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特開2024-111468絶縁基板、電気配線基板及びサーマルプリントヘッド並びにそれらの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024111468
(43)【公開日】2024-08-19
(54)【発明の名称】絶縁基板、電気配線基板及びサーマルプリントヘッド並びにそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
C04B 41/87 20060101AFI20240809BHJP
B41J 2/335 20060101ALI20240809BHJP
C04B 41/86 20060101ALI20240809BHJP
C04B 41/90 20060101ALI20240809BHJP
【ＦＩ】
C04B41/87 B
B41J2/335 101C
B41J2/335 101H
C04B41/86 U
C04B41/90 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023015988
(22)【出願日】2023-02-06
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】仲谷 吾郎
【テーマコード（参考）】
2C065
【Ｆターム（参考）】
2C065GA01
2C065GB01
2C065JC06
2C065JC10
2C065JC12
2C065JC14
2C065JH05
2C065JH14
(57)【要約】
【課題】配線層の断線を防止し得る絶縁基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２は、主面３ａを含むセラミック基板３と、主面３ａを覆う平坦化層４とを備える。平坦化層４は、セラミック層である。
【選択図】図２
【解決手段】絶縁基板２は、主面３ａを含むセラミック基板３と、主面３ａを覆う平坦化層４とを備える。平坦化層４は、セラミック層である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
主面を含むセラミック基板と、
前記主面を覆う平坦化層とを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板。
前記主面を覆う平坦化層とを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板。
【請求項2】
前記主面に陥没が形成されており、
前記陥没は前記平坦化層で埋め込まれている、請求項１に記載の絶縁基板。
前記陥没は前記平坦化層で埋め込まれている、請求項１に記載の絶縁基板。
【請求項3】
前記セラミック層は、前記陥没のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を焼結することによって形成されたセラミック粉末焼成層である、請求項２に記載の絶縁基板。
【請求項4】
前記セラミック粉末の前記粒径は、前記陥没のサイズの三分の一以下である、請求項３に記載の絶縁基板。
【請求項5】
前記陥没のサイズは、１０μｍ以上であり、
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、請求項３に記載の絶縁基板。
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、請求項３に記載の絶縁基板。
【請求項6】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の前記絶縁基板と、
前記平坦化層上に配置されている配線層とを備える、電気配線基板。
前記平坦化層上に配置されている配線層とを備える、電気配線基板。
【請求項7】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の前記絶縁基板と、
前記セラミック基板上に配置されているグレーズと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に配置されている配線層と、
前記グレーズ上に配置されており、かつ、前記配線層に接続されている発熱抵抗体とを備える、サーマルプリントヘッド。
前記セラミック基板上に配置されているグレーズと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に配置されている配線層と、
前記グレーズ上に配置されており、かつ、前記配線層に接続されている発熱抵抗体とを備える、サーマルプリントヘッド。
【請求項8】
主面を含むセラミック基板を準備することと、
前記主面上に第１ペーストを塗布して、前記第１ペーストを焼成することによって、平坦化層を形成することとを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板の製造方法。
前記主面上に第１ペーストを塗布して、前記第１ペーストを焼成することによって、平坦化層を形成することとを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板の製造方法。
【請求項9】
前記主面に陥没が形成されており、
前記陥没は前記平坦化層で埋め込まれる、請求項８に記載の絶縁基板の製造方法。
前記陥没は前記平坦化層で埋め込まれる、請求項８に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項10】
前記第１ペーストは、前記陥没のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を含み、
前記平坦化層は、前記セラミック粉末が焼結されたセラミック粉末焼成層である、請求項９に記載の絶縁基板の製造方法。
前記平坦化層は、前記セラミック粉末が焼結されたセラミック粉末焼成層である、請求項９に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項11】
前記セラミック粉末の前記粒径は、前記陥没のサイズの三分の一以下である、請求項１０に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項12】
前記陥没のサイズは、１０μｍ以上であり、
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、請求項１０に記載の絶縁基板の製造方法。
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、請求項１０に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項13】
請求項８から請求項１２のいずれか一項に記載された前記絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、
前記平坦化層上に第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することとを備える、電気配線基板の製造方法。
前記平坦化層上に第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することとを備える、電気配線基板の製造方法。
【請求項14】
請求項８から請求項１２のいずれか一項に記載された前記絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、
前記セラミック基板上にガラスペーストを塗布して、前記ガラスペーストを焼成することによって、グレーズを形成することと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に導電材料を含む第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することと、
前記グレーズ及び前記配線層上に抵抗体ペーストを塗布して、前記抵抗体ペーストを焼成することによって、発熱抵抗体を形成することとを備え、
前記第１ペーストの焼成温度は、前記ガラスペーストの焼成温度よりも低い、サーマルプリントヘッドの製造方法。
前記セラミック基板上にガラスペーストを塗布して、前記ガラスペーストを焼成することによって、グレーズを形成することと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に導電材料を含む第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することと、
前記グレーズ及び前記配線層上に抵抗体ペーストを塗布して、前記抵抗体ペーストを焼成することによって、発熱抵抗体を形成することとを備え、
前記第１ペーストの焼成温度は、前記ガラスペーストの焼成温度よりも低い、サーマルプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、絶縁基板、電気配線基板及びサーマルプリントヘッド並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特開２０２０－１６３６５４号公報（特許文献１）は、絶縁基板と、ヒーターグレーズと、ダイボンディンググレーズと、中間ガラス層と、発熱抵抗体と、電極層とを備えるサーマルプリントヘッドを開示している。絶縁基板は、主面を有している。中間ガラス層は、絶縁基板の主面のうちヒーターグレーズとダイボンディンググレーズとの間にある部分を覆っている。中間ガラス層は、ヒーターグレーズとダイボンディンググレーズとに接触している。中間ガラス層の軟化点は、ヒーターグレーズの軟化点及びダイボンディンググレーズの軟化点よりも低い。電極層は、ヒーターグレーズと中間ガラス層とダイボンディンググレーズとの上に配置されており、発熱抵抗体に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１６３６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の目的は、配線層の断線を防止し得る絶縁基板、電気配線基板及びサーマルプリントヘッド並びにそれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の絶縁基板は、主面を含むセラミック基板と、主面を覆う平坦化層とを備える。平坦化層は、セラミック層である。
【0006】
本開示の電気配線基板は、本開示の絶縁基板と、平坦化層上に配置されている配線層とを備える。
【0007】
本開示のサーマルプリントヘッドは、本開示の絶縁基板と、グレーズと、配線層と、発熱抵抗体とを備える。グレーズは、セラミック基板上に配置されている。配線層は、グレーズ及び平坦化層上に配置されている。発熱抵抗体は、グレーズ上に配置されており、かつ、配線層に接続されている。
【0008】
本開示の絶縁基板の製造方法は、主面を含むセラミック基板を準備することと、主面上に第１ペーストを塗布して、第１ペーストを焼成することによって、平坦化層を形成することとを備える。平坦化層は、セラミック層である。
【0009】
本開示の電気配線基板の製造方法は、本開示の絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、平坦化層上に第２ペーストを塗布して、第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することとを備える。
【0010】
本開示のサーマルプリントヘッドの製造方法は、本開示の絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、セラミック基板上にガラスペーストを塗布して、前記ガラスペーストを焼成することによって、グレーズを形成することと、グレーズ及び平坦化層上に導電材料を含む第２ペーストを塗布して、第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することと、グレーズ及び配線層上に抵抗体ペーストを塗布して、抵抗体ペーストを焼成することによって、発熱抵抗体を形成することとを備える。第１ペーストの焼成温度は、ガラスペーストの焼成温度よりも低い。
【発明の効果】
【0011】
本開示の絶縁基板、電気配線基板及びサーマルプリントヘッド並びにそれらの製造方法によれば、配線層の断線を防止し得る。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
図面に基づいて本開示の実施の形態の詳細について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。以下に記載する実施の形態の少なくとも一部の構成を任意に組み合わせてもよい。
【0014】
（実施の形態１）
【0015】
【0016】
絶縁基板２は、セラミック基板３と、平坦化層４とを含む。
【0017】
セラミック基板３は、アルミナのようなセラミック材料で形成されている。セラミック基板３は、主面３ａを含む。主面３ａに陥没３ｂが形成されている。陥没３ｂは、例えば、セラミック基板３の製造時に、主面３ａに形成される。陥没３ｂのサイズは、例えば、１０μｍ以上である。陥没３ｂのサイズは、陥没３ｂの深さＤ及び陥没３ｂの幅Ｗのうち小さい方である。
【0018】
平坦化層４は、セラミック基板３の主面３ａを覆う。平坦化層４は、セラミック基板３の主面３ａの一部を覆ってもよいし、セラミック基板３の主面３ａの全体を覆ってもよい。平坦化層４は、セラミック基板３とは反対側に主面４ａを含む。セラミック基板３の陥没３ｂは、平坦化層４で埋め込まれている。そのため、平坦化層４の主面４ａは、セラミック基板３の主面３ａより平坦である。平坦化層４は、セラミック基板３の主面３ａのうち陥没３ｂが形成されていない部分上にさらに設けられてもよい。
【0019】
平坦化層４は、セラミック層である。セラミック層は、アルミナのようなセラミックを主成分とする材料で形成されている。本明細書において、主成分は、セラミック層におけるセラミックの含有量が５０質量％以上であることを意味する。セラミック層におけるセラミックの含有量は、７０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよく、９０質量％以上であってもよい。
【0020】
セラミック層は、例えば、陥没３ｂのサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を焼結することによって形成されたセラミック粉末焼成層である。セラミック粉末の粒径は、例えば、陥没３ｂのサイズの三分の一以下である。セラミック粉末の粒径は、例えば、２μｍ以下である。セラミック粉末の粒径は、１．５μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以下であってもよい。セラミック粉末は、例えば、住友化学株式会社製の高純度アルミナ粉末ＡＫＰ－３０、ＡＫＰ－５３またはＡＫＰ－７００である。本明細書において、粉末の粒径は、マイクロトラック社製の粒子径分布測定装置ＭＴ３０００を用いて、レーザ回折法により測定された粒径分布の中心粒径である。
【0021】
配線層５は、平坦化層４の主面４ａ上に配置されている。配線層５は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）のような導電材料で形成されている。配線層５は、曲がり部５ｂを含んでもよい。
【0022】
図３を参照して、本実施の形態の電気配線基板１の製造方法の一例を説明する。
【0023】
図３を参照して、本実施の形態の電気配線基板１の製造方法は、セラミック基板３を準備すること（ステップＳ１）を備える。セラミック基板３は、公知の方法によって製造される。セラミック基板３は、主面３ａを含む。主面３ａに陥没３ｂが形成されている。陥没３ｂのサイズは、例えば、１０μｍ以上である。
【0024】
本実施の形態の電気配線基板１の製造方法は、セラミック基板３の主面３ａ上に平坦化層４を形成すること（ステップＳ２）を備える。陥没３ｂは、平坦化層４で埋め込まれる。平坦化層４は、セラミック基板３の主面３ａのうち陥没３ｂが形成されていない部分上にさらに設けられてもよい。平坦化層４は、セラミック粉末が焼結されたセラミック粉末焼成層のようなセラミック層である。
【0025】
具体的には、セラミック基板３の主面３ａ上に第１ペーストを塗布する。第１ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷のような印刷またはディスペンサによる塗布である。セラミック基板３の陥没３ｂは、第１ペーストで埋め込まれる。第１ペーストは、セラミック基板３の主面３ａのうち陥没３ｂが形成されていない部分上にさらに設けられてもよい。第１ペーストは、陥没３ｂのサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を含む。セラミック粉末の粒径は、例えば、陥没３ｂのサイズの三分の一以下である。セラミック粉末の粒径は、例えば、２μｍ以下である。それから、第１ペーストを焼成する。第１ペーストは、平坦化層４になる。
【0026】
本実施の形態の電気配線基板１の製造方法は、平坦化層４上に配線層５を形成すること（ステップＳ３）を備える。
【0027】
具体的には、平坦化層４上に第２ペーストを塗布する。第２ペーストは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）のような導電材料を含む。第２ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷のような印刷またはディスペンサによる塗布である。
【0028】
必要があれば、第２ペーストをパターニングする。例えば、第２ペーストは、フォトリソグラフィ法によって、パターニングされる。具体的には、第２ペーストを乾燥させる。第２ペースト上にフォトレジストが塗布される。フォトレジストは、フォトマスクで覆われる。フォトレジストは、フォトマスクの開口を通して、紫外線で露光される。フォトレジストのうち紫外線に露光されて変質した部分は、現像液によって溶解される。フォトレジストがパターニングされる。第２ペーストは、パターニングされたフォトレジストを通して、エッチャントでエッチングされる。第２ペーストは、パターニングされる。レジストは、剥離液によって溶解されて、除去される。
【0029】
第２ペーストを焼成する。第２ペーストは、配線層５になる。
【0030】
本実施の形態の電気配線基板１の製造方法のうち、ステップＳ１及びステップＳ２は、本実施の形態の絶縁基板２の製造方法である。すなわち、本実施の形態の電気配線基板１の製造方法は、本実施の形態の絶縁基板２の製造方法を含む。
【0031】
本実施の形態の作用を説明する。
【0032】
セラミック基板３上に、平坦化層４が設けられている。配線層５は、セラミック基板３の主面３ａよりも平坦な平坦化層４の主面４ａ上に形成され得る。そのため、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する第２ペーストのパターニング不良が防止され得る。第２ペーストのパターニング不良に起因する配線層５間の短絡が防止され得る。
【0033】
平坦化層４は、セラミック層である。そのため、ガラス層である比較例の平坦化層と比べて、第２ペーストの焼成時にセラミック層である本実施の形態の平坦化層４が軟化することが防止される。平坦化層４の軟化に起因して配線層５に印加される応力が減少する。配線層５（特に、配線層５の曲がり部５ｂ）の断線が防止され得る。
【0034】
本実施の形態の絶縁基板２及び電気配線基板１並びにそれらの製造方法の効果を説明する。
【0035】
本実施の形態の絶縁基板２は、主面３ａを含むセラミック基板３と、主面３ａを覆う平坦化層４とを備える。平坦化層４は、セラミック層である。
【0036】
そのため、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、平坦化層４が軟化することが防止される。平坦化層４の軟化に起因して配線層５に印加される応力が減少する。配線層５の断線が防止され得る。
【0037】
本実施の形態の絶縁基板２では、セラミック基板３の主面３ａに陥没３ｂが形成されている。陥没３ｂは、平坦化層４で埋め込まれている。
【0038】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0039】
本実施の形態の絶縁基板２では、セラミック層は、陥没３ｂのサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を焼結することによって形成されたセラミック粉末焼成層である。
【0040】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂは、セラミック粉末によって、より確実に埋め込まれる。セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0041】
本実施の形態の絶縁基板２では、セラミック粉末の粒径は、陥没３ｂのサイズの三分の一以下である。
【0042】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂは、セラミック粉末によって、より確実に埋め込まれる。セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0043】
本実施の形態の絶縁基板２では、陥没３ｂのサイズは、１０μｍ以上である。セラミック粉末の粒径は、２μｍ以下である。
【0044】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂは、セラミック粉末によって、より確実に埋め込まれる。セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0045】
本実施の形態の電気配線基板１は、本実施の形態の絶縁基板２と、平坦化層４上に配置されている配線層５とを備える。
【0046】
平坦化層４はセラミック層であるため、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、平坦化層４が軟化することが防止される。平坦化層４の軟化に起因して配線層５に印加される応力が減少する。配線層５の断線が防止され得る。
【0047】
本実施の形態の絶縁基板２の製造方法は、主面３ａを含むセラミック基板３を準備すること（ステップＳ１）と、主面３ａ上に第１ペーストを塗布して、第１ペーストを焼成することによって、平坦化層４を形成すること（ステップＳ２）とを備える。平坦化層４は、セラミック層である。
【0048】
そのため、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、平坦化層４が軟化することが防止される。平坦化層４の軟化に起因して配線層５に印加される応力が減少する。配線層５の断線が防止され得る。
【0049】
本実施の形態の絶縁基板２の製造方法では、主面３ａに陥没３ｂが形成されている。陥没３ｂは、平坦化層４で埋め込まれる。
【0050】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0051】
本実施の形態の絶縁基板２の製造方法では、第１ペーストは、陥没３ｂのサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を含む。平坦化層４は、セラミック粉末が焼結されたセラミック粉末焼成層である。
【0052】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂは、セラミック粉末によって、より確実に埋め込まれる。セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0053】
本実施の形態の絶縁基板２の製造方法では、セラミック粉末の粒径は、陥没３ｂのサイズの三分の一以下である。
【0054】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂは、セラミック粉末によって、より確実に埋め込まれる。セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0055】
本実施の形態の絶縁基板２の製造方法では、陥没３ｂのサイズは、１０μｍ以上である。セラミック粉末の粒径は、２μｍ以下である。
【0056】
そのため、セラミック基板３の陥没３ｂは、セラミック粉末によって、より確実に埋め込まれる。セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５の断線が防止され得る。また、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、セラミック基板３の陥没３ｂに起因する配線層５のパターニング不良が防止され得る。配線層５間の短絡が防止され得る。
【0057】
本実施の形態の電気配線基板１の製造方法は、本実施の形態の絶縁基板２の製造方法によって絶縁基板２を製造すること（ステップＳ１及びステップＳ２）と、平坦化層４上に第２ペーストを塗布して、第２ペーストを焼成することによって、配線層５を形成すること（ステップＳ３）とを備える。
【0058】
平坦化層４はセラミック層であるため、平坦化層４上に配線層５を形成する際に、平坦化層４が軟化することが防止される。平坦化層４の軟化に起因して配線層５に印加される応力が減少する。配線層５の断線が防止され得る。
【0059】
（実施の形態２）
【0060】
【0061】
図４を参照して、サーマルプリントヘッド８は、ヘッド本体８ａと、コネクタ８ｂ，８ｃとを備える。
【0062】
ヘッド本体８ａは、例えば、矩形形状を有している。サーマルプリントヘッド８の平面視（以下、単に「平面視」という）において、ヘッド本体８ａの長辺方向は主走査方向Ｘであり、ヘッド本体８ａの短辺方向は副走査方向Ｙであり、セラミック基板３の厚さ方向は板厚方向Ｚである。板厚方向Ｚは、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに直交する方向である。平面視において、副走査方向Ｙは、印刷媒体（例えば、感熱記録紙）の搬送方向である。
【0063】
コネクタ８ｂ，８ｃは、サーマルプリントヘッド８をサーマルプリンタ（図示せず）に組み込む際、サーマルプリンタ側のコネクタ（図示せず）に接続される。コネクタ８ｂ，８ｃは、ヘッド本体８ａの副走査方向Ｙの上流側の端部に接続されている。
【0064】
図４から図６を参照して、ヘッド本体８ａは、絶縁基板２と、グレーズ１３と、配線層２０と、パッド２８，２９と、発熱抵抗体３０と、保護層３５と、支持ガラス層３８と、駆動ＩＣ４１と、導電ワイヤ４３，４４と、封止部材５０とを含む。
【0065】
本実施の形態の絶縁基板２は、実施の形態１の絶縁基板２と同様である。具体的には、絶縁基板２は、セラミック基板３と、平坦化層１０とを含む。本実施の形態のセラミック基板３は、実施の形態１のセラミック基板３と同様である。
【0066】
図５を参照して、グレーズ１３は、セラミック基板３の主面３ａ上に配置されている。グレーズ１３は、例えば、非晶質ガラスのようなガラス材料で形成されている。グレーズ１３は、ヒーターグレーズ１４と、ダイボンディンググレーズ１５とを含む。
【0067】
ヒーターグレーズ１４は、蓄熱層である。ヒーターグレーズ１４は、セラミック基板３の主面３ａの平面視において、主走査方向Ｘに延在しており、帯形状を有している。本実施形態のヒーターグレーズ１４は、いわゆる部分グレーズである。すなわち、副走査方向Ｙ及び板厚方向Ｚを含む断面において、ヒーターグレーズ１４は、セラミック基板３の主面３ａの一部分から突出している。ヒーターグレーズ１４は、発熱抵抗体３０を印刷媒体（例えば、感熱記録紙）に押し当てるために設けられている。ヒーターグレーズ１４の厚さは、例えば、１８μｍ以上５０μｍ以下である。
【0068】
ダイボンディンググレーズ１５は、ヒーターグレーズ１４から、副走査方向Ｙの上流側に離間して配置されている。セラミック基板３の主面３ａの平面視において、ダイボンディンググレーズ１５は、主走査方向Ｘに延在しており、帯形状を有している。ダイボンディンググレーズ１５は、配線層２０の一部及び駆動ＩＣ４１を支持している。ダイボンディンググレーズ１５の厚さは、例えば、３０μｍ以上５０μｍ以下である。なお、ダイボンディンググレーズ１５は、省略されてもよい。
【0069】
図５を参照して、本実施の形態の平坦化層１０は、実施の形態１の平坦化層４と同様である。具体的には、平坦化層１０は、セラミック層である。平坦化層１０の厚さは、グレーズ１３の厚さより小さい。平坦化層１０の厚さは、例えば、約２μｍである。
【0070】
平坦化層１０は、中央部１１と、周辺部１２とを含む。中央部１１は、セラミック基板３の主面３ａのうちヒーターグレーズ１４とダイボンディンググレーズ１５との間にある部分を覆っている。周辺部１２は、セラミック基板３の主面３ａのうちヒーターグレーズ１４に対して副走査方向Ｙの下流側にある部分を覆っている。平坦化層１０は、グレーズ１３に接触している。具体的には、中央部１１は、ヒーターグレーズ１４とダイボンディンググレーズ１５とに接触している。周辺部１２は、ヒーターグレーズ１４に接触している。
【0071】
図４から図６を参照して、配線層２０は、グレーズ１３及び平坦化層１０上に配置されている。配線層２０は、発熱抵抗体３０に通電するための導電経路を構成している。本実施の形態の配線層２０は、実施の形態１の配線層５と同じ材料及び同じ方法で形成されている。配線層２０の厚さは、特に限定されないが、例えば０．６μｍ以上１．２μｍ以下である。配線層２０は、共通配線２１と、複数の個別配線２５とを含む。
【0072】
共通配線２１は、ヒーターグレーズ１４及び平坦化層１０の周辺部１２上に配置されている。共通配線２１は、複数の第１帯状部２２と、連結部２３と、迂回部２４とを含む。
【0073】
複数の第１帯状部２２は、ヒーターグレーズ１４及び平坦化層１０の周辺部１２上に配置されている。複数の第１帯状部２２は、各々、副走査方向Ｙに延在している。複数の第１帯状部２２は、主走査方向Ｘにおいて等ピッチで配列されている。連結部２３は、平坦化層１０の周辺部１２上に配置されている。連結部２３は、主走査方向Ｘに延在している。連結部２３は、複数の第１帯状部２２に接続されている。迂回部２４は、複数の個別配線２５を迂回するように、連結部２３の主走査方向Ｘの一方の端部から副走査方向Ｙの上流側に延在している。
【0074】
複数の個別配線２５は、各々、発熱抵抗体３０に対して部分的に通電する。複数の個別配線２５は、各々、副走査方向Ｙにおいて、ヒーターグレーズ１４からダイボンディンググレーズ１５まで延在している。複数の個別配線２５は、各々、第２帯状部２６と、ボンディング部２７とを含む。
【0075】
第２帯状部２６は、副走査方向Ｙにおいて、ヒーターグレーズ１４からダイボンディンググレーズ１５まで延在している。第２帯状部２６は、曲がり部２６ａ，２６ｂを含む。複数の第２帯状部２６は、主走査方向Ｘにおいて等ピッチで配列されている。第２帯状部２６は、ヒーターグレーズ１４上において主走査方向Ｘに互いに隣り合う一対の第１帯状部２２の間に配置されている。第１帯状部２２及び第２帯状部２６は、主走査方向Ｘにおいて交互に配置されている。複数の個別配線２５の各々の副走査方向Ｙの上流側の端部に、ボンディング部２７が接続されている。ボンディング部２７の幅は、第２帯状部２６の幅よりも大きい。
【0076】
図５を参照して、パッド２８，２９は、配線層２０と同じ材料で形成されている。パッド２８，２９は、ダイボンディンググレーズ１５上に配置されている。副走査方向Ｙにおいて、パッド２８は、複数の個別配線２５とパッド２９との間に配置されている。パッド２８は、副走査方向Ｙにおいて、複数の個別配線２５から副走査方向Ｙの上流側に離間されて配置されている。パッド２９は、パッド２８から副走査方向Ｙの上流側に離間されて配置されている。
【0077】
図４から図６を参照して、発熱抵抗体３０は、ヒーターグレーズ１４上に配置されている。より具体的には、発熱抵抗体３０は、ヒーターグレーズ１４の頂部上に配置されている。ヒーターグレーズ１４の頂部は、板厚方向Ｚにおいてセラミック基板３の主面３ａからヒーターグレーズ１４の表面までの高さが最も大きくなる箇所である。ヒーターグレーズ１４の頂部は、例えば、副走査方向Ｙにおけるヒーターグレーズ１４の中央にある。発熱抵抗体３０は、主走査方向Ｘに延在しており、平面視において、帯形状を有している。副走査方向Ｙ及び板厚方向Ｚを含む断面において、発熱抵抗体３０は、ヒーターグレーズ１４に対してセラミック基板３とは反対側に突出している。発熱抵抗体３０の厚さは、例えば、６μｍ以上１０μｍ以下である。
【0078】
発熱抵抗体３０は、配線層２０に接続されている。具体的には、発熱抵抗体３０は、共通配線２１の複数の第１帯状部２２と複数の個別配線２５の複数の第２帯状部２６とに接続されている。平面視において、発熱抵抗体３０は、複数の第１帯状部２２及び複数の第２帯状部２６に交差するように配置されている。発熱抵抗体３０は、複数の第１帯状部２２及び複数の第２帯状部２６を跨ぐように形成されている。発熱抵抗体３０のうち、主走査方向Ｘにおいて各第１帯状部２２と各第２帯状部２６とに挟まれた部分は、発熱部３１である。発熱部３１は、発熱抵抗体３０が部分的に通電されることによって発熱する部分である。発熱部３１の発熱によって印刷媒体（例えば、感熱記録紙）に印字される。
【0079】
図５を参照して、保護層３５は、少なくとも発熱抵抗体３０を保護する。保護層３５は、共通配線２１及び複数の個別配線２５をさらに保護してもよい。保護層３５は、第１保護層３６と、第２保護層３７とを含む。
【0080】
第１保護層３６は、少なくとも発熱抵抗体３０の発熱部３１を覆っている。第１保護層３６は、発熱抵抗体３０の全体を覆ってもよい。第１保護層３６は、複数の第１帯状部２２と、複数の第２帯状部２６とをさらに覆ってもよい。第１保護層３６は、平坦化層１０の中央部１１及び周辺部１２と、ダイボンディンググレーズ１５の一部とをさらに覆ってもよい。第１保護層３６は、例えば、非晶質ガラスで形成されている。第１保護層３６の厚さは、特に限定されないが、例えば、６μｍ以上８μｍ以下である。
【0081】
第２保護層３７は、第１保護層３６上に形成されている。第２保護層３７は、印刷媒体（例えば、感熱記録紙）の搬送時に印刷媒体がサーマルプリントヘッド８に接触する可能性のある領域に形成されている。平面視において、副走査方向Ｙにおける第２保護層３７の長さは、副走査方向Ｙにおける第１保護層３６の長さよりも短い。第２保護層３７は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはチタン（Ｔｉ）を含むコーティング膜である。第２保護層３７の厚さは、第１保護層３６の厚さよりも薄い。第２保護層３７の厚さは、特に限定されないが、例えば、２μｍ以上４μｍ以下である。
【0082】
図５を参照して、支持ガラス層３８は、パッド２８上に配置されている。支持ガラス層３８は、例えば、非晶質ガラスで形成されている。
【0083】
図４及び図５を参照して、駆動ＩＣ４１は、複数の個別配線２５を選択的に通電させる。本実施形態では、複数の駆動ＩＣ４１が主走査方向Ｘに離間して配置されている。駆動ＩＣ４１は、ダイボンディンググレーズ１５上に配置されている。より具体的には、駆動ＩＣ４１は、支持ガラス層３８上に配置されている。
【0084】
図５を参照して、導電ワイヤ４３は、複数の個別配線２５のボンディング部２７と駆動ＩＣ４１とにボンディングされる。導電ワイヤ４３は、複数の個別配線２５と駆動ＩＣ４１とを電気的に接続する。導電ワイヤ４４は、パッド２９と駆動ＩＣ４１とにボンディングされる。導電ワイヤ４４は、パッド２９と駆動ＩＣ４１とを電気的に接続する。
【0085】
【0086】
図５に示されるように、サーマルプリントヘッド８は、セラミック基板３の主面３ａ上に形成されている突出部１６を含む。突出部１６は、グレーズ１３（ヒーターグレーズ１４）と、配線層２０と、発熱抵抗体３０と、保護層３５とを含む。突出部１６では、グレーズ１３（ヒーターグレーズ１４）、配線層２０、発熱抵抗体３０及び保護層３５が、主面３ａの法線方向（Ｚ方向）においてこの順に主面３ａ上に積層されている。
【0087】
図７を参照して、本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法を説明する。
【0088】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、セラミック基板３を準備すること（ステップＳ１１）を備える。本実施の形態のステップＳ１１は、実施の形態１のステップＳ１と同じである。具体的には、セラミック基板３の主面３ａに陥没３ｂ（図１及び図２を参照）が形成されている。
【0089】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、セラミック基板３の主面３ａ上にグレーズ１３を形成すること（ステップＳ１２）を備える。具体的には、セラミック基板３の主面３ａ上に第１ガラスペーストを塗布する。第１ガラスペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷のような印刷またはディスペンサによる塗布である。それから、第１ガラスペーストを焼成する。第１ガラスペーストは、グレーズ１３になる。
【0090】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、セラミック基板３の主面３ａのうちグレーズ１３から露出した部分に、平坦化層１０を形成すること（ステップＳ１３）を備える。本実施の形態のステップＳ１３は、実施の形態１のステップＳ２と同様である。
【0091】
具体的には、セラミック基板３の主面３ａのうちグレーズ１３から露出した部分上に、第１ペーストを塗布する。第１ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷のような印刷またはディスペンサによる塗布である。本実施の形態の第１ペーストは、実施の形態１の第１ペーストと同じである。具体的には、第１ペーストは、陥没３ｂ（図１及び図２を参照）のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を含む。セラミック基板３の陥没３ｂは、第１ペーストで埋め込まれる。第１ペーストは、グレーズ１３に接触している。具体的には、第１ペーストは、ヒーターグレーズ１４とダイボンディンググレーズ１５とに接触している。それから、第１ペーストを焼成する。第１ペーストは、平坦化層１０になる。第１ペーストの焼成温度は、第１ガラスペーストの焼成温度よりも低い。
【0092】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、配線層２０及びパッド２８，２９を形成すること（ステップＳ１４）を備える。本実施の形態のステップＳ１４は、実施の形態１のステップＳ３と同様である。
【0093】
具体的には、グレーズ１３及び平坦化層１０上に、第２ペーストを塗布する。本実施の形態における第２ペーストの塗布工程は、実施の形態１における第２ペーストの塗布工程と同様である。例えば、第２ペーストは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）のような導電材料を含む。第２ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷のような印刷またはディスペンサによる塗布である。
【0094】
必要があれば、第２ペーストをパターニングする。本実施の形態における第２ペーストのパターニング工程は、実施の形態１における第２ペーストのパターニング工程と同様である。それから、第２ペーストを焼成する。第２ペーストは、配線層２０及びパッド２８，２９になる。本実施の形態における第２ペーストの焼成工程は、実施の形態１における第２ペーストの焼成工程と同様である。第２ペーストの焼成温度は、第１ガラスペーストの焼成温度よりも低い。
【0095】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、発熱抵抗体３０を形成すること（ステップＳ１５）を備える。具体的には、ヒーターグレーズ１４及び配線層２０上に、抵抗体ペーストを塗布する。抵抗体ペーストは、例えば、酸化ルテニウム、窒化タンタル、タンタルまたは銀バナジウムのような導電材料と、ガラスとを含む。それから、抵抗体ペーストを焼成する。抵抗体ペーストは、発熱抵抗体３０になる。抵抗体ペーストの焼成温度は、第１ガラスペーストの焼成温度よりも低い。
【0096】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、第１保護層３６及び支持ガラス層３８を形成すること（ステップＳ１６）を備える。具体的には、グレーズ１３、平坦化層１０、配線層２０、パッド２８及び発熱抵抗体３０上に、第２ガラスペーストを塗布する。第２ガラスペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷のような印刷またはディスペンサによる塗布である。それから、第２ガラスペーストを焼成する。第２ガラスペーストは、第１保護層３６及び支持ガラス層３８になる。第２ガラスペーストの焼成温度は、第１ガラスペーストの焼成温度よりも低い。
【0097】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、第１保護層３６上に第２保護層３７を形成すること（ステップＳ１７）を備える。第２保護層３７は、例えば、スパッタリングによって形成される。
【0098】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、支持ガラス層３８上に駆動ＩＣ４１をマウントすること（ステップＳ１８）を備える。駆動ＩＣ４１は、樹脂接着剤またははんだのような接合部材（図示せず）を用いて、支持ガラス層３８に固定される。
【0099】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、導電ワイヤ４３，４４をボンディングすること（ステップＳ１９）を備える。導電ワイヤ４３は、駆動ＩＣ４１と個別配線２５のボンディング部２７とにボンディングされる。導電ワイヤ４４は、駆動ＩＣ４１とパッド２９とにボンディングされる。
【0100】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、駆動ＩＣ４１を封止すること（ステップＳ２０）を備える。具体的には、駆動ＩＣ４１上に封止樹脂材料をポッティングする。封止樹脂材料は硬化されて、封止部材５０になる。
【0101】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、セラミック基板３にコネクタ８ｂ，８ｃを取り付けること（ステップＳ２１）を備える。コネクタ８ｂ，８ｃは、セラミック基板３の副走査方向Ｙの上流側の端部に取り付けられる。こうして、サーマルプリントヘッド８が得られる。
【0102】
本実施の形態のステップＳ１１、ステップＳ１３及びステップＳ１４は、それぞれ、実施の形態１のステップＳ１、ステップＳ２及びステップＳ３に対応している。すなわち、本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、実施の形態１の電気配線基板１の製造方法及び絶縁基板２の製造方法を含む。
【0103】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８は、実施の形態１の作用に加えて、以下の追加的作用を有する。比較例のサーマルプリントヘッドと対比しながら、本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の追加的作用を説明する。比較例のサーマルプリントヘッドは、本実施の形態のサーマルプリントヘッド８と同様に構成されているが、比較例のサーマルプリントヘッドでは、平坦化層１０は、グレーズ１３よりも低い軟化点を有するガラス層である。
【0104】
比較例のサーマルプリントヘッドにおいて、ガラス層である平坦化層１０の軟化点がグレーズ１３の軟化点よりも低い理由は、以下のとおりである。
【0105】
もし、ガラス層である平坦化層１０の軟化点がグレーズ１３の軟化点よりも高ければ、平坦化層１０用のガラスペーストの焼成時に、グレーズ１３が軟化して、グレーズ１３の形が崩れる。特に、平坦化層１０（または平坦化層１０用のガラスペースト）がグレーズ１３に接触している場合には、平坦化層１０用のガラスペーストの焼成時に、グレーズ１３が平坦化層１０と一体化して、グレーズ１３の形が大きく崩れる。その結果、ヒーターグレーズ１４の高さが減少する。グレーズ１３（ヒーターグレーズ１４）と配線層２０と発熱抵抗体３０と保護層３５とを含むサーマルプリントヘッドの突出部１６が印刷媒体（例えば、感熱記録紙）に十分に接触できず、サーマルプリントヘッドの印字品質が低下する。これに対し、比較例のサーマルプリントヘッドでは、ガラス層である平坦化層１０の軟化点がグレーズ１３の軟化点よりも低くなっている。そのため、平坦化層１０用のガラスペーストの焼成時に、グレーズ１３の形が崩れることが防止される。比較例のサーマルプリントヘッドの印字品質の低下が防止され得る。
【0106】
しかし、比較例のサーマルプリントヘッドのように、ガラス層である平坦化層１０の軟化点をグレーズ１３の軟化点よりも低くすると、第２ペースト（配線層２０用のペースト）の焼成時に平坦化層１０が軟化する。平坦化層１０の軟化に起因して配線層２０のうち平坦化層１０上にある部分に応力が印加されて、配線層２０の当該部分が断線することがある。
【0107】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８では、平坦化層１０はセラミック層である。そのため、第２ペースト（配線層２０用のペースト）の焼成時に平坦化層１０が軟化することが防止され得る。平坦化層１０上に配線層２０を形成する際に、配線層２０に印加される応力が減少する。配線層２０（特に、配線層２０の曲がり部２６ａ，２６ｂ）の断線が防止され得る。
【0108】
加えて、第１ペースト（平坦化層１０用のペースト）の焼成温度を、第１ガラスペースト（グレーズ１３用のペースト）の焼成温度よりも低くすることができる。そのため、たとえ、平坦化層１０（または第１ペースト）がグレーズ１３に接触していても、第１ペーストの焼成時に、グレーズ１３の形が保たれ得る。そのため、グレーズ１３（ヒーターグレーズ１４）と配線層２０と発熱抵抗体３０と保護層３５とを含むサーマルプリントヘッド８の突出部１６が印刷媒体（例えば、感熱記録紙）に十分に接触することができる。サーマルプリントヘッド８の印字品質が向上し得る。
【0109】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８及びその製造方法の効果は、実施の形態１の電気配線基板１及びその製造方法の効果に加えて、以下の効果を奏する。
【0110】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８は、絶縁基板２と、グレーズ１３と、配線層２０と、発熱抵抗体３０とを備える。グレーズ１３は、セラミック基板３上に配置されている。配線層２０は、グレーズ１３及び平坦化層１０上に配置されている。発熱抵抗体３０は、グレーズ１３上に配置されており、かつ、配線層２０に接続されている。
【0111】
平坦化層１０はセラミック層であるため、平坦化層１０上に配線層２０を形成する際に、平坦化層１０が軟化することが防止される。平坦化層１０の軟化に起因して配線層２０に印加される応力が減少する。配線層２０の断線が防止され得る。また、平坦化層１０の形成時に、グレーズ１３の形が保たれ得る。そのため、グレーズ１３と配線層２０と発熱抵抗体３０とを含むサーマルプリントヘッド８の突出部１６が印刷媒体（例えば、感熱記録紙）に十分に接触することができる。サーマルプリントヘッド８の印字品質が向上し得る。
【0112】
本実施の形態のサーマルプリントヘッド８の製造方法は、本実施の形態の絶縁基板２の製造方法によって絶縁基板２を準備すること（ステップＳ１１及びステップＳ１３）と、セラミック基板３上にガラスペースト（第１ガラスペースト）を塗布して、ガラスペーストを焼成することによって、グレーズ１３を形成すること（ステップＳ１２）と、グレーズ１３及び平坦化層１０上に、導電材料を含む第２ペーストを塗布して、第２ペーストを焼成することによって、配線層２０を形成すること（ステップＳ１４）と、グレーズ１３及び配線層２０上に抵抗体ペーストを塗布して、抵抗体ペーストを焼成することによって、発熱抵抗体３０を形成すること（ステップＳ１５）とを備える。第１ペーストの焼成温度は、ガラスペースト（第１ガラスペースト）の焼成温度よりも低い。
【0113】
平坦化層１０はセラミック層であるため、平坦化層１０上に配線層２０を形成する際に、平坦化層１０が軟化することが防止される。平坦化層１０の軟化に起因して配線層２０に印加される応力が減少する。配線層２０の断線が防止され得る。また、平坦化層１０の形成時に、グレーズ１３の形が保たれ得る。そのため、グレーズ１３と配線層２０と発熱抵抗体３０とを含むサーマルプリントヘッド８の突出部１６が印刷媒体（例えば、感熱記録紙）に十分に接触することができる。サーマルプリントヘッド８の印字品質が向上し得る。
【0114】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
主面を含むセラミック基板と、
前記主面を覆う平坦化層とを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板。
（付記２）
前記主面に陥没が形成されており、
前記陥没は前記平坦化層で埋め込まれている、付記１に記載の絶縁基板。
（付記３）
前記セラミック層は、前記陥没のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を焼結することによって形成されたセラミック粉末焼成層である、付記２に記載の絶縁基板。
（付記４）
前記セラミック粉末の前記粒径は、前記陥没のサイズの三分の一以下である、付記３に記載の絶縁基板。
（付記５）
前記陥没のサイズは、１０μｍ以上であり、
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、付記３または付記４に記載の絶縁基板。
（付記６）
付記１から付記５のいずれかに記載の前記絶縁基板と、
前記平坦化層上に配置されている配線層とを備える、電気配線基板。
（付記７）
付記１から付記５のいずれかに記載の前記絶縁基板と、
前記セラミック基板上に配置されているグレーズと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に配置されている配線層と、
前記グレーズ上に配置されており、かつ、前記配線層に接続されている発熱抵抗体とを備える、サーマルプリントヘッド。
（付記８）
主面を含むセラミック基板を準備することと、
前記主面上に第１ペーストを塗布して、前記第１ペーストを焼成することによって、平坦化層を形成することとを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板の製造方法。
（付記９）
前記主面に陥没が形成されており、
前記陥没は前記第１ペーストで埋め込まれる、付記８に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１０）
前記第１ペーストは、前記陥没のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を含み、
前記平坦化層は、前記セラミック粉末が焼結されたセラミック粉末焼成層である、付記９に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１１）
前記セラミック粉末の前記粒径は、前記陥没のサイズの三分の一以下である、付記１０に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１２）
前記陥没のサイズは、１０μｍ以上であり、
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、付記１０または付記１１に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１３）
付記８から付記１２のいずれかに記載された前記絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、
前記平坦化層上に第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することとを備える、電気配線基板の製造方法。
（付記１４）
付記８から付記１２のいずれかに記載された前記絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、
前記セラミック基板上にガラスペーストを塗布して、前記ガラスペーストを焼成することによって、グレーズを形成することと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に導電材料を含む第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することと、
前記グレーズ及び前記配線層上に、抵抗体ペーストを塗布して、前記抵抗体ペーストを焼成することによって、発熱抵抗体を形成することとを備え、
前記第１ペーストの焼成温度は、前記ガラスペーストの焼成温度よりも低い、サーマルプリントヘッドの製造方法。
（付記１）
主面を含むセラミック基板と、
前記主面を覆う平坦化層とを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板。
（付記２）
前記主面に陥没が形成されており、
前記陥没は前記平坦化層で埋め込まれている、付記１に記載の絶縁基板。
（付記３）
前記セラミック層は、前記陥没のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を焼結することによって形成されたセラミック粉末焼成層である、付記２に記載の絶縁基板。
（付記４）
前記セラミック粉末の前記粒径は、前記陥没のサイズの三分の一以下である、付記３に記載の絶縁基板。
（付記５）
前記陥没のサイズは、１０μｍ以上であり、
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、付記３または付記４に記載の絶縁基板。
（付記６）
付記１から付記５のいずれかに記載の前記絶縁基板と、
前記平坦化層上に配置されている配線層とを備える、電気配線基板。
（付記７）
付記１から付記５のいずれかに記載の前記絶縁基板と、
前記セラミック基板上に配置されているグレーズと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に配置されている配線層と、
前記グレーズ上に配置されており、かつ、前記配線層に接続されている発熱抵抗体とを備える、サーマルプリントヘッド。
（付記８）
主面を含むセラミック基板を準備することと、
前記主面上に第１ペーストを塗布して、前記第１ペーストを焼成することによって、平坦化層を形成することとを備え、
前記平坦化層は、セラミック層である、絶縁基板の製造方法。
（付記９）
前記主面に陥没が形成されており、
前記陥没は前記第１ペーストで埋め込まれる、付記８に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１０）
前記第１ペーストは、前記陥没のサイズよりも小さな粒径を有するセラミック粉末を含み、
前記平坦化層は、前記セラミック粉末が焼結されたセラミック粉末焼成層である、付記９に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１１）
前記セラミック粉末の前記粒径は、前記陥没のサイズの三分の一以下である、付記１０に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１２）
前記陥没のサイズは、１０μｍ以上であり、
前記セラミック粉末の前記粒径は、２μｍ以下である、付記１０または付記１１に記載の絶縁基板の製造方法。
（付記１３）
付記８から付記１２のいずれかに記載された前記絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、
前記平坦化層上に第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することとを備える、電気配線基板の製造方法。
（付記１４）
付記８から付記１２のいずれかに記載された前記絶縁基板の製造方法によって絶縁基板を製造することと、
前記セラミック基板上にガラスペーストを塗布して、前記ガラスペーストを焼成することによって、グレーズを形成することと、
前記グレーズ及び前記平坦化層上に導電材料を含む第２ペーストを塗布して、前記第２ペーストを焼成することによって、配線層を形成することと、
前記グレーズ及び前記配線層上に、抵抗体ペーストを塗布して、前記抵抗体ペーストを焼成することによって、発熱抵抗体を形成することとを備え、
前記第１ペーストの焼成温度は、前記ガラスペーストの焼成温度よりも低い、サーマルプリントヘッドの製造方法。
【0115】
今回開示された実施の形態１及び実施の形態２はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【符号の説明】
【0116】
１ 電気配線基板、２ 絶縁基板、３ セラミック基板、３ａ，４ａ 主面、３ｂ 陥没、４ 平坦化層、５ 配線層、５ｂ 曲がり部、８ サーマルプリントヘッド、８ａ ヘッド本体、８ｂ，８ｃ コネクタ、１０ 平坦化層、１１ 中央部、１２ 周辺部、１３ グレーズ、１４ ヒーターグレーズ、１５ ダイボンディンググレーズ、１６ 突出部、２０ 配線層、２１ 共通配線、２２ 第１帯状部、２３ 連結部、２４ 迂回部、２５ 個別配線、２６ 第２帯状部、２６ａ，２６ｂ 曲がり部、２７ ボンディング部、２８，２９ パッド、３０ 発熱抵抗体、３１ 発熱部、３５ 保護層、３６ 第１保護層、３７ 第２保護層、３８ 支持ガラス層、４１ 駆動ＩＣ、４３，４４ 導電ワイヤ、５０ 封止部材。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】