特開 2024-111246 チップ抵抗器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024111246

(43)【公開日】2024-08-16

(54)【発明の名称】チップ抵抗器

(51)【国際特許分類】

   H01C 1/148 20060101AFI20240808BHJP

   H01C 1/032 20060101ALI20240808BHJP

   H01C 7/00 20060101ALI20240808BHJP

【ＦＩ】

H01C1/148 Z

H01C1/032

H01C7/00 110

【審査請求】有

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024100461

(22)【出願日】2024-06-21

(62)【分割の表示】P 2020087482の分割

【原出願日】2020-05-19

(71)【出願人】

【識別番号】000105350

【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松本 健太郎

(72)【発明者】

【氏名】木村 太郎

(72)【発明者】

【氏名】溝上 利文

(57)【要約】

【課題】外部メッキ層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、一対の表電極３上における絶縁基板２の端面から離反した領域に、抵抗体５の全体を覆う保護膜１１との境界位置を超えて該保護膜１１の端部に重なる補助導電膜８が設けられており、この補助導電膜８の抵抗値は表電極３と端面電極９の抵抗値に対して高く設定されており、外部メッキ層１０は補助導電膜８を覆って該補助導電膜８と保護膜１１の境界位置まで延びている。補助導電膜８は、表電極３から離反した位置で保護膜１１の端部上に形成された第１補助導電膜８０と、第１補助導電膜８０の一部を覆って表電極３に接触する第２補助導電膜８１との２層構造からなり、第１補助導電膜８０がカーボン系の導電材料で形成されていると共に、第２補助導電膜８１が金属系の導電材料で形成されている。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の表面両端部に設けられた一対の表電極と、前記絶縁基板の裏面両端部に設けられた一対の裏電極と、一対の前記表電極に跨るように設けられた抵抗体と、前記表電極と前記抵抗体の接続部分を含めて該抵抗体の全体を覆う絶縁性の保護膜と、少なくとも前記絶縁基板の両端面に延在して前記表電極と前記裏電極を導通する一対の端面電極と、前記端面電極を覆うように設けられると共に、前記表電極と前記保護膜の境界位置を超えて該保護膜の端部まで延びる一対の外部メッキ層と、を備えたチップ抵抗器において、
前記表電極上における前記絶縁基板の端面から離反した領域に、前記保護膜との境界位置を超えて該保護膜の端部に重なる補助導電膜が設けられており、
前記補助導電膜の抵抗値は前記表電極および前記端面電極の抵抗値に対して高く設定されており、
前記外部メッキ層は前記補助導電膜を覆って該補助導電膜と前記保護膜の境界位置まで延びており、
前記補助導電膜は、前記表電極から離反した位置で前記保護膜の端部上に形成された第１補助導電膜と、前記第１補助導電膜の一部を覆って前記表電極に接触している第２補助導電膜との２層構造からなり、
前記第１補助導電膜がカーボン系の導電材料で形成されていると共に、前記第２補助導電膜が金属系の導電材料で形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項2】

請求項１の記載において、前記第１補助導電膜は前記保護膜の上面よりも高い位置となるように設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、面実装タイプのチップ抵抗器に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部メッキ層と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。

【0003】

この種のチップ抵抗器において、通常、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属材料が用いられており、この表電極を覆うように外部メッキ層が形成された構成となっているが、外部メッキ層と保護膜の境界部分となる隙間から腐食性の強い硫化ガス等が侵入し易いため、表電極と保護膜の境界位置における表電極部分が硫化ガス等によって腐食されて抵抗値変化や断線等の不具合を招来する虞がある。

【0004】

そこで従来より、図１２（ａ）に示すように、一対の端面電極１００を表電極１０４と保護膜１０１の境界位置を超えて保護膜１０１の端部まで覆うように形成すると共に、外部メッキ層１０２を保護膜１０１の端部に密着させることにより、外部メッキ層１０２と保護膜１０１との境界部分となる隙間をなくして、表電極１０４と保護膜１０１の境界位置における表電極部分が硫化ガスに晒されないようにしたチップ抵抗器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、図１２において、符号１０３は絶縁基板、符号１０５は抵抗体、符号１０６は裏電極をそれぞれ示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００９－１５８７２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ところで、従来の一般的なチップ抵抗器においては、外部メッキ層を形成する場合、無電解めっきに比べて価格的に安くめっき処理時間も短い等の利点を有するため、電解めっきが広く採用されている。かかる電解めっきにおいて、電流は被めっき物である電極表面の等電位面に垂直に流れることから、複雑な形状の被めっき物では電流分布が不均一になり、均一な厚さのメッキ皮膜を形成することが困難となる。

【0007】

前述した図１２（ａ）に示す構成のチップ抵抗器では、電解めっきによって外部メッキ層１０２を形成する場合、外部メッキ層１０２の先端に電流密度が集中するため、図１２（ｂ）に示すように、保護膜１０１の端部に密着する外部メッキ層１０２の先端に膜厚部１０２ａが生じ易くなる。そして、このような膜厚部１０２ａが形成されると、保護膜１０１の端部に密着する外部メッキ層１０２が、先端の膜厚部１０２ａ側から剥がれ易くなるため、結果的に外部メッキ層１０２と保護膜１０１の境界部分に隙間ができ、当該部分から硫化ガス等が入り込んでしまうことになる。

【0008】

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部メッキ層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の表面両端部に設けられた一対の表電極と、前記絶縁基板の裏面両端部に設けられた一対の裏電極と、一対の前記表電極に跨るように設けられた抵抗体と、前記表電極と前記抵抗体の接続部分を含めて該抵抗体の全体を覆う絶縁性の保護膜と、少なくとも前記絶縁基板の両端面に延在して前記表電極と前記裏電極を導通する一対の端面電極と、前記端面電極を覆うように設けられると共に、前記表電極と前記保護膜の境界位置を超えて該保護膜の端部まで延びる一対の外部メッキ層と、を備えたチップ抵抗器において、前記表電極上における前記絶縁基板の端面から離反した領域に、前記保護膜との境界位置を超えて該保護膜の端部に重なる補助導電膜が設けられており、前記補助導電膜の抵抗値は前記表電極および前記端面電極の抵抗値に対して高く設定されており、前記外部メッキ層は前記補助導電膜を覆って該補助導電膜と前記保護膜の境界位置まで延びており、前記補助導電膜は、前記表電極から離反した位置で前記保護膜の端部上に形成された第１補助導電膜と、前記第１補助導電膜の一部を覆って前記表電極に接触している第２補助導電膜との２層構造からなり、前記第１補助導電膜がカーボン系の導電材料で形成されていると共に、前記第２補助導電膜が金属系の導電材料で形成されていることを特徴としている。

【0010】

このように構成されたチップ抵抗器では、保護膜の両端部に表電極との境界位置を超える位置まで延びる補助導電膜が設けられており、この補助導電膜が表電極上における前記絶縁基板の端面から離反した位置で該表電極に接触していると共に、補助導電膜の抵抗値が表電極や端面電極の抵抗値よりも高く設定されている。そして、補助導電膜が、表電極から離反した位置で保護膜の端部上に形成された第１補助導電膜と、第１補助導電膜の一部を覆って表電極に接触している第２補助導電膜との２層構造からなり、第１補助導電膜がカーボン系の導電材料で形成されていると共に、第２補助導電膜が金属系の導電材料で形成されているため、補助導電膜の抵抗値を保護膜側が高くて端面側が低いものにすることができる。これにより、外部メッキ層を電解めっきによって形成する際に、外部メッキ層の先端の電流密度を下げることができるため、外部メッキ層の先端が膜厚部とならず、外部メッキ層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を実現することができる。

【0011】

また、上記構成のチップ抵抗器において、第１補助導電膜が保護膜の上面よりも高い位置となるように設定されていることを特徴としている。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、外部メッキ層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の第１の実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図2】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図3】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図4】本発明の第２の実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図5】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図6】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図7】本発明の第３の実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図8】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図9】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図10】本発明の第４の実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図11】本発明の第５の実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図12】従来例に係るチップ抵抗器の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、図１は第１の実施形態に係るチップ抵抗器１の断面図、図２は該チップ抵抗器１の製造工程を示す平面図、図３は該チップ抵抗器１の製造工程を示す断面図である。

【0015】

図１に示すように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３に跨るように設けられた長方形状の抵抗体５と、表電極３と抵抗体５の接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆うアンダーコート層６と、アンダーコート層６を被覆するオーバーコート層７と、オーバーコート層７の両端部に設けられた一対の補助導電膜８と、絶縁基板２の両端面に延在して対応する表電極３と裏電極４を導通する一対の端面電極９と、端面電極９を覆うように設けられた一対の外部メッキ層１０とにより主として構成されている。

【0016】

絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は後述する大判の集合基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

【0017】

表電極３はＰｄ（パラジウム）を１～５ｗｔ％含有するＡｇ（銀）系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。同様に、裏電極４もＰｄを１～５ｗｔ％含有するＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

【0018】

抵抗体５は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体５の長手方向の両端部は表電極３に重なっている。図示省略されているが、抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。

【0019】

アンダーコート層６とオーバーコート層７は２層構造の保護膜１１を構成するものである。アンダーコート層６はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、このアンダーコート層６はトリミング溝を形成する前に抵抗体５を覆うように形成されている。オーバーコート層７はエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものであり、オーバーコート層７はトリミング溝を形成した後のアンダーコート層６を覆うように形成されている。

【0020】

補助導電膜８はカーボン系導電フィラーを充填した樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この補助導電膜８は、オーバーコート層７の端部を覆って、表電極３とオーバーコート層７との境界位置よりも端面寄りの位置に至る範囲に形成されている。

【0021】

端面電極９はニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、この端面電極９によって絶縁基板２の端面を介して離間する表電極３と裏電極４とが導通されている。端面電極９は表電極３と補助導電膜８との境界位置を超えて補助導電膜８の側端部まで延びており、補助導電膜８のオーバーコート層７寄りの上面は端面電極９に覆われずに露出している。

【0022】

外部メッキ層１０はバリヤー層と外部接続層の２層構造からなり、そのうちバリヤー層は電解めっきによって形成されたＮｉメッキ層であり、外部接続層は電解めっきによって形成されたＳｎメッキ層である。この外部メッキ層１０は、端面電極９の表面全体と該端面電極９から露出する裏電極４を覆うと共に、端面電極９から露出する補助導電膜８を覆っている。

【0023】

ここで、表電極３や端面電極９は銀やニッケル等の金属系導電材料で形成されているのに対し、補助導電膜８は金属を含まないカーボン系の導電材料で形成されているため、補助導電膜８の抵抗値は表電極３の抵抗値や端面電極９の抵抗値よりも高いものとなっている。すなわち、補助導電膜８の表面の抵抗値についてみると、端面電極９で覆われた端面側が低くて端面電極９から露出するオーバーコート層７側が高くなっているため、外部メッキ層１０を電解めっきによって形成する際に、外部メッキ層１０の先端の電流密度を下げることができ、外部メッキ層１０の先端が膨らんで膜厚部になってしまうことを防止できる。

【0024】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図２と図３を参照しながら説明する。

【0025】

まず、格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成された集合基板２Ａを準備する。これら一次分割溝と二次分割溝によって集合基板２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、これらチップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。図２と図３には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

【0026】

そして、図２（ａ）と図３（ａ）に示すように、集合基板２Ａの裏面にＡｇ－Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する。また、これと同時あるいは前後して、集合基板２Ａの表面にＡｇ－Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する。次に、集合基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、両端部を表電極３に重ね合わせた長方形状の抵抗体５を形成する。

【0027】

次に、図２（ｂ）と図３（ｂ）に示すように、抵抗体５を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷してこれを乾燥・焼成することにより、表電極３との接続端部を含めて抵抗体５の全体を被覆するアンダーコート層６を形成する。そして、このアンダーコート層６の上からレーザー光を照射することにより、抵抗体５に不図示のトリミング溝を形成して抵抗値を調整した後、アンダーコート層６の上からエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）することにより、アンダーコート層６の全体と表電極３の端部を被覆するオーバーコート層７を形成する。なお、これらアンダーコート層６とオーバーコート層７によって２層構造の保護膜１１が形成される。

【0028】

次に、カーボン系の導電フィラーを充填した樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図２（ｃ）と図３（ｃ）に示すように、オーバーコート層７の両端部を所定幅で覆う一対の補助導電膜８を形成する。これら補助導電膜８は、オーバーコート層７の端部を覆って、表電極３とオーバーコート層７との境界位置よりも端面寄りの位置に至る範囲に形成されるため、補助導電膜８は表電極３と接続するように形成される。

【0029】

これまでの工程は集合基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。

【0030】

次に、この短冊状基板２Ｂの分割面に向けてＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図２（ｄ）と図３（ｄ）に示すように、表電極３と裏電極４を導通する一対の端面電極９を形成する。その際、端面電極９は表電極３と補助導電膜８との境界位置を超えて補助導電膜８の側端部まで形成されるが、補助導電膜８のオーバーコート層７寄りの上面は端面電極９に覆われない。

【0031】

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２Ｃに２次分割した後、これらチップ状基板２Ｃに対して電解ニッケルめっきと電解スズめっきを順次施すことにより、図２（ｅ）と図３（ｅ）に示すように、端面電極９と裏電極４を被覆する外部メッキ層１０を形成してチップ抵抗器１が完成する。この外部メッキ層１０は、Ｎｉメッキ層とＳｎメッキ層の２層構造からなり、端面電極９の表面全体と該端面電極９から露出する裏電極を覆うと共に、端面電極９から露出する補助導電膜８を覆うように形成される。

【0032】

このように第１の実施形態に係るチップ抵抗器１では、オーバーコート層（保護膜）７の両端部に表電極３との境界位置を超える位置まで延びる補助導電膜８が設けられており、この補助導電膜８の抵抗値が表電極３や端面電極９の抵抗値よりも高く設定されているため、電解めっきを施して外部メッキ層１０を形成する際に、外部メッキ層１０の先端の電流密度を補助導電膜８によって下げることができる。その結果、外部メッキ層１０の先端が膨らんで膜厚部になってしまうことはなく、均一厚に形成された外部メッキ層１０の先端がオーバーコート層７の端部に密着した構成となるため、膜厚部に起因する外部メッキ層１０の剥がれを防止することができ、耐食性（特に耐硫化特性）の高いチップ抵抗器１を実現することができる。

【0033】

図４は第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。図４に示す第２の実施形態が図１に示す第１の実施形態と相違する点は、端面電極９のうち、表電極３を覆う上面部９ａと裏電極４を覆う下面部９ｂおよび絶縁基板２の端面を覆う側面部９ｃとが別方向からのスパッタリングによって形成されることにあり、それ以外の構成は基本的に同じであるため、ここでは重複説明を省略する

【0034】

以下、第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０の製造方法について、図５と図６を参照しながら説明する。なお、このチップ抵抗器２０の製造工程において、図５（ａ）と図６（ａ）に示した補助導電膜８の形成工程までは第１実施形態例と同じであり、図５と図６はそれ以降の工程を示している。

【0035】

すなわち、抵抗体５を覆うようにアンダーコート層６とオーバーコート層７からなる２層構造の保護膜１１を形成した後、カーボン系導電フィラーを充填した樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図５（ａ）と図６（ａ）に示すように、オーバーコート層７の両端部を所定幅で覆う一対の補助導電膜８を形成する。

【0036】

次に、オーバーコート層７の表面に水等で洗い流せるマスキングペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図５（ｂ）と図６（ｂ）に示すように、一対の補助導電膜８で挟まれたオーバーコート層７の露出部位を覆うマスキング１２を形成する。この時、マスキング１２は補助導電膜８とオーバーコート層７との境界部分を超えて補助導電膜８の一部を覆うように形成されるが、補助導電膜８の端面寄りの上面はマスキング１２に覆われずに露出している。同様に、集合基板２Ａの裏面側についても、一対の裏電極４で挟まれた集合基板２Ａの露出部位を覆うマスキング１３を形成する。

【0037】

次に、集合基板２Ａの上面に向けて垂直方向にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図５（ｃ）と図６（ｃ）に示すように、集合基板２Ａの表面側に露出する表電極３と補助導電膜８およびマスキング１２を覆う端面電極９の上面部９ａを形成する。同様に、集合基板２Ａの下面に向けて垂直方向にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、集合基板２Ａの裏面側に露出する裏電極４とマスキング１３を覆う端面電極９の下面部９ｂを形成する。

【0038】

しかる後、集合基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。次に、この短冊状基板２Ｂの分割面に向けて水平方向にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図５（ｄ）と図６（ｄ）に示すように、短冊状基板２Ｂの分割面に端面電極９の側面部９ｃを形成する。

【0039】

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２Ｃに２次分割した後、図５（ｅ）と図６（ｅ）に示すように、マスキング１２，１３を洗浄して取り除く。これにより、マスキング１２で覆われていたオーバーコート層７の上面と補助導電膜８のオーバーコート層７寄りの上面は端面電極９に覆われずに露出すると共に、マスキング１３で覆われていたチップ状基板２Ｃの裏面中央部が露出し、チップ状基板２Ｃの両端部に対応する表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９が形成される。

【0040】

次に、チップ状基板２Ｃに対して電解ニッケルめっきと電解スズめっきを順次施すことにより、図５（ｆ）と図６（ｆ）に示すように、端面電極９と裏電極４を被覆する外部メッキ層１０を形成してチップ抵抗器２０が完成する。この外部メッキ層１０は、Ｎｉメッキ層とＳｎメッキ層の２層構造からなり、端面電極９の表面全体と該端面電極９から露出する裏電極を覆うと共に、端面電極９から露出する補助導電膜８を覆うように形成される。

【0041】

このよう第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０では、端面電極９を構成する上面部９ａと下面部９ｂおよび側面部９ｃが別方向からのスパッタリングによって形成され、表電極３と補助導電膜８を覆う上面部９ａは基板表面に向かって垂直方向に行われるスパッタリングによって形成されるため、厚みの均一な上面部９ａを容易に形成することができる。したがって、その後に電解めっきを行う際に、被めっき物である上面部９ａの電流分布が不均一にならず、また、端面電極９の比抵抗を下げることができ、補助導電膜８の露出部分とさらに抵抗値の差をつけることができるため、外部メッキ層１０の先端に生じる膜厚部をより確実に阻止することができる。

【0042】

図７は本発明の第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。

【0043】

第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、端面電極９が表電極３の表面を覆っていないことと、補助導電膜８が、オーバーコート層７の端部上に形成された第１補助導電膜８０と、第１補助導電膜８０の一部を覆う第２補助導電膜８１との２層構造からなることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

【0044】

すなわち、図７に示すように、第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３に跨るように設けられた長方形状の抵抗体５と、表電極３と抵抗体５の接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆うアンダーコート層６と、アンダーコート層６を被覆するオーバーコート層７と、オーバーコート層７の両端部を覆う一対の第１補助導電膜８０と、これら第１補助導電膜８０の側端部を覆う一対の第２補助導電膜８１と、絶縁基板２の両端面に設けられて対応する表電極３と裏電極４を導通する一対の端面電極９と、端面電極９を覆うように設けられた一対の外部メッキ層１０とにより主として構成されている。

【0045】

第１補助導電膜８０は、カーボン系導電フィラーを充填した樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この第１補助導電膜８０は、オーバーコート層７の端部を覆って、表電極３とオーバーコート層７との境界位置よりも端面寄りの位置に形成されている。第２補助導電膜８１は、銀等の導電性金属粒子を充填した樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この第２補助導電膜８１は、第１補助導電膜８０の側端部を覆って、表電極３と第１補助導電膜８０との境界位置よりも端面寄りの位置に至る範囲に形成されている。これら第１補助導電膜８０と第２補助導電膜８１は２層構造の補助導電膜８を構成するものであり、第１補助導電膜８０と第２補助導電膜８１の上面は面一になっている。したがって、補助導電膜８の表面の抵抗値についてみると、第２補助導電膜８１が露出する端面側が低く、第１補助導電膜８０が露出するオーバーコート層７側が高くなっている。

【0046】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器３０の製造方法について、図８と図９を参照しながら説明する。なお、このチップ抵抗器３０の製造工程において、図８（ａ）と図９（ａ）に示したオーバーコート層７の形成工程までは第１実施形態例と同じであり、図８と図９はそれ以降の工程を示している。

【0047】

すなわち、図８（ａ）と図９（ａ）に示すように、抵抗体５を覆うようにアンダーコート層６とオーバーコート層７からなる２層構造の保護膜１１を形成した後、カーボン系導電フィラーを充填した樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図８（ｂ）と図９（ｂ）に示すように、オーバーコート層７の両端部を所定幅で覆う一対の第１補助導電膜８０を形成する。

【0048】

次に、樹脂銀ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図８（ｃ）と図９（ｃ）に示すように、第１補助導電膜８０の側端部を覆う一対の第２補助導電膜８１を形成する。その結果、第１補助導電膜８０と第２補助導電膜８１からなる２層構造の補助導電膜８が形成され、この補助導電膜８の表面の抵抗値は、第２補助導電膜８１の露出する端面側が低く、第１補助導電膜８０の露出するオーバーコート層７側が高くなっている。

【0049】

しかる後、集合基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。次に、この短冊状基板２Ｂの分割面に向けてＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図８（ｄ）と図９（ｄ）に示すように、短冊状基板２Ｂの分割面に表電極３と裏電極４を導通する端面電極９を形成する。

【0050】

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２Ｃに２次分割した後、これらチップ状基板２Ｃに対して電解ニッケルめっきと電解スズめっきを順次施すことにより、図８（ｅ）と図９（ｅ）に示すように、表電極３と端面電極９および裏電極４を被覆する外部メッキ層１０を形成してチップ抵抗器３０が完成する。この外部メッキ層１０は、Ｎｉメッキ層とＳｎメッキ層の２層構造からなり、端面電極９と裏電極の表面全体を覆うと共に、表電極３と補助導電膜８（第１補助導電膜８０と第２補助導電膜８１）を覆ってオーバーコート層７の先端部まで延びるように形成される。

【0051】

このように第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０では、補助導電膜８が、オーバーコート層７の端部上に形成された第１補助導電膜８０と、第１補助導電膜８０の一部を覆う第２補助導電膜８１との２層構造からなり、第１補助導電膜８０がカーボン系の導電材料で形成されていると共に、第２補助導電膜８１が銀等の金属系導電材料で形成されているため、端面側よりもオーバーコート層７側の抵抗値を高くした補助導電膜８を容易に形成することができる。

【0052】

図１０は第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０の断面図であり、図７に対応する部分には同一符号を付してある。

【0053】

図１０に示すように、第４の実施形態に係るチップ抵抗器４０が第３の実施形態に係るチップ抵抗器３０と相違する点は、補助導電膜８を構成する第１補助導電膜８０と第２補助導電膜８１のうち、第１補助導電膜８０が表電極３に接触せずに離反していることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。このように抵抗値の高い方の第１補助導電膜８０が表電極３から浮いていると、より効果的に補助導電膜８の抵抗値をオーバーコート層７側が高くて端面側が低いものにすることができる。

【0054】

図１１は第５の実施形態に係るチップ抵抗器５０の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。

【0055】

図１１に示すように、第５の実施形態に係るチップ抵抗器５０が第１の実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、保護膜１１を構成するアンダーコート層６とオーバーコート層７のうち、オーバーコート層７がアンダーコート層６の両端部を除く上面中央部に形成され、補助導電膜８がアンダーコート層６の両端部を覆うように形成されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。

【0056】

このように構成されたチップ抵抗器５０では、アンダーコート層６の両端部に一対の補助導電膜８を形成した後、これら補助導電膜８の間に露出するアンダーコート層６の上面中央部にオーバーコート層７を形成することができるため、オーバーコート層７の直線性を高めることができる。また、オーバーコート層７がアンダーコート層６の両端部を覆っていない分だけ、ガラス材料からなるアンダーコート層６を表電極３に対して広い範囲で密着させることができるため、仮にオーバーコート層７と補助導電膜８の間から硫化ガス等が侵入したとしても、その硫化ガス等が表電極３まで侵入してしまうことをアンダーコート層６によって確実に阻止することができる。

【符号の説明】

【0057】

１，２０，３０，４０，５０ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 集合基板
２Ｂ 短冊状基板
２Ｃ チップ状基板
３ 表電極
４ 裏電極
５ 抵抗体
６ アンダーコート層
７ オーバーコート層
８ 補助導電膜
８０ 第１補助導電膜
８１ 第２補助導電膜
９ 端面電極
９ａ 上面部
９ｂ 下面部
９ｃ 側面部
１０ 外部メッキ層
１１ 保護膜
１２，１３ マスキング

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】