特開 2024-111486 金属－セラミックス接合基板およびその接合基板製造用の鋳型

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024111486

(43)【公開日】2024-08-19

(54)【発明の名称】金属－セラミックス接合基板およびその接合基板製造用の鋳型

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240809BHJP

   H01L 23/15 20060101ALI20240809BHJP

   H01L 23/36 20060101ALI20240809BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20240809BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240809BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 J

H01L23/14 C

H01L23/36 C

H05K1/03 610D

H05K1/02 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023016021

(22)【出願日】2023-02-06

(71)【出願人】

【識別番号】506365131

【氏名又は名称】ＤＯＷＡメタルテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101557

【弁理士】

【氏名又は名称】萩原 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100096389

【弁理士】

【氏名又は名称】金本 哲男

(74)【代理人】

【識別番号】100167634

【弁理士】

【氏名又は名称】扇田 尚紀

(74)【代理人】

【識別番号】100187849

【弁理士】

【氏名又は名称】齊藤 隆史

(72)【発明者】

【氏名】鍔本 朋子

(72)【発明者】

【氏名】白鳥 和希

(72)【発明者】

【氏名】井手口 悟

【テーマコード（参考）】

5E338

5F136

【Ｆターム（参考）】

5E338AA01

5E338AA18

5E338BB80

5E338EE21

5E338EE33

5F136BB04

5F136BC03

5F136FA02

5F136FA14

5F136FA16

5F136FA18

5F136GA14

(57)【要約】

【課題】形状精度に優れた金属－セラミックス接合基板、および注湯時のセラミックス基板の浮きを抑制する鋳型を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０と、ベース板２０と、回路パターン用金属板３０と、を備え、セラミックス基板１０の第１面１１を水平方向に延在させた仮想平面を基準面Ｐと定義し、基準面Ｐに対する回路パターン用金属板３０の形成側をパターン形成側と定義したとき、セラミックス基板１０の周縁における第１面１１上に形成されたベース板２０の厚さ（Ａ）が、ベース板２０の周縁部の高段面２３の領域における基準面Ｐからパターン形成側の表面２３までの厚さ（Ｃ）より薄くなるように金属－セラミックス接合基板を形成する。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属－セラミックス接合基板であって、
セラミックス基板と、
前記セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部、前記セラミックス基板の他方の面である第２面の全面、および前記第１面と前記第２面の間にある前記セラミックス基板の側面に直接接合された金属材料からなるベース板と、
前記セラミックス基板の前記第１面に前記ベース板から離間して直接接合された金属材料からなる回路パターン用金属板と、を備え、
前記セラミックス基板の前記第１面を水平方向に延在させた仮想平面を基準面と定義し、前記基準面に対する前記回路パターン用金属板の形成側をパターン形成側と定義したとき、前記セラミックス基板の周縁における前記第１面上に形成された前記ベース板の厚さ（Ａ）は、前記ベース板の周縁部の高段面の領域における前記基準面から前記パターン形成側の表面までの厚さ（Ｃ）より薄いことを特徴とする、金属－セラミックス接合基板。

【請求項2】

前記厚さ（Ａ）は、前記厚さ（Ｃ）の１０～６０％であることを特徴とする、請求項１に記載の金属－セラミックス接合基板。

【請求項3】

前記セラミックス基板の前記側面から、当該側面に対して垂直な方向に沿って前記ベース板の周壁面側に０．２５ｍｍ離れた位置において、前記基準面から前記パターン形成側の表面までの前記ベース板の厚さ（Ｂ）は、前記厚さ（Ｃ）の１０～８０％であることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属－セラミックス接合基板。

【請求項4】

前記厚さ（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属－セラミックス接合基板。

【請求項5】

前記厚さ（Ｂ）は、０．２０～０．６０ｍｍであることを特徴とする、請求項３に記載の金属－セラミックス接合基板。

【請求項6】

前記厚さ（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属－セラミックス接合基板。

【請求項7】

金属－セラミックス接合基板を製造する鋳型であって、
セラミックス基板の下面を支持するセラミックス基板支持部と、
前記セラミックス基板を収容するためのセラミックス基板収容部と、
前記セラミックス基板収容部の下面の周縁部、前記セラミックス基板収容部の上面の全面、および前記下面と前記上面の間にある前記セラミックス基板収容部の側面に金属材料からなるベース板を形成するための注湯領域であるベース板形成部と、
前記セラミックス基板収容部の前記下面に前記ベース板形成部から離間して金属材料からなる回路パターン用金属板を形成するための注湯領域である金属板形成部と、を有し、
前記セラミックス基板支持部の上面を水平方向に延在させた仮想平面を基準面と定義したとき、前記セラミックス基板収容部の周縁部の下方領域における前記基準面から前記鋳型内の底面まで間隔（Ａ）は、前記ベース板形成部の周縁部の高段面形成面が形成された領域における前記基準面から前記鋳型内の底面までの間隔（Ｃ）より小さいことを特徴とする、鋳型。

【請求項8】

前記間隔（Ａ）は、前記間隔（Ｃ）の１０～６０％であることを特徴とする、請求項７に記載の鋳型。

【請求項9】

前記間隔（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであることを特徴とする、請求項７または８に記載の鋳型。

【請求項10】

前記間隔（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであることを特徴とする、請求項７または８に記載の鋳型。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、金属－セラミックス接合基板およびその接合基板製造用の鋳型である。

【背景技術】

【0002】

電気自動車、電車、工作機械等の大電流を制御するためのパワーモジュールには、金属－セラミックス接合基板が使用されることがある。金属－セラミックス接合基板は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属からなるベース板に絶縁性のセラミックス基板が接合されたものであって、セラミックス基板の一方の面には所定のパターンを形成するための回路パターン用金属板が接合され、その回路パターン用金属板の表面には半導体チップが搭載される。半導体チップで生じた熱は、ベース板のセラミックス基板の接合側とは反対側の面から放熱される。

【0003】

そのような金属－セラミックス接合基板として、特許文献１には、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の全面に直接接合した金属－セラミックス接合基板が開示されている。特許文献１には、このような構造の金属－セラミックス接合基板によれば、半導体チップなどを半田付けする際などの加熱によるベース板の反りのばらつきを抑制することができると記載されている。また、この金属－セラミックス接合基板は、鋳型内にセラミックス基板を配置し、アルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯をセラミックス基板の両面の所定の部分に接触するように注湯した後に溶湯を冷却して固化させる方法（いわゆる溶湯法）で製造されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１７－２２８５５１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

溶湯法で金属－セラミックス接合基板を製造する場合、例えば特許文献１で用いられるような従来の鋳型においては、鋳型内にセラミックス基板を配置して溶湯を注入した際に、セラミックス基板に浮力が作用し浮き上がることがあった。また、その浮き上がりに伴い、セラミックス基板の配置位置が所定位置から水平方向にずれることがあった。これらの現象は、金属－セラミックス基板の小型化や軽量化が進むにつれて更に生じ易くなる。

【0006】

セラミックス基板の浮きが発生した状態で製造された金属－セラミックス接合基板は、所望の製品寸法に対する寸法のバラつきが大きく、形状精度が低下する。例えばベース板の放熱面（ベース板のセラミックス基板の接合側とは反対側の面）にセラミックス基板の一部が露出したり、ベース板や回路パターン用金属板などの金属部分において、本来は同一の厚みとなるべき部位の厚みのバラつきが大きくなり、所望の製品形状通りに金属－セラミックス接合基板を製造できない等の不具合・不良品が発生する場合もある。また、金属－セラミックス接合基板の放熱面に放熱フィンが形成されたベース板を作製する場合には、例えば浮きが生じたセラミックス基板が上型内の天井面に接触することによって放熱フィンを形成するための注湯空間が閉塞し、放熱フィンが形成されないことも生じ得る。

【0007】

このため、従来の鋳型を用いて製造された金属－セラミックス接合基板は、注湯時におけるセラミックス基板の浮きが原因となって、形状精度の観点では改善の余地があった。

【0008】

本発明は、上記知見に基づいてなされたものであり、形状精度に優れた金属－セラミックス接合基板、および注湯時のセラミックス基板の浮きを抑制する鋳型を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記課題を解決する本発明は、金属－セラミックス接合基板であって、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部、前記セラミックス基板の他方の面である第２面の全面、および前記第１面と前記第２面の間にある前記セラミックス基板の側面に直接接合された金属材料からなるベース板と、前記セラミックス基板の前記第１面に前記ベース板から離間して直接接合された金属材料からなる回路パターン用金属板と、を備え、前記セラミックス基板の前記第１面を水平方向に延在させた仮想平面を基準面と定義し、前記基準面に対する前記回路パターン用金属板の形成側をパターン形成側と定義したとき、前記セラミックス基板の周縁における前記第１面上に形成された前記ベース板の厚さ（Ａ）は、前記ベース板の周縁部の高段面の領域における前記基準面から前記パターン形成側の表面までの厚さ（Ｃ）より薄いことを特徴としている。

【0010】

前記厚さ（Ａ）は、前記厚さ（Ｃ）の１０～６０％であってもよい。

【0011】

前記セラミックス基板の前記側面から、当該側面に対して垂直な方向に沿って前記ベース板の周壁面側に０．２５ｍｍ離れた位置において、前記基準面から前記パターン形成側の表面までの前記ベース板の厚さ（Ｂ）は、前記厚さ（Ｃ）の１０～８０％であってもよい。

【0012】

前記厚さ（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであってもよい。

【0013】

前記厚さ（Ｂ）は、０．２０～０．６０ｍｍであってもよい。

【0014】

前記厚さ（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであってもよい。

【0015】

また、別の観点による本発明は、金属－セラミックス接合基板を製造する鋳型であって、セラミックス基板の下面を支持するセラミックス基板支持部と、前記セラミックス基板を収容するためのセラミックス基板収容部と、前記セラミックス基板収容部の下面の周縁部、前記セラミックス基板収容部の上面の全面、および前記下面と前記上面の間にある前記セラミックス基板収容部の側面に金属材料からなるベース板を形成するための注湯領域であるベース板形成部と、前記セラミックス基板収容部の前記下面に前記ベース板形成部から離間して金属材料からなる回路パターン用金属板を形成するための注湯領域である金属板形成部と、を有し、前記セラミックス基板支持部の上面を水平方向に延在させた仮想平面を基準面と定義したとき、前記セラミックス基板収容部の周縁部の下方領域における前記基準面から前記鋳型内の底面まで間隔（Ａ）は、前記ベース板形成部の周縁部の高段面形成面が形成された領域における前記基準面から前記鋳型内の底面までの間隔（Ｃ）より小さいことを特徴としている。

【0016】

前記間隔（Ａ）は、前記間隔（Ｃ）の１０～６０％であってもよい。

【0017】

前記間隔（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであってもよい。

【0018】

前記間隔（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであってもよい。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、形状精度に優れた金属－セラミックス接合基板、および注湯時のセラミックス基板の浮きを抑制する鋳型を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】本発明の一実施形態に係る鋳型で製造された金属－セラミックス接合基板の概略構成を示す断面図である。

【図2】実施形態に係る金属－セラミックス接合基板の上面図である。

【図3】実施形態に係る金属－セラミックス接合基板の下面図である。

【図4】実施形態に係る鋳型の概略構成を説明するための下型の上面図である。

【図5】実施形態に係る鋳型の概略構成を説明するための上型の下面図である。

【図6】（ａ）下型に上型を配置した状態で、図４のＢ－Ｂ位置で切断した鋳型の断面を模式的に示した図である。（ｂ）下型に上型を配置した状態で、図４のＣ－Ｃ位置で切断した鋳型の断面を模式的に示した図である。

【図7】図６の鋳型に注入された溶湯が固化した状態を示す図である。

【図8】セラミックス基板の浮きが生じる従来技術の鋳型における溶湯の注入状態を説明するための説明図である。

【図9】実施形態に係る鋳型内の各部位の寸法について説明するための鋳型の断面図である。

【図10】実施形態に係る金属－セラミックス接合基板の各部位の寸法について説明するための接合基板の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図中のＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに垂直な方向である。

【0022】

（金属－セラミックス接合基板）
図１は、本実施形態に係る鋳型で製造された金属－セラミックス接合基板１（以下、「接合基板」という）の概略構成を示す断面図である。図２は、図１に示した接合基板１の上面図（接合基板１を上方から見た平面図）であり、図３は、図１に示した接合基板１の下面図（接合基板１を下方から見た平面図）である。図１は図２のＡ－Ａ断面に相当する断面図である。

【0023】

接合基板１は、絶縁材料からなるセラミックス基板１０と、金属材料からなるベース板２０と、金属材料からなる回路パターン用金属板３０を有する。

【0024】

セラミックス基板１０は、平板状であって、一方の面である第１面１１と、他方の面である第２面１２と、第１面１１および第２面１２の間にある側面１３を有する。第１面１１は、回路パターン用金属板３０が接合される側の表面であり、第２面１２は、放熱側の表面である。

【0025】

セラミックス基板１０に使用される絶縁材料としては、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウム等を主成分とするものが適用される。セラミックス基板１０の厚さは、例えば０．２５～１ｍｍである。また、セラミックス基板１０の形状が矩形である場合には、セラミックス基板１０の一辺の長さは例えば２０～１５０ｍｍである。

【0026】

ベース板２０は、セラミックス基板１０の第１面１１の周縁部と、第２面１２の全面と、側面１３とに直接接合されている。ベース板２０に使用される金属材料としては、例えばアルミニウム又はアルミニウムを主原料とするアルミニウム合金等が適用される。

【0027】

第２面１２に接するベース板２０は、主に放熱部として機能し、回路パターン用金属板３０の表面に搭載される半導体チップ等で生じた熱は、ベース板２０の放熱面２１から放熱される。放熱面２１には、例えば、ボルトやねじなどの締結具を用いて金属製の放熱フィンまたは冷却ジャケット等の放熱促進部品（図示せず）が機械的に取り付けられる。ボルトやねじなどを用いて放熱促進部品を締結するためには、ベース板２０の周縁部において放熱面２１から後述する高段面２３まで貫通する貫通孔を設けることが好ましい。なお、ベース板２０の放熱面２１は、放熱フィン状或いは放熱ピン状の突起部が形成されていてもよい。

【0028】

放熱面２１とは反対側、すなわち回路パターンの形成側に位置するベース板２０の表面は、段状に形成されている。詳述すると、ベース板２０の周壁面２２の近傍には、高段面２３が形成され、セラミックス基板１０の第１面１１に接するベース板２０の表面には、低段面２４が形成されている。なお、高段面２３の周壁面２２側には、例えばコーナー部のＲや面取り等、ベース板２０の厚さが周壁面に向かって徐々に薄くなる領域を形成することができる。

【0029】

高段面２３と低段面２４との間には曲面２５が形成されることが好ましく、この曲面２５は高段面２３の端部と低段面２４の端部とを繋いでいる。曲面２５は、ベース板２０の母材側に向かって凸状に形成され、ベース板２０の断面における曲面２５の曲率半径の中心はベース板２０の外側に位置している。

【0030】

回路パターン用金属板３０は、セラミックス基板１０の第１面１１の周縁部に形成されたベース板２０から離間してセラミックス基板１０の第１面１１に直接接合され、回路パターン用金属板３０とベース板２０との間の絶縁を確保している。回路パターン用金属板３０に使用される金属材料としては、例えばアルミニウム又はアルミニウムを主原料とするアルミニウム合金等が適用される。回路パターン用金属板３０の厚さは、例えば０．２～２ｍｍである。なお、回路パターン用金属板３０の表面における半導体チップの搭載予定領域には、必要に応じてニッケル系めっき層等が形成される。また、回路パターン用金属板３０は、ベース板２０の前記高段面２３と同じ高さであることが好ましい。

【0031】

本実施形態に係る接合基板１は、以上の構成を有している。この接合基板１は、以下で説明する鋳型を用いた溶湯接合法によって製造することができる。本実施形態に係る鋳型は、注湯時にセラミックス基板１０の浮きを抑制できるため、その鋳型を用いて製造された接合基板１は形状精度に優れたものとなる。

【0032】

（接合基板製造用の鋳型）
図４は、本実施形態に係る鋳型の概略構成を説明するための下型の上面図（下型を上方から見た平面図）であり、図５は、上型の下面図（上型を下方から見た平面図）である。図６（ａ）は、下型に上型を配置した状態で、図４のＢ－Ｂ位置で切断した鋳型の断面を模式的に示した図であり、図６（ｂ）は、下型に上型を配置した状態で、図４のＣ－Ｃ位置で切断した鋳型の断面を模式的に示した図である。

【0033】

鋳型１００は、下型１１０と、その下型１１０に対向して配置された上型１２０を備えている。下型１１０および上型１２０の内面には、溶湯の凝固物の離型が容易となるようにスプレー等で離型剤を塗布することが好ましい。

【0034】

下型１１０は、セラミックス基板の下面を支持するセラミックス基板支持部１１１を有している。セラミックス基板支持部１１１は、下型１１０内の底面から上方に突出して形成されており、セラミックス基板を載置できるように上面１１１ａを有している。

【0035】

セラミックス基板支持部１１１の上には、セラミックス基板を鋳型内に配置したときのセラミックス基板が占有する領域（空間）として、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すセラミックス基板収容部１１２が存在する。

【0036】

図４に示すように、セラミックス基板支持部１１１で囲まれる凹部１１３は、回路パターン用金属板３０の形成部（以下、金属板形成部１１３という）であり、回路パターン用金属板３０を形成するための注湯領域に相当する。なお、この金属板形成部１１３の形状は、製品仕様に応じた所望のパターン形状に基づいて適宜変更される。

【0037】

図６（ａ）に示すように、下型１１０内におけるセラミックス基板支持部１１１と周壁部１１４との間の底面は段状に形成されている。詳述すると、下型１１０の周壁部１１４の近傍には、ベース板２０の高段面２３を形成するための高段面形成面１１５が形成され、セラミックス基板支持部１１１と高段面形成面１１５の間には、ベース板２０の低段面を形成するための低段面形成面１１６が形成されている。ここで高段面形成面１１５とは、下型１１０内における周壁部１１４近傍の後述する基準面Ｐに対して水平な底面の領域を指す。高段面形成面１１５は、低段面形成面１１６よりも低い高さに形成されている。

【0038】

高段面形成面１１５と低段面形成面１１６との間には曲面１１７が形成され、この曲面１１７は、高段面形成面１１５の端部と低段面形成面１１６の端部とを繋いでいる。曲面１１７は、上型１２０側に向かって凸状であり、下型１１０の断面における曲面１１７の曲率半径の中心は下型１１０の母材側に位置している。

【0039】

上記の曲面１１７は、それぞれ図１に示したベース板２０の曲面２５を形成するための部位である。なお、曲面１１７を設けることは必須ではないが、鋳型内にセラミックス基板１０を配置したときに、高段面形成面１１５から低段面形成面１１６に流入する溶湯をセラミックス基板１０と低段面形成面１１６との間に充填し易くする観点では、曲面１１７を設けることが好ましい。

【0040】

図６（ｂ）に示すように、下型１１０には、セラミックス基板の位置決め用の突起部１１８が設けられている。この突起部１１８は、下型１１０内の底面から上方に向かって延びており、図４に示すように突起部１１８は、平面視において略矩形状のセラミックス基板支持部１１１の各辺（セラミックス基板収容部１１２の各辺）に対応する位置に形成されている。セラミックス基板支持部１１１にセラミックス基板を載置する際には、セラミックス基板を各突起部１１８の内方に位置するように載置することによって、セラミックス基板が、溶湯接合に適した所定の位置（図６に示すセラミックス基板収容部１１２）に配置された状態とすることができる。

【0041】

下型１１０に上型１２０を被せて互いを密接させた際には、鋳型１００内にベース板２０を形成するための注湯領域であるベース板形成部１０１が形成される。このベース板形成部１０１と前述した金属板形成部１１３に対しては、図４に示した注湯孔１０２から例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金等の溶湯が注入される。なお、図４においては、複数の注湯孔１０２の一部についてのみ符号を付しているが、図中の丸印は全て注湯孔１０２を示している。

【0042】

以上で説明した鋳型１００で接合基板を製造する際には、セラミックス基板支持部１１１にセラミックス基板１０を載置した後に鋳型１００内に溶湯を注入する。そして、図７に示すように、鋳型１００内に溶湯が充填された後、溶湯が冷却されて凝固することによって接合基板１が製造される。製造された接合基板１は、鋳型から取り出された後、必要に応じて湯道が切除される。また、回路パターン用金属板３０の表面には、半導体チップなどをはんだ付け等により実装するためにＮｉ等のめっきを施すことが好ましい。

【0043】

なお、上型１２０内の天井面１２１に放熱フィン或いは放熱ピンを形成するための注湯領域（図示せず）が設けられている場合には、その注湯領域にも溶湯が充填されることによって、ベース板２０と放熱フィン或いは放熱ピン（図示せず）とが一体となった接合基板１を製造できる。

【0044】

本実施形態に係る鋳型１００によれば、注湯時に生じ得るセラミックス基板１０の浮きを抑制した状態で接合基板１を製造することができる。その理由を説明するにあたって、まずは従来の鋳型においてセラミックス基板１０の浮きが生じる場合の溶湯の注入状態について図８を参照しながら説明する。

【0045】

従来の鋳型１５０においては、セラミックス基板支持部１１１と周壁部との間の底面が段状に形成されていない。このような鋳型１５０の底部からアルミニウムの溶湯Ｍを注入した際には、例えば図８（ａ）に示すように、ベース板形成部１０１の底面から天井面に向けて溶湯Ｍが充填されていく。

【0046】

このとき、溶湯Ｍは重力の影響も受けるため、セラミックス基板１０の周縁部においては、セラミックス基板１０の上面よりも先に下面に溶湯Ｍが充填される。これにより、セラミックス基板１０の周縁部に浮力が作用し、セラミックス基板１０の浮きが生じることがある。また、溶湯Ｍの流速が大きい場合には、特にセラミックス基板１０の浮きが生じ易い。

【0047】

その後、図８（ｂ１）に示すように、回路パターン用の金属板形成部１１３に溶湯Ｍが充填された場合、セラミックス基板１０の上面側にある溶湯Ｍの未充填部には窒素が残存する。このとき、セラミックス基板１０の上面側に溶湯Ｍが給湯されていない状況下で、セラミックス基板の下面側から溶湯Ｍが給湯されるので、溶湯Ｍの注湯による圧力などによりセラミックス基板１０が下から押し上げられる力が発生し、特にセラミックス基板の自重が小さい場合には、セラミックス基板１０の浮きが生じ易い。

【0048】

また例えば図８（ｂ２）に示すように、鋳型１５０に注入される溶湯Ｍは、金属板形成部１１３に充填される前にセラミックス基板１０の上面側に流入する場合もある。この場合においても、セラミックス基板１０の上面側に溶湯Ｍが未給湯の隙間（空間）がある状況下で、セラミックス基板の下面側から溶湯Ｍの給湯が続くので、溶湯Ｍの注湯による圧力などによりセラミックス基板が下から押し上げられる力が発生し、特にセラミックス基板の自重が小さい場合に、セラミックス基板１０の浮きが生じ易い。

【0049】

一方、本実施形態に係る鋳型１００においては、以下で説明する間隔（Ａ）が間隔（Ｃ）よりも小さいことによって、注湯時におけるセラミックス基板１０の浮きを抑制することができる。図９は、図６（ａ）に対応する本実施形態に係る鋳型１００内の各部位の寸法について説明するための鋳型１００の断面図である。

【0050】

間隔（Ａ）は、領域１０１ａにおける基準面Ｐから鋳型１００内の底面（低段面形成面１１６）までの間隔である。領域１０１ａとは、セラミックス基板支持部１１１に隣接し、かつ、セラミックス基板収容部１１２（セラミックス基板支持部１１１に載置されるセラミックス基板１０の占める領域）の周縁部の下方に位置する領域である。また、基準面Ｐとは、セラミックス基板支持部１１１の上面１１１ａを水平方向に延在させた仮想平面である。換言すると、基準面Ｐは、セラミックス基板支持部１１１の上面１１１ａに平行かつ上面１１１ａを含む仮想平面である。

【0051】

間隔（Ｃ）は、ベース板形成部１０１の周縁部の高段面形成面１１５が形成された領域における基準面Ｐから鋳型１００内の底面（高段面形成面１１５）までの間隔である。

【0052】

上記の間隔（Ａ）が間隔（Ｃ）よりも小さい場合、セラミックス基板支持部１１１にセラミックス基板１０を載置したときに、セラミックス基板１０の下面と下型１１０の低段面形成面１１６との隙間が従来の鋳型に対して狭くなる。これによって、注湯時におけるセラミックス基板１０の周縁部に作用する浮力等を小さくすることができ、セラミックス基板１０の浮きと位置ずれを抑制できる。

【0053】

後述の実施例でも示すように、セラミックス基板１０の浮きを抑制する効果を高めるためには、間隔（Ａ）は、間隔（Ｃ）の１０～６０％であることが好ましい。また、間隔（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであることが好ましく、間隔（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであることが好ましい。

【0054】

高段面形成面１１５と低段面形成面１１６との間に曲面１１７が形成されている場合、測定位置Ｐ₁における基準面Ｐから鋳型１００内の底面（例えば曲面１１７）までの間隔（Ｂ）は、間隔（Ｃ）の１０～８０％であることが好ましい。測定位置Ｐ₁とは、セラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃから、その側面１１２ｃに垂直な方向に沿って周壁部１１４側に０．２５ｍｍ離れた位置である。また、セラミックス基板１０の浮きの抑制効果を高める観点では、間隔（Ｂ）は、間隔（Ｃ）の７０％以下であることが好ましく、より好ましくは６０％以下である。なお、間隔（Ｂ）は、０．２０～０．６０ｍｍであることが好ましい。

【0055】

なお、当業者が鋳型１００の構造を確認すれば、セラミックス基板収容部１１２の位置を特定でき、セラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃの位置についても特定することができる。また、図４および図６（ｂ）で例示したセラミックス基板収容部１１２の端部に突起部１１８が設けられる場合には、突起部１１８の形成箇所からセラミックス基板収容部１１２の位置を特定することが可能である。

【0056】

下型１１０が曲面１１７を有する場合、曲面１１７のＲ止まりの端部（以下、曲面端部１１７ａ）は、セラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃよりも周壁部１１４側に位置していることが好ましい。なお、曲面端部１１７ａとは、鋳型１００の断面において２つ存在する曲面１１７のＲ止まりの端部のうちの低段面形成面１１６に隣接する側の端部である。

【0057】

曲面端部１１７ａがセラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃよりも周壁部１１４側に位置している場合、セラミックス基板収容部１１２の周縁部の下方領域１０１ａに向かう溶湯の流入方向（図９中の白抜き矢印方向）が水平となり易いと推測される。すなわち、領域１０１ａへの溶湯の流入方向が、セラミックス基板支持部１１１に載置されたセラミックス基板１０の下面と平行になり易く、セラミックス基板１０の下面に対して斜めに溶湯が流入する場合と比較して、セラミックス基板１０の周縁部の浮きを抑制できると考えられる。

【0058】

その効果を高める観点では、セラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃから曲面端部１１７ａまでの間隔（Ｄ）は、０．２５ｍｍ以上であることが好ましい。なお、間隔（Ｄ）は、曲面端部１１７ａがセラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃに対して周壁部１１４側に位置する場合にはプラスの値として表し、周壁部１１４側とは反対側に位置する場合にはマイナスの値として表わす。

【0059】

セラミックス基板収容部１１２の上面１１２ａ（セラミックス基板支持部１１１に載置されたセラミックス基板１０の第２面１２）と、上型１２０内の天井面１２１との間隔（Ｅ）は、０．３ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、注湯時に仮にセラミックス基板１０の浮きが生じたとしても、上型１２０内の天井面１２１にセラミックス基板１０が接触し難くなり、接合基板１の形成不良を抑制できる。間隔（Ｅ）は、より好ましくは０．４ｍｍ以上である。

【0060】

なお、当業者が鋳型１００の構造およびセラミックス基板１０の厚さ等を確認すれば、セラミックス基板収容部１１２の位置を特定できるため、セラミックス基板収容部１１２の上面１１２ａの位置を特定することは可能である。また、図４および図６（ｂ）で例示したセラミックス基板収容部１１２の端部に突起部１１８が設けられる場合には、突起部１１８の形成箇所からセラミックス基板収容部１１２の位置を特定できるため、セラミックス基板収容部１１２の上面１１２ａの位置を特定することは可能である。

【0061】

以上で説明したように本実施形態に係る鋳型１００によれば、注湯時におけるセラミックス基板１０の浮きを抑制した状態で接合基板１を製造できる。これにより、形状精度に優れた接合基板１を得ることができる。換言すると、本実施形態に係る鋳型１００で製造された接合基板１は、以下で説明する特徴を有しており、形状精度に優れたものである。

【0062】

図１０は、本実施形態に係る接合基板１の各部位の寸法について説明するための接合基板１の断面図（図２のＡ－Ａ断面の一部）である。本実施形態に係る接合基板１においては、厚さ（Ａ）が厚さ（Ｃ）よりも薄い。

【0063】

厚さ（Ａ）は、セラミックス基板１０の周縁における基準面Ｐから、第１面１１上に形成されたベース板２０の表面（低段面２４）までの厚さである。ここで述べる基準面Ｐとは、セラミックス基板１０の第１面１１を水平方向に延在させた仮想平面である。換言すると、基準面Ｐは、第１面１１に平行かつ第１面１１を含む仮想平面である。

【0064】

厚さ（Ｃ）は、ベース板２０の周壁面２２の近傍における基準面Ｐから、パターン形成側に位置するベース板２０の表面（高段面２３）までの厚さである。なお、高段面２３とは、ベース板２０の周壁部近傍の基準面Ｐに対して水平な領域を指す。

【0065】

セラミックス基板１０の浮きが抑制された状態で接合基板１を製造し、より形状精度に優れた接合基板１を得るためには、厚さ（Ａ）は、厚さ（Ｃ）の１０～６０％であることが好ましい。厚さ（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであることが好ましく、厚さ（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであることが好ましい。

【0066】

ベース板２０の高段面２３と低段面２４との間に曲面２５が形成されている場合、測定位置Ｐ₁における基準面Ｐからパターン形成側に位置するベース板２０の表面（曲面２５）までの厚さ（Ｂ）は、厚さ（Ｃ）の１０～８０％であることが好ましい。ここで述べる測定位置Ｐ₁は、セラミックス基板１０の側面１３から、その側面１３に垂直な方向に沿って周壁面２２側に０．２５ｍｍ離れた位置である。また、厚さ（Ｂ）は、厚さ（Ｃ）の７０％以下であることが好ましく、より好ましくは６０％以下である。なお、厚さ（Ｂ）は、０．２０～０．６０ｍｍであることが好ましい。

【0067】

曲面２５が形成されている場合、曲面２５のＲ止まりの端部（以下、曲面端部２５ａ）は、セラミックス基板１０の側面１３よりも周壁面２２側に位置していることが好ましい。曲面端部２５ａとは、接合基板１の断面において２つ存在する曲面２５のＲ止まりの端部のうちの低段面２４に隣接する側の端部である。

【0068】

セラミックス基板１０の側面１３から曲面端部２５ａまでの間隔（Ｄ）は、０．２５ｍｍ以上であることが好ましい。間隔（Ｄ）は、セラミックス基板１０の側面１３に対して垂直な方向における長さである。

【0069】

セラミックス基板１０の第２面１２からベース板２０の放熱面２１までの厚さ（Ｅ）は、０．３ｍｍ以上であることが好ましい。厚さ（Ｅ）は、より好ましくは０．４ｍｍ以上である。

【0070】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

【0071】

例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

【0072】

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

【実施例0073】

（実施例１）
まず、図４に示す下型１１０と図５に示す上型１２０からなる鋳型と同様の形状の鋳型を用い、縦４２ｍｍ、横４１ｍｍ、厚さ０．３２ｍｍの窒化ケイ素からなるセラミックス基板を下型１１０内のセラミックス基板支持部１１１に載置してセラミックス基板収容部１１２に配置した後、下型１１０に上型１２０をかぶせた。

【0074】

この鋳型内の間隔（Ａ）は０．３７３ｍｍ、間隔（Ｂ）は０．５５０ｍｍ、間隔（Ｃ）は０．６９７ｍｍ、間隔（Ｄ）は－０．１４７ｍｍ、間隔（Ｅ）は０．４４６ｍｍである。間隔（Ａ）／間隔（Ｃ）は５４％、間隔（Ｂ）/間隔（Ｃ）は７９％である。

【0075】

なお、上記の間隔（Ａ）～（Ｅ）とは、図９を参照して説明した前述の間隔のことを意味する。すなわち、間隔（Ａ）は、領域１０１ａにおける基準面Ｐから鋳型１００内の底面（低段面形成面１１６）までの間隔である。間隔（Ｂ）は、測定位置Ｐ₁における基準面Ｐから鋳型１００内の底面（曲面１１７）までの間隔である。間隔（Ｃ）は、ベース板形成部１０１の周縁部の高段面形成面１１５が形成された領域における基準面Ｐから鋳型１００内の底面（高段面形成面１１５）までの間隔である。間隔（Ｄ）は、セラミックス基板収容部１１２の側面１１２ｃから曲面端部１１７ａまでの間隔である。間隔（Ｅ）は、セラミックス基板収容部１１２の上面１１２ａと上型１２０内の天井面１２１との間隔である。

【0076】

次いで、鋳型１００内を窒素雰囲気にした状態で加熱し、アルミニウム溶湯をその表面の酸化膜を取り除きながら注湯孔１０２から鋳型１００内のベース板形成部１０１および金属板形成部１１３に注湯した。その後、鋳型１００を冷却して溶湯を凝固させてベース板一体型の金属－セラミックス接合体を得た。その後、鋳型１００を解体して金属－セラミックス接合体を取り出し、不要な湯道を切除し、金属－セラミックス接合基板を作製した。

【0077】

得られた金属－セラミックス接合基板は、セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部（周縁から幅０．８ｍｍのアルミニウムで覆われている部分）と、側面および他方の面である第２面の全面にベース板が一体に形成されていた。このベース板は、ベース板を放熱面から見たときに縦４６ｍｍ、横４５ｍｍの矩形状であって、ベース板の周縁部の厚さが１．３ｍｍ、セラミックス基板の第２面と放熱面の間の厚さ（裏面厚さ）が０．４ｍｍ、ベース板の周縁部の幅（セラミックス基板の側面からベース板の周壁面までの距離）が２ｍｍであった。

【0078】

また、セラミックス基板の第１面には、縦３６ｍ、横３５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの回路パターン用アルミニウム板が形成されていた。この回路パターン用アルミニウム板と、セラミックス基板の第１面の周縁部に形成されたベース板とは２ｍｍ離間していた。

【0079】

実施例１の金属－セラミックス接合基板において、厚さ（Ａ）は０．３ｍｍ、厚さ（Ｂ）は０．５ｍｍ、厚さ（Ｃ）は０．６ｍｍであった。また、厚さ（Ａ）／厚さ（Ｃ）は５０％、厚さ（Ｂ）/厚さ（Ｃ）は８３％であった。すなわち、金属－セラミックス基板の寸法は、対応する前記鋳型内の各寸法と同等の寸法であった。

【0080】

なお、上記の厚さ（Ａ）～（Ｃ）とは、図１０を参照して説明した厚さのことを意味する。すなわち、厚さ（Ａ）は、セラミックス基板１０の周縁における基準面Ｐから、第１面１１上に形成されたベース板２０の厚さである。厚さ（Ｂ）は、測定位置Ｐ₁における基準面Ｐからパターン形成側に位置するベース板２０の表面（曲面２５）までの厚さである。厚さ（Ｃ）は、ベース板２０の周壁部近傍における基準面Ｐから、パターン形成側に位置するベース板２０の表面（高段面２３）までの厚さである。なお、ベース板２０の高段面２３とは、ベース板２０の周壁部近傍の基準面Ｐに対して水平な領域を指す。

【0081】

上記製造方法により作製した１０個の金属－セラミックス接合基板について、セラミックス基板の浮き発生率（％）の評価を行った。セラミックス基板の浮き発生率は、作製した１０個の接合基板のうち何個の接合基板でセラミックス基板の浮きが発生したかを示す指標であり、（浮きが発生した接合基板の数／１０）×１００で算出される。

【0082】

なお、接合基板の作製時にセラミックス基板の浮きが発生すると、接合基板の放熱面からセラミックス基板の一部が露出することから、セラミックス基板の浮きが発生したか否かの判断を行うに際しては、作製された各接合基板の放熱面を目視で確認することで行った。そして、放熱面からセラミックス基板の一部の露出が確認された場合には、セラミックス基板の浮きが発生したと判断した。

【0083】

実施例１の条件で作製した接合基板について、上記の方法で算出したセラミックス基板の浮き発生率を評価したところ、浮き発生率は５０％であり、後述の比較例に比べて著しく改善していることがわかった。

【0084】

（実施例２）
鋳型内の間隔（Ａ）を０．３４９ｍｍ、間隔（Ｂ）を０．３４９ｍｍ、間隔（Ｄ）を＋０．２５２ｍｍ、間隔（Ｅ）を０．５６１ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で金属－セラミックス接合基板を作製した。なお、実施例２の鋳型において、間隔（Ａ）／間隔（Ｃ）は５０％、間隔（Ｂ）/間隔（Ｃ）も５０％である。

【0085】

作製された金属－セラミックス接合基板は、セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部（周縁から幅０．５ｍｍのアルミニウムで覆われている部分）と、側面および他方の面である第２面の全面にベース板が一体に形成されていた。このベース板は、ベース板を放熱面から見たときに縦４６ｍｍ、横４５ｍｍの矩形状であって、ベース板の周縁部の厚さが１．４ｍｍ、セラミックス基板の第２面と放熱面の間の厚さ（裏面厚さ）が０．５ｍｍ、ベース板の周縁部の幅（セラミックス基板の側面からベース板の周壁面までの距離が２ｍｍであった。

【0086】

また、セラミックス基板の第１面には、縦３６ｍｍ、横３５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの回路パターン用アルミニウム板が形成されていた。この回路パターン用アルミニウム板と、セラミックス基板の第１面の周縁部に形成されたベース板とは２ｍｍ離間していた。

【0087】

実施例２の金属－セラミックス接合基板において、厚さ（Ａ）は０．３ｍｍ、厚さ（Ｂ）は０．３ｍｍ、厚さ（Ｃ）は０．６ｍｍであった。また、厚さ（Ａ）／厚さ（Ｃ）は５０％、厚さ（Ｂ）/厚さ（Ｃ）も５０％であった。すなわち、金属－セラミックス基板の寸法は、対応する前記鋳型内の各寸法と同等の寸法であった。

【0088】

作製された１０個の接合基板について、実施例１と同様にセラミックス基板の浮き発生率を評価した結果、セラミックス基板の浮きの発生率は０％であり、セラミックス基板の浮きの発生がなく、形状精度に優れた接合基板を得ることができた。

【0089】

（実施例３）
縦２９ｍｍ、横２８ｍｍ、厚さ０．３２ｍｍの窒化ケイ素からなるセラミックス基板を使用し、鋳型内の間隔（Ａ）を０．３４９ｍｍ、間隔（Ｂ）を０．３４９ｍｍ、間隔（Ｄ）を＋０．２６１ｍｍ、間隔（Ｅ）を０．５６１ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で金属－セラミックス接合基板を作製した。なお、実施例３の鋳型において、間隔（Ａ）／間隔（Ｃ）は５０％、間隔（Ｂ）/間隔（Ｃ）も５０％である。

【0090】

作製された金属－セラミックス接合基板は、セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部（周縁から幅０．５ｍｍのアルミニウムで覆われている部分）と、側面および他方の面である第２面の全面にベース板が一体に形成されていた。このベース板は、ベース板を放熱面から見たときに縦３３ｍｍ、横３２ｍｍの矩形状であって、ベース板の周縁部の厚さが１．４ｍｍ、セラミックス基板の第２面と放熱面の間の厚さ（裏面厚さ）が０．５ｍｍ、ベース板の周縁部の幅（セラミックス基板の側面からベース板の周壁面までの距離が２ｍｍであった。

【0091】

また、セラミックス基板の第１面には、縦２４ｍｍ、横２３ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの回路パターン用アルミニウム板が形成されていた。この回路パターン用アルミニウム板と、セラミックス基板の第１面の周縁部に形成されたベース板とは２ｍｍ離間していた。

【0092】

実施例３の金属－セラミックス接合基板において、厚さ（Ａ）は０．３ｍｍ、厚さ（Ｂ）は０．３ｍｍ、厚さ（Ｃ）は０．６ｍｍであった。また、厚さ（Ａ）／厚さ（Ｃ）は５０％、厚さ（Ｂ）/厚さ（Ｃ）も５０％であった。すなわち、金属－セラミックス基板の寸法は、対応する前記鋳型内の各寸法と同等の寸法であった。

【0093】

作製された１０個の接合基板について、実施例１と同様にセラミックス基板の浮き発生率を評価した結果、セラミックス基板の浮きの発生率は０％であり、セラミックス基板の浮きの発生がなく、形状精度に優れた接合基板を得ることができた。

【0094】

（比較例１）
鋳型内の間隔（Ａ）を０．７００ｍｍ、間隔（Ｂ）を０．７００ｍｍ、間隔（Ｃ）を０．７００ｍｍ、間隔（Ｅ）を０．５６１ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で金属－セラミックス接合基板を作製した。なお、間隔（Ａ）／間隔（Ｃ）は１００％、間隔（Ｂ）/間隔（Ｃ）も１００％である。比較例１では、間隔（Ａ）～（Ｃ）が全て同一寸法であるため、セラミックス基板支持部１１１と周壁部１１４との間の底面は段状に形成されていない。そのため、間隔（Ｄ）は存在しない。

【0095】

作製された金属－セラミックス接合基板は、セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部（周縁から幅０．８ｍｍのアルミニウムで覆われている部分）と、側面および他方の面である第２面の全面にベース板が一体に形成されていた。このベース板は、ベース板を放熱面から見たときに縦４６ｍｍ、横４５ｍｍの矩形状であって、ベース板の周縁部の厚さが１．３ｍｍ、セラミックス基板の第２面と放熱面の間の厚さが０．４ｍｍ、ベース板の周縁部の幅（セラミックス基板の側面からベース板の周壁面までの距離が２ｍｍであった。

【0096】

また、セラミックス基板の第１面には、縦３６ｍ、横３５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの回路パターン用アルミニウム板が形成されていた。この回路パターン用アルミニウム板と、セラミックス基板の第１面の周縁部に形成されたベース板とは２ｍｍ離間していた。

【0097】

比較例１の金属－セラミックス接合基板において、厚さ（Ａ）は０．６ｍｍ、厚さ（Ｂ）は０．６ｍｍ、厚さ（Ｃ）は０．６ｍｍであった。また、厚さ（Ａ）／厚さ（Ｃ）は１００％、厚さ（Ｂ）/厚さ（Ｃ）も１００％であった。すなわち、金属－セラミックス基板の寸法は、前記鋳型内の各寸法と同等の寸法であった。

【0098】

作製された１０個の接合基板について、実施例１と同様にセラミックス基板の浮き発生率を評価した結果、セラミックス基板の浮きの発生率は１００％であり、作製された接合基板のすべてがセラミックス基板の浮きが発生した不良品であった。すなわち、比較例１の条件では形状精度に優れた接合基板を得ることができなかった。

【0099】

以下の表１にセラミックス基板、鋳型及び接合基板の各寸法、並びにセラミックス基板の浮き発生率の結果を示す。

【0100】

【表1】

【0101】

以上、本発明に係る実施例について説明した。

【0102】

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）金属－セラミックス接合基板であって、
セラミックス基板と、
前記セラミックス基板の一方の面である第１面の周縁部、前記セラミックス基板の他方の面である第２面の全面、および前記第１面と前記第２面の間にある前記セラミックス基板の側面に直接接合された金属材料からなるベース板と、
前記セラミックス基板の前記第１面に前記ベース板から離間して直接接合された金属材料からなる回路パターン用金属板と、を備え、
前記セラミックス基板の前記第１面を水平方向に延在させた仮想平面を基準面と定義し、前記基準面に対する前記回路パターン用金属板の形成側をパターン形成側と定義したとき、前記セラミックス基板の周縁における前記第１面上に形成された前記ベース板の厚さ（Ａ）は、前記ベース板の周縁部の高段面の領域における前記基準面から前記パターン形成側の表面までの厚さ（Ｃ）より薄いことを特徴とする、金属－セラミックス接合基板。
（２）前記厚さ（Ａ）は、前記厚さ（Ｃ）の１０～６０％であることを特徴とする、（１）に記載の金属－セラミックス接合基板。
（３）前記セラミックス基板の前記側面から、当該側面に対して垂直な方向に沿って前記ベース板の周壁面側に０．２５ｍｍ離れた位置において、前記基準面から前記パターン形成側の表面までの前記ベース板の厚さ（Ｂ）は、前記厚さ（Ｃ）の１０～８０％であることを特徴とする、（１）または（２）に記載の金属－セラミックス接合基板。
（４）前記厚さ（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであることを特徴とする、（１）～（３）のいずれかに記載の金属－セラミックス接合基板。
（５）前記厚さ（Ｂ）は、０．２０～０．６０ｍｍであることを特徴とする、（１）～（４）のいずれかに記載の金属－セラミックス接合基板。
（６）前記厚さ（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであることを特徴とする、（１）～（５）のいずれかに記載の金属－セラミックス接合基板。
（７）金属－セラミックス接合基板を製造する鋳型であって、セラミックス基板の下面を支持するセラミックス基板支持部と、前記セラミックス基板を収容するためのセラミックス基板収容部と、前記セラミックス基板収容部の下面の周縁部、前記セラミックス基板収容部の上面の全面、および前記下面と前記上面の間にある前記セラミックス基板収容部の側面に金属材料からなるベース板を形成するための注湯領域であるベース板形成部と、前記セラミックス基板収容部の前記下面に前記ベース板形成部から離間して金属材料からなる回路パターン用金属板を形成するための注湯領域である金属板形成部と、を有し、前記セラミックス基板支持部の上面を水平方向に延在させた仮想平面を基準面と定義したとき、前記セラミックス基板収容部の周縁部の下方領域における前記基準面から前記鋳型内の底面まで間隔（Ａ）は、前記ベース板形成部の周縁部の高段面形成面が形成された領域における前記基準面から前記鋳型内の底面までの間隔（Ｃ）より小さいことを特徴とする、鋳型。
（８）前記間隔（Ａ）は、前記間隔（Ｃ）の１０～６０％であることを特徴とする、（７）に記載の鋳型。
（９）前記間隔（Ａ）は、０．２０～０．５０ｍｍであることを特徴とする、（７）または（８）に記載の鋳型。
（１０）前記間隔（Ｃ）は、０．５０～２．００ｍｍであることを特徴とする、（７）～（９）のいずれかに記載の鋳型。

【産業上の利用可能性】

【0103】

本発明は、金属－セラミックス接合基板の製造に適用することができる。

【符号の説明】

【0104】

１ 接合基板
１０ セラミックス基板
１１ 第１面
１２ 第２面
１３ 側面
２０ ベース板
２１ 放熱面
２２ 周壁面
２３ 高段面
２４ 低段面
２５ 曲面
２５ａ 曲面端部
３０ 回路パターン用金属板
１００ 鋳型
１０１ ベース板形成部
１０１ａ セラミックス基板周縁部の下方領域
１０２ 注湯孔
１１０ 下型
１１１ セラミックス基板支持部
１１１ａ 上面
１１２ セラミックス基板収容部
１１２ａ 上面
１１２ｂ 下面
１１２ｃ 側面
１１３ 金属板形成部
１１４ 周壁部
１１５ 高段面形成面
１１６ 低段面形成面
１１７ 曲面
１１７ａ 曲面端部
１１８ 突起部
１２０ 上型
１２１ 天井面
１５０ 従来の鋳型
Ｍ 溶湯
Ｐ 基準面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】