特開 2024-110386 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024110386

(43)【公開日】2024-08-15

(54)【発明の名称】太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0224 20060101AFI20240807BHJP

【ＦＩ】

H01L31/04 260

【審査請求】有

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023169004

(22)【出願日】2023-09-29

(31)【優先権主張番号】202310107821.4

(32)【優先日】2023-02-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】519095522

【氏名又は名称】ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド

(71)【出願人】

【識別番号】512083920

【氏名又は名称】晶科能源股分有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＪＩＮＫＯ ＳＯＬＡＲ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１，Ｊｉｎｋｏ Ｒｏａｄ， Ｓｈａｎｇｒａｏ Ｅｃｏｎｏｍｉｃ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ Ｊｉａｎｇｘｉ ３３４１００ ＣＮ

(74)【代理人】

【識別番号】100199819

【弁理士】

【氏名又は名称】大行 尚哉

(74)【代理人】

【識別番号】100087859

【弁理士】

【氏名又は名称】渡辺 秀治

(72)【発明者】

【氏名】王浩

(72)【発明者】

【氏名】リ ウン チー

(72)【発明者】

【氏名】余丁

(72)【発明者】

【氏名】呉佳豪

(72)【発明者】

【氏名】劉旭

【テーマコード（参考）】

5F251

【Ｆターム（参考）】

5F251AA02

5F251AA16

5F251CB12

5F251CB13

5F251CB20

5F251CB24

5F251CB27

5F251CB29

5F251DA03

5F251FA06

5F251FA10

5F251FA17

5F251GA04

5F251GA15

5F251JA02

5F251JA03

5F251JA04

5F251JA05

(57)【要約】      （修正有）

【課題】本発明は、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールを開示する。
【解決手段】太陽電池は、シリコン基板と、第１電極と、第２電極と、を含み、前記シリコン基板のうちの一方の表面には、前記シリコン基板から離れた方向に沿ってトンネル酸化層が設けられており、前記トンネル酸化層の前記シリコン基板から離れた側には、少なくとも２層のポリシリコンドーピング層が設けられ、隣接する前記ポリシリコンドーピング層間には、バリア層が設けられており、複数本の前記第１電極が異なる前記ポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている。本発明は、ポリシリコン層の総厚さを低減するだけでなく、薄いポリシリコン層は、寄生吸収を下げ、短絡電流を高め、また、バリア層によってペーストがトンネル酸化層を溶落ちするリスクを防止するとともに、金属再結合を減らし、太陽電池の開放電圧を高め、ひいては太陽電池の光電変換効率を高める。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

シリコン基板と、第１電極と、第２電極と、を含み、
前記シリコン基板のうちの一方の表面には、前記シリコン基板から離れた方向に沿ってトンネル酸化層が設けられており、前記トンネル酸化層の前記シリコン基板から離れた側には、少なくとも２層のポリシリコンドーピング層が設けられ、隣接する前記ポリシリコンドーピング層間には、バリア層が設けられており、複数本の前記第１電極が異なる前記ポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている、
ことを特徴とする太陽電池。

【請求項2】

前記シリコン基板に近い前記ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度が前記シリコン基板から遠い前記ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度より小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。

【請求項3】

少なくとも２層の前記ポリシリコンドーピング層は、第１ポリシリコンドーピング層と、第２ポリシリコンドーピング層と、第３ポリシリコンドーピング層と、を含み、前記第１ポリシリコンドーピング層と前記第２ポリシリコンドーピング層の間に第１バリア層を有し、前記第２ポリシリコンドーピング層と第３ポリシリコンドーピング層の間に第２バリア層を有し、ここで、前記第１ポリシリコンドーピング層が前記トンネル酸化層に近い側に位置し、前記第３ポリシリコンドーピング層が前記トンネル酸化層から遠い側に位置し、
前記第１ポリシリコンドーピング層には、リンがドープされており、前記第２ポリシリコンドーピング層と前記第３ポリシリコンドーピング層には、それぞれリン、及び炭素又は窒素がドープされている、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。

【請求項4】

前記第１電極は、第１サブ電極と、第２サブ電極と、を含み、前記第１サブ電極が前記第３ポリシリコンドーピング層に電気的に接続され、前記第２サブ電極が前記第１ポリシリコンドーピング層及び／又は前記第２ポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【請求項5】

前記第１ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度は、前記第２ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度より小さく、前記第２ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度は、前記第３ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度より小さい、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【請求項6】

前記第２ポリシリコンドーピング層と前記第３ポリシリコンドーピング層における炭素と窒素のドーピング比率は、５ｗｔ％未満である、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【請求項7】

前記第１ポリシリコンドーピング層と前記第３ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度の比は、０．４～１である、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【請求項8】

前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１ポリシリコンドーピング層、前記第２ポリシリコンドーピング層及び前記第３ポリシリコンドーピング層の総厚さは、７０ｎｍを超えない、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【請求項9】

前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１ポリシリコンドーピング層、前記第２ポリシリコンドーピング層及び／又は前記第３ポリシリコンドーピング層の厚さの範囲は、５ｎｍ～４０ｎｍである、
ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。

【請求項10】

前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１バリア層と前記第２バリア層の厚さの範囲は、それぞれ０．５ｎｍ～２．５ｎｍである、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【請求項11】

前記シリコン基板はベースエリアとエミッタを含み、前記エミッタが前記ベースエリアの前記トンネル酸化層から離れた側に位置し、前記エミッタの前記ベースエリアから離れた側にパッシベーション層が設けられ、
前記第２電極が前記パッシベーション層を貫通して前記エミッタと電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。

【請求項12】

積層して設置された第１封止用パネル、第１封止用接着フィルム、セルストリング、第２封止用接着フィルム及び第２封止用パネルを含み、前記セルストリングが複数の請求項１～１１のいずれか１項に記載の太陽電池を電気的に接続することで形成される、
ことを特徴とする光起電力モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光起電力の分野に関し、より具体的には、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールに関するものである。

【背景技術】

【0002】

ＴＯＰｃｏｎ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｏｘｉｄｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ、トンネル酸化膜パッシベーションコンタクト）セルはチューブＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、 低圧化学気相成長）又はＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、プラズマ励起化学気相成長）装置を用いて製造し、トンネル酸化層とポリシリコンドーピング層の２層が共にパッシベーションコンタクト構造を形成し、このトンネル酸化パッシベーションコンタクト構造によって、多数キャリアが酸化層を通過し、少数キャリアを遮断し、キャリアの選択通過性を効果的に実現しており、少数キャリアの再結合速度を大幅に下げ、電池の効率を高めている。

【0003】

ＴＯＰＣｏｎセルでは、一般的に３０ｎｍ程度のポリシリコンドーピング層を使用して良好なパッシベーション効果を実現できるが、現在のペースト及び焼結技術によって制限されるため、ポリシリコンドーピング層は、１１０～１２０ｎｍ程度にしてから、はじめて銀粒子がトンネル酸化層を溶落ちするリスクを効果的に下げることができる。そして、ポリシリコンドーピング層自体に強い近赤外光吸収能力があるため、厚いポリシリコン層は、短絡電流の損失をもたらすだけでなく、電池の性能に影響するとともに、生産コストの上昇を招いてしまう。上記のことから、薄層ポリシリコンの吸光と金属化のバランスを取るという課題を解決できない。

【0004】

したがって、薄層ポリシリコンの吸光と金属化のバランスを取るという課題を全体的に解決するために、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールを提供する必要がある。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記に鑑みて、本発明には、太陽電池が提供され、この太陽電池は、シリコン基板と、第１電極と、第２電極と、を含み、前記シリコン基板のうちの一方の表面には、前記シリコン基板から離れた方向に沿ってトンネル酸化層が設けられており、前記トンネル酸化層の前記シリコン基板から離れた側には、少なくとも２層のポリシリコンドーピング層が設けられ、隣接する前記ポリシリコンドーピング層間には、バリア層が設けられており、複数本の前記第１電極が異なる前記ポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている。

【0006】

選択できるように、前記シリコン基板に近い前記ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度が前記シリコン基板から遠い前記ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度より小さい。

【0007】

選択できるように、少なくとも２層の前記ポリシリコンドーピング層は、第１ポリシリコンドーピング層と、第２ポリシリコンドーピング層と、第３ポリシリコンドーピング層と、を含み、前記第１ポリシリコンドーピング層と前記第２ポリシリコンドーピング層の間に第１バリア層を有し、前記第２ポリシリコンドーピング層と第３ポリシリコンドーピング層の間に第２バリア層を有し、ここで、前記第１ポリシリコンドーピング層が前記トンネル酸化層に近い側に位置し、前記第３ポリシリコンドーピング層が前記トンネル酸化層から遠い側に位置し、
前記第１ポリシリコンドーピング層には、リンがドープされており、前記第２ポリシリコンドーピング層と前記第３ポリシリコンドーピング層には、それぞれリン、及び炭素又は窒素がドープされている。

【0008】

選択できるように、前記第１電極は、第１サブ電極と、第２サブ電極と、を含み、前記第１サブ電極が前記第３ポリシリコンドーピング層に電気的に接続され、前記第２サブ電極が前記第１ポリシリコンドーピング層及び／又は前記第２ポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている。

【0009】

選択できるように、前記第１ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度は、前記第２ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度より小さく、前記第２ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度は、前記第３ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度より小さい。

【0010】

選択できるように、前記第２ポリシリコンドーピング層と前記第３ポリシリコンドーピング層における炭素と窒素のドーピング比率は、５ｗｔ％未満である。

【0011】

選択できるように、第１ポリシリコンドーピング層と前記第３ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度の比は、０．４～１である。

【0012】

選択できるように、前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１ポリシリコンドーピング層、前記第２ポリシリコンドーピング層及び前記第３ポリシリコンドーピング層の総厚さは、７０ｎｍを超えない。

【0013】

選択できるように、前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１ポリシリコンドーピング層、前記第２ポリシリコンドーピング層及び／又は前記第３ポリシリコンドーピング層の厚さの範囲は、５ｎｍ～４０ｎｍである。

【0014】

選択できるように、前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１バリア層と前記第２バリア層の厚さの範囲は、それぞれ０．５ｎｍ～２．５ｎｍである。

【0015】

選択できるように、前記シリコン基板はベースエリアとエミッタを含み、前記エミッタがベースエリアの前記トンネル酸化層から離れた側に位置し、前記エミッタの前記ベースエリアから離れた側にパッシベーション層が設けられ、前記第２電極が前記パッシベーション層を貫通して前記エミッタと電気的に接続されている。

【0016】

本発明には、光起電力モジュールが提供され、この光起電力モジュールは、積層して設置された第１封止用パネル、第１封止用接着フィルム、セルストリング、第２封止用接着フィルム及び第２封止用パネルを含み、前記セルストリングが複数の上記の太陽電池を電気的に接続することで形成される。

【発明の効果】

【0017】

従来技術と比べて、本発明によって提供される太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールは、少なくとも下記のような有益な効果を奏している。

【0018】

本発明に提供される太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールでは、この太陽電池が、シリコン基板と、第１電極と、第２電極とを含み、シリコン基板のうちの一方の表面には、シリコン基板から離れた方向に沿ってトンネル酸化層が設けられ、トンネル酸化層のシリコン基板から離れた側に少なくとも２層のポリシリコンドーピング層が設けられ、隣接するポリシリコンドーピング層間にバリア層が設けられ、複数本の第１電極が異なるポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている。上記の方式によって、薄層ポリシリコンの吸光と金属化のバランスを取るという課題を解決し、具体的には、ポリシリコン層の総厚さを低減することができるだけでなく、薄いポリシリコン層は、寄生吸収を下げ、短絡電流を高めることができ、また、バリア層によってペーストがトンネル酸化層を溶落ちするリスクを防止するとともに、金属再結合を減らし、太陽電池の開放電圧を高め、ひいては太陽電池の光電変換効率を高めることができる。

【0019】

もちろん、本発明を実施する任意の製品は、特に上述の全ての技術的効果を同時に達成する必要はない。

【0020】

以下の添付図面を参照して本発明の例示的な実施例を詳細に説明することで、本発明の他の特徴及びその利点が明瞭になる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

明細書に組み込まれかつ明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の実施例を示し、それらの説明と共に、本発明の原理を説明するために使用される。

【図1】図１は、本発明に係る太陽電池の構成を示す図である。

【図2】図２は、本発明に係る太陽電池の製造方法のフローチャートである。

【図3】図３は、本発明に係る光起電力モジュールの構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、図面を参照して本発明の各例示的な実施例について詳しく説明する。なお、特に明記されていない限り、これらの実施例に記載された部材とステップの相対的な配置、数式及び数値は、本発明の範囲を限定するものではない。

【0023】

以下の少なくとも１つの例示的な実施例についての説明は、実際には例示的なものであり、本発明及びその応用又は使用に対するいかなる限定とするものではない。

【0024】

当業者の周知した技術、方法及び装置は、詳しく説明されないかもしれないが、適切な場合、前記技術、方法及び装置は、明細書の一部とみなされるべきである。

【0025】

ここで示され、検討されたすべての例において、いかなる具体的な数値は、単なる例示として解釈され、制限として解釈されるべきではない。したがって、例示的な実施例の他の例は、異なる数値を持ってもよい。

【0026】

なお、類似した記号と文字は、下記の図面で類似した項目を示している。このゆえに、ある項目が１つの図面で定義されると、次の図面ではそれ以上検討する必要がない。

【0027】

図１は、本発明により提供される太陽電池の構造模式図であり、図１に示すように、本実施例では、太陽電池が提供され、太陽電池は、シリコン基板１と、第１電極２と、第２電極３と、を含み、シリコン基板１のうちの一方の表面には、シリコン基板１から離れた方向に沿ってトンネル酸化層４が設けられており、トンネル酸化層４のシリコン基板１から離れた側には、少なくとも２層のポリシリコンドーピング層５が設けられ、隣接するポリシリコンドーピング層５間には、バリア層６が設けられており、複数本の第１電極２が異なるポリシリコンドーピング層５に電気的に接続されている。

【0028】

具体的には、この太陽電池は、ＴＯＰＣｏｎセルであってもよく、シリコン基板１と、第１電極２と、第２電極３と、を含み、ここで、シリコン基板１がＮ型シリコン基板であってもよく、第１電極２と第２電極３がいずれも例えば、銀、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属であってもよい。

【0029】

シリコン基板１のうちの一方の表面には、シリコン基板１から離れた方向に沿ってトンネル酸化層４が設けられ、トンネル酸化層４は、多数キャリアの電子をポリシリコンドーピング層５にトンネルして入らせると同時に、少数キャリアの正孔の再結合を阻止し、さらに、電子がポリシリコンドーピング層５で横方向に輸送されて金属に収集され、金属の接触再結合電流を大幅に低減し、ＴＯＰＣｏｎセルの開放電圧と短絡電流を高めている。トンネル酸化層４のシリコン基板１から離れた側に複数層のポリシリコンドーピング層５が設けられ、隣接するポリシリコンドーピング層５間にバリア層６が設けられ、複数層のポリシリコンドーピング層５は、３層のポリシリコンドーピング層５、４層のポリシリコンドーピング層５又は５層のポリシリコンドーピング層５であってもよく、好ましくは、トンネル酸化層４のシリコン基板１から離れた側に３層のポリシリコンドーピング層５が設けられ、隣接する２つのポリシリコンドーピング層５間にバリア層６が設けられ、バリア層６がポリシリコンドーピング層５よりも緻密であり、バリア効果をもたらすことができる。具体的には、バリア層６は、電子輸送に影響を与えることなく、ペースト（例えば、銀粒子）による溶落ちを阻止する役割を果たすことができる。バリア層６は、酸化シリコン、酸窒化シリコン及び酸化アルミニウムを含むが、これらに限定されない。

【0030】

複数本の第１電極２は、異なるポリシリコンドーピング層５に電気的に接続されており、例えば、一部の第１電極２が最外層のポリシリコンドーピング層５（トンネル酸化層４から遠い側）まで焼結し、一部の第１電極２が最内層のポリシリコンドーピング層５（トンネル酸化層４に近い側）まで焼結し、一部の第１電極２が最内層と最外層の間のポリシリコンドーピング層５まで焼結し、バリア層６の存在によって、トンネル酸化層４を溶落ちするリスクをできるだけ低減し、ＴＯＰＣｏｎセルの開放電圧、バッキングファクター及び電池の変換効率に影響することを防止する。

【0031】

シリコン基板１はベースエリア１１とエミッタ１２を含み、エミッタ１２がベースエリア１１のトンネル酸化層４から離れた側に位置し、エミッタ１２のベースエリア１１から離れた側にパッシベーション層７が設けられ、第２電極３がパッシベーション層７を貫通してエミッタと電気的に接続されている。

【0032】

上記の実施例からわかるように、本実施例によって提供される太陽電池は、少なくとも下記のような有益な効果を奏している。

【0033】

本実施例によって提供される太陽電池は、シリコン基板１と、第１電極２と、第２電極３と、を含み、シリコン基板１のうちの一方の表面には、シリコン基板１から離れた方向に沿ってトンネル酸化層４が設けられ、トンネル酸化層４のシリコン基板１から離れた側に少なくとも２層のポリシリコンドーピング層５が設けられ、隣接するポリシリコンドーピング層５間にバリア層６が設けられ、複数本の第１電極２が異なるポリシリコンドーピング層５に電気的に接続されている。上記の考案によって、薄層ポリシリコンの吸光と金属化のバランスを取るという課題が全体的に解決され、具体的にはポリシリコン層の総厚さを低減できるだけでなく、薄いポリシリコン層は、寄生吸収を低下させ、短絡電流を高めることができる。さらに、バリア層６によってペーストがトンネル酸化層４を溶落ちするリスクを低減するとともに、金属再結合を減少させ、太陽電池の開放電圧を高め、ひいては太陽電池の光電変換効率を向上させる。

【0034】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、シリコン基板１に近いポリシリコンドーピング層５におけるリンのドーピング濃度がシリコン基板１から遠いポリシリコンドーピング層５におけるリンのドーピング濃度より小さく、これによって、電池の良好なパッシベーション効果を確保するだけでなく、リンがシリコン基板１に拡散して入るリスクを低減し、開圧回路及び短絡電流を効果的に向上させ、電池とペーストの良好な接触を確保し、接触抵抗を減らし、電池のバッキングファクターを高めることができる。具体的には、例えば、シリコン基板１に近いポリシリコンドーピング層５におけるリンのドーピング濃度の範囲は、２×１０^２０／ｃｍ^３～２×１０^２１／ｃｍ^３であってもよく、具体的には、例えば、シリコン基板１に近いポリシリコンドーピング層５におけるリンのドーピング濃度は、２×１０^２０／ｃｍ^３、１１×１０^２０／ｃｍ^３、又は２×１０^２１／ｃｍ^３であってもよく、シリコン基板１から遠いポリシリコンドーピング層５におけるリンのドーピング濃度の範囲は、５×１０^２０／ｃｍ^３～５×１０^２１／ｃｍ^３であってもよく、具体的には、シリコン基板１から遠いポリシリコンドーピング層５におけるリンのドーピング濃度は、５×１０^２０／ｃｍ^３、２７．５×１０^２０／ｃｍ^３又は５×１０^２１／ｃｍ^３であってもよい。

【0035】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、少なくとも２層のポリシリコンドーピング層５は、第１ポリシリコンドーピング層５１と、第２ポリシリコンドーピング層５２と、第３ポリシリコンドーピング層５３と、を含み、第１ポリシリコンドーピング層５１と第２ポリシリコンドーピング層５２の間に第１バリア層６１を有し、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３の間に第２バリア層６２を有し、ここで、第１ポリシリコンドーピング層５１がトンネル酸化層４に近い側に位置し、第３ポリシリコンドーピング層５３がトンネル酸化層４から遠い側に位置する。

【0036】

第１ポリシリコンドーピング層５１には、リンがドープされており、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３には、それぞれリン及び炭素又は窒素がドープされている。つまり、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３のいずれにも、リンがドープされており、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３は、リンに加えて、炭素又は窒素がさらにドープされており、これによって、光学的ギャップを増やし、寄生吸収を低減することができる。もちろん、実際の状況に応じて、第２ポリシリコンドーピング層５２には、リンのみがドープされ、炭素又は窒素がドープされなくてもよい。また、第３ポリシリコンドーピング層５３には、リンがドープされた上で、炭素又は窒素がドープされることで、光学的なギャップを増やし、寄生吸収を低減することができる。

【0037】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、第１電極２は、第１サブ電極２１と、第２サブ電極２２と、を含み、第１サブ電極２１が第３ポリシリコンドーピング層５３に電気的に接続され、第２サブ電極２２が第１ポリシリコンドーピング層５１及び／又は第２ポリシリコンドーピング層５２に電気的に接続されている。

【0038】

具体的には、第１電極２は、第１サブ電極２１と、第２サブ電極２２と、を含み、第１サブ電極２１が第３ポリシリコンドーピング層５３と電気的に接続され、第２サブ電極２２が第２ポリシリコンドーピング層５２と電気的に接続され、あるいは、第２サブ電極２２が第１ポリシリコンドーピング層５１と電気的に接続され、あるいは、一部の第２サブ電極２２が第２ポリシリコンドーピング層５２と電気的に接続され、残りの部分の第２サブ電極２２が第１ポリシリコンドーピング層５１と電気的に接続されることで、金属再結合をより効果的に減らし、太陽電池の開放電圧を向上させ、ひいては太陽電池の光電変換効率を高める。

【0039】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、第１ポリシリコンドーピング層５１におけるリンのドーピング濃度は、第２ポリシリコンドーピング層５２におけるリンのドーピング濃度より小さく、第２ポリシリコンドーピング層５２におけるリンのドーピング濃度は、第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度より小さい。

【0040】

具体的には、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度は、次第に高くなる。具体的には、第１ポリシリコンドーピング層５１におけるリンのドーピング濃度が低濃度であるため、リンが電池内部に拡散して入るリスクを低減し、電池の良好なパッシベーション効果を確保することができる。第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度が高濃度であるため、電池とペーストの良好な接触を確保し、接触抵抗を低減し、電池のバッキングファクターを高めることができる。第２ポリシリコンドーピング層５２におけるリンのドーピング濃度は、第１ポリシリコンドーピング層５１におけるリンのドーピング濃度と第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度の間にある。

【0041】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施形例では、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３における炭素と窒素のドーピング比率は、５ｗｔ％未満である。

【0042】

具体的には、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３における炭素と窒素のドーピング比率が５ｗｔ％を超えると、電子輸送及びパッシベーション効果に影響し、ひいては電池効率に影響を及ぼす。したがって、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３における炭素と窒素のドーピング比率を５ｗｔ％未満にすることで、電子輸送及びパッシベーション効果に役立ち、ひいては電池効率を高めることができる。選択できるように、第３ポリシリコンドーピング層５３に炭素と窒素がドープされ、具体的には、第２ポリシリコンドーピング層５２と第３ポリシリコンドーピング層５３における炭素と窒素のドーピング比率は、０．０１ｗｔ％、１ｗｔ％、２ｗｔ％、３ｗｔ％、４ｗｔ％又は５ｗｔ％であってもよい。

【0043】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、第１ポリシリコンドーピング層５１と第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度の比の範囲は、０．４～１である。

【0044】

具体的には、第１ポリシリコンドーピング層５１と第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度の比が０．４より低い場合、第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度が高すぎて、オージェ再結合がひどくなり、電池の短絡電流とパッシベーション効果に影響し、ひいては電池効率に影響を及ぼす。第１ポリシリコンドーピング層５１と第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度の比が１より大きい場合、第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度が低すぎて、接触抵抗が大きくなり、電池のバッキングファクターを低下させ、電池効率に影響する。したがって、第１ポリシリコンドーピング層５１と第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度の比を０．４～１に設定することで、第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度が高すぎることを回避し、オージェ再結合を低下させ、電池の短絡電流とパッシベーション効果を高めることができるだけでなく、第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度が低すぎることを防止し、接触抵抗を低下させ、電池のバッキングファクターを向上させ、ひいては、電池効率を高めることができる。具体的には、第１ポリシリコンドーピング層５１と第３ポリシリコンドーピング層５３におけるリンのドーピング濃度の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９又は１であってもよい。

【0045】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３の総厚さは、７０ｎｍを超えない。

【0046】

具体的には、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３の総厚さが７０ｎｍを超えると、ポリシリコン層の総厚さを低減し、光の寄生吸収を高めることができないため、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３の総厚さが７０ｎｍを超えないように設定することで、ポリシリコン層の総厚さを低減し、光の寄生吸収を減らすとともに、製造コストを下げることができる。具体的には、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３の総厚さは、６０ｎｍ、６５ｎｍ又は７０ｎｍであってもよい。

【0047】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び／又は第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さの範囲は、５ｎｍ～４０ｎｍである。

【0048】

具体的には、シリコン基板１に垂直な方向沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さが５ｎｍ未満であると、ペーストがトンネル酸化層４を溶落ちするリスクがある。シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２又は第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さが５ｎｍより小さいと、各層のポリシリコンドーピング層の均一性が制御されにくくなる。シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び／又は第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さが４０ｎｍを超えると、製造コストが高くなる。したがって、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１、第２ポリシリコンドーピング層５２及び／又は第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さを５ｎｍ～４０ｎｍに設定することで、ペーストがトンネル酸化層４を溶落ちするリスクを低減できるだけでなく、各層のポリシリコンドーピング層の均一性の制御に役立つとともに、製造コストを削減することができる。具体的には、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１ポリシリコンドーピング層５１の厚さは、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ又は５ｎｍであってもよい。シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第２ポリシリコンドーピング層５２の厚さは、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ又は５ｎｍであってもよい。シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さは５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ又は４０ｎｍであってもよい。選択できるように、第１ポリシリコンドーピング層５１の厚さは４０ｎｍで、第２ポリシリコンドーピング層５２の厚さは２５ｎｍで、第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さは５ｎｍであってもよい。あるいは、第１ポリシリコンドーピング層５１の厚さは３５ｎｍで、第２ポリシリコンドーピング層５２の厚さは３０ｎｍで、第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さは５ｎｍであってもよい。あるいは、第１ポリシリコンドーピング層５１の厚さは３０ｎｍで、第２ポリシリコンドーピング層５２の厚さは３０ｎｍで、第３ポリシリコンドーピング層５３の厚さは１０ｎｍであってもよい。

【0049】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１バリア層６１と第２バリア層６２の厚さの範囲は、それぞれ０．５ｎｍ～２．５ｎｍである。

【0050】

具体的には、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１バリア層６１と第２バリア層６２の厚さがいずれも０．５ｎｍ未満であると、第１バリア層６１と第２バリア層６２の厚さが薄すぎて、製造工程では、均一性が制御されにくくなると同時に、ペーストによる溶落ちを阻止する効果が悪くなる。シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１バリア層６１と第２バリア層６２の厚さがいずれも２．５ｎｍを超えると、電子の輸送に影響し、電池のバッキングファクターに大きく影響してしまう。したがって、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１バリア層６１と第２バリア層６２の厚さの範囲をそれぞれ０．５ｎｍ～２．５ｎｍに設定することで、第１バリア層６１と第２バリア層６２の厚さが薄すぎることを回避し、工程上で第１バリア層６１と第２バリア層６２の均一性を制御するのに役立つとともに、電子の輸送に有利であり、電池のバッキングファクターを高めることができる。具体的には、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第１バリア層６１の厚さは、０．５ｎｍ、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ又は２．５ｎｍであってもよく、シリコン基板１に垂直な方向に沿って、第２バリア層６２の厚さは、０．５ｎｍ、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ又は２．５ｎｍであってもよい。

【0051】

図２は、本発明によって提供された太陽電池の製造方法のフローチャートである。図１及び図２を引き続き参照すると、本実施例では、太陽電池の製造方法が提供され、この太陽電池の製造方法は、以下のステップを含む。具体的に、
シリコン基板１を洗浄してテクスチャリングするＳ１と、
テクスチャリングされた後のシリコン基板１に対してホウ素拡散を行って、ホウ素ドーピングシリコン層を形成するＳ２と、
裏面のホウ素ドーピングシリコン層におけるホウケイ酸ガラスを除去し、その後、裏面に対してアルカリ研磨するＳ３と、
アルカリ研磨した後に、裏面の積層にポリシリコンドーピング層５を堆積させるＳ４と、
前記ポリシリコンドーピング層５を堆積させた後に、裏面に対してリン拡散を行い、リン拡散後にアニーリングを行い、ポリシリコンドーピング層５を結晶化し、かつ不純物を活性化するＳ５と、
アニーリングを行った後に、前面ポリシリコンドーピング層のラップアラウンド（ｗｒａｐａｒｏｕｎｄ）、前面ホウケイ酸ガラス及び裏面リンケイ酸ガラスを除去し、その後、前面と裏面にコーディングするＳ６と、
前面と裏面のコーディングの表面にそれぞれ第１電極２と第２電極３を印刷するＳ７と、
第１電極２と第２電極３を印刷した後に、焼結を行い、ここで、複数本の第１電極２が異なるポリシリコンドーピング層５に電気的に接続されるＳ８と、を含む。

【0052】

具体的には、本実施例では、さらに、太陽電池の製造方法が提供される。この太陽電池の製造方法は、ＴＯＰＣｏｎセルの製造方法であってもよく、抵抗率の範囲が０．３～２．１Ｏｈｍ．ｃｍで、少数キャリア寿命が２．５ｍｓより大きなＮ型単結晶シリコンウェーハを用いることができる。ＫＯＨとＨ_２Ｏ_２の混合溶液中でシリコンウェーハ表面の損傷層を除去し、そして、ＫＯＨ溶液中でテクスチャリングを行い、シリコンウェーハの表面にピラミッドテクスチャ表面を形成し、ピラミッドテクスチャ表面の大きさが１～５μｍに制御され、テクスチャ表面が出来上がった後、シリコンウエーハの前面にＢ拡散を用いてエミッタを製造し、シート抵抗が１１０～１５０Ｏｈｍ．ｃｍであり、前面のホウケイ酸ガラスの厚さが５０～１２０ｎｍであり、シリコンウエーハの裏面からホウケイ酸ガラスを除去した後、アルカリ研磨を行い、シリコンウエーハの裏面の反射率を４０％より大きくする。アルカリ研磨後、ＬＰＣＶＤ装置で裏面の積層にポリシリコンドーピング層５を堆積させ、ポリシリコンドーピング層５の堆積が完了した後、リン拡散装置でドーピングし、リン拡散装置で直接アニーリングしてポリシリコンを結晶化させ、不純物（Ｐ）を押し出して活性化させる。アニーリング工程の条件は、８００～１０００℃でアニーリングを１０～１５０ｍｉｎ行い、アニーリング雰囲気はＮ_２（窒素ガス）、又は初期Ｎ_２で後期Ｏ_２（酸素ガス）であり、アニーリングした後に洗浄する。あるいは、ＰＥＣＶＤ装置でポリシリコンドーピング層を堆積させ、ドープドポリシリコンを堆積させると同時にリンのドーピングを行い、そして、アニーリングを行い、ポリシリコンを結晶化させ、かつ不純物（Ｐ）を押し出して活性化させる。アニーリング後、前面ポリシリコンドーピング層のラップアラウンド、前面ホウケイ酸ガラス及び裏面リンケイ酸ガラスを除去する後、再度洗浄し、洗浄後、前面と裏面にコーディングし、例えば、シリコンウエーハの前面にＡＬＤで酸化アルミニウム層を堆積させ、ＰＥＣＶＤで窒化シリコン層を製造する。シリコンウエーハの裏面に第１パッシベーション層を堆積させ、電池前駆体の製造を完成させる。表面パッシベーションが完了した後に、シリコンウエーハの前面と裏面に金属化を行い、スクリーン印刷の方式でシリコンウエーハの裏面に第１電極２、前面に第２電極３を順次印刷する。ペースト（銀粒子）は、その大きさがそれぞれ異なり、形状も異なるため、第１電極２がポリシリコンドーピング層５に溶け込む深さも異なり、例えば、複数本の第１電極２が異なったポリシリコンドーピング層５に電気的に接続され、第１電極２と第２電極３をスクリーン印刷した後、８５０°～９５０°の高温で第１電極２をポリシリコンドーピング層５に溶け込み、第２電極３をエミッタ層に溶け込み、最終的に電池の製造を完了させる。

【0053】

上記の実施例からわかるように、本実施例によって提供される太陽電池の製造方法は、少なくとも下記のような有益な効果を奏している。

【0054】

本実施例における太陽電池の製造方法によって、シリコン基板１を洗浄してテクスチャリングし、テクスチャリングされた後のシリコン基板１に対してホウ素拡散を行って、ホウ素ドーピングシリコン層を形成し、裏面のホウ素ドーピングシリコン層におけるホウケイ酸ガラスを除去した後に、裏面に対してアルカリ研磨し、アルカリ研磨後、裏面の積層にポリシリコンドーピング層５を堆積させ、前面ポリシリコンドーピング層５のラップアラウンドを除去し、そして、裏面にリン含有液体ドープ剤をローラー塗装し、そして、乾燥させ、乾燥後のリン含有液体ドープ剤に対してアニーリングを行い、ポリシリコンドーピング層５を結晶化しかつ不純物を活性化し、アニーリング後、前面と裏面にコーディングし、前面と裏面のコーディングの表面にそれぞれ第１電極２と第２電極３を印刷し、第１電極２と第２電極３を印刷した後に、焼結を行い、ここで、複数本の第１電極２が異なったポリシリコンドーピング層５に電気的に接続される。上記の方式を採用することで、金属再結合を低減し、太陽電池の開放電圧を向上させ、ひいては太陽電池の光電変換効率を高めることができる。

【0055】

図１を引き続き参照すると、本発明の一実施例では、アルカリ研磨後、裏面積層にポリシリコンドーピング層５を堆積させることは、トンネル酸化層４を製造して第１ポリシリコンドーピング層５１を堆積させることと、第１バリア層６１を製造して第２ポリシリコンドーピング層５２を堆積させることと、第２バリア層６２を製造して第３ポリシリコンドーピング層５３を堆積させることと、を含む。

【0056】

具体的には、積層にポリシリコンドーピング層５を堆積させることは、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、プラズマ励起化学気相成長）で堆積させることができ、堆積温度が３５０～４８０℃であり、パワーが６０００ｗ－１５０００ｗであり、Ｎ_２Ｏ（笑気ガス）でトンネル酸化層４を成長させ、工程時間の範囲が１０～６０ｓであり、ＰＨ_３（ホスフィン）とＳｉＨ_４（シラン）の混合ガスを用いて、第１ポリシリコンドーピング層５１をインサイチュ成長させ、工程の時間が１００～３００ｓであり、第１ポリシリコンドーピング層５１を成長させた後に、Ｎ_２Ｏを用いて第１バリア層６１を成長させ、工程の時間が１０～６０ｓであり、あるいは、ＳｉＨ_４、Ｎ_２Ｏ及びＮＨ_３の混合ガスを用いて第１バリア層６１を堆積させ、工程の時間が１～１０ｓであり、第１バリア層６１を成長させた後に、引き続き上記のように第２ポリシリコンドーピング層５２、第２バリア層６２及び第３ポリシリコンドーピング層５３を順次成長させ、第２ポリシリコンドーピング層５２及び／又は第３ポリシリコンドーピング層５３の成長時、ＰＨ_３、ＳｉＨ_４及びＣＨ_４（又はＮＨ_３）の混合ガスを用いて成長させることができ、工程の時間が３０～３００ｓである。上記の方式によって、ポリシリコン層の総厚さを低減できるだけでなく、薄いポリシリコン層は、寄生吸収を低減し、短絡電流を高め、また、バリア層６によってペーストがトンネル酸化層４を溶落ちするリスクを防止することができる。

【0057】

図１に示すように、本発明の一実施例では、第１電極２は、第１サブ電極２１と、第２サブ電極２２と、を含み、第１サブ電極２１が第３ポリシリコンドーピング層５３と電気的に接続され、第２サブ電極２２が第１ポリシリコンドーピング層５１及び／又は第２ポリシリコンドーピング層５２と電気的に接続される。第１電極２について、太陽電池で詳しく説明されているため、ここで繰り返して説明する必要がない。

【0058】

図３は、本発明によって提供される光起電力モジュールの構造を示す図であり、図３に示すように、本実施例では、光起電力モジュールが提供され、光起電力モジュールは、積層して設置された第１封止用パネル２０１、第１封止用接着フィルム２０２、セルストリング２０３、第２封止用接着フィルム２０４及び第２封止用パネル２０５を含み、セルストリング２０３が複数の上記の太陽電池を電気的に接続することで形成される。

【0059】

具体的には、この光起電力モジュールは、積層配置される第１封止用パネル２０１、第１封止用接着フィルム２０２、セルストリング２０３、第２封止用接着フィルム２０４及び第２封止用パネル２０５を含む。セルストリング２０３は、上記の複数の太陽電池を電気的に接続することで形成され、第１封止用パネル２０１は、強化ガラスを採用してもよく、高い光透過率を有し、その光透過率が９２％以上に達することができ、一般的に低鉄強化エンボスガラスを採用する。第２封止用パネル２０５は、ガラス材質、ＴＰＴ（ポリフッ化ビニル複合膜）又はＴＰＥ（熱可塑性エラストマー）を採用することができ、第２封止用パネル２０５は、内部封止材料と電池を機械的損傷と外部環境から保護するために用いられ、さらに良好な絶縁性能を有し、モジュールの寿命を大きく決定し、優れた耐候性、低い水蒸気透過率、良好な電気絶縁性、一定の接着強度を有する。第１封止用接着フィルム２０２及び第２封止用接着フィルム２０４は、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）、ＰＯＥ（エチレンと高炭素数α－オレフィンとのランダム共重合体エラストマー）又はＰＶＢ（ポリビニルブチラール））の材質を採用することができる。ＥＶＡ材質は、分子鎖に酢酸ビニルモノマーを導入することで、高い結晶度を低下させ、靭性、耐衝撃性、フィラー互換性及び熱密封性を高めることができる。ＰＯＥ材質は、その分子構造によって、優れた力学性能、レオロジー性と紫外線耐性を備え、ポリオレフィンとの親和性がよく、低温で靭性がよく、コストパフォーマンスが高いなどの特徴も持っている。ＰＶＢの材質は、メタノール、エタノール、ケトン類、ハロゲン化アルキル、芳香族炭化水素系溶剤に溶けることができ、フタル酸エステル、セバシン酸エステル可塑剤、ニトロセルロース、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などと良好な相溶性があり、高い透明性、耐寒性、耐衝撃性、耐紫外線照射性を有し、金属、ガラス、木材、セラミックス、繊維製品などと良好な接着力を有する。第１封止用接着フィルム２０２と第２封止用接着フィルム２０４は、電池セルの封止保護に使われ、外界環境が電池セルの性能に影響することを防止し、第１封止用パネル２０１、太陽電池及び第２封止用パネル２０５を接着して、一定の接着強度を持たせ、高い光透過率、合理的な架橋度、優れた耐紫外線老化性能と優れた耐湿熱老化性能、極めて低い収縮率をを備え、各種第１封止用パネル２０１と第２封止用パネル２０５に対して長期的に強い接着性能、高い体積抵抗率を有している。セルストリング２０３は、上記の複数の太陽電池（図示せず）を電気的に接続することで形成され、隣接する２つの太陽電池がＰＶリボン（図示せず）を介して電気的に接続されている。

【0060】

上記の実施例からわかるように、本発明によって提供される太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールは、少なくとも下記のような有益な効果を奏している。

【0061】

本発明に提供される太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールでは、この太陽電池が、シリコン基板と、第１電極と、第２電極とを含み、シリコン基板のうちの一方の表面には、シリコン基板から離れた方向に沿ってトンネル酸化層が設けられ、トンネル酸化層のシリコン基板から離れた側に少なくとも２層のポリシリコンドーピング層が設けられ、隣接するポリシリコンドーピング層間にバリア層が設けられ、複数本の第１電極が異なるポリシリコンドーピング層に電気的に接続されている。上記の方式によって、薄層ポリシリコンの吸光と金属化のバランスを取るという課題を解決し、具体的には、ポリシリコン層の総厚さを低減することができるだけでなく、薄いポリシリコン層は、寄生吸収を下げ、短絡電流を高めることができ、また、バリア層によってペーストがトンネル酸化層を溶落ちするリスクを防止するとともに、金属再結合を減らし、太陽電池の開放電圧を高め、ひいては太陽電池の光電変換効率を高めることができる。

【0062】

例によって、本発明のいくつかの特定の実施例を詳しく説明したが、上記の例は、説明するためのものだけであり、本発明の範囲を限定するためのものではないことを当業者は理解すべきである。当業者は、本発明の範囲及び精神から逸脱することなく、上記の実施例を修正できることを理解すべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって限定されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【手続補正書】

【提出日】2024-03-26

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

シリコン基板と、第１電極と、第２電極と、を含み、
前記シリコン基板のうちの一方の表面には、トンネル酸化層が設けられており、前記トンネル酸化層の前記シリコン基板から離れた側の表面には、少なくとも２層のポリシリコンドーピング層が順次設けられ、隣接する前記ポリシリコンドーピング層間には、電子輸送に影響を与えずにペーストによる溶落ちを阻止するためのバリア層が設けられており、各前記ポリシリコンドーピング層が少なくとも１本の前記第１電極に電気的に接続されている、
ことを特徴とする太陽電池。

【手続補正2】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】請求項６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項6】

前記第２ポリシリコンドーピング層において、ドープされた炭素の質量百分率は５ｗｔ％未満であり、ドープされた窒素の質量百分率は５ｗｔ％未満であり、前記第３ポリシリコンドーピング層において、ドープされた炭素の質量百分率は５ｗｔ％未満であり、ドープされた窒素の質量百分率は５ｗｔ％未満である、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【手続補正3】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】請求項７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項7】

前記第３ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度に対する前記第１ポリシリコンドーピング層におけるリンのドーピング濃度の比は、０．４～１である、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。

【手続補正4】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】請求項９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項9】

前記シリコン基板に垂直な方向に沿って、前記第１ポリシリコンドーピング層、前記第２ポリシリコンドーピング層及び前記第３ポリシリコンドーピング層の厚さの範囲は、それぞれ５ｎｍ～４０ｎｍである、
ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。