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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024110548
(43)【公開日】2024-08-16
(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/60 20230101AFI20240808BHJP
H10K 50/88 20230101ALI20240808BHJP
H10K 71/70 20230101ALI20240808BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20240808BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240808BHJP
H10K 59/179 20230101ALI20240808BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240808BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240808BHJP
【ＦＩ】
H10K71/60
H10K50/88
H10K71/70
H10K50/84
H10K59/131
H10K59/179
G09F9/00 338
G09F9/30 330
G09F9/30 348A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023015173
(22)【出願日】2023-02-03
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】西山 想
(72)【発明者】
【氏名】柳澤 昌
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107DD38
3K107DD92
3K107DD95
3K107DD96
3K107GG12
3K107GG56
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA15
5C094DB03
5C094EA03
5C094FB02
5C094FB15
5C094GB10
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA17
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH14
5G435HH20
5G435KK05
5G435KK10
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】製造歩留まりを向上する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極と、給電端子と、実装端子と、を覆う無機絶縁層を形成し、無機絶縁層の上に形成した第１レジストをマスクとしてエッチングを行い無機絶縁層に給電端子を露出する第１開口を形成し、第１レジストを除去した後に、表示領域において無機絶縁層の上に位置するとともに周辺領域において第１開口を介して給電端子に接触する隔壁を形成し、無機絶縁層及び隔壁の上に形成した第２レジストをマスクとしてエッチングを行い無機絶縁層に下電極を露出する第２開口を形成し、第２レジストを除去した後に、隔壁をマスクとして第１材料を蒸着して第２開口を介して下電極に接触する有機層を形成し、隔壁をマスクとして第２材料を蒸着して有機層を覆い隔壁の下部に接触する上電極を形成する。
【選択図】図１９
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極と、給電端子と、実装端子と、を覆う無機絶縁層を形成し、無機絶縁層の上に形成した第１レジストをマスクとしてエッチングを行い無機絶縁層に給電端子を露出する第１開口を形成し、第１レジストを除去した後に、表示領域において無機絶縁層の上に位置するとともに周辺領域において第１開口を介して給電端子に接触する隔壁を形成し、無機絶縁層及び隔壁の上に形成した第２レジストをマスクとしてエッチングを行い無機絶縁層に下電極を露出する第２開口を形成し、第２レジストを除去した後に、隔壁をマスクとして第１材料を蒸着して第２開口を介して下電極に接触する有機層を形成し、隔壁をマスクとして第２材料を蒸着して有機層を覆い隔壁の下部に接触する上電極を形成する。
【選択図】図１９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域に位置する下電極と、前記表示領域の外側の周辺領域に位置する給電端子と、信号源を実装するための実装端子と、を覆う無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層の上に形成した第１レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記給電端子を露出する第１開口を形成し、
前記第１レジストを除去した後に、前記表示領域において前記無機絶縁層の上に位置するとともに前記周辺領域において前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第２レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記下電極を露出する第２開口を形成し、
前記第２レジストを除去した後に、前記隔壁をマスクとして第１材料を蒸着して、前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層を形成し、
前記隔壁をマスクとして第２材料を蒸着して、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する、
表示装置の製造方法。
前記無機絶縁層の上に形成した第１レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記給電端子を露出する第１開口を形成し、
前記第１レジストを除去した後に、前記表示領域において前記無機絶縁層の上に位置するとともに前記周辺領域において前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第２レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記下電極を露出する第２開口を形成し、
前記第２レジストを除去した後に、前記隔壁をマスクとして第１材料を蒸着して、前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層を形成し、
前記隔壁をマスクとして第２材料を蒸着して、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記第２レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記実装端子を露出する第３開口を形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記無機絶縁層は、検査プローブを接続するための検査端子を覆い、
前記第２レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記検査端子を露出する第４開口を形成する、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
前記第２レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記検査端子を露出する第４開口を形成する、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記第２レジストを除去した後であって、前記有機層を形成する前に、さらに、
前記第２開口から露出した前記下電極を覆うとともに前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第３レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記実装端子を露出する第３開口を形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第２開口から露出した前記下電極を覆うとともに前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第３レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記実装端子を露出する第３開口を形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記無機絶縁層は、検査プローブを接続するための検査端子を覆い、
前記第３レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記検査端子を露出する第４開口を形成する、
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
前記第３レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記検査端子を露出する第４開口を形成する、
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第２レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記実装端子に重畳する前記無機絶縁層の一部を除去し、
前記第２レジストを除去した後であって、前記有機層を形成する前に、さらに、
前記第２開口から露出した前記下電極を覆うとともに前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第３レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記実装端子を露出する第３開口を形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第２レジストを除去した後であって、前記有機層を形成する前に、さらに、
前記第２開口から露出した前記下電極を覆うとともに前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第３レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記実装端子を露出する第３開口を形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記無機絶縁層は、検査プローブを接続するための検査端子を覆い、
前記第２レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記検査端子に重畳する前記無機絶縁層の一部を除去し、
前記第３レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記検査端子を露出する第４開口を形成する、
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
前記第２レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記検査端子に重畳する前記無機絶縁層の一部を除去し、
前記第３レジストをマスクとしてエッチングを行う工程では、さらに、前記無機絶縁層に前記検査端子を露出する第４開口を形成する、
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記無機絶縁層は、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
基板と、
前記基板の上方において、表示領域及び前記表示領域の外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記周辺領域において前記有機絶縁層の上に配置された給電端子と、
前記周辺領域において前記有機絶縁層の第１貫通孔から露出する実装端子と、
前記有機絶縁層の上において、前記表示領域及び前記周辺領域に亘って配置され、前記給電端子を露出する第１開口と、前記下電極を露出する第２開口と、前記実装端子を露出する第３開口と、を有する無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上に配置され前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
を備える表示装置。
前記基板の上方において、表示領域及び前記表示領域の外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記周辺領域において前記有機絶縁層の上に配置された給電端子と、
前記周辺領域において前記有機絶縁層の第１貫通孔から露出する実装端子と、
前記有機絶縁層の上において、前記表示領域及び前記周辺領域に亘って配置され、前記給電端子を露出する第１開口と、前記下電極を露出する第２開口と、前記実装端子を露出する第３開口と、を有する無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上に配置され前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
を備える表示装置。
【請求項10】
さらに、
前記周辺領域において前記有機絶縁層の第２貫通孔から露出する検査端子を備え、
前記無機絶縁層は、前記検査端子を露出する第４開口を有している、
請求項９に記載の表示装置。
前記周辺領域において前記有機絶縁層の第２貫通孔から露出する検査端子を備え、
前記無機絶縁層は、前記検査端子を露出する第４開口を有している、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記下電極及び前記給電端子は、互いに同一材料で形成され、
前記実装端子及び前記検査端子は、互いに同一材料で形成され、前記下電極とは異なる材料で形成されている、
請求項１０に記載の表示装置。
前記実装端子及び前記検査端子は、互いに同一材料で形成され、前記下電極とは異なる材料で形成されている、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記無機絶縁層は、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成されている、
請求項９に記載の表示装置。
請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、製造歩留まりを向上する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、製造歩留まりを向上する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
表示領域に位置する下電極と、前記表示領域の外側の周辺領域に位置する給電端子と、信号源を実装するための実装端子と、を覆う無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に形成した第１レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記給電端子を露出する第１開口を形成し、前記第１レジストを除去した後に、前記表示領域において前記無機絶縁層の上に位置するとともに前記周辺領域において前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第２レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記下電極を露出する第２開口を形成し、前記第２レジストを除去した後に、前記隔壁をマスクとして第１材料を蒸着して、前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層を形成し、前記隔壁をマスクとして第２材料を蒸着して、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する。
表示領域に位置する下電極と、前記表示領域の外側の周辺領域に位置する給電端子と、信号源を実装するための実装端子と、を覆う無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に形成した第１レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記給電端子を露出する第１開口を形成し、前記第１レジストを除去した後に、前記表示領域において前記無機絶縁層の上に位置するとともに前記周辺領域において前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記無機絶縁層及び前記隔壁の上に形成した第２レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記無機絶縁層に前記下電極を露出する第２開口を形成し、前記第２レジストを除去した後に、前記隔壁をマスクとして第１材料を蒸着して、前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層を形成し、前記隔壁をマスクとして第２材料を蒸着して、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方において、表示領域及び前記表示領域の外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記周辺領域において前記有機絶縁層の上に配置された給電端子と、前記周辺領域において前記有機絶縁層の第１貫通孔から露出する実装端子と、前記有機絶縁層の上において、前記表示領域及び前記周辺領域に亘って配置され、前記給電端子を露出する第１開口と、前記下電極を露出する第２開口と、前記実装端子を露出する第３開口と、を有する無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に配置され前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備える。
基板と、前記基板の上方において、表示領域及び前記表示領域の外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記周辺領域において前記有機絶縁層の上に配置された給電端子と、前記周辺領域において前記有機絶縁層の第１貫通孔から露出する実装端子と、前記有機絶縁層の上において、前記表示領域及び前記周辺領域に亘って配置され、前記給電端子を露出する第１開口と、前記下電極を露出する第２開口と、前記実装端子を露出する第３開口と、を有する無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に配置され前記第１開口を介して前記給電端子に接触する導電性の下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記第２開口を介して前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面で構成要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡは、給電部ＰＰと、実装部ＭＰと、検査部ＴＰと、を備えている。
給電部ＰＰは、表示素子２０のカソードと電気的に接続される給電端子を備えている。
実装部ＭＰは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板などの信号源を接続するための実装端子を備えている。
検査部ＴＰは、検査プローブを接続するための検査端子を備えている。
なお、給電端子、実装端子、及び、検査端子の詳細については後述する。
また、検査部ＴＰは、省略してもよい。
給電部ＰＰは、表示素子２０のカソードと電気的に接続される給電端子を備えている。
実装部ＭＰは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板などの信号源を接続するための実装端子を備えている。
検査部ＴＰは、検査プローブを接続するための検査端子を備えている。
なお、給電端子、実装端子、及び、検査端子の詳細については後述する。
また、検査部ＴＰは、省略してもよい。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、無機絶縁層５及び隔壁６が配置されている。無機絶縁層５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
【0024】
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0025】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0026】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0027】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0028】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0029】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する。
【0030】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。無機絶縁層５は、有機絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。無機絶縁層５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、有機絶縁層１２が無機絶縁層５により覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、有機絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0031】
隔壁６は、無機絶縁層５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0032】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0033】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0034】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0035】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0036】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0037】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0038】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0039】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２，ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２，ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0040】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0041】
無機絶縁層５は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
【0042】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの他の無機絶縁材料で形成されてもよい。
【0043】
一例では、無機絶縁層５は、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３とは異なる材料で形成されている。なお、無機絶縁層５が封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３と同一材料で形成されている場合がありうる。
【0044】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0045】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0046】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
【0047】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0048】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0049】
なお、図３に示した回路層１１、有機絶縁層１２、及び、無機絶縁層５は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って配置されている。また、隔壁６は、表示領域ＤＡから周辺領域ＳＡに延出している。
【0050】
【0051】
給電部ＰＰは、給電端子ＰＴを備えている。給電端子ＰＴは、有機絶縁層１２の上に配置されている。給電端子ＰＴは、表示素子のカソードにコモン電圧を供給するための端子である。給電端子ＰＴは、例えば、図３に示した下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３と同一材料で形成されている。給電端子ＰＴの周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。
無機絶縁層５は、給電端子ＰＴを露出する開口ＡＰ１０を有している。
無機絶縁層５は、給電端子ＰＴを露出する開口ＡＰ１０を有している。
【0052】
隔壁６は、無機絶縁層５の上に配置され、給電部ＰＰに延出している。給電部ＰＰにおいて、隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１０を介して給電端子ＰＴの接触している。これにより、表示領域ＤＡの上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、隔壁６を介して給電端子ＰＴと電気的に接続される。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３には、給電端子ＰＴからコモン電圧が供給される。
【0053】
【0054】
実装部ＭＰは、実装端子ＭＴを備えている。実装端子ＭＴは、回路層１１に含まれる絶縁層の上に配置されている。実装端子ＭＴは、例えば、図３に示した下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３とは異なる金属材料で形成されている。一例では、実装端子ＭＴは、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体、あるいは、チタン層及びアルミニウム層の積層体として形成されている。実装端子ＭＴの周縁部は、有機絶縁層１２で覆われている。
有機絶縁層１２は、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１１を有している。
無機絶縁層５は、有機絶縁層１２の上に配置され、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２を有している。
有機絶縁層１２は、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１１を有している。
無機絶縁層５は、有機絶縁層１２の上に配置され、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２を有している。
【0055】
【0056】
回路層１１は、導電層ＣＬ１及びＣＬ２と、無機絶縁層１１１及び１１２と、有機絶縁層１１３と、を有している。
導電層ＣＬ１は、図１に示した走査線ＧＬを形成する導電層であり、基板１０の上方に配置されている。導電層ＣＬ１は、例えば、モリブデン及びタングステンの合金で形成されている。無機絶縁層１１１は、導電層ＣＬ１を覆っている。
導電層ＣＬ２は、図１に示した信号線ＳＬを形成する導電層であり、無機絶縁層１１１の上に配置されている。導電層ＣＬ２は、例えば、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体、あるいは、チタン層及びアルミニウム層の積層体として形成されている。無機絶縁層１１２は、無機絶縁層１１１の上に配置され、導電層ＣＬ２の周縁部を覆っている。無機絶縁層１１２は、導電層ＣＬ２を露出する開口ＡＰ２１を有している。有機絶縁層１１３は、無機絶縁層１１２の上に配置され、導電層ＣＬ２を露出する開口ＡＰ２２を有している。
導電層ＣＬ１は、図１に示した走査線ＧＬを形成する導電層であり、基板１０の上方に配置されている。導電層ＣＬ１は、例えば、モリブデン及びタングステンの合金で形成されている。無機絶縁層１１１は、導電層ＣＬ１を覆っている。
導電層ＣＬ２は、図１に示した信号線ＳＬを形成する導電層であり、無機絶縁層１１１の上に配置されている。導電層ＣＬ２は、例えば、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体、あるいは、チタン層及びアルミニウム層の積層体として形成されている。無機絶縁層１１２は、無機絶縁層１１１の上に配置され、導電層ＣＬ２の周縁部を覆っている。無機絶縁層１１２は、導電層ＣＬ２を露出する開口ＡＰ２１を有している。有機絶縁層１１３は、無機絶縁層１１２の上に配置され、導電層ＣＬ２を露出する開口ＡＰ２２を有している。
【0057】
検査部ＴＰは、検査端子ＴＴを備えている。検査端子ＴＴは、有機絶縁層１１３の上に配置され、開口ＡＰ２２を介して導電層ＣＬ２に接触している。検査端子ＴＴは、例えば、図３に示した下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３とは異なる金属材料で形成され、図５に示した実装端子ＭＴと同一材料で形成されている。一例では、検査端子ＴＴは、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体、あるいは、チタン層及びアルミニウム層の積層体として形成されている。検査端子ＴＴの周縁部は、有機絶縁層１２で覆われている。
有機絶縁層１２は、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２３を有している。
無機絶縁層５は、有機絶縁層１２の上に配置され、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を有している。
有機絶縁層１２は、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２３を有している。
無機絶縁層５は、有機絶縁層１２の上に配置され、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を有している。
【0058】
本明細書において、例えば、給電部ＰＰに形成された無機絶縁層５の開口ＡＰ１０は第１開口に相当し、表示領域ＤＡに形成された無機絶縁層５の開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３は第２開口に相当し、実装部ＭＰに形成された無機絶縁層５の開口ＡＰ１２は第３開口に相当し、検査部ＴＰに形成された無機絶縁層５の開口ＡＰ２４は第４開口に相当する。また、実装部ＭＰに形成された有機絶縁層１２の開口ＡＰ１１は第１貫通孔に相当し、検査部ＴＰに形成された有機絶縁層１２の開口ＡＰ２３は第２貫通孔に相当する。
【0059】
【0060】
まず、図７に示すように、有機絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する。
その後、無機絶縁材料を堆積して、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を覆う無機絶縁層５を形成する。ここでは、無機絶縁材料として、例えば、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）が適用される。無機絶縁層５は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。無機絶縁層５は、表示領域ＤＡのみならず周辺領域ＳＡにも形成される。
その後、無機絶縁材料を堆積して、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を覆う無機絶縁層５を形成する。ここでは、無機絶縁材料として、例えば、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）が適用される。無機絶縁層５は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。無機絶縁層５は、表示領域ＤＡのみならず周辺領域ＳＡにも形成される。
【0061】
続いて、図８に示すように、無機絶縁層５の上に位置し導電材料で形成された下部６１と、下部６１の上に位置し下部６１の側面から突出した上部６２と、を有する隔壁６を形成する。
【0062】
隔壁６を形成する工程は、まず、無機絶縁層５の上に、導電層を含む第１層を形成した後に、第１層の上に第２層を形成する。第１層の導電層は、アルミニウムなどの導電材料で形成する。第２層は、導電材料で形成してもよいし、絶縁材料で形成してもよい。
その後、第２層の上に位置する所定の形状のレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、第２層及び第１層を順にパターニングする。これにより、隔壁６が形成される。隔壁６の下部６１は、第１層をパターニングすることで形成され、上部６２は、第２層をパターニングすることで形成される。
その後、第２層の上に位置する所定の形状のレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、第２層及び第１層を順にパターニングする。これにより、隔壁６が形成される。隔壁６の下部６１は、第１層をパターニングすることで形成され、上部６２は、第２層をパターニングすることで形成される。
【0063】
続いて、図９に示すように、無機絶縁層５をパターニングすることにより、下電極ＬＥ１を露出する開口ＡＰ１、下電極ＬＥ２を露出する開口ＡＰ２、下電極ＬＥ３を露出する開口ＡＰ３を形成する。
【0064】
続いて、表示素子２０１を形成する。
【0065】
まず、図１０に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１の側面に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を順に蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１の側面に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を順に蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0066】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0067】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
【0068】
続いて、図１１に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状のレジストＲ１を形成する。レジストＲ１は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0069】
続いて、図１２に示すように、レジストＲ１をマスクとしてエッチングを行うことにより、レジストＲ１から露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0070】
続いて、図１３に示すように、レジストＲ１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0071】
続いて、図１４に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0072】
続いて、図１５に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0073】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１，２０２，２０３の形成順はこの例に限られない。
【0074】
次に、上記の製造工程のうち、図７に示した無機絶縁層５を形成する工程から図９に示した開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する工程を通じて、給電部ＰＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰを製造するための第１製造方法について説明する。以下の説明で参照する図１６乃至図２４においては、副画素ＳＰ、給電部ＰＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰのそれぞれの主要部分の断面を示す。なお、副画素ＳＰは、上記の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに相当する。
【0075】
まず、図１６に示すステップＳＴ１１において、無機絶縁層５を形成する。図１６に示す工程は、図７に示した無機絶縁層５を形成する工程と同一である。すなわち、この工程では、表示領域に位置する副画素ＳＰの下電極ＬＥのみならず、周辺領域に位置する給電部ＰＰの給電端子ＰＴ、実装部ＭＰの実装端子ＭＴ、及び、検査部ＴＰの検査端子ＴＴをそれぞれ覆う無機絶縁層５を形成する。無機絶縁層５は、例えば、シリコン酸窒化物で形成する。
【0076】
下電極ＬＥは、上記の下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のいずれかに相当する。下電極ＬＥは、有機絶縁層１２に形成されたコンタクトホールＣＨを介して画素回路に含まれる接続端子ＣＴに接触している。接続端子ＣＴは、実装端子ＭＴなどと同一材料で形成されている。
実装部ＭＰにおいては、無機絶縁層５は、有機絶縁層１２を覆うとともに、開口ＡＰ１１を介して実装端子ＭＴを覆っている。
検査部ＴＰにおいては、無機絶縁層５は、有機絶縁層１２を覆うとともに、開口ＡＰ２３を介して検査端子ＴＴを覆っている。
実装部ＭＰにおいては、無機絶縁層５は、有機絶縁層１２を覆うとともに、開口ＡＰ１１を介して実装端子ＭＴを覆っている。
検査部ＴＰにおいては、無機絶縁層５は、有機絶縁層１２を覆うとともに、開口ＡＰ２３を介して検査端子ＴＴを覆っている。
【0077】
続いて、図１７に示すステップＳＴ１２において、無機絶縁層５の上に、所定の形状を有するレジストＲ１２を形成した後に、レジストＲ１２をマスクとしてエッチングを行い、無機絶縁層５に、給電端子ＰＴを露出する開口ＡＰ１０を形成する。この工程では、副画素ＳＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰは、レジストＲ１２で覆われている。図１７に示す工程は、図８に示した隔壁６を形成する工程の前に行う。その後、レジストＲ１２を除去する。
【0078】
続いて、図１８に示すステップＳＴ１３において、隔壁６を形成する。図１８に示す工程は、図８に示した隔壁６を形成する工程と同一である。すなわち、無機絶縁層５の上に、導電層を含む第１層を形成した後に、第１層の上に第２層を形成する。その後、第２層及び第１層を順にパターニングする。これにより、副画素ＳＰに隔壁６が形成され、また、給電部ＰＰにおいて開口ＡＰ１０を介して給電端子ＰＴに接触する隔壁６が形成される。一方で、実装部ＭＰ及び検査部ＴＰにおいては、隔壁６を形成するための第１層及び第２層が除去され、無機絶縁層５が露出する。
【0079】
続いて、図１９に示すステップＳＴ１４において、無機絶縁層５及び隔壁６の上に、所定の形状を有するレジストＲ１４を形成した後に、レジストＲ１４をマスクとしてエッチングを行い、無機絶縁層５に、下電極ＬＥを露出する開口ＡＰを形成する。
この工程では、給電部ＰＰは、レジストＲ１４で覆われている。
また、この工程では、実装部ＭＰにおいて、無機絶縁層５に、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２を形成する。
さらに、この工程では、検査部ＴＰにおいて、無機絶縁層５に、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成する。
図１９に示す工程は、図９に示した工程と同一である。その後、レジストＲ１４を除去する。
この工程では、給電部ＰＰは、レジストＲ１４で覆われている。
また、この工程では、実装部ＭＰにおいて、無機絶縁層５に、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２を形成する。
さらに、この工程では、検査部ＴＰにおいて、無機絶縁層５に、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成する。
図１９に示す工程は、図９に示した工程と同一である。その後、レジストＲ１４を除去する。
【0080】
以上説明したように、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２及び検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４は、下電極ＬＥを露出する開口ＡＰを形成する工程で、同時に形成される。このため、開口ＡＰ、開口ＡＰ１２、及び、開口ＡＰ２４を別々に形成する場合と比較して、製造工程を簡素化することができ、製造歩留まりを向上することができる。
【0081】
また、隔壁６を形成する工程では、下電極ＬＥ、実装端子ＭＴ、及び、検査端子ＴＴはいずれも無機絶縁層５で覆われている。このため、下電極ＬＥ、実装端子ＭＴ、及び、検査端子ＴＴは、隔壁６の下部６１及び上部６２をそれぞれ形成するためのエッチングガスあるいはエッチング液に晒されず、隔壁形成工程でダメージを受けることがない。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
【0082】
このような第１製造方法において、レジストＲ１２は第１レジストに相当し、レジストＲ１４は第２レジストに相当する。
【0083】
次に、給電部ＰＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰを製造するための第２製造方法について説明する。
【0084】
第２製造方法において、まず、図１６を参照して説明したステップＳＴ１１を行い、続いて、図１７を参照して説明したステップＳＴ１２を行い、続いて、図１８を参照して説明したステップＳＴ１３を行う。ステップＳＴ１１及びステップＳＴ１２については、説明を省略する。
【0085】
図２０は、図１８に示したステップＳＴ１３において、実装部ＭＰ及び検査部ＴＰに隔壁６を形成するための材料ＣＤの一部が残留した状態を示している。例えば、実装部ＭＰにおいては、有機絶縁層１２の開口ＡＰ１１において大きな段差が形成される。また、検査部ＴＰにおいては、有機絶縁層１１３の開口ＡＰ２２及び有機絶縁層１２の開口ＡＰ２３においてさらに大きな段差が形成される。このため、隔壁６を形成するための第１層及び第２層が完全に除去されない場合がありうる。このように大きな段差が形成された領域の第１層及び第２層を完全に除去するためにエッチング条件を変更すると、表示領域における隔壁６が所望のオーバーハング状に形成されないおそれがある。
【0086】
そこで、第２製造方法では、ステップＳＴ１３に続いて、以下の工程を行う。
【0087】
まず、図２１に示すステップＳＴ２１において、無機絶縁層５及び隔壁６の上に、所定の形状を有するレジストＲ２１を形成した後に、レジストＲ２１をマスクとしてエッチングを行い、無機絶縁層５に、下電極ＬＥを露出する開口ＡＰを形成する。
この工程では、給電部ＰＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰは、レジストＲ２１で覆われている。
図２１に示す工程は、図９に示した工程と同一である。その後、レジストＲ２１を除去する。
この工程では、給電部ＰＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰは、レジストＲ２１で覆われている。
図２１に示す工程は、図９に示した工程と同一である。その後、レジストＲ２１を除去する。
【0088】
続いて、図２２に示すステップＳＴ２２において、開口ＡＰから露出した下電極ＬＥを覆うとともに、無機絶縁層５及び隔壁６の上に所定の形状を有するレジストＲ２２を形成する。図示した例では、レジストＲ２２は、副画素ＳＰの開口ＡＰを塞ぎ、隔壁６を覆い、給電部ＰＰの隔壁６の上に形成されている。その後、レジストＲ２２をマスクとしてエッチングを行い、無機絶縁層５に、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２を形成する。このとき、実装部ＭＰに残留していた隔壁６の材料（残渣）ＣＤも除去される。
また、この工程では、検査部ＴＰにおいて、無機絶縁層５に、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成する。このとき、検査部ＴＰに残留していた隔壁６の材料（残渣）ＣＤも除去される。
その後、レジストＲ２２を除去する。
また、この工程では、検査部ＴＰにおいて、無機絶縁層５に、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成する。このとき、検査部ＴＰに残留していた隔壁６の材料（残渣）ＣＤも除去される。
その後、レジストＲ２２を除去する。
【0089】
以上説明したように、所望の形状の隔壁６を形成するためのエッチング条件を変更することなく、実装部ＭＰ及び検査部ＴＰの残渣を確実に除去することができる。そして、実装端子ＭＴ及び検査端子ＴＴが十分に露出する。このため、信号源との接続不良や、検査プローブとの接続不良を抑制することができる。
【0090】
また、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２及び検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成するに際して、副画素ＳＰの開口ＡＰ及び隔壁６は、レジストＲ２２で覆われている。このため、下電極ＬＥ及び隔壁６は、開口ＡＰ１２及び開口ＡＰ２４の形成工程でダメージを受けることがない。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
【0091】
このような第２製造方法において、レジストＲ１２は第１レジストに相当し、レジストＲ２１は第２レジストに相当し、レジストＲ２２は第３レジストに相当する。
【0092】
次に、給電部ＰＰ、実装部ＭＰ、及び、検査部ＴＰを製造するための第３製造方法について説明する。
【0093】
第３製造方法において、まず、図１６を参照して説明したステップＳＴ１１を行い、続いて、図１７を参照して説明したステップＳＴ１２を行い、続いて、図１８を参照して説明したステップＳＴ１３を行う。ステップＳＴ１１及びステップＳＴ１２については、説明を省略する。ステップＳＴ１３においては、図２０に示したように、実装部ＭＰ及び検査部ＴＰに隔壁６を形成するための材料ＣＤの一部が残留している場合を想定する。
【0094】
第３製造方法では、ステップＳＴ１３に続いて、以下の工程を行う。
【0095】
まず、図２３に示すステップＳＴ３１において、無機絶縁層５及び隔壁６の上に、所定の形状を有するレジストＲ３１を形成した後に、レジストＲ３１をマスクとしてエッチングを行い、無機絶縁層５に、下電極ＬＥを露出する開口ＡＰを形成する。
また、この工程では、実装部ＭＰにおいて、実装端子ＭＴに重畳する無機絶縁層５の一部も除去する。実装部ＭＰに材料ＣＤが残留している場合、実装端子ＭＴに重畳する無機絶縁層５を完全に除去することができない。
さらに、この工程では、検査部ＴＰにおいて、検査端子ＴＴに重畳する無機絶縁層５の一部も除去する。検査部ＴＰに材料ＣＤが残留している場合、検査端子ＴＴに重畳する無機絶縁層５を完全に除去することができない。
なお、この工程では、給電部ＰＰは、レジストＲ３１で覆われている。
図２３に示す工程は、図９に示した工程と同一である。その後、レジストＲ３１を除去する。
また、この工程では、実装部ＭＰにおいて、実装端子ＭＴに重畳する無機絶縁層５の一部も除去する。実装部ＭＰに材料ＣＤが残留している場合、実装端子ＭＴに重畳する無機絶縁層５を完全に除去することができない。
さらに、この工程では、検査部ＴＰにおいて、検査端子ＴＴに重畳する無機絶縁層５の一部も除去する。検査部ＴＰに材料ＣＤが残留している場合、検査端子ＴＴに重畳する無機絶縁層５を完全に除去することができない。
なお、この工程では、給電部ＰＰは、レジストＲ３１で覆われている。
図２３に示す工程は、図９に示した工程と同一である。その後、レジストＲ３１を除去する。
【0096】
続いて、図２４に示すステップＳＴ３２において、開口ＡＰから露出した下電極ＬＥを覆うとともに、無機絶縁層５及び隔壁６の上に所定の形状を有するレジストＲ３２を形成する。図示した例では、レジストＲ３２は、副画素ＳＰの開口ＡＰを塞ぎ、隔壁６を覆い、給電部ＰＰの隔壁６の上に形成されている。その後、レジストＲ３２をマスクとしてエッチングを行い、無機絶縁層５に、実装端子ＭＴを露出する開口ＡＰ１２を形成する。このとき、実装部ＭＰに残留していた材料ＣＤも除去される。
また、この工程では、検査部ＴＰにおいて、無機絶縁層５に、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成する。このとき、検査部ＴＰに残留していた材料ＣＤも除去される。
その後、レジストＲ３２を除去する。
また、この工程では、検査部ＴＰにおいて、無機絶縁層５に、検査端子ＴＴを露出する開口ＡＰ２４を形成する。このとき、検査部ＴＰに残留していた材料ＣＤも除去される。
その後、レジストＲ３２を除去する。
【0097】
以上説明した第３製造方法においても、上記の第２製造方法と同様の効果が得られる。
【0098】
このような第３製造方法において、レジストＲ１２は第１レジストに相当し、レジストＲ３１は第２レジストに相当し、レジストＲ３２は第３レジストに相当する。
【0099】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【0100】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0101】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0102】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0103】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板
５…無機絶縁層 ＡＰ、ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
１２…有機絶縁層
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
１０…基板
５…無機絶縁層 ＡＰ、ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
１２…有機絶縁層
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】