特開 2024-109539 表示装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024109539

(43)【公開日】2024-08-14

(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/302 20060101AFI20240806BHJP

   H05B 33/14 20060101ALI20240806BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20240806BHJP

   H10K 59/38 20230101ALI20240806BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20240806BHJP

   H10K 71/20 20230101ALI20240806BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20240806BHJP

   G02B 5/20 20060101ALI20240806BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240806BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240806BHJP

【ＦＩ】

G09F9/302 C

H05B33/14 Z

H10K59/35 553

H10K59/35 452

H10K59/38

H10K71/00

H10K71/20

H10K59/80

G02B5/20 101

G09F9/30 349B

G09F9/30 349Z

G09F9/00 342

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024012341

(22)【出願日】2024-01-30

(31)【優先権主張番号】202310102278.9

(32)【優先日】2023-02-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】523171733

【氏名又は名称】タイチョウ グァンユー テクノロジー カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100120891

【弁理士】

【氏名又は名称】林 一好

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(74)【代理人】

【識別番号】100205659

【弁理士】

【氏名又は名称】齋藤 拓也

(74)【代理人】

【識別番号】100126000

【弁理士】

【氏名又は名称】岩池 満

(74)【代理人】

【識別番号】100185269

【弁理士】

【氏名又は名称】小菅 一弘

(72)【発明者】

【氏名】シュー クオ－チェン

【テーマコード（参考）】

2H148

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

2H148BD01

2H148BD05

2H148BG01

3K107AA01

3K107AA05

3K107BB01

3K107CC04

3K107DD89

3K107EE06

3K107EE07

3K107EE22

3K107FF15

3K107GG28

5C094AA10

5C094BA23

5C094BA27

5C094CA20

5C094EC04

5C094ED03

5C094GB10

5C094JA01

5C094JA08

5G435AA03

5G435BB05

5G435GG12

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】表示装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】表示装置は、第１画素と、第２画素とを備える。第１画素は、第１の色の光を発するために用いられる。第２画素は、第１の色とは異なる第２の色の光を発するために用いられる。第１画素の輪郭及び第２画素の輪郭は、（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の色の光を発するための第１画素と、
第１の色とは異なる第２の色の光を発するための第２画素と
を備えた表示装置であって、
前記第１画素の輪郭及び前記第２画素の輪郭は、
（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は
（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす、
表示装置。

【請求項2】

前記第１画素の前記輪郭は、前記第２画素の前記輪郭と異なる、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１画素は、第１画素ユニットと、第２画素ユニットとを有し、前記第１画素ユニットの輪郭は前記第２画素ユニットの輪郭と異なる、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１画素ユニットは、第１行目に位置し、前記第２画素ユニットは前記第１行目と隣り合う第２行目に位置する、請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１画素は、前記第２行目と隣り合う第３行目に位置する第３画素ユニットを有し、前記第１画素ユニットと前記第３画素ユニットとの間の第１距離は前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットとの間の第２距離に等しい、請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第３画素ユニットの輪郭は、前記第１画素ユニットの前記輪郭と同じである、請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第２画素は、前記第１行目に位置する第４画素ユニットと、前記第２行目に位置する第５画素ユニットとを有し、前記第４画素ユニットの輪郭は前記第５画素ユニットの輪郭と同じである、請求項４に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１画素のサイズは、前記第２画素のサイズと異なる、請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１画素の上に設けられた第１フィルタ層をさらに備え、
前記第１フィルタ層の輪郭は、
（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は
（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第２画素の上に設けられ、輪郭は前記第１フィルタ層の前記輪郭と異なる第２フィルタ層をさらに備える、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第１画素の前記輪郭を画定するための画素定義層をさらに備え、
前記画素定義層の開口部の輪郭は、
（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は
（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項12】

前記第１画素は、複数の画素ユニットを備え、任意の隣り合う２つの画素ユニット間の距離は等しい、請求項１に記載の表示装置。

【請求項13】

第１の色の光を発するための第１画素を形成する手順と、
第１の色とは異なる第２の色の光を発するための第２画素を形成する手順と
を含む表示装置の製造方法であって、
前記第１画素の輪郭及び前記第２画素の輪郭は、
（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は
（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす、
表示装置の製造方法。

【請求項14】

基板を用意する手順と、
前記基板上に誘電体層を形成する手順と、
前記誘電体層をパターニングして、前記第１画素の前記輪郭及び前記第２画素の前記輪郭を画定するための画素定義層を形成する手順とをさらに含み、
前記画素定義層の開口部の輪郭は、
（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は
（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす、
請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記第１画素の上に第１フィルタ層を形成する手順をさらに含み、
前記第１フィルタ層の輪郭は、
（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は
（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす、
請求項１３に記載の方法。

【請求項16】

前記第２画素の上に輪郭は前記第１フィルタ層の前記輪郭と異なる第２フィルタ層を形成する手順をさらに含む、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記第１画素の前記輪郭は、前記第２画素の前記輪郭と異なる、請求項１３に記載の方法。

【請求項18】

前記第１画素は、第１画素ユニットと、第２画素ユニットとを有し、前記第１画素ユニットの輪郭は前記第２画素ユニットの輪郭と異なる、請求項１３に記載の方法。

【請求項19】

前記第１画素ユニットは、第１行目に位置し、前記第２画素ユニットは前記第１行目と隣り合う第２行目に位置する、請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前記第１画素のサイズは、前記第２画素のサイズと異なる、請求項１３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置に関し、特に、特定の輪郭を有する画素を含む表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

光学部品層を含む表示装置は、多くの電子デバイスに広く使用されており、近年、表示装置の大型化が求められている。しかしながら、表示装置の製造方法において、発光効率が悪い工程が存在する。実際、この分野で認められた課題の１つは、表示装置の発光効率を向上させることである。したがって、表示装置業界は、上記の課題を解決する方法を模索している。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

表示装置であって、第１画素と、第２画素とを備える。第１画素は、第１の色の光を発するために用いられる。第２画素は、第１の色とは異なる第２の色の光を発するために用いられる。第１画素の輪郭及び第２画素の輪郭は、（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす。

【0004】

表示装置の製造方法は、第１画素を形成する手順と、第２画素を形成する手順とを含む。第１画素は、第１の色の光を発するために用いられる。第２画素は、第１の色とは異なる第２の色の光を発するために用いられる。第１画素の輪郭及び第２画素の輪郭は、（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1A】特定の実施形態に係る表示装置の上面図である。

【図1B】特定の実施形態に係る図１Ａに示す表示装置のＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

【図2A】特定の実施形態に係る表示装置の上面図である。

【図2B】特定の実施形態に係る図２Ａに示す表示装置のＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。

【図3】特定の実施形態に係る表示装置の上面図である。

【図4A】本開示の特定の実施形態に係る方法の異なる製造段階にある表示装置を示す図である。

【図4B】本開示の特定の実施形態に係る方法の異なる製造段階にある表示装置を示す図である。

【図4C】本開示の特定の実施形態に係る方法の異なる製造段階にある表示装置を示す図である。

【図4D】本開示の特定の実施形態に係る方法の異なる製造段階にある表示装置を示す図である。

【図4E】本開示の特定の実施形態に係る方法の異なる製造段階にある表示装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

以下の開示内容は、本出願の異なる特徴を実施するための多くの異なる実施形態又は例を提供する。本出願の開示内容を単純化するため、構成要素及び配置の具体的実施例を以下に説明する。当然、これらは単なる例であり、本出願に対する限定を企図するものではない。例えば以下に第２の特徴の上又は上方に第１の特徴を形成という描写は、直接的に接触する第１の特徴と第２の特徴を形成する実施形態を含み得、第１の特徴と第２の特徴との間に他の特徴を形成する実施形態を含んでもよく、したがって、第１の特徴と第２の特徴が直接接触することはない。また、本出願は、様々な例において図面の要素の符号及び／又は英字を繰り返すことができる。この繰り返しは、単純化及び明確化を意図しており、かつ異なる実施例及び／又は論述する構成間の関係を表すものではない。

【0007】

また、本出願において「……の下に」、「……より低い」、「……比較的低い」、「……より高い」、「……比較的高い」などのような、空間的に相対的な用語が、図面に示す１つの要素又は特徴部分と他の要素又は特徴部分との関係についての説明を容易にするために用いられる。空間的に相対的な用語は、図面に描かれている方位に加えて、使用時又は操作時における装置の別の方位も含むものである。装置は、これ以外に配向されることもあり（９０°又は他の方位に回転することもあり）、この場合には、本出願において用いられている空間的に相対的な用語も、これに応じて解釈される。

【0008】

本開示の広い範囲を示す数値範囲及びパラメータは、概数値であるが、具体的実施例内の関連数値をできる限り正確に提示されている。ただし、一部の数値には、それぞれのテスト測定で見つかった標準偏差に必然的に起因する誤差が含まれている場合がある。また、本明細書で使用される場合、「約」という用語は、一般に、所与の値又は範囲の±１０％、±５％、±１％、又は±０．５％以内を意味する。若しくは、当業者によって一般的に理解されるように、「約」という用語は、平均値の許容可能な標準誤差内を意味する。操作／動作の実施例を除いて、又は特に明記されていない限り、数値範囲、量、値及び百分率（例えば本明細書に開示されている材料の数量、持続時間、温度、操作条件、量の比率及びそれらに準じるものなど）は、全ての場合において、「約」という用語で修飾されると理解される。したがって、反対に示されない限り、本開示及び特許請求の範囲に記載された数値パラメータは、変動し得る概数値である。少なくとも、報告された有効桁数に照らして、通常の丸め手法を使用することにより、各数値パラメータを理解すべきである。範囲は、本明細書では、一方の端点から他方の端点まで、又は２つの端点の間として表すことができる。本明細書で示される範囲は、別段の明示的な指定がない限り、端点を含む。

【0009】

図１Ａは、特定の実施形態に係る表示装置１００ａの上面図である。

【0010】

いくつかの実施形態において，表示装置１００ａは、画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａを備えることができる。画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａは行方向（例えばＸ方向）に沿って交互に繰り返し並べられ得る。いくつかの実施形態において、第１行目の画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａは、それぞれ第２行目の画素１２１ａ、１２２ａ及び／又は１２３ａからＸ方向にずれされ得る。第１行目の画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａは、第３行目の画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａとそれぞれＹ方向に整列する。いくつかの実施形態において、画素１２１ａは、第１の色を発するよう構成され、画素１２２ａは第２の色を発するよう構成され、画素１２３ａは第３の色を発するよう構成される。いくつかの実施形態において、第１の色は緑色光（例えば波長が５００ｎｍ～５８０ｎｍの光）を含み、第２の色は赤色光（例えば波長が６２０ｎｍ～７８０ｎｍの光）を含み、第３の色は青色光（例えば波長が４００ｎｍ～５００ｎｍの光）を含む。

【0011】

いくつかの実施形態において、画素１２１ａの輪郭（ｐｒｏｆｉｌｅ）は円形を含み得る。いくつかの実施形態において、画素１２２ａの輪郭は、円形を含み得る。いくつかの実施形態において、画素１２３ａの輪郭は、円形を含み得る。

【0012】

いくつかの実施形態において、画素１２１ａは、第１行目、第３行目及び第２行目に位置する画素ユニット１２１１、１２１２、１２１３を含み得る。いくつかの実施形態において、任意の隣り合う２つの画素ユニットの距離は、実質的に等しい。いくつかの実施形態において、任意の隣り合う２つの画素ユニットは、隣り合う行に位置し得る。例えば、画素ユニット１２１１と画素ユニット１２１２との間には距離Ｄ１がある。画素ユニット１２１２と画素ユニット１２１３との間には距離Ｄ１がある。画素ユニット１２１１と画素ユニット１２１３との間には距離Ｄ１がある。いくつかの実施形態において、画素１２２ａの任意の隣り合う２つの画素ユニット（図示せず）間の距離は、実質的に等しい。いくつかの実施形態において、画素１２３ａの任意の隣り合う２つの画素ユニット（図示せず）間の距離は、実質的に等しい。

【0013】

図１Ｂは、特定の実施形態に係る図１Ａに示す表示装置１００ａのＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

【0014】

いくつかの実施形態において、表示装置１００ａは、基板１１０と、画素定義層１３０と、平坦化層１４０と、充填層１５０と、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃと、フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃと、カバープレート１８０とをさらに備える。

【0015】

いくつかの実施形態において、基板１１０は、基材（図示せず）と、誘電体層（図示せず）と、基材上又は基材内に設けられた１つ以上の回路（図示せず）とを備える。いくつかの実施形態において、基材は透明基材であるか、或いは少なくとも一部が透明である。いくつかの実施形態において、基材は非可撓性基材であり、基材の材料にはガラス、石英、低温ポリシリコン（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）又は他の適切な材料が含まれ得る。いくつかの実施形態において、基材は可撓性基材であり、基材の材料には透明なエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、メタクリル酸メチル又は他の適切な材料が含まれ得る。誘電体層は、必要に応じて基材上に設けることができる。いくつかの実施形態において、誘電体層には、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ又は他の適切な材料が含まれ得る。

【0016】

いくつかの実施形態において、回路は、相補型金属酸化膜半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌーｏｘｉｄｅーｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ＣＭＯＳ）回路を含み得るか、又は複数のトランジスタ及びトランジスタに近い複数のコンデンサを含んでもよく、トランジスタ及びコンデンサは誘電体層上に形成される。いくつかの実施形態において、トランジスタは、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）である。各トランジスタは、ソース／ドレイン領域（少なくとも１つのソース領域及びドレイン領域を含む）と、ソース／ドレイン領域間に介在するチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）領域と、チャネル領域の上に設けられたゲート電極と、チャネル領域とゲート電極との間に介在するゲート絶縁体とを備える。トランジスタのチャネル領域は、例えばケイ素或いは第ＩＶ族若しくは第ＩＩＩ族及び第Ｖ族から選択される他の元素などの半導体材料で作製され得る。

【0017】

いくつかの実施形態において、基板１１０は、層間誘電体構造及び第１金属層等の構成要素を含む。層間誘電体構造は、回路又はトランジスタ上に設けられる。第１金属層などの線路層は、画素１２１ａ、１２２ａ及び／又は１２０ｃに電気的に接続するために用いられることができる。

【0018】

画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａは、基板１１０上に設けられる。いくつかの実施形態において、画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａは、各々有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、マイクロ発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ或ｍｉｎｉ ＬＥＤ）、量子ドット発光ダイオード（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ＬＥＤ、ＱＬＥＤ）又は他の適切な画素であり得る。

【0019】

いくつかの実施形態において、画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａは、各々電極１２０１、キャリア注入層１２０２、キャリア輸送層１２０３、発光層１２０４、キャリア輸送層１２０５及び電極１２０６を含み得る。

【0020】

電極１２０１は、基板１１０の表面に設けられる。各電極１２０１は、一側が基板１１０に埋め込まれたか電気的に接続された回路に接続され、他側がキャリア注入層１２０２に接続するよう構成される。電極１２０１は、例えばＡｇ、Ｍｇなどの金属材料を含む。いくつかの実施形態において、電極１２０１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）又は他の適切な材料を含む。

【0021】

キャリア注入層１２０２は、電極１２０１上に設けられる。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１２０２は、正孔注入に用いられる。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１２０２は、電子注入に用いられる。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１２０２は、画素定義層１３０と接触する。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１２０２は、有機化合物を含む。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１２０２は、複合構造である。

【0022】

キャリア輸送層１２０３は、キャリア注入層１２０２上に設けられる。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０３は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）である。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０３は、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）である。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０３は、画素定義層１３０と接触する。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０３は、有機化合物を含む。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０３は、電子又は正孔を一方向に（例えば電極１２０１から電極１２０６に向かって）輸送する特性を有する。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０３は、複合構造である。

【0023】

発光層１２０４（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ，ＥＭＬ）は、キャリア輸送層１２０３上に設けられる。発光層１２０４は、キャリア輸送層１２０３を完全に覆ってもよい。いくつかの実施形態において、画素１２１ａ、画素１２２ａ及び画素１２３ａの発光層１２０４は、異なる波長帯にある光の波長を発するため、異なる材料を含む。例えば画素１２２ａの発光層１２０４は、第１の色を発するように構成され、画素１２１ａの発光層１２０４は第２の色を発するように構成され、画素１２３ａの発光層１２０４は第３の色を発するように構成される。

【0024】

キャリア輸送層１２０５は、発光層１２０４上に設けられる。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０５は、電子輸送層である。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０５は、正孔輸送層である。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０５及びキャリア輸送層１２０３は、逆的価数状態で構成される。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１２０５は、複合構造である。

【0025】

電極１２０６は、キャリア輸送層１２０５上に設けられる。電極１２０６は、Ａｇ、Ｍｇなどの金属材料を含む。いくつかの実施形態において、電極１２０６は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）又は他の適切な材料を含む。

【0026】

画素定義層１３０は、２つの画素（例えば画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａ）間に設けられる。画素定義層１３０の開口部は、上記画素の発光面積及び／又は輪郭を定義するために用いられることができる。いくつかの実施形態において、画素定義層１３０は、光吸収率が８５％以上、例えば８５％、８８％、９０％、９３％、９５％、９７％、９８％又は９９％であり得る光吸収材料を含む。いくつかの実施形態において、画素定義層１３０は、光透過率が８５％以上、例えば８５％、８８％、９０％、９３％、９５％、９７％、９８％又は９９％であり得る光透過性材料を含む。画素定義層１３０は、誘電体材料を含み得る。

【0027】

いくつかの実施形態において、画素定義層１３０の開口部の輪郭は、円形を含む。いくつかの実施形態において、画素定義層１３０の開口部は、電極１２０１、キャリア注入層１２０２、キャリア輸送層１２０３、発光層１２０４、キャリア輸送層１２０５及び／又は電極１２０６を収容するために用いられ得る。

【0028】

いくつかの実施形態において、電極１２０１、キャリア注入層１２０２、キャリア輸送層１２０３、発光層１２０４、キャリア輸送層１２０５及び／又は電極１２０６の輪郭は、円形を含んでもよい。

【0029】

平坦化層１４０は、基板１１０上に設けられる。平坦化層１４０は、画素１２１ａ、画素１２２ａ、画素１２３ａ及び画素定義層１３０を覆い、平坦な上面を提供する。平坦化層１４０は、酸化物、窒化物又は他の誘電体材料を含み得る。

【0030】

充填層１５０は、平坦化層１４０上に設けられる。充填層１５０は、ほぼ透明な材料、例えば樹脂又は他の適切な材料を含み、任意の充填物を含んでもよい。充填層１５０の光透過率は８５％以上、例えば８５％、８８％、９０％、９３％、９５％、９７％、９８％又は９９％であってもよい。

【0031】

いくつかの実施形態において、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、充填層１５０内に設けられる。光学部品層１６０ａは、画素１２１ａ上に設けられ、画素１２１ａと縦方向に整列される。光学部品層１６０ｂは、画素１２２ａ上に設けられ、画素１２２ａと縦方向に整列される。光学部品層１６０ｃは、画素１２３ａ上に設けられ、画素１２３ａと縦方向に整列される。いくつかの実施形態において、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、画素から発せられる光の光路（ｌｉｇｈｔ ｐａｔｈ）を変更するように構成される。いくつかの実施形態において、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、レンズ（ｌｅｎｓ）又は他の適切な部品を備える。いくつかの実施形態において、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、基板１１０に向けて突出する輪郭を有する。いくつかの実施形態において、上面図で光学部品層１６０ａ、光学部品層１６０ｂ及び／又は光学部品層１６０ｃは、それぞれ画素１２１ａ、１２２ａ及び／又は１２３ａと実質的に同じ輪郭を有し得る。いくつかの実施形態において、上面図で光学部品層１６０ａ、光学部品層１６０ｂ及び／又は光学部品層１６０ｃの輪郭は、円形を含み得る。

【0032】

図１Ｂに示すように、フィルタ層１７０ａは、光学部品層１６０ａ上に設けられ、光学部品層１６０ａと縦方向に整列される。フィルタ層１７０ｂは、光学部品層１６０ｂ上に設けられ、光学部品層１６０ｂと縦方向に整列される。フィルタ層１７０ｃは、光学部品層１６０ｃ上に設けられ、光学部品層１６０ｃと縦方向に整列される。フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃは、各々異なる波長帯の光を通過させることができる。例えばフィルタ層１７０ａは、緑色光（例えば波長が５００ｎｍ～５８０ｎｍの光）を通過させることができ、フィルタ層１７０ｂは赤色光（例えば波長が６２０ｎｍ～７８０ｎｍの光）を通過させることができる、フィルタ層１７０ｃは青色光（例えば波長が４００ｎｍ～５００ｎｍの光）を通過させることができる。いくつかの実施形態において、上面図でフィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び／又は１７０ｃは、それぞれ画素１２１ａ、１２２ａ及び／又は１２３ａと実質的に同じ輪郭を有し得る。いくつかの実施形態において、フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃを除去することができる。

【0033】

カバープレート１８０は、フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃ上に設けられる。いくつかの実施形態において、カバープレート１８０は、ほぼ透明な構成要素、例えばガラス又は他の適切な構成要素を備える。

【0034】

本開示の実施形態において、画素定義層１３０の開口部の輪郭、画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａの輪郭は円形であり得る。画素定義層１３０の開口部を画定する際、画素定義層１３０の開口部の輪郭が（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす場合、画素定義層１３０の張力を比較的適切な範囲に維持することができ、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程の誤差により画素定義層１３０で形成される輪郭と所望の輪郭に差異が生じたことで、画素１２１ａ、１２２ａ及び１２３ａのサイズが異なることになることを低減できる。

【0035】

図２Ａは、特定の実施形態に係る表示装置１００ｂの上面図である。表示装置１００ｂは、表示装置１００ａに似ることができるが、相違点は下記の通りである。

【0036】

いくつかの実施形態において、表示装置１００ｂは、画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂを含み得る。いくつかの実施形態において、画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂは、異なる輪郭を有し得る。いくつかの実施形態において、画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂは、異なるサイズ（ｓｉｚｅ）を有してもよい。いくつかの実施形態において、画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂは、異なる表面積（ｓｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ）を有してもよい。

【0037】

いくつかの実施形態において、画素１２１ｂは、楕円形の輪郭を有し得る。いくつかの実施形態において、画素１２１ｂの長軸Ｌ１と短軸Ｌ２の長さの比が１以上１．２５未満であり、例えば１、１．０５、１．１、１．５、１．２、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４或いは１．２４５である。画素１２１ｂは、画素ユニット１２１４、画素ユニット１２１５及び画素ユニット１２１６を有し得る。画素ユニット１２１４は、第１行目に位置することができる。画素ユニット１２１５は、第２行目に位置していてもよい。画素ユニット１２１６は、第３行目に位置していてもよい。いくつかの実施形態において、画素ユニット１２１４の輪郭は、画素ユニット１２１５の輪郭と異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、画素ユニット１２１４の輪郭は、画素ユニット１２１６の輪郭と同じであってもよい。いくつかの実施形態において、画素ユニット１２１４と画素ユニット１２１５の輪郭は、実質的に互いに鏡映し得る。例えば画素ユニット１２１４の輪郭は、Ｙ軸を回転軸として１８０度回転した後で、画素ユニット１２１５の輪郭が得られる。画素１２２ｂは、画素１２２１及び画素１２２２を有し得る。画素１２２１は、第１行目に位置していてもよい。画素１２２２は、第２行目に位置していてもよい。いくつかの実施形態において、画素１２２１の輪郭は、画素１２２２の輪郭と同じであってもよい。

【0038】

画素ユニット１２１４と画素ユニット１２１６との間に距離Ｄ２があってもよい。隣り合う２つの画素１２２ｂは、距離Ｄ３を有し得る。隣り合う２つの画素１２３ｂは、距離Ｄ４を有し得る。画素ユニット１２１４と画素ユニット１２１５との間に距離Ｄ５があってもよい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ２は、距離Ｄ３と等しくなくてもよい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ３は、距離Ｄ４と等しくなくてもよい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ２は、距離Ｄ４と等しくなくてもよい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ２は距離Ｄ５に等しくてもよい。

【0039】

図２Ｂは、特定の実施形態に係る図２Ａに示す表示装置のＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。

【0040】

いくつかの実施形態において、上面図で画素定義層１３０の開口部は、楕円形及び／又は円形の輪郭を画定することができる。画素定義層１３０の開口部の長軸と短軸の長さの比が１以上１．２５未満であり、例えば１、１．０５、１．１、１．５、１．２、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４又は１．２４５である。

【0041】

光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、各々画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂと同じ輪郭を有し得る。光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、各々画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂと同じサイズを有し得る。いくつかの実施形態において、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、異なる輪郭を有してもよい。いくつかの実施形態において、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ及び１６０ｃは、異なるサイズを有してもよい。いくつかの実施形態において、上面図で光学部品層１６０ａの長軸と短軸の長さの比が１以上１．２５未満であり、例えば１、１．０５、１．１、１．５、１．２、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４又は１．２４５である。

【0042】

フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃは、各々画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂと同じ輪郭を有し得る。フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃは、画素１２１ｂ、１２２ｂ及び１２３ｂと同じサイズを有してもよい。いくつかの実施形態において、フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃは、異なる輪郭を有してもよい。いくつかの実施形態において、フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ及び１７０ｃは、異なるサイズを有してもよい。いくつかの実施形態において、上面図でフィルタ層１７０ａの長軸と短軸の長さの比が１以上１．２５未満であり、例えば１、１．０５、１．１、１．５、１．２、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４又は１．２４５である。

【0043】

本実施形態において、画素１２１ａは、楕円形の輪郭を有し得、長軸と短軸の長さの比が１以上１．２５未満の場合、画素定義層１３０の張力を比較的適切な範囲に維持することができ、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程の誤差により画素定義層１３０で形成される輪郭と所望の輪郭に生じる差異を低減できる。

【0044】

図３は、特定の実施形態に係る表示装置１００ｃの上面図である。表示装置１００ｃは、表示装置１００ａに似ることができるが、相違点は下記の通りである。

【0045】

いくつかの実施形態において、表示装置１００ｃは、画素１２１ｃ、１２２ｃ及び１２３ｃを含み得る。いくつかの実施形態において、画素１２１ｃ、１２２ｃ及び１２３ｃの輪郭は、多角形であってもよい。いくつかの実施形態において、画素１２１ｃ、１２２ｃ及び１２３ｃの輪郭は、正六角形であってもよい。その他の実施形態において、画素１２１ｃ、１２２ｃ及び１２３ｃの輪郭は、五角形、八角形、十角形、及び十二角形を含み得る。いくつかの実施形態において、画素１２１ｃ、１２２ｃ及び１２３ｃは、辺１２２ｅ１及び辺１２２ｅ２を有し得る。いくつかの実施形態において、辺１２２ｅ１及び辺１２２ｅ２の長さは、同じであってもよい。いくつかの実施形態において、辺１２２ｅ１及び辺１２２ｅ２の長さは、異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、辺１２２ｅ１は、長辺（或いは最長の辺）、辺１２２ｅ２は短辺（或いは最短の辺）であり得、辺１２２ｅ１と辺１２２ｅ２の長さの比が１以上１．２５未満であり、例えば１、１．０５、１．１、１．５、１．２、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４又は１．２４５である。

【0046】

本実施形態において、画素１２１ｃ、１２２ｃ及び１２３ｃは、多角形の輪郭を有し得、長辺と短辺の長さの比が１以上１．２５未満の場合、画素定義層１３０の張力を比較的適切な範囲に維持することができ、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程の誤差により画素定義層１３０で形成される輪郭と所望の輪郭に生じる差異を低減できる。

【0047】

図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ及び図４Ｅは、本開示の特定の実施形態に係る方法の異なる製造段階にある表示装置を示す。

【0048】

図４Ａに示すように、基板１１０を用意する。

【0049】

図４Ｂに示すように、複数の電極１２０１を基板１１０上に形成する。電極１２０１は、気相成長、スパッタリング、原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、熱蒸着、コーティング又はジェッティング（ｊｅｔｔｉｎｇ）により基板１１０上に形成され、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によりパターニングされ得る。

【0050】

図４Ｃに示すように、電極１２０１及び基板１１０を覆うように誘電体層１３１を形成する。

【0051】

図４Ｄに示すように、誘電体層１３１をパターニングするため、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を含むパターニング工程Ｐ１を実行する。フォトリソグラフィ工程は、誘電体層１３１上にフォトレジスト（図示せず）を形成すること、レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）を通して誘電体層１３１を露光すること、フォトレジストを画定するパターンを現像することを含み、エッチング工程を実行して、一部の誘電体層１３１を除去して画素定義層１３０を形成する。いくつかの実施形態において、画素定義層１３０の開口部の輪郭は、（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす。

【0052】

図４Ｅを参照すると、キャリア注入層１２０２、キャリア輸送層１２０３、発光層１２０４、キャリア輸送層１２０５、電極１２０６、平坦化層１４０、充填層１５０、光学部品層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃ、フィルタ層１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃ及びカバープレート１８０を形成することにより、図１Ｂに示す表示装置１００ａを得ることができる。

【0053】

比較例において、画素定義層の開口部の輪郭の最長辺の長さと最短辺の長さの比（又は長軸の長さと短軸の長さの比）が、１．２５以上（例えば長方形）であり、誘電体層を露光するときに、工程誤差が大きい場合、誘電体層の張力が比較的高いため、画素定義層の輪郭が変形する可能性がある。本開示の実施形態において、画素定義層１３０の開口部の輪郭は、（１）長軸の長さと短軸の長さの比が１以上１．２５未満であること、又は（２）最長辺の長さと最短辺の長さの比が１以上１．２５未満であることを満たす場合、誘電体層１３１を露出させる工程に起因する誤差による誘電体層１３１の輪郭の変形を減らすことができる。

【0054】

上記は、いくつかの実施形態の特徴を概説したため、当業者が本開示の各態様をよりよく理解できる。本開示に基づいて他の製造工程及び構造を設計又は潤色して容易に本出願に記載された実施形態と同じ目的を達成し、及び／又は同じ利点を達成できることは当業者には明白になるであろう。当業者はまた、この均等な構造が本開示の精神及び範囲から逸脱せず、多種多様な変化、置換及び代替を行うことができるが、本開示の精神及び範囲に収まることを理解すべきである。

【0055】

次に、本出願の範囲は、本明細書に記載されるプロセス、機械、製造、物質組成、構成要素、方法、及びステップの具体的実施形態に限定されない。本開示の開示内容から、当業者には、本開示に従って本明細書に記載された対応する実施形態と実質的に同じ機能を実行するか又は実質的に同じ結果を達成できる既存の、或いは将来開発されるプロセス、機械、製造物、物質組成、構成要素、方法、又はステップを使用できることが容易に明らかになるであろう。したがって、かかるプロセス、機械、製造、物質組成、構成要素、方法、及びステップは、本出願の特許範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0056】

１００ａ 表示装置
１００ｂ 表示装置
１００ｃ 表示装置
１１０ 基板
１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ 画素
１２１１、１２１２、１２１３、１２１４、１２１５、１２１６ 画素ユニット
１２１ｅ１、１２１ｅ２ 辺
１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ 画素
１２２１、１２２２ 画素ユニット
１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ 画素
１２０１ 電極
１２０２ キャリア注入層
１２０３ キャリア輸送層
１２０４ 発光層
１２０５ キャリア輸送層
１２０６ 電極
１３０ 画素定義層
１３１ 誘電体層
１４０ 平坦化層
１５０ 充填層
１６０ａ 光学部品層
１６０ｂ 光学部品層
１６０ｃ 光学部品層
１７０ａ フィルタ層
１７０ｂ フィルタ層
１７０ｃ フィルタ層
１８０ カバープレート
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５ 距離
Ｌ１ 長軸
Ｌ２ 短軸

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】