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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024111583
(43)【公開日】2024-08-19
(54)【発明の名称】圧力センサ、および、センサモジュール
(51)【国際特許分類】
G01L 9/00 20060101AFI20240809BHJP
H01L 29/84 20060101ALI20240809BHJP
B81B 3/00 20060101ALI20240809BHJP
【ＦＩ】
G01L9/00 303M
H01L29/84 A
H01L29/84 B
B81B3/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023016175
(22)【出願日】2023-02-06
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(74)【代理人】
【識別番号】100168044
【弁理士】
【氏名又は名称】小淵 景太
(72)【発明者】
【氏名】平田 誠
【テーマコード（参考）】
2F055
3C081
4M112
【Ｆターム（参考）】
2F055AA01
2F055BB01
2F055CC02
2F055DD05
2F055EE14
2F055FF38
2F055GG11
3C081AA01
3C081BA22
3C081BA30
3C081BA32
3C081BA45
3C081BA48
3C081BA77
3C081BA79
3C081CA13
3C081CA23
3C081CA31
3C081CA32
3C081DA03
3C081DA06
3C081DA27
3C081DA29
3C081DA30
3C081DA31
3C081DA43
3C081EA03
4M112AA01
4M112CA02
4M112CA03
4M112CA08
4M112CA11
4M112CA12
4M112CA13
4M112DA02
4M112DA09
4M112DA18
4M112EA03
4M112EA11
4M112EA13
4M112GA01
4M112GA03
(57)【要約】
【課題】電極の腐食によるボンディングワイヤの剥離を抑制できるセンサモジュール、および、当該センサモジュールが備える圧力センサを提供する。
【解決手段】センサモジュールＡ１は、圧力センサ３と、箱形状であり、圧力センサ３を収納するパッケージ１と、パッケージ１に配置された電極パッド１３と、電極パッド１３と圧力センサ３とを導通接続するボンディングワイヤ４と、を備えている。圧力センサ３は、ｚ方向において互いに反対側を向くセンサ主面３ａおよびセンサ裏面３ｂと、ｚ方向においてセンサ主面３ａとセンサ裏面３ｂとの間に位置するキャビティ３３と、センサ主面３ａの一部を含み、ｚ方向に視てキャビティ３３に重なるダイアフラム３１１と、センサ主面３ａに配置され、ボンディングワイヤ４が導通接続したセンサ電極３４とを備えている。センサ電極３４は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層３４１を備えている。
【選択図】図４
【解決手段】センサモジュールＡ１は、圧力センサ３と、箱形状であり、圧力センサ３を収納するパッケージ１と、パッケージ１に配置された電極パッド１３と、電極パッド１３と圧力センサ３とを導通接続するボンディングワイヤ４と、を備えている。圧力センサ３は、ｚ方向において互いに反対側を向くセンサ主面３ａおよびセンサ裏面３ｂと、ｚ方向においてセンサ主面３ａとセンサ裏面３ｂとの間に位置するキャビティ３３と、センサ主面３ａの一部を含み、ｚ方向に視てキャビティ３３に重なるダイアフラム３１１と、センサ主面３ａに配置され、ボンディングワイヤ４が導通接続したセンサ電極３４とを備えている。センサ電極３４は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層３４１を備えている。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さ方向において互いに反対側を向くセンサ主面およびセンサ裏面と、
前記厚さ方向において前記センサ主面と前記センサ裏面との間に位置する中空部分と、
前記センサ主面の一部を含み、かつ、前記厚さ方向に視て前記中空部分に重なるダイアフラムと、
前記センサ主面に配置されたセンサ電極と、を備え、
前記センサ電極は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層を備えている、
圧力センサ。
前記厚さ方向において前記センサ主面と前記センサ裏面との間に位置する中空部分と、
前記センサ主面の一部を含み、かつ、前記厚さ方向に視て前記中空部分に重なるダイアフラムと、
前記センサ主面に配置されたセンサ電極と、を備え、
前記センサ電極は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層を備えている、
圧力センサ。
【請求項2】
前記第１金属は、Ｃｕである、
請求項１に記載の圧力センサ。
請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項3】
前記センサ電極は、前記第１層に対して前記センサ主面とは反対側に配置され、かつ、第２金属からなる第２層をさらに備えている、
請求項１に記載の圧力センサ。
請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項4】
前記第２金属は、Ｎｉである、
請求項３に記載の圧力センサ。
請求項３に記載の圧力センサ。
【請求項5】
前記センサ電極は、前記第２層に対して前記センサ主面とは反対側に配置され、かつ、第３金属からなる第３層をさらに備えている、
請求項３に記載の圧力センサ。
請求項３に記載の圧力センサ。
【請求項6】
前記第３金属は、Ｐｄである、
請求項５に記載の圧力センサ。
請求項５に記載の圧力センサ。
【請求項7】
前記ダイアフラムに形成された拡散抵抗と、
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線上に配置されている、
請求項１に記載の圧力センサ。
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線上に配置されている、
請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項8】
前記金属配線は、前記第１金属を含んでいる、
請求項７に記載の圧力センサ。
請求項７に記載の圧力センサ。
【請求項9】
前記ダイアフラムに形成された拡散抵抗と、
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線の一部である、
請求項１に記載の圧力センサ。
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線の一部である、
請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項10】
前記センサ電極は、前記厚さ方向に視て、前記ダイアフラムに重ならない位置に配置されている、
請求項１に記載の圧力センサ。
請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項11】
前記センサ主面に配置された複数の第２センサ電極をさらに備え、
前記センサ主面は、矩形状であって、第１辺を備え、
前記センサ電極および前記複数の第２センサ電極はいずれも、前記第１辺と前記ダイアフラムとの間に配置されている、
請求項１に記載の圧力センサ。
前記センサ主面は、矩形状であって、第１辺を備え、
前記センサ電極および前記複数の第２センサ電極はいずれも、前記第１辺と前記ダイアフラムとの間に配置されている、
請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項12】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の圧力センサと、
箱形状であり、かつ、前記圧力センサを収納するパッケージと、
前記パッケージに配置された電極パッドと、
前記電極パッドと前記センサ電極とを導通接続するボンディングワイヤと、
を備えている、
センサモジュール。
箱形状であり、かつ、前記圧力センサを収納するパッケージと、
前記パッケージに配置された電極パッドと、
前記電極パッドと前記センサ電極とを導通接続するボンディングワイヤと、
を備えている、
センサモジュール。
【請求項13】
前記ボンディングワイヤは、Ｃｕを含んでいる、
請求項１２に記載のセンサモジュール。
請求項１２に記載のセンサモジュール。
【請求項14】
前記パッケージに収納され、かつ、前記圧力センサが出力する検出信号の処理を行う電子部品をさらに備え、
前記電子部品は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く電子部品主面および電子部品裏面と、前記電子部品裏面に配置された電子部品電極と、を備え、
前記圧力センサは、前記センサ裏面を前記電子部品側に向けて、前記電子部品主面に搭載され、
前記パッケージは、前記厚さ方向において前記電子部品主面と同じ側を向く搭載面および前記電子部品裏面と同じ側を向く実装面を有する底板部を備え、
前記電子部品は、前記電子部品裏面を前記底板部側に向けて、前記搭載面に搭載されている、
請求項１２に記載のセンサモジュール。
前記電子部品は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く電子部品主面および電子部品裏面と、前記電子部品裏面に配置された電子部品電極と、を備え、
前記圧力センサは、前記センサ裏面を前記電子部品側に向けて、前記電子部品主面に搭載され、
前記パッケージは、前記厚さ方向において前記電子部品主面と同じ側を向く搭載面および前記電子部品裏面と同じ側を向く実装面を有する底板部を備え、
前記電子部品は、前記電子部品裏面を前記底板部側に向けて、前記搭載面に搭載されている、
請求項１２に記載のセンサモジュール。
【請求項15】
前記パッケージの内部空間に充填された保護部材をさらに備えている、
請求項１２に記載のセンサモジュール。
請求項１２に記載のセンサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、圧力センサ、および、当該圧力センサを備えたセンサモジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体集積回路の製造に用いられる微細加工技術を利用して、機械要素部品と電子回路とを集積化したデバイスであるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）が知られている。ＭＥＭＳには、たとえば圧力センサがある。特許文献１には、基板に電子部品および気圧センサを搭載したセンサモジュールが開示されている。当該センサモジュールにおいては、気圧センサの電極パッドと基板の搭載面に配置された電極パッドとが、ボンディングワイヤによって導通接続されている。また、気圧センサの電極パッドは、ＡｌやＡｌ合金などの金属からなる。当該センサモジュールは、気圧センサが気圧を検知するために、中空パッケージ構造で、外気を取り込む構造になっている。したがって、使用される環境によっては、気圧センサの電極パッドが、外気に含まれている微量の塩素や硫黄の影響により、腐食する可能性がある。また、当該センサモジュールの製造前に、気圧センサの電極パッドが外気に触れる可能性もある。電極パッドの腐食が進行すると、電極パッドに接合されたボンディングワイヤが剥離する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１０１６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、電極の腐食によるボンディングワイヤの剥離を抑制できるセンサモジュール、および、当該センサモジュールが備える圧力センサを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示によって提供される圧力センサは、厚さ方向において互いに反対側を向くセンサ主面およびセンサ裏面と、前記厚さ方向において前記センサ主面と前記センサ裏面との間に位置する中空部分と、前記センサ主面の一部を含み、かつ、前記厚さ方向に視て前記中空部分に重なるダイアフラムと、前記センサ主面に配置されたセンサ電極と、を備え、前記センサ電極は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層を備えている。
【0006】
本開示によって提供されるセンサモジュールは、本開示によって提供される圧力センサと、箱形状であり、かつ、前記圧力センサを収納するパッケージと、前記パッケージに配置された電極パッドと、前記電極パッドと前記センサ電極とを導通接続するボンディングワイヤと、を備えている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によると、電極の腐食によるボンディングワイヤの剥離を抑制できる。
【0008】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
【0011】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
【0012】
〔第１実施形態〕
図１～図１０に基づき、本開示の第１実施形態にかかるセンサモジュールＡ１について説明する。センサモジュールＡ１は、気圧を検出するものであり、例えば掃除機や炊飯器などの各種家電機器や携帯端末などの各種電子機器の回路基板に実装される。なお、センサモジュールＡ１の用途は限定されない。図１～図３に示すように、センサモジュールＡ１は、パッケージ１、電子部品２、圧力センサ３、複数のボンディングワイヤ４、保護部材５、蓋６、および複数の接合部７を備えている。
図１～図１０に基づき、本開示の第１実施形態にかかるセンサモジュールＡ１について説明する。センサモジュールＡ１は、気圧を検出するものであり、例えば掃除機や炊飯器などの各種家電機器や携帯端末などの各種電子機器の回路基板に実装される。なお、センサモジュールＡ１の用途は限定されない。図１～図３に示すように、センサモジュールＡ１は、パッケージ１、電子部品２、圧力センサ３、複数のボンディングワイヤ４、保護部材５、蓋６、および複数の接合部７を備えている。
【0013】
図１は、センサモジュールＡ１を示す斜視図である。図２は、センサモジュールＡ１を示す平面図である。図２においては、理解の便宜上、蓋６および保護部材５を透過している。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図３の部分拡大図である。図５は、図３の部分拡大図である。図６は、接合部７の構造を示す拡大平面図である。図６においては、理解の便宜上、接合部７および後述する電極パッド１４だけを示している。図７は、センサモジュールＡ１のブロック図である。図８は、圧力センサ３の平面図であり、配線パターンの一例を示している。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図８のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。これらの図において、センサモジュールＡ１の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向（ｚ１－ｚ２方向）とし、ｚ方向に直交するセンサモジュールＡ１の一方の辺に沿う方向をｘ方向（ｘ１－ｘ２方向）、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向をｙ方向（ｙ１－ｙ２方向）として説明する（以下の図においても同様）。本実施形態においては、センサモジュールＡ１は、ｘ方向およびｙ方向の寸法が例えば２ｍｍ程度、ｚ方向の寸法が０．８～１ｍｍ程度とされる。なお、センサモジュールＡ１の各寸法は限定されない。
【0014】
パッケージ１は、図１～図３に示すように、ｚ方向視形状が略矩形状であり、内部空間１９を有する箱形状である。また、パッケージ１は、セラミックからなる。本実施形態では、パッケージ１は、複数のグリーンシートを積層して焼成することで形成された積層セラミック基板である。パッケージ１は、内部空間１９に電子部品２および圧力センサ３を収納し、センサモジュールＡ１を各種機器の回路基板に実装するための部材である。パッケージ１は、底板部１１および側壁部１２を備えている。
【0015】
底板部１１は、箱形状のパッケージ１の底板部分を構成し、搭載面１１ａおよび実装面１１ｂを備えている。搭載面１１ａおよび実装面１１ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載面１１ａは、ｚ１方向を向く面であり、電子部品２が搭載される面である。実装面１１ｂは、ｚ２方向を向く面であり、センサモジュールＡ１を各種機器の回路基板に実装する際に利用される面である。
【0016】
パッケージ１の搭載面１１ａには、複数の電極パッド１４および図示しない複数の配線が配置されている。複数の電極パッド１４は、搭載面１１ａ上に搭載された電子部品２に導通接続される電極として用いられる。各電極パッド１４は、例えばＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。本実施形態では、電極パッド１４の最の外側の層はＡｕからなる。
【0017】
また、パッケージ１の実装面１１ｂには、複数の電極パッド１５が配置されている。複数の電極パッド１５は、センサモジュールＡ１を回路基板に実装する際に、回路基板の配線パターンに導通接続される電極として用いられる。各電極パッド１５は、例えばＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。各電極パッド１５は、例えば底板部１１を貫通する図示しないスルーホールなどを介して、搭載面１１ａの配線や電極パッド１４に導通接続している。
【0018】
側壁部１２は、箱形状のパッケージ１の矩形筒形の側壁部分を構成し、内壁面１２３、蓋配置面１２１、およびパッド配置面１２２を備えている。内壁面１２３は、側壁部１２の内側を向く４個の面を含む内周面である。側壁部１２の内壁面１２３および底板部１１の搭載面１１ａによって囲まれた空間が内部空間１９であり、電子部品２および圧力センサ３を収納し、保護部材５が充填される。
【0019】
蓋配置面１２１は、側壁部１２の底板部１１とは反対側の端面であり、ｚ方向において、底板部１１の搭載面１１ａと同じ側（ｚ１方向）を向いている。蓋配置面１２１は、ｚ方向視において矩形状の環形状であり平坦な面である。蓋配置面１２１には、蓋接合部１６が配置されている。蓋接合部１６は、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の合金からなり、たとえばメッキによって形成される。なお、蓋接合部１６の材料は限定されない。蓋接合部１６は、ｚ方向視において矩形状の環形状である。蓋接合部１６には、例えば溶接によって、蓋６が接合されている。
【0020】
パッド配置面１２２は、側壁部１２のうちｙ１方向に位置する部分の内壁面１２３側の一部が蓋配置面１２１からｚ方向に凹んだ凹部の底面であり、ｚ方向において、底板部１１の搭載面１１ａと同じ側（ｚ１方向）を向いている。パッド配置面１２２は、ｚ方向視において矩形状であり平坦な面である。パッド配置面１２２は、ｚ方向において、搭載面１１ａと蓋配置面１２１との間に配置されている。パッド配置面１２２には、複数の電極パッド１３が配置されている。複数の電極パッド１３は、圧力センサ３に導通接続される電極として用いられる。電極パッド１３は、例えばＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。本実施形態では、図２に示すように、４個の電極パッド１３が、ｘ方向に等間隔で並んで配置されている。なお、電極パッド１３の数は限定されない。各電極パッド１３は、例えばパッド配置面１２２、内壁面１２３、および搭載面１１ａに配置された図示しない配線などを介して、電極パッド１４に導通接続している。
【0021】
なお、パッケージ１は、積層セラミック基板に限定されず、上記のような構造を有していればよい。パッケージ１の材料は、セラミックに限定されず、例えば合成樹脂などの他の材料であってもよい。また、パッケージ１の形成方法も限定されない。
【0022】
電子部品２は、圧力センサ３が検出した検出信号を処理するものであり、いわゆるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）素子として構成されている。図７に示すように、本実施形態においては、電子部品２は、温度センサ２２を備えており、当該温度センサ２２が検出した検出信号、および、圧力センサ３が検出した検出信号の処理を行う。電子部品２は、温度センサ２２が検出した検出信号と圧力センサ３が検出した検出信号とをマルチプレクサ２３で多重化して、アナログ／デジタル変換回路２４でデジタル信号に変換する。そして、信号処理部２５が、クロック２６のクロック信号に基づいて、記憶部２７の記憶領域を利用しながら、増幅やフィルタリング、論理演算などの処理を行う。信号処理後の信号は、インターフェイス２８を介して出力される。これにより、センサモジュールＡ１は、圧力および温度を検出した信号を適切な信号処理を行った上で、出力することができる。なお、電子部品２の内部構成は限定されない。
【0023】
電子部品２は、基板上に各種素子を搭載してパッケージングした、制御のための電子部品である。電子部品２は、平面視矩形状の板状であり、主面２ａおよび裏面２ｂを備えている。主面２ａおよび裏面２ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面２ａは、ｚ１方向を向く面であり、圧力センサ３が搭載される面である。裏面２ｂは、ｚ２方向を向く面であり、電子部品２をパッケージ１に搭載する際に利用される面である。本実施形態においては、電子部品２のｚ方向の寸法は１００μｍ程度であり、ｘ方向およびｙ方向の寸法はそれぞれ１～１．２ｍｍ程度である。なお、電子部品２の各寸法は限定されない。
【0024】
電子部品２の裏面２ｂには、複数の電極２１が配置されている。複数の電極２１は、それぞれ、パッケージ１の複数の電極パッド１４のいずれかに導通接続される電極として用いられ、各電極パッド１４に対向する位置に配置されている。電極２１は、例えばＡｌやアルミ合金などの金属からなり、たとえばメッキによって形成される。電極２１は、電子部品２内部の導通経路を介して、電子部品２内部に形成された回路に導通接続されている。なお、電極２１の数および配置は限定されない。電子部品２は、パッケージ１にフリップチップ実装されており、裏面２ｂを底板部１１側に向けて、パッケージ１の搭載面１１ａの略中央に搭載されている。電子部品２の裏面２ｂの各電極２１は、それぞれ接合部７を介して、各電極パッド１４に導通接続している。
【0025】
複数の接合部７は、それぞれ、電子部品２の複数の電極２１のいずれかと、パッケージ１の複数の電極パッド１４のいずれかとの間に介在し、電極２１と電極パッド１４とを導通させる。各接合部７は、ｚ方向視において円形状または楕円形状であり、本実施形態では、図６に示すようにいずれも円形状である。また、各接合部７は、図５に示すように、ｘ方向視において、ｚ方向の両端が平坦な楕円形状であり、ｚ１側の平坦部がｚ２側の平坦部より長い。ｙ方向視においても同様である。各接合部７の材料は例えばＡｕからなる。各接合部７は、例えばＡｕからなる略球形状のバンプが電子部品２の電極２１上に形成され、電子部品２がパッケージ１に搭載される際に、当該バンプが電極パッド１４に押し付けられることで形成される。各接合部７は、図５および図６に示すように、第１接触面７１および第２接触面７２を備えている。第１接触面７１は、電子部品２の電極２１と接触する面であり、接合部７を電極２１上に形成したときに形成される。第２接触面７２は、パッケージ１の電極パッド１４と接触する面であり、電子部品２をパッケージ１に搭載する際に、接合部７が電極パッド１４に接触することで形成される。接合部７は先に電極２１に接して形成されているので、第１接触面７１の面積は第２接触面７２の面積より大きい。また、ｚ方向視において、第２接触面７２は、第１接触面７１に内包されている。
【0026】
圧力センサ３は、圧力を検出するためのセンサである。圧力センサ３は、圧力を検出し、その検出結果を検出信号として電子部品２に出力する。圧力センサ３は、パッケージ１の内部空間１９に収納され、内部空間１９の流体の圧力を検出する。本実施形態では、圧力センサ３は、パッケージ１の内部空間１９にある空気の圧力を検出する気圧センサである。圧力センサ３は、直方体形状であり、主面３ａおよび裏面３ｂを備えている。主面３ａおよび裏面３ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面３ａは、ｚ１方向を向く面であり、電極３４が配置されている。裏面３ｂは、ｚ２方向を向く面であり、圧力センサ３を電子部品２に搭載する際に利用される面である。主面３ａおよび裏面３ｂは、ともに矩形状である。本実施形態においては、圧力センサ３のｚ方向の寸法は２５０μｍ程度であり、ｘ方向およびｙ方向の寸法はそれぞれ１～１．２ｍｍ程度である。本実施形態では、圧力センサ３のｘ方向およびｙ方向の寸法は、電子部品２のｘ方向およびｙ方向の寸法に一致しており、ｚ方向視において、圧力センサ３と電子部品２とは隙間なく重なっている。なお、圧力センサ３の各寸法は限定されない。
【0027】
図３に示すように、圧力センサ３は、シリコン基板３１、ガラス基板３２、およびキャビティ３３を備えている。
【0028】
シリコン基板３１は、シリコンを積層した箱形状をなし、ダイアフラム３１１およびダイアフラム３１１の外縁を支持する支持層３１２を備えている。シリコン基板３１は、積層されたシリコン基板に、所定のエッチングマスクを介してエッチングを施すことで形成される。エッチングされて薄膜状となった部分が、ダイアフラム３１１になる。薄膜状というのは、少なくとも支持層３１２の厚さ（ｚ方向の寸法）より薄く、キャビティ３３内の気圧とキャビティ３３外部の気圧との差で変形可能な厚さであることを意味している。なお、シリコン基板３１の形成方法は限定されず、薄膜状のダイアフラム３１１を形成できればよい。本実施形態においては、ダイアフラム３１１の厚さ（ｚ方向の寸法）は、７μｍ程度である。シリコン基板３１のｚ１側の面が、圧力センサ３の主面３ａである。ダイアフラム３１１は、主面３ａの一部を含んでいる。
【0029】
ガラス基板３２は、シリコン基板３１に形成された開口部を塞ぐように、支持層３１２に固定される。ガラス基板３２とシリコン基板３１とは、例えば陽極接合によって接合される。なお、ガラス基板３２とシリコン基板３１とは、その他の接合方法（例えば接着剤による接着）によって接合されていてもよい。ガラス基板３２のｚ２側の面が、圧力センサ３の裏面３ｂである。
【0030】
キャビティ３３は、ダイアフラム３１１、支持層３１２およびガラス基板３２で囲まれて密閉された中空部分である。ダイアフラム３１１は、ｚ方向に視て、キャビティ３３に重なっている。キャビティ３３は、圧力が一定に保たれており、本実施形態では、絶対真空に近い真空とされている。また、本実施形態では、キャビティ３３を直方体形状の空間としている。図２および図８においては、実際には見えないキャビティ３３の外形を一点鎖線で示している。ダイアフラム３１１は、ｚ方向視においてキャビティ３３に重なる部分であり、ダイアフラム３１１のｚ方向視形状は矩形状である。なお、ダイアフラム３１１およびキャビティ３３の形状は限定されない。例えば、キャビティ３３は円柱形状であってもよい。この場合。ダイアフラム３１１は、平面視円形状になる。
【0031】
ダイアフラム３１１は、キャビティ３３内の気圧とキャビティ３３外部の気圧との差で変形する。圧力センサ３は、ダイアフラム３１１の形状（歪み具合）に応じた電気信号を生成して、電子部品２に出力する。
【0032】
図９に示すように、シリコン基板３１は、シリコン層３１ａとシリコン層３１ｃとの間に酸化層３１ｂを配置して積層されたシリコン基板を、ｚ２方向から酸化層３１ｂまでエッチングを施すことで形成されている。残ったシリコン層３１ａが、ダイアフラム３１１になる。
【0033】
また、図８および図９に示すように、シリコン層３１ａのｚ１側の面には、不純物の拡散によって拡散抵抗３７（３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄ）が形成され、不純物の拡散によって拡散配線３６が形成されている。拡散抵抗３７は、ダイアフラム３１１に形成されており、ダイアフラム３１１の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗である。拡散配線３６は、ダイアフラム３１１に形成されており、ダイアフラム３１１の変形によっては抵抗値があまり変化しない配線である。図８においては、拡散抵抗３７および拡散配線３６を破線で示している。
【0034】
また、図９および図１０に示すように、シリコン層３１ａのｚ１側の面（圧力センサ３の主面３ａ）には、パッシベーション膜３８が配置されている。パッシベーション膜３８は、電気絶縁性を有し、主面３ａを覆っている。パッシベーション膜３８は、たとえば、シリコン基板３１に接して積層された酸化ケイ素膜（ＳｉＯ2）と、当該酸化ケイ素膜に積層された窒化ケイ素膜（Ｓｉ3Ｎ4）とにより構成される。
【0035】
シリコン層３１ａのｚ１側の面（圧力センサ３の主面３ａ）には、スパッタにより金属配線３５が形成されている。金属配線３５は、パッシベーション膜３８のｚ１側の面に形成されており、パッシベーション膜３８を貫通して設けられたビアを介して、シリコン層３１ａに形成された拡散配線３６に導通接続している。金属配線３５の構成材料は限定されないが、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い金属が望ましく、たとえばＣｕが望ましい。
【0036】
パッシベーション膜３８および金属配線３５は、表面保護膜３９によって覆われている。表面保護膜３９は、電気絶縁性を有する。表面保護膜３９の構成材料は限定されないが、例えば、フェノール樹脂またはポリイミド樹脂などである。表面保護膜３９は、複数の開口３９ａを備えている。複数の開口３９ａからはそれぞれ、金属配線３５が露出している。表面保護膜３９は、例えば、スピンコータによって塗布された感光性樹脂材料に対してフォトリソグラフィ技術を適用することによって、形成される。
【0037】
図４および図１０に示すように、金属配線３５の所定の位置に、電極３４（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ）が形成されている。電極３４は、表面保護膜３９の開口３９ａを介して、金属配線３５に導通接続している。本実施形態では、電極３４は、金属配線３５からｚ方向ｚ１側に向けて積層された第１層３４１、第２層３４２、および第３層３４３を備えている。第１層３４１は、金属配線３５に接し、第１金属からなる。第１金属は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い金属である。本実施形態では、第１金属はＣｕであるが、限定されない。第１層３４１は、たとえばメッキにより形成される。なお、第１層３４１の形成方法および厚さは限定されない。
【0038】
第２層３４２は、第１層３４１のｚ方向ｚ１側に接して配置され、第２金属からなる。第２金属は限定されないが、本実施形態ではＮｉである。第２層３４２は、たとえばメッキにより形成される。なお、第２層３４２の形成方法および厚さは限定されない。第３層３４３は、第２層３４２のｚ方向ｚ１側に接して配置され、第３金属からなる。第３金属は限定されないが、本実施形態ではＰｄである。第３層３４３は、たとえばメッキにより形成される。なお、第３層３４３の形成方法および厚さは限定されない。なお、電極３４の構成はこれに限定されず、第１層３４１を備えていればよい。たとえば、電極３４は、第２層３４２または第３層３４３を備えなくてもよいし、他の金属層をさらに備えてもよい。
【0039】
図８に示すように、圧力センサ３のダイアフラム３１１内には、４個の拡散抵抗３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄが配置されている。４個の拡散抵抗３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄは、金属配線３５および拡散配線３６によって電気的に接続されて、ブリッジ回路を構成している。また、圧力センサ３のダイアフラム３１１の周囲の支持層３１２には、４個の電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが配置されている。本実施形態では、４個の電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄは、いずれも、ダイアフラム３１１のｙ１側に配置されている。つまり、４個の電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄは、主面３ａのｙ１側の第１辺３１９とダイアフラム３１１との間にすべて配置されている。電極３４ａは、拡散抵抗３７ａと拡散抵抗３７ｃとを導通接続する金属配線３５に導通接続されている。電極３４ｂは、拡散抵抗３７ａと拡散抵抗３７ｂとを導通接続する金属配線３５に導通接続されている。電極３４ｃは、拡散抵抗３７ｃと拡散抵抗３７ｄとを導通接続する金属配線３５に導通接続されている。電極３４ｄは、拡散抵抗３７ｂと拡散抵抗３７ｄとを導通接続する金属配線３５に導通接続されている。電極３４ａと電極３４ｄとの間には、例えば５Ｖの基準電圧が印加され、電極３４ｂと電極３４ｃとの間の電圧が検出信号として、電子部品２に出力される。拡散抵抗３７ｂおよび拡散抵抗３７ｃは、ダイアフラム３１１が歪むことによって、電流の流れる方向（図８では長手方向でありｘ方向）に延びるので、抵抗値が大きくなる。一方、拡散抵抗３７ａおよび拡散抵抗３７ｄは、ダイアフラム３１１が歪むことによって、電流の流れる方向に直交する方向（図８では短手方向でありｙ方向）に延びるので、抵抗値が小さくなる。これにより、ダイアフラム３１１の歪み具合に応じて、電極３４ｂと電極３４ｃとの間の電圧が変化する。なお、図８は、配線パターンの一例であり、電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ、拡散抵抗３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄ、拡散配線３６および金属配線３５の配置位置および接続方法は限定されない。また、電極３４の数は４個に限定されず、検査用の電極３４がさらに配置されてもよい。
【0040】
図３に示すように、圧力センサ３は、裏面３ｂを電子部品２側に向けて、電子部品２の主面２ａに搭載されている。圧力センサ３と電子部品２とは、例えばシリコーン樹脂などの接合層７５によって接合されている。圧力センサ３の電極３４（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ）は、ボンディングワイヤ４を介して、パッケージ１のパッド配置面１２２に配置された電極パッド１３に導通接続されている。各電極３４は、ボンディングワイヤ４、パッケージ１の電極パッド１３、各配線、電極パッド１４、および接合部７を介して、電子部品２の電極２１に導通接続されている。
【0041】
複数のボンディングワイヤ４は、パッケージ１の複数の電極パッド１３のいずれかと、圧力センサ３の複数の電極３４のいずれかとを導通接続する。各ボンディングワイヤ４は、たとえばＣｕからなる。なお、各ボンディングワイヤ４の材料は限定されず、たとえばＡｌ，Ａｕなどであってもよい。各ボンディングワイヤ４は、ファーストボンディング部４１およびセカンドボンディング部４２を備えている。ファーストボンディング部４１は、先に接合された部分であり、本実施形態では、電極パッド１３に接合されている。セカンドボンディング部４２は、後で接合された部分であり、本実施形態では、電極３４上に配置された緩衝部４３に接合されている。本実施形態では、各ボンディングワイヤ４は、ウエッジボンディングにより形成される。なお、各ボンディングワイヤ４は、ボールボンディングにより形成されてもよい。
【0042】
緩衝部４３は、電極３４に接合されており、ボンディングワイヤ４を接合する際の、シリコン基板３１への衝撃を吸収するための部材である。本実施形態では、電極３４の第１層３４１がＡｌより硬いＣｕからなるので、ボンディングワイヤ４を電極３４にウエッジボンディングにより接合すると、衝撃によりシリコン基板３１が損傷する場合がある。緩衝部４３は、電極３４の第３層３４３に接して導通接合され、ボンディングワイヤ４は、緩衝部４３に導通接合される。これにより、緩衝部４３がシリコン基板３１への衝撃を吸収して、シリコン基板３１の損傷を抑制する。
【0043】
本実施形態では、緩衝部４３は、第１緩衝部４３１と第２緩衝部４３２とを備えている。第１緩衝部４３１は、電極３４の第３層３４３に接して導通接合されている。第２緩衝部４３２は、第１緩衝部４３１に接して導通接合されている。第１緩衝部４３１および第２緩衝部４３２は、ワイヤ材料をウエッジボンディングにより接合したワイヤ片である。第１緩衝部４３１および第２緩衝部４３２は、通常のワイヤボンディングとは異なり、ファーストボンディングして少しワイヤ材料を延ばしてすぐに切断することで形成されている。本実施形態では、第１緩衝部４３１および第２緩衝部４３２は、ボンディングワイヤ４と同じワイヤ材料を用いて形成される。したがって、緩衝部４３の構成材料は、ボンディングワイヤ４と同様にＣｕである。なお、緩衝部４３は、ボンディングワイヤ４とは異なるワイヤ材料を用いて形成されてもよい。また、緩衝部４３は、第２緩衝部４３２を備えず、第１緩衝部４３１のみで構成されてもよいし、第１緩衝部４３１と第２緩衝部４３２との間にさらに第３緩衝部を備えてもよい。
【0044】
本実施形態では、図３に示すように、搭載面１１ａから電極パッド１３が配置されているパッド配置面１２２までの距離Ｄ１は、搭載面１１ａから圧力センサ３の主面３ａまでの距離Ｄ３と同程度である。距離Ｄ１は、搭載面１１ａから電子部品２の主面２ａまでの距離Ｄ２より大きいことが望ましい。さらに、距離Ｄ１は、距離Ｄ３の０．９倍以上１．１倍以下であるのが望ましく、距離Ｄ３と等しいことが最も望ましい。
【0045】
保護部材５は、パッケージ１の側壁部１２の内壁面１２３および底板部１１の搭載面１１ａによって囲まれた内部空間１９に充填され、電子部品２、圧力センサ３、および複数のボンディングワイヤ４を覆うように形成されている。複数のボンディングワイヤ４は、いずれも、保護部材５によって全体が覆われている。本実施形態では、圧力センサ３の主面３ａは、保護部材５によって全体が覆われている。また、パッド配置面１２２および電極パッド１３も、保護部材５によって全体が覆われている。
【0046】
保護部材５は、絶縁性の樹脂であり、本実施形態では、シリコーンゲルである。保護部材５は、液体状のシリコーンゲルの材料をパッケージ１の内部空間１９に充填し、加熱により硬化させてゲル状にしたものである。なお、保護部材５の材料は限定されない。本実施形態では、保護部材５のヤング率は、０．０４ＧＰａ程度である。保護部材５のヤング率は、０．１ＧＰａ以下０．０１ＧＰａ以上であることが望ましい。保護部材５は、ヤング率が比較的低いので、ダイアフラム３１１の変形をほとんど阻害しない。したがって、圧力センサ３のダイアフラム３１１が保護部材５によって覆われていても、圧力センサ３は、保護部材５に影響されずに、適切に圧力を検出できる。
【0047】
蓋６は、金属製のｚ方向視略矩形状の板状部材である。蓋６は、蓋接合部１６に接合されて、パッケージ１の蓋配置面１２１に配置されており、パッケージ１の開口をふさいでいる。本実施形態では、蓋６は、溶接によって蓋接合部１６に接合されている。なお、蓋６の材料および接合方法は限定されない。また、センサモジュールＡ１は、蓋接合部１６を備えなくてもよい。蓋６は、内部に外気を取り入れるための開口部６１を備えている。蓋６に開口部６１が設けられ、パッケージ１の内部空間１９が中空になっていることで、圧力センサ３は、センサモジュールＡ１の周囲の気圧（例えば大気圧）を検出できる。また、電子部品２の温度センサ２２は、センサモジュールＡ１の周囲の気温を検出できる。本実施形態では、図１に示すように、開口部６１が、蓋６のｘ１側の端部寄りでｙ２側の端部寄りの位置に、１個だけ配置されている。なお、開口部６１の位置および数は限定されない。
【0048】
【0049】
まず、パッケージ材料９１、電子部品２、および圧力センサ３を準備する。本実施形態では、電子部品２の裏面２ｂに配置された各電極２１上には、例えばＡｕからなる略球形状のバンプ９２が形成されている（図１２参照）。
【0050】
また、本実施形態では、パッケージ材料９１は、図１１に示すように、グリーンシート９１１，９１２，９１３を積層して焼成することで形成されたセラミック基板である。グリーンシート９１１は、互いに反対側を向く表面９１１ａおよび裏面９１１ｂと、表面９１１ａから裏面９１１ｂまで貫通する貫通孔９１１ｃとを備えている。グリーンシート９１２は、互いに反対側を向く表面９１２ａおよび裏面９１２ｂと、表面９１２ａから裏面９１２ｂまで貫通する貫通孔９１２ｃとを備えている。グリーンシート９１３は、互いに反対側を向く表面９１３ａおよび裏面９１３ｂを備えている。なお、グリーンシート９１１，９１２，９１３にはそれぞれ必要に応じて、たとえばスクリーン印刷によって、図示しない配線が形成されている。また、図示しない貫通孔が形成されて、スルーホールが形成されている場合がある。また、グリーンシート９１１，９１２，９１３は、それぞれ、複数のグリーンシートが積層されたものであってもよい。
【0051】
グリーンシート９１１の裏面９１１ｂとグリーンシート９１２の表面９１２ａとが接し、グリーンシート９１２の裏面９１２ｂとグリーンシート９１３の表面９１３ａとが接するように積層して、焼成することで、パッケージ材料９１が形成される（図１２参照）。このとき、グリーンシート９１２の表面９１２ａのうち貫通孔９１１ｃから露出する部分がパッド配置面１２２になる。また、グリーンシート９１３の表面９１３ａのうち貫通孔９１２ｃから露出する部分が搭載面１１ａになる。また、グリーンシート９１１の貫通孔９１１ｃおよびグリーンシート９１２の貫通孔９１２ｃが内壁面１２３になる。また、グリーンシート９１３の表面９１３ａ、グリーンシート９１１の貫通孔９１１ｃ、およびグリーンシート９１２の貫通孔９１２ｃによって囲まれた空間が内部空間１９になる。
【0052】
次に、図１２に示すように、パッケージ材料９１に、蓋接合部１６および電極パッド１３，１４，１５を形成する。パッケージ材料９１は、表面９１ａおよび裏面９１ｂを備えている。グリーンシート９１１の表面９１１ａが表面９１ａになり、グリーンシート９１３の裏面９１３ｂが裏面９１ｂになっている。パッケージ材料９１は、最終工程で裁断されてパッケージ１になる。また、パッケージ材料９１の裏面９１ｂが実装面１１ｂになり、パッケージ材料９１の表面９１ａが蓋配置面１２１になる。パッケージ材料９１の表面９１ａに、たとえばメッキによって蓋接合部１６を形成する。また、パッケージ材料９１のパッド配置面１２２に、たとえばメッキによって電極パッド１３を形成する。また、パッケージ材料９１の搭載面１１ａに、たとえばメッキによって電極パッド１４を形成する。また、パッケージ材料９１の裏面９１ｂに、たとえばメッキによって電極パッド１５を形成する。
【0053】
次に、図１２に示すように、パッケージ材料９１の各内部空間１９に、電子部品２を搭載する。電子部品２は、裏面２ｂをパッケージ材料９１の搭載面１１ａに向けて、搭載面１１ａにフリップチップ実装される。このとき、電子部品２の複数の電極２１にそれぞれ形成されたバンプ９２が、超音波と圧力によって、パッケージ材料９１の複数の電極パッド１４にそれぞれ接合されて、接合部７になる（図１３参照）。電子部品２の各電極２１は、それぞれ接合部７を介して、各電極パッド１４に導通接続する。
【0054】
次に、図１３に示すように、電子部品２に圧力センサ３を搭載する。電子部品２の主面２ａに接合層７５の材料を塗布し、圧力センサ３の裏面３ｂを電子部品２側に向けて、圧力センサ３を電子部品２に搭載する。
【0055】
次に、図１４に示すように、圧力センサ３の各電極３４とパッケージ材料９１の各電極パッド１３とを、ボンディングワイヤ４で接続する。ボンディングワイヤ４は、まず、電極パッド１３に接合され、次に、電極３４に接合される。
【0056】
次に、図１５に示すように、各内部空間１９に、液体のシリコーンゲル材料９３を充填する。シリコーンゲル材料９３は、例えばディスペンサによって、内部空間１９の複数個所に順次注入される。このとき、シリコーンゲル材料９３は、圧力センサ３の主面３ａの全体、および、各ボンディングワイヤ４の全体を覆うようにされ充填される。そして、加熱することで、シリコーンゲル材料９３は硬化し、保護部材５になる。
【0057】
次に、パッケージ材料９１を、センサモジュールＡ１に相当する個片に裁断する。その後、各個片の蓋接合部１６に蓋６を溶接により接合する。以上の工程を経ることにより、センサモジュールＡ１が製造される。
【0058】
次に、センサモジュールＡ１および圧力センサ３の作用効果について説明する。
【0059】
本実施形態によると、圧力センサ３の各電極３４は、第１金属からなる第１層３４１を備えている。第１金属は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い金属である。したがって、センサモジュールＡ１は、電極３４がＡｌまたはＡｌ合金である場合と比較して、電極３４の腐食を抑制できる。これにより、センサモジュールＡ１は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。
【0060】
また、本実施形態によると、圧力センサ３の各電極３４は、第２金属からなる第２層３４２および第３金属からなる第３層３４３を備えている。第２金属はＮｉであり、第３金属はＰｄである。これにより、電極３４は、第１層３４１を保護し、かつ、ワイヤボンディングを良好にできる。
【0061】
また、本実施形態によると、各ボンディングワイヤ４のセカンドボンディング部４２は、電極３４上に配置された緩衝部４３に接合される。これにより、セカンドボンディング時に、緩衝部４３がシリコン基板３１への衝撃を吸収する。したがって、センサモジュールＡ１は、緩衝部４３を備えていない場合と比較して、シリコン基板３１の損傷を抑制できる。
【0062】
また、本実施形態によると、電子部品２は、パッケージ１の搭載面１１ａにフリップチップ実装されている。したがって、電子部品２の電極２１とパッケージ１の電極パッド１４とをボンディングワイヤ４で接続する必要がない。ワイヤボンディングのためのキャピラリ等の接触に備えて搭載面１１ａを大きくする必要がないので、センサモジュールＡ１は小型化が可能である。また、本実施形態によると、接合部７は、電子部品２の電極２１上に形成されたバンプ９２が、搭載面１１ａの電極パッド１４に押し付けられることで形成される。接合部７はＡｕからなるので、例えばＡｌである電極２１との接合は、最も外側の層がＡｕからなる電極パッド１４との接合より難しい。接合部７は、先に電極２１に形成されることで、電極２１との接合をより強固にできる。また、接合による電子部品２へのダメージが小さい。また、接合部７が電極パッド１４より精細化されている電極２１に先に形成される。したがって、接合部７が先に電極パッド１４に形成される場合と比較して、電子部品２をパッケージ１に搭載する際の位置ずれによる不良品の発生を抑制できる。
【0063】
また、本実施形態によると、パッケージ１は搭載面１１ａよりｚ１方向に配置されたパッド配置面１２２を備え、圧力センサ３の電極３４はパッド配置面１２２に配置された電極パッド１３にボンディングワイヤ４を介して導通接続されている。したがって、電極パッド１３が搭載面１１ａに配置されている場合と比較して、ワイヤボンディング時にキャピラリがパッケージ１や圧力センサ３に接触することを抑制できる。これにより、キャピラリの接触に備えて搭載面１１ａを大きくする必要がないので、センサモジュールＡ１は小型化が可能である。また、本実施形態によると、搭載面１１ａからパッド配置面１２２までの距離Ｄ１は、搭載面１１ａから圧力センサ３の主面３ａまでの距離Ｄ３と同程度である。したがって、ボンディングワイヤ４の形成がより容易である。また、電極パッド１３が搭載面１１ａに配置されている場合と比較して、電極パッド１３、圧力センサ３の主面３ａ、およびボンディングワイヤ４を保護部材５によって覆いやすいという利点がある。また、保護部材５の材料の使用量を抑制できる。パッド配置面１２２は、蓋配置面１２１よりｚ２方向に配置されている。したがって、パッド配置面１２２と蓋配置面１２１とがｚ方向において同じ位置にある場合と比較して、ボンディングワイヤ４が蓋６に接触することを抑制できる。
【0064】
また、本実施形態によると、圧力センサ３の主面３ａに配置された４個の電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄは、いずれも、ダイアフラム３１１のｙ１側に配置されている。各電極３４は、圧力センサ３のｙ１側に配置されたパッド配置面１２２の各電極パッド１３に、ボンディングワイヤ４を介して導通接続されている。パッケージ１は、圧力センサ３のｙ１側以外にパッド配置面１２２を備えなくても、各電極３４と各電極パッド１３とを近接させることができる。したがって、センサモジュールＡ１は、各電極３４と各電極パッド１３とを近接させつつ小型化を図ることができる。また、パッケージ１が圧力センサ３のｙ１側以外にもパッド配置面１２２および電極パッド１３を備えて、ボンディングワイヤ４が接合されていた場合、各ボンディングワイヤ４を覆うように保護部材５を充填すると、圧力センサ３の主面３ａのうち各ボンディングワイヤ４の間に位置する領域の保護部材５の厚さが厚くなる。パッケージ１は圧力センサ３のｙ１側以外にパッド配置面１２２を備えていないので、主面３ａに形成される保護部材５の厚さを抑制できる。
【0065】
また、本実施形態によると、保護部材５は、各電極パッド１３、各電極３４、および各ボンディングワイヤ４を覆っている。したがって、蓋６の開口部６１から空気とともに水などの粒子が浸入した場合でも、保護部材５は、各電極パッド１３、各電極３４、および各ボンディングワイヤ４の腐食を防止できる。また、保護部材５は、短絡の発生を防止できる。また、本実施形態によると、保護部材５は、圧力センサ３の主面３ａの全体を覆っている。したがって、保護部材５が主面３ａの一部だけを覆う場合と比較して、保護部材５の形成が容易である。また、保護部材５は、ダイアフラム３１１の全体を覆っているので、保護部材５がダイアフラム３１１の一部だけを覆う場合と比較して、圧力センサ３は、適切に圧力を検出できる。また、本実施形態によると、保護部材５は、ヤング率が比較的低いので、ダイアフラム３１１の変形をほとんど阻害しない。したがって、圧力センサ３のダイアフラム３１１が保護部材５によって覆われていても、圧力センサ３は、保護部材５に影響されずに、適切に圧力を検出できる。
【0066】
また、本実施形態によると、パッケージ１はセラミックからなる。したがって、パッケージ１は、センサモジュールＡ１の製造工程での加熱や、センサモジュールＡ１の使用時の環境負荷による変形が抑制される。これにより、パッケージ１に搭載された圧力センサ３の測定精度の劣化が抑制される。また、パッケージ１は、積層セラミック基板である。したがって、内部空間１９やパッド配置面１２２を有する構造を形成しやすい。
【0067】
また、本実施形態によると、各ボンディングワイヤ４は、まず、電極パッド１３に接合され、次に、電極３４上に配置された緩衝部４３に接合される。ボンディングワイヤ４の形成時にキャピラリはｙ２方向に移動するので、キャピラリの移動によるパッケージ１の側壁部１２との接触が防止される。また、ボンディングワイヤ４の低背化に寄与する。
【0068】
図１６～図１８は、第１実施形態に係るセンサモジュールＡ１の変形例を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【0069】
＜第１変形例＞
図１６は、第１実施形態の第１変形例にかかるセンサモジュールＡ１１を説明するための図である。図１６は、センサモジュールＡ１１を示す部分拡大断面図であり、図４に対応する図である。第１変形例に係る圧力センサ３は、第４層３４４をさらに備えている。第４層３４４は、第３層３４３のｚ方向ｚ１側に接して配置され、第４金属からなる。第４金属は限定されないが、本実施形態ではＡｕである。第４層３４４は、たとえばメッキにより形成される。なお、第４層３４４の形成方法および厚さは限定されない。
図１６は、第１実施形態の第１変形例にかかるセンサモジュールＡ１１を説明するための図である。図１６は、センサモジュールＡ１１を示す部分拡大断面図であり、図４に対応する図である。第１変形例に係る圧力センサ３は、第４層３４４をさらに備えている。第４層３４４は、第３層３４３のｚ方向ｚ１側に接して配置され、第４金属からなる。第４金属は限定されないが、本実施形態ではＡｕである。第４層３４４は、たとえばメッキにより形成される。なお、第４層３４４の形成方法および厚さは限定されない。
【0070】
＜第２変形例＞
図１７は、第１実施形態の第２変形例にかかるセンサモジュールＡ１２を説明するための図である。図１７は、センサモジュールＡ１２を示す部分拡大断面図であり、図４に対応する図である。第２変形例に係る圧力センサ３は、電極３４を備えていない。本変形例では、金属配線３５は、第１金属からなる。金属配線３５は、表面保護膜３９の開口３９ａから露出した露出部３５ａを備えている。また、金属配線３５の露出部３５ａには、第２層３５１および第３層３５２が積層されている。第２層３５１は、露出部３５ａのｚ方向ｚ１側に接して配置され、第２金属からなる。第３層３５２は、第２層３５１のｚ方向ｚ１側に接して配置され、第３金属からなる。本変形例においては、金属配線３５の露出部３５ａ、第２層３５１、および第３層３５２が、電極３４の代わりとなり、緩衝部４３が、第３層３５２に接して導通接合されている。ボンディングワイヤ４のセカンドボンディング部４２は、金属配線３５の露出部３５ａ上に配置された緩衝部４３に接合されている。本変形例によると、圧力センサ３は、電極３４の代わりになる金属配線３５の露出部３５ａが第１金属からなる。したがって、センサモジュールＡ１２は、露出部３５ａの腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。
図１７は、第１実施形態の第２変形例にかかるセンサモジュールＡ１２を説明するための図である。図１７は、センサモジュールＡ１２を示す部分拡大断面図であり、図４に対応する図である。第２変形例に係る圧力センサ３は、電極３４を備えていない。本変形例では、金属配線３５は、第１金属からなる。金属配線３５は、表面保護膜３９の開口３９ａから露出した露出部３５ａを備えている。また、金属配線３５の露出部３５ａには、第２層３５１および第３層３５２が積層されている。第２層３５１は、露出部３５ａのｚ方向ｚ１側に接して配置され、第２金属からなる。第３層３５２は、第２層３５１のｚ方向ｚ１側に接して配置され、第３金属からなる。本変形例においては、金属配線３５の露出部３５ａ、第２層３５１、および第３層３５２が、電極３４の代わりとなり、緩衝部４３が、第３層３５２に接して導通接合されている。ボンディングワイヤ４のセカンドボンディング部４２は、金属配線３５の露出部３５ａ上に配置された緩衝部４３に接合されている。本変形例によると、圧力センサ３は、電極３４の代わりになる金属配線３５の露出部３５ａが第１金属からなる。したがって、センサモジュールＡ１２は、露出部３５ａの腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。
【0071】
＜第３変形例＞
図１８は、第１実施形態の第３変形例にかかるセンサモジュールＡ１３を説明するための図である。図１８は、センサモジュールＡ１３を示す部分拡大断面図であり、図４に対応する図である。第３変形例に係るセンサモジュールＡ１３は、緩衝部４３を備えておらず、ボンディングワイヤ４のセカンドボンディング部４２が電極３４に直接接合されている。本変形例によると、緩衝部４３を形成する工程を省略できるので、製造工程が簡略化される。
図１８は、第１実施形態の第３変形例にかかるセンサモジュールＡ１３を説明するための図である。図１８は、センサモジュールＡ１３を示す部分拡大断面図であり、図４に対応する図である。第３変形例に係るセンサモジュールＡ１３は、緩衝部４３を備えておらず、ボンディングワイヤ４のセカンドボンディング部４２が電極３４に直接接合されている。本変形例によると、緩衝部４３を形成する工程を省略できるので、製造工程が簡略化される。
【0072】
【0073】
〔第２実施形態〕
図１９は、本開示の第２実施形態にかかるセンサモジュールＡ２を示す平面図であり、図２に対応する図である。なお、図１９においては、理解の便宜上、蓋６および保護部材５を透過している。本実施形態のセンサモジュールＡ２は、圧力センサ３の４個の電極３４の配置位置が、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図１９は、本開示の第２実施形態にかかるセンサモジュールＡ２を示す平面図であり、図２に対応する図である。なお、図１９においては、理解の便宜上、蓋６および保護部材５を透過している。本実施形態のセンサモジュールＡ２は、圧力センサ３の４個の電極３４の配置位置が、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0074】
本実施形態にかかる圧力センサ３は、２個の電極３４がダイアフラム３１１のｙ１側に配置され、他の２個の電極３４がダイアフラム３１１のｘ１側に配置されている。また、本実施形態にかかるパッド配置面１２２は、側壁部１２のうちｙ１方向に位置する部分とｘ１方向に位置する部分とにまたがるＬ字形状である。パッド配置面１２２は、２個の電極パッド１３がｙ１方向に位置する部分に配置され、他の２個の電極パッド１３がｘ１方向に位置する部分に配置されている。
【0075】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ２は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ２は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。
【0076】
〔第３実施形態〕
図２０は、本開示の第３実施形態にかかるセンサモジュールＡ３を示す平面図であり、図２に対応する図である。なお、図２０においては、理解の便宜上、蓋６および保護部材５を透過している。本実施形態のセンサモジュールＡ３は、圧力センサ３の４個の電極３４の配置位置が、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２０は、本開示の第３実施形態にかかるセンサモジュールＡ３を示す平面図であり、図２に対応する図である。なお、図２０においては、理解の便宜上、蓋６および保護部材５を透過している。本実施形態のセンサモジュールＡ３は、圧力センサ３の４個の電極３４の配置位置が、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0077】
本実施形態にかかる圧力センサ３は、２個の電極３４がダイアフラム３１１のｙ１側に配置され、他の２個の電極３４がダイアフラム３１１のｙ２側に配置されている。また、本実施形態にかかるパッケージ１は、さらにパッド配置面１２２’を備えている。パッド配置面１２２’は、側壁部１２のうちｙ２方向に位置する部分の内壁面１２３側の一部が蓋配置面１２１からｚ方向に凹んだ凹部の底面であり、ｚ方向において、底板部１１の搭載面１１ａと同じ側を向いている。パッド配置面１２２’は、ｚ方向視において矩形状であり平坦な面である。パッド配置面１２２’は、ｚ方向において、搭載面１１ａと蓋配置面１２１との間に配置されている。パッド配置面１２２には２個の電極パッド１３が配置され、パッド配置面１２２’には他の２個の電極パッド１３が配置されている。
【0078】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ３は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ３は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。
【0079】
〔第４実施形態〕
図２１は、本開示の第４実施形態にかかるセンサモジュールＡ４を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ４は、保護部材５を備えていない点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２１は、本開示の第４実施形態にかかるセンサモジュールＡ４を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ４は、保護部材５を備えていない点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0080】
本実施形態にかかるセンサモジュールＡ４は、防水、防湿を必要としない用途に用いられるので、保護部材５を備えていない。
【0081】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ４は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ４は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。さらに、センサモジュールＡ４は、保護部材５を備えていないので、材料コストを抑制できる。また、センサモジュールＡ４は、保護部材５を充填する工程を必要としないので、製造工程を簡略化できる。
【0082】
〔第５実施形態〕
図２２は、本開示の第５実施形態にかかるセンサモジュールＡ５を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ５は、圧力センサ３のｚ方向視における大きさが、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２２は、本開示の第５実施形態にかかるセンサモジュールＡ５を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ５は、圧力センサ３のｚ方向視における大きさが、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0083】
本実施形態にかかる圧力センサ３は、ｘ方向の寸法が電子部品２のｘ方向の寸法より小さく、ｙ方向の寸法が電子部品２のｙ方向の寸法より小さい。圧力センサ３は、ｚ方向視において、電子部品２に内包されている。
【0084】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ５は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ５は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。
【0085】
〔第６実施形態〕
図２３および図２４は、本開示の第６実施形態にかかるセンサモジュールＡ６を示している。図２３は、センサモジュールＡ６を示す断面図であり、図３に対応する図である。図２４は、センサモジュールＡ６を示す平面図であり、図２に対応する図である。なお、図２４においては、理解の便宜上、蓋６を透過している。本実施形態のセンサモジュールＡ６は、ダイアフラム３１１が保護部材５によって覆われていない点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２３および図２４は、本開示の第６実施形態にかかるセンサモジュールＡ６を示している。図２３は、センサモジュールＡ６を示す断面図であり、図３に対応する図である。図２４は、センサモジュールＡ６を示す平面図であり、図２に対応する図である。なお、図２４においては、理解の便宜上、蓋６を透過している。本実施形態のセンサモジュールＡ６は、ダイアフラム３１１が保護部材５によって覆われていない点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0086】
本実施形態にかかる保護部材５は、圧力センサ３の主面３ａの一部だけを覆っている。保護部材５は、開口５ａを備えており、当該開口５ａからダイアフラム３１１の全体を露出させている。つまり、センサモジュールＡ６においては、保護部材５は、ダイアフラム３１１を覆っていない。
【0087】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ６は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ６は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態よると、ダイアフラム３１１が保護部材５に覆われていないので、保護部材５のヤング率が高い場合や、圧力センサ３の主面３ａ上に形成された保護部材５が厚い場合でも、保護部材５は、ダイアフラム３１１の変形を阻害しない。したがって、圧力センサ３は、保護部材５に影響されずに、適切に圧力を検出できる。
【0088】
〔第７実施形態〕
図２５は、本開示の第７実施形態にかかるセンサモジュールＡ７を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ７は、ボンディングワイヤ４の接合の順番が、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～６実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２５は、本開示の第７実施形態にかかるセンサモジュールＡ７を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ７は、ボンディングワイヤ４の接合の順番が、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～６実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0089】
本実施形態にかかるボンディングワイヤ４は、ファーストボンディング部４１が圧力センサ３の電極３４に接合され、セカンドボンディング部４２がパッケージ１の電極パッド１３に接合されている。
【0090】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ７は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ７は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。
【0091】
〔第８実施形態〕
図２６は、本開示の第８実施形態にかかるセンサモジュールＡ８を示す部分拡大断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ８は、接合部７が先に電極パッド１４に形成されている点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～７実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２６は、本開示の第８実施形態にかかるセンサモジュールＡ８を示す部分拡大断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ８は、接合部７が先に電極パッド１４に形成されている点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～７実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0092】
本実施形態にかかる接合部７は、バンプ９２がパッケージ１の電極パッド１４に先に形成され、電子部品２がパッケージ１に搭載される際に、当該バンプ９２が電子部品２の電極２１に押し付けられることで形成される。接合部７は、電極パッド１４に形成されたときに第２接触面７２が形成され、電子部品２をパッケージ１に搭載する際に電極２１に接触することで第１接触面７１が形成される。接合部７は電極パッド１４に接して先に形成されているので、第２接触面７２の面積は第１接触面７１の面積より大きい。また、ｚ方向視において、第１接触面７１は、第２接触面７２に内包されている。
【0093】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ８は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ８は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。
【0094】
〔第９実施形態〕
図２７は、本開示の第９実施形態にかかるセンサモジュールＡ９を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ９は、パッケージ１および蓋６の代わりに、基板１０およびカバー６０を備えている点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～８実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２７は、本開示の第９実施形態にかかるセンサモジュールＡ９を示す断面図であり、図３に対応する図である。本実施形態のセンサモジュールＡ９は、パッケージ１および蓋６の代わりに、基板１０およびカバー６０を備えている点で、センサモジュールＡ１と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～８実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0095】
本実施形態において、基板１０は、板状であり、電子部品２および圧力センサ３が搭載されている。カバー６０は、箱形状の部材であり、電子部品２および圧力センサ３を覆っている。圧力センサ３の電極３４および電子部品２の電極２１は、ボンディングワイヤ４によって、パッケージ１の電子部品２が搭載された面に配置された電極パッド１３に導通接続されている。
【0096】
本実施形態においても、圧力センサ３の各電極３４が第１金属からなる第１層３４１を備えているので、センサモジュールＡ９は、電極３４の腐食によるボンディングワイヤ４の剥離を抑制できる。また、センサモジュールＡ９は、センサモジュールＡ１と共通する構成をとることにより、センサモジュールＡ１と同等の効果を奏する。第９実施形態から理解されるように、電子部品２および圧力センサ３が収納される部材の構成は何ら限定されない。
【0097】
なお、上記第１ないし第９実施形態においては、圧力センサ３が気圧センサである場合について説明したが、これに限られない。圧力センサ３は、パッケージ１の内部空間１９にある液体の圧力を検出してもよい。
【0098】
本開示にかかる圧力センサおよびセンサモジュールは、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる圧力センサおよびセンサモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0099】
〔付記１〕
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向くセンサ主面（３ａ）およびセンサ裏面（３ｂ）と、
前記厚さ方向において前記センサ主面と前記センサ裏面との間に位置する中空部分（３３）と、
前記センサ主面の一部を含み、かつ、前記厚さ方向に視て前記中空部分に重なるダイアフラム（３１１）と、
前記センサ主面に配置されたセンサ電極（３４）と、を備え、
前記センサ電極は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層（３４１）を備えている、
圧力センサ（３）。
〔付記２〕
前記第１金属は、Ｃｕである、
付記１に記載の圧力センサ。
〔付記３〕
前記センサ電極は、前記第１層に対して前記センサ主面とは反対側に配置され、かつ、第２金属からなる第２層（３４２）をさらに備えている、
付記１または２に記載の圧力センサ。
〔付記４〕
前記第２金属は、Ｎｉである、
付記３に記載の圧力センサ。
〔付記５〕
前記センサ電極は、前記第２層に対して前記センサ主面とは反対側に配置され、かつ、第３金属からなる第３層（３４３）をさらに備えている、
付記３または４に記載の圧力センサ。
〔付記６〕
前記第３金属は、Ｐｄである、
付記５に記載の圧力センサ。
〔付記７〕
前記ダイアフラムに形成された拡散抵抗（３７）と、
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線（３５）と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線上に配置されている、
付記１ないし６のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記８〕
前記金属配線は、前記第１金属を含んでいる、
付記７に記載の圧力センサ。
〔付記９〕
前記ダイアフラムに形成された拡散抵抗と、
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線の一部である、
付記１ないし６のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記１０〕
前記センサ電極は、前記厚さ方向に視て、前記ダイアフラムに重ならない位置に配置されている、
付記１ないし９のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記１１〕
前記センサ主面に配置された複数の第２センサ電極（３４）をさらに備え、
前記センサ主面は、矩形状であって、第１辺（３１９）を備え、
前記センサ電極および前記複数の第２センサ電極はいずれも、前記第１辺と前記ダイアフラムとの間に配置されている、
付記１ないし１０のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記１２〕
付記１ないし１１のいずれかに記載の圧力センサと、
箱形状であり、かつ、前記圧力センサを収納するパッケージ（１）と、
前記パッケージに配置された電極パッド（１３）と、
前記電極パッドと前記センサ電極とを導通接続するボンディングワイヤ（４）と、
を備えている、
センサモジュール。
〔付記１３〕
前記ボンディングワイヤは、Ｃｕを含んでいる、
付記１２に記載のセンサモジュール（Ａ１）。
〔付記１３－１〕
前記ボンディングワイヤは、ファーストボンディング部（４１）およびセカンドボンディング部（４２）を備え、
前記ファーストボンディング部は、前記電極パッドに接合され、
前記セカンドボンディング部は、前記センサ電極に接合されている、
付記１２または１３に記載のセンサモジュール。
〔付記１３－２〕
前記センサ電極に導通接合されている緩衝部（４３）をさらに備え、
前記ボンディングワイヤは、ファーストボンディング部およびセカンドボンディング部を備え、
前記ファーストボンディング部は、前記電極パッドに接合され、
前記セカンドボンディング部は、前記緩衝部に接合されている、
付記１２または１３に記載のセンサモジュール。
〔付記１４〕
前記パッケージに収納され、かつ、前記圧力センサが出力する検出信号の処理を行う電子部品（２）をさらに備え、
前記電子部品は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く電子部品主面（２ａ）および電子部品裏面（２ｂ）と、前記電子部品裏面に配置された電子部品電極（２１）と、を備え、
前記圧力センサは、前記センサ裏面を前記電子部品側に向けて、前記電子部品主面に搭載され、
前記パッケージは、前記厚さ方向において前記電子部品主面と同じ側を向く搭載面（１１ａ）および前記電子部品裏面と同じ側を向く実装面（１１ｂ）を有する底板部（１１）を備え、
前記電子部品は、前記電子部品裏面を前記底板部側に向けて、前記搭載面に搭載されている、
付記１２または１３に記載のセンサモジュール。
〔付記１５〕
前記パッケージの内部空間に充填された保護部材（５）をさらに備えている、
付記１２ないし１４のいずれかに記載のセンサモジュール。
〔付記１５－１〕
前記保護部材はシリコーンゲルである、
付記１５に記載のセンサモジュール。
〔付記１５－２〕
前記保護部材は、前記ボンディングワイヤの全体を覆っている、
付記１５に記載のセンサモジュール。
〔付記１５－３〕
前記保護部材は、前記ダイアフラムの全体を露出させている、
付記１５に記載のセンサモジュール。
〔付記１５－２〕
前記保護部材は、前記センサ主面の全体を覆っている、
付記１５に記載のセンサモジュール。
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向くセンサ主面（３ａ）およびセンサ裏面（３ｂ）と、
前記厚さ方向において前記センサ主面と前記センサ裏面との間に位置する中空部分（３３）と、
前記センサ主面の一部を含み、かつ、前記厚さ方向に視て前記中空部分に重なるダイアフラム（３１１）と、
前記センサ主面に配置されたセンサ電極（３４）と、を備え、
前記センサ電極は、ＡｌおよびＡｌ合金より耐腐食性が高い第１金属からなる第１層（３４１）を備えている、
圧力センサ（３）。
〔付記２〕
前記第１金属は、Ｃｕである、
付記１に記載の圧力センサ。
〔付記３〕
前記センサ電極は、前記第１層に対して前記センサ主面とは反対側に配置され、かつ、第２金属からなる第２層（３４２）をさらに備えている、
付記１または２に記載の圧力センサ。
〔付記４〕
前記第２金属は、Ｎｉである、
付記３に記載の圧力センサ。
〔付記５〕
前記センサ電極は、前記第２層に対して前記センサ主面とは反対側に配置され、かつ、第３金属からなる第３層（３４３）をさらに備えている、
付記３または４に記載の圧力センサ。
〔付記６〕
前記第３金属は、Ｐｄである、
付記５に記載の圧力センサ。
〔付記７〕
前記ダイアフラムに形成された拡散抵抗（３７）と、
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線（３５）と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線上に配置されている、
付記１ないし６のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記８〕
前記金属配線は、前記第１金属を含んでいる、
付記７に記載の圧力センサ。
〔付記９〕
前記ダイアフラムに形成された拡散抵抗と、
前記センサ主面に配置され、かつ、前記拡散抵抗に導通する金属配線と、
をさらに備え、
前記センサ電極は、前記金属配線の一部である、
付記１ないし６のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記１０〕
前記センサ電極は、前記厚さ方向に視て、前記ダイアフラムに重ならない位置に配置されている、
付記１ないし９のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記１１〕
前記センサ主面に配置された複数の第２センサ電極（３４）をさらに備え、
前記センサ主面は、矩形状であって、第１辺（３１９）を備え、
前記センサ電極および前記複数の第２センサ電極はいずれも、前記第１辺と前記ダイアフラムとの間に配置されている、
付記１ないし１０のいずれかに記載の圧力センサ。
〔付記１２〕
付記１ないし１１のいずれかに記載の圧力センサと、
箱形状であり、かつ、前記圧力センサを収納するパッケージ（１）と、
前記パッケージに配置された電極パッド（１３）と、
前記電極パッドと前記センサ電極とを導通接続するボンディングワイヤ（４）と、
を備えている、
センサモジュール。
〔付記１３〕
前記ボンディングワイヤは、Ｃｕを含んでいる、
付記１２に記載のセンサモジュール（Ａ１）。
〔付記１３－１〕
前記ボンディングワイヤは、ファーストボンディング部（４１）およびセカンドボンディング部（４２）を備え、
前記ファーストボンディング部は、前記電極パッドに接合され、
前記セカンドボンディング部は、前記センサ電極に接合されている、
付記１２または１３に記載のセンサモジュール。
〔付記１３－２〕
前記センサ電極に導通接合されている緩衝部（４３）をさらに備え、
前記ボンディングワイヤは、ファーストボンディング部およびセカンドボンディング部を備え、
前記ファーストボンディング部は、前記電極パッドに接合され、
前記セカンドボンディング部は、前記緩衝部に接合されている、
付記１２または１３に記載のセンサモジュール。
〔付記１４〕
前記パッケージに収納され、かつ、前記圧力センサが出力する検出信号の処理を行う電子部品（２）をさらに備え、
前記電子部品は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く電子部品主面（２ａ）および電子部品裏面（２ｂ）と、前記電子部品裏面に配置された電子部品電極（２１）と、を備え、
前記圧力センサは、前記センサ裏面を前記電子部品側に向けて、前記電子部品主面に搭載され、
前記パッケージは、前記厚さ方向において前記電子部品主面と同じ側を向く搭載面（１１ａ）および前記電子部品裏面と同じ側を向く実装面（１１ｂ）を有する底板部（１１）を備え、
前記電子部品は、前記電子部品裏面を前記底板部側に向けて、前記搭載面に搭載されている、
付記１２または１３に記載のセンサモジュール。
〔付記１５〕
前記パッケージの内部空間に充填された保護部材（５）をさらに備えている、
付記１２ないし１４のいずれかに記載のセンサモジュール。
〔付記１５－１〕
前記保護部材はシリコーンゲルである、
付記１５に記載のセンサモジュール。
〔付記１５－２〕
前記保護部材は、前記ボンディングワイヤの全体を覆っている、
付記１５に記載のセンサモジュール。
〔付記１５－３〕
前記保護部材は、前記ダイアフラムの全体を露出させている、
付記１５に記載のセンサモジュール。
〔付記１５－２〕
前記保護部材は、前記センサ主面の全体を覆っている、
付記１５に記載のセンサモジュール。
【符号の説明】
【0100】
Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ２～Ａ９：センサモジュール
１ ：パッケージ
１１ ：底板部
１１ａ ：搭載面
１１ｂ ：実装面
１０ ：基板
１２ ：側壁部
１２１ ：蓋配置面
１２２，１２２'：パッド配置面
１２３ ：内壁面
１３，１４，１５：電極パッド
１６ ：蓋接合部
１９ ：内部空間
２ ：電子部品
２ａ ：主面
２ｂ ：裏面
２１ ：電極
２２ ：温度センサ
２３ ：マルチプレクサ
２４ ：アナログ／デジタル変換回路
２５ ：信号処理部
２６ ：クロック
２７ ：記憶部
２８ ：インターフェイス
３ ：圧力センサ
３ａ ：主面
３ｂ ：裏面
３１ ：シリコン基板
３１１ ：ダイアフラム
３１２ ：支持層
３１ａ ：シリコン層
３１ｂ ：酸化層
３１ｃ ：シリコン層
３１９ ：第１辺
３２ ：ガラス基板
３３ ：キャビティ
３４，３４ａ～３４ｄ：電極
３４１ ：第１層
３４２ ：第２層
３４３ ：第３層
３４４ ：第４層
３５ ：金属配線
３５ａ ：露出部
３５１ ：第２層
３５２ ：第３層
３６ ：拡散配線
３７，３７ａ～３７ｄ：拡散抵抗
３８ ：パッシベーション膜
３９ ：表面保護膜
３５ａ ：開口
４ ：ボンディングワイヤ
４１ ：ファーストボンディング部
４２ ：セカンドボンディング部
４３ ：緩衝部
４３１ ：第１緩衝部
４３２ ：第２緩衝部
５ ：保護部材
５ａ ；開口部
６ ：蓋
６１ ：開口部
６０ ：カバー
７ ：接合部
７１ ：第１接触面
７２ ：第２接触面
７５ ：接合層
９１ ：パッケージ材料
９１ａ ：表面
９１ｂ ：裏面
９１１ ：グリーンシート
９１１ａ：表面
９１１ｂ：裏面
９１１ｃ：貫通孔
９１２ ：グリーンシート
９１２ａ：表面
９１２ｂ：裏面
９１２ｃ：貫通孔
９１３ ：グリーンシート
９１３ａ：表面
９１３ｂ：裏面
９２ ：バンプ
９３ ：シリコーンゲル材料
１ ：パッケージ
１１ ：底板部
１１ａ ：搭載面
１１ｂ ：実装面
１０ ：基板
１２ ：側壁部
１２１ ：蓋配置面
１２２，１２２'：パッド配置面
１２３ ：内壁面
１３，１４，１５：電極パッド
１６ ：蓋接合部
１９ ：内部空間
２ ：電子部品
２ａ ：主面
２ｂ ：裏面
２１ ：電極
２２ ：温度センサ
２３ ：マルチプレクサ
２４ ：アナログ／デジタル変換回路
２５ ：信号処理部
２６ ：クロック
２７ ：記憶部
２８ ：インターフェイス
３ ：圧力センサ
３ａ ：主面
３ｂ ：裏面
３１ ：シリコン基板
３１１ ：ダイアフラム
３１２ ：支持層
３１ａ ：シリコン層
３１ｂ ：酸化層
３１ｃ ：シリコン層
３１９ ：第１辺
３２ ：ガラス基板
３３ ：キャビティ
３４，３４ａ～３４ｄ：電極
３４１ ：第１層
３４２ ：第２層
３４３ ：第３層
３４４ ：第４層
３５ ：金属配線
３５ａ ：露出部
３５１ ：第２層
３５２ ：第３層
３６ ：拡散配線
３７，３７ａ～３７ｄ：拡散抵抗
３８ ：パッシベーション膜
３９ ：表面保護膜
３５ａ ：開口
４ ：ボンディングワイヤ
４１ ：ファーストボンディング部
４２ ：セカンドボンディング部
４３ ：緩衝部
４３１ ：第１緩衝部
４３２ ：第２緩衝部
５ ：保護部材
５ａ ；開口部
６ ：蓋
６１ ：開口部
６０ ：カバー
７ ：接合部
７１ ：第１接触面
７２ ：第２接触面
７５ ：接合層
９１ ：パッケージ材料
９１ａ ：表面
９１ｂ ：裏面
９１１ ：グリーンシート
９１１ａ：表面
９１１ｂ：裏面
９１１ｃ：貫通孔
９１２ ：グリーンシート
９１２ａ：表面
９１２ｂ：裏面
９１２ｃ：貫通孔
９１３ ：グリーンシート
９１３ａ：表面
９１３ｂ：裏面
９２ ：バンプ
９３ ：シリコーンゲル材料
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】