。グラウンドパターン57Eの第一端部57Eaが第二端子電極5(グラウンド端子)に電気的に接続され、第二端部57Ebが第五端子電極8(グラウンド端子)に電気的に接続されている。
に接続されている。この構成では、インダクタパターンの間における電磁界結合をより一層抑制できる。
【0066】
本実施形態に係る電子部品1では、グラウンドパターン31Dは、インダクタパターン20A及びインダクタパターン21Aと同じ高さ位置に配置されている。この構成では、インダクタパターン20Aとインダクタパターン21Aとの間における電磁界結合をより効果的に抑制できる。
【0067】
本実施形態に係る電子部品1では、平面視において、インダクタパターン20Aとグラウンドパターン31Dとの間の距離K1と、インダクタパターン21Aとグラウンドパターン31Dとの間の距離K2とが異なる。この構成では、インダクタパターン20A及びインダクタパターン21Aのそれぞれによって構成されるインダクタのQ値に応じて、インダクタパターンとグラウンドパターンとの間の距離K1,K2を適切に調整してよい。たとえば、距離K1と、距離K2とか異なるように、各インダクタパターン20A、21Aと、グラウンドパターン31Dとを配置することで、インダクタパターン20Aとインダクタパターン21Aとの間の電磁界結合を効果的に抑制することができる。
【0068】
以上、本開示の実施形態について説明してきたが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0069】
上記実施形態では、電子部品1がバンドパスフィルタである形態を一例に説明した。しかし、電子部品は、バンドストップフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタであってもよいし、これらを組み合わせたフィルタ(ダイプレクサ、デュプレクサ、トリプレクサなど)であってもよい。
【0070】
上記実施形態では、LCフィルタ部11が、グラウンドパターン31D、グラウンドパターン31E、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eを有する形態を一例に説明した。しかし、グラウンドパターンは、少なくとも、二つのインダクタパターンの間に配置されていればよい。すなわち、グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eのみが配置されていてもよいし、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eのみが配置されていてもよい。また、グラウンドパターン31D、グラウンドパターン31E、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eの他に、更にグラウンドパターンが配置されていてもよい。
【0071】
上記実施形態では、グラウンドパターン31Dが同じ高さ位置(同じ層)において延在しており、同じ高さ位置に配置されている接続パターン31A及び接続パターン31Cに接続されている形態を一例に説明した。しかし、グラウンドパターン31Dは、たとえば、複数のパターンを含み、複数のパターンが接続導体によって接続されることによって、各パターンが第二方向D2において異なる高さ位置に配置されていてもよい。この構成では、たとえば、グラウンドパターン31Dの第一端部31Daが接続パターン31Aに接続され、第二端部31Dbが接続パターン49などに接続されてもよい。グラウンドパターン31E、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eについても同様である。
【0072】
上記実施形態では、グラウンドパターン31Dとインダクタパターン20Aとの間の距離K1が、グラウンドパターン31Dとインダクタパターン21Aとの間の距離K2よりも短い(K1<K2)形態を一例に説明した。なお、これに限定されず、距離K1,K2は、インダクタパターンの特性、インダクタパターンを含む回路において実現される周波数特性に応じて、適宜調整されてもよい。たとえば、距離K1及び距離K2は、場合によっては、同じであってもよいし(K1=K2)、距離K1が距離K2よりも長くてもよい(K1>K2)。
【0073】
上記実施形態では、グラウンドパターン31Dの第一端部31Daが第一端子電極4(グラウンド端子)に電気的に接続され、第二端部31Dbが第五端子電極8に電気的に接続される形態を一例に説明した。しかし、グラウンドパターン31Dの第一端部31Da及び第二端部31Dbの少なくとも一方がグラウンド端子に接続されていればよい。グラウンドパターン31E、グラウンドパターン57D及びグラウンドパターン57Eについても同様である。
【0074】
上記実施形態では、グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eのそれぞれの幅W1が、他の導体パターンの幅(インダクタパターン20A及びインダクタパターン21Aの幅W2)よりも小さい形態を一例に説明した。しかし、グラウンドパターン31D及びグラウンドパターン31Eのそれぞれの幅は、他の導体パターンの幅と同等であってもよいし、他の導体パターンの幅よりも大きくてもよい。また、グラウンドパターン31Dと、グラウンドパターン31Eの幅は、同等であってもよく、異なっていてもよい。
【0075】
上記実施形態では、絶縁体3内に五つの共振器が配置されている構成を一例に説明した。しかし、共振器は、少なくとも二つ配置されていればよい。
【符号の説明】
【0076】
1…電子部品、3…絶縁体(素体)、4…第一端子電極(グラウンド端子)、5…第二端子電極(グラウンド端子)、7…第四端子電極(入出力端子)、8…第五端子電極(グラウンド端子)、9…第六端子電極(入出力端子)、31D,31E,57D,57E…グラウンドパターン、31Da,31Ea,57Da,57Ea…第一端部、31Db,31Eb,57Db,57Eb…第二端部、K1,K2…距離。
図1
図2
図3
図4
図5