特開 2024-10935 シースヒータおよびステージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024010935

(43)【公開日】2024-01-25

(54)【発明の名称】シースヒータおよびステージ

(51)【国際特許分類】

   H05B 3/48 20060101AFI20240118BHJP

【ＦＩ】

H05B3/48

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022112544

(22)【出願日】2022-07-13

(71)【出願人】

【識別番号】000004640

【氏名又は名称】日本発條株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】相川 尚哉

(72)【発明者】

【氏名】木田 直哉

(72)【発明者】

【氏名】二口谷 淳

(72)【発明者】

【氏名】藤野 大輔

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼梨 雅也

【テーマコード（参考）】

3K092

【Ｆターム（参考）】

3K092PP20

3K092QA02

3K092QB02

3K092QB04

3K092QB14

3K092QB26

3K092QB43

3K092RA01

3K092RB02

3K092RB04

3K092RB05

3K092RB07

3K092RB08

3K092RB11

3K092RC16

3K092RD02

3K092VV34

(57)【要約】

【課題】耐熱性が向上したシースヒータを提供すること。
【解決手段】
シースヒータは、金属シースと、金属シース内に配置されるヒータ線と、金属シースとヒータ線とを離間するように金属シース内に充填される絶縁材と、ヒータ線に電力を供給するリード線と、金属シースの端部から延出されたヒータ線とリード線とを接続する圧着スリーブと、金属シースの端部を覆い、圧着スリーブが配置される筒状部材と、筒状部材と嵌合し、リード線が挿通される開口を含む蓋状部材と、を含み、金属シースの端部は、ヒータ線が挿通される第１の貫通孔を含む第１の絶縁管と、金属シースと第１の絶縁管との間の間隙を埋める封止剤と、を含み、封止剤は、セラミックバインダを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属シースと、
前記金属シース内に配置されるヒータ線と、
前記金属シースと前記ヒータ線とを離間するように前記金属シース内に充填される絶縁材と、
前記ヒータ線に電力を供給するリード線と、
前記金属シースの端部から延出された前記ヒータ線と前記リード線とを接続する圧着スリーブと、
前記金属シースの前記端部を覆い、前記圧着スリーブが配置される筒状部材と、
前記筒状部材と嵌合し、前記リード線が挿通される開口を含む蓋状部材と、を含み、
前記金属シースの前記端部は、
前記ヒータ線が挿通される第１の貫通孔を含む第１の絶縁管と、
前記金属シースと前記第１の絶縁管との間の間隙を埋める封止材と、を含み、
前記封止材は、セラミックバインダを含む、シースヒータ。

【請求項2】

前記第１の絶縁管は、２つの前記第１の貫通孔を含む、請求項１に記載のシースヒータ。

【請求項3】

さらに、前記筒状部材内に配置され、第２の貫通孔を含む第２の絶縁管を含み、
前記圧着スリーブは、前記第２の貫通孔内に配置される、請求項１に記載のシースヒータ。

【請求項4】

前記第２の絶縁管は、２つの前記第２の貫通孔を含む、請求項３に記載のシースヒータ。

【請求項5】

さらに、前記リード線に固定される係止部材を含み、
前記係止部材は、前記蓋状部材と接合されていない、請求項３に記載のシースヒータ。

【請求項6】

前記係止部材は、前記リード線を挟持することによって前記リード線に固定される、請求項５に記載のシースヒータ。

【請求項7】

さらに、前記筒状部材内において前記第１の絶縁管と前記第２の絶縁管との間に配置され、前記ヒータ線が挿通される第３の貫通孔を含む第３の絶縁管を含む、請求項３に記載のシースヒータ。

【請求項8】

前記第３の絶縁管の外径は、前記第２の貫通孔の孔径よりも小さい、請求項７に記載のシースヒータ。

【請求項9】

前記第３の絶縁管の少なくとも一部は、前記第２の貫通孔内に入り込んでいる、請求項７に記載のシースヒータ。

【請求項10】

前記筒状部材内に２つの前記第３の絶縁管が配置される、請求項７に記載のシースヒータ。

【請求項11】

シャフトと、
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のシースヒータと、を含み、
前記金属シースの前記端部は、前記シャフト内に格納されている、ステージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一実施形態は、シースヒータに関する。また、本発明の一実施形態は、シースヒータを備えるステージに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスはほぼ全ての電子機器に搭載されており、電子機器の機能に対して重要な役割を担っている。半導体デバイスはシリコンなどが有する半導体特性を利用したデバイスである。半導体デバイスは、半導体膜、絶縁膜、および導電膜を基板上に積層し、これらの膜がパターニングされることによって構成される。これらの膜は、蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、または基板の化学反応などを利用して積層され、フォトリソグラフィープロセスによってこれらの膜がパターニングされる。フォトリソグラフィープロセスは、パターニングに供される膜上へのレジスト膜の形成、レジスト膜の露光、現像によるレジストマスクの形成、エッチングによる膜の部分的除去、およびレジストマスクの除去を含む。

【0003】

上述した膜の特性は、膜を形成する条件、またはパターニングの条件によって大きく左右される。前記条件の一つが基板の温度である。多くの場合、基板の温度は、基板を設置するための載置台（以下、「ステージ」という。）の温度を調節することによって制御される。基板を加熱し基板内における温度分布を均一に抑制するため、ステージを加熱するヒータの１つがシースヒータである。例えば、特許文献１には、金属シース内に電熱線（ヒータ線）が配置されたシースヒータを複数備えたステージが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－９１６６０号公報

【特許文献2】特開２０２１－２６８５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

シースヒータでは、金属シースとヒータ線との短絡を防止するために、金属シース内に絶縁材が充填される（例えば、特許文献２参照）。また、金属シース内に充填された絶縁材の吸湿および飛散を防止するため、金属シースの端部は、エポキシ系接着剤によって封止される。シースヒータをステージに用いる場合、金属シースの端部はステージのシャフト内に格納されることが好ましい。しかしながら、シャフト内の温度が高温（例えば、１００度超）となる場合がある。その場合、エポキシ系接着剤の耐熱温度が低いため、上記のような構成を適用することができない。したがって、ステージの使用温度範囲を広げるためにも、耐熱性が向上したシースヒータが望まれていた。

【0006】

本発明の一実施形態は、上記問題に鑑み、耐熱性が向上したシースヒータを提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、広い温度範囲で使用することができるステージを提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態に係るシースヒータは、金属シースと、金属シース内に配置されるヒータ線と、金属シースとヒータ線とを離間するように金属シース内に充填される絶縁材と、ヒータ線に電力を供給するリード線と、金属シースの端部から延出されたヒータ線とリード線とを接続する圧着スリーブと、金属シースの端部を覆い、圧着スリーブが配置される筒状部材と、筒状部材と嵌合し、リード線が挿通される開口を含む蓋状部材と、を含み、金属シースの端部は、ヒータ線が挿通される第１の貫通孔を含む第１の絶縁管と、金属シースと第１の絶縁管との間の間隙を埋める封止剤と、を含み、封止剤は、セラミックバインダを含む。

【0008】

第１の絶縁管は、２つの第１の貫通孔を含んでいてもよい。

【0009】

シースヒータは、さらに、筒状部材内に配置され、第２の貫通孔を含む第２の絶縁管を含み、圧着スリーブは、第２の貫通孔内に配置されてもよい。

【0010】

第２の絶縁管は、２つの第２の貫通孔を含んでいてもよい。

【0011】

シースヒータは、さらに、リード線に固定される係止部材を含み、係止部材は、蓋状部材と接合されていなくてもよい。係止部材は、リード線を挟持することによってリード線に固定されてもよい。

【0012】

シースヒータは、さらに、筒状部材内において第１の絶縁管と第２の絶縁管との間に配置され、ヒータ線が挿通される第３の貫通孔を含む第３の絶縁管を含んでいてもよい。第３の絶縁管の外径は、第２の貫通孔の孔径よりも小さくてもよい。

【0013】

第３の絶縁管の少なくとも一部は、第２の貫通孔内に入り込んでいてもよい。筒状部材内に２つの第３の絶縁管が配置されていてもよい。

【0014】

本発明の一実施形態に係るステージは、シャフトと、上記シースヒータを含み、金属シースの端部は、前記シャフト内に格納されている。

【発明の効果】

【0015】

本発明の一実施形態に係るシースヒータは、端子部が高温に耐え得る構造を有する。そのため、シースヒータの耐熱性が向上する。また、本発明の一実施形態に係るステージは、耐熱性が向上したシースヒータを含むため、ステージの使用温度範囲が広がる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態に係るシースヒータのヒータの外観構成を示す模式的な平面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係るシースヒータの内部構成を示す模式的な断面図である。

【図3A】本発明の一実施形態に係るシースヒータの構成を示す模式的な断面図である。

【図3B】本発明の一実施形態に係るシースヒータの構成を示す模式的な断面図である。

【図3C】本発明の一実施形態に係るシースヒータの構成を示す模式的な断面図である。

【図4】本発明の一実施形態に係るステージの外観構成を示す模式的な斜視図である。

【図5】本発明の一実施形態に係るステージに含まれるシースヒータの配置構成を示す模式的な上面図である。

【図6】本発明の一実施形態に係るステージの内部構成を示す模式的な断面図である。

【図7】本発明の一実施形態に係るステージの内部構成を示す模式的な断面図である。

【図8】本発明の一実施形態に係るステージの内部構成を示す模式的な断面図である。

【図9】本発明の一実施形態に係るステージに含まれるシースヒータの配置構成を示す模式的な上面図である。

【図10】本発明の一実施形態に係るエッチング装置の構成を示す模式的な断面図である。

【図11】本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装置の構成を示す模式的な断面図である。

【図12】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置の構成を示す模式的な断面図である。

【図13】本発明の一実施形態に係る蒸着装置の構成を示す模式的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本出願で開示される発明の各実施形態について、図面を参照し説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な形態で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

【0018】

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。また、説明の便宜上、上方または下方という語句を用いて説明するが、上方または下方はそれぞれステージの使用時（基板載置時）における向きを示す。

【0019】

本明細書および図面において、同一または類似する複数の構成を総じて表記する際には同一の符号を用い、これら複数の構成のそれぞれを区別して表記する際には、さらに大文字のアルファベットを添えて表記する。一つの構成のうちの複数の部分をそれぞれ区別して表記する際には、同一の符号を用い、さらにハイフンと自然数を用いる。

【0020】

＜第１実施形態＞
図１～図３Ｃを参照して、本発明の一実施形態に係るシースヒータ１０について説明する。

【0021】

図１は、本発明の一実施形態に係るシースヒータ１０の外観構成を示す模式的な平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係るシースヒータ１０の内部構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図２は、図１の平面図と対応する断面図である。図３Ａ～図３Ｃは、本発明の一実施形態に係るシースヒータ１０の構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図３Ａは、図２に示されるＡ１－Ａ２線で切断されたシースヒータ１０の断面図であり、図３Ｂは、図２に示されるＢ１－Ｂ２線で切断されたシースヒータ１０の断面図であり、および図３Ｃは、図２に示されるＣ１－Ｃ２線で切断されたシースヒータ１０の断面図である。

【0022】

シースヒータ１０は、ヒータ部１００および端子部２００を含む。ヒータ部１００は、金属シース１１０、ヒータ線１２０、絶縁材１３０、第１の絶縁管１４０、および封止材１５０を含む。端子部２００は、筒状部材２１０、蓋状部材２２０、係止部材２３０、リード線２４０、接続端子２５０、圧着スリーブ２６０、第２の絶縁管２７０、および第３の絶縁管２８０を含む。なお、ヒータ部１００の一部の構成要素は、端子部２００内に入り込んでおり、以下では、端子部２００として説明する場合がある。

【0023】

ヒータ部１００において、ヒータ線１２０は、金属シース１１０内に配置されている。絶縁材１３０は、金属シース１１０とヒータ線１２０とが離間するように金属シース１１０内に充填されている。すなわち、ヒータ線１２０は、絶縁材１３０内に埋設され、金属シース１１０と電気的に絶縁されている。

【0024】

金属シース１１０の第１の端部１１１－１は開管されており、金属シース１１０の第２の端部１１１－２は、閉管されている。金属シース１１０の第１の端部１１１－１には、第１の絶縁管１４０が配置されている。金属シース１１０と第１の絶縁管１４０との間の間隙は封止材１５０によって埋められ、第１の絶縁管１４０は、金属シース１１０の第１の端部１１１－１に固定されている。

【0025】

第１の絶縁管１４０の断面形状は円形であるが、これに限られない。第１の絶縁管１４０の外径は、金属シース１１０の内径よりも小さく、第１の絶縁管１４０の一部が、金属シース１１０内に挿設されていることが好ましい。第１の絶縁管１４０は、２つの第１の貫通孔１４１を含む。金属シース１１０内において、ヒータ線１２０は折り畳まれ、ヒータ線１２０の両端は、金属シース１１０の第１の端部１１１－１から外側に延出している。換言すると、金属シース１１０の第１の端部１１１－１において、両端に相当する２本のヒータ線１２０の各々が、第１の貫通孔１４１に挿通されている。

【0026】

金属シース１１０の外径は小さく、柔軟性を有する。そのため、ヒータ部１００は、折り曲げることが可能である。また、ヒータ線１２０は金属シース１１０および絶縁材１３０によって保護されているため、ヒータ部１００は、耐衝撃性および耐腐食性に優れている。

【0027】

金属シース１１０の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上４３０Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましい。金属シース１１０の材料として、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、鉄、クロム、ニオブ、銅、もしくはモリブデンなどの金属、またはこれらの合金などを用いることができる。

【0028】

ヒータ線１２０は、発熱線および非発熱線を含む。発熱線は、電力が供給されることにより熱を発生する。一方、非発熱線は、発熱線よりも高い熱伝導率を有し、熱の発生が抑制されている。そのため、ヒータ線１２０に電力が供給されると、主に、発熱線で熱が発生する。発熱線と非発熱線との接合部は金属シース１１０内に位置し、ヒータ線１２０の非発熱線が金属シース１１０の第１の端部１１１－１から外側に延出している。発熱線の材料として、例えば、ニッケル、クロム、鉄、モリブデン、タングステン、もしくはアルミニウムなどの金属、炭素、またはこれらの合金もしくはこれらの酸化物などを用いることができる。非発熱線の材料として、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄などの金属、またはこれらの合金を用いることができる。

【0029】

絶縁材１３０は、粉末または微粒子の形状で金属シース１１０内に充填される。あるいは、絶縁材１３０は、粉末もしくは微粒子の焼結体、仮焼結体、または圧粉体の状態で、金属シース１１０内に充填されてもよい。絶縁材１３０の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上３００Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましい。絶縁材１３０の材料として、例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化ニオブ、炭化ホウ素、炭化アルミニウム、炭化シリコン、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化モリブデン、または炭化ニオブなどを用いることができる。

【0030】

第１の絶縁管１４０の材料として、例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化ニオブ、炭化ホウ素、炭化アルミニウム、炭化シリコン、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化モリブデン、または炭化ニオブなどを用いることができる。

【0031】

封止材１５０として、例えば、セラミックバインダを含むセラミック系封止剤が用いられる。セラミック系封止剤は、エポキシ系封止剤よりも耐熱性に優れる。セラミックバインダの材料として、例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化ニオブ、炭化ホウ素、炭化アルミニウム、炭化シリコン、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化モリブデン、または炭化ニオブなどを用いることができる。

【0032】

端子部２００において、筒状部材２１０は、第１の筒体２１１－１および第２の筒体２１１－２を含み、第１の筒体２１１－１と第２の筒体２１１－２とが連通された構造を有する。第１の筒体２１１－１の内径（または外径）は、第２の筒体２１１－２の内径（または外径）よりも大きい。すなわち、筒状部材２１０は、第１の筒体２１１－１と第２の筒体２１１－２とが段差状に連通された構成を有する。但し、筒状部材２１０の構成はこれに限られない。筒状部材２１０は、第１の筒体２１１－１と第２の筒体２１１－２とがテーパ状に連通された構成を有していてもよい。

【0033】

第２の筒体２１１－２の内径は、金属シース１１０の外径と略一致しており、金属シース１１０の第１の端部１１１－１が、筒状部材２１０の第２の筒体２１１－２に挿通されている。換言すると、筒状部材２１０の第２の筒体２１１－２は、金属シース１１０の第１の端部１１１－１を覆っている。筒状部材２１０の開口部（第１の筒体２１１－１側の開口部）は、蓋状部材２２０によって覆われている。第１の筒体２１１－１の外周面にはツバ部２１２が設けられており、蓋状部材２２０は、第１の筒体２１１－１の端部およびツバ部２１２によって係止されている。

【0034】

挿通された金属シース１１０の第１の端部１１１－１は、溶接またはろう付などを用いて、筒状部材２１０の第２の筒体２１１－２に接合されている。また、蓋状部材２２０は、溶接、ねじ止め、またはろう付などを用いて、ツバ部２１２と接合されている。ろう付用のろうとして、例えば、銀、銅、および亜鉛を含む合金、銅および亜鉛を含む合金、リンを微量含む銅、アルミニウムを含む合金、チタン、銅、およびニッケルを含む合金、チタン、ジルコニウム、および銅を含む合金、またはチタン、ジルコニウム、銅、およびニッケルを含む合金などを用いることができる。

【0035】

蓋状部材２２０は、開口部２２１を含む。蓋状部材２２０の開口部２２１の口径は、筒状部材２１０の第１の筒体２１１－１の開口部の口径よりも小さい。蓋状部材２２０の開口部２２１には、２本のリード線２４０が挿通されている。すなわち、リード線２４０の一端は、筒状部材２１０の内部に位置し、リード線２４０の他端は、筒状部材２１０の外側に位置する。リード線２４０の他端には、接続端子２５０が接続されている。接続端子２５０は、シースヒータ１０に電力を供給する電源と接続される。

【0036】

蓋状部材２２０の開口部を通じて筒状部材２１０の外側に延在するリード線２４０には、係止部材２３０が取り付けられている。係止部材２３０は、リード線２４０を挟持し、リード線２４０に固定されている。係止部材２３０は、蓋状部材２２０と接していてもよいが、係止部材２３０と蓋状部材２２０とは接合されていない。係止部材２３０は、例えば、セットカラーであるが、これに限られない。

【0037】

筒状部材２１０内において、ヒータ線１２０は、リード線２４０と接続されている。具体的には、ヒータ線１２０の両端の各々に、圧着スリーブ２６０を介して、リード線２４０の一端が接続される。したがって、筒状部材２１０内には、２本のリード線２４０に対応する２つの圧着スリーブ２６０が存在する。

【0038】

ヒータ線１２０は発熱などによって伸縮する場合がある。この場合、ヒータ線１２０と接続するリード線２４０が固定されていると、ヒータ線１２０の伸縮性が失われ、ヒータ線１２０が断線するおそれがある。そのため、シースヒータ１０では、上述したように、リード線２４０に固定される係止部材２３０は、蓋状部材２２０に接合されず、ヒータ線１２０の伸縮に合わせて可動する構成を有する。

【0039】

筒状部材２１０内には、第２の絶縁管２７０および２つの第３の絶縁管２８０が配置されている。第２の絶縁管２７０の断面形状は直線部を有する略楕円形であるが、これに限られない。第２の絶縁管２７０の最大外径は、筒状部材２１０の第１の筒体２１１－１の内径と略一致している。第２の絶縁管２７０は、２つの第２の貫通孔２７１を含む。２つの圧着スリーブ２６０の各々は、第２の貫通孔２７１内に配置されている。そのため、２つの圧着スリーブ２６０は、第２の絶縁管２７０の２つの第２の貫通孔２７１間の隔壁によって電気的に絶縁されている。第３の絶縁管２８０は、第１の絶縁管１４０と第２の絶縁管２７０との間に配置されている。第３の絶縁管２８０の断面形状は円形であるが、これに限られない。第３の絶縁管２８０は、少なくとも１つの第３の貫通孔２８１を含む。第３の貫通孔２８１には、第１の絶縁管１４０の第１の貫通孔１４１から延出したヒータ線１２０が挿通されている。筒状部材２１０内には２本のヒータ線１２０が延在している。第１の絶縁管１４０と第２の絶縁管２７０との間に延在する２本のヒータ線１２０の短絡を防止するため、筒状部材２１０内において、２本のヒータ線１２０の各々が第３の絶縁管２８０で覆われている。

【0040】

第３の絶縁管２８０の外径は、第２の絶縁管２７０の第２の貫通孔２７１の孔径よりも小さい。第３の絶縁管２８０の少なくとも一部は、第２の絶縁管２７０の第２の貫通孔２７１内に入り込んでいてもよい。

【0041】

筒状部材２１０および蓋状部材２２０の各々の材料として、金属シースと同様の材料を用いることができる。また、筒状部材２１０および蓋状部材２２０の各々の材料として、さらに、ステンレスなどを用いることができる。

【0042】

第２の絶縁管２７０および第３の絶縁管２８０の各々の材料として、第１の絶縁管１４０と同様の材料を用いることができる。

【0043】

以上説明したように、シースヒータ１０は、エポキシ系接着剤のような耐熱温度の低い構成要素を含まない。そのため、シースヒータ１０の耐熱性が向上する。

【0044】

シースヒータ１０は、いわゆる片端子型シースヒータである。しかしながら、シースヒータ１０の構成は、両端子型シースヒータに適用することもでき、同様の効果を奏する。

【0045】

＜第２実施形態＞
図４～図６を参照して、本発明の一実施形態に係るステージ２０について説明する。ステージ２０はシースヒータ１０を含む。そのため、以下では、第１実施形態で説明した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。

【0046】

図４は、本発明の一実施形態に係るステージ２０の外観構成を示す模式的な斜視図である。

【0047】

図４に示すように、ステージ２０は、第１の支持プレート３１０、第２の支持プレート３２０、およびシャフト３３０を含む。第１の支持プレート３１０と第２の支持プレート３２０とは重畳し、第２の支持プレート３２０は、第１の支持プレート３１０の下に設けられている。第２の支持プレート３２０は、溶接、ねじ止め、またはろう付などを用いて、第１の支持プレート３１０に接合されている。シャフト３３０は、第１の支持プレート３１０および第２の支持プレート３２０を支持するように、第２の支持プレート３２０の下に設けられている。シャフト３３０は、溶接、ねじ止め、またはろう付などを用いて、第２の支持プレート３２０に接合されている。

【0048】

第１の支持プレート３１０上には、シリコンもしくは化合物半導体などを含む半導体基板、または石英もしくはガラスなどを含む絶縁体基板が載置される。そのため、第１の支持プレート３１０の上面は、平坦面を有する。第１の支持プレート３１０の材料として、例えば、２００Ｗ／ｍＫ以上４３０Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する金属を用いることができる。第１の支持プレート３１０が熱伝導率の高い金属を含むことにより、シースヒータ１０が発する熱エネルギーを第１の支持プレート３１０に効率よく伝導することができる。また、第１の支持プレート３１０に含まれる金属は、５×１０^－６／Ｋ以上２５×１０^－６／Ｋ以下の熱膨張率を有することが好ましい。具体的には、第１の支持プレート３１０の金属として、チタン、アルミニウム、またはステンレスなどを用いることができる。

【0049】

図示しないが、第１の支持プレート３１０には、基板を固定するための静電チャック、基板とステージ２０との間にヘリウムなどの熱伝導率の高いガスを供給するための貫通孔、または液体の媒体を環流するための環流路などが設けられていてもよい。

【0050】

第２の支持プレート３２０の材料として、第１の支持プレート３１０と同様の金属を用いることができる。第２の支持プレート３２０に含まれる金属は、第１の支持プレート３１０に含まれる金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。第１の支持プレート３１０に含まれる金属と第２の支持プレート３２０に含まれる金属とが異なる場合、熱膨張率の差が１０×１０^－６／Ｋ以下となるように、それぞれの金属が選択されることが好ましい。これにより、熱膨張の違いによるステージ２０の変形が抑制されるため、ステージ２０の信頼性を向上させることができる。

【0051】

図示しないが、ステージ２０では、第２の支持プレート３２０の下に、第３の支持プレートが設けられていてもよい。第３の支持プレートは、第１の支持プレート３１０または第２の支持プレート３２０と同様の構成を含む。第３の支持プレートも、溶接、ねじ止め、またはろう付などを用いて、第２の支持プレート３２０に接合されてもよい。

【0052】

シャフト３３０は、シースヒータ１０のリード線２４０を格納するため、中空構造を有する。また、静電チャックが設けられる場合、静電チャックと接続される配線もシャフト３３０内に格納される。

【0053】

図示しないが、シャフト３３０は、回転機構と接続されていてもよい。シャフト３３０が回転機構と接続されることにより、ステージ２０をシャフト３３０の長軸を中心として回転させることができる。

【0054】

図５は、本発明の一実施形態に係るステージ２０に含まれるシースヒータ１０の配置構成を示す模式的な上面図である。図５では、説明の便宜上、第１の支持プレート３１０の図示が省略されている。また、シャフト３３０が点線で示されている。図６は、本発明の一実施形態に係るステージ２０の内部構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図６は、図５に示されるＤ１－Ｄ２線で切断されたステージ２０の断面図である。

【0055】

図５に示すように、ステージ２０は、第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２を含む。第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２は、第２の支持プレート３２０に配置されている。なお、以下では、第１のシースヒータ１０－１と第２のシースヒータ１０－２とを特に区別しない場合には、シースヒータ１０と記載して説明する。

【0056】

図６に示すように、第２の支持プレート３２０の上面には、溝３２１が設けられている。溝３２１の深さは、シースヒータ１０の外径と略同一である。具体的には、溝３２１の深さは、シースヒータ１０の外径の１００％よりも大きく１５０％以下であり、好ましくは１００％よりも大きく１２０％以下であり、特に好ましくは１００％よりも大きく１１０％以下である。第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２は、溝３２１に埋め込まれるように配置されている。

【0057】

第２の支持プレート３２０には、シャフト３３０と重畳する領域に２つの貫通孔３２２が設けられている。第２の支持プレート３２０上に配置された第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２の各々において、ヒータ部１００が折り曲げられて貫通孔３２２に挿通され、端子部２００がシャフト３３０内に格納されている。

【0058】

端子部２００の接続端子２５０は、ヒータ電源（図示せず）と接続される。リード線２４０を介して、ヒータ電源からヒータ部１００に電力が供給されると、ヒータ部１００が発熱し、第１の支持プレート３１０および第２の支持プレート３２０が加熱される。

【0059】

以上説明したように、ステージ２０は、耐熱性が向上したシースヒータ１０を含む。そのため、ステージ２０が、封止された金属シース１１０の第１の端部１１１－１をシャフト３３０内に格納する構成を有する場合においても、ステージ２０は、高温で使用することが使用することができる。すなわち、ステージ２０がシースヒータ１０を含むことにより、ステージ２０の使用温度範囲を広げることができる。また、第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２を独立して制御することができるため、ステージ２０に載置される基板の温度を均一に、かつ、精密に制御することができる。

【0060】

＜変形例１＞
図７を参照して、ステージ２０の一変形例であるステージ２０Ａについて説明する。以下では、ステージ２０Ａの構成がステージ２０の構成と同様であるとき、ステージ２０Ａの構成の説明を省略する場合がある。

【0061】

図７は、本発明の一実施形態に係るステージ２０Ａの内部構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図７は、図５に示されるＤ１－Ｄ２線で切断されたステージ２０Ａの断面図である。

【0062】

図７に示すように、第１の支持プレート３１０の下面には、溝３１１が設けられている。溝３１１の深さは、シースヒータ１０の外径と略同一である。具体的には、溝３１１の深さは、シースヒータ１０の外径の１００％よりも大きく１５０％以下であり、好ましくは１００％よりも大きく１２０％以下であり、特に好ましくは１００％よりも大きく１１０％以下である。第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２は、溝３１１に埋め込まれるように配置されている。

【0063】

溝３１１の端部は、第１の支持プレート３１０のシャフト３３０と重畳する領域内に設けられている。溝３１１の端部は、第２の支持プレート３２０の貫通孔３２２と連通している。そのため、第１の支持プレート３１０上に配置された第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２の各々において、ヒータ部１００が折り曲げられて貫通孔３２２に挿通され、端子部２００がシャフト３３０内に格納されている。

【0064】

以上説明したように、ステージ２０Ａも、耐熱性が向上したシースヒータ１０を含む。そのため、ステージ２０Ａの使用温度範囲を広げることができる。また、第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２を独立して制御することができるため、ステージ２０Ａに載置される基板の温度を均一に、かつ、精密に制御することができる。

【0065】

＜変形例２＞
図８を参照して、ステージ２０の別の変形例であるステージ２０Ｂについて説明する。以下では、ステージ２０Ｂの構成がステージ２０の構成と同様であるとき、ステージ２０Ｂの構成の説明を省略する場合がある。

【0066】

図８は、本発明の一実施形態に係るステージ２０Ｂの内部構成を示す模式的な断面図である。具体的には、図８は、図５に示されるＤ１－Ｄ２線で切断されたステージ２０Ｂの断面図である。

【0067】

図８に示すように、第１の支持プレート３１０の下面には、溝３１１Ｂが設けられている。また、第２の支持プレート３２０の上面には、溝３２１Ｂが設けられている。溝３１１Ｂの位置と溝３２１Ｂの位置とは対応している。溝３１１Ｂの深さは、溝３２１Ｂの深さと同じであってもよく、異なっていてもよい。但し、溝３１１Ｂの深さと溝３２１Ｂの深さとの和は、シースヒータ１０の外径と略同一である。具体的には、溝３１１Ｂの深さと溝３２１Ｂの深さとの和は、シースヒータ１０の外径の１００％よりも大きく１５０％以下であり、好ましくは１００％よりも大きく１２０％以下であり、特に好ましくは１００％よりも大きく１１０％以下である。第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２は、溝３１１Ｂおよび溝３２１Ｂに埋め込まれるように配置されている。

【0068】

第２の支持プレート３２０のシャフト３３０と重畳する領域内には、貫通孔３２２が設けられている。第１の支持プレート３１０と第２の支持プレート３２０の間に配置された第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２の各々において、ヒータ部１００が折り曲げられて貫通孔３２２に挿通され、端子部２００がシャフト３３０内に格納されている。

【0069】

以上説明したように、ステージ２０Ｂも、耐熱性が向上したシースヒータ１０を含む。そのため、ステージ２０Ｂの使用温度範囲を広げることができる。また、第１のシースヒータ１０－１および第２のシースヒータ１０－２を独立して制御することができるため、ステージ２０Ｂに載置される基板の温度を均一に、かつ、精密に制御することができる。

【0070】

＜変形例３＞
図９を参照して、ステージ２０のさらに別の変形例であるステージ２０Ｃについて説明する。以下では、ステージ２０Ｃの構成がステージ２０の構成と同様であるとき、ステージ２０Ｃの構成の説明を省略する場合がある。

【0071】

図９は、本発明の一実施形態に係るステージ２０Ｃに含まれるシースヒータの配置構成を示す模式的な上面図である。図９では、説明の便宜上、第１の支持プレート３１０の図示が省略されている。

【0072】

図９に示すように、ステージ２０Ｃは、第１のシースヒータ１０－１、第２のシースヒータ１０－２、第３のシースヒータ１０－３、および第４のシースヒータ１０－４を含む。第１のシースヒータ１０－１～第４のシースヒータ１０－４は、第２の支持プレート３２０上に配置されている。

【0073】

ステージ２０Ｃでは、第２の支持プレート３２０が４つに区画され、４つの区画のそれぞれに独立した４つのシースヒータ１０が配置されている。４つの区画の各々では、シースヒータ１０は、円弧を形成するようにジグザグに配置されている。第１のシースヒータ１０－１～第４のシースヒータ１０－４は、同一の配置形状を有する。また、第１のシースヒータ１０－１～第４のシースヒータ１０－４の１つを、第２の支持プレート３２０の中心を通る軸で９０度回転させると、他の１つと重畳するように配置されている。

【0074】

以上説明したように、ステージ２０Ｃも、耐熱性が向上したシースヒータ１０を含む。そのため、ステージ２０Ｃの使用温度範囲を広げることができる。また、第１のシースヒータ１０－１～第４のシースヒータ１０－４を独立して制御することができるため、ステージ２０Ｂに載置される基板の温度を区画ごとに均一に、かつ、精密に制御することができる。

【0075】

＜第３実施形態＞
図１０を参照して、本発明の一実施形態に係るエッチング装置５０について説明する。エッチング装置５０は、ステージ２０を含む。そのため、以下では、第２実施形態で説明した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。

【0076】

図１０は、本発明の一実施形態に係るエッチング装置５０の構成を示す模式的な断面図である。

【0077】

エッチング装置５０は、種々の膜に対してドライエッチングを行うことができる。エッチング装置５０は、チャンバー５０２を有している。チャンバー５０２は、基板上に形成された導電体、絶縁体、または半導体などの膜に対してエッチングを行う空間を提供する。

【0078】

チャンバー５０２には排気装置５０４が接続され、これにより、チャンバー５０２内を減圧雰囲気に設定することができる。チャンバー５０２には、さらに反応ガスを導入するための導入管５０６が設けられ、バルブ５０８を介してチャンバー５０２内にエッチング用の反応ガスが導入される。反応ガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、オクタフルオロシクロブタン（ｃ－Ｃ_４Ｆ_８）、デカフルオロシクロペンタン（ｃ－Ｃ_５Ｆ_１０）、またはヘキサフルオロブタジエン（Ｃ_４Ｆ_６）などの含フッ素有機化合物を用いることができる。

【0079】

チャンバー５０２上部には導波管５１０を介してマイクロ波源５１２を設けることができる。マイクロ波源５１２はマイクロ波を供給するためのアンテナなどを有しており、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波や、１３．５６ＭＨｚのラジオ波（ＲＦ）といった高周波数のマイクロ波を出力する。マイクロ波源５１２で発生したマイクロ波は導波管５１０によってチャンバー５０２の上部へ伝播し、石英またはセラミックなどを含む窓５１４を介してチャンバー５０２内へ導入される。マイクロ波によって反応ガスがプラズマ化し、プラズマに含まれる電子、イオン、またはラジカルによって膜のエッチングが進行する。

【0080】

チャンバー５０２下部には、基板を載置するためのステージ２０が設けられる。ステージ２０には電源５２４が接続され、高周波電力がステージ２０に与えられ、マイクロ波による電界がステージ２０の表面、基板表面に対して垂直な方向に形成される。チャンバー５０２の上部および側面には、さらに磁石５１６、磁石５１８、および磁石５２０を設けることができる。磁石５１６、磁石５１８、および磁石５２０は、永久磁石でもよく、電磁コイルを有する電磁石でもよい。磁石５１６、磁石５１８、および磁石５２０により、ステージ２０および基板表面に平行な磁界が生成される。磁界とマイクロ波による電界との連携により、プラズマ中の電子は、ローレンツ力を受けて共鳴し、ステージ２０および基板表面に束縛される。その結果、高い密度のプラズマを基板表面に発生させることができる。

【0081】

ステージ２０には、さらに、ステージ２０に設けられるシースヒータ１０を制御するヒータ電源５３０が接続される。ステージ２０には、さらに、任意の構成として、基板をステージ２０に固定するための静電チャック用の電源５２６、ステージ２０の内部に環流される媒体の温度制御を行う温度コントローラ５２８、およびステージ２０を回転させるための回転制御装置（図示せず）が接続されてもよい。

【0082】

＜第４実施形態＞
図１１を参照して、本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装置６０について説明する。ＣＶＤ装置６０は、ステージ２０を含む。そのため、以下では、第２実施形態で説明した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。

【0083】

図１１は、本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装置６０の構成を示す模式的な断面図である。

【0084】

ＣＶＤ装置６０はチャンバー６０２を有している。ＣＶＤ装置６０は、反応ガスを化学的に反応させ、種々の膜を基板上に化学的に形成する場を提供する。

【0085】

チャンバー６０２には排気装置６０４が接続され、チャンバー６０２内の圧力を低減することができる。チャンバー６０２にはさらに反応ガスを導入するための導入管６０６が設けられ、バルブ６０８を介してチャンバー６０２内に成膜用の反応ガスが導入される。反応ガスとしては、作製する膜に依存して種々のガスを用いることができる。ガスは、常温で液体でもよい。例えば、シラン、ジクロロシラン、またはテトラエトキシシランなどを用いることでシリコン、酸化ケイ素、または窒化ケイ素などの薄膜を形成することができる。また、フッ化タングステンまたはトリメチルアルミニウムなどを用いることで、タングステンまたはアルミニウムなどの金属薄膜を形成することができる。

【0086】

エッチング装置５０と同様、チャンバー６０２上部には導波管６１０を介してマイクロ波源６１２を設けてもよい。マイクロ波源６１２で発生したマイクロ波は導波管６１０によってチャンバー６０２内部へ導入される。マイクロ波によって反応ガスがプラズマ化し、プラズマに含まれる種々の活性種によってガスの化学反応が促進され、化学反応によって得られる生成物が基板上に堆積し、薄膜が形成される。任意の構成として、プラズマの密度を増大させるための磁石６４４をチャンバー６０２内に設けることができる。チャンバー６０２の下部には、ステージ２０が設けられ、基板がステージ２０上に載置された状態で薄膜の堆積を行うことができる。エッチング装置５０と同様、チャンバー６０２の側面にはさらに磁石６１６および磁石６１８を設けてもよい。

【0087】

ステージ２０には、さらに、ステージ２０に設けられるシースヒータ１０を制御するヒータ電源６３０が接続される。ステージ２０には、さらに、任意の構成として、高周波電力をステージ２０に供給するための電源６２４、静電チャック用の電源６２６、ステージ２０の内部に環流される媒体の温度制御を行う温度コントローラ６２８、およびステージ２０を回転させるための回転制御装置（図示しない）が接続されてもよい。

【0088】

＜第５実施形態＞
図１２を参照して、本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置７０について説明する。スパッタリング装置７０は、ステージ２０を含む。そのため、以下では、第２実施形態で説明した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。

【0089】

図１２は、本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置７０の構成を示す模式的な断面図である。

【0090】

スパッタリング装置７０はチャンバー７０２を有する。スパッタリング装置７０は、高速のイオンとターゲットの衝突、およびその際に発生するターゲット原子を基板上に堆積させるための場を提供する。

【0091】

チャンバー７０２にはチャンバー７０２内を減圧にするための排気装置７０４が接続される。チャンバー７０２にはアルゴンなどのスパッタリングガスをチャンバー７０２へ導入するための導入管７０６およびバルブ７０８が設けられる。

【0092】

チャンバー７０２の下部には、成膜する材料を含むターゲットを保持し、かつ陰極として機能するターゲットステージ７１０が設けられ、その上にターゲット７１２が設置される。ターゲットステージ７１０には高周波電源７１４が接続され、高周波電源７１４によってチャンバー７０２内にプラズマを発生することができる。

【0093】

チャンバー７０２の上部には、ステージ２０を設けることができる。この場合、基板がステージ２０の下に設置された状態で薄膜の形成が進行する。エッチング装置５０やＣＶＤ装置６０と同様、ステージ２０にはヒータ電源７３０が接続される。ステージ２０には、さらに、高周波電力をステージ２０に供給するための電源７２４、静電チャック用の電源７２６、温度コントローラ７２８、およびステージ２０を回転させるための回転制御装置（図示せず）が接続されてもよい。

【0094】

チャンバー７０２内で発生したプラズマによって加速されたアルゴンイオンは、ターゲット７１２に衝突し、ターゲット７１２の原子が弾き出される。弾き出された原子は、シャッター７１６が開放されている間、ステージ２０の下に設置される基板へ飛翔し、堆積する。

【0095】

本実施形態では、ステージ２０がチャンバー７０２の上部に、ターゲットステージ７１０がチャンバー７０２の下部に設置される構成が例示されるが、本実施形態はこの構成に限られず、ターゲット７１２がステージ２０の上に位置するようにスパッタリング装置７０を構成してもよい。または、基板の主面が水平面に対して垂直に配置されるようにステージ２０を設置し、それに対向するようにターゲットステージ７１０を設けてもよい。

【0096】

＜第６実施形態＞
図１３を参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着装置８０について説明する。蒸着装置８０は、ステージ２０を含む。そのため、以下では、第２実施形態で説明した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。

【0097】

図１３は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置８０の構成を示す模式的な断面図である。

【0098】

蒸着装置８０はチャンバー８０２を有する。蒸着装置８０は、蒸着源８１０における材料の蒸発、ならびに蒸発した材料を基板上へ堆積させるための空間が提供される。

【0099】

チャンバー８０２にはチャンバー８０２内を高真空にするための排気装置５０４が接続される。チャンバー８０２には、チャンバー８０２を大気圧に戻すための導入管８０６が設けられ、バルブ８０８を介して窒素またはアルゴンなどの不活性ガスがチャンバー８０２内に導入される。

【0100】

チャンバー８０２の上部には、ステージ２０を設けることができる。基板がステージ２０の下に設置された状態で材料の堆積が進行する。エッチング装置５０、ＣＶＤ装置６０、およびスパッタリング装置７０と同様、ステージ２０には、さらに、ヒータ電源８２８が接続される。ステージ２０には、さらに、任意の構成として、静電チャック用の電源８２４、温度コントローラ８２６、およびステージ２０を回転させるための回転制御装置８３０が接続されてもよい。ステージ２０は、さらに、基板と蒸着源８１０の間にメタルマスクを固定するためのマスクホルダ８１６を有してもよい。これにより、材料を堆積する領域にメタルマスクの開口部が重なるように、基板近傍にメタルマスクを配置することができる。

【0101】

蒸着源８１０がチャンバーの下側に設けられ、蒸着する材料が蒸着源８１０に充填される。蒸着源８１０には材料を加熱するためのヒータが設けられており、ヒータは制御装置８１２によって制御される。排気装置８０４を用いてチャンバー８０２内を高真空にし、蒸着源８１０を加熱して材料を気化させることで蒸着が開始される。蒸着の速度が一定になった時にシャッター８１４を開放することで、基板上において材料の堆積が開始される。

【0102】

以上、第３実施形態～第６実施形態において説明したエッチング装置５０、ＣＶＤ装置６０、スパッタリング装置７０、および蒸着装置８０には、ステージ２０が用いられる。ステージ２０を用いることで、基板を均一に加熱し、かつ、加熱温度を精密に制御することができる。そのため、エッチング装置５０、ＣＶＤ装置６０、スパッタリング装置７０、または蒸着装置８０を用いることで、特性が制御された種々の膜を基板上に均一に形成することが可能となる。また、ステージ２０では、シャフト３３０内に金属シース１１０の第１の端部１１１－１がシャフト内に格納されているため、ステージ２０の配置する位置の自由度が向上する。

【0103】

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0104】

また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと理解される。

【符号の説明】

【0105】

１０：シースヒータ、 ２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ：ステージ、 ５０：エッチング装置、 ６０：ＣＶＤ装置、 ７０：スパッタリング装置、 ８０：蒸着装置、 １００：ヒータ部、 １１０：金属シース、 １１１：端部、 １２０：ヒータ線、 １３０：絶縁材、 １４０：第１の絶縁管、 １４１：第１の貫通孔、 １５０：封止材、 ２００：端子部、 ２１０：筒状部材、 ２１１：筒体、 ２１２：ツバ部、 ２２０：蓋状部材、 ２２１：開口部、 ２３０：係止部材、 ２４０：リード線、 ２５０：接続端子、 ２６０：圧着スリーブ、 ２７０：第２の絶縁管、 ２７１：第２の貫通孔、 ２８０：第３の絶縁管、 ２８１：第３の貫通孔、 ３１０：第１の支持プレート、 ３１１、３１１Ｂ：溝、 ３２０：第２の支持プレート、 ３２１、３２１Ｂ：溝、 ３２２：貫通孔、 ３３０：シャフト、 ５０２：チャンバー、 ５０４：排気装置、 ５０６：導入管、 ５０８：バルブ、 ５１０：導波管、 ５１２：マイクロ波源、 ５１４：窓、 ５１６：磁石、 ５１８：磁石、 ５２０：磁石、 ５２４：電源、 ５２６：電源、 ５２８：温度コントローラ、 ５３０：ヒータ電源、 ６０２：チャンバー、 ６０４：排気装置、 ６０６：導入管、 ６０８：バルブ、 ６１０：導波管、 ６１２：マイクロ波源、 ６１６：磁石、 ６１８：磁石、 ６２４：電源、 ６２６：電源、 ６２８：温度コントローラ、 ６３０：ヒータ電源、 ６４４：磁石、 ７０２：チャンバー、 ７０４：排気装置、 ７０６：導入管、 ７０８：バルブ、 ７１０：ターゲットステージ、 ７１２：ターゲット、 ７１４：高周波電源、 ７１６：シャッター、 ７２４：電源、 ７２６：電源、 ７２８：温度コントローラ、 ７３０：ヒータ電源、 ８０２：チャンバー、 ８０４：排気装置、 ８０６：導入管、 ８０８：バルブ、 ８１０：蒸着源、 ８１２：制御装置、 ８１４：シャッター、 ８１６：マスクホルダ、 ８２４：電源、 ８２６：温度コントローラ、 ８２８：ヒータ電源、 ８３０：回転制御装置

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】